JP2010282810A - 基板検査装置 - Google Patents
基板検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010282810A JP2010282810A JP2009134698A JP2009134698A JP2010282810A JP 2010282810 A JP2010282810 A JP 2010282810A JP 2009134698 A JP2009134698 A JP 2009134698A JP 2009134698 A JP2009134698 A JP 2009134698A JP 2010282810 A JP2010282810 A JP 2010282810A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inspection
- substrate
- inspection area
- chip
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【課題】本発明の基板検査装置は、基板の検査エリアの設定を簡単にし、且つ検査エリア設定の自由度を確保して効率良く基板の検査を実行することを目的とする。
【解決手段】半導体ウエハ80における「左エッジからの距離R」と「右エッジからの距離R」とを検査エリアとする設定がされた際、全体制御部は、この設定に基づいて検査室にロードされる半導体ウエハ80の検査エリアを演算し、この演算結果を補正制御回路に登録する。全体制御部は、演算結果を登録した補正制御回路を用いて検査エリアとしての半導体ウエハ80の左エッジからの距離Rにある領域(5)のチップ81の斜線で示すセル82と領域(6)のチップ81の距離R内の斜線で示すセル82、及び半導体ウエハ80の右エッジからの距離Rにある領域(8)のチップ81の斜線で示すセル82と領域(7)のチップ81の距離R内の斜線で示すセル82の自動検査を制御する。
【選択図】図4
【解決手段】半導体ウエハ80における「左エッジからの距離R」と「右エッジからの距離R」とを検査エリアとする設定がされた際、全体制御部は、この設定に基づいて検査室にロードされる半導体ウエハ80の検査エリアを演算し、この演算結果を補正制御回路に登録する。全体制御部は、演算結果を登録した補正制御回路を用いて検査エリアとしての半導体ウエハ80の左エッジからの距離Rにある領域(5)のチップ81の斜線で示すセル82と領域(6)のチップ81の距離R内の斜線で示すセル82、及び半導体ウエハ80の右エッジからの距離Rにある領域(8)のチップ81の斜線で示すセル82と領域(7)のチップ81の距離R内の斜線で示すセル82の自動検査を制御する。
【選択図】図4
Description
本発明は、半導体ウエハや液晶等の微細な回路パターンを有する基板の欠陥を検査する基板検査装置に関する。
例えば、半導体装置は、半導体ウエハ上にフォトマスクに形成されたパターンをリソグラフィー処理及びエッチング処理により転写する工程を繰り返すことにより回路パターンが製造される。半導体装置の製造過程において、リソグラフィー処理やエッチング処理その他の良否、異物発生等は、半導体装置の歩留まりに大きく影響を及ぼす。したがって、このような製造過程における異常や不良発生を早期にあるいは事前に検知するために、製造過程の半導体ウエハ上のパターンを検査する各種装置が用いられている。
半導体ウエハ上のパターンに存在する欠陥を検査する方法としては、半導体ウエハに光を照射し、光学画像を用いて複数のLSIの同種の回路パターンを比較する光学式欠陥検査装置や、半導体ウエハに電子線等の荷電粒子線を照射し、発生する二次電子線や反射電子線を検出し、その信号を画像化し、欠陥を検出する電子線式欠陥検査装置が実用化されている。
半導体ウエハ上のパターンに存在する欠陥を検査する方法としては、半導体ウエハに光を照射し、光学画像を用いて複数のLSIの同種の回路パターンを比較する光学式欠陥検査装置や、半導体ウエハに電子線等の荷電粒子線を照射し、発生する二次電子線や反射電子線を検出し、その信号を画像化し、欠陥を検出する電子線式欠陥検査装置が実用化されている。
電子線式欠陥検査装置はSEM(走査型電子顕微鏡)画像の比較により欠陥検査を行う。SEM画像を取得する方法としては、ステージをステップ&リピート移動させるとともに各ステージ停止位置にて電子線を2次元に走査して画像を取得する方法と、ステージを一定速度で一方向にスキャン移動させると同時に電子線をステージ移動方向と垂直方向に1次元走査しながら連続的に画像を取得する方法とが存在する。電子線式欠陥検査装置においては、スループットに優れた後者の方法が主に利用されている。
近年、半導体ウエハ上に形成されるパターン寸法の微細化に伴い、光学式や電子線式の欠陥検査装置での検査においては、従来よりも高倍率の画像を用いて検査する必要が生じている。このように高倍率の画像を用いた場合には単位時間あたりに検査できるエリアが減少する。このため、欠陥が発生しやすい領域を選択的に検査することによる検査の効率化が求められている。このような検査領域を選択する技術については任意のダイを指定するためのGUI(Graphic User Interface)が開発されている(例えば、特許文献1参照)。また、X方向あるいはY方向にステージを移動してステージ上の半導体ウエハを検査する回路パターン検査装置も開示されている(例えば、特許文献2参照)。
近年、半導体ウエハ上に形成されるパターン寸法の微細化に伴い、光学式や電子線式の欠陥検査装置での検査においては、従来よりも高倍率の画像を用いて検査する必要が生じている。このように高倍率の画像を用いた場合には単位時間あたりに検査できるエリアが減少する。このため、欠陥が発生しやすい領域を選択的に検査することによる検査の効率化が求められている。このような検査領域を選択する技術については任意のダイを指定するためのGUI(Graphic User Interface)が開発されている(例えば、特許文献1参照)。また、X方向あるいはY方向にステージを移動してステージ上の半導体ウエハを検査する回路パターン検査装置も開示されている(例えば、特許文献2参照)。
上述した半導体ウエハの製造工程においては、半導体ウエハの外周付近に欠陥が発生しやすい傾向がある。
しかしながら、現状の半導体ウエハの検査装置においては、チップ内検査エリア設定と検査チップ設定の組み合わせにより検査エリアを設定するため、検査エリア設定の自由度が制限されている。半導体ウエハに限らず液晶等も同様に微細な回路パターンを有する基板を形成している。
そのため、基板の検査エリアの設定が複雑になり、且つ検査エリア設定の自由度が制限され、効率良く基板の検査を実行することができないという問題があった。
しかしながら、現状の半導体ウエハの検査装置においては、チップ内検査エリア設定と検査チップ設定の組み合わせにより検査エリアを設定するため、検査エリア設定の自由度が制限されている。半導体ウエハに限らず液晶等も同様に微細な回路パターンを有する基板を形成している。
そのため、基板の検査エリアの設定が複雑になり、且つ検査エリア設定の自由度が制限され、効率良く基板の検査を実行することができないという問題があった。
本発明の目的は、基板の検査エリアの設定を簡単にし、且つ検査エリア設定の自由度を確保して効率良く基板の検査を実行する基板検査装置を提供することにある。
前記課題を解決するために、本発明は、複数チップの回路パターンが形成された基板表面に電子線を照射する照射手段と、該照射によって前記基板表面から発生する二次電子線を検出する検出手段と、該検出された信号を画像化して記憶する記憶手段と、該記憶された画像信号と他の同一基板の参照画像信号とを比較する比較手段と、該比較結果から欠陥を判別する判別手段とを備えた基板検査装置において、基板表面を検査する際に基板が置かれるステージと、前記ステージを移動する移動手段と、前記基板表面の検査領域を設定する設定手段と、前記設定手段で設定された基板表面の検査領域に基づいて、前記ステージに置かれた基板表面の検査領域を演算する演算手段と、前記演算手段で演算された演算結果に基づいて前記移動手段と前記照射手段が基板表面を照射する照射位置とを制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
本発明によれば、基板の検査エリアの設定を簡単にし、基板の検査を効率良く実行することのできる基板検査装置を提供することができる。
以下に、本発明の実施形態に係る基板検査装置について図を参照しながら詳細に説明する。
図1は、荷電粒子線(電子線)を用いた基板検査装置1の概略構成を示す構成図である。基板検査装置1は、室内が真空排気される検査室2と、検査室2内に被検査基板9を搬送するための予備室(図示せず)を備えており、この予備室は検査室2とは独立して真空排気できるように構成されている。また、基板検査装置1は検査室2と予備室の他に画像処理部5と、画像処理部5を操作するための操作部6とを備えている。
図1は、荷電粒子線(電子線)を用いた基板検査装置1の概略構成を示す構成図である。基板検査装置1は、室内が真空排気される検査室2と、検査室2内に被検査基板9を搬送するための予備室(図示せず)を備えており、この予備室は検査室2とは独立して真空排気できるように構成されている。また、基板検査装置1は検査室2と予備室の他に画像処理部5と、画像処理部5を操作するための操作部6とを備えている。
検査室2内は、大別して電子光学系カラム3,光学顕微鏡室4,試料室8から構成されている。電子光学系カラム3は、電子銃10,引き出し電極11,コンデンサレンズ12,ブランキング偏向器13,絞り14,走査偏向器15,対物レンズ16,反射板17,ExB偏向器18,二次電子検出器20から構成される。
電子光学系カラム3は、一次電子線19を被検査基板9へ照射するとともに被検査基板9から発生した二次電子線を検出する。
電子光学系カラム3は、一次電子線19を被検査基板9へ照射するとともに被検査基板9から発生した二次電子線を検出する。
光学顕微鏡室4は、検査室2の室内における電子光学系カラム3の近傍にあって、互いに影響を及ぼさない程度離れた位置に配置されている。光学顕微鏡室4は、光源40,光学レンズ41,CCDカメラ42により構成されている。電子光学系カラム3全体と光学顕微鏡室4全体の距離は既知であり、Xステージ31又はYステージ32が電子光学系カラム3と光学顕微鏡室4との間の既知の距離を往復移動するようになっている。
画像処理部5は、記憶手段45,画像処理回路46,欠陥データバッファ47,設定部48,全体制御部49から構成されている。記憶手段45に記憶された第一の画像信号と第二の画像信号とが画像処理回路46で画像化される。画像処理回路46は、第一の画像信号(被検査画像信号)と第二の画像信号(参照画像信号,基準画像信号)との位置合わせ,信号レベルの規格化,ノイズ信号を除去するための各種画像処理を施して双方の画像信号を比較演算する。そして、画像処理回路46は、比較演算した差画像信号の絶対値を所定のしきい値と比較(比較手段)し、所定のしきい値よりも差画像信号レベルが大きい場合に欠陥候補と判別(判別手段)する。欠陥データバッファ47は、被検査基板9の欠陥候補を欠陥情報として保持する。設定部48は、しきい値を画像処理回路46に設定する。全体制御部49は、これらの画像処理や演算を制御し、操作部6にその位置や欠陥数等を送るとともに、後述する補正制御回路61へも送信する。
インターフェースとしての操作部6は、例えばディスプレイの機能を有し、マップ表示部55,画像表示部56,画像取得指示領域57,画像処理指示領域58,処理条件設定領域59,及びモード切替え部60から構成されている。また、操作部6は、入力手段として図示しないマウスとキーボードとを有している。
二次電子検出部7は、二次電子検出器20からの出力信号を増幅するプリアンプ21,増幅信号をアナログからデジタルへ変換するAD変換器22を備え、それぞれを駆動するためのプリアンプ駆動電源27,AD変換器駆動電源28,逆バイアス電源29と、これらに電気を供給する高圧電源26を備える。増幅されたデジタル信号は光変換手段23で光信号に変換され、光伝送手段24を通って電気変換手段25で電気信号に変換され、画像処理部5の記憶手段45へ送られる。なお、CCDカメラ42で取得した光学画像も、図示していないが同様にして画像処理部5へ送られる。
二次電子検出部7は、二次電子検出器20からの出力信号を増幅するプリアンプ21,増幅信号をアナログからデジタルへ変換するAD変換器22を備え、それぞれを駆動するためのプリアンプ駆動電源27,AD変換器駆動電源28,逆バイアス電源29と、これらに電気を供給する高圧電源26を備える。増幅されたデジタル信号は光変換手段23で光信号に変換され、光伝送手段24を通って電気変換手段25で電気信号に変換され、画像処理部5の記憶手段45へ送られる。なお、CCDカメラ42で取得した光学画像も、図示していないが同様にして画像処理部5へ送られる。
試料室8は、試料台30,Xステージ31,Yステージ32,回転ステージ33,位置モニタ測長器34,被検査基板高さ測定器35から構成されている。
電子線画像あるいは光学画像は、操作部6の画像表示部56に表示される。基板検査装置1の各部の動作命令及び動作条件は、操作部6から指示命令が入力され、画像処理部5の全体制御部49から補正制御回路61へ送られる。操作部6では、一次電子線19の発生時の加速電圧,偏向幅,偏向速度,二次電子検出部7の信号取り込みタイミング,Xステージ31やYステージ32の移動速度等の条件が、目的に応じて任意にあるいは選択して設定することができる。
電子線画像あるいは光学画像は、操作部6の画像表示部56に表示される。基板検査装置1の各部の動作命令及び動作条件は、操作部6から指示命令が入力され、画像処理部5の全体制御部49から補正制御回路61へ送られる。操作部6では、一次電子線19の発生時の加速電圧,偏向幅,偏向速度,二次電子検出部7の信号取り込みタイミング,Xステージ31やYステージ32の移動速度等の条件が、目的に応じて任意にあるいは選択して設定することができる。
マップ表示部55には、検出された複数の欠陥データの分布が半導体ウエハを模式的に表したマップの上に記号化されて表示される。画像取得指示領域57は、検出された欠陥ごと、あるいは領域ごとに電子線画像あるいは光学画像を取得する指示を出す領域である。画像処理指示領域58は、取得した画像の明るさ調整やコントラスト調整を指示する領域である。処理条件設定領域59は、一次電子線19を被検査基板9に照射するときの偏向幅,偏向速度,対物レンズの焦点距離,焦点深度などの各種条件を設定する部分である。
補正制御回路61は、一次電子線19の発生時の加速電圧,偏向幅,偏向速度,二次電子検出部7の信号取り込みタイミング,Xステージ31やYステージ32の移動速度等を、画像処理部5の全体制御部49から送られた指示命令に従うように制御する。
また、補正制御回路61は、位置モニタ測長器34からの信号と被検査基板高さ測定器35からの信号とから被検査基板9の位置や高さをモニタし、その結果から補正信号を生成し、走査信号発生器43や対物レンズ電源44に補正信号を送り、一次電子線19が常に正しい位置に照射されるように偏向幅,偏向速度,対物レンズの焦点距離,焦点深度を制御している。
また、補正制御回路61は、位置モニタ測長器34からの信号と被検査基板高さ測定器35からの信号とから被検査基板9の位置や高さをモニタし、その結果から補正信号を生成し、走査信号発生器43や対物レンズ電源44に補正信号を送り、一次電子線19が常に正しい位置に照射されるように偏向幅,偏向速度,対物レンズの焦点距離,焦点深度を制御している。
電子銃10には拡散補給型の熱電界放出電子源が使用されている。この電子銃10を用いることにより、従来の例えばタングステン・フィラメント電子源や、冷電界放出型電子源に比べて安定した電子線電流を確保することができ、明るさ変動の少ない電子線画像が得られる。また、この電子銃10により電子線電流を大きく設定することができるため、後述するような高速検査を実現することができる。
一次電子線19は、電子銃10と引き出し電極11との間に電圧を印加することで電子銃10から引き出される。一次電子線19の加速は、電子銃10に高電圧の負の電位を印加することで決まる。これにより、一次電子線19はその電位に相当するエネルギで試料台30の方向に進み、コンデンサレンズ12で収束され、さらに対物レンズ16により細く絞られて試料台30に搭載された被検査基板9に照射される。
ブランキング偏向器13,走査偏向器15は、ブランキング信号及び走査信号を発生する走査信号発生器43により制御される。ブランキング偏向器13は、一次電子線19が絞り14の開口部を通過しないように一次電子線19を偏向し、一次電子線19の被検査基板9への照射を防ぐことができる。一次電子線19は対物レンズ16により細く絞られ、走査偏向器15により被検査基板9上で走査される。
被検査基板9の回路パターンの欠陥を検出する自動検査においては、欠陥を早期に見つけ出して、その原因を早期に究明し、早期に対策することが製造歩留まりの向上につながる。従って、基板検査装置1では検査速度が速いことが必須となる。そのため、通常のSEMのようにpAオーダーの電子線電流の電子線を低速で走査したり、多数回の走査及び各々の画像の重ね合せは行わない。また、絶縁材料への帯電を抑制するためにも、電子線走査は高速で一回あるいは数回程度にする必要がある。そこで本実施形態では、通常のSEMに比べ約100倍以上の、例えば100nAの大電流電子線を一回のみ走査することにより画像を形成する構成としている。また、走査幅は例えば100μmとし、1画素は0.1μm2とし、1回の走査を1μsで行うようにしている。
対物レンズ16には、対物レンズ電源44が接続されている。コンデンサレンズ12にも図示しないレンズ電源が接続されている。そしてこれらのレンズ強度は、補正制御回路61がレンズ電源の電圧を変えることによって調整される。
被検査基板9には、リターディング電源36により負の電圧を印加できるようになっている。リターディング電源36の電圧を調節することにより、一次電子線を減速させ、電子銃10の電位を変えることなく被検査基板9への電子線照射エネルギを調節することができる。
被検査基板9には、リターディング電源36により負の電圧を印加できるようになっている。リターディング電源36の電圧を調節することにより、一次電子線を減速させ、電子銃10の電位を変えることなく被検査基板9への電子線照射エネルギを調節することができる。
Xステージ31,Yステージ32の上には被検査基板9が搭載される。検査実行時には、Xステージ31,Yステージ32を静止させ、一次電子線19を二次元に走査する方法と、Xステージ31を静止させ、Yステージ32をY方向に連続して一定速度で移動させながら一次電子線19をX方向に走査する方法とがある。ある特定の比較的小さい領域を検査する場合にはXステージ31を静止させて検査する方法が有効であり、比較的広い領域を検査するときはYステージ32を連続的に一定速度で移動して検査する方法が有効である。
Xステージ31またはYステージ32の一方を連続的に移動させながら被検査基板9の画像を取得する場合、まず、ステージの移動方向に対して略直角方向に一次電子線19が走査される。この一次電子線19の走査及びステージの移動に同期して被検査基板9から発生する二次電子線が二次電子検出器20で検出される。
被検査基板9上に一次電子線19を照射することにより発生する二次電子線は、被検査基板9に印加された負の電圧により加速される。被検査基板9の上方にExB偏向器18が配置され、これにより加速された二次電子線は所定の方向に偏向される。ExB偏向器18に印加する電圧で磁界の強度を変え、偏向量を調整することができる。また、ExB偏向器18の電磁界は、被検査基板9に印加した負の電圧に連動させて可変させることができる。ExB偏向器18により偏向された二次電子線は、所定の条件で反射板17に衝突する。この反射板17は、被検査基板9に照射する一次電子線19の偏向器15のシールドパイプを兼ね、円錐形状をしている。この反射板17に加速された二次電子線が衝突すると、反射板17からは数eVから50eVのエネルギを持つ第二の二次電子線が発生する。
位置モニタ測長器34は、本実施形態ではレーザ干渉を原理とした測長計をX方向とY方向に用い、Xステージ31及びYステージ32の位置を一次電子線19を照射しながら測定し、補正制御回路61に送信するように構成されている。また、Xステージ31,Yステージ32,回転ステージ33の図示しない各駆動モータ(移動手段)の回転数も各々のドライバ回路(図示しない)から補正制御回路61に送信されるように構成されている。補正制御回路61は、これらのデータに基づいて一次電子線19が照射されている領域や位置が正確に把握できるようになり、一次電子線19の照射位置の位置ずれを補正する。また、補正制御回路61は一次電子線19を照射した領域を記憶できるようになっている。
被検査基板高さ測定器35には、電子ビーム以外の測定方式である光学式測定器、例えばレーザ干渉測定器や反射光の位置で変化を測定する反射光式測定器が使用される。例えば、スリットを通過した細長い白色光を透明な窓越しに該被検査基板9に照射し、反射光の位置を位置検出モニタにて検出し、位置の変動から高さの変化量を算出する方式が知られている。被検査基板高さ測定器35は、Xステージ31,Yステージ32に搭載され、被検査基板9の高さを測定する。
被検査基板高さ測定器35の測定データに基づいて、補正制御回路61は、一次電子線19を細く絞るための対物レンズ16の焦点距離をダイナミックに補正し、常に被検査領域に焦点が合った一次電子線19を照射できるように制御する。また、被検査基板9の反りや高さ歪みを一次電子線19の照射前に予め測定し、そのデータに基づいて対物レンズ16の検査領域毎の補正条件を設定するように構成することも可能である。
図2は操作部6のディスプレイに表示される画像の一例を示す画面図である。操作部6のディスプレイ画面の大きな領域には、マップ表示部55と画像表示部56が配置されている。また、操作部6のディスプレイ画面の下方にはモード切替えボタン60が配置されている。モード切替えボタン60は、「検査」モードを選択する検査ボタン101、「欠陥確認」モードを選択する欠陥確認ボタン102、「レシピ作成」モードを選択するレシピ作成ボタン103、「ユーティリティ」モードを選択するユーティリティボタン104が設けられている。「レシピ作成」モードは自動検査の条件を設定するモードである。「ユーティリティ」モードは、他のモードには現れない補助機能を呼び出すモードであり、通常は使用されない。
なお、図2のディスプレイ画面は、レシピ作成ボタン103が押されて「レシピ作成」モードに切り替わった状態を示している。「レシピ作成」モードにおける操作部6のディスプレイ画面には、検査領域設定部110、開始ボタン111、ウエハロードボタン112、ウエハアンロードボタン113、画面印刷ボタン114、ファイル保存ボタン115、画像保存ボタン116、及び終了ボタン117が表示される。
このような構成の基板検査装置1においては、半導体ウエハに欠陥が発生しやすい領域を指定して検査することができる。
このような構成の基板検査装置1においては、半導体ウエハに欠陥が発生しやすい領域を指定して検査することができる。
図3は、従来の半導体ウエハ70におけるチップ内の検査エリア設定例を示すものである。ここでは、半導体ウエハに欠陥が発生しやすい半導体ウエハ70の外周付近を検査する。
半導体ウエハ70上には、それぞれに複数のセル72を有する複数のチップ71が作成されている。チップ71は、図示するため便宜的に縦4個、横4個(以下、4×4個と記述する)のセル72を有するものとする。
そして、半導体ウエハ70における外周付近に相当する検査エリアが、領域(1)、領域(2)、領域(3)、領域(4)と予め指定されている。
半導体ウエハ70上には、それぞれに複数のセル72を有する複数のチップ71が作成されている。チップ71は、図示するため便宜的に縦4個、横4個(以下、4×4個と記述する)のセル72を有するものとする。
そして、半導体ウエハ70における外周付近に相当する検査エリアが、領域(1)、領域(2)、領域(3)、領域(4)と予め指定されている。
指定された検査エリアの領域(1)は半導体ウエハ70の図上下部に指定されている。領域(1)における各チップ71がそれぞれ有する4×4個のセル72のうち、図上下部(チップ71内におけるさらに外周付近に相当する)の2×4個の斜線で示すセル72が検査されるセルで、白抜きで示す図上上部の2×4個は検査されない。
指定された検査エリアの領域(2)は半導体ウエハ70の図上上部に指定されている。領域(2)における各チップ71がそれぞれ有する4×4個のセル72のうち、図上上部(チップ71内におけるさらに外周付近に相当する)の2×4個の斜線で示すセル72が検査されるセルで、白抜きで示す図上下部の2×4個は検査されない。
指定された検査エリアの領域(2)は半導体ウエハ70の図上上部に指定されている。領域(2)における各チップ71がそれぞれ有する4×4個のセル72のうち、図上上部(チップ71内におけるさらに外周付近に相当する)の2×4個の斜線で示すセル72が検査されるセルで、白抜きで示す図上下部の2×4個は検査されない。
指定された検査エリアの領域(3)は半導体ウエハ70の図上左側に指定されている。領域(3)における各チップ71がそれぞれ有する4×4個のセル72のうち、図上左側(チップ71内におけるさらに外周付近に相当する)の4×2個の斜線で示すセル72が検査されるセルで、白抜きで示す図上右側の4×2個は検査されない。
指定された検査エリアの領域(4)は半導体ウエハ70の図上右側に指定されている。領域(4)における各チップ71がそれぞれ有する4×4個のセル72のうち、図上右側(チップ71内におけるさらに外周付近に相当する)の4×2個の斜線で示すセル72が検査されるセルで、白抜きで示す図上左側の4×2個は検査されない。
指定された検査エリアの領域(4)は半導体ウエハ70の図上右側に指定されている。領域(4)における各チップ71がそれぞれ有する4×4個のセル72のうち、図上右側(チップ71内におけるさらに外周付近に相当する)の4×2個の斜線で示すセル72が検査されるセルで、白抜きで示す図上左側の4×2個は検査されない。
また、半導体ウエハ70の領域(1)と領域(2)では横方向(図3上、左から右方向)に検査ストライプ74が設定され、領域(3)と領域(4)では縦方向(図上、下から上方向)に検査ストライプ75が設定され、領域により検査ストライプの方向が異なった設定としている。検査ストライプの方向を領域毎に変えることで各領域の検査ストライプ数を少なくすることが出来るため、全ての領域を同一方向の検査ストライプで検査する場合よりも検査時間を短縮できる。
本発明の実施形態に係る基板検査装置1では、縦方向のみ、あるいは横方向のみではなく縦横の両方向、あるいはそれらを組み合わせた自由な検査ストライプを設定することができる。
そこで、自由な検査ストライプを設定できる基板検査装置1を用いて、上述した被検査基板9としての半導体ウエハにおける検査エリアの設定と、効率良く実行する検査方法について以下に説明する。
そこで、自由な検査ストライプを設定できる基板検査装置1を用いて、上述した被検査基板9としての半導体ウエハにおける検査エリアの設定と、効率良く実行する検査方法について以下に説明する。
図4は、本発明の実施形態に係る半導体ウエハ80におけるチップ内の検査エリア設定例を示すものである。本実施形態では半導体ウエハ80の左右のエッジから距離R以内の領域の検査を行う。
半導体ウエハ80の「左エッジからの距離R」と「右エッジからの距離R」が、ユーザによって操作部6の検査領域設定部110(図2参照)から入力される。このように距離Rが設定されることにより、半導体ウエハ80の左のエッジから距離Rの部分におけるチップ81と、右のエッジから距離Rの部分におけるチップ81とが検査対象となる。
半導体ウエハ80の「左エッジからの距離R」と「右エッジからの距離R」が、ユーザによって操作部6の検査領域設定部110(図2参照)から入力される。このように距離Rが設定されることにより、半導体ウエハ80の左のエッジから距離Rの部分におけるチップ81と、右のエッジから距離Rの部分におけるチップ81とが検査対象となる。
図4においては、領域(5)の各チップ81と領域(6)の各チップ81とが検査エリアとなる。さらに、領域(6)における各チップ81の真ん中に距離Rの線引きがされるので、領域(6)における4×4個のセル82のうち左側4×2個のセル82が斜線で示すように検査エリア内であり、右側4×2個のセル82が白抜きで示すように検査エリア外となる。
さらに、領域(7)の各チップ81と領域(8)の各チップ81とが検査エリアとなる。また、領域(7)における各チップ81の真ん中に距離Rの線引きがされるので、領域(7)における4×4個のセル82のうち右側4×2個のセル82が斜線で示すように検査エリア内であり、左側4×2個のセル82が白抜きで示すように検査エリア外となる。
さらに、領域(7)の各チップ81と領域(8)の各チップ81とが検査エリアとなる。また、領域(7)における各チップ81の真ん中に距離Rの線引きがされるので、領域(7)における4×4個のセル82のうち右側4×2個のセル82が斜線で示すように検査エリア内であり、左側4×2個のセル82が白抜きで示すように検査エリア外となる。
次に、半導体ウエハ80(被検査基板9)の左右のエッジからの距離Rで設定される検査プロセスを図5のフローチャートを参照して説明する。
まず、ユーザは、検査を開始するにあたりレシピ作成ボタン101(図2参照)を押して検査レシピを選択して入力する(ST1)。検査レシピは、電子の加速電圧や電流といった一次電子線19の設定条件、画像処理部5にて欠陥判定を行うためのパラメータ値、半導体ウエハ80内のチップ81の配置とチップ81内のセル82の配置からなるウエハレイアウト情報等である。
全体制御部49(図1参照)は、これらの入力情報を画像表示部56(図2参照)に表示し、これらの入力情報に基づいて基板検査装置1の全体を制御する。
まず、ユーザは、検査を開始するにあたりレシピ作成ボタン101(図2参照)を押して検査レシピを選択して入力する(ST1)。検査レシピは、電子の加速電圧や電流といった一次電子線19の設定条件、画像処理部5にて欠陥判定を行うためのパラメータ値、半導体ウエハ80内のチップ81の配置とチップ81内のセル82の配置からなるウエハレイアウト情報等である。
全体制御部49(図1参照)は、これらの入力情報を画像表示部56(図2参照)に表示し、これらの入力情報に基づいて基板検査装置1の全体を制御する。
ここで、本発明に係る検査エリアの設定が行われる。
ユーザは、操作部6の検査領域設定部110から半導体ウエハ80(被検査基板9)に対する検査エリアを設定する。
図6は、操作部6の検査領域設定部110からの検査エリア設定の入力画面を示すものである。すなわち、検査領域設定部110には、半導体ウエハ80における「左エッジからの距離R」と「右エッジからの距離R」という設定が入力される。全体制御部49は、この検査エリア設定に基づいて検査室2内の半導体ウエハ80における検査エリアを演算し、この演算結果を補正制御回路61に登録する。
ユーザは、操作部6の検査領域設定部110から半導体ウエハ80(被検査基板9)に対する検査エリアを設定する。
図6は、操作部6の検査領域設定部110からの検査エリア設定の入力画面を示すものである。すなわち、検査領域設定部110には、半導体ウエハ80における「左エッジからの距離R」と「右エッジからの距離R」という設定が入力される。全体制御部49は、この検査エリア設定に基づいて検査室2内の半導体ウエハ80における検査エリアを演算し、この演算結果を補正制御回路61に登録する。
続いて、ウエハロードボタン112が押されることにより、全体制御部49は、予備室(図示せず)から検査室2内に半導体ウエハ80をロードする制御を行う(ST2)。
検査室2への半導体ウエハ80のロードが完了した際、全体制御部49は、ステップST1で入力された検査レシピの条件で一次電子線19のビーム校正を行う(ST3)。例えば、一次電子線の照射条件、変更補正量、基準座標の補正量、焦点パラメータの補正量等である。
検査室2への半導体ウエハ80のロードが完了した際、全体制御部49は、ステップST1で入力された検査レシピの条件で一次電子線19のビーム校正を行う(ST3)。例えば、一次電子線の照射条件、変更補正量、基準座標の補正量、焦点パラメータの補正量等である。
続いて、光学顕微鏡像による粗アライメントと二次電子画像による精アライメントが実行される(ST4)。全体制御部49は、アライメント計測値に従って回転ステージ33による半導体ウエハ80の回転補正とX方向ずれ量とY方向ずれ量とを補正制御回路61に登録する。
続いて、検査時の明るさを調整するキャリブレーションの設定が行われる(ST5)。キャリブレーションは、画像の明るさが検査レシピの設定値になるよう二次電子検出部7のプリアンプ21のゲイン調整を行う。
続いて、検査時の明るさを調整するキャリブレーションの設定が行われる(ST5)。キャリブレーションは、画像の明るさが検査レシピの設定値になるよう二次電子検出部7のプリアンプ21のゲイン調整を行う。
続いて、全体制御部49は、演算結果を登録した補正制御回路61を用いて検査エリアである領域(5),領域(6),領域(7),領域(8)における半導体ウエハ80の左右のエッジから距離Rにあるチップ81のセル82(図4で示した斜線部分)の自動検査を制御する(ST6)。
全ての検査エリアの検査を終了した際、全体制御部49は、欠陥のクラス分類を行い(ST7)、分類結果を反映した形で検査結果を出力する(ST8)。
ウエハアンロードボタン113が押された際、全体制御部49は、半導体ウエハ80のアンロードを制御する(ST9)。
全ての検査エリアの検査を終了した際、全体制御部49は、欠陥のクラス分類を行い(ST7)、分類結果を反映した形で検査結果を出力する(ST8)。
ウエハアンロードボタン113が押された際、全体制御部49は、半導体ウエハ80のアンロードを制御する(ST9)。
上述したように、検査エリアの設定が簡単にでき、検査を必要とする部分(エリア)のみ検査が実行されるので効率良く検査を行うことができる。
なお、図4で説明した検査エリアは、「左エッジからの距離R」と「右エッジからの距離R」と設定したが、「上部エッジからの距離R」と「下部エッジからの距離R」と設定してもよく、「上下左右のエッジからの距離R」としてもよい。要は、所望するエッジからの距離が指定されることにより、検査室2にロードされた半導体ウエハ80の検査エリアを決定する(全体制御部49が演算する)ことができればよい。
なお、図4で説明した検査エリアは、「左エッジからの距離R」と「右エッジからの距離R」と設定したが、「上部エッジからの距離R」と「下部エッジからの距離R」と設定してもよく、「上下左右のエッジからの距離R」としてもよい。要は、所望するエッジからの距離が指定されることにより、検査室2にロードされた半導体ウエハ80の検査エリアを決定する(全体制御部49が演算する)ことができればよい。
次に、検査エリアの設定における他の実施形態について説明する。
図7は、本発明の他の実施形態に係る半導体ウエハ90におけるチップ内の検査エリア設定例を示すものである。本実施形態では半導体ウエハ90の外周から距離R以内の領域の検査が行われる。
半導体ウエハ90の「外周からの距離R」が、ユーザによって操作部6の検査領域設定部110から入力される。このように半導体ウエハ90の外周からの距離Rが設定されることにより、半導体ウエハ90の外周から距離Rの部分におけるチップ91が検査対象となる。
図7は、本発明の他の実施形態に係る半導体ウエハ90におけるチップ内の検査エリア設定例を示すものである。本実施形態では半導体ウエハ90の外周から距離R以内の領域の検査が行われる。
半導体ウエハ90の「外周からの距離R」が、ユーザによって操作部6の検査領域設定部110から入力される。このように半導体ウエハ90の外周からの距離Rが設定されることにより、半導体ウエハ90の外周から距離Rの部分におけるチップ91が検査対象となる。
図7においては、半導体ウエハ90の外周からの距離Rに相当するチップ91を、チップ(1)からチップ(16)として番号を付して以下に説明する。すなわち、図7に示すようにチップ(1)からチップ(16)までの16個のチップ91が検査エリアとなる。
さらに、チップ(1)では、半導体ウエハ90の外周から距離Rが図上点線で示すように線引きされるので、チップ(1)における4×4個のセル92のうち外周から距離R内の9個のセル92が斜線で示すように検査エリア内であり、7個のセル92が白抜きで示すように検査エリア外となる。
さらに、チップ(1)では、半導体ウエハ90の外周から距離Rが図上点線で示すように線引きされるので、チップ(1)における4×4個のセル92のうち外周から距離R内の9個のセル92が斜線で示すように検査エリア内であり、7個のセル92が白抜きで示すように検査エリア外となる。
チップ(4)では、半導体ウエハ90の外周から距離Rが図上点線で示すように線引きされるので、チップ(4)における4×4個のセル92のうち半導体ウエハ90の外周から距離R内の7個のセル92が斜線で示すように検査エリア内であり、9個のセル92が白抜きで示すように検査エリア外となる。
チップ(8)では、半導体ウエハ90の外周から距離Rが図上点線で示すように線引きされるので、チップ(8)における4×4個のセル92のうち半導体ウエハ90の外周から距離R内の8個のセル92が斜線で示すように検査エリア内であり、8個のセル92が白抜きで示すように検査エリア外となる。
チップ(8)では、半導体ウエハ90の外周から距離Rが図上点線で示すように線引きされるので、チップ(8)における4×4個のセル92のうち半導体ウエハ90の外周から距離R内の8個のセル92が斜線で示すように検査エリア内であり、8個のセル92が白抜きで示すように検査エリア外となる。
チップ(12)では、半導体ウエハ90の外周から距離Rが図上点線で示すように線引きされるので、チップ(12)における4×4個のセル92のうち半導体ウエハ90の外周から距離R内の8個のセル92が斜線で示すように検査エリア内であり、8個のセル92が白抜きで示すように検査エリア外となる。
チップ(2), チップ(3), チップ(5), チップ(6), チップ(7), チップ(9), チップ(10), チップ(11), チップ(13), チップ(14), チップ(15), チップ(16)においても同様に半導体ウエハ90の外周から距離Rが図上点線で示すように線引きされるので検査エリア内のセル92と検査エリア外のセル92とが存在する。
チップ(2), チップ(3), チップ(5), チップ(6), チップ(7), チップ(9), チップ(10), チップ(11), チップ(13), チップ(14), チップ(15), チップ(16)においても同様に半導体ウエハ90の外周から距離Rが図上点線で示すように線引きされるので検査エリア内のセル92と検査エリア外のセル92とが存在する。
次に、半導体ウエハ90(被検査基板9)の外周から距離Rで設定される検査プロセスを図8のフローチャートを参照して説明する。
まず、ユーザは、検査を開始するにあたりレシピ作成ボタン101を押して検査レシピを選択して入力する(ST11)。検査レシピは、電子の加速電圧や電流といった一次電子線19の設定条件、画像処理部5にて欠陥判定を行うためのパラメータ値、半導体ウエハ90内のチップ91の配置とチップ91内のセル92の配置からなるウエハレイアウト情報等である。
全体制御部49は、これらの入力情報を画像表示部56に表示し、これらの入力情報に基づいて基板検査装置1の全体を制御する。
まず、ユーザは、検査を開始するにあたりレシピ作成ボタン101を押して検査レシピを選択して入力する(ST11)。検査レシピは、電子の加速電圧や電流といった一次電子線19の設定条件、画像処理部5にて欠陥判定を行うためのパラメータ値、半導体ウエハ90内のチップ91の配置とチップ91内のセル92の配置からなるウエハレイアウト情報等である。
全体制御部49は、これらの入力情報を画像表示部56に表示し、これらの入力情報に基づいて基板検査装置1の全体を制御する。
前実施形態ではここで検査エリアを設定したが、本実施形態では後段のステップST15で設定するようにしている。本実施形態においてもここで検査エリアの設定をすることは可能であり、例えば、本ステップST11で設定した検査エリアを後段のステップST15で変更することも可能である。
続いて、ウエハロードボタン112が押されることにより、全体制御部49は、予備室(図示せず)から検査室2内に半導体ウエハ90をロードする制御を行う(ST12)。
検査室2への半導体ウエハ90のロードが完了した際、全体制御部49は、ステップST11で入力された検査レシピの条件で一次電子線19のビーム校正を行う(ST13)。例えば、一次電子線の照射条件、変更補正量、基準座標の補正量、焦点パラメータの補正量等である。
続いて、ウエハロードボタン112が押されることにより、全体制御部49は、予備室(図示せず)から検査室2内に半導体ウエハ90をロードする制御を行う(ST12)。
検査室2への半導体ウエハ90のロードが完了した際、全体制御部49は、ステップST11で入力された検査レシピの条件で一次電子線19のビーム校正を行う(ST13)。例えば、一次電子線の照射条件、変更補正量、基準座標の補正量、焦点パラメータの補正量等である。
続いて、光学顕微鏡像による粗アライメントと二次電子画像による精アライメントが実行される(ST14)。全体制御部49は、アライメント計測値に従って回転ステージ33による半導体ウエハ80の回転補正とX方向ずれ量とY方向ずれ量とを補正制御回路61に登録する。
ステップST14が終了した際、検査エリアの設定が行われる。
ユーザは、操作部6の検査領域設定部110から半導体ウエハ90に対する検査エリアを設定する(ST15)。
ステップST14が終了した際、検査エリアの設定が行われる。
ユーザは、操作部6の検査領域設定部110から半導体ウエハ90に対する検査エリアを設定する(ST15)。
図9は、操作部6の検査領域設定部110からの検査エリア設定の入力画面を示すものである。すなわち、検査領域設定部110には、半導体ウエハ90における「外周からの距離R」という設定がされる。全体制御部49は、この検査エリアの設定に基づいて検査室2内の半導体ウエハ90における検査エリアを演算し、この演算結果を補正制御回路61に登録する。
ここで、全体制御部49による検査エリアの演算について説明する。
以下に、各セル92が外周から距離R以内であるかを判断するための計算式を示す。
次のように各パラメータを定義するが、これらのパラメータは、通常、検査レシピにて定義されているものである。
また、ここでの座標は半導体ウエハ90の座標系であり、半導体ウエハ90の中心を原点(0,0)とする。
原点チップの左下コーナ座標 (m,n)
チップサイズ (A,B)
該当チップ座標 (X,Y)
セルサイズ (a,b)
チップ左下を原点としたチップ内の該当セル座標 (x,y)
以下に、各セル92が外周から距離R以内であるかを判断するための計算式を示す。
次のように各パラメータを定義するが、これらのパラメータは、通常、検査レシピにて定義されているものである。
また、ここでの座標は半導体ウエハ90の座標系であり、半導体ウエハ90の中心を原点(0,0)とする。
原点チップの左下コーナ座標 (m,n)
チップサイズ (A,B)
該当チップ座標 (X,Y)
セルサイズ (a,b)
チップ左下を原点としたチップ内の該当セル座標 (x,y)
このとき、該当セル中心の半導体ウエハの座標(Wx,Wy)は次の式で求められる。
Wx=m+(A×X)+x+(a/2)
Wy=n+(B×Y)+y+(b/2)
セルの4つのコーナ内で半導体ウエハの中心に最も近いコーナと、半導体ウエハの中心の距離Rminは、
Rmin=Sqrt[(|Wx|−a/2)2+(|Wy|−b/2)2}
であり、半導体ウエハ90の半径をRwf、設定された半導体ウエハ90の外周からの距離をRとしたときに、
Rmin >(Rwf−R)
となるセルを検査セルとして設定する。
なお、セル91の中心座標もしくはセル91全体が外周から距離R以内であるセル91のみを検査するように設定してもよい。
Wx=m+(A×X)+x+(a/2)
Wy=n+(B×Y)+y+(b/2)
セルの4つのコーナ内で半導体ウエハの中心に最も近いコーナと、半導体ウエハの中心の距離Rminは、
Rmin=Sqrt[(|Wx|−a/2)2+(|Wy|−b/2)2}
であり、半導体ウエハ90の半径をRwf、設定された半導体ウエハ90の外周からの距離をRとしたときに、
Rmin >(Rwf−R)
となるセルを検査セルとして設定する。
なお、セル91の中心座標もしくはセル91全体が外周から距離R以内であるセル91のみを検査するように設定してもよい。
上述した計算式に基づいて全体制御部49は検査室2内の半導体ウエハ90における検査エリアを演算する。
検査エリアの設定が終了した際、検査時の明るさを調整するキャリブレーションの設定が行われる(ST16)。キャリブレーションは、画像の明るさが検査レシピの設定値になるよう二次電子検出部7のプリアンプ21のゲイン調整を行う。
検査エリアの設定が終了した際、検査時の明るさを調整するキャリブレーションの設定が行われる(ST16)。キャリブレーションは、画像の明るさが検査レシピの設定値になるよう二次電子検出部7のプリアンプ21のゲイン調整を行う。
続いて、全体制御部49は、演算結果を登録した補正制御回路61を用いて検査エリア(チップ(1)からチップ(16))における半導体ウエハ90の外周から距離R内にあるセル92(図7で示した斜線部分)の自動検査を制御する(ST17)。
全ての検査エリアの検査を終了した際、全体制御部49は、欠陥のクラス分類を行い(ST18)、分類結果を反映した形で検査結果を出力する(ST19)。
ウエハアンロードボタン113が押された際、全体制御部49は、半導体ウエハ80のアンロードを制御する(ST20)。
全ての検査エリアの検査を終了した際、全体制御部49は、欠陥のクラス分類を行い(ST18)、分類結果を反映した形で検査結果を出力する(ST19)。
ウエハアンロードボタン113が押された際、全体制御部49は、半導体ウエハ80のアンロードを制御する(ST20)。
なお、上記実施形態ではステップST15で検査エリアを設定したが、ステップST11の検査レシピの選択入力の際に半導体ウエハ90に対する検査エリアを設定するようにしてもよいことは上述した通りである。
次に、全体制御部49に制御される検査プロセスにおける検査ストライプについて説明する。
図10は、チップ91における検査ストライプを示すもので、図7に示したチップ(12)の例である。
左端と左から2番目のセル列では、縦に4個あるセル92のうち1個のみが検査エリアのセル(斜線で表示)であり、その他は非検査エリアのセル(白抜きで表示)である。このため、検査ストライプ(1),(2),(3),(4)のように検査エリアのセル(斜線で表示)の部分だけを走査することで検査を高速化する。同様に左から3番目のセル列では、検査ストライプ(5),(6)のように2個の検査エリアのセル(斜線で表示)を走査する。同様に左から4番目(右端)のセル列では、4個全てのセルが検査エリアのセル(斜線で表示)のため、検査ストライプ(7),(8)のようにチップ全体を走査する。
図10は、チップ91における検査ストライプを示すもので、図7に示したチップ(12)の例である。
左端と左から2番目のセル列では、縦に4個あるセル92のうち1個のみが検査エリアのセル(斜線で表示)であり、その他は非検査エリアのセル(白抜きで表示)である。このため、検査ストライプ(1),(2),(3),(4)のように検査エリアのセル(斜線で表示)の部分だけを走査することで検査を高速化する。同様に左から3番目のセル列では、検査ストライプ(5),(6)のように2個の検査エリアのセル(斜線で表示)を走査する。同様に左から4番目(右端)のセル列では、4個全てのセルが検査エリアのセル(斜線で表示)のため、検査ストライプ(7),(8)のようにチップ全体を走査する。
すなわち、全体制御部49は、補正制御回路61に演算結果を登録した際、演算結果に基づいて検査エリア内のチップ91における検査対象(検査エリア内)のセル92の走査方向及び走査順を計算して最適な検査ストライプを実行する。
なお、図4と図5のフローチャートで示した検査エリアにおいても、全体制御部49は、補正制御回路61に演算結果を登録した際、演算結果に基づいて検査エリア内のチップ81における検査対象のセル82の走査方向及び走査順を計算して最適な検査ストライプを実行する。
なお、図4と図5のフローチャートで示した検査エリアにおいても、全体制御部49は、補正制御回路61に演算結果を登録した際、演算結果に基づいて検査エリア内のチップ81における検査対象のセル82の走査方向及び走査順を計算して最適な検査ストライプを実行する。
上述したように、検査エリアの設定が簡単にでき、検査を必要とする部分(外周から距離R)のみ検査が実行されるので効率良く検査を行うことができる。また、検査ストライプも無駄な動きを排して実行されるのでさらに効率良く検査を行うことができる。
なお、本実施の形態では半導体ウエハを用いたが、液晶等の微細な回路パターンを有する基板の検査へ応用することも可能である。
なお、本実施の形態では半導体ウエハを用いたが、液晶等の微細な回路パターンを有する基板の検査へ応用することも可能である。
1…基板検査装置、2…検査室、3…電子光学系カラム(照射手段)、4…光学顕微鏡室、5…画像処理部、6…操作部、7…二次電子検出部、8…試料室、9…被検査基板、10…電子銃、11…引き出し電極、12…コンデンサレンズ、13…ブランキング偏向器、14…絞り、15…走査偏向器、16…対物レンズ、17…反射板、18…ExB偏向器、19…一次電子線、20…二次電子検出器(検出手段)、21…プリアンプ、22…AD変換器、23…光変換手段、24…光伝送手段、25…電気変換手段、26…高圧電源、27…プリアンプ駆動電源、28…AD変換器駆動電源、29…逆バイアス電源、30…試料台、31…Xステージ、32…Yステージ、33…回転ステージ、34…位置モニタ測長器、35…測定器、40…光源、41…光学レンズ、42…CCDカメラ、43…走査信号発生器、44…対物レンズ電源、45…記憶手段、46…画像処理回路(比較手段、判別手段)、47…欠陥データバッファ、48…設定部、49…全体制御部(演算手段、制御手段)、55…マップ表示部、56…画像表示部、57…画像取得指示領域、58…画像処理指示領域、59…処理条件設定指示部、60…モード切替え部、61…補正制御回路、70,80,90…半導体ウエハ、71,81,91…チップ、72,82,92…セル、103…レシピ作成ボタン、110…検査領域設定部(設定手段)、111…開始ボタン、112…ウエハロードボタン、113…ウエハアンロードボタン、117…終了ボタン。
Claims (6)
- 複数チップの回路パターンが形成された基板表面に電子線を照射する照射手段と、該照射によって前記基板表面から発生する二次電子線を検出する検出手段と、該検出された信号を画像化して記憶する記憶手段と、該記憶された画像信号と他の同一基板の参照画像信号とを比較する比較手段と、該比較結果から欠陥を判別する判別手段とを備えた基板検査装置において、
基板表面を検査する際に基板が置かれるステージと、
前記ステージを移動する移動手段と、
前記基板表面の検査領域を設定する設定手段と、
前記設定手段で設定された基板表面の検査領域に基づいて前記ステージに置かれた基板表面の検査領域を演算する演算手段と、
前記演算手段で演算された演算結果に基づいて前記移動手段と前記照射手段が基板表面を照射する照射位置とを制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする基板検査装置。 - 前記設定手段は、前記基板の左右もしくは上下のエッジからの距離が設定されることを特徴とする請求項1に記載の基板検査装置。
- 前記設定手段は、前記基板の外周からの距離が設定されることを特徴とする請求項1に記載の基板検査装置。
- 前記制御手段は、前記演算手段で演算された前記ステージに置かれた基板表面の検査領域におけるチップ毎に、前記移動手段で移動されるステージの移動方向を制御することを特徴とする請求項1に記載の基板検査装置。
- 前記制御手段は、前記演算手段で演算された前記ステージに置かれた基板表面の検査領域におけるチップと、該チップが有する複数のセルのうち検査領域内のセルのみを照射する制御を行うことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の基板検査装置。
- 前記制御手段は、前記演算手段で演算された前記ステージに置かれた基板表面の検査領域におけるチップが有する複数のセルのうち検査領域内のセルの走査方向と走査順を計算し、該計算結果に基づいて前記移動手段と前記照射手段が基板表面を照射する照射位置とを制御することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の基板検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009134698A JP2010282810A (ja) | 2009-06-04 | 2009-06-04 | 基板検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009134698A JP2010282810A (ja) | 2009-06-04 | 2009-06-04 | 基板検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010282810A true JP2010282810A (ja) | 2010-12-16 |
Family
ID=43539391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009134698A Pending JP2010282810A (ja) | 2009-06-04 | 2009-06-04 | 基板検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010282810A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022514830A (ja) * | 2018-12-28 | 2022-02-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 荷電粒子ビームを集束させるためのシステム及び方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0674918A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-03-18 | Kobe Steel Ltd | 電子走査型x線源による物品の構造検査装置 |
JP2005044912A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 回路パターンの検査装置 |
JP2007067170A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 回路パターンの検査装置 |
JP2007134573A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Hitachi High-Technologies Corp | 回路パターンの検査装置 |
JP2007324163A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Fujifilm Corp | 半導体素子の検査方法 |
JP2009124132A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-06-04 | Shibaura Mechatronics Corp | 円盤状基板の検査装置 |
-
2009
- 2009-06-04 JP JP2009134698A patent/JP2010282810A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0674918A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-03-18 | Kobe Steel Ltd | 電子走査型x線源による物品の構造検査装置 |
JP2005044912A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 回路パターンの検査装置 |
JP2007067170A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 回路パターンの検査装置 |
JP2007134573A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Hitachi High-Technologies Corp | 回路パターンの検査装置 |
JP2007324163A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Fujifilm Corp | 半導体素子の検査方法 |
JP2009124132A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-06-04 | Shibaura Mechatronics Corp | 円盤状基板の検査装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022514830A (ja) * | 2018-12-28 | 2022-02-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 荷電粒子ビームを集束させるためのシステム及び方法 |
JP7221393B2 (ja) | 2018-12-28 | 2023-02-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 荷電粒子ビームを集束させるためのシステム及び方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4997076B2 (ja) | 荷電粒子線装置、及び荷電粒子線装置における画像生成方法 | |
JP4564728B2 (ja) | 回路パターンの検査装置 | |
US8134697B2 (en) | Inspection apparatus for inspecting patterns of substrate | |
JP5164317B2 (ja) | 電子線による検査・計測方法および検査・計測装置 | |
JP4795883B2 (ja) | パターン検査・計測装置 | |
US20100019148A1 (en) | Inspection apparatus for circuit pattern | |
US7696487B2 (en) | Circuit pattern inspection apparatus | |
US7518383B2 (en) | Inspection apparatus and inspection method using electron beam | |
JP4537891B2 (ja) | 回路パターンの検査装置および検査方法 | |
JP2006216611A (ja) | パターン検査装置 | |
JP3836735B2 (ja) | 回路パターンの検査装置 | |
JP4746659B2 (ja) | 回路パターンの検査方法 | |
JP2000286310A (ja) | パターン欠陥検査方法および検査装置 | |
JP2009277648A (ja) | 検査装置、および、検査方法 | |
JP5135115B2 (ja) | 荷電粒子線を用いた検査方法および検査装置 | |
JP4230899B2 (ja) | 回路パターン検査方法 | |
JP4274247B2 (ja) | 回路パターンの検査方法及び検査装置 | |
JP2010282810A (ja) | 基板検査装置 | |
JP4603448B2 (ja) | 回路パターンの検査装置 | |
JP4317765B2 (ja) | 荷電粒子線を用いた検査方法および検査装置 | |
JP4634236B2 (ja) | 電子式パターン検査装置 | |
JP5135116B2 (ja) | 荷電粒子線を用いた検査方法および検査装置 | |
JP2008166635A (ja) | 回路パターンの検査装置、および、回路パターンの検査方法 | |
JP2010080565A (ja) | 基板の検査装置、および、基板の検査方法 | |
JP2008032742A (ja) | 回路パターンの検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110905 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121218 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130423 |