JP6880032B2 - インスペクションのための方法及び装置 - Google Patents
インスペクションのための方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6880032B2 JP6880032B2 JP2018532672A JP2018532672A JP6880032B2 JP 6880032 B2 JP6880032 B2 JP 6880032B2 JP 2018532672 A JP2018532672 A JP 2018532672A JP 2018532672 A JP2018532672 A JP 2018532672A JP 6880032 B2 JP6880032 B2 JP 6880032B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- columns
- column
- beam columns
- field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 172
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 115
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 614
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 31
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 18
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 124
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 97
- 230000008569 process Effects 0.000 description 74
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 73
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 41
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 34
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 25
- 238000013461 design Methods 0.000 description 24
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 11
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 6
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 6
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000013178 mathematical model Methods 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 244000208734 Pisonia aculeata Species 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 2
- 241000238631 Hexapoda Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000013145 classification model Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003090 exacerbative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 238000004451 qualitative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000011885 synergistic combination Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
- H01J37/263—Contrast, resolution or power of penetration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/023—Means for mechanically adjusting components not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/15—External mechanical adjustment of electron or ion optical components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/024—Moving components not otherwise provided for
- H01J2237/0245—Moving whole optical system relatively to object
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
[0001] 本出願は、2015年12月24日に出願された欧州特許出願第15202676.1号、及び2016年4月22日に出願された欧州特許出願第16166550.0号の優先権を主張する。これらは参照により全体が本願に含まれる。
− 放射ビームB(例えばDUV放射又はEUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
− 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTaと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ以上のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSとを備える。
− ステップモードでは、パターニングデバイスサポート(例えばマスクテーブル)MT又は基板テーブルWTaは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに付与されたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTaがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
− スキャンモードでは、パターニングデバイスサポート(例えばマスクテーブル)MT又は基板テーブルWTaは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。パターニングデバイスサポート(例えばマスクテーブル)MTに対する基板テーブルWTaの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。
− 別のモードでは、パターニングデバイスサポート(例えばマスクテーブル)MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTaを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTaを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
1.複数のダイ又はフィールドを備えるオブジェクトを検査するための電子ビームインスペクション装置であって、
複数の電子ビームコラムであって、各電子ビームコラムが、電子ビームを提供すると共にオブジェクトからの散乱電子又は二次電子を検出するように構成され、各電子ビームコラムが、電子ビームコラムに関連付けられた異なる各フィールド又はダイを検査するように配置されている、複数の電子ビームコラムと、
機械読み取り命令を含む非一時的コンピュータプログラム製品であって、命令のうち少なくともいくつかは、電子ビームの各々が各フィールド又はダイのエリア全体よりも小さい各フィールド又はダイのエリアを検査するようにオブジェクトと電子ビームコラムとの相対的な移動を発生させるよう構成されている、非一時的コンピュータプログラム製品と、
を備える装置。
2.エリアのうち少なくとも1つは識別されたホットスポットを含む、条項1に記載の装置。
3.命令のうち少なくともいくつかはホットスポットの存在及び/又は位置を決定するように構成されている、条項2に記載の装置。
4.命令のうち少なくともいくつかはシミュレーションによってホットスポットを識別するように構成されている、条項2又は条項3に記載の装置。
5.複数の電子ビームコラムは2次元アレイに配置され、少なくとも30の電子ビームコラムを含む、条項1から4のいずれかに記載の装置。
6.電子ビームコラムのうち1つ以上を電子ビームコラムのうち別の1つ以上に対して移動させるように構成されたアクチュエータシステムを更に備える、条項1から5のいずれかに記載の装置。
7.命令のうち少なくともいくつかは、複数の電子ビームを同時に各フィールド又はダイの各エリアに入射させるように構成されている、条項1から6のいずれかに記載の装置。
8.電子ビームインスペクション装置であって、
複数の電子ビームコラムであって、各電子ビームコラムが、電子ビームを提供すると共にオブジェクトからの散乱電子又は二次電子を検出するように構成され、各電子ビームコラムが、電子ビームコラムに関連付けられた異なる各フィールド又はダイのエリアを検査するように配置されている、複数の電子ビームコラムと、
電子ビームコラムのうち1つ以上を電子ビームコラムのうち別の1つ以上に対して移動させるように構成されたアクチュエータシステムと、
を備える装置。
9.アクチュエータシステムは複数の電子ビームコラムのピッチを変化させるように構成されている、条項8に記載の装置。
10.複数の電子ビームコラムは2次元アレイに配置され、アクチュエータシステムは、第1の方向及び第1の方向に対して実質的に直交する第2の方向に電子ビームコラムの位置を変化させるように構成されている、条項8又は条項9に記載の装置。
11.各電子ビームコラムは他の電子ビームコラムとは独立して移動可能である、条項8から10のいずれかに記載の装置。
12.複数の電子ビームコラムは少なくとも30の電子ビームコラムを含む、条項8から11のいずれかに記載の装置。
13.機械読み取り命令を含む非一時的コンピュータプログラム製品を更に備え、機械読み取り可能命令は、電子ビームの各々が各フィールド又はダイのエリア全体よりも小さい各フィールド又はダイのエリアを検査するようにオブジェクトと電子ビームコラムとの相対的な移動を発生させるよう構成されている、条項8から12のいずれかに記載の装置。
14.エリアのうち少なくとも1つは識別されたホットスポットを含む、条項8から13のいずれかに記載の装置。
15.ホットスポットの存在及び/又は位置を決定するように構成された機械読み取り可能命令を含む非一時的コンピュータプログラム製品を備える、条項14に記載の装置。
16.シミュレーションによってホットスポットを識別するように構成された機械読み取り可能命令を含む非一時的コンピュータプログラム製品を備える、条項14又は条項15に記載の装置。
17.複数のダイ又はフィールドを備えるオブジェクトの電子ビームインスペクションの方法であって、
複数の電子ビームコラムであって、各電子ビームコラムが、電子ビームを提供すると共にオブジェクトからの散乱電子又は二次電子を検出するように構成され、各電子ビームコラムが、電子ビームコラムに関連付けられた異なる各フィールド又はダイを検査するように配置されている、複数の電子ビームコラムを有することと、
電子ビームの各々が各フィールド又はダイのエリア全体よりも小さい各フィールド又はダイのエリアを検査するようにオブジェクトと複数の電子ビームコラムとの相対的な移動を発生させることと、
電子ビームコラムからオブジェクト上に電子ビームを提供することと、
電子ビームコラムを用いてオブジェクトからの散乱電子又は二次電子を検出することと、
を含む方法。
18.エリアのうち少なくとも1つは識別されたホットスポットを含む、条項17に記載の方法。
19.コンピュータによってホットスポットの存在及び/又は位置を決定することを更に含む、条項18に記載の方法。
20.コンピュータシミュレーションによってホットスポットを識別することを更に含む、条項18又は条項19に記載の方法。
21.複数の電子ビームコラムは2次元アレイに配置され、少なくとも30の電子ビームコラムを含む、条項17から20のいずれかに記載の方法。
22.アクチュエータを用いて電子ビームコラムのうち1つ以上を電子ビームコラムのうち別の1つ以上に対して移動させることを更に含む、条項17から21のいずれかに記載の方法。
23.オブジェクトはパターニングデバイス又は半導体ウェーハを含む、条項17から22のいずれかに記載の方法。
24.オブジェクトからの検出された電子から導出されたパラメータに基づいてオブジェクト又はパターニングデバイスを修理することを更に含む、条項17から23のいずれかに記載の方法。
25.電子ビームインスペクションの方法であって、
複数の電子ビームコラムであって、各電子ビームコラムが、電子ビームを提供すると共にオブジェクトからの散乱電子又は二次電子を検出するように構成され、各電子ビームコラムが、電子ビームコラムに関連付けられたオブジェクトの異なる各フィールド又はダイのエリアを検査するように配置されている、複数の電子ビームコラムを有することと、
アクチュエータシステムを用いて電子ビームコラムのうち1つ以上を電子ビームコラムのうち別の1つ以上に対して移動させることと、
を含む方法。
26.複数の電子ビームコラムのピッチを変化させることを含む、条項25に記載の方法。
27.複数の電子ビームコラムは2次元アレイに配置され、第1の方向及び第1の方向に対して実質的に直交する第2の方向に電子ビームコラムの位置を変化させる、条項25又は条項26に記載の方法。
28.各電子ビームコラムは他の電子ビームコラムとは独立して移動可能である、条項25から27のいずれかに記載の方法。
29.複数の電子ビームコラムは少なくとも30の電子ビームコラムを含む、条項25から28のいずれかに記載の方法。
30.電子ビームの各々が各フィールド又はダイのエリア全体よりも小さい各フィールド又はダイのエリアを検査するようにオブジェクトと電子ビームコラムとの相対的な移動を発生させることを更に含む、条項25から28のいずれかに記載の方法。
31.エリアのうち少なくとも1つは識別されたホットスポットを含む、条項25から30のいずれかに記載の方法。
32.コンピュータによってホットスポットの存在及び/又は位置を決定することを更に含む、条項31に記載の方法。
33.コンピュータシミュレーションによってホットスポットを識別することを更に含む、条項31又は条項32に記載の方法。
34.オブジェクトはパターニングデバイス又は半導体ウェーハを含む、条項25から33のいずれかに記載の方法。
35.オブジェクトからの検出された電子から導出されたパラメータに基づいてオブジェクト又はパターニングデバイスを修理することを更に含む、条項25から34のいずれかに記載の方法。
36.電子ビームインスペクション装置であって、
複数の電子ビームコラムであって、各電子ビームコラムが、電子ビームを提供すると共にオブジェクトからの散乱電子又は二次電子を検出するように構成されている、複数の電子ビームコラムと、
電子ビームコラムのうち1つ以上を電子ビームコラムのうち別の1つ以上に対して移動させるように構成されたアクチュエータシステムであって、複数の第2の移動可能構造と少なくとも部分的に重なり合った複数の第1の移動可能構造を備え、第1及び第2の移動可能構造は複数の電子ビームコラムを支持している、アクチュエータシステムと、
を備える装置。
37.第1の移動可能構造のうち1つ以上は第1の移動可能構造のうち別の1つ以上に対して移動可能であり、及び/又は、第2の移動可能構造のうち1つ以上は第2の移動可能構造のうち別の1つ以上に対して移動可能である、条項36に記載の装置。
38.電子ビームコラムのうち1つの電子ビームコラムはコラム構造に接続され、コラム構造は、第1の移動可能構造のうち1つの第1の移動可能構造と物理的にかつ移動可能に係合する第1のコンポーネントと、第2の移動可能構造のうち1つの第2の移動可能構造と物理的にかつ移動可能に係合する第2のコンポーネントと、を有する、条項36又は条項37に記載の装置。
39.第1のコンポーネントは第1の移動可能構造内に位置付けられ、及び/又は、第2のコンポーネントは第2の移動可能構造内に位置付けられている、条項38に記載の装置。
40.第1の移動可能構造に対して固定された位置にコラム構造を保持するため第1の移動可能構造と係合するように構成された第1のブレーキと、第2の移動可能構造に対して固定された位置にコラム構造を保持するため第2の移動可能構造と係合するように構成された第2のブレーキと、を更に備える、条項38又は条項39に記載の装置。
41.第1のブレーキ及び第2のブレーキを備え、更に、第2のブレーキが解放されている間に第1のブレーキを係合させて第2の移動可能構造がコラム構造の電子ビームコラムを移動させることを可能とするように、かつ、第1のブレーキが解放されている間に第2のブレーキを係合させて第1の移動可能構造がコラム構造の電子ビームコラムを移動させることを可能とするように構成された制御システムを備える、条項40に記載の装置。
42.1つ以上の電子ビームコラムは、隣接する第1の移動可能構造及び/又は第2の移動可能構造の側面に、かつ、隣接する第1の移動可能構造及び/又は隣接する第2の移動可能構造の間のギャップに位置付けられている、条項36から41のいずれかに記載の装置。
43.電子ビームコラムのうち少なくとも1つは、第1及び第2の移動可能構造の移動範囲よりも小さい移動範囲を有するショートストロークアクチュエータに接続されている、条項36から42のいずれかに記載の装置。
44.複数のセンサを更に備え、センサの各々は、隣接する電子ビームコラムに対する関連付けられた電子ビームコラムの位置の決定を可能とするため距離を測定するように構成されている、条項36から43のいずれかに記載の装置。
45.各電子ビームコラムは、電子ビームコラムに関連付けられたオブジェクトの異なる各フィールド又はダイのエリアを検査するように配置されている、条項36から44のいずれかに記載の装置。
46.機械読み取り命令を含む非一時的コンピュータプログラム製品を更に備え、命令のうち少なくともいくつかは、電子ビームの各々が各フィールド又はダイのエリア全体よりも小さい各フィールド又はダイのエリアを検査するようにオブジェクトと電子ビームコラムとの相対的な移動を発生させるよう構成されている、条項45に記載の装置。
47.電子ビームインスペクションの方法であって、
複数の電子ビームコラムであって、各電子ビームコラムが、電子ビームを提供すると共にオブジェクトからの散乱電子又は二次電子を検出するように構成されている、複数の電子ビームコラムを有することと、
アクチュエータシステムを用いて電子ビームコラムのうち1つ以上を電子ビームコラムのうち別の1つ以上に対して移動させることであって、アクチュエータシステムは、複数の第2の移動可能構造と少なくとも部分的に重なり合った複数の第1の移動可能構造を備え、第1及び第2の移動可能構造は複数の電子ビームコラムを支持している、ことと、
電子ビームコラムからオブジェクト上に電子ビームを提供することと、
電子ビームコラムを用いてオブジェクトからの散乱電子又は二次電子を検出することと、
を含む方法。
48.第1の移動可能構造のうち1つ以上を第1の移動可能構造のうち別の1つ以上に対して移動させること、及び/又は、第2の移動可能構造のうち1つ以上を第2の移動可能構造のうち別の1つ以上に対して移動させることを含む、条項47に記載の方法。
49.電子ビームコラムのうち1つの電子ビームコラムは、第1のコンポーネント及び第2のコンポーネントを有するコラム構造に接続され、更に、第1のコンポーネントが第1の移動可能構造のうち1つの第1の移動可能構造と物理的に係合している時に第1のコンポーネントを移動させることと、第2のコンポーネントが第2の移動可能構造のうち1つの第2の移動可能構造と物理的に係合している時に第2のコンポーネントを移動させることと、を含む、条項47又は条項48に記載の方法。
50.第1のコンポーネントは第1の移動可能構造内に位置付けられ、及び/又は、第2のコンポーネントは第2の移動可能構造内に位置付けられている、条項49に記載の方法。
51.第1の移動可能構造に対して固定された位置にコラム構造を保持するため第1のブレーキを第1の移動可能構造と係合することと、第2の移動可能構造に対して固定された位置にコラム構造を保持するため第2のブレーキを第2の移動可能構造と係合することと、を更に含む、条項49又は条項50に記載の方法。
52.第2のブレーキが解放されている間に第1のブレーキを係合させて第2の移動可能構造がコラム構造の電子ビームコラムを移動させることを可能とすることと、第1のブレーキが解放されている間に第2のブレーキを係合させて第1の移動可能構造がコラム構造の電子ビームコラムを移動させることを可能とすることと、を含む、条項51に記載の方法。
53.1つ以上の電子ビームコラムは、隣接する第1の移動可能構造及び/又は第2の移動可能構造の側面に、かつ、隣接する第1の移動可能構造及び/又は隣接する第2の移動可能構造の間のギャップに位置付けられている、条項47から52のいずれかに記載の方法。
54.第1及び第2の移動可能構造の移動範囲よりも小さい移動範囲を有するショートストロークアクチュエータを用いて電子ビームコラムのうち少なくとも1つを移動させることを更に含む、条項47から53のいずれかに記載の方法。
55.複数のセンサを使用することを更に備え、センサの各々は、隣接する電子ビームコラムに対する関連付けられた電子ビームコラムの位置の決定を可能とするため距離を測定する、条項47から54のいずれかに記載の方法。
56.各電子ビームコラムは、電子ビームコラムに関連付けられたオブジェクトの異なる各フィールド又はダイのエリアを検査するように配置されている、条項47から55のいずれかに記載の方法。
57.電子ビームの各々が各フィールド又はダイのエリア全体よりも小さい各フィールド又はダイのエリアを検査するようにオブジェクトと電子ビームコラムとの相対的な移動を発生させることを更に含む、条項56に記載の方法。
58.オブジェクトはパターニングデバイス又は半導体ウェーハを含む、条項47から57のいずれかに記載の方法。
59.オブジェクトからの検出された電子から導出されたパラメータに基づいてオブジェクト又はパターニングデバイスを修理することを更に含む、条項47から58のいずれかに記載の方法。
60.パターニングデバイス修理装置であって、
複数のビームコラムであって、各ビームコラムが放射ビームを提供するように構成され、各ビームコラムが、各放射ビームを用いてビームコラムに関連付けられたパターニングデバイスの異なる各フィールド又はダイのエリアを修理するように配置されている、複数のビームコラムと、
ビームコラムのうち1つ以上をビームコラムのうち別の1つ以上に対して移動させるように構成されたアクチュエータシステムと、
を備える装置。
61.ビームコラムの各々は更に、パターニングデバイスからの散乱電子又は二次電子を検出するように構成されている、条項60に記載の装置。
62.各ビームコラムは、ビームコラムに関連付けられた異なる各フィールド又はダイのエリアを検査するように配置されている、条項61に記載の装置。
63.ビームコラムはそれぞれ電子ビームを提供するように構成されている、条項60から62のいずれかに記載の装置。
64.ビームコラムはそれぞれイオンビームを提供するように構成されている、条項60から62のいずれかに記載の装置。
Claims (15)
- 電子ビームインスペクション装置であって、
複数の電子ビームコラムであって、各電子ビームコラムが、電子ビームを提供すると共にオブジェクトからの散乱電子又は二次電子を検出するように構成され、各電子ビームコラムが、前記電子ビームコラムに関連付けられた異なる各フィールド又はダイのエリアを検査するように配置されている、複数の電子ビームコラムと、
前記電子ビームコラムのうち1つ以上を前記電子ビームコラムのうち別の1つ以上に対して移動させるように構成されたアクチュエータシステムであって、前記複数の電子ビームコラムを支持している複数の第1の移動可能構造を備えるアクチュエータシステムと、を備える装置。 - 前記アクチュエータシステムは前記複数の電子ビームコラムのピッチを変化させるように構成されている、請求項1に記載の装置。
- 前記複数の電子ビームコラムは2次元アレイに配置され、前記アクチュエータシステムは、第1の方向及び前記第1の方向に対して実質的に直交する第2の方向に電子ビームコラムの位置を変化させるように構成されている、請求項1に記載の装置。
- 各電子ビームコラムは他の電子ビームコラムとは独立して移動可能である、請求項1に記載の装置。
- 前記複数の電子ビームコラムは少なくとも30の電子ビームコラムを含む、請求項1に記載の装置。
- 前記オブジェクトを保持するよう構成されているオブジェクトホルダを移動させるモジュールと、記憶されたコンピュータプログラムを有する非一時的ストレージ媒体とを更に備え、前記コンピュータプログラムは、前記電子ビームの各々が各フィールド又はダイのエリア全体よりも小さい前記各フィールド又はダイのエリアを検査するように、前記アクチュエータシステム及び/又は前記モジュールに前記オブジェクトと前記電子ビームコラムとの相対的な移動を実行させるよう構成されている機械読み取り命令を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記エリアのうち少なくとも1つは識別されたホットスポットを含む、請求項1に記載の装置。
- プロセッサと、記憶されたコンピュータプログラムを有する非一時的ストレージ媒体とを備え、前記コンピュータプログラムは、前記プロセッサに前記ホットスポットの存在及び/又は位置を決定させるよう構成されている機械読み取り可能命令を含む、請求項7に記載の装置。
- プロセッサと、記憶されたコンピュータプログラムを有する非一時的ストレージ媒体とを備え、前記コンピュータプログラムは、前記プロセッサにシミュレーションによって前記ホットスポットを識別させるよう構成されている機械読み取り可能命令を含む、請求項7に記載の装置。
- 電子ビームインスペクションの方法であって、
複数の電子ビームコラムであって、各電子ビームコラムが、電子ビームを提供すると共にオブジェクトからの散乱電子又は二次電子を検出するように構成され、各電子ビームコラムが、前記電子ビームコラムに関連付けられた前記オブジェクトの異なる各フィールド又はダイのエリアを検査するように配置されている、複数の電子ビームコラムを有することと、
アクチュエータシステムを用いて前記電子ビームコラムのうち1つ以上を前記電子ビームコラムのうち別の1つ以上に対して移動させることと、
を含み、
前記アクチュエータシステムは、前記複数の電子ビームコラムを支持している複数の第1の移動可能構造を備える、方法。 - 前記複数の電子ビームコラムのピッチを変化させることを含む、請求項10に記載の方法。
- 各電子ビームコラムは他の電子ビームコラムとは独立して移動可能である、請求項10に記載の方法。
- 電子ビームインスペクション装置であって、
複数の電子ビームコラムであって、各電子ビームコラムが、電子ビームを提供すると共にオブジェクトからの散乱電子又は二次電子を検出するように構成されている、複数の電子ビームコラムと、
前記電子ビームコラムのうち1つ以上を前記電子ビームコラムのうち別の1つ以上に対して移動させるように構成されたアクチュエータシステムであって、複数の第2の移動可能構造と少なくとも部分的に重なり合った複数の第1の移動可能構造を備え、前記第1及び第2の移動可能構造は前記複数の電子ビームコラムを支持している、アクチュエータシステムと、
を備える装置。 - 前記電子ビームコラムのうち少なくとも1つは、前記第1及び第2の移動可能構造の移動範囲よりも小さい移動範囲を有するショートストロークアクチュエータに接続されている、請求項13に記載の装置。
- 複数のセンサを更に備え、前記センサの各々は、隣接する電子ビームコラムに対する関連付けられた電子ビームコラムの位置の決定を可能とするため距離を測定するように構成されている、請求項13に記載の装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP15202676.1 | 2015-12-24 | ||
EP15202676 | 2015-12-24 | ||
EP16166550.0 | 2016-04-22 | ||
EP16166550 | 2016-04-22 | ||
PCT/EP2016/080374 WO2017108444A1 (en) | 2015-12-24 | 2016-12-09 | Method and apparatus for inspection |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019502952A JP2019502952A (ja) | 2019-01-31 |
JP6880032B2 true JP6880032B2 (ja) | 2021-06-02 |
Family
ID=57485522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018532672A Active JP6880032B2 (ja) | 2015-12-24 | 2016-12-09 | インスペクションのための方法及び装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US11094502B2 (ja) |
JP (1) | JP6880032B2 (ja) |
KR (1) | KR102182011B1 (ja) |
CN (1) | CN108701576B (ja) |
TW (1) | TWI630636B (ja) |
WO (1) | WO2017108444A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017080729A1 (en) * | 2015-11-13 | 2017-05-18 | Asml Netherlands B.V. | Methods for identifying a process window boundary |
US10395358B2 (en) * | 2016-11-10 | 2019-08-27 | Kla-Tencor Corp. | High sensitivity repeater defect detection |
WO2019158448A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asml Netherlands B.V. | Substrate positioning device and electron beam inspection tool |
KR102329264B1 (ko) * | 2018-02-22 | 2021-11-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 디스플레이 제조를 위한 기판에 대한 자동화된 임계 치수 측정을 위한 방법, 디스플레이 제조를 위한 대면적 기판을 검사하는 방법, 디스플레이 제조를 위한 대면적 기판을 검사하기 위한 장치, 및 그 동작 방법 |
KR102481755B1 (ko) * | 2018-02-23 | 2022-12-29 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 가이드 패터닝 디바이스 검사 |
US10818001B2 (en) * | 2018-09-07 | 2020-10-27 | Kla-Tencor Corporation | Using stochastic failure metrics in semiconductor manufacturing |
US11476144B2 (en) | 2018-12-03 | 2022-10-18 | Kla Corporation | Single cell in-die metrology targets and measurement methods |
WO2021081804A1 (en) | 2019-10-30 | 2021-05-06 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd | Method for calibrating verticality of particle beam and system applied to semiconductor fabrication process |
US11899375B2 (en) | 2020-11-20 | 2024-02-13 | Kla Corporation | Massive overlay metrology sampling with multiple measurement columns |
DE102021116969B3 (de) | 2021-07-01 | 2022-09-22 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Verfahren zur bereichsweisen Probeninspektion mittels eines Vielstrahl-Teilchenmikroskopes, Computerprogrammprodukt und Vielstrahl-Teilchenmikroskop zur Halbleiterprobeninspektion |
EP4123683A1 (en) | 2021-07-20 | 2023-01-25 | ASML Netherlands B.V. | Data processing device and method, charged particle assessment system and method |
CN114509923B (zh) * | 2022-01-28 | 2023-11-24 | 复旦大学 | 一种深紫外物镜设计中的调焦调平装置及其应用 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6145438A (en) * | 1998-03-20 | 2000-11-14 | Berglund; C. Neil | Method and apparatus for direct writing of semiconductor die using microcolumn array |
US6465783B1 (en) * | 1999-06-24 | 2002-10-15 | Nikon Corporation | High-throughput specimen-inspection apparatus and methods utilizing multiple parallel charged particle beams and an array of multiple secondary-electron-detectors |
JP2001308154A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Nikon Corp | 電子線検査装置、電子線検査方法及びデバイス製造方法 |
AU2001239801A1 (en) * | 2000-02-19 | 2001-08-27 | Ion Diagnostics, Inc. | Multi-beam multi-column electron beam inspection system |
US6593152B2 (en) * | 2000-11-02 | 2003-07-15 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the apparatus |
US7504182B2 (en) | 2002-09-18 | 2009-03-17 | Fei Company | Photolithography mask repair |
US7928404B2 (en) | 2003-10-07 | 2011-04-19 | Multibeam Corporation | Variable-ratio double-deflection beam blanker |
CN101305320B (zh) | 2005-09-09 | 2012-07-04 | Asml荷兰有限公司 | 采用独立掩模误差模型的掩模验证系统和方法 |
TWI524153B (zh) * | 2005-09-15 | 2016-03-01 | 瑪波微影Ip公司 | 微影系統,感測器及測量方法 |
JP4851253B2 (ja) * | 2006-07-05 | 2012-01-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置、及び描画装置におけるエラー検出方法 |
DE102006043874B4 (de) | 2006-09-15 | 2020-07-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Reparatur von Photolithographiemasken |
NL1036189A1 (nl) | 2007-12-05 | 2009-06-08 | Brion Tech Inc | Methods and System for Lithography Process Window Simulation. |
WO2009152046A1 (en) * | 2008-06-11 | 2009-12-17 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for detecting design and process defects on a wafer, reviewing defects on a wafer, selecting one or more features within a design for use as process monitoring features, or some combination thereof |
US8106358B2 (en) * | 2009-03-04 | 2012-01-31 | Agilent Technologies, Inc. | Layered scanning charged particle microscope with differential pumping aperture |
WO2011045125A1 (en) * | 2009-10-13 | 2011-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus |
NL2009666A (en) * | 2011-11-22 | 2013-05-23 | Asml Netherlands Bv | Reticle assembly, a lithographic apparatus, the use in a lithographic process, and a method to project two or more image fields in a single scanning movement of a lithographic process. |
KR101914231B1 (ko) | 2012-05-30 | 2018-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 주사 전자 현미경을 이용한 검사 시스템 |
US9778186B2 (en) | 2014-04-15 | 2017-10-03 | Kla-Tencor Corporation | System for electron beam detection |
WO2015189026A2 (en) | 2014-06-10 | 2015-12-17 | Asml Netherlands B.V. | Computational wafer inspection |
WO2016032549A1 (en) * | 2014-08-31 | 2016-03-03 | Keysight Technologies, Inc. | Imaging apparatus having a plurality of movable beam columns, and method of inspecting a plurality of regions of a substrate intended to be substantially identical |
-
2016
- 2016-12-09 US US16/064,193 patent/US11094502B2/en active Active
- 2016-12-09 JP JP2018532672A patent/JP6880032B2/ja active Active
- 2016-12-09 CN CN201680082561.8A patent/CN108701576B/zh active Active
- 2016-12-09 KR KR1020187021229A patent/KR102182011B1/ko active IP Right Grant
- 2016-12-09 WO PCT/EP2016/080374 patent/WO2017108444A1/en active Application Filing
- 2016-12-21 TW TW105142477A patent/TWI630636B/zh active
-
2021
- 2021-08-16 US US17/403,006 patent/US11875966B2/en active Active
-
2024
- 2024-01-12 US US18/411,525 patent/US20240186107A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019502952A (ja) | 2019-01-31 |
CN108701576B (zh) | 2021-06-15 |
TWI630636B (zh) | 2018-07-21 |
US11875966B2 (en) | 2024-01-16 |
CN108701576A (zh) | 2018-10-23 |
US11094502B2 (en) | 2021-08-17 |
KR20180098340A (ko) | 2018-09-03 |
US20240186107A1 (en) | 2024-06-06 |
US20210375581A1 (en) | 2021-12-02 |
US20190006147A1 (en) | 2019-01-03 |
KR102182011B1 (ko) | 2020-11-24 |
TW201732858A (zh) | 2017-09-16 |
WO2017108444A1 (en) | 2017-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6880032B2 (ja) | インスペクションのための方法及び装置 | |
JP6697530B2 (ja) | 計算的ウェーハ検査 | |
JP6641422B2 (ja) | プロセスウィンドウを最適化する方法 | |
KR102349124B1 (ko) | 측정 방법 및 장치 | |
US10133191B2 (en) | Method for determining a process window for a lithographic process, associated apparatuses and a computer program | |
JP2020038384A (ja) | 計測方法、コンピュータ製品およびシステム | |
KR102469136B1 (ko) | 리소그래피 프로세스 및 장치, 그리고 검사 프로세스 및 장치 | |
CN108139686B (zh) | 处理参数的间接确定 | |
KR102585099B1 (ko) | 측정 방법 및 장치 | |
TW201921179A (zh) | 用於在小度量衡目標上對準之拍頻圖案 | |
CN109073987B (zh) | 用于调节光刻设备的致动的方法 | |
EP3764164A1 (en) | Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses | |
TW201908873A (zh) | 檢測工具、微影裝置、微影系統、檢測方法及器件製造方法 | |
EP3961303A1 (en) | Method and apparatus for identifying contamination in a semiconductor fab |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180815 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190620 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190919 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200106 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200402 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200904 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210402 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210430 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6880032 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |