JP2005259396A - 欠陥画像収集方法およびその装置 - Google Patents
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Abstract
光学的手段による欠陥検査装置により出力された欠陥位置データに基づいてSEMを用いて該欠陥を観察する場合において、該欠陥が光学的に透明な膜の下に存在する場合でも、欠陥画像の取得を行えるようにする。
【解決手段】
電子顕微鏡の電子光学系を第1の撮像条件に設定し、検査装置を用いて試料を検査して得た試料の欠陥の位置データを用いて試料の欠陥位置が第1の撮像条件に設定した電子顕微鏡の視野に入るように設定し、第1の撮像条件に設定した電子顕微鏡で欠陥の位置を撮像して欠陥位置の第1の画像を得、第1の画像を処理して欠陥の有無を判定し、その結果に基づいて電子光学系を第2の撮像条件に設定し、第1の撮像条件で撮像した個所を第2の撮像条件に設定した電子顕微鏡で撮像して欠陥位置の第2の画像を得るようにした。
【選択図】 図4
Description
解析装置5は、例えばEDXやオージェ電子分光法を用いて元素分析を行うものである。オージェ電子分光法は、電子線を対象に照射したときに対象から放出されるオージェ電子を検出し、解析する方法であり、一般によく知られた方法である。レビュー・解析装置6は、欠陥の観察と元素分析とを行うことができるようにした装置である。
一方、加速電圧を数十keV〜数百keVにすると、電子ビームが内部まで進入し、表面内部より発生した二次電子や反射電子をとらえることができる。そのため、内部の構造を画像化することができる。すなわち、高加速電圧の観察条件を用いることにより、図3(b)に示すように、酸化膜の下にある異物や配線を観察することができる。
撮像条件の設定は、図4、5で説明した実施例では二段階の例を述べたが、複数の撮像条件を用いてもよい。
5…解析装置 6…レビュー・解析装置 7…ネットワーク 8…走査型電子顕微鏡を用いた撮像装置 9…電子源 10…コンデンサレンズ 11…コンデンサレンズ
12…偏向走査用コイル 13…対物レンズ 14…対物レンズ 15…XYZステージ
16…ステージチルト機構 17…記憶装置 18…モニタ 19…入力装置 20…全体制御部 21…画像演算部 22…A/D変換部 23…電子光学系制御部 24…ステージ制御部 25…電源切替機 26…高電圧安定化電源 27…高電圧安定化電源
28…信号検出器
Claims (16)
- 電子顕微鏡を用いて試料の欠陥画像を収集する方法であって、
前記電子顕微鏡の電子光学系を第1の撮像条件に設定し、
検査装置を用いて試料を検査して得た該試料の欠陥の位置データを用いて前記試料の欠陥位置が前記第1の撮像条件に設定した前記電子顕微鏡の視野に入るように該電子顕微鏡の視野を設定し、
前記第1の撮像条件に設定した電子顕微鏡で前記視野内に設定した欠陥の位置を撮像して前記欠陥位置の第1の画像を得、
該撮像して得た第1の画像を処理して欠陥の有無を判定し、
該判定した結果に基づいて前記電子光学系を第2の撮像条件に設定し、
前記第1の撮像条件で撮像した個所を前記第2の撮像条件に設定した前記電子顕微鏡で撮像して前記欠陥位置の第2の画像を得る
ことを特徴とする欠陥画像収集方法。 - 前記第1の撮像条件と前記第2の撮像条件とで、前記電子顕微鏡の一次電子の加速電圧が異なることを特徴とする請求項1記載の欠陥画像収集方法。
- 前記第2の撮像条件における前記電子光学系の一次電子の加速電圧は、前記第1の撮像条件における前記電子光学系の一次電子の加速電圧よりも大きいことを特徴とする請求項2記載の欠陥画像収集方法。
- 前記電子顕微鏡の第1の撮像条件と第2の撮像条件とに応じて前記試料の高さを調整することを特徴とする請求項1記載の欠陥画像収集方法。
- 電子顕微鏡を用いて試料の欠陥画像を収集する方法であって、
検査装置を用いて試料を検査して得た該試料の欠陥の位置情報を用いて第1の撮像条件に設定した電子顕微鏡を用いて収束させた電子ビームを前記試料の欠陥を含む位置に照射して走査して前記試料から発生した2次荷電粒子を検出することにより前記欠陥を含む位置の前記試料表面の電子線画像を得、
前記電子顕微鏡を第2の撮像条件に設定し、
該第2の撮像条件に設定した前記電子顕微鏡により収束させた電子ビームを前記試料の欠陥を含む位置に照射して走査して前記試料から発生した2次荷電粒子を検出することによりして前記試料の欠陥位置を撮像して該欠陥位置の内部を含む前記試料の電子線画像を得る
ことを特徴とする欠陥画像収集方法。 - 前記第2の撮像条件における前記電子光学系の一次電子の加速電圧は、前記第1の撮像条件における前記電子光学系の一次電子の加速電圧よりも大きいことを特徴とする請求項5記載の欠陥画像収集方法。
- 前記第1の撮像条件における前記電子光学系の一次電子の加速電圧は数100eV〜数KeVであり、前記第2の撮像条件における前記電子光学系の一次電子の加速電圧は数10KeV〜数100KeVであることを特徴とする請求項5記載の欠陥画像収集方法。
- 前記電子顕微鏡の第1の画像取得条件と第2の画像取得条件とに応じて前記試料の高さを調整することを特徴とする請求項6記載の欠陥画像収集方法。
- 前記電子顕微鏡の前記第1の撮像条件で撮像して得た画像と前記第2の撮像条件で撮像して得た画像とを同じ画面上に表示することを特徴とする請求項1記載の欠陥画像収集方法。
- 電子顕微鏡を用いて試料の欠陥画像を収集する装置であって、
検査装置を用いて試料を検査して得た該試料の欠陥の位置データを記憶する記憶手段と、
電子顕微鏡の電子光学系を制御して撮像条件を設定する撮像条件設定手段と、
前記記憶手段に記憶した前記試料の欠陥の位置データを用いて前記試料の欠陥位置が前記前記電子顕微鏡の視野に入るように前記試料の位置を制御する試料位置制御手段と、
前記撮像条件設定手段で設定した撮像条件で撮像して得た前記試料の画像を処理する画像処理手段とを備え、
前記撮像条件設定手段は、電子顕微鏡の電子光学系により前記試料に照射する1次電子ビームの加速電圧が数100eV〜数KeVの範囲の第1の撮像条件と数10KeV〜数100KeVの範囲の第2の撮像条件とのいずれかに切替え可能な構成を有することを特徴とする欠陥画像収集装置。 - 前記撮像条件設定手段で設定した前記電子顕微鏡の1次電子ビームの加速電圧に応じて前記試料の高さを調整する試料高さ調整手段を更に備えたことを特徴とする請求項10記載の欠陥画像収集装置。
- 電子顕微鏡を用いて試料の欠陥画像を収集する装置であって、
検査装置を用いて試料を検査して得た該試料の欠陥の位置データを記憶する記憶手段と、
電子顕微鏡の電子光学系を制御して撮像条件を設定する撮像条件設定手段と、
前記記憶手段に記憶した前記試料の欠陥の位置データを用いて前記試料の欠陥位置が前記前記電子顕微鏡の視野に入るように前記試料の位置を制御する試料位置制御手段と、
前記撮像条件設定手段で設定した撮像条件で撮像して得た前記試料の画像を処理する画像処理手段とを備え、
前記撮像条件設定手段は、電子顕微鏡で前記視野内に設定した欠陥の位置を撮像して前記欠陥位置の表面の画像を取得する第1の画像取得条件と、前記視野内に設定した欠陥の位置を撮像して前記欠陥位置の内部を含む画像を取得する第2の画像取得条件とを切替えが可能に構成されていることを特徴とする画像収集装置。 - 前記撮像条件設定手段で設定した前記電子顕微鏡の第1の画像取得条件と第2の画像取得条件とに応じて前記試料の高さを調整する試料高さ調整手段を更に備えたことを特徴とする請求項12記載の欠陥画像収集装置。
- 表示手段を更に備え、前記電子顕微鏡の前記第1の撮像条件で撮像して得た画像と前記第2の撮像条件で撮像して得た画像とを、前記表示手段の同じ画面上に表示することを特徴とする請求項12記載の欠陥画像収集装置。
- 電子顕微鏡を用いて試料の欠陥画像を収集する装置であって、
集束させた電子ビームを試料の表面に照射して走査する電子光学系手段と、
該電子光学系手段により集束させた電子ビームを照射して走査することにより前記試料から発生する二次荷電粒子を前記走査と同期して検出する二次荷電粒子検出手段と、
該二次荷電粒子検出手段で検出して得た信号を処理して前記試料の画像を得る画像取得手段とを備え、
前記電子光学系手段は、複数の対物レンズと対物レンズ切替機構とを有し、観察時の加速電圧に応じて前記対物レンズ切替機構を用いて前記複数の対物レンズを切り替えることを特徴とする欠陥画像収集装置。 - 電子顕微鏡を用いて試料の欠陥画像を収集する装置であって、
集束させた電子ビームを試料の表面に照射して走査する電子光学系手段と、
該電子光学系手段により集束させた電子ビームを照射して走査することにより前記試料から発生する二次荷電粒子を前記走査と同期して検出する二次荷電粒子検出手段と、
該二次荷電粒子検出手段で検出して得た信号を処理して前記試料の画像を得る画像取得手段とを備え、
前記電子光学系手段は、複数の高電圧安定化電源と電源切替え部とを有し、観察時の加速電圧に応じて前記電源切替え部で使用する高電圧安定化電源を切り替えることを特徴とする欠陥画像収集装置。
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