JP2001133417A - 物体上の欠陥を再検査する装置及び方法 - Google Patents
物体上の欠陥を再検査する装置及び方法Info
- Publication number
- JP2001133417A JP2001133417A JP2000219834A JP2000219834A JP2001133417A JP 2001133417 A JP2001133417 A JP 2001133417A JP 2000219834 A JP2000219834 A JP 2000219834A JP 2000219834 A JP2000219834 A JP 2000219834A JP 2001133417 A JP2001133417 A JP 2001133417A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defect
- illumination
- microscope
- defects
- focusing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 254
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 90
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 76
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 72
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 50
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 39
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 12
- 238000013519 translation Methods 0.000 claims description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 7
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 claims 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 17
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 148
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 102
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 11
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 238000012552 review Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000724 energy-dispersive X-ray spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000000399 optical microscopy Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000013102 re-test Methods 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 101100149246 Caenorhabditis elegans sem-4 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/89—Investigating the presence of flaws or contamination in moving material, e.g. running paper or textiles
- G01N21/892—Investigating the presence of flaws or contamination in moving material, e.g. running paper or textiles characterised by the flaw, defect or object feature examined
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66568—Lateral single gate silicon transistors
- H01L29/66575—Lateral single gate silicon transistors where the source and drain or source and drain extensions are self-aligned to the sides of the gate
- H01L29/6659—Lateral single gate silicon transistors where the source and drain or source and drain extensions are self-aligned to the sides of the gate with both lightly doped source and drain extensions and source and drain self-aligned to the sides of the gate, e.g. lightly doped drain [LDD] MOSFET, double diffused drain [DDD] MOSFET
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
- G01R31/307—Contactless testing using electron beams of integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/21—Means for adjusting the focus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/6656—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET using multiple spacer layers, e.g. multiple sidewall spacers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66568—Lateral single gate silicon transistors
- H01L29/66613—Lateral single gate silicon transistors with a gate recessing step, e.g. using local oxidation
- H01L29/66628—Lateral single gate silicon transistors with a gate recessing step, e.g. using local oxidation recessing the gate by forming single crystalline semiconductor material at the source or drain location
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7833—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's
- H01L29/7834—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's with a non-planar structure, e.g. the gate or the source or the drain being non-planar
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
- G01R31/311—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation of integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
- Y10S257/90—MOSFET type gate sidewall insulating spacer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
- Y10S977/86—Scanning probe structure
- Y10S977/868—Scanning probe structure with optical means
- Y10S977/869—Optical microscope
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/88—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with arrangement, process, or apparatus for testing
- Y10S977/881—Microscopy or spectroscopy, e.g. sem, tem
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/901—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure having step or means utilizing electromagnetic property, e.g. optical, x-ray, electron beamm
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/902—Specified use of nanostructure
- Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
- Y10S977/953—Detector using nanostructure
- Y10S977/954—Of radiant energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Textile Engineering (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 物体上の欠陥を再検査するための装置及び方
法を提供する。 【解決手段】 装置は、物体を載せて受入れるステージ
４１４、及び光学顕微鏡４１６及び走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）４２０の両方を含む。光学顕微鏡は、物体表
面上の予め地図化されている欠陥を再検出するために使
用され、物体表面の選択された部分に向けて光ビームを
導く照明源４３６を含む。光学顕微鏡は、明るいフィー
ルド照明及び暗いフィールド照明の何れか、または両方
を生成するように構成されている。一旦欠陥が再検出さ
れると、並進システム４２２は、その欠陥がＳＥＭによ
って再検査される位置に達するようにステージを所定の
変位だけ運動させる。装置は、ＳＥＭによる再検査のた
めに自動的に合焦させ、欠陥の変化するパースペクティ
ブが得られるようにステージを回転させるように構成す
ることができる。
法を提供する。 【解決手段】 装置は、物体を載せて受入れるステージ
４１４、及び光学顕微鏡４１６及び走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）４２０の両方を含む。光学顕微鏡は、物体表
面上の予め地図化されている欠陥を再検出するために使
用され、物体表面の選択された部分に向けて光ビームを
導く照明源４３６を含む。光学顕微鏡は、明るいフィー
ルド照明及び暗いフィールド照明の何れか、または両方
を生成するように構成されている。一旦欠陥が再検出さ
れると、並進システム４２２は、その欠陥がＳＥＭによ
って再検査される位置に達するようにステージを所定の
変位だけ運動させる。装置は、ＳＥＭによる再検査のた
めに自動的に合焦させ、欠陥の変化するパースペクティ
ブが得られるようにステージを回転させるように構成す
ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は欠陥再検査システム
に関し、特に、ある物体上に存在する欠陥を再検出して
分類するための装置及び方法に関する。
に関し、特に、ある物体上に存在する欠陥を再検出して
分類するための装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロエレクトロニックデバイスは、
典型的には、部分的に、半導体ウェーハの選択された層
上に特色（例えば、パターン）を形成することによって
製造される。超大規模集積（ＵＬＳＩ）半導体デバイス
に伴う高密度性能に対する要求が漸増するにつれて、競
争性のために0.25ミクロン以下の設計特色、増加させた
トランジスタ及び回路速度、高信頼性、及び増加させた
製造スループットが要求されてきている。設計特色を0.
18ミクロン及びそれ以下に減少させることは、従来の半
導体製造技術の限界への挑戦である。更に、設計特色を
深いサブミクロン範囲内へ減少させるにつれて、競争性
のために製造スループット（即ち、生産歩留まり）を維
持または改善することが益々困難になっている。
典型的には、部分的に、半導体ウェーハの選択された層
上に特色（例えば、パターン）を形成することによって
製造される。超大規模集積（ＵＬＳＩ）半導体デバイス
に伴う高密度性能に対する要求が漸増するにつれて、競
争性のために0.25ミクロン以下の設計特色、増加させた
トランジスタ及び回路速度、高信頼性、及び増加させた
製造スループットが要求されてきている。設計特色を0.
18ミクロン及びそれ以下に減少させることは、従来の半
導体製造技術の限界への挑戦である。更に、設計特色を
深いサブミクロン範囲内へ減少させるにつれて、競争性
のために製造スループット（即ち、生産歩留まり）を維
持または改善することが益々困難になっている。
【０００３】製造スループットに影響を与える１つの要
因は、製造プロセス中の半導体ウェーハ上に欠陥が存在
することである。これらの欠陥は、例えば、半導体ウェ
ーハの表面上の引掻き傷、粒子、及び材料層の除去され
なかった部分のような、いろいろな形状をとり得る。検
出されなかった欠陥が、そのウェーハから作られる半導
体チップを不良品にすることが多い。
因は、製造プロセス中の半導体ウェーハ上に欠陥が存在
することである。これらの欠陥は、例えば、半導体ウェ
ーハの表面上の引掻き傷、粒子、及び材料層の除去され
なかった部分のような、いろいろな形状をとり得る。検
出されなかった欠陥が、そのウェーハから作られる半導
体チップを不良品にすることが多い。
【０００４】インライン検査及び再検査は、通常は、製
造プロセス中に半導体ウェーハ上で検出された欠陥を検
出し、分類するために遂行される。半導体ウェーハ上の
欠陥の分類は、欠陥の源を識別するために、特に、欠陥
のサイズ、形状、及び境界のような正確な情報を抽出す
る能力を含む。この動作は、極めて高い分解能イメージ
ングを必要とする。しかしながら、半導体ウェーハ上の
特色が小さくなるにつれて、生産歩留まりに影響を及ぼ
し得る欠陥のサイズは従来の光学系の分解能以下になっ
ている。従って、光学系を使用して欠陥を分類する能力
は、高度に制限されつつある。従って、欠陥分類のため
のより高い分解能システムに対する要望が増加してい
る。
造プロセス中に半導体ウェーハ上で検出された欠陥を検
出し、分類するために遂行される。半導体ウェーハ上の
欠陥の分類は、欠陥の源を識別するために、特に、欠陥
のサイズ、形状、及び境界のような正確な情報を抽出す
る能力を含む。この動作は、極めて高い分解能イメージ
ングを必要とする。しかしながら、半導体ウェーハ上の
特色が小さくなるにつれて、生産歩留まりに影響を及ぼ
し得る欠陥のサイズは従来の光学系の分解能以下になっ
ている。従って、光学系を使用して欠陥を分類する能力
は、高度に制限されつつある。従って、欠陥分類のため
のより高い分解能システムに対する要望が増加してい
る。
【０００５】走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）は、数ナノメ
ートルのサイズを有する特色を分解することができ、エ
ネルギ分散Ｘ線スペクトラム（ＥＤＸ）のような解析ツ
ールと組合わせた場合、半導体ウェーハ上の欠陥分類を
遂行するための自然な候補である。一般に、検査システ
ムは、半導体ウェーハを走査し、その上に欠陥を有する
ことが疑われる半導体ウエーハ上の位置の欠陥地図（マ
ップ）を生成するために使用される。次いで欠陥地図
は、ＳＥＭへ転送され、各欠陥の高分解能イメージが取
得される。検査ツールによって生成された欠陥地図は、
欠陥のサイズに対して低精度であることが欠点である。
従って、ＳＥＭは、分類のために要求される高分解能イ
メージを生成する前に、欠陥を“再検出”（即ち、再見
出し）しなければならない。即ち検査ツールの精度は、
欠陥の存在を検出するには十分であるが、欠陥の位置を
決定するには不十分である。従って、検査ツールによっ
て生成された欠陥地図は、欠陥の正確な位置までＳＥＭ
を案内することはできない。従って、再検出は、分類の
目的のための欠陥の高分解能イメージングに対する要望
を満足させるための、光学検査ツールの出力とＳＥＭの
能力との間のブリッジとして機能する。勿論、欠陥が小
さくなる程イメージの視野が小さくなり、欠陥を再検出
するためには欠陥のより正確な位置を知らなければなら
ない。更に、ＥＤＸまたはオージェ分析を遂行する場合
には、要求される精度は欠陥のサイズよりも良好でなけ
ればならない。
ートルのサイズを有する特色を分解することができ、エ
ネルギ分散Ｘ線スペクトラム（ＥＤＸ）のような解析ツ
ールと組合わせた場合、半導体ウェーハ上の欠陥分類を
遂行するための自然な候補である。一般に、検査システ
ムは、半導体ウェーハを走査し、その上に欠陥を有する
ことが疑われる半導体ウエーハ上の位置の欠陥地図（マ
ップ）を生成するために使用される。次いで欠陥地図
は、ＳＥＭへ転送され、各欠陥の高分解能イメージが取
得される。検査ツールによって生成された欠陥地図は、
欠陥のサイズに対して低精度であることが欠点である。
従って、ＳＥＭは、分類のために要求される高分解能イ
メージを生成する前に、欠陥を“再検出”（即ち、再見
出し）しなければならない。即ち検査ツールの精度は、
欠陥の存在を検出するには十分であるが、欠陥の位置を
決定するには不十分である。従って、検査ツールによっ
て生成された欠陥地図は、欠陥の正確な位置までＳＥＭ
を案内することはできない。従って、再検出は、分類の
目的のための欠陥の高分解能イメージングに対する要望
を満足させるための、光学検査ツールの出力とＳＥＭの
能力との間のブリッジとして機能する。勿論、欠陥が小
さくなる程イメージの視野が小さくなり、欠陥を再検出
するためには欠陥のより正確な位置を知らなければなら
ない。更に、ＥＤＸまたはオージェ分析を遂行する場合
には、要求される精度は欠陥のサイズよりも良好でなけ
ればならない。
【０００６】不幸にも、光学検査ツールの高感度と高速
動作とが矛盾するために、光学検査ツールの欠陥地図は
ＳＥＭによる高速再検出のためには十分に正確ではな
い。詳述すれば、いろいろなシステムの構成要素の不正
確さによって、またはウェーハの整列の不正確さによっ
て系統誤差が導入される。系統誤差を最小化した後であ
っても、検査システムのセッティングに起因する報告さ
れた欠陥位置（即ち、欠陥地図）には程度が比較的大き
い不確実さが存在する。例えば、検査システムのスルー
プットを増加させるために、通常は、半導体ウェーハを
走査するのに使用されるスポットサイズを、欠陥のサイ
ズよりも遙かに大きく選択する。従って、報告されたス
ポットサイズ位置の座標は、欠陥の位置よりも遙かに大
きい領域を含む。
動作とが矛盾するために、光学検査ツールの欠陥地図は
ＳＥＭによる高速再検出のためには十分に正確ではな
い。詳述すれば、いろいろなシステムの構成要素の不正
確さによって、またはウェーハの整列の不正確さによっ
て系統誤差が導入される。系統誤差を最小化した後であ
っても、検査システムのセッティングに起因する報告さ
れた欠陥位置（即ち、欠陥地図）には程度が比較的大き
い不確実さが存在する。例えば、検査システムのスルー
プットを増加させるために、通常は、半導体ウェーハを
走査するのに使用されるスポットサイズを、欠陥のサイ
ズよりも遙かに大きく選択する。従って、報告されたス
ポットサイズ位置の座標は、欠陥の位置よりも遙かに大
きい領域を含む。
【０００７】例えば、スポットサイズのセッティングに
よって生じた未修正位置誤差は、パターン化されたウェ
ーハの場合には±10μ程度になり得、パターン化されて
いないウェーハの場合には±50μを越え得る。この誤差
の大きさは、欠陥を再検出するためには、ＳＥＭのため
の探索ウィンドウサイズを受入れ難い程増大させる。例
えば、20μの視野内で0.2μの欠陥の検出には（500×50
0画素のイメージにおいて）その欠陥のために５×５イ
メージ画素のイメージが必要である。一般に、ＳＥＭイ
メージングにおいて達成されるコントラスト対雑音比は
低いから、これはＳＥＭをベースとする検出システムに
とっては極めて苛酷な要求である。従って、米国特許第
5,659,172号に開示されているような信頼できるＳＥＭ
再検出システムは、欠陥を見出すために使用することは
できるが、それは受入れ難い程長い時間を必要とし、従
ってシステムのスループットを低下させる。
よって生じた未修正位置誤差は、パターン化されたウェ
ーハの場合には±10μ程度になり得、パターン化されて
いないウェーハの場合には±50μを越え得る。この誤差
の大きさは、欠陥を再検出するためには、ＳＥＭのため
の探索ウィンドウサイズを受入れ難い程増大させる。例
えば、20μの視野内で0.2μの欠陥の検出には（500×50
0画素のイメージにおいて）その欠陥のために５×５イ
メージ画素のイメージが必要である。一般に、ＳＥＭイ
メージングにおいて達成されるコントラスト対雑音比は
低いから、これはＳＥＭをベースとする検出システムに
とっては極めて苛酷な要求である。従って、米国特許第
5,659,172号に開示されているような信頼できるＳＥＭ
再検出システムは、欠陥を見出すために使用することは
できるが、それは受入れ難い程長い時間を必要とし、従
ってシステムのスループットを低下させる。
【０００８】更に、ＳＥＭをベースとする再検出は、光
学的に透明な層の下に（または、その中に）埋没した欠
陥に対しては効果的ではない。従って、埋没した欠陥の
ＳＥＭイメージを、分類を容易ならしめるのに十分に明
確な詳細で入手することは不可能であり得る。更に、層
の厚みの小さい変化が検査システムによって欠陥として
報告されるが、一般的にはＳＥＭを使用して再検出する
ことが極めて困難であることが多い。従って、このよう
な欠陥はＳＥＭイメージを使用して分類することはでき
ない。
学的に透明な層の下に（または、その中に）埋没した欠
陥に対しては効果的ではない。従って、埋没した欠陥の
ＳＥＭイメージを、分類を容易ならしめるのに十分に明
確な詳細で入手することは不可能であり得る。更に、層
の厚みの小さい変化が検査システムによって欠陥として
報告されるが、一般的にはＳＥＭを使用して再検出する
ことが極めて困難であることが多い。従って、このよう
な欠陥はＳＥＭイメージを使用して分類することはでき
ない。
【０００９】従って、半導体ウェーハのような材料上の
欠陥を再検査する現在の方法に伴う１つの問題は、検査
ツールによって生成された欠陥地図に基づいて欠陥を迅
速且つ正確に再検出するためには、ＳＥＭをベースとす
る再検査ツールが無能なことである。欠陥を再検査する
現在の方法に伴う別の問題は、ＳＥＭをベースとするイ
メージが分類に従わない場合には、欠陥を分類するのを
援助する補助システムが使用できないことである。
欠陥を再検査する現在の方法に伴う１つの問題は、検査
ツールによって生成された欠陥地図に基づいて欠陥を迅
速且つ正確に再検出するためには、ＳＥＭをベースとす
る再検査ツールが無能なことである。欠陥を再検査する
現在の方法に伴う別の問題は、ＳＥＭをベースとするイ
メージが分類に従わない場合には、欠陥を分類するのを
援助する補助システムが使用できないことである。
【００１０】
【発明の概要】半導体ウェーハのような材料上の欠陥を
迅速且つ正確に再検出することができる配列に対する要
望が存在している。また、ＳＥＭによって検出すること
ができない欠陥を分類することができる配列に対する要
望も存在している。
迅速且つ正確に再検出することができる配列に対する要
望が存在している。また、ＳＥＭによって検出すること
ができない欠陥を分類することができる配列に対する要
望も存在している。
【００１１】これらの、及び他の要望は本発明によって
満足される。本発明による欠陥再検査システムは光学顕
微鏡及びＳＥＭの両者を含み、それによって欠陥のよう
な異常を迅速且つ正確に再検出することができる。詳述
すれば、光学システムは、欠陥地図内に報告されている
欠陥を再検出するために使用することができる。光学シ
ステムは、ＳＥＭがイメージを得ることができない場合
に（例えば、透明誘電体層内に埋没している欠陥）、欠
陥の高度に拡大されたイメージを得るためにも使用する
ことができる。
満足される。本発明による欠陥再検査システムは光学顕
微鏡及びＳＥＭの両者を含み、それによって欠陥のよう
な異常を迅速且つ正確に再検出することができる。詳述
すれば、光学システムは、欠陥地図内に報告されている
欠陥を再検出するために使用することができる。光学シ
ステムは、ＳＥＭがイメージを得ることができない場合
に（例えば、透明誘電体層内に埋没している欠陥）、欠
陥の高度に拡大されたイメージを得るためにも使用する
ことができる。
【００１２】本発明の１面によれば、予め生成されてい
る欠陥地図に基づいて、物体の表面上の欠陥を再検査す
るための装置が提供される。本装置は、ステージ、光学
顕微鏡、イメージングユニット、粒子ビームイメージン
グシステム、及び並進システムを備えている。ステージ
は、物体を載せることができるプラットフォームとして
機能する。光学顕微鏡は、照明通路に沿って光ビームを
物体表面の選択された部分へ導く照明源を含んでいる。
光学顕微鏡は、欠陥地図内に含まれている情報に基づい
て物体表面上の欠陥を再検出するために使用される。光
学顕微鏡に結合されているイメージングユニットは、物
体表面の選択された部分のイメージを生成する。粒子ビ
ームイメージングシステムは、粒子のビームを規定され
た軸に沿って焦点に収斂させる。並進システムは、再検
出された欠陥が焦点の直近に位置決めされるように、ス
テージを所定の変位だけ運動させる。これにより、粒子
ビームイメージングシステムによって欠陥を再検査する
ことが可能になる。
る欠陥地図に基づいて、物体の表面上の欠陥を再検査す
るための装置が提供される。本装置は、ステージ、光学
顕微鏡、イメージングユニット、粒子ビームイメージン
グシステム、及び並進システムを備えている。ステージ
は、物体を載せることができるプラットフォームとして
機能する。光学顕微鏡は、照明通路に沿って光ビームを
物体表面の選択された部分へ導く照明源を含んでいる。
光学顕微鏡は、欠陥地図内に含まれている情報に基づい
て物体表面上の欠陥を再検出するために使用される。光
学顕微鏡に結合されているイメージングユニットは、物
体表面の選択された部分のイメージを生成する。粒子ビ
ームイメージングシステムは、粒子のビームを規定され
た軸に沿って焦点に収斂させる。並進システムは、再検
出された欠陥が焦点の直近に位置決めされるように、ス
テージを所定の変位だけ運動させる。これにより、粒子
ビームイメージングシステムによって欠陥を再検査する
ことが可能になる。
【００１３】本発明の１つの特定の実施の形態によれ
ば、光学顕微鏡は異なる型の照明を選択的に行うように
構成されている。例えば、ウェーハの選択された部分
を、明るいフィールド照明、暗いフィールド照明、また
は両方で調べることができる。従って、欠陥地図を作成
した検査顕微鏡が使用したものと最も類似する照明の型
である照明の型を使用することによって、欠陥再検出を
改善することができる。
ば、光学顕微鏡は異なる型の照明を選択的に行うように
構成されている。例えば、ウェーハの選択された部分
を、明るいフィールド照明、暗いフィールド照明、また
は両方で調べることができる。従って、欠陥地図を作成
した検査顕微鏡が使用したものと最も類似する照明の型
である照明の型を使用することによって、欠陥再検出を
改善することができる。
【００１４】本発明の別の特定の実施の形態によれば、
光学再検出及び検査システムは、光学合焦システムと共
に構成されている。特定の光学系が設けられ、自動合
焦、光学再検出、及び光学再検査を可能にしている。
光学再検出及び検査システムは、光学合焦システムと共
に構成されている。特定の光学系が設けられ、自動合
焦、光学再検出、及び光学再検査を可能にしている。
【００１５】本発明の別の面によれば、予め生成されて
いる欠陥地図に基づいて、物体表面上の欠陥を再検査す
る方法が提供され、本方法は、物体表面の選択された部
分を視て欠陥を再検出するステップと、再検出された欠
陥の位置に対応するステージ座標を決定するステップ
と、物体表面を粒子ビームイメージングシステムの焦点
の直近に位置決めするように運動させるステップと、粒
子ビームイメージングシステムを使用して再検出された
欠陥を再検査するステップとを含んでいる。
いる欠陥地図に基づいて、物体表面上の欠陥を再検査す
る方法が提供され、本方法は、物体表面の選択された部
分を視て欠陥を再検出するステップと、再検出された欠
陥の位置に対応するステージ座標を決定するステップ
と、物体表面を粒子ビームイメージングシステムの焦点
の直近に位置決めするように運動させるステップと、粒
子ビームイメージングシステムを使用して再検出された
欠陥を再検査するステップとを含んでいる。
【００１６】本発明の付加的な長所及び新規な特色は、
以下の添付図面に基づく説明から明白になるであろう。
特に、本発明の長所は特許請求の範囲に記載した手段及
び組合せによって実現することが可能である。
以下の添付図面に基づく説明から明白になるであろう。
特に、本発明の長所は特許請求の範囲に記載した手段及
び組合せによって実現することが可能である。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に、本発明を半導体ウェーハ
再検査システム、特に欠陥を再検出して調べるために使
用される再検査システムの例に関して説明する。しかし
ながら、本発明は、フォトマスク、磁気ディスク、光デ
ィスク、鏡等のような材料を検査するために使用される
他のシステムにも適用可能であることは明白である。
再検査システム、特に欠陥を再検出して調べるために使
用される再検査システムの例に関して説明する。しかし
ながら、本発明は、フォトマスク、磁気ディスク、光デ
ィスク、鏡等のような材料を検査するために使用される
他のシステムにも適用可能であることは明白である。
【００１８】図１は、本発明の実施の形態に従って製造
されたウェーハ再検査システム１００の側面図である。
図１のウェーハ再検査システム１００は、並進システム
１２２に結合されたステージ１１４を収容している真空
チャンバ１１２を含んでいる。光学顕微鏡１１６は真空
チャンバ１１２内の窓１４８を介しての光イメージを発
生し、粒子ビームイメージングシステム１２０は真空チ
ャンバ１１２内に配置されている物体の粒子ビームをベ
ースとするイメージを発生する。
されたウェーハ再検査システム１００の側面図である。
図１のウェーハ再検査システム１００は、並進システム
１２２に結合されたステージ１１４を収容している真空
チャンバ１１２を含んでいる。光学顕微鏡１１６は真空
チャンバ１１２内の窓１４８を介しての光イメージを発
生し、粒子ビームイメージングシステム１２０は真空チ
ャンバ１１２内に配置されている物体の粒子ビームをベ
ースとするイメージを発生する。
【００１９】ステージ１１４は、例えば半導体ウェーハ
１２４のような物体を載せることができるプラットフォ
ームとして構成されている。並進システム１２２は、半
導体ウェーハ１２４の位置を第１の軸、例えばＸ軸に沿
って調整するための第１の電動ベース１２６を含んでい
る。並進システム１２２は、半導体ウェーハ１２４の位
置を第２の軸、例えばＹ軸に沿って調整するための第２
の電動ベース１２８をも含んでいる。第１及び第２の電
動ベース１２６、１２８は、例えば電動機（図示してな
い）のようないろいろな型の駆動システムを使用して、
所定の通路に沿って動作させるように制御することがで
きる。従って、ステージ１１４上に位置決めされている
半導体ウェーハ１２４は、Ｘ及びＹ軸によって限定され
る面に沿って運動可能である。当分野においては公知の
ように、ステージ１１４は半導体ウェーハ１２４をプリ
セットされた向きに確保するための適切なロッキングユ
ニット（図示してない）を含むこともできる。
１２４のような物体を載せることができるプラットフォ
ームとして構成されている。並進システム１２２は、半
導体ウェーハ１２４の位置を第１の軸、例えばＸ軸に沿
って調整するための第１の電動ベース１２６を含んでい
る。並進システム１２２は、半導体ウェーハ１２４の位
置を第２の軸、例えばＹ軸に沿って調整するための第２
の電動ベース１２８をも含んでいる。第１及び第２の電
動ベース１２６、１２８は、例えば電動機（図示してな
い）のようないろいろな型の駆動システムを使用して、
所定の通路に沿って動作させるように制御することがで
きる。従って、ステージ１１４上に位置決めされている
半導体ウェーハ１２４は、Ｘ及びＹ軸によって限定され
る面に沿って運動可能である。当分野においては公知の
ように、ステージ１１４は半導体ウェーハ１２４をプリ
セットされた向きに確保するための適切なロッキングユ
ニット（図示してない）を含むこともできる。
【００２０】ウェーハ再検査システム１００は、ステー
ジ１１４の垂直位置を調整するための垂直変位ユニット
１３０を含むことができる。垂直変位ユニット１３０
は、例えば、電動機１３４によって作動されるリフト１
３２を含むことができる。更に、Ｚ軸に沿って調整中に
Ｘ−Ｙ面を実質的に平坦に維持するように、電動機１３
４の動作を同期させるための回路を設けることができ
る。垂直変位ユニット１３０は、半導体ウェーハ１２４
が光学顕微鏡１１６または粒子ビームイメージングシス
テム１２０の何れかによって視られている時に、半導体
ウェーハ１２４のイメージを合焦させるのを援助するよ
うに機能することもできる。勿論、例えば、電子カラム
の電圧変化、または対物及び／または他の光学素子の操
作のような合焦用のいろいろな他の方法を使用すること
ができる。
ジ１１４の垂直位置を調整するための垂直変位ユニット
１３０を含むことができる。垂直変位ユニット１３０
は、例えば、電動機１３４によって作動されるリフト１
３２を含むことができる。更に、Ｚ軸に沿って調整中に
Ｘ−Ｙ面を実質的に平坦に維持するように、電動機１３
４の動作を同期させるための回路を設けることができ
る。垂直変位ユニット１３０は、半導体ウェーハ１２４
が光学顕微鏡１１６または粒子ビームイメージングシス
テム１２０の何れかによって視られている時に、半導体
ウェーハ１２４のイメージを合焦させるのを援助するよ
うに機能することもできる。勿論、例えば、電子カラム
の電圧変化、または対物及び／または他の光学素子の操
作のような合焦用のいろいろな他の方法を使用すること
ができる。
【００２１】光学顕微鏡１１６は、照明源１３６、半反
射鏡１３８、レンズ１４０、及び偏向鏡１４２を含む。
照明源１３６は、1980年Pergamon Press刊 Max Born及
びEmil Wolf共著Principles of Opticsに記載されてい
るような、固定、または可変スポットサイズのビーム１
４４を発生可能な、例えばコーラー（Kohler）型照明ラ
ンプの形状であることができる。照明は、固定、または
可変スポットサイズのビーム１４４を発生可能なレーザ
の形状であることもできる。代替として、ビームエキス
パンダ（図示してない）を使用して、ビーム１４４のス
ポットサイズを拡大させることができる。半反射鏡１３
８は、照明源１３６によって出力されたビーム１４４が
半反射鏡１３８の表面に衝突し、Ｘ−Ｙ面に実質的に垂
直な照明通路１４６に沿って反射されるように位置決め
されている。図１に示すように、ウェーハ再検査システ
ム１００は、第１の光学窓１４８を含むことができ、
（例えば、もし光学顕微鏡１１６が真空チャンバ１１２
の外側に位置決めされていれば）光学顕微鏡１１６はこ
の窓１４８を通して半導体ウェーハ１２４を視ることが
できる。代替として、光学顕微鏡１１６を真空チャンバ
１１２内へ延長させることができる。
射鏡１３８、レンズ１４０、及び偏向鏡１４２を含む。
照明源１３６は、1980年Pergamon Press刊 Max Born及
びEmil Wolf共著Principles of Opticsに記載されてい
るような、固定、または可変スポットサイズのビーム１
４４を発生可能な、例えばコーラー（Kohler）型照明ラ
ンプの形状であることができる。照明は、固定、または
可変スポットサイズのビーム１４４を発生可能なレーザ
の形状であることもできる。代替として、ビームエキス
パンダ（図示してない）を使用して、ビーム１４４のス
ポットサイズを拡大させることができる。半反射鏡１３
８は、照明源１３６によって出力されたビーム１４４が
半反射鏡１３８の表面に衝突し、Ｘ−Ｙ面に実質的に垂
直な照明通路１４６に沿って反射されるように位置決め
されている。図１に示すように、ウェーハ再検査システ
ム１００は、第１の光学窓１４８を含むことができ、
（例えば、もし光学顕微鏡１１６が真空チャンバ１１２
の外側に位置決めされていれば）光学顕微鏡１１６はこ
の窓１４８を通して半導体ウェーハ１２４を視ることが
できる。代替として、光学顕微鏡１１６を真空チャンバ
１１２内へ延長させることができる。
【００２２】上述した本発明の実施の形態によれば、照
明源１３６には、例えば、明るいフィールド照明、暗い
フィールド照明、または両方のような、いろいろな型の
光フィールドを選択可能にする光フィールドセレクタが
設けられている。図２に、光フィールドセレクタ１５０
のいろいろな動作形態が示されている。光フィールドセ
レクタ１５０は、透明領域１５２、不透明領域１５４の
さまざまな幾何学的領域の動作形態を含むことができ
る。光フィールドセレクタ１５０の各形態は、特定の型
の光フィールドを生じさせる。例えば、もし光フィール
ドセレクタ１５０の外側部分が不透明であれば、第１の
ビーム１４４Ａは光フィールドセレクタ１５０の中心を
通過し、明るいフィールド照明を生じさせる。もし光フ
ィールドセレクタ１５０の中心部分が不透明であれば、
第２のビーム１４４Ｂが光フィールドセレクタ１５０の
周辺を通過し、暗いフィールド照明を生じさせる。代替
として、光フィールドセレクタ１５０は、透明領域の間
に配置されている環状不透明部分を含み、明るいフィー
ルド照明と暗いフィールド照明との組合せを形成するこ
とができる。
明源１３６には、例えば、明るいフィールド照明、暗い
フィールド照明、または両方のような、いろいろな型の
光フィールドを選択可能にする光フィールドセレクタが
設けられている。図２に、光フィールドセレクタ１５０
のいろいろな動作形態が示されている。光フィールドセ
レクタ１５０は、透明領域１５２、不透明領域１５４の
さまざまな幾何学的領域の動作形態を含むことができ
る。光フィールドセレクタ１５０の各形態は、特定の型
の光フィールドを生じさせる。例えば、もし光フィール
ドセレクタ１５０の外側部分が不透明であれば、第１の
ビーム１４４Ａは光フィールドセレクタ１５０の中心を
通過し、明るいフィールド照明を生じさせる。もし光フ
ィールドセレクタ１５０の中心部分が不透明であれば、
第２のビーム１４４Ｂが光フィールドセレクタ１５０の
周辺を通過し、暗いフィールド照明を生じさせる。代替
として、光フィールドセレクタ１５０は、透明領域の間
に配置されている環状不透明部分を含み、明るいフィー
ルド照明と暗いフィールド照明との組合せを形成するこ
とができる。
【００２３】代替として、光フィールドセレクタ１５０
は、他のさまざまな態様で実現することができる。例え
ば、多くのディスクをビーム１４４の前に物理的に配置
し、規定された光パターンを通過させるようにすること
ができる。更に、光フィールドセレクタ１５０は、透明
領域１５２及び不透明領域１５４の代わりに、異なるカ
ラーフィルタの領域を含むことができる。例えば、領域
１５２は、例えば青及び緑フィルタのような第１のカラ
ーフィルタとして構成することができる。また領域１５
４は、例えば赤フィルタのような第２のカラーフィルタ
として構成することができる。また、異なるカラーの領
域を組入れるのではなく、光フィールドセレクタ１５０
は、領域１５２及び１５４が照明源１３６によって出力
されるビームを偏光させるように構成されている偏光フ
ィルタの形状であることもできる。フィルタは、明るい
フィールド照明及び暗いフィールド照明が同時に使用さ
れる場合に、イメージを分解するのに便宜であることが
多い。
は、他のさまざまな態様で実現することができる。例え
ば、多くのディスクをビーム１４４の前に物理的に配置
し、規定された光パターンを通過させるようにすること
ができる。更に、光フィールドセレクタ１５０は、透明
領域１５２及び不透明領域１５４の代わりに、異なるカ
ラーフィルタの領域を含むことができる。例えば、領域
１５２は、例えば青及び緑フィルタのような第１のカラ
ーフィルタとして構成することができる。また領域１５
４は、例えば赤フィルタのような第２のカラーフィルタ
として構成することができる。また、異なるカラーの領
域を組入れるのではなく、光フィールドセレクタ１５０
は、領域１５２及び１５４が照明源１３６によって出力
されるビームを偏光させるように構成されている偏光フ
ィルタの形状であることもできる。フィルタは、明るい
フィールド照明及び暗いフィールド照明が同時に使用さ
れる場合に、イメージを分解するのに便宜であることが
多い。
【００２４】明るいフィールド照明を使用する場合に
は、図１に示すように、第１のビーム１４４Ａは半反射
鏡１３８から反射してレンズ１４０を通過し、それによ
って半導体ウェーハ１２４の表面上に合焦される。暗い
フィールド照明を使用する場合には、第２のビーム１４
４Ｂは半反射鏡１３８で反射し、レンズ１４０の周りを
通過する。偏向鏡１４２は、光学顕微鏡１１６の円錐部
分内に位置決めされていて、第２のビーム１４４Ｂをあ
る斜角で半導体ウェーハ１２４の表面に向かって反射さ
せるようになっている。代替として、ビームを半導体ウ
ェーハの選択された領域上のある焦点上に合焦させるた
めに、鏡１４２は合焦用に放物線形状にすることができ
る。斜角は、典型的には、鏡面反射した光がレンズ１４
０に進入しないように選択される。図１は、本発明の動
作を説明することを意図した図であり、従ってこの斜角
の幾何学的な向きを正確に再現してはいない。
は、図１に示すように、第１のビーム１４４Ａは半反射
鏡１３８から反射してレンズ１４０を通過し、それによ
って半導体ウェーハ１２４の表面上に合焦される。暗い
フィールド照明を使用する場合には、第２のビーム１４
４Ｂは半反射鏡１３８で反射し、レンズ１４０の周りを
通過する。偏向鏡１４２は、光学顕微鏡１１６の円錐部
分内に位置決めされていて、第２のビーム１４４Ｂをあ
る斜角で半導体ウェーハ１２４の表面に向かって反射さ
せるようになっている。代替として、ビームを半導体ウ
ェーハの選択された領域上のある焦点上に合焦させるた
めに、鏡１４２は合焦用に放物線形状にすることができ
る。斜角は、典型的には、鏡面反射した光がレンズ１４
０に進入しないように選択される。図１は、本発明の動
作を説明することを意図した図であり、従ってこの斜角
の幾何学的な向きを正確に再現してはいない。
【００２５】明るいフィールド照明中には、第１のビー
ム１４４Ａは半導体ウェーハ１２４の表面に衝突し、照
明通路１４６に沿ってレンズ１４０に向かって反射され
る。反射した第１のビーム１４４Ａは半反射鏡１３８を
通過し、例えば電荷結合デバイス（ＣＣＤ）のようなイ
メージングユニット１１８によって受けられる。イメー
ジングユニット１１８は第１のビーム１４４Ａを収集
し、半導体ウェーハ１２４の選択された部分を表す明る
いフィールドイメージを生成する。
ム１４４Ａは半導体ウェーハ１２４の表面に衝突し、照
明通路１４６に沿ってレンズ１４０に向かって反射され
る。反射した第１のビーム１４４Ａは半反射鏡１３８を
通過し、例えば電荷結合デバイス（ＣＣＤ）のようなイ
メージングユニット１１８によって受けられる。イメー
ジングユニット１１８は第１のビーム１４４Ａを収集
し、半導体ウェーハ１２４の選択された部分を表す明る
いフィールドイメージを生成する。
【００２６】しかしながら、暗いフィールド照明中に
は、第２のビーム１４４Ｂの斜角が、通常は反射した第
２のビーム１４４Ｂをウェーハ再検査システム１００の
レンズ１４０を通過させなくする。しかしながら、半導
体ウェーハ１２４の表面上に存在する、または透明な堆
積された層の下に埋没している何等かの粒子が第２のビ
ーム１４４Ｂを散乱させ、レンズ１４０に向かって反射
させる。反射した第２のビーム１４４Ｂはレンズ１４０
によって平行化され、半反射鏡１３８を通過する。この
場合も、イメージングユニット１１８が第２のビーム１
４４Ｂを収集し、半導体ウェーハ１２４の選択された部
分を表す暗いフィールドを生成する。
は、第２のビーム１４４Ｂの斜角が、通常は反射した第
２のビーム１４４Ｂをウェーハ再検査システム１００の
レンズ１４０を通過させなくする。しかしながら、半導
体ウェーハ１２４の表面上に存在する、または透明な堆
積された層の下に埋没している何等かの粒子が第２のビ
ーム１４４Ｂを散乱させ、レンズ１４０に向かって反射
させる。反射した第２のビーム１４４Ｂはレンズ１４０
によって平行化され、半反射鏡１３８を通過する。この
場合も、イメージングユニット１１８が第２のビーム１
４４Ｂを収集し、半導体ウェーハ１２４の選択された部
分を表す暗いフィールドを生成する。
【００２７】イメージングユニット１１８は、イメージ
を濾波するためのフィルタ１５６（図示してない）を含
むことができる。詳述すれば、イメージングユニット１
１８内に含まれているフィルタは、例えば、光フィール
ドセレクタ１５０内に使用されている偏光フィルタ（こ
れらのフィルタが使用されていれば、及び使用されてい
る場合）に応答する。例えば、第１のビーム１４４Ａを
生成するために特定の偏光用フィルタ型が使用されてい
る場合には、明るいフィールドイメージを発生するため
に類似の偏光用フィルタがイメージングユニット１１８
によって使用される。同様に、第２のビーム１４４Ｂを
生成するために特定の偏光用フィルタ型が使用されてい
る場合には、暗いフィールドイメージを発生するために
対応する偏光用フィルタ型が使用される。もし光フィー
ルドセレクタ１５０がカラーフィルタの形状であれば、
イメージングユニット１１８はカラーＣＣＤを選択する
ことが好ましい。普通のカラーＣＣＤは、青、緑、及び
赤のための分離した出力を発生するから、それは本質的
に濾波動作を遂行することができる。例えば、もし光フ
ィールドセレクタ１５０の明るいフィールドフィルタが
緑／青であり、暗いフィールドフィルタが赤であれば、
ＣＣＤの緑／青出力は明るいフィールドイメージを発生
し、ＣＣＤの赤出力は暗いフィールドイメージを発生す
ることになる。前述したように、フィルタを使用する
と、明るいフィールド照明及び暗いフィールド照明の両
方を使用するイメージの分解が容易になる。
を濾波するためのフィルタ１５６（図示してない）を含
むことができる。詳述すれば、イメージングユニット１
１８内に含まれているフィルタは、例えば、光フィール
ドセレクタ１５０内に使用されている偏光フィルタ（こ
れらのフィルタが使用されていれば、及び使用されてい
る場合）に応答する。例えば、第１のビーム１４４Ａを
生成するために特定の偏光用フィルタ型が使用されてい
る場合には、明るいフィールドイメージを発生するため
に類似の偏光用フィルタがイメージングユニット１１８
によって使用される。同様に、第２のビーム１４４Ｂを
生成するために特定の偏光用フィルタ型が使用されてい
る場合には、暗いフィールドイメージを発生するために
対応する偏光用フィルタ型が使用される。もし光フィー
ルドセレクタ１５０がカラーフィルタの形状であれば、
イメージングユニット１１８はカラーＣＣＤを選択する
ことが好ましい。普通のカラーＣＣＤは、青、緑、及び
赤のための分離した出力を発生するから、それは本質的
に濾波動作を遂行することができる。例えば、もし光フ
ィールドセレクタ１５０の明るいフィールドフィルタが
緑／青であり、暗いフィールドフィルタが赤であれば、
ＣＣＤの緑／青出力は明るいフィールドイメージを発生
し、ＣＣＤの赤出力は暗いフィールドイメージを発生す
ることになる。前述したように、フィルタを使用する
と、明るいフィールド照明及び暗いフィールド照明の両
方を使用するイメージの分解が容易になる。
【００２８】図１に示すように、ウェーハ再検査システ
ム１００は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）１２０のような
粒子ビームイメージングシステムをも含んでいる。ＳＥ
Ｍ及び高分解能イメージングにおけるそれらの使用は公
知であり、従って詳細な説明は省略する。ＳＥＭ１２０
は、電子銃１６０、及び例えば約60°の低クロマチック
円錐対物レンズ（図示してない）を有する電子光学カラ
ム１６２を含んでいる。電子銃１６０及び電子光学カラ
ム１６２は、粒子（即ち、電子）のビームを形成する。
電子のビームは、電子ビーム軸１６４に沿って導かれ、
焦点１６６に合焦する。一般的には、電子はサンプルに
導かれ、サンプルに突入して二次後方散乱電子を生成す
る。検出器（図示してない）は、二次後方散乱電子を収
集してサンプルのイメージを生成するために使用する。
ム１００は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）１２０のような
粒子ビームイメージングシステムをも含んでいる。ＳＥ
Ｍ及び高分解能イメージングにおけるそれらの使用は公
知であり、従って詳細な説明は省略する。ＳＥＭ１２０
は、電子銃１６０、及び例えば約60°の低クロマチック
円錐対物レンズ（図示してない）を有する電子光学カラ
ム１６２を含んでいる。電子銃１６０及び電子光学カラ
ム１６２は、粒子（即ち、電子）のビームを形成する。
電子のビームは、電子ビーム軸１６４に沿って導かれ、
焦点１６６に合焦する。一般的には、電子はサンプルに
導かれ、サンプルに突入して二次後方散乱電子を生成す
る。検出器（図示してない）は、二次後方散乱電子を収
集してサンプルのイメージを生成するために使用する。
【００２９】図１に示すウェーハ再検査システム１００
は、半導体ウェーハ１２４のために予め地図にされた欠
陥を識別し、分類するために使用される再検査プロセス
を大幅に簡易化する。例えば、検査プロセス中、半導体
ウェーハ１２４上の潜在的な欠陥を迅速に識別し、ウェ
ーハ欠陥地図を生成するために、検査顕微鏡が使用され
る。検査顕微鏡は、速度及び検出感度の両者について最
適化されていなければならない。従って、比較的低分解
能（即ち、大きい画素サイズ、またはビーム幅）を使用
しなければならない。得られた欠陥地図は、潜在的欠陥
の位置を識別するための座標のリストを含んでいる。し
かしながら、半導体ウェーハ１２４を迅速に走査するの
に使用される視野が大きいので、潜在的欠陥の座標の精
度は極めて正確さに欠ける。例えば、欠陥を探知するの
に大きいスポットサイズを使用した場合、欠陥が実際に
探知されたのがスポットサイズの何処であるかは知られ
ていないので、欠陥を容易に再検出することはできな
い。本質的に、普通のウェーハ検査システムによって生
成された欠陥地図は、半導体ウェーハ１２４を走査する
のに使用されるスポットの座標をマップしているのであ
る。従って、ＳＥＭだけを使用する再検査ツールを使用
して、欠陥を迅速に再検出することは困難である。しか
しながら、ＳＥＭイメージングシステムは、欠点として
極めて低いコントラスト対雑音比を有している。従っ
て、欠陥探知に不正確さが存在することを反映している
大きい視野を使用する場合には、小さい欠陥は殆ど検出
されない。
は、半導体ウェーハ１２４のために予め地図にされた欠
陥を識別し、分類するために使用される再検査プロセス
を大幅に簡易化する。例えば、検査プロセス中、半導体
ウェーハ１２４上の潜在的な欠陥を迅速に識別し、ウェ
ーハ欠陥地図を生成するために、検査顕微鏡が使用され
る。検査顕微鏡は、速度及び検出感度の両者について最
適化されていなければならない。従って、比較的低分解
能（即ち、大きい画素サイズ、またはビーム幅）を使用
しなければならない。得られた欠陥地図は、潜在的欠陥
の位置を識別するための座標のリストを含んでいる。し
かしながら、半導体ウェーハ１２４を迅速に走査するの
に使用される視野が大きいので、潜在的欠陥の座標の精
度は極めて正確さに欠ける。例えば、欠陥を探知するの
に大きいスポットサイズを使用した場合、欠陥が実際に
探知されたのがスポットサイズの何処であるかは知られ
ていないので、欠陥を容易に再検出することはできな
い。本質的に、普通のウェーハ検査システムによって生
成された欠陥地図は、半導体ウェーハ１２４を走査する
のに使用されるスポットの座標をマップしているのであ
る。従って、ＳＥＭだけを使用する再検査ツールを使用
して、欠陥を迅速に再検出することは困難である。しか
しながら、ＳＥＭイメージングシステムは、欠点として
極めて低いコントラスト対雑音比を有している。従っ
て、欠陥探知に不正確さが存在することを反映している
大きい視野を使用する場合には、小さい欠陥は殆ど検出
されない。
【００３０】図１に示す本発明の実施の形態によれば、
欠陥地図を生成するために先に検査済みの半導体ウェー
ハ１２４はステージ１１４上に配置され、先ず光学顕微
鏡１１６を使用して調べられる。光学顕微鏡１１６は、
潜在的欠陥の位置に対応する座標を受け、欠陥の存在を
検証するためにこれらの位置を調べる。このような手順
によれば、潜在的欠陥を含む領域だけが調べられる。好
ましくは、光学顕微鏡１１６は、欠陥地図を生成する検
査プロセス中に使用された照明型と類似の照明型を使用
する。例えば、殆どの欠陥地図は、暗いフィールド照明
を使用する検査顕微鏡を使用して生成される。従って、
本発明のウェーハ再検査システム１００の光学顕微鏡に
暗いフィールド照明を使用すると、欠陥地図からの潜在
的欠陥が再検出される可能性が増加する。本発明の光学
顕微鏡１１６は、欠陥地図を生成するのに使用された検
査顕微鏡よりもかなり高い分解能を含むことが好まし
い。従って、一旦欠陥が識別されてしまえば、ウェーハ
再検査システム１００のために正確な座標を決定するこ
とができる。
欠陥地図を生成するために先に検査済みの半導体ウェー
ハ１２４はステージ１１４上に配置され、先ず光学顕微
鏡１１６を使用して調べられる。光学顕微鏡１１６は、
潜在的欠陥の位置に対応する座標を受け、欠陥の存在を
検証するためにこれらの位置を調べる。このような手順
によれば、潜在的欠陥を含む領域だけが調べられる。好
ましくは、光学顕微鏡１１６は、欠陥地図を生成する検
査プロセス中に使用された照明型と類似の照明型を使用
する。例えば、殆どの欠陥地図は、暗いフィールド照明
を使用する検査顕微鏡を使用して生成される。従って、
本発明のウェーハ再検査システム１００の光学顕微鏡に
暗いフィールド照明を使用すると、欠陥地図からの潜在
的欠陥が再検出される可能性が増加する。本発明の光学
顕微鏡１１６は、欠陥地図を生成するのに使用された検
査顕微鏡よりもかなり高い分解能を含むことが好まし
い。従って、一旦欠陥が識別されてしまえば、ウェーハ
再検査システム１００のために正確な座標を決定するこ
とができる。
【００３１】前述したように、本ウェーハ再検査システ
ム１００のステージは、Ｘ及びＹ軸に沿ってステージを
運動させるように機能する第１の電動ベース１２６及び
第２の電動ベース１２８をそれぞれ含んでいる。従っ
て、光学顕微鏡１１６を使用して欠陥が探知され、その
位置の正確な座標が決定されると、半導体ウェーハ１２
４をＳＥＭ１２０の光軸１６４に整列させるように、第
１及び第２の電動ベース１２６、１２８の運動を制御す
るためにこれらの座標を使用する。光学顕微鏡１１６は
検査顕微鏡より高い分解能を有しているから、欠陥をＳ
ＥＭの光軸１６４に対して位置決めする精度は大幅に改
善される。このような改善により、通常は、欠陥はＳＥ
Ｍ１２０の視野内に位置決めされ、従って欠陥を探知す
るために半導体ウェーハ１２４の広域探索の必要性が排
除される。
ム１００のステージは、Ｘ及びＹ軸に沿ってステージを
運動させるように機能する第１の電動ベース１２６及び
第２の電動ベース１２８をそれぞれ含んでいる。従っ
て、光学顕微鏡１１６を使用して欠陥が探知され、その
位置の正確な座標が決定されると、半導体ウェーハ１２
４をＳＥＭ１２０の光軸１６４に整列させるように、第
１及び第２の電動ベース１２６、１２８の運動を制御す
るためにこれらの座標を使用する。光学顕微鏡１１６は
検査顕微鏡より高い分解能を有しているから、欠陥をＳ
ＥＭの光軸１６４に対して位置決めする精度は大幅に改
善される。このような改善により、通常は、欠陥はＳＥ
Ｍ１２０の視野内に位置決めされ、従って欠陥を探知す
るために半導体ウェーハ１２４の広域探索の必要性が排
除される。
【００３２】本発明の実施の形態によれば、光学顕微鏡
１１６に使用される照明源１３６は、明るいフィールド
照明を生成するためのビーム１４４だけを発生するよう
に構成されている。このような実施の形態によれば、通
常は、光フィールドセレクタ１５０は、偏光子またはカ
ラーフィルタの形状である。代替として、明るいフィー
ルド照明を生成するための規定されたスポットサイズを
有するレーザを使用することができる。次に、レーザの
ような第２の照明源１６８を、ウェーハ再検査システム
１００の真空チャンバ１１２の外側に配置する。第２の
照明源１６８は、補助ビーム１７０を半導体ウェーハ１
２４の選択された部分に補助窓１７２を通して導くよう
に位置決めされる。更に、補助ビーム１７０は、前述し
たようにある斜角で導かれる。このような配列は、第２
のビーム１４４Ｂを第１の照明源１３６から半導体ウェ
ーハ１２４上の選択された部分上へ導くための偏向鏡１
４２の必要性をも排除する。第２の照明源１６８からの
補助ビーム１７０が半導体ウェーハ１２４の表面に衝突
すると、通常それは反射されて光学窓１４８を通過しな
い。
１１６に使用される照明源１３６は、明るいフィールド
照明を生成するためのビーム１４４だけを発生するよう
に構成されている。このような実施の形態によれば、通
常は、光フィールドセレクタ１５０は、偏光子またはカ
ラーフィルタの形状である。代替として、明るいフィー
ルド照明を生成するための規定されたスポットサイズを
有するレーザを使用することができる。次に、レーザの
ような第２の照明源１６８を、ウェーハ再検査システム
１００の真空チャンバ１１２の外側に配置する。第２の
照明源１６８は、補助ビーム１７０を半導体ウェーハ１
２４の選択された部分に補助窓１７２を通して導くよう
に位置決めされる。更に、補助ビーム１７０は、前述し
たようにある斜角で導かれる。このような配列は、第２
のビーム１４４Ｂを第１の照明源１３６から半導体ウェ
ーハ１２４上の選択された部分上へ導くための偏向鏡１
４２の必要性をも排除する。第２の照明源１６８からの
補助ビーム１７０が半導体ウェーハ１２４の表面に衝突
すると、通常それは反射されて光学窓１４８を通過しな
い。
【００３３】しかしながら、前述したように、半導体ウ
ェーハ１２４の表面上に、またはその付近に何等かの粒
子が存在すれば光が散乱し、それが反射してレンズ１４
０へ戻され、イメージングユニット１１８によってイメ
ージされる。第２の照明源１６８は、２つの目標を達成
するのを援助するために、複数の光源であることもでき
る。第１は、小さい粒子からの散乱光の量を増加させる
ことである。第２は、複数の光源は、主として１方向に
光を散乱させる堆積層上の大きい金属グレン（欠陥では
ない）からの指向性散乱を濾波して除くことができるこ
とである（小さい欠陥からの光散乱は、普通はより均一
に散乱する）。異なる照明方向から生成されたイメージ
を比較することによって、グレンは実質的に濾過され
る。これらの光源は、時間でスイッチされるものである
ことも、または異なるカラーであることもできる。前例
と同様に、第１及び第２の照明源１３６、１６８から供
給される光には、明るいフィールドイメージと暗いフィ
ールドイメージとを区別できるように、異なる特性を与
えることができる。例えば、もし第１の照明源１３６か
らの光が青／緑に濾波され、第２の照明源１６８からの
光が赤であれば、明るいフィールドイメージ及び暗いフ
ィールドイメージを同時に得るためにＣＣＤのいろいろ
なカラー出力を使用することができる。
ェーハ１２４の表面上に、またはその付近に何等かの粒
子が存在すれば光が散乱し、それが反射してレンズ１４
０へ戻され、イメージングユニット１１８によってイメ
ージされる。第２の照明源１６８は、２つの目標を達成
するのを援助するために、複数の光源であることもでき
る。第１は、小さい粒子からの散乱光の量を増加させる
ことである。第２は、複数の光源は、主として１方向に
光を散乱させる堆積層上の大きい金属グレン（欠陥では
ない）からの指向性散乱を濾波して除くことができるこ
とである（小さい欠陥からの光散乱は、普通はより均一
に散乱する）。異なる照明方向から生成されたイメージ
を比較することによって、グレンは実質的に濾過され
る。これらの光源は、時間でスイッチされるものである
ことも、または異なるカラーであることもできる。前例
と同様に、第１及び第２の照明源１３６、１６８から供
給される光には、明るいフィールドイメージと暗いフィ
ールドイメージとを区別できるように、異なる特性を与
えることができる。例えば、もし第１の照明源１３６か
らの光が青／緑に濾波され、第２の照明源１６８からの
光が赤であれば、明るいフィールドイメージ及び暗いフ
ィールドイメージを同時に得るためにＣＣＤのいろいろ
なカラー出力を使用することができる。
【００３４】本発明のウェーハ再検査システム１００
は、ＣＭＰ層のような半導体ウェーハ１２４の透明誘電
体層内に埋没された、または該層の下の粒子を検出する
能力をも増加させる。図３は、半導体ウェーハ１２４の
一部分と粒子１７４の例示位置とを示している。半導体
ウェーハ１２４は、堆積のような適切な技術を使用して
その上に形成された層１７６を含んでいる。図３に示す
ように、粒子１７４は、半導体ウェーハ１２４上のいろ
いろな位置に見出すことができる。詳述すれば、粒子１
７４Ａは層１７６の表面上に位置し、粒子１７４Ｂは層
１７６内に捕捉され、そして粒子１７４Ｃは層１７６の
ｓ下に捕捉されている。
は、ＣＭＰ層のような半導体ウェーハ１２４の透明誘電
体層内に埋没された、または該層の下の粒子を検出する
能力をも増加させる。図３は、半導体ウェーハ１２４の
一部分と粒子１７４の例示位置とを示している。半導体
ウェーハ１２４は、堆積のような適切な技術を使用して
その上に形成された層１７６を含んでいる。図３に示す
ように、粒子１７４は、半導体ウェーハ１２４上のいろ
いろな位置に見出すことができる。詳述すれば、粒子１
７４Ａは層１７６の表面上に位置し、粒子１７４Ｂは層
１７６内に捕捉され、そして粒子１７４Ｃは層１７６の
ｓ下に捕捉されている。
【００３５】ＳＥＭ１２０は、光をベースとする光学系
に対して透明であることができる表面の下に深く埋没し
ている粒子１７４を検出できないことは公知である。更
に、ＳＥＭ１２０を使用して分類することが困難な他の
いろいろな型の欠陥が存在する。例えば、層厚の変化が
欠陥として報告され得ることが多い。また、ＳＥＭ１２
０が使用している電子ビームのスポットサイズを超える
大きい欠陥は、検出することができない。しかしなが
ら、上述した欠陥型は、光学式再検査システムを使用し
て検出することができる。
に対して透明であることができる表面の下に深く埋没し
ている粒子１７４を検出できないことは公知である。更
に、ＳＥＭ１２０を使用して分類することが困難な他の
いろいろな型の欠陥が存在する。例えば、層厚の変化が
欠陥として報告され得ることが多い。また、ＳＥＭ１２
０が使用している電子ビームのスポットサイズを超える
大きい欠陥は、検出することができない。しかしなが
ら、上述した欠陥型は、光学式再検査システムを使用し
て検出することができる。
【００３６】本発明の実施の形態によれば、光学顕微鏡
１１６が半導体ウェーハ１２４の表面上の欠陥を探知す
ると、その同じ欠陥が引続きＳＥＭ１２０によって調べ
られ、そして多分分類される。もしＳＥＭ１２０が、光
学顕微鏡１１６によって報告された座標の近傍に欠陥を
探知することができなければ、その欠陥は光学顕微鏡１
１６を使用して再度調べられる。例えば、もし暗いフィ
ールド照明を使用しての領域の調査で欠陥の存在を確認
すれば、欠陥を視るために明るいフィールド照明の下で
高倍率を使用して、その欠陥が半導体ウェーハ１２４の
表面下に埋没している粒子１７４の形状であることを確
認することができる。
１１６が半導体ウェーハ１２４の表面上の欠陥を探知す
ると、その同じ欠陥が引続きＳＥＭ１２０によって調べ
られ、そして多分分類される。もしＳＥＭ１２０が、光
学顕微鏡１１６によって報告された座標の近傍に欠陥を
探知することができなければ、その欠陥は光学顕微鏡１
１６を使用して再度調べられる。例えば、もし暗いフィ
ールド照明を使用しての領域の調査で欠陥の存在を確認
すれば、欠陥を視るために明るいフィールド照明の下で
高倍率を使用して、その欠陥が半導体ウェーハ１２４の
表面下に埋没している粒子１７４の形状であることを確
認することができる。
【００３７】以上に、欠陥の再検査に関して光学顕微鏡
と粒子ビームイメージングシステムとを組合せることの
利点を説明したが、多くの付加的な利点を得られること
も理解されよう。例えば、本発明の配列は欠陥分類にも
有利である。詳述すれば、カリフォルニア州サンタクラ
ラのApplied Materialsから入手可能なSEMVisionのよう
なＳＥＭ再検査システムは、探知された欠陥を再検査
し、それらを特定の欠陥クラスに分類する。SEMVision
においては、電子カラムによって得られたイメージはコ
ンピュータシステムにおいて解析され、規定の欠陥クラ
スが決定される。しかしながら、前述したように、欠陥
がＣＭＰ層のような層内に埋没している場合には、ＳＥ
Ｍをベースとするイメージを使用して欠陥を分類するこ
とは困難であり得る。同様に、ＳＥＭをベースとするイ
メージを使用して分類することが困難な厚みの小さい変
化は、光イメージのカラー変化として現れ得る。
と粒子ビームイメージングシステムとを組合せることの
利点を説明したが、多くの付加的な利点を得られること
も理解されよう。例えば、本発明の配列は欠陥分類にも
有利である。詳述すれば、カリフォルニア州サンタクラ
ラのApplied Materialsから入手可能なSEMVisionのよう
なＳＥＭ再検査システムは、探知された欠陥を再検査
し、それらを特定の欠陥クラスに分類する。SEMVision
においては、電子カラムによって得られたイメージはコ
ンピュータシステムにおいて解析され、規定の欠陥クラ
スが決定される。しかしながら、前述したように、欠陥
がＣＭＰ層のような層内に埋没している場合には、ＳＥ
Ｍをベースとするイメージを使用して欠陥を分類するこ
とは困難であり得る。同様に、ＳＥＭをベースとするイ
メージを使用して分類することが困難な厚みの小さい変
化は、光イメージのカラー変化として現れ得る。
【００３８】従って、本発明の実施の形態によれば、SE
MVisionにおいてなされているように、コンピュータシ
ステム１５８がＳＥＭ１２０に結合され、またイメージ
ングユニット１１８にも結合されている（図１参照）。
コンピュータシステム１５８は、電子をベースとするイ
メージングユニット１２０には見えない欠陥を自動的に
調べるために光イメージを使用する。このような実施の
形態によれば、イメージングユニット１１８は分解され
たイメージをディジタルデータ（即ち、ディジタルイメ
ージ）に変換し、コンピュータシステム１５８へ転送す
る。コンピュータシステム１５８はこのディジタルイメ
ージを調べ、その特性を解析して欠陥に特定の欠陥クラ
スを割当てる。
MVisionにおいてなされているように、コンピュータシ
ステム１５８がＳＥＭ１２０に結合され、またイメージ
ングユニット１１８にも結合されている（図１参照）。
コンピュータシステム１５８は、電子をベースとするイ
メージングユニット１２０には見えない欠陥を自動的に
調べるために光イメージを使用する。このような実施の
形態によれば、イメージングユニット１１８は分解され
たイメージをディジタルデータ（即ち、ディジタルイメ
ージ）に変換し、コンピュータシステム１５８へ転送す
る。コンピュータシステム１５８はこのディジタルイメ
ージを調べ、その特性を解析して欠陥に特定の欠陥クラ
スを割当てる。
【００３９】図４は、本発明の代替実施の形態により製
造されたウェーハ再検査システム４００を示している。
図４のウェーハ再検査システム４００は、図１に示した
システムの殆どの構成要素を含んでおり、従って、これ
らの構成要素に関しての詳細な説明は省略する。図４の
ウェーハ再検査システム４００は、半導体ウェーハ１２
４の表面をＳＥＭ４２０の電子ビーム軸４６４と自動的
に整列させる能動光合焦システムを含んでいる点が、図
１のシステムとは異なっている。更に、ウェーハ再検査
システム４００は、回転軸４８２を中心としてステージ
４１４を回転させるピボッティングメカニズム４８０を
含んでいる。従って、本発明のウェーハ再検査システム
４００は、いろいろな傾斜角で半導体ウェーハ１２４を
視ることができる。代替として、米国特許第5,329,125
号に開示されているように、ＳＥＭ（電子カラム）４２
０を傾けることができる。
造されたウェーハ再検査システム４００を示している。
図４のウェーハ再検査システム４００は、図１に示した
システムの殆どの構成要素を含んでおり、従って、これ
らの構成要素に関しての詳細な説明は省略する。図４の
ウェーハ再検査システム４００は、半導体ウェーハ１２
４の表面をＳＥＭ４２０の電子ビーム軸４６４と自動的
に整列させる能動光合焦システムを含んでいる点が、図
１のシステムとは異なっている。更に、ウェーハ再検査
システム４００は、回転軸４８２を中心としてステージ
４１４を回転させるピボッティングメカニズム４８０を
含んでいる。従って、本発明のウェーハ再検査システム
４００は、いろいろな傾斜角で半導体ウェーハ１２４を
視ることができる。代替として、米国特許第5,329,125
号に開示されているように、ＳＥＭ（電子カラム）４２
０を傾けることができる。
【００４０】図４に示すように、ウェーハ再検査システ
ム４００は、真空チャンバ４１２、ステージ４１４、光
学顕微鏡４１６、イメージングユニット４１８、粒子ビ
ームイメージングシステム４２０、及び並進システム４
２２を含んでいる。ステージ４１４は、半導体ウェーハ
１２４の位置を、例えばＸ、Y面に沿って調整するため
の第１の電動ベース４２６及び第２の電動ベース４２８
を含んでいる。ウェーハ再検査システム４００は、ステ
ージ４１４の垂直位置を変化させるための少なくとも１
つの垂直変位ユニット４３０を含む。各垂直変位ユニッ
ト４３０は、例えば、電動機または圧電装置４３４によ
って作動されるリフト４３２Ａを含む。図１に関連して
前述したように、垂直変位ユニット４３０は、光学顕微
鏡４１６またはＳＥＭ４２０が視る時の半導体ウェーハ
１２４のイメージを合焦させるのを援助するが、他の公
知合焦メカニズムによって置換することができる。
ム４００は、真空チャンバ４１２、ステージ４１４、光
学顕微鏡４１６、イメージングユニット４１８、粒子ビ
ームイメージングシステム４２０、及び並進システム４
２２を含んでいる。ステージ４１４は、半導体ウェーハ
１２４の位置を、例えばＸ、Y面に沿って調整するため
の第１の電動ベース４２６及び第２の電動ベース４２８
を含んでいる。ウェーハ再検査システム４００は、ステ
ージ４１４の垂直位置を変化させるための少なくとも１
つの垂直変位ユニット４３０を含む。各垂直変位ユニッ
ト４３０は、例えば、電動機または圧電装置４３４によ
って作動されるリフト４３２Ａを含む。図１に関連して
前述したように、垂直変位ユニット４３０は、光学顕微
鏡４１６またはＳＥＭ４２０が視る時の半導体ウェーハ
１２４のイメージを合焦させるのを援助するが、他の公
知合焦メカニズムによって置換することができる。
【００４１】光学顕微鏡４１６は、照明源４３６、半反
射鏡４３８、レンズ４４０、及び偏向鏡（図示してな
い）を含む。この実施の形態においても、照明源４３６
は固定、または可変のスポットサイズのビーム４４４を
発生することができる。図１の実施の形態と同様に、ビ
ームエキスパンダを使用してビームのスポットサイズを
拡大させることができる。半反射鏡４３８は、照明源４
３６によって出力されたビームが半反射鏡４３８の表面
に衝突し、Ｘ−Ｙ面に実質的に垂直な照明通路４４６に
沿って反射されるように位置決めされている。
射鏡４３８、レンズ４４０、及び偏向鏡（図示してな
い）を含む。この実施の形態においても、照明源４３６
は固定、または可変のスポットサイズのビーム４４４を
発生することができる。図１の実施の形態と同様に、ビ
ームエキスパンダを使用してビームのスポットサイズを
拡大させることができる。半反射鏡４３８は、照明源４
３６によって出力されたビームが半反射鏡４３８の表面
に衝突し、Ｘ−Ｙ面に実質的に垂直な照明通路４４６に
沿って反射されるように位置決めされている。
【００４２】照明源４３６には、例えば、明るいフィー
ルド照明、暗いフィールド照明、または両方のような、
いろいろな型の光フィールドを選択可能にする光フィー
ルドセレクタ４５０を設けることができる。例示の目的
から、１つのビーム４４４だけを示してある。前述した
ように、明るいフィールド照明を使用する場合には、ビ
ーム４４４は半反射鏡４３８で反射し、レンズ４４０を
通過して半導体ウェーハ１２４の表面上に合焦する。
ルド照明、暗いフィールド照明、または両方のような、
いろいろな型の光フィールドを選択可能にする光フィー
ルドセレクタ４５０を設けることができる。例示の目的
から、１つのビーム４４４だけを示してある。前述した
ように、明るいフィールド照明を使用する場合には、ビ
ーム４４４は半反射鏡４３８で反射し、レンズ４４０を
通過して半導体ウェーハ１２４の表面上に合焦する。
【００４３】明るいフィールド照明中は、ビーム４４４
は半導体ウェーハ１２４の表面に衝突して反射し、レン
ズに向かって照明通路４４６に沿って戻る。反射したビ
ームは半反射鏡４３８を通過し、例えばＣＣＤのような
イメージングシステム４１８によって受けられる。イメ
ージングユニット４１８はビーム４４４を収集し、半導
体ウェーハ１２４の選択された部分を表す明るいフィー
ルドイメージを生成する。暗いフィールド照明の場合に
は、図１に関して説明したように動作することが理解さ
れよう。
は半導体ウェーハ１２４の表面に衝突して反射し、レン
ズに向かって照明通路４４６に沿って戻る。反射したビ
ームは半反射鏡４３８を通過し、例えばＣＣＤのような
イメージングシステム４１８によって受けられる。イメ
ージングユニット４１８はビーム４４４を収集し、半導
体ウェーハ１２４の選択された部分を表す明るいフィー
ルドイメージを生成する。暗いフィールド照明の場合に
は、図１に関して説明したように動作することが理解さ
れよう。
【００４４】イメージングユニット４１８は、イメージ
を発生させるために、光フィールドセレクタ４５０にお
いて使用されたフィルタに対応するフィルタ（図示して
ない）を含むように構成することができる。更に、前述
したように、カラーＣＣＤを使用することができる。コ
ンピュータシステム４５８は、半導体ウェーハ１２４の
選択された部分において検出された欠陥を自動的に調
べ、その欠陥に特定の欠陥クラスを指定するために、イ
メージングユニット４１８にも結合できる。
を発生させるために、光フィールドセレクタ４５０にお
いて使用されたフィルタに対応するフィルタ（図示して
ない）を含むように構成することができる。更に、前述
したように、カラーＣＣＤを使用することができる。コ
ンピュータシステム４５８は、半導体ウェーハ１２４の
選択された部分において検出された欠陥を自動的に調
べ、その欠陥に特定の欠陥クラスを指定するために、イ
メージングユニット４１８にも結合できる。
【００４５】ウェーハ再検査システム４００は、粒子ビ
ームイメージングシステム４２０（即ち、ＳＥＭ）をも
含んでいる。ＳＥＭ４２０は、電子銃４６０、及び例え
ば約60°の低クロマチック円錐対物レンズ（図示してな
い）を有する電子光学カラム４６２を含んでいる。電子
銃４６０及び電子光学カラム４６２は、電子のビームを
形成する。電子のビームは、電子ビーム軸４６４に沿っ
て導かれ、焦点４６６に合焦する。
ームイメージングシステム４２０（即ち、ＳＥＭ）をも
含んでいる。ＳＥＭ４２０は、電子銃４６０、及び例え
ば約60°の低クロマチック円錐対物レンズ（図示してな
い）を有する電子光学カラム４６２を含んでいる。電子
銃４６０及び電子光学カラム４６２は、電子のビームを
形成する。電子のビームは、電子ビーム軸４６４に沿っ
て導かれ、焦点４６６に合焦する。
【００４６】合焦用システムは、合焦用鏡４８４、反射
鏡４８６、イメージ位置検出器４８８、及びＺ軸コント
ローラ４９０を含む。合焦用システムは、合焦用ビーム
４９２を合焦用鏡４８４に導くために、照明源４３６も
使用する。図４に示すように、合焦用鏡４８４は照明通
路４４６に沿って位置決めされており、合焦用ビーム４
９２をＳＥＭ４２０の焦点４６６に向かって導くように
配向されている。合焦用鏡４８４は、図４に示す位置か
ら運動可能なように構成することができる。詳述すれ
ば、光学顕微鏡を使用して半導体ウェーハ１２４を調べ
ている間、合焦用鏡４８４は、照明源４３６からのビー
ム４４４を半導体ウェーハ１２４の表面上に導くことが
できるように運動する。ＳＥＭ４２０によって調べるた
めに半導体ウェーハ１２４を移動させた場合には、合焦
用鏡４８４は図４に示すように自動的に位置決めされ
る。合焦用鏡４８４の使用を容易にするために、他のい
ろいろな構成も使用することができる。
鏡４８６、イメージ位置検出器４８８、及びＺ軸コント
ローラ４９０を含む。合焦用システムは、合焦用ビーム
４９２を合焦用鏡４８４に導くために、照明源４３６も
使用する。図４に示すように、合焦用鏡４８４は照明通
路４４６に沿って位置決めされており、合焦用ビーム４
９２をＳＥＭ４２０の焦点４６６に向かって導くように
配向されている。合焦用鏡４８４は、図４に示す位置か
ら運動可能なように構成することができる。詳述すれ
ば、光学顕微鏡を使用して半導体ウェーハ１２４を調べ
ている間、合焦用鏡４８４は、照明源４３６からのビー
ム４４４を半導体ウェーハ１２４の表面上に導くことが
できるように運動する。ＳＥＭ４２０によって調べるた
めに半導体ウェーハ１２４を移動させた場合には、合焦
用鏡４８４は図４に示すように自動的に位置決めされ
る。合焦用鏡４８４の使用を容易にするために、他のい
ろいろな構成も使用することができる。
【００４７】反射鏡４８６は、その曲率の中心がＳＥＭ
４２０の焦点４６６にあるように構成し、位置決めする
ことができる。合焦用ビーム４９２がＳＥＭ４２０の焦
点４６６を通過すると、それは第１の入射点において半
導体ウェーハ１２４の表面に衝突する。次いで、合焦用
ビーム４９２は反射鏡４８６へ導かれ、反射して半導体
ウェーハ１２４の表面へ戻る。反射した合焦用ビーム４
９２は第１の入射点の直近の第２の入射点において半導
体ウェーハ１２４の表面に衝突する。合焦用ビーム４９
２は合焦用鏡４８４によって反射されて半反射鏡４３８
を通るので、イメージはイメージングユニット４１８に
よって分解される。イメージングユニット４１８によっ
て分解されたイメージはイメージ位置検出器４８８へ出
力され、イメージ位置検出器４８８において参照フレー
ムと比較される。参照フレームは、例えば、物体がＳＥ
Ｍ４２０の焦点４６６に精密に位置決めされた時の合焦
用ビーム４９２の位置に対応することができる。イメー
ジングユニット４１８から受けたイメージは、それがＳ
ＥＭ４２０の焦点４６６に位置しているか否かを決定す
るために、参照フレームと比較される。
４２０の焦点４６６にあるように構成し、位置決めする
ことができる。合焦用ビーム４９２がＳＥＭ４２０の焦
点４６６を通過すると、それは第１の入射点において半
導体ウェーハ１２４の表面に衝突する。次いで、合焦用
ビーム４９２は反射鏡４８６へ導かれ、反射して半導体
ウェーハ１２４の表面へ戻る。反射した合焦用ビーム４
９２は第１の入射点の直近の第２の入射点において半導
体ウェーハ１２４の表面に衝突する。合焦用ビーム４９
２は合焦用鏡４８４によって反射されて半反射鏡４３８
を通るので、イメージはイメージングユニット４１８に
よって分解される。イメージングユニット４１８によっ
て分解されたイメージはイメージ位置検出器４８８へ出
力され、イメージ位置検出器４８８において参照フレー
ムと比較される。参照フレームは、例えば、物体がＳＥ
Ｍ４２０の焦点４６６に精密に位置決めされた時の合焦
用ビーム４９２の位置に対応することができる。イメー
ジングユニット４１８から受けたイメージは、それがＳ
ＥＭ４２０の焦点４６６に位置しているか否かを決定す
るために、参照フレームと比較される。
【００４８】図５は、本発明の実施の形態に従って、イ
メージ位置検出器４８８がウェーハ再検査システム４０
０を能動的に合焦させる手法を示している。イメージ位
置検出器４８８は、半導体ウェーハ１２４の一部分に対
応する合焦用イメージ５０２をイメージングユニット４
１８から受ける。合焦用イメージ５０２は、イメージ位
置検出器４８８の参照フレーム５０４上に重ね合わされ
る。次いでイメージ位置検出器４８８は、例えば、合焦
用イメージ５０２の縁と参照フレーム５０４の縁との間
に差が存在するか否かを決定する。この差は、半導体ウ
ェーハ１２４の表面とＳＥＭ４２０の焦点４６６との間
の距離に対応する。もし合焦用イメージ５０２が参照フ
レーム５０４と整列していれば、半導体ウェーハ１２４
はＳＥＭ４２０の焦点４６６に精密に位置決めされてい
るのである。
メージ位置検出器４８８がウェーハ再検査システム４０
０を能動的に合焦させる手法を示している。イメージ位
置検出器４８８は、半導体ウェーハ１２４の一部分に対
応する合焦用イメージ５０２をイメージングユニット４
１８から受ける。合焦用イメージ５０２は、イメージ位
置検出器４８８の参照フレーム５０４上に重ね合わされ
る。次いでイメージ位置検出器４８８は、例えば、合焦
用イメージ５０２の縁と参照フレーム５０４の縁との間
に差が存在するか否かを決定する。この差は、半導体ウ
ェーハ１２４の表面とＳＥＭ４２０の焦点４６６との間
の距離に対応する。もし合焦用イメージ５０２が参照フ
レーム５０４と整列していれば、半導体ウェーハ１２４
はＳＥＭ４２０の焦点４６６に精密に位置決めされてい
るのである。
【００４９】合焦用イメージ５０２と参照フレーム５０
４との間の距離は焦点示差に対応し、これはＺ軸コント
ローラ４９０へ伝送される。Ｚ軸コントローラ４９０は
この焦点示差を使用して制御電圧を生成する。この制御
電圧は、垂直変位ユニット４３０の電動機４３４を動作
させ、半導体ウェーハ１２４及び反射鏡４８６の位置を
調整する。このプロセスは、イメージングユニット４１
８から受けた合焦用イメージ５０２が参照フレーム５０
４と適切に整列していることをイメージ位置検出器４８
８が決定するまで繰り返される。このような実施の形態
によれば、合焦されたイメージを生成するために半導体
ウェーハの選択された部分をＳＥＭ４２０によって分解
しなければならない回数が大幅に減少する。
４との間の距離は焦点示差に対応し、これはＺ軸コント
ローラ４９０へ伝送される。Ｚ軸コントローラ４９０は
この焦点示差を使用して制御電圧を生成する。この制御
電圧は、垂直変位ユニット４３０の電動機４３４を動作
させ、半導体ウェーハ１２４及び反射鏡４８６の位置を
調整する。このプロセスは、イメージングユニット４１
８から受けた合焦用イメージ５０２が参照フレーム５０
４と適切に整列していることをイメージ位置検出器４８
８が決定するまで繰り返される。このような実施の形態
によれば、合焦されたイメージを生成するために半導体
ウェーハの選択された部分をＳＥＭ４２０によって分解
しなければならない回数が大幅に減少する。
【００５０】通常の動作中、半導体ウェーハ１２４は、
その表面がＳＥＭ４２０の焦点４６６と適切に整列して
いることが決定されるまで、合焦用システムを使用して
調整される。半導体ウェーハ１２４の選択された部分は
ＳＥＭ４２０を使用して調べられ、より精な合焦調整が
行われる。図４に示す本発明の実施の形態によれば、反
射鏡４８６をＺ軸に沿って運動させるための補助リフト
４３２Ｂも設けられている。補助リフト４３２Ｂ波、垂
直変位ユニット４３０の一部であることができ、電動機
４３４によって制御可能である。この実施の形態によれ
ば、補助リフト４３２Ｂの動作は、リフト４３２Ａと精
密に同期しており、反射鏡４８６の曲率の中心が常にＳ
ＥＭ４２０の焦点４６６にあるようにしている。
その表面がＳＥＭ４２０の焦点４６６と適切に整列して
いることが決定されるまで、合焦用システムを使用して
調整される。半導体ウェーハ１２４の選択された部分は
ＳＥＭ４２０を使用して調べられ、より精な合焦調整が
行われる。図４に示す本発明の実施の形態によれば、反
射鏡４８６をＺ軸に沿って運動させるための補助リフト
４３２Ｂも設けられている。補助リフト４３２Ｂ波、垂
直変位ユニット４３０の一部であることができ、電動機
４３４によって制御可能である。この実施の形態によれ
ば、補助リフト４３２Ｂの動作は、リフト４３２Ａと精
密に同期しており、反射鏡４８６の曲率の中心が常にＳ
ＥＭ４２０の焦点４６６にあるようにしている。
【００５１】本発明の他の実施の形態によれば、照明源
４３６は、光学顕微鏡によって欠陥を調べるために、明
るいフィールド照明及び／または暗いフィールド照明を
生成するだけのために使用することができる。従って、
合焦用ビーム４９２として使用されるコヒーレントビー
ムを発生するレーザ５１４が設けられている。この実施
の形態は、合焦用鏡４８４の必要性を排除している。そ
の代わりとして、複数のビームスプリッタ５１０を使用
して、合焦用ビームを半導体ウェーハ１２４の表面に向
けて導くようになっている。ビームスプリッタ５１０
は、レーザ５１４によって生成された合焦用ビーム４９
２は反射させるが、照明源４３６からのビーム４４４は
通過させることができるように構成されている。反射し
た合焦用ビーム４９２を受け、半導体ウェーハ１２４の
選択された部分がＳＥＭ４２０の焦点４６６に位置して
いるか否かを決定するために、自動合焦センサ５１２も
設けられている。自動合焦センサ５１２は、垂直変位シ
ステム４３０の動作を制御するために、イメージングユ
ニット４１８、イメージ位置検出器４８８、または両者
へイメージを出力するように構成することができる。代
替として、垂直変位システム４３０は、ステージ４１４
をＺ軸に沿う所定の高さ点に位置決めするように構成す
ることができる。自動合焦センサ５１２は、各所定の高
さ点における欠陥のイメージを調べ、イメージングユニ
ット４１８へ出力するために最良に合焦したイメージを
選択するように構成することができる。
４３６は、光学顕微鏡によって欠陥を調べるために、明
るいフィールド照明及び／または暗いフィールド照明を
生成するだけのために使用することができる。従って、
合焦用ビーム４９２として使用されるコヒーレントビー
ムを発生するレーザ５１４が設けられている。この実施
の形態は、合焦用鏡４８４の必要性を排除している。そ
の代わりとして、複数のビームスプリッタ５１０を使用
して、合焦用ビームを半導体ウェーハ１２４の表面に向
けて導くようになっている。ビームスプリッタ５１０
は、レーザ５１４によって生成された合焦用ビーム４９
２は反射させるが、照明源４３６からのビーム４４４は
通過させることができるように構成されている。反射し
た合焦用ビーム４９２を受け、半導体ウェーハ１２４の
選択された部分がＳＥＭ４２０の焦点４６６に位置して
いるか否かを決定するために、自動合焦センサ５１２も
設けられている。自動合焦センサ５１２は、垂直変位シ
ステム４３０の動作を制御するために、イメージングユ
ニット４１８、イメージ位置検出器４８８、または両者
へイメージを出力するように構成することができる。代
替として、垂直変位システム４３０は、ステージ４１４
をＺ軸に沿う所定の高さ点に位置決めするように構成す
ることができる。自動合焦センサ５１２は、各所定の高
さ点における欠陥のイメージを調べ、イメージングユニ
ット４１８へ出力するために最良に合焦したイメージを
選択するように構成することができる。
【００５２】通常の動作中、半導体ウェーハ１２４は、
その表面がＳＥＭ４２０の焦点４６６と適切に整列して
いることが決定されるまで、合焦システムを使用して調
整される。半導体ウェーハ１２４の選択された部分はＳ
ＥＭ４２０を使用して調べられ、より精な合焦調整が行
われる。図４に示す本発明の実施の形態によれば、反射
鏡４８６をＺ軸に沿って運動させるための補助リフト４
３２Ｂも設けられている。補助リフト４３２Ｂは垂直変
位ユニット４３０の一部であることができ、電動機４３
４によって制御可能である。この実施の形態によれば、
補助リフト４３２Ｂの動作はリフト４３２Ａと精密に同
期しており、反射鏡４８６の曲率の中心が常にＳＥＭ４
２０の焦点４６６にあるようにしている。
その表面がＳＥＭ４２０の焦点４６６と適切に整列して
いることが決定されるまで、合焦システムを使用して調
整される。半導体ウェーハ１２４の選択された部分はＳ
ＥＭ４２０を使用して調べられ、より精な合焦調整が行
われる。図４に示す本発明の実施の形態によれば、反射
鏡４８６をＺ軸に沿って運動させるための補助リフト４
３２Ｂも設けられている。補助リフト４３２Ｂは垂直変
位ユニット４３０の一部であることができ、電動機４３
４によって制御可能である。この実施の形態によれば、
補助リフト４３２Ｂの動作はリフト４３２Ａと精密に同
期しており、反射鏡４８６の曲率の中心が常にＳＥＭ４
２０の焦点４６６にあるようにしている。
【００５３】本発明の他の実施の形態によれば、照明源
４３６は、光学顕微鏡によって欠陥を調べるために、明
るいフィールド照明及び／または暗いフィールド照明を
生成するだけのために使用することができる。従って、
合焦用ビーム４９２として使用されるコヒーレントビー
ムを発生するレーザ５１４が設けられている。この実施
の形態は、合焦用鏡４８４の必要性を排除している。そ
の代わりとして、１つのビームスプリッタ５１０を使用
して、合焦用ビームを半導体ウェーハ１２４の表面に向
けて導くようになっている。このビームスプリッタ５１
０は、レーザ５１４によって生成された合焦用ビーム４
９２は反射させるが、照明源４３６からのビーム４４４
は通過させることができるように構成されている。反射
した合焦用ビーム４９２を受け、半導体ウェーハ１２４
の選択された部分がＳＥＭ４２０の焦点４６６に位置し
ているか否かを決定するために、自動合焦センサ５１２
も設けられている。自動合焦センサ５１２は、垂直変位
システム４３０の動作を制御するために、イメージング
ユニット４１８、イメージ位置検出器４８８、または両
者へイメージを出力するように構成することができる。
代替として、垂直変位システム４３０は、ステージ４１
４をＺ軸に沿う所定の高さ点に位置決めするように構成
することができる。自動合焦センサ５１２は、各所定の
高さ点における欠陥のイメージを調べ、イメージングユ
ニット４１８へ出力するために最良に合焦したイメージ
を選択するように構成することができる。
４３６は、光学顕微鏡によって欠陥を調べるために、明
るいフィールド照明及び／または暗いフィールド照明を
生成するだけのために使用することができる。従って、
合焦用ビーム４９２として使用されるコヒーレントビー
ムを発生するレーザ５１４が設けられている。この実施
の形態は、合焦用鏡４８４の必要性を排除している。そ
の代わりとして、１つのビームスプリッタ５１０を使用
して、合焦用ビームを半導体ウェーハ１２４の表面に向
けて導くようになっている。このビームスプリッタ５１
０は、レーザ５１４によって生成された合焦用ビーム４
９２は反射させるが、照明源４３６からのビーム４４４
は通過させることができるように構成されている。反射
した合焦用ビーム４９２を受け、半導体ウェーハ１２４
の選択された部分がＳＥＭ４２０の焦点４６６に位置し
ているか否かを決定するために、自動合焦センサ５１２
も設けられている。自動合焦センサ５１２は、垂直変位
システム４３０の動作を制御するために、イメージング
ユニット４１８、イメージ位置検出器４８８、または両
者へイメージを出力するように構成することができる。
代替として、垂直変位システム４３０は、ステージ４１
４をＺ軸に沿う所定の高さ点に位置決めするように構成
することができる。自動合焦センサ５１２は、各所定の
高さ点における欠陥のイメージを調べ、イメージングユ
ニット４１８へ出力するために最良に合焦したイメージ
を選択するように構成することができる。
【００５４】図６は、本発明により製造されたウェーハ
再検査システムを使用して半導体ウェーハ１２４を調べ
る際に遂行される諸ステップを示す流れ図である。ステ
ップＳ６００において、半導体ウェーハがステージ上に
配置され、適切に取付けられる。ステップＳ６１０にお
いて、半導体ウェーハはウェーハ再検査システムの座標
系と整列される。当分野において公知のように、この整
列は普通の予備整列装置及び／または他の普通の整列メ
カニズムを使用して行われる。ステップＳ６１２におい
て、ウェーハ欠陥地図から検索された第１の欠陥位置が
ウェーハ再検査システム４００の座標系（即ち、ステー
ジ座標）に変換される。選択された欠陥を光学顕微鏡に
よって識別することができるように、第１及び第２の電
動ベースを使用してウェーハを位置決めする。
再検査システムを使用して半導体ウェーハ１２４を調べ
る際に遂行される諸ステップを示す流れ図である。ステ
ップＳ６００において、半導体ウェーハがステージ上に
配置され、適切に取付けられる。ステップＳ６１０にお
いて、半導体ウェーハはウェーハ再検査システムの座標
系と整列される。当分野において公知のように、この整
列は普通の予備整列装置及び／または他の普通の整列メ
カニズムを使用して行われる。ステップＳ６１２におい
て、ウェーハ欠陥地図から検索された第１の欠陥位置が
ウェーハ再検査システム４００の座標系（即ち、ステー
ジ座標）に変換される。選択された欠陥を光学顕微鏡に
よって識別することができるように、第１及び第２の電
動ベースを使用してウェーハを位置決めする。
【００５５】ステップＳ６１４において、ウェーハ再検
査システムによって欠陥が再検出される。詳述すれば、
暗いフィールド照明を使用して、またはウェーハ欠陥地
図を生成するために使用された検査ツールが使用した照
明型を使用して光学顕微鏡によって欠陥が調べられる。
ステップＳ６１６において、暗いフィールド照明から明
るいフィールド照明へ切り替えるために光フィールドセ
レクタが使用される。ステップＳ６１８において、ステ
ージ座標を使用して欠陥の座標が更新される。破線で示
してあるように、ステップＳ６２０において、欠陥は、
暗いフィールド照明及び明るいフィールド照明の両方を
使用して再検査することもできる。前述したように、こ
の再検査は、カラーフィルタまたは偏光フィルタのよう
ないろいろな型のフィルタを使用することによって容易
にすることができる。ステップＳ６２２において、調べ
るべきさらなる欠陥が存在するか否かが決定される。も
しさらなる欠陥が存在すれば、ステップＳ６２４におい
て、次の欠陥を調べるためにステージが位置決めされ
る。制御は、ステップＳ６１４に戻る。もしさらなる欠
陥が存在しなければ、制御はステップＳ６２６へ進む。
査システムによって欠陥が再検出される。詳述すれば、
暗いフィールド照明を使用して、またはウェーハ欠陥地
図を生成するために使用された検査ツールが使用した照
明型を使用して光学顕微鏡によって欠陥が調べられる。
ステップＳ６１６において、暗いフィールド照明から明
るいフィールド照明へ切り替えるために光フィールドセ
レクタが使用される。ステップＳ６１８において、ステ
ージ座標を使用して欠陥の座標が更新される。破線で示
してあるように、ステップＳ６２０において、欠陥は、
暗いフィールド照明及び明るいフィールド照明の両方を
使用して再検査することもできる。前述したように、こ
の再検査は、カラーフィルタまたは偏光フィルタのよう
ないろいろな型のフィルタを使用することによって容易
にすることができる。ステップＳ６２２において、調べ
るべきさらなる欠陥が存在するか否かが決定される。も
しさらなる欠陥が存在すれば、ステップＳ６２４におい
て、次の欠陥を調べるためにステージが位置決めされ
る。制御は、ステップＳ６１４に戻る。もしさらなる欠
陥が存在しなければ、制御はステップＳ６２６へ進む。
【００５６】ステップＳ６２６において、欠陥の位置が
ＳＥＭと整列される。これは、欠陥がＳＥＭの光軸とほ
ぼ整列するように、ステージ座標を使用して第１及び第
２の電動ベースを運動させることによって達成される。
ＳＥＭを使用して視る時に、半導体ウェーハのイメージ
を合焦させるためにもし必要ならば、ステップＳ６２８
においてステージの高さを調整することができる。本発
明の特定の実施の形態に依存して、自動合焦システムを
使用してステージの位置を調整することができる。もし
そのようになっていれば、制御は制御ブロック１へ進ん
でステージの高さが自動的に調整される。
ＳＥＭと整列される。これは、欠陥がＳＥＭの光軸とほ
ぼ整列するように、ステージ座標を使用して第１及び第
２の電動ベースを運動させることによって達成される。
ＳＥＭを使用して視る時に、半導体ウェーハのイメージ
を合焦させるためにもし必要ならば、ステップＳ６２８
においてステージの高さを調整することができる。本発
明の特定の実施の形態に依存して、自動合焦システムを
使用してステージの位置を調整することができる。もし
そのようになっていれば、制御は制御ブロック１へ進ん
でステージの高さが自動的に調整される。
【００５７】ステップＳ６３０において、欠陥が分類さ
れる。このステップは、コンピュータシステムを使用し
て欠陥を調べ、それを所定の欠陥型と比較し、そして欠
陥を分類することに対応している。もしＳＥＭをベース
とするイメージ内で欠陥が明確であれば、ＳＥＭをベー
スとするイメージだけを使用して分類を遂行することが
できる。しかしながら、もし分類のためには明確さが不
十分であれば、光学的イメージを使用して分類を遂行、
または強調することができる。光学的イメージはステッ
プＳ６１６において、またはＳＥＭをベースとするイメ
ージだけを使用して分類するのは不十分であることを決
定したステップＳ６２６の後にの何れかに入手すること
ができる。ステップＳ６３２において、調べるべき何等
かの付加的な欠陥が残っているか否かを決定する。もし
付加的な欠陥が存在すれば、ステップＳ６３４におい
て、次の欠陥の位置において半導体ウェーハをＳＥＭの
下に位置決めするようにステージを運動させ、制御はス
テップＳ６２６へ戻る。しかしながら、もし付加的な欠
陥が存在しなければ、ステップＳ６４０において再検査
プロセスは終了する。
れる。このステップは、コンピュータシステムを使用し
て欠陥を調べ、それを所定の欠陥型と比較し、そして欠
陥を分類することに対応している。もしＳＥＭをベース
とするイメージ内で欠陥が明確であれば、ＳＥＭをベー
スとするイメージだけを使用して分類を遂行することが
できる。しかしながら、もし分類のためには明確さが不
十分であれば、光学的イメージを使用して分類を遂行、
または強調することができる。光学的イメージはステッ
プＳ６１６において、またはＳＥＭをベースとするイメ
ージだけを使用して分類するのは不十分であることを決
定したステップＳ６２６の後にの何れかに入手すること
ができる。ステップＳ６３２において、調べるべき何等
かの付加的な欠陥が残っているか否かを決定する。もし
付加的な欠陥が存在すれば、ステップＳ６３４におい
て、次の欠陥の位置において半導体ウェーハをＳＥＭの
下に位置決めするようにステージを運動させ、制御はス
テップＳ６２６へ戻る。しかしながら、もし付加的な欠
陥が存在しなければ、ステップＳ６４０において再検査
プロセスは終了する。
【００５８】本発明によるシステムは、検査システムの
系統誤差を欠陥地図から迅速に排除するためにも使用す
ることができる。詳述すれば、ステップＳ６２２におい
て、再検出された欠陥の数がカウントされる。この数が
予め決定されている数、例えば５に達すると、共通の変
化を見出すために、再検出された欠陥の座標更新が調べ
られる。例えば、もし全ての座標が特定の回転α、及び
並進ｄｘ、ｄｙについて修正されていることが決定され
れば、これが系統誤差の原因であり、特定の欠陥地図内
の全ての欠陥の座標がその回転誤差について修正され
る。同じ検査ツールを用いて検査されたウェーハに対し
て再度使用できるように、回転及び並進オフセットを格
納することができる。検査ツールＩＤは、再検査ツール
へ転送される情報の一部であり、従って、測定された系
統誤差は特定の検査ツールに関連付けることができる。
系統誤差を欠陥地図から迅速に排除するためにも使用す
ることができる。詳述すれば、ステップＳ６２２におい
て、再検出された欠陥の数がカウントされる。この数が
予め決定されている数、例えば５に達すると、共通の変
化を見出すために、再検出された欠陥の座標更新が調べ
られる。例えば、もし全ての座標が特定の回転α、及び
並進ｄｘ、ｄｙについて修正されていることが決定され
れば、これが系統誤差の原因であり、特定の欠陥地図内
の全ての欠陥の座標がその回転誤差について修正され
る。同じ検査ツールを用いて検査されたウェーハに対し
て再度使用できるように、回転及び並進オフセットを格
納することができる。検査ツールＩＤは、再検査ツール
へ転送される情報の一部であり、従って、測定された系
統誤差は特定の検査ツールに関連付けることができる。
【００５９】図７は、検査ツールによって生成された欠
陥オフセットを、本発明のウェーハ再検査システムが修
正する手法を示す流れ図である。ステップＳ７００にお
いて半導体ウェーハがステージ上に配置され、欠陥の位
置に対応するデータ（即ち、欠陥地図）がウェーハ再検
査システムへ伝送される。前述したように、欠陥地図
は、先に検査ツールによって識別された潜在的欠陥の座
標を含んでいる。ウェーハ再検査システムへ転送される
データは、その半導体ウェーハのための欠陥地図を生成
するために使用された検査ツールを識別する検査ツール
ＩＤをも含んでいる。
陥オフセットを、本発明のウェーハ再検査システムが修
正する手法を示す流れ図である。ステップＳ７００にお
いて半導体ウェーハがステージ上に配置され、欠陥の位
置に対応するデータ（即ち、欠陥地図）がウェーハ再検
査システムへ伝送される。前述したように、欠陥地図
は、先に検査ツールによって識別された潜在的欠陥の座
標を含んでいる。ウェーハ再検査システムへ転送される
データは、その半導体ウェーハのための欠陥地図を生成
するために使用された検査ツールを識別する検査ツール
ＩＤをも含んでいる。
【００６０】ステップＳ７１０において、半導体ウェー
ハはウェーハ再検査システムの座標軸と予備整列され
る。欠陥オフセット（即ち、欠陥カウント）を決定する
ために使用される欠陥の数が、ステップＳ７１２におい
て定義される。ステップ７１４において、ウェーハ再検
査システムは、第１の欠陥を再検出することを試みる
（即ち、例えば光学顕微鏡を使用して）。ステップＳ７
１６において、その欠陥の再検出に成功したか否かが決
定される。もし欠陥の再検出に成功しなければ制御はス
テップＳ７１４へ戻され、欠陥を再検出するために、例
えば明るいフィールド照明及び暗いフィールド照明の組
合せのような付加的な試みを行う。もし欠陥の再検出に
成功すれば制御はステップＳ７１８へ進められ、欠陥座
標がウェーハ再検査システムの座標に対して更新され
る。
ハはウェーハ再検査システムの座標軸と予備整列され
る。欠陥オフセット（即ち、欠陥カウント）を決定する
ために使用される欠陥の数が、ステップＳ７１２におい
て定義される。ステップ７１４において、ウェーハ再検
査システムは、第１の欠陥を再検出することを試みる
（即ち、例えば光学顕微鏡を使用して）。ステップＳ７
１６において、その欠陥の再検出に成功したか否かが決
定される。もし欠陥の再検出に成功しなければ制御はス
テップＳ７１４へ戻され、欠陥を再検出するために、例
えば明るいフィールド照明及び暗いフィールド照明の組
合せのような付加的な試みを行う。もし欠陥の再検出に
成功すれば制御はステップＳ７１８へ進められ、欠陥座
標がウェーハ再検査システムの座標に対して更新され
る。
【００６１】ステップＳ７２０において、欠陥カウント
（ステップＳ７１２において選択された）に対応する欠
陥の数が再検出されたか否かが決定される。もし再検出
された欠陥の数が欠陥カウントよりも少なければ、制御
はステップ７１４へ戻されて欠陥地図内の次の欠陥が再
検出される。もし再検出された欠陥の数が欠陥カウント
に等しければ、制御はステップＳ７２２へ進められる。
ステップＳ７２２において、その半導体ウェーハのため
の欠陥オフセットが計算される。
（ステップＳ７１２において選択された）に対応する欠
陥の数が再検出されたか否かが決定される。もし再検出
された欠陥の数が欠陥カウントよりも少なければ、制御
はステップ７１４へ戻されて欠陥地図内の次の欠陥が再
検出される。もし再検出された欠陥の数が欠陥カウント
に等しければ、制御はステップＳ７２２へ進められる。
ステップＳ７２２において、その半導体ウェーハのため
の欠陥オフセットが計算される。
【００６２】前述したように、欠陥オフセットは、検査
ツールの系統誤差の因である回転及び並進変位を表して
いる。この実施の形態によれば、一旦欠陥オフセットが
計算されてしまうと、その半導体ウェーハの全ての残余
の欠陥位置内の系統誤差を修正するために、これらのオ
フセットを適用することができる。詳述すれば、系統誤
差の修正は、対応する検査システムＩＤと共に、コンピ
ュータ１５８のようなメモリ内に維持することができ
る。更に、もし複数の半導体ウェーハのための欠陥地図
を生成するために同一の検査ツールが使用されていれ
ば、同じ欠陥オフセットをメモリから検索し、同じシス
テムＩＤを有する欠陥地図を持つ全ての半導体ウェーハ
内の系統誤差を修正するために適用することができる。
本発明の例示実施の形態によれば、ウェーハ再検査シス
テムは、現在調べている半導体ウェーハのための欠陥地
図を生成するためにどの特定の検査ツールが使用された
のかを決定するために、転送されたデータ内に含まれて
いる検査ツールＩＤを調べることができる。もしその検
査ツールＩＤが、欠陥オフセットを計算するのに使用し
た欠陥地図を生成した検査ツールの検査ツールＩＤと一
致すれば、現在の半導体ウェーハ内に含まれる系統誤差
を修正するために同一の欠陥オフセットを適用すること
ができる。この実施の形態は、個々の半導体ウェーハ、
または同一の検査ツールによって調べられた複数の半導
体ウェーハのために欠陥オフセットを計算しなければな
らない回数を最小にするという利点がある。
ツールの系統誤差の因である回転及び並進変位を表して
いる。この実施の形態によれば、一旦欠陥オフセットが
計算されてしまうと、その半導体ウェーハの全ての残余
の欠陥位置内の系統誤差を修正するために、これらのオ
フセットを適用することができる。詳述すれば、系統誤
差の修正は、対応する検査システムＩＤと共に、コンピ
ュータ１５８のようなメモリ内に維持することができ
る。更に、もし複数の半導体ウェーハのための欠陥地図
を生成するために同一の検査ツールが使用されていれ
ば、同じ欠陥オフセットをメモリから検索し、同じシス
テムＩＤを有する欠陥地図を持つ全ての半導体ウェーハ
内の系統誤差を修正するために適用することができる。
本発明の例示実施の形態によれば、ウェーハ再検査シス
テムは、現在調べている半導体ウェーハのための欠陥地
図を生成するためにどの特定の検査ツールが使用された
のかを決定するために、転送されたデータ内に含まれて
いる検査ツールＩＤを調べることができる。もしその検
査ツールＩＤが、欠陥オフセットを計算するのに使用し
た欠陥地図を生成した検査ツールの検査ツールＩＤと一
致すれば、現在の半導体ウェーハ内に含まれる系統誤差
を修正するために同一の欠陥オフセットを適用すること
ができる。この実施の形態は、個々の半導体ウェーハ、
または同一の検査ツールによって調べられた複数の半導
体ウェーハのために欠陥オフセットを計算しなければな
らない回数を最小にするという利点がある。
【００６３】図８は、本発明の別の特定方法の流れ図で
ある。詳述すれば、この実施の形態によれば、本発明の
システムは欠陥に関して基体を検査するために使用する
ことができる。即ち、現在の光学システムによっては、
若干のプロセス欠陥を検出できないことが公知である。
従って、カリフォルニア州サンノゼのKLAから市販され
ているSEMSpecのようなシステムは、光学検査システム
を使用して検出することができない欠陥を検出するため
に、電子ビームを使用してウェーハ全体を走査する。SE
MSpecに関しては米国特許第5,578,821号、及び第5,502,
306号に記載されている。しかしながら、SEMSpecは極め
て高価であり、極めて遅いシステムであって、１日当た
り１枚または２枚しか走査することができず、これは光
学システムが達成する１時間当たり30−60枚のウェーハ
と対照的である。図８に示す実施の形態は、現在利用で
きるシステムよりも低いコストと高い走査レートで、遙
かに高速の電子ビームをベースとする検査システムを提
供する。
ある。詳述すれば、この実施の形態によれば、本発明の
システムは欠陥に関して基体を検査するために使用する
ことができる。即ち、現在の光学システムによっては、
若干のプロセス欠陥を検出できないことが公知である。
従って、カリフォルニア州サンノゼのKLAから市販され
ているSEMSpecのようなシステムは、光学検査システム
を使用して検出することができない欠陥を検出するため
に、電子ビームを使用してウェーハ全体を走査する。SE
MSpecに関しては米国特許第5,578,821号、及び第5,502,
306号に記載されている。しかしながら、SEMSpecは極め
て高価であり、極めて遅いシステムであって、１日当た
り１枚または２枚しか走査することができず、これは光
学システムが達成する１時間当たり30−60枚のウェーハ
と対照的である。図８に示す実施の形態は、現在利用で
きるシステムよりも低いコストと高い走査レートで、遙
かに高速の電子ビームをベースとする検査システムを提
供する。
【００６４】本質的に、図８の実施の形態は、基体の走
査を電子ビームをベースとして遂行して欠陥を検出する
ために、知的選択を使用する。即ち、一般に回路設計者
は、回路上の何処の領域が欠陥をもたらす恐れがあるか
を知っている。例えば、稠密なパターンを有する領域、
多くのコンタクトホールを有する領域、互いに接近し合
っていてライン同士が橋絡する可能性がある多くの導電
ラインを有する領域等である。設計者はこの情報を使用
して、注意深く検査すべき回路、即ちウェーハ上の領域
を知的に選択することができる。ステップ８００に例示
されているように、設計者はこの情報を使用して、走査
すべき領域の座標をセットすることができる。好ましい
実施の形態においては、これは“人工”または“合成”
欠陥地図を書込むことによって行われる。即ち、欠陥を
有していると推測される領域を検査することをシステム
に命令する人工欠陥地図を書込むことによって、走査す
べき領域を定義する。
査を電子ビームをベースとして遂行して欠陥を検出する
ために、知的選択を使用する。即ち、一般に回路設計者
は、回路上の何処の領域が欠陥をもたらす恐れがあるか
を知っている。例えば、稠密なパターンを有する領域、
多くのコンタクトホールを有する領域、互いに接近し合
っていてライン同士が橋絡する可能性がある多くの導電
ラインを有する領域等である。設計者はこの情報を使用
して、注意深く検査すべき回路、即ちウェーハ上の領域
を知的に選択することができる。ステップ８００に例示
されているように、設計者はこの情報を使用して、走査
すべき領域の座標をセットすることができる。好ましい
実施の形態においては、これは“人工”または“合成”
欠陥地図を書込むことによって行われる。即ち、欠陥を
有していると推測される領域を検査することをシステム
に命令する人工欠陥地図を書込むことによって、走査す
べき領域を定義する。
【００６５】セットされた走査領域または人工欠陥地図
を受信すると、システムは、先ず光学顕微鏡を動作させ
るか（即ち、ステップ８１０におけるＹＥＳ）、または
直接粒子顕微鏡を用いて走査させるか（即ち、ステップ
８１０におけるＮＯ）のオプションを有している。もし
ＹＥＳを選択すれば、欠陥地図に従って基体を走査する
ために光学顕微鏡１１６が使用される（ステップ８２
０）。次いで、光学顕微鏡によって欠陥地図が作成さ
れ、見出された欠陥が明示される（ステップ８３０）。
次いで、またはもしステップ８１０においてＮＯを選択
すれば、ステップ８４０において、セットされた走査領
域が粒子顕微鏡によって走査される。粒子顕微鏡によっ
て入手したイメージ上のダイス間比較を使用して、新し
い欠陥地図をコンピュータ１５８によって生成する（ス
テップ８５０）。ダイス間比較は、例えばSEMVisionに
よって現在遂行されている方法に従って行うことができ
る。即ち、この方法では、各指定された位置毎に、隣接
するダイス上の対応し合う位置をイメージし、これらの
イメージを比較して食い違いを検出する。この後者の欠
陥地図は、それが粒子ビーム顕微鏡の高い分解能に基づ
いているので、極めて正確であることが理解されよう。
もし欠陥地図だけが必要であれば、このプロセスはこの
ステップまでで停止させることができる。
を受信すると、システムは、先ず光学顕微鏡を動作させ
るか（即ち、ステップ８１０におけるＹＥＳ）、または
直接粒子顕微鏡を用いて走査させるか（即ち、ステップ
８１０におけるＮＯ）のオプションを有している。もし
ＹＥＳを選択すれば、欠陥地図に従って基体を走査する
ために光学顕微鏡１１６が使用される（ステップ８２
０）。次いで、光学顕微鏡によって欠陥地図が作成さ
れ、見出された欠陥が明示される（ステップ８３０）。
次いで、またはもしステップ８１０においてＮＯを選択
すれば、ステップ８４０において、セットされた走査領
域が粒子顕微鏡によって走査される。粒子顕微鏡によっ
て入手したイメージ上のダイス間比較を使用して、新し
い欠陥地図をコンピュータ１５８によって生成する（ス
テップ８５０）。ダイス間比較は、例えばSEMVisionに
よって現在遂行されている方法に従って行うことができ
る。即ち、この方法では、各指定された位置毎に、隣接
するダイス上の対応し合う位置をイメージし、これらの
イメージを比較して食い違いを検出する。この後者の欠
陥地図は、それが粒子ビーム顕微鏡の高い分解能に基づ
いているので、極めて正確であることが理解されよう。
もし欠陥地図だけが必要であれば、このプロセスはこの
ステップまでで停止させることができる。
【００６６】もし、見出された欠陥に関するさらなる情
報を調べるのであれば、プロセスはステップ８６０へ進
むことができ、ステップ８６０においては粒子顕微鏡を
使用して各欠陥の拡大されたイメージを入手する。次い
でステップ８７０において、コンピュータ１５８は前述
したような自動欠陥分類（ＡＤＣ）を遂行することがで
きる。
報を調べるのであれば、プロセスはステップ８６０へ進
むことができ、ステップ８６０においては粒子顕微鏡を
使用して各欠陥の拡大されたイメージを入手する。次い
でステップ８７０において、コンピュータ１５８は前述
したような自動欠陥分類（ＡＤＣ）を遂行することがで
きる。
【００６７】以上に、本発明を半導体ウェーハ上の欠陥
を調べることに関して説明したが、この配列が他のいろ
いろな材料及び表面に容易に使用できることを理解され
たい。例えば、本発明は、フォトマスク、磁気ディス
ク、光ディスク、鏡等を調べるために使用できる。更
に、本発明は、半導体製造プロセスの諸ステップ中に半
導体材料を調べるために使用することができる。詳述す
れば、本発明は、パターン化された半導体ウェーハまた
はパターン化されていない半導体ウェーハの何れかを調
べるために、等しく適用することができる。
を調べることに関して説明したが、この配列が他のいろ
いろな材料及び表面に容易に使用できることを理解され
たい。例えば、本発明は、フォトマスク、磁気ディス
ク、光ディスク、鏡等を調べるために使用できる。更
に、本発明は、半導体製造プロセスの諸ステップ中に半
導体材料を調べるために使用することができる。詳述す
れば、本発明は、パターン化された半導体ウェーハまた
はパターン化されていない半導体ウェーハの何れかを調
べるために、等しく適用することができる。
【００６８】本発明は、半導体ウェーハのような物体の
表面上の（または、その付近の）欠陥を迅速且つ正確に
再検出し、分類する能力を有利に提供する。これは、光
学顕微鏡及びＳＥＭの両方を含む材料再検査システムを
使用して達成される。光学顕微鏡は、半導体ウェーハの
ための欠陥地図を生成するために使用した照明フィール
ドと類似の照明フィールドを生成することができるよう
に構成されている。この構成によれば、欠陥の正確且つ
効率的な再検出が可能である。システムは、全ての欠陥
が一旦光学顕微鏡によって再検出された後は、半導体ウ
ェーハをＳＥＭと整列させるように運動させる並進シス
テムを含んでいる。ＳＥＭは、欠陥の高分解能拡大を提
供するので、再検査及び分類を行うことができる。本発
明には、ＳＥＭを欠陥上に合焦させるために、ステージ
を自動的に調整する能動光合焦システムも設けられてい
る。更に、ある回転軸を中心としてステージを回転さ
せ、欠陥を異なるパースペクティブから視るためのピボ
ッティングシステムも備えることができる。
表面上の（または、その付近の）欠陥を迅速且つ正確に
再検出し、分類する能力を有利に提供する。これは、光
学顕微鏡及びＳＥＭの両方を含む材料再検査システムを
使用して達成される。光学顕微鏡は、半導体ウェーハの
ための欠陥地図を生成するために使用した照明フィール
ドと類似の照明フィールドを生成することができるよう
に構成されている。この構成によれば、欠陥の正確且つ
効率的な再検出が可能である。システムは、全ての欠陥
が一旦光学顕微鏡によって再検出された後は、半導体ウ
ェーハをＳＥＭと整列させるように運動させる並進シス
テムを含んでいる。ＳＥＭは、欠陥の高分解能拡大を提
供するので、再検査及び分類を行うことができる。本発
明には、ＳＥＭを欠陥上に合焦させるために、ステージ
を自動的に調整する能動光合焦システムも設けられてい
る。更に、ある回転軸を中心としてステージを回転さ
せ、欠陥を異なるパースペクティブから視るためのピボ
ッティングシステムも備えることができる。
【００６９】この配列の１つの長所は、光学顕微鏡を使
用して欠陥を正確に再検出する能力にある。加えて、一
旦欠陥が再検出されると、その欠陥はＳＥＭによって調
べるために正確に位置決めすることができる。更に、シ
ステムは、特定の検査システムの系統誤差を計算し、こ
のシステムから受けた欠陥地図を自動的に修正すること
ができる。本発明の別の長所は、ＳＥＭによってイメー
ジすることができない欠陥を分類する、従って、再検査
プロセス中に分類されない欠陥の数を最小にする能力に
ある。
用して欠陥を正確に再検出する能力にある。加えて、一
旦欠陥が再検出されると、その欠陥はＳＥＭによって調
べるために正確に位置決めすることができる。更に、シ
ステムは、特定の検査システムの系統誤差を計算し、こ
のシステムから受けた欠陥地図を自動的に修正すること
ができる。本発明の別の長所は、ＳＥＭによってイメー
ジすることができない欠陥を分類する、従って、再検査
プロセス中に分類されない欠陥の数を最小にする能力に
ある。
【００７０】以上に、本発明を現在では最も実際的であ
り、好ましい実施の形態であると考えられるものに関し
て説明したが、本発明は開示した実施の形態に限定され
るものではなく、特許請求の範囲及びそれらの思想内に
含まれるさまざまな変更及び等価配列をカバーすること
を意図していることを理解されたい。
り、好ましい実施の形態であると考えられるものに関し
て説明したが、本発明は開示した実施の形態に限定され
るものではなく、特許請求の範囲及びそれらの思想内に
含まれるさまざまな変更及び等価配列をカバーすること
を意図していることを理解されたい。
【図１】本発明の例示実施の形態により製造されたウェ
ーハ検査システムの側面図である。
ーハ検査システムの側面図である。
【図２】本発明の実施の形態による光フィールドセレク
タのさまざまな構成を示すブロック図である。
タのさまざまな構成を示すブロック図である。
【図３】半導体ウェーハの側面図であって、いろいろな
型の欠陥を示す図である。
型の欠陥を示す図である。
【図４】本発明の別の実施の形態により製造されたウェ
ーハ検査システムの側面図である。
ーハ検査システムの側面図である。
【図５】イメージが本発明の例示実施の形態により合焦
される態様を示す図である。
される態様を示す図である。
【図６】半導体ウェーハの検査中に遂行される諸ステッ
プを示す流れ図である。
プを示す流れ図である。
【図７】ＳＥＭによって視るために半導体ウェーハを合
焦させる際に遂行される諸ステップを示す流れ図であ
る。
焦させる際に遂行される諸ステップを示す流れ図であ
る。
【図８】基体を走査し、欠陥を検出するために知的選択
を遂行する実施の形態を示す流れ図である。
を遂行する実施の形態を示す流れ図である。
【符号の説明】 １００、４００ ウェーハ再検査システム １１２、４１２ 真空チャンバ １１４、４１４ ステージ １１６、４１６ 光学顕微鏡 １１８、４１８ イメージングユニット １２０、４２０ 粒子ビームイメージングシステム（Ｓ
ＥＭ） １２２、４２２ 並進システム １２４ 半導体ウェーハ １２６ 第１の電動ベース １２８ 第２の電動ベース １３０、４３０ 垂直変位ユニット １３２、４３２ リフト １３４、４３４ 電動機（または、圧電装置） １３６、４３６ 照明源 １３８、４３８ 半反射鏡 １４０、４４０ レンズ １４２ 偏向鏡 １４４、４４４ ビーム １４６、４４６ 照明通路 １４８ 窓 １５０、４５０ 光フィールドセレクタ １５２ 透明領域 １５４ 不透明領域 １５６ フィルタ １５８、４５８ コンピュータシステム １６０、４６０ 電子銃 １６２、４６２ 電子光学カラム １６４、４６４ 電子ビーム軸 １６６、４６６ 焦点 １６８ 第２の照明源 １７０ 補助ビーム １７２ 補助窓 １７４ 粒子 １７６ 層 ４８０ ピボッティングメカニズム ４８２ 回転軸 ４８４ 合焦用鏡 ４８６ 反射鏡 ４８８ イメージ位置検出器 ４９０ Ｚ軸コントローラ ４９２ 合焦用ビーム ５０２ 合焦用イメージ ５０４ 参照フレーム ５１０ ビームスプリッタ ５１２ 自動合焦センサ ５１４ レーザ
ＥＭ） １２２、４２２ 並進システム １２４ 半導体ウェーハ １２６ 第１の電動ベース １２８ 第２の電動ベース １３０、４３０ 垂直変位ユニット １３２、４３２ リフト １３４、４３４ 電動機（または、圧電装置） １３６、４３６ 照明源 １３８、４３８ 半反射鏡 １４０、４４０ レンズ １４２ 偏向鏡 １４４、４４４ ビーム １４６、４４６ 照明通路 １４８ 窓 １５０、４５０ 光フィールドセレクタ １５２ 透明領域 １５４ 不透明領域 １５６ フィルタ １５８、４５８ コンピュータシステム １６０、４６０ 電子銃 １６２、４６２ 電子光学カラム １６４、４６４ 電子ビーム軸 １６６、４６６ 焦点 １６８ 第２の照明源 １７０ 補助ビーム １７２ 補助窓 １７４ 粒子 １７６ 層 ４８０ ピボッティングメカニズム ４８２ 回転軸 ４８４ 合焦用鏡 ４８６ 反射鏡 ４８８ イメージ位置検出器 ４９０ Ｚ軸コントローラ ４９２ 合焦用ビーム ５０２ 合焦用イメージ ５０４ 参照フレーム ５１０ ビームスプリッタ ５１２ 自動合焦センサ ５１４ レーザ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｊ
Claims (26)
- 【請求項１】 予め生成されている欠陥地図に基づいて
物体表面上の欠陥を再検査するための装置であって、 上記物体を載せて受入れるステージと、 光ビームを発生する照明源を含み、上記欠陥地図内に含
まれている情報に基づいて上記光ビームを上記物体表面
の選択された部分に向けて導く光学顕微鏡と、 上記光学顕微鏡に結合され、上記光ビームによって照明
された欠陥を検出する光センサと、 粒子のビームを規定された軸に沿って焦点に収斂させる
粒子ビームイメージングシステムと、 上記再検出された欠陥を、上記焦点の直近に位置決めす
る並進システムと、を備え、 上記再検出された欠陥を、引続き上記粒子ビームイメー
ジングシステムを使用して再検査できるようにしたこと
を特徴とする装置。 - 【請求項２】 上記並進システムは、 上記ステージを第１の軸に沿って運動させる第１の電動
ベースと、 上記ステージを第２の軸に沿って運動させる第２の電動
ベースと、を含み、 上記第１及び第２の軸は、実質的に互いに直角であり、
１つの面を限定していることを特徴とする請求項１に記
載の装置。 - 【請求項３】 上記顕微鏡は、明るいフィールドモー
ド、暗いフィールドモード、及び明るいフィールド及び
暗いフィールドの両モードの組合せで動作するように構
成可能であることを特徴とする請求項１に記載の装置。 - 【請求項４】 上記粒子ビームシステムによって再検査
された欠陥を分類するコンピュータシステムを更に備え
ていることを特徴とする請求項１に記載の装置。 - 【請求項５】 上記コンピュータシステムは、上記顕微
鏡によってイメージされた欠陥を分類するように更に構
成されていることを特徴とする請求項４に記載の装置。 - 【請求項６】 上記照明源は、レーザからなることを特
徴とする請求項１に記載の装置。 - 【請求項７】 上記顕微鏡に作動的に結合され、規定さ
れた照明型を選択的に形成して上記暗い及び明るいフィ
ールドモードを生成させるモードセレクタを更に備えて
いることを特徴とする請求項３に記載の装置。 - 【請求項８】 上記セレクタは、上記顕微鏡の照明通路
内に挿入可能なフィルタからなることを特徴とする請求
項７に記載の装置。 - 【請求項９】 上記照明源は、上記明るいフィールド照
明を発生するランプ光源と、上記暗いフィールド照明を
発生するレーザ源とからなることを特徴とする請求項７
に記載の装置。 - 【請求項１０】 上記暗いフィールド照明は、斜角で上
記物体表面に接近することを特徴とする請求項９に記載
の装置。 - 【請求項１１】 補助光ビームを、斜角で上記物体表面
に向けて導く第２の照明源を更に備えていることを特徴
とする請求項１に記載の装置。 - 【請求項１２】 上記物体表面を、上記粒子イメージン
グシステムの焦点に自動的に維持する合焦システムを更
に備えていることを特徴とする請求項１に記載の装置。 - 【請求項１３】 上記合焦システムは、 合焦用ビームを生成するコヒーレント光源と、 上記合焦用ビームを上記焦点を通して上記物体表面に向
けて導き、第１の入射点において上記物体表面に衝突さ
せる合焦用鏡と、 上記合焦用ビームを、上記第１の入射点の直近の第２の
入射点において上記物体表面に戻るように反射させる反
射鏡と、 上記物体表面と上記焦点との間の距離を検出し、上記物
体表面と上記焦点とを整列させるために上記ステージを
垂直に調整するイメージ整列システムと、 を含んでいることを特徴とする請求項１２に記載の装
置。 - 【請求項１４】 上記粒子ビームイメージングシステム
が欠陥をイメージする時には上記合焦システムを選択的
に作動させ、上記顕微鏡が動作している時には上記合焦
システムを不作動にする選択メカニズムを更に備えてい
ることを特徴とする請求項１３に記載の装置。 - 【請求項１５】 上記選択メカニズムは、上記顕微鏡の
照明通路内に挿入可能な鏡からなる請求項１４に記載の
装置。 - 【請求項１６】 上記選択メカニズムは、上記顕微鏡の
照明通路内に配置される二色性鏡からなることを特徴と
する請求項１４に記載の装置。 - 【請求項１７】 上記センサは、カラーＣＣＤであるこ
とを特徴とする請求項１に記載の装置。 - 【請求項１８】 上記明るい及び暗いフィールドモード
での照明はカラーコード化されており、上記センサはカ
ラーＣＣＤであることを特徴とする請求項３に記載の装
置。 - 【請求項１９】 上記欠陥地図からの欠陥座標と、上記
顕微鏡からのステージ座標とを受け、上記欠陥地図内の
報告誤差を計算する誤差計算機を更に備えていることを
特徴とする請求項１に記載の装置。 - 【請求項２０】 上記報告誤差をシステムＩＤに相関さ
せて格納し、上記システムＩＤを有するどの欠陥地図に
も上記報告誤差を適用する誤差メモリを更に備えている
ことを特徴とする請求項１９に記載の装置。 - 【請求項２１】 予め生成されている欠陥地図に基づい
て物体表面上の欠陥を再検査する方法であって、 欠陥地図からの座標に基づいて、光学顕微鏡を用いて上
記物体表面の選択された部分を視て上記欠陥を再検出す
るステップと、 上記再検出された欠陥の位置に対応するステージ座標を
決定するステップと、 上記地図及び上記ステージ座標から報告誤差を計算する
ステップと、 上記再検出された欠陥を、粒子ビームイメージングシス
テムの焦点の直近に位置決めするために、上記物体表面
を運動させるステップと、 上記再検出された欠陥を、上記粒子ビームイメージング
システムを使用して再検査するステップと、を含んでい
ることを特徴とする方法。 - 【請求項２２】 上記光学顕微鏡を用いて上記物体表面
の選択された部分を視るステップは、暗いフィールド照
明で上記物体表面を照明することからなることを特徴と
する請求項２１に記載の方法。 - 【請求項２３】 明るいフィールドモードで上記顕微鏡
を動作させることによって、拡大された光イメージを入
手するステップを更に含んでいることを特徴とする請求
項２２に記載の方法。 - 【請求項２４】 上記視るステップは、上記物体表面の
選択された部分に明るいフィールド及び暗いフィールド
の両照明を同時に適用し、上記欠陥の明るい及び暗い複
合フィールドイメージを発生させることからなることを
特徴とする請求項２１に記載の方法。 - 【請求項２５】 電子ビーム顕微鏡を使用してウェーハ
の表面を欠陥に関して検査する方法であって、 検査すべき上記ウェーハ上の指定された領域のリストを
生成するステップと、 上記指定された領域のリストを上記顕微鏡に供給し、電
子ビームを用いて上記指定された領域の走査を遂行させ
るステップと、 ダイス間検査を遂行して上記指定された領域内の欠陥を
検出するステップと、電子をベースとする欠陥地図を作
成するステップと、を含んでいることを特徴とする方
法。 - 【請求項２６】 上記指定された領域のリストは、人工
欠陥地図の形状で作成されることを特徴とする請求項２
５に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/334,115 US6407373B1 (en) | 1999-06-15 | 1999-06-15 | Apparatus and method for reviewing defects on an object |
| US09/334115 | 1999-06-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001133417A true JP2001133417A (ja) | 2001-05-18 |
Family
ID=23305645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000219834A Pending JP2001133417A (ja) | 1999-06-15 | 2000-06-15 | 物体上の欠陥を再検査する装置及び方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6407373B1 (ja) |
| EP (1) | EP1061358A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001133417A (ja) |
| KR (1) | KR100808718B1 (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003004653A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-08 | Seiko Instruments Inc | レーザ欠陥検出機能を備えた走査型電子顕微鏡におけるｃｃｄカメラ自動切替方式 |
| JP2005156537A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥観察方法及びその装置 |
| JP2007071803A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥観察方法及びその装置 |
| JP2007235023A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥観察方法および装置 |
| JP2007263884A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Fujitsu Ltd | 欠陥識別装置及び方法 |
| KR100811444B1 (ko) * | 2006-08-29 | 2008-03-07 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 분석방법 |
| JP2008111777A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Jeol Ltd | 顕微鏡用試料作成装置 |
| JP2010135335A (ja) * | 2004-04-16 | 2010-06-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
| US8045146B2 (en) | 2007-06-22 | 2011-10-25 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for reviewing defect |
| WO2011132766A1 (ja) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | レビュー方法、およびレビュー装置 |
| JP2012014170A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Asml Holding Nv | 光ウィンドウとともに広角対物レンズを用いる検査装置 |
| WO2012081341A1 (ja) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察方法及びその装置 |
| JP2012532458A (ja) * | 2009-07-01 | 2012-12-13 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 時間的に変化する欠陥分類性能の監視 |
| JP2013118183A (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-13 | Charm Engineering Co Ltd | 基板検査装置 |
| WO2014073532A1 (ja) * | 2012-11-08 | 2014-05-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検出方法及びその装置並びに欠陥観察方法及びその装置 |
| JP2015087114A (ja) * | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 凸版印刷株式会社 | 検査装置 |
| JP2022514830A (ja) * | 2018-12-28 | 2022-02-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 荷電粒子ビームを集束させるためのシステム及び方法 |
Families Citing this family (150)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3705976B2 (ja) * | 1999-12-01 | 2005-10-12 | 株式会社ルネサステクノロジ | 分析・観察装置 |
| US7095904B2 (en) * | 2000-04-12 | 2006-08-22 | Ultratech, Inc. | Method and apparatus for determining best focus using dark-field imaging |
| JP2002100660A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-04-05 | Hitachi Ltd | 欠陥検出方法と欠陥観察方法及び欠陥検出装置 |
| US6567212B1 (en) * | 2000-08-16 | 2003-05-20 | Leica Microsystems Heidelberg Gmbh | Vibration damping device for microscopes and microscope with a vibration damping device |
| US6812045B1 (en) | 2000-09-20 | 2004-11-02 | Kla-Tencor, Inc. | Methods and systems for determining a characteristic of a specimen prior to, during, or subsequent to ion implantation |
| US6917419B2 (en) | 2000-09-20 | 2005-07-12 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining flatness, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen |
| US6673637B2 (en) | 2000-09-20 | 2004-01-06 | Kla-Tencor Technologies | Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen |
| US6891627B1 (en) | 2000-09-20 | 2005-05-10 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen |
| US6782337B2 (en) | 2000-09-20 | 2004-08-24 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension an a presence of defects on a specimen |
| US6694284B1 (en) | 2000-09-20 | 2004-02-17 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining at least four properties of a specimen |
| US6809809B2 (en) * | 2000-11-15 | 2004-10-26 | Real Time Metrology, Inc. | Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects |
| US6630996B2 (en) * | 2000-11-15 | 2003-10-07 | Real Time Metrology, Inc. | Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects |
| IL140179A (en) | 2000-12-07 | 2004-09-27 | Nova Measuring Instr Ltd | Method and system for measuring in patterned structures |
| US7052483B2 (en) * | 2000-12-19 | 2006-05-30 | Animas Corporation | Transcutaneous inserter for low-profile infusion sets |
| KR100389135B1 (ko) * | 2001-02-20 | 2003-06-25 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 디펙트 소스의 성분별 불량칩수 표시 방법 |
| US6717707B2 (en) * | 2001-02-21 | 2004-04-06 | Beyond 3, Inc. | Method and system for controlling resonance within a resonator-enhanced optical system |
| JP4610798B2 (ja) * | 2001-06-19 | 2011-01-12 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | レーザ欠陥検出機能を備えた走査型電子顕微鏡とそのオートフォーカス方法 |
| DE10141051A1 (de) * | 2001-08-22 | 2003-03-06 | Leica Microsystems | Anordnung und Verfahren zur Inspektion von unstruktuierten Wafern |
| US6894790B2 (en) * | 2001-11-13 | 2005-05-17 | Hitachi High-Technologies Corporation | Micropattern shape measuring system and method |
| JP3817464B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2006-09-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 微細パターンの３次元形状測定システム、及び３次元形状測定方法 |
| US7236847B2 (en) | 2002-01-16 | 2007-06-26 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for closed loop defect reduction |
| US6986280B2 (en) * | 2002-01-22 | 2006-01-17 | Fei Company | Integrated measuring instrument |
| US6791095B2 (en) * | 2002-03-21 | 2004-09-14 | Hermes-Microvision (Taiwan) Inc. | Method and system of using a scanning electron microscope in semiconductor wafer inspection with Z-stage focus |
| JP2003282016A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Seiko Instruments Inc | 周辺装置を備えた荷電粒子顕微鏡における試料ステージ傾斜機構 |
| CA2444484A1 (en) * | 2002-04-10 | 2003-10-10 | Dave Riling | Automated protein cyrstallization imaging |
| US6537885B1 (en) * | 2002-05-09 | 2003-03-25 | Infineon Technologies Ag | Transistor and method of manufacturing a transistor having a shallow junction formation using a two step EPI layer |
| KR100609603B1 (ko) * | 2002-05-17 | 2006-08-04 | 주식회사 미르기술 | 엑스레이 및 비주얼검사가 통합된 인쇄회로기판 검사장치 |
| US6862491B2 (en) * | 2002-05-22 | 2005-03-01 | Applied Materials Israel, Ltd. | System and method for process variation monitor |
| US6902980B2 (en) * | 2003-06-05 | 2005-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of fabricating a high performance MOSFET device featuring formation of an elevated source/drain region |
| US7027143B1 (en) | 2002-10-15 | 2006-04-11 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging at off-stepper wavelengths |
| US7379175B1 (en) | 2002-10-15 | 2008-05-27 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for reticle inspection and defect review using aerial imaging |
| US7123356B1 (en) | 2002-10-15 | 2006-10-17 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging and die-to-database detection |
| JP4388270B2 (ja) * | 2002-11-18 | 2009-12-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 表面検査方法及び表面検査装置 |
| KR100492158B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2005-06-02 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 검사 장치 |
| US7133119B1 (en) | 2002-12-17 | 2006-11-07 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems for simulating high NA and polarization effects in aerial images |
| DE10260817B3 (de) * | 2002-12-23 | 2004-08-26 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Analyse von Kratzern auf Halbleiterwafern |
| US7180658B2 (en) | 2003-02-21 | 2007-02-20 | Kla-Tencor Technologies Corporation | High performance catadioptric imaging system |
| KR100499159B1 (ko) * | 2003-02-28 | 2005-07-01 | 삼성전자주식회사 | 리세스 채널을 갖는 반도체장치 및 그 제조방법 |
| US6841776B1 (en) * | 2003-04-01 | 2005-01-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method and apparatus for high-speed inspection and review |
| KR100621546B1 (ko) * | 2003-05-14 | 2006-09-13 | 삼성전자주식회사 | 엘리베이티드 소오스/드레인 구조의 모스트랜지스터 및 그제조방법 |
| JP2004349515A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Hitachi High-Technologies Corp | Ｓｅｍ式外観検査装置，レビュー装置、およびアライメント座標設定方法 |
| US7027934B2 (en) * | 2003-09-24 | 2006-04-11 | 3M Innovative Properties Company | Apparatus and method for automated web inspection |
| US20050122508A1 (en) * | 2003-10-31 | 2005-06-09 | Sachio Uto | Method and apparatus for reviewing defects |
| US7532749B2 (en) * | 2003-11-18 | 2009-05-12 | Panasonic Corporation | Light processing apparatus |
| US7092082B1 (en) * | 2003-11-26 | 2006-08-15 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Method and apparatus for inspecting a semiconductor wafer |
| KR20060128979A (ko) * | 2003-12-31 | 2006-12-14 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 웹 기반 제품의 수율을 최대화하는 방법 및 시스템 |
| US7120515B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-10-10 | 3M Innovative Properties Company | Inventory control for web-based articles |
| JP4758358B2 (ja) | 2004-01-29 | 2011-08-24 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レチクル設計データにおける欠陥を検出するためのコンピュータに実装される方法 |
| US7623699B2 (en) | 2004-04-19 | 2009-11-24 | 3M Innovative Properties Company | Apparatus and method for the automated marking of defects on webs of material |
| US7141791B2 (en) * | 2004-09-07 | 2006-11-28 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and method for E-beam dark field imaging |
| JP4904034B2 (ja) | 2004-09-14 | 2012-03-28 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体 |
| US20090136117A1 (en) * | 2004-10-26 | 2009-05-28 | May High-Tech Solutions Ltd. | Method and apparatus for residue detection on a polished wafer |
| KR100750899B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2007-08-22 | 삼성중공업 주식회사 | 용접부 결함검사를 위한 검사장비 |
| JP2006261162A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Hitachi High-Technologies Corp | レビュー装置及びレビュー装置における検査方法 |
| JP5006520B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2012-08-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察装置及び欠陥観察装置を用いた欠陥観察方法 |
| US7298495B2 (en) * | 2005-06-23 | 2007-11-20 | Lewis George C | System and method for positioning an object through use of a rotating laser metrology system |
| US7769225B2 (en) | 2005-08-02 | 2010-08-03 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern |
| US7747062B2 (en) * | 2005-11-09 | 2010-06-29 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods, defect review tools, and systems for locating a defect in a defect review process |
| US8041103B2 (en) | 2005-11-18 | 2011-10-18 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space |
| US7570796B2 (en) | 2005-11-18 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
| US7676077B2 (en) | 2005-11-18 | 2010-03-09 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
| KR101195226B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2012-10-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 분석 시스템 |
| ATE425452T1 (de) * | 2006-06-13 | 2009-03-15 | Abb Oy | Verfahren und vorrichtung zur erkennung von sich wiederholenden mustern |
| US20080013820A1 (en) | 2006-07-11 | 2008-01-17 | Microview Technology Ptd Ltd | Peripheral inspection system and method |
| JP2008052139A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Olympus Corp | 観察装置 |
| KR100819000B1 (ko) * | 2006-10-02 | 2008-04-02 | 삼성전자주식회사 | 패턴 검사, 확인 및 수정 공정을 분리하여 진행하는포토마스크 검사 방법과 그에 사용되는 시스템들 및 패턴확인 시스템 |
| US8184282B2 (en) * | 2006-11-02 | 2012-05-22 | Camtek Ltd. | Method and system for defect detection using transmissive bright field illumination and transmissive dark field illumination |
| US7728969B2 (en) * | 2006-12-05 | 2010-06-01 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for identifying defect types on a wafer |
| US7904845B2 (en) * | 2006-12-06 | 2011-03-08 | Kla-Tencor Corp. | Determining locations on a wafer to be reviewed during defect review |
| JP5427609B2 (ja) | 2006-12-19 | 2014-02-26 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 検査レシピ作成システムおよびその方法 |
| WO2008086282A2 (en) | 2007-01-05 | 2008-07-17 | Kla-Tencor Corporation | Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions |
| US7525090B1 (en) | 2007-03-16 | 2009-04-28 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Dynamic centering for behind-the-lens dark field imaging |
| US7962863B2 (en) | 2007-05-07 | 2011-06-14 | Kla-Tencor Corp. | Computer-implemented methods, systems, and computer-readable media for determining a model for predicting printability of reticle features on a wafer |
| US7738093B2 (en) | 2007-05-07 | 2010-06-15 | Kla-Tencor Corp. | Methods for detecting and classifying defects on a reticle |
| US8213704B2 (en) | 2007-05-09 | 2012-07-03 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern |
| US8045145B1 (en) | 2007-06-06 | 2011-10-25 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for acquiring information about a defect on a specimen |
| US7796804B2 (en) | 2007-07-20 | 2010-09-14 | Kla-Tencor Corp. | Methods for generating a standard reference die for use in a die to standard reference die inspection and methods for inspecting a wafer |
| US7542821B2 (en) * | 2007-07-26 | 2009-06-02 | 3M Innovative Properties Company | Multi-unit process spatial synchronization of image inspection systems |
| US8175739B2 (en) * | 2007-07-26 | 2012-05-08 | 3M Innovative Properties Company | Multi-unit process spatial synchronization |
| US20090028417A1 (en) * | 2007-07-26 | 2009-01-29 | 3M Innovative Properties Company | Fiducial marking for multi-unit process spatial synchronization |
| US7711514B2 (en) | 2007-08-10 | 2010-05-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods, carrier media, and systems for generating a metrology sampling plan |
| TWI469235B (zh) | 2007-08-20 | 2015-01-11 | Kla Tencor Corp | 決定實際缺陷是潛在系統性缺陷或潛在隨機缺陷之由電腦實施之方法 |
| US8863056B2 (en) * | 2007-08-23 | 2014-10-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated design-for-manufacturing platform |
| KR100898225B1 (ko) | 2007-09-07 | 2009-05-18 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자 및 이의 제조방법 |
| KR101360251B1 (ko) * | 2007-11-23 | 2014-02-11 | 삼성전자 주식회사 | 웨이퍼 디펙트 검사장치 및 그 방법 |
| KR100873154B1 (ko) * | 2008-01-30 | 2008-12-10 | 한국표준과학연구원 | 포토 마스크의 수리장치 및 이를 이용한 수리방법 |
| US8139844B2 (en) | 2008-04-14 | 2012-03-20 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for determining a defect criticality index for defects on wafers |
| US8654320B2 (en) * | 2008-06-02 | 2014-02-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Beam Path Monitoring Device and Beam Path Monitoring System |
| US7714287B1 (en) | 2008-06-05 | 2010-05-11 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and method for obtaining topographical dark-field images in a scanning electron microscope |
| JP6185693B2 (ja) | 2008-06-11 | 2017-08-23 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーションＫｌａ−Ｔｅｎｃｏｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | ウェーハー上の設計欠陥および工程欠陥の検出、ウェーハー上の欠陥の精査、設計内の１つ以上の特徴を工程監視特徴として使用するための選択、またはそのいくつかの組み合わせのためのシステムおよび方法 |
| WO2010014609A2 (en) | 2008-07-28 | 2010-02-04 | Kla-Tencor Corporation | Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for classifying defects detected in a memory device area on a wafer |
| US7797133B2 (en) * | 2008-09-10 | 2010-09-14 | 3M Innovative Properties Company | Multi-roller registered repeat defect detection of a web process line |
| JP2010096554A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検出方法の高感度化 |
| JP5492409B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2014-05-14 | 株式会社堀場製作所 | 電子顕微鏡装置 |
| SG164292A1 (en) * | 2009-01-13 | 2010-09-29 | Semiconductor Technologies & Instruments Pte | System and method for inspecting a wafer |
| US8775101B2 (en) | 2009-02-13 | 2014-07-08 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
| US8204297B1 (en) | 2009-02-27 | 2012-06-19 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for classifying defects detected on a reticle |
| US8112241B2 (en) | 2009-03-13 | 2012-02-07 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for generating an inspection process for a wafer |
| US8208714B2 (en) * | 2009-05-21 | 2012-06-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Formation of prescribed pattern on wafer for use in SEM defect offset |
| DE102009026187A1 (de) * | 2009-07-16 | 2011-01-27 | Hseb Dresden Gmbh | Inspektionssystem |
| KR101138648B1 (ko) * | 2009-10-08 | 2012-04-26 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 고속기판검사장치 및 이를 이용한 고속기판검사방법 |
| JP5216752B2 (ja) | 2009-11-18 | 2013-06-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検出方法及び欠陥検出装置並びにこれを備えた欠陥観察装置 |
| US10354405B2 (en) * | 2010-05-17 | 2019-07-16 | Kla-Tencor Corporation | Run-time correction of defect locations during defect review |
| JP5770434B2 (ja) * | 2010-06-24 | 2015-08-26 | 株式会社堀場製作所 | 電子顕微鏡装置 |
| WO2012006558A2 (en) | 2010-07-08 | 2012-01-12 | Fei Company | Charged particle beam processing system with visual and infrared imaging |
| US8643835B2 (en) * | 2010-07-09 | 2014-02-04 | Kla-Tencor Corporation | Active planar autofocus |
| US8781781B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-07-15 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic care areas |
| GB2484197A (en) * | 2010-09-29 | 2012-04-04 | Zeiss Carl Nts Gmbh | Particle beam microscope and method of operating the particle microscope |
| US8487252B2 (en) * | 2010-09-29 | 2013-07-16 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Particle beam microscope and method for operating the particle beam microscope |
| US8227752B1 (en) | 2011-02-17 | 2012-07-24 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Method of operating a scanning electron microscope |
| US9170211B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-10-27 | Kla-Tencor Corp. | Design-based inspection using repeating structures |
| US9087367B2 (en) * | 2011-09-13 | 2015-07-21 | Kla-Tencor Corp. | Determining design coordinates for wafer defects |
| US8803242B2 (en) * | 2011-09-19 | 2014-08-12 | Eta Semiconductor Inc. | High mobility enhancement mode FET |
| JP5825964B2 (ja) * | 2011-10-05 | 2015-12-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査又は観察装置及び試料の検査又は観察方法 |
| TWI434022B (zh) * | 2011-11-29 | 2014-04-11 | Univ Nat Taipei Technology | 彩色共焦顯微系統及其訊號處理方法 |
| US8831334B2 (en) | 2012-01-20 | 2014-09-09 | Kla-Tencor Corp. | Segmentation for wafer inspection |
| JP5882072B2 (ja) | 2012-02-06 | 2016-03-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察方法及びその装置 |
| DE102012202519A1 (de) * | 2012-02-17 | 2013-08-22 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren und Vorrichtungen zur Präparation mikroskopischer Proben mit Hilfe von gepulstem Licht |
| US9939386B2 (en) | 2012-04-12 | 2018-04-10 | KLA—Tencor Corporation | Systems and methods for sample inspection and review |
| US8826200B2 (en) | 2012-05-25 | 2014-09-02 | Kla-Tencor Corp. | Alteration for wafer inspection |
| US9189844B2 (en) | 2012-10-15 | 2015-11-17 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using defect-specific information |
| US20140152804A1 (en) * | 2012-12-05 | 2014-06-05 | Seagate Technology Llc | Sub-pixel imaging for enhanced pixel resolution |
| EP2747121A1 (en) * | 2012-12-21 | 2014-06-25 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Secondary electron optics & detection device |
| US9053527B2 (en) | 2013-01-02 | 2015-06-09 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
| US9134254B2 (en) | 2013-01-07 | 2015-09-15 | Kla-Tencor Corp. | Determining a position of inspection system output in design data space |
| US9311698B2 (en) | 2013-01-09 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using template image matching |
| US8815693B2 (en) | 2013-01-23 | 2014-08-26 | International Business Machines Corporation | FinFET device formation |
| US9092846B2 (en) | 2013-02-01 | 2015-07-28 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using defect-specific and multi-channel information |
| US9865512B2 (en) | 2013-04-08 | 2018-01-09 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic design attributes for wafer inspection |
| US9310320B2 (en) | 2013-04-15 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Based sampling and binning for yield critical defects |
| US10410338B2 (en) * | 2013-11-04 | 2019-09-10 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for correlating optical images with scanning electron microscopy images |
| US9082851B2 (en) | 2013-11-22 | 2015-07-14 | International Business Machines Corporation | FinFET having suppressed leakage current |
| US9564291B1 (en) * | 2014-01-27 | 2017-02-07 | Mochii, Inc. | Hybrid charged-particle beam and light beam microscopy |
| KR101565242B1 (ko) | 2014-04-17 | 2015-11-03 | (주)오로스 테크놀로지 | 기판의 오버레이 에러를 계측하는 계측장치 |
| US9535010B2 (en) * | 2014-05-15 | 2017-01-03 | Kla-Tencor Corp. | Defect sampling for electron beam review based on defect attributes from optical inspection and optical review |
| JP6408259B2 (ja) * | 2014-06-09 | 2018-10-17 | 株式会社キーエンス | 画像検査装置、画像検査方法、画像検査プログラム及びコンピュータで読み取り可能な記録媒体並びに記録した機器 |
| JP2016109485A (ja) * | 2014-12-03 | 2016-06-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察方法及び欠陥観察装置 |
| US9466693B1 (en) | 2015-11-17 | 2016-10-11 | International Business Machines Corporation | Self aligned replacement metal source/drain finFET |
| CN110337707B (zh) * | 2017-02-13 | 2021-09-28 | 株式会社日立高新技术 | 带电粒子线装置 |
| CN106910665B (zh) * | 2017-03-01 | 2019-07-12 | 聚束科技（北京）有限公司 | 一种全自动化的扫描电子显微镜及其探测方法 |
| US10402963B2 (en) * | 2017-08-24 | 2019-09-03 | Kla-Tencor Corporation | Defect detection on transparent or translucent wafers |
| DE102018105396A1 (de) * | 2018-03-08 | 2019-09-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Vorrichtung und verfahren zur inspektion eines wafers |
| CN108646167B (zh) * | 2018-04-27 | 2020-12-04 | 中科晶源微电子技术（北京）有限公司 | 用于半导体器件的激光辅助的电子束检测设备和方法 |
| CN112740362A (zh) | 2018-07-20 | 2021-04-30 | Asml荷兰有限公司 | 用于裸晶片检查的系统和方法 |
| CN109904087A (zh) * | 2019-01-14 | 2019-06-18 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种半导体晶圆表面颗粒度的检测方法和装置 |
| KR102374612B1 (ko) * | 2019-08-22 | 2022-03-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 장치 및 레이저 가공 방법 |
| US11525777B2 (en) * | 2020-04-28 | 2022-12-13 | Applied Materials Israel Ltd. | Optimizing signal-to-noise ratio in optical imaging of defects on unpatterned wafers |
| US11474437B2 (en) * | 2020-04-28 | 2022-10-18 | Applied Materials Israel Ltd. | Increasing signal-to-noise ratio in optical imaging of defects on unpatterned wafers |
| CN111707670B (zh) * | 2020-06-28 | 2023-10-27 | 武汉精立电子技术有限公司 | 一种基于旋转载台的缺陷检测方法及装置 |
| US11600504B2 (en) * | 2020-06-29 | 2023-03-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Detecting damaged semiconductor wafers utilizing a semiconductor wafer sorter tool of an automated materials handling system |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5767844A (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-24 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Surface inspecting device |
| JPH03174738A (ja) * | 1989-09-21 | 1991-07-29 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置の検査方法 |
| JPH0464245A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-02-28 | Hitachi Ltd | 光学顕微鏡付電子顕微鏡およびそれを用いた外観検査装置 |
| JPH0636727A (ja) * | 1992-04-24 | 1994-02-10 | Amray Inc | 自動焦点装置 |
| JPH07325041A (ja) * | 1994-06-02 | 1995-12-12 | Mitsubishi Electric Corp | 微小異物の位置決め方法、分析方法、これに用いる分析装置およびこれを用いた半導体素子もしくは液晶表示素子の製法 |
| JPH07333164A (ja) * | 1994-06-14 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | 検査方法および検査装置 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4598997A (en) | 1982-02-15 | 1986-07-08 | Rca Corporation | Apparatus and method for detecting defects and dust on a patterned surface |
| US4595289A (en) * | 1984-01-25 | 1986-06-17 | At&T Bell Laboratories | Inspection system utilizing dark-field illumination |
| US4585315A (en) * | 1984-11-13 | 1986-04-29 | International Business Machines Corporation | Brightfield/darkfield microscope illuminator |
| US4898471A (en) | 1987-06-18 | 1990-02-06 | Tencor Instruments | Particle detection on patterned wafers and the like |
| JP3148353B2 (ja) * | 1991-05-30 | 2001-03-19 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 電子ビーム検査方法とそのシステム |
| US5200352A (en) * | 1991-11-25 | 1993-04-06 | Motorola Inc. | Transistor having a lightly doped region and method of formation |
| US5267017A (en) | 1992-05-20 | 1993-11-30 | Applied Materials, Inc. | Method of particle analysis on a mirror wafer |
| US5479252A (en) * | 1993-06-17 | 1995-12-26 | Ultrapointe Corporation | Laser imaging system for inspection and analysis of sub-micron particles |
| KR970004486B1 (ko) * | 1993-12-08 | 1997-03-28 | 재단법인 한국전자통신연구소 | 비대칭 페브리-페롯 공명구조와 결합된 화합물 반도체 얕은 다중 양자 우물구조 |
| KR960005761A (ko) * | 1994-07-27 | 1996-02-23 | 이데이 노부유끼 | 반도체장치 |
| US5496750A (en) * | 1994-09-19 | 1996-03-05 | Texas Instruments Incorporated | Elevated source/drain junction metal oxide semiconductor field-effect transistor using blanket silicon deposition |
| US5539229A (en) * | 1994-12-28 | 1996-07-23 | International Business Machines Corporation | MOSFET with raised STI isolation self-aligned to the gate stack |
| US5497007A (en) | 1995-01-27 | 1996-03-05 | Applied Materials, Inc. | Method for automatically establishing a wafer coordinate system |
| US5659172A (en) | 1995-06-21 | 1997-08-19 | Opal Technologies Ltd. | Reliable defect detection using multiple perspective scanning electron microscope images |
| WO1997002465A1 (en) * | 1995-06-30 | 1997-01-23 | Ultrapointe Corporation | Method for characterizing defects on semiconductor wafers |
| US5504031A (en) * | 1995-07-03 | 1996-04-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Elevated source/drain with solid phase diffused source/drain extension for deep sub-micron mosfets |
| US5761064A (en) * | 1995-10-06 | 1998-06-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Defect management system for productivity and yield improvement |
| KR0162153B1 (ko) * | 1995-12-21 | 1998-12-01 | 김태구 | 차량의 센터 필러 보강구조 |
| US5798829A (en) | 1996-03-05 | 1998-08-25 | Kla-Tencor Corporation | Single laser bright field and dark field system for detecting anomalies of a sample |
| US5917588A (en) * | 1996-11-04 | 1999-06-29 | Kla-Tencor Corporation | Automated specimen inspection system for and method of distinguishing features or anomalies under either bright field or dark field illumination |
| US5734164A (en) | 1996-11-26 | 1998-03-31 | Amray, Inc. | Charged particle apparatus having a canted column |
| AU7597798A (en) * | 1997-05-29 | 1998-12-30 | Paul P. Castrucci | Semiconductor wafer processing apparatus and method with defect eradication |
| US6011619A (en) * | 1997-12-09 | 2000-01-04 | Advanced Micro Devices | Semiconductor wafer optical scanning system and method using swath-area defect limitation |
| US6067154A (en) * | 1998-10-23 | 2000-05-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for the molecular identification of defects in semiconductor manufacturing using a radiation scattering technique such as raman spectroscopy |
-
1999
- 1999-06-15 US US09/334,115 patent/US6407373B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-06-15 KR KR1020000032956A patent/KR100808718B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-06-15 JP JP2000219834A patent/JP2001133417A/ja active Pending
- 2000-06-15 EP EP00112703A patent/EP1061358A3/en not_active Withdrawn
- 2000-10-13 US US09/687,992 patent/US6445042B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5767844A (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-24 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Surface inspecting device |
| JPH03174738A (ja) * | 1989-09-21 | 1991-07-29 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置の検査方法 |
| JPH0464245A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-02-28 | Hitachi Ltd | 光学顕微鏡付電子顕微鏡およびそれを用いた外観検査装置 |
| JPH0636727A (ja) * | 1992-04-24 | 1994-02-10 | Amray Inc | 自動焦点装置 |
| JPH07325041A (ja) * | 1994-06-02 | 1995-12-12 | Mitsubishi Electric Corp | 微小異物の位置決め方法、分析方法、これに用いる分析装置およびこれを用いた半導体素子もしくは液晶表示素子の製法 |
| JPH07333164A (ja) * | 1994-06-14 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | 検査方法および検査装置 |
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003004653A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-08 | Seiko Instruments Inc | レーザ欠陥検出機能を備えた走査型電子顕微鏡におけるｃｃｄカメラ自動切替方式 |
| JP4681153B2 (ja) * | 2001-06-19 | 2011-05-11 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | レーザ欠陥検出機能を備えた走査型電子顕微鏡におけるｃｃｄカメラ自動切替方法およびシステム |
| JP2005156537A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥観察方法及びその装置 |
| JP4521240B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2010-08-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察方法及びその装置 |
| JP2010135335A (ja) * | 2004-04-16 | 2010-06-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
| JP2007071803A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥観察方法及びその装置 |
| US7851753B2 (en) | 2005-09-09 | 2010-12-14 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for reviewing defects |
| US8093557B2 (en) | 2006-03-03 | 2012-01-10 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for reviewing defects |
| US7601954B2 (en) | 2006-03-03 | 2009-10-13 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for reviewing defects |
| US8975582B2 (en) | 2006-03-03 | 2015-03-10 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for reviewing defects |
| JP2007235023A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥観察方法および装置 |
| JP2007263884A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Fujitsu Ltd | 欠陥識別装置及び方法 |
| KR100811444B1 (ko) * | 2006-08-29 | 2008-03-07 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 분석방법 |
| JP2008111777A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Jeol Ltd | 顕微鏡用試料作成装置 |
| US8045146B2 (en) | 2007-06-22 | 2011-10-25 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for reviewing defect |
| JP2012532458A (ja) * | 2009-07-01 | 2012-12-13 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 時間的に変化する欠陥分類性能の監視 |
| WO2011132766A1 (ja) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | レビュー方法、およびレビュー装置 |
| JP2012014170A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Asml Holding Nv | 光ウィンドウとともに広角対物レンズを用いる検査装置 |
| JP2012127848A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥観察方法及びその装置 |
| US20130277553A1 (en) * | 2010-12-16 | 2013-10-24 | Yuko Otani | Method and apparatus for observing defects |
| US9773641B2 (en) | 2010-12-16 | 2017-09-26 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for observing defects |
| WO2012081341A1 (ja) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察方法及びその装置 |
| JP2013118183A (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-13 | Charm Engineering Co Ltd | 基板検査装置 |
| JP2014095578A (ja) * | 2012-11-08 | 2014-05-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検出方法及びその装置並びに欠陥観察方法及びその装置 |
| TWI480542B (zh) * | 2012-11-08 | 2015-04-11 | Hitachi High Tech Corp | A defect detection method and apparatus therefor, and a defect observation method and apparatus therefor |
| US9683946B2 (en) | 2012-11-08 | 2017-06-20 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and device for detecting defects and method and device for observing defects |
| WO2014073532A1 (ja) * | 2012-11-08 | 2014-05-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検出方法及びその装置並びに欠陥観察方法及びその装置 |
| JP2015087114A (ja) * | 2013-10-28 | 2015-05-07 | 凸版印刷株式会社 | 検査装置 |
| JP2022514830A (ja) * | 2018-12-28 | 2022-02-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 荷電粒子ビームを集束させるためのシステム及び方法 |
| JP7221393B2 (ja) | 2018-12-28 | 2023-02-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 荷電粒子ビームを集束させるためのシステム及び方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1061358A3 (en) | 2004-01-28 |
| KR100808718B1 (ko) | 2008-02-29 |
| KR20010007394A (ko) | 2001-01-26 |
| EP1061358A2 (en) | 2000-12-20 |
| US6445042B1 (en) | 2002-09-03 |
| US6407373B1 (en) | 2002-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100808718B1 (ko) | 목적물의 결함을 검사하기 위한 장치 및 방법 | |
| US7127098B2 (en) | Image detection method and its apparatus and defect detection method and its apparatus | |
| US8045146B2 (en) | Method and apparatus for reviewing defect | |
| JP5060684B2 (ja) | 半導体ウェーハを検査するシステム及び方法 | |
| US6731384B2 (en) | Apparatus for detecting foreign particle and defect and the same method | |
| US5917588A (en) | Automated specimen inspection system for and method of distinguishing features or anomalies under either bright field or dark field illumination | |
| US6504948B1 (en) | Apparatus and method for automatically detecting defects on silicon dies on silicon wafers | |
| US7110106B2 (en) | Surface inspection system | |
| US8045145B1 (en) | Systems and methods for acquiring information about a defect on a specimen | |
| US8975582B2 (en) | Method and apparatus for reviewing defects | |
| US6175646B1 (en) | Apparatus for detecting defective integrated circuit dies in wafer form | |
| US20050094136A1 (en) | Defect review system and method | |
| US20130044316A1 (en) | Device and method for inspecting moving semicondutor wafers | |
| JP2007071803A (ja) | 欠陥観察方法及びその装置 | |
| KR101729952B1 (ko) | 결함 검출 방법 및 그 장치 및 결함 관찰 방법 및 그 장치 | |
| JP4521240B2 (ja) | 欠陥観察方法及びその装置 | |
| JP2003177101A (ja) | 欠陥検査方法及びその装置並びに撮像方法及びその装置 | |
| JP4769828B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
| US20050105791A1 (en) | Surface inspection method | |
| US10545099B1 (en) | Ultra-high sensitivity hybrid inspection with full wafer coverage capability | |
| EP3025369A1 (en) | Auto-focus system and methods for die-to-die inspection | |
| JP4230184B2 (ja) | ウェーハ検査装置およびウェーハ検査方法 | |
| CN111916366A (zh) | 晶圆检测设备 | |
| JP5544894B2 (ja) | ウエハ検査装置及びウエハ検査方法 | |
| TWI826833B (zh) | 檢測設備及非暫時性電腦可讀媒體 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070612 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090908 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091203 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100303 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100308 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100602 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101104 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110203 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110208 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110304 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110309 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110506 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111102 |