JP5006520B2 - 欠陥観察装置及び欠陥観察装置を用いた欠陥観察方法 - Google Patents
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Description
画像取得手段を備えた欠陥観察装置を用いた欠陥観察方法において、前記画像取得手段で
取得された少なくとも欠陥画像を用いて欠陥部位周辺の回路パターンの周期性を判定し、
該判定した結果に基づいて各欠陥が存在する欠陥部位の高倍率画像の視野における良品状
態を推定する推定方法を決定し、該決定された推定方法を用いて欠陥部位の良品状態推定
結果を算出する良品状態推定算出ステップと、該良品状態推定算出ステップで算出された
欠陥部位の良品状態推定結果を用いて各欠陥の画像から計算できる欠陥の大きさや欠陥画
像の明るさの特徴量に基づいて、予め設定した分類クラスに分類を行う欠陥分類ステ
ップとを含む画像処理ステップを有し、前記良品状態推定算出ステップにおいて、前記欠
陥部位の高倍率画像の視野における良品状態を推定する推定方法を、前記欠陥画像のうち
高倍率の画像に周期性が有る場合には、該高倍率の画像から判定される周期性に基づいて
前記欠陥の高倍率の画像を用いて推定する第1の方法、並びに、前記欠陥画像のうち高倍
率の画像には周期性が無く低倍率の画像には周期性が有る場合には、各欠陥の低倍率の視
野における良品状態を前記欠陥画像の内低倍率の欠陥画像を用いて推定し、該推定された
低倍率の視野における良品状態を高倍率の視野に拡大する第2の方法、並びに、前記低倍
率及び高倍率の欠陥画像の何れにも周期性が無い場合には、前記画像取得手段により欠陥
部位と同一の回路パターンが形成された欠陥を含まない参照部位の低倍率の参照画像を取
得し、前記低倍率及び高倍率の欠陥画像並びに前記低倍率の参照画像を用いて高倍率画像
の視野における良品状態を推定する第3の方法のうちから決定することを特徴とする。
欠陥観察装置を用いた欠陥観察方法において、低倍率の欠陥画像から欠陥部位を抽出する
ために前記低倍率の欠陥画像に含まれるパターンの周期性から得られる低倍率の欠陥参照
画像を取得する必要が有るか否かの情報に基づいて各欠陥が存在する欠陥部位の高倍率画
像の視野における良品状態を推定する推定方法を決定し、該決定された推定方法を用いて
欠陥部位の良品状態推定結果を算出する良品状態推定算出ステップと、該良品状態推定算
出ステップで算出された欠陥部位の良品状態推定結果を用いて各欠陥の画像から計算でき
る欠陥の大きさや欠陥画像の明るさの特徴量に基づいて、予め設定した分類クラスに
分類を行う欠陥分類ステップとを含む画像処理ステップを有し、前記良品状態推定算出ス
テップにおいて、前記欠陥部位の高倍率画像の視野における良品状態を推定する推定方法
を、前記欠陥画像のうち高倍率の画像に周期性が有る場合には、該高倍率の画像から判定
されるから判定される周期性に基づいて前記欠陥の高倍率の画像を用いて推定する第1の
方法、並びに、前記欠陥画像のうち高倍率の画像には周期性が無く低倍率の画像には周期
性が有る場合には、各欠陥の低倍率の視野における良品状態を前記欠陥画像の内低倍率の
欠陥画像を用いて推定し、該推定された低倍率の視野における良品状態を高倍率の視野に
拡大する第2の方法、並びに、前記低倍率及び高倍率の欠陥画像の何れにも周期性が無い
場合には、前記画像取得手段により欠陥部位と同一の回路パターンが形成された欠陥を含
まない参照部位の低倍率の参照画像を取得し、前記低倍率及び高倍率の欠陥画像並びに前
記低倍率の参照画像を用いて前記高倍率画像の視野における良品状態を推定する第3の方
法のうちから決定することを特徴とする。
欠陥観察装置において、前記画像取得手段で取得された少なくとも欠陥画像を用いて欠陥
部位周辺の回路パターンの周期性を判定し、該判定した結果に基づいて各欠陥が存在する
欠陥部位の高倍率画像の視野における良品状態を推定する推定方法を決定し、該決定され
た推定方法を用いて欠陥部位の良品状態推定結果を算出する良品状態推定算出機能部と、
該良品状態推定算出機能部で算出された欠陥部位の良品状態推定結果を用いて各欠陥の画
像から計算できる欠陥の大きさや欠陥画像の明るさの特徴量に基づいて、予め設定し
た分類クラスに分類を行う欠陥分類機能部とを有する画像処理部を備え、前記良品状態推
定算出機能部において、前記欠陥部位の高倍率画像の視野における良品状態を推定する推
定方法を、前記欠陥画像のうち高倍率の画像に周期性が有る場合には、該高倍率の画像か
ら判定されるから判定される周期性に基づいて、前記欠陥の高倍率の画像を用いて推定す
る第1の方法、並びに、前記欠陥画像のうち高倍率の画像には周期性が無く低倍率の画像
には周期性が有る場合には、各欠陥の低倍率の視野における良品状態を前記欠陥画像の内
低倍率の欠陥画像を用いて推定し、該推定された低倍率の視野における良品状態を高倍率
の視野に拡大する第2の方法、並びに、前記低倍率及び高倍率の欠陥画像の何れにも周期
性が無い場合には、前記画像取得手段により欠陥部位と同一の回路パターンが形成された
欠陥を含まない参照部位の低倍率の参照画像を取得し、前記低倍率及び高倍率の欠陥画像
並びに前記低倍率の参照画像を用いて前記高倍率画像の視野における良品状態を推定する
第3の方法のうちから決定することを特徴とする。
欠陥観察装置において、低倍率の欠陥画像から欠陥部位を抽出するために前記低倍率の欠
陥画像に含まれるパターンの周期性から得られる低倍率の欠陥画像を取得する必要が有る
か否かの情報に基づいて各欠陥が存在する欠陥部位の高倍率画像の視野における良品状態
を推定する推定方法を決定し、該決定された推定方法を用いて欠陥部位の良品状態推定結
果を算出する良品状態推定算出機能部と、該良品状態推定算出機能部で算出された欠陥部
位の良品状態推定結果を用いて各欠陥の画像から計算できる欠陥の大きさや欠陥画像の明
るさの特徴量に基づいて、予め設定した分類クラスに分類を行う欠陥分類機能部とを有する画像処理部を備え、前記良品状態推定算出機能部において、前記欠陥部位の高倍率画像の視野における良品状態を推定する推定方法を、前記欠陥画像のうち高倍率の画像に周期性が有る場合には、該高倍率の画像から判定される周期性に基づいて、前記欠陥の高倍率の画像を用いて推定する第1の方法、並びに、前記欠陥画像のうち高倍率の画像には周期性が無く低倍率の画像には周期性が有る場合には、各欠陥の低倍率の視野における良品状態を前記欠陥画像の内低倍率の欠陥画像を用いて推定し、該推定された低倍率の視野における良品状態を高倍率の視野に拡大する第2の方法、並びに、前記低倍率及び高倍率の欠陥画像の何れにも周期性が無い場合には前記画像取得手段により欠陥部位と同一の回路パターンが形成された欠陥を含まない参照部位の低倍率の参照画像を取得し、前記低倍率及び高倍率の欠陥画像並びに前記低倍率の参照画像を用いて前記高倍率画像の視野における良品状態を推定する第3の方法のうちから決定することを特徴とする。
なお、ステップS509においては、高倍及び低倍の欠陥画像のパターン周期性に応じて分岐されることになる。また、CPU1141の良品状態推定算出機能部1141aは、S203、S504、S505、S508〜S512を実行することになる。
Claims (10)
- 試料上の各欠陥を撮像して欠陥画像を取得する画像取得手段を備えた欠陥観察装置を用
いた欠陥観察方法であって、
前記画像取得手段で取得された少なくとも欠陥画像を用いて欠陥部位周辺の回路パター
ンの周期性を判定し、該判定した結果に基づいて各欠陥が存在する欠陥部位の高倍率画像
の視野における良品状態を推定する推定方法を決定し、該決定された推定方法を用いて欠
陥部位の良品状態推定結果を算出する良品状態推定算出ステップと、
該良品状態推定算出ステップで算出された欠陥部位の良品状態推定結果を用いて各欠陥
の画像から計算できる欠陥の大きさや欠陥画像の明るさの特徴量に基づいて、予め設
定した分類クラスに分類を行う欠陥分類ステップと
を含む画像処理ステップを有し、
前記良品状態推定算出ステップにおいて、前記欠陥部位の高倍率画像の視野における良
品状態を推定する推定方法を、前記欠陥画像のうち高倍率の画像に周期性が有る場合には
、該高倍率の画像から判定される周期性に基づいて前記欠陥の高倍率の画像を用いて推定
する第1の方法、並びに、前記欠陥画像のうち高倍率の画像には周期性がなく低倍率の画
像に周期性が有る場合には、各欠陥の低倍率の視野における良品状態を前記欠陥画像の内
低倍率の欠陥画像を用いて推定し、該推定された低倍率の視野における良品状態を高倍率
の視野に拡大する第2の方法、並びに、前記低倍率及び高倍率の欠陥画像の何れにも周期
性が無い場合には、前記画像取得手段により、欠陥部位と同一の回路パターンが形成され
た欠陥を含まない参照部位の低倍率の参照画像を取得し、前記低倍率及び高倍率の欠陥画
像並びに前記低倍率の参照画像を用いて前記高倍率画像の視野における良品状態を推定す
る第3の方法のうちから決定することを特徴とする欠陥観察装置を用いた欠陥観察方法。 - 試料上の各欠陥を撮像して欠陥画像を取得する画像取得手段を備えた欠陥観察装置を用
いた欠陥観察方法であって、
低倍率の欠陥画像から欠陥部位を抽出するために前記低倍率の欠陥画像に含まれるパタ
ーンの周期性から得られる低倍率の参照画像を取得する必要が有るか否かの情報に基づい
て各欠陥が存在する欠陥部位の高倍率画像の視野における良品状態を推定する推定方法を
決定し、該決定された推定方法を用いて欠陥部位の良品状態推定結果を算出する良品状態
推定算出ステップと、
該良品状態推定算出ステップで算出された欠陥部位の良品状態推定結果を用いて各欠陥
の画像から計算できる欠陥の大きさや欠陥画像の明るさの特徴量に基づいて、予め設
定した分類クラスに分類を行う欠陥分類ステップと
を含む画像処理ステップを有し、
前記良品状態推定算出ステップにおいて、前記欠陥部位の高倍率画像の視野における良
品状態を推定する推定方法を、前記欠陥画像のうち高倍率の画像に周期性が有る場合には
、該高倍率の画像から判定される周期性に基づいて前記欠陥の高倍率の画像を用いて推定
する第1の方法、並びに、前記欠陥画像のうち高倍率の画像には周期性が無く低倍率の画
像には周期性が有る場合には、各欠陥の低倍率の視野における良品状態を前記欠陥画像の
内低倍率の欠陥画像を用いて推定し、該推定された低倍率の視野における良品状態を高倍
率の視野に拡大する第2の方法、並びに、前記低倍率及び高倍率の欠陥画像の何れにも周
期性が無い場合には、前記画像取得手段により、欠陥部位と同一の回路パターンが形成さ
れた欠陥を含まない参照部位の低倍率の参照画像を取得し、
前記低倍率及び高倍率の欠陥画像並びに前記低倍率の参照画像を用いて前記高倍率画像の
視野における良品状態を推定する第3の方法のうちから決定することを特徴とする欠陥観
察装置を用いた欠陥観察方法。 - 前記欠陥分類ステップは、欠陥とその背景にある回路パターンとの位置関係を判定する
第1の判定ステップ、及び、欠陥部の凹凸状態を判定する第2の判定ステップのいずれか
もしくは両者を含むことを特徴とする請求項1又は2記載の欠陥観察装置を用いた欠陥観
察方法。 - さらに、前記良品状態推定算出ステップにおいて算出された欠陥部位の良品状態推定結
果を保存または表示するステップを有することを特徴とする請求項1又は2記載の欠陥観
察装置を用いた欠陥観察方法。 - 請求項1乃至4記載の何れか一つに記載の欠陥観察装置を用いた欠陥観察方法において
、前記欠陥観察装置を電子顕微鏡によって構成することを特徴とする欠陥観察装置を用い
た欠陥観察方法。 - 試料上の各欠陥を撮像して欠陥画像を取得する画像取得手段を備えた欠陥観察装置であ
って、
前記画像取得手段で取得された少なくとも欠陥画像を用いて欠陥部位周辺の回路パター
ンの周期性を判定し、該判定した結果に基づいて各欠陥が存在する欠陥部位の高倍率画像
の視野における良品状態を推定する推定方法を決定し、該決定された推定方法を用いて欠
陥部位の良品状態推定結果を算出する良品状態推定算出機能部と、
該良品状態推定算出機能部で算出された欠陥部位の良品状態推定結果を用いて各欠陥の
画像から計算できる欠陥の大きさや欠陥画像の明るさの特徴量に基づいて、予め設定
した分類クラスに分類を行う欠陥分類機能部と
を有する画像処理部を備え、
前記良品状態推定算出機能部において、前記欠陥部位の高倍率画像の視野における良品
状態を推定する推定方法を、前記欠陥画像のうち高倍率の画像に周期性が有る場合には、
該高倍率の画像から判定される周期性に基づいて前記欠陥の高倍率の画像を用いて推定す
る第1の方法、並びに、前記欠陥画像のうち高倍率の画像には周期性が無く低倍率の画像
には周期性が有る場合には、各欠陥の低倍率の視野における良品状態を前記欠陥画像の内
低倍率の欠陥画像を用いて推定し、該推定された低倍率の視野における良品状態を高倍率
の視野に拡大する第2の方法、並びに、前記低倍率及び高倍率の欠陥画像の何れにも周期
性が無い場合には、前記画像取得手段により、欠陥部位と同一の回路パターンが形成され
た欠陥を含まない参照部位の低倍率の参照画像を取得し、前記低倍率及び高倍率の欠陥画
像並びに前記低倍率の参照画像を用いて前記高倍率画像の視野における良品状態を推定す
る第3の方法のうちから決定することを特徴とする欠陥観察装置。 - 試料上の各欠陥を撮像して欠陥画像を取得する画像取得手段を備えた欠陥観察装置であ
って、
低倍率の欠陥画像から欠陥部位を抽出するために前記低倍率の欠陥画像に含まれるパタ
ーンの周期性から得られる低倍率の参照画像を取得する必要が有るか否かの情報に基づい
て各欠陥が存在する欠陥部位の高倍率画像の視野における良品状態を推定する推定方法を
決定し、該決定された推定方法を用いて欠陥部位の良品状態推定結果を算出する良品状態
推定算出機能部と、
該良品状態推定算出機能部で算出された欠陥部位の良品状態推定結果を用いて各欠陥の
画像から計算できる欠陥の大きさや欠陥画像の明るさの特徴量に基づいて、予め設定
した分類クラスに分類を行う欠陥分類機能部と
を有する画像処理部を備え、
前記良品状態推定算出機能部において、前記欠陥部位の高倍率画像の視野における良品
状態を推定する推定方法を、前記欠陥画像のうち高倍率の画像に周期性が有る場合には、
該高倍率の画像から判定される周期性に基づいて前記欠陥の高倍率の画像を用いて推定す
る第1の方法、並びに、前記欠陥画像のうち高倍率の画像には周期性が無く低倍率の画像
には周期性が有る場合には、各欠陥の低倍率の視野における良品状態を前記欠陥画像の内
低倍率の欠陥画像を用いて推定し、該推定された低倍率の視野における良品状態を高倍率
の視野に拡大する第2の方法、並びに、前記低倍率及び高倍率の欠陥画像の何れにも周期
性が無い場合には、前記画像取得手段により、欠陥部位と同一の回路パターンが形成され
た欠陥を含まない参照部位の低倍率の参照画像を取得し、前記低倍率及び高倍率の欠陥画
像並びに前記低倍率の参照画像を用いて前記高倍率画像の視野における良品状態を推定す
る第3の方法のうちから決定することを特徴とする欠陥観察装置。 - さらに、前記良品状態推定算出機能部において算出された欠陥部位の良品状態推定結果
を保存または表示する手段を備えたことを特徴とする請求項6又は7記載の欠陥観察装置
。 - 前記欠陥分類機能部は、欠陥とその背景にある回路パターンとの位置関係を判定する第
1の判定機能部、及び、欠陥部の凹凸状態を判定する第2の判定機能部のいずれかもしく
は両者を含むことを特徴とする請求項6又は7記載の欠陥観察装置。 - 請求項6乃至9記載の何れか一つに記載の欠陥観察装置は、電子顕微鏡によって構成さ
れることを特徴とする欠陥観察装置。
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Families Citing this family (45)
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JP5005893B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2012-08-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラム |
JP5000104B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2012-08-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体不良解析装置、不良解析方法、不良解析プログラム、及び不良解析システム |
US7570800B2 (en) * | 2005-12-14 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for binning defects detected on a specimen |
JP2007278928A (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Olympus Corp | 欠陥検査装置 |
JP5087236B2 (ja) * | 2006-06-14 | 2012-12-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラム |
JP4931483B2 (ja) * | 2006-06-14 | 2012-05-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラム |
JP5091430B2 (ja) * | 2006-06-14 | 2012-12-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラム |
JP4674910B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2011-04-20 | セキテクノトロン株式会社 | ラマン分光法による結晶多形の自動判定方法及びその装置 |
JP4774383B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2011-09-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | データ処理装置、およびデータ処理方法 |
JP5068591B2 (ja) * | 2007-06-29 | 2012-11-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体欠陥分類方法、半導体欠陥分類装置、半導体欠陥分類装置のプログラム、半導体欠陥検査方法、および、半導体欠陥検査システム |
JP4586051B2 (ja) | 2007-08-03 | 2010-11-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡 |
JP4659004B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2011-03-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 回路パターン検査方法、及び回路パターン検査システム |
JP5081590B2 (ja) * | 2007-11-14 | 2012-11-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察分類方法及びその装置 |
US7873936B2 (en) * | 2008-01-04 | 2011-01-18 | International Business Machines Corporation | Method for quantifying the manufactoring complexity of electrical designs |
JP2009168476A (ja) | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法、及び欠陥検査システム |
US8285025B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-10-09 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for detecting defects using structured light |
JP2009250645A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥レビュー方法およびその装置 |
JP5285944B2 (ja) * | 2008-04-03 | 2013-09-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置および荷電粒子線を用いた試料観察手法 |
JP5412169B2 (ja) * | 2008-04-23 | 2014-02-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察方法及び欠陥観察装置 |
JP5274897B2 (ja) * | 2008-06-04 | 2013-08-28 | 日本電子株式会社 | 断面観察用走査電子顕微鏡 |
JP5325580B2 (ja) | 2009-01-09 | 2013-10-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Semを用いた欠陥観察方法及びその装置 |
JP2010177436A (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の診断装置及び診断方法 |
JP5315076B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2013-10-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子線の影響を考慮した半導体検査方法及び装置 |
US8175373B2 (en) * | 2009-02-16 | 2012-05-08 | Kla-Tencor Corporation | Use of design information and defect image information in defect classification |
WO2010106837A1 (ja) * | 2009-03-19 | 2010-09-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン検査装置及びその検査方法 |
WO2011001635A1 (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体検査装置及びそれを用いた半導体検査方法 |
JP5320329B2 (ja) * | 2010-03-15 | 2013-10-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Sem式欠陥観察装置および欠陥画像取得方法 |
JP5324534B2 (ja) * | 2010-07-29 | 2013-10-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査方法及び装置 |
KR20120045774A (ko) * | 2010-11-01 | 2012-05-09 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 검사 방법 |
JP5957378B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2016-07-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察方法および欠陥観察装置 |
US20150051860A1 (en) * | 2013-08-19 | 2015-02-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Automatic optical appearance inspection by line scan apparatus |
JP2016109485A (ja) * | 2014-12-03 | 2016-06-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察方法及び欠陥観察装置 |
JP6040215B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2016-12-07 | 株式会社日立製作所 | 検査方法 |
JP2018180875A (ja) * | 2017-04-12 | 2018-11-15 | 富士通株式会社 | 判定装置、判定方法および判定プログラム |
JP6962863B2 (ja) * | 2018-05-25 | 2021-11-05 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子線装置 |
EP3594750A1 (en) * | 2018-07-10 | 2020-01-15 | ASML Netherlands B.V. | Hidden defect detection and epe estimation based on the extracted 3d information from e-beam images |
JP2020043266A (ja) | 2018-09-12 | 2020-03-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体ウェハの欠陥観察システム及び欠陥観察方法 |
JP2020145330A (ja) * | 2019-03-07 | 2020-09-10 | Tasmit株式会社 | 画像生成装置 |
US11158042B2 (en) * | 2019-07-10 | 2021-10-26 | International Business Machines Corporation | Object defect detection |
JP7262409B2 (ja) * | 2020-03-06 | 2023-04-21 | 株式会社日立ハイテク | 試料観察システム及び画像処理方法 |
TWI768434B (zh) * | 2020-08-19 | 2022-06-21 | 萬潤科技股份有限公司 | 電路板資訊顯示方法及裝置 |
CN112990146B (zh) * | 2021-05-06 | 2021-07-27 | 成都理工大学 | 一种基于无人机的石油管线巡检异常隐患智能识别方法 |
WO2022254620A1 (ja) * | 2021-06-02 | 2022-12-08 | 株式会社日立ハイテク | 粒子解析装置および粒子解析方法 |
JP2023002201A (ja) * | 2021-06-22 | 2023-01-10 | 株式会社日立ハイテク | 試料観察装置および方法 |
CN118038151B (zh) * | 2024-02-19 | 2024-08-09 | 广州里工实业有限公司 | 晶圆缺陷分类检测方法、系统、电子设备及存储介质 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6246787B1 (en) * | 1996-05-31 | 2001-06-12 | Texas Instruments Incorporated | System and method for knowledgebase generation and management |
US6453069B1 (en) * | 1996-11-20 | 2002-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of extracting image from input image using reference image |
US6072574A (en) * | 1997-01-30 | 2000-06-06 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit defect review and classification process |
JP2000030652A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Hitachi Ltd | 試料の観察方法およびその装置 |
US6407373B1 (en) * | 1999-06-15 | 2002-06-18 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for reviewing defects on an object |
US6868175B1 (en) * | 1999-08-26 | 2005-03-15 | Nanogeometry Research | Pattern inspection apparatus, pattern inspection method, and recording medium |
US7796801B2 (en) * | 1999-08-26 | 2010-09-14 | Nanogeometry Research Inc. | Pattern inspection apparatus and method |
JP3893825B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2007-03-14 | 株式会社日立製作所 | 半導体ウェーハの欠陥観察方法及びその装置 |
JP2001331784A (ja) * | 2000-05-18 | 2001-11-30 | Hitachi Ltd | 欠陥分類方法及びその装置 |
JP4014379B2 (ja) * | 2001-02-21 | 2007-11-28 | 株式会社日立製作所 | 欠陥レビュー装置及び方法 |
US6605478B2 (en) * | 2001-03-30 | 2003-08-12 | Appleid Materials, Inc, | Kill index analysis for automatic defect classification in semiconductor wafers |
US7127099B2 (en) * | 2001-05-11 | 2006-10-24 | Orbotech Ltd. | Image searching defect detector |
JP3904419B2 (ja) * | 2001-09-13 | 2007-04-11 | 株式会社日立製作所 | 検査装置および検査システム |
JP4035974B2 (ja) | 2001-09-26 | 2008-01-23 | 株式会社日立製作所 | 欠陥観察方法及びその装置 |
US6643006B1 (en) * | 2001-12-13 | 2003-11-04 | Inspex, Inc. | Method and system for reviewing a semiconductor wafer using at least one defect sampling condition |
US7283659B1 (en) * | 2002-01-09 | 2007-10-16 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for searching through and analyzing defect images and wafer maps |
IL148828A (en) * | 2002-03-21 | 2007-10-31 | Camtek Ltd | A morphological method for detecting changes |
KR100472776B1 (ko) * | 2002-06-11 | 2005-03-10 | 동부전자 주식회사 | 반도체 장치의 웨이퍼 결함 검사 방법 |
US7103505B2 (en) * | 2002-11-12 | 2006-09-05 | Fei Company | Defect analyzer |
JP3645547B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2005-05-11 | 株式会社東芝 | 試料検査装置 |
US7359544B2 (en) * | 2003-02-12 | 2008-04-15 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Automatic supervised classifier setup tool for semiconductor defects |
DE10323139A1 (de) * | 2003-05-22 | 2004-12-23 | Leica Microsystems Jena Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Hochauflösenden Fehlerfinden und Klassifizieren |
JP4041042B2 (ja) * | 2003-09-17 | 2008-01-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 欠陥確認装置および欠陥確認方法 |
US7071011B2 (en) * | 2004-01-15 | 2006-07-04 | Powerchip Semiconductor Corp. | Method of defect review |
US7208328B2 (en) * | 2004-03-16 | 2007-04-24 | Macronix International Co., Ltd. | Method and system for analyzing defects of an integrated circuit wafer |
US7593565B2 (en) * | 2004-12-08 | 2009-09-22 | Rudolph Technologies, Inc. | All surface data for use in substrate inspection |
CN100585615C (zh) * | 2004-07-29 | 2010-01-27 | 新加坡科技研究局 | 检测系统 |
KR20070104331A (ko) * | 2004-10-12 | 2007-10-25 | 케이엘에이-텐코 테크놀로지스 코퍼레이션 | 표본 상의 결함들을 분류하기 위한 컴퓨터-구현 방법 및시스템 |
US7339391B2 (en) * | 2005-05-27 | 2008-03-04 | United Microelectronics Corp. | Defect detection method |
JP4065893B1 (ja) * | 2006-12-04 | 2008-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 欠陥検出装置、欠陥検出方法、情報処理装置、情報処理方法及びそのプログラム |
-
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