KR101729952B1 - 결함 검출 방법 및 그 장치 및 결함 관찰 방법 및 그 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 결함의 형상과 테일링 현상의 관계를 나타낸 도면.
도 3a는 검출 광학계의 NA와 결함의 암시야 화상의 관계를 나타낸 도면.
도 3b는 사방 조명된 결함으로부터 발생하는 산란광의 상태를 나타낸 반구면의 도면과 그때의 암시야 화상을 나타낸 도면.
도 4는 테일링 현상의 요인을 설명하는 도면.
도 5는 테일링 현상에 의한 결함 좌표 도출 정밀도 저하의 사례를 설명하기 위한 도면.
도 6a는 암시야 광학 현미경의 동면 위 혹은 그 근방에 배치되는 필터의 예이며, 산란광을 투과하는 영역과 차광하는 영역으로 구성한 예를 나타낸 필터의 평면도.
도 6b는 암시야 광학 현미경의 동면 위 혹은 그 근방에 배치되는 필터의 예이며, 산란광을 투과하는 영역과 투과율을 서서히 저하시켜서 차광하는 영역으로 구성한 예를 나타낸 필터의 평면도.
도 7a는 암시야 광학 현미경의 동면 위 혹은 그 근방에 배치되는 필터의 예이며, 산란광을 투과하는 영역의 일부에 전방 산란광을 차광하는 영역을 마련하여 구성한 예를 나타낸 필터의 평면도.
도 7b는 암시야 광학 현미경의 동면 위 혹은 그 근방에 배치되는 필터의 예이며, 산란광을 투과하는 영역의 일부에 전방 산란광의 투과율을 서서히 저하시켜서 차광하는 영역을 마련하여 구성한 예를 나타낸 필터의 평면도.
도 8a는 암시야 광학 현미경의 동면 위 혹은 그 근방에 배치되는 필터의 예이며, 전방 산란광을 투과하며 그 외의 영역을 차광하는 구성의 필터의 평면도.
도 8b는 암시야 광학 현미경의 동면 위 혹은 그 근방에 배치되는 필터의 예이며, 전방 산란광을 투과하며 그 외의 영역을 산란광의 투과율을 서서히 저하시켜서 차광하는 영역을 마련한 구성의 필터의 평면도.
도 8c는 암시야 광학 현미경의 동면 위 혹은 그 근방에 배치되는 필터의 예이며, 산란광을 투과하는 영역의 일부에 전방 산란광의 투과율을 서서히 저하시켜서 차광하는 영역과, 전방 산란광을 투과하며 그 외의 영역을 산란광의 투과율을 서서히 저하시켜서 차광하는 영역을 마련한 구성의 필터의 평면도.
도 9는 본 발명의 실시예1의 변형예에 있어서의 결함 검출 장치의 개략의 구성을 나타낸 블록도.
도 10은 본 발명의 실시예2에 있어서의 리뷰 장치의 개략의 구성을 나타낸 블록도.
도 11은 본 발명의 실시예2에 있어서의 리뷰 장치의 광학 현미경의 개략의 구성을 나타낸 블록도.
도 12는 본 발명의 실시예2에 있어서의 결함 좌표 도출 순서의 예를 설명하는 플로우도.
도 13은 본 발명의 실시예2에 있어서 광학 검사 장치에서 결함을 검출하는 순서의 예를 설명하는 플로우도.
도 14는 본 발명의 실시예2에 있어서 광학 검사 장치에서 결함을 검출하는 순서의 예를 설명하는 플로우도.
도 15는 본 발명의 실시예2에 있어서 광학 검사 장치에서 결함을 검출하는 순서의 예를 설명하는 플로우도.
도 16은 본 발명의 실시예2에 있어서 광학 검사 장치에서 결함을 검출하는 순서의 예를 설명하는 플로우도.
도 17은 본 발명의 실시예2에 있어서 광학 검사 장치에서 검출된 결함을 관찰하는 순서의 예를 설명하는 플로우도.
도 18은 본 발명의 실시예2에 있어서 광학 검사 장치에서 검출된 결함을 관찰하는 순서의 예를 설명하는 플로우도.
도 19는 본 발명의 실시예2에 있어서 광학 검사 장치에서 검출된 결함을 관찰하는 순서의 예를 설명하는 플로우도.
Claims (18)
- 시료의 표면에 광을 사방으로부터 입사시켜서 상기 시료에 조사하고,
당해 광이 조사된 상기 시료로부터 발생한 산란광 중 대물 렌즈에 입사한 산란광을 집광(集光)하여 상기 산란광의 상(像)을 결상하고,
당해 결상한 산란광의 상을 촬상하여 화상을 취득하고,
당해 취득한 화상을 처리하여 상기 시료 위의 결함을 추출해서 당해 추출한 결함의 위치 정보를 구하고,
당해 구한 결함의 위치 정보를 출력하는 결함 검출 방법으로서,
상기 산란광의 상을 결상하는 것을, 상기 대물 렌즈에 입사한 산란광을, 일부 영역이 상기 대물 렌즈의 반경 방향에 대하여 외주 방향을 향해 투과율이 서서히 감소하는 투과율 분포를 갖는 필터를 투과시켜, 상기 대물 렌즈의 개구의 외연(外緣)부에 가까운 영역에 산란한 산란광이 발생하는 영역의 일부를 투과한 산란광의 성분을 부분적으로 차광한 광을 결상함으로써, 상기 대물 렌즈의 개구의 외연부에 가까운 영역에 산란한 산란광에 의한 테일링(tailing) 현상의 발생을 억제한 상기 산란광의 상을 결상하고,
상기 추출한 결함의 위치 정보를, 상기 대물 렌즈의 개구의 외연부에 가까운 영역에 산란한 산란광에 의한 테일링 현상의 발생을 억제한 상기 산란광의 상을 촬상하여 취득한 화상으로부터 추출한 결함의 휘도 신호에 의거하여 구하는
것을 특징으로 하는 결함 검출 방법. - 삭제
- 삭제
- 시료를 재치(載置)하는 재치 수단과,
당해 재치 수단에 재치된 시료의 표면에 광을 사방으로부터 입사시켜서 상기 시료에 조사하는 조명 수단과,
당해 조명 수단에 의해 광이 조사된 상기 시료로부터 발생한 산란광을 집광하는 대물 렌즈와 당해 대물 렌즈로 집광한 상기 산란광의 상을 결상하는 결상 렌즈와 당해 결상 렌즈로 결상한 상기 산란광의 상을 촬상하는 촬상 소자를 갖는 촬상 수단과,
당해 촬상 수단으로 상기 산란광의 상을 촬상하여 얻은 상기 산란광의 화상을 처리하여 상기 시료 위의 결함을 추출해서 당해 추출한 결함의 위치 정보를 구하는 화상 처리 수단과,
당해 화상 처리 수단으로 구한 결함의 위치 정보를 출력하는 출력 수단을 구비한 결함 검출 장치로서,
상기 촬상 수단은, 상기 대물 렌즈에 입사한 산란광 중 상기 대물 렌즈의 개구의 외연부에 가까운 영역에 산란한 산란광이 발생하는 영역의 일부를 부분적으로 차광하는 상기 대물 렌즈의 반경 방향에 대하여 외주 방향을 향해 투과율이 서서히 감소하는 투과율 분포를 갖는 필터를 더 구비하고, 당해 필터를 투과한 산란광을 상기 결상 렌즈로 결상함으로써 상기 대물 렌즈의 개구의 외연부에 가까운 영역에 산란한 산란광에 의한 테일링 현상의 발생을 억제한 상기 산란광의 상을 결상하고, 당해 결상한 테일링 현상의 발생을 억제한 상기 산란광의 상을 상기 촬상 소자로 촬상하고,
상기 화상 처리 수단은, 상기 결함의 위치 정보를, 상기 테일링 현상의 발생을 억제한 상기 산란광의 상을 촬상하여 취득한 화상으로부터 추출한 결함의 휘도 신호에 의거하여 구하는
것을 특징으로 하는 결함 검출 장치. - 삭제
- 삭제
- 다른 검사 장치에서 검출된 시료 위의 결함의 위치 정보를 사용하여 스테이지 위에 재치된 상기 시료에 광을 조사하여 상기 시료로부터 발생하는 산란광의 상을 대물 렌즈를 통해 촬상하고,
당해 촬상하여 얻은 상기 산란광의 화상을 처리해서 상기 결함의 상기 스테이지 위에서의 위치 정보를 구하고,
당해 구한 결함의 상기 스테이지 위에서의 위치 정보를 사용하여 상기 다른 검사 장치에서 검출한 상기 시료 위의 결함의 위치 정보를 수정하고,
당해 수정한 위치 정보를 사용하여 상기 스테이지 위에 재치된 시료 위의 상기 다른 검사 장치에서 검출된 결함을 관찰하는 결함 관찰 방법으로서,
상기 산란광의 상을 촬상하는 것을,
상기 스테이지 위에 재치된 상기 다른 검사 장치에서 결함이 검출된 시료의 표면에 광을 사방으로부터 입사시켜서 상기 시료에 조사하고,
당해 광의 조사에 의해 상기 시료 표면에서 발생한 산란광 중 상기 대물 렌즈의 개구의 외연부에 가까운 영역에 산란한 산란광의 성분을, 일부 영역이 상기 대물 렌즈의 반경 방향에 대하여 외주 방향을 향해 투과율이 서서히 감소하는 투과율 분포를 갖는 필터를 투과시켜 상기 대물 렌즈의 개구에 대해서 상기 산란광이 발생하는 영역의 일부를 부분적으로 차광한 광에 의해 결상함으로써, 상기 대물 렌즈의 개구의 외연부에 가까운 영역에 산란한 산란광에 의한 테일링 현상의 발생을 억제한 상기 산란광의 상을 결상하고,
당해 결상한 산란광의 상을 촬상하여 상기 산란광에 의한 테일링 현상의 발생을 억제한 화상을 취득함으로써 행하고,
상기 결함의 상기 스테이지 위에서의 위치 정보를 구하는 것을,
상기 취득한 상기 산란광에 의한 테일링 현상의 발생을 억제한 화상을 처리하여 상기 시료 위의 결함을 추출하고,
상기 산란광에 의한 테일링 현상을 억제한 상기 산란광의 화상으로부터 상기 추출한 결함의 휘도 신호에 의거하여 상기 추출한 결함의 위치 정보를 구하는
것을 특징으로 하는 결함 관찰 방법. - 삭제
- 삭제
- 제7항에 있어서,
상기 스테이지에 재치되어 상기 산란광의 상이 촬상되어서 결함의 위치 정보가 수정된 시료를, 상기 스테이지에 재치한 상태에서 반송하여 상기 결함의 관찰을 행하는 것을 특징으로 하는 결함 관찰 방법. - 다른 검사 장치에서 검출된 시료 위의 결함의 위치 정보를 사용하여 스테이지 위에 재치된 상기 시료에 광을 조사하여 상기 시료로부터 발생하는 산란광의 상을 대물 렌즈를 통해 촬상하고,
당해 촬상하여 얻은 상기 산란광의 화상을 처리해서 상기 결함의 상기 스테이지 위에서의 위치 정보를 구하고,
당해 구한 결함의 상기 스테이지 위에서의 위치 정보를 사용하여 상기 다른 검사 장치에서 검출한 상기 시료 위의 결함의 위치 정보를 수정하고,
당해 수정한 위치 정보를 사용하여 상기 스테이지 위에 재치된 시료 위의 상기 다른 검사 장치에서 검출된 결함을 관찰하는 결함 관찰 방법으로서,
상기 산란광의 상을 촬상하는 공정에서,
상기 촬상한 산란광의 상에 테일링 현상이 발생하고 있는지를 체크하고,
상기 산란광의 상에 테일링 현상이 발생하고 있는 경우에는,
상기 테일링 현상이 발생한 결함에 광을 사방으로부터 조사하고,
당해 광의 조사에 의해 상기 결함에서 발생한 산란광 중 상기 대물 렌즈의 개구의 외연부에 가까운 영역에 산란한 산란광의 성분을, 일부 영역이 상기 대물 렌즈의 반경 방향에 대하여 외주 방향을 향해 투과율이 서서히 감소하는 투과율 분포를 갖는 필터를 투과시켜 상기 대물 렌즈의 개구에 대해서 상기 산란광이 발생하는 영역의 일부를 부분적으로 차광한 광에 의해 결상함으로써, 상기 산란광에 의한 테일링 현상의 발생을 억제한 상기 산란광의 상을 결상하고,
당해 결상한 산란광의 상을 촬상하여 상기 산란광에 의한 테일링 현상의 발생을 억제한 화상을 취득하고,
당해 취득한 상기 산란광에 의한 테일링 현상의 발생을 억제한 화상을 처리하여 상기 시료 위의 결함을 추출하고,
당해 추출한 결함의 휘도 신호에 의거하여 상기 추출한 결함의 위치 정보를 구하는
것을 특징으로 하는 결함 관찰 방법. - 삭제
- 삭제
- 제11항에 있어서,
상기 스테이지에 재치되어 상기 산란광의 상이 촬상되어서 결함의 위치 정보가 수정된 시료를, 상기 스테이지에 재치한 상태에서 반송하여 상기 결함의 관찰을 행하는 것을 특징으로 하는 결함 관찰 방법. - 다른 검사 장치에서 검사되어서 결함이 검출된 시료를 재치하는 스테이지 수단과,
당해 스테이지 수단에 재치된 상기 시료 위의 결함의 위치 정보를 사용하여 당해 시료에 광을 조사해서 당해 시료로부터의 산란광의 상을 촬상하는 촬상 수단과,
당해 촬상 수단으로 촬상하여 얻은 상기 산란광의 화상으로부터 결함을 검출하여 당해 검출한 결함의 위치 정보를 구하는 위치 정보 추출 수단과,
당해 위치 정보 추출 수단으로 구한 결함의 위치 정보를 사용하여 상기 다른 검사 장치에서 검출한 상기 시료 위의 결함의 위치 정보를 수정하는 결함 위치 정보 수정 수단과,
당해 결함 위치 정보 수정 수단으로 수정한 위치 정보를 사용하여 상기 시료 위의 상기 다른 검사 장치에서 검출된 결함을 관찰하는 결함 관찰 수단을 구비한 결함 관찰 장치로서,
상기 촬상 수단은,
상기 스테이지 수단에 재치된 상기 다른 검사 장치에서 결함이 검출된 시료의 표면에 광을 사방으로부터 입사시켜서 상기 시료에 조사하는 조명부와,
당해 조명부에 의해 광이 조사된 상기 시료로부터 발생한 산란광을 집광하는 대물 렌즈와 당해 대물 렌즈로 집광한 상기 산란광 중 상기 대물 렌즈의 개구의 외연부에 가까운 영역에 산란한 산란광이 발생하는 영역의 일부를 부분적으로 차광하는 상기 대물 렌즈의 반경 방향에 대하여 외주 방향을 향해 투과율이 서서히 감소하는 투과율 분포를 갖는 필터와, 당해 필터를 투과한 산란광을 결상시킴으로써 테일링 현상의 발생이 억제된 상기 산란광의 상을 결상하는 결상 렌즈와, 당해 결상 렌즈에 의해 결상한 테일링 현상의 발생이 억제된 상기 산란광의 상을 촬상하는 촬상 소자를 갖는 촬상부를 구비하고,
상기 위치 정보 추출 수단은, 상기 촬상부로 상기 테일링 현상의 발생이 억제된 산란광의 상을 촬상하여 얻은 화상을 처리해서 상기 시료 위의 결함을 추출하고, 당해 추출한 결함의 휘도 신호에 의거하여 당해 결함의 위치 정보를 구하는
것을 특징으로 하는 결함 관찰 장치. - 삭제
- 삭제
- 제15항에 있어서,
상기 스테이지 수단은, 상기 촬상 수단으로 상기 산란광의 상이 촬상되어서 결함의 위치 정보가 수정된 시료를, 상기 결함 관찰 수단의 위치까지 반송하고, 상기 결함 관찰 수단에서, 상기 시료를 상기 스테이지에 재치한 상태에서 결함의 관찰을 행하는 것을 특징으로 하는 결함 관찰 장치.
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CN112104968B (zh) * | 2020-09-15 | 2021-10-15 | 沈阳风驰软件股份有限公司 | 一种无线耳机外观缺陷检测系统及检测方法 |
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3319790B2 (ja) | 1992-11-30 | 2002-09-03 | 株式会社日立製作所 | 異物検査方法及びその装置 |
JP2008116405A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及びその装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53123983A (en) * | 1977-04-05 | 1978-10-28 | Matsushita Electric Works Ltd | Photoelectric type smoke detector |
JPS5667739A (en) * | 1979-11-06 | 1981-06-08 | Toshiba Corp | Defect inspecting apparatus |
US4642803A (en) * | 1982-08-09 | 1987-02-10 | Drexler Technology Corporation | Optical data retrieval system for multi-characteristic reflective data storage media |
JPH0943160A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-02-14 | Toray Ind Inc | 光学測定装置 |
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US6407373B1 (en) | 1999-06-15 | 2002-06-18 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for reviewing defects on an object |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3319790B2 (ja) | 1992-11-30 | 2002-09-03 | 株式会社日立製作所 | 異物検査方法及びその装置 |
JP2008116405A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及びその装置 |
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