CN117148091B - 一种半导体测试方法、系统、终端及存储介质 - Google Patents

一种半导体测试方法、系统、终端及存储介质 Download PDF

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Abstract

本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体测试方法、系统、终端及存储介质,其方法包括:获取目标半导体的目标测试模式;基于目标测试模式,获取目标电量参数;基于目标电量参数以及与目标电量参数相对应的参数阈值,获取与目标电量参数相对应的测试得分;判断测试得分是否超过预设得分阈值;若测试得分未超过预设得分阈值,则判断目标测试模式是否为指定模式;若目标测试模式为指定模式,则将目标半导体标记为报废产品,并终止此次测试;若测试得分超过预设得分阈值,则基于测试得分获取测试结果。本申请有助于提高半导体的测试效率。

Description

一种半导体测试方法、系统、终端及存储介质
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体测试方法、系统、终端及存储介质。
背景技术
半导体(Semiconductor),是一种由半导体材料制成的电子器件,其电导率在绝缘体至导体之间,是当今世界上应用最广泛的电子元件。半导体具有体积小、功耗低、稳定性高、可靠性好等特点,在众多技术领域都得到了广泛的应用,因此必须要进行严格的测试,确保其具备设计之功能和品质才可以使用。
传统的半导体测试方法大多是通过手持测量仪器,对半导体的各个性能进行测量,随着科学的进步以及对半导体要求的提高,通过上述测量半导体的方法已经逐渐被淘汰,越来越多的机构和企业开始采用智能设备对半导体进行测试,但是仍然需要技术人员对测试结果进行判断和确认,这严重降低了测试效率。
发明内容
为了有助于提高半导体的测试效率,本申请提供一种半导体测试方法、系统、终端及存储介质。
第一方面,本申请提供的一种半导体测试方法,采用如下的技术方案:
一种半导体测试方法,包括:
获取目标半导体的目标测试模式;
基于所述目标测试模式,获取目标电量参数;
基于所述目标电量参数以及与所述目标电量参数相对应的参数阈值,获取与所述目标电量参数相对应的测试得分;
判断所述测试得分是否超过预设得分阈值;
若所述测试得分未超过所述预设得分阈值,则判断所述目标测试模式是否为指定模式;
若所述目标测试模式为所述指定模式,则将所述目标半导体标记为报废产品,并终止此次测试;
若所述测试得分超过所述预设得分阈值,则基于所述测试得分获取测试结果。
通过采用上述技术方案,根据目标测试模式,获取与之对应的目标电量参数,再根据目标电量参数和参数阈值获取测试得分并判断测试得分是否超过预设得分阈值,若未超过,则表明该目标半导体的目标测试模式测试不合格,进一步判断该目标测试模式是否为制定模式,若是,则表明该目标测试模式对于该目标半导体的测试极为重要和关键,当该目标测试模式测试不合格时,表明该目标半导体存在不可修复的缺陷,因此直接将该目标半导体标记为报废产品,并终止对该目标半导体的其他测试;
若测试得分超过预设得分阈值,则表明该目标半导体的目标测试模式测试合格,因此根据该测试得分获取测试结果;当目标半导体的目标测试模式所得到的测试得分低于预设得分阈值,且目标测试模式为指定模式时,直接将该目标半导体标记为报废产品,并终止对该目标半导体的其他测试,有助于减少测试程序,从而有助于提高半导体的测试效率。
可选的,在所述若所述测试得分未超过所述预设得分阈值,则判断所述目标测试模式是否为指定模式之后还包括:
若所述目标测试模式非所述指定模式,则将所述目标半导体标记为故障产品;
获取所述故障产品的所有所述测试得分;
基于所有所述测试得分以及预设测试规则,判断所述故障产品是否测试完成;
若所述故障产品测试完成,则基于所述故障产品的所有所述测试得分获取不合格得分;
基于所述不合格得分,获取待复测模式;
基于所述待复测模式以及所述预设测试规则对所述故障产品进行复测,并生成复测结果;
判断所述复测结果是否满足预设结果要求;
若所述复测结果满足预设结果要求,则将所述故障产品标记为合格产品。
通过采用上述技术方案,若目标测试模式非指定模式,则表明该目标测试模式对于该目标半导体测试的重要程度较低,即便该目标测试模式测试不合格,该目标半导体也可以经过相关操作对故障进行修复后重新使用,因此将该目标半导体标记为故障产品,方便区分和后续修复故障;
获取故障产品的所有测试得分,并判断该故障产品是否测试完成,若完成,则获取所有测试得分中的不合格得分,根据不合格得分所对应的目标测试模式作为待复测模式,根据预设测试规则,按照待复测模式对故障产品进行复测并生成复测结果,判断复测结果是否满足预设结果要求,若满足,则表明该故障产品复测时所有不合格测试模式均测试合格,因此将故障产品标记为合格产品;
对测试得分未超过预设得分阈值但非指定模式的产品标记为故障产品,并对故障产品进行复测,有助于降低因测试误差等原因导致误测造成的测量结果不准确的情况发生,从而有助提高半导体测量结果的准确率。
可选的,所述基于所述待复测模式以及所述预设测试规则对所述故障产品进行复测,并生成复测结果的具体步骤包括:
获取所述待复测模式的目标数量,并判断所述目标数量是否大于1;
若所述目标数量等于1,则基于所述待复测模式对所述故障产品进行复测,并生成复测结果;
若所述目标数量大于1,则获取不同测试模式的优先等级;
基于所述优先等级以及所述待复测模式对所述故障产品进行复测,并生成复测结果。
通过采用上述技术方案,获取并判断待复测模式的目标数量是否大于1,若目标数量等于1,则表明该故障产品只有一项目标测试模式测试不合格,即该故障产品只有一项待复测项目,因此直接对该故障产品进行复测;若目标数量大于1,则表明该故障产品有多项目标测试模式测试不合格,即该故障产品有多项待复测项目,进一步获取不同测试模式的优先等级,并根据优先等级的高低和待复测模式对故障产品进行复测,并生成复测结果;当存在多个待复测项目时,根据待复测项目的优先等级选择复测的先后顺序,当优先测试的待复测模式的复测结果不满足要求时,则可结束当前测试,从而有助于提高半导体的测试效率。
可选的,所述若所述测试得分超过所述预设得分阈值,则基于所述测试得分获取测试结果的具体步骤包括:
若所述测试得分超过所述预设得分阈值,则获取所述目标半导体的所有所述测试得分;
基于所有所述测试得分以及所述预设测试规则,判断所述目标半导体是否测试完成;
若所述目标半导体测试完成,则判断所述目标半导体是否为所述故障产品;
若所述目标半导体非所述故障产品,则将所述目标半导体标记为合格产品并结束此次测试。
通过采用上述技术方案,若测试得分超过预设得分阈值,则表明该目标半导体的目标测试模式测试合格,获取目标半导体的所有测试得分,并判断目标半导体是否测试完成,若目标半导体测试完成,则进一步判断目标半导体是否为故障产品,若不是,则表明该目标半导体所对应的所有目标测试模式均测试合格,因此直接将该目标半导体标记为合格产品,并结束此次测试;
当目标半导体的所有测试均合格,则表明该目标半导体为合格半导体,因此结束此次测试,直接通过多个目标测试模式的测试,再将测试得分与预设得分阈值相比对,即可直接确定该目标半导体是否为合格产品,无需人工评判,从而有助于提高半导体的测试效率。
可选的,在所述基于所有所述测试得分以及所述预设测试规则,判断所述目标半导体是否测试完成之后还包括:
若所述目标半导体未测试完成,则获取下一测试模式作为所述目标测试模式;
判断是否获取到测试停止条件;
若获取到所述测试停止条件,则将所述目标半导体标记为报废产品并结束此次测试;
若未获取到所述测试停止条件,则重新获取所述目标半导体的所有所述测试得分,并判断是否存在所述测试得分未超过所述预设得分阈值;
若存在所述测试得分未超过所述预设得分阈值,则将所述目标半导体标记为故障产品;
若所述测试得分超过所述预设得分阈值,则将所述目标半导体标记为合格产品。
通过采用上述技术方案,若目标半导体未测试完成,则获取下一测试模式作为目标测试模式继续测试,当获取到测试停止条件时,则表明该目标半导体存在不可修复的故障,因此直接将该目标半导体标记为报废产品并结束此次测试;若未获取到测试停止条件,则表明该目标半导体不存在不可修复的故障,重新获取目标半导体的所有测试得分,并判断是否存在测试得分未超过预设得分阈值,若存在,则表明该目标半导体存在故障,因此将目标半导体标记为故障产品;
若测试得分超过预设得分阈值,则表明该目标半导体不存在故障,因此将目标半导体标记为合格产品;当遇到测试停止条件,直接将该目标半导体标记为报废产品,并终止对该目标半导体的其他测试,有助于减少测试程序,从而有助于提高半导体的测试效率。
可选的,在所述若所述测试得分超过所述预设得分阈值,则基于所述测试得分获取测试结果之后还包括:
基于所述测试结果,获取测试总数量以及合格产品所对应的合格数量;
基于所述合格数量以及所述测试总数量,获取产品合格率;
判断所述产品合格率是否小于预设合格阈值;
若所述产品合格率小于所述预设合格阈值,则基于所述预设测试规则获取抽查产品;
基于所述预设测试规则对所述抽查产品进行重新测试并生成抽查结果;
基于所述抽查结果以及所述测试结果生成目标测试结果,并将所述目标测试结果作为所述测试结果。
通过采用上述技术方案,获取测试总数量以及合格产品所对应的合格数量,根据测试总数量以及合格数量获取产品合格率,并判断产品合格率是否小于预设合格阈值,若小于,则表明该批次产品的合格率过低,则需要根据预设测试规则选取抽查产品进行重新抽查并生成抽查结果,再结合抽查结果和测试结果生成新的测试结果;
当某批次产品的合格率较低时,通过对该批次产品进行抽查,根据抽查结果判断该批次产品的测试结果是否存在疑问,从而有助于提高半导体测试结果的准确性。
可选的,所述基于所述抽查结果以及所述测试结果生成目标测试结果,并将所述目标测试结果作为所述测试结果的具体步骤包括:
基于所述抽查结果以及所述测试结果生成目标测试结果;
判断所述目标测试结果与初始测试结果是否相匹配;
若所述目标测试结果与初始测试结果相匹配,则将所述目标测试结果作为所述测试结果;
若所述目标测试结果与初始测试结果不相匹配,则基于所述预设测试规则对本批次所述目标半导体进行重新测试并生成重测结果;
将所述重测结果作为所述测试结果。
通过采用上述技术方案,判断目标测试结果与初始测试结果是否相匹配,若相匹配,则表明目标测试结果和初始测试结果相同或相差不大,因此表明该批次测试的目标半导体的测试结果无误,将目标测试结果作为测试结果;若不相匹配,则表明目标测试结果和初始测试结果相差较大,因此表明该批次测试的目标半导体的测试结果有误,因此需要对本批次的所有目标半导体进行重新测试,并将重测结果作为测试结果;通过将结合抽查结果的目标测试结果与初始测试结果相比较,从而判断出初始测试结果是否有误,若有误,则进行重测,从而有助于提高半导体测试结果的准确性。
第二方面,本申请还公开了一种半导体测试系统,采用如下的技术方案:
一种半导体测试系统,包括:
第一获取模块,用于获取目标半导体的目标测试模式;
第二获取模块,用于基于所述目标测试模式,获取目标电量参数;
第三获取模块,用于基于所述目标电量参数以及与所述目标电量参数相对应的参数阈值,获取与所述目标电量参数相对应的测试得分;
第一判断模块,用于判断所述测试得分是否超过预设得分阈值;
第二判断模块,若所述测试得分未超过所述预设得分阈值,则所述第二判断模块用于判断所述目标测试模式是否为指定模式;
标记模块,若所述目标测试模式为所述指定模式,则所述标记模块用于将所述目标半导体标记为报废产品;
第四获取模块,若所述测试得分超过所述预设得分阈值,则所述第四获取模块用于基于所述测试得分获取测试结果。
通过采用上述技术方案,根据目标测试模式,获取与之对应的目标电量参数,再根据目标电量参数和参数阈值获取测试得分并判断测试得分是否超过预设得分阈值,若未超过,则表明该目标半导体的目标测试模式测试不合格,进一步判断该目标测试模式是否为制定模式,若是,则表明该目标测试模式对于该目标半导体的测试极为重要和关键,当该目标测试模式测试不合格时,表明该目标半导体存在不可修复的缺陷,因此直接将该目标半导体标记为报废产品,并终止对该目标半导体的其他测试;
若测试得分超过预设得分阈值,则表明该目标半导体的目标测试模式测试合格,因此根据该测试得分获取测试结果;当目标半导体的目标测试模式所得到的测试得分低于预设得分阈值,且目标测试模式为指定模式时,直接将该目标半导体标记为报废产品,并终止对该目标半导体的其他测试,有助于减少测试程序,从而有助于提高半导体的测试效率。
第三方面,本申请提供的一种计算机装置,采用如下的技术方案:
一种智能终端,包括存储器、处理器,所述存储器中用于存储能够在所述处理器上运行的计算机程序,所述处理器加载计算机程序时,执行第一方面的方法。
通过采用上述技术方案,基于第一方面的方法生成计算机程序,并存储于存储器中,以被处理器加载执行,从而,根据存储器及处理器制作智能终端,方便使用者使用。
第四方面,本申请提供的一种计算机可读存储介质,采用如下的技术方案:
一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质中存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器加载时,执行第一方面的方法。
通过采用上述技术方案,基于第一方面的方法生成计算机程序,并存储于计算机可读存储介质中,以被处理器加载并执行,通过计算机可读存储介质,方便计算机程序的可读及存储。
综上所述,本申请包括以下有益技术效果:
根据目标测试模式,获取与之对应的目标电量参数,再根据目标电量参数和参数阈值获取测试得分并判断测试得分是否超过预设得分阈值,若未超过,则表明该目标半导体的目标测试模式测试不合格,进一步判断该目标测试模式是否为制定模式,若是,则表明该目标测试模式对于该目标半导体的测试极为重要和关键,当该目标测试模式测试不合格时,表明该目标半导体存在不可修复的缺陷,因此直接将该目标半导体标记为报废产品,并终止对该目标半导体的其他测试;
若测试得分超过预设得分阈值,则表明该目标半导体的目标测试模式测试合格,因此根据该测试得分获取测试结果;当目标半导体的目标测试模式所得到的测试得分低于预设得分阈值,且目标测试模式为指定模式时,直接将该目标半导体标记为报废产品,并终止对该目标半导体的其他测试,有助于减少测试程序,从而有助于提高半导体的测试效率。
附图说明
图1是本申请实施例一种半导体测试方法的主要流程图;
图2是步骤S201至步骤S208的步骤流程图;
图3是步骤S301至步骤S304的步骤流程图;
图4是步骤S401至步骤S404的步骤流程图;
图5是步骤S501至步骤S506的步骤流程图;
图6是步骤S601至步骤S606的步骤流程图;
图7是步骤S701至步骤S705的步骤流程图;
图8是本申请实施例一种半导体测试系统的模块图。
附图标记说明:
1、第一获取模块;2、第二获取模块;3、第三获取模块;4、第一判断模块;5、第二判断模块;6、标记模块;7、第四获取模块。
具体实施方式
第一方面,本申请公开了一种半导体测试方法。
参照图1,一种半导体测试方法,包括步骤S101至步骤S107:
步骤S101:获取目标半导体的目标测试模式。
具体的,对半导体进行测试时,根据半导体的不同需求,需要从多方面进行测试,例如电流测试、电压测试、功率测试、电阻和电容测试等,因此根据测试内容不同,预先设置了与之相对应的测试模式,本实施例中,目标半导体为正在进行测试或需要被测试的半导体,目标测试模式可以是正在进行测试的模式,也可是其他指定的测试模式等。
步骤S102:基于目标测试模式,获取目标电量参数。
具体的,对目标半导体根据不同目标测试模式进行测试后,会得到与目标测试模式相对应的电量参数,该电量参数即为目标电量参数,目标电量参数根据目标测试模式的不同而不同,包括电流、电压、功率、电阻和电容等等。
步骤S103:基于目标电量参数以及与目标电量参数相对应的参数阈值,获取与目标电量参数相对应的测试得分。
具体的,参数阈值即电量参数的标准值,根据目标电量参数的不同,参数阈值也各有不同,本实施例中,根据目标电量参数与参数阈值之间的差距获取对应的测试得分,差距越小,得分越高。
步骤S104:判断测试得分是否超过预设得分阈值。
具体的,本实施例中,预设得分阈值即预先设置的用于判断目标测试模式所对应的测试是否测试合格的判断标准,将测试得分与预设得分阈值相比较,若测试得分超过预设得分阈值,则表明该目标测试模式所对应的测试合格,若测试得分未超过预设得分阈值,则表明该目标测试模式所对应的测试不合格。
步骤S105:若测试得分未超过预设得分阈值,则判断目标测试模式是否为指定模式。
具体的,指定模式为预先指定的测试模式,本实施例中,指定模式可以根据目标半导体的用途以及目标电量参数的重要程度进行设置,优先将与目标半导体用途相关的且目标电量参数重要程度较高的测试模式设置为指定模式。
步骤S106:若目标测试模式为指定模式,则将目标半导体标记为报废产品,并终止此次测试。
具体的,本实施例中,当测试得分未超过预设得分阈值,且该目标测试模式为指定模式,则表明该目标半导体存在不可修复的缺陷,或该缺陷对目标半导体的影响很大,即便修复也不能满足使用标准,该目标半导体即为报废产品,因此终止此次测试。
步骤S107:若测试得分超过预设得分阈值,则基于测试得分获取测试结果。
具体的,本实施例中,若测试得分超过预设得分阈值,则表明该目标测试模式所对应的测试合格,因此需要进一步结合对该目标半导体的此次测试得分以及其他测试得分综合考虑,从而得出该目标半导体的测试结果。
本实施例提供的半导体测试方法,根据目标测试模式,获取与之对应的目标电量参数,再根据目标电量参数和参数阈值获取测试得分并判断测试得分是否超过预设得分阈值,若未超过,则表明该目标半导体的目标测试模式测试不合格,进一步判断该目标测试模式是否为制定模式,若是,则表明该目标测试模式对于该目标半导体的测试极为重要和关键,当该目标测试模式测试不合格时,表明该目标半导体存在不可修复的缺陷,因此直接将该目标半导体标记为报废产品,并终止对该目标半导体的其他测试。
若测试得分超过预设得分阈值,则表明该目标半导体的目标测试模式测试合格,因此根据该测试得分获取测试结果;当目标半导体的目标测试模式所得到的测试得分低于预设得分阈值,且目标测试模式为指定模式时,直接将该目标半导体标记为报废产品,并终止对该目标半导体的其他测试,有助于减少测试程序,从而有助于提高半导体的测试效率。
参照图2,在本实施例的其中一种实施方式中,在步骤S105若测试得分未超过预设得分阈值,则判断目标测试模式是否为指定模式之后还包括步骤S201至步骤S208:
步骤S201:若目标测试模式非指定模式,则将目标半导体标记为故障产品。
具体的,故障产品即指定模式之外所对应的测试存在不合格的产品,本实施例中,故障产品表示该目标半导体存在可修复的缺陷,或该缺陷对目标半导体的影响不大,修复之后能满足使用标准。
步骤S202:获取故障产品的所有测试得分。
具体的,本实施例中,每项测试之后都会得到相应的测试得分,并将之保存至指定的存储单元中,因此只需从该存储单元中调用即可获取所有测试得分。
步骤S203:基于所有测试得分以及预设测试规则,判断故障产品是否测试完成。
具体的,预设测试规则即预先设置的用于指导半导体测试的相关规则,例如测试项目,测试顺序以及其他测试规则等;本实施例中,通过判断每个目标测试模式是否均有与之对应的测试等分,从而判断出该故障产品是否测试完成。
步骤S204:若故障产品测试完成,则基于故障产品的所有测试得分获取不合格得分。
具体的,本实施例中,不合格得分即目标测试模式所对应测试不合格时所对应的测试得分。
步骤S205:基于不合格得分,获取待复测模式。
具体的,待复测模式即故障产品所对应的测试不合格的目标测试模式,根据不合格分数即可获知待复测模式。
步骤S206:基于待复测模式以及预设测试规则对故障产品进行复测,并生成复测结果。
具体的,复测结果即对故障产品进行复测后生成的测试结果,本实施例中,对故障产品进行复测时,可以采用与初始测试不同的测试仪器,优先选择历史出现误测少的设备进行复测。
步骤S207:判断复测结果是否满足预设结果要求。
具体的,本实施例中,预设结果要求即预先设置的用于判断是否出现误测的判断标准,例如复测结果为所有待复测模式所对应的测试结果均为合格。
步骤S208:若复测结果满足预设结果要求,则将故障产品标记为合格产品。
本实施方式提供的半导体测试方法,目标测试模式非指定模式,则表明该目标测试模式对于该目标半导体测试的重要程度较低,即便该目标测试模式测试不合格,该目标半导体也可以经过相关操作对故障进行修复后重新使用,因此将该目标半导体标记为故障产品,方便区分和后续修复故障。
获取故障产品的所有测试得分,并判断该故障产品是否测试完成,若完成,则获取所有测试得分中的不合格得分,根据不合格得分所对应的目标测试模式作为待复测模式,根据预设测试规则,按照待复测模式对故障产品进行复测并生成复测结果,判断复测结果是否满足预设结果要求,若满足,则表明该故障产品复测时所有不合格测试模式均测试合格,因此将故障产品标记为合格产品。
对测试得分未超过预设得分阈值但非指定模式的产品标记为故障产品,并对故障产品进行复测,有助于降低因测试误差等原因导致误测造成的测量结果不准确的情况发生,从而有助提高半导体测量结果的准确率。
参照图3,在本实施例的其中一种实施方式中,步骤S206基于待复测模式以及预设测试规则对故障产品进行复测,并生成复测结果的具体步骤包括步骤S301至步骤S304:
步骤S301:获取待复测模式的目标数量,并判断目标数量是否大于1。
具体的,本实施例中,目标数量即待复测模式的数量。
步骤S302:若目标数量等于1,则基于待复测模式对故障产品进行复测,并生成复测结果。
步骤S303:若目标数量大于1,则获取不同测试模式的优先等级。
具体的,优先等级即不同测试模式的优先等级,本实施例中,优先等级可以结合目标半导体的用途以及测试模式来设置,例如目标半导体是应用于电容方面的设备上,则其对电容测试的测试模式优先等级相较于其他测试模式的优先等级较高。
步骤S304:基于优先等级以及待复测模式对故障产品进行复测,并生成复测结果。
具体的,本实施例中,优先等级越高,则越优先测试。
本实施方式提供的半导体测试方法,获取并判断待复测模式的目标数量是否大于1,若目标数量等于1,则表明该故障产品只有一项目标测试模式测试不合格,即该故障产品只有一项待复测项目,因此直接对该故障产品进行复测;若目标数量大于1,则表明该故障产品有多项目标测试模式测试不合格,即该故障产品有多项待复测项目,进一步获取不同测试模式的优先等级,并根据优先等级的高低和待复测模式对故障产品进行复测,并生成复测结果;当存在多个待复测项目时,根据待复测项目的优先等级选择复测的先后顺序,当优先测试的待复测模式的复测结果不满足要求时,则可结束当前测试,从而有助于提高半导体的测试效率。
参照图4,在本实施例的其中一种实施方式中,步骤S107若测试得分超过预设得分阈值,则基于测试得分获取测试结果的具体步骤包括步骤S401至步骤S404:
步骤S401:若测试得分超过预设得分阈值,则获取目标半导体的所有测试得分。
具体的,本实施例中,从存储单元中可以直接调用所有测试得分。
步骤S402:基于所有测试得分以及预设测试规则,判断目标半导体是否测试完成。
具体的,判断方法与步骤S203中的判断方法相同。
步骤S403:若目标半导体测试完成,则判断目标半导体是否为故障产品。
具体的,若目标半导体的所有测试得分中存在一个或多个测试得分未超过预设得分阈值,则该目标半导体为故障产品,若所有测试得分均超过预设得分阈值,则该目标半导体非故障产品。
步骤S404:若目标半导体非故障产品,则将目标半导体标记为合格产品并结束此次测试。
具体的,本实施例中,合格产品即所有测试得分均超过预设得分阈值的产品。
本实施方式提供的半导体测试方法,若测试得分超过预设得分阈值,则表明该目标半导体的目标测试模式测试合格,获取目标半导体的所有测试得分,并判断目标半导体是否测试完成,若目标半导体测试完成,则进一步判断目标半导体是否为故障产品,若不是,则表明该目标半导体所对应的所有目标测试模式均测试合格,因此直接将该目标半导体标记为合格产品,并结束此次测试。
当目标半导体的所有测试均合格,则表明该目标半导体为合格半导体,因此结束此次测试,直接通过多个目标测试模式的测试,再将测试得分与预设得分阈值相比对,即可直接确定该目标半导体是否为合格产品,无需人工评判,从而有助于提高半导体的测试效率。
参照图5,在本实施例的其中一种实施方式中,在步骤S402基于所有测试得分以及预设测试规则,判断目标半导体是否测试完成之后还包括步骤S501至步骤S506:
步骤S501:若目标半导体未测试完成,则获取下一测试模式作为目标测试模式。
具体的,本实施例中,下一测试模式可以是未测试过的其他任何测试模式,也可以是根据用户指定某个测试模式。
步骤S502:判断是否获取到测试停止条件。
具体的,测试停止条件即停止当前测试的条件,本实施例中,测试停止条件可以为指定模式所对应的测试不合格,或者测试不合格的数量大于某个数量阈值,该数量阈值可以是具体的某个数值,也可以根据测试模式的总数量来设置,例如测试模式总数量的80%。
步骤S503:若获取到测试停止条件,则将目标半导体标记为报废产品并结束此次测试。
步骤S504:若未获取到测试停止条件,则重新获取目标半导体的所有测试得分,并判断是否存在测试得分未超过预设得分阈值。
步骤S505:若存在测试得分未超过预设得分阈值,则将目标半导体标记为故障产品。
步骤S506:若测试得分超过预设得分阈值,则将目标半导体标记为合格产品。
本实施方式提供的半导体测试方法,若目标半导体未测试完成,则获取下一测试模式作为目标测试模式继续测试,当获取到测试停止条件时,则表明该目标半导体存在不可修复的故障,因此直接将该目标半导体标记为报废产品并结束此次测试;若未获取到测试停止条件,则表明该目标半导体不存在不可修复的故障,重新获取目标半导体的所有测试得分,并判断是否存在测试得分未超过预设得分阈值,若存在,则表明该目标半导体存在故障,因此将目标半导体标记为故障产品。
若测试得分超过预设得分阈值,则表明该目标半导体不存在故障,因此将目标半导体标记为合格产品;当遇到测试停止条件,直接将该目标半导体标记为报废产品,并终止对该目标半导体的其他测试,有助于减少测试程序,从而有助于提高半导体的测试效率。
参照图6,在本实施例的其中一种实施方式中,在步骤S107若测试得分超过预设得分阈值,则基于测试得分获取测试结果之后还包括步骤S601至步骤S606:
步骤S601:基于测试结果,获取测试总数量以及合格产品所对应的合格数量。
具体的,本实施例中,测试总数量即目标测试设备本批次测试目标半导体的总数量,目标测试设备即测试结果需要验证的测试设备;合格数量即合格产品所对应的数量。
步骤S602:基于合格数量以及测试总数量,获取产品合格率。
具体的,本实施例中,产品合格率即合格数量/测试总数量*100%。
步骤S603:判断产品合格率是否小于预设合格阈值。
具体的,预设合格阈值即预先设置的用于判断产品合格率是否达标的判断标准,本实施例中,预设合格阈值可以为30%或其他数值。
步骤S604:若产品合格率小于预设合格阈值,则基于预设测试规则获取抽查产品。
具体的,当产品合格率小于预设合格阈值时,表明该批次目标半导体的产品合格率较低,为减少因设备故障等因素导致的误测,需要对该批次的目标半导体进行抽查,本实施例中,可以分别从报废产品、故障产品以及合格产品中选择相应数量的目标半导体作为抽查产品。
步骤S605:基于预设测试规则对抽查产品进行重新测试并生成抽查结果。
具体的,本实施例中,抽查结果即对抽查产品进行测试后得到的测试结果。
步骤S606:基于抽查结果以及测试结果生成目标测试结果,并将目标测试结果作为测试结果。
具体的,本实施例中,将抽查结果取代抽查产品原来的测试结果,并结合其目标半导体之前的测试结果,生成新的测试结果即目标测试结果。
本实施方式提供的半导体测试方法,获取测试总数量以及合格产品所对应的合格数量,根据测试总数量以及合格数量获取产品合格率,并判断产品合格率是否小于预设合格阈值,若小于,则表明该批次产品的合格率过低,则需要根据预设测试规则选取抽查产品进行重新抽查并生成抽查结果,再结合抽查结果和测试结果生成新的测试结果。
当某批次产品的合格率较低时,通过对该批次产品进行抽查,根据抽查结果判断该批次产品的测试结果是否存在疑问,从而有助于提高半导体测试结果的准确性。
参照图7,在本实施例的其中一种实施方式中,步骤S606基于抽查结果以及测试结果生成目标测试结果,并将目标测试结果作为测试结果的具体步骤包括步骤S701至步骤S705:
步骤S701:基于抽查结果以及测试结果生成目标测试结果。
步骤S702:判断目标测试结果与初始测试结果是否相匹配。
具体的,判断目标测试结果与初始测试结果是否相匹配即判断抽查结果与抽查产品初始结果之间的相似性,本实施例中,抽查结果与抽查产品初始结果之间的相似性为100%时,则判定目标测试结果与初始测试结果相匹配,也可以根据抽查产品的数量占测试总数量的比重来设置;初始测试结果即第一次测试本批次目标半导体时所生成的测试结果。
步骤S703:若目标测试结果与初始测试结果相匹配,则将目标测试结果作为测试结果。
步骤S704:若目标测试结果与初始测试结果不相匹配,则基于预设测试规则对本批次目标半导体进行重新测试并生成重测结果。
具体的,当目标测试结果与初始测试结果不相匹配时,要对本批次目标半导体进行重新测试,本实施例中,需要选择不同于测试本批次目标半导体时所采用的测试设备的其他设备进行重新测试,重测结果即对本批次目标半导体进行重新测试后生成的测试结果。
步骤S705:将重测结果作为测试结果。
本实施方式提供的半导体测试方法,判断目标测试结果与初始测试结果是否相匹配,若相匹配,则表明目标测试结果和初始测试结果相同或相差不大,因此表明该批次测试的目标半导体的测试结果无误,将目标测试结果作为测试结果;若不相匹配,则表明目标测试结果和初始测试结果相差较大,因此表明该批次测试的目标半导体的测试结果有误,因此需要对本批次的所有目标半导体进行重新测试,并将重测结果作为测试结果;通过将结合抽查结果的目标测试结果与初始测试结果相比较,从而判断出初始测试结果是否有误,若有误,则进行重测,从而有助于提高半导体测试结果的准确性。
第二方面,本申请还公开了一种半导体测试系统。
参照图8,一种半导体测试系统,包括:
第一获取模块1,用于获取目标半导体的目标测试模式;
第二获取模块2,用于基于目标测试模式,获取目标电量参数;
第三获取模块3,用于基于目标电量参数以及与目标电量参数相对应的参数阈值,获取与目标电量参数相对应的测试得分;
第一判断模块4,用于判断测试得分是否超过预设得分阈值;
第二判断模块5,若测试得分未超过预设得分阈值,则第二判断模块5用于判断目标测试模式是否为指定模式;
标记模块6,若目标测试模式为指定模式,则标记模块6用于将目标半导体标记为报废产品;
第四获取模块7,若测试得分超过预设得分阈值,则第四获取模块7用于基于测试得分获取测试结果。
第三方面,本申请实施例公开一种智能终端,包括存储器、处理器,存储器中用于存储能够在处理器上运行的计算机程序,处理器加载计算机程序时,执行上述实施例的一种半导体测试方法。
第四方面,本申请实施例公开一种计算机可读存储介质,并且,计算机可读存储介质中存储有计算机程序,其中,计算机程序被处理器加载时,执行上述实施例的一种半导体测试方法。
以上均为本申请的较佳实施例,并非依此限制本申请的保护范围,故:凡依本申请的结构、形状、原理所做的等效变化,均应涵盖于本申请的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种半导体测试方法,其特征在于,包括:
获取目标半导体的目标测试模式;
基于所述目标测试模式,获取目标电量参数;
基于所述目标电量参数以及与所述目标电量参数相对应的参数阈值,获取与所述目标电量参数相对应的测试得分;
判断所述测试得分是否超过预设得分阈值;
若所述测试得分未超过所述预设得分阈值,则判断所述目标测试模式是否为指定模式;
若所述目标测试模式非所述指定模式,则将所述目标半导体标记为故障产品;
获取所述故障产品的所有所述测试得分;
基于所有所述测试得分以及预设测试规则,判断所述故障产品是否测试完成;
若所述故障产品测试完成,则基于所述故障产品的所有所述测试得分获取不合格得分;
基于所述不合格得分,获取待复测模式;
基于所述待复测模式以及所述预设测试规则对所述故障产品进行复测,并生成复测结果;
判断所述复测结果是否满足预设结果要求;
若所述复测结果满足预设结果要求,则将所述故障产品标记为合格产品;
若所述目标测试模式为所述指定模式,则将所述目标半导体标记为报废产品,并终止此次测试;
若所述测试得分超过所述预设得分阈值,则基于所述测试得分获取测试结果;
其中,所述若所述测试得分超过所述预设得分阈值,则基于所述测试得分获取测试结果的具体步骤包括:
若所述测试得分超过所述预设得分阈值,则获取所述目标半导体的所有所述测试得分;
基于所有所述测试得分以及所述预设测试规则,判断所述目标半导体是否测试完成;
若所述目标半导体未测试完成,则获取下一测试模式作为所述目标测试模式;
判断是否获取到测试停止条件;
若获取到所述测试停止条件,则将所述目标半导体标记为报废产品并结束此次测试;
若未获取到所述测试停止条件,则重新获取所述目标半导体的所有所述测试得分,并判断是否存在所述测试得分未超过所述预设得分阈值;
若存在所述测试得分未超过所述预设得分阈值,则将所述目标半导体标记为故障产品;
若所述测试得分超过所述预设得分阈值,则将所述目标半导体标记为合格产品;
若所述目标半导体测试完成,则判断所述目标半导体是否为所述故障产品;
若所述目标半导体非所述故障产品,则将所述目标半导体标记为合格产品并结束此次测试;
在所述若所述测试得分超过所述预设得分阈值,则基于所述测试得分获取测试结果之后还包括:
基于所述测试结果,获取测试总数量以及合格产品所对应的合格数量;
基于所述合格数量以及所述测试总数量,获取产品合格率;
判断所述产品合格率是否小于预设合格阈值;
若所述产品合格率小于所述预设合格阈值,则基于所述预设测试规则获取抽查产品;
基于所述预设测试规则对所述抽查产品进行重新测试并生成抽查结果;
基于所述抽查结果以及所述测试结果生成目标测试结果,并将所述目标测试结果作为所述测试结果;
所述基于所述抽查结果以及所述测试结果生成目标测试结果,并将所述目标测试结果作为所述测试结果的具体步骤包括:
基于所述抽查结果以及所述测试结果生成目标测试结果;
判断所述目标测试结果与初始测试结果是否相匹配;
若所述目标测试结果与初始测试结果相匹配,则将所述目标测试结果作为所述测试结果;
若所述目标测试结果与初始测试结果不相匹配,则基于所述预设测试规则对本批次所述目标半导体进行重新测试并生成重测结果;
将所述重测结果作为所述测试结果。
2.根据权利要求1所述的一种半导体测试方法,其特征在于,所述基于所述待复测模式以及所述预设测试规则对所述故障产品进行复测,并生成复测结果的具体步骤包括:
获取所述待复测模式的目标数量,并判断所述目标数量是否大于1;
若所述目标数量等于1,则基于所述待复测模式对所述故障产品进行复测,并生成复测结果;
若所述目标数量大于1,则获取不同测试模式的优先等级;
基于所述优先等级以及所述待复测模式对所述故障产品进行复测,并生成复测结果。
3.一种半导体测试系统,应用于权利要求1至2中任一项所述的一种半导体测试方法,其特征在于,包括:
第一获取模块(1),用于获取目标半导体的目标测试模式;
第二获取模块(2),用于基于所述目标测试模式,获取目标电量参数;
第三获取模块(3),用于基于所述目标电量参数以及与所述目标电量参数相对应的参数阈值,获取与所述目标电量参数相对应的测试得分;
第一判断模块(4),用于判断所述测试得分是否超过预设得分阈值;
第二判断模块(5),若所述测试得分未超过所述预设得分阈值,则所述第二判断模块(5)用于判断所述目标测试模式是否为指定模式;
标记模块(6),若所述目标测试模式为所述指定模式,则所述标记模块(6)用于将所述目标半导体标记为报废产品;
第四获取模块(7),若所述测试得分超过所述预设得分阈值,则所述第四获取模块(7)用于基于所述测试得分获取测试结果。
4.一种智能终端,包括存储器、处理器,其特征在于,所述存储器中用于存储能够在所述处理器上运行的计算机程序,所述处理器加载计算机程序时,执行权利要求1至2中任一项所述的方法。
5.一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质中存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器加载时,执行权利要求1至2中任一项所述的方法。
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Citations (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001091568A (ja) * 1999-09-17 2001-04-06 Advantest Corp 半導体集積回路の試験装置及び試験方法
CN1825130A (zh) * 2005-02-24 2006-08-30 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体测试管理系统及方法
JP2009211658A (ja) * 2008-03-06 2009-09-17 Nec Corp 障害検知装置、障害検知方法及びそのプログラム
WO2012014935A1 (ja) * 2010-07-29 2012-02-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査方法及び装置
CN104614656A (zh) * 2013-11-05 2015-05-13 京元电子股份有限公司 半导体芯片重测系统及其重测方法
JP2015152515A (ja) * 2014-02-18 2015-08-24 株式会社東芝 半導体集積回路故障診断方法
CN109390246A (zh) * 2018-10-24 2019-02-26 上海华力微电子有限公司 一种wat测试方法及系统
CN111552641A (zh) * 2020-04-27 2020-08-18 中国银行股份有限公司 一种判断软件产品质量的方法、装置、设备及存储介质
CN113407219A (zh) * 2021-07-07 2021-09-17 安测半导体技术(江苏)有限公司 一种半导体测试程序阈值更新的方法及系统
CN113410154A (zh) * 2021-08-20 2021-09-17 深圳市轻生活科技有限公司 一种用于芯片的智能检测方法
CN113948145A (zh) * 2020-07-17 2022-01-18 长鑫存储技术有限公司 封装芯片的测试方法、系统、计算机设备和存储介质
CN114472226A (zh) * 2022-01-20 2022-05-13 深圳市时时发控股有限公司 一种用于集成电路的半导体芯片测试方法
CN114487652A (zh) * 2021-12-30 2022-05-13 北京航天测控技术有限公司 一种针对长期加电装备的故障验证方法
CN114551265A (zh) * 2022-01-27 2022-05-27 佛山市国星半导体技术有限公司 miniLED晶圆的测试方法及装置
CN115188688A (zh) * 2022-07-25 2022-10-14 长鑫存储技术有限公司 异常检测方法及装置、电子设备和存储介质
CN115203167A (zh) * 2022-06-22 2022-10-18 中国平安财产保险股份有限公司 数据检测方法、装置、计算机设备和存储介质
WO2022235493A1 (en) * 2021-05-06 2022-11-10 Kla Corporation Systems and methods for semiconductor adaptive testing using inline defect part average testing
CN115327267A (zh) * 2022-08-05 2022-11-11 杭州三海电子有限公司 一种高低温温度循环试验方法、系统、终端及存储介质
CN115358562A (zh) * 2022-08-16 2022-11-18 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) 一种印制线路板的质量测试方法、装置及电子设备
CN115810554A (zh) * 2021-09-14 2023-03-17 三星电子株式会社 检测异常的方法
CN116222526A (zh) * 2023-03-10 2023-06-06 诚邦测绘信息科技(浙江)有限公司 一种无人机测绘方法、系统、智能终端及存储介质
CN116484081A (zh) * 2023-04-20 2023-07-25 上海孤波科技有限公司 一种芯片电气参数的线上处理方法、装置及电子设备

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160148921A (ko) * 2015-06-17 2016-12-27 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치를 위한 휴대 가능한 테스트 장치 및 이를 이용한 테스트 방법

Patent Citations (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001091568A (ja) * 1999-09-17 2001-04-06 Advantest Corp 半導体集積回路の試験装置及び試験方法
CN1825130A (zh) * 2005-02-24 2006-08-30 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体测试管理系统及方法
JP2009211658A (ja) * 2008-03-06 2009-09-17 Nec Corp 障害検知装置、障害検知方法及びそのプログラム
WO2012014935A1 (ja) * 2010-07-29 2012-02-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査方法及び装置
CN104614656A (zh) * 2013-11-05 2015-05-13 京元电子股份有限公司 半导体芯片重测系统及其重测方法
JP2015152515A (ja) * 2014-02-18 2015-08-24 株式会社東芝 半導体集積回路故障診断方法
CN109390246A (zh) * 2018-10-24 2019-02-26 上海华力微电子有限公司 一种wat测试方法及系统
CN111552641A (zh) * 2020-04-27 2020-08-18 中国银行股份有限公司 一种判断软件产品质量的方法、装置、设备及存储介质
CN113948145A (zh) * 2020-07-17 2022-01-18 长鑫存储技术有限公司 封装芯片的测试方法、系统、计算机设备和存储介质
WO2022235493A1 (en) * 2021-05-06 2022-11-10 Kla Corporation Systems and methods for semiconductor adaptive testing using inline defect part average testing
CN113407219A (zh) * 2021-07-07 2021-09-17 安测半导体技术(江苏)有限公司 一种半导体测试程序阈值更新的方法及系统
CN113410154A (zh) * 2021-08-20 2021-09-17 深圳市轻生活科技有限公司 一种用于芯片的智能检测方法
CN115810554A (zh) * 2021-09-14 2023-03-17 三星电子株式会社 检测异常的方法
CN114487652A (zh) * 2021-12-30 2022-05-13 北京航天测控技术有限公司 一种针对长期加电装备的故障验证方法
CN114472226A (zh) * 2022-01-20 2022-05-13 深圳市时时发控股有限公司 一种用于集成电路的半导体芯片测试方法
CN114551265A (zh) * 2022-01-27 2022-05-27 佛山市国星半导体技术有限公司 miniLED晶圆的测试方法及装置
CN115203167A (zh) * 2022-06-22 2022-10-18 中国平安财产保险股份有限公司 数据检测方法、装置、计算机设备和存储介质
CN115188688A (zh) * 2022-07-25 2022-10-14 长鑫存储技术有限公司 异常检测方法及装置、电子设备和存储介质
CN115327267A (zh) * 2022-08-05 2022-11-11 杭州三海电子有限公司 一种高低温温度循环试验方法、系统、终端及存储介质
CN115358562A (zh) * 2022-08-16 2022-11-18 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) 一种印制线路板的质量测试方法、装置及电子设备
CN116222526A (zh) * 2023-03-10 2023-06-06 诚邦测绘信息科技(浙江)有限公司 一种无人机测绘方法、系统、智能终端及存储介质
CN116484081A (zh) * 2023-04-20 2023-07-25 上海孤波科技有限公司 一种芯片电气参数的线上处理方法、装置及电子设备

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
The processing of target resolving for radar extended target detection;Weimin Li 等;《IEEE International Conference on Robotics, Intelligent Systems and Signal Processing, 2003. Proceedings. 2003》;全文 *
一组汉语普通话单音节表在听力损失人群中的复测信度研究;陈艾婷 等;《听力学及言语疾病杂志》;全文 *

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