JP5324534B2 - 検査方法及び装置 - Google Patents
検査方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5324534B2 JP5324534B2 JP2010170177A JP2010170177A JP5324534B2 JP 5324534 B2 JP5324534 B2 JP 5324534B2 JP 2010170177 A JP2010170177 A JP 2010170177A JP 2010170177 A JP2010170177 A JP 2010170177A JP 5324534 B2 JP5324534 B2 JP 5324534B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image
- probe
- magnification
- target position
- inspection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
- G01R31/2887—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks involving moving the probe head or the IC under test; docking stations
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
- G01R31/311—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation of integrated circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
- G01R31/2891—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks related to sensing or controlling of force, position, temperature
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
- G01R31/307—Contactless testing using electron beams of integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
- H01J2237/20221—Translation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/208—Elements or methods for movement independent of sample stage for influencing or moving or contacting or transferring the sample or parts thereof, e.g. prober needles or transfer needles in FIB/SEM systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24564—Measurements of electric or magnetic variables, e.g. voltage, current, frequency
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
Claims (20)
- 試料上の検査対象における目標位置にプローブを接触させることにより該検査対象の電気的特性を検査する検査方法において、
走査電子顕微鏡によって前記試料上の検査対象における目標位置の像を含む高画質且つ高倍率の第1の画像を取得する第1の画像取得ステップと、
走査電子顕微鏡によって前記試料上の検査対象における目標位置の像とプローブの像を含む低画質且つ低倍率の第2の画像を取得する第2の画像取得ステップと、
前記第2の画像の倍率と同一の倍率になるように、前記第1の画像を縮小させて縮小画像を生成する第1の画像縮小ステップと、
前記縮小画像と前記第2の画像を合成することによって、前記縮小画像に含まれる前記目標位置の像と前記第2の画像に含まれる前記プローブの像を含み前記第2の画像の倍率と同一の倍率の粗寄せ観察用の画像を生成する粗寄せ観察用画像生成ステップと、
を有し、
前記粗寄せ観察用の画像において、前記検査対象における目標位置の像と前記プローブの像の間の距離が所定の値より小さくなったと判定されるまで、前記第2の画像取得ステップ、前記第1の画像縮小ステップ、及び、前記粗寄せ観察用画像生成ステップを繰り返すことを特徴とする検査方法。 - 請求項1記載の検査方法において、
前記第1の画像は前記試料上の検査対象における目標位置に焦点を合わせて取得され、前記第2の画像は前記プローブに焦点を合わせて取得されることを特徴とする検査方法。 - 請求項1記載の検査方法において、
走査電子顕微鏡によって前記試料上の検査対象における目標位置の像とプローブの像を含む低画質且つ低倍率の第3の画像を取得する第3の画像取得ステップと、
前記第3の画像より、前記目標位置の像と前記プローブの像を含む領域を切り取り、更に、前記第1の画像の倍率と同一の倍率になるように、拡大させて拡大画像を生成する第3の画像拡大ステップと、
前記拡大画像と前記第1の画像を合成することによって、前記第1の画像に含まれる前記目標位置の像と前記拡大画像に含まれる前記プローブの像を含み前記第1の画像の倍率と同一の倍率の精密寄せ観察用の画像を生成する精密寄せ観察用画像生成ステップと、
を有し、
前記精密寄せ観察用の画像において、前記プローブが前記検査対象における目標位置に接触したと判定されるまで、前記第3の画像取得ステップ、前記第3の画像拡大ステップ、及び、前記精密寄せ観察用画像生成ステップを繰り返すことを特徴とする検査方法。 - 請求項1記載の検査方法において、
走査電子顕微鏡によって前記試料上の検査対象における目標位置の像とプローブの像を含む低画質且つ低倍率の第3の画像を取得する第3の画像取得ステップと、
画像処理によって前記第3の画像より前記プローブの像の位置を検出し、前記第1の画像の座標系における、前記プローブの像の位置を検出する位置検出ステップと、
前記第1の画像の倍率と同一の倍率の高倍率画像を生成する高倍率画像生成ステップと、
前記高倍率画像に前記プローブの像を合成するプローブ像合成ステップと、
前記プローブの像が合成された前記高倍率画像と前記第1の画像を合成することによって、前記第1の画像に含まれる前記目標位置の像と前記高倍率画像に含まれる前記プローブの像を含み前記第1の画像の倍率と同一の倍率の精密寄せ観察用の画像を生成する精密寄せ観察用画像生成ステップと、
を有し、
前記精密寄せ観察用の画像において、前記プローブが前記検査対象における目標位置に接触したと判定されるまで、前記第3の画像取得ステップ、前記位置検出ステップ、前記プローブ像合成ステップ、及び、前記精密寄せ観察用画像生成ステップを繰り返すことを特徴とする検査方法。 - 請求項4記載の検査方法において、
前記プローブ像合成ステップにおいて、前記高倍率画像に合成する前記プローブの像は、前記第3の画像に含まれる前記プローブの像を切り出すことによって生成されるか、又は、画像処理によって予め作られたものか、いずれかであることを特徴とする検査方法。 - 請求項1記載の検査方法において、
走査電子顕微鏡によって前記試料上の検査対象における目標位置の像とプローブの像を含む低画質且つ低倍率の第3の画像を取得する第3の画像取得ステップと、
画像処理によって前記第3の画像より前記プローブの像の位置を検出し、前記第1の画像の座標系における、前記プローブの像の位置を検出する位置検出ステップと、
前記第1の画像における前記プローブの像の位置にマーカーを表示することによって前記第1の画像に含まれる前記目標位置の像と前記マーカーを含み前記第1の画像の倍率と同一の倍率の精密寄せ観察用の画像を生成する精密寄せ観察用画像生成ステップと、
を有し、
前記精密寄せ観察用の画像において、前記プローブが前記検査対象における目標位置に接触したと判定されるまで、前記第3の画像取得ステップ、前記位置検出ステップ、及び、前記精密寄せ観察用画像生成ステップを繰り返すことを特徴とする検査方法。 - 請求項3、4、6のいずれか1項記載の検査方法において、
前記第1の画像は前記試料上の検査対象における目標位置に焦点を合わせて取得され、前記第3の画像は前記プローブに焦点を合わせて取得されることを特徴とする検査方法。 - 請求項1記載の検査方法において、
前記第1の画像は、所定の期間が経過後に再取得されることを特徴とする検査方法。 - 請求項1記載の検査方法において、
前記高画質の画像は、電子線の加速電圧、照射電流、プローブ電流、スキャン速度、フレーム積算回数、及び、画素数、の少なくとも1つを変更することによって、又は、2次電子像、反射電子像又は粒子ビーム像から1つを選択することによって、取得することを特徴とする検査方法。 - 請求項1記載の検査方法において、
前記粗寄せ観察用の画像に含まれる像のうち前記第1の画像に由来する像を他の画像と識別できるように、前記第1の画像に対して画像編集処理を行なうステップを有することを特徴とする検査方法。 - 試料上の検査対象における目標位置にプローブを接触させることにより該検査対象の電気的特性を検査する検査方法において、
走査電子顕微鏡によって前記試料上の検査対象における目標位置の像を含む高画質且つ高倍率の第1の画像を取得する第1の画像取得ステップと、
前記プローブを第1の移動速度又は移動ストロークにて移動させる粗寄せモードを開始するステップと、
走査電子顕微鏡によって前記試料上の検査対象における目標位置の像とプローブの像を含む低画質且つ低倍率の第2の画像を取得する第2の画像取得ステップと、
前記第1の画像データを前記第2の画像に組み込むことによって、前記目標位置の像と前記プローブの像を含み前記第2の画像の倍率と同一の倍率の粗寄せ観察用の画像を生成する粗寄せ観察用画像生成ステップと、
前記プローブを第2の移動速度又は移動ストロークにて移動させる精密寄せモードを開始するステップと、
走査電子顕微鏡によって前記試料上の検査対象における目標位置の像とプローブの像を含む低画質且つ低倍率の第3の画像を取得する第3の画像取得ステップと、
前記第3の画像データを前記第1の画像に組み込むことによって、前記第1の画像に含まれる前記目標位置の像と前記第3の画像データにより得られた前記プローブの像を含み、前記第1の画像の倍率と同一の倍率の精密寄せ観察用の画像を生成する精密寄せ観察用画像生成ステップと、
を有する検査方法。 - 請求項11記載の検査方法において、
前記粗寄せ観察用の画像において、前記検査対象における目標位置の像と前記プローブの像の間の距離が所定の値より小さくなったと判定されるまで、前記第2の画像取得ステップ、及び、前記粗寄せ観察用画像生成ステップを繰り返すことを特徴とする検査方法。 - 請求項11記載の検査方法において、
前記精密寄せ観察用の画像において、前記プローブが前記検査対象における目標位置に接触したと判定されるまで、前記第3の画像取得ステップ、及び、前記精密寄せ観察用画像生成ステップを繰り返すことを特徴とする検査方法。 - 請求項11記載の検査方法において、
前記第1の画像は前記試料上の検査対象における目標位置に焦点を合わせて取得され、前記第2及び第3の画像は前記プローブに焦点を合わせて取得されたものであることを特徴とする検査方法。 - 請求項11記載の検査方法において、
前記第1の画像は、所定の期間が経過後に再取得されることを特徴とする検査方法。 - 試料を載置する試料台と、該試料に電子線を照射する電子線照射光学系と、前記試料から発生する二次電子又は反射電子を検出する検出器と、前記検出器からの信号に基づいて試料像を生成する画像処理装置と、該試料像を保存する記憶装置と、前記試料像を表示する表示装置と、前記試料像の倍率を変更するための偏向コイルと、前記試料に接触させる1本以上のプローブと、該プローブを駆動するプローブ駆動装置と、を有し、試料上の検査対象における目標位置にプローブを接触させることにより該検査対象の電気的特性を検査する検査装置において、
前記試料上の検査対象における目標位置の像を含む高画質且つ高倍率の第1の画像を取得し、前記試料上の検査対象における目標位置の像とプローブの像を含む低画質且つ低倍率の第2の画像を取得し、前記第2の画像の倍率と同一の倍率になるように、前記第1の画像を縮小させて縮小画像を生成し、前記縮小画像と前記第2の画像を合成することによって、前記縮小画像に含まれる前記目標位置の像と前記第2の画像に含まれる前記プローブの像を含み前記第2の画像の倍率と同一の倍率の粗寄せ観察用の画像を生成し、
前記粗寄せ観察用の画像において、前記検査対象における目標位置の像と前記プローブの像の間の距離が所定の値より小さくなったと判定されるまで、前記第2の画像の取得、前記縮小画像の生成、及び、前記粗寄せ観察用の画像の生成を繰り返すことを特徴とする検査装置。 - 請求項16記載の検査装置において、
前記試料上の検査対象における目標位置の像とプローブの像を含む低画質且つ低倍率の第3の画像を取得し、前記第3の画像より、前記目標位置の像と前記プローブの像を含む領域を切り取り、更に、前記第1の画像の倍率と同一の倍率になるように、拡大させて拡大画像を生成し、前記拡大画像と前記第1の画像を合成することによって、前記第1の画像に含まれる前記目標位置の像と前記拡大画像に含まれる前記プローブの像を含み前記第1の画像の倍率と同一の倍率の精密寄せ観察用の画像を生成し、
前記精密寄せ観察用の画像において、前記プローブが前記検査対象における目標位置に接触したと判定されるまで、前記第3の画像の取得、前記拡大画像の生成、及び、前記精密寄せ観察用の画像の生成を繰り返すことを特徴とする検査装置。 - 請求項17記載の検査装置において、
前記第1の画像は前記試料上の検査対象における目標位置に焦点を合わせて取得され、前記第2及び第3の画像は前記プローブに焦点を合わせて取得されたものであることを特徴とする検査装置。 - 請求項16記載の検査装置において、
前記第1の画像は、所定の期間が経過後に再取得されることを特徴とする検査装置。 - 請求項16記載の検査装置において、
前記高画質の画像は、電子線の加速電圧、照射電流、プローブ電流、スキャン速度、フレーム積算回数、画素数、の少なくとも1つを変更することによって、又は、2次電子像、反射電子像又は粒子ビーム像から1つを選択することによって、取得することを特徴とする検査装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010170177A JP5324534B2 (ja) | 2010-07-29 | 2010-07-29 | 検査方法及び装置 |
US13/810,512 US8754664B2 (en) | 2010-07-29 | 2011-07-27 | Inspection method and device |
PCT/JP2011/067095 WO2012014935A1 (ja) | 2010-07-29 | 2011-07-27 | 検査方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010170177A JP5324534B2 (ja) | 2010-07-29 | 2010-07-29 | 検査方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012032205A JP2012032205A (ja) | 2012-02-16 |
JP5324534B2 true JP5324534B2 (ja) | 2013-10-23 |
Family
ID=45530139
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010170177A Active JP5324534B2 (ja) | 2010-07-29 | 2010-07-29 | 検査方法及び装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8754664B2 (ja) |
JP (1) | JP5324534B2 (ja) |
WO (1) | WO2012014935A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10295535B2 (en) | 2011-04-29 | 2019-05-21 | Techlab, Inc. | Clostridium difficile dehydrogenase and toxin as a biomarker for monitoring infection in patients with clostridium difficile disease and differentiating carrier state from active disease |
JP6239401B2 (ja) * | 2014-02-12 | 2017-11-29 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置 |
JP6190768B2 (ja) * | 2014-07-02 | 2017-08-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡装置およびそれを用いた撮像方法 |
WO2016026038A1 (en) * | 2014-08-18 | 2016-02-25 | Viewsiq Inc. | System and method for embedded images in large field-of-view microscopic scans |
JP6706956B2 (ja) * | 2016-04-05 | 2020-06-10 | 日本電子株式会社 | 分析装置 |
US10222400B2 (en) * | 2016-09-21 | 2019-03-05 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Beam current measuring device and charged particle beam irradiation apparatus |
JP6668278B2 (ja) * | 2017-02-20 | 2020-03-18 | 株式会社日立ハイテク | 試料観察装置および試料観察方法 |
JP6901337B2 (ja) * | 2017-07-18 | 2021-07-14 | 日本電子株式会社 | 表面分析装置および試料の高さ合わせ方法 |
US20220415024A1 (en) | 2020-01-09 | 2022-12-29 | Hitachi High-Tech Corporation | System for Generating Image, and Non-Transitory Computer-Readable Medium |
CN117148091B (zh) * | 2023-11-01 | 2024-02-06 | 杭州高坤电子科技有限公司 | 一种半导体测试方法、系统、终端及存储介质 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0675366B1 (en) * | 1994-03-31 | 2005-01-12 | Tokyo Electron Limited | Probe system and probe method |
US6415038B1 (en) * | 1994-05-20 | 2002-07-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Image analyzing apparatus |
US6215892B1 (en) * | 1995-11-30 | 2001-04-10 | Chromavision Medical Systems, Inc. | Method and apparatus for automated image analysis of biological specimens |
US6404906B2 (en) * | 1997-03-03 | 2002-06-11 | Bacus Research Laboratories,Inc. | Method and apparatus for acquiring and reconstructing magnified specimen images from a computer-controlled microscope |
JPH10272258A (ja) * | 1997-01-30 | 1998-10-13 | Sega Enterp Ltd | 画像処理装置 |
US6744268B2 (en) * | 1998-08-27 | 2004-06-01 | The Micromanipulator Company, Inc. | High resolution analytical probe station |
JP3624721B2 (ja) * | 1998-11-17 | 2005-03-02 | 株式会社日立製作所 | プローブ装置 |
US6711283B1 (en) * | 2000-05-03 | 2004-03-23 | Aperio Technologies, Inc. | Fully automatic rapid microscope slide scanner |
JP4408538B2 (ja) * | 2000-07-24 | 2010-02-03 | 株式会社日立製作所 | プローブ装置 |
JP4053252B2 (ja) | 2001-05-16 | 2008-02-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法および半導体検査装置 |
DE102004058483B4 (de) * | 2003-12-05 | 2009-12-17 | Hitachi High-Technologies Corp. | Vorrichtung zur Untersuchung von Produkten auf Fehler, Messfühler-Positionierverfahren und Messfühler-Bewegungsverfahren |
JP4675615B2 (ja) * | 2003-12-05 | 2011-04-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 不良検査装置並びにプローブ位置決め方法およびプローブ移動方法 |
JP4733959B2 (ja) | 2003-12-24 | 2011-07-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プローブ接触方法及び荷電粒子線装置 |
JP4842533B2 (ja) * | 2004-10-27 | 2011-12-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 不良検査装置 |
JP2006237378A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Elpida Memory Inc | ウェハプローバおよびウェハ検査方法 |
JP5006520B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2012-08-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察装置及び欠陥観察装置を用いた欠陥観察方法 |
JP4938782B2 (ja) * | 2005-10-18 | 2012-05-23 | ジーエスアイ・グループ・コーポレーション | 光学的基準を利用する方法および装置 |
JP4641924B2 (ja) * | 2005-10-21 | 2011-03-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体検査装置及び半導体検査方法 |
JP2007189113A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Hitachi Ltd | プローブ触針検知法及び装置 |
US7784107B2 (en) * | 2006-06-02 | 2010-08-24 | Victor B. Kley | High speed measurement, analysis and imaging systems and methods for length scales from meter to sub-nanometer |
JP4848310B2 (ja) * | 2007-05-14 | 2011-12-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プローブ付き顕微鏡及びプローブ駆動方法 |
JP5315076B2 (ja) | 2009-02-06 | 2013-10-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子線の影響を考慮した半導体検査方法及び装置 |
-
2010
- 2010-07-29 JP JP2010170177A patent/JP5324534B2/ja active Active
-
2011
- 2011-07-27 US US13/810,512 patent/US8754664B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-07-27 WO PCT/JP2011/067095 patent/WO2012014935A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130112871A1 (en) | 2013-05-09 |
US8754664B2 (en) | 2014-06-17 |
JP2012032205A (ja) | 2012-02-16 |
WO2012014935A1 (ja) | 2012-02-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5324534B2 (ja) | 検査方法及び装置 | |
KR100721846B1 (ko) | 패턴결함 검사방법 및 검사장치 | |
JP4922962B2 (ja) | 回路パターンの検査方法及び検査装置 | |
US8405025B2 (en) | Scanning electron microscope and method for detecting an image using the same | |
WO2010029700A1 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP5325580B2 (ja) | Semを用いた欠陥観察方法及びその装置 | |
JP5722551B2 (ja) | 欠陥検査方法及びその装置 | |
KR101685274B1 (ko) | 하전 입자선 장치 | |
JP2003014667A (ja) | 電子線を用いた観察装置及び観察方法 | |
JP2006105960A (ja) | 試料検査方法及び試料検査装置 | |
JP2008251766A (ja) | 半導体デバイスの欠陥観察方法及びその装置 | |
JP2011155119A (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
JP2005259396A (ja) | 欠陥画像収集方法およびその装置 | |
JP5315076B2 (ja) | 電子線の影響を考慮した半導体検査方法及び装置 | |
JP5506699B2 (ja) | 荷電ビーム装置 | |
JP2005091199A (ja) | 内部構造観察方法とその装置及び内部構造観察用試料ホルダー | |
JP3836735B2 (ja) | 回路パターンの検査装置 | |
JP4537891B2 (ja) | 回路パターンの検査装置および検査方法 | |
JP2003133379A (ja) | 半導体装置の検査装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5127411B2 (ja) | 走査型電子顕微鏡 | |
JP2004227886A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
JP2010258013A (ja) | 基板検査装置及び方法 | |
JP2002026093A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4795308B2 (ja) | 内部構造観察用及び電子顕微鏡用試料ホルダー | |
JP2007067170A (ja) | 回路パターンの検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130416 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130611 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130702 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130718 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5324534 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |