JPH0526821A - 外観検査装置 - Google Patents
外観検査装置Info
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- JPH0526821A JPH0526821A JP18732591A JP18732591A JPH0526821A JP H0526821 A JPH0526821 A JP H0526821A JP 18732591 A JP18732591 A JP 18732591A JP 18732591 A JP18732591 A JP 18732591A JP H0526821 A JPH0526821 A JP H0526821A
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- light intensity
- intensity signal
- printed wiring
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、プリント配線等のパターンを外観検
査する外観検査装置に関し、１つの装置で各種試料の外
観検査を容易に行うことを目的とする。 【構成】プリント配線板１０上に光を照射し、光照射点
からの正反射光、散乱光及び蛍光の光強度をそれぞれＰ
ＳＤ４４、光検出器３２及び４３で検出し、光強度信号
を２値化し、画素が‘１’となる光強度信号と画素が
‘０’となる光強度信号との比と、画素が‘１’となる
光強度信号との一次結合値に基づいて、光強度信号を自
動的に選択し、この選択した信号でプリント配線板１０
の明るさパターン像を得る。
査する外観検査装置に関し、１つの装置で各種試料の外
観検査を容易に行うことを目的とする。 【構成】プリント配線板１０上に光を照射し、光照射点
からの正反射光、散乱光及び蛍光の光強度をそれぞれＰ
ＳＤ４４、光検出器３２及び４３で検出し、光強度信号
を２値化し、画素が‘１’となる光強度信号と画素が
‘０’となる光強度信号との比と、画素が‘１’となる
光強度信号との一次結合値に基づいて、光強度信号を自
動的に選択し、この選択した信号でプリント配線板１０
の明るさパターン像を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線等のパタ
ーンを外観検査する外観検査装置に関する。
ーンを外観検査する外観検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７（Ａ）に示す如く、基材１０Ｓ上に
プリント配線パターン１０Ｐが形成されたプリント配線
板１０を外観検査する場合、プリント配線板１０上に光
を照射し、その反射光の強度を検出し、光照射点をプリ
ント配線板１０上で走査することにより、明るさパター
ンを得る。基材１０Ｓが高密度実装用の多層基板の場
合、ポリイミド等のほぼ透明の有機物質が用いられる。
このような有機物質は、一般に、光を照射すると蛍光を
発する。そこで、入射光の波長よりも長い波長域の光を
透過させる波長フィルタ４２を介して光を検出すると、
基材１０Ｓ及びプリント配線パターン１０Ｐの表面が鏡
面であるか粗面であるかによらず、かつ、基材１０Ｓ及
びプリント配線パターン１０Ｐの反射率によらず、コン
トラストの高いプリント配線パターン１０Ｐのネガ画像
が得られる。
プリント配線パターン１０Ｐが形成されたプリント配線
板１０を外観検査する場合、プリント配線板１０上に光
を照射し、その反射光の強度を検出し、光照射点をプリ
ント配線板１０上で走査することにより、明るさパター
ンを得る。基材１０Ｓが高密度実装用の多層基板の場
合、ポリイミド等のほぼ透明の有機物質が用いられる。
このような有機物質は、一般に、光を照射すると蛍光を
発する。そこで、入射光の波長よりも長い波長域の光を
透過させる波長フィルタ４２を介して光を検出すると、
基材１０Ｓ及びプリント配線パターン１０Ｐの表面が鏡
面であるか粗面であるかによらず、かつ、基材１０Ｓ及
びプリント配線パターン１０Ｐの反射率によらず、コン
トラストの高いプリント配線パターン１０Ｐのネガ画像
が得られる。
【０００３】また、図７（Ｂ）に示す如く、基材１０Ｓ
が非蛍光物質であって、基材１０Ｓの表面が粗面、プリ
ント配線パターン１０Ｐの表面が鏡面の場合には、基材
１０Ｓ上に入射した光の反射光の光強度分布は、曲線Ｃ
Ｓの如くなり、指向性がない。一方、プリント配線パタ
ーン１０Ｐ上に入射した光の反射光の光強度分布は、曲
線ＣＰの如くなり、正反射方向に強い指向性を有する。
したがって、この散乱光の一部を光照射光学系に再度通
して結像させることにより、プリント配線パターン１０
Ｐの反射率に影響されない、コントラストの高いプリン
ト配線パターン１０Ｐのネガ画像を得ることができる。
が非蛍光物質であって、基材１０Ｓの表面が粗面、プリ
ント配線パターン１０Ｐの表面が鏡面の場合には、基材
１０Ｓ上に入射した光の反射光の光強度分布は、曲線Ｃ
Ｓの如くなり、指向性がない。一方、プリント配線パタ
ーン１０Ｐ上に入射した光の反射光の光強度分布は、曲
線ＣＰの如くなり、正反射方向に強い指向性を有する。
したがって、この散乱光の一部を光照射光学系に再度通
して結像させることにより、プリント配線パターン１０
Ｐの反射率に影響されない、コントラストの高いプリン
ト配線パターン１０Ｐのネガ画像を得ることができる。
【０００４】さらに、基材１０Ｓが非蛍光性物質で、基
材１０Ｓ及びプリント配線パターン１０Ｐの表面が鏡面
であり、基材１０Ｓとプリント配線パターン１０Ｐの反
射率の差がある程度以上ある場合には、正反射光を検出
することにより、コントラストの高いプリント配線パタ
ーン１０Ｐのポジ画像を得ることができる。
材１０Ｓ及びプリント配線パターン１０Ｐの表面が鏡面
であり、基材１０Ｓとプリント配線パターン１０Ｐの反
射率の差がある程度以上ある場合には、正反射光を検出
することにより、コントラストの高いプリント配線パタ
ーン１０Ｐのポジ画像を得ることができる。
【０００５】このように、基材１０Ｓが蛍光物質である
かどうか、基材１０Ｓの表面が鏡面であるかどうか、プ
リント配線パターン１０Ｐの表面が鏡面であるかどうか
及び基材１０Ｓとプリント配線パターン１０Ｐとの反射
率の差の程度等により、入射光に対しどのような光を検
出すれば最もコントラストの高いパターン像が得られる
かが異なる。
かどうか、基材１０Ｓの表面が鏡面であるかどうか、プ
リント配線パターン１０Ｐの表面が鏡面であるかどうか
及び基材１０Ｓとプリント配線パターン１０Ｐとの反射
率の差の程度等により、入射光に対しどのような光を検
出すれば最もコントラストの高いパターン像が得られる
かが異なる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
外観検査装置では、特定の光検出方式を採用していたの
で、プリント配線板１０の性質に応じて異なる外観検査
装置を用いなければならず、１つの外観検査装置で各種
のプリント配線板１０を検査することができなかった。
また、プリント配線板１０の性質に応じてどのタイプの
外観検査装置を使用すべきかを検討する必要があり、煩
雑であった。
外観検査装置では、特定の光検出方式を採用していたの
で、プリント配線板１０の性質に応じて異なる外観検査
装置を用いなければならず、１つの外観検査装置で各種
のプリント配線板１０を検査することができなかった。
また、プリント配線板１０の性質に応じてどのタイプの
外観検査装置を使用すべきかを検討する必要があり、煩
雑であった。
【０００７】本発明の目的は、このような問題点に鑑
み、１つの装置で各種試料の外観検査を容易に行うこと
ができる外観検査装置を提供することにある。
み、１つの装置で各種試料の外観検査を容易に行うこと
ができる外観検査装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段及びその作用】図１は、本
発明に係る外観検査装置の原理構成を示す。
発明に係る外観検査装置の原理構成を示す。
【０００９】本発明は、基材１Ｓ上にパターン１Ｐが形
成された試料１に対し光２Ａを照射し、光照射点２Ｂか
らの光を検出し、光照射点２Ｂを試料１上で走査させる
ことにより明るさパターン像を取得し、該像に基づいて
外観検査を行う外観検査装置において、光照射点２Ｂか
らの正反射光２Ｃ、散乱光２Ｄ及び蛍光２Ｅのうち、２
つ以上の光強度を検出し光強度信号に変換する光検出手
段３と、基材１Ｓに対応した光強度信号とパターン１Ｐ
に対応した光強度信号とに基づいて、いずれか１つの光
強度信号を、該明るさパターン像を得るための信号とし
て選択する信号選択手段４とを備えている。
成された試料１に対し光２Ａを照射し、光照射点２Ｂか
らの光を検出し、光照射点２Ｂを試料１上で走査させる
ことにより明るさパターン像を取得し、該像に基づいて
外観検査を行う外観検査装置において、光照射点２Ｂか
らの正反射光２Ｃ、散乱光２Ｄ及び蛍光２Ｅのうち、２
つ以上の光強度を検出し光強度信号に変換する光検出手
段３と、基材１Ｓに対応した光強度信号とパターン１Ｐ
に対応した光強度信号とに基づいて、いずれか１つの光
強度信号を、該明るさパターン像を得るための信号とし
て選択する信号選択手段４とを備えている。
【００１０】本発明では、光照射点２Ｂからの正反射光
２Ｃ、散乱光２Ｄ及び蛍光２Ｅのうち、２つ以上の光強
度を検出し、試料１の種類に応じて適当な検出光の信号
を自動的に選択するので、１つの装置で各種試料の外観
検査を容易に行うことができる。
２Ｃ、散乱光２Ｄ及び蛍光２Ｅのうち、２つ以上の光強
度を検出し、試料１の種類に応じて適当な検出光の信号
を自動的に選択するので、１つの装置で各種試料の外観
検査を容易に行うことができる。
【００１１】本発明の第１態様では、信号選択手段４
は、光強度信号を２値化し、画素が‘１’となる光強度
信号ＶH と画素が‘０’となる光強度信号ＶL との比を
用いて、光強度信号を選択する。
は、光強度信号を２値化し、画素が‘１’となる光強度
信号ＶH と画素が‘０’となる光強度信号ＶL との比を
用いて、光強度信号を選択する。
【００１２】この比が大きい程、明るさパターン像のコ
ントラストが高いと推定することができるので、この構
成の場合、試料１の種類に応じてより適当な検出光の信
号を選択することができる。
ントラストが高いと推定することができるので、この構
成の場合、試料１の種類に応じてより適当な検出光の信
号を選択することができる。
【００１３】本発明の第２態様では、信号選択手段４
は、上記比と、画素が‘１’となる光強度信号ＶH との
一次結合値に基づいて、光強度信号を選択する。
は、上記比と、画素が‘１’となる光強度信号ＶH との
一次結合値に基づいて、光強度信号を選択する。
【００１４】この比が同一の場合、ＶH が大きい程、明
るさパターン像のコントラストが高いと推定することが
できるので、この構成の場合、試料１の種類に応じてさ
らに適当な検出光の信号を選択することができる。
るさパターン像のコントラストが高いと推定することが
できるので、この構成の場合、試料１の種類に応じてさ
らに適当な検出光の信号を選択することができる。
【００１５】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説
明する。
明する。
【００１６】図１は、外観検査装置の光学系斜視図であ
る。
る。
【００１７】検査対象としてのプリント配線板１０は、
Ｘ−Ｙステージ１１上に載置されている。このプリント
配線板１０の上方には、外観検査のための光照射光学系
と光検出光学系とが配置されている。
Ｘ−Ｙステージ１１上に載置されている。このプリント
配線板１０の上方には、外観検査のための光照射光学系
と光検出光学系とが配置されている。
【００１８】光照射光学系は、構成要素２０〜２５から
なる。レーザ２０から放射されたレーザビームは、光照
射点の収束度を高めるためにビームエクスパンダ２１で
拡径され、ハーフミラー３０を通って光走査用のポリゴ
ンミラー２２で反射され、光照射点の収束かつ等速走査
のためのｆθレンズ２３を通って反射ミラー２４で反射
され、プリント配線板１０上に収束照射される。モータ
２５でポリゴンミラー２２を回転させると、ポリゴンミ
ラー２２で反射された光ビームはｆθレンズ２３上で矢
印Ａ方向に走査され、プリント配線板１０上の光照射点
は矢印Ｂ方向に走査される。この１走査毎に、光走査方
向と直角な方向へＸ−Ｙステージ１１をステップ駆動す
ることにより、プリント配線板１０上を全て走査するこ
とができる。
なる。レーザ２０から放射されたレーザビームは、光照
射点の収束度を高めるためにビームエクスパンダ２１で
拡径され、ハーフミラー３０を通って光走査用のポリゴ
ンミラー２２で反射され、光照射点の収束かつ等速走査
のためのｆθレンズ２３を通って反射ミラー２４で反射
され、プリント配線板１０上に収束照射される。モータ
２５でポリゴンミラー２２を回転させると、ポリゴンミ
ラー２２で反射された光ビームはｆθレンズ２３上で矢
印Ａ方向に走査され、プリント配線板１０上の光照射点
は矢印Ｂ方向に走査される。この１走査毎に、光走査方
向と直角な方向へＸ−Ｙステージ１１をステップ駆動す
ることにより、プリント配線板１０上を全て走査するこ
とができる。
【００１９】光検出光学系は３つに分けられる。第１の
光検出光学系は、構成要素３０〜３２と、前記光照射光
学系との共用部分とからなる。光照射点から入射方向と
逆方向に進む散乱光は、反射ミラー２４で反射され、ｆ
θレンズ２３を通って平行化され、ポリゴンミラー２２
で反射され、ハーフミラー３０で分割反射され、結像レ
ンズ３１で光検出器３２の受光面に結像される。光照射
点に結像された光が、元の方向へ帰って光検出器３２に
再度結像されるので、以下これを再帰結像検出方式と称
す。
光検出光学系は、構成要素３０〜３２と、前記光照射光
学系との共用部分とからなる。光照射点から入射方向と
逆方向に進む散乱光は、反射ミラー２４で反射され、ｆ
θレンズ２３を通って平行化され、ポリゴンミラー２２
で反射され、ハーフミラー３０で分割反射され、結像レ
ンズ３１で光検出器３２の受光面に結像される。光照射
点に結像された光が、元の方向へ帰って光検出器３２に
再度結像されるので、以下これを再帰結像検出方式と称
す。
【００２０】第２及び第３の光検出光学系は、蛍光検出
方式及び正反射光検出方式をとっており、構成要素４０
〜４４からなる。光照射点からの正反射光及び蛍光（散
乱光）は結像レンズ４０を通り、ハーフミラー４１で透
過光と反射光とに２分割される。この透過光は、波長フ
ィルタ４２に入射する。波長フィルタ４２の透過波長域
は、レーザ２０の波長よりも長く、レーザ光は透過せず
蛍光のみが波長フィルタ４２を透過し、光検出器４３の
受光面に結像されてその光強度が検出される。一方、ハ
ーフミラー４１で反射された光は、ＰＳＤ４４の受光面
に結像されて検出される。
方式及び正反射光検出方式をとっており、構成要素４０
〜４４からなる。光照射点からの正反射光及び蛍光（散
乱光）は結像レンズ４０を通り、ハーフミラー４１で透
過光と反射光とに２分割される。この透過光は、波長フ
ィルタ４２に入射する。波長フィルタ４２の透過波長域
は、レーザ２０の波長よりも長く、レーザ光は透過せず
蛍光のみが波長フィルタ４２を透過し、光検出器４３の
受光面に結像されてその光強度が検出される。一方、ハ
ーフミラー４１で反射された光は、ＰＳＤ４４の受光面
に結像されて検出される。
【００２１】光検出器３２及び４３に入射する光強度は
比較的小さいが、そのレンジが比較的狭いので、光電子
増倍管のような増幅度の高いものを用いることができ
る。
比較的小さいが、そのレンジが比較的狭いので、光電子
増倍管のような増幅度の高いものを用いることができ
る。
【００２２】図３に示す如く、光検出器３２及び４３か
ら出力される電流Ｉ１及びＩ２はそれぞれ、アンプ５０
及び５１に供給されて、電圧に変換され増幅される。ま
た、ＰＳＤ４４から出力される一対の電流ＩＡ及びＩＢ
はそれぞれ、アンプ５２及び５３に供給されて、電圧に
変換され増幅される。アンプ５２及び５３の出力電圧Ｖ
A 及びＶB は共に加算器５４及び減算器５５に供給さ
れ、それぞれＶ3 ＝ＶA ＋ＶB 及びＶ4 ＝ＶA −ＶB が
演算される。加算器５４及び減算器５５の出力電圧Ｖ３
及びＶ４は除算器５６に供給され、Ｈ＝Ｖ4 ／Ｖ3 が演
算される。
ら出力される電流Ｉ１及びＩ２はそれぞれ、アンプ５０
及び５１に供給されて、電圧に変換され増幅される。ま
た、ＰＳＤ４４から出力される一対の電流ＩＡ及びＩＢ
はそれぞれ、アンプ５２及び５３に供給されて、電圧に
変換され増幅される。アンプ５２及び５３の出力電圧Ｖ
A 及びＶB は共に加算器５４及び減算器５５に供給さ
れ、それぞれＶ3 ＝ＶA ＋ＶB 及びＶ4 ＝ＶA −ＶB が
演算される。加算器５４及び減算器５５の出力電圧Ｖ３
及びＶ４は除算器５６に供給され、Ｈ＝Ｖ4 ／Ｖ3 が演
算される。
【００２３】一方、アンプ５０、５１及び加算器５４の
出力電圧Ｖ1 、Ｖ2 及びＶ3 は、アナログマルチプレク
サ５７に供給され、その１つが選択されてＡ／Ｄ変換器
５８に供給され、デジタル化される。この選択は、Ａ／
Ｄ変換器５８の出力に基づいて選択制御回路５９により
後述の如く制御される。
出力電圧Ｖ1 、Ｖ2 及びＶ3 は、アナログマルチプレク
サ５７に供給され、その１つが選択されてＡ／Ｄ変換器
５８に供給され、デジタル化される。この選択は、Ａ／
Ｄ変換器５８の出力に基づいて選択制御回路５９により
後述の如く制御される。
【００２４】除算器５６及びＡ／Ｄ変換器５８の出力
は、それぞれ高さＨ及び明るさＢとして、公知の如く、
不図示の画像メモリに格納された後、画像処理により外
観検査される。
は、それぞれ高さＨ及び明るさＢとして、公知の如く、
不図示の画像メモリに格納された後、画像処理により外
観検査される。
【００２５】アンプ５０、５１及び５２の増幅率は、各
種のプリント配線板１０に対する電圧Ｖ1 、Ｖ2 及びＶ
3 の各最大値がＡ／Ｄ変換器５８の入力電圧の最大値に
ほぼ一致するように調整される。この調整後の、各種の
プリント配線板１０に対する電圧Ｖ1 、Ｖ2 及びＶ3 の
波形を、図５及び図６に示す。
種のプリント配線板１０に対する電圧Ｖ1 、Ｖ2 及びＶ
3 の各最大値がＡ／Ｄ変換器５８の入力電圧の最大値に
ほぼ一致するように調整される。この調整後の、各種の
プリント配線板１０に対する電圧Ｖ1 、Ｖ2 及びＶ3 の
波形を、図５及び図６に示す。
【００２６】図５及び図６の（Ｘｉ）のＸ＝Ａ〜Ｆは、
プリント配線板１０の種類を区別し、ｉ＝１〜３は、検
出方式を区別する。ｉ＝１は再帰結像検出方式であり、
電圧Ｖ1 の波形を示す。ｉ＝２は蛍光検出方式であり、
電圧Ｖ２の波形を示す。ｉ＝３は正反射光検出方式であ
り、電圧Ｖ３の波形を示す。Ｘ＝Ａ〜Ｆは次のとおりで
ある。
プリント配線板１０の種類を区別し、ｉ＝１〜３は、検
出方式を区別する。ｉ＝１は再帰結像検出方式であり、
電圧Ｖ1 の波形を示す。ｉ＝２は蛍光検出方式であり、
電圧Ｖ２の波形を示す。ｉ＝３は正反射光検出方式であ
り、電圧Ｖ３の波形を示す。Ｘ＝Ａ〜Ｆは次のとおりで
ある。
【００２７】Ａ：基材１０Ｓが透明で、プリント配線パ
ターン１０Ｐの表面が鏡面 Ｂ：基材１０Ｓが透明で、プリント配線パターン１０Ｐ
の表面が粗面 Ｃ：基材１０Ｓが不透明かつその表面が鏡面で、プリン
ト配線パターン１０Ｐの表面が鏡面 Ｄ：基材１０Ｓが不透明かつその表面が鏡面で、プリン
ト配線パターン１０Ｐの表面が粗面 Ｅ：基材１０Ｓが不透明かつその表面が粗面で、プリン
ト配線パターン１０Ｐの表面が鏡面 Ｆ：基材１０Ｓが不透明かつその表面が粗面で、プリン
ト配線パターン１０Ｐの表面が粗面 一般には、Ａ及びＢの場合には蛍光検出方式が最適であ
り、Ｃ及びＦの場合は正反射光検出方式が最適であり、
Ｄの場合は再帰結像検出方式が最適であり、Ｅの場合は
再帰結像検出方式又は正反射光検出方式が最適である。
しかしながら、必ずしもこのようにはならず、かつ、プ
リント配線板１０の種類に応じて毎回検出方式を検討
し、手動で検出方式を選択するのは煩雑である。そこ
で、選択制御回路５９により、つぎのような論理で検出
方式を自動的に選択している。
ターン１０Ｐの表面が鏡面 Ｂ：基材１０Ｓが透明で、プリント配線パターン１０Ｐ
の表面が粗面 Ｃ：基材１０Ｓが不透明かつその表面が鏡面で、プリン
ト配線パターン１０Ｐの表面が鏡面 Ｄ：基材１０Ｓが不透明かつその表面が鏡面で、プリン
ト配線パターン１０Ｐの表面が粗面 Ｅ：基材１０Ｓが不透明かつその表面が粗面で、プリン
ト配線パターン１０Ｐの表面が鏡面 Ｆ：基材１０Ｓが不透明かつその表面が粗面で、プリン
ト配線パターン１０Ｐの表面が粗面 一般には、Ａ及びＢの場合には蛍光検出方式が最適であ
り、Ｃ及びＦの場合は正反射光検出方式が最適であり、
Ｄの場合は再帰結像検出方式が最適であり、Ｅの場合は
再帰結像検出方式又は正反射光検出方式が最適である。
しかしながら、必ずしもこのようにはならず、かつ、プ
リント配線板１０の種類に応じて毎回検出方式を検討
し、手動で検出方式を選択するのは煩雑である。そこ
で、選択制御回路５９により、つぎのような論理で検出
方式を自動的に選択している。
【００２８】すなわち、選択制御回路５９はマイクロコ
ンピュータを用いて構成されており、図４に示すような
処理を行う。以下、括弧内の数値は図中のステップ識別
番号を示す。
ンピュータを用いて構成されており、図４に示すような
処理を行う。以下、括弧内の数値は図中のステップ識別
番号を示す。
【００２９】（６０）検出方式を識別するｉを１に初期
設定する。
設定する。
【００３０】（６１）アナログマルチプレクサ５７に選
択制御信号を供給して、電圧Ｖi を選択させる。
択制御信号を供給して、電圧Ｖi を選択させる。
【００３１】（６２）プリント配線板１０上の、プリン
ト配線パターン１０Ｐが存在する予め定められた１ライ
ンを光走査して、電圧Ｖi を読み込む。
ト配線パターン１０Ｐが存在する予め定められた１ライ
ンを光走査して、電圧Ｖi を読み込む。
【００３２】（６３）この１ライン分の電圧Ｖi を、例
えばその平均値をしきい値として、２値化する。この２
値化により、基材１０Ｓ上に対応している電圧Ｖi と、
プリント配線パターン１０Ｐ上に対応している電圧Ｖi
とを区別することができる。
えばその平均値をしきい値として、２値化する。この２
値化により、基材１０Ｓ上に対応している電圧Ｖi と、
プリント配線パターン１０Ｐ上に対応している電圧Ｖi
とを区別することができる。
【００３３】（６４）画素が‘１’の電圧Ｖi の平均値
を求め、これを電圧ＶiHとする。
を求め、これを電圧ＶiHとする。
【００３４】（６５）画素が‘０’の電圧Ｖi の平均値
を求め、これをＶiLＬとする。
を求め、これをＶiLＬとする。
【００３５】（６６）ＶiH／ＶiLの値が大きいほど、明
るさ画像のコントラストが高くなる。また、この比が同
一の場合、ＶiHの値が大きいほど、明るさ画像のコント
ラストが高くなる。そこで、例えば次の評価式により、
Ｑi を求める。
るさ画像のコントラストが高くなる。また、この比が同
一の場合、ＶiHの値が大きいほど、明るさ画像のコント
ラストが高くなる。そこで、例えば次の評価式により、
Ｑi を求める。
【００３６】Ｑi ＝ＡＶiH＋Ｂ（ＶiH／ＶiL）
ここに、Ａ及びＢは予め与えられた定数である。
【００３７】（６７）ｉと３の値を比較する。
【００３８】（６８）ｉ＜３であれば、ｉの値をインク
リメントし、上記ステップ６１へ戻る。
リメントし、上記ステップ６１へ戻る。
【００３９】（６９）ｉ＝３であれば、Ｑ1 、Ｑ2 及び
Ｑ3 のうち最大値Ｑj を判別する。
Ｑ3 のうち最大値Ｑj を判別する。
【００４０】（７０）アナログマルチプレクサ５７に選
択制御信号を供給して、最大値Ｑj に対応する電圧Ｖj
を選択させる。
択制御信号を供給して、最大値Ｑj に対応する電圧Ｖj
を選択させる。
【００４１】このようにして、プリント配線板１０の種
類に応じて最適な検出方式が自動的に選択される。
類に応じて最適な検出方式が自動的に選択される。
【００４２】なお、本発明には外にも種々の変形例が含
まれる。例えば、上記実施例では再帰結像検出方式、蛍
光検出方式及び正反射光検出方式のいずれかを自動選択
する場合を説明したが、これら検出方式のうち少なくと
も２つ以上の検出方式を自動選択する構成であれば、本
発明の効果が得られる。また、散乱光及び蛍光の検出に
関しては、任意の方向から検出することができる。さら
に、上記評価式は、外にも各種のものが考えられ、例え
ば、ＶiH 2／ＶiLを評価式としてもよい。また、ＶiH及
びＶiLは、平均値に限定されず、各種代表値を用いても
よい。また、パターンと基材の区別は、高さＨを２値化
することによっても可能である。
まれる。例えば、上記実施例では再帰結像検出方式、蛍
光検出方式及び正反射光検出方式のいずれかを自動選択
する場合を説明したが、これら検出方式のうち少なくと
も２つ以上の検出方式を自動選択する構成であれば、本
発明の効果が得られる。また、散乱光及び蛍光の検出に
関しては、任意の方向から検出することができる。さら
に、上記評価式は、外にも各種のものが考えられ、例え
ば、ＶiH 2／ＶiLを評価式としてもよい。また、ＶiH及
びＶiLは、平均値に限定されず、各種代表値を用いても
よい。また、パターンと基材の区別は、高さＨを２値化
することによっても可能である。
【００４３】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明に係る外観検
査装置では、光照射点からの正反射光、散乱光及び蛍光
のうち、２つ以上の光強度を検出し、基材に対応した光
強度信号とパターンに対応した光強度信号とに基づい
て、いずれか１つの検出信号を自動的に選択するので、
１つの装置で各種試料の外観検査を容易に行うことがで
きるという効果を奏し、操作性の向上に寄与するところ
が大きい。
査装置では、光照射点からの正反射光、散乱光及び蛍光
のうち、２つ以上の光強度を検出し、基材に対応した光
強度信号とパターンに対応した光強度信号とに基づい
て、いずれか１つの検出信号を自動的に選択するので、
１つの装置で各種試料の外観検査を容易に行うことがで
きるという効果を奏し、操作性の向上に寄与するところ
が大きい。
【００４４】本発明の第１態様では、光強度信号を２値
化し、画素が‘１’となる光強度信号と画素が‘０’と
なる光強度信号との比を用いて、光強度信号を選択して
おり、この比が大きい程、試料の明るさパターン像のコ
ントラストが高いと推定することができるので、試料の
種類に応じてより適当な検出光の信号を選択することが
できるという効果を奏する。
化し、画素が‘１’となる光強度信号と画素が‘０’と
なる光強度信号との比を用いて、光強度信号を選択して
おり、この比が大きい程、試料の明るさパターン像のコ
ントラストが高いと推定することができるので、試料の
種類に応じてより適当な検出光の信号を選択することが
できるという効果を奏する。
【００４５】本発明の第２態様では、この比と、画素が
‘１’となる光強度信号との一次結合値に基づいて、光
強度信号を選択しており、この比が同一の場合、画素が
‘１’となる光強度信号が大きい程、試料の明るさパタ
ーン像のコントラストが高いと推定することができるの
で、試料の種類に応じてさらに適当な検出光の信号を選
択することができるという効果を奏する。
‘１’となる光強度信号との一次結合値に基づいて、光
強度信号を選択しており、この比が同一の場合、画素が
‘１’となる光強度信号が大きい程、試料の明るさパタ
ーン像のコントラストが高いと推定することができるの
で、試料の種類に応じてさらに適当な検出光の信号を選
択することができるという効果を奏する。
【図１】本発明に係る外観検査装置の原理構成図であ
る。
る。
【図２】本発明の一実施例の外観検査装置の光学系斜視
図である。
図である。
【図３】図２の外観検査装置のデータ入力回路図であ
る。
る。
【図４】図３の選択制御回路のソフトウエア構成を示す
フローチャートである。
フローチャートである。
【図５】各種のプリント配線板に対する各種検出方式の
明るさを示す電圧波形図である。
明るさを示す電圧波形図である。
【図６】各種のプリント配線板に対する各種検出方式の
明るさを示す電圧波形図である。
明るさを示す電圧波形図である。
【図７】基材及びプリント配線パターンの性質に応じた
好ましい検出方式の説明図である。
好ましい検出方式の説明図である。
１０ プリント配線板
１０Ｓ 基材
１０Ｐ プリント配線パターン
１１ Ｘ−Ｙステージ
２０ レーザ
２１ ビームエクスパンダ
２２ ポリゴンミラー
２３ ｆθレンズ
２４ 反射ミラー
３０、４１ ハーフミラー
３１、４０ 結像レンズ
３２、４３ 光検出器
４２ 波長フィルタ
４４ ＰＳＤ
５０〜５３ アンプ
５４ 加算器
５５ 減算器
５６ 除算器
５７ アナログマルチプレクサ
５８ Ａ／Ｄ変換器
５９ 選択制御回路
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｑ 6921−4Ｅ
Claims (3)
- 【請求項１】 基材（１Ｓ）上にパターン（１Ｐ）が形
成された試料（１）に対し光（２Ａ）を照射し、光照射
点（２Ｂ）からの光を検出し、該光照射点を試料上で走
査させることにより明るさパターン像を取得し、該像に
基づいて外観検査を行う外観検査装置において、 該光照射点からの正反射光（２Ｃ）、散乱光（２Ｄ）及
び蛍光（２Ｅ）のうち、２つ以上の光強度を検出し光強
度信号に変換する光検出手段（３）と、 該基材に対応した該光強度信号と該パターンに対応した
該光強度信号とに基づいて、いずれか１つの該光強度信
号を、該明るさパターン像を得るための信号として選択
する信号選択手段（４）と、 を有することを特徴とする外観検査装置。 - 【請求項２】 前記信号選択手段（４）は、前記光強度
信号を２値化し、画素が‘１’となる該光強度信号と画
素が‘０’となる該光強度信号との比を用いて、前記光
強度信号を選択することを特徴とする請求項１記載の外
観検査装置。 - 【請求項３】 前記信号選択手段（４）は、前記比と、
画素が‘１’となる前記光強度信号との一次結合値に基
づいて、前記光強度信号を選択することを特徴とする請
求項２記載の外観検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18732591A JPH0526821A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 外観検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18732591A JPH0526821A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 外観検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0526821A true JPH0526821A (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=16204032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18732591A Withdrawn JPH0526821A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 外観検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0526821A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007134658A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-05-31 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板および配線回路基板を製造し電子部品を実装する方法 |
| JP2007528490A (ja) * | 2004-03-05 | 2007-10-11 | オーボテック リミテッド | 反射性および蛍光性の画像を利用した電気回路を検査するためのシステムおよび方法 |
| WO2011037121A1 (ja) * | 2009-09-25 | 2011-03-31 | 宇部興産株式会社 | 金属パターン形成樹脂基板の表面検査方法及び製造方法 |
| CN102680497A (zh) * | 2011-03-11 | 2012-09-19 | 三星电机株式会社 | 用于检测图案缺陷的设备 |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP18732591A patent/JPH0526821A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007528490A (ja) * | 2004-03-05 | 2007-10-11 | オーボテック リミテッド | 反射性および蛍光性の画像を利用した電気回路を検査するためのシステムおよび方法 |
| JP4879881B2 (ja) * | 2004-03-05 | 2012-02-22 | オーボテック リミテッド | 反射性および蛍光性の画像を利用した電気回路を検査するためのシステムおよび方法 |
| JP2007134658A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-05-31 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板および配線回路基板を製造し電子部品を実装する方法 |
| WO2011037121A1 (ja) * | 2009-09-25 | 2011-03-31 | 宇部興産株式会社 | 金属パターン形成樹脂基板の表面検査方法及び製造方法 |
| CN102680497A (zh) * | 2011-03-11 | 2012-09-19 | 三星电机株式会社 | 用于检测图案缺陷的设备 |
| JP2012189567A (ja) * | 2011-03-11 | 2012-10-04 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | パターン欠陥検出装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |