JPH0723873B2 - プリント基板における配線パターンの欠陥検出方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、有機物質を含む基材上
に配線パターンを形成したプリント基板の配線パターン
の欠陥を高信頼度で検出できるようにしたプリント基板
における配線パターンの欠陥検出方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】例えばプリント基板などの表面に形成さ
れた配線パターンの欠陥の有無を検出するには、従来一
般に図１に示すような反射光検出方式の検出装置が用い
られている。 【０００３】本従来例の配線パターン検出装置は、プリ
ント基板（若しくはセラミック基板）１の配線面２に光
３１を照射するための高輝度光源１１と、コンデンサレ
ンズ２１と、ハーフミラー２３および、前記配線面２か
らの反射光４５を検出するための検出器１３および、該
検出器１３に配線パターン像を結像させるための結像レ
ンズ２５から構成され、プリント基板１の配線面２の配
線パターン３からの反射光４５に比し、基材４の表面か
らの反射光が暗レベルに近いため、これを利用して、２
値化を行ない、配線パターンを検出する。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】図２は検出対象物であ
るプリント基板の一例を示す。基材４の配線面２に配線
パターン３が形成されている。 【０００５】本例のプリント基板１は、配線パターン３
の上に傷５，変色部７を生じており、また配線パターン
に誇って残銅６が存在している。 【０００６】上記の傷５を通るＡ−Ａ断面を図３（ａ）
に、残銅６を通るＢ−Ｂ断面を図３（ｂ）に、変色部７
を通るＣ−Ｃ断面を図３（ｃ）に、それぞれ示す。 【０００７】図１に示した従来の配線パターン検出器に
よって図２のような欠陥を有するプリント基板１を検査
した場合、傷５や変色部７には配線パターンが存在して
いて機能的には正常であるにも拘らずこれを断線と誤検
出する。また、残銅６はパターン間をショートせしめて
いる欠陥であるにも拘らず、この残銅の表面が暗く見え
るので欠陥として検出できないという不具合が有る。 【０００８】上に述べた従来装置（図１）による誤検出
の状態を、図４について次に説明する。本図の横軸は位
置を示し、縦軸は検出器１３で光電変換された電圧を示
す。電圧Ｖ₀はスルーホール８のレベル即ち暗レベルを
示し、電圧Ｖ₁は基材４のレベルを示し、電圧Ｖ₂は配線
パターン３のレベルを示し、電圧Ｖ₃は検出器１３の飽
和レベルを示し、電圧ＶTはシュレッショルドレベルを
示す。傷５については図４（ａ）に示すごとく、傷5か
らの異常に強い正反射光が検出器１３に入り、検出器１
３は飽和電圧Ｖ₃に達し、ブルーミング現象を起して
Ａ′の位置はシュレッショルドレベルＶT に対して上下
を往復する電圧と成り、異常として検出される。変色部
７については図４（ｃ）に示すごとく、該変色部７の光
の反射率が低いため、本来の配線パターン３に相当した
電圧Ｖ₂に比し、シュレッショルドレベルＶT よりも低
い電圧Ｖ₅しか得られずＣ′の位置はあたかも配線パタ
ーン３が存在しないものと、即ち断線していると誤検出
される。残銅６については図３（ｂ）に示すごとく、肉
厚が通常の配線パターン３に比べ薄く、かつ表面反射率
が低いため本来の配線パターン３に相当した電圧Ｖ₂に
比して低く、シュレッショルドレベルＶT よりも低い電
圧Ｖ₄しか得られずＢ′の位置はあたかも残銅６が存在
しないごとく検出される。 【０００９】また、配線パターン３の表面が、光沢半田
めっきでできているいわゆる半田パターンにおいては光
沢のためピカット光る異常に強い正反射光が検出器１３
に入るため、配線パターン３上に傷５が存在する場合と
同様の現象が発生し、プリント基板１としては正常であ
るにもかかわらず、異常として検出されるため図１に示
すごとき従来の反射光検出方式のパターン検出装置では
正確にパターンを検出できないという課題があった。 【００１０】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決すべく、有機物質を含む基材上に配線パターンを形成
したプリント基板において、該配線パターン上の傷や変
色を異常として検出することなく、且つプリント板とし
て短絡欠陥となりえる残銅等の薄膜残留欠陥は見逃すこ
となく検出し、更に半田パターンの様な表面が光沢のあ
る配線面を有する配線パターンであっても正確に配線パ
ターンの欠陥を高信頼度で、且つ高速度で検出できるよ
うにしたプリント基板における配線パターンの欠陥検出
方法を提供することにある。 【００１１】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、有機物質を含む基材上に配線パターンを
形成したプリント基板を少なくとも所定方向に連続送り
を行い、該連続送りされたプリント基板に対してほぼ垂
直方向から４６０ｎｍ以下の波長を有する螢光励起光を
集光光学系により集光して結像光学系を通さずに照射し
て該照射された螢光励起光によって励起されて基材から
発生する螢光を前記プリント基板の表面から反射する螢
光励起光から４６０ｎｍを越えた波長の光を透過する分
離光学系で分離すると共に前記螢光像を前記結像光学系
で、素子を前記所定方向に対してほぼ直角方向に配列し
た高感度リニアイメージセンサ上に結像させて該高感度
リニアイメージセンサから少なくとも配線パターン上の
傷および変色に影響を受けない配線パターンのネガチブ
パターンとしての螢光画像信号を検出し、該検出された
螢光画像信号を所望の閾値によって２値化画像信号に変
換し、該変換された２値化画像信号に基づいて配線パタ
ーンの欠陥を検出することを特徴とするプリント基板に
おける配線パターンの欠陥検出方法である。 【００１２】 【作用】上記構成により、プリント基板における配線パ
ターン上の傷や変色あるいは光沢に影響されずに、且つ
表面反射率の小さい短絡欠陥となり得る残銅等の検出も
信号処理を簡素化して可能にして、しかも高信頼度で、
且つ高速度で微細配線パターンの欠陥を検出することが
できる。 【００１３】 【実施例】以下、本発明に係わる一実施例を図５ないし
図７について詳細に説明する。 【００１４】図５において、プリント基板１，高輝度光
源１１，コンデンサレンズ２１，ハーフミラー２３，結
像レンズ２５，検出器１３の構成は図１に示した従来の
パターン検出装置と同じであるが、新たにフイルタ２２
およびフイルタ２４を設けてある。図５において、高輝
度光源１１から発した光３１はコンデンサレンズ２１を
通りフイルタ２２へ入る。フイルタ２２はプリント基板
１やレジストパターンあるいはセラミック基板の基材あ
るいはレジストから螢光が発生しやすいように、高輝度
光源１１から発した光３１の波長を限定するためのフイ
ルタで、例えば図６に示すこどき一般にブルーフイルタ
Ｂ３７０と呼称されているもので透過率の最大が波長３
７０nmにあり、波長３００nmから４６０nmまでの波長の
光のみを透過させるものである。限定された波長の光は
ハーフミラー２３で光路を９０度変更されてプリント基
板１の配線面２を照射し、有機物質を含む基材４あるい
はレジストから螢光を発生させるための励起光として働
く。基材４あるいはレジストから発生した螢光と配線面
２での反射光の合わさった光４１は、再びハーフミラー
２３を通過してフイルタ２４に入る。フイルタ２４はプ
リント基板１の配線面２の表面で反射した反射光と螢光
とを分離するため前記励起光３２の限定された波長域以
外の螢光４２のみを透過させるもので、例えば図７に示
すごとき一般にイエローフイルタＹ５０と呼称されてい
るもので、波長５００nm以下の光を反射し、波長５００
nm以上の光を透過させるものである。フイルタ２４で配
線面２からの反射光と分離された螢光４２は、結像レン
ズ２５で検出器１３の光電変換面に結像されるため、プ
リント基板１の配線パターンのネガチブなパターン像が
得られる。なお、ハーフミラー２３として図１０に示す
ようにダイクロイックミラーを用いて２段でフィルタ効
果を持たせれば、なお一層蛍光のみを検出できることは
明らかである。 【００１５】図５に示した本発明の一実施例ではプリン
ト基板やレジストパターンあるいはセラミック基板の基
材やレジストから発生する螢光を検出するパターン検出
装置として作用するので、図２に示した配線パターン３
上に存在する傷５や変色部７の影響はなく、また、配線
パターン３に光沢があっても問題なく配線パターンのネ
ガチブパターンの検出が可能である。更に、図２に示し
た様な基材４の表面上に反射率の小さい残銅６が存在す
ると基材４から発する螢光が遮断されるため、その部分
の螢光は検出されず、基準の２値化画像信号との相違に
より、欠陥ありとして検出される。これらの状態を、検
出結果を示す図８を用いて次に説明する。図８は図４と
同様、横軸は位置を示し、縦軸は検出器１３で光電変換
された電圧を示す。電圧Ｖ₀はスルーホール８のレベル
即ち暗レベルを示し、電圧Ｖ₆は配線パターン３のレベ
ルを示し、電圧Ｖ₇は基材４のレベルを示し、電圧ＶT
はシュレッショルドレベルを示す。また図８（ａ），
（ｂ），（ｃ）の各図は図４（ａ），（ｂ），（ｃ）と
同様、それぞれ図２および図３に示した傷５，残銅６，
変色部７の各部を検出器１３がとらえた検出結果を示す
ものである。傷５については、図８（ａ）に示すごと
く、螢光が検出されないのでＡ′の位置は電圧Ｖ₆のレ
ベルとなり、シュレッショルドレベルＶT よりも低くな
って配線パターンとして正常に検出される。また変色部
７については、図８（ｃ）に示すごとく、螢光が検出さ
れないのでＣ′の位置は電圧Ｖ₆のレベルとなり、シュ
レッショルドレベルＶT よりも低くなって配線パターン
として正常と検出される。更に残銅６については、図８
（ｂ）に示すごとく、螢光が検出されないのでＢ′の位
置は電圧Ｖ₆のレベルとなり、シュレッショルドレベル
ＶTよりも低くなり、基準の２値化画像信号との相違に
より、配線パターン間を短絡させようとする異常である
欠陥として検出され、残銅６の存在が認識されることに
なる。また、配線パターン３の表面が、光沢半田めっき
でできているいわゆる半田パターンにおいても図２にお
ける基材４の部分の螢光を検出することについては詳細
に説明した前記実施例と変わることがないため、正確に
配線パターンを検出することができる。 【００１６】図５の実施例においては、高輝度光源１１
として超高圧水銀灯、又はクセノンランプ或いはレーザ
を用いると、これらの光源が螢光励起能力の大きい波長
の光を含んでいるので好適である。また、本例における
検出器１３として高感度リニヤセンサを用いると次記の
ようにして静止画像を得るのに好都合である。この場合
プリント基板１は高感度リニアセンサの光電素子の並ぶ
方向と直角な方向に連続送りを行ない、かつ平行な方向
にステップ送りする手段を設けて平行方向にステップ送
りすると、配線パターン３のネガチブパターンの静止画
像を検出できる。 【００１７】図９は上記と異なる実施例である。図９に
おいて、プリント基板１．高輝度光源１１，コンデンサ
レンズ２１，フイルタ２２，ハーフミラー２３，フイル
タ２４，及び結像レンズ２５の構成は図５に示した実施
例と同じであるが、検出器として高感度テレビカメラ１
４を用いた点のみが異なり、プリント基板１の走査を除
きその動作は図５の実施例と同じであるため説明を省略
する。高感度テレビカメラ１４は面として配線パターン
情報を得るため、プリント基板１を縦横方向にステップ
送りすることによって、配線パターン３のネガパターン
を検出できる。 【００１８】図１０は更に異なる実施例を示す。本図に
おいて、プリント基板１，高輝度光源１１，コンデンサ
レンズ２１，結像レンズ２５，リニアランサ１３の構成
は図５に示した実施例と同じであるが、図５におけるフ
イルタ２２，ハーフミラー２３，フイルタ２４がダイク
ロイックミラー２６に代わっている点が異なる。従っ
て、図１に示した従来の配線パターン検出器と比較して
見ると、主たる相違点は図１のハーフミラー２３をダイ
クロイックミラー２６に変えたことである。図１０にお
いて、高輝度光源１１から発した光３１はコンデンサレ
ンズ２１を通り、ダイクロイックミラー２６へ入る。ダ
イクロイックミラー２６は、４５度方向からの入射光に
対して、青系の光を反射し、赤系の光を透過する性質を
有し、例えば、図１１に示すごとく、４５度方向の入射
光に対して、波長４６０nm以下の光の透過率０％で、波
長５１０nm以上の光の透過率は９０％以上である。 【００１９】従ってダイクロイックミラー２６に４５度
方向から入射した光３１は波長４６０nm以下の光に限定
されて光路を９０度変更され、プリント基板１の配線面
２を照射し、図５の実施例におけるフイルタ２２と、ハ
ーフミラー２３とを兼ね備えた機能を果たし、照射光は
基材４あるいはレジストからの螢光を発生させるための
励起光３３として働く。基材４あるいはレジストから発
生した螢光と配線面２での反射光の合わさった光４１は
再度ダイクロイックミラー２６に入るが、今度は赤系の
光が透過するため、ダイクロイックミラー２６を透過し
た光４３はプリント基板１の配線面２での反射光がカッ
トされた螢光のみとなる。従って、ダイクロイックミラ
ー２６は図５におけるフイルタ２４の機能も併せ兼ね備
えた機能を持つ。螢光４３は結像レンズ２５でリニアセ
ンサ１３の光電変換面に結像されるため、図５と同様プ
リント基板１の配線パターンのネガパターン像が得られ
る。なおダイクロイックミラー２６を使用することによ
って、フイルタ２２，ハーフミラー２３，フイルタ２４
を用いた実施例に比して光の透過率の減少を大巾に改善
できるため、光量の小さい螢光の検出にとっては有利な
パターン検出装置を構成できる利点がある。 【００２０】図１２は本発明の他の実施例を示す。図１
２において、プリント基板１，高輝度光源１１，コンデ
ンサレンズ２１，フイルタ２２，フイルタ２４，結像レ
ンズ２５，及びリニアセンサ１３の構成は図５に示した
実施例と同じであるが、図５におけるハーフミラー２３
の代わりに凹面鏡２７を設けた点で異なる。上記の凹面
鏡２７の代りに平面鏡（図示せず）を用いることもでき
る。本例の作用は図５の実施例と同じであるため説明を
省略する。なお凹面鏡（あるいは平面鏡）２７を使用し
た場合、図５に示すハーフミラー２３を使用する場合に
比べ、ハーフミラー２３で反射あるいは透過することに
よる光量の損失がなくなり、光量の小さい螢光の検出に
とっては有利なパターン検出装置を構成できる利点があ
る。 【００２１】図１３に、本発明の他の一実施例を示す。
図１３において、プリント基板１，コンデンサレンズ２
１，フイルタ２２，ハーフミラー２３，フイルタ２４，
結像レンズ２５，及び高感度テレビカメラ１４の構成は
図９に示した実施例と同じであるが、図９における高輝
度光源１１の代わりにストロボスコープ１２を設置した
点が異なり、プリント基板１の走査を除きその動作は図
９と同じである。 【００２２】プリント基板１の縦方向、あるいは横方向
のどちらか一方は連続送りし、ストロボスコープ１２を
プリント基板１の送り速度と同期をとって発光させるこ
とによって、配線パターンの面としての情報を静止画像
としてとらえ、配線パターン３のネガパターンを検出で
きる。本実施例によれば、プリント基板１を連続送りし
ながら、配線パターンの静止画像を検出できるため、高
輝度光源１１を使用する場合のようにプリント基板１を
ステップ送りする必要がないため、配線パターンの検出
に要する時間を大巾に縮減できる利点がある。 【００２３】図１４は更に異なる実施例を示す。本図に
おいて、プリント基板１，高輝度光源１１，コンデンサ
レンズ２１，フイルタ２２，ハーフミラー２３，フイル
タ２４，結像レンズ２５，及び高感度テレビカメラ１４
の構成は図９に示した実施例と同じであるが、シャッタ
２８を新たに設けてある点が異なり、プリント基板１の
走査を除きその動作は図９と同じであるため説明は省略
する。図１４における動作は図１３におけるストロボス
コープ１２の発光のタイミングをシャッタ２８の開閉動
作によって行なうもので、配線パターン３のネガチブパ
ターンの静止画像の検出については図１３と同じである
ので説明は省略する。 【００２４】図１５は更に異なる実施例を示す。本実施
例においては、プリント基板１やセラミック基板の配線
面２に光３４を照射するレーザー１６と、レーザー光ビ
ームを拡大するとビーム拡大器１７と、配線面２にレー
ザービームを走査するための回転ミラー１８と、レーザ
ー光をスポット光に絞るためのスキャニングレンズ１９
と、プリント基板１やレジストパターンあるいはセラミ
ック基板の基材４あるいはレジストから発生する螢光を
効率良く集光し、かつ検出器に導く光フアイバー２０
と、配線面２から発生する反射光をカットし、前記の螢
光のみを透過するフイルタ２４と、前記の螢光を検出す
るためのフォトマルチプライヤ１５を設置してある。前
記の螢光が発生しやすいように波長が限定されたレーザ
ー１６から発したビーム光３４をビーム拡大器１７で拡
大し、回転ミラー１８によってプリント基板１の配線面
２の所定の位置を走査しながらスキャンニングレンズ１
９でスポット光にして配線面２を照射する。基材４ある
いはレジストに照射された場合には螢光が発生し、配線
パターン３に照射された場合には螢光は発生しない。螢
光は光フアイバー２０で集光し、レーザー光の波長域の
光の透過率を０％にして螢光のみ透過するようにしたフ
イルタ２４を通してフォトマルチプライヤ１５で検出す
る。従って、本発明の他の実施例と同様、プリント基板
１の配線パターンのネガチブパターン像が得られる。 【００２５】図１６乃至図１８は、前述した各実施例の
装置を用いてレジストパターンを検出する方法の説明図
である。これらの図について次に述べる検出方法は、既
述の図５の実施例装置をはじめ、図９，図１０，図１
２，図１４，図１５にそれぞれ示した各実施例装置によ
って行なうことができる。 【００２６】図１６はレジストパターン９が形成された
状態のプリント基板半製品１′の配線面２′を示すもの
でレジスト配線パターン９以外は銅箔１０であり、図１
６のＤ−Ｄ断面図を図１７に示す。このプリント基板
１′は銅箔１０の上にレジストパターン９が形成されて
いる。 【００２７】図１８は図１６のＤ−Ｄ線上を前記の本発
明の実施例のパターン検出装置で走査して欠陥を検出し
た結果を示すもので、横軸は位置を示し、縦軸は検出器
で光電変換された電圧を示す。電圧Ｖ₈は銅箔１０のレ
ベルを示し、電圧Ｖ₉はレジスト配線パターン９のレベ
ルを示し、電圧ＶT はシュレッショルドレベルを示す。
この図１８から明らかなようにレジスト配線パターン９
の検出が可能である。 【００２８】次に、本発明の他の実施例を図１９を用い
て詳細に説明する。図１９において、プリント基板１，
フイルタ２４，結像レンズ２５，検出器１３の構成は図
５に示した実施例と同じであるが、高輝度光源１１，コ
ンデンサレンズ２１を、プリント基板１の配線面２の裏
面に相当する配線面２″側に配設し、高輝度光源１１か
ら発した光が配線面２″を斜め下方から照射するように
構成してある。即ち、図５の実施例に比べて見ると、図
５におけるハーフミラー２３に代わって１対のミラー２
９と１対の凹面鏡（あるいは平面鏡）３０とを新たに追
加した構成となっている。従って、配線面２″を照射す
る光３２はプリント基板１の基材４を透過し、あるいは
スルーホールを通過して、配線面２から上方へ出てい
く。その後の作用は図５の実施例とほぼ同様であるが、
次記の長所が有る。 【００２９】図５の実施例においては、フイルタ２２の
光特性が不完全で波長５００nm以上の光が若干漏れた場
合、この漏洩光が検出器１３に入射してノイズを発生さ
せるという不具合を生じる。しかし、図１９に示した実
施例においては、配線パターン３の表面（図において上
面）で反射光が発生しないので、フイルタ２２の 光特
性が完全でなくとも、漏洩した光が反射光として検出器
１３に達してノイズ源となる虞れが無い。なお、本例に
おいて発生面２″に対して斜め方向から光を照射する目
的は配線面２″の配線パターンによって基材４に入射す
る光の影ができることを防止するためである。 【００３０】 【発明の効果】本発明によれば、プリント基板におい
て、配線パターン上の傷や変色を異常として検出するこ
となく、正確に短絡欠陥となりうる残銅などの欠陥を信
号処理を簡素化して、しかも高速度で検出することがで
き、その結果微細配線パターンの欠陥を高信頼度で、且
つ高速度で検出することができる優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】 【図１】従来の配線パターン検出装置の側面図である。 【図２】プリント基板の平面図である。 【図３】（ａ）は図２のＡ−Ａ断面図、（ｂ）は図２の
Ｂ−Ｂ断面図、（ｃ）は図２のＣ−Ｃ断面図である。 【図４】（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ従来の配線
パターン検出装置における検出結果を示す図である。 【図５】本発明の配線パターン検出装置の第１の実施例
を示す側面図である。 【図６】上記実施例に用いたフイルタの特性を示す図で
ある。 【図７】上記実施例に用いたフイルタの特性を示す図で
ある。 【図８】（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ上記実施例
における検出結果を示す図である。 【図９】本発明の配線パターン検出装置の第２の実施例
を示す側面図である。 【図１０】本発明の配線パターン検出装置の第３の実施
例を示す側面図である。 【図１１】図１０の実施例に用いたダイクロイックミラ
ーの特性を示す図である。 【図１２】本発明の配線パターン検出装置の第４の実施
例を示す側面図である。 【図１３】本発明の配線パターン検出装置の第５の実施
例を示す側面図である。 【図１４】本発明の配線パターン検出装置の第６の実施
例を示す側面図である。 【図１５】本発明の配線パターン検出装置の第７の実施
例を示す側面図である。 【図１６】レジスト配線パターンを備えたプリント基板
半製品の平面図である。 【図１７】図１６のＤ−Ｄ断面図である。 【図１８】図１６のプリント基板半製品の検出結果を示
す図である。 【図１９】本発明の配線パターン検出装置の第８の実施
例を示す側面図である。 【符号の説明】 １…プリント基板、 １′…プリント基板半製品、 ２，２，′２″…配線面、 ３…配線パターン、 ４…基材、 ５…傷、 ６…残銅、 ７…変色部、 ８…スルーホール、 ９…レジスト配線パターン、 １０…銅箔、 １１…高輝度光源、 １２…ストロボスコープ、 １３…リニアセンサ、 １４…高感度カメラ、 １５…フォトマルチプライヤ、 １６…レーザー、 １７…ビーム拡大器、 １８…回転ミラー、 １９…スキャンニングレンズ、 ２０…光フアイバー、 ２１…コンデンサレンズ、 ２２…フイルタ、 ２３…ハーフミラー、 ２４…フイルタ、 ２５…結像レンズ、 ２６…ダイクロイックミラー、 ２７…凹面鏡、 ２８…シャッター、 ２９…ミラー、 ３０…凹面鏡 ３１…光源の光、 ３２…励起光、 ３３…励起光、 ３４…レーザー光、 ４１，４４…反射光と螢光の合わさった光、 ４２，４３…励起光の波長域をカットされた螢光、 ４５…反射光。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】１．有機物質を含む基材上に配線パ
   ターンを形成したプリント基板を少なくとも所定方向に
   連続送りを行い、該連続送りされたプリント基板に対し
   てほぼ垂直方向から４６０ｎｍ以下の波長を有する螢光
   励起光を集光光学系により集光して結像光学系を通さず
   に照射して該照射された螢光励起光によって励起されて
   基材から発生する螢光を前記プリント基板の表面から反
   射する螢光励起光から４６０ｎｍを越えた波長の光を透
   過する分離光学系で分離すると共に前記螢光像を前記結
   像光学系で、素子を前記所定方向に対してほぼ直角方向
   に配列した高感度リニアイメージセンサ上に結像させて
   該高感度リニアイメージセンサから少なくとも配線パタ
   ーン上の傷および変色に影響を受けない配線パターンの
   ネガチブパターンとしての螢光画像信号を検出し、該検
   出された螢光画像信号を所望の閾値によって２値化画像
   信号に変換し、該変換された２値化画像信号に基づいて
   配線パターンの欠陥を検出することを特徴とするプリン
   ト基板における配線パターンの欠陥検出方法。