JP2002250699A - ウエハ欠陥検査装置およびそのウエハ欠陥検査方法 - Google Patents

ウエハ欠陥検査装置およびそのウエハ欠陥検査方法

Info

Publication number
JP2002250699A
JP2002250699A JP2001050815A JP2001050815A JP2002250699A JP 2002250699 A JP2002250699 A JP 2002250699A JP 2001050815 A JP2001050815 A JP 2001050815A JP 2001050815 A JP2001050815 A JP 2001050815A JP 2002250699 A JP2002250699 A JP 2002250699A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shot
wafer
exposure
same
defect inspection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001050815A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5075306B2 (ja
Inventor
Yoichi Okazaki
洋一 岡▲崎▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2001050815A priority Critical patent/JP5075306B2/ja
Publication of JP2002250699A publication Critical patent/JP2002250699A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5075306B2 publication Critical patent/JP5075306B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Image Analysis (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】検査すべきウエハのパターン形状、目ズレによ
る上地、下地の位置関係の差をなくし、疑似欠陥を発生
させないようにしたウエハ欠陥検査装置およびそのウエ
ハ欠陥検査方法を提供する。 【解決手段】検査すべきウエハ3を露光した光学露光機
のショット配列情報を取り出して記憶するウエハ情報記
憶手段1と、このウエハ情報記憶手段からのショット配
列情報とリンクさせて、前記ウエハの検査時に、同じ上
地、下地の露光における、同一のレンズポジションで、
同一方向にスキャン露光されたショットを割り出して、
同一条件のショット同士で比較検査を行うウエハ欠陥検
査手段2とを有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ検査時のウ
エハ欠陥検査装置およびその欠陥検査方法に関し、特に
ショット同士で高精度な画像比較検査ができる欠陥検査
装置および欠陥検査方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のウエハ欠陥検査装置としては、図
2のウエハの部分平面図に示すように、光学露光装置
(4)により照射される各ショット10が、左からのス
キャン方向41または右からのスキャン方向42に従っ
てそれぞれの画像データを取得する。この場合各ショッ
ト毎の、ショット配列情報を認識したなら、ウエハをス
キャンしながら画像データを取得している。この露光装
置内のショット配列情報よりウエハ面内の各ショットの
同一ポイント30がどこであるかを認識し、そこで取得
した画像データとリンクさせ、同一ポイント30同士に
て画像を比較し、欠陥を検出していた。
【0003】この欠陥検出は、各ショット10の同一ポ
イント30同士を比較するが、その比較の基準のなるも
のは、比較ポイントを3点ごとに比較しで2点同じもの
があれば、それを正しいとして比較することになる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述したウエハ欠陥検
査装置では、比較すべきショット同士が違った顔(上
地、下地の露光において、同一のレンズポジション、同
一方向スキャン露光されていないショット)のため、画
像比較検査にて、高精度比較の阻害要因(誤検出)とな
り、検出感度を低下させるという問題があった。
【0005】この問題を、図3の図2を拡大した図によ
り説明する。下地ショット10と、上地ショット21,
22があった場合、上地ショット21は下から上にスキ
ャンされ、下地ショット22は上から下にスキャンされ
るとすると、上地ショット21のポイント31上の画像
データ33と上地ショット22で対応する同じ上地ショ
ットのポイント32上の画像データ34とは、異った画
像を示すことになる。すなわち、図3のように、ポイン
ト31上の画像データ33は、棒状体の右側にスポット
があるが、ポイント32上の画像データ34は、棒状体
の左側にスポットがある画像を示している。
【0006】このようにウエハ欠陥検査装置の画像比較
検査において、上地、下地の露光において、露光装置の
同一のレンズポジションで、同一方向にスキャン露光さ
れていないショット同士を比較するため、違った顔、様
相を呈することになる。すなわち、同じ位置の良品を比
較したとしても、そのパターン形状、目ズレによる上
地、下地の位置関係の差が生じ、疑似欠陥を発生するこ
とになる。
【0007】本発明の目的は、このような問題を解決
し、パターン形状、目ズレによる上地、下地の位置関係
の差をなくし、疑似欠陥を発生させないようにしたウエ
ハ欠陥検査装置およびそのウエハ欠陥検査方法を提供す
ることにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明のウエハ欠陥検査
装置の構成は、検査すべきウエハを露光した光学露光機
のショット配列情報を取り出して記憶するウエハ情報記
憶手段と、このウエハ情報記憶手段からのショット配列
情報とリンクさせて、前記ウエハの検査時に、同じ上
地、下地の露光における、同一のレンズポジションで、
同一方向にスキャン露光されたショットを割り出して、
同一条件のショット同士で比較検査を行うウエハ欠陥検
査手段とを有することを特徴とする。
【0009】本発明において、同一条件のショット同士
で比較検査は、少なくとも3個所の各ショットの画像が
同じかとうかを比較して行うことができ、また光学露光
機として、上地または下地の露光にスキャン露光機が、
下地または上地の露光に一括露光機が用いられ、また上
地または下地の露光にスキャン露光機が、下地または上
地の露光に広フィールド一括露光機が用いられ、また上
地または下地の露光に一括露光機が、下地または上地の
露光に広フィールド一括露光機が用いることができる。
【0010】本発明のウエハ欠陥検査方法の構成は、検
査すべきウエハを露光した光学露光機のショット配列情
報を取り出して記憶手段に記憶し、この記憶手段からの
ショット配列情報とリンクさせて、ウエハ欠陥検査装置
による前記ウエハの検査時に、同じ上地、下地の露光に
おける、同一のレンズポジションで、同一方向にスキャ
ン露光されたショットを割り出して、同一条件のショッ
ト同士で比較検査を行うようにしたことを特徴とする。
【0011】本発明において、検査すべきウエハの露光
は、上地ショットの露光条件と下地ショットの露光条件
がそれぞれ同じもの同士を、ショット配列情報から取り
出して比較検査することができ、また、上地ショットま
たは下地ショットは、スキャン露光機を用いた状態で、
そのスキャン露光の正または逆方向の情報から同一条件
のショット同士を見つけて検査することが出来る。
【0012】
【発明の実施の形態】次に図面により本発明の実施形態
を詳細に説明する。図1は本発明の一実施形態を説明す
るブロック図である。本実施形態は、光学露光機4から
のデータを記憶するウエハ情報記憶手段(1)と、この
ウエハ情報記憶手段1からのデータによりウエハ3の欠
陥検査をし、そのショット比較をするウエハ欠陥検査手
段2とからなる。
【0013】このウエハ欠陥検査装置における画像比較
検査において、装置内部もしくは外部に、図1のよう
に、ウエハ情報記憶手段としてウエハ情報データベース
1を有し、ウエハ欠陥検査時のショット比較をする時
に、同一のショット履歴をもつショットを割り出してウ
エハ欠陥検査手段2により画像比較検査を行っってい
る。
【0014】図1におけるウエハ情報データベース1と
は、ウエハ露光履歴情報の保存及び画像比較検査ショッ
トの割り出し機能を有し、ウエハ露光履歴情報とは、上
地と下地の露光機のショット配列(ショットマップ)情
報を記録し、上地と下地で同一のレンズディストーショ
ン(同一のレンズポジション)で露光されたショット及
び同一スキャンショットを割り出すことができる。
【0015】本実施形態の動作として、図1を使用して
説明を行う。図1において、点線の下地ショット10は
一括露光機によるショットであり、実線の上地ショット
21,22はスキャン露光機によるショットでり、下地
の4倍の露光エリアを有するものである。
【0016】ウエハ毎(もしくはロット毎)に、図1の
ように、ウエハ情報データベース1の上にウエハ露光履
歴情報を保存しておき、ウエハ欠陥検査装置(2)に
て、ウエハ検査時にウエハ情報データベース1から該当
するウエハ情報を引き出す。この引き出した情報(露光
機のショット配列情報、露光号機履歴等)により、ウエ
ハ3の面内で上地、下地の露光における、同一のレンズ
ディストーション(レンズポジション)、同一方向スキ
ャン露光されたショットを割り出す。
【0017】本実施形態では、図1のウエハ3のショッ
トマップに示すように、上地と下地で同一のレンズディ
ストーション(レンズポジション)は、上地ショットが
下地ショットの4倍のショット面積を有するため、検査
される領域は、上地ショットが4分割のエリアに分割さ
れる。また同一方向スキャン露光されたショットを考慮
すると、図1のように、ショットをA、B、C、…Hグ
ループの8分割分けすることとなる。
【0018】これらショットを、同一ショット(同一グ
ループ)同士にて画像比較検査を実施する。もしくは、
事前に露光履歴情報を検査装置に入力(データベースと
リンクさせず)し、画像比較検査を実施する。従って、
ウェハ3のショットマップのうち同一の顔をもつショッ
トA〜Hを、ショットAはショットA同士と、ショット
BはショットB同士と、……ショットHはショットH同
士と互に画像比較検査を行う。この画像比較検査は、従
来例で説明したように、3点の画像データを相互に比較
することにより行われる。
【0019】以上の説明では、上地ショットがスキャン
露光機で下地ショットが一括露光機の多面付けの場合の
例であるが、スキャン露光機だけでなく広フィールド一
括露光機に関しても同様の効果が得られる。この場合
は、図1における、各ショットがA、B、C、Dのグル
ープの4分割分けすることとなり、この場合も、ショッ
トマップのうち同一の顔をもつショットA〜Hを、ショ
ットAはショットA同士と、ショットBはショットB同
士と、……ショットDはショットD同士と互に画像比較
検査を行う。
【0020】なお、これら実施形態では、光学露光機の
組み合わせを、上地、下地の露光をスキャン露光機と、
一括露光機および広フィールド一括露光機について説明
したが、これら実施形態の露光機を入れ替えることもで
き、また、上地、下地の露光を一括露光機および広フィ
ールド一括露光機の組み合わせを用いて露光することも
出来る。
【0021】さらに、上地ショットまたは下地ショット
は、スキャン露光機を用いた状態で、そのスキャン露光
の正または逆方向の情報から同一条件のショット同士を
見つけて検査することが出来る。
【0022】また、ステップアンドリピートにて、露光
を行う右ステップと左ステップによる行ズレ、及びウエ
ハ面内に多品種露光を行う場合においても、同様に目ズ
レ等の影響を排除し、高精度の画像比較検査が可能とな
る。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体ウェハの上地、下地の露光において、同一のレンズ
ポジション及び同一方向スキャン露光されたショット等
の同一な露光履歴をもつショット同士にて画像比較検査
をするため、製品上問題のない目ズレがあった場合で
も、同一の履歴をもつショット同士の画像比較すること
により目ズレ、パターン形状等の影響を受けずに高精度
の画像比較検査が可能となる効果がある。
【0024】すなわち、広フィールド及びスキャン露光
機の導入により多面付け露光が可能となるが、レンズデ
ィストーション、スキャン露光誤差により発生する目ズ
レがあった場合にでも、画像情報が異なっているので、
本発明のように、同一の履歴をもつショット同士の画像
比較することにより、目ズレ、パターン形状等の影響を
受けずに高精度の画像比較検査が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を説明するウエハ欠陥検査
装置の模式的ブロック図。
【図2】従来例のウエハ欠陥検査装置の模式的ブロック
図。
【図3】従来例での問題点を説明するウェハの平面図。
【符号の説明】
1 ウェハ情報データベース 2 ウエハ欠陥検査手段 3 ウエハ 4 光学露光装置 10 下地ショット 21,22 上地ショット 30,31,32 ポイント 33,34 画像データ 41,42 スキャン方向

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 検査すべきウエハを露光した光学露光機
    のショット配列情報を取り出して記憶するウエハ情報記
    憶手段と、このウエハ情報記憶手段からのショット配列
    情報とリンクさせて、前記ウエハの検査時に、同じ上
    地、下地の露光における、同一のレンズポジションで、
    同一方向にスキャン露光されたショットを割り出して、
    これら同一条件のショット同士で比較検査を行うウエハ
    欠陥検査手段とを有することを特徴とするウエハ欠陥検
    査装置。
  2. 【請求項2】 同一条件のショット同士で比較検査は、
    少なくとも3個所の各ショットの画像が同じかとうかを
    比較して行う請求項1記載のウエハ欠陥検査装置。
  3. 【請求項3】 光学露光機として、上地または下地の露
    光にスキャン露光機が、下地または上地の露光に一括露
    光機が用いられた請求項1または2記載のウエハ欠陥検
    査装置。
  4. 【請求項4】 光学露光機として、上地または下地の露
    光にスキャン露光機が、下地または上地の露光に広フィ
    ールド一括露光機が用いられた請求項1または2記載の
    ウエハ欠陥検査装置。
  5. 【請求項5】 光学露光機として、上地または下地の露
    光に一括露光機が、下地または上地の露光に広フィール
    ド一括露光機が用いられた請求項1または2記載のウエ
    ハ欠陥検査装置。
  6. 【請求項6】 上地ショットまたは下地ショットは、ス
    キャン露光機を用いた状態で、そのスキャン露光の正ま
    たは逆方向の情報から同一条件のショット同士を見つけ
    て検査される請求項3または4記載のウエハ欠陥検査装
    置。
  7. 【請求項7】 検査すべきウエハを露光した光学露光機
    のショット配列情報を取り出して記憶手段に記憶し、こ
    の記憶手段からのショット配列情報とリンクさせて、ウ
    エハ欠陥検査装置による前記ウエハの検査時に、同じ上
    地、下地の露光における、同一のレンズポジションで、
    同一方向にスキャン露光されたショットを割り出して、
    同一条件のショット同士で比較検査を行うようにしたこ
    とを特徴とするウエハ欠陥検査方法。
  8. 【請求項8】 検査すべきウエハの露光は、上地ショッ
    トの露光条件と下地ショットの露光条件がそれぞれ同じ
    もの同士を、ショット配列情報から取り出して比較検査
    する請求項7記載のウエハ欠陥検査方法。
  9. 【請求項9】 上地ショットまたは下地ショットは、ス
    キャン露光機を用いて、下地ショットまたは上地ショッ
    トの露光は、一括露光機を用いてそれぞれ露光された請
    求項7または8記載のウエハ欠陥検査方法。
  10. 【請求項10】 上地ショットまたは下地ショットは、
    スキャン露光機を用いて、下地ショットまたは上地ショ
    ットの露光は、広フィールド一括露光機を用いてそれぞ
    れ露光された請求項7または8記載のウエハ欠陥検査方
    法。
  11. 【請求項11】 上地ショットまたは下地ショットは、
    一括露光機を用いて、下地ショットまたは上地ショット
    の露光は、広フィールド一括露光機を用いてそれぞれ露
    光された請求項7または8記載のウエハ欠陥検査方法。
  12. 【請求項12】 上地ショットまたは下地ショットは、
    スキャン露光機を用いた状態で、そのスキャン露光の正
    または逆方向の情報から同一条件のショット同士を見つ
    けて検査する請求項9または10記載のウエハ欠陥検査
    方法。
JP2001050815A 2001-02-26 2001-02-26 ウエハ欠陥検査装置およびそのウエハ欠陥検査方法 Expired - Fee Related JP5075306B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001050815A JP5075306B2 (ja) 2001-02-26 2001-02-26 ウエハ欠陥検査装置およびそのウエハ欠陥検査方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001050815A JP5075306B2 (ja) 2001-02-26 2001-02-26 ウエハ欠陥検査装置およびそのウエハ欠陥検査方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002250699A true JP2002250699A (ja) 2002-09-06
JP5075306B2 JP5075306B2 (ja) 2012-11-21

Family

ID=18911722

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001050815A Expired - Fee Related JP5075306B2 (ja) 2001-02-26 2001-02-26 ウエハ欠陥検査装置およびそのウエハ欠陥検査方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5075306B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7733473B2 (en) 2007-03-28 2010-06-08 Hitachi High-Technologies Corporation Inspection apparatus and inspection method
JP2012208128A (ja) * 2012-07-10 2012-10-25 Hitachi High-Technologies Corp 検査装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08181051A (ja) * 1994-12-22 1996-07-12 Nikon Corp ディストーション計測方法
JPH10173019A (ja) * 1996-12-13 1998-06-26 Hitachi Ltd 半導体の検査方法
JPH11145040A (ja) * 1997-11-10 1999-05-28 Nec Corp 走査型露光装置及びアライメント方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08181051A (ja) * 1994-12-22 1996-07-12 Nikon Corp ディストーション計測方法
JPH10173019A (ja) * 1996-12-13 1998-06-26 Hitachi Ltd 半導体の検査方法
JPH11145040A (ja) * 1997-11-10 1999-05-28 Nec Corp 走査型露光装置及びアライメント方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7733473B2 (en) 2007-03-28 2010-06-08 Hitachi High-Technologies Corporation Inspection apparatus and inspection method
US7999932B2 (en) 2007-03-28 2011-08-16 Hitachi High-Technologies Corporation Inspection apparatus and inspection method
US8525984B2 (en) 2007-03-28 2013-09-03 Hitachi High-Technologies Corporation Inspection apparatus and inspection method
JP2012208128A (ja) * 2012-07-10 2012-10-25 Hitachi High-Technologies Corp 検査装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5075306B2 (ja) 2012-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4351522B2 (ja) パターン欠陥検査装置およびパターン欠陥検査方法
US4579455A (en) Photomask inspection apparatus and method with improved defect detection
CN101183655A (zh) 图形对位方法、图形检查装置及图形检查系统
TW201701383A (zh) 對於關注之圖像群體之圖案之異常偵測
US20060204109A1 (en) Method for detecting defects in images
KR960013357B1 (ko) 화상데이타 검사방법 및 장치
US7477370B2 (en) Method of detecting incomplete edge bead removal from a disk-like object
TW201514616A (zh) 監測光罩缺陷率之改變
KR970067749A (ko) 패턴 검사방법과 검사장치
US4778745A (en) Defect detection method of semiconductor wafer patterns
JP3409670B2 (ja) 外観検査方法およびその装置
US6477265B1 (en) System to position defect location on production wafers
JP2002250699A (ja) ウエハ欠陥検査装置およびそのウエハ欠陥検査方法
US20090116726A1 (en) Method and system for inspecting a diced wafer
JP3189796B2 (ja) 欠陥検査方法及び装置
JP2002342757A (ja) パターン比較検査方法及び装置
JP3684707B2 (ja) レチクルパターン検査方法
JP4131728B2 (ja) 画像作成方法、画像作成装置及びパターン検査装置
JP3734775B2 (ja) 半導体装置解析方法
JP3207974B2 (ja) フォトマスクの欠陥検査方法
JP2002195955A (ja) 半導体欠陥検査方法及び半導体欠陥検査装置
JPH0374855A (ja) チップサイズ検出方法およびチップピッチ検出方法およびチップ配列データ自動作成方法ならびにそれを用いた半導体基板の検査方法および装置
US20070296962A1 (en) Surface inspection apparatus and surface inspection method
JPH11118727A (ja) 表面欠陥検査装置
JP2000294139A (ja) 周期性パターンの欠陥検査方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20070703

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080111

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20100426

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100611

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100907

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101104

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110405

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120827

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees