JP4603448B2 - 回路パターンの検査装置 - Google Patents
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Description
メモリセル領域A:検査閾値1
メモリセル領域B:検査閾値2
領域B:セル比較検査領域I/II/III/IV/V/VI/VII
領域C:セル比較検査領域V/VI/VII
検査領域情報
領域I(検査開始/終了座標、セル比較ピッチ2、検査閾値2)
領域II(検査開始/終了座標、セル比較ピッチ2、検査閾値2)
領域III(検査開始/終了座標、セル比較ピッチ2、検査閾値2)
領域IV(検査開始/終了座標、セル比較ピッチ2、検査閾値2)
領域V(検査開始/終了座標、セル比較ピッチ1、検査閾値1)
領域VI(検査開始/終了座標、セル比較ピッチ1、検査閾値1)
領域VII(検査開始/終了座標、セル比較ピッチ1、検査閾値1)
検査領域A :検査領域Aに属するチップ番号、検査閾値1
検査領域B :検査領域Bに属するチップ番号、検査閾値2
検査領域C :検査領域Cに属するチップ番号、検査閾値3
Claims (1)
- 試料上に設定される検査ストライプに沿って前記試料に形成されたパターンの検査を行うパターン検査装置において、
当該パターン検査装置は、セルピッチの異なる第1および第2のメモリセル領域が形成された半導体ウェハを検査することが可能であって、
前記パターンに光,レーザ光あるいは荷電粒子線を照射する照射手段と、
前記照射によって前記パターンから発生する信号を検出する検出手段と、
前記検出手段によって検出された信号を画像化して記憶する画像データ記憶手段と、
前記第1および第2のメモリセル領域毎に、検査領域情報である検査開始座標および検査終了座標、メモリセルの間隔に基づいて決定したセル比較ピッチ、並びに検査閾値の情報を関連付け、前記検査ストライプ上に存在する前記第1および第2のメモリセル領域の組み合わせを以下の要領に従って、前記試料上の領域に応じて保存する検査条件設定手段と、
領域A:検査ストライプ上に第1のメモリセル領域のみが存在
領域B:検査ストライプ上に第1および第2のメモリセル領域が混在
領域C:検査ストライプ上に第2のメモリセル領域のみが存在
前記領域Bに存在する検査ストライプの検査を行なう場合には、当該検査条件設定手段に保存された前記メモリセル領域の情報に従って、前記検査ストライプの途中で前記セル比較ピッチおよび検査閾値を変更し、前記メモリセル領域毎に該当するセル比較ピッチおよび検査閾値で隣接セル同士を画像比較する画像処理手段と
を備えたことを特徴とするパターン検査装置。
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