JP5075306B2 - ウエハ欠陥検査装置およびそのウエハ欠陥検査方法 - Google Patents

ウエハ欠陥検査装置およびそのウエハ欠陥検査方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5075306B2
JP5075306B2 JP2001050815A JP2001050815A JP5075306B2 JP 5075306 B2 JP5075306 B2 JP 5075306B2 JP 2001050815 A JP2001050815 A JP 2001050815A JP 2001050815 A JP2001050815 A JP 2001050815A JP 5075306 B2 JP5075306 B2 JP 5075306B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
shot
wafer
same
defect inspection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001050815A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002250699A (ja
Inventor
洋一 岡▲崎▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Electronics Corp
Original Assignee
Renesas Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Electronics Corp filed Critical Renesas Electronics Corp
Priority to JP2001050815A priority Critical patent/JP5075306B2/ja
Publication of JP2002250699A publication Critical patent/JP2002250699A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5075306B2 publication Critical patent/JP5075306B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Image Analysis (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウエハ検査時のウエハ欠陥検査装置およびその欠陥検査方法に関し、特にショット同士で高精度な画像比較検査ができる欠陥検査装置および欠陥検査方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のウエハ欠陥検査装置としては、図2のウエハの部分平面図に示すように、光学露光装置(4)により照射される各ショット10が、左からのスキャン方向41または右からのスキャン方向42に従ってそれぞれの画像データを取得する。この場合各ショット毎の、ショット配列情報を認識したなら、ウエハをスキャンしながら画像データを取得している。この露光装置内のショット配列情報よりウエハ面内の各ショットの同一ポイント30がどこであるかを認識し、そこで取得した画像データとリンクさせ、同一ポイント30同士にて画像を比較し、欠陥を検出していた。
【0003】
この欠陥検出は、各ショット10の同一ポイント30同士を比較するが、その比較の基準なるものは、比較ポイントを3点ごとに比較し2点同じものがあれば、それを正しいとして比較することになる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上述したウエハ欠陥検査装置では、比較すべきショット同士が違った顔(上地、下地の露光において、同一のレンズポジション、同一方向スキャン露光されていないショット)のため、画像比較検査にて、高精度比較の阻害要因(誤検出)となり、検出感度を低下させるという問題があった。
【0005】
この問題を、図3の図2を拡大した図により説明する。下地ショット10と、上地ショット21,22があった場合、上地ショット21は下から上にスキャンされ、地ショット22は上から下にスキャンされるとすると、上地ショット21のポイント31上の画像データ41と上地ショット22で対応する同じ上地ショットのポイント32上の画像データ42とは、異った画像を示すことになる。すなわち、図3のように、ポイント31上の画像データ41は、棒状体の右側にスポットがあるが、ポイント32上の画像データ42は、棒状体の左側にスポットがある画像を示している。
【0006】
このようにウエハ欠陥検査装置の画像比較検査において、上地、下地の露光において、露光装置の同一のレンズポジションで、同一方向にスキャン露光されていないショット同士を比較するため、違った顔、様相を呈することになる。すなわち、同じ位置の良品を比較したとしても、そのパターン形状、目ズレによる上地、下地の位置関係の差が生じ、疑似欠陥を発生することになる。
【0007】
本発明の目的は、このような問題を解決し、パターン形状、目ズレによる上地、下地の位置関係の差をなくし、疑似欠陥を発生させないようにしたウエハ欠陥検査装置およびそのウエハ欠陥検査方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明のウエハ欠陥検査装置の構成は、検査すべきウエハを露光した光学露光機のショット配列情報を取り出して記憶するウエハ情報記憶手段と、このウエハ情報記憶手段からのショット配列情報とリンクさせて、前記ウエハの検査時に、同じ上地、下地の露光における、同一のレンズポジションで、同一方向にスキャン露光されたショットを割り出して、同一条件のショット同士で比較検査を行うウエハ欠陥検査手段とを有することを特徴とする。
【0009】
本発明において、同一条件のショット同士で比較検査は、少なくとも3個所の各ショットの画像が同じかとうかを比較して行うことができ、また光学露光機として、上地または下地の露光にスキャン露光機が、下地または上地の露光に一括露光機が用いられ、また上地または下地の露光にスキャン露光機が、下地または上地の露光に広フィールド一括露光機が用いられ、また上地または下地の露光に一括露光機が、下地または上地の露光に広フィールド一括露光機が用いることができる。
【0010】
本発明のウエハ欠陥検査方法の構成は、検査すべきウエハを露光した光学露光機のショット配列情報を取り出して記憶手段に記憶し、この記憶手段からのショット配列情報とリンクさせて、ウエハ欠陥検査装置による前記ウエハの検査時に、同じ上地、下地の露光における、同一のレンズポジションで、同一方向にスキャン露光されたショットを割り出して、同一条件のショット同士で比較検査を行うようにしたことを特徴とする。
【0011】
本発明において、検査すべきウエハの露光は、上地ショットの露光条件と下地ショットの露光条件がそれぞれ同じもの同士を、ショット配列情報から取り出して比較検査することができ、また、上地ショットまたは下地ショットは、スキャン露光機を用いた状態で、そのスキャン露光の正または逆方向の情報から同一条件のショット同士を見つけて検査することが出来る。
【0012】
【発明の実施の形態】
次に図面により本発明の実施形態を詳細に説明する。図1は本発明の一実施形態を説明するブロック図である。本実施形態は、光学露光機4からのデータを記憶するウエハ情報記憶手段(1)と、このウエハ情報記憶手段1からのデータによりウエハ3の欠陥検査をし、そのショット比較をするウエハ欠陥検査手段2とからなる。
【0013】
このウエハ欠陥検査装置における画像比較検査において、装置内部もしくは外部に、図1のように、ウエハ情報記憶手段としてウエハ情報データベース1を有し、ウエハ欠陥検査時のショット比較をする時に、同一のショット履歴をもつショットを割り出してウエハ欠陥検査手段2により画像比較検査を行っている。
【0014】
図1におけるウエハ情報データベース1とは、ウエハ露光履歴情報の保存及び画像比較検査ショットの割り出し機能を有し、ウエハ露光履歴情報とは、上地と下地の露光機のショット配列(ショットマップ)情報を記録し、上地と下地で同一のレンズディストーション(同一のレンズポジション)で露光されたショット及び同一スキャンショットを割り出すことができる。
【0015】
本実施形態の動作として、図1を使用して説明を行う。図1において、点線の下地ショット10は一括露光機によるショットであり、実線の上地ショット21,22はスキャン露光機によるショットでり、下地の4倍の露光エリアを有するものである。
【0016】
ウエハ毎(もしくはロット毎)に、図1のように、ウエハ情報データベース1の上にウエハ露光履歴情報を保存しておき、ウエハ欠陥検査装置(2)にて、ウエハ検査時にウエハ情報データベース1から該当するウエハ情報を引き出す。この引き出した情報(露光機のショット配列情報、露光号機履歴等)により、ウエハ3の面内で上地、下地の露光における、同一のレンズディストーション(レンズポジション)、同一方向スキャン露光されたショットを割り出す。
【0017】
本実施形態では、図1のウエハ3のショットマップに示すように、上地と下地で同一のレンズディストーション(レンズポジション)は、上地ショットが下地ショットの4倍のショット面積を有するため、検査される領域は、上地ショットが4分割のエリアに分割される。また同一方向スキャン露光されたショットを考慮すると、図1のように、ショットをA、B、C、…Hグループの8分割分けすることとなる。
【0018】
これらショットを、同一ショット(同一グループ)同士にて画像比較検査を実施する。もしくは、事前に露光履歴情報を検査装置に入力(データベースとリンクさせず)し、画像比較検査を実施する。従って、ウェハ3のショットマップのうち同一の顔をもつショットA〜Hを、ショットAはショットA同士と、ショットBはショットB同士と、……ショットHはショットH同士と互に画像比較検査を行う。この画像比較検査は、従来例で説明したように、3点の画像データを相互に比較することにより行われる。
【0019】
以上の説明では、上地ショットがスキャン露光機で下地ショットが一括露光機の多面付けの場合の例であるが、スキャン露光機だけでなく広フィールド一括露光機に関しても同様の効果が得られる。この場合は、図1における、各ショットがA、B、C、Dのグループの4分割分けすることとなり、この場合も、ショットマップのうち同一の顔をもつショットA〜Hを、ショットAはショットA同士と、ショットBはショットB同士と、……ショットDはショットD同士と互に画像比較検査を行う。
【0020】
なお、これら実施形態では、光学露光機の組み合わせを、上地、下地の露光をスキャン露光機と、一括露光機および広フィールド一括露光機について説明したが、これら実施形態の露光機を入れ替えることもでき、また、上地、下地の露光を一括露光機および広フィールド一括露光機の組み合わせを用いて露光することも出来る。
【0021】
さらに、上地ショットまたは下地ショットは、スキャン露光機を用いた状態で、そのスキャン露光の正または逆方向の情報から同一条件のショット同士を見つけて検査することが出来る。
【0022】
また、ステップアンドリピートにて、露光を行う右ステップと左ステップによる行ズレ、及びウエハ面内に多品種露光を行う場合においても、同様に目ズレ等の影響を排除し、高精度の画像比較検査が可能となる。
【0023】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、半導体ウェハの上地、下地の露光において、同一のレンズポジション及び同一方向スキャン露光されたショット等の同一な露光履歴をもつショット同士にて画像比較検査をするため、製品上問題のない目ズレがあった場合でも、同一の履歴をもつショット同士の画像比較することにより目ズレ、パターン形状等の影響を受けずに高精度の画像比較検査が可能となる効果がある。
【0024】
すなわち、広フィールド及びスキャン露光機の導入により多面付け露光が可能となるが、レンズディストーション、スキャン露光誤差により発生する目ズレがあった場合にでも、画像情報が異なっているので、本発明のように、同一の履歴をもつショット同士の画像比較することにより、目ズレ、パターン形状等の影響を受けずに高精度の画像比較検査が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を説明するウエハ欠陥検査装置の模式的ブロック図。
【図2】従来例のウエハ欠陥検査装置の模式的ブロック図。
【図3】従来例での問題点を説明するウェハの平面図。
【符号の説明】
1 ウェハ情報データベース
2 ウエハ欠陥検査手段
3 ウエハ
4 光学露光装置
10 下地ショット
21,22 上地ショット
30,31,32 ポイント
33,34 画像データ
41,42 スキャン方向

Claims (8)

  1. 検査すべきウエハを露光した光学露光機の露光ショット配列情報を取り出して記憶するウエハ情報記憶手段と、このウエハ情報記憶手段からの露光ショット配列情報とリンクさせて、前記ウエハの検査時に、同じ上地、下地の露光における、同一のレンズポジションで、同一方向にスキャン露光された露光ショットを割り出して、これら同一条件の露光ショット同士でそれぞれ取得された画像の比較検査を行うウエハ欠陥検査手段とを有することを特徴とするウエハ欠陥検査装置。
  2. 同一条件の露光ショット同士で比較検査は、少なくとも3個所の各露光ショットの画像が同じかうかを比較して行う請求項1記載のウエハ欠陥検査装置。
  3. 光学露光機として、上地の露光にスキャン露光機、下地の露光に一括露光機を用いる、あるいは、下地の露光にスキャン露光機、上地の露光に一括露光機を用いる請求項1または2記載のウエハ欠陥検査装置。
  4. 上地ショットまたは下地ショットは、スキャン露光機を用いた状態で、そのスキャン露光の正または逆方向の情報から同一条件の露光ショット同士を見つけて検査される請求項記載のウエハ欠陥検査装置。
  5. 検査すべきウエハを露光した光学露光機の露光ショット配列情報を取り出して記憶手段に記憶し、この記憶手段からの露光ショット配列情報とリンクさせて、ウエハ欠陥検査装置による前記ウエハの検査時に、同じ上地、下地の露光における、同一のレンズポジションで、同一方向にスキャン露光された露光ショットを割り出して、同一条件の露光ショット同士でそれぞれ取得された画像の比較検査を行うようにしたことを特徴とするウエハ欠陥検査方法。
  6. 検査すべきウエハの露光は、上地ショットの露光条件と下地ショットの露光条件がそれぞれ同じもの同士を、露光ショット配列情報から取り出して比較検査する請求項記載のウエハ欠陥検査方法。
  7. 上地ショットはスキャン露光機を用いて露光され、下地ショットは一括露光機を用いて露光される、あるいは、下地ショットはスキャン露光機を用いて露光され、上地ショットは一括露光機を用いて露光される請求項または記載のウエハ欠陥検査方法。
  8. 上地ショットまたは下地ショットは、スキャン露光機を用いた状態で、そのスキャン露光の正または逆方向の情報から同一条件の露光ショット同士を見つけて検査する請求項記載のウエハ欠陥検査方法。
JP2001050815A 2001-02-26 2001-02-26 ウエハ欠陥検査装置およびそのウエハ欠陥検査方法 Expired - Fee Related JP5075306B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001050815A JP5075306B2 (ja) 2001-02-26 2001-02-26 ウエハ欠陥検査装置およびそのウエハ欠陥検査方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001050815A JP5075306B2 (ja) 2001-02-26 2001-02-26 ウエハ欠陥検査装置およびそのウエハ欠陥検査方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002250699A JP2002250699A (ja) 2002-09-06
JP5075306B2 true JP5075306B2 (ja) 2012-11-21

Family

ID=18911722

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001050815A Expired - Fee Related JP5075306B2 (ja) 2001-02-26 2001-02-26 ウエハ欠陥検査装置およびそのウエハ欠陥検査方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5075306B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4408298B2 (ja) 2007-03-28 2010-02-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置及び検査方法
JP5520342B2 (ja) * 2012-07-10 2014-06-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08181051A (ja) * 1994-12-22 1996-07-12 Nikon Corp ディストーション計測方法
JPH10173019A (ja) * 1996-12-13 1998-06-26 Hitachi Ltd 半導体の検査方法
JPH11145040A (ja) * 1997-11-10 1999-05-28 Nec Corp 走査型露光装置及びアライメント方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002250699A (ja) 2002-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4351522B2 (ja) パターン欠陥検査装置およびパターン欠陥検査方法
US6487307B1 (en) System and method of optically inspecting structures on an object
US5943551A (en) Apparatus and method for detecting defects on silicon dies on a silicon wafer
KR960013357B1 (ko) 화상데이타 검사방법 및 장치
JP2001505299A (ja) 半導体ウェーハーの拡大光学検査による自動選別器/精査器
JPH0160767B2 (ja)
US5125040A (en) Inspection method of photomask reticle for semiconductor device fabrication
JP2006252563A (ja) 画像内の欠陥を検出する方法
US4778745A (en) Defect detection method of semiconductor wafer patterns
JP3409670B2 (ja) 外観検査方法およびその装置
JP2004212221A (ja) パターン検査方法及びパターン検査装置
JP4111613B2 (ja) 半導体検査方法及び装置
US6477265B1 (en) System to position defect location on production wafers
JP5075306B2 (ja) ウエハ欠陥検査装置およびそのウエハ欠陥検査方法
JP4428112B2 (ja) 外観検査方法及び外観検査装置
JP3189796B2 (ja) 欠陥検査方法及び装置
JPH0727708A (ja) ウエハの欠陥検査方法
JP3684707B2 (ja) レチクルパターン検査方法
KR970007974B1 (ko) 반도체 공정결함 검사방법
JP3201396B2 (ja) 半導体デバイスの製造方法
JP2982413B2 (ja) 共通欠陥検査方法
JP2004340648A (ja) 外観検査装置
JPS6179112A (ja) 半導体表面検査装置
JP4164636B2 (ja) パターン検査方法
JP3621222B2 (ja) 半導体基板のパターン配列認識方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20070703

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080111

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20100426

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100611

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100907

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101104

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110405

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120827

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees