JP6185693B2 - ウェーハー上の設計欠陥および工程欠陥の検出、ウェーハー上の欠陥の精査、設計内の1つ以上の特徴を工程監視特徴として使用するための選択、またはそのいくつかの組み合わせのためのシステムおよび方法 - Google Patents
ウェーハー上の設計欠陥および工程欠陥の検出、ウェーハー上の欠陥の精査、設計内の1つ以上の特徴を工程監視特徴として使用するための選択、またはそのいくつかの組み合わせのためのシステムおよび方法 Download PDFInfo
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Description
設計欠陥に基づいて決定される座標の対象であるウェーハー上の位置は系統的欠陥サンプルを構成し、ランダムに選択される欠陥はランダムなサンプルを構成し、系統的欠陥サンプルおよびランダムなサンプル用に本明細書で記載される画像化およびその他の機能は、同じ工程で実行されてもよい。ウェーハー検査結果からランダムに選択される欠陥は、電子ビーム精査および分類(EBRC)によって精査されてもよい。その場合、精査は電子ビーム精査サブシステムによって実行されてもよい。このように、ウェーハー検査システムによって検出される工程欠陥は、EBRCシステムと類似の機能を有するシステムによって精査してもよい。しかし、系統的欠陥または潜在的に系統的欠陥用のDDR、およびランダム欠陥サンプル用のEBRCの両方を同じシステムを使って実行してもよい。
適用例1:ウェーハー上の設計欠陥および工程欠陥を検出するように構成されたシステムであって、製造工程を用いて設計が印刷されるウェーハーの画像を得るように構成された電子ビーム精査サブシステムと、コンピューターサブシステムと、を備え、前記コンピューターサブシステムは、前記設計を検査して、前記設計内の欠陥を検出し、前記電子ビーム精査サブシステムにより得られる、前記ウェーハー上に印刷された前記設計内のダイスの画像と、データベースに記憶されているダイスの画像とを比較し、前記設計内の追加の欠陥を検出し、前記設計内の欠陥、前記設計内の追加欠陥およびウェーハー検査システムにより検出される前記ウェーハー上の欠陥に基づいて、前記電子ビーム精査サブシステムによる画像取得対象の前記ウェーハー上の位置を決定し、前記位置で得られた前記画像を用いて、前記位置における設計欠陥および工程欠陥を検出するように構成されている、システム。
適用例2:前記コンピューターシステムは、複数のウェーハー上の前記位置で得られる前記画像を使用して、前記複数のウェーハー上の位置における前記設計欠陥および工程欠陥を監視するように更に構成されている、適用例1に記載のシステム。
適用例3:前記工程欠陥は、系統的欠陥、ランダム欠陥またはその組み合わせを含む、適用例1に記載のシステム。
適用例4:前記コンピューターサブシステムは、前記ウェーハー上に印刷されるダイスの画像と設計クリップとを比較することにより、前記設計欠陥および工程欠陥を検出するように更に構成されている、適用例1に記載のシステム。
適用例5:前記コンピューターサブシステムは、前記設計内の前記設計欠陥および工程欠陥の位置、前記製造工程用のプロセスウィンドウに及ぼす前記設計欠陥および工程欠陥の影響、前記設計に対応する装置の機能性に及ぼす前記設計欠陥および工程欠陥の影響またはそのいくつかの組み合わせに基づいて、設計クリップを用いて前記設計欠陥および工程欠陥を分類するように更に構成されている、適用例1に記載のシステム。
適用例6:前記コンピューターサブシステムは、前記設計内のホットスポットを特定し、前記設計内のホットスポットに基づいて、前記電子ビーム精査サブシステムによる画像取得対象の前記ウェーハー上の位置を決定するように更に構成されている、適用例1に記載のシステム。
適用例7:前記設計内の追加欠陥は、前記コンピューターシステムにより実行される前記設計の検査によっては検出されなかった、適用例1に記載のシステム。
適用例8:前記コンピューターサブシステムは、プロセスウィンドウ品質分析を用いてレチクル上の欠陥を検出し、前記レチクル上の欠陥に基づいて、前記電子ビーム精査サブシステムによる画像取得対象の前記ウェーハー上の位置を決定するように更に構成されている、適用例1に記載のシステム。
適用例9:前記コンピューターサブシステムは、レチクル検査システムによってレチクル上に検出される欠陥に基づいて、前記電子ビーム精査サブシステムによる画像取得対象の前記ウェーハー上の位置を決定するように更に構成されている、適用例1に記載のシステム。
適用例10:前記コンピューターサブシステムは、歩留まりシミュレーション結果に基づいて、前記電子ビーム精査サブシステムによる画像取得対象の前記ウェーハー上の位置を決定するように更に構成されている、適用例1に記載のシステム。
適用例11:前記コンピューターサブシステムは、前記ウェーハー検査システムが生成する出力に基づき、前記ウェーハー検査システムによって前記ウェーハー上に検出される前記欠陥に関する情報を得るように更に構成されている、適用例1に記載のシステム。
適用例12:前記電子ビーム精査サブシステムは、限界寸法計測を実行するように更に構成されている、適用例1に記載のシステム。
適用例13:前記コンピューターサブシステムは、前記位置で検出される前記設計欠陥および工程欠陥の特徴づけをするように更に構成されている、適用例1に記載のシステム。
適用例14:前記コンピューターサブシステムは、前記位置で得られる画像と設計クリップとを比較して前記位置で前記設計欠陥および工程欠陥の位置決めをし、前記設計欠陥および工程欠陥を分類し、前記設計欠陥および工程欠陥の相対計測を実行し、前記設計欠陥および工程欠陥の余裕度分析を実行するように更に構成されている、適用例1に記載のシステム。
適用例15:前記コンピューターサブシステムは、前記製造工程における複数の工程ステップからの欠陥情報を重ね合わせ、設計と工程の相互作用問題を特定するように更に構成されている、適用例1に記載のシステム。
適用例16:前記コンピューターサブシステムは、前記設計欠陥および工程欠陥の差動寸法計測を実行し、前記設計欠陥および工程欠陥が欠陥であるかパラメトリック変動であるか、前記設計欠陥および工程欠陥が装置の性能または信頼性に影響を及ぼすか否か、並びに前記パラメトリック変動の余裕度対事前に設定した余裕度閾値を決定することにより、余裕度分析を行なうように更に構成されている、適用例1に記載のシステム。
適用例17:前記コンピューターサブシステムは、前記余裕度分析の結果に基づいて欠陥分類を行うように更に構成されている、適用例16に記載のシステム。
適用例18:前記事前に設定した余裕度閾値は、前記電子ビーム精査サブシステムを用いて計測される、適用例16に記載のシステム。
適用例19:前記コンピューターサブシステムは、前記設計を変更して前記設計内の欠陥を修正するように更に構成されている、適用例1に記載のシステム。
適用例20:前記製造工程はリソグラフィ工程を含み、前記コンピューターサブシステムは、前記画像および検査ツールにより実行されるプロセスウィンドウ品質分析の結果を用いて、前記リソグラフィ工程のプロセスウィンドウを監視するように更に構成されている、適用例1に記載のシステム。
適用例21:前記コンピューターサブシステムは、レチクル検査システムによるレチクルの検査結果に基づいて、前記電子ビーム精査サブシステムによる画像取得対象の前記ウェーハー上の位置を決定するように更に構成され、前記製造工程は前記レチクルを用いるリソグラフィ工程を含み、前記コンピューターサブシステムは、前記画像および前記レチクルの検査結果を用いて、前記レチクル上に検出される欠陥により引き起こされる前記リソグラフィ工程のプロセスウィンドウの変動を監視するように更に構成されている、適用例1に記載のシステム。
適用例22:前記製造工程はリソグラフィ工程を含み、前記コンピューターサブシステムは、前記リソグラフィ工程の1つ以上のパラメーターの異なる値で、前記設計内の特徴が前記ウェーハー上にどのように印刷されるかをシミュレートするように更に構成され、前記異なる値にはリソグラフィ工程のプロセスウィンドウの中心に対応する名目値も含まれ、前記コンピューターサブシステムは、前記特徴が失敗する1つ以上のパラメーターの値を計測し、前記名目値に最も近い前記1つ以上のパラメーターの値で失敗する1つ以上の前記特徴を特定し、前記リソグラフィ工程を監視するのに用いられる前記特徴として特定される前記1つ以上の特徴を選択するように更に構成されている、適用例1に記載のシステム。
適用例23:ウェーハー上の欠陥を精査するように構成されたシステムであって、製造工程を用いて設計を印刷するウェーハー上の個別位置の画像を得るように構成された電子ビーム精査サブシステムと、プロセスウィンドウ品質分析の結果に基づいて個別位置を決定し、前記個別位置のために前記電子ビーム精査サブシステムにより得られた前記画像を用いて、前記個別位置で欠陥精査を実行するように構成されたコンピューターサブシステムと、を備える、システム。
適用例24:前記プロセスウィンドウ品質分析の結果は、欠陥位置、前記分析に関係する分類情報および前記分析のために得られた画像を含む、適用例23に記載のシステム。
適用例25:前記プロセスウィンドウ品質分析の結果は分類情報を含み、前記コンピューターサブシステムは、前記プロセスウィンドウ品質分析の結果を含むファイルを用いて、複数のウェーハー上の個別位置を監視するためのレシピを作成するように更に構成されている、適用例23に記載のシステム。
適用例26:前記製造工程はリソグラフィ工程を含み、前記コンピューターサブシステムは、前記個別位置のために前記電子ビーム精査サブシステムによって得られた画像および前記プロセスウィンドウ品質分析の結果を用いて、前記リソグラフィ工程のプロセスウィンドウを監視するように更に構成されている、適用例23に記載のシステム。
適用例27:前記コンピューターサブシステムは、前記プロセスウィンドウ品質分析の結果およびレチクル検査システムによるレチクルの検査結果に基づいて、前記個別位置を決定するように更に構成され、前記製造工程は、前記レチクルを用いたリソグラフィ工程を含み、前記コンピューターサブシステムは、前記レチクル上に検出される欠陥により引き起こされる前記リソグラフィ工程のプロセスウィンドウの変動を監視するように更に構成されている、適用例23に記載のシステム。
適用例28:前記プロセスウィンドウ品質分析は検査システムにより実行される、適用例23に記載のシステム。
適用例29:前記電子ビーム精査サブシステムは光学顕微鏡を含み、前記コンピューターサブシステムは、前記光学顕微鏡によって得られる前記個別位置の画像およびウェーハー検査システムにより得られる前記個別位置の光学パッチ画像を用いて、前記ウェーハー上の前記個別位置を特定するように更に構成され、前記システムは、前記特定された個別位置に基づいて、前記電子ビーム精査サブシステムの視野に前記個別位置を位置決めするように更に構成されている、適用例23に記載のシステム。
適用例30:前記コンピューターサブシステムは、前記個別位置のために前記電子ビーム精査サブシステムによって得られる画像を用いて、欠陥が前記個別位置に存在するか否かを決定するように更に構成されている、適用例23に記載のシステム。
適用例31:前記コンピューターサブシステムは、前記製造工程の1つ以上のパラメーターの名目値で印刷される設計に対応する画像を、前記プロセスウィンドウ品質分析の結果から抽出し、複数のウェーハー上の前記個別位置監視のためのレシピを生成するため、前記抽出された画像を使用するように更に構成されている、適用例23に記載のシステム。
適用例32:前記プロセスウィンドウ品質分析の結果はボッサング画像を含み、前記コンピューターサブシステムは、前記ボッサング画像と前記個別位置のために前記電子ビーム精査サブシステムによって得られる画像とを比較することにより、前記個別位置で欠陥精査を実行するように更に構成されている、適用例23に記載のシステム。
適用例33:前記コンピューターサブシステムは、前記プロセスウィンドウ品質分析を実行するシステムから、前記プロセスウィンドウ品質分析の結果を取り入れるように更に構成されている、適用例23に記載のシステム。
適用例34:前記コンピューターサブシステムは、前記プロセスウィンドウ品質分析の結果、前記設計の検査により検出される前記設計内の欠陥、前記ウェーハー上に印刷される前記設計のダイスの画像とデータベースに記憶されているダイスの画像とを比較することにより検出される前記設計内の追加欠陥、およびウェーハー検査システムによって前記ウェーハー上に検出される欠陥に基づいて、前記個別位置を決定するように更に構成されている、適用例23に記載のシステム。
適用例35:前記製造工程はリソグラフィ工程を含み、前記コンピューターサブシステムは、前記リソグラフィ工程の1つ以上のパラメーターの異なる値で、前記設計内の特徴が前記ウェーハー上にどのように印刷されるかをシミュレートするように更に構成され、前記異なる値にはリソグラフィ工程のプロセスウィンドウの中心に対応する名目値も含まれ、前記コンピューターサブシステムは、前記特徴が失敗する1つ以上のパラメーターの値を計測し、前記名目値に最も近い前記値で失敗する1つ以上の前記特徴を特定し、前記リソグラフィ工程を監視するのに用いられる前記特徴として特定される前記1つ以上の特徴を選択するように更に構成されている、適用例23に記載のシステム。
適用例36:ウェーハー上の欠陥を精査するように構成されたシステムであって、レチクル付きで実行されるリソグラフィ工程を用いて設計を印刷するウェーハー上の個別位置の画像を得るように構成された電子ビーム精査サブシステムと、プロセスウィンドウ品質分析の結果に基づいて個別位置を決定し、前記個別位置のために前記電子ビーム精査サブシステムにより得られた前記画像、前記レチクルの検査結果および前記レチクル上に検出される欠陥の分類を用いて、前記個別位置で欠陥精査を実行するように構成されたコンピューターサブシステムと、を備える、システム。
適用例37:前記コンピューターサブシステムは、前記レチクルの検査結果および前記個別位置のために前記電子ビーム精査サブシステムによって得られる画像を用いて、前記レチクル上に検出される前記欠陥により引き起こされる、前記リソグラフィ工程のプロセスウィンドウにおける変動を監視するように更に構成されている、適用例36に記載のシステム。
適用例38:前記レチクル上に検出される前記欠陥の分類は、レチクル検査システムによって実行される、適用例36に記載のシステム。
適用例39:前記個別位置は、前記レチクル上の全限界欠陥が精査および捕獲されるように、前記リソグラフィ工程のプロセスウィンドウに影響を及ぼす欠陥の個別位置、前記プロセスウィンドウに影響を及ぼさない欠陥の個別位置、前記ウェーハー上に印刷される欠陥の個別位置、および前記ウェーハー上に印刷されない欠陥の個別位置を含む、適用例36に記載のシステム。
適用例40:前記個別位置は、明視野光学ウェーハー検査システムによっては検出不能なサイズを持つ欠陥の個別位置を含み、前記コンピューターサブシステムは、前記明視野光学ウェーハー検査システムによっては検出不能な欠陥に関して差動寸法分析を実行するように更に構成されている、適用例36に記載のシステム。
適用例41:前記コンピューターサブシステムは、前記個別位置に関して得られる画像の特徴の寸法と前記個別位置と同じダイスの近傍の特徴の寸法とを比較することにより、前記個別位置の欠陥に関して差動寸法分析を実行するように更に構成されている、適用例36に記載のシステム。
適用例42:前記コンピューターサブシステムは、レチクル検査システムからファイルを得るように更に構成されており、前記ファイルは前記レチクルの検査結果、設計座標および設計クリップを含んでおり、前記コンピューターサブシステムは、前記検査結果、前記設計座標および前記設計クリップを用いてレチクル座標をウェーハー座標に変換するように更に構成されている、適用例36に記載のシステム。
適用例43:前記コンピューターサブシステムは、前記欠陥に対応する設計クリップに基づいて、前記個別位置を前記電子ビーム精査サブシステムの視野に位置決めするように更に構成されている、適用例36に記載のシステム。
適用例44:前記コンピューターサブシステムは、前記個別位置用に取得される画像と前記欠陥に対応する設計クリップとを比較して、前記画像と設計意図とを比較するように更に構成されている、適用例36に記載のシステム。
適用例45:前記コンピューターサブシステムは、前記個別位置用に得られる画像を前記レチクルの検査結果を含むファイルに追加するように更に構成されており、レチクル検査システムは、前記ファイルに付加された画像を用いて、レチクル検査用のレシピを設定するように構成されている、適用例36に記載のシステム。
適用例46:前記コンピューターサブシステムは、前記個別位置用に得られる画像を前記レチクルの検査結果を含むファイルに追加するように更に構成されており、コンピューター実施方法は、前記ファイルに付加された画像を用いて、追加設計検査用のレシピを設定するステップを含む、適用例36に記載のシステム。
適用例47:前記コンピューターサブシステムは、前記個別位置の欠陥精査結果に基づいて、レチクル検査用のレシピを変更するように更に構成されている、適用例36に記載のシステム。
適用例48:前記コンピューターサブシステムは、情報をレチクル検査システムへ送信し、情報を前記レチクル検査システムから受信できるように、前記レチクル検査システムに連結されている、適用例36に記載のシステム。
適用例49:前記コンピューターサブシステムは、前記個別位置用に得られる画像とデータベースに記憶されているダイスの画像とを比較するように更に構成されている、適用例36に記載のシステム。
適用例50:前記コンピューターサブシステムは、前記レチクルの検査結果、前記設計の検査により検出される前記設計内の欠陥、前記ウェーハー上に印刷される前記設計のダイスの画像とデータベースに記憶されているダイスの画像とを比較することにより検出される前記設計内の追加欠陥、およびウェーハー検査システムによって前記ウェーハー上に検出される欠陥に基づいて、前記個別位置を決定するように更に構成されている、適用例36に記載のシステム。
適用例51:前記コンピューターサブシステムは、前記レチクルの検査結果および前記レチクル用に実行されるプロセスウィンドウ品質分析の結果に基づいて、前記個別位置を決定するように更に構成されている、適用例36に記載のシステム。
適用例52:前記コンピューターサブシステムは、前記リソグラフィ工程の1つ以上のパラメーターの異なる値で、前記設計内の特徴が前記ウェーハー上にどのように印刷されるかをシミュレートするように更に構成され、前記異なる値にはリソグラフィ工程のプロセスウィンドウの中心に対応する名目値も含まれ、前記コンピューターサブシステムは、前記特徴が失敗する1つ以上のパラメーターの値を計測し、前記名目値に最も近い前記値で失敗する1つ以上の前記特徴を特定し、前記リソグラフィ工程を監視するのに用いられる前記特徴として特定される前記1つ以上の特徴を選択するように更に構成されている、適用例36に記載のシステム。
適用例53:設計内の1つ以上の特徴を工程監視特徴として使用するように選択するコンピューター実施方法であって、コンピューターシステムを使用するステップを備え、前記コンピューターシステムは、前記リソグラフィ工程の1つ以上のパラメーターの異なる値で、前記設計内の特徴が前記ウェーハー上にどのように印刷されるかをシミュレートするステップと、前記特徴が失敗する前記1つ以上のパラメーター値を決定するステップと、名目値に最も近い値で失敗する前記特徴の1つ以上を特定するステップと、
前記特定された1つ以上の特徴を前記リソグラフィ工程を監視するのに使用される特徴として選択するステップと、を実行する、方法。
適用例54:前記リソグラフィ工程を監視するステップは、限界寸法走査電子顕微鏡を用いて、前記1つ以上の選択された特徴の1つ以上の限界寸法を計測するステップを含む、適用例53に記載の方法。
適用例55:前記リソグラフィ工程によってウェーハー上に印刷される前記1つ以上の選択された特徴の1つ以上の限界寸法を計測することにより、前記リソグラフィ工程を監視するステップを更に含み、前記1つ以上の限界寸法の計測値の、前記1つ以上の限界寸法の予測値からの逸脱は、前記リソグラフィ工程における逸脱を示している、適用例53に記載の方法。
適用例56:前記監視のために前記1つ以上の選択された特徴を使用するステップにより、前記リソグラフィ工程における逸脱が、歩留まり限界となる前に、前記監視によって検出可能となる、適用例53に記載の方法。
適用例57:前記リソグラフィ工程によってウェーハー上に印刷される前記1つ以上の選択された特徴の1つ以上の特性を計測し、前記1つ以上の特性に基づいて前記リソグラフィ工程におおける逸脱を決定することにより、前記リソグラフィ工程を監視するステップを更に含む、適用例53に記載の方法。
適用例58:前記リソグラフィ工程によってウェーハー上に印刷される前記1つ以上の選択された特徴の1つ以上の特性を計測し、前記計測ステップを前記シミュレーションステップの結果と整合させ、前記1つ以上の選択された特徴上の1つ以上の位置を、前記監視ステップにより計測されるべき位置として決定することにより、前記リソグラフィ工程を監視するステップを更に含む、適用例53に記載の方法。
適用例59:前記リソグラフィ工程によってウェーハー上に印刷される前記1つ以上の選択された特徴の1つ以上の特性を計測し、前記1つ以上の特性の計測値の前記1つ以上の特性の名目値からの変動を決定し、前記1つ以上の特性の前記計測値における変動の可能性が高い前記1つ以上のパラメーターの異なる値の範囲を決定することにより、前記リソグラフィ工程を監視するステップを更に含む、適用例53に記載の方法。
適用例60:前記リソグラフィ工程によってウェーハー上に印刷される前記1つ以上の選択された特徴の1つ以上の特性を計測し、前記1つ以上の特性に基づいて、実行すべき1つ以上の是正措置を決定することにより、前記リソグラフィ工程を監視するステップを更に含む、適用例53に記載の方法。
適用例61:前記1つ以上の選択された特徴は、前記名目値に最も近い値で失敗する少なくとも1つの特徴を含み、前記少なくとも1つの特徴は、前記名目値から遠く離れた前記1つ以上のパラメーターの他の値全体にわたって実質的に均一に失敗である、適用例53に記載の方法。
適用例62:少なくとも1つの他の特徴を特定するステップであって、前記名目値に最も近い値では失敗しないが、前記少なくとも1つの他の特徴の1つ以上の特性の異なる値が、前記1つ以上のパラメーターの異なる値のうち少なくともいくつかに対応するやり方で失敗する、前記少なくとも1つの他の特徴を特定するステップと、前記リソグラフィ工程を監視するのに使用される1つ以上の追加特徴として、前記少なくとも1つの他の特定された特徴を選択するステップとを更に含む、適用例61に記載の方法。
適用例63:前記1つ以上のパラメーターの異なる値のうち少なくともいくつかに関して異なるタイプの失敗を示す、少なくとも1つの他の特徴を特定するステップと、前記リソグラフィ工程を監視するのに使用される1つ以上の追加特徴として、前記少なくとも1つの他の特定された特徴を選択するステップとを更に含む、適用例53に記載の方法。
適用例64:前記特徴をリソグラフィ的に同等の特徴群にビニングするステップを更に含み、前記選択するステップは、前記リソグラフィ工程を監視するのに使用される特徴としてリソグラフィ的にユニークな特徴が選択されるように、前記群のうち少なくとも2つの群の各々から少なくとも1つの特徴を選択するステップを含む、適用例53に記載の方法。
適用例65:前記特徴の電気的重要性を決定するステップを更に含み、前記特定するステップは、前記特徴が失敗する前記名目値に最も近い値と前記特徴の電気的重要性との関数として、前記特徴の1つ以上を特定するステップを含む、適用例53に記載の方法。
適用例66:前記1つ以上の選択された特徴に基づいて、前記リソグラフィ工程を監視する計測ツール用レシピを生成するステップを更に含む、適用例53に記載の方法。
適用例67:前記設計を検査して前記設計内の欠陥を検出するステップと、前記ウェーハー上に印刷される前記設計内のダイスの画像とデータベースに記憶されるダイスの画像とを比較して、前記設計内の追加欠陥を検出するステップと、前記設計内の欠陥、前記設計内の追加欠陥およびウェーハー検査システムによって前記ウェーハー上に検出される欠陥に基づいて、電子ビーム精査サブシステムによる画像取得対象の前記ウェーハー上の位置を決定するステップと、前記位置のために得られた前記画像を用いて、前記位置で設計欠陥および工程欠陥を検出するステップを更に含む、適用例53に記載の方法。
適用例68:前記リソグラフィ工程を用いて前記設計を印刷するウェーハー上に、プロセスウィンドウ品質分析の結果に基づいて、電子ビーム精査サブシステムによる画像取得対象の個別位置を決定するステップと、前記電子ビーム精査サブシステムを用いて前記個別位置のために画像を得るステップと、前記個別位置のために前記電子ビーム精査サブシステムによって得られる前記画像を用いて、前記個別位置で欠陥精査を実行するステップとを更に含む、適用例53に記載の方法。
適用例69:レチクル付きで実行される前記リソグラフィ工程を用いて前記設計を印刷するウェーハー上に、前記レチクルの検査結果に基づいて、電子ビーム精査サブシステムによる画像取得対象の個別位置を決定するステップと、前記電子ビーム精査サブシステムを用いて前記個別位置で画像を得るステップと、前記個別位置のために前記電子ビーム精査サブシステムによって得られる前記画像、前記レチクルの検査結果および前記レチクル上に検出される欠陥の分類を用いて、前記個別位置で欠陥精査を実行するステップとを更に含む、適用例53に記載の方法。
Claims (11)
- ウェーハー上の欠陥を検出するように構成されたシステムであって、
製造工程を用いて設計が印刷されるウェーハーの画像を得るように構成された電子ビーム精査サブシステムと、コンピューターサブシステムと、を備え、
前記コンピューターサブシステムは、
ウェーハー上に設計を印刷しないで実行される、ウェーハーの設計データの検査によって、前記設計データ内の欠陥である設計欠陥を検出し、
前記電子ビーム精査サブシステムにより得られる、前記ウェーハー上に印刷された前記設計内のダイスの画像と、データベースに記憶されているダイスの画像とを比較して得られる、前記設計データの検査とは異なる方法で検出される欠陥である、設計内の追加の欠陥を検出し、
前記設計内の欠陥、前記設計内の追加欠陥およびウェーハー検査システムにより検出されるウェーハー上の欠陥に基づいて、前記電子ビーム精査サブシステムによる画像取得対象の前記ウェーハー上の位置を決定し、
前記位置で得られた前記画像を用いて、前記位置における前記ウェーハー上の欠陥を検出するように構成されており、
前記コンピューターサブシステムは、さらに、
前記電子ビーム精査サブシステムにより得られた、前記ウェーハー上の個別位置の画像と、前記ウェーハー上の欠陥に対応して抽出した設計クリップとを比較して、前記個別位置の画像と設計意図とを比較するように構成されている、システム。 - 前記コンピューターサブシステムは、複数のウェーハー上の前記位置で得られる前記画像を使用して、前記複数のウェーハー上の位置における前記ウェーハー上の欠陥を監視するように更に構成されている、請求項1に記載のシステム。
- 前記ウェーハー上の欠陥は、系統的欠陥、ランダム欠陥またはその組み合わせを含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記コンピューターサブシステムは、取得された前記ウェーハー上に印刷されるダイスの画像の一部と、複数の設計クリップのうちの1つの設計クリップであって、前記ダイスの画像と同じ位置に対応する設計クリップと、を比較することにより、前記画像及び前記設計クリップと閾値との間の差異を比較した差異が潜在的欠陥として妥当か否かを判定し、又は、前記ウェーハー上の欠陥を検出するように更に構成されている、請求項1に記載のシステム。
- 前記コンピューターサブシステムは、前記設計内のホットスポットを特定し、前記設計内のホットスポットに基づいて、前記電子ビーム精査サブシステムによる画像取得対象の前記ウェーハー上の位置を決定するように更に構成されている、請求項1に記載のシステム。
- 前記コンピューターサブシステムは、プロセスウィンドウ品質分析を用いてレチクル上の欠陥を検出し、前記レチクル上の欠陥に基づいて、前記電子ビーム精査サブシステムによる画像取得対象の前記ウェーハー上の位置を決定するように更に構成されている、請求項1に記載のシステム。
- 前記コンピューターサブシステムは、レチクル検査システムによってレチクル上に検出される欠陥に基づいて、前記電子ビーム精査サブシステムによる画像取得対象の前記ウェーハー上の位置を決定するように更に構成されている、請求項1に記載のシステム。
- 前記コンピューターサブシステムは、歩留まりシミュレーション結果に基づいて、前記電子ビーム精査サブシステムによる画像取得対象の前記ウェーハー上の位置を決定するように更に構成されている、請求項1に記載のシステム。
- 前記コンピューターサブシステムは、前記ウェーハー検査システムが生成する出力に基づき、前記ウェーハー検査システムによって前記ウェーハー上に検出される前記欠陥に関する情報を得るように更に構成されている、請求項1に記載のシステム。
- 前記電子ビーム精査サブシステムは、限界寸法計測を実行するように更に構成されている、請求項1に記載のシステム。
- 前記コンピューターサブシステムは、前記設計を変更して前記設計内の欠陥を修正するように更に構成されている、請求項1に記載のシステム。
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