JP2009277648A - 検査装置、および、検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子ビームは試料の照射領域を画像化するための照射エネルギーを有し、電子ビームの走査中に電子ビームが試料へ照射するのを妨げるように電子ビームをブランキング偏向するブランキング偏向器と、電子ビームの走査中に試料を連続的に移動させるステージと、電子ビームの照射領域の選択に従って、電子ビームの非照射領域では電子ビームをブランキング偏向するブランキング偏向器へ偏向指令を送信する制御装置とを備える。
【選択図】 図1
Description
5 画像処理部
6 インターフェース
9 被検査基板
13 ブランキング偏向器
14 絞り
15 走査偏向器
19 電子ビーム
43 走査信号発生器
45 記憶手段
46 画像処理回路
47 欠陥データバッファ
48 演算部
49 全体制御部
55 マップ表示部
56 画像表示部
61 補正制御回路
301,601,602 ダイ
302,306,307,308,309,501,603 検査ストライプ領域
303 セルマット領域
304 フローティング・パッド
Claims (27)
- 回路パターンを有する半導体デバイスの検査装置であって、試料に電子ビームを照射し、該試料から発生する二次信号に基づいて形成された画像から前記試料の欠陥を検出する検査装置において、
前記電子ビームは前記試料の照射領域を画像化するための照射エネルギーを有し、該電子ビームを前記試料に対して走査する走査偏向器と、
前記電子ビームの走査中に該電子ビームが前記試料へ照射するのを妨げるように該電子ビームをブランキング偏向するブランキング偏向器と、
前記試料の一方から他方へ連続的に前記電子ビームが走査偏向するように、前記電子ビームの走査中に前記試料を連続的に移動させるステージと、
前記試料の前記電子ビームの走査領域のうちで、前記電子ビームの照射領域の選択に従って、前記電子ビームの非照射領域では前記電子ビームをブランキング偏向する前記ブランキング偏向器へ偏向指令を送信する制御装置と
を備えることを特徴とする検査装置。 - 請求項1の記載において、
前記電子ビームの照射領域を選択するための画面を表示する表示装置を備えることを特徴とする検査装置。 - 請求項2の記載において、
前記電子ビームの照射領域の選択は、前記表示装置に表示された前記試料の回路パターンの設計情報を用いて行われることを特徴とする検査装置。 - 請求項2の記載において、
前記電子ビームの照射領域の選択は、前記試料の照射領域を画像化するための照射エネルギーよりも低い照射エネルギーを有する電子ビームを照射して得られた画像を用いて行われることを特徴とする検査装置。 - 請求項1の記載において、
前記電子ビームの照射領域は、前記試料のダイ中のメモリセルマット領域であることを特徴とする検査装置。 - 請求項1の記載において、
前記電子ビームの非照射領域は、前記試料のダイ中のフローティング・パッド領域であることを特徴とする検査装置。 - 請求項1の記載において、
前記電子ビームの照射領域は、前記試料の検査対象のダイの領域であることを特徴とする検査装置。 - 請求項1の記載において、
前記電子ビームが前記ブランキング偏向器によりブランキング偏向されている期間は、前記画像の形成を停止することを特徴とする検査装置。 - 回路パターンを有する半導体デバイスの検査方法であって、試料に電子ビームを照射し該試料から発生する二次信号に基づいて形成された画像から前記試料の欠陥を検出する検査方法において、
前記電子ビームは前記試料の照射領域を画像化するための照射エネルギーを有し、該電子ビームが前記試料の一方から他方へ連続的に走査偏向するように、前記電子ビームの走査中に前記試料を連続的に移動させるステップと、
前記試料の前記電子ビームの走査領域のうちで、前記電子ビームの照射領域の選択に従って、前記電子ビームの非照射領域では前記電子ビームが前記試料へ照射するのを妨げるように該電子ビームをブランキング偏向するステップと
を備えることを特徴とする検査方法。 - 請求項9の記載において、
前記電子ビームの照射領域を選択するための画面を表示装置へ表示するステップを備えることを特徴とする検査方法。 - 請求項10の記載において、
前記電子ビームの照射領域の選択は、前記表示装置に表示された前記試料の回路パターンの設計情報を用いて行われることを特徴とする検査方法。 - 請求項10の記載において、
前記電子ビームの照射領域の選択は、前記試料の照射領域を画像化するための照射エネルギーよりも低い照射エネルギーを有する電子ビームを照射して得られた画像を用いて行われることを特徴とする検査方法。 - 請求項9の記載において、
前記電子ビームの照射領域は、前記試料のダイ中のメモリセル領域であることを特徴とする検査方法。 - 請求項9の記載において、
前記電子ビームの非照射領域は、前記試料のダイ中のフローティング・パッド領域であることを特徴とする検査方法。 - 請求項9の記載において、
前記電子ビームの照射領域は、前記試料の検査対象のダイの領域であることを特徴とする検査方法。 - 請求項9の記載において、
前記電子ビームが前記ブランキング偏向器によりブランキング偏向されている期間は、前記画像の形成を停止することを特徴とする検査方法。 - 回路パターンを有する半導体デバイスの検査装置であって、試料に電子ビームを照射し、該試料から発生する二次信号に基づいて生成された画像から前記試料の欠陥を検出する検査装置において、
前記電子ビームを前記試料に対して走査する走査偏向器と、
前記電子ビームの走査中に該電子ビームが前記試料へ照射するのを妨げるように該電子ビームをブランキング偏向するブランキング偏向器と、
前記試料の一方から他方へ連続的に前記電子ビームが走査偏向するように、前記電子ビームの走査中に前記試料を連続的に移動させるステージと、
前記試料の領域のうち、画像化する検査対象領域よりも帯電し易い領域は、前記電子ビームをブランキング偏向する前記ブランキング偏向器へ偏向指令を送信する制御装置と
を備えることを特徴とする検査装置。 - 請求項17の記載において、
前記試料の前記検査対象領域、または前記帯電し易い領域を選択するための画面を表示する表示装置を備えることを特徴とする検査装置。 - 請求項18の記載において、
前記試料の前記検査対象領域、または前記帯電し易い領域の選択は、前記表示装置に表示された前記試料の回路パターンの設計情報を用いて行われることを特徴とする検査装置。 - 請求項18の記載において、
前記試料の前記検査対象領域、または前記帯電し易い領域の選択は、前記検査対象領域を画像化するための照射エネルギーよりも低い照射エネルギーを有する電子ビームを照射して得られた画像を用いて行われることを特徴とする検査装置。 - 請求項17の記載において、
前記試料の前記検査対象領域は、前記試料のダイ中のメモリセルマット領域であることを特徴とする検査装置。 - 請求項17の記載において、
前記試料の前記帯電し易い領域は、前記試料のダイ中のフローティング・パッド領域であることを特徴とする検査装置。 - 請求項17の記載において、
前記電子ビームが前記ブランキング偏向器によりブランキング偏向されている期間は、前記画像の生成を停止することを特徴とする検査装置。 - 回路パターンを有する半導体デバイスの検査装置であって、試料に電子ビームを照射し、該試料から発生する二次信号に基づいて生成された画像から前記試料の欠陥を検出する検査装置において、
前記電子ビームを前記試料に対して走査する走査偏向器と、
前記電子ビームの走査中に該電子ビームが前記試料へ照射するのを妨げるように該電子ビームをブランキング偏向するブランキング偏向器と、
前記試料の一方から他方へ連続的に前記電子ビームが走査偏向するように、前記電子ビームの走査中に前記試料を連続的に移動させるステージと、
前記試料の領域のうち、メモリセル領域は、前記電子ビームを連続的に走査偏向させて画像を生成し、フローティング・パッド領域は、前記電子ビームをブランキング偏向する前記ブランキング偏向器へ偏向指令を送信する制御装置と
を備えることを特徴とする検査装置。 - 請求項24の記載において、
前記試料の前記メモリセル領域、または前記フローティング・パッド領域を選択するための画面を表示する表示装置を備えることを特徴とする検査装置。 - 請求項25の記載において、
前記試料の前記メモリセル領域、または前記フローティング・パッド領域の選択は、前記表示装置に表示された前記試料の回路パターンの設計情報を用いて行われることを特徴とする検査装置。 - 請求項25の記載において、
前記試料の前記メモリセル領域、または前記フローティング・パッド領域の選択は、前記メモリセル領域を画像化するための照射エネルギーよりも低い照射エネルギーを有する電子ビームを照射して得られた画像を用いて行われることを特徴とする検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009071121A JP2009277648A (ja) | 2008-04-17 | 2009-03-24 | 検査装置、および、検査方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008107384 | 2008-04-17 | ||
JP2009071121A JP2009277648A (ja) | 2008-04-17 | 2009-03-24 | 検査装置、および、検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009277648A true JP2009277648A (ja) | 2009-11-26 |
Family
ID=41200329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009071121A Pending JP2009277648A (ja) | 2008-04-17 | 2009-03-24 | 検査装置、および、検査方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090261251A1 (ja) |
JP (1) | JP2009277648A (ja) |
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- 2009-03-24 JP JP2009071121A patent/JP2009277648A/ja active Pending
- 2009-04-14 US US12/423,301 patent/US20090261251A1/en not_active Abandoned
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---|---|
US20090261251A1 (en) | 2009-10-22 |
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