JP2006261162A - レビュー装置及びレビュー装置における検査方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 上流の検査装置で検出された欠陥を、レビュー装置に対して確実に、高精度に、しかも短時間にアライメントをして効率よく、詳細再検査(ADR)や欠陥分類(ADC)を行うことができるようにしたレビュー装置を提供する。
【解決手段】 検査装置で検査されて検出された欠陥検査情報を基に、多数の欠陥から複数のアライメント候補を選択して絞り込む欠陥選択部240と、該絞り込まれた複数のアライメント候補の各々を撮像して複数のアライメント候補のSEM画像を取得する検出系21と、該取得された複数のアライメント候補のSEM画像を基に複数のアライメント候補についての特徴量を算出し、該算出された複数のアライメント候補についての特徴量を基に該複数のアライメント候補についてのアライメント適/不適を判定する判定部243とを備えたレビュー装置である。
【選択図】 図1

Description

本発明は、半導体ウエハや半導体デバイスの製造に用いられるマスクなどの被検査対象に存在する欠陥を詳細に検査する欠陥検査システムに関し、特に、被検査対象の表面上に存在する欠陥を再検査して分類するためのレビュー装置及びレビュー装置における検査方法に関する。
半導体デバイスは、パターンの設計ルール(線幅など)の微細化により高密度、高集積化が行なわれている。これに伴い検出すべき欠陥も現状では、数十ナノメータ程度のより微細な欠陥を検出する必要が生じている。
そこで、従来、高スループットである検出分解能が低い上流の光学式検査装置において、予めウエハ全体あるいはその一部分を検査し、異物等の欠陥の有無を確認し、検出された欠陥の位置をウエハ上の座標として記憶し、次にこの記憶されたウエハ上の座標をレビュー装置(走査型電子顕微鏡(SEM))に通信手段あるいは記憶媒体を介して入力し、この座標をもとにレビュー装置の観察視野の中に欠陥が入るようにアライメント(位置合わせ)をし、SEM観察して再検査(ADR)及び欠陥分類(ADC)を行うものが知られている。
しかしながら、高いスループットを要求される検査装置と高い観察解像度を要求されるレビュー装置とは別々の装置であることが多く、上流の検査装置で検出した欠陥座標系とレビュー装置の座標系(ステージ座標)が異なることによってレビュー装置のアライメントにおいて欠陥位置のオフセットが生じることになる。
そこで、特開平11−167893号公報(特許文献1)には、異物検査装置で検出される異物の位置座標と走査電子顕微鏡で検出される異物の位置座標との間の誤差を演算し、該誤差が最小となるように座標変換式を設定し、異物検査装置から得られる座標データを前記座標変換式で変換して走査電子顕微鏡でアライメントをする位置座標を求め、該位置座標でアライメントすることによって、異物検査装置からの座標データに色々な誤差要因が含まれている場合でも、走査電子顕微鏡において微細な異物を視野内で発見できるようにした走査電子顕微鏡が記載されている。さらに、特許文献1には、異物検査装置での測定感度に合わせて予め設定しておいた異物の大きさや種類等の分類データを使用することによって、走査電子顕微鏡で座標値を登録できる異物や座標変換式の導出に使用できる異物を自動的に選択できると記載されている。
また、USP5267017(特許文献2)にも同様な内容が記載されている。
また、特開2002−39959号公報(特許文献3)には、光学式検査装置で検出された複数の欠陥の位置座標と属性とに基づいてSEM観察装置で検出しやすい欠陥を選択し、これらの欠陥を指標としてSEM観察装置で欠陥を検出して観察すると共に、両装置間の欠陥の位置座標の相関関係を表す座標変換式を生成し、SEM観察装置で欠陥の位置座標を変換して欠陥を観察する欠陥検査システムが記載されている。さらに、特許文献3には、SEM観察装置で検出しやすい欠陥を選択する光学式検査装置で得られる属性として、レーザ散乱光量と欠陥である異物の大きさとの間に一定の相関関係あることを利用して1マイクロメートル以上3マイクロメートル以下に想到する散乱光量を用いることが記載されている。
特開平11−167893号公報 USP5267017 特開2002−39959号公報
しかしながら、上記特許文献1〜3の何れにも、上流の検査装置から検出された異物等の欠陥の大きさや種類等の分類データを使用して選択されたアライメント候補から、レビュー装置で観察されるSEM画像を基に更にアライメントに適するアライメント候補を絞り込んで、検査装置で検出された欠陥をレビュー装置に確実に、高精度に、しかも短時間にアライメントをして効率よく、詳細再検査(ADR)や欠陥分類(ADC)を行うことについては考慮されていなかった。
本発明の目的は、上記課題を解決すべく、上流の検査装置で検出された欠陥を、レビュー装置に対して確実に、高精度に、しかも短時間にアライメントをして効率よく、詳細再検査(ADR)や欠陥分類(ADC)を行うことができるようにしたレビュー装置及びレビュー装置における検査方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、検査装置からの欠陥寸法や実時間欠陥分類情報などによる効率的な欠陥の一次絞込みと、広視野からの微細欠陥の検出を容易とするレビュー装置からの撮像モードでの欠陥撮像画像の取得と、その欠陥画像をもとに解析して得られる欠陥の属性を利用して、アライメントに適した複数の欠陥候補を見つけ出すことと、この後、基準となる欠陥候補の適/不適判定により二次選別された最適な欠陥によって、座標位置補正を行なうこととにより、レビュー装置の安定したかつ短時間での位置決めと詳細検査を実現する。
また、本発明は、上流の検査装置で検査された被検査対象の表面上に存在する所望の欠陥についての前記検査装置で得られる位置座標を基にアライメント補正係数で補正したレビュー装置での前記所望の欠陥の補正位置座標を算出し、該算出された補正位置座標を基に前記所望の欠陥をアライメントして電子顕微鏡又は光学顕微鏡で構成される検出系で観察して再検査するレビュー装置及びその検査方法であって、前記検査装置で検査されて検出された被検査対象の表面上に存在する多数の欠陥についての欠陥検査情報を記憶する記憶部と、該記憶部に記憶された欠陥検査情報に含まれる欠陥の種類及び/又は属性情報を基に、多数の欠陥から複数のアライメント候補を選択して絞り込む欠陥選択部と、該欠陥選択部で絞り込まれた複数のアライメント候補の各々を撮像して複数のアライメント候補のSEM画像又は光学画像を取得する前記検出系と、該検出系で取得された複数のアライメント候補のSEM画像又は光学画像から複数のアライメント候補についての属性を示す特徴量を算出する画像処理部と、該画像処理部で算出された複数のアライメント候補についての属性を示す特徴量を基に該複数のアライメント候補についてアライメント適/不適を判定する判定部と、該判定部でアライメント適と判定された複数のアライメント候補についての前記欠陥検査情報に含まれる検査装置から得られる位置座標と前記アライメント候補のSEM画像又は光学画像から算出されるレビュー装置での位置座標とからアライメント補正係数を算出する相対位置補正部とを備えたことを特徴とする。
また、本発明は、上流の検査装置で検査された被検査対象の表面上に存在する所望の欠陥についての前記検査装置で得られる位置座標を基にアライメント補正係数で補正したレビュー装置での前記所望の欠陥の補正位置座標を算出し、該算出された補正位置座標を基に前記所望の欠陥をアライメントして電子顕微鏡で構成される検出系で観察して再検査する電子線式レビュー装置及びその検査方法であって、前記検査装置で検査されて検出された被検査対象の表面上に存在する多数の欠陥についての欠陥検査情報を記憶する記憶部と、該記憶部に記憶された欠陥検査情報に含まれる欠陥の種類及び/又は属性情報を基に、多数の欠陥から複数のアライメント候補を選択して絞り込む欠陥選択部と、該欠陥選択部で絞り込まれた複数のアライメント候補の各々を撮像して複数のアライメント候補のSEM画像を取得する前記電子顕微鏡と、該電子顕微鏡で取得された複数のアライメント候補のSEM画像を基に複数のアライメント候補についての属性を示す特徴量を算出する画像処理部と、該画像処理部で算出された複数のアライメント候補についての属性を示す特徴量を基に該複数のアライメント候補についてのアライメント適/不適を判定する判定部と、該判定部でアライメント適と判定された複数のアライメント候補についての前記欠陥検査情報に含まれる検査装置から得られる位置座標と前記アライメント候補のSEM画像から算出されるレビュー装置での位置座標とからアライメント補正係数を算出する相対位置補正部とを備えたことを特徴とする。
また、本発明は、前記欠陥選択部は、前記欠陥の種類及び/又は属性情報を基に中程度の大きさの球状欠陥を絞り込むように構成することを特徴とする。
また、本発明は、前記欠陥選択部は、前記被検査対象の表面を複数のブロックに分割した各ブロックから所定の個数のアライメント候補を選択するように構成したことを特徴とする。
また、本発明は、前記欠陥選択部において、前記欠陥の属性情報として欠陥の大きさ示す情報であることを特徴とする。
また、本発明は、前記画像処理部において、前記アライメント候補についての属性を示す特徴量としてコントラスト及び/又は輪郭形状を算出するように構成し、前記判定部において、該コントラスト及び/又は輪郭形状を基に前記アライメント候補についてのアライメント適/不適を判定するように構成することを特徴とすることを特徴とする。
また、本発明は、前記判定部において、前記アライメント候補の属性を示す特徴量を予め設定した基準値と比較することにより前記アライメント候補についてのアライメント適/不適を判定するように構成することを特徴とする。
また、本発明は、更に、欠陥またはアライメント候補の光学画像を取得する光学顕微鏡を備えたことを特徴とする。
また、本発明は、SEM画像取得において、撮像視野が欠陥観察(ADR)時の視野に対して広視野で、欠陥観察(ADR)時の画像サンプリング数より多い画像サンプリング数でアライメント候補を撮像することを特徴とする。
本発明によれば、レビュー装置で一次選択されたアライメント候補について撮像する画像を基にアライメント候補の適/不適を判定することにより、レビュー装置に適するアライメント候補を絞り込むことを可能にし、その結果、検査装置で検出された欠陥をレビュー装置に確実に、高精度に、しかも短時間にアライメントをして効率よく、詳細再検査(ADR)や欠陥分類(ADC)を行うことが可能となる。
以下、本発明に係るレビュー装置及びその検査方法の実施の形態について図1乃至図12及び図14を用いて説明する。
図1は、本発明に係るレビュー装置の主要部の一実施例を示す概略構成と上流の検査装置との関係を示す図である。最初に電子線式等のレビュー装置2で詳細な観察が行なわれる前に、予め、電子線式等のレビュー装置2には、その上流の検査装置1により検出されたウエハ等の試料(被検査対象基板)3上の異物やパターン欠陥やスクラッチ欠陥や膜下欠陥等の欠陥5の種類の情報を含む欠陥の位置座標(x,y)や欠陥の属性を示す大きさなどの欠陥検査情報4が例えばネットワーク(図示せず)や記録媒体等を介して入力されて欠陥選択記憶部241に入力されて記憶されると共に、検査されたウエハ等の試料3がレビュー装置2の検出系21内に含まれるステージ31、32上の試料台(図示せず)にセットされる。レビュー装置2は、欠陥選択記憶部241に記憶された欠陥検査情報(欠陥の種類や欠陥の位置座標や欠陥の属性を示す大きさの情報など)4を読み出して欠陥の種類から形状が比較的定まっていてアライメント用位置補正係数の精度の向上が期待できる球状欠陥(凸状欠陥:異物)を選択し、試料上を複数の領域にほぼ均等になるように分割し、分割された各領域から中程度の大きさの異物をフィルタリング処理(絞込み処理)等を施し、順位付けをしてアライメント用の一次候補の異物を選択して欠陥選択記憶部241に一次登録する欠陥選択部(統括コンピュータ24でも良い。)240と、該欠陥選択記憶部241によって一次登録された球状欠陥(凸状欠陥:異物)を読出して該球状欠陥である異物に対して電子線などを照射して撮像してSEM画像を取得する検出系21と、検出系21で撮像された一次登録異物のSEM画像を記憶する画像記憶部221及び該画像記憶部221に記憶された一次登録された異物のSEM画像から所望の異物の画像を抽出する欠陥抽出部(図示せず)と該欠陥抽出部で抽出された所望の異物の画像を処理し、異物の属性を示すコントラスト、輪郭形状等の異物の特徴量情報を抽出して二次選択して二次登録するために欠陥特徴量記憶部242に出力する特徴量出力部(図示せず)とにより構成される画像処理部222を有する画像処理システム22と、画像記憶部221に記憶された一次登録された球状欠陥(異物)の画像やその情報及び画像処理部222から得られる二次登録された異物の画像やその情報を表示する表示部23とを備えて構成される。レビュー装置2は、更に、上流の検査装置1から得られる欠陥検査情報4(欠陥の種類や欠陥の位置座標や欠陥の属性を示す大きさの情報など)およびアライメント用の異物の一次候補が選択されて記憶される欠陥選択記憶部241と、該欠陥選択記憶部241に記憶された異物の一次候補の位置座標に基づき検出系2で撮像して画像処理部222で抽出した異物の属性を示すコントラスト、輪郭形状等の特徴量を一次登録の欠陥No.と共に記憶して二次登録する欠陥特徴量記憶部242と、該欠陥特徴量記憶部242に記憶された異物の属性を示す特徴量を元に異物のアライメントの適/不適を判定する判定部243と、該判定部243で適と判定された複数の異物についての試料上の座標系における位置座標(X+ΔX,Y+ΔY)を演算する座標演算部244と、検査装置1から得られるアライメントが適と判定された複数の異物についての位置座標(X.Y)と上記座標演算部244で演算された複数の異物についての位置座標演算結果(X+ΔX,Y+ΔY)とに基づいて、アライメントをするためのアライメント補正係数(相対位置補正係数)(α11,α12,α21,α22,X,Y)を算出し、該算出されたアライメント補正係数を基に検査装置1から得られるレビューする欠陥についての位置座標(x,y)を補正してレビュー装置2でレビューする欠陥についてのアライメントする位置座標(x’,y’)を算出する相対位置補正部245とを有し、これらの演算等の制御と装置全体の制御などを行なう統括コンピュータシステム24を備えて構成される。レビュー装置2は、上記座標位置補正部245で算出したレビューする欠陥についての補正された位置座標(x’,y’)を基にレビューする欠陥のアライメントが行なわれて欠陥レビュー(ADR:Automatic Defect Review)が行なわれ、その結果に基づいて欠陥分類(ADC:Automatic Defect Classification)が行なわれることになる。
レビュー装置2の検出系21としては、図2に示すように、電子線33を走査して、二次電子や反射電子等の電子を電子検出器36により検出して撮像する電子顕微鏡(SEM)30を備えた構成の検出系21aや、または図3に示すように、レビュー装置の試料室39a内でウエハ等の試料3を載置したXYステージ31、32を移動(図中点線)させて、光学式の光学顕微鏡42(明視野検査装置または暗視野検査装置または両方の検査装置(図示せず))による検査と電子顕微鏡30による検査との複数検査が可能な検出系21bで構成される。
なお、検出系21a,21bの電子顕微鏡30は、真空チャンバ39内に電子線を出射する電子銃34と、電子銃34から出射された電子線を収束する電子レンズ37と、該電子線33を偏向させる偏向器38と、試料3から発生する二次電子または反射電子等の電子を検出する電子検出器36とを備えて構成される。従って、電子銃34から出射された電子線33は電子レンズ37で収束され、偏向器38で2次元的に走査偏向されて試料室39a内の試料3に照射される。試料3に電子線が照射されると、試料の形状や材質に従った二次電子や反射電子等の電子が発生し、該発生した電子を電子検出器36で検出し、増幅し、アナログ/デジタル変換器(図示せず)デジタル画像信号に変換されて画像記憶部221に記憶される。この時の画像記憶部221のアドレスとしては、XYステージ31、32の座標系に基づく電子線の走査信号に同期したアドレスとなる。また、試料3を載置したXYステージ31、32はステージ制御部(図示せず)からの制御信号によりステージ座標系で試料3を3次元に平行移動させたり、傾斜させたり、回転させたりして試料3に対する電子線が走査する位置を変えることができる。
さらに、XYステージ31、32等は、XYステージ31、32の位置を高精度に測定するレーザ測長器等の測長器(図示せず)を備え、該測長器で測定された結果を統括コンピュータ24に提供することによって、統括コンピュータ24はステージコントローラ(図示せず)を介してXYステージ31、32を制御することによって高精度に位置決めされる。
なお、図2及び第3に示す検出系21a、21bには、ウエハ等の試料3をXYステージ31、32上に載置した際、試料3の外形(オリフラ又はノッチ等)を検出器(図示せず)で検出し、該検出された試料の外形に基づいて試料のXY位置および回転方向のずれ量(姿勢)を算出し、該算出された少なくとも回転方向の位置ずれ量を統括コンピュータ24に送信し、統括コンピュータ24はこの回転ずれ量を例えば回転ステージ(図示せず)を回転させることによって試料の粗回転補正によるオリフラ又はノッチ等の位置合せをして粗位置決めをすることが可能となる。勿論、試料のXY位置をXYステージ31、32にフィードバックすれば、試料の粗XY位置(粗XY座標)の補正をすることが可能である。
また、図3に示す検出系21bに設けられた光学顕微鏡42は、試料室39a内において電子顕微鏡の近傍に、互いに影響を及ぼさない程度離れた位置に設置される。そして、ステージ31、32は、電子顕微鏡30と光学顕微鏡42との間の既知の距離を往復移動するように構成される。光学顕微鏡42は、明視野照射光学系または暗視野照射光学系(図示せず)と、光学レンズ41と、CCDカメラ40とを備えて構成される。
該光学顕微鏡42は、検査装置1から得られる欠陥検査情報4としての欠陥の属性を示す大きさ(サイズ)の情報((投影長dx,dy)及び面積S)を確認して事前のアライメント適/不適を判定するために使用するか(図9に示すS98〜S100)、または検査装置1から欠陥検査情報4として欠陥の属性を示す大きさ(サイズ)の情報として(投影長dx,dy)及び面積Sが入手できない場合に使用される。即ち、光学顕微鏡42は、XYステージ31、32上に載置された試料3上の一次登録された中程度異物のアライメント候補(図9に示すS83〜S86で得られる。)または欠陥分類カテゴリーを参照することによって抽出された球状欠陥(異物)のアライメント候補(図9に示すS83で得られる。)の光学画像をCCDカメラ40によって撮像し、該撮像されたアライメント候補の欠陥の光学画像から欠陥の属性を示す(投影長dx,dy)及び/又は面積Sからなる大きさ(サイズ)の情報をレビュー装置2において取得するために設置したものである。
また、上流の検査装置1としては、図4に示す光学暗視野検査装置1aや、図5に示す光学明視野検査装置1b、さらに両方の暗視野および明視野の検出系を有する検査装置(図示せず)などがある。光学暗視野検査装置1aは、図4に示す如く、試料3を載置するXYステージ431、432と、レーザ光源452及び集光光学系441を有し、試料3に対して斜方からレーザビームを集光して照射するレーザ照射光学系と、試料3からの散乱光を集光する対物レンズ及び結像レンズ441及びCCD検出器453を有する検出光学系と、画像処理システム422、表示部423及び統括コンピュータ424とを備えて構成され、異物等の欠陥が検出され、該検出された欠陥についてのステージ座標系での欠陥位置座標からウエハ等の試料3の基準位置(例えばオリフラ等)に基に試料上の座標系での欠陥位置座標(X,Y)に変換され、欠陥検査情報4として図6に示す少なくとも欠陥の種類、欠陥数(No.)、欠陥の位置座標(X,Y)及び欠陥の属性を示す大きさ(投影長(dx,dy)や面積Sなど)などが算出されて出力されることになる。光学明視野検査装置1bは、図5に示す如く、試料3を載置するXYステージ531、532と、光源555、集光光学系541及びハーフミラー554からなり、試料3に対して明視野照明する照射光学系と、試料3からの反射光を集光する対物レンズ541、結像レンズ541及びCCD検出器553を有する検出光学系と、画像処理システム522、表示部523及び統括コンピュータ524とを備えて構成され、パターン欠陥やスクラッチ欠陥や膜下欠陥等の欠陥が検出され、該検出された欠陥についてのステージ座標系での欠陥位置座標からウエハ等の試料3の基準位置(例えばオリフラ等)に基に試料上の座標系での欠陥位置座標(X,Y)に変換され、欠陥検査情報4として図6に示す少なくとも欠陥の種類、欠陥数(No.)、欠陥の位置座標(X,Y)及び欠陥の属性を示す大きさ(投影長(dx,dy)や面積Sなど)などが算出されて出力されることになる。
また、検査装置1の種類によっては、欠陥検査情報4として、欠陥の属性を示す大きさ(投影長(dx,dy)や面積Sなど)の情報が得られない場合がある。
以上説明したように、検査装置1(1a、1b)のステージ座標系とレビュー装置2のステージ座標系とはそれぞれ装置固有の座標系であるため、例え、ウエハ等の試料の基準位置(例えばオリフラやノッチ等)に基に試料3上の座標系に変換したとしても異なる座標系になるため、試料上の座標系においても欠陥の位置座標は微妙に異なることになる。
また、図4及び図5に示す上流の検査装置1並びに図3に示すレビュー装置2の検出系21bに設けられた光学顕微鏡42は、何れも光学式であるため、欠陥を検出して得られる光学画像が、電子顕微鏡30で1万〜2万倍の低倍率で得られる電子画像に比べて感度及び解像度が劣ることになる。そのため、欠陥の光学画像から欠陥の属性を示す大きさ(サイズ)の特徴量を算出したとしても、あくまで低精度の欠陥の大きさ(サイズ)が算出され、電子顕微鏡のような高精度を期待することは困難である。
次に、本発明に係るレビュー装置2のアライメント動作について説明する。検査装置1から出力される欠陥検査情報4としては、光学画像を基に算出される、図6に示す、少なくとも試料上の座標系での欠陥位置座標(X,Y)及び欠陥数(No.)の他に、例えば、欠陥の種類(欠陥のカテゴリー)等の情報があり、電子記憶媒体又は装置間あるいは外部のネットワークを介してレビュー装置2の欠陥選択記憶部241に入力されて記憶される。また、検査装置1の種類によっては、欠陥検査情報4として、さらに光学画像を基に算出される欠陥の大きさ(サイズ)を示す投影長(dx,dy)や面積Sなどの欠陥の属性情報が算出されて出力されて電子記憶媒体又は装置間あるいは外部のネットワークを介してレビュー装置2の欠陥選択記憶部241に入力されて記憶される。欠陥の投影長(dx,dy)は、例えば、図7に示すような欠陥5のX、Y方向の最大寸法で定義されている。このように欠陥検査情報4は、必ずしも欠陥一次選択記憶部241に記憶する必要はなく、別の記憶部(図示せず)に記憶してもよい。
次に、レビュー装置2において、欠陥選択記憶部241に格納された欠陥検査情報4を用いて、レビュー装置2においてアライメントするためのアライメント補正係数(相対位置補正係数)(α11,α12,α21,α22,X,Y)を算出し、検査装置1で検出される欠陥の位置座標を上記算出されたアライメント補正係数を基に補正し、該補正された欠陥の位置座標を用いてレビュー装置2において欠陥レビュー(ADR)および欠陥分類(ADC)を行う第1の実施例について図8及び図14に示すフローチャートを用いて説明する。第1の実施例の場合は、通常の検査装置1から欠陥検査情報4として、光学画像を基に算出される、図6に示す、試料上の座標系での欠陥位置座標(X,Y)及び欠陥数(No.)の他に、例えば、欠陥の種類、欠陥の大きさ(サイズ)を示す投影長(dx,dy)や面積Sなどの欠陥の属性情報が出力されてレビュー装置2の欠陥選択記憶部241に入力されて記憶される場合である。
レビュー装置2において、(1)ウエハ等の試料3は、レビュー装置2の検出系21内の載置台に搬送され、セットされてロードされる(S81)。
(2)さらに、欠陥選択記憶部241は、検査装置1から得られる上記欠陥検査情報4を読込む(S82)。
(3)このとき、通常の検査装置1で検査されて得られた欠陥検査情報4には図6のような欠陥の種類が含まれているので、欠陥選択部240は、該欠陥の種類を参照してまず膜下欠陥を排除し、比較的定まった形状を有する球状欠陥(凸状欠陥)である異物を絞り込むフィルタリング処理(選択処理)が行なわれる(S83)。上記欠陥の種類としては、検査装置1で実施される実時間欠陥分類情報(検査ADC)の欠陥分類カテゴリーを利用してもよい。実時間欠陥分類では、膜上異物、膜下異物等の欠陥カテゴリーの分類がなされる。レビュー装置2の電子顕微鏡(SEM)30では膜下欠陥に電子線が到達せず、撮像することが困難な場合が多いことから、アライメント用の欠陥として不適として排除することが必要となる。また、スクラッチ欠陥やパターン欠陥は形状が比較的に定まっていなくアライメントの精度が低いことから、形状が比較的定まっていてアライメント精度が高い球状欠陥(凸状欠陥)である異物を選択するようにした。
(4)次に、欠陥選択部240は、試料3全表面からアライメント用の異物を一様に選び出すために、図10に示すように試料3の表面を複数の領域(ブロック)に分割し、欠陥検査情報4から得られる光学画像に基づく異物のサイズ(投影長(dx,dy)又は面積S)を基に、特に大きい異物を排除するように、異物の大きさ(サイズ)が基準サイズ(基準投影長dxs,dys、基準面積Ss等)に近い中程度の異物を、上記各々のブロックから所定の個数絞込み(フィルタリング)を行ない、各ブロック毎の中程度異物のアライメント候補のデータが得られることになる(S84)。中程度の異物サイズの目安としては、例えば、0.5から2.0ミクロン程度から選択される。特に大きい異物を排除するのは、検査装置1から得られる位置座標を基に1〜2万程度の低倍率で位置決めしたとしても電子顕微鏡30の視野からはみ出してしまうことが多いからである。また、小さい異物の場合、検査装置1から得られる位置座標を基に1〜2万程度の低倍率で電子顕微鏡30により撮像した場合、ある程度の大きさのアライメントに適するSEM画像が得られないためである。
なお、試料3の表面を複数の領域(ブロック)に分割する際、試料上の座標系における試料の形状データが必要となる。
(5)欠陥選択部240は、さらに各ブロック毎に異物の形状が球状に近く、異物のサイズが基準サイズに近いもの(代表異物)からアライメント一次候補として順位付けして並び変えて欠陥選択記憶部241内の記憶領域に、図11に示すように各ブロック毎に順位付けされた一次候補マップとして、一次登録が行なわれる(S85)。
上記(3)(4)における絞込みは、異物の投影長(dx,dy)又は面積Sのいずれか1つでもよいが、投影長と面積の両方での絞込みが可能である。例えば、図10に示す如く、レビュー装置2の表示部23の画面に表示されるような試料3の領域を複数に分割した領域、例えば、4分割領域ごとのブロック(101、102、103、104)に分けて、ブロック内での各異物の投影長(dx,dy)又は面積Sを基に基準サイズに近い中程度異物に絞込み、該絞り込まれた中程度異物の内、異物のサイズ(投影長(dx,dy)又は面積S)が基準サイズに近いものから優先順位付けを行なって一次候補の代表異物として並び変え、図11に示すような一次候補データで一次登録が行なわれる。これは、後述のアライメントための相対位置補正を局所的に行なう場合や試料全体でアライメント精度を確保する上で有効となる。あるいは、試料の分割なしに、連続して欠陥選択記憶部241内の記憶領域に一次選択された一次候補の代表異物として並び変えてもよい。この処理は統括コンピュータシステム24内の欠陥選択部240の演算で容易に比較判定することができる。また、画像処理システム22の内部で使用される処理コンピュータ(図示せず)のソフトウエアシステムで実施してもよい。
(6)次に、例えば、表示部23の画面上において、各ブロック毎または試料全体で、アライメントの位置座標演算を行なう回数(個数)が指定される(S86)。
(7)次に、統括コンピュータ24は、欠陥選択記憶部241に一次選択登録された中程度異物のアライメント一次候補から上記指定された回数(個数)を順次選択し、そのアライメント一次候補の位置座標(X,Y)を読み出し、この位置座標をXYステージ31、32の座標系に変換し、検出系21の電子顕微鏡30であるステージコントローラ(図示せず)に提供されることになる(S87)。
(8)その結果、異物のアライメント一次候補は、順次1万〜2万程度の低倍率の電子顕微鏡30の視野内に位置付けされることになる。このように、1万〜2万程度の低倍率の電子顕微鏡30の視野内に順次位置付けされた中程度異物のアライメント候補は電子顕微鏡30によって撮像され、該撮像された電子画像(SEM画像)から異物のアライメント候補を示す異物電子画像(異物SEM画像)が検出されて画像記憶部221に記憶される(S88)。中程度異物のアライメント候補の一次選択において、レビュー装置2の電子顕微鏡30で見つけ易い大きさの中程度異物、例えば、上述した0.5から2.0ミクロン程度の異物を選択するようにしているため、中程度異物のアライメント候補を電子顕微鏡30において通常の1万〜2万倍程度の低倍率で撮像したとしても、電子顕微鏡の視野からはずれることは無く高解像度を有する電子画像として検出されることになる。このとき、電子顕微鏡30は、詳細観察における欠陥レビュー時の512×512画素程度の撮像に対して、4倍から16倍(1024×1024画素〜2048×2048画素)程度の広視野、高密度で撮像される。即ち、電子顕微鏡30は、アライメント候補を撮像する視野が、所望の欠陥を詳細に検出する欠陥観察(ADR)時の視野に対して、少なくとも該視野を越える広い領域の画像を、ADR時の画像サンプリング数より多い画像サンプリング数により撮像することにより、アライメント候補を広視野で高密度で撮像することが可能となる。このように広視野及び高密度で撮像するのは、画素サイズが大きくなりすぎて異物検出感度が低下するのを防ぐためである。
なお、ステップS85において仮に中程度球状欠陥として膜下欠陥がアライメント候補として一次選択されたとしても、該一次選択された膜下欠陥は電子顕微鏡30で撮像できないので、自動的にアライメント候補から削除されることになる。
次に、画像処理部222は、ステップS88で検出した高解像度を有する異物電子画像(SEM画像)を画像記憶部221から読出し、該読出された異物電子画像を、繰り返されるセル比較やダイ比較と同様に、異物のない参照電子画像と比較処理して中程度異物を抽出してその電子画像を異物特徴量記憶部242に記憶する(S88)。
(9)画像処理部222は、異物特徴量記憶部242に抽出して記憶された中程度異物の電子画像を基に中程度異物の属性を示す特徴量である明るさ(コントラストC)、または輪郭形状値f、またはコントラストCと輪郭形状値fの両方の値を取得する(S89)。
(10)該取得された中程度異物の属性を示す特徴量が異物特徴量記憶部242に二次候補マップとして二次登録される(S90)。
中程度異物のコントラスト(濃淡値)Cは、例えば、背景の明るさ平均値(濃淡平均値)に対する中程度異物の明るさ平均値(濃淡平均値)との比を用いたり、あるいは異物電子画像と参照電子画像との差画像(背景がほぼ除去された中程度異物のみの濃淡画像)における背景の明るさ平均値(ほぼゼロに近い)に対する中程度異物の明るさ平均値の比を用いて、画像処理部222で演算して求められ、また、輪郭形状値fは、画像処理部222で異物電子画像を基に算出された中程度異物の面積Sに対する中程度異物の周囲長lの2乗の比(球形の場合は輪郭形状値の目安は4πの値の近傍を示す。)の値を画像処理部222で算出して求められ、これら求められた特徴量が異物特徴量記憶部242に二次候補マップとして二次登録される。
このように、レビュー装置2の検出系21で撮像された異物電子画像に基づく中程度異物の属性を示す特徴量(コントラストCや輪郭形状値f)が元の異物No.と共に欠陥特徴量記憶部242に二次登録されることによって、図12に示すようにウエハのブロック内領域(101、102、103、104)に対応してアライメント適/不適を判定するための中程度異物の候補マップデータが欠陥特徴量記憶部242に作成される。
なお、二次登録される欠陥特徴量記憶部242と、一次登録される欠陥一次選択記憶部241とを同一メモリ等の記憶手段で構成し、共用してもよい。
次に、アライメント適/不適判定部243は、欠陥特徴量記憶部242から異物電子画像に基づく中程度異物の特徴量を読み出して、中程度異物の明るさ(コントラスト(濃淡平均値)C)、または輪郭形状値f、またはコントラストCと輪郭形状値fの両方の値を、基準値の目安(コントラストの基準値又は/及び球形状を示す4π)と比較して、基準値より高いコントラストを示す中程度の異物又は/球形状を示す中程度の異物がアライメント適と判定されるようにアライメント適/不適判定が行なわれる(S91)。
該判定において、不適等の場合には、次の中程度異物アライメント候補を選択するステップS87に戻り、ステップS87〜S91が繰り返される。
アライメント適/不適判定では、コントラストのよい中程度の大きさの球形異物を判定するため、中程度の異物の属性としてコントラストCと輪郭形状値fを用いているが、属性の輪郭形状値fは球形異物の判定に有効であるが、この代りに中程度異物の面積Sで代用してもよい。
以上説明したように、電子顕微鏡30から撮像して得られる異物電子画像から得られる中程度の異物の属性としてコントラストCと輪郭形状値fを用いて、アライメント適/不適の判定をすることによって、最適の判定を行なうことが可能となる。
(11)次に、座標演算部244は、異物特徴量記憶部242からアライメントに適する判定された中程度異物についての異物電子画像を読み出して中程度異物の試料上の座標系での重心位置座標(X+ΔX,Y+ΔY)を演算し(S92)、図12の右側欄に示すようにアライメントに適する中程度異物の位置座標(X+ΔX,Y+ΔY)の二次登録が行なわれ、欠陥特徴量記憶部242にその座標値が記録される。また、適/不適の結果も欠陥特徴量記憶部242に記憶される。
次に、アライメント適/不適判定部243におけるステップS91でのアライメント回数(個数)判定で、アライメント適の中程度異物数が閾値以上になるまで、ステップS87〜S92を繰り返し、座標演算部244において所定数の中程度異物の位置座標演算が同様に行なわれる。その結果、所定個数アライメント用として最適に選択された中程度異物の位置座標を精度よく算出できることになる。
なお、この段階で、アライメントに適すると判定した中程度異物の試料(ウエハ)上における分布及び分割されたブロック領域を図10に示すように表示部23の画面上に表示でき、しかも操作マウス等の入力手段105を使用して任意の中程度異物を指定することによって、指定した中程度異物に関する、検査装置から得られる情報、SEM観察によって得られる特徴量及びSEM観察によって算出されたSEM位置座標を表示してアライメント適/不適を確認することができる。また、後述するように、求められた相対位置補正係数を用いて算出される補正位置座標を上記SEM位置座標と並べて表示することによってアライメントに適すると判定したN個の中程度異物が適切であったかどうかを確認することが可能である。
(12)その後、相対位置補正部245において、異物特徴量記憶部242に記憶された所定数(N個)の中程度異物の位置座標(X+ΔX,Y+ΔY)と欠陥一次選択記憶部241に記憶された検査装置1での所定数(N個)の中程度異物の位置座標(X,Y)との次に示す(1)式の関係から最小2乗近似法等を用いて最小誤差となるアライメント補正係数(α11,α12,α21,α22,X,Y)を算出する(S94)。また、特開2002−39959に開示されている方法によりアライメント補正係数(α11,α12,α21,α22,X,Y)を算出することが可能である。
(X+ΔX)=α11X+α12Y+X
(Y+ΔY)=α21X+α21Y+Y (1)
以上説明したように相対位置補正部245においてアライメント適のN個の中程度異物を用いてアライメント補正係数(α11,α12,α21,α22,X,Y)が算出されて記憶部(図示せず)に記憶されているので、以後レビュー装置2は、統括コンピュータ24においてレビューする欠陥について検査装置1で検出された試料座標系での欠陥の位置座標(x,y)から上記アライメント補正係数を用いて上記(1)式に基づいて座標変換を施すことによってレビュー装置2での試料座標系での欠陥の位置座標(x+Δx,y+Δy)を算出してオフセットとして座標位置補正(Δx,Δy)を求めてレビュー欠陥を512×512画素程度の解像度の高倍率の電子顕微鏡30の視野に位置決めして高倍率のSEM画像により詳細観察をして詳細検査を実施し、欠陥レビュー(ADR)することが可能となる(S814)。さらに、該欠陥レビューを基に欠陥分類(ADC)を実施し(S815)、一連の詳細検査が可能となる。
ところで、上記座標位置補正および詳細検査を、半自動又は全自動で行なうことが可能である。
なお、ステップS88において、2048×2048程度の広視野、高密度で撮像ができない場合には、撮像位置を周辺(前後または左右)に何度も取り直して、視野を移動して検出してもよい(サーチランドと称す)。このような場合には、例えば、図14に示すように、図8に示すフローチャートに対して、アライメント適/不適判定(S91)で不適と判定された中程度異物についての電子画像の取直しの要/否判定をするステップ(S911)と、取直し要の場合には視野変更するステップ(S912)とが追加されることになる。電子画像の取直しの要/否判定するステップ(S911)において、統括コンピュータ24は、広視野、高密度で取込んだ電子画像の視野と異物のアライメント候補の位置座標との関係から取直し要否を判定する。統括コンピュータ24は、取直し要の場合には電子顕微鏡30のステージコントローラに制御信号を送信して(15)視野変更を行ない(S912)、(8)SEM像の再撮像(S88)からやり直される。また、統括コンピュータ24は、取直し不要の場合には、次のアライメント候補の選択(S87)を行なう。
次に、レビュー装置2において、欠陥選択記憶部241に格納された欠陥検査情報4を用いて、レビュー装置2においてアライメントするための相対位置補正係数(α11,α12,α21,α22,X,Y)を算出し、検査装置1で検出される欠陥の位置座標を上記算出された相対位置補正係数を基に補正し、該補正された欠陥の位置座標を用いてレビュー装置2において欠陥レビュー(ADR)および欠陥分類(ADC)を行う第2の実施例について図9に示すフローチャートを用いて説明する。
第2の実施例において、第1の実施例と相違する点は、図3に示すようにレビュー装置2内に設置された光学顕微鏡42を使用することにある。光学顕微鏡42の第1の使用方法としては、レビュー装置2のステージ31、32を光学顕微鏡側に移動し(S97)、中程度異物のアライメント候補を選択することによって中程度異物を光学顕微鏡の視野内に容易に位置付けし(S87)、中程度異物の光学画像を取得し(S98)、該取得した光学画像を基に再度中程度異物の位置座標(X’,Y’)及び大きさ((投影長dx,dy)又は/及び面積S)を求めて欠陥特徴量記憶部242に登録し(S99)、該登録された中程度異物の大きさに基づいてアライメント適/不適を判定し(S100)、不適の場合にはステップS97に戻り、適の場合にはステージ31,32を電子顕微鏡側に移動する(S101)点であり、アライメント適/不適をより確実に行なうことができ、しかも電子顕微鏡30の視野内への位置付けに上記位置座標(X’,Y’)を用いることができることになる。図13には、この第2の実施例の場合において欠陥特徴量記憶部242に二次登録されるデータを示す。
光学顕微鏡42の第2の使用方法としては、上流の検査装置1から得られる欠陥検査情報4として欠陥の位置座標及び欠陥数のみで異物の大きさの情報が得られない場合である。この場合、異物の大きさの情報を得るために光学顕微鏡42を用いることになる。そのため、ステップS100が無くなり、ステップS84〜S86がステップS99とステップS101との間に入り、ステップS97は単なる異物の選択となる。
なお、上記第2の実施例は、レビュー装置2に設置された光学顕微鏡42の構成が、図4に示す暗視野照明方式でも、図5に示す明視野照明方式でも、両方の機能を兼ね備えた照明方式でも、適用することは可能である。ただし、両方の機能を備えた照明方式で、検出系が1つの場合、照明を切り換える必要がある。
勿論、光学顕微鏡42を使用しなければ、第1の実施例と同様になる。
図3の検出系21が光学顕微鏡のみで構成されるレビュー装置2の場合には、図8に示すフローチャートにおける電子顕微鏡(SEM)による撮像モードのステップS88が光学顕微鏡による撮像モードに変更され、同様に適用することが可能となる。光学顕微鏡に場合、膜下欠陥も検出することができるが、形状が定まっていないことからしてアライメント用の欠陥としては削除しておいた方が好ましい。
以上述べた欠陥選択部240の処理、アライメント適/不適判定部243の処理、座標演算部244での処理及び相対位置補正245の処理は、統括コンピュータシステム24のソフトウエアシステムで実施する形態としているが、画像処理システム22の内部で使用される処理コンピュータのソフトウエアシステムで実施してもよい。
なお、以上説明した実施の形態では、対象をパターン付きのプロセスウエハとしているが、パターン形成前のベアウエハの検査後に行なわれる詳細観察を行なう場合においても同様の方法により、適用可能である。
また、以上説明した本実施の形態によれば、検査装置から得られる複数の球状欠陥(異物)から該球状異物の情報(投影長、面積など)に基づいてアライメント候補を一次選択し、該一次選択されたアライメント候補から更にレビュー装置での撮像によって得られる球状欠陥(異物)の情報(コントラスト、輪郭形状など)に基づいて二次選択することにより、最終的に試料上においてアライメントに適する所定の個数の中程度異物の絞込みを高信頼度化して検査装置とレビュー装置との間の試料座標系でのアライメントのためのアライメント補正係数(相対位置補正係数)を高精度に求めることが可能となり、その結果検査装置で検出される所望の欠陥についてのレビュー装置におけるアライメント(位置決め)の信頼性を向上させることができ、効率よく、しかも精度よく詳細観察に基づく欠陥レビュー(ADR)および欠陥分類(ADC)を行うことが可能となる。
また、本実施の形態によれば、さらに微細化した球状欠陥でも、アライメント候補の一次選択を試料上の分割領域毎に行なうため、アライメント候補を試料上の全領域に亘って比較的均等に絞り込むことができ、その結果、アライメントのための相対位置補正係数を試料全域に亘って高精度に求めることが可能となり、その結果レビュー装置におけるアライメント(位置決め)の信頼性を向上させることができ、レビュー装置で所望の欠陥を精度よく詳細観察をすることができる。
また、本実施の形態によれば、オペレータの目視判定や操作がほとんど不要のため、短時間で効率のよいアライメントが可能となり、さらに、欠陥レビュー装置での自動運転化が可能となる。
本発明に係るレビュー装置の主要部の一実施例を示す概略構成と上流の検査装置との関係を示す図である。 本発明に係る検出系として走査電子顕微鏡を備えたレビュー装置の一実施例を示す構成図である。 本発明に係る検出系として走査電子顕微鏡と光学顕微鏡とを備えたレビュー装置の一実施例を示す構成図である。 本発明に係る上流の光学式検査装置の第1の実施例を示す概略構成図である。 本発明に係る上流の光学式検査装置の第2の実施例を示す概略構成図である。 本発明に係る上流の検査装置で検査された欠陥分類情報の一実施例を示す図である。 本発明に係る一次選択に用いる球状欠陥の大きさの一つである投影長(dx,dy)の定義を説明するための図である。 本発明に係るレビュー装置において欠陥レビュー(ADR)および欠陥分類(ADC)を行なう第1の実施例を示す順を示すフローチャート図である。 本発明に係るレビュー装置において欠陥レビュー(ADR)および欠陥分類(ADC)を行なう第2の実施例を示すフローチャート図である。 本発明に係るレビュー装置における表示画面の一実施例を示す図である。 本発明に係る検査装置で検出された欠陥から試料上の小ブロック領域毎に絞り込みによって一次選択されたアライメント候補のマップデータの一実施例を示す図である。 本発明に係るレビュー装置において小ブロック領域毎に一次選択されたアライメント候補について撮像されたSEM画像を基に取得される属性情報である特徴量(コントラストおよび輪郭形状)及び上記SEM画像を基に取得される位置座標並びに上記特徴量を基に判定されたアライメント適/不適から構成され、欠陥特徴量記憶部に登録する候補マップデータの一実施例を示す図である。 本発明に係るレビュー装置においてアライメント適と判定されたアライメント用球状欠陥についての図11に示すマップデータに図12に示すマップデータを付加して欠陥特徴量記憶部に二次登録されるマップデータの一実施例を示す図である。 図8に示す第1の実施例において、SEM画像の取直しがある場合の手順を示すフローチャート図である。
符号の説明
1、1a、1b…上流の検査装置、2…レビュー装置、3…試料(ウエハ)、4…欠陥
検査情報、5…欠陥、21、21a、21b…検出系、22、422,522…画像処理システム、23、423、523…表示部、24,424,524…統括コンピュータ、30…電子顕微鏡(SEM)、31、32…ステージ、33……電子線、34…電子銃、36…電子検出器、37…電子レンズ、38…偏向器、39…真空チャンバ、39a…試料室、40、453、553…検出器、441、541…レンズ、42…光学顕微鏡、452…レーザ照射器、554…ハーフミラー、555…照明光源、72…投影長dx、73…投影長dy、101、102、103、104…ウエハ分割領域、105…マウス、106…選択欠陥情報表示画面、221…画像記憶部、222…画像処理部、240…欠陥選択部、241…欠陥選択記憶部、242…欠陥特徴量記憶部、243…アライメント適/不適判定部、244…座標演算部、245…相対位置補正部。

Claims (14)

  1. 上流の検査装置で検査された被検査対象の表面上に存在する所望の欠陥についての前記検査装置で得られる位置座標を基にアライメント補正係数で補正したレビュー装置での前記所望の欠陥の補正位置座標を算出し、該算出された補正位置座標を基に前記所望の欠陥をアライメントして電子顕微鏡又は光学顕微鏡で構成される検出系で観察して再検査するレビュー装置であって、
    前記検査装置で検査されて検出された被検査対象の表面上に存在する多数の欠陥についての欠陥検査情報を記憶する記憶部と、
    該記憶部に記憶された欠陥検査情報に含まれる欠陥の種類及び/又は属性情報を基に、多数の欠陥から複数のアライメント候補を選択して絞り込む欠陥選択部と、
    該欠陥選択部で絞り込まれた複数のアライメント候補の各々を撮像して複数のアライメント候補のSEM画像又は光学画像を取得する前記検出系と、
    該検出系で取得された複数のアライメント候補のSEM画像又は光学画像から複数のアライメント候補についての属性を示す特徴量を算出する画像処理部と、
    該画像処理部で算出された複数のアライメント候補についての属性を示す特徴量を基に該複数のアライメント候補についてアライメント適/不適を判定する判定部と、
    該判定部でアライメント適と判定された複数のアライメント候補についての前記欠陥検査情報に含まれる検査装置から得られる位置座標と前記アライメント候補のSEM画像又は光学画像から算出されるレビュー装置での位置座標とからアライメント補正係数を算出する相対位置補正部とを備えたことを特徴とするレビュー装置。
  2. 上流の検査装置で検査された被検査対象の表面上に存在する所望の欠陥についての前記検査装置で得られる位置座標を基にアライメント補正係数で補正したレビュー装置での前記所望の欠陥の補正位置座標を算出し、該算出された補正位置座標を基に前記所望の欠陥をアライメントして電子顕微鏡で構成される検出系で観察して再検査する電子線式レビュー装置であって、
    前記検査装置で検査されて検出された被検査対象の表面上に存在する多数の欠陥についての欠陥検査情報を記憶する記憶部と、
    該記憶部に記憶された欠陥検査情報に含まれる欠陥の種類及び/又は属性情報を基に、多数の欠陥から複数のアライメント候補を選択して絞り込む欠陥選択部と、
    該欠陥選択部で絞り込まれた複数のアライメント候補の各々を撮像して複数のアライメント候補のSEM画像を取得する前記電子顕微鏡と、
    該電子顕微鏡で取得された複数のアライメント候補のSEM画像を基に複数のアライメント候補についての属性を示す特徴量を算出する画像処理部と、
    該画像処理部で算出された複数のアライメント候補についての属性を示す特徴量を基に該複数のアライメント候補についてのアライメント適/不適を判定する判定部と、
    該判定部でアライメント適と判定された複数のアライメント候補についての前記欠陥検査情報に含まれる検査装置から得られる位置座標と前記アライメント候補のSEM画像から算出されるレビュー装置での位置座標とからアライメント補正係数を算出する相対位置補正部とを備えたことを特徴とするレビュー装置。
  3. 前記欠陥選択部は、前記欠陥の種類及び/又は属性情報を基に中程度の大きさの球状欠陥を絞り込むように構成することを特徴とする請求項1又は2記載のレビュー装置。
  4. 前記欠陥選択部は、前記被検査対象の表面を複数のブロックに分割した各ブロックから所定の個数のアライメント候補を選択するように構成したことを特徴とする請求項1又は2記載のレビュー装置。
  5. 前記欠陥選択部において、前記欠陥の属性情報として欠陥の大きさ示す情報であることを特徴とする請求項1又は2記載のレビュー装置。
  6. 前記画像処理部において、前記アライメント候補についての属性を示す特徴量としてコントラスト及び/又は輪郭形状を算出するように構成し、
    前記判定部において、該コントラスト及び/又は輪郭形状を基に前記アライメント候補についてのアライメント適/不適を判定するように構成することを特徴とすることを特徴とする請求項1又は2記載のレビュー装置。
  7. 前記判定部において、前記アライメント候補の属性を示す特徴量を予め設定した基準値と比較することにより前記アライメント候補についてのアライメント適/不適を判定するように構成することを特徴とする請求項1又は2記載のレビュー装置。
  8. 更に、欠陥またはアライメント候補の光学画像を取得する光学顕微鏡を備えたことを特徴とする請求項2記載のレビュー装置。
  9. 上流の検査装置で検査された被検査対象の表面上に存在する所望の欠陥についての前記検査装置で得られる位置座標を基にアライメント補正係数で補正したレビュー装置での前記所望の欠陥の補正位置座標を算出し、該算出した補正位置座標を基に該所望の欠陥をアライメントして電子顕微鏡又は光学顕微鏡で構成される検出系で観察して再検査するレビュー装置における検査方法であって、
    前記検査装置で検査されて検出された被検査対象の表面上に存在する多数の欠陥についての欠陥検査情報を記憶部に記憶する記憶ステップと、
    該記憶ステップで記憶された欠陥検査情報に含まれる欠陥の種類及び/又は属性情報を基に、多数の欠陥から複数のアライメント候補を選択して絞り込む欠陥選択ステップと、
    該欠陥選択ステップで絞り込まれた複数のアライメント候補の各々を前記検出系で撮像して複数のアライメント候補のSEM画像又は光学画像を取得する画像取得ステップと、
    該画像取得ステップで取得された複数のアライメント候補についてのSEM画像又は光学画像から複数のアライメント候補についての属性を示す特徴量を算出する画像処理ステップと、
    該画像処理ステップで算出された複数のアライメント候補についての属性を示す特徴量を基に該複数のアライメント候補についてのアライメント適/不適を判定する判定ステップと、
    該判定ステップでアライメント適と判定された複数のアライメント候補についての前記欠陥検査情報に含まれる検査装置から得られる位置座標と前記アライメント候補のSEM画像又は光学画像から算出されるレビュー装置での位置座標とから前記アライメントするためのアライメント補正係数を算出する補正係数算出ステップとを有することを特徴とするレビュー装置における検査方法。
  10. 上流の検査装置で検査された被検査対象の表面上に存在する所望の欠陥についての前記検査装置で得られる位置座標を基にアライメント補正係数で補正したレビュー装置での前記所望の欠陥の補正位置座標を算出し、該算出された補正位置座標を基に前記所望の欠陥をアライメントして電子顕微鏡で構成される検出系で観察して再検査する電子線式レビュー装置における検査方法であって、
    前記検査装置で検査されて検出された被検査対象の表面上に存在する多数の欠陥についての欠陥検査情報を記憶部に記憶する記憶ステップと、
    該記憶ステップで記憶された欠陥検査情報に含まれる欠陥の種類及び/又は属性情報を基に、多数の欠陥から複数のアライメント候補を選択して絞り込む欠陥選択ステップと、
    該欠陥選択ステップで絞り込まれた複数のアライメント候補の各々を前記電子顕微鏡で撮像して複数のアライメント候補についてのSEM画像を取得するSEM画像取得ステップと、
    該SEM画像取得ステップで取得された複数のアライメント候補についてのSEM画像を基に複数のアライメント候補についての属性を示す特徴量を算出する画像処理ステップと、
    該画像処理ステップで算出された複数のアライメント候補についての属性を示す特徴量を基に該複数のアライメント候補についてのアライメント適/不適を判定する判定ステップと、
    該判定ステップでアライメント適と判定された複数のアライメント候補についての前記欠陥検査情報に含まれる検査装置から得られる位置座標と前記アライメント候補のSEM画像から算出されるレビュー装置での位置座標とから前記アライメントするためのアライメント補正係数を算出する補正係数算出ステップとを有することを特徴とするレビュー装置における検査方法。
  11. 前記欠陥選択ステップにおいて、前記欠陥の種類及び/又は属性情報を基に中程度の大きさの球状欠陥を絞り込むことを特徴とする請求項9又は10記載のレビュー装置における検査方法。
  12. 前記欠陥選択ステップにおいて、前記被検査対象の表面を複数のブロックに分割した各ブロックから所定の個数のアライメント候補を選択することを特徴とする請求項9又は10記載のレビュー装置における検査方法。
  13. 前記画像処理ステップにおいて、前記アライメント候補についての属性を示す特徴量としてコントラスト及び/又は輪郭形状を算出し、
    前記判定ステップにおいて、該コントラスト及び/又は輪郭形状を基に前記アライメント候補についてのアライメント適/不適を判定することを特徴とすることを特徴とする請求項9又は10記載のレビュー装置における検査方法。
  14. 前記SEM画像取得ステップにおいて、撮像視野が欠陥観察(ADR)時の視野に対して広視野で、欠陥観察(ADR)時の画像サンプリング数より多い画像サンプリング数でアライメント候補を撮像することを特徴とする請求項10記載のレビュー装置における検査方法。
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