JP2000164658A - 半導体ウェハのレビューステーション及び外観検査装置 - Google Patents
半導体ウェハのレビューステーション及び外観検査装置Info
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- JP2000164658A JP2000164658A JP10335429A JP33542998A JP2000164658A JP 2000164658 A JP2000164658 A JP 2000164658A JP 10335429 A JP10335429 A JP 10335429A JP 33542998 A JP33542998 A JP 33542998A JP 2000164658 A JP2000164658 A JP 2000164658A
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- stage
- wafer
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハの大径化に伴う検査装置全体のサイズ
の巨大化を防ぐと共にステージ精度の低下を防ぐレビュ
ーステーション及び外観検査装置を提供する。 【解決手段】 ３６０度回転可能なウェハチャックと半
導体ウェハ直径の半分の可動距離をもつＸ−Ｙステージ
とを有し、半導体ウェハ１を４分割した領域をウェハの
欠陥位置座標に応じてウェハチャックを回転して、この
４つの領域を順次固定された顕微鏡２により観察して、
ウェハ全面の欠陥レビューを行うようにしている。
の巨大化を防ぐと共にステージ精度の低下を防ぐレビュ
ーステーション及び外観検査装置を提供する。 【解決手段】 ３６０度回転可能なウェハチャックと半
導体ウェハ直径の半分の可動距離をもつＸ−Ｙステージ
とを有し、半導体ウェハ１を４分割した領域をウェハの
欠陥位置座標に応じてウェハチャックを回転して、この
４つの領域を順次固定された顕微鏡２により観察して、
ウェハ全面の欠陥レビューを行うようにしている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハの欠
陥の検査を行うレビューステーションと外観検査装置に
関する。
陥の検査を行うレビューステーションと外観検査装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウェハ用レビューステーシ
ョンにおいては、ウェハをＸ−Ｙステージ上に置かれた
チャック部分に載置し、外観検査装置等から得られた欠
陥位置座標に従ってＸ−ＹステージをＸ方向及びＹ方向
に移動させてステージの上部に固定された顕微鏡の視野
内に欠陥を運ぶことにより欠陥レビューを行っていた。
ョンにおいては、ウェハをＸ−Ｙステージ上に置かれた
チャック部分に載置し、外観検査装置等から得られた欠
陥位置座標に従ってＸ−ＹステージをＸ方向及びＹ方向
に移動させてステージの上部に固定された顕微鏡の視野
内に欠陥を運ぶことにより欠陥レビューを行っていた。
【０００３】ところが、近年ウェハ１枚からの素子生産
数を増やし、生産効率の向上を図るためウェハが大径化
し、現在では１２インチ（約３００mm）を超えるような
ウェハが供給されるようになってきた。このため、従来
型のＸ−ＹステージのＸ方向及びＹ方向の移動だけでウ
ェハ１全面を観察するには、図３に示すように、１２イ
ンチウェハの場合、顕微鏡２の対物レンズを中心として
半径３００mmの円で描かれる領域がウェハ可動領域
（Ａ）として必要となり、ステージ部のサイズは最低で
も縦、横それぞれ６００mm以上となり装置全体の巨大化
を招いてきた。また、Ｘ−Ｙステージの各軸は少なくと
もウェハ直径（Ｄ）分の可動範囲が必要なため、ウェハ
の大径化に伴いステージに要求される剛性も高くなって
しまう。
数を増やし、生産効率の向上を図るためウェハが大径化
し、現在では１２インチ（約３００mm）を超えるような
ウェハが供給されるようになってきた。このため、従来
型のＸ−ＹステージのＸ方向及びＹ方向の移動だけでウ
ェハ１全面を観察するには、図３に示すように、１２イ
ンチウェハの場合、顕微鏡２の対物レンズを中心として
半径３００mmの円で描かれる領域がウェハ可動領域
（Ａ）として必要となり、ステージ部のサイズは最低で
も縦、横それぞれ６００mm以上となり装置全体の巨大化
を招いてきた。また、Ｘ−Ｙステージの各軸は少なくと
もウェハ直径（Ｄ）分の可動範囲が必要なため、ウェハ
の大径化に伴いステージに要求される剛性も高くなって
しまう。
【０００４】また、光学式顕微鏡とＴＤＩ等の撮像素子
を組み合わせたイメージ取得部により、Ｘ−Ｙステージ
上に載置されたウェハをＹ方向に走査幅分だけ位置をず
らしながらＸ方向に連続走査し、得られたイメージをダ
イ同士で順次比較することにより欠陥検出を行う外観検
査装置の場合も、前記レビューステーションと同様のＸ
−Ｙステージの可動範囲が必要であると同時に、可動距
離が延びることによるステージ精度の低下が問題とな
る。更に、外観検査装置に要求されるステージ精度はレ
ビューステーションに要求される精度に比べ格段に高い
ため、ウェハ大径化による高コスト化を招く原因になっ
ている。以上のように従来技術の延長でウェハの大径化
に対応することはますます難かしくなってきている。
を組み合わせたイメージ取得部により、Ｘ−Ｙステージ
上に載置されたウェハをＹ方向に走査幅分だけ位置をず
らしながらＸ方向に連続走査し、得られたイメージをダ
イ同士で順次比較することにより欠陥検出を行う外観検
査装置の場合も、前記レビューステーションと同様のＸ
−Ｙステージの可動範囲が必要であると同時に、可動距
離が延びることによるステージ精度の低下が問題とな
る。更に、外観検査装置に要求されるステージ精度はレ
ビューステーションに要求される精度に比べ格段に高い
ため、ウェハ大径化による高コスト化を招く原因になっ
ている。以上のように従来技術の延長でウェハの大径化
に対応することはますます難かしくなってきている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来の問題点に鑑みてなされたもので、半導体ウェハ
の大径化に伴う検査装置全体のサイズの巨大化を防ぐと
ともに、少なくとも１軸に関して、ステージ可動範囲を
ウェハの半径程度に押えることにより、ステージ精度の
低下を防ぐ半導体ウェハのレビューステーション及び外
観検査装置を提供しようとするものである。
な従来の問題点に鑑みてなされたもので、半導体ウェハ
の大径化に伴う検査装置全体のサイズの巨大化を防ぐと
ともに、少なくとも１軸に関して、ステージ可動範囲を
ウェハの半径程度に押えることにより、ステージ精度の
低下を防ぐ半導体ウェハのレビューステーション及び外
観検査装置を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記の課題を
解決するための手段として、特許請求の範囲に記載され
たレビューステーション及び外観検査装置を提供する。
請求項１に記載されたレビューステーションにおいて
は、少なくとも２７０度回転可能なウェハチャックと半
導体ウェハ直径の半分の可動距離をもつＸ−Ｙステージ
とを有することによって、半導体ウェハを４分割した領
域を順次観察してウェハ全面の欠陥レビューが行え、Ｘ
−Ｙステージの移動機構は従来装置の移動距離に比べほ
ぼウェハの半径分だけ短い距離を移動できればよく、装
置全体の小型化が達成できる。またステージの移動量が
半減し、高精度のステージ精度が得られる。請求項２に
記載されたレビューステーションは、半導体ウェハを２
分割した領域を順次観察して、ウェハ全面の欠陥レビュ
ーが行えるようにしたものである。
解決するための手段として、特許請求の範囲に記載され
たレビューステーション及び外観検査装置を提供する。
請求項１に記載されたレビューステーションにおいて
は、少なくとも２７０度回転可能なウェハチャックと半
導体ウェハ直径の半分の可動距離をもつＸ−Ｙステージ
とを有することによって、半導体ウェハを４分割した領
域を順次観察してウェハ全面の欠陥レビューが行え、Ｘ
−Ｙステージの移動機構は従来装置の移動距離に比べほ
ぼウェハの半径分だけ短い距離を移動できればよく、装
置全体の小型化が達成できる。またステージの移動量が
半減し、高精度のステージ精度が得られる。請求項２に
記載されたレビューステーションは、半導体ウェハを２
分割した領域を順次観察して、ウェハ全面の欠陥レビュ
ーが行えるようにしたものである。
【０００７】請求項３に記載された外観検査装置におい
ては、少なくとも１８０度回転可能なウェハチャック
と、少なくともウェハ直径分の可動距離を有するＸステ
ージと、少なくともウェハ直径の半分の可動距離を有す
るＹステージとを有することによって、半導体ウェハの
走査を二つの半円に分割して走査でき、Ｙステージの移
動距離の半減分だけ横幅の小型化が達成できる。
ては、少なくとも１８０度回転可能なウェハチャック
と、少なくともウェハ直径分の可動距離を有するＸステ
ージと、少なくともウェハ直径の半分の可動距離を有す
るＹステージとを有することによって、半導体ウェハの
走査を二つの半円に分割して走査でき、Ｙステージの移
動距離の半減分だけ横幅の小型化が達成できる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に、図１に基づき本発明の第
１の実施の形態のレビューステーションにより、欠陥レ
ビューについて説明する。図１の（イ）、（ロ）、
（ハ）、（ニ）は、半導体ウェハを４つの領域に分割
し、各領域について欠陥レビュー後、半導体ウェハを９
０度回転させ引き続き次の領域について欠陥レビューを
続けていき、最終的に半導体ウェハ全面のレビューを行
って行く様子を示している。図１において、１は半導体
ウェハであり、２は半導体ウェハの上部に固定された顕
微鏡、３は顕微鏡に取り付けられたカメラを示してい
る。
１の実施の形態のレビューステーションにより、欠陥レ
ビューについて説明する。図１の（イ）、（ロ）、
（ハ）、（ニ）は、半導体ウェハを４つの領域に分割
し、各領域について欠陥レビュー後、半導体ウェハを９
０度回転させ引き続き次の領域について欠陥レビューを
続けていき、最終的に半導体ウェハ全面のレビューを行
って行く様子を示している。図１において、１は半導体
ウェハであり、２は半導体ウェハの上部に固定された顕
微鏡、３は顕微鏡に取り付けられたカメラを示してい
る。
【０００９】Ｘ−Ｙステージは図示されていないレビュ
ーステーション本体に、例えばリニアボールベアリング
機構により支持されている。またＸ−Ｙステージ上には
図示されていない半導体ウェハのウェハチャックが設け
られている。このＸ−Ｙステージは、半導体ウェハの最
外周からウェハチャックの回転中心をわずかに横断する
位置までを移動可能範囲とし、従ってＸ−Ｙステージの
リニアボールベアリング等の移動機構は、従来装置にお
ける移動距離に比べほぼ半導体ウェハの半径分だけ短い
距離を移動できればよい機構となっている。
ーステーション本体に、例えばリニアボールベアリング
機構により支持されている。またＸ−Ｙステージ上には
図示されていない半導体ウェハのウェハチャックが設け
られている。このＸ−Ｙステージは、半導体ウェハの最
外周からウェハチャックの回転中心をわずかに横断する
位置までを移動可能範囲とし、従ってＸ−Ｙステージの
リニアボールベアリング等の移動機構は、従来装置にお
ける移動距離に比べほぼ半導体ウェハの半径分だけ短い
距離を移動できればよい機構となっている。
【００１０】次に前記のレビューステーションを使用し
た場合の実際の欠陥レビューの手順について、図１によ
り説明する。外観検査装置から得られる半導体ウェハの
欠陥座標ファイルを取り込んだ後、各欠陥を座標位置に
応じて４つの領域にグループ分けする。４つのグループ
とは、半導体ウェハの中心を原点として０度から９０度
の扇形領域、９０度から１８０度の扇形領域、１８０度
から２７０度の扇形領域、及び２７０度から３６０度ま
での扇形領域である。
た場合の実際の欠陥レビューの手順について、図１によ
り説明する。外観検査装置から得られる半導体ウェハの
欠陥座標ファイルを取り込んだ後、各欠陥を座標位置に
応じて４つの領域にグループ分けする。４つのグループ
とは、半導体ウェハの中心を原点として０度から９０度
の扇形領域、９０度から１８０度の扇形領域、１８０度
から２７０度の扇形領域、及び２７０度から３６０度ま
での扇形領域である。
【００１１】次に、第１の扇形領域上に存在するダイの
エッジ等のパターンを使ってアライメントする。アライ
メント完了後は、図１の（イ）に示すようにこの領域内
に存在する欠陥を順次Ｘ−Ｙステージにより顕微鏡の視
野内に運ぶことにより欠陥観察を行う。必要な欠陥につ
いての観察が全て完了したら、ウェハチャックを図１の
（ロ）に示すように９０度回転させ、回転に伴う欠陥座
標の変換を行った上で、次の扇形領域に属する欠陥を前
記と同様の方法によりレビューしていく。ステージの位
置精度、回転精度が悪いと半導体ウェハを回転させる度
に、アライメントがずれることが考えられるが、既に第
１の扇形領域に存在するパターンを使ってアライメント
が行われた後であるため、回転誤差の補正を行うだけで
良く、ステージ精度が悪い場合でも、もう１点アライメ
ントポイントを追加すれば十分である。ステージ精度が
高い場合、全てスピードに影響を与えることなく欠陥レ
ビューが可能となる。同様の操作を全ての扇形領域に対
して繰り返し行うことにより（図１の（イ）〜
（ニ））、半導体ウェハ全面の欠陥レビューを行うこと
ができる。図２は、上記操作によって移動するウェハの
可動領域を示している。Ｄはウェハの直径である。
エッジ等のパターンを使ってアライメントする。アライ
メント完了後は、図１の（イ）に示すようにこの領域内
に存在する欠陥を順次Ｘ−Ｙステージにより顕微鏡の視
野内に運ぶことにより欠陥観察を行う。必要な欠陥につ
いての観察が全て完了したら、ウェハチャックを図１の
（ロ）に示すように９０度回転させ、回転に伴う欠陥座
標の変換を行った上で、次の扇形領域に属する欠陥を前
記と同様の方法によりレビューしていく。ステージの位
置精度、回転精度が悪いと半導体ウェハを回転させる度
に、アライメントがずれることが考えられるが、既に第
１の扇形領域に存在するパターンを使ってアライメント
が行われた後であるため、回転誤差の補正を行うだけで
良く、ステージ精度が悪い場合でも、もう１点アライメ
ントポイントを追加すれば十分である。ステージ精度が
高い場合、全てスピードに影響を与えることなく欠陥レ
ビューが可能となる。同様の操作を全ての扇形領域に対
して繰り返し行うことにより（図１の（イ）〜
（ニ））、半導体ウェハ全面の欠陥レビューを行うこと
ができる。図２は、上記操作によって移動するウェハの
可動領域を示している。Ｄはウェハの直径である。
【００１２】本発明の第１の実施の形態では、４つの扇
形領域に分割した場合について述べたが、０度から１８
０度と１８０度から３６０度の二つの半円に分割して観
察する場合においても、上記と同様な操作により半導体
ウェハ全面を観察できる。この場合の構成としては、ウ
ェハチャックが１８０度回転可能で、Ｘ−Ｙステージの
一方向のみが半導体ウェハの半径分だけ可動できればよ
い。この場合、装置全体のレイアウトとしては、縦或い
は横方向のどちらか一方しか小型化できないことになる
が、半導体工場では、特に横幅に対する小型化要求の方
が高いのが一般的であり、特にスルーザウォール（壁を
貫通した形）で装置を設置する場合、縦幅は問題になら
ない場合が多い。一方で、半導体ウェハを回転した際に
再アライメントが必要な場合は、１枚の半導体ウェハに
ついて２回だけ行えば良いので、９０度づつ回転させる
場合と比べ、欠陥レビュー以外のために余分にかかる時
間が短縮できる。
形領域に分割した場合について述べたが、０度から１８
０度と１８０度から３６０度の二つの半円に分割して観
察する場合においても、上記と同様な操作により半導体
ウェハ全面を観察できる。この場合の構成としては、ウ
ェハチャックが１８０度回転可能で、Ｘ−Ｙステージの
一方向のみが半導体ウェハの半径分だけ可動できればよ
い。この場合、装置全体のレイアウトとしては、縦或い
は横方向のどちらか一方しか小型化できないことになる
が、半導体工場では、特に横幅に対する小型化要求の方
が高いのが一般的であり、特にスルーザウォール（壁を
貫通した形）で装置を設置する場合、縦幅は問題になら
ない場合が多い。一方で、半導体ウェハを回転した際に
再アライメントが必要な場合は、１枚の半導体ウェハに
ついて２回だけ行えば良いので、９０度づつ回転させる
場合と比べ、欠陥レビュー以外のために余分にかかる時
間が短縮できる。
【００１３】本発明の第２の実施の形態である半導体ウ
ェハの外観検査装置は、少なくとも半導体ウェハの直径
分の可動距離を有するＸステージと、少なくとも半導体
ウェハの直径の半分の可動距離を有するＹステージと共
に、このＸ−Ｙステージ上に少なくとも１８０度回転可
能なウェハチャックとを設けている。本発明の半導体ウ
ェハの外観検査装置は、通常の走査型外観検査装置と同
様に半導体ウェハの端から走査を開始し、半円について
検査が終了したら半導体ウェハを１８０度回転させ、残
りの半円領域を検査していくものである。これにより、
従来の外観検査装置では、ウェハの移動範囲が２Ｄ×２
Ｄであるのが、本発明の外観検査装置では２Ｄ×１．５
Ｄとなり装置の小型化が計れる。なお、ＸステージとＹ
ステージの可動距離を上記と逆にすることも当然に可能
である。
ェハの外観検査装置は、少なくとも半導体ウェハの直径
分の可動距離を有するＸステージと、少なくとも半導体
ウェハの直径の半分の可動距離を有するＹステージと共
に、このＸ−Ｙステージ上に少なくとも１８０度回転可
能なウェハチャックとを設けている。本発明の半導体ウ
ェハの外観検査装置は、通常の走査型外観検査装置と同
様に半導体ウェハの端から走査を開始し、半円について
検査が終了したら半導体ウェハを１８０度回転させ、残
りの半円領域を検査していくものである。これにより、
従来の外観検査装置では、ウェハの移動範囲が２Ｄ×２
Ｄであるのが、本発明の外観検査装置では２Ｄ×１．５
Ｄとなり装置の小型化が計れる。なお、ＸステージとＹ
ステージの可動距離を上記と逆にすることも当然に可能
である。
【００１４】本発明の半導体ウェハの外観検査装置を上
記のような構成にしたのは、以下の理由によるものであ
る。半導体ウェハ上を走査することによりイメージを取
り込んだ後、ダイ毎にイメージ比較を行い半導体ウェハ
の欠陥を検査する外観検査装置においては、通常同一ダ
イ行またはダイ列を半導体ウェハの端から端まで走査す
るのが一般的である。なぜなら前記４つの扇形領域に分
割する方法を外観検査装置に用いた場合いくつかの問題
がでてくる。それは外観検査に要求されるアライメント
精度が、欠陥レビューのそれと比較して格段に高いた
め、４回のアライメントが全て完全に行われる必要があ
り、検査以外にかかる余分な時間が多大になることであ
る。また、半導体ウェハの周辺に存在するダイを比較す
る際に、比較対照となるダイの数が十分に確保できなく
なることが考えられる。これらの問題点を考慮すると、
外観検査装置において最も効率的と考えられる走査方法
は、二つの半円に分割して検査することになる。
記のような構成にしたのは、以下の理由によるものであ
る。半導体ウェハ上を走査することによりイメージを取
り込んだ後、ダイ毎にイメージ比較を行い半導体ウェハ
の欠陥を検査する外観検査装置においては、通常同一ダ
イ行またはダイ列を半導体ウェハの端から端まで走査す
るのが一般的である。なぜなら前記４つの扇形領域に分
割する方法を外観検査装置に用いた場合いくつかの問題
がでてくる。それは外観検査に要求されるアライメント
精度が、欠陥レビューのそれと比較して格段に高いた
め、４回のアライメントが全て完全に行われる必要があ
り、検査以外にかかる余分な時間が多大になることであ
る。また、半導体ウェハの周辺に存在するダイを比較す
る際に、比較対照となるダイの数が十分に確保できなく
なることが考えられる。これらの問題点を考慮すると、
外観検査装置において最も効率的と考えられる走査方法
は、二つの半円に分割して検査することになる。
【００１５】
【発明の効果】以上詳述したように本発明のレビュース
テーション及び外観検査装置によれば、半導体ウェハを
４分割もしくは２分割した領域を順次観察することによ
り、半導体ウェハ全面の欠陥レビュー又は外観検査を行
うことができるので、Ｘ−Ｙステージの移動量を従来よ
りも短縮化することが可能となり、結果としてレビュー
ステーション及び外観検査装置の寸法を小型化できる。
また、Ｘ−Ｙステージの移動量が短縮するということ
は、従来と比べ高精度が得られ易いことになり、半導体
ウェハの大径化にも精度を低下させることなく、十分に
対応することが可能となる。
テーション及び外観検査装置によれば、半導体ウェハを
４分割もしくは２分割した領域を順次観察することによ
り、半導体ウェハ全面の欠陥レビュー又は外観検査を行
うことができるので、Ｘ−Ｙステージの移動量を従来よ
りも短縮化することが可能となり、結果としてレビュー
ステーション及び外観検査装置の寸法を小型化できる。
また、Ｘ−Ｙステージの移動量が短縮するということ
は、従来と比べ高精度が得られ易いことになり、半導体
ウェハの大径化にも精度を低下させることなく、十分に
対応することが可能となる。
【図１】本発明の第１の実施の形態のレビューステーシ
ョンにおいて、半導体ウェハを４分割した領域を順次観
察することにより、ウェハ全面の欠陥レビューを行う手
順を示す図である。
ョンにおいて、半導体ウェハを４分割した領域を順次観
察することにより、ウェハ全面の欠陥レビューを行う手
順を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態のレビューステーシ
ョンにおいて、半導体ウェハを４分割した領域を順次観
察する場合のウェハの可動領域を示す図である。
ョンにおいて、半導体ウェハを４分割した領域を順次観
察する場合のウェハの可動領域を示す図である。
【図３】従来装置における半導体ウェハの可動領域を示
す図である。
す図である。
１…半導体ウェハ ２…顕微鏡 ３…カメラ Ａ…ウェハの可動領域
Claims (3)
- 【請求項１】 外観検査装置等から得られた半導体ウェ
ハの欠陥位置座標を元に、半導体ウェハをＸ−Ｙ方向に
順次移動させ、固定された顕微鏡の視野内に欠陥を運ぶ
ことによりレビューを行う光学式レビューステーション
において、 少なくとも２７０度回転可能なウェハチャックと、少な
くとも半導体ウェハ直径の半分の可動距離をもつＸ−Ｙ
ステージとを有し、半導体ウェハの欠陥位置座標に応じ
て前記ウェハチャックを９０度または１８０度もしくは
２７０度適宜回転させ、かつ前記Ｘ−ＹステージをＸ方
向及びＹ方向に移動させることにより、前記半導体ウェ
ハ上のいかなる位置でも観察できるようにしたことを特
徴とするレビューステーション。 - 【請求項２】 外観検査装置等から得られた半導体ウェ
ハの欠陥位置座標を元に、半導体ウェハをＸ−Ｙ方向に
順次移動させ、固定された顕微鏡の視野内に欠陥を運ぶ
ことによりレビューを行う光学式レビューステーション
において、 少なくとも１８０度回転可能なウェハチャックと、Ｘ方
向及びＹ方向のうち一方向だけ半導体ウェハ直径の半分
の可動距離をもつＸ−Ｙステージとを有し、半導体ウェ
ハの欠陥位置座標に応じて前記ウェハチャックを１８０
度適宜回転させ、かつ前記Ｘ−Ｙステージを移動させる
ことにより、前記半導体ウェハ上のいかなる位置でも観
察できるようにしたことを特徴とするレビューステーシ
ョン。 - 【請求項３】 半導体ウェハ上を走査することによりイ
メージを取り込んだ後、ダイあるいはセル毎にイメージ
比較を行い半導体ウェハの欠陥を検出する外観検査装置
において、 少なくとも１８０度回転可能なウェハチャックと、少な
くとも該半導体ウェハ直径分の可動距離を有するＸステ
ージと、少なくとも該半導体ウェハ直径の半分の可動距
離を有するＹステージとを有し、前記半導体ウェハの走
査位置に応じて前記ウェハチャックを１８０度適宜回転
させ、かつ前記Ｘステージ及びＹステージを移動させる
ことにより、前記半導体ウェハの全面の検査を可能にす
ることを特徴とする外観検査装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10335429A JP2000164658A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | 半導体ウェハのレビューステーション及び外観検査装置 |
| US09/379,171 US6650769B1 (en) | 1998-11-26 | 1999-08-23 | Review station and appearance inspection device for checking semiconductor wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10335429A JP2000164658A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | 半導体ウェハのレビューステーション及び外観検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000164658A true JP2000164658A (ja) | 2000-06-16 |
Family
ID=18288471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10335429A Pending JP2000164658A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | 半導体ウェハのレビューステーション及び外観検査装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6650769B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000164658A (ja) |
Cited By (5)
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