JP5425709B2

JP5425709B2 - 絶縁検査装置および絶縁検査方法

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Publication number: JP5425709B2
Application number: JP2010122240A
Authority: JP
Inventors: 浩山嵜; 利彦土屋
Original assignee: Hioki EE Corp
Current assignee: Hioki EE Corp
Priority date: 2010-05-28
Filing date: 2010-05-28
Publication date: 2014-02-26
Anticipated expiration: 2030-05-28
Also published as: JP2011247788A

Description

本発明は、回路基板の各導体パターン間の絶縁状態を検査する絶縁検査装置および絶縁検査方法に関するものである。

この種の絶縁検査方法として、下記特許文献１に開示された回路基板（プリント配線板）の電気検査方法が知られている。この電気検査方法は、電子部品が実装されていない回路基板（いわゆるベアボード）に形成されている複数の導体パターンのうちから検査対象として選択した１対の導体パターン間（回路間）の絶縁検査を行う検査方法であって、検査対象として選択した１対の導体パターン間に低電圧の検査電圧を印加する検査を、検査対象データにより予め決められた検査対象となる全ての導体パターン間について連続して行い、その間、検査結果が不良である結果を記録しておき、この低電圧を用いた全検査対象の検査終了後、全検査対象データから不良となった検査対象を削除し、残った検査対象データについて、検査対象として選択した１対の導体パターンに高電圧の検査電圧を印加する検査を、残りの検査対象データによる検査対象となる全ての導体パターン間について連続して行うものである。

この電気検査方法（絶縁検査方法）によれば、検査対象の絶縁不良の箇所、あるいは、断線になりかけている箇所を焼損させることなく、検査対象の検査を行うことが可能となっている。

特開平６−２３００５８号公報（第３頁、第１図）

ところが、上記した絶縁検査方法には、以下の解決すべき課題が存在している。すなわち、従来の絶縁検査方法では、高電圧の検査電圧を印加する検査を最後に実行して、検査対象となる導体パターン間についての検査を完了させている。しかしながら、高電圧の検査電圧を印加して実行している検査中に導体パターン間の特定部位において不良状態が進行し、高電圧の検査電圧を印加し終えた後に、つまり高電圧の検査電圧を印加して実施する検査の終了後に、この特定部位が不良箇所と判別すべき状態に至るという現象が発生することがある。このため、従来の絶縁検査方法には、このようにして発生した不良箇所を検出できないという解決すべき課題が存在している。なお、この不良箇所については、再度、高電圧の検査電圧を印加する検査を実行することにより、検出することも可能ではあるが、高電圧の検査電圧を印加することによって不良箇所のダメージがより進行するため、好ましくない。

本発明は、かかる解決すべき課題に鑑みてなされたものであり、高電圧の印加によって発生した不良箇所についてダメージを進行させることなく、検出し得る絶縁検査装置および絶縁検査方法を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載の絶縁検査装置は、回路基板における検査対象の導体パターン間に印加する検査用電圧を生成する電圧生成部と、前記検査用電圧の印加によって生じる前記導体パターン間の物理量に基づいて当該導体パターン間の絶縁状態を検査する検査処理を実行する処理部とを備えた回路基板検査装置であって、前記処理部は、前記電圧生成部を制御して予め決められた高電圧を前記検査用電圧として前記検査対象の前記導体パターン間に印加させたときの当該導体パターン間の前記物理量に基づいて当該導体パターン間の絶縁状態を検査する高圧検査処理を実行し、当該高圧検査処理において前記絶縁状態が良好であると判別された前記導体パターン間に対して前記電圧生成部を制御して前記高電圧よりも低い低電圧を前記検査用電圧として印加させたときの当該導体パターン間の前記物理量に基づいて前記絶縁状態を検査する低圧検査処理を実行する。

また、請求項２記載の絶縁検査装置は、請求項１記載の絶縁検査装置において、前記処理部は、前記高圧検査処理の実行に先立ち、前記電圧生成部を制御して前記高電圧よりも低い低電圧を前記検査用電圧として前記検査対象の前記導体パターン間に印加させたときの前記物理量に基づいて当該導体パターン間の絶縁状態を検査する一次低圧検査処理を実行し、当該一次低圧検査処理において前記絶縁状態が良好であると判別された当該導体パターン間に対して前記高圧検査処理を実行する。

請求項３記載の絶縁検査方法は、回路基板における検査対象の導体パターン間に予め決められた高電圧を印加したときの当該導体パターン間の物理量に基づいて当該導体パターン間の絶縁状態を検査する高圧検査処理を実行し、当該高圧検査処理において前記絶縁状態が良好であると判別された前記導体パターン間に対して前記高電圧よりも低い低電圧を印加したときの前記物理量に基づいて前記絶縁状態を検査する低圧検査処理を実行する。

また、請求項４記載の絶縁検査方法は、請求項３記載の絶縁検査方法において、前記高圧検査処理の実行に先立ち、前記高電圧よりも低い低電圧を前記導体パターン間に印加したときの前記物理量に基づいて前記絶縁状態を検査する一次低圧検査処理を実行し、前記一次低圧検査処理において前記絶縁状態が良好であると判別された前記導体パターン間に対して前記高圧検査処理を実行する。

請求項１記載の絶縁検査装置および請求項３記載の絶縁検査方法では、検査対象の導体パターン間に対して、高圧検査処理および低圧検査処理をこの順序で実行する。したがって、この絶縁検査装置および絶縁検査方法によれば、高電圧の検査用電圧の印加によらなければ検査できない導体パターン間の絶縁状態の不良を検査可能としつつ、高電圧の検査用電圧の印加によって不良状態が進行し検査用電圧の印加後に不良箇所と判別すべき状態に至るという現象が導体パターン間の特定部位に発生した場合であっても、この特定部位に発生した絶縁不良を低圧検査処理においてダメージを進行させることなく確実に検出することができる。

また、請求項２記載の絶縁検査装置および請求項４記載の絶縁検査方法によれば、高圧検査処理に先立って実行する一次低圧検査処理において、高電圧の検査用電圧が印加された際にダメージ焼損する虞のある不良箇所の存在を検出して、高圧検査処理の実行を回避することができるため、一対の導体パターン間に存在している不良箇所がダメージを受ける事態を回避することができる。

絶縁検査装置１の構成を示す構成図である。絶縁検査処理５０のフローチャートである。絶縁検査処理５０Ａのフローチャートである。

以下、絶縁検査装置および絶縁検査方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。

最初に、絶縁検査装置１の構成について、図１を参照して説明する。なお、同図では、発明の理解を容易にするため、回路基板（ベアボード）２に一対の導体パターン３，４のみが図示されているが、この導体パターン３，４以外にも他の複数の導体パターンが形成されているものとする。

絶縁検査装置１は、回路基板２に形成された複数の導体パターンのうちから選択された検査対象としての一対の導体パターン（配線パターン）３，４間の物理量（漏れ電流または絶縁抵抗。本例では一例として絶縁抵抗Ｒ）に基づいて、この導体パターン３，４間の絶縁状態を検査する装置であって、第１プローブ５、第２プローブ６、電圧生成部７、電流測定部８、放電部９、処理部１０、記憶部１１および出力部１２を備えている。

第１プローブ５は、処理部１０によって制御される不図示の移動機構によって移動させられて、一対の導体パターン３，４のうちの一方の導体パターン３における予め規定された接触ポイントに接触可能に構成されている。第２プローブ６も同様にして、処理部１０によって制御される不図示の移動機構によって移動させられて、一対の導体パターン３，４のうちの他方の導体パターン４における予め規定された接触ポイントに接触可能に構成されている。

電圧生成部７は、処理部１０によって制御されて、一対の出力端子（不図示）間に印加する検査用電圧（直流電圧）Ｖｅを生成して出力する。また、電圧生成部７は、処理部１０によって制御されることにより、一例として、検査用電圧Ｖｅの電圧値を回路基板２に実装されるすべての電子部品の各電源電圧（ＤＣ５ボルトやＤＣ１２ボルトなど）よりも高い電圧（高電圧：予め決められた既知の電圧であって、例えば、約ＤＣ１００ボルト）に規定して、検査用電圧Ｖｅとしての検査用電圧ＶｅＨを生成して出力する機能と、検査用電圧ＶｅＨよりも低い低電圧に規定して、検査用電圧Ｖｅとしての検査用電圧ＶｅＬを出力する機能とを備えている。本例では、一例として、検査用電圧ＶｅＬは、回路基板２に実装されるすべての電子部品の各電源電圧（ＤＣ±５ボルトやＤＣ±１２ボルトなど）の絶対値のうちの最小値と同一かまたはこの最小値未満の電圧（低電圧：予め決められた既知の電圧であって、例えば、約ＤＣ２ボルト）に規定されているが、不良箇所（例えば、ひげ状の細い導体パターン）が存在している一対の導体パターン間に印加されたときに、この不良箇所が焼損しない程度の低電圧であれば、任意の電圧とすることができる。また、一例として、電圧生成部７の一対の出力端子のうちの一方の出力端子が第１プローブ５に接続され、他方の出力端子が第２プローブ６に接続されている。この構成により、電圧生成部７は、生成した検査用電圧Ｖｅを、一対のプローブ５，６を介して一対の導体パターン３，４間に印加可能に構成されている。

電流測定部８は、検査用電圧Ｖｅの印加に起因して一対の導体パターン３，４間に流れる漏れ電流Ｉｍを測定する。本例では、一例として、電流測定部８は、電圧生成部７の他方の出力端子（低電位側の端子）と第３プローブ６との間に介装されて、漏れ電流Ｉｍを測定する。また、電流測定部８は、測定した漏れ電流Ｉｍの電流値を示す電流データＤｉを処理部１０に出力する。

放電部９は、一例として、処理部１０によってオン・オフ状態が制御されるスイッチ、およびこのスイッチに直列に接続された放電抵抗（いずれも図示せず）とで構成された直列回路を備え、この直列回路が一対の入力端子（不図示）間に接続されて構成されている。また、放電部９の一対の入力端子のうちの一方の入力端子が第１プローブ５に接続され、他方の入力端子が第２プローブ６に接続されている。この構成により、放電部９は、処理部１０によって制御されることにより、一対のプローブ５，６を介して、一対の導体パターン３，４間の浮遊容量（不図示）に蓄積されている電荷を放電可能に構成されている。

処理部１０は、ＣＰＵで構成されて、各プローブ５，６を移動させる移動機構、電圧生成部７および放電部９に対する制御、並びに図２に示す絶縁検査処理５０を実行することにより、一対の導体パターン３，４間の絶縁状態を検査する。記憶部１１は、ＲＯＭおよびＲＡＭで構成されて、回路基板２における検査対象とすべき各導体パターンに対して予め規定された検査ポイントの位置データ、処理部１０のための動作プログラム、および絶縁抵抗Ｒに対する基準値（基準抵抗値）Ａが予め記憶されている。また、記憶部１１は、処理部１０のワークメモリとしても機能する。出力部１２は、一例として表示装置で構成されて、処理部１０が実行した絶縁検査処理の結果を表示する。

次に、絶縁検査装置１の動作について、絶縁検査方法と併せて図１，２を参照して説明する。

絶縁検査装置１では、作動状態において、処理部１０が、図２に示す絶縁検査処理５０を実行する。この絶縁検査処理５０では、処理部１０は、まず、検査対象とすべき一対の導体パターン（一例として図１に示されている導体パターン３，４）についての検査ポイントの位置データを読み出すと共に移動機構を制御することにより、各プローブ５，６を移動させて、第１プローブ５については導体パターン３の検査ポイントに、第２プローブ６については導体パターン４の検査ポイントにそれぞれ接触させる（ステップ５１）。

次いで、処理部１０は、高圧検査処理を実行する（ステップ５２）。この高圧検査処理では、処理部１０は、まず、電圧生成部７に対する制御を実行して、電圧生成部７から検査用電圧ＶｅＨを出力させる。これにより、一対のプローブ５，６を介して一対の導体パターン３，４間に検査用電圧ＶｅＨが印加された状態となり、電圧生成部７から第１プローブ５、導体パターン３、両導体パターン３，４間の絶縁抵抗Ｒ、導体パターン４および第２プローブ６を介して電圧生成部７に戻る電流経路に漏れ電流Ｉｍが流れる。この電流経路内に配設されている電流測定部８は、この漏れ電流Ｉｍを検出してその電流値を測定し、測定した漏れ電流Ｉｍの電流値を示す電流データＤｉを処理部１０に出力する。

次いで、処理部１０は、既知の検査用電圧ＶｅＨの電圧値と、電流測定部８から出力されている電流データＤｉによって特定される漏れ電流Ｉｍの電流値とに基づいて、絶縁抵抗Ｒを算出する。また、処理部１０は、電圧生成部７に対する制御を実行して、検査用電圧ＶｅＨの出力を停止させる。続いて、処理部１０は、算出した絶縁抵抗Ｒと記憶部１１に記憶されている基準値Ａとを比較する。この比較の結果、処理部１０は、算出した絶縁抵抗Ｒが基準値Ａ以上のときには、導体パターン３，４間の絶縁状態が良好（正常）であると判別（この場合には仮判別）し、算出した絶縁抵抗Ｒが基準値Ａ未満のときには、導体パターン３，４間の絶縁状態が不良（異常）であると判別（この場合には最終判別）して、判別結果を検査対象となっている導体パターン３，４の組に対応させて記憶部１１に記憶させる。最後に、処理部１０は、放電部９に対する制御を実行することにより、両導体パターン３，４間への検査用電圧ＶｅＨの印加に起因して両導体パターン３，４間に充電されている電荷を放電させる。これにより、高圧検査処理が完了する。

次いで、処理部１０は、記憶部１１に記憶されている高圧検査処理での判別結果を参照して（ステップ５３）、両導体パターン３，４についての絶縁状態が良好であるときには、同じ導体パターン３，４に対して低圧検査処理を実行し（ステップ５４）、一方、絶縁状態が不良のときには、この導体パターン３，４に対して上記したように絶縁状態についての最終判別が成されているため、低圧検査処理を実行することなく、ステップ５５に移行する。

この低圧検査処理では、処理部１０は、まず、電圧生成部７に対する制御を実行して、電圧生成部７から検査用電圧ＶｅＬを出力させる。これにより、一対のプローブ５，６を介して一対の導体パターン３，４間に検査用電圧ＶｅＬが印加された状態となり、電圧生成部７から第１プローブ５、導体パターン３、両導体パターン３，４間の絶縁抵抗Ｒ、導体パターン４および第２プローブ６を介して電圧生成部７に戻る電流経路に漏れ電流Ｉｍが流れる。この電流経路内に配設されている電流測定部８は、この漏れ電流Ｉｍを検出してその電流値を測定し、測定した漏れ電流Ｉｍの電流値を示す電流データＤｉを処理部１０に出力する。

次いで、処理部１０は、既知の検査用電圧ＶｅＬの電圧値と、電流測定部８から出力されている電流データＤｉによって特定される漏れ電流Ｉｍの電流値とに基づいて、絶縁抵抗Ｒを算出する。また、処理部１０は、電圧生成部７に対する制御を実行して、検査用電圧ＶｅＬの出力を停止させる。続いて、処理部１０は、算出した絶縁抵抗Ｒと記憶部１１に記憶されている基準値Ａとを比較する。この比較の結果、処理部１０は、算出した絶縁抵抗Ｒが基準値Ａ以上のときには、導体パターン３，４間の絶縁状態が良好であると判別（この場合には最終判別）し、算出した絶縁抵抗Ｒが基準値Ａ未満のときには、導体パターン３，４間の絶縁状態が不良であると判別（この場合には最終判別）して、判別結果を検査対象となっている導体パターン３，４の組に対応させて記憶部１１に記憶させる。最後に、処理部１０は、放電部９に対する制御を実行することにより、両導体パターン３，４間への検査用電圧ＶｅＬの印加に起因して両導体パターン３，４間に充電されている電荷を放電させる。これにより、低圧検査処理が完了する。

この絶縁検査装置１では、高圧検査処理において、絶縁状態が良好であると判別された導体パターン３，４に対して、低圧検査処理を実行するため、高電圧の検査用電圧ＶｅＨを印加して実行している高圧検査処理中（検査中）に導体パターン３，４間の特定部位において不良状態が進行し、検査用電圧ＶｅＨを印加し終えた後に、つまり高圧検査処理の終了後に、この特定部位が不良箇所と判別すべき状態に至るという現象が発生した場合であっても、この不良箇所を低圧検査処理において確実に検出することが可能となっている。

このようにして、１組の導体パターン３，４の絶縁状態についての最終判別が行われ、これにより、この１組の導体パターン３，４についての絶縁検査処理が完了する。

処理部１０は、ステップ５５において、検査対象とすべきすべての導体パターンに対する検査が完了したか否かを判別し、未検査の導体パターンの組が存在しているときには、この未検査の導体パターンの組についての検査ポイントの位置データを記憶部１１から読み出すと共に、上記のステップ５１〜５５を実行する。一方、ステップ５５において、未検査の導体パターンの組が存在していない、つまり検査対象とすべきすべての導体パターンの組に対する検査が完了したと判別したときには、検査対象の各導体パターンの組についての絶縁状態についての判別結果を記憶部１１から読み出すと共に、この判別結果を出力部１２に出力する。本例では、出力部１２が表示装置で構成されているため、判別結果を表示装置の画面上に表示させる（ステップ５６）。これにより、絶縁検査処理が完了する。

このように、この絶縁検査装置１および絶縁検査方法では、検査対象とすべき導体パターンの各組に対して、高圧検査処理（ステップ５２）および低圧検査処理（ステップ５４）をこの順序で実行する。したがって、この絶縁検査装置１および絶縁検査方法によれば、高電圧の検査用電圧ＶｅＨの印加によらなければ検査できない導体パターン間の絶縁状態の不良を検査可能としつつ、高電圧の検査用電圧ＶｅＨの印加によって不良状態が進行し検査用電圧ＶｅＨの印加後に不良箇所と判別すべき状態に至るという現象が導体パターン間の特定部位に発生した場合であっても、この特定部位に発生した絶縁不良を低圧検査処理においてダメージを進行させることなく確実に検出することができる。

なお、上記の絶縁検査装置１および絶縁検査方法では、絶縁検査処理５０において、最初に高圧検査処理を実行する構成を採用しているが、この構成においては、検査対象としている一対の導体パターン間に既に不良箇所が存在している場合（例えば、ひげ状の細い導体パターンが存在している場合）には、高圧検査処理において高電圧の検査用電圧ＶｅＨが印加されることにより、この不良箇所がダメージを受ける（例えば焼損する）という状態が発生する虞がある。このため、図３に示す絶縁検査処理５０Ａのように、高圧検査処理に先立ち、上記したステップ５４での低圧検査処理とは別の低圧検査処理（一次低圧検査処理）をステップ６１において実行する構成を採用することもできる。なお、以下、絶縁検査処理５０と同様のステップについては同じ符号を付して重複した説明を省略する。

この絶縁検査処理５０Ａにおいては、処理部１０は、ステップ５１を実行して、第１プローブ５については導体パターン３の検査ポイントに、第２プローブ６については導体パターン４の検査ポイントにそれぞれ接触させた後に、導体パターン３，４に対して低圧検査処理（一次低圧検査処理）を実行する（ステップ６１）。

次いで、処理部１０は、既知の検査用電圧ＶｅＬの電圧値と、電流測定部８から出力されている電流データＤｉによって特定される漏れ電流Ｉｍの電流値とに基づいて、絶縁抵抗Ｒを算出する。また、処理部１０は、電圧生成部７に対する制御を実行して、検査用電圧ＶｅＬの出力を停止させる。続いて、処理部１０は、算出した絶縁抵抗Ｒと記憶部１１に記憶されている基準値Ａとを比較する。この比較の結果、処理部１０は、算出した絶縁抵抗Ｒが基準値Ａ以上のときには、導体パターン３，４間の絶縁状態が良好であると判別（この場合には仮判別）し、算出した絶縁抵抗Ｒが基準値Ａ未満のときには、導体パターン３，４間の絶縁状態が不良であると判別（この場合には最終判別）して、判別結果を検査対象となっている導体パターン３，４の組に対応させて記憶部１１に記憶させる。最後に、処理部１０は、放電部９に対する制御を実行することにより、両導体パターン３，４間への検査用電圧ＶｅＬの印加に起因して両導体パターン３，４間に充電されている電荷を放電させる。これにより、低圧検査処理（一次低圧検査処理）が完了する。この低圧検査処理の実行より、ひげ状の細い導体パターンなどの不良箇所が両導体パターン３，４間に既に存在している場合には、この不良箇所を検出することが可能となっている。

次いで、処理部１０は、記憶部１１に記憶されている低圧検査処理での判別結果を参照して（ステップ６２）、両導体パターン３，４についての絶縁状態が良好であるときには、同じ導体パターン３，４に対して高圧検査処理を実行すると（ステップ５２）共に低圧検査処理を実行する（ステップ５４）。一方、絶縁状態が不良のときには、この導体パターン３，４に対して絶縁状態についての最終判別が上記のように成されているため、このステップ６２以降の高圧検査処理（ステップ５２）および低圧検査処理（ステップ５４）を実行することなく、ステップ５５に移行する。この後、絶縁検査処理５０と同様にして、ステップ５６を実行する。

この絶縁検査処理５０Ａを実行する絶縁検査装置１および絶縁検査方法によれば、高圧検査処理（ステップ５２）に先立って実行する低圧検査処理（ステップ６１）において、高電圧の検査用電圧ＶｅＨが印加された際にダメージを受ける虞のある不良箇所（例えば、ひげ状の細い導体パターン）の存在を検出して、高圧検査処理の実行を回避することができるため、一対の導体パターン間に存在している不良箇所がダメージを受ける事態を回避することができる。

また、上記の各絶縁検査処理５０，５０Ａでは、高圧検査処理（ステップ５２）および各低圧検査処理（ステップ５４，６１）において、共通の基準値Ａを使用して、算出した絶縁抵抗Ｒと比較する構成を採用しているが、高圧検査処理（ステップ５２）において使用する基準値と各低圧検査処理（ステップ５４，６１）において使用する基準値とを相違させる構成を採用することもできる。具体的には、高圧検査処理（ステップ５２）で算出される絶縁抵抗Ｒよりも各低圧検査処理（ステップ５４，６１）で算出される絶縁抵抗Ｒの方が経験的に小さい値となることから、低圧検査処理（ステップ５４または／およびステップ６１）において使用する基準値Ａ（基準値ＡＬ）を、高圧検査処理（ステップ５２）において使用する基準値Ａ（基準値ＡＨ）よりも小さい値にすることができる。これにより、低圧検査処理（ステップ５４または／およびステップ６１）での絶縁状態の判別をより厳しい条件とすることができるため、特に、高圧検査処理（ステップ５２）の後に実行する低圧検査処理（ステップ５４）において、高電圧の検査用電圧ＶｅＨの印加によって不良状態が進行して検査用電圧ＶｅＨの印加後に不良箇所と判別すべき状態に至った不良箇所をより確実に検出することができる。

また、上記の各絶縁検査方法については、複数のプローブを個別に移動させて導体パターンに接触させるフライングプローブタイプの絶縁検査装置に限らず、回路基板に形成された複数の導体パターンに対応して複数のプローブが設けられ、複数のプローブが共通の移動機構によって回路基板方向に移動させられて、対応する導体パターンに同時に接触する治具式の絶縁検査装置に適用することもできる。

１絶縁検査装置
２回路基板
３，４導体パターン
７電圧生成部
１０処理部
Ｖｅ，ＶｅＨ，ＶｅＬ検査用電圧

Claims

回路基板における検査対象の導体パターン間に印加する検査用電圧を生成する電圧生成部と、
前記検査用電圧の印加によって生じる前記導体パターン間の物理量に基づいて当該導体パターン間の絶縁状態を検査する検査処理を実行する処理部とを備えた回路基板検査装置であって、
前記処理部は、前記電圧生成部を制御して予め決められた高電圧を前記検査用電圧として前記検査対象の前記導体パターン間に印加させたときの当該導体パターン間の前記物理量に基づいて当該導体パターン間の絶縁状態を検査する高圧検査処理を実行し、当該高圧検査処理において前記絶縁状態が良好であると判別された前記導体パターン間に対して前記電圧生成部を制御して前記高電圧よりも低い低電圧を前記検査用電圧として印加させたときの当該導体パターン間の前記物理量に基づいて前記絶縁状態を検査する低圧検査処理を実行する絶縁検査装置。
前記処理部は、前記高圧検査処理の実行に先立ち、前記電圧生成部を制御して前記高電圧よりも低い低電圧を前記検査用電圧として前記検査対象の前記導体パターン間に印加させたときの前記物理量に基づいて当該導体パターン間の絶縁状態を検査する一次低圧検査処理を実行し、当該一次低圧検査処理において前記絶縁状態が良好であると判別された当該導体パターン間に対して前記高圧検査処理を実行する請求項１記載の絶縁検査装置。
回路基板における検査対象の導体パターン間に予め決められた高電圧を印加したときの当該導体パターン間の物理量に基づいて当該導体パターン間の絶縁状態を検査する高圧検査処理を実行し、
当該高圧検査処理において前記絶縁状態が良好であると判別された前記導体パターン間に対して前記高電圧よりも低い低電圧を印加したときの前記物理量に基づいて前記絶縁状態を検査する低圧検査処理を実行する絶縁検査方法。
前記高圧検査処理の実行に先立ち、前記高電圧よりも低い低電圧を前記導体パターン間に印加したときの前記物理量に基づいて前記絶縁状態を検査する一次低圧検査処理を実行し、
前記一次低圧検査処理において前記絶縁状態が良好であると判別された前記導体パターン間に対して前記高圧検査処理を実行する請求項３記載の絶縁検査方法。