CN108701576B - 用于检查的方法和设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电子束检查设备，该设备包括：多个电子束柱(600)，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自物体的散射电子或二次电子；和致动器系统(600，610)，其配置成使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或更多个移动(640，630)。所述致动器系统可包括多个第一可移动结构，所述多个第一可移动结构与多个第二可移动结构至少部分地重叠，所述第一可移动结构和所述第二可移动结构支撑所述多个电子束柱。

Description

用于检查的方法和设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年12月24日提交的欧洲申请15202676.1以及于2016年4月22日提交的欧洲申请16166550.0的优先权，并且通过引用而将其全文合并到本发明中。

技术领域

本说明书涉及用于检查的方法和设备。

背景技术

光刻设备是将所需的图案施加至衬底(通常为衬底的目标部分)上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，可替代地被称作掩模或掩模版的图案形成装置可以用于产生待形成在IC的单层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)上。通常通过成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上实现图案的转印。通常，单个衬底将包括被连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，在步进器中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案形成装置转印到衬底上。

发明内容

制造器件(诸如半导体器件)通常涉及使用多个制造过程来处理衬底(例如，半导体晶片)，以形成所述器件的各种特征和多个层。通常使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光和离子植入来制造和处理这些层和特征。可以在衬底上的多个管芯上制作多个器件，接着将所述器件分离成单个器件。该器件制造过程可被认为是图案化过程。图案化过程涉及图案化步骤，诸如使用光刻设备的光学和/或纳米压印光刻，以在衬底上提供图案，并且通常(但视情况)涉及一个或更多个相关图案处理步骤，诸如通过显影设备进行的抗蚀剂显影、使用焙烤工具焙烤衬底、使用蚀刻设备且使用图案进行蚀刻等等。此外，在图案化过程中通常涉及一个或更多个量测过程。

在图案化过程的各个阶段使用量测过程，以设置、监视和/或控制该过程。例如，量测过程是用于量测：衬底的一个或更多个特性，诸如在图案化过程期间形成于该衬底上的特征的相对部位(例如，配准、重叠、对准等等)或尺寸(例如，线宽、临界尺寸(CD)、厚度等等)；和/或图案形成装置(例如，掩模版)的一个或更多个特性，诸如相对部位(例如，配准误差)或尺寸(例如，线宽、临界尺寸(CD)等等)。在使用该一个或更多个特性的情况下，可确定图案化过程的设置、性能等等。若该一个或更多个特性为不可接受的(例如，在特性的预定范围之外)，则该一个或更多个特性的测量可以用于改变图案化过程的一个或更多个参数，使得通过该图案化过程制造的衬底具有可接受的特性。

几十年来，随着光刻和其它图案化过程技术的推进，功能性元件的尺寸已不断地缩减，而每器件上的功能性元件(诸如晶体管)的量已稳定地增加。同时，对在重叠、临界尺寸(CD)等等方面的精确度要求已变得愈来愈严格。诸如重叠误差、CD误差、配准误差等误差将不可避免地作为整个图案化过程的一部分而产生。例如，可从光学像差、图案形成装置加热、图案形成装置误差和/或衬底加热产生成像误差，且可依据例如重叠误差、CD误差等等来特性化成像误差。附加地或替代地，误差可通过蚀刻过程、通过显影过程、通过焙烤过程等等在图案化过程的其它部分中(诸如在图案形成装置中)引入，且相似地，可依据诸如配准误差、重叠误差、CD误差等等的参数来特性化误差。所述误差可直接造成在器件的功能方面的问题，包括器件运行的故障，或运行器件的一个或更多个电气问题。

如上文所提及，在图案化过程中，希望频繁地对例如用于过程控制和验证或对应过程控制和验证所生成的结构进行测量。通常测量或确定所述结构的一个或更多个参数，例如，结构的临界尺寸、形成于衬底中或衬底上的连续层之间的重叠误差等。存在用于对在图案化过程中使用或形成的微观结构进行测量的各种技术。已知进行这些测量的各种工具，包括但不限于扫描电子显微镜(SEM)，其常常用于测量临界尺寸(CD)。SEM具有高分辨率且能够分辨约为30纳米或更小、20纳米或更小、10纳米或更小、或者5纳米或更小量级的特征。半导体器件的SEM图像常常用于半导体制造中，以观测器件水平位置处正在发生什么。

结构的SEM图像中所包含的信息可以用于过程模型化、现有模型校准(包括再校准)、缺陷检测、估计、特性化或分类、良率估计、过程控制或监测等。这些SEM图像可经处理以提取描述物体的边缘的轮廓，所述轮廓在图像中表示器件结构(无论是在图案形成装置上的，还是形成于衬底上的)。接着经由量度(诸如CD)在使用者定义的切割线处量化这些轮廓。因此，通常经由量度(诸如在经提取的轮廓上测量的边缘间(即，边缘对边缘)的距离(CD)或图像之间的简单像素差)比较且量化器件结构的图像。

在一实施例中，提供一种用以检查包括多个管芯或场的物体的电子束检查设备，该设备包括：多个电子束柱，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自该物体的散射电子或二次电子，每个电子束柱被布置成检查与该电子束柱相关联的不同的各自的场或管芯；和非暂时性计算机程序产品，其包括机器可读指令，所述指令中的至少一些配置成造成该物体与所述电子束柱之间的相对移动，使得所述电子束中的每一个检查其各自的场或管芯的小于所述各自的场或管芯的整个区域的区域。

在一实施例中，提供一种电子束检查设备，其包括：多个电子束柱，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自物体的散射电子或二次电子，每个电子束柱被布置成检查与该电子束柱相关联的不同的各自的场或管芯的区域；和致动器系统，配置成使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或更多个移动。

在一实施例中，提供一种对包括多个管芯或场的物体进行电子束检查的方法，该方法包括：具有多个电子束柱，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自该物体的散射电子或二次电子，并且每个电子束柱被布置成检查与该电子束柱相关联的不同的各自的场或管芯；引起该物体与所述多个电子束柱之间的相对移动，使得所述电子束中的每一个检查其各自的场或管芯的小于所述各自的场或管芯的整个区域的区域；将所述电子束从所述电子束柱提供至该物体上；和使用所述电子束柱检测来自该物体的散射电子或二次电子。

在一实施例中，提供一种电子束检查的方法，该方法包括：具有多个电子束柱，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自物体的散射电子或二次电子，并且每个电子束柱被布置成检查与该电子束柱相关联的不同的各自的场或管芯的区域；和通过使用致动器系统使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或更多个移动。

在一方面中，提供一种制造器件的方法，其中使用图案化过程将器件图案施加至一系列衬底，该方法包括：使用本发明中所描述的方法评估使用所述图案化过程形成的图案化结构；以及根据该方法的结果控制用于所述衬底中的一个或更多个的所述图案化过程。在一实施例中，该图案化结构形成于所述衬底中的至少一个上，且该方法包括根据该方法的结果控制用于后续衬底的该图案化过程。

在一方面中，提供一种非暂时性计算机程序产品，其包括配置成使处理器实施本发明中所描述的方法的机器可读指令。

在一方面中，提供一种电子束检查系统。该系统包括：如本发明中所描述的电子束检查设备；和分析引擎，其包括如本发明中所描述的非暂时性计算机程序产品。在一实施例中，该系统还包括光刻设备，该光刻设备包括：支撑结构，其配置成保持用以调制辐射束的图案形成装置；和投影光学系统，其被布置成将经调制的辐射束投影到辐射敏感衬底上。

在一实施例中，提供一种电子束检查设备，该设备包括：多个电子束柱，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自物体的散射电子或二次电子；和致动器系统，其配置成使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或更多个移动，该致动器系统包括多个第一可移动结构，所述多个第一可移动结构与多个第二可移动结构至少部分地重叠，所述第一可移动结构和所述第二可移动结构支撑所述多个电子束柱。

在一实施例中，提供一种电子束检查的方法，该方法包括：具有多个电子束柱，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自物体的散射电子或二次电子；通过使用致动器系统使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或更多个移动，该致动器系统包括多个第一可移动结构，所述多个第一可移动结构与多个第二可移动结构至少部分地重叠，所述第一可移动结构和所述第二可移动结构支撑所述多个电子束柱；将所述电子束从所述电子束柱提供至该物体上；和使用所述电子束柱检测来自该物体的散射电子或二次电子。

在一实施例中，提供一种图案形成装置修复设备，其包括：多个束柱，每个束柱配置成提供辐射束，每个束柱被布置成使用各自的辐射束修复与该束柱相关联的图案形成装置的不同的各自的场或管芯的区域；和致动器系统，其配置成使所述束柱中的一个或更多个相对于所述束柱中的另外的一个或更多个移动。

附图说明

现在将参考随附附图、仅以示例的方式来描述实施例，在附图中：

图1示意性地描绘光刻设备的实施例；

图2示意性地描绘光刻单元或簇的实施例；

图3示意性地描绘扫描电子显微镜(SEM)的实施例；

图4示意性地描绘物体的多束电子束处理的实施例；

图5示意性地描绘物体的多柱电子束处理的实施例；

图6示意性地描绘多柱电子束设备的实施例的俯视图或仰视图；

图7示意性地描绘多柱电子束设备的实施例的透视图；

图8示意性地描绘多柱电子束设备的柱的实施例的侧视图；

图9示意性地描绘多柱电子束设备的柱的实施例的俯视图或仰视图；

图10示意性地描绘多柱电子束设备的某些柱的调整的实施例；

图11A、图11B及图11C示意性地描绘处理物体以识别缺陷的方法的实施例；

图12A和图12B示意性地描绘处理物体以识别缺陷的方法的实施例；

图13描绘用于在光刻投影设备中模型化和/或模拟光刻的示例性流程图；

图14示意性地描绘多柱电子束设备的实施例的俯视图或仰视图；

图15示意性地描绘多柱电子束设备的柱的实施例的侧视图；

图16A和图16B示意性地描绘多柱电子束设备的实施例的俯视图或仰视图；以及

图17A和图17B示意性地描绘多柱电子束设备的柱的实施例的侧视图。

具体实施方式

在详细地描述实施例之前，有指导性的是呈现可供实施实施例的示例性环境。

图1示意性地描绘了光刻设备LA。该设备包括：

-照射系统(照射器)IL，配置成调节辐射束B(例如DUV辐射或EUV辐射)；

-支撑结构(例如掩模台)MT，构造成支撑图案形成装置(例如掩模)MA并且连接到第一定位器PM，该第一定位器PM配置成根据某些参数精确地定位图案形成装置；

-衬底台(例如晶片台)WTa，构造成保持衬底(例如涂覆抗蚀剂的晶片)W并且连接到第二定位器PW，该第二定位器PW配置成根据某些参数精确地定位衬底；和

-投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。

照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件，或者它们的任意组合，用以对辐射进行引导、成形或控制。

图案形成装置支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否被保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置。图案形成装置支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的、或其它夹持技术来保持图案形成装置。图案形成装置支撑结构可以是框架或台，例如，它可以根据需要而是固定的或者可移动的。图案形成装置支撑结构可以确保图案形成装置例如相对于投影系统位于期望的位置。可以认为本发明中使用的任何术语“掩模版”或“掩模”是与更加上位的术语“图案形成装置”同义。

本发明中使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示下述任何装置：该装置能够用于将图案在辐射束的横截面中赋予辐射束，以便在衬底的目标部分中产生图案。应该注意，赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分中期望的图案完全对应(例如，如果该图案包括相移特征或者所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将会与在目标部分(例如集成电路)中形成的器件中的特定的功能层相对应。

图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程LCD面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模、交替相移掩模、衰减相移掩模以及各种混合掩模类型的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜都可以独立地倾斜，以便在不同方向上反射入射的辐射束。已倾斜的反射镜将图案赋予由反射镜矩阵反射的辐射束。

本发明中使用的术语“投影系统”应该被广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型以及静电型光学系统或者它们的任意组合，如对于所使用的曝光辐射或者诸如使用浸没液体或使用真空等其它因素所适合的。可以认为本发明中使用的任何术语“投影透镜”是与更加上位的术语“投影系统”同义。

如文中所述，所述设备可以是透射型的(例如，使用透射式掩模)。可替代地，所述设备可以是反射型的(例如，使用以上所提及类型的可编程反射镜阵列，或者使用反射掩模)。

光刻设备可以是具有两个(双平台)或更多个台的类型(例如，两个或更多个衬底台，两个或更多个图案形成装置支撑结构，或者衬底台和测量台)。在这种“多平台”机器中，可以并行使用附加台，或者可以在一个或更多个台上执行预备步骤且同时一个或更多个其它台正被用于图案转印。

光刻设备还可以是如下类型：其中衬底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充投影系统与衬底之间的空间。浸没液体也可以被施加至光刻设备中的其它空间，例如掩模与投影系统之间的空间。现有技术中已知的是，浸没技术能够用于增加投影系统的数值孔径。本文中使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底等结构必须浸没在液体中，相反地，“浸没”仅意味着在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。

参考图1，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。该源和光刻设备可以是分离开的实体(例如当源是准分子激光器时)。在这种情况下，不将源视为形成光刻设备的一部分，并且借助包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD来将辐射束从源SO传到照射器IL。在其它情况下，源可以是光刻设备的组成部分(例如当源是汞灯时)。可以将源SO和照射器IL以及需要时设置的束传递系统BD一起称作辐射系统。

照射器IL可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将照射器用于调节辐射束，以便在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。

辐射束B入射到被保持于图案形成装置支撑件(例如，掩模台MT)上的图案形成装置(例如掩模MA)上，并且由图案形成装置图案化。在已经横穿图案形成装置(例如，掩模)MA的情况下，辐射束B穿过投影系统PS，该投影系统PS将束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如干涉量测装置、线性编码器、2-D编码器或电容式传感器)，可以精确地移动衬底台WTa，例如以便将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中。类似地，第一定位器PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)可以用于相对于辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA，例如在从掩模库机械获取之后或在扫描期间。通常，可以借助于形成第一定位器PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)来实现图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT的移动。类似地，可以使用形成第二定位器PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现衬底台WTa的移动。在步进器(与扫描器相对)的情况下，图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT可以仅连接到短行程致动器，或者可以是固定的。

可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。尽管衬底对准标记(如图所示)占据了专用目标部分，但它们可以位于目标部分之间的空间中(这些标记已知为划线对准标记)。类似地，在图案形成装置(例如，掩模)MA上设置多于一个管芯的情况下，掩模对准标记可以位于管芯之间。小对准标记也可以在器件特征当中包括于管芯内，在此情况下，需要使所述标记尽可能地小，且相比于邻近特征无需任何不同图案化过程条件或其他过程条件。下文中进一步描述检测对准标记的对准系统的实施例。

所描绘的设备可以用于以下模式中的至少一种中：

-在步进模式中，在将赋予辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上时，使图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT和衬底台WTa保持大致静止(即，单次静态曝光)。然后，使衬底台WTa在X和/或Y方向上移位，以便能够曝光不同的目标部分C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制在单次静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。

-在扫描模式中，在将赋予辐射束的图案投影到目标部分C上时，同步地扫描图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT和衬底台WTa(即，单次动态曝光)。可以通过投影系统PS的放大率(缩小率)和图像反转特性来确定衬底台WTa相对于图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT的速度和方向。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制单次动态曝光中目标部分(在非扫描方向上)的宽度，而扫描运动的长度确定目标部分(在扫描方向上)的高度。

-在另一种模式中，在将赋予辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，使图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT保持大致静止，从而保持可编程图案形成装置，并且移动或扫描衬底台WTa。在这种模式中，通常采用脉冲式辐射源，并且在衬底台WTa的每一次移动之后或者在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要来更新可编程图案形成装置。这种操作模式可以容易地施加到利用可编程图案形成装置(诸如上述类型的可编程反射镜阵列等等)的无掩模光刻术。

也可以使用上文所描述的使用模式的组合和/或变型，或者使用完全不同的使用模式。

光刻设备LA是所谓的双平台类型，其具有两个台WTa、WTb(例如，两个衬底台)和两个站一曝光站和测量站，台可以在曝光站和测量站之间进行交换。例如，当一个台上的衬底在曝光站被进行曝光时，另一衬底可以被加载到测量站处的另一衬底台上，且执行各种预备步骤。预备步骤可以包括使用水平传感器LS来绘制衬底的表面控制的地图和使用对准传感器AS测量衬底上的对准标记的位置，两个传感器均被参考框架RF支撑。如果位置传感器IF不能够在台处于测量站以及处于曝光站的同时测量台的位置，则可提供第二位置传感器以使得能够在两个站处追踪台的位置。作为另一示例，在一个台上的衬底正在曝光台处被曝光时，没有衬底的另一个台等在测量站处(在此处，可选地可以进行测量活动)。该另一个台具有一个或更多个测量装置，并且可选地可以具有其他工具(例如，清洁设备)。当该衬底已经完成曝光时，没有衬底的台移动至曝光站以例如执行测量，有衬底的台移动至该衬底被卸载且另一衬底被加载的部位处(例如，测量站)。这些多台布置使得设备的生产量显著增加。

如图2所示，光刻设备LA可以构成光刻单元LC的一部分，有时也称为光刻元或簇，光刻单元LC还可以包括用于在衬底上进行一个或更多个图案转印前和图案转印后处理的设备。常规地，这些设备包括：用于沉积抗蚀剂层的一个或更多个旋涂机SC、用于显影图案化后的抗蚀剂的一个或更多个显影机DE、一个或更多个激冷板CH和一个或更多个焙烤板BK。衬底处理器或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底，在不同的处理设备之间移动衬底，然后将衬底传送到光刻设备的加载台LB。这些装置通常统称为轨道，并且由轨道控制单元TCU控制，该轨道控制单元TCU本身由管理控制系统SCS控制，该管理控制系统SCS也通过光刻控制单元LACU来控制光刻设备。因此，可以操作不同的设备以最大化生产量和处理效率。

此外，常常需要模型化图案化过程，例如，使得该图案化过程可以被设计、控制、监测等等。因此，可设置描述图案化过程的一个或更多个步骤(通常包括图案转印步骤)的一个或更多个数学模型。在一实施例中，可使用一个或更多个数学模型来执行图案化过程的模拟，以模拟图案化过程如何使用由图案形成装置提供的经测量或设计的图案形成图案化衬底。图13中图示出用于在光刻投影设备中模型化和/或模拟光刻的示例性流程图。如将了解的，所述模型可表示不同图案化过程且无需包括下文所描述的所有模型。源模型1300表示图案形成装置的照射的光学特性(包括辐射强度分布、带宽和/或相位分布)。源模型1300可表示照射的光学特性，所述光学特性包括但不限于数值孔径设定、照射均方偏差(σ)设定以及任何特定照射形状(例如，离轴辐射形状，诸如环形、四极、偶极等等)。投影光学件模型1310表示投影光学件的光学特性(包括由投影光学件造成的对辐射强度分布和/或相位分布的改变)。投影光学件模型1310可表示投影光学件的光学特性，所述光学特性包括像差、失真、一个或更多个折射率、一个或更多个物理大小、一个或更多个物理尺寸等。设计布局模型1320表示设计布局的光学特性(包括由给定设计布局造成的对辐射强度分布和/或相位分布的改变)，该设计布局是在图案形成装置上形成或由图案形成装置形成的特征的布置的表示。设计布局模型1320可表示实体图案形成装置的一个或更多个物理属性，如例如在美国专利第7,587,704号中所描述的，该美国专利的全文以引用方式并入。由于可改变用于光刻投影设备中的图案形成装置，所以需要使图案形成装置的光学属性与至少包括照射和投影光学件的光刻投影设备的其余部分的光学属性分开。

可根据源模型1300、投影光学件模型1310和设计布局模型1320模拟空间图像1330。空间图像(AI)是在衬底水平位置处的辐射强度分布。光刻投影设备的光学属性(例如，照射、图案形成装置和投影光学件的属性)支配空间图像。

衬底上的抗蚀剂层是由空间图像曝光，且该空间图像被转印至抗蚀剂层而作为其中的潜“抗蚀剂图像”(RI)。可以将抗蚀剂图像(RI)定义为抗蚀剂层中的抗蚀剂的溶解度的空间分布。可使用抗蚀剂模型1340从空间图像1330模拟抗蚀剂图像1350。可使用抗蚀剂模型、根据空间图像计算抗蚀剂图像，可以在美国专利申请公开案第US2009-0157360号中找到其示例，该公开案的全部披露内容以引用方式并入本文中。抗蚀剂模型通常仅与抗蚀剂层的属性(例如，在曝光、曝光后焙烤和显影期间发生的化学过程的效果)相关。

光刻的模拟可例如预测抗蚀剂图像中的轮廓和/或CD。因此，该模拟的目的是精确地预测例如被印刷图案的边缘置放、和/或空间图像强度斜率、和/或CD等等。可以将这些值与预期设计比较，以例如校正图案化过程、识别预测缺陷出现的地点等等。预期设计通常被定义为可以以诸如GDSII或OASIS等标准化数据文件格式或其它文件格式而被提供的预OPC设计布局。

根据该设计布局，可识别被称作“片段(clip)”的一个或更多个部分。在一实施例中，提取片段集合，其表示设计布局中的复杂图案(例如，约500至800,000个片段，但可使用任何数目个片段)。这些图案或片段表示设计的小部分(即，电路、单元或图案)，且更具体而言，所述片段通常表示需要特定注意和/或验证的小部分。换句话说，片段可以是设计布局的一部分，或可以是相似的，或具有设计布局的该一部分的相似行为，其中一个或更多个临界特征通过经验(包括由客户提供的片段)、通过试误法或通过执行全晶片模拟而被识别。片段可包含一个或更多个测试图案或量规图案。在被印刷时被预测具有缺陷的那些片段被称为热点。

例如，可由客户基于设计布局中需要特定注意的一个或更多个已知临界特征区域而先验地提供初始较大的片段集合。替代地，在另一个实施例中，可通过使用识别该一个或更多个临界特征区域的某种自动(诸如机器视觉)或手动算法、从整个设计布局提取初始较大的片段集合。

此外，为了正确地且一致地处理由光刻设备处理(例如，曝光)的衬底，需要检查经处理的衬底，以测量一个或更多个属性，诸如后续层之间的重叠误差、线厚度、临界尺寸(CD)等。若检测到误差，则可对一个或更多个后续衬底的处理进行调整。例如，这在可很快进行检查且足够快速地进行检查以使得同一批次的另一衬底仍待处理的情况下特别有用。此外，可剥离已经处理的衬底、对已经处理的衬底进行返工(以改善良率)或舍弃已经处理的衬底，由此避免对已知有缺陷的衬底执行图案转印。在衬底的仅一些目标部分有缺陷的情况下，可仅对良好的那些目标部分执行进一步图案转印。另一可能性是调适后续过程步骤的设定以补偿误差，例如，可调整修整蚀刻步骤的时间来补偿由光刻过程步骤引起的衬底间CD变化。

以相似方式，可检查图案形成装置(例如，掩模版)以确定图案形成装置上的图案中是否存在任何误差。这样的检查可确定图案形成装置上的图案的特征的配准误差(例如，如“写”在图案形成装置上的图案的一部分相比于被设计的置放之间的置放差)和/或尺寸(例如，特征宽度、特征长度等等)。

检查设备是用于确定衬底的一个或更多个属性，且尤其确定不同衬底或同一衬底的不同层的一个或更多个属性如何在不同层间和/或跨越衬底和/或跨越不同衬底(例如，在不同衬底间)变化。检查设备可集成在光刻设备LA或光刻元LC中，或可以是单机器件。为了实现最快速测量，希望检查设备紧接在图案转印之后测量图案化抗蚀剂层中的一个或更多个属性。然而，抗蚀剂中的潜图案可具有极低对比度-例如，抗蚀剂的已曝光于辐射的部分与抗蚀剂的尚未曝光于辐射的部分之间仅存在极小折射率差-且并非所有检查设备具有充分敏感度以对潜图案进行有用的测量。因此，可以在曝光后焙烤步骤(PEB)之后进行测量，曝光后焙烤步骤(PEB)通常是在图案化衬底上进行的第一步骤且增加例如抗蚀剂的被曝光部分与未被曝光部分之间的对比度。在此阶段，抗蚀剂中的图案可被称为半潜影(semi-latent)。也可以对被显影的抗蚀剂图像进行测量-此时，例如，抗蚀剂的被曝光部分或未被曝光部分已被移除-或在诸如蚀刻等图案转印步骤之后进行被显影的抗蚀剂图像的量测。后一可能性限制有缺陷衬底的返工的可能性，但例如出于过程控制的目的仍可提供有用的信息。

用以确定物体(诸如半导体衬底、图案形成装置等等)的一个或更多个属性的检查设备可采用各种不同形式。例如，检查设备可使用光子电磁辐射以照射该物体且检测由该物体重新导向的辐射；这些检查设备可被称作亮场检查设备。亮场检查设备可使用具有在例如150纳米至900纳米范围内的波长的辐射。检查设备可以是以图像为基础的(即，拍摄该物体的图像)，和/或以衍射为基础的(即，测量衍射辐射的强度)。检查设备可检查产品特征(例如，将使用衬底形成的集成电路的特征或掩模的特征)和/或检查特定测量目标(例如，重叠目标、焦点/剂量目标、CD量规图案等)。

大多数是使用以光学件为基础的亚分辨工具完成例如半导体晶片的检查(亮场检查)。然而，在一些情况下，待测量的某些特征太小，不能使用亮场检查有效地进行测量。例如，半导体器件的特征中的缺陷的亮场检查可具有挑战性。此外，随着时间推移，使用图案化过程制作的特征(例如，使用光刻制作的半导体特征)变得愈来愈小，且在许多情况下，特征的密度也逐渐增加。因此，未来的半导体节点挑战用于测量小缺陷(例如，图案形状缺陷、电气缺陷等)的当前光学检查的可扩展性，且由于亮场检查的分辨率限制而将测量那些节点的更小和/或更密的特征。此外，亮场检查可能具有相对较低的捕捉率和/或(对于给定捕捉率)逐渐增加的损害率(nuisance rate)，从而可导致使用亮场检查所花费的时间和成本增加。

由此，使用且需要较高分辨率检查技术。示例性检查技术是电子束检查。电子束检查涉及将电子束聚焦在待检查的物体上的小光点上。图像通过以下操作形成：遍及被检查的物体的区域提供束与物体之间的相对移动(在下文中被称作扫描该电子束)；和使用电子检测器收集二次和/或反向散射电子。接着处理该图像数据，以例如识别缺陷。

因此，在一实施例中，检查设备可以是电子束检查设备(例如，与扫描电子显微镜(SEM)相同或相似)，该电子束检查设备产生物体上的结构(例如，器件(诸如集成电路)的一些或所有结构)的图像。图3描绘电子束检查设备200的实施例。从电子源201发射的初级电子束202由聚光器透镜203会聚，接着传递通过束偏转器204、ExB偏转器205和物镜206，从而辐射台101上在焦点处的物体100。

当使用电子束202辐射物体100时，从物体100生成二次电子。所述二次电子例如由ExB偏转器205偏转且被二次电子检测器207检测。二维电子束图像可通过以下操作获得：与例如束偏转器204对电子束进行的二维扫描同步地，或与束偏转器204对电子束202沿X或Y方向上进行的重复扫描同步地，与台101将物体100沿X或Y方向中的另一方向进行的连续移动一起，检测从样本产生的电子。因此，在一实施例中，电子束检查设备具有用于由角度范围界定的电子束的视场，电子束可由电子束检查设备设置于该角度范围(例如，偏转器204可设置电子束202通过的角度范围)中。因此，该视场的空间范围是电子束的角度范围可照射在表面上所达到的空间范围(其中该表面可以是静止的或可相对于该场移动)。

由二次电子检测器207检测到的信号被模拟/数字(A/D)转换器208转换为数字信号，且该数字信号被发送至图像处理系统300。在一实施例中，图像处理系统300可具有用以储存以供处理单元304处理的全部或部分数字图像的存储器303。处理单元304(例如，经专门设计的硬件或硬件与软件的组合)配置成将数字图像转换成或处理成表示数字图像的数据集。此外，图像处理系统300可具有配置成将数字图像及对应的数据集存储于参考数据库中的存储介质301。显示装置302可与图像处理系统300连接，以使得操作者可借助于图形用户界面对设备进行必要操作。

图3中所描绘的设备是单个电子束柱检查系统的示例；其具有产生、控制且检测单个电子束的单个电子束柱。然而，单个电子束柱检查系统可花费长时间来检查物体，诸如标准300毫米晶片。这会因为测量较小缺陷和/或特征的需求而被进一步加剧，其中测量较小缺陷和/或特征需要较小束尺寸。使用较小束或像素尺寸以检测较小缺陷和/或特征可导致噪音和生产量的损失(例如，由于减小电子流以限制对物体的任何损害)。被增大的电子流可增加生产量，但对分辨率具有负面影响。

因此，单个电子束柱检查系统会在生产量方面(例如，每单位时间的检查区域)受到显著约束，且单个电子束柱检查系统当前对于大容量制造来说过于缓慢。例如，在单个电子束柱检查系统与亮场检测之间可存在约3至4个数量级的生产量间隙。因此，需要提供具有高生产量的高分辨率检查。在一实施例中，提供生产量与基于亮场的检查相当的基于电子束的检查。

在一实施例中，可通过从特定电子束柱(在下文中被称作多束柱)提供多个电子束来增加生产量。因此，电子束检查设备的视场可通过以阵列/矩阵方式并排添加多个束而被扩展，以产生有效视场，该有效视场是各个束的各个视场的倍数。例如，束可设置有形成例如10x10束矩阵以及100x100微米的组合视场的10微米节距(每一束在物体处具有10x10微米的视场)。接着，该束阵列扫描物体，可比具有10x10微米的视场的单个束快100倍。然而，即使这样增益也可能不够。

参看图4，示出在物体100(例如，半导体晶片、掩模版等等)的情况中多束柱电子束检查系统的多个束的实施的示例。在此情况下，物体100包括多个场或管芯120，多个场或管芯120通过其各自的边界125识别(所述边界125可以不是物理地存在于该物体上，而是为“虚”边界)。在一实施例中，管芯对应于物体的变为单个器件的一部分。即，在该物体是半导体晶片的情况下，该物体被切割成对应于管芯的零件，每一管芯变为例如半导体器件。在一实施例中，场对应于用于图案化衬底的光刻设备的曝光场的大小。例如，在图案形成装置提供包括多个管芯的图案的情况下，场可以包括多个管芯。图4中的物体是高度示意性的且通常将具有比所展示的多得多的管芯/场。虽然描绘了圆形物体，但其可以是不同形状。物体的宽度(例如，直径)可不同。例如，宽度可以是300纳米或450纳米。在一实施例中，物体将具有约30或更多个管芯/场、约40或更多个管芯/场、约50或更多个管芯/场、约60或更多个管芯/场、约70或更多个管芯/场、约80或更多个管芯/场、约90或更多个管芯/场、约100或更多个管芯/场、约110或更多个管芯/场、约120或更多个管芯/场、约130或更多个管芯/场、约140或更多个管芯/场、约150或更多个管芯/场、约160或更多个管芯/场、约170或更多个管芯/场、约180或更多个管芯/场、约190或更多个管芯/场、约200或更多个管芯/场、约220或更多个管芯/场、约240或更多个管芯/场，或者约260或更多个管芯/场。

如图4中所示，多个束呈现组合视场400，其中束检查物体100。在此示例中，存在四个束，每个束具有组合视场中的自己的视场且各自的视场无需是相等的。在此情况下，每个束具有组合视场400中的相等视场，该相等视场由图4中的四个区段表示。因此，在一实施例中，提供组合视场400与物体100之间的相对移动，以便束可检查物体(包括缺陷410)的不同部分(例如，场/管芯120或其一部分)。在一实施例中，若束中的每一个具有与组合视场400中的其各自的视场相对应的宽度，则束可以在大体上固定的取向上，且使该物体相对于所述束移动以检查该物体。此外，在一实施例中，在电子束与物体之间存在相对移动，以提供具有其各自的视场的束在组合视场400内的扫描。在一实施例中，该物体在大体上固定的取向上，且使所述束相对于该物体移动(例如，倾斜)，以使得所述束在其各自的视场内扫描。在一实施例中，可存在束与物体的组合移动，以造成具有其各自的视场的束的扫描。因此，在一实施例中，通过组合视场400与物体之间的相对移动，可以将多个束提供至该物体的不同部分，诸如多个场/管芯120或其一部分，且一旦在该物体的一部分处，则提供电子束与物体之间的相对移动，以提供具有组合视场400的其各自的场的束的扫描，以成像该物体(包括缺陷410)。

组合视场400以及组合视场400的对应于各个束的单独的视场部分可具有与如图4中所示的不同的形状。如上文所提及，在一实施例中，每个束光点的边界与视场400的其相应部分共同延伸。在一实施例中，束光点小于束的视场部分，且因此实际上在束与视场400的其相应部分之间设置了相对运动，使得束可检查对应于其视场部分的区域。在此实施例中，可使得束移动(例如，倾斜)，以便提供束与视场400的其相应部分之间的相对移动，且可使得该物体移动，以提供视场400与该物体之间的相对移动。可视需要提供不同组合的移动。

在一实施例中，生产量和/或测量较小特征的能力可通过提供多个电子束柱予以改善，多个电子束柱(在下文中被称作多柱系统)中的每一个提供至少单个电子束。即，每个柱提供至少单个电子束(在一实施例中，多个电子束柱中的一个或更多个是多束柱)且具有检测器以测量由入射在物体上的柱的电子束引起的二次和/或反向散射电子。在一实施例中，电子束柱中的每一个或选自电子束柱的多个电子束与一个或更多个其它电子束柱并行地检查物体。因此，在一实施例中，每个束可具有用于较佳分辨率的相对小流，但多个电子束柱总体上提供相对高的总流以实现较快检查。此外，相较于单个电子束柱，通过使用多个电子束柱并行地获取图像，能够实现生产量的显著增加。

参看图5，示出在物体100的情形中多柱电子束检查系统的实施例的多个束的实施的高度示意性示例。在此情况下，物体100包括多个场或管芯120，多个场或管芯120通过其各自的边界125被识别(所述边界125可以不是物理地存在于该物体上，而可以是“虚”边界)。在一实施例中，场或管芯中的每一个具有分配给它的电子束柱。在一实施例中，多个组中的每一组具有分配给它的电子束柱，每一组包括多个场或管芯。在一实施例中，以一维阵设置多个电子束柱，期望地，一维阵列具有足够的电子束柱，以跨经物体的最宽部分延伸。在一实施例中，一维阵列实际上通过阵列与物体之间的相对移动、沿与阵列的延长方向正交的方向跨经该物体进行扫描。在一实施例中，电子束柱布置成二维阵列。在一实施例中，二维阵列跨经物体的宽度/长度在第一方向上延伸且跨经该物体的宽度/长度在正交于第一方向的第二方向上延伸。在一实施例中，二维阵列是矩形阵列。在一实施例中，二维阵列具有匹配物体的形状的形状。因此，对于圆形物体，该阵列可以是矩形阵列(其中阵列元件在拐角处被移除以制造大致圆形阵列)或可以是菱形形状。

在一实施例中，物体将具有分配给该物体的约30或更多个电子束柱、分配给该物体的约40或更多个电子束柱、分配给该物体的约50或更多个电子束柱、分配给该物体的约60或更多个电子束柱、分配给该物体的约70或更多个电子束柱、分配给该物体的约80或更多个电子束柱、分配给该物体的约90或更多个电子束柱、分配给该物体的约100或更多个电子束柱、分配给该物体的约110或更多个电子束柱、分配给该物体的约120或更多个电子束柱、分配给该物体的约130或更多个电子束柱、分配给该物体的约140或更多个电子束柱、分配给该物体的约150或更多个电子束柱、分配给该物体的约160或更多个电子束柱、分配给该物体的约170或更多个电子束柱、分配给该物体的约180或更多个电子束柱、分配给该物体的约190或更多个电子束柱、分配给该物体的约200或更多个电子束柱、分配给该物体的约220或更多个电子束柱、分配给该物体的约240或更多个电子束柱，或分配给该物体的约260或更多个电子束柱。图5中的物体是高度示意性的且通常将具有比所展示的多得多的管芯/场。虽然描绘了圆形物体，但其可以是不同形状。该物体的宽度(例如，直径)可改变。

如图5中所示，多个束中的每个束具有各自的视场500，所述束在各自的视场中束检查物体100。在此示例中，有五个束，每个束具有其自己的视场500。因此，在一实施例中，提供束与物体之间的相对移动(该相对移动实际上造成视场500与物体100之间的相对移动)，以便束检查物体(包括缺陷410)的不同部分。在一实施例中，视场500中的每一个实际上专用于各自的场或管芯。即，在一实施例中，仅用多个视场500中的单个视场500来检查大部分管芯或场。在一实施例中，用于管芯或场的每个视场500检查邻近的管芯或场的不到大部分，包括无一者。在一实施例中，视场500不检查除了视场500与之相关联的管芯或场以外的管芯或场。

因此，在一实施例中，提供视场500与物体100之间的相对移动，使得每一视场500检查其相关联管芯或场的不同部分。在一实施例中，视场500在大体上固定的取向上，且使该物体相对于视场500移动，以将视场500置放在其各自的场或管芯的其各自部分处。

一旦视场500中的每一个位于其各自的管芯或场的其各自部分处，则各个束中的每一个接着与其它束并行地检查其管芯或场的其各自部分。在一实施例中，在视场500对应于电子束光点的大小的情况下，该束在大体上固定的取向上，且使该物体相对于该束移动，以使得该束在各自的场或管芯中扫描。更通常地，在一实施例中，该物体在大体上固定的取向上，且使各个束相对于该物体移动(例如，倾斜)，以使得所述束在各自的场或管芯中的其各自的视场内扫描。在一实施例中，可存在束与该物体的组合移动，以造成所述束的扫描。

因此，在一实施例中，通过视场500与物体100之间的相对移动，所述束(其在视场500中操作)中的每一个束分别步进至其各自的场/管芯120的不同部分，以成像那些不同部分(通常通过各自束的扫描，该扫描通过束的移动和/或物体的移动)，那些不同部分包括实际或疑似缺陷410。此外，为了实现生产量改善，通过束在其各自的视场500中并行地检查不同场/管芯120的部分，即，将多个束同时投影在该物体处，使得每个束检查其各自的场或管芯。

在一实施例中，对应于各个束的视场500可具有与如图4中所示不同的形状。在一实施例中，每一束光点的边界与其视场500共同延伸。在一实施例中，束光点小于束的视场，且因此实际上提供束与其视场500之间的相对运动，使得该束可检查对应于视场500的区。在此实施例中，可使得束移动(例如，倾斜)以便提供束与其视场之间的相对移动，且可使得该物体移动以提供视场500与该物体之间的相对移动。可视需要提供不同组合的移动。

图6是包括电子束柱600的阵列的多柱电子束检查系统的实施例的高度示意性表示，每个电子束柱对应于物体100上的至少一个管芯或场。因此，在一实施例中，多个小型电子束柱布置成阵列(例如，大致水平阵列)-在此情况下是二维阵列。例如，可以在二维阵列中设置30、40、50、60、70、80、90、100、110、120、130、140、150或160或更多个光学柱。在一实施例中，光学柱的数目至少对应于物体100上的场或管芯的数目。电子束柱的阵列使得能够并行地实现交叉物体检查，即，电子束柱中的至少一个检查该物体的一部分的同时，电子束柱中的至少另一个检查该物体的另一部分。

每个电子束柱是小型的(例如，200平方毫米或更小、170平方毫米或更小、150平方毫米或更小、120平方毫米或更小、100平方毫米或更小、80平方毫米或更小、60平方毫米或更小，诸如在任一维度或两个维度上为10x10毫米或更小)。此外，每个电子束柱提供至少一个电子束且具有至少一个检测器。在一实施例中，每个电子束柱实际上是独立电子束系统。如上文所提及，在一实施例中，每个柱置放于匹配物体100上的每个场或管芯的位置的图案中。在物体(例如，300毫米直径的半导体衬底)具有100个管芯或场的情况下，将提供例如100个分离的电子束柱，每个电子束柱与另一电子束柱间隔开1至30毫米(与单个柱多束检查系统中的多个束之间的几微米间隔不同)。

在一实施例中，电子束柱中的一个或更多个可相对于电子束柱中的另外的一个或更多个移动。在一实施例中，电子束柱中的每一个可独立地移动。在一实施例中，电子束柱可以在第一方向上移动且可以在基本上正交于第一方向的第二方向上移动。在一实施例中，电子束柱中的一个或更多个群组可相对于一个或更多个其它电子束柱移动，每一群组包括多个电子束柱。例如，电子束柱的一行或一列可相对于电子束柱的另一行或列移动。

参看图6，呈现用于移动电子束柱的致动器系统的实施例。在此实施例中，多个电子束柱安装在结构610上，另外多个电子束柱安装在另一结构610上，且视需要诸如此类。致动器系统的致动器620使得结构610中的至少一个在第一方向640上移动，以改变至少一个结构610相对于另一结构610的位置。在一实施例中，致动器620布置成改变结构610(且因此改变电子束柱600)在方向640上的节距，且因此均一地改变结构610的间距。在一实施例中，节距的改变使得节距从结构610当中的第一均一节距改变为结构610当中的不同的第二均一节距。在一实施例中，致动器620配置成独立地移动结构610中的每一个，使得可提供结构610之间的几乎任何间距布置。在一实施例中，致动器620包括线性马达、压电致动器和/或皮带系统。在一实施例中，致动器620可以在高达6个并包括6个自由度中移动结构610。

在一实施例中，致动器系统配置成在第二方向630(在一实施例中，其基本上正交于第一方向640)上移动电子束柱。将参考图8及图9描述用以在方向630上移动电子束柱600的致动器的实施例的细节。

图7是参考图6所描述的类型的多柱电子束设备的实施例的高度示意性透视图。如图7中可看出，电子束柱600跨经物体100的宽度/长度延伸。虽然电子束柱600在图7及图8中所示为从结构610延伸，但电子束柱600可以在结构610的内部集成(例如，结构610为大体U形，以容纳呈U形的电子束柱)。

图8是电子束柱600的实施例的高度示意性侧视图。电子束柱包括电子束光学件800、电子束处理装备810、视情况选用的传感器820、致动器部分840及视情况选用的致动器860。图9是图8的电子束柱600的实施例的高度示意性俯视图或仰视图。

在一实施例中，电子束光学件800包括用以产生电子束805的电子束源。在一实施例中，电子束光学件800包括用以朝向物体聚焦并引导电子束的一个或更多个光学元件(出于方便起见此处未示出)。

电子束处理装备810包括配置成从物体感测二次和/或反向散射电子的检测器，由来自电子束光学件800的束入射在物体上而引起二次和/或反向散射电子。因此，电子束柱充当电子束的被集成的供应器和检测器，以检查物体的特定区域。

在一实施例中，电子束处理装备810视情况包括配置成造成束的移动(例如，使束倾斜)的光学件/结构。因此，在此情况下，电子束柱具有比束自身的宽度宽的视场。这些光学件/结构可以在电子束柱的视场内移动束(例如，具有1纳米至30纳米的光点大小)，例如，扫描电子束柱的视场。在一实施例中，光学件/结构是静电的。在一实施例中，电子束处理装备810的光学件/结构(若存在)及电子束光学件800可以都是静电的，即，不存在用于在电子束发射之后且在电子束入射在物体上之前处理电子束的磁性元件。这种配置使得小电子束柱能够视情况快速偏转。替代地，在另一个实施例中，与静电元件组合的永久性磁性元件可实现小柱的替代性实施例。

在一实施例中，电子束处理装备810视情况包括电子柱控制系统。电子柱控制系统使得能够控制电子光学件800、配置成造成束的移动的视情况选用的光学件/结构、检测器、致动器部分840和/或850、和/或视情况选用的致动器860。在一实施例中，电子柱控制系统包括中央处理单元和本地数据储存器，以通过电子束柱实现个别控制且因此实际上实现独立的电子束检查。在一实施例中，每个电子束柱具有相同或几乎相同的数据路径。因此，当使电子束遍及物体扫描时，由每个电子束柱的检测器收集来自每个电子束柱的图像，且将该图像数据传送至电子柱的控制系统。在每个柱处的并行的检测和处理有助于避免瓶颈且实现高数据量和速率。

在一实施例中，(包括致动器620的致动器系统的)致动器部分840使得电子束柱600能够在第二方向630上移动，以改变电子束柱600相对于另一电子束柱的位置。在一实施例中，致动器部分840与位于结构610中或结构610上的致动器部分850协作，其中电子束柱600附接至结构610。在一实施例中，致动器部分840可以包括线圈或磁体，且致动器部分850可以是协作的磁体或线圈。在一实施例中，致动器部分840、850形成线性马达。在一实施例中，可仅提供致动器部分840，例如，压电致动器。在一实施例中，仅提供结构610中或结构610上的致动器部分850(例如，机械马达或皮带系统)，以移动电子束柱600。在一实施例中，致动器部分850沿着多个电子束柱(例如，结构610的长度)延伸或包括沿着对应于每个电子束柱600的结构610的部分。在一实施例中，致动器部分840和/或850布置成改变结构610上的电子束柱600在方向630上的节距，且因此均一地改变电子束柱600的间距。在一实施例中，节距的改变使得节距从电子束柱600当中的第一均一节距改变为电子束柱600当中的不同的第二均一节距。在一实施例中，致动器部分840和/或850配置成独立地移动电子束柱600中的每一个，使得可以在电子束柱600之间沿着结构610提供几乎任何间距布置。在一实施例中，致动器部分840和/或850包括线性马达、压电致动器和/或皮带系统。在一实施例中，致动器部分840和/或850可以在高达6个并包括6个自由度中移动电子束柱。

图14是包括电子束柱600的阵列的多柱电子束检查系统的实施例的高度示意性表示，每个电子束柱对应于物体100上的至少一个管芯或场。因此，在一实施例中，多个小型电子束柱布置成阵列(例如，大致水平阵列)-在此情况下是二维阵列。电子束柱的阵列使得能够实现并行地交叉物体检查，即，电子束柱中的至少一个检查物体的一部分的同时，电子束柱中的至少另一个检查物体的另一部分。

在一实施例中，电子束柱中的一个或更多个可相对于电子束柱中的另外的一个或更多个移动。在一实施例中，电子束柱可以在第一方向上移动且可以在基本上正交于第一方向的第二方向上移动。在一实施例中，电子束柱的一个或更多个群组可相对于一个或更多个其它电子束柱移动，每一群组包括多个电子束柱。例如，电子束柱的一行或一列可相对于电子束柱的另一相应的行或列移动。

在此实施例中，提供长行程定位单元和短行程定位单元的组合，以在物体上的扫描场内定位每个电子束柱。对于长行程移动，提供结构的栅格以在两个大体上正交的方向上(例如，X或在Y上)独立地移动电子束柱簇，如在图14的俯视图和仰视图中示意性地示出。下文将关于图15描述短行程定位单元，且短行程定位单元包括用于单独的电子束柱的二维短行程致动器。物体上的扫描场的典型数量是100，因此例如10x10电子束柱的栅格涉及沿着X方向的10个结构和沿着Y方向的10个结构。图14的示意性示例示出沿着X方向的4行和沿着Y方向的3列。在一实施例中，该栅格包括基本上与另外多个结构垂直的多个结构，但在一实施例中，所述结构无需是垂直的。

参看图14，呈现用于移动电子束柱的长行程致动器系统的实施例。在此实施例中，多个电子束柱安装在结构1300上，另外多个电子束柱安装在另一结构1300上，且视需要诸如此类。致动器系统的致动器1310使得结构1300中的至少一个在第一方向1320上移动，以改变至少一个结构1300相对于另一结构1300的位置。在一实施例中，致动器1310布置成改变结构1300(且因此改变电子束柱600)在方向1320上的节距，且因此均一地改变结构1300的间距。在一实施例中，节距的改变使得节距从结构1300当中的第一均一节距改变为结构1300当中的不同的第二均一节距。在一实施例中，致动器1310配置成独立地移动结构1300中的每一个，使得可提供结构1300之间的几乎任何间距布置。在一实施例中，致动器1310可以在高达6个并包括6个自由度中移动结构1300中的每一个或其组合。

在此实施例中，多个电子束柱安装在结构1330上，另外多个电子束柱安装在另一结构1330上，且视需要诸如此类。在一实施例中，安装至结构1330的电子束柱是安装至结构1300的电子束柱。致动器系统的致动器1340使得结构1330中的至少一个在第二方向1350(在一实施例中，其基本上与第一方向1320正交)上移动，以改变至少一个结构1330相对于另一结构1330的位置。在一实施例中，致动器1340布置成改变结构1330(且因此改变电子束柱600)在方向1350上的节距，且因此均一地改变结构1330的间距。在一实施例中，节距的改变使得节距从结构1330当中的第一均一节距改变为结构1330当中的不同的第二均一节距。在一实施例中，致动器1340配置成独立地移动结构1330中的每一个，使得可提供结构1330之间的几乎任何间距布置。在一实施例中，致动器1340可以在高达6个并包括6个自由度中移动结构1330中的每一个或其组合。

在图14中(且在图15中示出)，结构1330与结构1300重叠。虽然结构1330被示出为覆盖结构1300，但其无需如此。例如，结构1300可以覆盖结构1330。作为另一示例，结构1300与1330可实际上交织，使得结构1300的部分是在邻近的结构1330之间(或反之亦然)。作为另一示例，结构1300可使用一个或更多个适当狭槽通过结构1330的本体(或反之亦然)。

在一实施例中，致动器1310和/或致动器1340包括线性马达、压电致动器和/或皮带系统。在一实施例中，致动器1310可以在高达6个并包括6个自由度中移动结构1300和/或致动器1340可以在高达6个并包括6个自由度中移动结构1330。在一实施例中，致动器1310和/或致动器1340可以在高达200毫米/秒(例如，高达50毫米/秒，高达100毫米/秒，高达150毫米/秒)速度下提供例如高达200毫米的范围(例如，高达50毫米的范围，高达100毫米的范围，高达150毫米的范围)，用于长行程移动。在一实施例中，致动器1310和/或致动器1340提供在10微米至100微米的范围内的横向精确度。

在一实施例中，用于长行程移动和/或用于短行程移动的马达中的一个或多个未受电场和/或磁场显著影响(且期望地，不应提供影响电子束柱600的电场和/或磁场)。在一实施例中，用于长行程移动和/或用于短行程移动的马达是压电马达。压电马达通常对电场和/或磁场不敏感。在一实施例中，压电马达基本上不提供电场和/或磁场。压电马达(例如，线性压电马达、行走压电马达、六脚压电马达等等)可提供用于各个长行程移动和/或用于短行程移动的范围和/或速度。

参看图15，在一实施例中，在第一方向1320和第二方向1350上的独立长行程移动通过应用例如齿轮箱类型构造而实现。图15是用于并行的电子束柱600的长行程移动的双结构齿轮箱类型机构的实施例的高度示意性侧视图，其中可使用结构1300、1330将电子束柱600置放在例如长行程定位单元下方。提供结构1400(例如，棒或杆)，短行程致动器1410附接至该结构1400上。电子束柱600附接至短行程致动器1410上。

在一实施例中，短行程致动器1410实现电子束柱600在例如高达6个自由度(包括例如第一方向1320和第二方向1350)上的精细移动。在一实施例中，致动器1410包括线性马达、压电致动器和/或皮带系统。在一实施例中，致动器1410包括压电马达。在一实施例中，致动器1410可提供例如用于精细行程移动的高达20毫米的范围(例如，高达5毫米的范围、高达10毫米的范围、高达15毫米的范围)。如将了解，致动器1410的范围通常将小于致动器1310、1340的范围。在一实施例中，致动器1410具有在物体上的单个扫描场的大小内的尺寸，以防止电子束柱600彼此妨碍。

结构1400可沿着结构1330在第一方向1320上移动(该结构1330可通过致动器1340在第二方向1350上移动)且沿着结构1300在第二方向1350上移动(该结构1300可通过致动器1310(图15中未示出)在第一方向1320上移动)。在一实施例中，结构1400(和附接的电子束柱600)被导引以通过附接至结构1400的轴承1420而沿着结构1330移动。在一实施例中，轴承1420是由结构1330的内部表面(如图15中所示)或外部表面导引。在一实施例中，结构1400(和附接的电子束柱600)被导引以通过附接至结构1400的轴承1430而沿着结构1300移动。在一实施例中，轴承1430是由结构1300的内部表面(如图15中所示)或外部表面导引。在一实施例中，致动器1410允许在每一特定扫描场内的在2微米横向精确度内的短行程定位。

此外，提供分离的制动器1440、1450，以允许结构1400和附接的电子束柱600在第一方向1320和第二方向1350上的分离移动。在一实施例中，分别通过致动器1460、1470致动制动器以使其关闭或开通。若针对结构1330关闭制动器1440，则结构1400和附接的电子束柱600在结构1330上固定在适当位置(且因此结构1400和附接的电子束柱600在制动器1440关闭时无法相对于结构1330移动，且因此在一实施例中结构1400和附接的电子束柱600在制动器1440关闭时无法在第一方向1320上以长行程方式移动)。然而，在图15中，制动器1440示出为开通的，且因此当结构1300在第一方向1320上移动时，结构1400和附接的电子束柱600可沿着结构1330移动。为通过结构1300实现结构1400和附接的电子束柱600在第一方向1320上的移动，如图15中所示，关闭制动器1450，使得结构1400和附接的电子束柱600在结构1300上固定在适当位置。为了使结构1400和附接的电子束柱600沿着结构1300在第二方向1350上移动，将开通制动器1450且关闭制动器1440，且接着结构1330将通过致动器1340在第二方向1350上移动。因此，通过致动器1460、1470使制动器1440、1450选择性地开通和关闭，结合结构1300、1330的移动，可使结构1400和附接的电子束柱600移动至所要位置。如将了解的，可提供多个结构1400及各自的附接的电子束柱600，每一结构1400具有各自的制动器1440、1450集合。在一实施例中，可向两个制动器1440、1450提供单个致动器。在一实施例中，手动地操作制动器1440、1450。

参看图16A，电子束柱600中的一个或更多个可置放于包括重叠结构1300、1330的栅格的长行程系统下方(或上方)，如图2和图3中所示。因此，在一实施例中，电子束柱600中的所有位于最低结构1300、1330下方(或位于最高结构1300、1330上方)。在图2和图16A的示例中，电子束柱600中的每一个部分地位于结构1300与结构1330的相交处的中心的下部(或上方)。如将了解的，该相交处是虚拟部位，重叠结构在该虚拟部位处交叉。图17A示出完全位于最低结构1300、1330下方(或位于最高结构1300、1330上方)和/或部分地位于结构1300与结构1330的相交处的中心的下部(或上方)的电子束柱600的示例。

参看图16B，为了节省在Z方向上的空间和/或为了添加机械稳定性，可以将电子束柱600中的一个或更多个置放至邻近的结构1300和/或邻近的结构1330的侧面，例如，置放至每一相交处的侧面，如图16B中所示。因此，在一实施例中，电子束柱600中的一个或更多个不位于结构1300和/或结构1330下部(或上方)。图17B示出定位至邻近的结构1300和/或邻近的结构1330的侧面和/或不位于结构1300和/或结构1330下部(或上方)的电子束柱600的示例。如图17B中所示，电子束柱600可至少部分地位于邻近的结构1300/1330之间的间隙中，且因此致动器1410和/或电子束柱600位于邻近的结构1300/1330的底部表面上方(或顶部表面下方)。在此实施例中，制动器1440和/或制动器1450相对于其各自结构1300、1330的侧面操作。因此，在此实施例中，结构1400可弯曲以在该间隙中容纳电子束柱600的部位。例如，结构1400可从结构1300(如在图17B中所见)的侧面延伸和/或可从结构1330(如在图17B中所见)的侧面延伸。图16B及图17B的实施例以其它方式使用移动电子束柱600(例如，使用制动器1440、1450及结构1300、1330的移动)的相同原理。

在一实施例中，电子束柱600和/或结构1400中的一个或更多个可具有量测模块1480(例如辐射源(例如，激光器)及传感器)，以测量距一个或更多个相邻电子束柱600和/或结构1400的距离，以便确定其相对于物体扫描场的确切位置(例如，以便在其相关联管芯或场内有效地和/或精确地检查)。替代或另外地，量测模块1480可测量电子束柱600与长行程系统的一个或更多个结构1300、1330之间的距离，以便确定其相对于物体扫描场的确切位置。另外或替代地，量测模块1480(例如，呈如下文所描述的传感器820的形式)可使用物体上(例如，每一管芯或场上)的一个或更多个标记来测量电子束柱600相对于物体扫描场的位置。

在一实施例中，为了实现精定位，结构1300、1330可以以第一、相对低的分辨率模式移动，以使得电子束柱600中的一个或更多个遍及相对大扫描区域(例如，大于1平方微米且高达200平方微米)扫描。在一实施例中，一种或多种技术(诸如图案辨识)可以用于精确地定位所关注区域(例如，缺陷区域)。在第二步骤中，使用例如结构1300、1330和/或致动器1410以高精确度将多个电子束柱600移动至其检查位置，且接着之后在(期望地，包围所关注区域的)小区域(诸如大于0.1平方微米且高达2平方微米的区域)之上进行高分辨率扫描。在一实施例中，针对第二步骤，不以物理方式移动电子束柱600，而是仅使物体离心移动以执行小区域扫描，或使电子束柱600与物体两者移动以执行小区域扫描。

因此，在一实施例中，提供一种长行程系统，其包括使用例如用以独立地在两个不同方向上(例如，在X及Y方向上)移动电子束柱的齿轮箱类型的构造将电子束柱保持在其各自扫描场上方的重叠结构。在一实施例中，可提供压电长行程和短行程马达，以用于精确定位和/或无电/磁性干扰定位。在一实施例中，提供将短行程致动器和/或电子束柱定位在长行程结构的侧面上的可能性。

因此，通过本发明中所描述的致动器系统，电子束柱可布置成适应不同物体大小。此外，致动器系统可布置成在场或管芯的不同大小、场或管芯的不同节距、场或管芯的不同形状等等方面适应场或管芯的不同布置。进行调整，使得电子束柱各自与不同场或管芯匹配，且因此仅调整在例如电子束柱的X和/或Y上的一般节距，以便将电子束柱与相应场或管芯部位匹配。

因此，在一实施例中，多个束是采用场或管芯节距/间距的整数倍的节距。因此，在一实施例中，为了允许管芯或场大小或间距可变，致动器系统使得束在X和/或Y上移动场或管芯节距的一半的距离。在一实施例中，电子束柱被间隔开至少比该节距的2倍大的距离，以便实现所述柱的移动范围。

虽然实施例已描述使用可移动结构610，但可以以不同方式实施电子束柱600的移动。例如，电子束柱中的每一个可相对于大体上平面的结构在X及Y方向上单独地移动。例如，每个电子束柱可具有与线圈或磁体的平面布置(类似于平面马达)协作的线圈或磁体。此外，虽然在图中将物体描绘为在电子束柱下部，但物体也可位于电子束柱上方。

在一实施例中，在检查期间，电子束柱实质上是静止的。因此，在检查之前，在X和/或Y上调整电子束柱以匹配场或管芯位置/大小，且接着电子束柱在检查期间实质上是固定的。在检查期间，仅该物体可相对于预定位的电子束柱移动。视情况，可偏转束以实现电子束在如上文所讨论的检查期间的扫描。

此外，在一实施例中，参看图10，可使用致动器860对至少电子束光学件(其可以包括多达整个电子束柱)的位置(例如，水平位置或倾斜)进行稍微调整1000、1010。当在处理整个物体以用于检查期间、使该物体相对于电子束柱移动时，可进行此调整；例如，当移动该物体以将新检查区域置放在管芯或场内在相关联电子束柱的视场内时，至少电子束光学件位置可以在该周期期间改变。在一实施例中，该调整可考虑电子束柱或其电子束光学件的部位的误差，所述误差可能起因于通过例如致动器620和/或致动器840、850的移动。在那种情况下，在一实施例中，致动器860可例如在方向1010上移动电子束光学件，以将电子束光学件放在所要位置。在一实施例中，例如在方向1000上的调整可考虑与具有如下文所描述的疑似缺陷的区域的未对准。

相似地，可使用致动器840、850对电子束柱600的位置(例如，水平位置或倾斜)进行稍微调整1000、1010。当在处理整个物体以用于检查期间使该物体相对于电子束柱移动时，可进行此调整；例如，当移动该物体以将新检查区域置放在管芯或场内在相关联电子束柱的视场内时，可以在该周期期间改变个别电子束柱位置。在一实施例中，该调整可考虑电子束柱的部位的误差，所述误差可能起因于通过例如致动器620和/或致动器840、850的移动。在那种情况下，在一实施例中，致动器840、850可例如在方向1010上移动电子束柱，以将电子束柱(及其电子束光学件)放在所要位置。在一实施例中，例如在方向1000上的调整可考虑与具有如下文所描述的疑似缺陷的区域的未对准。

如上文所描述的调整可基于如下文所描述的传感器数据和/或基于其它测量数据，诸如对准、重叠和掩模配准数据，所述数据有助于定位图案的图案特征在物体处的对应的管芯或场中位于何处，即，在计算上预测图案特征在物体上的移位。

在一实施例中，电子束柱视情况包括用以移动电子束光学件800和/或电子束处理装备810的致动器860。相较于由致动器部分840和/或850提供的相对粗略移动，该致动器860可实现精细移动。在一实施例中，致动器860包括线性马达和/或压电致动器。在一实施例中，致动器860可以在高达6个并包括6个自由度中移动电子束光学件800和/或电子束处理装备810。

在一实施例中，电子束柱包括视情况选用的传感器820。在一实施例中，传感器820提供辐射830(例如，光)以确定电子束柱相对于该物体的位置。例如，传感器820可确定从电子束柱至物体的距离和/或确定电子束柱与物体之间的倾斜。另外或替代地，在一实施例中，传感器820测量物体上的对准标记或其它目标，以确定电子束柱与物体上的部位之间的相对位置。此信息可被提供至用于移动电子束柱的致动器系统(例如，致动器部分840和/或850)和/或电子束光学件(例如，致动器860)，以分别实现对电子束柱和/或电子束光学件的位置的控制，和/或被提供至用于移动束的电子束处理装备810的光学件/结构，以实现对电子束的位置的控制。

较小视场减小像素大小，从而实现对较小图案漂移的检测，但需要较精确对准。因此，倘若所述柱通过高精度机械电子件或通过使用例如传感器而被很好地对准，则可使用较小视场，从而产生较高分辨率及较高检查速度。

此外，在一实施例中，使用被布置在如上文所讨论的管芯或场处的多个电子束柱来提供计算缺陷预测与并行检查的协同组合，以通过检查小于各个管芯或场的整个区域的区域来增大生产量、精确度和/或效率。例如，计算缺陷预测可以将待检查的区域的大小缩减约2至3级，且因此相较于单束电子束检查设备或多束电子束检查设备，提供显著较快的检查，以识别物体上的潜在地有缺陷的特征。例如，单束电子束设备将花费大量时间来扫描管芯或场，更不用说物体上的所有管芯或场，且此外，花费大部分时间来检查精细的图案特征。此外，多束电子束设备将具有跨经若干束的相对大的组合视场。然而，有可能出现缺陷的区域(约0.5平方微米至3平方微米)已经小于单个束的视场(约100平方微米)，更不用说10000平方微米的组合视场(例如，束的10x10阵列)。因此，仅一个或一对所预期的缺陷将落入组合视场内，且因此多束电子束设备将不显著加速缺陷的检查。

由于洞悉到许多缺陷(例如，在半导体晶片上)是系统性的且依赖于图案的，因此可实现例如生产量的提高，且因此计算缺陷预测将识别每个管芯或场中的相同或相似位置(可能除半导体晶片的边缘之外)中的缺陷的可能性是相当高的。因此，若电子束柱与管芯或场预对准，则电子束柱的群组与物体之间的单个相对移动将使具有一个或更多个预测缺陷的各个区域置放在所有、大多数或许多电子束柱的视场内，从而实现并行检查。换句话说，电子束柱可以在检查期间且在检查之间相对于彼此保持基本上静止，使得电子束柱的集合与物体之间的相对移动可以将每个电子束的撞击点并行地定位在具有一个或更多个潜在缺陷的每个管芯或场中的各自区域处。这样，电子束可快速并行地位于潜在地有缺陷的区域处。此外，将需要运用电子束来检查小于每个管芯或场的整个区域的区域，以便实现相当大速度和生产量增益。

因此，在一实施例中，提供小型电子束柱的二维阵列，其中每物体管芯或场具有至少一个柱，所述小型电子束柱基于对潜在地具有一个或更多个缺陷的各个管芯或场中的一个或更多个区域的识别来检查小于每一对应管芯或场的整个区域的区域。在一实施例中，通过例如模拟而在计算上预测一个或更多个缺陷。在一实施例中，可就节距在至少X和/或Y方向上调整电子束柱，以实现与管芯或场的对准。

如上文所提及，在一实施例中，不检查物体的整个管芯或场。在一实施例中，不检查物体的管芯或场中的大多数。在一实施例中，不检查物体的整个图案化部分。在一实施例中，具有潜在缺陷的区域可被称为热点。热点是包括一个或更多个图案特征的区域，该一个或更多个图案特征可具有在其图案化中具有缺陷的趋势。因此，在一实施例中，检查系统可检查管芯或场内的离散热点。在一实施例中，热点区域测量2平方微米或更小(例如，1.41微米x 1.41微米、1微米x 1微米或0.77微米x 0.77微米)。管芯或场可具有多个热点区域。在许多情况下，热点区域在管芯或场内将为离散的。在一实施例中，多个热点区域可定位成彼此邻近，使得其重叠或连接，从而形成热点区域的连续群组。因此，通过仅检查热点，电子束物体检查生产量可增加约两个数量级(约100倍)。

在一实施例中，可使用任何合适的方法从图案(例如，图案形成装置的或用于图案形成装置的图案)识别预测缺陷的区域(例如，热点)。例如，可通过使用经验模型或计算模型来分析图案的至少一部分而识别预测缺陷的区域。在经验模型中，不模拟图案的图像(例如，抗蚀剂图像、光学图像、蚀刻图像)；替代地，经验模型基于处理参数、图案的参数与缺陷之间的相关性来预测缺陷或缺陷的概率。例如，经验模型可以是分类模型或有缺陷倾向的图案的数据库。在计算模型中，计算或模拟所印刷的图案的一部分或特性，且基于该部分或该特性来识别缺陷。例如，可通过发现与其所要部位相距太远的线端来识别线回退缺陷；可通过发现两条线不当接合的部位来识别桥接缺陷；可通过发现分离层上的两个特征不当重叠或不当不重叠来识别重叠缺陷。在另一示例中，可以以实验方式，诸如通过焦点曝光矩阵衬底检核(qualification)或合适量测工具，来确定预测缺陷的区域。

在一实施例中，基于设计规则检查(design rule check)确定包括一个或更多个预测缺陷的一个或更多个区域。设计规则可以包括两个特征之间的最小间距、特征的最少尺寸等等的规格。因此，可针对与设计规则的符合性来检查待印刷的图案，且可识别(且通过衬底的图案化以实验方式测试)图案中未能符合或接近于未能符合设计规则的那些部分。这些部分可被视为注意区域，所述注意区域是对过程漂移具有较高敏感度(且因此很可能具有缺陷)的图案(管芯)的区域。

在一实施例中，基于一个或更多个图案化过程数学模型在标称条件下确定包括一个或更多个预测缺陷的一个或更多个区域(这可针对全图案(全晶片)或针对已知问题图案特征的库)。可识别即使在标称条件下打印不佳(且因此很可能具有缺陷)的图案(或图案特征)的部分。这些部分可被视为注意图案。

在一实施例中，通过使用一个或更多个图案化过程数学模型进行的模拟来确定包括一个或更多个预测缺陷的一个或更多个区域，该一个或更多个图案化过程数学模型使用图案的设计数据及来自图案化过程的数据。例如，关于图13所描述的过程可以用于导出预测缺陷的区域的存在以及确定其在各自的场或管芯中的部位。在一实施例中，可执行关于图13所描述的模拟过程，以用于使相对于标称条件的不同漂移不同、从而识别对过程漂移具有较高敏感度(且因此很有可能具有缺陷)的那些图案(热点)。视情况，可运用用于或来自通过图案曝光的一个或更多个衬底的测量数据来进一步扩大模拟。例如，用于一个或更多个衬底的测量的焦点图可识别用于管芯或场(或其部分)的焦点，且基于该焦点图，仅检查具有超过一阈值的散焦的那些管芯或场(或其部分)；然而，这可产生较低捕捉率，因为其将不检查跨经所有管芯或场的所有有可能的敏感区域。

在一实施例中，可通过评估图案的区中的特征的过程窗来识别热点。用于图案的特征的过程窗是处理参数(例如，剂量和焦点)的空间，在所述处理参数下，将在衬底上于规格内产生特征。关于潜在缺陷的图案规格的示例包括检查颈缩、线回退、线薄化、CD、边缘置放、重叠、抗蚀剂顶部损耗、抗蚀剂底切和桥接。在图案的区中的各个特征可具有不同过程窗。该区中所有特征的组合过程窗可通过合并(例如，重叠)彼区中的每一个别特征的过程窗来获得。所有特征的过程窗的边界包含个别特征中的一些特征的过程窗的边界。换句话说，这些个别特征限制该区中的所有特征的组合过程窗。这些特征可被称作“热点”。因此，当评估将检查物体的哪些区域时，聚焦在实际上是不落入特定区的组合过程窗内的那些图案特征的热点上是可能的且经济的。当印刷在该衬底上的区中的热点无缺陷时，最有可能的是该区中的所有特征无缺陷。有可能基于个别热点的热点部位及过程窗而确定热点的过程窗和/或将热点的过程窗编译成图-即，确定依据部位而变化的过程窗。此过程窗图可特性化图案的依布局特定的敏感度和处理裕度。在一实施例中，ASML超光速粒子(Tachyon)FEM模型软件可以用于识别热点。

在一实施例中，使用本发明中所描述的多电子束柱设备仅检查一个或更多个注意区域、注意图案或每管芯或场的热点。在一实施例中，注意区域、注意图案或热点小于电子束柱的视场。在一实施例中，注意区域、注意图案或热点具有在0.05平方微米至10平方微米之间、在0.1平方微米至5平方微米之间或在0.5平方微米至2平方微米之间的区域。

参看图11A、图11B及图11C，使用注意区域1100高度示意性地示出使用亮场检查的技术的实施例。在图11A中，已针对物体100的每个场或管芯120确定注意区域1100。可如上文所描述来确定注意区域1100。接着，参看图11B，亮场检查被用于检查注意区域以识别疑似缺陷410。通常通过提供物体与亮场束之间的相对移动来检查注意区域，使得会检查所有注意区域。亮场检查可能不能够确定地识别疑似缺陷410是否为实际缺陷，这是因为特征或缺陷可能太小。接着在图11C处执行电子束缺陷复查(review)以识别疑似缺陷410中的哪些是实际缺陷且视情况特性化缺陷(例如，提供CD值)。如此示例中所示，图11C中的实际缺陷的数目小于图11B中的疑似缺陷的数目。如可看出，此过程例如相当耗时。

参看图12A及图12B，高度示意性地说明使用多个电子束柱和预测热点的电子束检查的实施例。在图12A中，使用如上文所描述的技术确定对于物体100上的每个场或管芯120的一个或更多个热点410。通常，将存在多个热点/每场或管芯。此外，如图12A中所示，许多热点可以在每个场或管芯中的相同或相似部位中出现。在一实施例中，可以将裕度添加至每个被识别的热点部位，以帮助确保各个电子束具有检查热点是否具有预测缺陷的高度可能性。此外，相比于用于控制图案化过程、设计图案化过程等等，用于识别热点的阈值对于缺陷检查可能较小。这使得甚至评估“边际”热点以帮助确保更多完整性。例如，为了对抗不精确模拟的风险而平衡适当捕捉率，在一实施例中，将存在比亮场识别的疑似缺陷更多的预测热点。

此外，如图12A中所示，示出电子束柱600的视场500/每场或管芯。在此示例中，视场500中的每一个与具有一个或更多个热点的区域对准。若那些视场500中的一个或更多个不与具有一个或更多个热点的区域对准，则该过程仍可继续进行，除了那些视场将不是“富有成效”之外，且可能需要进一步检查以覆盖可以不由电子束中的所有或大多数同时检查的区域。在一实施例中，可以对不与具有如关于图10所描述的一个或更多个热点的区域对准的那些一个或更多个视场500进行稍微调整。

接着，在图12A和图12B处在电子束柱与物体之间执行相对运动，使得各个视场在所有热点区域上对准，以使得可执行电子束检查。随后或同时地，评估电子束检查的结果以识别热点是否有缺陷，且视情况特性化缺陷(例如，提供CD值)。如此示例中所示，图12B中的实际缺陷的数目小于图12A中的热点的数目。

虽然关于热点来描述图12A和图12B，但注意区域和/或注意图案可使用同一过程。然而，注意区域和/或注意图案在面积上可大于热点，且因此检查可能比较耗时，尽管相较于图11A至图11C的过程，使用多个电子束柱检查注意区域和/或注意图案将产生生产量的增加。

因此，本发明中所描述的技术可替代亮场检查，包括在过程期间的斜坡且包括使用预测缺陷的所计算的区域(诸如注意区域或注意图案)的亮场。为实现高生产量，预测热点的全部区域可比经估计以用于亮场检查的全部注意区域小约2至3级。此外，布置成并行测量的多个电子束柱检查所有的预测热点可比单个电子束缺陷复查识别如图11C中所示的实际缺陷快约1至2级。30、40、60、70、80、90、100、110或更多个电子束柱将实现此加速。

可以以各种方式使用检查的结果。例如，与经识别为有缺陷的热点相关联的图案特征可例如在设计过程中被移除或校正，通过改变过程参数来补偿其图案化等。经识别为无缺陷的热点可以用于调谐模型。热点(无论是否有缺陷)的轮廓可以用于校准模型，即，由该模型产生的轮廓可与所测量的轮廓比较，且接着相应地更新该模型。

虽然以上讨论主要地专注于呈例如半导体晶片形式的衬底的检查，但本发明中的设备及方法可以应用于图案形成装置(例如，掩模或掩模版)。即，被检查的物体可以是图案形成装置。因此，可适当地选择电子束柱的数量。

在一实施例中，基于从所检测到的电子导出的参数、通过电子束柱校正图案形成装置。在一实施例中，进行该校正，其中被检查的物体是图案形成装置自身或图案形成装置的相似版本或复制物。在一实施例中，进行该校正，其中被检查的物体是衬底(例如，半导体衬底)，图案经转印至该衬底上。

在一实施例中，本发明中所描述的设备和方法适于另外或替代地实现图案形成装置修复。即，在一实施例中，提供在多个管芯或场处能够并行地实现修复的多电子束柱设备。由电子束柱提供的电子束可实现修复(且视情况可以用于如本发明中所描述的检查)。在一实施例中，电子束实现材料从图案形成装置的移除。若电子束柱实现测量，则可以在测量与修复之间调整电子束的功率。在一实施例中，为实现修复，可提供材料以与电子束相互作用。在一实施例中，提供出口700以供应前驱体流体(例如，气体)。该流体可以在与电子束组合地使用时实现材料的沉积。在一实施例中，离子供给装置被用于替代电子束柱，或与电子束柱组合使用，以实现修复。在一实施例中，离子供给装置配置成提供金属离子。可以在例如美国专利申请公开案第2004-0151991号及美国专利第7，916，930号中发现图案形成装置的修复的细节，该美国专利申请公开案及该美国专利的全文以引用方式并入本发明中。

此外，虽然以上讨论主要地专注于使用电子束柱的检查，但与电子束柱不同的检查设备可以用于本发明中所描述的设备及方法中。即，多个电子束柱中的每一个可由不同检查设备替换或用不同检查设备补充。除了检查设备的类型的差异以外，本发明中所描述的设备及方法将基本上相同，除所述方法及设备经修改以适应不同检查设备之外。

在一实施例中，提供一种用以检测包括多个管芯或场的物体的电子束检查设备，该设备包括：多个电子束柱，每个电子束柱配置成提供电子束且检查来自该物体的散射电子或二次电子，每个电子束柱布置成检查与该电子束柱相关联的不同的各自的场或管芯；和非暂时性计算机程序产品，其包括机器可读指令，所述指令中的至少一些配置成造成该物体与所述电子束柱之间的相对移动，使得所述电子束中的每一个检查其各自的场或管芯的小于所述各自的场或管芯的整个区域的区域。

在一实施例中，所述区域中的至少一个包括被识别的热点。在一实施例中，所述指令中的至少一些配置成确定热点的存在和/或部位。在一实施例中，所述指令中的至少一些配置成通过模拟识别热点。在一实施例中，多个电子束柱布置成二维阵列且包括至少30个电子束柱。在一实施例中，该设备还包括致动器系统，其配置成使电子束柱中的一个或更多个相对于电子束柱中的另外的一个或更多个移动。在一实施例中，所述指令中的至少一些配置成使得多个电子束同时照射其各自的场或管芯的各自区域。

在一实施例中，提供一种电子束检查设备，其包括：多个电子束柱，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自该物体的散射电子或二次电子，每个电子束柱布置成检查与该电子束柱相关联的不同的各自的场或管芯的区域；和致动器系统，其配置成使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或更多个移动。

在一实施例中，该致动器系统配置成改变多个电子束柱的节距。在一实施例中，多个电子束柱布置成二维阵列，且该致动器系统配置成改变电子束柱在第一方向上的位置及在大致正交于第一方向的第二方向上的位置。在一实施例中，每个电子束柱能够独立于其它电子束柱移动。在一实施例中，多个电子束柱包括至少30个电子束柱。在一实施例中，该设备还包括非暂时性计算机程序产品，该非暂时性计算机程序产品包括机器可读指令，所述机器可读指令配置成造成该物体与所述电子束柱之间的相对移动，使得所述电子束中的每一个检查其各自的场或管芯的小于所述各自的场或管芯的整个区域的区域。在一实施例中，所述区域中的至少一个包括被识别的热点。在一实施例中，该设备包括非暂时性计算机程序产品，该非暂时性计算机程序产品包括配置成确定热点的存在和/或部位的机器可读指令。在一实施例中，该设备包括非暂时性计算机程序产品，该非暂时性计算机程序产品包括配置成通过模拟识别热点的机器可读指令。

在一实施例中，提供一种对包括多个管芯或场的物体的电子束检查的方法，该方法包括：具有多个电子束柱，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自该物体的散射电子或二次电子，且每个电子束柱布置成检查与该电子束柱相关联的不同的各自的场或管芯；造成该物体与多个电子束柱之间的相对移动，使得所述电子束中的每一个检查其各自的场或管芯的小于所述各自的场或管芯的整个区域的区域；将所述电子束从所述电子束柱提供至该物体上；和使用所述电子束柱检测来自该物体的散射电子或二次电子。

在一实施例中，所述区域中的至少一个包括被识别的热点。在一实施例中，该方法还包括通过计算机确定热点的存在和/或部位。在一实施例中，该方法还包括通过计算机模拟识别热点。在一实施例中，多个电子束柱布置成二维阵列且包括至少30个电子束柱。在一实施例中，该方法还包括使用致动器使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或更多个移动。在一实施例中，该物体包括图案形成装置或半导体晶片。在一实施例中，该方法还包括基于从来自该物体的所检测到的电子导出的参数来修复该物体或图案形成装置。

在一实施例中，提供一种电子束检查的方法，该方法包括：具有多个电子束柱，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自物体的散射电子或二次电子，且每个电子束柱布置成检查与该电子束柱相关联的不同的各自的场或管芯的区域；和使用致动器系统使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或更多个移动。

在一实施例中，该方法包括改变多个电子束柱的节距。在一实施例中，多个电子束柱布置成二维阵列且改变电子束柱在第一方向上的位置及在大致正交于该第一方向的第二方向上的位置。在一实施例中，每个电子束柱能够独立于其它电子束柱移动。在一实施例中，多个电子束柱包括至少30个电子束柱。在一实施例中，该方法还包括造成该物体与所述电子束柱之间的相对移动，使得电子束中的每一个检查其各自的场或管芯的小于所述各自的场或管芯的整个区域的区域。在一实施例中，所述区域中的至少一个包括被识别的热点。在一实施例中，该方法还包括通过计算机确定热点的存在和/或部位。在一实施例中，该方法还包括通过计算机模拟识别所述热点。在一实施例中，该物体包括图案形成装置或半导体晶片。在一实施例中，该方法还包括基于从来自该物体的所检测到的电子导出的参数来修复该物体或图案形成装置。

在一实施例中，提供一种电子束检查设备，该设备包括：多个电子束柱，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自物体的散射电子或二次电子；和致动器系统，其配置成使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或更多个移动，该致动器系统包括多个第一可移动结构，所述多个第一可移动结构与多个第二可移动结构至少部分地重叠，所述第一可移动结构和所述第二可移动结构支撑所述多个电子束柱。

在一实施例中，所述第一可移动结构中的一个或更多个可相对于所述第一可移动结构中的另外的一个或更多个移动，和/或所述第二可移动结构中的一个或更多个可相对于所述第二可移动结构中的另外的一个或更多个移动。在一实施例中，所述电子束柱中的电子束柱连接至柱结构，所述柱结构具有：其第一部件，以物理方式且可移动地与所述第一可移动结构中的第一可移动结构接合；和其第二部件，以物理方式且可移动地与所述第二可移动结构中的第二可移动结构接合。在一实施例中，所述第一部件位于所述第一可移动结构内和/或所述第二部件位于所述第二可移动结构内。在一实施例中，该设备还包括：第一制动器，其配置成与所述第一可移动结构接合，以便相对于所述第一可移动结构将所述柱结构保持在固定位置；和/或第二制动器，其配置成与所述第二可移动结构接合，以便相对于所述第二可移动结构将所述柱结构保持在固定位置。在一实施例中，该设备包括所述第一制动器和所述第二制动器，且还包括控制系统，该控制系统配置成：使得在所述第二制动器脱离开时接合所述第一制动器，以允许所述第二可移动结构移动所述柱结构的电子束柱；且使得在所述第一制动器脱离开时接合所述第二制动器，以允许所述第一可移动结构移动所述柱结构的电子束柱。在一实施例中，一个或更多个电子束柱定位至邻近的第一可移动结构和/或第二可移动结构的侧面且定位在邻近的第一可移动结构和/或邻近的第二可移动结构之间的间隙中。在一实施例中，电子束柱中的至少一个连接至短行程致动器，该短行程致动器的移动范围小于第一可移动结构和第二可移动结构的移动范围。在一实施例中，该设备还包括多个传感器，每个传感器配置成测量距离以使得能够确定相关联电子束柱相对于邻近的电子束柱的位置。在一实施例中，每个电子束柱布置成检查与电子束柱相关联的物体的不同的各自的场或管芯的区域。在一实施例中，该设备还包括非暂时性计算机程序产品，该非暂时性计算机程序产品包括机器可读指令，所述指令中的至少一些配置成造成该物体与所述电子束柱之间的相对移动，使得电子束中的每一个检查其各自的场或管芯的小于所述各自的场或管芯的整个区域的区域。

在一实施例中，提供一种电子束检查的方法，该方法包括：具有多个电子束柱，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自物体的散射电子或二次电子；使用致动器系统使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或更多个移动，该致动器系统包括多个第一可移动结构，所述多个第一可移动结构与多个第二可移动结构至少部分地重叠，所述第一可移动结构和所述第二可移动结构支撑多个电子束柱；将所述电子束从所述电子束柱提供至该物体上；和使用所述电子束柱检测来自该物体的散射电子或二次电子。

在一实施例中，该方法包括使所述第一可移动结构中的一个或更多个相对于所述第一可移动结构中的另外的一个或更多个移动和/或使所述第二可移动结构中的一个或更多个相对于所述第二可移动结构中的另外的一个或更多个移动。在一实施例中，所述电子束柱中的电子束柱连接至柱结构，所述柱结构具有：其第一部件和其第二部件，且该方法还包括在所述第一部件与所述第一可移动结构中的第一可移动结构物理接合时移动所述第一部件，且在所述第二部件与所述第二可移动结构中的第二可移动结构物理接合时移动所述第二部件。在一实施例中，所述第一部件位于所述第一可移动结构内和/或所述第二部件位于所述第二可移动结构内。在一实施例中，该方法还包括：接合第一制动器与所述第一可移动结构，以便相对于所述第一可移动结构将所述柱结构保持在固定位置；和/或接合第二制动器与所述第二可移动结构，以便相对于所述第二可移动结构将所述柱结构保持在固定位置。在一实施例中，该方法包括：使得在所述第二制动器脱离开时接合所述第一制动器，以允许所述第二可移动结构移动所述柱结构的电子束柱；和使得在所述第一制动器脱离开时接合所述第二制动器，以允许所述第一可移动结构移动所述柱结构的电子束柱。在一实施例中，一个或更多个电子束柱被定位至邻近的第一可移动结构和/或第二可移动结构的侧面且被定位在邻近的第一可移动结构和/或邻近的第二可移动结构之间的间隙中。在一实施例中，该方法还包括使用短行程致动器移动电子束柱中的至少一个，该短行程致动器的移动范围小于第一可移动结构和第二可移动结构的移动范围。在一实施例中，该方法还包括使用多个传感器，每个传感器测量距离，以使得能够确定相关联电子束柱相对于邻近的电子束柱的位置。在一实施例中，每个电子束柱布置成检查与电子束柱相关联的物体的不同的各自的场或管芯的区域。在一实施例中，该方法还包括造成该物体与所述电子束柱之间的相对移动，使得电子束中的每一个检查其各自的场或管芯的小于所述各自的场或管芯的整个区域的区域。在一实施例中，该物体包括图案形成装置或半导体晶片。在一实施例中，该方法还包括基于从来自该物体的所检测到的电子导出的参数来修复该物体或图案形成装置。

在一实施例中，提供一种图案形成装置修复设备，其包括：多个束柱，每个束柱配置成提供辐射束，每个束柱布置成使用各自的辐射束修复与该束柱相关联的图案形成装置的不同的各自的场或管芯的区域；和致动器系统，其配置成使所述束柱中的一个或更多个相对于所述束柱中的另一或另外多个移动。

在一实施例中，束柱中的每一个被进一步配置以检测来自图案形成装置的散射电子或二次电子。在一实施例中，每个束柱布置成检查与束柱相关联的不同的各自的场或管芯的区域。在一实施例中，所述束柱分别配置成提供电子束。在一实施例中，束柱分别配置成提供离子束。

与诸如SEM等成像设备相关联，实施例可以包括包含机器可读指令的一个或更多个序列的计算机程序，所述机器可读指令实现如本发明中所描述的方法的实践。例如，此计算机程序可与图3的成像设备一起被包括或包括于该成像设备内，和/或与图2的控制单元LACU一起被包括或包括于该控制单元LACU内。也可以提供具有存储于其中的这种计算机程序的数据存储介质(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。在例如图1至图3中所示类型的现有设备已经在生产中和/或在使用中的情况下，可通过提供被更新的计算机程序产品，以使得设备的处理器执行如本发明中所描述的方法来实施实施例。

本发明的实施例可采取如下形式：计算机程序，其包含描述如本发明中所披露的方法的机器可读指令的一个或更多个序列；或数据存储介质(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)，其具有储存于其中的这种计算机程序。此外，可以在两个或多个计算机程序中包括有机器可读指令。所述两个或多个计算机程序可储存于一个或更多个不同存储器和/或数据存储介质上。

本发明中所描述的任何控制器可以在一个或更多个计算机程序由位于光刻设备的至少一个组件内的一个或更多个计算机处理器读取时各自或组合地可操作。所述控制器可各自或组合地具有用于接收、处理及发送信号的任何合适配置。一个或更多个处理器配置成与所述控制器中的至少一个通信。例如，每个控制器可以包括用于执行包括用于上文所描述的方法的机器可读指令的计算机程序的一个或更多个处理器。所述控制器可以包括用于储存这些计算机程序的数据存储介质，和/或用以接收这种介质的硬件。因此，所述控制器可根据一个或更多个计算机程序的机器可读指令而操作。

尽管上文可特定地参考在光学光刻的内容背景中对实施例的使用，但应了解，本发明的实施例可以用于其它应用(例如，压印光刻)中，且在内容背景允许的情况下不限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的形貌界定在衬底上产生的图案。可以将图案形成装置的形貌压入被供至衬底的抗蚀剂层中，在衬底上，抗蚀剂通过施加电磁辐射、热、压力或其组合而固化。在抗蚀剂固化之后，将图案形成装置移出抗蚀剂，从而在其中留下图案。

此外，尽管在本发明中可特定地参考光刻设备在IC制造中的使用，但应理解，本发明中所描述的光刻设备可具有其它应用，诸如制造集成光学系统、用于磁畴存储器的导引及检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。本领域普通技术人员将了解，在这些替代应用的内容背景中，可认为本发明中对术语“晶片”或“管芯”的任何使用分别与更一般术语“衬底”或“目标部分”同义。可以在曝光之前或之后在例如轨道(通常将抗蚀剂层施加至衬底且对经曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检查工具中处理本发明所提及的衬底。在适用的情况下，可以将本发明中的披露内容应用于这些及其它衬底处理工具。另外，可以将衬底处理多于一次，例如以便产生多层IC，使得本发明中所使用的术语“衬底”也可以指已包含多个经处理层的衬底。

本发明中所使用的术语“辐射”和“束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如，具有365纳米、355纳米、248纳米、193纳米、157纳米或126纳米的波长或者大约为365纳米、355纳米、248纳米、193纳米、157纳米或126纳米的波长)和极紫外线(EUV)辐射(例如，具有在5纳米至20纳米的范围内的波长)，以及粒子束(诸如，离子束或电子束)。

术语“透镜”在内容背景允许时可以指各种类型的光学组件中的任一者或其组合，包括折射型、反射型、磁性型、电磁型和静电型光学组件。

如本发明中所使用的术语“最佳化/最优化(optimizing/optimization)”是指或意谓调整图案化过程设备、图案化过程的一个或更多个步骤等等，使得图案化的结果和/或过程具有更合乎期望的特性，诸如设计布局在衬底上的转印的较高精确度、较大过程窗等等。因此，如本发明中所使用的术语“最佳化/最优化”是指或意谓识别用于一个或更多个参数的一个或更多个值的过程，所述一个或更多个值相较于用于那些一个或更多个参数的一个或更多个值的初始集合提供在至少一个相关量度方面的改善，例如局部最佳/局部最优。应该相应地解释“最佳/最优”及其它相关术语。在一实施例中，最佳化步骤/最优化步骤可迭代地应用，以提供一个或更多个量度的进一步改善。

可使用以下各方面进一步描述本发明：

1.一种电子束检查设备，用于检查包括多个管芯或场的物体，所述设备包括：

多个电子束柱，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自所述物体的散射电子或二次电子，每个电子束柱布置成检查与所述电子束柱相关联的不同的各自的场或管芯；和

非暂时性计算机程序产品，包括机器可读指令，所述指令中的至少一些配置成造成所述物体与所述电子束柱之间的相对移动，使得所述电子束中的每一个检查其各自的场或管芯的小于所述各自的场或管芯的整个区域的区域。

2.如方面1所述的设备，其中所述区域中的至少一个包括被识别的热点。

3.如方面2所述的设备，其中所述指令中的至少一些配置成确定所述热点的存在和/或部位。

4.如方面2或方面3所述的设备，其中所述指令中的至少一些配置成通过模拟识别所述热点。

5.如方面1至4中任一项所述的设备，其中所述多个电子束柱布置成二维阵列且包括至少30个电子束柱。

6.如方面1至5中任一项所述的设备，还包括配置成使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或更多个移动的致动器系统。

7.如方面1至6中任一项所述的设备，其中所述指令中的至少一些配置成使得多个所述电子束在同一时间照射其各自的场或管芯的各自的区域。

8.一种电子束检查设备，包括：

多个电子束柱，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自物体的散射电子或二次电子，每个电子束柱布置成检查与该电子束柱相关联的不同的各自的场或管芯的区域；和

致动器系统，配置成使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或更多个移动。

9-如方面8所述的设备，其中所述致动器系统配置成改变所述多个电子束柱的节距。

10.如方面8或方面9所述的设备，其中所述多个电子束柱布置成二维阵列，且所述致动器系统配置成改变电子束柱在第一方向上的位置和在大致正交于所述第一方向的第二方向上的位置。

11.如方面8至10中任一项所述的设备，其中每个电子束柱能够独立于其它电子束柱移动。

12.如方面8至11中任一项所述的设备，其中所述多个电子束柱包括至少30个电子束柱。

13.如方面8至12中任一项所述的设备，还包括非暂时性计算机程序产品，所述非暂时性计算机程序产品包括机器可读指令，所述机器可读指令配置成造成所述物体与所述电子束柱之间的相对移动，使得所述电子束中的每一个检查其各自的场或管芯的小于所述各自的场或管芯的整个区域的区域。

14.如方面8至13中任一项所述的设备，其中所述区域中的至少一个包括被识别的热点。

15.如方面14所述的设备，包括非暂时性计算机程序产品，所述非暂时性计算机程序产品包括配置成确定所述热点的存在和/或部位的机器可读指令。

16.如方面14或方面15所述的设备，包括非暂时性计算机程序产品，所述非暂时性计算机程序产品包括配置成通过模拟识别所述热点的机器可读指令。

17.一种对包括多个管芯或场的物体的电子束检查的方法，该方法包括：

具有多个电子束柱，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自所述物体的散射电子或二次电子，且每个电子束柱布置成检查与所述电子束柱相关联的不同的各自的场或管芯；

造成所述物体与所述多个电子束柱之间的相对移动，使得所述电子束中的每一个检查其各自的场或管芯的小于所述各自的场或管芯的整个区域的区域，

将所述电子束从所述电子束柱提供至所述物体上；和

使用所述电子束柱检测来自所述物体的散射电子或二次电子。

18.如方面17所述的方法，其中所述区域中的至少一个包括被识别的热点。

19.如方面18所述的方法，还包括通过计算机确定所述热点的存在和/或部位。

20.如方面18或方面19所述的方法，还包括通过计算机模拟识别所述热点。

21.如方面17至20中任一项所述的方法，其中所述多个电子束柱布置成二维阵列且包括至少30个电子束柱。

22.如方面17至21中任一项所述的方法，还包括使用致动器使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或更多个移动。

23.如方面17至22中任一项所述的方法，其中所述物体包括图案形成装置或半导体晶片。

24.如方面17至23中任一项所述的方法，还包括基于从来自所述物体的所述检测到的电子导出的参数来修复所述物体或图案形成装置。

25.一种电子束检查方法，该方法包括：

具有多个电子束柱，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自物体的散射电子或二次电子，且每个电子束柱布置成检查所述物体的与所述电子束柱相关联的不同的各自的场或管芯的区域；和

使用致动器系统使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或更多个移动。

26.如方面25所述的方法，包括改变所述多个电子束柱的节距。

27.如方面25或方面26所述的方法，其中所述多个电子束柱布置成二维阵列且改变电子束柱在第一方向上的位置和在大致正交于所述第一方向的第二方向上的位置。

28.如条25至27中任一项所述的方法，其中每个电子束柱能够独立于其它电子束柱移动。

29.如方面25至28中任一项所述的方法，其中所述多个电子束柱包括至少30个电子束柱。

30.如方面25至28中任一项所述的方法，还包括造成所述物体与所述电子束柱之间的相对移动，使得所述电子束中的每一个检查其各自的场或管芯的小于所述各自的场或管芯的整个区域的区域。

31.如方面25至30中任一项所述的方法，其中所述区域中的至少一个包括被识别的热点。

32.如方面31所述的方法，还包括通过计算机确定所述热点的存在和/或部位。

33.如方面31或方面32所述的方法，还包括通过计算机模拟识别所述热点。

34.如方面25至33中任一项所述的方法，其中所述物体包括图案形成装置或半导体晶片。

35.如方面25至34中任一项所述的方法，还包括基于从来自所述物件的所述检测到的电子导出的参数来修复所述物体或图案形成装置。

36.一种电子束检查设备，该设备包括：

多个电子束柱，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自物体的散射电子或二次电子；和

致动器系统，配置成使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或更多个移动，所述致动器系统包括多个第一可移动结构，所述多个第一可移动结构与多个第二可移动结构至少部分地重叠，所述第一可移动结构和所述第二可移动结构支撑所述多个电子束柱。

37.如方面36所述的设备，其中所述第一可移动结构中的一个或更多个能够相对于所述第一可移动结构中的另外的一个或更多个移动，和/或所述第二可移动结构中的一个或更多个能够相对于所述第二可移动结构中的另外的一个或更多个移动。

38.如方面36或方面37所述的设备，其中所述电子束柱中的电子束柱连接至柱结构，所述柱结构具有：其第一部件，以物理方式且可移动地与所述第一可移动结构中的第一可移动结构接合；和其第二部件，以物理方式且可移动地与所述第二可移动结构中的第二可移动结构接合。

39.如方面38所述的设备，其中所述第一部件位于所述第一可移动结构内，和/或所述第二部件位于所述第二可移动结构内。

40.如方面38或方面39所述的设备，还包括：第一制动器，配置成与所述第一可移动结构接合，以便相对于所述第一可移动结构将所述柱结构保持在固定位置；和/或第二制动器，其配置成与所述第二可移动结构接合，以便相对于所述第二可移动结构将所述柱结构保持在固定位置。

41.如方面40所述的设备，包括所述第一制动器和所述第二制动器，且还包括控制系统，所述控制系统配置成：使得在所述第二制动器脱离开时接合所述第一制动器，以允许所述第二可移动结构移动所述柱结构的电子束柱；且使得在所述第一制动器脱离开时接合所述第二制动器，以允许所述第一可移动结构移动所述柱结构的电子束柱。

42.如方面36至41中任一项所述的设备，其中一个或更多个电子束柱被定位至邻近的第一可移动结构和/或邻近的第二可移动结构的侧面且被定位在邻近的第一可移动结构和/或邻近的第二可移动结构之间的间隙中。

43.如方面36至42中任一项所述的设备，其中所述电子束柱中的至少一个连接至短行程致动器，所述短行程致动器的移动范围小于所述第一可移动结构和所述第二可移动结构的移动范围。

44.如方面36至43中任一项所述的设备，还包括多个传感器，每个传感器配置成测量距离以使得能够确定相关联电子束柱相对于邻近的电子束柱的位置。

45.如方面36至44中任一项所述的设备，其中每个电子束柱布置成检查所述物体的与所述电子束柱相关联的不同的各自的场或管芯的区域。

46.如方面45的设备，还包括非暂时性计算机程序产品，所述非暂时性计算机程序产品包括机器可读指令，所述指令中的至少一些配置成造成所述物体与所述电子束柱之间的相对移动，使得所述电子束中的每一个检查其各自的场或管芯的小于所述各自的场或管芯的整个区域的区域。

47.一种电子束检查方法，该方法包括：

具有多个电子束柱，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自物体的散射电子或二次电子；

使用致动器系统使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或更多个移动，所述致动器系统包括多个第一可移动结构，所述多个第一可移动结构与多个第二可移动结构至少部分地重叠，所述第一可移动结构和所述第二可移动结构支撑所述多个电子束柱；

将所述电子束从所述电子束柱提供至所述物体上；和

使用所述电子束柱检测来自所述物体的散射电子或二次电子。

48.如方面47所述的方法，包括使所述第一可移动结构中的一个或更多个相对于所述第一可移动结构中的另外的一个或更多个移动，和/或使所述第二可移动结构中的一个或更多个相对于所述第二可移动结构中的另外的一个或更多个移动。

49.如方面47或方面48所述的方法，其中所述电子束柱中的电子束柱连接至柱结构，所述柱结构具有其第一部件和其第二部件，且所述方法还包括在所述第一部件与所述第一可移动结构中的第一可移动结构物理接合时移动所述第一部件，以及在所述第二部件与所述第二可移动结构中的第二可移动结构物理接合时移动所述第二部件。

50.如方面49所述的方法，其中所述第一部件位于所述第一可移动结构内，和/或所述第二部件位于所述第二可移动结构内。

51.如方面49或方面50所述的方法，还包括接合第一制动器与所述第一可移动结构，以便相对于所述第一可移动结构将所述柱结构保持在固定位置，和/或接合第二制动器与所述第二可移动结构，以便相对于所述第二可移动结构将所述柱结构保持在固定位置。

52.如方面51所述的方法，包括使得在所述第二制动器脱离开时接合所述第一制动器，以允许所述第二可移动结构移动所述柱结构的电子束柱，且使得在所述第一制动器脱离开时接合所述第二制动器，以允许所述第一可移动结构移动所述柱结构的电子束柱。

53.如方面47至52中任一项所述的方法，其中一个或更多个电子束柱被定位至邻近的第一可移动结构和/或邻近的第二可移动结构的侧面且被定位在邻近的第一可移动结构和/或邻近的第二可移动结构之间的间隙中。

54.如方面47至53中任一项所述的方法，还包括使用短行程致动器移动所述电子束柱中的至少一个，所述短行程致动器的移动范围小于所述第一可移动结构和所述第二可移动结构的移动范围。

55.如方面47至54中任一项所述的方法，还包括使用多个传感器，每个传感器测量距离以使得能够确定相关联电子束柱相对于邻近的电子束柱的位置。

56.如方面47至55中任一项所述的方法，其中每个电子束柱布置成检查所述物体的与所述电子束柱相关联的不同的各自的场或管芯的区域。

57.如方面56所述的方法，还包括造成所述物体与所述电子束柱之间的相对移动，使得所述电子束中的每一个检查其各自的场或管芯的小于所述各自的场或管芯的整个区域的区域。

58.如方面47至57中任一项所述的方法，其中所述物体包括图案形成装置或半导体晶片。

59.如方面47至58中任一项所述的方法，还包括基于从来自所述物件的所述检测到的电子导出的参数来修复所述物体或图案形成装置。

60.一种图案形成装置修复设备，包括：

多个束柱，每个束柱配置成提供辐射束，每个束柱布置成使用各自的辐射束修复与该束柱相关联的图案形成装置的不同的各自的场或管芯的区域。

致动器系统，配置成使所述束柱中的一个或更多个相对于所述束柱中的另外的一个或更多个移动。

61.如方面60所述的设备，其中所述束柱中的每一个被进一步配置以检测来自所述图案形成装置的散射电子或二次电子。

62.如方面61所述的设备，其中每个束柱布置成检查与该束柱相关联的不同的各自的场或管芯的区域。

63.如方面60至62中任一项所述的设备，其中所述束柱分别配置成提供电子束。

64.如方面60至62中任一项所述的设备，其中所述束柱分别配置成提供离子束。

以上描述旨在进行说明，而非限制性的。因此，对于本领域普通技术人员来说显而易见的是，可以在不背离下文所阐明的权利要求的范围的情况下对所描述的本发明进行修改。例如，一个或更多个实施例的一个或更多个方面可以适当地与一个或更多个其它实施例的个或更多个方面组合或由一个或更多个其它实施例的一个或更多个方面取代。因此，基于本发明中所呈现的教导及指导，这些调适和修改旨在落入所披露实施例的等同例的涵义和范围内。应理解，本发明中的措辞或术语是出于通过示例进行描述的目的，而非限制的目的，使得本说明书的术语或措辞应由本领域普通技术人员鉴于所述教导和指导进行解释。本发明的广度和范围不应由上述示例性实施例中的任一者限制，而应仅根据以下权利要求及其等同范围进行界定。

Claims (15)

1.一种电子束检查设备，包括：

多个电子束柱，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自物体的散射电子或二次电子，每个电子束柱布置成检查与所述电子束柱相关联的不同的各自的场或管芯的区域；和

致动器系统，配置成使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或更多个移动，

其中所述多个电子束柱在检查期间和检查之间相对于彼此保持基本上静止，使得多个电子束柱的群组与物体之间的相对移动将每个电子束的撞击点并行地定位在具有一个或更多个潜在缺陷区域的每个管芯或场中的各自区域处。

2.如权利要求1所述的电子束检查设备，其中所述致动器系统配置成改变所述多个电子束柱的节距。

3.如权利要求1所述的电子束检查设备，其中所述多个电子束柱布置成二维阵列，且所述致动器系统配置成改变电子束柱在第一方向上的位置和在正交于所述第一方向的第二方向上的位置。

4.如权利要求1所述的电子束检查设备，其中每个电子束柱能够独立于其它电子束柱移动。

5.如权利要求1所述的电子束检查设备，其中所述多个电子束柱包括至少30个电子束柱。

6.如权利要求1所述的电子束检查设备，还包括非暂时性计算机程序产品，所述非暂时性计算机程序产品包括机器可读指令，所述机器可读指令配置成造成所述物体与所述电子束柱之间的相对移动。

7.如权利要求1所述的电子束检查设备，其中所述区域中的至少一个包括被识别的热点。

8.如权利要求7所述的电子束检查设备，包括非暂时性计算机程序产品，所述非暂时性计算机程序产品包括配置成确定所述热点的存在和/或部位的机器可读指令。

9.如权利要求7所述的电子束检查设备，包括非暂时性计算机程序产品，所述非暂时性计算机程序产品包括配置成通过模拟识别所述热点的机器可读指令。

10.一种电子束检查方法，所述方法包括：

具有多个电子束柱，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自物体的散射电子或二次电子，且每个电子束柱布置成检查所述物体的与所述电子束柱相关联的不同的各自的场或管芯的区域；和

通过使用致动器系统使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或更多个移动，

其中所述多个电子束柱在检查期间和检查之间相对于彼此保持基本上静止，使得多个电子束柱的群组与物体之间的相对移动将每个电子束的撞击点并行地定位在具有一个或更多个潜在缺陷区域的每个管芯或场中的各自区域处。

11.如权利要求10所述的方法，包括改变所述多个电子束柱的节距。

12.如权利要求10所述的方法，其中每个电子束柱能够独立于其它电子束柱移动。

13.一种电子束检查设备，所述电子束检查设备包括：

多个电子束柱，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自物体的散射电子或二次电子；和

致动器系统，配置成使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或更多个移动，所述致动器系统包括多个第一可移动结构，所述多个第一可移动结构与多个第二可移动结构至少部分地重叠，所述第一可移动结构和所述第二可移动结构支撑所述多个电子束柱，

其中所述多个电子束柱在检查期间和检查之间相对于彼此保持基本上静止，使得多个电子束柱的群组与物体之间的相对移动将每个电子束的撞击点并行地定位在具有一个或更多个潜在缺陷区域的每个管芯或场中的各自区域处。

14.如权利要求13所述的电子束检查设备，其中所述电子束柱中的至少一个连接至短行程致动器，所述短行程致动器的移动范围小于所述第一可移动结构和所述第二可移动结构的移动范围。

15.如权利要求13所述的电子束检查设备，还包括多个传感器，每个传感器被配置成测量距离，以使得能够确定相关联电子束柱相对于邻近的电子束柱的位置。

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