JPH07142336A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH07142336A JPH07142336A JP5161023A JP16102393A JPH07142336A JP H07142336 A JPH07142336 A JP H07142336A JP 5161023 A JP5161023 A JP 5161023A JP 16102393 A JP16102393 A JP 16102393A JP H07142336 A JPH07142336 A JP H07142336A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- stage
- exposure apparatus
- length measuring
- laser length
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ステージ駆動用のコイルアセンブリの発熱の
影響をレーザー測長器と半導体基板（ウエハ）に与えな
いようにした露光装置を提供すること。 【構成】 基準盤１の面１０側にウエハチヤツク８とレ
ーザー測長器２０，２１を配置し、基準盤１の面９側に
ステージ１２とこのステージ１２を駆動するための電磁
コイルを配置し、基準盤１の開口１３を介してウエハチ
ヤツク８とステージ１２を連結部材２７により連結す
る。
影響をレーザー測長器と半導体基板（ウエハ）に与えな
いようにした露光装置を提供すること。 【構成】 基準盤１の面１０側にウエハチヤツク８とレ
ーザー測長器２０，２１を配置し、基準盤１の面９側に
ステージ１２とこのステージ１２を駆動するための電磁
コイルを配置し、基準盤１の開口１３を介してウエハチ
ヤツク８とステージ１２を連結部材２７により連結す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置やその他の
マイクロデバイスを基板上に製造する工程で使用される
露光装置、特には平面モータやリニアモータなどの電磁
駆動力を応用して加工対象となる基板（例えば半導体ウ
エハ）の位置合わせを行う露光装置に関するものであ
る。
マイクロデバイスを基板上に製造する工程で使用される
露光装置、特には平面モータやリニアモータなどの電磁
駆動力を応用して加工対象となる基板（例えば半導体ウ
エハ）の位置合わせを行う露光装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図４に、雑誌「電子材料」１９９０年３
月号の６９頁に示された従来の露光装置の一例を示す。
図４に示す装置では、平面内移動するプラットフォーム
５０１がエアベアリングパッド５０２を介して、案内面
であるところのベースプレート５０３に取り付けられて
いる。また、プラットフォーム５０１上には、ウエハチ
ャック５０４とレーザー測長器用ミラー５０５が取り付
けられている。
月号の６９頁に示された従来の露光装置の一例を示す。
図４に示す装置では、平面内移動するプラットフォーム
５０１がエアベアリングパッド５０２を介して、案内面
であるところのベースプレート５０３に取り付けられて
いる。また、プラットフォーム５０１上には、ウエハチ
ャック５０４とレーザー測長器用ミラー５０５が取り付
けられている。
【０００３】ベースプレート５０３に固定されているコ
イルアセンブリ５０６を流れる電流によって発生する磁
界とマグネット５０７の磁界との相互作用でプラットフ
ォーム５０１は力を受け、ＸＹステージとして機能す
る。即ち、プラットフォーム５０１上のウエハチヤツク
５０４に置かれたウエハは、ＸＹ座標面内の任意の位置
に位置決めされる。
イルアセンブリ５０６を流れる電流によって発生する磁
界とマグネット５０７の磁界との相互作用でプラットフ
ォーム５０１は力を受け、ＸＹステージとして機能す
る。即ち、プラットフォーム５０１上のウエハチヤツク
５０４に置かれたウエハは、ＸＹ座標面内の任意の位置
に位置決めされる。
【０００４】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記したような従来例では、ウエハチヤツクとレーザー測
長器用ミラーの周囲にコイルアセンブリが配置されてい
るため、以下のような２つの問題がある。
記したような従来例では、ウエハチヤツクとレーザー測
長器用ミラーの周囲にコイルアセンブリが配置されてい
るため、以下のような２つの問題がある。
【０００５】一つ目の問題は、コイルアセンブリから発
生する熱によって、レーザー測長器の光路の大気が擾乱
を受けて、安定した測長ができなくなる。その結果、半
導体ウエハを所望の位置に位置決めするときに誤差を発
生し、半導体素子の特性ばらつきや不良につながる。
生する熱によって、レーザー測長器の光路の大気が擾乱
を受けて、安定した測長ができなくなる。その結果、半
導体ウエハを所望の位置に位置決めするときに誤差を発
生し、半導体素子の特性ばらつきや不良につながる。
【０００６】二つ目の問題は、コイルアセンブリから発
生する熱によって、ウエハの温度上昇を引き起こす点で
ある。これも前記と同様、半導体素子の特性ばらつきや
不良につながる。
生する熱によって、ウエハの温度上昇を引き起こす点で
ある。これも前記と同様、半導体素子の特性ばらつきや
不良につながる。
【０００７】更に、設計上の問題であるが、ウエハチヤ
ツクの周囲にコイルアセンブリが配置されていると、ウ
エハ搬送機構の設計自由度が少なくなる。つまりウエハ
をウエハチヤツクに着脱する機構をレーザー測長器の光
路を遮らないように、コイルアセンブリ以外の場所に配
置しなければならない。
ツクの周囲にコイルアセンブリが配置されていると、ウ
エハ搬送機構の設計自由度が少なくなる。つまりウエハ
をウエハチヤツクに着脱する機構をレーザー測長器の光
路を遮らないように、コイルアセンブリ以外の場所に配
置しなければならない。
【０００８】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、その目的は、コイルアセンブリの発熱の影響を
レーザー測長器とウエハに与えないようにした露光装置
を提供することにある。
もので、その目的は、コイルアセンブリの発熱の影響を
レーザー測長器とウエハに与えないようにした露光装置
を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の露光装置は、第１面から第２面へ連通す
る開口を備える基準盤と、前記基準盤の第１面側に配置
される基板保持部と、前記基準盤の第１面側に配置され
るレーザー測長器と、前記基準盤の第２面側に配置され
る可動部と、前記基準盤の開口を介して前記基板保持部
と前記可動部を連結する連結部材と、前記可動部に対し
て運動エネルギーを供給するために前記基準盤の第２面
側に配置された電磁コイルを有することを特徴としてい
る。
めに、本発明の露光装置は、第１面から第２面へ連通す
る開口を備える基準盤と、前記基準盤の第１面側に配置
される基板保持部と、前記基準盤の第１面側に配置され
るレーザー測長器と、前記基準盤の第２面側に配置され
る可動部と、前記基準盤の開口を介して前記基板保持部
と前記可動部を連結する連結部材と、前記可動部に対し
て運動エネルギーを供給するために前記基準盤の第２面
側に配置された電磁コイルを有することを特徴としてい
る。
【００１０】
【実施例】図１及び図２は本発明の露光装置の第１実施
例を示すもので、この露光装置は半導体装置やその他の
マイクロデバイスを基板上に製造する工程で使用される
ものである。
例を示すもので、この露光装置は半導体装置やその他の
マイクロデバイスを基板上に製造する工程で使用される
ものである。
【００１１】図１において、１はステージ案内面および
熱隔壁であるところの基準盤、２，３はＸ，Ｙ，θ方向
の駆動力源となる電磁コイルのアセンブリ（コイルアセ
ンブリ）、４，５，６はステージ１２を基準盤１の案内
面９から浮上させるためのエアパッドである。また、７
はレーザー測長器用ミラー、８は露光位置で半導体ウエ
ハを保持するウエハチヤツク、９は上記した如く基準盤
１の案内面、１０は基準盤１の非案内面、１１はウエハ
にマスク（不図示）のパターンを転写するために利用さ
れる露光光である。
熱隔壁であるところの基準盤、２，３はＸ，Ｙ，θ方向
の駆動力源となる電磁コイルのアセンブリ（コイルアセ
ンブリ）、４，５，６はステージ１２を基準盤１の案内
面９から浮上させるためのエアパッドである。また、７
はレーザー測長器用ミラー、８は露光位置で半導体ウエ
ハを保持するウエハチヤツク、９は上記した如く基準盤
１の案内面、１０は基準盤１の非案内面、１１はウエハ
にマスク（不図示）のパターンを転写するために利用さ
れる露光光である。
【００１２】なお、この露光光によりマスクのパターン
がウエハチヤツク８上に保持されたウエハに露光転写さ
れることにより、周知の如く、半導体装置やその他のマ
イクロデバイスの製造工程が一段階進められる。
がウエハチヤツク８上に保持されたウエハに露光転写さ
れることにより、周知の如く、半導体装置やその他のマ
イクロデバイスの製造工程が一段階進められる。
【００１３】１２は上記した如くステージ、１３は基準
盤１に開けられた貫通穴（開口）、１４，１５はレーザ
ー測長器（位置／速度検出部）２０，２１のレーザー光
の光路で、これらの出力に基づいてウエハチヤツク８の
位置及び移動速度が検出される。１６は露光光１１でマ
スクとウエハを照明するための照明光学系で、この照明
光学系１６には露光光源１７からの光束１８が入射して
いる。
盤１に開けられた貫通穴（開口）、１４，１５はレーザ
ー測長器（位置／速度検出部）２０，２１のレーザー光
の光路で、これらの出力に基づいてウエハチヤツク８の
位置及び移動速度が検出される。１６は露光光１１でマ
スクとウエハを照明するための照明光学系で、この照明
光学系１６には露光光源１７からの光束１８が入射して
いる。
【００１４】１９は露光装置の制御部、２２，２３は制
御部１９からコイルアセンブリ２，３へ送られる電流信
号、２４，２５はレーザー測長器２０，２１から制御部
１９へ送られる位置／速度情報、２６は制御部から照明
光学系へ送られる露光タイミング信号、３０は基準盤１
の穴１３を被う遮断板である。
御部１９からコイルアセンブリ２，３へ送られる電流信
号、２４，２５はレーザー測長器２０，２１から制御部
１９へ送られる位置／速度情報、２６は制御部から照明
光学系へ送られる露光タイミング信号、３０は基準盤１
の穴１３を被う遮断板である。
【００１５】次に、この実施例の動作を説明する。
【００１６】まず、半導体ウエハをウエハチヤツク８に
載置し、真空吸着などの手段で固定する。このときウエ
ハはその露光処理面、即ちレジストが塗布されている面
が、後に露光光１１に晒されるように配置される。この
後、ウエハチヤツク８上に載置された半導体ウエハの所
望の位置を露光可能とするために、照明光学系１６に対
して半導体ウエハの位置合わせを行う。
載置し、真空吸着などの手段で固定する。このときウエ
ハはその露光処理面、即ちレジストが塗布されている面
が、後に露光光１１に晒されるように配置される。この
後、ウエハチヤツク８上に載置された半導体ウエハの所
望の位置を露光可能とするために、照明光学系１６に対
して半導体ウエハの位置合わせを行う。
【００１７】ウエハチヤツク８とレーザー測長器用ミラ
ー１３は両者の位置関係が変化しないように締結されて
いので、ウエハチヤツク８上に載置された半導体ウエハ
の位置／速度を、位置／速度検出部（レーザー測長器）
２０，２１の出力によりを検出することができる。制御
部１９は速度／位置検出部２０，２１から受け取る位置
／速度情報２４，２５と、所望位置／所望速度との差が
ゼロになるように電流指令２２，２３をコイルアセンブ
リ２，３に送る。
ー１３は両者の位置関係が変化しないように締結されて
いので、ウエハチヤツク８上に載置された半導体ウエハ
の位置／速度を、位置／速度検出部（レーザー測長器）
２０，２１の出力によりを検出することができる。制御
部１９は速度／位置検出部２０，２１から受け取る位置
／速度情報２４，２５と、所望位置／所望速度との差が
ゼロになるように電流指令２２，２３をコイルアセンブ
リ２，３に送る。
【００１８】電流指令２２，２３を受けたコイルアセン
ブリ２，３の磁界によってステージ１２が駆動される。
コイルアセンブリ２，３の構造を工夫することで、ステ
ージ１２をＸ，Ｙ，θ方向に駆動できる。このようなコ
イルアセンブリの構造については特開昭６０−７７２４
号公報に詳しく説明されているので、ここでは説明を省
略する。
ブリ２，３の磁界によってステージ１２が駆動される。
コイルアセンブリ２，３の構造を工夫することで、ステ
ージ１２をＸ，Ｙ，θ方向に駆動できる。このようなコ
イルアセンブリの構造については特開昭６０−７７２４
号公報に詳しく説明されているので、ここでは説明を省
略する。
【００１９】さて、ウエハチヤツク８とレーザー測長器
用ミラー７は、基準盤１に開けられた穴１３を介して、
連結部材２７（図２参照）によりステージ１２に連結さ
れている。よって、ステージ１２はウエハチヤツク８及
びレーザー測長器用ミラー７と共に一体になって運動可
能になるため、ウエハチヤツク８上に載置された半導体
ウエハを所望の位置に位置合わせできる。また半導体ウ
エハを所望の速度で移動させることもできる。
用ミラー７は、基準盤１に開けられた穴１３を介して、
連結部材２７（図２参照）によりステージ１２に連結さ
れている。よって、ステージ１２はウエハチヤツク８及
びレーザー測長器用ミラー７と共に一体になって運動可
能になるため、ウエハチヤツク８上に載置された半導体
ウエハを所望の位置に位置合わせできる。また半導体ウ
エハを所望の速度で移動させることもできる。
【００２０】以上説明したように、半導体ウエハが所望
の位置／速度になった時点で、制御部１９は露光タイミ
ング信号２６を照明光学系１６へ送る。照明光学系１６
は、露光タイミング信号２６に従って半導体ウエハに露
光光１１を照射する。
の位置／速度になった時点で、制御部１９は露光タイミ
ング信号２６を照明光学系１６へ送る。照明光学系１６
は、露光タイミング信号２６に従って半導体ウエハに露
光光１１を照射する。
【００２１】図２を用いて本実施例を更に詳しく説明す
る。本実施例では、図２からも明らかなように、基準盤
１のＳ側には、ウエハチヤツク８、レーザー測長器用ミ
ラー７、レーザー測長器（位置／速度検出部）２０，２
１が配置されている。また、レーザー測長器２０，２１
のレーザー光光路１４，１５、露光光１１が位置してい
る。基準盤１のＲ側には、コイルアセンブリ２，３とス
テージ１２が配置されている。
る。本実施例では、図２からも明らかなように、基準盤
１のＳ側には、ウエハチヤツク８、レーザー測長器用ミ
ラー７、レーザー測長器（位置／速度検出部）２０，２
１が配置されている。また、レーザー測長器２０，２１
のレーザー光光路１４，１５、露光光１１が位置してい
る。基準盤１のＲ側には、コイルアセンブリ２，３とス
テージ１２が配置されている。
【００２２】そして、レーザー測長器用ミラー７及びウ
エハチヤツク８とステージ１２は、基準盤１に開けられ
た穴（開口）１３を介して、連結部材２７によって結合
されている。なお、本実施例では、連結部材２７を円柱
として図示しているが、円柱以外の形状でも良い。ま
た、本実施例では１つの連結部材２７として図示してい
るが、複数の連結部材でも良い。
エハチヤツク８とステージ１２は、基準盤１に開けられ
た穴（開口）１３を介して、連結部材２７によって結合
されている。なお、本実施例では、連結部材２７を円柱
として図示しているが、円柱以外の形状でも良い。ま
た、本実施例では１つの連結部材２７として図示してい
るが、複数の連結部材でも良い。
【００２３】基準盤１に開けられた穴１３の直径ｘは、
半導体ウエハの直径をａ、連結部材２７の直径をｂ、露
光ショットの短辺ｃとすると、 ｘ＞ａ＋ｂ−ｃ を満足すれば良いが、露光ショット寸法や半導体ウエハ
内のショットレイアウトとステージ１２のストローク余
裕を考慮すれば、穴１３の直径は（ａ＋ｂ）以上が好ま
しい。
半導体ウエハの直径をａ、連結部材２７の直径をｂ、露
光ショットの短辺ｃとすると、 ｘ＞ａ＋ｂ−ｃ を満足すれば良いが、露光ショット寸法や半導体ウエハ
内のショットレイアウトとステージ１２のストローク余
裕を考慮すれば、穴１３の直径は（ａ＋ｂ）以上が好ま
しい。
【００２４】本実施例を示す図２では、ｂ＝ａとしたの
で、６インチウエハを使用する露光装置の場合は、 ｘ＞３０４．８ [mm] ８インチウエハを使用する露光装置の場合は、 ｘ＞４００ [mm] になる。
で、６インチウエハを使用する露光装置の場合は、 ｘ＞３０４．８ [mm] ８インチウエハを使用する露光装置の場合は、 ｘ＞４００ [mm] になる。
【００２５】しかし、連結部材２７の直径ｂの値は、露
光装置の設計において総合的に決定されるものであるか
ら、さまざまな値を取り得る。よって、基準盤１に開け
られた穴１３の直径ｘも前記の範囲に限定されるもので
はない。
光装置の設計において総合的に決定されるものであるか
ら、さまざまな値を取り得る。よって、基準盤１に開け
られた穴１３の直径ｘも前記の範囲に限定されるもので
はない。
【００２６】以上説明したように、本発明の第１の実施
例によれば、ウエハチヤツク８及びレーザー測長器用ミ
ラー７と、レーザー光光路１４，１５を平面モータのコ
イルアセンブリ２，３から基準盤１によって隔離するこ
とにより、高精度な露光装置を提供することが可能とな
る。
例によれば、ウエハチヤツク８及びレーザー測長器用ミ
ラー７と、レーザー光光路１４，１５を平面モータのコ
イルアセンブリ２，３から基準盤１によって隔離するこ
とにより、高精度な露光装置を提供することが可能とな
る。
【００２７】また、ウエハチヤツク８及びレーザー測長
器用ミラー７と、ステージ１２を連結する連結部材２７
の直径を半導体ウエハの直径程度としたので、高い剛性
が得られ、半導体ウエハの位置制御や速度制御の性能向
上に有利である。
器用ミラー７と、ステージ１２を連結する連結部材２７
の直径を半導体ウエハの直径程度としたので、高い剛性
が得られ、半導体ウエハの位置制御や速度制御の性能向
上に有利である。
【００２８】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。特に第１の実施例と異なるところを詳しく説明す
る。図３は本発明の第２の実施例を図２と同様に断面で
表したものである。
する。特に第１の実施例と異なるところを詳しく説明す
る。図３は本発明の第２の実施例を図２と同様に断面で
表したものである。
【００２９】図３において、１０１はステージ案内面お
よび熱隔壁であるところの基準盤、１０２はステージ、
１０４はＸ，Ｙ，θ方向の駆動力源であるところのコイ
ルアセンブリ、１０５はウエハチヤツクとステージを連
結するところの連結部材、１０６は基準盤１０１に開け
られた穴（開口）、１０８は基準盤１０１のウエハ側案
内面、１０９はレーザー測長器で構成される位置／速度
検出部、１１０はレーザー測長器１０９のレーザー光光
路、１１１はエアパッド、１１２はチルトステージ、１
１３はレーザー測長器用ミラー、１１４はウエハチヤツ
ク、１１５は露光光、１１６は照明光学系、１１７は光
源、１１８は光源から発せられた光束である。
よび熱隔壁であるところの基準盤、１０２はステージ、
１０４はＸ，Ｙ，θ方向の駆動力源であるところのコイ
ルアセンブリ、１０５はウエハチヤツクとステージを連
結するところの連結部材、１０６は基準盤１０１に開け
られた穴（開口）、１０８は基準盤１０１のウエハ側案
内面、１０９はレーザー測長器で構成される位置／速度
検出部、１１０はレーザー測長器１０９のレーザー光光
路、１１１はエアパッド、１１２はチルトステージ、１
１３はレーザー測長器用ミラー、１１４はウエハチヤツ
ク、１１５は露光光、１１６は照明光学系、１１７は光
源、１１８は光源から発せられた光束である。
【００３０】図３に示されるように、この実施例では、
基準盤１０１のＳ側にウエハチヤツク１１４、レーザー
測長器用ミラー１１３、チルトＺステージ１１２、エア
パッド１１１、位置／速度検出部１０９が配置され、レ
ーザー光光路１１０が位置している。基準盤１０１のＲ
側に、ステージ１０２、コイルアセンブリ１０４が配置
されている。
基準盤１０１のＳ側にウエハチヤツク１１４、レーザー
測長器用ミラー１１３、チルトＺステージ１１２、エア
パッド１１１、位置／速度検出部１０９が配置され、レ
ーザー光光路１１０が位置している。基準盤１０１のＲ
側に、ステージ１０２、コイルアセンブリ１０４が配置
されている。
【００３１】チルトＺステージ１１２とステージ１０２
は、基準盤１０１に開けられた穴１０６を介して、連結
部材１０５によって結合されている。さらにチルトＺス
テージ１１２上にはレーザー測長器用ミラー１１３とウ
エハチヤツク１１４が取り付けられている。
は、基準盤１０１に開けられた穴１０６を介して、連結
部材１０５によって結合されている。さらにチルトＺス
テージ１１２上にはレーザー測長器用ミラー１１３とウ
エハチヤツク１１４が取り付けられている。
【００３２】上述した第１の実施例と同様に、ステージ
１０２がコイルアセンブリ１０４の磁界によって駆動さ
れると、ステージ１０２に連結されている部分は一体と
なって動く。つまり、チルトＺステージ１１２とレーザ
ー測長器用ミラー１１３とウエハチヤツク１１４と連結
部材１０５が、ステージ１０２と一体になって運動す
る。
１０２がコイルアセンブリ１０４の磁界によって駆動さ
れると、ステージ１０２に連結されている部分は一体と
なって動く。つまり、チルトＺステージ１１２とレーザ
ー測長器用ミラー１１３とウエハチヤツク１１４と連結
部材１０５が、ステージ１０２と一体になって運動す
る。
【００３３】更に、半導体ウエハをウエハチヤツク１１
４上に載置して、真空吸着などの手段で固定すれば、半
導体ウエハ上の所望の位置に露光光１１５を照射できる
ように、半導体ウエハをＸＹ平面内で移動することがで
きる。このとき基準盤１０１のウエハ側案内面１０８
が、案内として使われる点が第１の実施例と異なる。従
ってエアパッド１１１はウエハ側案内面１０８と微小間
隔を保って浮上するように配置されている。
４上に載置して、真空吸着などの手段で固定すれば、半
導体ウエハ上の所望の位置に露光光１１５を照射できる
ように、半導体ウエハをＸＹ平面内で移動することがで
きる。このとき基準盤１０１のウエハ側案内面１０８
が、案内として使われる点が第１の実施例と異なる。従
ってエアパッド１１１はウエハ側案内面１０８と微小間
隔を保って浮上するように配置されている。
【００３４】基準盤１０１に開けられた穴１０６の直径
ｘは、半導体ウエハの直径をａ、連結部材１０６の直径
をｂ、露光ショットの短辺ｃとすると、第１の実施例と
同様に、 ｘ＞ａ＋ｂ−ｃ を満足すれば良いが、露光ショット寸法や半導体ウエハ
内のショットレイアウトとステージ１０２のストローク
余裕を考慮すれば、穴１３の直径は（ａ＋ｂ）以上が好
ましい。
ｘは、半導体ウエハの直径をａ、連結部材１０６の直径
をｂ、露光ショットの短辺ｃとすると、第１の実施例と
同様に、 ｘ＞ａ＋ｂ−ｃ を満足すれば良いが、露光ショット寸法や半導体ウエハ
内のショットレイアウトとステージ１０２のストローク
余裕を考慮すれば、穴１３の直径は（ａ＋ｂ）以上が好
ましい。
【００３５】図３の本実施例では、ｂ＝ａ／２としたの
で、６インチウエハを使用する露光装置の場合は、 ｘ＞２２８．６ [mm] ８インチウエハを使用する露光装置の場合は， ｘ＞３００ [mm] になる。しかし、連結部材１０５の直径ｂの値は、露光
装置の設計において総合的に決定されるものであるか
ら、さまざまな値を取り得る。よって、基準盤１０１に
開けられた穴１０６の直径ｘも前記の範囲に限定される
ものではない。
で、６インチウエハを使用する露光装置の場合は、 ｘ＞２２８．６ [mm] ８インチウエハを使用する露光装置の場合は， ｘ＞３００ [mm] になる。しかし、連結部材１０５の直径ｂの値は、露光
装置の設計において総合的に決定されるものであるか
ら、さまざまな値を取り得る。よって、基準盤１０１に
開けられた穴１０６の直径ｘも前記の範囲に限定される
ものではない。
【００３６】以上説明したように、本発明の第２の実施
例によれば、ウエハチヤツク、レーザー測長器用ミラ
ー、及びレーザー光光路を平面モータのコイルアセンブ
リ１０４から基準盤１０１によって隔離することによ
り、高精度な露光装置を提供することができた。
例によれば、ウエハチヤツク、レーザー測長器用ミラ
ー、及びレーザー光光路を平面モータのコイルアセンブ
リ１０４から基準盤１０１によって隔離することによ
り、高精度な露光装置を提供することができた。
【００３７】また、ウエハ側基準面を案内面とすること
で、ウエハチヤツク及びレーザー測長器用ミラーとステ
ージとを連結する連結部材の直径を半導体ウエハの直径
以下にしても、ウエハチヤツク上に置かれた半導体ウエ
ハの位置制御や速度制御の性能を低下させないようにし
た。
で、ウエハチヤツク及びレーザー測長器用ミラーとステ
ージとを連結する連結部材の直径を半導体ウエハの直径
以下にしても、ウエハチヤツク上に置かれた半導体ウエ
ハの位置制御や速度制御の性能を低下させないようにし
た。
【００３８】更に、基準盤に開けられた穴を被うよう
に、ウエハ側案内面にエアパッドを介して半導体ウエハ
支持部が接しているので、半導体ウエハ回りの雰囲気を
コイルアセンブリの回りの雰囲気から遮断できる。これ
は、Ｘ線露光装置のように、ウエハ回りをヘリウムガス
雰囲気にする場合には、特に効果がある。
に、ウエハ側案内面にエアパッドを介して半導体ウエハ
支持部が接しているので、半導体ウエハ回りの雰囲気を
コイルアセンブリの回りの雰囲気から遮断できる。これ
は、Ｘ線露光装置のように、ウエハ回りをヘリウムガス
雰囲気にする場合には、特に効果がある。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
平面モータやリニアモータのようなコイルアセンブリか
らの発熱があるアクチュエータを使用しても、レーザー
測長器のレーザー光光路の雰囲気を乱すことなく、高精
度な計測できる。また、半導体基板及びその支持部材に
コイルアセンブリから発熱の影響を与えないようにでき
る。
平面モータやリニアモータのようなコイルアセンブリか
らの発熱があるアクチュエータを使用しても、レーザー
測長器のレーザー光光路の雰囲気を乱すことなく、高精
度な計測できる。また、半導体基板及びその支持部材に
コイルアセンブリから発熱の影響を与えないようにでき
る。
【００４０】また、基板保持部及びレーザー測長器用ミ
ラーの周辺にコイルアセンブリがないので、レーザー光
光路の配置やウエハ搬送機構の配置などの設計自由度が
大きくなり、装置開発期間の短縮、装置構成の単純化、
信頼性向上、コストダウンなどの工業的利点もある。
ラーの周辺にコイルアセンブリがないので、レーザー光
光路の配置やウエハ搬送機構の配置などの設計自由度が
大きくなり、装置開発期間の短縮、装置構成の単純化、
信頼性向上、コストダウンなどの工業的利点もある。
【図１】本発明の露光装置の第１の実施例を示す図。
【図２】第１の実施例の断面を示す図。
【図３】本発明の露光装置の第２の実施例を示す図。
【図４】従来例を示す図。
１ 基準盤 ２，３ コイルアセンブリ ４，５，６ エアパッド ７ レーザー測長器用ミラー ８ ウエハチヤツク ９ 案内面 １０ 非案内面 １１ 露光光 １２ ステージ １３ 穴（開口） ２０，２１ レーザー測長器（位置／速度検出部） ２７ 連結部材 ２８，２９ ボイスコイル ３０ 遮断板
Claims (4)
- 【請求項１】 第１面から第２面へ連通する開口を備え
る基準盤と、前記基準盤の第１面側に配置される基板保
持部と、前記基準盤の第１面側に配置されるレーザー測
長器と、前記基準盤の第２面側に配置される可動部と、
前記基準盤の開口を介して前記基板保持部と前記可動部
を連結する連結部材と、前記可動部に対して運動エネル
ギーを供給するために前記基準盤の第２面側に配置され
た電磁コイルを有することを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記基準盤の第１面側が前記基板支持部
の案内面になっていることを特徴とする請求項１に記載
の露光装置。 - 【請求項３】 前記基準盤の第２面側が前記可動部の案
内面になっていることを特徴とする請求項１に記載の露
光装置。 - 【請求項４】 前記基板保持部はパターンが露光転写さ
れる半導体基板を保持することを特徴とする請求項１に
記載の露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5161023A JPH07142336A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 露光装置 |
| US08/621,512 US5574556A (en) | 1993-06-30 | 1996-03-25 | Stage mechanism in exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5161023A JPH07142336A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142336A true JPH07142336A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=15727123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5161023A Withdrawn JPH07142336A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5574556A (ja) |
| JP (1) | JPH07142336A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP3437352B2 (ja) * | 1995-10-02 | 2003-08-18 | キヤノン株式会社 | 照明光学系及び光源装置 |
| JP3428829B2 (ja) * | 1996-08-27 | 2003-07-22 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ方法及びそれを用いた投影露光装置 |
| US5757160A (en) * | 1996-12-23 | 1998-05-26 | Svg Lithography Systems, Inc. | Moving interferometer wafer stage |
| US6144118A (en) * | 1998-09-18 | 2000-11-07 | General Scanning, Inc. | High-speed precision positioning apparatus |
| US6208045B1 (en) | 1998-11-16 | 2001-03-27 | Nikon Corporation | Electric motors and positioning devices having moving magnet arrays and six degrees of freedom |
| US6147421A (en) * | 1998-11-16 | 2000-11-14 | Nikon Corporation | Platform positionable in at least three degrees of freedom by interaction with coils |
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| US6452292B1 (en) | 2000-06-26 | 2002-09-17 | Nikon Corporation | Planar motor with linear coil arrays |
| US6445093B1 (en) | 2000-06-26 | 2002-09-03 | Nikon Corporation | Planar motor with linear coil arrays |
| DE10140174B4 (de) * | 2001-08-22 | 2005-11-10 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Koordinaten-Messtisch und Koordinaten-Messgerät |
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|---|---|---|---|---|
| NL8204450A (nl) * | 1982-11-17 | 1984-06-18 | Philips Nv | Verplaatsingsinrichting, in het bijzonder voor het stralingslithografisch behandelen van een substraat. |
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| US4506205A (en) * | 1983-06-10 | 1985-03-19 | The Perkin-Elmer Corporation | Electro-magnetic alignment apparatus |
| US4654571A (en) * | 1985-09-16 | 1987-03-31 | Hinds Walter E | Single plane orthogonally movable drive system |
| US4742286A (en) * | 1985-10-29 | 1988-05-03 | Micro-Stage, Inc. | Gas bearing X-Y-θ stage assembly |
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| JP2623123B2 (ja) * | 1988-08-17 | 1997-06-25 | キヤノン株式会社 | 微動ステージ装置 |
| DE68928460T2 (de) * | 1988-09-06 | 1998-04-02 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Maskenkassetten-Ladevorrichtung |
| US5238354A (en) * | 1989-05-23 | 1993-08-24 | Cybeq Systems, Inc. | Semiconductor object pre-aligning apparatus |
| US5253012A (en) * | 1990-10-05 | 1993-10-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate holding apparatus for vertically holding a substrate in an exposure apparatus |
| JPH05332731A (ja) * | 1992-05-29 | 1993-12-14 | Nikon Corp | 形状計測装置 |
| US5285142A (en) * | 1993-02-09 | 1994-02-08 | Svg Lithography Systems, Inc. | Wafer stage with reference surface |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP5161023A patent/JPH07142336A/ja not_active Withdrawn
-
1996
- 1996-03-25 US US08/621,512 patent/US5574556A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5574556A (en) | 1996-11-12 |
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