JP2002026093A

JP2002026093A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP2002026093A
Application number: JP2000207821A
Authority: JP
Inventors: Keiichi Saeki; 圭一佐伯; Mari Nozoe; 真理野副; Kenji Watanabe; 健二渡辺; Shigeaki Hijikata; 重昭土方; Jiro Inoue; 二朗井上
Original assignee: Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Priority date: 2000-07-10
Filing date: 2000-07-10
Publication date: 2002-01-25

Abstract

(57)【要約】【課題】検査時間を短縮しつつ精度の高い欠陥検査を
行う。【解決手段】半導体素子を含む集積回路のパターンで
チップが形成されたパターン付きウエハに電子線を走査
しながら照射して二次電子を検出し、その電子線画像を
使用してウエハの欠陥を検査するパターン付きウエハの
欠陥検査方法は、走査線の本数を１／ｎで間引き走査し
て電子線画像を取得する間引き走査工程Ｋ１と、得られ
た電子線画像でウエハの欠陥の分布を求める欠陥分布抽
出工程Ｋ２と、検査すべきチップを欠陥分布に基づきサ
ンプリングする工程Ｋ３と、サンプリングしたチップを
詳細に検査する詳細検査工程Ｋ４とを備えている。【効果】走査線の本数を間引いて得られた電子線画像
から欠陥の分布を求め、この欠陥分布により検査対象チ
ップをサンプリングした上で、サンプリングしたチップ
を詳細検査するため、検査時間を短縮しつつ検査精度を
向上できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術、特に、走査型電子顕微鏡（ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌ
ｅｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙ。以下、ＳＥＭと
いう。）を使用して半導体ウエハの欠陥を検査する技術
を含む半導体装置の製造方法に関し、例えば、半導体ウ
エハ（パターンなしウエハ）に半導体素子を含む集積回
路のパターンがリソグラフィー処理およびエッチング処
理によって形成された半導体ウエハ（以下、パターン付
きウエハという。）のパターンを検査するのに利用して
有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体集積回路装置（以下、Ｉ
Ｃという。）の製造方法において、リソグラフィ処理お
よびエッチング処理の良否はＩＣの製造歩留まり等の生
産性に大きな影響を及ぼすため、リソグラフィ処理およ
びエッチング処理によってパターンニングされたパター
ン付きウエハの欠陥を検査する方法（以下、パターン付
きウエハの欠陥検査方法という。）が従来から実施され
ている。

【０００３】最近の超微細化したパターンを検査するの
に極めて高い分解能を有するＳＥＭを使用するパターン
付きウエハ欠陥検査装置（以下、ＳＥＭ式欠陥検査装置
という。）が提案されている。すなわち、ＳＥＭ式欠陥
検査装置はパターン付きウエハに電子線を走査しながら
照射するとともに、パターン付きウエハからの二次電子
を二次電子検出器によって検出し、この検出結果に基づ
いて電子線画像を取得し、この電子線画像を使用してパ
ターン付きウエハに形成されたパターンの欠陥を検査す
るように構成されている。

【０００４】なお、ＳＥＭ式欠陥検査装置を述べている
例としては、株式会社工業調査会１９９８年１１月２５
日発行の「電子材料１１月号別冊」Ｐ１９０〜Ｐ１９
６、がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ＳＥＭ式欠陥検査装置
を使用してパターン付きウエハの欠陥検査方法を実施す
るに際して、線幅（照射幅）が数百μｍの電子線（以
下、走査線という。）を走査してパターン付きウエハの
全面を走査線によって塗り潰すように検査すると、一枚
のパターン付きウエハを検査するのに要する時間は１７
時間以上にもなるため、ＳＥＭ式欠陥検査装置をＩＣの
製造方法に実用することができない。

【０００６】そこで、パターン付きウエハのチップ群の
中から検査対象とするチップを任意サンプリングして、
サンプリングしたチップについてだけＳＥＭ式欠陥検査
装置を使用したパターン付きウエハの欠陥検査方法を実
施することにより、検査時間を短縮することが考えられ
る。

【０００７】例えば、パターン付きウエハの中から一個
のチップをサンプリングした場合には検査時間は１７分
間になり、パターン付きウエハの中から五個のチップを
サンプリングした場合には検査時間は１時間２１分にな
り、パターン付きウエハの中から十八個のチップをサン
プリングした場合には検査時間は４時間２３分間になる
ことが、確認されている。

【０００８】しかしながら、パターン付きウエハのチッ
プの中から十八個のチップをサンプリングして検査を実
施した場合であっても、検査が実施されてないチップに
おいて発生している欠陥は見逃すことになる。そして、
パターン付きウエハの欠陥は様々な要因ごとに特定の領
域に集中してクラスタ状に発生することが少なくないた
め、サンプリングから外れたチップに欠陥が生じた場合
に、これを見逃すことは無視できない。

【０００９】本発明の目的は、短時間の検査で必要十分
な検査結果を得ることができる半導体装置の製造方法を
提供することにある。

【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。

【００１２】すなわち、半導体素子を含む集積回路のパ
ターンによって複数個のチップが形成された半導体ウエ
ハに電子線が走査されて照射されるとともに、この半導
体ウエハからの二次電子が検出されて電子線画像が取得
され、この電子線画像が使用されて前記半導体ウエハの
欠陥が検査される半導体装置の製造方法において、前記
半導体ウエハに照射される電子線の走査線の本数が複数
本（ｎ）に一本の割合で間引かれて前記電子線が走査さ
れ、この走査により得られた電子線画像によって前記半
導体ウエハの欠陥の分布が求められることを特徴とす
る。

【００１３】前記した手段によれば、走査線の本数を間
引いて半導体ウエハを走査し、この走査により得られた
電子線画像から半導体ウエハの欠陥の分布が求められる
ため、この半導体ウエハにおける欠陥の分布に基づいて
検査すべきチップを適正にサンプリングすることができ
る。そして、このサンプリングによるチップを検査する
ことにより、半導体ウエハ全体について適正な欠陥検査
を確保することができる。他方、サンプリングによって
全体としての検査時間を短縮することができる。しか
も、サンプリング時の走査本数が間引かれているため、
サンプリングに要する時間自体も短縮することができ
る。

【００１４】

【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施の形態であ
るパターン付きウエハの欠陥検査方法を示す工程図であ
る。図２は本発明の一実施の形態であるパターン付きウ
エハの欠陥検査方法に使用されるＳＥＭ式欠陥検査装置
を示す模式図である。図３以降は本発明の一実施の形態
であるパターン付きウエハの欠陥検査方法を説明するた
めの各説明図である。

【００１５】本実施の形態において、本発明に係る半導
体装置の製造方法に適用される欠陥検査方法は、図２に
示されたＳＥＭ式欠陥検査装置を使用してパターン付き
ウエハを検査するパターン付きウエハの欠陥検査方法と
して構成されている。図２に示されているＳＥＭ式欠陥
検査装置１は室内が真空排気されるチャンバ２を備えて
おり、チャンバ２内にはＳＥＭ３、試料室４および光学
顕微鏡５が設備されている。また、ＳＥＭ式欠陥検査装
置１は画像処理部６および制御部７を備えている。

【００１６】ＳＥＭ３は電子銃１１、電子線引き出し電
極１２、コンデンサレンズ１３、ブランキング用偏向器
１４、走査偏向器１５、二次電子検出器１６、絞り１７
および対物レンズ１８を備えている。引き出し電極１２
に電圧が印加されて電子銃１１から電子線１０が引き出
される。電子線１０の加速は電子銃１１に高圧の負の電
位を印加することで実行される。これにより、電子線１
０はその電位に相当するエネルギーで試料台２１の方向
に進み、コンデンサレンズ１３で収束され、さらに、対
物レンズ１８により細く絞られてＸＹステージ２０の上
に搭載された後記するパターン付きウエハ４０に照射さ
れる。なお、ブランキング用偏向器１４には走査信号発
生器２５が接続され、対物レンズ１８には対物レンズ電
源２６が接続されている。

【００１７】対物レンズ１８の上方には二次電子検出器
１６が装備されており、二次電子検出器１６の出力信号
はプリアンプ２８によって増幅された後に、ＡＤ変換器
２９によりデジタルデータに変換されるようになってい
る。二次電子検出器１６は電子線１０がパターン付きウ
エハ４０に照射されている間に発生した二次電子を検出
するように構成されている。ＡＤ変換器２９は二次電子
検出器１６が検出したアナログ信号をプリアンプ２８に
よって増幅された後に直ちにデジタル信号に変換して画
像処理部６に伝送するように構成されている。

【００１８】試料室４はチャンバ２の底部に横長に形成
されており、試料室４内には試料台２１がＳＥＭ３と光
学顕微鏡５との間を水平に往復移動し得るように敷設さ
れている。試料台２１の上には回転ステージ１９および
ＸＹステージ２０が搭載されている。試料台２１には光
学式高さ測定器２２および位置モニタ用測長器２３がそ
れぞれ設備されている。ＸＹステージ２０はパターン付
きウエハ４０を搭載されて、ＳＥＭ３による検査時にＹ
方向に連続して一定速度で移動されるように構成されて
いる。この際、ＳＥＭ３の電子線１０は走査偏向器１５
によってＸ方向に直線に走査される。

【００１９】位置モニタ用測長器２３の測定データ、回
転ステージ１９およびＸＹステージ２０のモータの回転
数等のデータは制御部７に転送されるように構成されて
おり、制御部７はそれらのデータに基づいて、電子線１
０が照射されている領域や位置を詳細に把握するように
構成されている。また、制御部７は位置ずれをＳＥＭ３
の補正制御回路２７を用いて補正するようになってい
る。

【００２０】光学式高さ測定器２２は電子線以外の測定
方式である光学式測定器、例えばレーザ干渉測定器や反
射光の位置の変化を測定する反射光式測定器が使用され
ており、ＸＹステージ２０の上にセットされたパターン
付きウエハ４０の高さをリアルタイムに測定するように
構成されている。光学式高さ測定器２２の測定データに
基づいて、電子線を細く絞るための対物レンズ１８の焦
点距離がダイナミックに補正され、常に被検査領域に焦
点が一致した電子線１０が照射されるようになってい
る。

【００２１】光学顕微鏡５はチャンバ２の室内における
ＳＥＭ３の近傍であって互いに影響を及ぼさない程度に
離れた位置に設備されており、ＳＥＭ３と光学顕微鏡５
との間の距離は既知である。そして、試料台２１はＳＥ
Ｍ３と光学顕微鏡５との間の既知の距離を往復移動する
ようになっている。光学顕微鏡５は光源３５、光学レン
ズ３６、ＣＣＤカメラ３７により構成されている。

【００２２】画像処理部６は第一画像記憶部３０、第二
画像記憶部３１、演算部３２、欠陥判定部３３、モニタ
３４により構成されている。制御部７はＳＥＭ式欠陥検
査装置１の各部における動作命令および動作条件を入出
力するように構成されており、制御部７には電子線発生
時の加速電圧、電子線偏向幅、偏向速度、試料台移動速
度、検出器の信号取り込みタイミング等の条件が入力さ
れている。

【００２３】次に、前記構成に係るＳＥＭ式欠陥検査装
置１の作用を説明する。

【００２４】まず、検査しようとするパターン付きウエ
ハ４０がＸＹステージ２０の上にセットされる。セット
されたパターン付きウエハ４０は試料台２１によって光
学顕微鏡５の下に配置され、モニタ３４によりパターン
付きウエハ４０上のパターンの光学顕微鏡画像が観察さ
れ、第一画像記憶部３０または第二画像記憶部３１に記
憶される。この際、ＳＥＭによっても観察可能のパター
ンが選定される。観察したパターンの位置は座標によっ
て記憶される。

【００２５】次いで、試料台２１がＳＥＭ３の位置に移
動されることにより、パターン付きウエハ４０がＳＥＭ
３の下に配置される。パターン付きウエハ４０がＳＥＭ
３の下に配置されると、記憶された座標値に基づき光学
顕微鏡５によって観察された部位と推定される部位に電
子線１０が走査偏向器１５によりＸＹ方向の二次元に走
査されて照射される。

【００２６】この電子線１０の二次元走査に伴って被観
察部位から発生する二次電子が二次電子検出器１６によ
って検出されることにより、電子線画像が取得される。
取得された電子線画像は第一画像記憶部３０または第二
画像記憶部３１に記憶される。記憶された電子線画像内
のパターンの位置が計測される。

【００２７】電子線画像においても、光学顕微鏡５によ
って記憶されたパターンと同一のパターンの画像が現わ
れるように電子線１０を偏向する等して補正を実行する
ことにより、検査開始前に電子線照射位置と光学顕微鏡
観察位置の対応が予め付けられ、かつ、電子線照射位置
が校正される。

【００２８】次に、試料台２１が光学顕微鏡５の位置に
戻される。そして、光学顕微鏡５による画像が用いられ
て回転ステージ１９により回転補正が、パターン付きウ
エハ４０のパターンが試料台２１の移動方法と平行（Ｘ
方向）あるいは直交（Ｙ方向）となるように実行され
る。

【００２９】さらに、光学顕微鏡５による画像が用いら
れてパターン付きウエハ４０のパターンが観察され、パ
ターン付きウエハ４０の位置やチップ間の距離、例え
ば、メモリセルのような繰り返しパターンの繰り返しピ
ッチが予め測定され、制御部７に測定値が入力される。

【００３０】以上のようにして光学顕微鏡５による所定
の補正作業や検査準備作業が完了すると、試料台２１が
ＳＥＭ３に再び移動されてパターン付きウエハ４０がＳ
ＥＭ３の下に配置される。光学顕微鏡５によって実施さ
れた補正作業や検査準備作業と同様の作業がＳＥＭ３に
よる電子線画像によって実施される。

【００３１】以下、本発明の一実施の形態であるパター
ン付きウエハの欠陥検査方法を図１の工程図に沿って説
明する。

【００３２】図１に示されている間引き走査工程Ｋ１に
おいて、図３に示されているように、パターン付きウエ
ハ４０に照射される電子線の走査線５０の本数が複数本
（ｎ）に一本の割合（１／ｎ）で間引かれて、パターン
付きウエハ４０には走査線５０が全体にわたって均等に
走査され、この間引き走査により、欠陥分布抽出のため
の電子線画像が取得される。なお、走査線５０の線幅Ｗ
は数百μｍであり、図３（ｂ）に図示された例では八本
のうち一本（１／８）で間引き走査されている。図３
（ａ）において、４１はチップであり、４２はノッチで
ある。

【００３３】次に、図１に示されている欠陥分布抽出工
程Ｋ２において、パターン付きウエハ４０における欠陥
の分布が間引き走査によって取得された電子線画像に基
づいて求められる。この際、パターン付きウエハ４０に
発生した欠陥の種類毎に分布がそれぞれ求められる。

【００３４】例えば、図４に示されているように、パタ
ーン付きウエハ４０に対して間引き率（１／ｎ）＝１／
８＝１２．５％で間引き走査を実施し、この間引き走査
により得られた電子線画像から欠陥情報を求めたとこ
ろ、図４（ａ）に示されている明るい楕円穴形状の欠陥
（以下、第一欠陥という。）４３が図４（ｂ）に示され
ているように分布して多発している場合が求められた。
図４（ｂ）に囲い線４４で囲んだように、第一欠陥４３
群はパターン付きウエハ４０の縦方向に分布しノッチ４
２側に多発しているのが分かる。ちなみに、第一欠陥４
３はＳｉ₃ Ｎ₄ の肩が削れてしまったか、ＳＧＩ層の不
良である可能性があると、考察される。

【００３５】同様に、他の欠陥について調べたところ、
図５（ａ）に示されている穴の明るさが正常部に比べて
非常に暗い（下地と同じレベル）欠陥（以下、第二欠陥
という。）４５が図５（ｂ）に示されているように多発
している場合が求められた。図５（ｂ）に示されている
ように、第二欠陥４５群はランダムに分布しているのが
特徴である。ちなみに、第二欠陥４５は穴底に酸化膜が
残っている欠陥であると、考察される。

【００３６】さらに、図６（ａ）に示されているよう
に、小さい穴の明るさがばらついた欠陥（以下、第三欠
陥という。）４６が図６（ｂ）に示されているように分
布している場合が求められた。図６（ｂ）に囲い線４７
で囲んだように、第三欠陥４６群は略Ｌ字形状に分布し
ており、ノッチ４２側に多発し、殊に、特定のチップ４
１で多発する傾向が見られる。ちなみに、第三欠陥４６
は穴の存在が認識できる程度のコントラストを有してお
り、明るい穴に比べて高抵抗になっていると考察され
る。

【００３７】以上のパターン付きウエハ４０の第一欠陥
４３、第二欠陥４５、第三欠陥４６に関する分布特性
は、パターン付きウエハ４０を走査線５０をベタに走査
（間引き無しに走査）した場合の電子線画像から得られ
た図７に示されている欠陥情報の分布特性と一致するこ
とが確認された。

【００３８】すなわち、図４、図５および図６と図７と
の比較から明らかな通り、パターン付きウエハ４０の全
面に走査線５０をベタに走査して得られた欠陥の分布状
況（図７）は、パターン付きウエハ４０の全面にサンプ
リング率１２．５％による間引き走査によって得られた
三種類の欠陥４３、４５、４６の分布状況（図４〜図
６）と同一になっている。

【００３９】そこで、本実施の形態においては、図１に
示されているように、検査対象チップサンプリング工程
Ｋ３において、詳細な検査作業を実施するチップ４１を
欠陥分布抽出工程Ｋ２で求められた欠陥分布に基づいて
サンプリングする。

【００４０】例えば、図４、図５および図６の分布状況
の場合には、図８に示されているような五個のチップ４
１がサンプリングされる。すなわち、図８において、図
４に囲い線４４で示された第一欠陥４３の分布状況に照
らしてノッチ４２の付近で縦に並んだ三個のチップ４１
がサンプリングされている。また、図６に囲い線４７で
示された第三欠陥４６の分布状況に照らしてノッチ４２
付近で略Ｌ字形状に並んだ三個のチップ４１がサンプリ
ングされている。なお、後者の三個のチップ４１のうち
一個のチップ４１は縦の三個のチップのうちの下段のチ
ップ４１と共通になる。また、図５に示された第二欠陥
４５はランダムに分布しているため、先にサンプリング
された五個のチップ４１のいずれかに含まれることにな
る。

【００４１】以上のようにして、検査対象チップがサン
プリングされると、図１の詳細検査工程Ｋ４において、
サンプリングされたチップ４１についてＳＥＭ式欠陥検
査装置１のＳＥＭ３による詳細な欠陥検査が実施され
る。

【００４２】例えば、図９に示されているように、走査
線５０が検査対象のチップ４１の主面を塗り潰すように
ベタに走査され、チップ４１の精密な電子線画像が取得
されるとともに、欠陥検査が詳細に実施される。

【００４３】以上、説明したように、本実施の形態にお
いては、パターン付きウエハ全面を走査線の本数を間引
いて走査して欠陥の分布を求め、この欠陥の分布につい
て検査対象のチップをサンプリングするため、本実施の
形態によれば、検査時間を短縮しつつ正確な欠陥検査を
実施することができる。

【００４４】例えば、間引き率１２．５％で間引き走査
工程Ｋ１を実施し、この走査により得られた電子線画像
により、欠陥の生じたチップの分布特性を求めたとこ
ろ、パターン付きウエハ４０全体の走査に要する時間
は、１時間１０分、であった。

【００４５】次に、この間引き検査で得られた欠陥の分
布特性を基に欠陥の生じたチップの分布領域に属する検
査対象チップとして五個のチップ４１をサンプリング
し、これら五個のチップ４１に対して全面に渡って走査
線をベタに走査し、この走査により得られた電子線画像
により詳細検査を実施したところ所要時間は、１時間２
１分、であった。

【００４６】前述したように十八個のチップをサンプリ
ングして詳細な検査を実施した従来例の場合には、４時
間２３分要していたのに対して、本実施の形態において
は、合計２時間３１分と半分程度の時間で十分な欠陥の
分布を把握できるとともに、精度の高い欠陥検査結果を
確保することができる。

【００４７】また、詳細検査対象のチップをサンプリン
グする際に、間引き走査で得られた電子線画像により欠
陥の種類ごとに分布をそれぞれ求めることにより、サン
プリングの精度をより一層高めることができる。

【００４８】以上本発明者によってなされた発明を実施
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００４９】例えば、間引き率（１／ｎ）は、１／８に
設定するに限らず、パターン等の諸条件に応じて、１／
１６〜１／２に設定することが望ましい。この際、１／
１６よりも間引き過ぎると正確な分布が求められなくな
る。逆に、１／２よりも大きく設定すると、検査時間を
短縮することができなくなる。

【００５０】走査線の幅は一定に設定するに限らず、変
動させてもよい。走査線の幅が変動される場合には、間
引き率は「整数分の一」になるとは限らない。

【００５１】走査線の間引き率は全体にわたって均等に
設定するに限らず、ランダムに設定してもよい。走査線
の間引き率が一定の場合には半導体ウエハのチップの特
定の場所しか走査対象（画像取得エリア）にならない
が、ランダムに設定された場合にはチップの不特定の場
所が走査対象になる。

【００５２】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。

【００５３】半導体ウエハを走査線を間引いて走査し、
この走査により得られた電子線画像によって半導体ウエ
ハの欠陥の分布を求めることにより検査すべきチップを
適正にサンプリングすることができるため、全体として
の検査時間を短縮しつつ欠陥検査を正確に実施すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態であるパターン付きウエ
ハの欠陥検査方法を示す工程図である。

【図２】本発明の一実施の形態であるパターン付きウエ
ハの欠陥検査方法に使用されるＳＥＭ式欠陥検査装置を
示す模式図である。

【図３】間引き走査工程を示しており、（ａ）は全体の
平面図、（ｂ）は拡大部分平面図である。

【図４】第一欠陥の分布を示しており、（ａ）は第一欠
陥の電子線画像図、（ｂ）は分布図である。

【図５】第二欠陥の分布を示しており、（ａ）は第二欠
陥の電子線画像図、（ｂ）は分布図である。

【図６】第三欠陥の分布を示しており、（ａ）は第三欠
陥の電子線画像図、（ｂ）は分布図である。

【図７】比較例を示す分布図である。

【図８】サンプリング工程を説明するための平面図であ
る。

【図９】詳細検査工程を示しており、（ａ）は全体の平
面図、（ｂ）は拡大部分平面図である。

【符号の説明】

１…ＳＥＭ式欠陥検査装置、２…チャンバ、３…ＳＥ
Ｍ、４…試料室、５…光学顕微鏡、６…画像処理部、７
…制御部、１０…電子線、１１…電子銃、１２…引き出
し電極、１３…コンデンサレンズ、１４…ブランキング
用偏向器、１５…走査偏向器、１６…二次電子検出器、
１７…絞り、１８…対物レンズ、１９…回転ステージ、
２０…ＸＹステージ、２１…試料台、２２…光学式高さ
測定器、２３…位置モニタ用測長器、２５…走査信号発
生器、２６…対物レンズ電源、２７…補正制御回路、２
８…プリアンプ、２９…ＡＤ変換器、３０…第一画像記
憶部、３１…第二画像記憶部、３２…演算部、３３…欠
陥判定部、３４…モニタ、３５…光源、３６…光学レン
ズ、３７…ＣＣＤカメラ、４０…パターン付きウエハ
（半導体ウエハ）、４１…チップ、４２…ノッチ、４３
…第一欠陥、４４…囲い線、４５…第二欠陥、４６…第
三欠陥、４７…囲い線、５０…走査線。

フロントページの続き (72)発明者野副真理東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者渡辺健二東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者土方重昭東京都青梅市藤橋３丁目３番地２日立東京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者井上二朗東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体グループ内Ｆターム(参考） 2F069 AA60 BB15 CC07 DD15 GG07 GG08 GG15 GG52 GG56 GG77 HH09 JJ19 JJ26 MM04 MM11 MM17 MM23 MM31 NN12 QQ05 2G001 AA03 BA07 CA03 FA06 GA01 GA06 HA13 JA02 JA03 JA08 JA12 KA03 LA11 PA12 RA04 4M106 AA01 BA02 CA38 DB05 DB18 5C033 FF03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体素子を含む集積回路のパターンに
よって複数個のチップが形成された半導体ウエハに電子
線が走査されて照射されるとともに、この半導体ウエハ
からの二次電子が検出されて電子線画像が取得され、こ
の電子線画像が使用されて前記半導体ウエハの欠陥が検
査される半導体装置の製造方法において、前記半導体ウ
エハに照射される電子線の走査線の本数が複数本（ｎ）
に一本の割合で間引かれて前記電子線が走査され、この
走査により得られた電子線画像によって前記半導体ウエ
ハの欠陥の分布が求められることを特徴とする半導体装
置の製造方法。
【請求項２】詳細な検査を実施すべきチップが前記半
導体ウエハの欠陥の分布に基づいてサンプリングされる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方
法。
【請求項３】前記サンプリングしたチップの全面を走
査領域として電子線が走査され、この走査により得られ
た電子線画像により欠陥が検査されることを特徴とする
請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】前記半導体ウエハの欠陥の分布が欠陥の
種類毎にそれぞれ求められることを特徴とする請求項１
または２または３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】前記走査線の間引き率（１／ｎ）が、１
／１６〜１／２、に設定されることを特徴とする請求項
１または２または３または４に記載の半導体装置の製造
方法。