KR20010007394A - 목적물의 결함을 검사하기 위한 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 목적물을 검사하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 장치는 목적물을 수용하는 스테이지, 광학 현미경, 및 주사식 전자 현미경(SEM)을 포함한다. 광학 현미경은 목적물 표면 상의 이미 작도된 결함을 재검출하기 위해 사용되며, 목적물 표면의 선택된 부분을 향해 광비임을 주사하는 조사원을 포함한다. 광학 현미경은 밝은 필드 조사 및 어두운 필드 조사 중 어느 하나 또는 이들 모두를 발생시키도록 구성되어 있다. 일단 결함이 재검출되면, 결함이 SEM에 의해 검사될 수 있는 위치에 놓이도록 이송 시스템은 스테이지를 소정의 위치로 이동시킨다. 이러한 장치는 SEM에 의해 관찰된 결함을 자동적으로 포커싱시키고, 결함의 변화하는 원근감을 얻기 위해 스테이지를 회전시킨다.

Description

목적물의 결함을 검사하기 위한 장치 및 방법 {APPARATUS AND METHOD FOR REVIEWING DEFECTS ON AN OBJECT}
본 발명은 결함 관찰 시스템에 관한 것이며, 보다 상세하게는 목적물에 존재하는 결함을 분류하고 재탐지하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
미세 전자소자들은 통상적으로, 반도체 웨이퍼의 선택된 층에 미세구조물(예를들어, 패턴)을 형성함으로써 부분적으로 제조된다. 반도체 초대규모 집적회로(ULSI)와 관련된 고집적도에 대한 증대된 요건은 0.25μ 이하의 회로선폭 설계기술, 증대된 트랜지스터 및 회로속도, 높은 신뢰도, 및 경쟁을 위한 증대된 생산효율을 필요로 한다. 0.18μ 이하의 회로선폭의 설계에는 종래의 반도체 제조기술의 한계를 극복해야 한다. 또한, 회로설계 기술이 서브-미크론 범위 이하로 감소되면서, 경쟁을 위한 제조효율(즉, 수율)을 유지 또는 향상시키기 위한 어려움도 증대된다.
제조효율에 영향을 미치는 하나의 요인은 제조공정 중에 반도체 웨이퍼상에 존재하는 결함이다. 결함은 예를들어, 반도체 웨이퍼상의 스크래치, 미립자, 및 피복층의 미제거 부분과 같이 여러 형태를 취하게 된다. 미탐지된 결함은 종종 웨이퍼로부터 제조된 반도체 칩의 결함을 초래한다.
일관 검사 및 관찰은 제조공정중 반도체 웨이퍼상의 결함을 검출하고 분류하는 것이다. 반도체 웨이퍼상의 결함의 분류에는 무엇보다도, 결함원을 확인하기 위해 결함의 크기, 형태 및 경계와 같은 정확한 정보를 추출해낼 수 있는 성능이 포함된다. 이의 실행에는 매우 높은 이미지 해상도를 필요로 한다. 그러나, 반도체 웨이퍼상의 미세 구조물이 더욱 소형화되면서, 수율에 영향을 끼칠 수 있는 결함의 크기도 종래의 광학기구의 해상도 보다 작아지게 되었다. 그러므로, 광학 시스템을 이용하여 결함을 분류할 수 있는 성능도 매우 제한적이게 되었다. 따라서, 결함을 분류하기 위한 보다 높은 해상도를 갖는 시스템에 대한 요구가 증대되고 있다.
주사식 전자 현미경(SEM)은 수 나노미터 범위까지 해결할 수 있으며, 에너지 분산식 X-선 스펙트럼(EDX)와 같은 분석기구와 결합되면 반도체 웨이퍼상의 결함 분류를 수행하기 위한 최선의 대안책이 될 수 있다. 일반적으로, 검사시스템은 반도체 웨이퍼를 주사하여 결함이 예상되는 반도체 웨이퍼상의 영역에 대한 결함지도를 생성하는데 사용된다. 그후, 결함지도는 각 결함에 대한 고도의 해상도를 얻기 위해 SEM으로 이송된다. 검사기구에 의해 생성된 결함지도는 결함 크기에 비해 정확도가 매우 낮다. 이때문에, SEM은 분류에 필요한 높은 해상도를 얻기전까지는 결함을 재발견해내야 한다. 특히, 검사기구의 정밀도는 결함의 존재를 밝혀내기에는 충분하지만 결함의 위치를 결정하기에는 불충분하다. 그러므로, 검사기구에 의해 생성된 결함지도는 SEM을 결함에 대한 정확한 위치로 안내할 수 없다. 따라서, 재발견은 분류 목적을 위해 결함을 영상화하기 위한 높은 해상도에 대한 요구를 만족시키기 위한 SEM의 성능과 광학 검사기구의 출력 사이에서 가교 역할을 한다. 물론, 결함이 작아질수록 이미지의 관찰영역도 작아져서 결함을 재발견해내기 위해서는 결함에 대한 보다 정확한 위치가 알려져야 한다. 또한, EDX 또는 오제 분석(Auger analysis)이 수행되면 필요로한 정밀도가 결함의 크기보다 더 양호해질 수 있다.
불행히도, 광학 검사기구의 고 감도와 신속한 작동 사이의 부조화로 인해 광학 검사기구의 결함지도는 SEM에 의한 신속한 재발견을 위한 정밀도를 제공하기에 불충분하다. 특히, 다수 시스템 부품의 부정확 또는 웨이퍼 정렬의 부정확함으로 인해 시스템 에러가 발생된다. 시스템 에러를 최소화하더라도, 검사 시스템의 세팅으로 인해 보고된 결함위치에 있어서 상당한 불확실성이 존재하게 된다. 예를들어, 검사시스템의 처리능력을 증대시키기 위해서, 반도체 웨이퍼를 주사하는데 사용되는 스폿 크기는 결함의 크기보다 훨씬 크게 선택되는 것이 정상이다. 따라서, 스폿 크기의 위치에 대한 보고된 좌표는 결함의 위치보다 훨씬 큰 영역을 포함하게 된다.
예를들어, 스폿 크기의 세팅으로 인한 부정확한 위치 에러는 패턴화된 웨이퍼에 대해 ±50μ 정도이며 패턴화된 웨이퍼에 대해 ±50μ을 초과할 수 있다. 이러한 에러의 크기는 결함을 재발견해내기 위한 SEM용 서어치 윈도우의 크기를 수용불가능하게 증대시킨다. 예를들어, 20μ의 관찰창내에 있는 0.2μ의 결함의 발견시(이미지내의 500 × 500 화소에서) 상기 결함에 대한 5 × 5 화소를 갖는 이미지로 된다. 이는 SEM 이미지에서 일반적으로 달성되는 낮은 콘트라스트 대 노이즈 비율로 인해 SEM을 기초로 하는 검출 시스템에는 매우 열악한 요건이다. 따라서, 미국 특허 제 5,659,172 호에 기술된 바와 같은 신뢰성있는 SEM 재검출 시스템이 결함을 발견해내는데 사용될 수 있지만, 수용할 수 없는 긴 시간을 필요로 하므로 시스템의 생산효율을 감소시키게 된다.
또한, SEM에 기초한 재검출은 광학적으로 투명한 층 아래에(또는 내부에) 매설된 결함에 대해서는 비효율적이다. 따라서, 분류를 용이하게 하는데 충분한 선명도를 갖는 매설 결함에 대한 SEM 이미지를 얻는 것은 불가능할 수 있다. 게다가, 층 두께에 있어서의 미소한 편차가 검사 시스템에 의한 결함으로서 종종 보고되고 있으나 이를 SEM을 사용하여 재발견해내기란 일반적으로 매우 어렵다. 그러므로, 그러한 결함은 SEM이미지를 사용하여 분류하는 것이 불가능할 수 있다.
따라서, 반도체와 같은 재료상의 결함을 관찰하는 현재의 방법과 관련된 하나의 문제점은 검사기구에 의해 생성된 결함지도에 근거하여 SEM을 기초로한 관찰기구로 신속하고 정확하게 결함을 재검출해낼 수 없다는 점이다. 결함을 관찰하는 현재의 방법과 관련된 다른 문제점은 SEM을 기초로한 이미지가 분류될 수 없는 경우에 결함의 분류를 도울 수 있는 보조 시스템을 이용할 수 없다는 점이다.
따라서, 본 발명의 목적은 반도체 웨이퍼와 같은 재료상의 결함을 신속하고 정확하게 재검출해낼 수 있는 장치를 제공하고자 하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 SEM에 의해 검출할 수 없는 결함을 분류해낼 수 있는 장치를 제공하고자 하는 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따라 구성된 웨이퍼 검사시스템의 측면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 필드 선택기의 여러 형태를 도시하는 블록 다이어그램.
도 3은 다수 형태의 결함을 도시하는 반도체 웨이퍼의 측면도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따라 구성된 웨이퍼 검사시스템의 측면도.
도 5는 본 발명의 예시적인 실시예에 따라 이미지의 촛점이 맞춰지는 방식을 도시하는 다이어그램.
도 6은 반도체 웨이퍼의 검사중에 수행된 단계를 도시하는 흐름도.
도 7은 SEM에 의한 관찰을 위해 반도체 웨이퍼에 촛점을 맞추는 동안 수행된 흐름도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100,400 : 웨이퍼 검사 시스템 116 : 광학 현미경
120 : 주사식 전자 현미경 124 : 반도체 웨이퍼
126,128 : 모터식 베이스 134 : 모터
138 : 준반사 미러 140 : 렌즈
156 : 필터 160 : 전자총
162 : 전자 광학 칼럼 414 : 스테이지
418 : 이미징 유닛 420 : 입자 비임 이미징 시스템
430 : 수직 변위 시스템 434 : 모터
466 : 촛점 포인트 484 : 포커싱 미러
486 : 반사 미러 488 : 이미지 위치 탐지기
510 : 비임 스플리터 512 : 자동-촛점 센서
이러한 목적 및 다른 목적들은 결함 관찰시스템이 광학 현미경과 SEM을 포함함으로써 결함과 같은 비이상적인 점들을 신속하고 정확하게 재검출하고 분류해낼 수 있는 본 발명에 의해 달성된다. 특히, 상기 광학 시스템은 결함지도에 보고된 결함을 재검출해내는데 사용될 수 있다. 또한, 상기 광학 시스템은 SEM에 의해 이미지(예를들어, 투명한 유전체 층에 매설된 결함)을 얻을 수 없는 경우에 크게 확대된 결함에 대한 이미지를 얻는데 사용될 수 있다.
본 발명의 일면에 따라서, 미리 생성된 결함지도에 근거하여 목적물 표면상의 결함을 관찰하기 위한 장치가 제공된다. 상기 장치는 스테이지, 광학 현미경, 이미지 유닛, 입자 비임 이미지 시스템, 및 병진운동 시스템을 포함한다. 상기 스테이지는 목적물을 올려놓는 플랫폼으로서의 역할을 한다. 상기 광학 현미경은 조사경로를 따라 목적물 표면의 선택된 부분을 향하도록 광선 비임을 지향시키는 조사원을 포함한다. 상기 광학 현미경은 결함지도내에 포함된 정보에 근거하여 목적물 표면상의 결함을 재검출하는데 사용된다. 상기 이미지 유닛은 광학 현미경에 연결되어 목적물 표면의 선택된 부분에 대한 이미지를 생성한다. 입자 비임 이미지시스템은 가상 축선을 따라 입자 비임을 촛점에 수렴시킨다. 상기 병진운동 시스템은 검출된 결함이 촛점 근처에 위치되도록 스테이지를 예정된 위치로 이동시킨다. 이렇게 하여, 결함은 입자 비임 이미지 시스템에 의해 관찰될 수 있다.
본 발명의 특정 실시예에 따라서, 상기 광학 현미경은 상이한 형태의 조사를 선택적으로 제공할 수 있도록 구성된다. 예를들어, 웨이퍼의 선택된 부분은 밝은 조사, 어두운 조사, 또는 밝고 어두운 조사 아래에서 조사될 수 있다. 따라서, 결함지도를 제작하기 위한 검사 현미경에 사용된 조사형태에 가장 유사한 조사 형태를 이용함으로써 결함 검출을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 다른 특정 실시예에 따라서, 광학적 재검출 및 관찰 시스템이 광학 촛점 조정 장치와 함께 구성될 수 있다. 자동 초점조정, 광학적 재검출, 및 광학적 관찰을 가능하게 하는 특정 광학기구가 제공된다.
본 발명의 다른 일면에 따라서, 미리 생성된 결함지도에 근거하여 목적물상의 결함을 관찰하는 방법은,
결함을 재검출하기 위해 결함 지도로부터의 좌표에 근거하여 목적물 표면의 선택된 부분을 관찰하는 단계와, 재검출된 결함의 위치에 대응하는 스테이지 좌표를 결정하는 단계와, 재검출된 결함을 입자 비임 이미징 시스템의 촛점 부근에 위치시키기 위해 목적물 표면을 이동시키는 단계와, 그리고 입자 비임 이미징 시스템을 사용하여 재검출된 결함을 검사하는 단계를 포함한다.
본 발명의 추가의 장점 및 신규한 특징들은 다음의 상세한 설명에 부분적으로 제시되거나 다음의 상세한 설명에 의해 본 기술분야의 숙련자에 의해 부분적으로 명료해지거나, 또는 본 발명의 실시예 의해 얻어질 수 있다. 본 발명의 이러한 장점들은 첨부된 청구범위에 부분적으로 지적된 수단이나 이들의 조합에 의해 실현되고 달성될 수 있다.
이후, 동일한 구성부품에 대해 동일한 도면부호를 병기한 첨부 도면을 참조하여 설명한다.
이하에 반도체 웨이퍼 검사 시스템, 특히 결함을 재검출하고 평가하기 위해 사용된 검사 시스템의 예들에 관해 기술할 것이다. 그렇지만, 본 발명은 포토마스크, 자기 디스크, 광학 디스크, 미러 등과 같은 재료를 검사하는데 사용되는 다른 시스템에 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따라 제조된 웨이퍼 검사 시스템(100)의 평면도이다. 도 1의 웨이퍼 검사 시스템(100)은 이송 시스템(122)에 연결된 스테이지(114)를 수용하는 진공 챔버(112)를 포함하고 있다. 광학 현미경(116)은 진공 챔버(112) 내의 윈도우(148)를 통해 광학 이미지를 제공하며, 입자 비임 이미징 시스템(120)은 진공 챔버(112) 내에 위치된 목적물의 입자 비임 기초 이미지를 제공한다.
스테이지(114)는 예컨대 반도체 웨이퍼(124)와 같은 목적물이 위치될 수도 있는 플랫포옴으로써 구성된다. 이송 시스템(122)은 X-축선과 같은 제 1축선을 따라 반도체 웨이퍼(124)의 위치를 조절하기 위한 제 1모터식 베이스(126)를 포함하고 있다. 이송 시스템(122)은 또한 Y-축선과 같은 제 2축선을 따라 반도체 웨이퍼(124)의 위치를 조절하기 위한 제 2모터식 베이스(128)를 포함하고 있다. 제 1 및 제 2모터식 베이스(126,128)는 예컨대 전기 모터(도시되지 않음)와 같은 여러 형태의 구동 시스템을 사용하여 소정의 경로를 따라 작동되도록 제어될 수 있다. 따라서, 스테이지(114) 상에 위치된 반도체 웨이퍼(124)는 X-축선과 Y-축선에 의해 한정된 평면을 따라 이동할 수 있다. 종래 기술에서 공지된 바와 같이, 스테이지(114)는 또한 예비설정 방향으로 반도체 웨이퍼(124)를 고정시키기 위한 적절한 잠금 유닛(도시되지 않음)을 포함할 수 있다.
웨이퍼 검사 시스템(100)은 스테이지(114)의 수직한 위치를 조절하기 위한 수직한 변위 유닛(130)을 포함할 수 있다. 수직한 변위 유닛(130)은 예컨대 모터(134)에 의해 작동되는 리프트(132)를 포함할 수 있다. 추가로, 다수의 수직한 변위 유닛(130)이 사용될 수 있으며, 이러한 환경에서는 X-Y 평면이 Z-축선을 따라 조절하는 동안 실질적으로 편평하게 유지되도록 모터(134)의 작동을 동기시키기 위해 회로가 제공될 수 있다. 수직한 변위 유닛(130)은 또한 광학 현미경(116) 또는 SEM(120) 중 어느 하나에 의해 관찰될 때, 반도체 웨이퍼(124)의 이미지의 포커싱을 조력하는 역할을 한다. 물론, 전자 칼럼에서의 전압을 변화시키고 또는 목적물 및/또는 다른 광학 요소를 조절시키는 것과 같은 포커싱을 위한 다른 방법이 사용될 수 있다.
광학 현미경(116)은 조사원(136), 준반사 미러(138), 렌즈(140), 및 편향 미러(142)를 포함하고 있다. 조사원(136)은 예컨대 막스 본(Max Born) 및 에밀 울프(Emil Wolf)가 쓴 1980년 페르가몬 출판사(Pergamon Press)의 광학 원리(Principles of Optics)에 개시된 바와 같은 고정식 또는 가변식 스폿 크기를 갖는 비임(144)을 생성할 수 있는 쾰러(Kohler)형 조사 램프의 형태일 수 있다. 이러한 조사원은 또한 고정식 또는 가변식 스폿 크기의 비임(144)을 생성할 수 있는 레이저의 형태일 수 있다. 선택적으로, 비임 팽창기(도시되지 않음)는 비임(144)의 스폿 크기를 증가시키기 위해 사용될 수 있다. 조사원(136)에 의한 비임(144)의 출력이 목적물의 표면을 가격하고 X-Y 평면에 실질적으로 수직한 조사 경로(146)를 따라 반사되도록, 준반사 미러(138)가 위치된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 검사 시스템(100)은 제 1광학 윈도우(148)를 포함할 수 있는데, 이러한 제 1광학 윈도우를 통해 광학 현미경(116)(즉, 광학 현미경(116)이 진공 챔버(112)의 외측에 위치된 경우)에 의해 관찰될 수 있다. 선택적으로, 광학 현미경(116)은 진공 챔버(112) 내로 연장될 수 있다.
본 발명의 개시된 실시예에 따르면, 조사원(136)에는 예컨대 밝은 영역 조사, 어두운 영역 조사, 또는 이들 모두와 같은 여러 형태의 광필드의 선택을 허용하는 광필드 선택기(150)가 제공된다. 도 2를 더 참조하면, 광필드 선택기(150)의 여러 작동 형태가 도시되어 있다. 광영역 선택기(150)는 투명 영역(152) 및 불투명 영역(154)의 여러 기하학적 구역을 포함할 수 있다. 광영역 선택기(150)의 각각의 형태는 특정한 광영역을 형성한다. 예컨대, 광영역 선택기(150)의 외부 부분이 불투명한 경우에는, 제 1비임(144A)이 광영역 선택기(150)의 중앙을 통과하여 밝은 영역 조사를 발생시킬 것이다. 광영역 선택기(150)의 중앙 부분이 불투명한 경우에는, 제 2비임(144B)이 광영역 선택기(150)의 둘레부를 통과하여 어두운 영역 조사를 발생시킬 것이다. 선택적으로, 광영역 선택기(150)은 투명한 영역들 사이에 배치된 환형의 불투명한 부분을 포함함으로써, 밝은 영역 또는 어두운 영역 조사의 조합을 형성할 수 있다.
선택적으로, 광영역 선택기(150)는 다른 여러 방식으로 수행될 수 있다. 광영역 선택기(150)는 전술된 광패턴의 통로를 허용하도록 비임(144) 전방에 물리적으로 위치될 수 있다. 추가로, 광영역 선택기(150)는 투명 영역(152) 및 불투명 영역(154) 대신에 상이한 칼라 필터의 영역을 포함할 수 있다. 예컨대, 영역(152)은 파랑 및 초록 필터와 같은 제 1칼라 필터로써 구성될 수 있다. 다음으로, 영역(154)은 예컨대 빨강 필터와 같은 제 2칼라 필터로써 구성될 수 있다. 또한, 상이한 칼라의 결합된 영역 이외에, 광영역 선택기(150)는 분극 필터의 형태일 수 있으며, 여기서 영역(152,154)은 조사원(136)에 의해 출력된 비임(144)을 분극화시키도록 구성된다. 필터는 종종 밝은 영역 조사 및 어두운 조사 영역이 동시에 사용될 때 이미지를 분해하는데 효과가 있는 것으로 증명되었다.
도 1에 도시된 바와 같이, 밝은 영역 조사가 사용되는 경우, 제 1비임(144A)은 준반사 미러(138)로부터 반사되고, 렌즈(140)를 통과하여 반도체 웨이퍼(124)의 표면 상에 포커싱된다. 어두운 영역 조사가 사용되는 경우, 제 2비임(144B)이 준반사 미러(138)로부터 반사되고, 렌즈(140) 둘레를 통과한다. 편향 미러(142)는 광학 현미경(116)의 원뿔형 부분 내에 위치되어서, 반도체 웨이퍼(124)의 표면을 향하는 제 2비임(144B)을 경사진 각도로 반사한다. 선택적으로, 포커싱 미러(142)는 반도체 웨이퍼의 선택된 영역 상의 포커싱점으로 비임(144)이 포커싱되도록 포물선형태를 가질 수 있다. 경사각은 일반적으로 어떠한 반사광도 렌즈(14)를 통과하지 않도록 선택된다. 도 1은 본 발명의 작동을 도시하는 것을 목적으로 하므로, 경사각의 기하학적 방위를 정확하게 도시하지 않았다.
밝은 영역 조사 동안, 제 1비임(144A)은 반도체 웨이퍼(124)의 표면을 가격하고, 조사 경로(146)를 따라 렌즈(140)를 향해 반사된다. 반사된 제 1비임(144A)은 준반사 미러(138)를 통과하여, 예컨대 CCD(Charge Coupled Device)와 같은 이미징 유닛(118)에 의해 수용된다. 이미징 유닛(118)은 제 1비임(144A)을 수집하고, 반도체 웨이퍼(124)의 선택된 부분을 나타내는 밝은 영역 이미지를 형성한다.
그렇지만, 어두운 영역 조사 동안, 제 2비임(144B)의 경사각은 통상적으로 웨이퍼 검사 시스템(100)의 렌즈(140)를 통과하지 않는 반사된 제 2비임(144B)을 형성한다. 그렇지만, 반도체 웨이퍼(124)의 표먼 상에 존재하는 입자 또는 투명한 증착층 내에 매설된 입자는 제 2비임(144B)을 산란시키고 렌즈(140)를 향해 반사된다. 반사된 제 2비임(144B)은 렌즈(140)에 의해 조준되고, 준반사 미러(138)를 통과한다. 이미징 유닛(118)은 또한 제 2비임(144B)을 수집하고, 반도체 웨이퍼(124)의 선택된 부분의 어두운 영역을 형성한다.
이미징 유닛(118)은 이미지를 필터링하기 위한 필터(156, 도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 특히, 이미징 유닛(188)에 포함된 필터는 예컨대 광영역 선택기(150)에 사용된 분극 필터에 대응한다. 예컨대, 특별한 형태의 분극 필터가 제 1비임(144A)을 발생시키기 위해 사요될 때, 밝은 영역 이미지를 형성하기 위해 유사한 분극 필터가 이미징 유닛(118)에 의해 사용된다. 유사하게, 특별한 형태의 분극 필터가 제 2비임(144B)을 발생시키기 위해 사용될 때, 대응하는 분극 필터는 어두운 필터 이미지를 형성하기 위해 이미징 유닛에 의해 사용된다. 광영역 선택기(150)가 칼라 필터의 형태인 경우, 이미징 유닛(118)은 바람직하게는 칼라 CCD가 되도록 선택된다. 종래의 칼라 CCD가 파랑, 초록, 및 빨강에 대한 개별적인 출력을 제공하기 때문에, 이는 고유의 필터링 작용은 수행할 수 있다. 예컨대, 조사 선택기(150)의 밝은 영역 필터가 초록/파랑이고, 어두운 영역 필터가 빨강인 경우, CCD의 초록/파랑 출력은 밝은 영역 이미지를 형성하는 반면, CCD의 빨강 출력은 어두운 영역 이미지를 형성할 것이다. 전술한 바와 같이, 필터의 사용은 밝은 영역 및 어두운 영역 조사 모두를 사용하여 이미지를 용이하게 분리할 수 있도록 한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 검사 시스템(100)은 또한 주사식 전자 현미경(SEM)(120)과 같은 입자 비임 이미징 시스템을 포함하고 있다. SEM 및 높은 해상도에서의 이들의 사용은 이미 공지되어 있으므로, 여기서는 상세하게 기술하지 않을 것이다. SEM(120)은 전자총(160) 및 예컨대 대략 60°의 저착색 원뿔형 목적물 렌즈(도시되지 않음)를 갖춘 전자 광학 칼럼(162)을 포함하고 있다. 전자총(160) 및 전자 광학 칼럼(162)은 입자 비임(즉, 전자 비임)을 형성한다. 전자 비임은 전자 비임 축선(164)을 따라 주사되고 촛점(166)으로 수렴한다. 전자는 일반적으로 조사될 샘플로 주사되어서, 샘플을 관통하고 2차 후방산란 전자를 발생시킨다. 검출기(도시되지 않음)는 이후 샘플의 이미지를 발생시키기 위해 2차 후방산란 전자를 수집하기 위해 사용된다.
도 1에 도시된 웨이퍼 검사 시스템(100)은 반도체 웨이퍼(124)에 대해 이미 작도된 결함을 확인하고 분류하기 위해 사용된 검사 공정을 현저하게 간략화시킨다. 예컨대, 검사 공정 동안, 반도체 웨이퍼(124) 상의 잠재 결함을 신속하게 확인하고 웨이퍼 결함 지도를 형성하기 위해 검사 현미경이 사용된다. 검사 현미경은 속도 및 검출 감도 모두가 최적화되어야 한다. 결과적으로, 비교적 저해상도(즉, 큰 픽셀 크기 또는 비임폭)이 사용되어야 한다. 생성된 결함 지도는 잠재 결함의 위치를 확인하기 위한 좌표의 리스트를 포함한다. 그렇지만, 작도된 잠재 결함의 좌표의 정확성은 반도체 웨이퍼(124)를 신속하게 주사하기 위해 사용된 큰 관찰 영역에 기인하여 정확하지 못하다. 예컨대, 결함이 큰 스폿 크기를 사용하여 위치될 때, 스폿 크기 내에서 결함이 실제로 위치된 지점을 알 수 없으므로, 결함은 용이하게 재검출될 수 없다. 필수적으로, 종래의 웨이퍼 검사 시스템에 의해 발생된 결함 지도는 반도체 웨이퍼(124)를 주사하기 위해 사용된 스폿의 좌표를 작도한다. 따라서, 단지 SEM을 사용하는 검사 기구를 사용하여 결함을 신속하게 재출하는 것은 어렵다. 그렇지만, SEM 이미징 시스템은 콘트라스트 대 노이즈비가 낮은 문제점이 있다. 따라서, 결함 위치가 부정확하게 나타나는 큰 관찰 영역이 사용될 때, 작은 결함은 거의 검출되지 않을 것이다.
도 1에 도시한 본 발명의 실시예에 따라서, 결함 지도의 발생을 이미 탐지하고 있는 반도체 웨이퍼(124)는 스테이지(114)상에 놓여지고 먼저 광학 현미경(116)을 사용해서 검사된다. 광학 현미경(116)은 잠재적인 결함의 위치에 대응하는 좌표를 수용하고 이런 위치들을 검사하여 결함의 존재를 확인한다. 이런 과정에 따라서, 잠재적인 결함을 함유하는 영역만이 검사된다. 양호하게, 광학 현미경(116)은 결정 지도를 생성하는 탐지 과정 동안에 사용된 조사 형태와 유사한 조사 형태(illumination type)를 사용한다. 예를 들어, 대부분의 결함 지도는 어두운 영역 조사를 사용하는 탐지 현미경을 사용함으로써 발생된다. 따라서, 본 발명의 웨이퍼 검사 시스템(100)의 광학 현미경(116)내의 어두운 영역 조사를 사용하면 결함 지도로부터의 잠재적인 결함이 재검출되어지는 가능성이 증가한다. 본 발명의 광학 현미경(116)은 양호하게 결함 지도를 발생하는데 사용된 탐지 현미경보다 매우 높은 해상도를 포함한다. 그러므로, 결함이 한번 확인되면, 정확한 좌표는 웨이퍼 검사 시스템(100)으로 결정될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 웨이퍼 검사 시스템(100)의 스테이지는 제각기 X 및 Y 축선을 따라서 스테이지를 이동하는 기능을 하는 제 1 및 제 2 모터식 베이스(126,128)를 포함한다. 따라서, 한 결함 위치가 광학 현미경(116)을 사용해서 발견되고 정확한 좌표가 그 위치에서 결정되면, 이런 좌표는 제 1 및 제 2 모터식 베이스(126,128)의 이동을 제어하는데 사용되어 SEM(120)의 광학 축선(164)에 반도체 웨이퍼(124)를 정렬한다. 광학 현미경(116)이 탐지 현미경보다 높은 해상도를 가지므로, SEM의 광학 축선(164)에 대해서 결함이 위치설정되어지는 정확도는 크게 개선된다. 이러한 개선으로, 결함은 정상적으로 SEM(120)의 검사 영역내에 위치설정될 것이므로, 결함을 배치하기 위해서 반도체 웨이퍼(124)의 확장된 서치의 필요성을 제거한다.
본 발명의 한 실시예에 따라서, 광학 현미경(116)내에 사용된 조사원(136)은 밝은 영역 조사를 발생하기 위해서 비임(144)만이 생성하도록 형상되어 있다. 이런 실시예에 따라서, 라이트 영역 선택기(150)는 정상적으로 편광자 또는 칼라 필터의 형태를 사용하고 있다. 변경적으로, 밝은 영역 조사를 발생하기 위한 규정된 스폿 크기를 가진 레이저가 사용될 수 있다. 다음으로, 레이저와 같은 제 2 조사원(168)은 웨이퍼 검사 시스템(100)의 진공 챔버(112) 외측에 배치되어 있다. 제 2 조사원(168)은 보조 윈도우(172)를 통해서 반도체 웨이퍼(124)의 선택된 부분에 보조 비임(170)을 안내하도록 위치설정되어 있다. 더욱이, 보조 비임(170)은 상술한 바와 같이, 경사 각으로 안내된다. 이런 장치는 더욱이 제 1 조사원(136)로부터 반도체 웨이퍼(124)의 선택된 부분에 제 2 비임(144B)을 안내하는 굴절 미러(142)의 필요성을 제거한다. 제 2 조사원(168)으로부터 나온 보조 비임(170)이 반도체 웨이퍼(124)의 표면을 치면, 정상적으로 반사되어 광학 윈도우(148)를 통과하지 않는다. 그러나, 상술한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(124)의 표면상에 또는 근방에 있는 약간의 입자의 존재는 렌즈(140)에 다시 반사되어 이미징 유닛(118)에 의해 영상화되는 분산 광(scattered light)을 만들 것이다. 제 2 조사원(168)은 또한 두 타겟을 달성하는데 도움을 주는 다수의 광원일 수 있다. 먼저, 작은 입자로부터의 분산 광의 량은 증가될 수 있다. 다음으로, 다수의 광원은 증착층(결함이 없는)상에 큰 금속 결정립으로부터 방향성 분산을 여과할 수 있으며, 작은 결함으로부터의 광 분산이 대개 보다 균일하게 분산되면 광원은 한 방향으로 광을 주로 분산한다. 여러 조사 방향으로부터 발생된 이미지를 비교함으로써, 결정립이 실질적으로 여과될 수 있다. 이들 광원은 한 번에 한번 전환되든지 또는 여러 칼라일 수 있다. 이전의 예에서와 같이, 제 1 및 제 2 조사원(136,168)으로부터 제공된 광은 밝음과 어두움 영역 이미지사이를 구별할 수 있도록 여러 특성이 주어질 수 있다. 예를 들어, 제 1 조사원(136)으로부터 나온 광이 청색/녹색으로 여과되고 조사원(168)에서 나온 광은 적색이며, 그 다음에 CCD의 다양한 칼라 출력은 밝음 및 어두운 영역 이미지를 동시에 얻는데 사용될 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 검사 시스템(100)은 CMP 층과 같은, 또한 반도체 웨이퍼(124)의 투명한 절연층내에 또는 아래에 매립되어 있는 입자를 검출할 수 있는 능력을 증가한다. 도3은 반도체 웨이퍼(124)의 일부분 및 입자(174)의 예시 위치를 도시한다. 반도체 웨이퍼(124)는 증착과 같은 적절한 기술을 사용해서 여기에 형성되어진 층(176)을 포함한다. 도 2에 도시한 바와 같이, 입자(174)는 반도체 웨이퍼(124)상의 다양한 위치에서 발견될 수 있다. 특히, 입자(174A)는 층(176)의 표면상에 위치설정되며, 입자(178B)는 층(176)내에 들어 있으며, 입자(174C)는 층(176) 아래에 들어 있다.
SEM(120)이 광을 이용하는 광학 시스템에 투시될 수 있는 표면 아래에 깊이 매립되어 있는 입자(174)를 검출할 수 없다는 것은 잘 알려져 있다. 더욱이, SEM(120)을 사용해서 분류하기에 어려운 결함의 다양한 다른 형태들이 있다. 예를 들어, 층 두께의 변화는 종종 결함으로써 보고될 수 있다. 또한, SEM(120)에 의해 사용된 전자 비임의 스폿 크기를 초과하는 큰 결함은 검출될 수 있다. 그러나, 상술한 결함 형태는 광학 검사 시스템을 사용해서 검출될 수 있다.
본 발명의 상술한 실시예에 따라서, 광학 현미경(116)이 반도체 웨이퍼(124)의 표면상의 결함의 위치를 알아내면, 동일한 결함은 SEM(120)에 의해서 계속적으로 검사되어 가능하게 분류될 것이다. SEM(120)이 광학 현미경(116)에 의해 보고된 좌표의 부근내의 결함의 위치를 알아낼 수 없다면, 결함은 다시 광학 현미경(116)을 사용해서 검사된다. 예를 들어, 어두운 영역 조사를 사용하는 영역의 검사가 결함의 존재를 확인하고, 그리고 나서 밝은 영역 조사가 높은 확대하에서 사용될 수 있어 결함을 보고 결함이 반도체 웨이퍼(124)의 표면 아래에 매립된 입자(174)의 형태인지를 확인한다.
광학 현미경과 입자 비임 이미징 시스템의 조합의 장점이 결함의 재검출에 대해서 기술하였을지라도, 다양한 추가의 장점을 얻을 수 있음을 생각할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 장치는 또한 결함 분류에 대한 장점을 가진다. 특히, 어플라이드 머티어리얼스사로부터 이용가능한 SEM Vision과 같은 SEM 검사 시스템은 위치된 결함을 검사하고 이들을 특정 결함류로 분류한다. SEM Vision에서, 전자 컬럼에 의해 얻어진 이미지는 컴퓨터 시스템내에서 분석되어 규정된 결함류를 결정한다. 그러나, 상술한 바와 같이, 결함이 CMP층과 같은 층내에 매립되면, SEM 기초 이미지를 사용해서 결함을 분류하는 것은 어려울 것이다. 유사하게, SEM 기초 이미지를 사용해서 결함을 분류하는 것이 어려운, 두께의 작은 변화는 광학 이미지내의 칼라 변화로서 나타날 수 있다.
그러므로, 본 발명의 한 실시예에 따라서, 컴퓨터 시스템(158)은 SEM Vision에서 했던 것과 같이, SEM(120)에 연결되고, 또한 이미징 유닛(118)(도 1에 도시한 바와 같이)에 연결되어 있다. 컴퓨터 시스템(158)은 전자-베이스 이미징 유닛(120)으로 볼수 없는 결함을 자동적으로 검사하기 위한 광학 이미지를 사용한다. 이런 실시예에 따라서, 이미징 유닛(118)은 컴퓨터 시스템(158)로 전달되어지는 디지탈 데이터(즉, 디지탈 이미지)로 해상 이미지를 전환한다. 컴퓨터 시스템(158)은 디지탈 이미지를 검사하고 이의 특성을 분석하여 결함이 특정 결함류에 할당하도록 한다.
도 4는 본 발명의 변경 실시예에 따라서 구성된 웨이퍼 검사 시스템(400)을 도시한다. 도 4의 웨이퍼 검사 시스템(400)은 도 1에 도시한 시스템의 성분을 대부분 포함하며, 그러므로 이런 성분은 더 이상 상세하게 설명하지 않겠다. 도 4의 웨이퍼 검사 시스템(400)은 반도체 웨이퍼(124)의 표면과 SEM(420)의 광학 축선(464)을 자동적으로 정렬하는 활성 광학 촛점 시스템을 포함하는 점에서 도 1과 다르다. 더욱이, 웨이퍼 검사 시스템(400)은 회전 축선(482) 둘레로 스테이지(414)를 회전하기 위한 피봇 기구(480)를 포함한다. 따라서, 본 발명의 웨이퍼 검사 시스템(400)은 다양한 각도에서 반도체 웨이퍼(124)를 볼 수 있다. 변경적으로, 전자 컬럼(420)은 미국 특허 제 5,329,125 호에 기술한 바와 같이 경사지게 할 수 있다.
도 4를 참조하면, 웨이퍼 검사 시스템(400)은 진공 챔버(412), 스테이지(414), 광학 현미경(416), 이미징 유닛(418), 입자 비임 이미징 시스템(420) 및 변환 시스템(422)을 포함한다. 스테이지(414)는 반도체 웨이퍼(124)이 위치될 수 있는 플랫폼으로써 형상되어 있다. 스테이지(414)는 예를 들어 X-Y 평면을 따라서, 반도체 웨이퍼(124)의 위치를 조정하기 위한 제 1 및 제 2 모터식 베이스(426, 428)를 포함한다. 웨이퍼 검사 시스템(400)은 스테이지(414)의 수직 위치를 변경하기 위한 하나 이상의 수직 변위 유닛(430)을 포함한다. 각 수직 변위 유닛(430)은 예를 들어, 모터 또는 피에조(434)에 의해서 작동되는 리프트(432A)를 포함한다. 도 1에 대해서 상술한 바와 같이, 수직 변위 유닛(430)은 광학 현미경(416) 또는 SEM(420)에 의해 볼 때 반도체 웨이퍼(124)의 이미지를 촛점맞추는데 도움을 주지만, 다른 종래의 촛점 기구에 의해 교체될 수 있다.
광학 현미경(416)은 조사원(436), 준반사 밀러(438), 렌즈(440) 및 편향 미러(도시 생략)를 포함한다. 조사원(436)은 다시 고정식 또는 가변식 스폿 크기의 비임(444)을 생성할 수 있다. 도 1의 실시예와 유사하게, 비임 확장기는 비임의 스폿 크기를 증가하는데 사용될 수 있다. 준반사 미러(438)는 조사원(436)에 의해 출력된 비임이 웨이퍼의 표면을 치고 X-Y 평면에 거의 수직인 조사 통로(446)를 따라서 반사되도록 위치설정된다.
조사원(436)에는 예를 들어, 밝은 영역 조사, 어두운 영역 조사 또는 양자 모두와 같은, 다양한 광영역의 선택을 허용하는 광영역 선택기(450)가 제공될 수 있다. 도시의 목적으로, 단지 하나의 비임(444)가 도시되어 있다. 상술한 바와 같이, 밝은 영역 조사가 사용되면, 비임(444)은 준반사 미러(438)로부터 반사하며 렌즈(440)를 통과하며, 반도체 웨이퍼(124)의 표면상에 촛점맞추어진다.
밝은 영역 조사 동안, 비임(444)은 반도체 웨이퍼(124)의 표면을 치고 조사 통로(446)를 따라서 렌즈를 향해 다시 반사된다. 반사된 비임은 준반사 미러(438)를 통과하고 예를 들어, CCD와 같은 이미징 유닛(418)에 의해 수용된다. 이미징 유닛(418)은 비임(444)을 수집하고 반도체 웨이퍼(124)의 선택된 부분을 나타내는 밝은 영역 이미지를 발생한다. 누구나 알 수 있듯이, 어두운 영역 조사는 도 1에 대해서 기술한 동일한 방법으로 작동한다.
이미징 유닛(418)은 이미지들을 형성하기 위해 광영역 선택기(450)에 사용되는 필터에 대응하여, 필터(도시되지 않음)를 포함하도록 형성된다. 예를들어, 음극 및 양극의 필터들(도시 안됨)은 밝은 영역 및 어두운 영역 이미지들을 형성하는데 사용될수 있다. 또한, 이전에 기술된바와 같이, 칼라 CCD가 사용될수 있다. 컴퓨터 시스템(458)이 반도체 웨치퍼(124)의 선택된 부분에서 탐지된 결함을 자동적으로 조사하고, 상기 결함을 위한 특정의 결함 글라스를 지정하는 이미징 유닛(418)에 연결될수 있다.
웨이퍼 검사 시스템(400)은 입자 비임 이미징 시스템(420)(예를들어, SEM)을 포함한다. 상기 SEM(420)은 전자총(460)과, 낮은 색채의 거의 60°의 원뿔형 대물렌즈를 갖는 전자 광학 칼럼(462)을 포함한다. 상기 전자총(460) 및 전자 광학 칼럼(462)은 전자 비임을 형성한다. 전자 비임은 전자 비임 축선(464)을 따라 이동하며 촛점 포인트(466)에 모아지게 된다.
포커싱 시스템은 포커싱 미러(484), 반사 미러(486), 이미지 위치 탐지기(488), 및 Z-축선의 제어기(490)를 포함한다. 포커싱 시스템은 포커싱 미러(484)에서 포커싱 비임(492)을 항하게 하는 조사원(436)을 이용한다. 도 4에 도시된바와 같이, 포커싱 미러(484)는 조사 통로(446)를 따라 위치되며, SEM(420)의 촛점 포인트(466)를 항해 포커싱 비임(492)을 항하게 된다. 포커싱 미러(484)는 도 4에 도시된 위치로 부터 이동가능하게 형성된다. 상세히 기술하면, 광학 현미경을 사용하는 반도체 웨이퍼(124)의 조사중에, 포커싱 미러(484)는 조사원(436)으로 부터의 비임(444)이 반도체 웨이퍼(124)의 표면상에 형성되도록 이동된다. 반도체 웨이퍼(124)가 SEM(420)에 의해서 조사되도록 이동될때, 포커싱 미러(484)는 도 4에 도시된 바와 같이 자동적으로 위치된다. 다양한 다른 형상이 포커싱 미러(484)의 사용을 용이하게 하는데 이용될수 있다.
반사 미러(486)는 곡률중심이 SEM(420)의 촛점 포인트(466)에 형성되고 위치설정된다. 포커싱 비임(492)이 SEM(420)의 촛점 포인트(466)를 통해 통과할때, 제 1 경사 포인트에서 반도체 웨이퍼(124)의 표면을 타격한다. 이때, 포커싱 비임(492)은 반사 미러(486)를 향하게 되며, 반도체 웨이퍼(124)의 표면에 되돌아오게 된다. 반사된 포커싱의 비임(492)들은 제 1 경사 포인트에 인접한 제 2 경사 포인트에서 반도체 웨이퍼(124)의 표면과 충돌하게 된다. 상기 포커싱의 비임(492)은 이미지가 이미징 유닛(418)에 의해서 해소되도록 반-반사 미러(438)를 통해 포커싱 미러를 통해 반사된다. 이미징 유닛(418)에 의해서 해결되는 이미지는 이미지 위치 탐지기(488)에 출력되며, 기준 프레임(492)과 비교된다. 예를들어 기준 프레임은 목적물이 SEM((420)의 촛점 포인트(466)에 정확히 위치될때, 포커싱의 비임(492)의 위치에 대응할수 있다. 이때. 이미징 유닛(418)으로 부터 수용되는 이미지는 SEM((420)의 촛점 포인트(466)에 위치되었는지를 결정하기 위해 기준 프레임에 비교된다.
도 5에는, 이미지 위치 탐지기(488)가 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 검사 시스템(400)에 능동적으로 포커싱되는 방식이 도시되어 있다. 상기 이미지 위치 탐지기(488)는 이미징 유닛(418)으로 부터 반도체 웨이퍼(124)의 일부에 대응하는 포커싱 이미지(502)를 수용한다. 포커싱 이미지(502)는 이미지 위치 탐지기(488)의 기준 프레임(504)위로 중첩된다. 이때, 이미지 위치 탐지기(488)는 기준 프레임(504)과 포커싱 이미지(502)의 에지사이의 차이가 있는지를 결정한다. 이러한 차이는 SEM(420)의 촛점 포인트(466) 및 반도체 웨이퍼(124)의 표면사이의 거리에 대응한다. 포커싱 이미지(502)가 기준 프레임(504)에 정렬된다면, 반도체 웨이퍼(124)는 SEM(420)의 촛점 포인트(466)에 정확히 위치된다.
기준 프레임(504) 및 포커싱 이미지(502)사이의 거리는 Z축선 제어기(490)에 전송되는 촛점의 편차에 대응된다. Z축선 제어기(490)는 반도체 웨이퍼(124) 및 반사 미러(486)의 위치를 조정하기 위해 수직 변위 유닛(430)의 모터(434)를 작동하는 제어 전압을 발생하도록 촛점 편차를 이용한다. 이러한 공정은 이미징 유닛(418)으로 부터 수용되는 포커싱 이미지(502)가 기준 프레임(504)에 정확히 정렬되는 것을 이미지 위치 탐지기(488)가 결정할때 까지 반복된다. 이러한 실시예에 따르면, 반도체 웨이퍼(124)의 선택된 위치가 포커싱된 이미지를 발생하기 위해 SEM(420)에 의해 해상되는 숫자가 크게 감소된다.
정상작동중에, 반도체 웨이퍼(124)는 표면이 SEM(420)의 촛점 포인트(466)와 적당히 정렬되는 것이 결정될 때까지 포커싱 시스템를 이용하여 조정된다. 반도체 웨이퍼(124)의 선택된 부분은 SEM(420)을 이용하여 조사되며, 미세한 촛점의 조정이 이루어진다. 도 4에 도시된 본 발명의 실시예에 따르면, 보조 리프트(432B)는 수직 변위 유닛(430)의 일부로 구성되며, 모터(434)에 의해서 제어가능하다. 이러한 실시예에 따르면, 보조 리프트(432B)의 작동은 반사 미러(486)의 곡률 중심이 SEM(420)의 촛점 포인트(466)에 항상 있도록 리프트(432A)와 정확히 동시에 움직인다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 조사원(436)은 광학 현미경에 의해서 결함의 조사를 위해 밝은 영역 및 어두운 영역을 발생하는데 단독으로 사용된다. 레이저(514)는 포커싱 비임(492)으로서 이용되는 본래의 비임을 발생하기 위해 대부분 제공된다. 이러한 실시예는 포커싱 미러(484)를 필요없게 한다. 대신에 다수의 비임 스플리터(510)는 반도체 웨이퍼(124)의 표면을 항해 포커싱 비임(492)에 바로 이용된다. 상기 비임 스플리터(510)는 레이저(514)에 의해서 발생된 포커싱 비임(492)을 반사하도록 구성되지만, 조사장치(436)로 부터비임(444)을 통과시키기도 한다. 자동-촛점 센서(512)가 반사된 포커싱 비임(492)를 수용하기 위해 제공되어, 반도체 웨이퍼(124)의 선택된 부분이 SEM(420)의 촛점 포인트(466)에 위치설정되는지를 결정한다. 상기 자동-촛점 센서(512)는 수직 변위 시스템(430)의 제어 작동을 위해 이미징 유닛(418) 및 이미지 위치 탐지기(488)에 이미지를 제공하도록 구성된다. 선택적으로, 수직 변위 시스템(430)은 Z-축선을 따라 스테이지(414)를 소정의 포인트로 위치설정하도록 구성될수 있다. 자동 촛점 센서(512)는 소정의 포인트 각각에 결함의 이미지를 조사하도록 구성되며, 이미징 유닛(418)에 최적으로 포커싱되는 이미지를 선택한다.
정상작동중에, 반도체 웨이퍼(124)는 표면이 SEM(420)의 촛점 포인트(466)와 적당히 정렬되는 것이 결정될때 까지 포커싱 시스템를 이용하여 조정된다. 반도체 웨이퍼(124)의 선택된 부분은 SEM(420)을 이용하여 조사되며, 미세한 촛점의 조정이 이루어진다. 도 4에 도시된 본 발명의 실시예에 따르면, 보조 리프트(432B)는 Z-축선을 따라 반사 미러(486)를 이동하도록 제공된다. 상기 보조 리프트(432B)는 수직 변위 유닛(430)의 일부로 구성되며, 모터(434)에 의해서 제어가능하다. 이러한 실시예에 따르면, 보조 리프트(432B)의 작동은 반사 미러(486)의 곡률 중심이 SEM(420)의 촛점 포인트(466)에 항상 있도록 리프트(432A)와 정확히 동시에 움직인다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 조사원(436)은 광학 현미경에 의해서 결함의 조사를 위해 밝은 영역 및 어두운 영역을 발생하는데 단독으로 사용된다. 레이저(514)는 포커싱 비임(492)으로서 이용되는 본래의 비임을 발생하기 위해 대부분 제공된다. 이러한 실시예는 포커싱 미러(484)를 필요없게 한다. 대신에, 비임 스플리터(510)는 반도체 웨이퍼(124)의 표면을 항해 포커싱 비임(492)에 바로 이용된다. 상기 비임 스플리터(510)는 레이저(514)에 의해서 발생된 포커싱 비임(492)을 반사하도록 구성되지만, 조사장치(436)로 부터 비임(444)을 통과시키기도 한다. 자동-촛점 센서(512)가 반사된 포커싱 비임(492)를 수용하기 위해 제공되어, 반도체 웨이퍼(124)의 선택된 부분이 SEM(420)의 촛점 포인트(466)에 위치설정되는지를 결정한다. 상기 자동-촛점 센서(512)는 수직 변위 시스템(430)의 작동을 제어하기 위해 이미징 유닛(418) 및 이미지 위치 탐지기(488)에 이미지를 제공하도록 구성된다. 선택적으로, 수직 변위 시스템(430)은 Z-축선을 따라 스테이지(414)를소정의 포인트로 위치설정하도록 구성될수 있다. 자동 촛점 센서(512)는 소정의 포인트 각각에 결함의 이미지를 조사하도록 구성되며, 이미징 유닛(418)에 최적으로 포커싱되는 이미지를 선택한다.
도 6에는, 본 발명의 실시예에 따라 제조된 웨이퍼 검사 시스템을 이용하여 반도체 웨이퍼(124)의 조사중에 수행되는 공정을 설명하는 프로우차트가 도시되어 있다. 상기 공정에서, 단계(S600)에서, 반도체 웨이퍼는 스테이지 위해 놓여지며, 적절히 장착된다. 단계(S610)에서, 반도체 웨이퍼는 웨이퍼 검사 시스템의 좌표시스템에 정렬된다. 본 기술분야에서 공지된바와 같이, 이러한 정렬은 종래의 예비-정렬기 및 다른 정렬 매카니즘을 이용하여 이루어질수 있다. 단계(S612)에서, 웨이퍼의 결함 지도를 경감하는 제 1 탐지위치가 웨이퍼 검사 시스템(400. 예를들어 스테이지 좌표)의 좌표시스템에 병진이동된다. 자동화된 제 1 및 제 2 베이스들은 선택된 결함이 광학 현미경에 의해서 동일시 되도록 웨이퍼를 위치설정하는데 이용된다.
단계(S614)에서, 결함은 웨이퍼 검사 시스템에 의해서 다시 탐지된다. 상세히 기술하면, 탐지는 어두운 영역의 조사를 이용하여 광학 현미경에 의해서 조사되며, 이러한 조면방식은 웨이퍼 결함 지도를 형성하는데 사용되는 조사기구에 의해서 이루어진다. 단계(S616)에서, 광영역 선택기는 영역 조사를 밝게하기 위해 어두운 영역 조사으로 부터 스위치하는데 이용된다. 단계(S618)에서, 결함의 좌표들은 스테이지 좌표를 이용하여 업테이트된다. 점선을 사용하여 나타난바와 같이, 결함은 단계(S620)에서 어두운 영역 및 밝은 영역조사를 사용하여 재검토된다. 상술된바와 같이, 상기 재검토는 색채 또는 극성 필터들과 같은 다양한 필터들을 이용하는 것이 용이하다. 단계(S622)에서, 조사될 추가의 결함이 있는지를 결정한다. 추가의 결함이 있다면, 단계(S624)에서 상기 결함의 조사를 위해 스테이지가 위치된다. 이때, 단계(S614)로 되돌아가게 된다. 추가의 결함이 없다면, 단계 S626로 진행하게 된다.
단계(S626)에서, 결함의 위치는 SEM과 정렬된다. 이것은 결함이 SEM의 광 축선에 거의 정렬되도록 제 1 및 제 2 자동화된 베이스가 이동하는 스테이지 좌표를 이용함으로써 달성된다. 필요한 경우, SEM을 이용하여 보았을 때 반도체 웨이퍼의 이미지를 포커싱시키기 위하여 스테이이지의 높이가 단계(S628)에서 조정될 수 있다. 본 발명의 특정한 실시예에 따라, 자동 포커싱 장치는 스테이지의 위치를 조정하기 위하여 이용될 수 있다. 이 같은 상기 케이승스인 경우, 그때 제어부는 스테이지의 높이가 자동적으로 제어되는 블록(1)을 제어하기 위하여 통과한다.
단계(S630)에서, 결함이 분류된다. 이 단계는 결함을 검사하기 위하여 컴퓨터 시스템의 이용에 대응하며, 예정된 결함 타입과 비교하며, 결함을 분류한다. 결함이 SEM 기초 이미지(SEM-based image)에서 명백한 경우, 분류는 SEM 기초 이미지를 배타적으로 이용하여 수행될 수 있다. 그러나, 결함이 분류에 대해 명백하지 않은 경우, 광 이미지는 분류를 수행 또는 강화하기 위하여 이용될 수 있다. SEM 기초 이미지만을 이용한 분류가 불충분한 것이 결정되었을 때 광 이미지는 단계(616), 또는 단계(626)후 얻을 수 있다. 단계(S632)에서, 검사하기 위하여 남아 있는 임의의 추가적 결함이 있는지 결정된다. 추가적 결함이 있는 경우, 그때 스테이지는 반도체 웨이퍼가 단계(S634)에서 다음 결함의 위치에서 SEM 아래 배치되도록 이동하며, 제어부는 단계(S626)으로 복귀된다. 그러나 추가적 결함이 없는 경우, 그때 재검사 공정은 단계(S640)에서 종결된다.
본 발명에 따른 상기 시스템은 결함 지도로부터 검사 시스템의 시스템 에러를 신속히 제거하기 위하여 이용될 수 있다. 특히, 재감지되는 결함의 수는 단계(S622)에서 카운트된다. 상기 수가 예정된 수에 도달할 때, 즉 재감지된 결함의 좌표 업데이트가 통상적인 변화를 찾기 위하여 검사된다. 예를 들면, 모든 좌표가 특별한 회전, 알파 및 이동(translation; dx, dy)에 대해 교정되는 경우, 그때 이것은 시스템 에러에 귀착되며 특별한 결함 지도에서 모든 결함의 좌표는 회전 에러에 대해 교정된다. 회전 및 이동 오프셋은 동일한 검사 기구로 검사되는 웨이퍼를 위하여 다시 저장 및 이용될 수 있다. 검사 기구 ID는 재검사 기구로 전달되는 정보의 부분이며 그럼으로써 측정된 시스템 에러는 특정된 검사 기구와 관련될 수 있다.
도 7은 검사 기구에 의하여 생성된 결함 오프셋이 본 발명의 웨이퍼 재검사 시스템에 의하여 교정되는 방식이 도시된 흐름도이다. 단계(S700)에서, 반도체 웨이퍼는 스테이지상에 배치되며, 결함의 위치에 대응하는 데이터(즉, 결함 지도)는 웨이퍼 재검사 시스템으로 전달된다. 전술된 바와 같이, 결함 지도는 검사 기구에 의하여 미리 확인된 잠재적 결함의 좌표를 포함한다. 또한 웨이퍼 검사 시스템으로 전달되는 데이터는 반도체 웨이퍼를 위한 결함 지도를 생성하기 위하여 이용되는 검사 기구를 확인하는 검사 기구 ID를 포함한다.
단계(S710)에서, 반도체 웨이퍼는 웨이퍼 재검사 시스템의 좌표 축선에 예비 정렬된다. 결함 오프셋(즉 결함 카운트)를 결정하기 위하여 이용되는 결함의 수는 단계(S712)에서 한정된다. 단계(S714)에서, 웨이퍼 재검사 시스템은 제 1 결함을 재감지한다.(즉, 예를 들면 광학 현미경을 이용하여) 단계(S716)에서, 결함이 성공적으로 재감지되었는지 여부를 결정한다. 결함이 성공적으로 재감지되지 않은 경우, 그대 제어부는 단계(S714)로 복귀되는데, 단계(S714)에서는 예를 들면 결합된 밝은 영역 및 어두운 영역 조사와 같은 추가적 시도가 결함을 재감지하기 위하여 적용된다. 결함이 성공적으로 재감지된 경우, 그때 제어부는 단계(S718)를 통과하며, 단계(S718)에서는 결함 좌표가 웨이퍼 재검사 시스템의 좌표에 대해 상대적으로 업데이트된다.
단계(S720)에서, (단계 S712에서 선택된) 감지 카운트에 대응하는 감지의 수가 재감지되는지 여부를 결정한다. 재감지된 결함의 수가 결함 카운트보다 적은 경우, 그때 제어부는 결함 지도에서 다음 결함이 재감지되는 단계(S714)로 복귀된다. 개감지된 결함의 수가 감지 카운트와 동일한 경우, 그때 제어부는 단계(S722)로 통과한다. 단계(S722)에서, 결함 오프셋은 반도체 웨이퍼를 위해 계산된다.
전술된 바와 같이, 결함 오프셋은 겸사 기구의 시스템 에러에 귀착되는 회전 및 이동 변위의 전형이다. 이 같은 일 실시예에 따라, 결함 오프셋이 계산될 때, 이 같은 오프셋은 반도체 웨이퍼를 위한 남아있는 모든 결함 위치에서 시스템 에러를 교정하기 위하여 적용된다. 특히, 시스템 에러에 대한 교정은 대응하는 검사 시스템 ID과 함께 컴퓨터(158)에서와 같은 메모리부에서 지속된다. 또한, 동일한 검사 기구가 다중 반도체 웨이퍼를 위한 결함 지도를 생성하기 위하여 이용되는 경우, 그때 동일한 결함 오프셋은 메모리부로부터 교정되며 동일한 시스템 ID을 구비한 결함 지도를 가진 모든 반도체 웨이퍼에서 시스템 에러를 교정하기 위하여 적용된다. 본 발명의 실시예에 따라, 웨이퍼 재검사 시스템은 현재 검사되는 반도체 웨이퍼를 위한 결함 지도를 생성하기 위하여 이용되는 특정한 검사 기구를 결정하기 위하여 전달된 데이터를 포함하는 검사 기구 ID를 검사할 수 있다. 검사 기구 ID가 결함 오프셋이 계산되는 결함 지도를 생성하기 위하여 이용되는 검사 기구의 검사 기구 ID와 정합된다면, 그때 동일한 결함 오프셋이 현재의 반도체 웨이퍼에 포함된 시스템 에러를 교정하기 위하여 적용될 수 있다. 이 같은 일 실시예는 결함 오프셋이 동일한 검사 기구에 의하여 검사되는 개별적인 반도체 웨이퍼 또는 다중 반도체 웨이퍼가 계산되어야 하는 때의 수를 최소화시키는 장점을 가진다.
도 8은 본 발명의 또 다른 특별한 방법의 흐름도이다. 특히, 이 실시예에 따라, 본 발명의 시스템은 결함에 대하여 기판을 검사하기 위하여 이용될 수 있다. 즉, 임의의 공정 결함이 현재의 광학 시스템에 의하여 감지가능하지 않다는 것은 공지되어 있다. 그러므로, 미국 캘리포니아의 샌어제어 소재의 KLA에 의하여 판매되는 에스이엠스펙(SEMSpec) 시스템과 같은 시스템은 광학 검사 시스템을 이용하여 감지될 수 없는 결함을 감지하기 위하여 전체 웨이퍼를 전자 비임으로 스캔하기 위하여 이용된다. 에스이엠스펙 시스템은 미국 특허 출원 제 5,578,821호 및 제 5,502,306호에 상술된다. 그러나, 에스이엠스펙은 매우 비싸며 매우 느린 시스템이므로 하루에 하나 또는 두개의 웨이퍼만을 스캔할 수 있다.(광학 시스템에 의하여 시간당 30 내지 60개의 웨이퍼를 감지하는데에 반하여) 도 8에 도시된 실시예는 현재 이용된느 것보다 더 낮은 비용 및 더 빠른 스캔률에서 매우 빠른 전자 비임에 기초한 검사 시스템을 제공한다.
본질적으로, 도 8의 실시예는 기판의 전자 비임에 기초한 스캔닝을 수행하며 결함을 감지 하기 위하여 지적인 선택(intelligent selection)을 이용한다. 즉, 회로 설계자는 결함을 가지도록 손상된 회로상의 영역이 있는 장소를 일반적으로 안다. 예를 들면, 밀집 패턴을 가지는 영역, 많은 접촉공을 가진 영역, 라인의 브리징을 가지는 가능성으로 서로 밀접한 많은 전도 라인을 가지는 영역 등이다. 정보를 이용하여, 설계자는 주의깊게 검사되어야 하는 회로, 즉 웨이퍼상의 영역이 지적으로 선택될 수 있다. 정보를 이용하여, 설계자는 단계(800)에 예시된 바와 같이, 스캔되는 영역에 대한 좌표를 설정할 수 있다. 바람직한 실시예에서, 이것은 "인공적인" 또는 "합성의" 결함 지도를 작성함으로써 달성된다. 즉, 결함을 가지는 것으로 의심되는 스캔되는 영역은 상기 영역들을 검사하기 위하여 시스템을 명령하는 인공적인 결함 지도를 작성함으로써 한정된다.
시스템이 세트 스캔 영역, 또는 인공적인 결함 지도를 수용할 때, 광학 현미경의 우선적으로 동작하는, 즉 접합부(810)에서 통로 "예"를 선택하는 동작, 또는 입자 현미경으로 직접 스캐닝하는, 즉 접합부(810)에서 "아니오"를 선택하는 옵션(option)을 가진다. 통로 "예"가 선택된 경우, 광학 현미경(116)은 결함 지도(단계 820)에 따라 기판을 스캔하기 위하여 이용된다. 그때, 결함 지도는 광학 현미경에 의하여 생성되며, 임의의 발견된 결함(단계 830)을 나타낸다. 그후, 또는 통로 "아니오"가 접합부(810)에서 선택되는 경우, 세트 스캔 영역은 단계 840에서 입자 현미경에 의하여 스캔된다. 입자 현미경에 의하여 얻은 이미지의 다이 대 다이 비교(die-to-die comparison)를 이용하여, 새로운 결함 지도는 컴퓨터(158)(단계 850)에 의하여 생성된다. 다이 대 다이 비교는 예를 들면 SEM버젼에 의하여, 즉 각각의 지적된 위치에 대하여 현재 수행되는 방법에 따라 수행되며, 인접 다이상의 대응 위치가 이미지되며, 이미지는 불일치를 감지하기 위하여 비교된다. 이 후자의 결함 지도는 입자 비임 현미경의 높은 선명도에 기초하기 때문에 매우 정확하다는 것이 인정된다. 필요한 모든 것이 결함 지도인 경우, 공정은 여기에서 정지된다.
발견된 결함에 대한 추가적 정보가 찾아진다면, 공정은 단계(860)으로 계속되며, 입자 현미경을 이용하여 각각의 결함의 확대된 이미지가 얻어진다. 그때, 단계(870)에서, 컴퓨터(158)는 전술된 바와 같이 자동 결함 분류(ADC)를 수행할 수 있다.
비록 본 발명이 반도체 웨이퍼상의 결함의 검사에 대하여 상술되었지만, 이 같은 장치는 다양한 다른 재료 및 표면에 관련하여 용이하게 이용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 포토마스크, 자기 다스크, 광학 디스크, 거울 등을 검사하기 위하여 이용될 수 있다. 더욱이, 본 발명은 제조 공정의 다양한 스테이지동안 반도체 재료를 검사하기 위하여 이용될 수 있다. 특히, 본 발명은 패턴이 형성되거나 패턴이 형성되지 않은 반도체 웨이퍼의 검사에 동일하게 응용가능하다.
본 발명은 반도체와 같은 목적물의 표면상(또는 근처)의 결함을 신속하고 정확하게 재감지하며 분류하기 위한 능력을 유용하게 제공한다. 이것은 광학 현미경 및 SEM을 포함하는 재료 재검사 시스템을 이용하여 달성된다. 광학 현미경은 반도체 웨이퍼에 대해 결함 지도를 생성하기 위하여 이용되는 조사 영역에 유사한 조사조사조사조사 수 있도록 구성된다. 이 같은 구성은 결함의 정확하고 유효한 재감지를 허용한다. 시스템은 모든 결함이 광학 현미경에 의하여 감지되었을 때 반도체 웨이퍼를 SEM과 정렬하기 위하여 이동하는 이동 시스템을 포함한다. SEM은 재감지 및 분류가 되도록 결함의 높은 선명도 확대를 제공한다. 또한 본 발명은 결함에 SEM의 촛점을 맞추기 위해 스테이지를 자동적으로 조정하는 실제적인 광학 포커싱 시스템을 제공한다. 더욱이, 피봇팅 시스템은 회전 축선에 대하여 스테이지의 회전 및 상이한 투시(perspective)로부터 결함의 감지를 제공한다.
이 같은 구성의 하나의 장점은 광학 현미경을 이용하여 결함을 정확하게 재감지할 수 있다는 것이다. 또한, 결함이 재감지되었을 때, SEM에 의한 검사를 위하여 정확하게 배치될 수 있다. 그러므로, SEM의 관점의 제한된 영역을 이용하여 큰 영역을 임의로 찾기 위한 요구가 제거된다. 더욱이, 시스템은 특별한 검사 시스템의 시스템 에러를 계산할 수 있으며 자동적으로 이 같은 시스템으로부터 수용된 결함 지도로 교정을 적용한다. 본 발명의 또 다른 장점은 SEM에 의하여 이미지될 수 없는 결함을 분류할 수 있다는 것이며, 따라서 재감지 공정동안 분류되지 않는 결함의 수를 최소화한다.
본 발명을 설명하였지만, 가장 실용적이고 양호한 실시예라 생각되는 것과 관련하여 본 발명은 전술된 실시예에 한정되지 않는 것으로 이해해야 하며, 첨부된 특허청구범위의 범주 및 사상내에 포함된 다양한 변화 및 등등한 구성을 포함하는 것으로 이해해야 한다.
상기한 본 발명에 의하면, 반도체 웨이퍼와 같은 재료상의 결함을 신속하고 정확하게 재검출할 수 있으며, SEM에 의해 검출할 수 없는 결함을 분류할 수 있는 효과가 있다.

Claims (26)

  1. 이전에 생성된 결함 지도에 근거하여 목적물 표면 상의 결함을 검사하기 위한 장치로서,
    상기 목적물을 수용하기 위한 스테이지와,
    광비임을 제공하는 조사원을 포함하고, 상기 결함 지도에 포함된 정보에 근거하여 상기 목적물 표면의 선택된 부분을 향해 상기 광비임을 주사하는 광학 현미경과,
    상기 광학 현미경에 연결되어 있고 상기 광비임에 의해 조사된 결함을 검출하기 위한 광센서와,
    규정된 축선을 따라 비임 입자를 촛점에 포커싱시키기 위한 입자 비임 이미징 시스템과, 그리고
    상기 재검출된 결함을 상기 촛점 부근에 위치시키는 이송 시스템을 포함하며,
    상기 재검출된 결함이 입자 비임 이미징 시스템을 사용하여 연속적으로 재검사될 수 있는 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 이송 시스템은 제 1축선을 따라 상기 스테이지를 이동시키기 위한 제 1모터식 베이스 및 제 2축선을 따라 상기 스테이지를 이동시키기 위한 제 2모터식 베이스를 포함하며,
    상기 제 1 및 제 2축선은 실질적으로 서로 수직하며 평면을 한정하는 장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 현미경은 밝은 영역 모드, 어두운 영역 모드, 및 상기 밝은 영역 모드와 상기 어두운 영역 모드의 조합 영역에서 작용하도록 구성되어 있는 장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 입자 비임 시스템에 의해 검사된 결함을 분류하기 위한 컴퓨터 시스템을 더 포함하는 장치.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 컴퓨터 시스템은 상기 현미경에 의해 이미지된 결함을 더 분류하도록 구성된 장치.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 조사원은 레이저를 포함하는 장치.
  7. 제 3항에 있어서, 상기 현미경에 작동가능하게 접속되고, 상기 어두운 영역 모드 및 상기 밝은 영역 모드를 발생시키기 위해 규정된 조사 형태를 선택적으로 형성하기 위한 모드 선택기를 더 포함하는 장치.
  8. 제 7항에 잇어서, 상기 모드 선택기는 상기 현미경의 조사 경로 내로 삽입가능한 필터를 포함하는 장치.
  9. 제 7항에 있어서, 상기 조사원은 밝은 영역을 조사하기 위한 램프식 광원 및 어두운 영역을 조사하기 위한 레이저원을 포함하는 장치.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 어두운 영역의 조사는 경사진 각도로 상기 목적물 표면에 도달하는 장치.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 목적물 표면을 향해 경사진 각도로 보조 광원을 주사하기 위한 제 2조사원을 더 포함하는 장치.
  12. 제 1항에 있어서, 상기 목적물 표면을 상기 입자 이미징 시스템의 촛점에 자동적으로 유지시키기 위한 포커싱 시스템을 더 포함하는 장치.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 포커싱 시스템은,
    포커싱 비임을 발생시키기 위한 간섭 광원과,
    제 1입사점에서 상기 목적물 표면을 가격하는 포커싱 비임을 상기 촛점을 통해 상기 목적물 표면을 향해 주사하기 위한 포커싱 미러와,
    상기 제 1입사점 부근에 위치한 제 2입사점에서 상기 목적물 표면의 후방으로 상기 포커싱 비임을 반사시키기 위한 반사 미러와, 그리고
    상기 목적물 표면과 상기 촛점 사이의 거리를 검출하고 상기 목적물 표면과 상기 촛점이 정렬하도록 상기 스테이지를 수직하게 조절하기 위한 이미지 정렬 시스템을 포함하는 장치.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 입자 비임 이미징 시스템이 결함을 이미지화할 때 상기 포커싱 시스템을 선택적으로 작동시키고 상기 현미경이 작동 중일 때 상기 포커싱 시스템을 작동 해제시키는 선택 메카니즘을 더 포함하는 장치.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 선택 메카니즘은 상기 현미경의 주사 경로 내로 삽입가능한 미러를 포함하는 장치.
  16. 제 14항에 있어서, 상기 선택 메카니즘은 상기 현미경의 주사 경로 내에 위치된 통시적 미러를 포함하는 장치.
  17. 제 1항에 있어서, 상기 센서가 칼라 CCD인 장치.
  18. 제 3항에 있어서, 상기 밝은 영역 모드 및 상기 어두운 영역 모드 상으로의 조사는 색코드형이며, 상기 센서가 칼라 CCD인 장치.
  19. 제 1항에 있어서, 상기 결함 지도로부터의 결함 좌표 및 상기 현미경으로부터의 스테이지 좌표를 수용하고 상기 결함 지도의 기록 에러를 계산하는 에러 계산기를 더 포함하는 장치.
  20. 제 19항에 있어서, 시스템 ID와 관련하여 상기 기록 에러를 저장하고 상기 시스템 ID를 갖는 소정의 결함 지도에 상기 기록 에러를 적용하는 에러 메모리를 더 포함하는 장치.
  21. 이미 생성된 결함 지도에 근거하여 목적물 표면 상의 결함을 검사하는 방법으로서,
    결함을 재검출하기 위해 결함 지도로부터의 좌표에 근거하여 상기 목적물 표면의 선택된 부분을 광학 현미경으로 관찰하는 단계와,
    상기 재검출된 결함의 위치에 대응하는 스테이지 좌표를 결정하는 단계와,
    상기 결함 지도 및 상기 스테이지 좌표로부터 기록된 에러를 계산하는 단계와,
    상기 재검출된 결함을 입자 비임 이미징 시스템의 촛점 부근에 위치시키기 위해 상기 목적물 표면을 이동시키는 단계와, 그리고
    상기 입자 비임 이미징 시스템을 사용하여 상기 재검출된 결함을 검사하는 단계를 포함하는 방법.
  22. 제 21항에 있어서, 상기 목적물 표면의 선택된 부분을 광학 현미경으로 관찰하는 단계는 어두운 영역 조사로 상기 목적물 표면을 조사하는 단계를 포함하는 방법.
  23. 제 22항에 있어서, 밝은 영역 모드로 상기 현미경을 작동시킴으로써 상기 결함의 확대된 광학 이미지를 얻는 단계를 더 포함하는 방법.
  24. 제 21항에 있어서, 상기 결함의 어두운 영역 이미지와 어두운 영역 이미지의 복합적인 이미지를 형성하기 위해 상기 목적물 표면의 상기 선택된 부분 상에 밝은 영역 조사와 어두운 영역 조사를 동시에 적용하는 단계를 포함하는 방법.
  25. 전자비임 현미경을 사용하여 웨이퍼 표면 상의 결함을 검사하는 방법으로서,
    검사될 웨이퍼 상의 지정된 영역의 리스트를 작성하는 단계와,
    상기 지정된 영역의 전자비임으로 스캐닝을 수행하기 위해 상기 지정된 영역의 리스트를 상기 현미경으로 제공하는 단계와,
    상기 지정된 영역 내의 결함을 검출하기 위해 다이 대 다이 검사를 수행하는 단계와, 그리고
    이전 단계들을 기초로 하여 결함 지도를 작성하는 단계를 포함하는 방법.
  26. 제 25항에 있어서, 상기 지정된 영역의 리스트는 모조 결함 지도의 형태로 작성되는 방법.
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100609603B1 (ko) * 2002-05-17 2006-08-04 주식회사 미르기술 엑스레이 및 비주얼검사가 통합된 인쇄회로기판 검사장치
KR100750899B1 (ko) * 2004-12-29 2007-08-22 삼성중공업 주식회사 용접부 결함검사를 위한 검사장비
KR101138648B1 (ko) * 2009-10-08 2012-04-26 엘아이지에이디피 주식회사 고속기판검사장치 및 이를 이용한 고속기판검사방법
WO2013040063A2 (en) * 2011-09-13 2013-03-21 Kla-Tencor Corporation Determining design coordinates for wafer defects
KR101360251B1 (ko) * 2007-11-23 2014-02-11 삼성전자 주식회사 웨이퍼 디펙트 검사장치 및 그 방법
US8923600B2 (en) 2005-11-18 2014-12-30 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US9053527B2 (en) 2013-01-02 2015-06-09 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US9134254B2 (en) 2013-01-07 2015-09-15 Kla-Tencor Corp. Determining a position of inspection system output in design data space
US9170211B2 (en) 2011-03-25 2015-10-27 Kla-Tencor Corp. Design-based inspection using repeating structures
US9189844B2 (en) 2012-10-15 2015-11-17 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using defect-specific information
US9311698B2 (en) 2013-01-09 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using template image matching
US9310320B2 (en) 2013-04-15 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Based sampling and binning for yield critical defects
US9659670B2 (en) 2008-07-28 2017-05-23 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for classifying defects detected in a memory device area on a wafer
US9865512B2 (en) 2013-04-08 2018-01-09 Kla-Tencor Corp. Dynamic design attributes for wafer inspection
KR20210096201A (ko) * 2018-12-28 2021-08-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 하전 입자 빔들을 포커싱하는 시스템들 및 방법들

Families Citing this family (152)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3705976B2 (ja) * 1999-12-01 2005-10-12 株式会社ルネサステクノロジ 分析・観察装置
US7095904B2 (en) * 2000-04-12 2006-08-22 Ultratech, Inc. Method and apparatus for determining best focus using dark-field imaging
JP2002100660A (ja) * 2000-07-18 2002-04-05 Hitachi Ltd 欠陥検出方法と欠陥観察方法及び欠陥検出装置
US6567212B1 (en) * 2000-08-16 2003-05-20 Leica Microsystems Heidelberg Gmbh Vibration damping device for microscopes and microscope with a vibration damping device
US6812045B1 (en) 2000-09-20 2004-11-02 Kla-Tencor, Inc. Methods and systems for determining a characteristic of a specimen prior to, during, or subsequent to ion implantation
US6917419B2 (en) 2000-09-20 2005-07-12 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining flatness, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen
US6673637B2 (en) 2000-09-20 2004-01-06 Kla-Tencor Technologies Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen
US6891627B1 (en) 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
US6782337B2 (en) 2000-09-20 2004-08-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension an a presence of defects on a specimen
US6694284B1 (en) 2000-09-20 2004-02-17 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining at least four properties of a specimen
US6809809B2 (en) * 2000-11-15 2004-10-26 Real Time Metrology, Inc. Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects
US6630996B2 (en) * 2000-11-15 2003-10-07 Real Time Metrology, Inc. Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects
IL140179A (en) 2000-12-07 2004-09-27 Nova Measuring Instr Ltd Method and system for measuring in patterned structures
US7052483B2 (en) * 2000-12-19 2006-05-30 Animas Corporation Transcutaneous inserter for low-profile infusion sets
KR100389135B1 (ko) * 2001-02-20 2003-06-25 삼성전자주식회사 웨이퍼 디펙트 소스의 성분별 불량칩수 표시 방법
US6717707B2 (en) * 2001-02-21 2004-04-06 Beyond 3, Inc. Method and system for controlling resonance within a resonator-enhanced optical system
JP4610798B2 (ja) * 2001-06-19 2011-01-12 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 レーザ欠陥検出機能を備えた走査型電子顕微鏡とそのオートフォーカス方法
JP4681153B2 (ja) * 2001-06-19 2011-05-11 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 レーザ欠陥検出機能を備えた走査型電子顕微鏡におけるｃｃｄカメラ自動切替方法およびシステム
DE10141051A1 (de) * 2001-08-22 2003-03-06 Leica Microsystems Anordnung und Verfahren zur Inspektion von unstruktuierten Wafern
US6894790B2 (en) * 2001-11-13 2005-05-17 Hitachi High-Technologies Corporation Micropattern shape measuring system and method
JP3817464B2 (ja) * 2001-11-13 2006-09-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ 微細パターンの３次元形状測定システム、及び３次元形状測定方法
US7236847B2 (en) 2002-01-16 2007-06-26 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for closed loop defect reduction
US6986280B2 (en) * 2002-01-22 2006-01-17 Fei Company Integrated measuring instrument
US6791095B2 (en) * 2002-03-21 2004-09-14 Hermes-Microvision (Taiwan) Inc. Method and system of using a scanning electron microscope in semiconductor wafer inspection with Z-stage focus
JP2003282016A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Seiko Instruments Inc 周辺装置を備えた荷電粒子顕微鏡における試料ステージ傾斜機構
CA2444484A1 (en) * 2002-04-10 2003-10-10 Dave Riling Automated protein cyrstallization imaging
US6537885B1 (en) * 2002-05-09 2003-03-25 Infineon Technologies Ag Transistor and method of manufacturing a transistor having a shallow junction formation using a two step EPI layer
US6862491B2 (en) * 2002-05-22 2005-03-01 Applied Materials Israel, Ltd. System and method for process variation monitor
US6902980B2 (en) * 2003-06-05 2005-06-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of fabricating a high performance MOSFET device featuring formation of an elevated source/drain region
US7027143B1 (en) 2002-10-15 2006-04-11 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging at off-stepper wavelengths
US7379175B1 (en) 2002-10-15 2008-05-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for reticle inspection and defect review using aerial imaging
US7123356B1 (en) 2002-10-15 2006-10-17 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging and die-to-database detection
JP4388270B2 (ja) * 2002-11-18 2009-12-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 表面検査方法及び表面検査装置
KR100492158B1 (ko) * 2002-11-19 2005-06-02 삼성전자주식회사 웨이퍼 검사 장치
US7133119B1 (en) 2002-12-17 2006-11-07 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems for simulating high NA and polarization effects in aerial images
DE10260817B3 (de) * 2002-12-23 2004-08-26 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur Analyse von Kratzern auf Halbleiterwafern
US7180658B2 (en) 2003-02-21 2007-02-20 Kla-Tencor Technologies Corporation High performance catadioptric imaging system
KR100499159B1 (ko) * 2003-02-28 2005-07-01 삼성전자주식회사 리세스 채널을 갖는 반도체장치 및 그 제조방법
US6841776B1 (en) * 2003-04-01 2005-01-11 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and apparatus for high-speed inspection and review
KR100621546B1 (ko) * 2003-05-14 2006-09-13 삼성전자주식회사 엘리베이티드 소오스/드레인 구조의 모스트랜지스터 및 그제조방법
JP2004349515A (ja) * 2003-05-23 2004-12-09 Hitachi High-Technologies Corp Ｓｅｍ式外観検査装置，レビュー装置、およびアライメント座標設定方法
US7027934B2 (en) * 2003-09-24 2006-04-11 3M Innovative Properties Company Apparatus and method for automated web inspection
JP4521240B2 (ja) * 2003-10-31 2010-08-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥観察方法及びその装置
US20050122508A1 (en) * 2003-10-31 2005-06-09 Sachio Uto Method and apparatus for reviewing defects
US7532749B2 (en) * 2003-11-18 2009-05-12 Panasonic Corporation Light processing apparatus
US7092082B1 (en) * 2003-11-26 2006-08-15 Kla-Tencor Technologies Corp. Method and apparatus for inspecting a semiconductor wafer
KR20060128979A (ko) * 2003-12-31 2006-12-14 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 웹 기반 제품의 수율을 최대화하는 방법 및 시스템
US7120515B2 (en) * 2003-12-31 2006-10-10 3M Innovative Properties Company Inventory control for web-based articles
JP4758358B2 (ja) 2004-01-29 2011-08-24 ケーエルエー−テンカー コーポレイション レチクル設計データにおける欠陥を検出するためのコンピュータに実装される方法
US7381968B2 (en) * 2004-04-16 2008-06-03 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle beam apparatus and specimen holder
US7623699B2 (en) 2004-04-19 2009-11-24 3M Innovative Properties Company Apparatus and method for the automated marking of defects on webs of material
US7141791B2 (en) * 2004-09-07 2006-11-28 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and method for E-beam dark field imaging
JP4904034B2 (ja) 2004-09-14 2012-03-28 ケーエルエー−テンカー コーポレイション レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体
US20090136117A1 (en) * 2004-10-26 2009-05-28 May High-Tech Solutions Ltd. Method and apparatus for residue detection on a polished wafer
JP2006261162A (ja) * 2005-03-15 2006-09-28 Hitachi High-Technologies Corp レビュー装置及びレビュー装置における検査方法
JP5006520B2 (ja) * 2005-03-22 2012-08-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥観察装置及び欠陥観察装置を用いた欠陥観察方法
US7298495B2 (en) * 2005-06-23 2007-11-20 Lewis George C System and method for positioning an object through use of a rotating laser metrology system
US7769225B2 (en) 2005-08-02 2010-08-03 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
JP2007071803A (ja) * 2005-09-09 2007-03-22 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥観察方法及びその装置
US7747062B2 (en) * 2005-11-09 2010-06-29 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods, defect review tools, and systems for locating a defect in a defect review process
US8041103B2 (en) 2005-11-18 2011-10-18 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space
US7676077B2 (en) 2005-11-18 2010-03-09 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
KR101195226B1 (ko) * 2005-12-29 2012-10-29 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 분석 시스템
JP4979246B2 (ja) 2006-03-03 2012-07-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥観察方法および装置
JP2007263884A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Fujitsu Ltd 欠陥識別装置及び方法
ATE425452T1 (de) * 2006-06-13 2009-03-15 Abb Oy Verfahren und vorrichtung zur erkennung von sich wiederholenden mustern
US20080013820A1 (en) 2006-07-11 2008-01-17 Microview Technology Ptd Ltd Peripheral inspection system and method
JP2008052139A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Olympus Corp 観察装置
KR100811444B1 (ko) * 2006-08-29 2008-03-07 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 분석방법
KR100819000B1 (ko) * 2006-10-02 2008-04-02 삼성전자주식회사 패턴 검사, 확인 및 수정 공정을 분리하여 진행하는포토마스크 검사 방법과 그에 사용되는 시스템들 및 패턴확인 시스템
JP2008111777A (ja) * 2006-10-31 2008-05-15 Jeol Ltd 顕微鏡用試料作成装置
US8184282B2 (en) * 2006-11-02 2012-05-22 Camtek Ltd. Method and system for defect detection using transmissive bright field illumination and transmissive dark field illumination
US7728969B2 (en) * 2006-12-05 2010-06-01 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for identifying defect types on a wafer
US7904845B2 (en) * 2006-12-06 2011-03-08 Kla-Tencor Corp. Determining locations on a wafer to be reviewed during defect review
JP5427609B2 (ja) 2006-12-19 2014-02-26 ケーエルエー−テンカー・コーポレーション 検査レシピ作成システムおよびその方法
WO2008086282A2 (en) 2007-01-05 2008-07-17 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions
US7525090B1 (en) 2007-03-16 2009-04-28 Kla-Tencor Technologies Corporation Dynamic centering for behind-the-lens dark field imaging
US7962863B2 (en) 2007-05-07 2011-06-14 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, systems, and computer-readable media for determining a model for predicting printability of reticle features on a wafer
US7738093B2 (en) 2007-05-07 2010-06-15 Kla-Tencor Corp. Methods for detecting and classifying defects on a reticle
US8213704B2 (en) 2007-05-09 2012-07-03 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
US8045145B1 (en) 2007-06-06 2011-10-25 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for acquiring information about a defect on a specimen
JP5110977B2 (ja) * 2007-06-22 2012-12-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥観察装置及びその方法
US7796804B2 (en) 2007-07-20 2010-09-14 Kla-Tencor Corp. Methods for generating a standard reference die for use in a die to standard reference die inspection and methods for inspecting a wafer
US7542821B2 (en) * 2007-07-26 2009-06-02 3M Innovative Properties Company Multi-unit process spatial synchronization of image inspection systems
US8175739B2 (en) * 2007-07-26 2012-05-08 3M Innovative Properties Company Multi-unit process spatial synchronization
US20090028417A1 (en) * 2007-07-26 2009-01-29 3M Innovative Properties Company Fiducial marking for multi-unit process spatial synchronization
US7711514B2 (en) 2007-08-10 2010-05-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for generating a metrology sampling plan
TWI469235B (zh) 2007-08-20 2015-01-11 Kla Tencor Corp 決定實際缺陷是潛在系統性缺陷或潛在隨機缺陷之由電腦實施之方法
US8863056B2 (en) * 2007-08-23 2014-10-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated design-for-manufacturing platform
KR100898225B1 (ko) 2007-09-07 2009-05-18 주식회사 동부하이텍 반도체 소자 및 이의 제조방법
KR100873154B1 (ko) * 2008-01-30 2008-12-10 한국표준과학연구원 포토 마스크의 수리장치 및 이를 이용한 수리방법
US8139844B2 (en) 2008-04-14 2012-03-20 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for determining a defect criticality index for defects on wafers
US8654320B2 (en) * 2008-06-02 2014-02-18 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Beam Path Monitoring Device and Beam Path Monitoring System
US7714287B1 (en) 2008-06-05 2010-05-11 Kla-Tencor Corporation Apparatus and method for obtaining topographical dark-field images in a scanning electron microscope
JP6185693B2 (ja) 2008-06-11 2017-08-23 ケーエルエー−テンカー・コーポレーションＫｌａ−Ｔｅｎｃｏｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ ウェーハー上の設計欠陥および工程欠陥の検出、ウェーハー上の欠陥の精査、設計内の１つ以上の特徴を工程監視特徴として使用するための選択、またはそのいくつかの組み合わせのためのシステムおよび方法
US7797133B2 (en) * 2008-09-10 2010-09-14 3M Innovative Properties Company Multi-roller registered repeat defect detection of a web process line
JP2010096554A (ja) * 2008-10-15 2010-04-30 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検出方法の高感度化
JP5492409B2 (ja) * 2008-12-26 2014-05-14 株式会社堀場製作所 電子顕微鏡装置
SG164292A1 (en) * 2009-01-13 2010-09-29 Semiconductor Technologies & Instruments Pte System and method for inspecting a wafer
US8775101B2 (en) 2009-02-13 2014-07-08 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US8204297B1 (en) 2009-02-27 2012-06-19 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for classifying defects detected on a reticle
US8112241B2 (en) 2009-03-13 2012-02-07 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for generating an inspection process for a wafer
US8208714B2 (en) * 2009-05-21 2012-06-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Formation of prescribed pattern on wafer for use in SEM defect offset
CN102576045A (zh) * 2009-07-01 2012-07-11 克拉-坦科股份有限公司 对时变的缺陷分类性能的监视
DE102009026187A1 (de) * 2009-07-16 2011-01-27 Hseb Dresden Gmbh Inspektionssystem
JP5216752B2 (ja) 2009-11-18 2013-06-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検出方法及び欠陥検出装置並びにこれを備えた欠陥観察装置
JP2013148349A (ja) * 2010-04-23 2013-08-01 Hitachi High-Technologies Corp レビュー方法、およびレビュー装置
US10354405B2 (en) * 2010-05-17 2019-07-16 Kla-Tencor Corporation Run-time correction of defect locations during defect review
JP5770434B2 (ja) * 2010-06-24 2015-08-26 株式会社堀場製作所 電子顕微鏡装置
US20110317136A1 (en) * 2010-06-29 2011-12-29 Asml Netherlands B.V. Inspection Apparatus Employing Wide Angle Objective Lens With Optical Window
WO2012006558A2 (en) 2010-07-08 2012-01-12 Fei Company Charged particle beam processing system with visual and infrared imaging
US8643835B2 (en) * 2010-07-09 2014-02-04 Kla-Tencor Corporation Active planar autofocus
US8781781B2 (en) 2010-07-30 2014-07-15 Kla-Tencor Corp. Dynamic care areas
GB2484197A (en) * 2010-09-29 2012-04-04 Zeiss Carl Nts Gmbh Particle beam microscope and method of operating the particle microscope
US8487252B2 (en) * 2010-09-29 2013-07-16 Carl Zeiss Nts Gmbh Particle beam microscope and method for operating the particle beam microscope
US8227752B1 (en) 2011-02-17 2012-07-24 Carl Zeiss Nts Gmbh Method of operating a scanning electron microscope
JP5579588B2 (ja) * 2010-12-16 2014-08-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥観察方法及びその装置
US8803242B2 (en) * 2011-09-19 2014-08-12 Eta Semiconductor Inc. High mobility enhancement mode FET
JP5825964B2 (ja) * 2011-10-05 2015-12-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査又は観察装置及び試料の検査又は観察方法
TWI434022B (zh) * 2011-11-29 2014-04-11 Univ Nat Taipei Technology 彩色共焦顯微系統及其訊號處理方法
KR101298933B1 (ko) * 2011-12-01 2013-08-22 참엔지니어링(주) 기판 검사 장치
US8831334B2 (en) 2012-01-20 2014-09-09 Kla-Tencor Corp. Segmentation for wafer inspection
JP5882072B2 (ja) 2012-02-06 2016-03-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥観察方法及びその装置
DE102012202519A1 (de) * 2012-02-17 2013-08-22 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren und Vorrichtungen zur Präparation mikroskopischer Proben mit Hilfe von gepulstem Licht
US9939386B2 (en) 2012-04-12 2018-04-10 KLA—Tencor Corporation Systems and methods for sample inspection and review
US8826200B2 (en) 2012-05-25 2014-09-02 Kla-Tencor Corp. Alteration for wafer inspection
JP5946751B2 (ja) * 2012-11-08 2016-07-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検出方法及びその装置並びに欠陥観察方法及びその装置
US20140152804A1 (en) * 2012-12-05 2014-06-05 Seagate Technology Llc Sub-pixel imaging for enhanced pixel resolution
EP2747121A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-25 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Secondary electron optics & detection device
US8815693B2 (en) 2013-01-23 2014-08-26 International Business Machines Corporation FinFET device formation
US9092846B2 (en) 2013-02-01 2015-07-28 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using defect-specific and multi-channel information
JP6402440B2 (ja) * 2013-10-28 2018-10-10 凸版印刷株式会社 検査装置
US10410338B2 (en) * 2013-11-04 2019-09-10 Kla-Tencor Corporation Method and system for correlating optical images with scanning electron microscopy images
US9082851B2 (en) 2013-11-22 2015-07-14 International Business Machines Corporation FinFET having suppressed leakage current
US9564291B1 (en) * 2014-01-27 2017-02-07 Mochii, Inc. Hybrid charged-particle beam and light beam microscopy
KR101565242B1 (ko) 2014-04-17 2015-11-03 (주)오로스 테크놀로지 기판의 오버레이 에러를 계측하는 계측장치
US9535010B2 (en) * 2014-05-15 2017-01-03 Kla-Tencor Corp. Defect sampling for electron beam review based on defect attributes from optical inspection and optical review
JP6408259B2 (ja) * 2014-06-09 2018-10-17 株式会社キーエンス 画像検査装置、画像検査方法、画像検査プログラム及びコンピュータで読み取り可能な記録媒体並びに記録した機器
JP2016109485A (ja) * 2014-12-03 2016-06-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥観察方法及び欠陥観察装置
US9466693B1 (en) 2015-11-17 2016-10-11 International Business Machines Corporation Self aligned replacement metal source/drain finFET
CN110337707B (zh) * 2017-02-13 2021-09-28 株式会社日立高新技术 带电粒子线装置
CN106910665B (zh) * 2017-03-01 2019-07-12 聚束科技（北京）有限公司 一种全自动化的扫描电子显微镜及其探测方法
US10402963B2 (en) * 2017-08-24 2019-09-03 Kla-Tencor Corporation Defect detection on transparent or translucent wafers
DE102018105396A1 (de) * 2018-03-08 2019-09-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vorrichtung und verfahren zur inspektion eines wafers
CN108646167B (zh) * 2018-04-27 2020-12-04 中科晶源微电子技术（北京）有限公司 用于半导体器件的激光辅助的电子束检测设备和方法
CN112740362A (zh) 2018-07-20 2021-04-30 Asml荷兰有限公司 用于裸晶片检查的系统和方法
CN109904087A (zh) * 2019-01-14 2019-06-18 全球能源互联网研究院有限公司 一种半导体晶圆表面颗粒度的检测方法和装置
KR102374612B1 (ko) * 2019-08-22 2022-03-15 삼성디스플레이 주식회사 레이저 장치 및 레이저 가공 방법
US11525777B2 (en) * 2020-04-28 2022-12-13 Applied Materials Israel Ltd. Optimizing signal-to-noise ratio in optical imaging of defects on unpatterned wafers
US11474437B2 (en) * 2020-04-28 2022-10-18 Applied Materials Israel Ltd. Increasing signal-to-noise ratio in optical imaging of defects on unpatterned wafers
CN111707670B (zh) * 2020-06-28 2023-10-27 武汉精立电子技术有限公司 一种基于旋转载台的缺陷检测方法及装置
US11600504B2 (en) * 2020-06-29 2023-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Detecting damaged semiconductor wafers utilizing a semiconductor wafer sorter tool of an automated materials handling system

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5767844A (en) * 1980-10-15 1982-04-24 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Surface inspecting device
US4598997A (en) 1982-02-15 1986-07-08 Rca Corporation Apparatus and method for detecting defects and dust on a patterned surface
US4595289A (en) * 1984-01-25 1986-06-17 At&T Bell Laboratories Inspection system utilizing dark-field illumination
US4585315A (en) * 1984-11-13 1986-04-29 International Business Machines Corporation Brightfield/darkfield microscope illuminator
US4898471A (en) 1987-06-18 1990-02-06 Tencor Instruments Particle detection on patterned wafers and the like
JP2970855B2 (ja) * 1989-09-21 1999-11-02 株式会社日立製作所 半導体記憶装置の検査方法
JPH0464245A (ja) * 1990-07-04 1992-02-28 Hitachi Ltd 光学顕微鏡付電子顕微鏡およびそれを用いた外観検査装置
JP3148353B2 (ja) * 1991-05-30 2001-03-19 ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション 電子ビーム検査方法とそのシステム
US5200352A (en) * 1991-11-25 1993-04-06 Motorola Inc. Transistor having a lightly doped region and method of formation
US5216235A (en) * 1992-04-24 1993-06-01 Amray, Inc. Opto-mechanical automatic focusing system and method
US5267017A (en) 1992-05-20 1993-11-30 Applied Materials, Inc. Method of particle analysis on a mirror wafer
US5479252A (en) * 1993-06-17 1995-12-26 Ultrapointe Corporation Laser imaging system for inspection and analysis of sub-micron particles
KR970004486B1 (ko) * 1993-12-08 1997-03-28 재단법인 한국전자통신연구소 비대칭 페브리-페롯 공명구조와 결합된 화합물 반도체 얕은 다중 양자 우물구조
JP3258821B2 (ja) * 1994-06-02 2002-02-18 三菱電機株式会社 微小異物の位置決め方法、分析方法、これに用いる分析装置およびこれを用いた半導体素子もしくは液晶表示素子の製法
JP3398472B2 (ja) * 1994-06-14 2003-04-21 株式会社日立製作所 検査方法および検査装置
KR960005761A (ko) * 1994-07-27 1996-02-23 이데이 노부유끼 반도체장치
US5496750A (en) * 1994-09-19 1996-03-05 Texas Instruments Incorporated Elevated source/drain junction metal oxide semiconductor field-effect transistor using blanket silicon deposition
US5539229A (en) * 1994-12-28 1996-07-23 International Business Machines Corporation MOSFET with raised STI isolation self-aligned to the gate stack
US5497007A (en) 1995-01-27 1996-03-05 Applied Materials, Inc. Method for automatically establishing a wafer coordinate system
US5659172A (en) 1995-06-21 1997-08-19 Opal Technologies Ltd. Reliable defect detection using multiple perspective scanning electron microscope images
WO1997002465A1 (en) * 1995-06-30 1997-01-23 Ultrapointe Corporation Method for characterizing defects on semiconductor wafers
US5504031A (en) * 1995-07-03 1996-04-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Elevated source/drain with solid phase diffused source/drain extension for deep sub-micron mosfets
US5761064A (en) * 1995-10-06 1998-06-02 Advanced Micro Devices, Inc. Defect management system for productivity and yield improvement
KR0162153B1 (ko) * 1995-12-21 1998-12-01 김태구 차량의 센터 필러 보강구조
US5798829A (en) 1996-03-05 1998-08-25 Kla-Tencor Corporation Single laser bright field and dark field system for detecting anomalies of a sample
US5917588A (en) * 1996-11-04 1999-06-29 Kla-Tencor Corporation Automated specimen inspection system for and method of distinguishing features or anomalies under either bright field or dark field illumination
US5734164A (en) 1996-11-26 1998-03-31 Amray, Inc. Charged particle apparatus having a canted column
AU7597798A (en) * 1997-05-29 1998-12-30 Paul P. Castrucci Semiconductor wafer processing apparatus and method with defect eradication
US6011619A (en) * 1997-12-09 2000-01-04 Advanced Micro Devices Semiconductor wafer optical scanning system and method using swath-area defect limitation
US6067154A (en) * 1998-10-23 2000-05-23 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for the molecular identification of defects in semiconductor manufacturing using a radiation scattering technique such as raman spectroscopy

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100609603B1 (ko) * 2002-05-17 2006-08-04 주식회사 미르기술 엑스레이 및 비주얼검사가 통합된 인쇄회로기판 검사장치
KR100750899B1 (ko) * 2004-12-29 2007-08-22 삼성중공업 주식회사 용접부 결함검사를 위한 검사장비
US8923600B2 (en) 2005-11-18 2014-12-30 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
KR101360251B1 (ko) * 2007-11-23 2014-02-11 삼성전자 주식회사 웨이퍼 디펙트 검사장치 및 그 방법
US9659670B2 (en) 2008-07-28 2017-05-23 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for classifying defects detected in a memory device area on a wafer
KR101138648B1 (ko) * 2009-10-08 2012-04-26 엘아이지에이디피 주식회사 고속기판검사장치 및 이를 이용한 고속기판검사방법
US9170211B2 (en) 2011-03-25 2015-10-27 Kla-Tencor Corp. Design-based inspection using repeating structures
US9087367B2 (en) 2011-09-13 2015-07-21 Kla-Tencor Corp. Determining design coordinates for wafer defects
WO2013040063A3 (en) * 2011-09-13 2013-06-27 Kla-Tencor Corporation Determining design coordinates for wafer defects
WO2013040063A2 (en) * 2011-09-13 2013-03-21 Kla-Tencor Corporation Determining design coordinates for wafer defects
US9189844B2 (en) 2012-10-15 2015-11-17 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using defect-specific information
US9053527B2 (en) 2013-01-02 2015-06-09 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US9134254B2 (en) 2013-01-07 2015-09-15 Kla-Tencor Corp. Determining a position of inspection system output in design data space
US9311698B2 (en) 2013-01-09 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using template image matching
US9865512B2 (en) 2013-04-08 2018-01-09 Kla-Tencor Corp. Dynamic design attributes for wafer inspection
US9310320B2 (en) 2013-04-15 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Based sampling and binning for yield critical defects
KR20210096201A (ko) * 2018-12-28 2021-08-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 하전 입자 빔들을 포커싱하는 시스템들 및 방법들

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