JP3101773B2 - ウエハ異物検査装置 - Google Patents

ウエハ異物検査装置

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JP3101773B2
JP3101773B2 JP03228835A JP22883591A JP3101773B2 JP 3101773 B2 JP3101773 B2 JP 3101773B2 JP 03228835 A JP03228835 A JP 03228835A JP 22883591 A JP22883591 A JP 22883591A JP 3101773 B2 JP3101773 B2 JP 3101773B2
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孝広 神宮
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日立電子エンジニアリング株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、ウエハ異物検査装置
に関し、詳しくは、隣接チップの比較方式によるICチ
ップの異物検査装置に対して、エッジ部に対する異物検
出手段を付加してウエハの全面を効率よく検査できる
置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ICの製造においてはシリコンな
どの素材のウエハに対して、同一のパターンを有する多
数のICチップ(以下単にチップという)が形成され、
この段階で異物検査が行われる。異物検査はレーザビー
ムをウエハ面に投射し、その反射または散乱光を受光し
てなされるが、異物とともにパターンからも散乱光が散
乱されるので、これらを区別して異物のみを検出するこ
とが必要、かつ重要である。その方法の一つとして互い
に隣接した2個のチップを相互に比較する方法がある。
【0003】図2(a)〜(c)は上記の異物検査装置
の概略構成と隣接チップの比較による異物検出方法を示
す。(a)に示すようにウエハ1の表面には、同一パタ
ーンを有する多数のチップ11がマトリックス状に形成
されている。(b)において、ウエハは移動ステージ2
に載置され、これに対して検査光学系3の光源3aより
レーザビームLを照射する。ウエハはX方向に往復移
動されてレーザビームが各チップ列を順次に走査し、そ
の散乱光が対物レンズ3bを経てCCDセンサ3cに受
光される。チップ列中の隣接した2個のチップを(c)
の(イ)のように11a,11bとし、チップ11bに
は図示の位置に異物P,Pが付着しているとする。
まずチップ11aに対するCCDセンサの受光信号は信
号処理部4に入力し、A/D変換器4aによりデジタル
化され、メモリ(MEM)4bに記憶される。ついでチ
ップ11bに対する受光信号が差分回路4cに入力し、
MEMに記憶されているチップ11aの受光信号との差
分データが出力される。(c)の(ロ)は両チップに対
する受光信号S,Sを示し、基板面Kは値が低く、
パターンPは反射率が大きいので値が大きい。また、
異物P,Pは受光信号Sの上方に突出している。
両パターンPは同一であるので、両受光信号の差分を
とると、(ハ)に例示した残留パターンRと異物P
よりなる差分データ(S−S)がえられる。差
分データは異物検出部4dにおいて適当な閾値(便宜
上、チップ閾値という)Vthと比較されて異物p
のみが検出され、検出された異物データはコンピュ
ータ(CPUを持って代表する)4eにより編集されて
表示器4fにマップ表示される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】さて、ウエハの異物は
チップとこれ以外のエッジ部にもランダムに付着する
が、直接的にはチップの異物が重要であるので上記によ
り各チップの検査がなされている。しかし、エッジ部の
異物も塵埃などの汚染管理上に必要であるので、これを
検査することが望ましい。これに対して、上記の検査装
置の検査光学系3はエッジ部に対しても異物に対する検
出性能を有するが、しかし、信号処理部4はエッジ部分
の異物検査に適しない。すなわち、エッジ部分は隣接チ
ップの比較方式をとることができず、その必要もない。
また、比較方式では差分データをチップ閾値Vthに比
較するが、パターンが形成されていないエッジ部には
質的に差分データがないので、別途CCDの受光信号よ
り直接異物を検出する方法とする。なお、このときの
光信号のレベルは差分データと異なるので、これに適応
した検出閾値(エッジ閾値とする)を設定することが必
要である。この発明は、以上に鑑みてなされたもので、
隣接チップの比較方式による異物検査装置に対して、エ
ッジ部の異物を検出する手段を付加して、ウエハの全面
に付着した異物を効率よく検査できるウエハ検査装置を
提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明は上記の目的を
達成するウエハ異物検査装置であって、隣接チップの比
較方式による異物検査装置おいて、ICチップをレーザ
ビームが走査しているときには、チップ閾値を発生し、
ICチップの外側のエッジ部と各ICチップの間のエッ
ジ部をレーザビームが走査しているときに受信信号に対
する閾値を発生する閾値発生手段と、差分の信号あるい
は受信信号を受けて閾値発生手段からの閾値に基づいて
異物検出をする異物検出部とを備え、閾値発生手段が、
移動ステージよりの位置信号によりエッジ部に対するエ
ッジ信号を発生し、エッジ信号によりチップ閾値をエッ
ジ部に対する閾値に切り替え、異物検出部が、エッジ部
の散乱光に対する受光信号とエッジ部に対する閾値とを
受けてエッジ部の異物検出をするものである。
【0006】
【作用】以上のウエハ異物検査装置においては、移動ス
テージの移動によりウエハに対してレーザビームが走査
され、隣接チップに対しては、従来と同様に差分データ
がチップ閾値に比較されて異物が検出される。これに対
して、ICチップ以外のパターンが形成されていない領
域をレーザビームが走査しているときに受信信号に対す
る閾値を閾値発生手段が発生して受光信号がこれと比
されて異物が検出され、ウエハの全面について異物検査
効率的になされる。
【0007】
【実施例】図1はこの発明の一実施例を示し、(a) は概
略のブロック構成図、(b) はウエハのチップ11とエッジ
部1E 、および制御信号を示す図、(c) は受光信号と差
分信号に対するチップ閾値Vthとエッジ閾値VE を示す
図である。図1(a) において、前記した図2(b) の異物
検査装置の信号処理部4に対して切り替えスイッチ4
g1,4g2を設け、さらに閾値選択部5を付加する。な
お、図2(b) と同一構成要素は同一番号で示す。閾値選
択部5は、制御信号発生部5a,OR回路5b,閾値レジス
タ5c,およびスイッチ制御回路5d よりなる。
【0008】上記の構成に対する動作を説明する。移動
ステージ2の移動により、(b)のようにウエハ1に対
してレーザビームLが走査されると、XYエンコーダ
2aより走査位置のXY座標を示す位置信号が出力され
て制御信号発生部5aに入力し、(b)に示す制御信号
,Cが出力される。制御信号Cは、レーザビー
ムLと両端のチップの外側との交点s,tの座標
,xに対応し、制御信号Cは、レーザビームと
ウエハの外周1aとの交点r,uの座標x,xに対
応する。なお、両制御信号はY軸の関数であって、ウエ
ハの外径とチップの座標より求められ、予め、そのデー
タが制御信号発生部5aに記憶されている。以上の制御
信号C,CEXOR回路5bに入力し、(b)に
示すようにEXOR処理(排他論理和処理)の結果とし
て、エッジ部1Eに対するエッジ信号Cが出力され、
閾値レジスタ5cとスイッチ制御回路5dにそれぞれ与
えられる。閾値レジスタにはCPU4eにより、(c)
に示すような、エッジ部の受光信号Sに適切なエッジ
閾値Vと、チップの受光信号Sなどに適切なチップ
閾値Vthとが予め、記憶されている。次に、EXOR
回路よりエッジ信号Cが出力されていない間は、閾値
レジスタにおいてチップ閾値Vthが選択されて異物検
出部4dに与えられ、これに対して従来と同様に、差分
回路4cよりの差分データが比較されてチップの異物が
検出される。次に、EXOR回路よりエッジ信号C
出力されると、エッジ閾値Vが選択されて異物検出部
に与えられるとともに、スイッチ制御回路5dよりの切
り替え信号により両スイッチ4g,4gが切り替え
られ、エッジ部の受光信号Sが異物検出部に直接入力
して異物が検出される。なお、各ICチップの間のパタ
ーンが存在しないエッジ部も同様に座標信号に応じて閾
値の切り換え処理をすればよい。ここでのエッジ部1E
は、図示では、ウエハの外周1aの内側にあるパターン
が形成されていない領域であるが、これに加えて、先に
構成において説明したように各ICチップの間のエッジ
部もここでの検査の対象である。このICチップの間も
パターンが形成されていない特別な領域でなっているか
らである。先のエッジ閾値V は、このようなパターン
形成されていない領域に対して決定される適正な閾値
である。以上のウエハ異物検査装置の構成は一例であっ
て、これと異なる構成も可能であるが、上記と同様な作
用により同様の目的を達成するものはこの発明に包含さ
れる。
【0009】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明において
は、従来の隣接チップの比較方式による異物検査装置に
対して、パターンが形成されていない領域に対する簡易
な異物検出手段が付加され、両者によりウエハの全面に
ついて異物検査がなされるもので、効率的に異物検査が
でき、ウエハに対する塵埃などの汚染管理に寄与するも
のである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の一実施例を示し、(a) は概略のブ
ロック構成図、(b)はウエハのチップとエッジ部に対す
る制御信号を示す図、(c) は受光信号と差分信号に対す
るチップ閾値とエッジ閾値を示す図である。
【図2】 (a) はウエハに形成されたICチップ、(b)
は隣接チップの比較方式による異物検査装置の概略構
成、(c) は隣接チップの受光信号と差分データをそれぞ
れ示す図である。
【符号の説明】
1…ウエハ、11,11a,11b…ICチップ、チップ、1a …
ウエハの外周、1E …ウエハのエッジ部、 2…移動ス
テージ、2a …XYエンコーダ、3…検査光学系、3a
…光源、3b …対物レンズ、3c …CCDセンサ、4…
信号処理部、4a …A/D変換器、4b …メモリ(ME
M)、4c …差分回路、4d …異物検出部、4e …コン
ピュータ(CPU)、4f …表示器、4g1, 4g2…切り
替えスイッチ、5…閾値選択部、5a …制御信号発生
部、5b …OR回路、5c …閾値レジスタ、5d …スイ
ッチ制御回路、LX …レーザビーム、Sa,Sb…隣接チ
ップの受光信号、(Sb −Sa)…差分データ、SE …エ
ッジ部の受光信号、CT,CK …制御信号、CE 差エッジ
信号、Vth…チップ閾値、 VE …エッジ閾値。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウエハを移動ステージに載置して移動
    し、該ウエハに形成された同一パターンを有する複数の
    ICチップに対してレーザビームを走査し、互いに隣接
    した2個の該ICチップの散乱光に対する受光信号の差
    分をとり、該差分データをチップ閾値に比較して前記各
    ICチップに付着した異物を検出する異物検査装置にお
    いて、前記ICチップを前記レーザビームが走査してい
    るときには、前記チップ閾値を発生し、前記ICチップ
    の外側のエッジ部と各前記ICチップの間のエッジ部
    前記レーザビームが走査しているときに前記エッジ部
    対する閾値を発生する閾値発生手段と、前記差分の信号
    あるいは前記受信信号を受けて前記閾値発生手段からの
    閾値に基づいて異物検出をする異物検出部とを備え、前
    記閾値発生手段は、前記移動ステージよりの位置信号に
    より前記エッジ部に対するエッジ信号を発生し、該エッ
    ジ信号により前記チップ閾値を前記エッジ部に対する閾
    値に切り替え、前記異物検出部は、該エッジ部の散乱光
    に対する受光信号と前記エッジ部に対する閾値とを受け
    て前記エッジ部の異物検出をすることることを特徴とす
    る、ウエハ異物検査装置。
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