TWI389602B - 電漿輻射源、形成電漿輻射之方法、自圖案化元件投射圖案至基板之裝置，及元件製造方法 - Google Patents

電漿輻射源、形成電漿輻射之方法、自圖案化元件投射圖案至基板之裝置，及元件製造方法 Download PDF

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Description

電漿輻射源、形成電漿輻射之方法、自圖案化元件投射圖案至基板之裝置，及元件製造方法
本發明係關於一種電漿輻射源；一種用於使用一電漿輻射源來形成一輻射光束之裝置，該裝置在一實施例中為一微影裝置；一種形成電漿輻射之方法及一種用於製造一元件之方法。
微影裝置係一種將所要之圖案施加至基板上(通常施加至基板之一目標部分上)的機器。於(例如)積體電路(IC)之製造中可使用微影裝置。在彼情況下，可使用一圖案化元件(或者稱為光罩或主光罩)以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至一基板(例如，矽晶圓)上之一目標部分(例如，包含一個晶粒或若干晶粒之部分)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而達成。一般而言，單一基板將含有被相繼圖案化之相鄰目標部分的網路。已知的微影裝置包括所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上而照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在一給定方向("掃描"方向)上經由輻射光束掃描圖案同時平行或反平行於此方向同步地掃描基板而照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上來將圖案自圖案化元件轉印至基板。
美國專利申請公開案US 2004－0105082描述使用電漿源以產生用以形成將圖案轉印至基板之經圖案化光束的輻 射。在一實施例中，描述電漿之Z自束(Z－pinch)效應如何影響輻射之產生。簡言之，Z自束涉及電漿電流與彼電漿電流所誘發之角向磁場(亦即，與垂直於電漿電流之平面中的圓相切地被引導之磁場)之相互作用。該角向磁場對電漿載運之放電電流產生力。將此力引導至放電之中心軸線。結果，具有電流之電漿被壓縮(自束)且來自電漿之輻射之強度歸因於被自束區之增加之焦耳(Joule)加熱而上升。此輻射可適合於EUV微影術。
在EUV微影裝置中，使用反射元件(例如，經成形以具有聚焦效應之鏡面等)以自Z自束電漿電流所發射之輻射形成光束，以該光束照明圖案化元件且自該圖案化元件將該經圖案化之光束投射至基板上。
除EUV輻射之外，Z自束電漿亦發射快離子。不幸地，此等快離子可能對該微影裝置中之反射元件造成損害。
需要(例如)減少對一使用Z自束電漿來產生一輻射光束之微影裝置中的光學元件之損害。
根據本發明之一態樣，提供一種電漿輻射源，其包含：一陽極及一陰極，其界定待在該陽極與該陰極之間產生一電漿電流的一區域；及一磁體，其經組態以在該區域中產生一磁場，該磁場具有沿在該陽極與該陰極之間的電漿電流之一方向而引導的至少一分量。
根據本發明之一態樣，提供一種用於自一圖案化元件投射一圖案至一基板上之裝置，該裝置包含： 一電漿輻射源，其包含：一陽極及一陰極，其界定待在該陽極與該陰極之間產生一電漿電流的一區域；及一磁體，其經組態以在該區域中產生之一磁場，該磁場具有沿在該陽極與該陰極之間的電漿電流之一方向而引導的至少一分量；及一照明系統，其經組態以自發射自該區域之輻射形成一輻射光束。
根據本發明之一態樣，提供一種產生輻射之方法，其包含：在一電漿區域中產生一電漿電流；在該電漿區域中施加一磁場，該磁場具有沿該電漿電流之一方向而引導之至少一分量；及自該電漿區域發射輻射。
根據本發明之一態樣，提供一種元件製造方法，其包含投射一經圖案化之輻射光束至一基板上，該方法包含：在一電漿區域中產生一電漿電流；在該電漿區域中施加一磁場，該磁場具有沿該電漿電流之一方向而引導之至少一分量；及使用一反射光學元件來自發射自電漿區域之輻射形成一輻射光束。
圖1示意性地描繪一根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包含：一照明系統(照明器)IL，其經組態以調節一輻射光束 B(例如，UV輻射或EUV輻射)；一支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐一圖案化元件(例如，光罩)MA且連接至一第一定位器PM，該第一定位器PM經組態以根據特定參數而準確地定位該圖案化元件；一基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持一基板(例如，塗佈有抗蝕劑之晶圓)W且連接至一第二定位器PW，該第二定位器PW經組態以根據特定參數而準確地定位該基板；及一投影系統(例如，反射型投影系統)PS，其經組態以將一由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投射至基板W之一目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合。
該支撐結構以取決於圖案化元件之定向、微影裝置之設計及諸如圖案化元件是否固持於真空環境中之其他條件的方式固持圖案化元件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化元件。支撐結構可為框架或台，(例如)其可視需要為固定的或可移動的。支撐結構可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統處於所要位置處。可認為本文中對術語"主光罩"或"光罩"之任何使用均與更通用之術語"圖案化元件"同義。
應將本文中所使用之術語"圖案化元件"廣義解釋為指代 可用以在一輻射光束之橫截面中賦予該輻射光束一圖案以在基板之一目標部分中產生一圖案的任何元件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可能不會精確對應於基板之目標部分中的所要圖案。大體而言，被賦予至輻射光束之圖案將對應於元件(諸如積體電路)中正在目標部分中形成之一特定功能層。
圖案化元件可為透射型或反射型的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影術中係熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例採用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將一圖案賦予由鏡面矩陣反射之輻射光束中。
本文中所使用之術語"投影系統"應廣義解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合，只要其適用於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸液之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文中對術語"投影透鏡"之任何使用與更通用之術語"投影系統"同義。
如此處所描繪，該裝置為反射型(例如，採用反射光罩)。或者，該裝置可為透射型(例如，採用透射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平臺)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上支撐結構)之類型。在該等"多平臺"機器 中，可並行使用額外台及/或支撐結構，或可在一或多個台及/或支撐結構上執行預備步驟同時將一或多個其他台及/或支撐結構用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可被具有相對較高之折射率的液體(例如，水)所覆蓋以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸液塗覆至微影裝置中之其他空間，例如，在光罩與投影系統之間的空間。浸沒技術在此項技術中係熟知的以用於增加投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語"浸沒"並不意謂將諸如基板之結構淹沒於液體中，而僅意謂在曝光期間液體位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自一輻射源SO接收一輻射光束。照明器IL可包含一經組態以調節輻射光束之角強度分布的調節器。大體而言，至少可調節照明器之瞳孔平面中之強度分布的外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱作σ－外(σ－outer)及σ－內(σ－inner))。另外，照明器IL可包含諸如積光器及聚光器之各種其他組件。照明器可用以調節輻射光束以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於固持在支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化元件(例如，光罩)MA上，且由圖案化元件圖案化。穿越圖案化元件MA後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之一目標部分C上。借助於第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測元件、線性編碼器或電容式感測器)，基板台WT可準確地移 動，(例如)以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，(例如)在自光罩庫以機械方式獲取之後或在掃描期間，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化元件MA。一般而言，支撐結構MT之移動可借助於形成第一定位器PM之部分的一長衝程模組(粗定位)及一短衝程模組(精定位)而實現。類似地，基板台WT之移動可使用形成第二定位器PW之部分的一長衝程模組及一短衝程模組而實現。在步進器(與掃瞄器相對)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至一短衝程致動器，或可為固定的。可使用圖案化元件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來使圖案化元件MA及基板W對準。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間(此等已知為劃道對準標記)中。類似地，當在圖案化元件MA上提供一個以上晶粒的情況下，圖案化元件對準標記可位於晶粒之間。
所描繪之裝置可用於以下模式中之至少一者中：1.在步進模式中，當將一被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投射至一目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著使基板台WT在X及/或Y方向上移位以使得可曝光一不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制了在單次靜態曝光中成像之目標部分C的大小。
2.在掃描模式中，當將一被賦予至輻射光束之圖案投射至一目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台 WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特徵來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制了在單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度決定了目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，當將一被賦予至輻射光束之圖案投射至一目標部分C上時使支撐結構MT基本上保持靜止以固持一可程式化圖案化元件，並移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常採用一脈衝式輻射源，且在基板台WT之每次移動之後或在掃描期間之連續輻射脈衝之間視需要更新可程式化圖案化元件。可易於將此操作模式應用至利用可程式化圖案化元件(諸如為以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)的無光罩微影術。
亦可採用以上所述使用模式之組合及/或變體或完全不同之使用模式。
圖2展示一Z自束電漿輻射源SO之部分。該輻射源包含一陽極20、一陰極22、一雷射24及一永久磁體26。另外，象徵性地展示一照明系統之一第一反射元件(例如，透鏡)28。陽極20及陰極22可為由一馬達(未圖示)驅動之可旋轉盤。為達成說明目的，永久磁體26經展示為馬蹄型形狀，但應瞭解，可使用任何形狀。永久磁體26經定位以產生大體上平行於在陽極20與陰極22之間的一區域中之電漿電流之方向而引導之磁場。雷射24被引導至包含錫(Sn)之 陰極22。
在操作中，以充足的強度將一電場施加於陽極20與陰極22之間以提供電漿之產生。對於此之條件本身為已知的。雷射24用於以具有使錫自陰極22或陽極20蒸發至在陽極20與陰極22之間的區域之效應的強度來照射陰極22或陽極20。此觸發方法更詳細地描述於美國專利申請公開案第US 2004－0105082號中，該案全部以引用的方式併入本文中。在陽極20與陰極22之間的區域中之電場產生穿過該區域之在陽極20與陰極22之間的電漿電流。電流中之電漿尤其在第一反射元件28之方向上發射EUV輻射。第一反射元件28將此輻射反射至照明系統中，輻射自該照明系統被施加至圖案化元件MA(未圖示)且投射至基板W(未圖示)上。
在電漿電流之區域中，發生Z自束效應，其加熱並集中電漿電流，且所得效應為強化了輻射並且降低了最大輻射強度之波長。Z自束效應係由放電電流誘發之角向磁場(亦即，具有環繞自陽極20至陰極22之放電電流的磁場線)之結果。在無軸向磁場的情況下，電漿將繼續收縮直至歸因於角向磁場之壓力被內部電漿壓力補償的時刻為止。此條件已知為Bennett平衡(Bennett equilibrium)。儘管就所發射之輻射而言此為所要之效應，但Z自束具有亦發射較多快離子的為吾人所不要之副效應。此等快離子可能對第一反射元件28造成損害且在一些狀況下亦對其他部件(例如，在照明系統中的)造成損害。深度電漿壓縮及因此產生的小電漿橫截面導致了電漿之高歐姆電阻R。儘管如此，放 電電路之總電感維持電流值I，從而導致在放電間隙中之電壓降落U＝I*R之實質增加。具有有效電荷Z之離子可由該磁場加速至高達具有動能E＝Z*U。舉例而言，在電流值I＝20 kA及電漿電阻R＝0.1－1歐姆處，可預期Z＝10之離子具有高達20－200 keV之動能。
提供磁體26以減小所發射之快離子之數目。磁體26提供沿電漿電流之方向引導之軸向磁場。例如建議使用在0.01特斯拉至1特斯拉之範圍內或選自該範圍的一磁場強度。來自磁體26之磁場被電漿俘獲且隨著電漿之自束一起被壓縮。此導致電漿中之額外內部壓力，此情況又早於無初始軸向磁場之情況而終止電漿壓縮。
在較大橫截面之電漿處，歐姆電阻較低，從而促使發生較低的電壓降落及所發射離子之較低動能。以此方式，所發射之快離子之數目亦受限制。藉由使用添加之軸向磁場，Z自束區域之縮合受限制且所發射之快離子之數目得以減小或消除。理想地，在即將產生電漿之區域中施加至少0.01特斯拉之外部(初始)軸向磁場強度以便產生對縮合之顯著限制。0.02特斯拉之外部軸向磁場強度可為有效值。此外，在並不十分強(例如小於1特斯拉)之外部軸向磁場強度下，EUV輻射之發射可不被顯著減少，以使得該源保持適合用於微影術中。
圖3展示另一Z自束電漿輻射源SO之部分。在此處一環形陽極30及一環形陰極32用於一具有隔離壁之腔室34中。電磁體之繞組36提供於腔室34周圍。提供氣體源37、38， 其耦接至陰極32以分別供應預電離之氣體及驅動氣體至陽極30與陰極32之間的區域中。
在操作中，將已電離之氣體饋入在陽極30與陰極32之間的區域中之腔室中。此與在陽極30與陰極32之間的電場結合而導致在腔室34中產生電漿電流。該電漿電流歸因於Z自束效應而收縮。電漿經由環形陽極30中之開口而將EUV輻射輻射至(例如)照明系統之第一反射元件28。經由繞組36施加電流以誘發一沿自陽極30至陰極32之放電電流方向而引導的軸向磁場。該軸向磁場減少電漿電流之收縮。
將瞭解，可以各種不同組態實現相同效應。舉例而言，儘管理想地來自外部磁體26之磁場在電漿電流區域中為嚴格軸向的，但亦可使用在電漿區域中具有在非軸向方向上之分量的場向量的磁場，只要該等場向量存在軸向分量。因此，一或多個磁體可位於不同於實例中所示位置的位置處。儘管已展示使用永久磁體及電磁體之實例，但應瞭解，可使用永久磁體與電磁體之組合，或電磁體可具備可磁化元件以集中磁場。可代替電磁體使用永久磁體或反之亦然。
儘管本文中可特定參考微影裝置在製造IC中之使用，但應理解，本文中所述之微影裝置可具有其他應用，諸如積體光學系統之製造、用於磁疇記憶體之引導及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。熟習此項技術者將瞭解，在該等替代應用之情境下，可認為本文中對術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用分別與更通用之術語"基 板"或"目標部分"同義。可在曝光之前或之後，在(例如)一軌道(通常將抗蝕劑層塗覆至基板且顯影所曝光之抗蝕劑的工具)、一度量工具及/或一檢驗工具中處理本文中所提及之基板。在適用時，可將本文中之揭示內容應用至該等及其他基板處理工具。另外，可對基板進行一次以上的處理，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指代已含有多個經處理層之基板。
儘管以上已特定參考在光學微影術之情境下對本發明之實施例的使用，但將瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影術)中，且在情境允許時，本發明不限於光學微影術。在壓印微影術中，圖案化元件中之構形界定產生於基板上之圖案。可將圖案化元件之構形壓入一提供於基板上之抗蝕劑層中，在該基板上抗蝕劑藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後將圖案化元件移出抗蝕劑，從而將圖案留在其中。
本文中所使用之術語"輻射"及"光束"涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有約365 nm、355 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5 nm至20 nm之範圍內的波長)，以及諸如離子束或電子束之粒子束。
在情境允許時，術語"透鏡"可指代各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但將瞭解，可以 不同於所述方式的方式實踐本發明。舉例而言，本發明可採用電腦程式之形式，其中含有描述以上所揭示之方法的一或多個機器可讀指令序列；或採用儲存有該電腦程式之資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)的形式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，熟習此項技術者將顯而易見，在不脫離以下所陳述之申請專利範圍之範疇的情況下，可對所述之本發明作出修改。
20‧‧‧陽極
22‧‧‧陰極
24‧‧‧雷射
26‧‧‧永久磁體
28‧‧‧第一反射元件
30‧‧‧陽極
32‧‧‧陰極
34‧‧‧腔室
36‧‧‧繞組
37‧‧‧氣體源
38‧‧‧氣體源
B‧‧‧輻射光束
C‧‧‧目標部分
IF1‧‧‧位置感測器
IF2‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統(照明器)
M1‧‧‧圖案化元件對準標記
M2‧‧‧圖案化元件對準標記
MA‧‧‧圖案化元件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置；圖2說明一輻射源；及圖3說明一輻射源。
20‧‧‧陽極
22‧‧‧陰極
24‧‧‧雷射
26‧‧‧永久磁體
28‧‧‧第一反射元件

Claims (20)

  1. 一種電漿輻射源，其包含：一陽極及一陰極，其界定一區域以在其中從該陽極至該陰極產生一電漿流；及一磁體，其經組態以在該區域中產生一磁場，該磁場具有一軸向分量沿著從該陽極至該陰極的該電漿流之一方向，其中該陽極具有一第一主要環形表面，該陰極具有面向該陽極的該第一主要環形表面之一第二主要環形表面，使該陽極與該陰極不會互相重疊，及該磁體係一永久磁體，其實質上設置成圍繞該陽極與該陰極，以自外部引入一足夠強度的一初始磁場至該陽極與該陰極之間的一放電間隙中，使限制該電漿的一Z自束(Z-pinch)區域之縮合(collapse)。
  2. 如請求項1之電漿輻射源，其進一步包含一光束形成系統，該光束形成系統經組態以自發射自該區域之輻射形成一輻射光束。
  3. 如請求項1之電漿輻射源，其中該磁體經組態以在該區域中施加具有一範圍為10毫特斯拉(milli-Tesla)至100毫特斯拉之強度之該磁場。
  4. 如請求項1之電漿輻射源，其中該陽極與該陰極係一實心(solid)碟片或一實心環。
  5. 如請求項1之電漿輻射源，其中該永久磁體經組態以完全包圍該陽極與該陰極。
  6. 一種用於自一圖案化元件投射一圖案至一基板上之裝置，該裝置包含：一電漿輻射源，其包含：一陽極及一陰極，其界定一區域以在其中從該陽極至該陰極產生一電漿流；及一磁體，其經組態以在該區域中產生一磁場，該磁場具有一軸向分量沿從該陽極至該陰極的該電漿流之一方向；及一照明系統，其經組態以自發射自該區域之輻射形成一輻射光束，其中該陽極具有一第一主要環形表面，該陰極具有面向該陽極的該第一主要環形表面之一第二主要環形表面，使該陽極與該陰極不會互相重疊，及該磁體係一永久磁體，其實質上設置成圍繞該陽極與該陰極，以自外部引入一足夠強度的一初始磁場至該陽極與該陰極之間的一放電間隙中，使限制該電漿的一Z自束區域之縮合。
  7. 如請求項6之裝置，其中該磁體經組態以在該區域中施加具有一範圍為10毫特斯拉至100毫特斯拉之強度之該磁場。
  8. 如請求項6之裝置，其中該陽極與該陰極係一實心碟片或一實心環。
  9. 如請求項6之裝置，其進一步包含：一支撐件，其經建構以支撐一圖案化元件，該圖案化元件能夠在該輻射光束之橫截面中賦予該輻射光束一 圖案以形成一經圖案化之輻射光束；一基板台，其經建構以固持一基板；及一投影系統，其經組態以投射該經圖案化之輻射光束至該基板之一目標部分上。
  10. 如請求項6之裝置，其中該永久磁體經組態以完全包圍該陽極與該陰極。
  11. 一種產生輻射之方法，其包含：在一電漿區域中以從一陽極至一陰極的一方向產生一電漿流；在該電漿區域中施加一磁場，該磁場具有一軸向分量沿該電漿流之該方向；及自該電漿區域發射輻射，其中該陽極具有一第一主要環形表面，該陰極具有面向該陽極的該第一主要環形表面之一第二主要環形表面，使該陽極與該陰極不會互相重疊，及該磁體係一永久磁體，其實質上設置成圍繞該陽極與該陰極，以自外部引入一足夠強度的一初始磁場至該陽極與該陰極之間的一放電間隙中，使限制該電漿的一Z自束區域之縮合。
  12. 如請求項11之方法，其中該磁場係在該電漿區域中以一範圍為10毫特斯拉至100毫特斯拉之強度自外部施加。
  13. 如請求項11之方法，其中該陽極與該陰極係一實心碟片或一實心環。
  14. 如請求項11之方法，其進一步包含在輻射光束之橫截面 中賦予該輻射光束一圖案，以形成一經圖案化之輻射光束；及投射該經圖案化之輻射光束至一基板之一目標部分上。
  15. 如請求項11之方法，其進一步包含自發射自該電漿區域之輻射形成一輻射光束。
  16. 一種元件製造方法，其包含投射一經圖案化之輻射光束至一基板上，該方法包含：在一電漿區域中以從一陽極至一陰極的一方向產生一電漿流；在該電漿區域中施加一磁場，該磁場具有一軸向分量沿該電漿流之該方向；及使用一反射光學元件以自發射自該電漿區域之輻射形成一輻射光束，其中該陽極具有一第一主要環形表面，該陰極具有面向該陽極的該第一主要環形表面之一第二主要環形表面，使該陽極與該陰極不會互相重疊，及該磁體係一永久磁體，其實質上設置成圍繞該陽極與該陰極，以自外部引入一足夠強度的一初始磁場至該陽極與該陰極之間的一放電間隙中，使限制該電漿的一Z自束區域之縮合。
  17. 如請求項16之方法，其中該磁場係在該電漿區域中以一範圍為10毫特斯拉至100毫特斯拉之強度而自外部施加。
  18. 如請求項16之方法，該陽極與該陰極係一實心碟片或一 實心環。
  19. 如請求項16之方法，其進一步包含：在該輻射光束之橫截面中賦予該輻射光束一圖案，以形成一經圖案化之輻射光束；及投射該經圖案化之輻射光束至一基板之一目標部分上。
  20. 一種電漿輻射源，其包含：一陽極與一陰極，其界定一區域以在其中從該陽極至該陰極產生一電漿流，及一磁體，其經組態以在該區域中產生一磁場，該磁場具有一軸向分量沿著從該陽極至該陰極的該電漿流之一方向，其中該陽極係一環形陽極，該陰極係環形陰極，及該磁體經組態以接收一電流的一電磁體，其在該環形陽極與該環形陰極之間的一放電間隙中引入一足夠強度的一初始磁場，使限制該電漿的一Z自束區域之縮合，其中該環形陽極具有一第一主要環形表面，該環形陰極具有面向該環形陽極的該第一主要環形表面之一第二主要環形表面，使該環形陽極與該環形陰極不會互相重疊。
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