JP3040014B2 - エリア別検出閾値の設定方法 - Google Patents
エリア別検出閾値の設定方法Info
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- JP3040014B2 JP3040014B2 JP3228830A JP22883091A JP3040014B2 JP 3040014 B2 JP3040014 B2 JP 3040014B2 JP 3228830 A JP3228830 A JP 3228830A JP 22883091 A JP22883091 A JP 22883091A JP 3040014 B2 JP3040014 B2 JP 3040014B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ウエハ異物検査装置
において、ＩＣチップをエリアに区分し、区分されたエ
リア別に検出閾値を設定する方法に関するものである。
において、ＩＣチップをエリアに区分し、区分されたエ
リア別に検出閾値を設定する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＩＣの製造においてはシリコンな
どの素材のウエハに対して、同一のパターンを有する多
数のＩＣチップ（以下単にチップという）が形成され、
この段階で異物検査が行われる。異物検査はレーザビー
ムをウエハ面に投射し、その反射または散乱光を受光し
てなされるが、異物とともにパターンからも散乱光が散
乱されるので、これらを区別して異物のみを検出するこ
とが必要、かつ重要である。これに適応する方法には各
種のものが開発されているが、その一つとして互いに隣
接した２個のチップを相互に比較する方法がある。
どの素材のウエハに対して、同一のパターンを有する多
数のＩＣチップ（以下単にチップという）が形成され、
この段階で異物検査が行われる。異物検査はレーザビー
ムをウエハ面に投射し、その反射または散乱光を受光し
てなされるが、異物とともにパターンからも散乱光が散
乱されるので、これらを区別して異物のみを検出するこ
とが必要、かつ重要である。これに適応する方法には各
種のものが開発されているが、その一つとして互いに隣
接した２個のチップを相互に比較する方法がある。
【０００３】図２(a) 〜(c) は上記の異物検査装置の概
略構成と隣接チップの比較による異物検出方法を示す。
(a) に示すようにウエハ１の表面には、オリエンティシ
ョン・フラット（ＯＦ）を基準線（Ｘ軸とする）とし
て、同一パターンを有する多数のチップ11がマトリック
ス状に形成されている。(b) において、ウエハは移動ス
テージ２に載置され、これに対して検査光学系３の光源
３a よりのレーザビームＬx をウエハの表面に照射す
る。ウエハはＸ方向に往復移動されてレーザビームが各
チップ列を順次に走査し、その散乱光が対物レンズ３b
を経てＣＣＤセンサ３c （他の光センサでも可）に入力
する。ここで、チップ列中の隣接した任意の２個のチッ
プを(c) の(イ) のように11a,11b とし、チップ11b には
図示の位置に異物ｐ1,ｐ2 が付着しているとする。まず
チップ11a の散乱光を受光し、ＣＣＤセンサの各画素の
出力信号（以下単に画素信号という）は逐次に画素信号
処理部４に入力し、Ａ／Ｄ変換器４a によりデジタル化
され、メモリ（ＭＥＭ）４b に記憶される。ついでチッ
プ11b の散乱光より同様にえられる各画素信号が差分回
路４c に入力し、ＭＥＭに記憶されているチップ11a の
各画素信号との差分データが出力される。(c) の(ロ) は
両チップのパターンＰT および異物ｐ1,ｐ2 に対する各
画素信号ｇn （ｎは画素番号）よりなる画素データＳa,
Ｓb を示し、両チップのパターンの無い基板面Ｋは値が
低く、パターンＰT は反射率が大きいので値が大きい。
また、異物ｐ1,ｐ2 の画素信号ｇはデータＳb の上方に
突出している。前記したように両パターンＰT は同一で
あるので、両画素データのパターン部分はほぼ同一とな
り、差分データ（Ｓb −Ｓa）ではこれがほぼ消去され
て、(ハ) に例示した残留パターンＲと異物ｐ1,ｐ2 より
なる差分データがえられる。差分データは異物検出部４
d において検出閾値Ｖthと比較されて異物ｐ1,ｐ2 のみ
が検出され、異物データはコンピュータ（ＣＰＵ）４e
により編集されて表示器４f にマップ表示される。
略構成と隣接チップの比較による異物検出方法を示す。
(a) に示すようにウエハ１の表面には、オリエンティシ
ョン・フラット（ＯＦ）を基準線（Ｘ軸とする）とし
て、同一パターンを有する多数のチップ11がマトリック
ス状に形成されている。(b) において、ウエハは移動ス
テージ２に載置され、これに対して検査光学系３の光源
３a よりのレーザビームＬx をウエハの表面に照射す
る。ウエハはＸ方向に往復移動されてレーザビームが各
チップ列を順次に走査し、その散乱光が対物レンズ３b
を経てＣＣＤセンサ３c （他の光センサでも可）に入力
する。ここで、チップ列中の隣接した任意の２個のチッ
プを(c) の(イ) のように11a,11b とし、チップ11b には
図示の位置に異物ｐ1,ｐ2 が付着しているとする。まず
チップ11a の散乱光を受光し、ＣＣＤセンサの各画素の
出力信号（以下単に画素信号という）は逐次に画素信号
処理部４に入力し、Ａ／Ｄ変換器４a によりデジタル化
され、メモリ（ＭＥＭ）４b に記憶される。ついでチッ
プ11b の散乱光より同様にえられる各画素信号が差分回
路４c に入力し、ＭＥＭに記憶されているチップ11a の
各画素信号との差分データが出力される。(c) の(ロ) は
両チップのパターンＰT および異物ｐ1,ｐ2 に対する各
画素信号ｇn （ｎは画素番号）よりなる画素データＳa,
Ｓb を示し、両チップのパターンの無い基板面Ｋは値が
低く、パターンＰT は反射率が大きいので値が大きい。
また、異物ｐ1,ｐ2 の画素信号ｇはデータＳb の上方に
突出している。前記したように両パターンＰT は同一で
あるので、両画素データのパターン部分はほぼ同一とな
り、差分データ（Ｓb −Ｓa）ではこれがほぼ消去され
て、(ハ) に例示した残留パターンＲと異物ｐ1,ｐ2 より
なる差分データがえられる。差分データは異物検出部４
d において検出閾値Ｖthと比較されて異物ｐ1,ｐ2 のみ
が検出され、異物データはコンピュータ（ＣＰＵ）４e
により編集されて表示器４f にマップ表示される。
【０００４】上記においては両画素データＳa,Ｓb のパ
ターンが同一で、その画素信号もほぼ同一と仮定した
が、パターン形成のプロセス段階の進行に伴ってパター
ンの厚さが増加することなどにより、画素信号が変化し
て残留パターンＲの波高値が変動する。しかも変動はパ
ターンの部分により異なる場合が多い。このような差分
データより異物ｐ1,ｐ2 のみを検出するためには、残留
パターンの部分的な（エリア別）波高値に対応して検出
閾値を変えることが望ましい。また、パターンにコンデ
ンサなどの部品が付加された、マットと称されるエリア
があり、マットエリアでは誤検出による虚報が多く発生
するので、目視観察の便宜上、このエリアのマップ表示
を消去したい場合がある。これに対して、従来において
は閾値を手作業により変化し、異物検出をいわば試行錯
誤で繰り返してエリア別の検出閾値と、マットエリアを
消去するインヒビット閾値が求められていた。しかし、
このような方法ではかならずしも適切な値がえられず、
また長時間を必要とする欠点があった。以上に対して、
この発明の発明者により別途特許出願される「異物検出
閾値の設定方法」があり、その要旨は、テストチップの
全面に対する上記の差分データを可変閾値に比較して各
画素信号を検出し、検出データをＣＲＴにマップ表示す
る。マップ表示を目視により観察し、可変閾値を加減し
て残留パターンＲが消失し、異物ｐのみが目視できる閾
値求め、これを異物検出部４d に設定するものであり、
この方法をチップの各部分に適用すれば、インヒビット
閾値を含むエリア別の検出閾値が求められる。
ターンが同一で、その画素信号もほぼ同一と仮定した
が、パターン形成のプロセス段階の進行に伴ってパター
ンの厚さが増加することなどにより、画素信号が変化し
て残留パターンＲの波高値が変動する。しかも変動はパ
ターンの部分により異なる場合が多い。このような差分
データより異物ｐ1,ｐ2 のみを検出するためには、残留
パターンの部分的な（エリア別）波高値に対応して検出
閾値を変えることが望ましい。また、パターンにコンデ
ンサなどの部品が付加された、マットと称されるエリア
があり、マットエリアでは誤検出による虚報が多く発生
するので、目視観察の便宜上、このエリアのマップ表示
を消去したい場合がある。これに対して、従来において
は閾値を手作業により変化し、異物検出をいわば試行錯
誤で繰り返してエリア別の検出閾値と、マットエリアを
消去するインヒビット閾値が求められていた。しかし、
このような方法ではかならずしも適切な値がえられず、
また長時間を必要とする欠点があった。以上に対して、
この発明の発明者により別途特許出願される「異物検出
閾値の設定方法」があり、その要旨は、テストチップの
全面に対する上記の差分データを可変閾値に比較して各
画素信号を検出し、検出データをＣＲＴにマップ表示す
る。マップ表示を目視により観察し、可変閾値を加減し
て残留パターンＲが消失し、異物ｐのみが目視できる閾
値求め、これを異物検出部４d に設定するものであり、
この方法をチップの各部分に適用すれば、インヒビット
閾値を含むエリア別の検出閾値が求められる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】さて、以上によりエリ
ア別の検出閾値が求められるが、各エリアに対して検出
閾値を異物検出部４d に設定する従来の方法には問題が
ある。これを図３により説明する。図３(a) において、
チップ11にはそれぞれ方形のエリアαと、これに一部が
重なったエリアβがあり、それぞれにエリア別の検出閾
値Ｖth（α）、Ｖth（β）を設定するものとする。(b)
のようにエリアβの一部をエリアγに分割して各エリア
を方形とし、それぞれの始、終点、（ｐ1,ｐ2)、（ｐ3,
ｐ4)、（ｐ5,ｐ6)のアドレスと、各エリアに対する検出
閾値をメモリに記憶する。検査においては、差分データ
の各画素信号に対して、逐次にアドレスと検出閾値が読
出されて異物検出部に設定される。しかし、このような
方法はエリアが方形で、その数が少ない場合には問題な
いが、エリアの形状が異形でその数が多いときは、各エ
リアに対するアドレスと検出閾値の記憶や設定処理が繁
雑となる欠点がある。この発明は以上に鑑みてなされた
もので、異物検査装置に対してエリア別の検出閾値を効
率的に設定する方法を提供することを目的とするもので
ある。
ア別の検出閾値が求められるが、各エリアに対して検出
閾値を異物検出部４d に設定する従来の方法には問題が
ある。これを図３により説明する。図３(a) において、
チップ11にはそれぞれ方形のエリアαと、これに一部が
重なったエリアβがあり、それぞれにエリア別の検出閾
値Ｖth（α）、Ｖth（β）を設定するものとする。(b)
のようにエリアβの一部をエリアγに分割して各エリア
を方形とし、それぞれの始、終点、（ｐ1,ｐ2)、（ｐ3,
ｐ4)、（ｐ5,ｐ6)のアドレスと、各エリアに対する検出
閾値をメモリに記憶する。検査においては、差分データ
の各画素信号に対して、逐次にアドレスと検出閾値が読
出されて異物検出部に設定される。しかし、このような
方法はエリアが方形で、その数が少ない場合には問題な
いが、エリアの形状が異形でその数が多いときは、各エ
リアに対するアドレスと検出閾値の記憶や設定処理が繁
雑となる欠点がある。この発明は以上に鑑みてなされた
もので、異物検査装置に対してエリア別の検出閾値を効
率的に設定する方法を提供することを目的とするもので
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は上記の目的を
達成するエリア別検出閾値の別設定方法であって、上記
の異物検査装置に対して、ＩＣチップの全面に対応した
画素メモリを有するマップメモリを設ける。入力手段に
より、マップメモリの、任意のエリアに対応する各画素
メモリに対して、エリア別の検出閾値を示す２進数をそ
れぞれ記憶する。隣接チップの検査においては、上記の
差分データの各画素信号に対応する２進数を逐次に読出
して解読し、解読されたエリア別の検出閾値を異物検出
部に設定する。これに対して当該エリアの各画素信号を
比較して異物を検出する。エリア別検出閾値には、反射
率が特別に大きいマットエリアのマップ表示を消去する
インヒビット閾値が含まれる。
達成するエリア別検出閾値の別設定方法であって、上記
の異物検査装置に対して、ＩＣチップの全面に対応した
画素メモリを有するマップメモリを設ける。入力手段に
より、マップメモリの、任意のエリアに対応する各画素
メモリに対して、エリア別の検出閾値を示す２進数をそ
れぞれ記憶する。隣接チップの検査においては、上記の
差分データの各画素信号に対応する２進数を逐次に読出
して解読し、解読されたエリア別の検出閾値を異物検出
部に設定する。これに対して当該エリアの各画素信号を
比較して異物を検出する。エリア別検出閾値には、反射
率が特別に大きいマットエリアのマップ表示を消去する
インヒビット閾値が含まれる。
【０００７】
【作用】上記の設定方法においては、入力手段により、
マップメモリの各画素メモリに対してエリア別の検出閾
値が２進数で記憶される。この入力手段としては、例え
ば、マップメモリに対するマップ表示を観察しながらカ
ーソルによりエリアの範囲を指定し、それぞれに対する
２進数をキーボードより入力すればよく、入力と記憶操
作は容易であり、またパターン形成のプロセスの段階ご
とに行えばよい。検査においては、これが逐次に読出さ
れて解読され、エリア別の検出閾値が異物検出部に設定
され、これに対して当該エリアの各画素信号が比較され
て異物が検出される。また、検出閾値がインヒビット閾
値の場合はマットエリアのマップ表示が消去される。な
お、２進数のビット数を適当にとれば、必要な段階数の
検出閾値がえられることはいうまでもない。
マップメモリの各画素メモリに対してエリア別の検出閾
値が２進数で記憶される。この入力手段としては、例え
ば、マップメモリに対するマップ表示を観察しながらカ
ーソルによりエリアの範囲を指定し、それぞれに対する
２進数をキーボードより入力すればよく、入力と記憶操
作は容易であり、またパターン形成のプロセスの段階ご
とに行えばよい。検査においては、これが逐次に読出さ
れて解読され、エリア別の検出閾値が異物検出部に設定
され、これに対して当該エリアの各画素信号が比較され
て異物が検出される。また、検出閾値がインヒビット閾
値の場合はマットエリアのマップ表示が消去される。な
お、２進数のビット数を適当にとれば、必要な段階数の
検出閾値がえられることはいうまでもない。
【０００８】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示し、(a) はブ
ロック構成図、(b) はマップメモリとそのエリアを例示
した図、(c) はマップメモリの画素メモリに記憶される
２進数を例示した図である。図１の(a) において、前記
した図２(b) の異物検査装置に対して閾値設定部５が付
加される。閾値設定部はアドレスカウンタ５a,マップメ
モリ５b,デコーダ５c および閾値選択回路５d がこの順
序に接続されて構成される。アドレスカウンタは移動ス
テージ２に設けられたＸＹエンコーダ２aに、マップメ
モリはＣＰＵに、また閾値選択回路は異物検出部とＣＰ
Ｕとにそれぞれ接続される。なお、ＣＰＵにはキーボー
ド４g が具備されている。次に、(b) において、マップ
メモリ５b にはチップ11の全面に対応してマトリックス
状に多数の画素メモリＭg が配列されており、画素メモ
リＭg の大きさΔｘ, Δｙを１個の画素信号に対応させ
る。各画素メモリに対して、(c) に示す例えば２ビット
の２進数を記憶し、これによりエリア別の検出閾値を示
す。まず適当な隣接チップをテストチップとして、前記
した可変閾値の加減とＣＲＴのマップ表示の目視による
閾値設定方法などにより、チップのエリア別の検出閾値
を求める。マップメモリ５b の全画素メモリＭg に対す
るマップ表示を表示器４f に表示し、カーソルにより
(b) に例示したエリアα, βなどを指定し、キーボード
により各画素メモリに、エリア別の検出閾値［Ｖth]Aを
示す２進数を入力して記憶する。ウエハの検査において
は、ＣＰＵ４e の制御により移動ステージ２をＸまたは
Ｙ方向に移動してレーザビームを走査すると、差分回路
４c より隣接チップに対する差分データ（Ｓa −Ｓb)が
異物検出部４d に逐次に与えられる。一方、ＸＹエンコ
ーダ２a よりの位置信号をアドレスカウンタ５a により
カウントしてマップメモリ５b のアドレスを指定する。
指定されたアドレスより２進数が読出されてデコーダ５
e により解読され、閾値選択回路５d において当該エリ
アに対する検出閾値［Ｖth]Aが選択されて異物検出部に
与えられる。異物検出部により各チップの異物が検出さ
れ、異物データはＣＰＵにより編集されて表示器にマッ
プ表示される。また、検出閾値［Ｖth]Aがインヒビット
閾値のときはマットエリアのマップ表示が消去されて、
他のエリアの異物が容易に観察できる。以上のエリア別
形閾値［Ｖth]Aは、パターン形成プロセスの段階ごとの
テストチップに対して求め、マップメモリに対して２進
数として記憶すればよい。
ロック構成図、(b) はマップメモリとそのエリアを例示
した図、(c) はマップメモリの画素メモリに記憶される
２進数を例示した図である。図１の(a) において、前記
した図２(b) の異物検査装置に対して閾値設定部５が付
加される。閾値設定部はアドレスカウンタ５a,マップメ
モリ５b,デコーダ５c および閾値選択回路５d がこの順
序に接続されて構成される。アドレスカウンタは移動ス
テージ２に設けられたＸＹエンコーダ２aに、マップメ
モリはＣＰＵに、また閾値選択回路は異物検出部とＣＰ
Ｕとにそれぞれ接続される。なお、ＣＰＵにはキーボー
ド４g が具備されている。次に、(b) において、マップ
メモリ５b にはチップ11の全面に対応してマトリックス
状に多数の画素メモリＭg が配列されており、画素メモ
リＭg の大きさΔｘ, Δｙを１個の画素信号に対応させ
る。各画素メモリに対して、(c) に示す例えば２ビット
の２進数を記憶し、これによりエリア別の検出閾値を示
す。まず適当な隣接チップをテストチップとして、前記
した可変閾値の加減とＣＲＴのマップ表示の目視による
閾値設定方法などにより、チップのエリア別の検出閾値
を求める。マップメモリ５b の全画素メモリＭg に対す
るマップ表示を表示器４f に表示し、カーソルにより
(b) に例示したエリアα, βなどを指定し、キーボード
により各画素メモリに、エリア別の検出閾値［Ｖth]Aを
示す２進数を入力して記憶する。ウエハの検査において
は、ＣＰＵ４e の制御により移動ステージ２をＸまたは
Ｙ方向に移動してレーザビームを走査すると、差分回路
４c より隣接チップに対する差分データ（Ｓa −Ｓb)が
異物検出部４d に逐次に与えられる。一方、ＸＹエンコ
ーダ２a よりの位置信号をアドレスカウンタ５a により
カウントしてマップメモリ５b のアドレスを指定する。
指定されたアドレスより２進数が読出されてデコーダ５
e により解読され、閾値選択回路５d において当該エリ
アに対する検出閾値［Ｖth]Aが選択されて異物検出部に
与えられる。異物検出部により各チップの異物が検出さ
れ、異物データはＣＰＵにより編集されて表示器にマッ
プ表示される。また、検出閾値［Ｖth]Aがインヒビット
閾値のときはマットエリアのマップ表示が消去されて、
他のエリアの異物が容易に観察できる。以上のエリア別
形閾値［Ｖth]Aは、パターン形成プロセスの段階ごとの
テストチップに対して求め、マップメモリに対して２進
数として記憶すればよい。
【０００９】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明によるエ
リア別検出閾値の設定方法においては、マップメモリの
各画素メモリに対してエリア別の検出閾値を２進数とし
て記憶し、検査においては、これが逐次に読出されて解
読され、エリア別の検出閾値が異物検出部に設定され、
これに対して当該エリアの各画素信号が比較されて異物
が検出される。また、検出閾値をインヒビット閾値とす
ることによりマットエリアのマップ表示が消去されて他
のエリアの異物の観察が容易となるもので、隣接チップ
の比較方式により異物検査に寄与するところには大きい
ものがある。
リア別検出閾値の設定方法においては、マップメモリの
各画素メモリに対してエリア別の検出閾値を２進数とし
て記憶し、検査においては、これが逐次に読出されて解
読され、エリア別の検出閾値が異物検出部に設定され、
これに対して当該エリアの各画素信号が比較されて異物
が検出される。また、検出閾値をインヒビット閾値とす
ることによりマットエリアのマップ表示が消去されて他
のエリアの異物の観察が容易となるもので、隣接チップ
の比較方式により異物検査に寄与するところには大きい
ものがある。
【図１】 この発明の一実施例を示し、(a) はブロック
構成図、(b) はマップメモリとそのエリアを例示した
図、(c) はマップメモリの画素メモリに記憶される２進
数を例示した図である。
構成図、(b) はマップメモリとそのエリアを例示した
図、(c) はマップメモリの画素メモリに記憶される２進
数を例示した図である。
【図２】 (a) はウエハに形成されるＩＣチップを示す
図、(b) は隣接チップの比較方法による異物検査装置の
概略のブロック構成図、(c) は比較される隣接チップに
対する画素データと差分データを示す図である。
図、(b) は隣接チップの比較方法による異物検査装置の
概略のブロック構成図、(c) は比較される隣接チップに
対する画素データと差分データを示す図である。
【図３】 ＩＣチップに対するエリアの指定と、エリア
別検出閾値を設定する従来の方法の問題点の説明図であ
る。
別検出閾値を設定する従来の方法の問題点の説明図であ
る。
１…ウエハ、11…ＩＣチップ、チップ、11a,11b …隣接
チップ、２…移動ステージ、２a …ＸＹエンコーダ、３
…検査光学系、３a…光源、３b …対物レンズ、３c …
ＣＣＤセンサ、４…画素信号処理部、４a …Ａ／Ｄ変換
器、４b …メモリ（ＭＥＭ）、４c …差分回路、４d …
異物検出部、４e …コンピュータ（ＣＰＵ）、４f …表
示器、４g …キーボード、５…閾値設定部、５a …アド
レスカウンタ、５b …マップメモリ、５c …デコーダ、
５d …閾値選択回路、ＰT …パターン、ｇ…画素信号、
Ｓa,Ｓb …画素データ、（Ｓa −Ｓb)…差分データ、Ｒ
…残留データ、Ｖth…検出閾値、α，β，γ…ＩＣチッ
プのエリア、Ｍg …画素メモリ、Ｖth（α），Ｖ
th（β），［Ｖth]A…エリア別検出閾値。
チップ、２…移動ステージ、２a …ＸＹエンコーダ、３
…検査光学系、３a…光源、３b …対物レンズ、３c …
ＣＣＤセンサ、４…画素信号処理部、４a …Ａ／Ｄ変換
器、４b …メモリ（ＭＥＭ）、４c …差分回路、４d …
異物検出部、４e …コンピュータ（ＣＰＵ）、４f …表
示器、４g …キーボード、５…閾値設定部、５a …アド
レスカウンタ、５b …マップメモリ、５c …デコーダ、
５d …閾値選択回路、ＰT …パターン、ｇ…画素信号、
Ｓa,Ｓb …画素データ、（Ｓa −Ｓb)…差分データ、Ｒ
…残留データ、Ｖth…検出閾値、α，β，γ…ＩＣチッ
プのエリア、Ｍg …画素メモリ、Ｖth（α），Ｖ
th（β），［Ｖth]A…エリア別検出閾値。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 21/88 G01N 21/956 G01B 11/30 G06T 7/00 H01L 21/66
Claims (2)
- 【請求項１】 ウエハの表面に形成された同一パターン
を有する複数のＩＣチップを検査対象とし、該ウエハに
対してレーザビームを走査し、互いに隣接した２個の前
記ＩＣチップの反射光を光センサにより受光し、該光セ
ンサの出力した該隣接ＩＣチップの対応する画素信号の
差分データを作り、該差分データを検出閾値に比較し、
前記各ＩＣチップに付着した異物を検出してマップ表示
する異物検査装置において、前記ＩＣチップの全面に対
応した画素メモリを有するマップメモリを設け、入力手
段により、該マップメモリの前記ＩＣチップの任意のエ
リアに対応する該各画素メモリに対して、該エリア別の
前記検出閾値を示す２進数をそれぞれ記憶し、前記隣接
チップの検査において、前記差分データの各画素信号に
対応する該２進数を逐次に読出して解読し、該解読され
た前記エリア別の検出閾値を異物検出部に設定し、該検
出閾値に対して該エリアの各画素信号を比較して前記異
物を検出することを特徴とする、エリア別検出閾値の設
定方法。 - 【請求項２】 前記エリア別検出閾値には、反射率が特
別に大きいマットエリアに対する前記マップ表示を消去
するインヒビット閾値を含む、請求項１記載のエリア別
検出閾値の設定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3228830A JP3040014B2 (ja) | 1991-08-14 | 1991-08-14 | エリア別検出閾値の設定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3228830A JP3040014B2 (ja) | 1991-08-14 | 1991-08-14 | エリア別検出閾値の設定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0545295A JPH0545295A (ja) | 1993-02-23 |
| JP3040014B2 true JP3040014B2 (ja) | 2000-05-08 |
Family
ID=16882529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3228830A Expired - Lifetime JP3040014B2 (ja) | 1991-08-14 | 1991-08-14 | エリア別検出閾値の設定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3040014B2 (ja) |
-
1991
- 1991-08-14 JP JP3228830A patent/JP3040014B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0545295A (ja) | 1993-02-23 |
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