JP2014219335A - 検査装置および検査方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】検査効率を向上させる。【解決手段】検査対象のコンデンサ200の各端子に対して検査用信号を供給する供給処理および検査用信号の供給によってコンデンサ200に蓄積された電荷を放電させる放電処理を実行すると共に、各処理の実行時に検出した各端子間の物理量に基づいてコンデンサ200の絶縁抵抗およびコンデンサ200の容量を測定して各測定値に基づいてコンデンサ200の良否を検査する検査部を備え、検査部は、供給処理を実行している状態で検出した物理量としての端子間に流れる端子間電流の値と各端子間に生じる端子間電圧の値とに基づいてコンデンサ200の絶縁抵抗を測定し、供給処理を開始したときから絶縁抵抗の測定を開始するまでの時間Ta内および放電処理を開始したときから放電処理を終了するまでの時間Tb内に検出した端子間電流の値と端子間電圧の値とに基づいてコンデンサ200の容量を測定して良否を検査する。【選択図】図3

Description

本発明は、コンデンサの絶縁抵抗および容量に基づいてコンデンサの良否を検査する検査装置および検査方法に関するものである。
この種の検査装置として、特開2011−112582号公報に開示された検査装置が知られている。この検査装置は、コンデンサに検査用信号を供給する電源、コンデンサに直列接続される検査用抵抗の両端電圧を測定する電圧計、および測定した両端電圧から求めた絶縁抵抗の良否(絶縁抵抗が基準値以上であるか否か)を判定する判定手段を備えて構成されている。
一方、出願人は、上記した絶縁抵抗の良否判定に加えて、コンデンサの容量を測定して、その容量の良否(容量が基準範囲内であるか否か)を判定する検査装置を開発している。この検査装置では、絶縁抵抗測定用の検査用信号をコンデンサに供給して絶縁抵抗の良否判定を行った後に、コンデンサに蓄積された電荷を放電させ、その後に、容量測定用の検査用信号をコンデンサに供給してコンデンサの容量を測定して測定した容量の良否判定を行う。
特開2011−112582号公報(第5−6頁、第1図)
ところが、出願人が既に開発している上記の検査装置には、改善すべき以下の課題がある。すなわち、上記した検査装置では、絶縁抵抗の良否判定を行った後にコンデンサに蓄積された電荷を放電させ、その後にコンデンサの容量の良否判定を行っている。この場合、電荷の放電にはある程度の時間が必要なため、この検査装置では、絶縁抵抗の良否判定が終了してから電荷の放電が終了するまでは、容量の良否判定を開始することなく待機する必要がある。また、この検査装置では、容量測定用の検査用信号を供給した後に再び蓄積された電荷を放電する必要がある。このため、この検査装置には、数多くのコンデンサに対して検査を行うときには、待機時間や放電時間が長くなることに起因して検査効率の向上が困難となるという課題が存在する。
また、上記した検査装置を用いて基板上に実装された数多くのコンデンサに対して検査を行うときには、全てのコンデンサに対する絶縁抵抗の良否判定を連続して行った後に、全てのコンデンサに対する容量の良否判定を連続して行う方法を採用することもできる。この方法を採用したときには、絶縁抵抗の良否判定を連続して行う過程で良否判定が終了したコンデンサから順に電荷の放電を行うことで、全てのコンデンサに対する絶縁抵抗の良否判定が終了する頃には、先に放電を開始したコンデンサの放電が終了して、良否判定を直ちに開始することができることがあり、このときには全体の検査時間を短縮することが可能となる。この場合、この方法を採用するときには、測定対象のコンデンサの端子に接触させているプローブと電源および放電回路との接続を切り替える接続切替処理を、絶縁抵抗の良否判定を全てのコンデンサに対して連続して行う工程と、容量の良否判定を全てのコンデンサに対して連続して行う工程との両工程において、プローブの指定順序を一致させつつ行うことが好ましい。しかしながら、このような接続切替処理を誤りなく実行するのは容易ではないため、却って検査効率の向上の阻害要因となるおそれがある。
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、検査効率を向上し得る検査装置および検査方法を提供することを主目的とする。
上記目的を達成すべく請求項1記載の検査装置は、検査対象のコンデンサの各端子に対して検査用信号を供給する供給処理および当該検査用信号の供給によって当該コンデンサに蓄積された電荷を放電させる放電処理を実行すると共に、前記各処理の実行時に検出した前記各端子間の物理量に基づいて前記コンデンサの絶縁抵抗および当該コンデンサの容量を測定して各測定値に基づいて当該コンデンサの良否を検査する検査部を備えた検査装置であって、前記検査部は、前記供給処理を実行している状態で検出した前記物理量としての前記端子間に流れる端子間電流の値と当該各端子間に生じる端子間電圧の値とに基づいて前記コンデンサの前記絶縁抵抗を測定し、前記供給処理を開始したときから当該絶縁抵抗の測定を開始するまでの第1の時間および前記放電処理を開始したときから当該放電処理を終了するまでの第2の時間の少なくとも一方の時間内に検出した前記端子間電流の値と前記端子間電圧の値とに基づいて前記コンデンサの容量を測定して当該コンデンサの良否を検査する。
また、請求項2記載の検査装置は、請求項1記載の検査装置において、前記検査部は、前記第1の時間内において検出した前記端子間電流の値および前記端子間電圧の値、並びに前記第2の時間内において検出した前記端子間電流の値および前記端子間電圧の値に基づいて測定した前記コンデンサの容量に基づいて当該コンデンサの良否を検査する。
また、請求項3記載の検査装置は、請求項1記載の検査装置において、前記検査部は、前記第2の時間内に検出した前記端子間電流の値と前記端子間電圧の値とに基づいて測定した前記コンデンサの容量に基づいて当該コンデンサの良否を検査する。
また、請求項4記載の検査方法は、検査対象のコンデンサの各端子に対して検査用信号を供給する供給処理および当該検査用信号の供給によって当該コンデンサに蓄積された電荷を放電させる放電処理を実行すると共に、前記各処理の実行時に検出した前記各端子間の物理量に基づいて前記コンデンサの絶縁抵抗および当該コンデンサの容量を測定して各測定値に基づいて当該コンデンサの良否を検査する検査方法であって、前記供給処理を実行している状態で検出した前記物理量としての前記端子間に流れる端子間電流の値と当該各端子間に生じる端子間電圧の値とに基づいて前記コンデンサの前記絶縁抵抗を測定し、前記供給処理を開始したときから当該絶縁抵抗の測定を開始するまでの第1の時間および前記放電処理を開始したときから当該放電処理を終了するまでの第2の時間の少なくとも一方の時間内に検出した前記端子間電流の値と前記端子間電圧の値とに基づいて前記コンデンサの容量を測定して当該コンデンサの良否を検査する。
また、請求項5記載の検査方法は、請求項4記載の検査方法において、前記第1の時間内において検出した前記端子間電流の値および前記端子間電圧の値、並びに前記第2の時間内において検出した前記端子間電流の値および前記端子間電圧の値に基づいて測定した前記コンデンサの容量に基づいて当該コンデンサの良否を検査する。
また、請求項6記載の検査方法は、請求項4記載の検査方法において、前記第2の時間内に検出した前記端子間電流の値と前記端子間電圧の値とに基づいて測定した前記コンデンサの容量に基づいて当該コンデンサの良否を検査する。
請求項1記載の検査装置、および請求項4記載検査方法では、コンデンサの各端子に対して検査用信号を供給する供給処理を開始したときからコンデンサの絶縁抵抗の測定を開始するまでの第1の時間、および検査用信号の供給によってコンデンサに蓄積された電荷を放電させる放電処理を開始したときから放電処理が終了するまでの第2の時間の少なくとも一方の時間内に検出した端子間電流の値と端子間電圧の値とに基づいてコンデンサの容量を測定して各測定値に基づいてコンデンサの良否を検査する。このため、この検査装置および検査方法によれば、コンデンサに対する絶縁抵抗の良否判定を行った後にコンデンサに蓄積された電荷を放電させ、その後にコンデンサの容量の良否判定を行う従来の構成および方法において絶縁状態の良否判定を行うのに要する時間内に、絶縁状態の良否判定と容量の適否の判定との双方を行うことができる。したがって、この検査装置および検査方法では、従来の構成および方法と比較して、1つのコンデンサに対する検査に要する検査時間を十分に短縮することができる結果、検査効率を十分に向上させることができる。また、この検査装置および検査方法によれば、複数のコンデンサの検査を行う際に、1つのコンデンサに対する絶縁状態の良否判定と容量の適否の判定との双方をコンデンサの端子と信号出力回路や放電回路の接続を切り替える接続切替処理を行うことなく一度に行うことができるため、全てのコンデンサに対する絶縁抵抗の良否を連続して判定する工程を行った後に、全てのコンデンサに対する容量の良否を連続して判定する工程を行う構成および方法とは異なり、両工程における接続切替処理で指定するコンデンサの端子の指定順序を一致させるような検査効率の向上を阻害する要因となる煩雑な作業を排除することができる。
また、請求項2記載の検査装置、および請求項5記載検査方法では、第1の時間および第2の時間の双方の時間内においてそれぞれ検出した端子間電流の値と端子間電圧の値とに基づいて測定したコンデンサの容量に基づいてコンデンサの良否を検査する。このため、この検査装置および検査方法によれば、端子間電圧が増加する過程で測定した容量、および端子間電圧が減少する過程で測定した容量の2つの容量、つまり、異なる条件下で測定した2つの容量に基づいてコンデンサの良否を検査することができる結果、検査精度を十分に向上させることができる。
また、請求項3記載の検査装置、および請求項6記載検査方法では、第2の時間内に検出した端子間電流の値と端子間電圧の値とに基づいて測定したコンデンサの容量に基づいてコンデンサの良否を検査する。このため、この検査装置および検査方法によれば、絶縁抵抗値を測定する際に端子間に高い電圧が生じることに起因してコンデンサの内部に短絡等の欠陥が生じたときに、その欠陥が生じたことによって容量が基準を満たさなくなったことを確実に検査することができる。
検査装置1の構成を示す構成図である。 検査方法を説明する第1の説明図である。 検査方法を説明する第2の説明図である。 従来の検査方法を説明する説明図である。
以下、検査装置および検査方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。
最初に、検査装置の一例としての図1に示す検査装置1の構成について説明する。検査装置1は、例えば、図2に示す回路基板100に実装されている複数のコンデンサ200(同図では、1つのコンデンサ200のみを図示している)の良否を後述する検査方法に従って検査可能に構成されている。具体的には、検査装置1は、図1に示すように、基板保持部2、プローブユニット3、移動機構4、スキャナ部5、記憶部6および検査部7を備えて構成されている。
基板保持部2は、回路基板100を保持可能に構成されている。プローブユニット3は、図1に示すように、複数のプローブ31を備えて治具型に構成されている。この場合、プローブユニット3は、回路基板100に実装されている各コンデンサ200の端子201(図2参照)に対してプローブ31がそれぞれ接触するように、プローブ31の数や配列パターンが規定されて構成されている。移動機構4は、検査部7の制御に従い、プローブユニット3を上下方向に移動させることによってプロービングを実行する。
スキャナ部5は、複数のスイッチ(図示せず)を備えて構成され、検査部7の制御に従って各スイッチをオン状態またはオフ状態に移行させることにより、プローブユニット3の各プローブ31と検査部7内の信号出力回路との接続および接続解除、並びに各プローブ31と検査部7内の放電回路との接続および接続解除を行う。
記憶部6は、検査部7によって実行される供給処理において用いられる回路基板データDbを記憶する。この場合、回路基板データDbは、回路基板100に実装されている各コンデンサ200を識別する情報、各コンデンサ200の端子を識別する情報、および各コンデンサ200の容量の基準範囲や絶縁抵抗の基準値を示す情報等を含んで構成されている。また、記憶部6は、検査部7によって測定される各コンデンサ200の絶縁抵抗値Rおよび容量値Cを記憶すると共に、検査部7によって実行される各コンデンサ200の良否検査の結果を記憶する。
検査部7は、検査用信号S(例えば、直流電流)を出力する図外の信号出力回路、および検査用信号Sの供給によってコンデンサ200に蓄積される電荷を放電する図外の放電回路を備えて構成され、検査対象のコンデンサ200の各端子201に対して検査用信号Sを供給する供給処理、および検査用信号Sの供給によってコンデンサ200に蓄積された電荷を放電させる放電処理を実行する。また、検査部7は、供給処理および放電処理の実行時に検出した各端子201間の物理量に基づいてコンデンサ200の絶縁抵抗値Rおよびコンデンサ200の容量値Cを測定し、その絶縁抵抗値Rおよび容量値Cに基づいてコンデンサ200の良否を検査する。
具体的には、検査部7は、供給処理を実行している状態で検出した端子201間に流れる電流(物理量の一例であって、以下「端子間電流It」ともいう)の値と、各端子201間に生じる電圧(物理量の他の一例であって、以下「端子間電圧Vt」ともいう)の値とに基づいてコンデンサ200の絶縁抵抗値Rを測定し、測定した絶縁抵抗値Rと予め規定された基準値とを比較してコンデンサ200の良否を検査する。
また、検査部7は、供給処理を開始したときから絶縁抵抗値Rの測定を開始するまでの時間Ta(第1の時間:図3参照)内において検出した端子間電流Itの値と端子間電圧Vtの値とに基づいてコンデンサ200の容量値C(以下、この容量値Cを「容量値Ca」ともいう)を測定すると共に、放電処理を開始したときから放電処理が終了するまでの時間Tb(第2の時間:図3参照)内において検出した端子間電流Itの値と端子間電圧Vtの値とに基づいてコンデンサ200の容量値C(以下、この容量値Cを「容量値Cb」ともいう)を測定し、容量値Ca,Cbに基づいてコンデンサ200の良否を検査する。この場合、この検査装置1では、検査部7は、容量値Ca,Cbの平均値(以下、この値を「平均容量値Cab」ともいう)を算出し、平均容量値Cabと予め規定された基準範囲とを比較してコンデンサ200の良否を検査する。
次に、検査装置1を用いて、回路基板100に実装されている複数のコンデンサ200の良否を検査する検査方法、およびその際の検査装置1の動作について、図面を参照して説明する。
まず、検査対象の回路基板100を基板保持部2に保持させる。次いで、図外の操作部を用いて検査開始操作を行う。この際に、検査部7が、操作部から出力された操作信号に従い、移動機構4を制御してプローブユニット3を下向きに移動させる。これにより、図2に示すように、プローブユニット3の各プローブ31の先端部が、回路基板100に実装されているコンデンサ200の各端子201にそれぞれ接触(プロービング)させられる。
続いて、検査部7は、記憶部6から回路基板データDbを読み出す。次いで、検査部7は、回路基板100に実装されている各コンデンサ200を識別する情報、および各コンデンサ200の端子を識別する情報を回路基板データDbから抽出する。
続いて、検査部7は、抽出した各情報に基づいて最初に検査対象とするコンデンサ200を特定すると共に、そのコンデンサ200の各端子201に接触している2つのプローブ31を特定する。
次いで、検査部7は、供給処理を実行する。この供給処理では、検査部7は、スキャナ部5を制御して、特定した上記の2つ各プローブ31を信号出力回路に接続させる。これにより、各プローブ31を介してコンデンサ200の端子201に対する検査用信号Sの供給が開始される。また、検査用信号Sの供給が開始されたとき(供給処理を開始したとき:図3に示すP1の時点)からの時間の経過に伴い、各端子201に対する検査用信号Sの供給によってコンデンサ200に徐々に電荷が蓄積され、これに伴って端子201間(各端子201に接触している2つのプローブ31間)に生じる端子間電圧Vtが徐々に増加する。
一方、検査部7は、供給処理を開始したときに、各端子201間(各端子201に接触している2つのプローブ31間)に流れる端子間電流It、および各端子201間に生じる端子間電圧Vtの検出を開始する。
続いて、検査部7は、供給処理を開始したときから予め決められた時間t1(端子間電圧Vtの増加が停止するまでの時間よりも短い時間)が経過した時点でコンデンサ200の容量値Cを測定(算出)する。この場合、検査部7は、一例として、端子間電流Itの値に時間t1を乗じた値を時間t1における端子間電圧Vtの増加分で除して容量値Cを算出する。次いで、検査部7は、算出した(時間Ta内に測定した)容量値Cを容量値Caとして記憶部6に記憶させる。
続いて、検査部7は、端子間電圧Vtの増加が停止したとき(図3に示すP2の時点)から予め決められた時間が経過するまでの間(端子間電圧Vtの増加が停止している間であって、同図に示すP2の時点からP3の時点までの間)にコンデンサ200の絶縁抵抗値Rを測定(算出)する。この場合、検査部7は、この間に検出した端子間電圧Vtの値を端子間電流Itの値で除して絶縁抵抗値Rを算出する。次いで、検査部7は、算出した絶縁抵抗値Rを記憶部6に記憶させる。
続いて、検査部7は、放電処理を実行する。この放電処理では、検査部7は、スキャナ部5を制御して、各プローブ31と信号出力回路との接続を解除させると共に、各プローブ31を放電回路に接続させる。これにより、コンデンサ200に蓄積されている電荷の放電が開始される。また、放電が開始されたとき(放電処理を開始したとき:図3に示すP3の時点)からの時間の経過に伴い、コンデンサ200から徐々に電荷が放電され、これに伴って端子201間(各端子201に接触している2つのプローブ31間)の端子間電圧Vtが徐々に減少する。
次いで、検査部7は、放電処理が開始されたときから予め決められた時間t2(放電処理が終了して端子間電圧Vtの減少が停止する図3に示すP4の時点までの時間よりも短い時間)が経過した時点でコンデンサ200の容量値Cを測定(算出)する。この場合、検査部7は、一例として、端子間電流Itの値に時間t2を乗じた値を時間t2における端子間電圧Vtの減少分で除して容量値Cを算出する。続いて、検査部7は、算出した(時間Tb内に測定した)容量値Cを容量値Cbとして記憶部6に記憶させる。
次いで、検査部7は、上記のようにして測定したコンデンサ200の絶縁抵抗値Rおよびコンデンサ200の容量値Cに基づいてコンデンサ200の良否を検査する。具体的には、検査部7は、記憶部6から読み出した回路基板データDbからコンデンサ200の絶縁抵抗の基準値を示す情報およびコンデンサ200の容量値Cの基準範囲を示す情報を抽出する。続いて、検査部7は、記憶部6から絶縁抵抗値Rおよび容量値Ca,Cbを読み出す。次いで、検査部7は、絶縁抵抗の基準値と絶縁抵抗値R(測定値)とを比較する。この場合、検査部7は、絶縁抵抗値Rが基準値以上のときには、コンデンサ200の絶縁状態が良好と判定し、絶縁抵抗値Rが基準値未満のときには、コンデンサ200の絶縁状態が不良と判定する。
続いて、検査部7は、容量値Ca,Cbを平均して平均容量値Cabを算出し、次いで、平均容量値Cabと基準範囲とを比較する。この場合、検査部7は、平均容量値Cabが基準範囲内のときには、コンデンサ200の容量値Cが基準を満たしていると判定し、平均容量値Cabが基準範囲外のときには、コンデンサ200の容量値Cが基準を満たしていないと判定する。続いて、検査部7は、コンデンサ200についての検査結果(上記した絶縁状態の良否の判定結果、および容量値Cが基準を満たしているか否かの判定結果)を記憶部6に記憶させる。以上により、最初のコンデンサ200に対する検査が終了する。
ここで、従来の構成および方法では、図4に示すように、検査用信号Sを供給している状態で測定した絶縁抵抗値Rに基づいて絶縁状態の良否判定を行った後にコンデンサ200に蓄積された電荷を放電させ、その後にコンデンサ200の容量値Cを測定してその容量値Cに基づいて容量値Cの適否の判定を行っている。このため、従来の構成および方法では、同図に示すように、電荷の放電が終了するまでは容量値Cの測定を開始することなく待機する必要がある。また、この従来の構成および方法では、容量測定用の検査用信号Sを供給した後に蓄積された電荷を再び放電する必要がある。
これに対して、この検査装置1では、上記したように、供給処理を開始したときからコンデンサ200の絶縁抵抗値Rの測定を開始するまでの時間Ta内、および放電処理を開始したときから放電処理が終了するまでの時間Tb内に検出した端子間電流Itの値と端子間電圧Vtの値とに基づいてコンデンサ200の容量値Cを測定してコンデンサ200の良否を検査する。このため、この検査装置1では、従来の構成および方法において絶縁状態の良否判定を行うのに要する時間(絶縁抵抗値測定用の検査用信号Sの供給開始から蓄積された電荷の放電が終了するまでの間:図4参照)内に、絶縁状態の良否判定と容量値Cの適否の判定との双方を行うことが可能となっている。このため、この検査装置1および検査方法では、従来の構成および方法と比較して、1つのコンデンサ200に対する検査に要する検査時間を十分に短縮することが可能となっている。
次いで、検査部7は、2番目に検査対象とするコンデンサ200を特定すると共に、そのコンデンサ200の各端子201に接触している2つのプローブ31を特定する。続いて、検査部7は、図3に示すように、上記した各処理を実行して、2番目のコンデンサ200の良否を検査して、その検査結果を記憶部6に記憶させる。以下、検査部7は、同様にして、回路基板100に実装されている各コンデンサ200の良否を検査する。
このように、この検査装置1および検査方法では、コンデンサ200の各端子201に対して検査用信号Sを供給する供給処理を開始したときからコンデンサ200の絶縁抵抗値Rの測定を開始するまでの時間Ta内、および検査用信号Sの供給によってコンデンサ200に蓄積された電荷を放電させる放電処理を開始したときから放電処理が終了するまでの時間Tb内に検出した端子間電流Itの値と端子間電圧Vtの値とに基づいてコンデンサ200の容量値Ca,Cbを測定して各容量値Ca,Cb(測定値)に基づいてコンデンサ200の良否を検査する。このため、この検査装置1および検査方法によれば、コンデンサ200に対する絶縁抵抗の良否判定を行った後にコンデンサ200に蓄積された電荷を放電させ、その後にコンデンサ200の容量の良否判定を行う従来の構成および方法において絶縁状態の良否判定を行うのに要する時間内に、絶縁状態の良否判定と容量値Cの適否の判定との双方を行うことができる。したがって、この検査装置1および検査方法では、従来の構成および方法と比較して、1つのコンデンサ200に対する検査に要する検査時間を十分に短縮することができる結果、検査効率を十分に向上させることができる。また、この検査装置1および検査方法によれば、1つのコンデンサ200に対する絶縁状態の良否判定と容量値Cの適否の判定との双方をプローブ31の接続切替処理を行うことなく一度に行うことができるため、全てのコンデンサ200に対する絶縁抵抗の良否を連続して判定する工程を行った後に、全てのコンデンサ200に対する容量の良否を連続して判定する工程を行う構成および方法とは異なり、両工程における接続切替処理で指定するプローブ31(コンデンサ200の端子201)の指定順序を一致させるような検査効率の向上を阻害する要因となる煩雑な作業を排除することができる。
また、この検査装置1および検査方法では、時間Taおよび時間Tbの双方の時間内においてそれぞれ検出した端子間電流Itの値と端子間電圧Vtの値とに基づいて測定したコンデンサ200の容量値Ca,Cbに基づいてコンデンサ200の良否を検査する。このため、この検査装置1によれば、端子間電圧Vtが増加する過程で測定した容量値Ca、および端子間電圧Vtが減少する過程で測定した容量値Cbの2つの容量値Ca,Cb、つまり、異なる条件下で測定した2つの容量値Ca,Cbに基づいてコンデンサ200の良否を検査することができる結果、検査精度を十分に向上させることができる。
なお、検査装置および検査方法は、上記した構成および方法に限定されない。例えば、時間Taおよび時間Taの双方の時間内においてそれぞれ検出した端子間電流Itの値と端子間電圧Vtの値とに基づいて測定したコンデンサ200についての2つの容量値Ca,Cbを平均した平均容量値Cabと基準範囲とを比較してコンデンサ200の良否を検査する構成および方法について上記したが、容量値Caに対応する基準範囲と容量値Cbに対応する基準範囲とを別々に規定して、容量値Caと基準範囲とを比較して判定した判定結果と、容量値Cbと基準範囲とを比較して判定した判定結果とに基づいてコンデンサ200の良否を検査する(例えば、2つの判定結果がいずれも良好のときだけコンデンサ200を良好と判定する)構成および方法を採用することもできる。また、容量値Cや絶縁抵抗値Rの測定方法自体は公知の方法を適宜採用することができる。
また、時間Ta内に検出した端子間電流Itおよび時間Tb内に検出した端子間電流Itの平均値と、時間Ta内に検出した端子間電圧Vtおよび時間Tb内に検出した端子間電圧Vtの平均値とに基づいてコンデンサ200の容量値Cを測定して、その容量値Cと基準範囲とを比較して容量値Cの適否を判定する構成および方法を採用することもできる。
また、時間Taおよび時間Tbのうちの一方の時間内において検出した端子間電流Itの値と端子間電圧Vtの値とに基づいて測定した1つの容量値Cだけに基づいてコンデンサ200の良否を検査する構成および方法を採用することもできる。この場合、時間Tb内において検出した端子間電流Itの値と端子間電圧Vtの値とに基づいて測定した1つの容量値Cだけに基づいてコンデンサ200の良否を検査する構成および方法を採用するのが好ましい。この構成および方法を採用した場合、絶縁抵抗値Rを測定する際に端子201間に高い電圧が生じることに起因してコンデンサ200の内部に短絡等の欠陥が生じたときに、その欠陥が生じたことによって容量値Cが基準を満たさなくなったことを確実に検査することができる。
また、回路基板100に実装されたコンデンサ200を検査対象とする例について上記したが、回路基板100に実装されていないコンデンサ200を検査対象とすることができ、この場合においても、上記した効果と同様の効果を実現することができる。
1 検査装置
7 検査部
200 コンデンサ
201 端子
C,Ca,Cb 容量値
Cab 平均容量値
R 絶縁抵抗値
S 検査用信号
Ta,Tb 時間

Claims (6)

  1. 検査対象のコンデンサの各端子に対して検査用信号を供給する供給処理および当該検査用信号の供給によって当該コンデンサに蓄積された電荷を放電させる放電処理を実行すると共に、前記各処理の実行時に検出した前記各端子間の物理量に基づいて前記コンデンサの絶縁抵抗および当該コンデンサの容量を測定して各測定値に基づいて当該コンデンサの良否を検査する検査部を備えた検査装置であって、
    前記検査部は、前記供給処理を実行している状態で検出した前記物理量としての前記端子間に流れる端子間電流の値と当該各端子間に生じる端子間電圧の値とに基づいて前記コンデンサの前記絶縁抵抗を測定し、前記供給処理を開始したときから当該絶縁抵抗の測定を開始するまでの第1の時間および前記放電処理を開始したときから当該放電処理を終了するまでの第2の時間の少なくとも一方の時間内に検出した前記端子間電流の値と前記端子間電圧の値とに基づいて前記コンデンサの容量を測定して当該コンデンサの良否を検査する検査装置。
  2. 前記検査部は、前記第1の時間内において検出した前記端子間電流の値および前記端子間電圧の値、並びに前記第2の時間内において検出した前記端子間電流の値および前記端子間電圧の値に基づいて測定した前記コンデンサの容量に基づいて当該コンデンサの良否を検査する請求項1記載の検査装置。
  3. 前記検査部は、前記第2の時間内に検出した前記端子間電流の値と前記端子間電圧の値とに基づいて測定した前記コンデンサの容量に基づいて当該コンデンサの良否を検査する請求項1記載の検査装置。
  4. 検査対象のコンデンサの各端子に対して検査用信号を供給する供給処理および当該検査用信号の供給によって当該コンデンサに蓄積された電荷を放電させる放電処理を実行すると共に、前記各処理の実行時に検出した前記各端子間の物理量に基づいて前記コンデンサの絶縁抵抗および当該コンデンサの容量を測定して各測定値に基づいて当該コンデンサの良否を検査する検査方法であって、
    前記供給処理を実行している状態で検出した前記物理量としての前記端子間に流れる端子間電流の値と当該各端子間に生じる端子間電圧の値とに基づいて前記コンデンサの前記絶縁抵抗を測定し、前記供給処理を開始したときから当該絶縁抵抗の測定を開始するまでの第1の時間および前記放電処理を開始したときから当該放電処理を終了するまでの第2の時間の少なくとも一方の時間内に検出した前記端子間電流の値と前記端子間電圧の値とに基づいて前記コンデンサの容量を測定して当該コンデンサの良否を検査する検査方法。
  5. 前記第1の時間内において検出した前記端子間電流の値および前記端子間電圧の値、並びに前記第2の時間内において検出した前記端子間電流の値および前記端子間電圧の値に基づいて測定した前記コンデンサの容量に基づいて当該コンデンサの良否を検査する請求項4記載の検査方法。
  6. 前記第2の時間内に検出した前記端子間電流の値と前記端子間電圧の値とに基づいて測定した前記コンデンサの容量に基づいて当該コンデンサの良否を検査する請求項4記載の検査方法。
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