JPH06249790A - 異物分析方法及び異物分析装置 - Google Patents
異物分析方法及び異物分析装置Info
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- JPH06249790A JPH06249790A JP5061014A JP6101493A JPH06249790A JP H06249790 A JPH06249790 A JP H06249790A JP 5061014 A JP5061014 A JP 5061014A JP 6101493 A JP6101493 A JP 6101493A JP H06249790 A JPH06249790 A JP H06249790A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェハ１表面の各異物２、２、…を迅速に且
つ自動的に分光分析できるようにする。 【構成】 異物２の座標情報に基づいて顕微鏡カメラ９
と半導体ウェハ１との相対的位置関係を該顕微鏡カメラ
９の視野１０内に異物２が納まるように自動的に調整
し、顕微鏡カメラ９の出力映像信号の処理によりその異
物２の視野１０内における正確な位置を自動的に検出
し、その位置の検出結果に基づいて半導体ウェハ１と分
析用ビーム源１１との位置関係を該分析用ビーム源１１
から出射される分析用ビーム１２が当該異物２にあたる
ように自動的に調整し、その後、分析用ビーム１２によ
る異物２での二次光線１４を検出して分光分析をする。
以後、これを異物２一つ毎に順次行う。
つ自動的に分光分析できるようにする。 【構成】 異物２の座標情報に基づいて顕微鏡カメラ９
と半導体ウェハ１との相対的位置関係を該顕微鏡カメラ
９の視野１０内に異物２が納まるように自動的に調整
し、顕微鏡カメラ９の出力映像信号の処理によりその異
物２の視野１０内における正確な位置を自動的に検出
し、その位置の検出結果に基づいて半導体ウェハ１と分
析用ビーム源１１との位置関係を該分析用ビーム源１１
から出射される分析用ビーム１２が当該異物２にあたる
ように自動的に調整し、その後、分析用ビーム１２によ
る異物２での二次光線１４を検出して分光分析をする。
以後、これを異物２一つ毎に順次行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、異物分析方法、特に半
導体ウェハ上の各異物を迅速に分光分析することのでき
る異物分析方法と、その実施に用いる異物分析装置に関
する。
導体ウェハ上の各異物を迅速に分光分析することのでき
る異物分析方法と、その実施に用いる異物分析装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置を品質管理するうえで最も重
要なことの一つは半導体ウェハの表面に付着する異物
（ダスト）を少なくすることであり、それには先ず第１
に半導体ウェハの表面に付着した異物の数を把握すると
共に異物がどのような物質からなるかを分析することが
不可欠である。なぜならば、それによって汚染源が何か
を発見する可能性が生じ、ダスト対策を講じることが可
能になるからである。
要なことの一つは半導体ウェハの表面に付着する異物
（ダスト）を少なくすることであり、それには先ず第１
に半導体ウェハの表面に付着した異物の数を把握すると
共に異物がどのような物質からなるかを分析することが
不可欠である。なぜならば、それによって汚染源が何か
を発見する可能性が生じ、ダスト対策を講じることが可
能になるからである。
【０００３】ところで、半導体ウェハ表面に付着した異
物の分析は次のように行われた。先ず、ウェハ表面検査
機により半導体ウェハ上の各異物の座標を順次検出し、
その各異物の座標を適宜記録媒体、例えばフロッピーデ
ィスクに記録し、次に、分光分析装置により半導体ウェ
ハ上の各異物を分光分析する。
物の分析は次のように行われた。先ず、ウェハ表面検査
機により半導体ウェハ上の各異物の座標を順次検出し、
その各異物の座標を適宜記録媒体、例えばフロッピーデ
ィスクに記録し、次に、分光分析装置により半導体ウェ
ハ上の各異物を分光分析する。
【０００４】そして、従来の分光分析装置には半導体ウ
ェハと分析用ビーム源との相対的位置関係を上記の記録
された異物の座標情報に基づいて分析用ビームが異物近
傍を照射できるように自動的に調整する位置調整機構を
備えたものがあった。しかしながら、異物に対して分析
用ビーム源から投射された分析用ビームを照射できるよ
うに自動的に位置決めすることができる分光分析装置
は、従来存在しなかった。というのは、ウェハ表面検査
機による異物の座標の検出精度を何ミクロンというきわ
めて微小径のビームでミクロン程度の異物を照射できる
程度に高くすることは実際上きわめて困難だからであ
る。そのため、従来においては、オペレータが異物が分
析用ビームにあたるところに位置するようにマニュアル
操作により半導体ウェハの載置台をＸ、Ｙ方向に移動し
て位置合せをし、その後、分析用ビーム源から分析用ビ
ームを出射させて分光分析をしていたのである。
ェハと分析用ビーム源との相対的位置関係を上記の記録
された異物の座標情報に基づいて分析用ビームが異物近
傍を照射できるように自動的に調整する位置調整機構を
備えたものがあった。しかしながら、異物に対して分析
用ビーム源から投射された分析用ビームを照射できるよ
うに自動的に位置決めすることができる分光分析装置
は、従来存在しなかった。というのは、ウェハ表面検査
機による異物の座標の検出精度を何ミクロンというきわ
めて微小径のビームでミクロン程度の異物を照射できる
程度に高くすることは実際上きわめて困難だからであ
る。そのため、従来においては、オペレータが異物が分
析用ビームにあたるところに位置するようにマニュアル
操作により半導体ウェハの載置台をＸ、Ｙ方向に移動し
て位置合せをし、その後、分析用ビーム源から分析用ビ
ームを出射させて分光分析をしていたのである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来におい
ては、異物一つ一つに対してオペレータが異物が分析用
ビームにあたるところに位置するようにマニュアル操作
により半導体ウェハの載置台をＸ、Ｙ方向に移動して位
置合せをし、その後、分析用ビーム源から分析用ビーム
を出射させて分光分析をする必要があったので、半導体
ウェハ上の全異物について物質が何であるかの分光分析
をするのに相当の人手と時間がかかり、そのため、迅速
なダスト対策を講じることが難しく、また、分光分析に
要する人件費が無視できない程高かった。
ては、異物一つ一つに対してオペレータが異物が分析用
ビームにあたるところに位置するようにマニュアル操作
により半導体ウェハの載置台をＸ、Ｙ方向に移動して位
置合せをし、その後、分析用ビーム源から分析用ビーム
を出射させて分光分析をする必要があったので、半導体
ウェハ上の全異物について物質が何であるかの分光分析
をするのに相当の人手と時間がかかり、そのため、迅速
なダスト対策を講じることが難しく、また、分光分析に
要する人件費が無視できない程高かった。
【０００６】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、ウェハ表面の各異物を迅速に且つ自
動的に分析できるようにすることを目的とする。
されたものであり、ウェハ表面の各異物を迅速に且つ自
動的に分析できるようにすることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明異物分析方法は、
異物の座標情報に基づいて顕微鏡カメラと半導体ウェハ
との相対的位置関係を顕微鏡カメラの視野内に異物が納
まるように自動的に調整し、顕微鏡カメラの出力映像信
号の処理によりその異物の視野内における正確な位置を
自動的に検出し、その位置の検出結果に基づいて半導体
ウェハと分析用ビーム源との位置関係を分析用ビーム源
から出射される分析用ビームが異物にあたるように自動
的に調整し、その後分析用ビーム源からの分析用ビーム
による異物での二次光線を検出して分光分析をすること
を特徴とする。
異物の座標情報に基づいて顕微鏡カメラと半導体ウェハ
との相対的位置関係を顕微鏡カメラの視野内に異物が納
まるように自動的に調整し、顕微鏡カメラの出力映像信
号の処理によりその異物の視野内における正確な位置を
自動的に検出し、その位置の検出結果に基づいて半導体
ウェハと分析用ビーム源との位置関係を分析用ビーム源
から出射される分析用ビームが異物にあたるように自動
的に調整し、その後分析用ビーム源からの分析用ビーム
による異物での二次光線を検出して分光分析をすること
を特徴とする。
【０００８】本発明異物分析装置は、半導体ウェハ載置
部と、顕微鏡カメラと、分析用ビーム源と、分光分析部
と、上記半導体ウェハ載置部・上記顕微鏡カメラ及び分
析用ビーム源間の相対的位置関係を変化させる位置合せ
機構と、を有することを特徴とする。
部と、顕微鏡カメラと、分析用ビーム源と、分光分析部
と、上記半導体ウェハ載置部・上記顕微鏡カメラ及び分
析用ビーム源間の相対的位置関係を変化させる位置合せ
機構と、を有することを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明異物分析方法によれば、異物の座標に基
づいて異物を顕微鏡カメラの視野内に納まるように粗く
位置合せし、その視野内における異物の正確な位置を顕
微鏡カメラの出力映像信号の処理により検出しその検出
結果に基づいて半導体ウェハ・分析用ビーム源の相対的
位置関係を調整するので、異物の座標情報の精度が低く
ても分析用ビームが異物に正確に照射されるようにする
ことができ、延いては異物の自動的な分光分析が可能と
なり、異物の分光分析の省力化、低コスト化、迅速化を
図ることができる。
づいて異物を顕微鏡カメラの視野内に納まるように粗く
位置合せし、その視野内における異物の正確な位置を顕
微鏡カメラの出力映像信号の処理により検出しその検出
結果に基づいて半導体ウェハ・分析用ビーム源の相対的
位置関係を調整するので、異物の座標情報の精度が低く
ても分析用ビームが異物に正確に照射されるようにする
ことができ、延いては異物の自動的な分光分析が可能と
なり、異物の分光分析の省力化、低コスト化、迅速化を
図ることができる。
【００１０】本発明異物分析装置によれば、顕微鏡カメ
ラと、分析用ビーム源と、位置合せ機構と、制御手段を
有するので、異物の精度の低い座標情報によって制御手
段により位置合せ機構を制御して顕微鏡カメラの視野内
に異物が納まるように位置合せをし、その後、顕微鏡カ
メラにより視野内における異物の高精度の座標を検出
し、その高精度の座標に基づいて制御手段により位置合
せ機構を制御するので、分析用ビームが異物に照射され
るように正確な位置決めを自動的に行うことができる。
従って、分析用ビームの二次光線による異物分析を自動
的に行うことが可能となる。
ラと、分析用ビーム源と、位置合せ機構と、制御手段を
有するので、異物の精度の低い座標情報によって制御手
段により位置合せ機構を制御して顕微鏡カメラの視野内
に異物が納まるように位置合せをし、その後、顕微鏡カ
メラにより視野内における異物の高精度の座標を検出
し、その高精度の座標に基づいて制御手段により位置合
せ機構を制御するので、分析用ビームが異物に照射され
るように正確な位置決めを自動的に行うことができる。
従って、分析用ビームの二次光線による異物分析を自動
的に行うことが可能となる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明異物分析方法及び異物分析装置
を図示実施例に従って詳細に説明する。図面は本発明異
物分析装置の一つの実施例の概略構成図である。図面に
おいて、１は表面の異物（ダスト）２、２、…の分光分
析がされる半導体ウェハで、載置台３上に置かれる。該
載置台３は位置合せ機構４によりＸ方向、Ｙ方向及びθ
方向に移動が可能である。
を図示実施例に従って詳細に説明する。図面は本発明異
物分析装置の一つの実施例の概略構成図である。図面に
おいて、１は表面の異物（ダスト）２、２、…の分光分
析がされる半導体ウェハで、載置台３上に置かれる。該
載置台３は位置合せ機構４によりＸ方向、Ｙ方向及びθ
方向に移動が可能である。
【００１２】５θ、５Ｘ、５Ｙは位置合せのための駆動
モータ、６は該駆動モータ５θ、５Ｘ、５Ｙを制御する
制御回路で、コンピュータ７によってコントロールされ
る。８はフロッピーディスクドライバである。フロッピ
ーディスクドライバ８に半導体ウェハ２上の各異物の座
標情報が記録されたフロッピーディスクがセットされ、
その読み出しが為されると読み出された異物の座標情報
に基づいて制御回路６により位置合せ機構４の制御が行
われるようになっている。
モータ、６は該駆動モータ５θ、５Ｘ、５Ｙを制御する
制御回路で、コンピュータ７によってコントロールされ
る。８はフロッピーディスクドライバである。フロッピ
ーディスクドライバ８に半導体ウェハ２上の各異物の座
標情報が記録されたフロッピーディスクがセットされ、
その読み出しが為されると読み出された異物の座標情報
に基づいて制御回路６により位置合せ機構４の制御が行
われるようになっている。
【００１３】９は例えばＳＥＭからなる顕微鏡カメラ
で、半導体ウェハ１の表面の異物２を撮像する。１０は
顕微鏡カメラ９の視野で、顕微鏡カメラ９の出力映像信
号を処理することにより異物２のその視野１０内におけ
る位置（座標）を検出することができるようになってい
る。１１は分析用ビーム源で、例えばＸ線１２を分析用
ビームとして発生する。１３はＸ線１２を照射された異
物２からのそのＸ線１２の二次光線１４を受光する受光
器、１５は受光器１３の出力信号を処理して分光分析す
る分析回路で、この出力がコンピュータ７により処理さ
れ分光分析データとなる。尚、顕微鏡カメラ９の光軸と
分析用ビーム１１の光軸とは予め設定された位置関係、
例えばＸ方向に距離Ｄだけずれているという関係にされ
ている。
で、半導体ウェハ１の表面の異物２を撮像する。１０は
顕微鏡カメラ９の視野で、顕微鏡カメラ９の出力映像信
号を処理することにより異物２のその視野１０内におけ
る位置（座標）を検出することができるようになってい
る。１１は分析用ビーム源で、例えばＸ線１２を分析用
ビームとして発生する。１３はＸ線１２を照射された異
物２からのそのＸ線１２の二次光線１４を受光する受光
器、１５は受光器１３の出力信号を処理して分光分析す
る分析回路で、この出力がコンピュータ７により処理さ
れ分光分析データとなる。尚、顕微鏡カメラ９の光軸と
分析用ビーム１１の光軸とは予め設定された位置関係、
例えばＸ方向に距離Ｄだけずれているという関係にされ
ている。
【００１４】図２（Ａ）乃至（Ｃ）は半導体ウェハ１表
面の各異物２、２、…をどのように分光分析するかを順
に示すものである。 （Ａ）図１に示す異物分析装置による分析を行う前に、
先ず既存のウェハ表面検査機［例えば鏡面モニターウェ
ハー検査機Ｓｕｒｆｓｃａｎ（ＴＥＬ製）、パターン付
製品ウェハー検査機ＩＳ−１０００（日立デコ製）ある
いは同じくＩＳ−２０００（日立デコ製）］を用いて半
導体ウェハ１表面の各異物２、２、…の座標（位置）を
認識する。そして、各異物の座標情報を所定のフォーマ
ットでフロッピーディスクに記録する。
面の各異物２、２、…をどのように分光分析するかを順
に示すものである。 （Ａ）図１に示す異物分析装置による分析を行う前に、
先ず既存のウェハ表面検査機［例えば鏡面モニターウェ
ハー検査機Ｓｕｒｆｓｃａｎ（ＴＥＬ製）、パターン付
製品ウェハー検査機ＩＳ−１０００（日立デコ製）ある
いは同じくＩＳ−２０００（日立デコ製）］を用いて半
導体ウェハ１表面の各異物２、２、…の座標（位置）を
認識する。そして、各異物の座標情報を所定のフォーマ
ットでフロッピーディスクに記録する。
【００１５】（Ｂ）次に、その半導体ウェハ１を図１に
示した異物分析装置の半導体ウェハ載置台３上にセット
する。一方、フロッピーディスクドライバ８に上記の各
異物２、２、…の座標情報を記録したフロッピーディス
クをセットし、コンピュータ７に異物のその異物の座標
情報を取り込む。次に、第１番目の異物２の座標情報に
基づいてコンピュータ７が制御回路６へ位置合せのため
のθ方向、Ｘ方向及びＹ方向の各移動量を示す信号を送
る。その結果、半導体ウェハ１上の第１番目の異物２が
顕微鏡カメラ９の視野１０内に位置するように位置合せ
機構４が駆動される。尚、ウェハ表面検査機による異物
の座標の検出精度には限界があるので、その座標情報に
基づく位置合せによっては異物２が視野１０内の中心０
に来るようには位置合せができない［図２（Ｂ−１）参
照］。
示した異物分析装置の半導体ウェハ載置台３上にセット
する。一方、フロッピーディスクドライバ８に上記の各
異物２、２、…の座標情報を記録したフロッピーディス
クをセットし、コンピュータ７に異物のその異物の座標
情報を取り込む。次に、第１番目の異物２の座標情報に
基づいてコンピュータ７が制御回路６へ位置合せのため
のθ方向、Ｘ方向及びＹ方向の各移動量を示す信号を送
る。その結果、半導体ウェハ１上の第１番目の異物２が
顕微鏡カメラ９の視野１０内に位置するように位置合せ
機構４が駆動される。尚、ウェハ表面検査機による異物
の座標の検出精度には限界があるので、その座標情報に
基づく位置合せによっては異物２が視野１０内の中心０
に来るようには位置合せができない［図２（Ｂ−１）参
照］。
【００１６】そこで、顕微鏡カメラ（ＳＥＭ）９によっ
て視野１０内の異物２を撮像し、コンピュータ７により
顕微鏡カメラ９の出力映像信号を処理することによりそ
の異物２の視野１０内における位置を検出し、更にその
位置と視野１０の中心０との位置ずれの方向、量を演算
し、その演算結果に基づいて制御回路６を制御して図２
（Ｂ−２）に示すように視野１０内の中心０上に当該異
物２が位置するように半導体ウェハ１の位置の微調整、
即ち位置補正を行う。
て視野１０内の異物２を撮像し、コンピュータ７により
顕微鏡カメラ９の出力映像信号を処理することによりそ
の異物２の視野１０内における位置を検出し、更にその
位置と視野１０の中心０との位置ずれの方向、量を演算
し、その演算結果に基づいて制御回路６を制御して図２
（Ｂ−２）に示すように視野１０内の中心０上に当該異
物２が位置するように半導体ウェハ１の位置の微調整、
即ち位置補正を行う。
【００１７】（Ｃ）次に、コンピュータ７の支持に基づ
いて位置決め機構４により半導体ウェハ１の位置をＸ方
向に図１における右へ距離Ｄだけずらす。すると、半導
体ウェハ１の当該異物２は図２（Ｃ）に示すように分析
用ビーム源１１の分析用ビーム１２が照射されるところ
に位置する。その状態で分析用ビーム源１１から分析用
ビーム１２を発射する。すると、分析用ビーム１２が異
物２にあたり、該異物２から二次光線１４が出る。それ
を受光器１３が受光し、その出力信号が分析回路１５に
入力され、分光分析に供される。そして、分光分析結果
がコンピュータ７によりデータ処理され、図示しないメ
モリに記録される。上記動作により一つの異物２の分光
分析が終了する。以後、順次各異物２毎に上記動作を繰
り返す。
いて位置決め機構４により半導体ウェハ１の位置をＸ方
向に図１における右へ距離Ｄだけずらす。すると、半導
体ウェハ１の当該異物２は図２（Ｃ）に示すように分析
用ビーム源１１の分析用ビーム１２が照射されるところ
に位置する。その状態で分析用ビーム源１１から分析用
ビーム１２を発射する。すると、分析用ビーム１２が異
物２にあたり、該異物２から二次光線１４が出る。それ
を受光器１３が受光し、その出力信号が分析回路１５に
入力され、分光分析に供される。そして、分光分析結果
がコンピュータ７によりデータ処理され、図示しないメ
モリに記録される。上記動作により一つの異物２の分光
分析が終了する。以後、順次各異物２毎に上記動作を繰
り返す。
【００１８】このような異物分析方法によれば、異物の
座標に基づいて異物を顕微鏡カメラの視野内に納まるよ
うに粗く位置合せをし、その視野内における異物の正確
な位置を顕微鏡カメラの出力映像信号の処理により検出
しその検出結果に基づいて半導体ウェハ・分析用ビーム
源の相対的位置関係を調整するので、異物の座標の検出
精度が低くても分析用ビームが異物に正確に照射される
ようにでき、延いては異物の自動的分光分析が可能であ
る。従って、異物の分光分析の省力化、低コスト化、迅
速化を図ることができる。
座標に基づいて異物を顕微鏡カメラの視野内に納まるよ
うに粗く位置合せをし、その視野内における異物の正確
な位置を顕微鏡カメラの出力映像信号の処理により検出
しその検出結果に基づいて半導体ウェハ・分析用ビーム
源の相対的位置関係を調整するので、異物の座標の検出
精度が低くても分析用ビームが異物に正確に照射される
ようにでき、延いては異物の自動的分光分析が可能であ
る。従って、異物の分光分析の省力化、低コスト化、迅
速化を図ることができる。
【００１９】そして、図１に示すような異物分析装置に
よれば、顕微鏡カメラと、分析用ビーム源と、位置合せ
機構と、制御手段を有するので、異物の精度の低い座標
によって制御手段により位置合せ機構により顕微鏡カメ
ラの視野内に異物が納まるように位置合せをし、該顕微
鏡カメラにより視野内における異物の高精度の座標を検
出し、その高精度の座標に基づいて制御手段により位置
合せ機構を制御するので、分析用ビームが異物に照射さ
れるように正確な位置決めを自動的に行うことができ
る。従って、分析用ビームの二次光線による異物分析を
自動的に行うことが可能となる。
よれば、顕微鏡カメラと、分析用ビーム源と、位置合せ
機構と、制御手段を有するので、異物の精度の低い座標
によって制御手段により位置合せ機構により顕微鏡カメ
ラの視野内に異物が納まるように位置合せをし、該顕微
鏡カメラにより視野内における異物の高精度の座標を検
出し、その高精度の座標に基づいて制御手段により位置
合せ機構を制御するので、分析用ビームが異物に照射さ
れるように正確な位置決めを自動的に行うことができ
る。従って、分析用ビームの二次光線による異物分析を
自動的に行うことが可能となる。
【００２０】
【発明の効果】本発明異物分析装置は、異物の座標情報
に基づいて顕微鏡カメラと半導体ウェハとの相対的位置
関係を顕微鏡カメラの視野内に異物が納まるように自動
的に調整し、顕微鏡カメラの出力映像信号の処理により
その異物の視野内における正確な位置を自動的に検出
し、その位置の検出結果に基づいて半導体ウェハと分析
用ビーム源との位置関係を分析用ビーム源から出射され
る分析用ビームが異物にあたるように自動的に調整し、
その後分析用ビーム源からの分析用ビームによる異物で
の二次光線を検出して分光分析をすることを特徴とする
ものである。従って、本発明異物分析方法によれば、異
物の座標に基づいて異物が顕微鏡カメラの視野内に納ま
るように粗く半導体ウェハの位置合せをし、その視野内
における異物の正確な位置を顕微鏡カメラの出力映像信
号の処理により検出しその検出結果に基づいて半導体ウ
ェハ・分析用ビーム源の相対的位置関係を自動的に調整
するので、異物の座標の検出精度が低くても分析用ビー
ムが異物に正確に照射されるようにでき、延いては異物
の自動的な分光分析が可能となる。従って、異物の分光
分析の省力化、低コスト化、迅速化を図ることができ
る。
に基づいて顕微鏡カメラと半導体ウェハとの相対的位置
関係を顕微鏡カメラの視野内に異物が納まるように自動
的に調整し、顕微鏡カメラの出力映像信号の処理により
その異物の視野内における正確な位置を自動的に検出
し、その位置の検出結果に基づいて半導体ウェハと分析
用ビーム源との位置関係を分析用ビーム源から出射され
る分析用ビームが異物にあたるように自動的に調整し、
その後分析用ビーム源からの分析用ビームによる異物で
の二次光線を検出して分光分析をすることを特徴とする
ものである。従って、本発明異物分析方法によれば、異
物の座標に基づいて異物が顕微鏡カメラの視野内に納ま
るように粗く半導体ウェハの位置合せをし、その視野内
における異物の正確な位置を顕微鏡カメラの出力映像信
号の処理により検出しその検出結果に基づいて半導体ウ
ェハ・分析用ビーム源の相対的位置関係を自動的に調整
するので、異物の座標の検出精度が低くても分析用ビー
ムが異物に正確に照射されるようにでき、延いては異物
の自動的な分光分析が可能となる。従って、異物の分光
分析の省力化、低コスト化、迅速化を図ることができ
る。
【００２１】本発明異物分析装置は、半導体ウェハ載置
部と、顕微鏡カメラと、分析用ビーム源と、分析部と、
上記半導体ウェハ載置部・上記顕微鏡カメラ及び分析用
ビーム源間の相対的位置関係を変化させる位置合せ機構
と、を有することを特徴とするものである。従って、本
発明異物分析装置によれば、顕微鏡カメラと、分析用ビ
ーム源と、位置合せ機構と、制御手段を有するので、異
物の精度の低い座標によって制御手段により位置合せ機
構により顕微鏡カメラの視野内に異物が納まるように位
置合せをし、顕微鏡カメラにより視野内における異物の
高精度の座標を検出し、その高精度の座標に基づいて制
御手段により位置合せ機構を制御するので、分析用ビー
ムが異物に照射されるように正確な位置決めを自動的に
行うことができる。従って、分析用ビームの二次光線に
よる異物分析を自動的に行うことが可能となる。
部と、顕微鏡カメラと、分析用ビーム源と、分析部と、
上記半導体ウェハ載置部・上記顕微鏡カメラ及び分析用
ビーム源間の相対的位置関係を変化させる位置合せ機構
と、を有することを特徴とするものである。従って、本
発明異物分析装置によれば、顕微鏡カメラと、分析用ビ
ーム源と、位置合せ機構と、制御手段を有するので、異
物の精度の低い座標によって制御手段により位置合せ機
構により顕微鏡カメラの視野内に異物が納まるように位
置合せをし、顕微鏡カメラにより視野内における異物の
高精度の座標を検出し、その高精度の座標に基づいて制
御手段により位置合せ機構を制御するので、分析用ビー
ムが異物に照射されるように正確な位置決めを自動的に
行うことができる。従って、分析用ビームの二次光線に
よる異物分析を自動的に行うことが可能となる。
【図１】本発明異物分析装置の一つの実施例を示す構成
図である。
図である。
【図２】（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明異物分析方法の一つ
の実施例を順に示す構成図である。
の実施例を順に示す構成図である。
１ 半導体ウェハ ４ 位置決め機構 ６ 制御手段 ９ 顕微鏡カメラ １０ 視野 １１ 分析用ビーム源 １２ 分析用ビーム
Claims (2)
- 【請求項１】 ウェハ表面検査機により検出された半導
体ウェハ表面の異物の座標情報に基づいて上記半導体ウ
ェハと顕微鏡カメラとの相対的位置関係を自動的に調整
することにより顕微鏡カメラの視野内に異物が入るよう
にし、 次に、顕微鏡カメラの視野内における異物の正確な位置
を顕微鏡カメラの映像信号の処理により検出し、 その正確な位置検出結果に基づいて分析用ビーム源と上
記異物との間の位置関係を該分析用ビーム源から発生す
る分析用ビームが上記異物に照射されるように自動的に
調整し、 上記分析用ビーム源から分析用ビームを照射し、上記異
物から発生する二次光線を検出することにより半導体ウ
ェハ表面の異物の分光分析を行うことを特徴とする異物
分析方法 - 【請求項２】 半導体ウェハを載置する半導体ウェハ載
置部と、 上記半導体ウェハ載置部上の半導体ウェハの表面を撮像
する顕微鏡カメラと、 半導体ウェハの表面に対して分析用ビームを投射する分
析用ビーム源と、 分析用ビームの異物からの二次光線を検出して異物の分
光分析をする分析部と、 上記半導体ウェハ載置部と、上記顕微鏡カメラ及び上記
分析用ビーム源との位置関係を変化させる位置合せ機構
と、 異物の座標情報に基づいて所定の関係になるように上記
位置合せ機構を自動的に制御する制御手段と、 を少なくとも有することを特徴とする異物分析装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06101493A JP3257571B2 (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 異物分析方法及び異物分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06101493A JP3257571B2 (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 異物分析方法及び異物分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06249790A true JPH06249790A (ja) | 1994-09-09 |
| JP3257571B2 JP3257571B2 (ja) | 2002-02-18 |
Family
ID=13159055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06101493A Expired - Fee Related JP3257571B2 (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | 異物分析方法及び異物分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3257571B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6476388B1 (en) | 1998-10-19 | 2002-11-05 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope having magnification switching control |
| JP2003086645A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Hitachi Ltd | 検査装置および検査システム並びに半導体デバイスの製造方法 |
| JP2011038798A (ja) * | 2009-08-06 | 2011-02-24 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 欠陥観察装置、欠陥観察方法、及び半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-02-24 JP JP06101493A patent/JP3257571B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6476388B1 (en) | 1998-10-19 | 2002-11-05 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope having magnification switching control |
| JP2003086645A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Hitachi Ltd | 検査装置および検査システム並びに半導体デバイスの製造方法 |
| JP2011038798A (ja) * | 2009-08-06 | 2011-02-24 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 欠陥観察装置、欠陥観察方法、及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3257571B2 (ja) | 2002-02-18 |
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