JP2011038798A - 欠陥観察装置、欠陥観察方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
欠陥観察装置、欠陥観察方法、及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011038798A JP2011038798A JP2009183800A JP2009183800A JP2011038798A JP 2011038798 A JP2011038798 A JP 2011038798A JP 2009183800 A JP2009183800 A JP 2009183800A JP 2009183800 A JP2009183800 A JP 2009183800A JP 2011038798 A JP2011038798 A JP 2011038798A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defect
- coordinates
- defects
- substrate
- field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】基板Wの表面の欠陥Diのそれぞれの欠陥座標を取得するステップS1と、欠陥Diのそれぞれに所定領域Rを設定し、その中に含まれる欠陥の総個数Niを計数するステップと、ステージ座標を一番目の欠陥D1の欠陥座標に合わせることにより、顕微鏡の視野22f内に第1の欠陥D1を導入するステップと、視野中心22cと第1の欠陥D1とのズレ量を取得するステップと、上記ズレ量に基づいて、第1の欠陥D1よりも上記総個数が多い第2の欠陥D2の欠陥座標を補正するステップと、補正後の第2の欠陥D2の欠陥座標にステージ座標を合わせることにより、顕微鏡の視野22f内に第2の欠陥D2を導入するステップとを有する欠陥観察方法による。
【選択図】図9
Description
本実施形態では、図1に示した欠陥観察装置1を用い、図9のフローチャートに従って欠陥の観察を行う。図9は、本実施形態に係る欠陥観察方法のフローチャートである。
第1実施形態では、欠陥の総個数Niが少ない欠陥Diから順に視野22f内に導入することで、視野22f内に捕捉対象の欠陥Di以外の欠陥が入る可能性を低減した。
第2実施形態では視野22fに禁止領域22xを設定することで、捕捉対象となっていない欠陥を誤って捕捉する危険性を低減した。
本実施形態では、第1〜第3実施形態で説明したファインアライメントを利用しながら、欠陥検査装置1(図1参照)の電子顕微鏡部21において基板Wの詳細な電子顕微鏡像を得る方法について説明する。
本実施形態では、第1〜第4実施形態で説明した欠陥観察方法を半導体装置の製造工程に適用する。
前記複数の欠陥のそれぞれについて所定領域を設定し、前記複数の欠陥のうち前記所定領域内に含まれる前記欠陥の総個数を計数するステップと、
前記基板が載せられているステージのステージ座標を、前記複数の欠陥のうち第1の欠陥の前記欠陥座標に合わせることにより、顕微鏡の視野内に前記第1の欠陥を導入するステップと、
前記視野内の基準点と前記第1の欠陥とのズレ量を取得するステップと、
前記ズレ量に基づいて、前記複数の欠陥のうち、前記第1の欠陥よりも前記総個数が多い第2の欠陥の前記欠陥座標を補正するステップと、
補正後の前記第2の欠陥の前記欠陥座標に前記ステージ座標を合わせることにより、前記顕微鏡の視野内に前記第2の欠陥を導入するステップと、
を有することを特徴とする欠陥観察方法。
前記デバイスパターンを覆う膜を形成するステップと、
前記膜の表面の複数の欠陥のそれぞれの欠陥座標を取得するステップと、
前記欠陥のそれぞれについて所定領域を設定し、前記所定領域内に含まれる前記欠陥の総個数を計数するステップと、
前記半導体基板が載せられているステージのステージ座標を、前記複数の欠陥のうち第1の欠陥の前記欠陥座標に合わせることにより、顕微鏡の視野内に前記第1の欠陥を導入するステップと、
前記視野内の基準点と前記第1の欠陥とのズレ量を取得するステップと、
前記ズレ量に基づいて、前記複数の欠陥のうち、前記第1の欠陥よりも前記総個数が多い第2の欠陥の前記欠陥座標を補正するステップと、
補正後の前記第2の欠陥の前記欠陥座標に前記ステージ座標を合わせることにより、前記顕微鏡の視野内に前記第2の欠陥を導入するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記基板を観察する顕微鏡と、
前記基板の表面にある複数の欠陥の各々の欠陥座標に基づいて、前記ステージのステージ座標を前記欠陥座標に合わせ、前記顕微鏡の視野内に前記欠陥を導入する制御部とを有し、
前記制御部は、
前記基板の表面の複数の欠陥のそれぞれの欠陥座標を取得し、
前記欠陥のそれぞれについて所定領域を設定して、前記所定領域内に含まれる前記欠陥の総個数を計数し、
前記ステージのステージ座標を、前記複数の欠陥のうち第1の欠陥の前記欠陥座標に合わせることにより、前記顕微鏡の視野内に前記第1の欠陥を導入し、
前記視野内の基準点と前記第1の欠陥とのズレ量を取得し、
前記ズレ量に基づいて、前記複数の欠陥のうち、前記第1の欠陥よりも前記総個数が多い第2の欠陥の前記欠陥座標を補正し、
補正後の前記第2の欠陥の前記欠陥座標に前記ステージ座標を合わせることにより、前記顕微鏡の視野内に前記第2の欠陥を導入することを特徴とする欠陥観察装置。
Claims (5)
- 基板表面の複数の欠陥のそれぞれの欠陥座標を取得するステップと、
前記複数の欠陥のそれぞれについて所定領域を設定し、前記複数の欠陥のうち前記所定領域内に含まれる前記欠陥の総個数を計数するステップと、
前記基板が載せられているステージのステージ座標を、前記複数の欠陥のうち第1の欠陥の前記欠陥座標に合わせることにより、顕微鏡の視野内に前記第1の欠陥を導入するステップと、
前記視野内の基準点と前記第1の欠陥とのズレ量を取得するステップと、
前記ズレ量に基づいて、前記複数の欠陥のうち、前記第1の欠陥よりも前記総個数が多い第2の欠陥の前記欠陥座標を補正するステップと、
補正後の前記第2の欠陥の前記欠陥座標に前記ステージ座標を合わせることにより、前記顕微鏡の視野内に前記第2の欠陥を導入するステップと、
を有することを特徴とする欠陥観察方法。 - 前記視野内に前記第2の欠陥を導入するステップにおいて、前記視野内に前記第1の欠陥を導入するステップと比較して、前記視野内の観察領域を狭小化することを特徴とする請求項1に記載の欠陥観察方法。
- 前記観察領域の前記狭小化は、前記視野の一部に前記第2の欠陥以外の前記欠陥を認識しない禁止領域を設定することにより行われることを特徴とする請求項2に記載の欠陥観察方法。
- 半導体基板の上にデバイスパターンを形成するステップと、
前記デバイスパターンを覆う膜を形成するステップと、
前記膜の表面の複数の欠陥のそれぞれの欠陥座標を取得するステップと、
前記欠陥のそれぞれについて所定領域を設定し、前記所定領域内に含まれる前記欠陥の総個数を計数するステップと、
前記半導体基板が載せられているステージのステージ座標を、前記複数の欠陥のうち第1の欠陥の前記欠陥座標に合わせることにより、顕微鏡の視野内に前記第1の欠陥を導入するステップと、
前記視野内の基準点と前記第1の欠陥とのズレ量を取得するステップと、
前記ズレ量に基づいて、前記複数の欠陥のうち、前記第1の欠陥よりも前記総個数が多い第2の欠陥の前記欠陥座標を補正するステップと、
補正後の前記第2の欠陥の前記欠陥座標に前記ステージ座標を合わせることにより、前記顕微鏡の視野内に前記第2の欠陥を導入するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板が載せられるステージと、
前記基板を観察する顕微鏡と、
前記基板の表面にある複数の欠陥の各々の欠陥座標に基づいて、前記ステージのステージ座標を前記欠陥座標に合わせ、前記顕微鏡の視野内に前記欠陥を導入する制御部とを有し、
前記制御部は、
前記基板の表面の複数の欠陥のそれぞれの欠陥座標を取得し、
前記欠陥のそれぞれについて所定領域を設定して、前記所定領域内に含まれる前記欠陥の総個数を計数し、
前記ステージのステージ座標を、前記複数の欠陥のうち第1の欠陥の前記欠陥座標に合わせることにより、前記顕微鏡の視野内に前記第1の欠陥を導入し、
前記視野内の基準点と前記第1の欠陥とのズレ量を取得し、
前記ズレ量に基づいて、前記複数の欠陥のうち、前記第1の欠陥よりも前記総個数が多い第2の欠陥の前記欠陥座標を補正し、
補正後の前記第2の欠陥の前記欠陥座標に前記ステージ座標を合わせることにより、前記顕微鏡の視野内に前記第2の欠陥を導入することを特徴とする欠陥観察装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009183800A JP5369981B2 (ja) | 2009-08-06 | 2009-08-06 | 欠陥観察装置、欠陥観察方法、及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009183800A JP5369981B2 (ja) | 2009-08-06 | 2009-08-06 | 欠陥観察装置、欠陥観察方法、及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011038798A true JP2011038798A (ja) | 2011-02-24 |
JP5369981B2 JP5369981B2 (ja) | 2013-12-18 |
Family
ID=43766742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009183800A Expired - Fee Related JP5369981B2 (ja) | 2009-08-06 | 2009-08-06 | 欠陥観察装置、欠陥観察方法、及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5369981B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103091326A (zh) * | 2011-10-31 | 2013-05-08 | 无锡华润上华科技有限公司 | 识别缺陷类型的方法 |
JP2014049212A (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥観察システムおよび欠陥観察方法 |
JP2020169926A (ja) * | 2019-04-04 | 2020-10-15 | 株式会社島津製作所 | 粒子線分析装置 |
US11087954B2 (en) | 2018-07-20 | 2021-08-10 | Asml Netherlands B.V. | System and method for bare wafer inspection |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05223747A (ja) * | 1992-02-14 | 1993-08-31 | Hitachi Ltd | 異物観察装置 |
JPH06249790A (ja) * | 1993-02-24 | 1994-09-09 | Sony Corp | 異物分析方法及び異物分析装置 |
JP2000200813A (ja) * | 1998-10-27 | 2000-07-18 | Hitachi Ltd | 画像自動収集装置およびその方法 |
JP2000252341A (ja) * | 1999-03-03 | 2000-09-14 | Toshiba Corp | 半導体欠陥解析システムおよび方法 |
JP2002131253A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-05-09 | Applied Materials Inc | 基板の欠陥検査方法および基板の欠陥検査システム |
JP2006145269A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥レビュー装置及び欠陥レビュー方法 |
JP2006261162A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Hitachi High-Technologies Corp | レビュー装置及びレビュー装置における検査方法 |
JP2008135568A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥レビュー方法および装置 |
-
2009
- 2009-08-06 JP JP2009183800A patent/JP5369981B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05223747A (ja) * | 1992-02-14 | 1993-08-31 | Hitachi Ltd | 異物観察装置 |
JPH06249790A (ja) * | 1993-02-24 | 1994-09-09 | Sony Corp | 異物分析方法及び異物分析装置 |
JP2000200813A (ja) * | 1998-10-27 | 2000-07-18 | Hitachi Ltd | 画像自動収集装置およびその方法 |
JP2000252341A (ja) * | 1999-03-03 | 2000-09-14 | Toshiba Corp | 半導体欠陥解析システムおよび方法 |
JP2002131253A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-05-09 | Applied Materials Inc | 基板の欠陥検査方法および基板の欠陥検査システム |
JP2006145269A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥レビュー装置及び欠陥レビュー方法 |
JP2006261162A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Hitachi High-Technologies Corp | レビュー装置及びレビュー装置における検査方法 |
JP2008135568A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥レビュー方法および装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103091326A (zh) * | 2011-10-31 | 2013-05-08 | 无锡华润上华科技有限公司 | 识别缺陷类型的方法 |
JP2014049212A (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥観察システムおよび欠陥観察方法 |
US11087954B2 (en) | 2018-07-20 | 2021-08-10 | Asml Netherlands B.V. | System and method for bare wafer inspection |
US11791127B2 (en) | 2018-07-20 | 2023-10-17 | Asml Netherlands B.V. | System and method for bare wafer inspection |
JP2020169926A (ja) * | 2019-04-04 | 2020-10-15 | 株式会社島津製作所 | 粒子線分析装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5369981B2 (ja) | 2013-12-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9702695B2 (en) | Image processing device, charged particle beam device, charged particle beam device adjustment sample, and manufacturing method thereof | |
JP5059297B2 (ja) | 電子線式観察装置 | |
US7786437B2 (en) | Pattern inspection method and pattern inspection system | |
US7351968B1 (en) | Multi-pixel electron emission die-to-die inspection | |
CN109309021B (zh) | 检查基板的系统和方法及使用其制造半导体器件的方法 | |
WO2010032857A1 (ja) | パターンの検査装置、及びパターンの検査方法 | |
US20020054703A1 (en) | Pattern inspection method and apparatus | |
US20150146967A1 (en) | Pattern evaluation device and pattern evaluation method | |
JP2007248087A (ja) | 試料寸法測定方法、及び試料寸法測定装置 | |
US20070257695A1 (en) | Defect inspection device | |
JP5369981B2 (ja) | 欠陥観察装置、欠陥観察方法、及び半導体装置の製造方法 | |
US8263936B2 (en) | Transmission electron microscope having electron spectroscope | |
WO2011001635A1 (ja) | 半導体検査装置及びそれを用いた半導体検査方法 | |
JP2006286685A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
US11694312B2 (en) | Image enhancement for multi-layered structure in charged-particle beam inspection | |
US9727799B2 (en) | Method of automatic defect classification | |
KR101328611B1 (ko) | 반도체 메모리 디바이스 제조를 위한 패턴 매칭 방법 | |
KR102640848B1 (ko) | 시료 검사 방법, 시료 검사 시스템, 및 이들을 이용한 반도체 소자의 검사 방법 | |
JP2003133379A (ja) | 半導体装置の検査装置及び半導体装置の製造方法 | |
CN114577151B (zh) | 厚度测量方法及装置 | |
JP5970229B2 (ja) | 試料の寸法測定方法、および荷電粒子線装置 | |
JP5446510B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の管理方法 | |
US20240112881A1 (en) | Substrate analysis system | |
JP4053461B2 (ja) | パターン評価方法及びデバイス製造方法 | |
JP2002323307A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法、半導体集積回路の検査方法および半導体集積回路の検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120510 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130529 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130820 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130902 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5369981 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |