JP2002261000A - 位置決めステージおよび露光装置 - Google Patents
位置決めステージおよび露光装置Info
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】ステージを駆動するモータが発生する磁場によ
り、電子線あるいはEUV光リソグラフィシステムにお
ける位置決めが、影響を受けないようにする。 【解決手段】静止フレームに係合されたスライダを第1
の方向の所定の位置に移動させることによりサポートプ
ラットフォームを位置決めし、その後、サポートプラッ
トフォームが第2の方向に移動するときに、物体を電子
線またはEUV光により露光する。スライダーを第1方
向に移動するとき、露光はしていないので、マグネット
トラックに関わる磁場の移動が電子線を妨げないし、ス
テージの位置決めに影響を与えない。また、サポートプ
ラットフォームが第2の方向に移動しているとき、マグ
ネットトラックは静止しており、露光の間に電子線を妨
げることはないし、ステージの位置決めに影響を与えな
い。
り、電子線あるいはEUV光リソグラフィシステムにお
ける位置決めが、影響を受けないようにする。 【解決手段】静止フレームに係合されたスライダを第1
の方向の所定の位置に移動させることによりサポートプ
ラットフォームを位置決めし、その後、サポートプラッ
トフォームが第2の方向に移動するときに、物体を電子
線またはEUV光により露光する。スライダーを第1方
向に移動するとき、露光はしていないので、マグネット
トラックに関わる磁場の移動が電子線を妨げないし、ス
テージの位置決めに影響を与えない。また、サポートプ
ラットフォームが第2の方向に移動しているとき、マグ
ネットトラックは静止しており、露光の間に電子線を妨
げることはないし、ステージの位置決めに影響を与えな
い。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、物体を保持し、動
かし、位置決めするステージに関するものであり、より
詳細には、半導体装置を製造する電子線あるいはEUV
リソグラフィイーシステムに使用する位置決め装置に関
するものである。
かし、位置決めするステージに関するものであり、より
詳細には、半導体装置を製造する電子線あるいはEUV
リソグラフィイーシステムに使用する位置決め装置に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】電子線リソグラフィーシステムのような
リソグラフィー装置を用いて、レチクル、半導体回路や
液晶ディスプレイが製造されている。回路を製造するに
は、リソグラフィーシステムの光学系の下で、物体を繰
り返し正確に位置決めする必要がある。そのような正確
な位置決めには、半導体回路の製造プロセスの際に、新
しく形成された層にある微小な特徴物と前回に形成され
た層にある微小な特徴物との正確な位置合わせが必要と
なる。
リソグラフィー装置を用いて、レチクル、半導体回路や
液晶ディスプレイが製造されている。回路を製造するに
は、リソグラフィーシステムの光学系の下で、物体を繰
り返し正確に位置決めする必要がある。そのような正確
な位置決めには、半導体回路の製造プロセスの際に、新
しく形成された層にある微小な特徴物と前回に形成され
た層にある微小な特徴物との正確な位置合わせが必要と
なる。
【0003】リソグラフィー光学系下のウエハあるいは
レチクルのような物体を正確に位置決めするための複雑
なシステムが開発されてきた。ステップアンドリピート
方式は、リソグラフィー装置の下で位置決めステージに
載せた物体を位置決めするのにXY位置決めシステムを
しばしば用いる。これにより、リソグラフィ装置により
光または電荷微粒子のパターンが物体の一部に露光さ
れ、物体は他の場所に位置決めされて再び光または電荷
微粒子のパターンを露光される。物体の位置を正確に位
置決めするため、様様なタイプの位置決めステージとス
テージをリソグラフィ装置下で所望の位置に位置決めす
るためのリニアモータが開発されてきた。
レチクルのような物体を正確に位置決めするための複雑
なシステムが開発されてきた。ステップアンドリピート
方式は、リソグラフィー装置の下で位置決めステージに
載せた物体を位置決めするのにXY位置決めシステムを
しばしば用いる。これにより、リソグラフィ装置により
光または電荷微粒子のパターンが物体の一部に露光さ
れ、物体は他の場所に位置決めされて再び光または電荷
微粒子のパターンを露光される。物体の位置を正確に位
置決めするため、様様なタイプの位置決めステージとス
テージをリソグラフィ装置下で所望の位置に位置決めす
るためのリニアモータが開発されてきた。
【0004】作用される物体は、典型的にはモータとX
Yステージにより位置決めされるものである。典型的に
は、そのようなガイドはXガイド装置とYガイド装置を
含むものであり、1つのガイド装置が他のガイド装置の
上に載せられて動くものである。しばしばウエハステー
ジはガイド装置の上に載せられるものである。ウエハの
位置決めの間ガイドが動いている間、モータのマグネッ
ト装置は他の磁性材料と同様に動く。その結果として、
マグネット装置と他の材料による磁場の移動により、電
子線リソグラフィの電子線は干渉を受ける。
Yステージにより位置決めされるものである。典型的に
は、そのようなガイドはXガイド装置とYガイド装置を
含むものであり、1つのガイド装置が他のガイド装置の
上に載せられて動くものである。しばしばウエハステー
ジはガイド装置の上に載せられるものである。ウエハの
位置決めの間ガイドが動いている間、モータのマグネッ
ト装置は他の磁性材料と同様に動く。その結果として、
マグネット装置と他の材料による磁場の移動により、電
子線リソグラフィの電子線は干渉を受ける。
【0005】電子線リソグラフィは高品質のパターンを
製造するのに用いられる。電子線は磁気あるいは静電レ
ンズと偏向器を通過し、ウエハ表面に焦点を結び、ウエ
ハ上のXY方向に向けられる。電子線露光システムは典
型的には、電子線源、所定のパターンに形成された電子
線を偏向させる偏向システム、電子線の焦点を結ばせる
磁気投影レンズを含んでいる。偏向され焦点を結んだ電
子線は、例えば、半導体マスクのような物体の上に照射
される。
製造するのに用いられる。電子線は磁気あるいは静電レ
ンズと偏向器を通過し、ウエハ表面に焦点を結び、ウエ
ハ上のXY方向に向けられる。電子線露光システムは典
型的には、電子線源、所定のパターンに形成された電子
線を偏向させる偏向システム、電子線の焦点を結ばせる
磁気投影レンズを含んでいる。偏向され焦点を結んだ電
子線は、例えば、半導体マスクのような物体の上に照射
される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来からの位置決めス
テージでは、モータや他の磁性材料によって引き起こさ
れる磁場から電子線リソグラフィシステムがシールドさ
れていない。このように、物体を電子線に露光させてい
る時にステージを位置決めする際に生じる磁場の動きを
制限する位置決めステージを提供することが望まれてい
る。また、電子線から磁場をシールドし、電子線リソグ
ラフィシステムにおいて、物体を信頼性高く位置決めす
ることが望ましい。
テージでは、モータや他の磁性材料によって引き起こさ
れる磁場から電子線リソグラフィシステムがシールドさ
れていない。このように、物体を電子線に露光させてい
る時にステージを位置決めする際に生じる磁場の動きを
制限する位置決めステージを提供することが望まれてい
る。また、電子線から磁場をシールドし、電子線リソグ
ラフィシステムにおいて、物体を信頼性高く位置決めす
ることが望ましい。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、ステージ位置
決めシステムのモータや他の磁性材料による磁場により
電子線リソグラフィシステムの電子線が干渉を受けるこ
とを最小限にするステージ位置決めシステムを供給する
ことにより、従来例における決定を解消するものであ
る。本発明はまた、EUV光リソグラフィで使用するこ
とのできる位置決めシステムを供給するものもある。
決めシステムのモータや他の磁性材料による磁場により
電子線リソグラフィシステムの電子線が干渉を受けるこ
とを最小限にするステージ位置決めシステムを供給する
ことにより、従来例における決定を解消するものであ
る。本発明はまた、EUV光リソグラフィで使用するこ
とのできる位置決めシステムを供給するものもある。
【0008】本発明のステージ位置決めシステムは固定
フレーム、フレームに対して第1の方向に移動可能なス
ライダー、スライダに係合されており第1の方向に可動
なさポートプラットフォームからなっている。サポート
プラットフォームは第1の方向とは通常直角の第2の方
向に可動にスライダに係合している。ステージ位置決め
システムは更に、第1、第2リニアモータを含んでい
る。
フレーム、フレームに対して第1の方向に移動可能なス
ライダー、スライダに係合されており第1の方向に可動
なさポートプラットフォームからなっている。サポート
プラットフォームは第1の方向とは通常直角の第2の方
向に可動にスライダに係合している。ステージ位置決め
システムは更に、第1、第2リニアモータを含んでい
る。
【0009】好ましい実施例として、第1リニアモータ
はフレームに係合されているマグネット装置とスライダ
に係合されている第1コイル装置を含んでいる。第1コ
イル装置に電流を加えると、スライダは第1の方向に動
く。第2リニアモータは、スライダに係合された第2マ
グネット装置とサポートプラットフォームに係合された
第2コイル装置を含む。第2コイル装置に電流を加える
とサポートプラットフォームは第2の方向に動く。
はフレームに係合されているマグネット装置とスライダ
に係合されている第1コイル装置を含んでいる。第1コ
イル装置に電流を加えると、スライダは第1の方向に動
く。第2リニアモータは、スライダに係合された第2マ
グネット装置とサポートプラットフォームに係合された
第2コイル装置を含む。第2コイル装置に電流を加える
とサポートプラットフォームは第2の方向に動く。
【0010】第1マグネット装置は、間にスライダを置
くのに十分な距離を空けて平行に置かれた一対のマグネ
ットトラックを含む。第1コイル装置はマグネットトラ
ックと相互作用をするように、スライダの他端から伸び
たコイルを含む。フレームはレールを含み、スライダは
レールと共に動くスライダブロックを含む。スライダブ
ロックは、ローラベアリング、ニードルベアリング、玉
ベアリング、ガスベアリングから選ばれたものが含まれ
ている。マグネットトラックは、マグネット装置により
引き起こされる磁場の電子線の影響を防ぐために、実質
的にシールドされていることが望ましい。
くのに十分な距離を空けて平行に置かれた一対のマグネ
ットトラックを含む。第1コイル装置はマグネットトラ
ックと相互作用をするように、スライダの他端から伸び
たコイルを含む。フレームはレールを含み、スライダは
レールと共に動くスライダブロックを含む。スライダブ
ロックは、ローラベアリング、ニードルベアリング、玉
ベアリング、ガスベアリングから選ばれたものが含まれ
ている。マグネットトラックは、マグネット装置により
引き起こされる磁場の電子線の影響を防ぐために、実質
的にシールドされていることが望ましい。
【0011】スライダは、スライダの軸に平行に伸びて
いる一対のシャフトを含み、サポートプラットフォーム
はシャフトに移動可能に係合された一対のスリーブを含
む。一対のスリーブはシャフトの周りのスリーブを支持
するためのガスベアリングを含んでいる。
いる一対のシャフトを含み、サポートプラットフォーム
はシャフトに移動可能に係合された一対のスリーブを含
む。一対のスリーブはシャフトの周りのスリーブを支持
するためのガスベアリングを含んでいる。
【0012】本発明は、リソグラフィシステムでの物体
を露光させる方法に関係している。物体を第1の方向に
位置決めする静止フレームに移動可能に係合されたスラ
イダ、サポートプラットフォーム上に置かれた物体が第
2の方向に位置決め可能がスライダに移動可能に係合さ
れたサポートプラットフォーム、スライダを第1の方向
に移動させる第1リニアモータ、サポートプラットフォ
ームを第2の方向に移動させる第2リニアモータ、を含
み、スライダを第1の方向の所定の位置に移動させるこ
とによりサポートプラットフォームを位置決めし、サポ
ートプラットフォームが第2の方向に動く時に物体を光
または電子線を露光するものである。光または電子線を
露光しながらサポートプラットフォームを動かした後、
第1の方向にスライダを動かす手順は物体に対する露光
操作が終了するまで繰り替えされる。
を露光させる方法に関係している。物体を第1の方向に
位置決めする静止フレームに移動可能に係合されたスラ
イダ、サポートプラットフォーム上に置かれた物体が第
2の方向に位置決め可能がスライダに移動可能に係合さ
れたサポートプラットフォーム、スライダを第1の方向
に移動させる第1リニアモータ、サポートプラットフォ
ームを第2の方向に移動させる第2リニアモータ、を含
み、スライダを第1の方向の所定の位置に移動させるこ
とによりサポートプラットフォームを位置決めし、サポ
ートプラットフォームが第2の方向に動く時に物体を光
または電子線を露光するものである。光または電子線を
露光しながらサポートプラットフォームを動かした後、
第1の方向にスライダを動かす手順は物体に対する露光
操作が終了するまで繰り替えされる。
【0013】位置決めステージは電子線リソグラフィあ
るはEUV光リソグラフィシステムで使用することがで
きる。リソグラフィシステムは、電子線源またはEUV
光源、マスク上のパターンを物体の表面に投影する投影
システム、物体に電子線を位置決めする偏向システム、
そして本発明によるステージ位置決めシステムからなっ
ている。EUV光源が使用される時、偏向器は不用とな
る。
るはEUV光リソグラフィシステムで使用することがで
きる。リソグラフィシステムは、電子線源またはEUV
光源、マスク上のパターンを物体の表面に投影する投影
システム、物体に電子線を位置決めする偏向システム、
そして本発明によるステージ位置決めシステムからなっ
ている。EUV光源が使用される時、偏向器は不用とな
る。
【0014】電子線とEUV光リソグラフィシステムの
ステージ位置決めシステムは物体が電子線あるいはEU
V光を露光されていない時にサポートプラットフォーム
を第1の方向に動かすのが望ましい。サポートプラット
フォームは、次に物体が電子線またはEUV光に露光さ
れている時に第2の方向へ移動される。これにより、物
体の露光の際、サポートプラットフォームを第2の方向
に動かせるマグネット装置は静止していることになる。
電子線は磁場に敏感であるが、EUV光はそうではない
ことに注意すべきである。
ステージ位置決めシステムは物体が電子線あるいはEU
V光を露光されていない時にサポートプラットフォーム
を第1の方向に動かすのが望ましい。サポートプラット
フォームは、次に物体が電子線またはEUV光に露光さ
れている時に第2の方向へ移動される。これにより、物
体の露光の際、サポートプラットフォームを第2の方向
に動かせるマグネット装置は静止していることになる。
電子線は磁場に敏感であるが、EUV光はそうではない
ことに注意すべきである。
【0015】
【実施例】電子線リソグラフィは、物体に電子線を照射
するリソグラフィシステムの一つの形態である。電子線
は磁場に対して非常に敏感であり、これにより、露光の
性能が左右されることもある。このため、露光中は、導
磁性材料の動きは最小限にする必要がある。全てでなく
とも、ほとんどの位置決めステージは、露光の際に動く
導磁性の部品を含んでいる。第1に心配となるのは、物
体を望まれる位置に位置決めする磁性部品の動きであ
る。ベアリング、サポート部材、磁気シールドのような
ステージにおいて使用される他の磁性材料は同様に、露
光性能に影響を与えるため、システムを較正するときに
は考慮に入れなければならない。これらの磁性材料が動
くと、これらの材料に伴なう磁場もまた動く。電子線の
性能、つまりここでは、システムの露光装置に影響を与
えることのできるのは磁場の動きである。
するリソグラフィシステムの一つの形態である。電子線
は磁場に対して非常に敏感であり、これにより、露光の
性能が左右されることもある。このため、露光中は、導
磁性材料の動きは最小限にする必要がある。全てでなく
とも、ほとんどの位置決めステージは、露光の際に動く
導磁性の部品を含んでいる。第1に心配となるのは、物
体を望まれる位置に位置決めする磁性部品の動きであ
る。ベアリング、サポート部材、磁気シールドのような
ステージにおいて使用される他の磁性材料は同様に、露
光性能に影響を与えるため、システムを較正するときに
は考慮に入れなければならない。これらの磁性材料が動
くと、これらの材料に伴なう磁場もまた動く。電子線の
性能、つまりここでは、システムの露光装置に影響を与
えることのできるのは磁場の動きである。
【0016】本発明の位置決めステージは物体への露光
の際、これらの磁気部材の動きを最小限にするようにな
っている。好ましい実施例においては、サポートプラッ
トフォームは、電子線が偏向され、物体からシールドさ
れている間、第1の方向に動くものである。物体を電子
線からシールドする一つの方法は、電子線を遮断する遮
蔽装置を用いることである。あるいは、電子線と物体の
間に開閉機器を置いて、電子線を遮断してもよい。サポ
ートプラットフォームが第1の方向にスライドして動く
と、サポートプラットフォームの動きに伴なう磁性部材
も同様に第2の方向へ動く。この動きに伴なう他の磁性
部材も動く。しかしながら、この間には、物体は露光さ
れていないため、磁性部材と他の磁性部材の動きは露光
性能に影響を与えない。サポートプラットフォームは次
に第2の方向つまり通常は第1の動きに対して直角方向
へ動き、その間物体は電子線を露光されている。サポー
トプラットフォームは、ほとんどが非磁性部材でできて
いるため、物体への露光の間磁性材料の動きは少ない。
の際、これらの磁気部材の動きを最小限にするようにな
っている。好ましい実施例においては、サポートプラッ
トフォームは、電子線が偏向され、物体からシールドさ
れている間、第1の方向に動くものである。物体を電子
線からシールドする一つの方法は、電子線を遮断する遮
蔽装置を用いることである。あるいは、電子線と物体の
間に開閉機器を置いて、電子線を遮断してもよい。サポ
ートプラットフォームが第1の方向にスライドして動く
と、サポートプラットフォームの動きに伴なう磁性部材
も同様に第2の方向へ動く。この動きに伴なう他の磁性
部材も動く。しかしながら、この間には、物体は露光さ
れていないため、磁性部材と他の磁性部材の動きは露光
性能に影響を与えない。サポートプラットフォームは次
に第2の方向つまり通常は第1の動きに対して直角方向
へ動き、その間物体は電子線を露光されている。サポー
トプラットフォームは、ほとんどが非磁性部材でできて
いるため、物体への露光の間磁性材料の動きは少ない。
【0017】露光中の比較的重く嵩ばる部材の動きを最
小にすることは、サポートプラットフォームが動く際に
生ずる振動の量を最小限にすることにもなる。これらの
振動はシステムの露光性能に悪い影響を与える。位置決
めステージは、露光の間、そのような部材の動き最小に
するように設計されている。
小にすることは、サポートプラットフォームが動く際に
生ずる振動の量を最小限にすることにもなる。これらの
振動はシステムの露光性能に悪い影響を与える。位置決
めステージは、露光の間、そのような部材の動き最小に
するように設計されている。
【0018】図を参照しつつ説明する。先ず、図1は本
発明のステージ位置決めシステムであり、20で示され
ている。ステージ位置決めシステム20は、例えば、半
導体のプロセスの間に半導体ウエハWあるいはレチクル
(図示せず)を位置決めするのに使われても良い。ステ
ージ位置決めシステム20のモータは、モータの磁場に
よる電子線への影響を、以下の述べるように減らすよう
になっているので、ステージ位置決めシステム20は、
とりわけ電子線リソグラフィに適用するのに有利であ
る。本発明のステージ位置決めシステム20は他のタイ
プのシステム、例えば、EUVリソグラフィに容易に適用
できることを理解すべきである。電子線露光システムを
参照して説明するのは、単に、本発明のステージ位置決
めシステム20のコンセプトの具体例を示すためのもの
である。更に、ステージ位置決めシステム20はウエハ
ステージを参照しているが、レチクルステージにも使用
できるものである。
発明のステージ位置決めシステムであり、20で示され
ている。ステージ位置決めシステム20は、例えば、半
導体のプロセスの間に半導体ウエハWあるいはレチクル
(図示せず)を位置決めするのに使われても良い。ステ
ージ位置決めシステム20のモータは、モータの磁場に
よる電子線への影響を、以下の述べるように減らすよう
になっているので、ステージ位置決めシステム20は、
とりわけ電子線リソグラフィに適用するのに有利であ
る。本発明のステージ位置決めシステム20は他のタイ
プのシステム、例えば、EUVリソグラフィに容易に適用
できることを理解すべきである。電子線露光システムを
参照して説明するのは、単に、本発明のステージ位置決
めシステム20のコンセプトの具体例を示すためのもの
である。更に、ステージ位置決めシステム20はウエハ
ステージを参照しているが、レチクルステージにも使用
できるものである。
【0019】ステージ位置決めシステム20は、固定フ
レーム28、フレームに対してX方向(第1の方向)に
可動なスライダ30、半導体ウエハWを保持するサポー
トプラットフォーム32からなっている。サポートプラ
ットフォーム32はY方向(第2の方向)に沿って動く
ように、スライダ30に取り付けられている。位置決め
ステージ20は、更に、X方向にスライダ30を動かせ
る2つのXリニアモータ(第1モータ)34と、サポー
トプラットフォーム33をY方向に動かすYリニアモータ
36を備えている。Xリニアモータ34のそれぞれは、
マグネットトラック40とマグネットトラックによる磁
場との相互作用によりスライダ30をX方向に動かす力
を引き起こすコイル42を含んでいる(図1、3)。同
様に、Yモータ36はマグネットトラック44とコイル
46を含んでおり、マグネットトラックの磁場と相互作
用によりサポートプラットフォーム33をY方向に動か
す力を引き起こすようになっている(図2、6)。Xリ
ニアモータ34のマグネットトラック40はマグネット
装置を構成し、一つあるいはそれ以上のコイル42はコ
イル装置を構成する。
レーム28、フレームに対してX方向(第1の方向)に
可動なスライダ30、半導体ウエハWを保持するサポー
トプラットフォーム32からなっている。サポートプラ
ットフォーム32はY方向(第2の方向)に沿って動く
ように、スライダ30に取り付けられている。位置決め
ステージ20は、更に、X方向にスライダ30を動かせ
る2つのXリニアモータ(第1モータ)34と、サポー
トプラットフォーム33をY方向に動かすYリニアモータ
36を備えている。Xリニアモータ34のそれぞれは、
マグネットトラック40とマグネットトラックによる磁
場との相互作用によりスライダ30をX方向に動かす力
を引き起こすコイル42を含んでいる(図1、3)。同
様に、Yモータ36はマグネットトラック44とコイル
46を含んでおり、マグネットトラックの磁場と相互作
用によりサポートプラットフォーム33をY方向に動か
す力を引き起こすようになっている(図2、6)。Xリ
ニアモータ34のマグネットトラック40はマグネット
装置を構成し、一つあるいはそれ以上のコイル42はコ
イル装置を構成する。
【0020】マグネット装置およびコイル装置の形態は
本発明の趣旨から外れない範囲でここに示したものとは
異なっても構わないということを理解すべきである。例
えば、図1に示したように、第1マグネット装置はフレ
ームに取り付けられており、図2に示したように、第1
コイル装置はスライダの端部に取り付けられている。あ
るいは、第1マグネット装置はスライダに取り付け、第
1コイルはフレームに取り付けることも可能である。
本発明の趣旨から外れない範囲でここに示したものとは
異なっても構わないということを理解すべきである。例
えば、図1に示したように、第1マグネット装置はフレ
ームに取り付けられており、図2に示したように、第1
コイル装置はスライダの端部に取り付けられている。あ
るいは、第1マグネット装置はスライダに取り付け、第
1コイルはフレームに取り付けることも可能である。
【0021】加えて、図2,3はスライダに取り付けら
れた第2マグネット装置とサポートプラットフォームに
取り付けられた第2コイル装置を持つ好ましい実施例を
示したものである。あるいは、第2マグネットコイルは
スライダに取り付け、第2マグネット装置はサポートプ
ラットフォームに取り付けることも可能である。しか
し、この実施例では、物体が露光されている時に第2マ
グネット装置は動かされていることになる。
れた第2マグネット装置とサポートプラットフォームに
取り付けられた第2コイル装置を持つ好ましい実施例を
示したものである。あるいは、第2マグネットコイルは
スライダに取り付け、第2マグネット装置はサポートプ
ラットフォームに取り付けることも可能である。しか
し、この実施例では、物体が露光されている時に第2マ
グネット装置は動かされていることになる。
【0022】サポートプラットフォーム33がリソグラ
フィシステムのスキャン中にY方向に動くように位置決
めステージ20が動くようにするのが好ましい(図1,
2)。マグネットトラック40、44はサポートプラッ
トフォーム33のY方向への動きの間静止している。こ
のように、マグネットトラック40,44に係わる磁場
の移動は、スキャンの間に電子線を妨げることはない。
サポートプラットフォーム32がX方向に動く時、Yマグ
ネットトラック44も同様に動く。しかし、Yマグネッ
トトラックの動きは少しも影響を与えない。というの
は、リソグラフィーシステムはこの時スキャンをしてい
ないからである。電子線は、サポートプラットフォーム
から、止められているか、シールドされているか、他方
向へ向かされているかの何れかである。プラットフォー
ムがX方向へ動く間スキャンは行なわれていないから、Y
リニアモータの動きによる効果は物体のパターニングに
何の影響も与えない。
フィシステムのスキャン中にY方向に動くように位置決
めステージ20が動くようにするのが好ましい(図1,
2)。マグネットトラック40、44はサポートプラッ
トフォーム33のY方向への動きの間静止している。こ
のように、マグネットトラック40,44に係わる磁場
の移動は、スキャンの間に電子線を妨げることはない。
サポートプラットフォーム32がX方向に動く時、Yマグ
ネットトラック44も同様に動く。しかし、Yマグネッ
トトラックの動きは少しも影響を与えない。というの
は、リソグラフィーシステムはこの時スキャンをしてい
ないからである。電子線は、サポートプラットフォーム
から、止められているか、シールドされているか、他方
向へ向かされているかの何れかである。プラットフォー
ムがX方向へ動く間スキャンは行なわれていないから、Y
リニアモータの動きによる効果は物体のパターニングに
何の影響も与えない。
【0023】良く知られているように、コイル装置4
2,46を動かすのに十分な力は、コイル装置に適当な
電流を流すことにより、コイル装置とマグネットトラッ
ク40,44の間で引き起こされる。Xリニアモータ3
4を同期させることにより、Xコイル装置42に力が加
えられ、コイル装置42はスライダ30に係合されてい
るため、X方向に動くことになる。同様に、Yリニアモー
タ36を励磁させることにより、Yコイル装置46に力
が加えられ、Yコイル装置46はサポートプラットフォ
ーム32に係合されているので、Y軸に沿ってサポート
プラットフォーム33の位置決めが行なわれる。
2,46を動かすのに十分な力は、コイル装置に適当な
電流を流すことにより、コイル装置とマグネットトラッ
ク40,44の間で引き起こされる。Xリニアモータ3
4を同期させることにより、Xコイル装置42に力が加
えられ、コイル装置42はスライダ30に係合されてい
るため、X方向に動くことになる。同様に、Yリニアモー
タ36を励磁させることにより、Yコイル装置46に力
が加えられ、Yコイル装置46はサポートプラットフォ
ーム32に係合されているので、Y軸に沿ってサポート
プラットフォーム33の位置決めが行なわれる。
【0024】2つの平行なXリニアモータ34を用いる
ことにより、Z軸周りのモーメントが発生することを減
少あるいは阻止しするだけでなく、サポートプラットフ
ォーム33の振動を減少あるいは阻止するように作用す
る。とりわけ、2つの平行なXリニアモータ34を用い
ることにより、スライダ30のY方向の重心あるいは重
心に近い個所を駆動するように作用する。
ことにより、Z軸周りのモーメントが発生することを減
少あるいは阻止しするだけでなく、サポートプラットフ
ォーム33の振動を減少あるいは阻止するように作用す
る。とりわけ、2つの平行なXリニアモータ34を用い
ることにより、スライダ30のY方向の重心あるいは重
心に近い個所を駆動するように作用する。
【0025】フレーム28は2つのフレーム28a、2
8bからなっており、それぞれがY軸に沿って十分な距
離を置いて配置されており、その間をスライダ30が動
けるようになっている(図1,2)。それぞれのフレー
ム28a、28bはフレームに沿って伸びる一対のレー
ル50を含んでいる。レール50はフレーム28a、2
8bの内壁50に沿って配置されており、内壁の上端と
下端に位置決めされている。レール50はスライダ30
の他端から伸びているU字型をしたスライダブロック5
4のためのガイドである。それぞれのレール50に対し
て1組のスライダブロック、従って、2組のスライダブ
ロック54が、スライダ30のそれぞれの端に取り付け
られている。スライダブロック54とレール30はどの
ようなスライダブロック、レールでも構わない。例え
ば、ローラを使うものであっても構わない。レールとス
ライダブロック54の構成は、本発明の趣旨から外れな
い範囲において、異なっても構わないことを理解すべき
である。例えば、ローラを使うものではなく、空気軸
受、あるいは玉軸受を用いたものでも良い。
8bからなっており、それぞれがY軸に沿って十分な距
離を置いて配置されており、その間をスライダ30が動
けるようになっている(図1,2)。それぞれのフレー
ム28a、28bはフレームに沿って伸びる一対のレー
ル50を含んでいる。レール50はフレーム28a、2
8bの内壁50に沿って配置されており、内壁の上端と
下端に位置決めされている。レール50はスライダ30
の他端から伸びているU字型をしたスライダブロック5
4のためのガイドである。それぞれのレール50に対し
て1組のスライダブロック、従って、2組のスライダブ
ロック54が、スライダ30のそれぞれの端に取り付け
られている。スライダブロック54とレール30はどの
ようなスライダブロック、レールでも構わない。例え
ば、ローラを使うものであっても構わない。レールとス
ライダブロック54の構成は、本発明の趣旨から外れな
い範囲において、異なっても構わないことを理解すべき
である。例えば、ローラを使うものではなく、空気軸
受、あるいは玉軸受を用いたものでも良い。
【0026】プラットフォームがY方向に動いている時
だけスキャンすることによる利点は、Xベアリング54
によって引き起こされる振動はスライダ30がX方向に
動く時だけに生じることである。スライダ30は露光時
にX方向にには動かないため、ベアリング54によって
引き起こされる振動は露光性能に影響を与えない。その
結果、実施例としては、スライダ30をX方向に動かす
ための低価格で従来からあるローラタイプのベアリング
をに含んでも良い。また、Y方向にスライダ30に沿っ
てサポートプラットフォーム33を動かすのに高級なガ
スベアリングを用いても良い。
だけスキャンすることによる利点は、Xベアリング54
によって引き起こされる振動はスライダ30がX方向に
動く時だけに生じることである。スライダ30は露光時
にX方向にには動かないため、ベアリング54によって
引き起こされる振動は露光性能に影響を与えない。その
結果、実施例としては、スライダ30をX方向に動かす
ための低価格で従来からあるローラタイプのベアリング
をに含んでも良い。また、Y方向にスライダ30に沿っ
てサポートプラットフォーム33を動かすのに高級なガ
スベアリングを用いても良い。
【0027】Xリニアモータ34のXマグネットトラック
40はそれぞれが、フレーム28a、28bに配置され
ている(図1、3)。それぞれのマグネットトラック4
0は一般にU字型をしたサポート56と複数のマグネッ
ト58からなるマグネット配列とからなっている。マグ
ネットトラック40は動的にコイル装置42を受けるス
ロット60を形成する。マグネットトラック40は、コ
イル装置42の長さLcにXリニアモータ34のX方向
のストロークを足し合わせたものよりも好ましくは長く
なっている(図2,4)。マグネットトラック40はシ
ールド62に取り囲まれており、それに固定されている
(図3)。図1に示したように、シールド62は、フレ
ーム28a、28bを形成し、それぞれはU字型部材6
3と内壁52からなる。マグネットトラック40はシー
ルド62によって完全にシールドされている。但し、内
壁52に形成され、トラックの長さ方向に沿ってコイル
装置42の動きを許容するマグネットトラックの長さに
沿って伸びるスロット64ではシールドされていない。
シールド62は、好ましくは、マグネットトラック40
によって引き起こされる磁場をシールドし、マグネット
トラックの磁場により電子線が干渉を受けることを阻止
する。
40はそれぞれが、フレーム28a、28bに配置され
ている(図1、3)。それぞれのマグネットトラック4
0は一般にU字型をしたサポート56と複数のマグネッ
ト58からなるマグネット配列とからなっている。マグ
ネットトラック40は動的にコイル装置42を受けるス
ロット60を形成する。マグネットトラック40は、コ
イル装置42の長さLcにXリニアモータ34のX方向
のストロークを足し合わせたものよりも好ましくは長く
なっている(図2,4)。マグネットトラック40はシ
ールド62に取り囲まれており、それに固定されている
(図3)。図1に示したように、シールド62は、フレ
ーム28a、28bを形成し、それぞれはU字型部材6
3と内壁52からなる。マグネットトラック40はシー
ルド62によって完全にシールドされている。但し、内
壁52に形成され、トラックの長さ方向に沿ってコイル
装置42の動きを許容するマグネットトラックの長さに
沿って伸びるスロット64ではシールドされていない。
シールド62は、好ましくは、マグネットトラック40
によって引き起こされる磁場をシールドし、マグネット
トラックの磁場により電子線が干渉を受けることを阻止
する。
【0028】コイル装置42は、一般にマグネット58
の間の距離dよりも僅かに小さい厚さtを持つ平面状を
したものである。コイル装置42は、スライダの端部よ
り外側に伸びるコネクティング部材68によりスライダ
30対抗面に係合されている(図3,4)。コネクティ
ング部材68はシールド62のスロット64の幅Lwよ
り僅かに小さい厚さtcを持っている。
の間の距離dよりも僅かに小さい厚さtを持つ平面状を
したものである。コイル装置42は、スライダの端部よ
り外側に伸びるコネクティング部材68によりスライダ
30対抗面に係合されている(図3,4)。コネクティ
ング部材68はシールド62のスロット64の幅Lwよ
り僅かに小さい厚さtcを持っている。
【0029】スライダ30はスライダの長さ方向のA軸
に沿って伸びる伸展部材69と、伸展部材に平行に伸び
ている二本のシリンダシャフト70からなっている(図
1,5)。伸展部材69とシャフト70は、それぞれの
端部が係合されスライダ30を構成するようになってい
る。進展部材69はYマグネットトラックとシールド7
2からなっている。これは上記に図3にて示したXマグ
ネットトラック40とシールド62に類似している。シ
ールド72は側壁76に形成された長さ方向のスロット
74を持っており、その中に、コイル装置46とサポー
トプラットフォーム32を係合する係合部材を配置して
いる(図5,6)。側壁76は、シールド72の他の位
置に取り外し可能に係合されており、コイル46は組み
立ての間マグネットトラック44内に位置決めされる。
に沿って伸びる伸展部材69と、伸展部材に平行に伸び
ている二本のシリンダシャフト70からなっている(図
1,5)。伸展部材69とシャフト70は、それぞれの
端部が係合されスライダ30を構成するようになってい
る。進展部材69はYマグネットトラックとシールド7
2からなっている。これは上記に図3にて示したXマグ
ネットトラック40とシールド62に類似している。シ
ールド72は側壁76に形成された長さ方向のスロット
74を持っており、その中に、コイル装置46とサポー
トプラットフォーム32を係合する係合部材を配置して
いる(図5,6)。側壁76は、シールド72の他の位
置に取り外し可能に係合されており、コイル46は組み
立ての間マグネットトラック44内に位置決めされる。
【0030】サポートプラットフォーム32は、2つの
シャフト70を内部に配置するためのシリンダスリーブ
82を含む。エアベアリング(図示せず)はスリーブの
中央開口84内に配置されている。エアベアリングは、
Y方向にシャフト70に沿ってサポートプラットフォー
ム32を滑らすように働く。ローラ、ニードル、玉ベア
リングのような機械的ベアリング、ガスベアリングを含
むどのようなベアリングでも使用することができる。好
ましくは、スリーブ82の内面とシャフト70の外面の
間に圧縮された空気、窒素、あるいは他のガスを使用し
てサポートプラットフォーム33の質量を支えるガスベ
アリングが望ましい。ガスベアリングの使用により、ス
キャン動作の間にサポートプラットフォーム33へ伝わ
る振動を最小限にする。サポートプラットフォーム32
は中央開口86を持っており、これは長さ方向に伸びて
おり、スリーブ82に平行で、シールド72に覆われる
ような大きさになっている。コイル装置46は中央開口
86の一部を貫通して伸び、サポートプラットフォーム
の重心線Cgに沿う線に配置されている。これにより、
サポートプラットフォーム33の重心を駆動することに
より、サポートプラットフォームの振動、ヨー回転を減
少させたり、防ぐ効果がある。
シャフト70を内部に配置するためのシリンダスリーブ
82を含む。エアベアリング(図示せず)はスリーブの
中央開口84内に配置されている。エアベアリングは、
Y方向にシャフト70に沿ってサポートプラットフォー
ム32を滑らすように働く。ローラ、ニードル、玉ベア
リングのような機械的ベアリング、ガスベアリングを含
むどのようなベアリングでも使用することができる。好
ましくは、スリーブ82の内面とシャフト70の外面の
間に圧縮された空気、窒素、あるいは他のガスを使用し
てサポートプラットフォーム33の質量を支えるガスベ
アリングが望ましい。ガスベアリングの使用により、ス
キャン動作の間にサポートプラットフォーム33へ伝わ
る振動を最小限にする。サポートプラットフォーム32
は中央開口86を持っており、これは長さ方向に伸びて
おり、スリーブ82に平行で、シールド72に覆われる
ような大きさになっている。コイル装置46は中央開口
86の一部を貫通して伸び、サポートプラットフォーム
の重心線Cgに沿う線に配置されている。これにより、
サポートプラットフォーム33の重心を駆動することに
より、サポートプラットフォームの振動、ヨー回転を減
少させたり、防ぐ効果がある。
【0031】図5に示したように、サポートプラットフ
ォーム33を載せるためにスリーブ82の上表面に3つ
のパッドが配置されている。サポートプラットフォーム
32は更に2つのクロス部材94a、94bからなって
いる。これにより、サポートプラットフォームの動作の
間サポートプラットフォーム33とシールド72の接触
を防ぐことができる。
ォーム33を載せるためにスリーブ82の上表面に3つ
のパッドが配置されている。サポートプラットフォーム
32は更に2つのクロス部材94a、94bからなって
いる。これにより、サポートプラットフォームの動作の
間サポートプラットフォーム33とシールド72の接触
を防ぐことができる。
【0032】本発明の趣旨から外れない範囲において、
スリーブ82とシャフト70はここに示した形状からは
異なるものであっても構わないこと理解すべきである。
例えば、シャフト79のそれぞれは、円形の断面を持つ
ものとして示されたが、楕円、矩形等の他の断面形状を
持つものであっても構わない。対応するスリーブは同様
に対応する断面形状を持つものになる。
スリーブ82とシャフト70はここに示した形状からは
異なるものであっても構わないこと理解すべきである。
例えば、シャフト79のそれぞれは、円形の断面を持つ
ものとして示されたが、楕円、矩形等の他の断面形状を
持つものであっても構わない。対応するスリーブは同様
に対応する断面形状を持つものになる。
【0033】サポートプラットフォーム33は半導体ウ
エハWやレチクルのような1つまたはそれ以上の物体を
露光システムに対して動かし位置決めするためのもので
ある。物体は、クランプ、真空チャック、あるいは他の
適当な装置によりプラットフォーム33に固定されても
良い。ステージの大きさは、仕様により大きく変る。干
渉計(図示せず)のような装置がサポートプラットフォ
ーム33の位置と方向を計測するのに使用されても構わ
ない。干渉計はサポートプラットフォームの面96a、
96bに配置されたミラーからの反射された信号を計測
し、サポートプラットフォームの方向と位置を計測する
ものである(図6)。サポートプラットフォーム33
は、延長部98を含むものである。これにより、鏡面化
された面96aの長さが増加し、干渉計からの信号の届
く範囲が増大することになる。
エハWやレチクルのような1つまたはそれ以上の物体を
露光システムに対して動かし位置決めするためのもので
ある。物体は、クランプ、真空チャック、あるいは他の
適当な装置によりプラットフォーム33に固定されても
良い。ステージの大きさは、仕様により大きく変る。干
渉計(図示せず)のような装置がサポートプラットフォ
ーム33の位置と方向を計測するのに使用されても構わ
ない。干渉計はサポートプラットフォームの面96a、
96bに配置されたミラーからの反射された信号を計測
し、サポートプラットフォームの方向と位置を計測する
ものである(図6)。サポートプラットフォーム33
は、延長部98を含むものである。これにより、鏡面化
された面96aの長さが増加し、干渉計からの信号の届
く範囲が増大することになる。
【0034】フィードバックコントローラ(図示せず)
はサポートプラットフォーム33の方向と位置に対応し
てコイル装置42,46に異なったレベルの電流を送る
ようにしても良い。干渉計あるは他の適当な位置検出セ
ンサがサポートプラットフォーム33の方向と位置を示
す信号をフィードバックコントローラに送っても良い。
はサポートプラットフォーム33の方向と位置に対応し
てコイル装置42,46に異なったレベルの電流を送る
ようにしても良い。干渉計あるは他の適当な位置検出セ
ンサがサポートプラットフォーム33の方向と位置を示
す信号をフィードバックコントローラに送っても良い。
【0035】X方向リニアモータ34は、サポートプラ
ットフォーム33がヨー回転、即ち、Z軸(図1)回り
の回転を防ぐために作動的に駆動される。そのようなX
方向リニアモータ34の作動駆動は、スライダ30が回
転、つまり、片側が他の側に対して速く動く傾向を補償
するものである。このスライダ30の傾向は加えられた
電流に対するリニアモータ34の理想的でない応答によ
って生じるものである。
ットフォーム33がヨー回転、即ち、Z軸(図1)回り
の回転を防ぐために作動的に駆動される。そのようなX
方向リニアモータ34の作動駆動は、スライダ30が回
転、つまり、片側が他の側に対して速く動く傾向を補償
するものである。このスライダ30の傾向は加えられた
電流に対するリニアモータ34の理想的でない応答によ
って生じるものである。
【0036】ステージ位置決めシステム20は、適当な
材料、例えば、鉄、アルミニウム、セラミックス、プラ
スチック等の材料から構成されていても良い。電子線リ
ソグラフィに適用するためには、動く物体は、セラミッ
クスやプラスチックのような非導電、非磁性材料ででき
ていることが好ましい。
材料、例えば、鉄、アルミニウム、セラミックス、プラ
スチック等の材料から構成されていても良い。電子線リ
ソグラフィに適用するためには、動く物体は、セラミッ
クスやプラスチックのような非導電、非磁性材料ででき
ていることが好ましい。
【0037】図7は本発明のステージ位置決めシステム
20が使用されている電子線リソグラフィシステム10
0の一部を示したものである。電子線露光システムは電
子線源102、電子線コラム104、所定の自由度(例
えば、3,6の自由度)を持ち、半導体ウエハWのよう
な試料を電子線コラム104に対して位置決めし、ウエ
ハを光学系に対して正確なアライメントをするためのス
テージを含んでいる。電子線コラム104は一般に、例
えば、コンデンサレンズ、アライメントステージ、レン
ズステージ、投影レンズ、偏向システムを含む、それぞ
れのステージを垂直方向に配置したものからなってい
る。露光システムでは、これらのステージのうち、1つ
の使用、あるいは1つまたは複数のステージを組み合わ
せて使用するものである。露光システムは、マスクによ
るパターンを物体の表面に投影するのに用いられてい
る。電子線露光システム100は、ガス分子が電子線を
乱すことがないように真空状態で作動される。
20が使用されている電子線リソグラフィシステム10
0の一部を示したものである。電子線露光システムは電
子線源102、電子線コラム104、所定の自由度(例
えば、3,6の自由度)を持ち、半導体ウエハWのよう
な試料を電子線コラム104に対して位置決めし、ウエ
ハを光学系に対して正確なアライメントをするためのス
テージを含んでいる。電子線コラム104は一般に、例
えば、コンデンサレンズ、アライメントステージ、レン
ズステージ、投影レンズ、偏向システムを含む、それぞ
れのステージを垂直方向に配置したものからなってい
る。露光システムでは、これらのステージのうち、1つ
の使用、あるいは1つまたは複数のステージを組み合わ
せて使用するものである。露光システムは、マスクによ
るパターンを物体の表面に投影するのに用いられてい
る。電子線露光システム100は、ガス分子が電子線を
乱すことがないように真空状態で作動される。
【0038】電子源(ガン)102は、軸Aに沿ってZ
方向に、照明開口106を通じて、電子線Eを照射す
る。照明開口106を通過すると、電子線Eは、コンデ
ンサとして働くマグネットレンズによりコリメート(平
行化)される。電子線Eはの形は、ガウス分布でも良い
し、あるいは、矩形、三角形のような単純な幾何形状で
あっても良いし、あるいは、ウエハWに照射されるパタ
ーンの一部であっても良い。電子線は、最終的なウエハ
パターンが形成された領域を通過する。電子線コラム1
04は、電子線EをウエハW上に焦点を結ばせる磁場あ
るいは静電レンズ108と、フォトレジストが塗布され
たウエハの特定部分に電子線を向ける偏向器110を含
む。
方向に、照明開口106を通じて、電子線Eを照射す
る。照明開口106を通過すると、電子線Eは、コンデ
ンサとして働くマグネットレンズによりコリメート(平
行化)される。電子線Eはの形は、ガウス分布でも良い
し、あるいは、矩形、三角形のような単純な幾何形状で
あっても良いし、あるいは、ウエハWに照射されるパタ
ーンの一部であっても良い。電子線は、最終的なウエハ
パターンが形成された領域を通過する。電子線コラム1
04は、電子線EをウエハW上に焦点を結ばせる磁場あ
るいは静電レンズ108と、フォトレジストが塗布され
たウエハの特定部分に電子線を向ける偏向器110を含
む。
【0039】図7の電子線露光システムに示したよう
に、レンズ装置は電子線コラム104の軸Aに沿って配
置される。分かり易くするために、システムの一部は除
去している。回路パターンが形成されているレチクル
(マスク)Rはレンズ装置108の間に配置されてい
る。レチクルRは集積回路の層のパターンを記録したも
のである。電子線EはレチクルRの部分を通じてステッ
プし、これの繰り返しにより集積回路のパターンを形成
するようになっている。電子線EがレチクルRを通過す
ると、電子線はレチクルに含まれている情報をパターン
化されることになる。
に、レンズ装置は電子線コラム104の軸Aに沿って配
置される。分かり易くするために、システムの一部は除
去している。回路パターンが形成されているレチクル
(マスク)Rはレンズ装置108の間に配置されてい
る。レチクルRは集積回路の層のパターンを記録したも
のである。電子線EはレチクルRの部分を通じてステッ
プし、これの繰り返しにより集積回路のパターンを形成
するようになっている。電子線EがレチクルRを通過す
ると、電子線はレチクルに含まれている情報をパターン
化されることになる。
【0040】本発明によるEUV光リソグラフィシステ
ム120の実施例を図8に模式化して示している。実施
例は、露光の照明光としてUV範囲の光を用いた投影露
光装置である。EUV光は波長が、0.1〜400nm
の間の波長を持つもので、好ましくは1〜50nm程度
が望ましい。投影像は、像光学系システム122を用い
たもので、ウエハ126上のマスク124によるパター
ンの縮小像を形成するものである。図8において、像光
学系システム120の光軸はZ方向に伸びている。Y方
向は紙面に垂直な方向である。
ム120の実施例を図8に模式化して示している。実施
例は、露光の照明光としてUV範囲の光を用いた投影露
光装置である。EUV光は波長が、0.1〜400nm
の間の波長を持つもので、好ましくは1〜50nm程度
が望ましい。投影像は、像光学系システム122を用い
たもので、ウエハ126上のマスク124によるパター
ンの縮小像を形成するものである。図8において、像光
学系システム120の光軸はZ方向に伸びている。Y方
向は紙面に垂直な方向である。
【0041】上に述べたように、ウエハ126上に映さ
れるパターンは反射型マスク124により決められる。
これは、マスクステージ128の上に配置されている。
ウエハ126はウエハステージ130の上に載せられて
いる。典型的には、露光はステップ・スキャンによりな
される。ここで、マスクパターンは連続的な部分(露光
領域)に投影され、露光の間、マスクステージ128と
ウエハステージ130はそれぞれ相対的に位相を合わせ
て移動する。マスク124とウエハ126をスキャンす
るには、像光学システム122に対して1つの自由度に
対して行なわれる。マスク124の全ての領域をウエハ
のそれぞれの領域に露光すると、ウエハ126のダイ上
へのパターンの露光は完了する。次に、露光はウエハ1
26の次のダイへとステップして進む。
れるパターンは反射型マスク124により決められる。
これは、マスクステージ128の上に配置されている。
ウエハ126はウエハステージ130の上に載せられて
いる。典型的には、露光はステップ・スキャンによりな
される。ここで、マスクパターンは連続的な部分(露光
領域)に投影され、露光の間、マスクステージ128と
ウエハステージ130はそれぞれ相対的に位相を合わせ
て移動する。マスク124とウエハ126をスキャンす
るには、像光学システム122に対して1つの自由度に
対して行なわれる。マスク124の全ての領域をウエハ
のそれぞれの領域に露光すると、ウエハ126のダイ上
へのパターンの露光は完了する。次に、露光はウエハ1
26の次のダイへとステップして進む。
【0042】露光のための照明光として使用するEUV
光は大気中では低い透過性を持っている。そのため、E
UV光が通過する光経路は真空チャンバ132に囲まれ
ているのが好ましい。真空チャンバ132は適当な真空
ポンプ134を用いて真空に保たれている。EUV光は
レーザプラズマX線源によって生成されたものであるこ
とが望ましい。レーザプラズマX線源はレーザ源136
(励起光源として作用)とキセノンガス供給装置138
からなっている。レーザプラズマX線源は真空チャンバ
140によって取り囲まれている。レーザプラズマX線
源によって生成されたEUV光は真空チャンバ140の
窓141を通過する。窓141はレーザプラズマX線源
が妨害を受けずに通過できるような開口としても構わな
い。真空チャンバ140は真空チャンバ132から分離
されていることが望ましい。これは、キセノンガスを放
出するノズル142によりゴミが生成される傾向がある
からである。
光は大気中では低い透過性を持っている。そのため、E
UV光が通過する光経路は真空チャンバ132に囲まれ
ているのが好ましい。真空チャンバ132は適当な真空
ポンプ134を用いて真空に保たれている。EUV光は
レーザプラズマX線源によって生成されたものであるこ
とが望ましい。レーザプラズマX線源はレーザ源136
(励起光源として作用)とキセノンガス供給装置138
からなっている。レーザプラズマX線源は真空チャンバ
140によって取り囲まれている。レーザプラズマX線
源によって生成されたEUV光は真空チャンバ140の
窓141を通過する。窓141はレーザプラズマX線源
が妨害を受けずに通過できるような開口としても構わな
い。真空チャンバ140は真空チャンバ132から分離
されていることが望ましい。これは、キセノンガスを放
出するノズル142によりゴミが生成される傾向がある
からである。
【0043】レーザ源136は紫外線以下の波長を持つ
レーザ光を発生させるものである。例えば、YAGレー
ザ、エキシマレーザが使用される。レーザ源136から
のレーザ光は集光され、ノズル142から放出されたキ
セノンガス(キセノンガス供給装置138から供給され
ている)の流れに照射される。キセノンガスの流れに照
射すると、キセノンガスを十分に暖め、プラズマを生じ
させる。レーザで励起されたキセノンガスの分子が低い
エネルギ状態に落ちる時、EUV光の光子が放出され
る。
レーザ光を発生させるものである。例えば、YAGレー
ザ、エキシマレーザが使用される。レーザ源136から
のレーザ光は集光され、ノズル142から放出されたキ
セノンガス(キセノンガス供給装置138から供給され
ている)の流れに照射される。キセノンガスの流れに照
射すると、キセノンガスを十分に暖め、プラズマを生じ
させる。レーザで励起されたキセノンガスの分子が低い
エネルギ状態に落ちる時、EUV光の光子が放出され
る。
【0044】放物面ミラー144は、キセノンガス放出
部の近傍に配置されている。放物面ミラー144はプラ
ズマによって生成されたEUV光を集光する。放物面ミ
ラー144は集光光学系を構成し、ノズル142からの
キセノンガスが放出される位置の近傍に焦点位置がくる
ように配置されている。放物面ミラー144はEUV光
を反射するのに適当な多層膜からなっている。多層膜
は、典型的には、放物面ミラー144の凹面の表面に備
えられている。EUV光は多層膜で反射し、真空チャン
バ140の窓141を通じて集光ミラー146へと達す
る。集光ミラー146は反射型マスク124へとEUV
光を集光、反射させる。集光ミラー146はまた、EU
B光を反射する多層膜からなっている。EUV光は集光
ミラー146で反射され、反射型マスク124の所定の
部分を照明する。ここで言及されたように、放物面ミラ
ー144と集光ミラー146は図8に示した装置の照明
システムを構成する。
部の近傍に配置されている。放物面ミラー144はプラ
ズマによって生成されたEUV光を集光する。放物面ミ
ラー144は集光光学系を構成し、ノズル142からの
キセノンガスが放出される位置の近傍に焦点位置がくる
ように配置されている。放物面ミラー144はEUV光
を反射するのに適当な多層膜からなっている。多層膜
は、典型的には、放物面ミラー144の凹面の表面に備
えられている。EUV光は多層膜で反射し、真空チャン
バ140の窓141を通じて集光ミラー146へと達す
る。集光ミラー146は反射型マスク124へとEUV
光を集光、反射させる。集光ミラー146はまた、EU
B光を反射する多層膜からなっている。EUV光は集光
ミラー146で反射され、反射型マスク124の所定の
部分を照明する。ここで言及されたように、放物面ミラ
ー144と集光ミラー146は図8に示した装置の照明
システムを構成する。
【0045】反射型マスク124は、上に述べた様に多
層膜のEUVを反射する表面を持っているので、マスク
124の説明はここでは省略する。マスク124でEU
V光が反射されると、EUV光はマスク124からのパ
ターンデータにより「パターン化」される。パターン化
されたEUV光は投影システム12を通じてウエハ12
6に達する。
層膜のEUVを反射する表面を持っているので、マスク
124の説明はここでは省略する。マスク124でEU
V光が反射されると、EUV光はマスク124からのパ
ターンデータにより「パターン化」される。パターン化
されたEUV光は投影システム12を通じてウエハ12
6に達する。
【0046】1つの実施例として、像光学システム12
2は、4つの反射ミラーからなっている。つまり、凹面
第1ミラー150a、凸面第2ミラー150b、凸面第
3ミラー150c、凹面第4ミラー150d。それぞれ
のミラー、150a〜150dは多層膜(EUV光を反
射)が備えられている。本実施例のミラー150a〜1
50dは、それぞれの光軸が互いに一致するように配置
されている。
2は、4つの反射ミラーからなっている。つまり、凹面
第1ミラー150a、凸面第2ミラー150b、凸面第
3ミラー150c、凹面第4ミラー150d。それぞれ
のミラー、150a〜150dは多層膜(EUV光を反
射)が備えられている。本実施例のミラー150a〜1
50dは、それぞれの光軸が互いに一致するように配置
されている。
【0047】それぞれのミラー150a〜150bによ
って決められる光路が妨げられるのを防ぐために、第1
ミラー150a、第2ミラー150b、第4ミラー15
0dには、適当な切り欠きを設けている。(図8におい
て、ミラーの破線部分はそれぞれの切り欠き部分を示し
ている。)反射型マスク18により反射されたEUV光
は第1ミラー150cから第4ミラー150dまで順次
反射されて、マスクパターンの縮小された像を形成す
る。この場合、ウエハ126の露光域内で所定の縮小率
β(例えば、1/4、1/5、1/6)で像が形成され
る。投影システム122は、像の側(ウエハの側)でテ
レセントリックになるようになっている。
って決められる光路が妨げられるのを防ぐために、第1
ミラー150a、第2ミラー150b、第4ミラー15
0dには、適当な切り欠きを設けている。(図8におい
て、ミラーの破線部分はそれぞれの切り欠き部分を示し
ている。)反射型マスク18により反射されたEUV光
は第1ミラー150cから第4ミラー150dまで順次
反射されて、マスクパターンの縮小された像を形成す
る。この場合、ウエハ126の露光域内で所定の縮小率
β(例えば、1/4、1/5、1/6)で像が形成され
る。投影システム122は、像の側(ウエハの側)でテ
レセントリックになるようになっている。
【0048】反射型マスク124は可動のレチクルステ
ージ128によって少なくともX−Y平面内で支持され
ている。ウエハ126は、好ましくは、X,Y,Z方向
に可動ウエハステージ130によって支持されている。
ウエハ上のダイを露光するには、EUV光が照明システ
ムによりマスク124の所定の領域に照射され、マスク
124とウエハ126は像光システム122に対して、
像光学システム122の縮小率に従った所定の速度で動
く。このようにして、マスクパターンはウエハ126上
の所定の露光範囲(ダイに対して)に露光される。
ージ128によって少なくともX−Y平面内で支持され
ている。ウエハ126は、好ましくは、X,Y,Z方向
に可動ウエハステージ130によって支持されている。
ウエハ上のダイを露光するには、EUV光が照明システ
ムによりマスク124の所定の領域に照射され、マスク
124とウエハ126は像光システム122に対して、
像光学システム122の縮小率に従った所定の速度で動
く。このようにして、マスクパターンはウエハ126上
の所定の露光範囲(ダイに対して)に露光される。
【0049】露光の際には、ウエハ126上のレジスト
から生じるガスが像光学システム122のミラー150
a〜150dに影響を与えないように、ウエハ126は
パーティション152の後ろに配置されることが望まし
い。パーティション152は開口152aを持ってお
り、それを通じてEUV光がミラー150dからウエハ
126へと照射される。パーティション152内の空間
は真空ポンプ154により真空排気されている。このよ
うに、レジストに照射することにより生じるガス状のゴ
ミがミラー150a〜150dあるいはマスク126に
付着するのを防ぐ。それゆえ、これらの光学性能の悪化
を防いでいる。
から生じるガスが像光学システム122のミラー150
a〜150dに影響を与えないように、ウエハ126は
パーティション152の後ろに配置されることが望まし
い。パーティション152は開口152aを持ってお
り、それを通じてEUV光がミラー150dからウエハ
126へと照射される。パーティション152内の空間
は真空ポンプ154により真空排気されている。このよ
うに、レジストに照射することにより生じるガス状のゴ
ミがミラー150a〜150dあるいはマスク126に
付着するのを防ぐ。それゆえ、これらの光学性能の悪化
を防いでいる。
【0050】本発明によるステージ位置決めシステム2
0は多くの利点を持っていることが理解されるはすであ
る。重要なことは、このシステム20は、マグネットト
ラック40、44の動きなしに、サポートプラットフォ
ーム33を動かすことができる点である。何故なら、マ
グネットトラック40,44は露光中には静止してお
り、磁場の移動は最小限になっている。また、第1方向
屁のスライダーの動きによる振動も除去される。更に、
マグネットトラック40、44は実質的にシールドされ
ており、磁場と電子線との干渉を防いでいる。その結
果、ステージ位置決めシステム20は電子線あるいはE
UV光リソグラフィーシステムにおいて半導体ウエハま
たはレチクルの位置決めをするのに、正確で信頼性の高
いものとなっている。
0は多くの利点を持っていることが理解されるはすであ
る。重要なことは、このシステム20は、マグネットト
ラック40、44の動きなしに、サポートプラットフォ
ーム33を動かすことができる点である。何故なら、マ
グネットトラック40,44は露光中には静止してお
り、磁場の移動は最小限になっている。また、第1方向
屁のスライダーの動きによる振動も除去される。更に、
マグネットトラック40、44は実質的にシールドされ
ており、磁場と電子線との干渉を防いでいる。その結
果、ステージ位置決めシステム20は電子線あるいはE
UV光リソグラフィーシステムにおいて半導体ウエハま
たはレチクルの位置決めをするのに、正確で信頼性の高
いものとなっている。
【0051】本発明の目的から離れない範囲において、
上記の構成、方法は様様な変更が可能である。それゆ
え、上記の記述および図で示した全ての事柄は、一例と
解釈し、限定されるものではない。
上記の構成、方法は様様な変更が可能である。それゆ
え、上記の記述および図で示した全ての事柄は、一例と
解釈し、限定されるものではない。
【図1】図1は本発明のステージ位置決めシステムの斜
視図である。
視図である。
【図2】図2は細部を示すため一部を取り除いた形での
図1の位置決めシステムの斜視図である。
図1の位置決めシステムの斜視図である。
【図3】図3は図2の3−3で示す線を含む断面を示す
図である。
図である。
【図4】図4は図1の位置決めシステムのスライダを示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図5】図5は細部を示すためにサポートプラットフォ
ームを除去した図1の位置決めシステムのスライダとX
リニアモータの一部を示す斜視図である。
ームを除去した図1の位置決めシステムのスライダとX
リニアモータの一部を示す斜視図である。
【図6】図6は図1の位置決めシステムのサポートプラ
ットフォームを示す斜視図である。
ットフォームを示す斜視図である。
【図7】図7は細部を示すために一部を取り除いた電子
線露光装置の一部を示す斜視図である。
線露光装置の一部を示す斜視図である。
【図8】図8は本発明の位置決めシステムを用いたEUV
リソグラフィを示した図である。
リソグラフィを示した図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/30 503A Fターム(参考) 2F078 CA02 CB13 CC07 5F031 CA02 CA07 HA02 HA13 HA23 HA53 JA06 JA28 KA06 LA04 LA08 MA27 NA02 NA14 NA18 5F046 CC18 GA11 GA12 GA14 5F056 CB21 EA14
Claims (36)
- 【請求項1】処理される物体を支える静止フレームと、
前記静止フレームに対して第1の方向に可動なスライダ
と、前記スライダに係合され前記第1の方向に移動可能
であり第2の方向に動くことが可能なように前記スライ
ダに係合されたサポートプラットフォームと、第1マグ
ネット装置と第1コイル装置からなり前記第1マグネッ
ト装置と共に前記スライダを前記第1の方向へ動かす第
1リニアモータと、第2マグネット装置と前記サポート
プラットフォームに取り付けられた第2コイル装置から
なり前記第2マグネット装置と共に前記サポートプラッ
トフォームを前記第2の方向へ動かす第2リニアモータ
と、からなるステージ位置決めシステムであって、透磁
性を持つ前記ステージ位置決めシステムの要素が物体の
処理の間静止していることを特徴とするステージ位置決
め装置。 - 【請求項2】前記第1マグネット装置は前記フレームに
係合しており、前記第2方向に長さに等しい距離だけは
平行に離れて置かれたマグネットトラックからなってい
ることを特徴とする請求項1に記載のステージ位置決め
システム。 - 【請求項3】前記第1コイル装置は少なくとも2つのコ
イルからなっていることを特徴とする請求項2に記載の
ステージ位置決めシステム。 - 【請求項4】前記第2マグネット装置は前記スライダの
軸に沿って伸びるマグネットトラックからなり、前記第
2コイル装置は少なくとも1つのコイルからなることを
特徴とする請求項1に記載のステージ位置決めシステ
ム。 - 【請求項5】前記第1および第2マグネット装置はそれ
ぞれがマグネットシールドを含むものであることを特徴
とする請求項1に記載のステージ位置決めシステム。 - 【請求項6】前記スライダは、前記スライダの軸に平行
に伸びている一対のシャフトからなり、前記サポートプ
ラットフォームはシャフト上に可動に係合された一対の
スリーブを含むことを特徴とする請求項1に記載のステ
ージ位置決めシステム。 - 【請求項7】前記一対のスリーブは前記一対のシャフト
に対して前記一対のスリーブを支持するガスベアリング
を含むものであることを特徴とする請求項6に記載のス
テージ位置決めシステム。 - 【請求項8】前記フレームはレールと前記スライダと前
記レールに対して動くスライダブロックを含むものであ
ることを特徴とする請求項1に記載のステージ位置決め
システム。 - 【請求項9】前記スライダブロックはローラベアリン
グ、ニードルベアリング、玉ベアリングあるいはガスベ
アリングから選ばれたベアリングを含むことを特徴とす
る請求項8に記載のステージ位置決めシステム。 - 【請求項10】前記フレームはレール、スライダ、前記
レールに対して可動なスライダブロックを含み、前記ス
ライダブロックは更にローラベアリング、ニードルベア
リング、玉ベアリングあるいはガスベアリングから選ば
れたベアリングを含むことを特徴とする請求項7に記載
のステージ位置決めシステム。 - 【請求項11】物体にパターンを写すための電子線リソ
グラフィシステムであって、電子線を発生させるための
電子線源と、マスク上のパターンを物体の表面に投影す
る投影システムと、前記物体を保持し位置決めするステ
ージ位置決めシステムとからなり、前記ステージ位置決
めシステムは、処理される物体を保持する静止フレーム
と、前記静止フレームに対して第1の方向に可動なスラ
イダと、前記スライダに係合し前記第1の方向に可動
で、第2の方向へ可動なように前記スライダに係合され
たプラットフォームと、第1マグネット装置と、前記第
1マグネット装置とともに前記スライダを前記第1の方
向に動かす第1コイル装置とからなる第1リニアモータ
と、第2マグネット装置と、前記サポートプラットフォ
ームに係合され前記第2マグネット装置と共に前記サポ
ートプラットフォームを前記第2の方向に動かせる第2
コイル装置からなる第2リニアモータと、からなるシス
テムであって、物体の処理の間、磁性体を持っている前
記ステージ位置決め装置の要素は静止していることを特
徴とする電子線リソグラフィシステム。 - 【請求項12】前記第1マグネット装置は前記フレーム
に係合され、前記スライダの長さに等しい距離だけ前記
第2の方向へ空間を空けて配置された2つの平行なマグ
ネットトラックからなることを特徴とする請求項11に
記載の電子線リソグラフィシステム。 - 【請求項13】前記第1コイル装置は少なくとも2つの
コイルからなることを特徴とする請求項12に記載の電
子線リソグラフィシステム。 - 【請求項14】前記第2マグネット装置は前記スライダ
の軸に沿って伸びるマグネットトラックからなり、前記
第2コイル装置は少なくとも1つのコイルからなること
を特徴とする請求項11に記載の電子線リソグラフィシ
ステム。 - 【請求項15】前記第1および第2マグネット装置のそ
れぞれは、マグネットシールドを含んでいることを特徴
とする請求項11に記載の電子線リソグラフィシステ
ム。 - 【請求項16】前記スライダは前記スライダの軸に平行
に伸びる一対のシャフトからなり、前記サポートプラッ
トフォームは前記シャフト上に移動可能に載せられた一
対のスリーブを含むものであることを特徴とする請求項
11に記載の電子線リソグラフィシステム。 - 【請求項17】前記一対のスリーブは前記一対のシャフ
トに対して前記一対のスリーブを支持するガスベアリン
グを含むことを特徴とする請求項16に記載の電子線リ
ソグラフィシステム。 - 【請求項18】前記フレームは更に、前記スライダの軸
に対して直角に伸びている少なくとも1つのレールから
なることを特徴とする請求項17に記載の電子線リソグ
ラフィシステム。 - 【請求項19】前記レールは更にローラベアリング、ニ
ードルベアリング、エアベアリング、あるいは玉ベアリ
ングからなることを特徴とする請求項18に記載の電子
線リソグラフィシステム。 - 【請求項20】前記サポートプラットフォームが前記第
2の方向へ動く時に前期物体は前記電子線に露光される
ことを特徴とする請求項11に記載の電子線リソグラフ
ィシステム。 - 【請求項21】前記スライダが前記第1の方向に動いて
いる時には、前記物体は前記電子線に露光されていない
ことを特徴とする請求項11に記載の電子線リソグラフ
ィシステム。 - 【請求項22】パターンを物体に投影するEUV光リソ
グラフィシステムであって、EUV光を生成するEUV
光源と、マスク上のパターンを物体の表面に投影する投
影システムと、前記物体を支持し位置決めするステージ
位置決めシステムとからなり、前記位置決めシステム
は、静止フレームと、前記フレームに対して第1の方向
に可動なスライダと、前記スライダに係合し前記第1の
方向に可動で前記スライダに前記第2の方向へ動くこと
が可能なように係合されているサポートプラットフォー
ムと、前記第1マグネット装置と、前記第1マグネット
装置と共に前記スライダを前記第1の方向に動かす第1
コイル装置とからなる第1リニアモータと、第2マグネ
ット装置と、前記サポートプラットフォームに係合され
前記第2マグネット装置と共に前記サポートプラットフ
ォームを前記第2の方向へ動かす第2コイル装置とから
なる第2リニアモータと、からなることを特徴とするE
UV光リソグラフィシステム。 - 【請求項23】前記第1マグネット装置は前記フレーム
に係合され、前記スライダの長さに等しい距離だけ前記
第2の方向に空間を空けて平行に配置された2つのマグ
ネットトラックからなることを特徴とする請求項22に
記載のEUV光リソグラフィシステム。 - 【請求項24】前記第1コイル装置は少なくとも2つの
コイルからなっていることを特徴とする請求項23に記
載のEUV光リソグラフィシステム。 - 【請求項25】前記第2マグネット装置は前記スライダ
の軸に沿って伸びるマグネットトラックからなり、前記
第2コイル装置は少なくとも1つのコイルからなること
を特徴とする請求項22に記載のEUV光リソグラフィ
システム。 - 【請求項26】前記スライダは前記スライダの軸に平行
に伸びた一対の軸からなり、前記サポートプラットフォ
ームは前記シャフトに可動的に係合された一対のスリー
ブを含むことを特徴とする請求項22に記載のEUV光
リソグラフィシステム。 - 【請求項27】前記一対のスリーブは前記一対のシャフ
トに対して前記一対のスリーブを支持するためのガスベ
アリングを含むことを特徴とする請求項26に記載のE
UV光リソグラフィシステム。 - 【請求項28】サポートプラットフォームが前記第2の
方向に動く時に前記物体は前記EUV光を露光すること
を特徴とする請求項22に記載のEUV光リソグラフィ
システム。 - 【請求項29】前記スライダが前記第1の方向に動く時
には前記物体は前記EUV光に露光されないことを特徴
とする請求項22に記載のEUV光リソグラフィシステ
ム。 - 【請求項30】リソグラフィシステムにおいて物体を露
光する方法であって、前記物体が第1の方向に位置決め
されるように静止フレームに対して可動的に係合された
スライダと、サポートプラットフォーム上に置かれた前
記物体が第2の方向に位置決めされるように、前記スラ
イダに可動的に係合された前記サポートプラットフォー
ムと、前記第1の方向に前記スライダを動かす第1リニ
アモータと、前記第2の方向に前記サポートプラットフ
ォームを動かす第2リニアモータと、を備え、前記第1
の方向の所望の位置に前記スライダを動かすことにより
前記サポートプラットフォームを位置決めし、前記サポ
ートプラットフォームが前記第2の方向に動く時に前記
物体を光あるいは電子線に露光することを特徴とする露
光方法。 - 【請求項31】前記スライダを前記第1の方向の複数の
所定の位置へ動かすことにより前記サポートプラットフ
ォームの位置決めを繰り返し、それぞれの連続する前記
スライダの前記第1の方向への位置決めの後、前記サポ
ートプラットフォームが前記第2の方向に移動して、前
記物体が光または電子線により露光されることを特徴と
する請求項30に記載の露光方法。 - 【請求項32】前記第1リニアモータが前記フレームに
係合されている第1マグネット装置と、前記スライダの
長さに等しい距離を前記第2の方向に隔てて配置された
2つのの並行なマグネットトラックからなっており、第
1コイル装置は少なくとも2つのコイルからなり、それ
ぞれのコイルは前記スライダの端から外へ向かって伸び
ていることを特徴とする請求項30に記載の露光方法。 - 【請求項33】前記第2リニアモータは前記スライダに
係合された第2マグネット装置と、前記スライダの軸に
沿って伸びるマグネットトラックからなり、第2コイル
装置は少なくとも1つのコイルからなるものであること
を特徴とする請求項30に記載の露光方法。 - 【請求項34】前記スライダは前記スライダの軸に平行
に伸びている一対のシャフトからなり、前記サポートプ
ラットフォームは前記シャフト上に可動的に係合された
一対のスリーブを含むことを特徴とする請求項30に記
載の露光方法。 - 【請求項35】前記一対のスリーブは前記一対のシャフ
トに対して、前記一対のスリーブを支持するガスベアリ
ングを含むものであることを特徴とする請求項34に記
載の露光方法。 - 【請求項36】前記フレームはレールとスライダからな
っており、スライダブロックは前記レールと組み合わさ
れており、前記スライダブロックはローラベアリング、
ニードルベアリング、玉ベアリングあるいはガスベアリ
ングから選ばれたベアリングからなることを特徴とする
請求項35に記載の露光方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/731,934 US20030230729A1 (en) | 2000-12-08 | 2000-12-08 | Positioning stage with stationary and movable magnet tracks |
US09/731934 | 2001-03-02 | ||
US09/796,641 US6753534B2 (en) | 2000-12-08 | 2001-03-02 | Positioning stage with stationary and movable magnet tracks |
US09/796641 | 2001-03-02 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002261000A true JP2002261000A (ja) | 2002-09-13 |
Family
ID=27112328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001372128A Pending JP2002261000A (ja) | 2000-12-08 | 2001-12-06 | 位置決めステージおよび露光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6753534B2 (ja) |
JP (1) | JP2002261000A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101807010A (zh) * | 2010-03-19 | 2010-08-18 | 清华大学 | 纳米精度六自由度磁浮微动台及应用 |
JP2013102086A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Rohm Co Ltd | 半導体ウエハ検査装置 |
JP2017073501A (ja) * | 2015-10-08 | 2017-04-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | ステージ装置および荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2018129356A (ja) * | 2017-02-07 | 2018-08-16 | ピー・エス・シー株式会社 | Xyステージ移動機構 |
KR20220005834A (ko) * | 2020-07-07 | 2022-01-14 | 디앤에이 주식회사 | 파티클 제거용 기판이송장치 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030230729A1 (en) * | 2000-12-08 | 2003-12-18 | Novak W. Thomas | Positioning stage with stationary and movable magnet tracks |
US7598509B2 (en) * | 2004-11-01 | 2009-10-06 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
JP3559971B2 (ja) * | 2001-12-11 | 2004-09-02 | 日産自動車株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US7440147B2 (en) * | 2002-01-19 | 2008-10-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical scanning apparatus having self-propelled light bar assembly |
US6888289B2 (en) * | 2002-07-16 | 2005-05-03 | Baldor Electric Company | Multi-axes, sub-micron positioner |
JP4480960B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2010-06-16 | 東北パイオニア株式会社 | 支持ユニット並びにその支持ユニットを用いた移動テーブル装置及び直動案内装置 |
EP1524556A1 (en) * | 2003-10-17 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and positioning system |
US7405396B2 (en) * | 2005-05-13 | 2008-07-29 | Applera Corporation | Sample handling mechanisms and methods for mass spectrometry |
JP2009016385A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-22 | Canon Inc | ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
CN101656224B (zh) * | 2009-07-29 | 2011-09-07 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 基板夹持机构 |
CN102798593B (zh) * | 2012-07-18 | 2016-02-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光学测试系统 |
US9785051B2 (en) * | 2012-10-15 | 2017-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Actuation mechanism, optical apparatus, lithography apparatus and method of manufacturing devices |
CN103604028B (zh) * | 2013-11-25 | 2014-12-24 | 东莞华中科技大学制造工程研究院 | 串联式精密定位一维平台 |
KR102327286B1 (ko) * | 2014-02-20 | 2021-11-16 | 인테벡, 인코포레이티드 | 기판의 양면 처리를 위한 시스템 및 방법 |
WO2016106047A1 (en) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | The Regents Of The University Of Michigan | Vibration-assisted positioning stage |
WO2017079232A1 (en) * | 2015-11-02 | 2017-05-11 | The Regents Of The University Of Michigan | Axially compliant bearing for precision positioning |
US11231070B2 (en) | 2015-11-02 | 2022-01-25 | The Regents Of The University Of Michigan | Axially compliant bearing for precision positioning |
JP6602465B2 (ja) * | 2017-02-24 | 2019-11-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板キャリア及びマスクキャリアの位置決め装置、基板キャリア及びマスクキャリアの搬送システム、並びにそのための方法 |
JP6868471B2 (ja) * | 2017-05-31 | 2021-05-12 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
DE102017216679A1 (de) | 2017-09-20 | 2019-03-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
US20200286764A1 (en) * | 2017-09-29 | 2020-09-10 | Onto Innovation, Inc. | High resolution stage positioner |
DE102018117130A1 (de) * | 2018-07-16 | 2020-01-16 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Beschichtungsanordnung und Verfahren |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5485678A (en) | 1977-12-20 | 1979-07-07 | Canon Inc | High accuracy alignment method for air bearing guide system xy stage |
US4417770A (en) | 1981-09-21 | 1983-11-29 | Control Data Corporation | High vacuum compatible air bearing stage |
JPS6130346A (ja) | 1984-07-23 | 1986-02-12 | Omron Tateisi Electronics Co | 静圧空気浮上ステ−ジ |
US4916340A (en) | 1988-01-22 | 1990-04-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Movement guiding mechanism |
JP2506170B2 (ja) | 1988-10-18 | 1996-06-12 | アルプス電気株式会社 | X−yステ―ジ |
JP2960423B2 (ja) | 1988-11-16 | 1999-10-06 | 株式会社日立製作所 | 試料移動装置及び半導体製造装置 |
JP3695542B2 (ja) | 1994-02-23 | 2005-09-14 | 日本トムソン株式会社 | リニア電磁アクチュエータを具備したxy駆動装置 |
US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JPH08323567A (ja) | 1995-05-31 | 1996-12-10 | Ntn Corp | Xyテーブル |
JP3709896B2 (ja) | 1995-06-15 | 2005-10-26 | 株式会社ニコン | ステージ装置 |
JP3548353B2 (ja) * | 1996-10-15 | 2004-07-28 | キヤノン株式会社 | ステージ装置およびこれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
US6355994B1 (en) * | 1999-11-05 | 2002-03-12 | Multibeam Systems, Inc. | Precision stage |
US6583597B2 (en) * | 2000-07-07 | 2003-06-24 | Nikon Corporation | Stage apparatus including non-containing gas bearings and microlithography apparatus comprising same |
-
2001
- 2001-03-02 US US09/796,641 patent/US6753534B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-12-06 JP JP2001372128A patent/JP2002261000A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101807010A (zh) * | 2010-03-19 | 2010-08-18 | 清华大学 | 纳米精度六自由度磁浮微动台及应用 |
JP2013102086A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Rohm Co Ltd | 半導体ウエハ検査装置 |
JP2017073501A (ja) * | 2015-10-08 | 2017-04-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | ステージ装置および荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2018129356A (ja) * | 2017-02-07 | 2018-08-16 | ピー・エス・シー株式会社 | Xyステージ移動機構 |
KR20220005834A (ko) * | 2020-07-07 | 2022-01-14 | 디앤에이 주식회사 | 파티클 제거용 기판이송장치 |
KR102435306B1 (ko) * | 2020-07-07 | 2022-08-24 | 디앤에이 주식회사 | 파티클 제거용 기판이송장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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