JP2007071803A - 欠陥観察方法及びその装置 - Google Patents
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Abstract
半導体デバイス等の基板上に回路パターンを形成するデバイス製造工程において、製造
工程中に発生する微小な異物やパターン欠陥を、高速で高精度に検査できる装置および方
法を提供すること。
【解決手段】
表面に透明膜が形成された被検査対象物に対し、高NA対物レンズを真空チャンバ内に設置し、対物レンズ内に照明光路を設けたことにより、暗視野照明を可能にし被検査対象物表面の異物または欠陥の反射散乱光を高感度に検出できるようにした。
【選択図】 図1
Description
、特に電子顕微鏡を用いて欠陥を詳細に観察するのに適した欠陥観察方法及びその装置に
関する。
絡などの不良原因になる。さらに半導体素子の微細化に伴い、より微細な異物がキャパシ
タの絶縁不良やゲート酸化膜などの破壊の原因にもなる。これらの異物は、搬送装置の可
動部から発生するものや、人体から発生するもの、プロセスガスにより処理装置内で反応
生成されたもの、薬品や材料に混入していたものなど種々の原因により種々の状態で混入
され、例えば半導体ウェハ上のスクラッチ(引掻き傷)、材料残り、粒子等が挙げられ製
造スループットに影響を与えている。
このため、製造プロセス中に半導体基板上に発生した欠陥を検出し、検出した欠陥を分
類して欠陥の発生源をいち早く突き止め、欠陥の大量発生を食い止める必要がある。
いて半導体基板の表面を暗視野照明して異物からの散乱光を検出して欠陥の位置を特定し
、または、光学式外観検査装置を用いて半導体基板の明視野光学像を検出してこれを参照
画像と比較することにより半導体基板上の欠陥の位置を特定し、この位置が特定された欠
陥を、SEM(Scanning Electron Microscope:走査型電子顕微鏡)で詳細に観察して分類し、データベースと比較して分類した欠陥の発生原因を推定する方法が採られていた。このような観察方法に関しては、特開2001-133417号公報(特許文献1)、特開2003-7243号公報(特許文献2)及び、特開平5-41194号公報(特許文献3)に開示されている。
ットを上げるために、半導体基板表面を暗視野照明するためのレーザビームのスポットサ
イズを大きくして半導体基板表面を走査して照射している。このため、半導体基板表面を
走査するレーザビームスポットの位置から求める位置座標の精度は、大きな誤差成分を含
んでしまう。
細に観察しようとすると、光学式の異物検査装置よりも遥かに高い倍率で観察するSEM
の画像の中に、観察したい欠陥が入らない場合がある。このような場合、SEMの視野内
に見たい欠陥の画像を入れるために、SEMの視野内を移動させながら欠陥を捜すことに
なるが、そのための時間がかかってしまい、SEM観察のスループットが低下する原因に
なってしまう。
た画像を参照画像と比較することにより欠陥を検出するが、半導体基板の表面が光学的に
透明な膜で覆われている場合には、この光学的に透明な膜の表面に存在する欠陥の他に、膜中又は膜下に存在する欠陥も検出してしまう。
詳細に観察しようとすると、一般にSEMでは試料表面の情報しか得られないので、光学
式外観検査装置で検出した膜中又は膜下に存在する欠陥を検出することができない。この
ような場合、SEMによる検査装置からは、光学式外観検査装置が誤検出したと認識して
しまうという問題があった。
EMを用いて詳細に観察する場合において、光学式の異物検査装置又は光学式外観検査装
置で検出した欠陥を、確実にSEMの観察視野内に入れることができる欠陥検査方法及び
その装置を提供することにある。
膜で覆われた基板を予め他の検査装置を用いて検出して得られた欠陥の位置情報を記憶す
る記憶手段と、欠陥を照明する照明系と照明された欠陥を検出する検出光学系とを備えた
欠陥観察手段と、基板を載置して記憶手段に記憶した欠陥の位置情報に基づいて観察すべ
き欠陥を検出光学系の視野内に位置させるステージ手段と、欠陥観察手段で検出された欠
陥を観察する電子顕微鏡手段とを備えた欠陥検査装置において、照明系には、基板を大き
な入射角度で照明する第1の照明部と前記基板を小さい入射角度で照明する第2の照明部
とを備え、検出光学系には、照明系で照明した基板のパターンからの回折光像を遮光する
遮光部を更に備えて構成し、記憶手段に記憶した予め他の検査装置を用いて検出して得ら
れた欠陥の位置情報に基づいて観察すべき欠陥を欠陥観察手段の検出光学系の視野内に位
置させ、この視野内に位置させた欠陥を照明系で照明して検出光学系で照明によるパター
ンからの回折光像を遮光して検出し、この検出した信号に基いて欠陥が光学的に透明な膜
の表面に存在する欠陥か光学的に透明な膜の中又は下に存在する欠陥かを識別し、光学的
に透明な膜の表面に存在すると識別された欠陥をSEMで観察するようにした。
EMを用いて詳細に観察する場合において、光学式の異物検査装置又は光学式外観検査装
置で検出した欠陥を、確実にSEMの観察視野内に入れることができるようになり、SEMを用いた欠陥の詳細検査のスループットを上げることができる。
本発明に係る物体表面の欠陥検査装置は、図1に示すように、走査型電子顕微鏡(SEM)110、欠陥検出装置140、搬送系125と、これらを内部に装備してロードロック室160と図示しない真空排気手段とを備えた真空チャンバ150、及び全体制御部130とを含んで構成される。
されており、欠陥や異物を検出する際にノイズとなる被検査対象基板100上からの反射光(例えば、規則的な繰返しパターン等からの反射回折光によるフーリエ像)を遮光する。例えば検出光学系350の光路中に、検査中はY方向に退避可能なミラー201と、投影レンズ202、TVカメラ203を備えた瞳観察光学系200を設け、図5(a)に示すフーリエ変換位置における繰り返しパターンからの反射回折光像501をTVカメラ203で撮像し、回折像の輝点502を図5(b)に示すような矩形状の遮光パターン503を有する遮光板510で遮光するものである。遮光パターン503は、図示しない機構によって間隔Pを変化させることができ、TVカメラ203で得られる画像が図5(c)に示すような輝点のない像504になるように調整する。
対象基板100は、図示しない基板カセットからロボットアームによって取り出され、搬送系125でXYステージ120の載置台122上に搬送されて位置決め固定される。次に、予め入出力部73から全体制御部130に入力されている他の検査装置によって出力された欠陥マップデータに基づいて、観察対象の欠陥が検出光学系350の光軸位置に位置決めされ、欠陥の画像が光検出器15で取得されて信号処理系400に入力される。信号処理系400 は、入力された画像から欠陥の検出処理を行い、結果を全体制御部130に出力する。
テージ120がX方向に電子顕微鏡の電子ビーム軸112と検出光学系350の光軸31
2の離間距離dだけ移動して電子顕微鏡の電子ビーム軸112上に欠陥検出装置140で
検出された欠陥が移動されて欠陥の確認・分析が実施される。表示部72では電子顕微鏡
の観察画像及び光検出器15が取得した画像を切り換えて、又は同一の画面上に並べて表
示し、観察することが可能である。信号処理系400 において欠陥が検出されなかった
場合は検出光学系の被検査対象基板100上での検出視野を拡大または縮小して欠陥を探
すことになるが、これに伴いレーザ光L1の照明範囲もレンズ220、230移動させることによって変化させる。
器15の受光面の模式図であり、m×n個の画素で構成されている場合である。被検査対象基板100の表面の欠陥はレーザ光源30からのレーザ光L1または明視野光源23からの照明によって散乱光を発し、光検出器15の受光面402に欠陥画像56として結像し、光検出器15から信号処理部400に欠陥画像が取り込まれる。画像取り込みは、基本的には位置検出器55の出力信号によって対物レンズ13aと被検査対象基板100は合焦点関係になっているが、アクチュエータ70をZ方向に一定量づつステップ移動して対物レンズ13の焦点を変化させながら行い、図7に示す欠陥像56のX(Y)方向の輝度値Iが最大値ImaxとなるZ位置を合焦点位置とする機能も備えて、そのときの画像に対して、受光面402の中心位置403と欠陥画像56の差XL、YLを算出し、欠陥を電子光学系の電子ビーム軸の位置に移動する際のオフセット値として使用する。
8が欠陥の代表座標として記憶される。図8は信号処理部400の構成を示している。検
出器15から出力された画像信号25はA/D変換器405でアナログ/デジタル変換さ
れ除算処理回路420に入力される。除算処理回路420は欠陥情報の含まれていない参
照画像415と、検出器15から出力された画像を位置合わせた後、各画素毎に除算し、比較回路440に出力する。
20の出力を各画素毎に比較する。すなわち、二次元画像f(i,j)の各画素の明るさ
信号v(i,j)に対して、しきい値Thを設定し、各画素がしきい値を超えているか否
かを判定する。しきい値を越えた画素を“1”、越えない画素を“0”として結果を検出
座標判定処理回路450に出力する。検出座標判定処理回路450は、入力された画像信
号の中で“1”の画素を欠陥候補とし、重心位置の画素を、欠陥座標として全体制御部1
30に記憶し、他の検査装置の欠陥マップ座標とを比較して、両者の座標が、光検出器1
5のウェハ100上での検出光学系350の視野より大きい場合は座標位置の更新が行わ
れ、それ以外の時は欠陥マップの座標が参照される。参照画像415としては、検査に先
立って取得された照明光のシェージング画像、または、被検査対象基板100に繰り返し形成されたチップ又はメモリセルの撮像画像データが用いられる。検出光学系350の光路中に空間フィルタ10を配した状態でXYステージ120が移動中に欠陥座標の隣接あるいは近傍のチップ又はメモリセル部の検査対象のパターンと本来同一の形状となるべきパターン画像を回路途中に設けられたスイッチを開閉して選択できる構成になっている。
しかし、SEMを用いて透明膜中の欠陥802を観察することは難しいものとされてい
る。このため、欠陥座標をSEMの電子ビーム軸112の真下に位置決めしても、欠陥を
確認することができず、パターン検査装置の誤検出と認識されてしまう場合がある。
の向きが図9の紙面に垂直になるようにすると、レーザ光L1はミラー38で全反射して
、図9(a)に示すように試料表面に対して入射角αLで入射する。この入射角αLで透明膜804に入射したレーザ光L1は、大部分が透明膜804の表面で反射され、表面の欠陥803から散乱光S1が発生する。この散乱光S1は、図1に示した検出光学系350を通って光検出器15に到達して検出される。
平行になるようにすると、レーザ光L1はミラー39で反射されて、図9(b)に示すように試料表面に対して入射角αSで入射する。この入射角αSで透明膜804に入射したレーザ光L1は表面の欠陥803に照射されて欠陥803から散乱光S1を発生させると同時に、膜中又は膜下の欠陥802にも照射されて欠陥802から散乱光S2を発生させる。この膜中の欠陥802からの散乱光S2は、表面の欠陥803からの散乱光S1とともに図1に示した光学系350を通って光検出器15に到達して検出される。
示していない検査装置(パターン欠陥を検出する光学式外観検査装置または異物を検出す
る異物検査装置)を用いて検査され、被検査対象基板100上の欠陥が検出される。この検出された欠陥の位置座標情報は、図示していない通信手段を介して全体制御部130に
転送され記憶される。
いない検査装置が暗視野照明を用いた欠陥検査装置であった場合には、暗視野照明系30
0を、波長板35の回転角を調整して、レーザ光源30から発射されたレーザをミラー3
8又はミラー39で反射させて被検査対象基板100を照明し、被検査対象基板100の
欠陥を検出する。このとき、被検査対象基板100上に形成されたパターンからの暗視野
照明による散乱光は、検出光学系350の空間フィルタ10で遮光され、光検出器15へ
は欠陥からの散乱光だけが到達することになる。
16・・・真空シール材 17・・・ミラー 18・・・指示板 19・・・光学フィルタ 20・・・ビームスプリッタ 23・・・明視野光源 30・・・レーザ光源 31・・・シャッタ 33・・・ビーム径可変手段 35・・・波長板 36・・・入射窓 38・・・ミラー 56・・・ 欠陥像 58・・・欠陥中心画素 60・・・位置検出系 70・・・アクチュエータ 71・・・記憶部 72・・・表示部 73・・・入出力部 80,410・・・駆動回路 90・・・焦点検出系 100・・・被検査対象基板110・・・電子顕微鏡(SEM) 112・・・電子ビーム軸 120・・・XYステージ 122・・・載置台 125・・・搬送系 140・・・欠陥検出装置 150・・・真空チャンバ 160・・・ロードロック室 193・・・透明ロッド 242,243・・・ゲートバルブ 244・・・搬送ロボット 253、262・・・指標 300・・・暗視野照明系 350・・・検出光学系 400・・・信号処理系 410・・・駆動回路
Claims (12)
- 電子顕微鏡を用いて試料表面の欠陥を検査する方法であって、予め他の検査装置を用いて検出して得られた欠陥の位置情報に基づいて試料表面の観察すべき欠陥を検出光学系の視野内に位置させ、該視野内に位置させた欠陥を入射角度が異なる複数の方向から照明して前記試料で反射散乱された光を検出し、該反射散乱された光を検出して得た信号を処理して前記試料の表面にある欠陥と表面下にある欠陥とを識別し、前記試料の表面にあると識別した欠陥を電子顕微鏡の観察視野内に位置決めし、該電子顕微鏡で前記観察視野内に位置決めした欠陥を観察することを特徴とする欠陥観察方法。
- 前記視野内に位置させた欠陥を、入射角度が異なる複数の方向から順次切り替えて照明し、前記試料で反射散乱された光を前記照明の順次切り替えと同期して検出することにより前記試料の表面にある欠陥と表面下にある欠陥とを識別することを特徴とする請求項1記載の欠陥観察方法。
- 前記試料上の検出した欠陥の位置情報に基づいて、前記予め他の検査装置を用いて検出して得られた欠陥の位置情報を修正することを特徴とする請求項1記載の欠陥観察方法。
- 前記修正した欠陥の位置情報に基づいて前記基板を前記検出光学系の視野内から前記電
子顕微鏡の視野内に移動させて、前記検出光学系で検出した前記光学的に透明な膜の表面
に存在すると識別された欠陥を前記電子顕微鏡の視野内に設定することを特徴とする請求
項3記載の欠陥検査方法。 - 前記電子顕微鏡で前記欠陥を観察して該欠陥のSEM像を得、該SEM像から前記欠陥の特徴量を抽出し、該抽出した特徴量に応じて前記観察した欠陥を分類することを特徴とする請求項1記載の欠陥検査方法。
- 光学検出手段と電子顕微鏡手段とを備えた欠陥観察装置であって、
予め他の検査装置を用いて検出して得られた欠陥の位置情報に基づいて試料表面の観察すべき欠陥を光学検出手段の観察視野内に位置させるテーブル手段と、
該テーブル手段により前記観察視野内に位置された欠陥を入射角度が異なる複数の方向から照明する照明部と、該照明部により照明されて前記試料で反射散乱された光を検出する検出部と、該検出部で前記反射散乱された光を検出して得た信号を処理して前記試料の表面にある欠陥と表面下にある欠陥とを識別する信号処理部とを備えた光学検出手段と、
前記テーブル手段を駆動して該光学検出手段で前記試料の表面にあると識別された欠陥を前記光学検出手段の観察視野内から電子顕微鏡の観察視野内に移動させて位置決めするテーブル位置制御手段と、
該テーブル位置制御手段で前記観察視野内に位置決めされた欠陥のSEM像を撮像する電子顕微鏡手段と
を備えたことを特徴とする欠陥観察装置。 - 前記光学検出手段の照明部は、前記テーブル手段により前記観察視野内に位置させた欠陥を入射角度が異なる複数の方向から順次切り替えて照明し、前記検出部は、前記照明部により照明された前記試料から反射散乱された光を前記照明の順次切り替えと同期して検出することを特徴とする請求項6記載の欠陥観察装置。
- 前記光学検出手段の信号処理部は、前記試料の表面にある欠陥と表面下にある欠陥とを識別して前記試料の表面にある欠陥の位置情報を得、前記テーブル位置制御手段は、前記信号処理部で得た前記試料の表面にある欠陥の位置情報に基づいて前記予め他の検査装置を用いて検出して得られた欠陥の位置情報を修正して前記テーブル手段を駆動し前記試料の表面にある欠陥を前記光学検出手段の観察視野内から電子顕微鏡の観察視野内に移動させて位置決めすることを特徴とする請求項6記載の欠陥観察装置。
- 前記光学検出手段の検出部は対物レンズと空間フィルタとを有し、前記照明部により照明されて前記試料で反射散乱された光のうち前記試料に形成された繰返しパターンから反射散乱された光により前記対物レンズの瞳面に形成される回折光パターンを前記空間フィルタで遮光することを特徴とする請求項6記載の欠陥観察装置。
- 前記光学検出手段の検出部は結像レンズと多数の受光素子を備えた光検出器を有し、前記結像レンズで結像された前記試料で反射散乱された光による像を前記多数の受光素子を備えた光検出器で検出して画像を取得することを特徴とする請求項6記載の欠陥観察装置。
- 前記光学検出手段は、前記試料の表面の高さを光学的に検出する高さ検出部を更に有することを特徴とする請求項6記載の欠陥観察装置。
- 表示手段を更に備え、前記光学検出手段で検出した前記試料の表面にある欠陥の画像と前記電子顕微鏡手段で撮像して得た前記試料の表面にある欠陥のSEM像とを前記表示手段の画面上に同時に表示することを特徴とする請求項6記載の欠陥観察装置。
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