JP6943648B2 - 基板検査装置および基板検査方法 - Google Patents

Description

本発明は、検査対象基板における一対の検査ポイントに接触させた一対の検査用プローブを介して測定した測定値に基づいて両検査ポイントの間の良否を判別する基板検査装置および基板検査方法に関するものである。

この種の基板検査装置および基板検査方法として、出願人は、下記の公報に回路基板検査装置およびその基板検査方法の発明を開示している。出願人が開示している回路基板検査装置（以下、「基板検査装置」ともいう）は、表面に絶縁フィルムが貼付された電極を有する電極部、一対の検査用プローブ、両検査用プローブを移動させる移動機構、両検査用プローブを介して測定処理を行う測定部、および装置を総括的に制御する制御部などを備え、検査対象の回路基板に形成された各導体パターンの絶縁状態や導通状態を検査することができるように構成されている。

この基板検査装置による回路基板の検査に際しては、まず、導体パターンの形成面を上向きにして電極部の上に回路基板を載置する。次いで、一対の導体パターンの間の絶縁検査を行うときには、制御部が、まず、移動機構を制御して対象の両導体パターンにおける各検査位置（検査ポイント）に両検査用プローブをそれぞれ接触させる。続いて、制御部は、両検査用プローブが両検査ポイントにそれぞれ正常に接触しているか否かを確認する処理（以下、「確認処理」ともいう）を実行する。

具体的には、制御部は、測定部を制御することにより、両検査ポイントのうちの一方と電極部における電極との間の静電容量（一方の検査用プローブと電極との間の静電容量）、および両検査ポイントの他方と電極との間の静電容量（他方の検査用プローブと電極との間の静電容量）をそれぞれ測定する。より具体的には、一例として、検査ポイントに接触させた検査用プローブと電極との間に交流電圧を印加した状態において検査用プローブと電極との間を流れる電流の電流値を測定し、測定された電流値と印加した電圧の電圧値とに基づいて静電容量を演算する。

この場合、例えば、いずれかの検査用プローブが検査ポイントに正常に接触していないときには、その検査用プローブと電極間との間を流れる電流の電流値が低下するため、演算される静電容量が接触状態判別用データの下限値を下回る。したがって、制御部は、そのような静電容量が測定されたときに、その検査ポイントに検査用プローブが正常に接触していないと判別する。この際に、制御部は、一例として、移動機構を制御することにより、正常に接触していないと判別した検査ポイントと検査的に等価な他の検査ポイントに検査用プローブを移動させた後に、上記の確認処理を再び実行する。一方、検査ポイントに検査用プローブが正常に接触しているときには、接触状態判別用データにおける上記の下限値以上の静電容量が測定される。この際には、検査ポイントに検査用プローブが正常に接触していると判別する。

また、両検査用プローブが両検査ポイントにそれぞれ正常に接触していると判別したときに、制御部は、測定部を制御して両検査ポイント間の抵抗値を測定させ、その測定結果と、検査用基準データとを比較する。この際に、検査用基準データの下限値を下回る抵抗値が測定されたときには、両検査ポイントの間に短絡箇所が存在すると判別し、検査用基準データの下限値を上回る抵抗値が測定されたときには、両検査ポイントの間が正常に絶縁されていると判別する。この後、他の検査ポイント間についても、検査用プローブの移動（検査ポイントへの接触）、確認処理、抵抗値の測定および検査用基準データとの比較などの各処理を順次実行することにより、回路基板の良否が検査される。

特開２００１−２４２２１１号公報（第３−５頁、第１−２図）

ところが、出願人が開示している基板検査装置には、以下のような改善すべき課題が存在する。すなわち、出願人が開示している基板検査装置では、検査対象の回路基板（以下、「検査対象基板」ともいう）における一対の検査ポイント（一対の導体パターン）の間の絶縁検査に先立ち、両検査ポイントに一対の検査用プローブをそれぞれ接触させた状態において両検査ポイント（両検査用プローブ）と電極部（電極）との間の静電容量を個別に測定し、測定された静電容量と接触状態判別用データと比較することによって両検査用プローブが検査ポイントにそれぞれ正常に接触しているか否かを確認する確認処理を実行する構成・方法が採用されている。

一方、出願人は、電極部（電極）の上に検査対象基板を載置して検査するタイプの基板検査装置だけでなく、検査対象基板の端部を挟持した状態において検査対象基板上の各検査ポイントに検査用プローブを順次接触させて検査するタイプの基板検査装置を開発している。このような基板検査装置では、検査用プローブを接触させた検査ポイントの導体パターンと対向する電極部が存在しないため、上記特許文献に開示した基板検査装置のように検査用プローブ（検査ポイント：導体パターン）と電極部（電極）との間の静電容量を測定して検査用プローブが正常に接触しているか否かを確認することができない。

そこで、出願人は、例えば電極部が存在しない基板検査装置によって検査対象基板を検査する際に、一対の検査ポイントの間の絶縁検査に先立ち、両検査ポイントに一対の検査用プローブをそれぞれ接触させた状態において両検査用プローブの間（両検査ポイントの間）の静電容量を測定し、測定された静電容量と接触状態判別用データと比較することによって両検査用プローブが検査ポイントにそれぞれ正常に接触しているか否かを確認する確認処理を実行する構成・検査方法を試みた。

しかしながら、確認処理に際して両検査用プローブの間（両ポイントの間）の静電容量を測定して接触状態判別用データと比較する構成・方法では、正常に絶縁されている両検査ポイントに両検査用プローブが正常に接触しているか否かを正しく判別することができるものの、絶縁不良が生じている両検査ポイントについては、両検査用プローブが正常に接触しているにも拘わらず、正常に接触していないと誤って判別されることがあるのを見出した。

具体的には、正常に絶縁されている一対の検査ポイントに例えば一方の検査用プローブが正常に接触しているものの、他方の検査用プローブが正常に接触していないときには、非接触の検査用プローブと検査ポイントとの間の静電容量、および両検査ポイントの間の静電容量の大きさに応じた極く少量の電流が両検査用プローブの間を流れることとなる。したがって、このような状態のときには、接触状態判別用データによって規定されている基準容量値を下回る極く小さな静電容量が演算（測定）されるため、検査用プローブが検査ポイントに正常に接触していないと判別することができる。

また、正常に絶縁されている一対の検査ポイントに両検査用プローブが正常に接触しているときには、両検査ポイントの間の静電容量の大きさに応じた電流が両検査用プローブの間を流れることとなる。したがって、このような状態のときには、接触状態判別用データによって規定されている基準容量値以上の静電容量が演算（測定）されるため、検査用プローブが検査ポイントに正常に接触していると判別することができる。なお、正常に絶縁されている両検査ポイントに両検査用プローブが正常に接触している状態においては、両検査ポイントの間に交流電圧を印加したときに、両検査ポイントの間の静電容量の存在により、電圧波形に対して位相が９０度進んだ電流波形が検出される。

一方、相互に絶縁されているべき両検査ポイントの導体パターン間に製造不良等に起因する短絡箇所が存在するとき（絶縁不良が存在するとき）には、その短絡箇所の位置や形状（絶縁不良の状態）によっては、その短絡箇所が両導体パターンに跨がるインダクタンス成分が存在するのと等価となることがある。このような場合には、存在して然るべき静電容量と、本来は存在していないインダクタンス成分とが両検査ポイントの間に存在する状態となる。

このような絶縁不良が生じている一対の検査ポイントに、両検査用プローブのいずれか（または双方）が正常に接触していないときには、両検査用プローブの間を流れる電流値が極く少量となり、接触状態判別用データによって規定されている基準容量値を下回る極く小さな静電容量が演算（測定）される。このため、検査用プローブが検査ポイントに正常に接触していないと判別することができる。

しかしながら、上記のような短絡箇所（インダクタンス成分）が存在する両検査ポイントに両検査用プローブがそれぞれ正常に接触しているときには、両検査ポイントの間に交流電圧を印加した際に、両検査ポイントの間の静電容量の大きさに応じた電流の電流値、およびインダクタンス成分を介して両検査用ポイントの間を流れる電流の電流値が測定されることとなる。この場合、インダクタンス成分が存在する両検査ポイント間に交流電圧を印加したときには、電圧波形に対して位相が９０度遅れた電流波形、すなわち、両検査ポイント間に静電容量だけが存在する状態において検出される電流波形に対して位相が１８０°遅れたが電流波形が検出される。

したがって、両検査ポイントに両検査用プローブが正常に接触しているにも拘わらず、インダクタンス成分の存在と等価の短絡箇所の存在に起因して、測定のタイミング（電流値のサンプリング周期）によっては、両検査ポイント間の静電容量の大きさに応じた電流値よりも小さな電流値、または、マイナスの電流値が測定されることがある。このような場合には、接触状態判別用データによって規定されている基準容量値を下回る極く小さな静電容量、またはマイナスの値の静電容量が演算（測定）されるため、検査用プローブが検査ポイントに正常に接触していないと誤って判別されてしまう。したがって、両検査用プローブを接触させた一対の検査ポイント間の絶縁状態を検査することができないため、この点を改善する必要がある。

本発明は、かかる改善すべき課題に鑑みてなされたものであり、検査対象基板の導体パターンと対向する電極が存在しなくても、一対の検査用プローブが検査ポイントに正常に接触しているか否かを確実に判別し得る基板検査装置および基板検査方法を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく、請求項１記載の基板検査装置は、検査対象基板に接触させられる一対の検査用プローブと、前記両検査用プローブを移動させる移動機構と、前記両検査用プローブを介して予め規定された検査用被測定量を測定する測定部と、前記移動機構を制御して前記検査対象基板上の一対の検査ポイントに前記両検査用プローブをそれぞれ接触させるプロービング処理、および前記測定部を制御して前記検査用被測定量を測定させると共に当該測定部による測定結果に基づいて前記一対の検査ポイントの間の良否を判別する検査処理を実行する処理部とを備えた基板検査装置であって、前記処理部は、前記検査対象基板において相互に絶縁されているべき前記一対の検査ポイントの間の良否を検査するときに、前記プロービング処理を実行して当該両検査ポイントに前記両検査用プローブをそれぞれ接触させた後に、前記測定部を制御して前記両検査用プローブの間に予め規定された電圧値の交流電圧を印加させた状態において当該両検査用プローブの間を流れる電流の電流値を測定させる第１の処理を実行すると共に、当該第１の処理において測定された電流値に基づいて前記両検査ポイントの間の静電容量値を演算する第２の処理を実行し、前記第２の処理によって演算した静電容量値が予め規定された第１の基準値以上のときには、前記両検査ポイントを対象とする前記検査処理を実行すると共に、前記第２の処理によって演算した静電容量値が前記第１の基準値を下回るときには、前記第１の処理において測定された電流値に基づいて前記両検査ポイント間のインピーダンス値を演算する第３の処理を実行し、前記第３の処理によって演算したインピーダンス値が予め規定された第２の基準値以下のときには、前記両検査ポイントを対象とする前記検査処理を実行すると共に、前記第３の処理によって演算したインピーダンス値が前記第２の基準値を超えているときには、前記両検査用プローブが前記両検査ポイントに正常に接触していないと判別して前記検査処理を実行することなく予め規定された第４の処理を実行する。

また、請求項２記載の基板検査装置は、検査対象基板に接触させられる一対の検査用プローブと、前記両検査用プローブを移動させる移動機構と、前記両検査用プローブを介して予め規定された検査用被測定量を測定する測定部と、前記移動機構を制御して前記検査対象基板上の一対の検査ポイントに前記両検査用プローブをそれぞれ接触させるプロービング処理、および前記測定部を制御して前記検査用被測定量を測定させると共に当該測定部による測定結果に基づいて前記一対の検査ポイントの間の良否を判別する検査処理を実行する処理部とを備えた基板検査装置であって、前記処理部は、前記検査対象基板において相互に絶縁されているべき前記一対の検査ポイントの間の良否を検査するときに、前記プロービング処理を実行して当該両検査ポイントに前記両検査用プローブをそれぞれ接触させた後に、前記測定部を制御して前記両検査用プローブの間に予め規定された電圧値の交流電圧を印加させた状態において当該両検査用プローブの間を流れる電流の電流値を測定させる第１の処理を実行すると共に、当該第１の処理において測定された電流値に基づいて前記両検査ポイントの間の静電容量値を演算する第２の処理を実行し、前記第２の処理によって演算した静電容量値が予め規定された第１の基準値以上のときには、前記両検査ポイントを対象とする前記検査処理を実行すると共に、前記第２の処理によって演算した静電容量値が前記第１の基準値を下回るときには、前記第１の処理において測定された電流値に基づいて前記両検査ポイント間のインピーダンス値を演算する第３の処理を実行し、前記第３の処理によって演算したインピーダンス値が予め規定された第２の基準値以下のときには、前記検査処理を実行することなく前記両検査ポイント間の絶縁状態が不良であると判別すると共に、前記第３の処理によって演算したインピーダンス値が前記第２の基準値を超えているときには、前記両検査用プローブが前記両検査ポイントに正常に接触していないと判別して前記検査処理を実行することなく予め規定された第４の処理を実行する。

さらに、請求項３記載の基板検査装置は、請求項１または２記載の基板検査装置において、前記処理部は、前記両検査用プローブが正常に接触していないと判別した前記両検査ポイントを対象とする前記プロービング処理を前記第４の処理として実行した後に、前記第１の処理および前記第２の処理を再び実行すると共に、当該第２の処理によって演算した静電容量値に応じて前記検査処理、および前記第３の処理以降の各処理のいずれかを実行する。

また、請求項４記載の基板検査方法は、検査対象基板上の一対の検査ポイントに一対の検査用プローブをそれぞれ接触させるプロービング処理、および前記両検査用プローブを介して予め規定された検査用被測定量を測定すると共にその測定結果に基づいて前記一対の検査ポイントの間の良否を判別する検査処理を実行する基板検査方法であって、前記検査対象基板において相互に絶縁されているべき前記一対の検査ポイントの間の良否を検査するときに、前記プロービング処理を実行して当該両検査ポイントに前記両検査用プローブをそれぞれ接触させた後に、前記両検査用プローブの間に予め規定された電圧値の交流電圧を印加させた状態において当該両検査用プローブの間を流れる電流の電流値を測定する第１の処理を実行すると共に、当該第１の処理において測定された電流値に基づいて前記両検査ポイントの間の静電容量値を演算する第２の処理を実行し、前記第２の処理によって演算した静電容量値が予め規定された第１の基準値以上のときには、前記両検査ポイントを対象とする前記検査処理を実行すると共に、前記第２の処理によって演算した静電容量値が前記第１の基準値を下回るときには、前記第１の処理において測定された電流値に基づいて前記両検査ポイント間のインピーダンス値を演算する第３の処理を実行し、前記第３の処理によって演算したインピーダンス値が予め規定された第２の基準値以下のときには、前記両検査ポイントを対象とする前記検査処理を実行すると共に、前記第３の処理によって演算したインピーダンス値が前記第２の基準値を超えているときには、前記両検査用プローブが前記両検査ポイントに正常に接触していないと判別して前記検査処理を実行することなく予め規定された第４の処理を実行する。

また、請求項５記載の基板検査方法は、検査対象基板上の一対の検査ポイントに一対の検査用プローブをそれぞれ接触させるプロービング処理、および前記両検査用プローブを介して予め規定された検査用被測定量を測定すると共にその測定結果に基づいて前記一対の検査ポイントの間の良否を判別する検査処理を実行する基板検査方法であって、前記検査対象基板において相互に絶縁されているべき前記一対の検査ポイントの間の良否を検査するときに、前記プロービング処理を実行して当該両検査ポイントに前記両検査用プローブをそれぞれ接触させた後に、前記両検査用プローブの間に予め規定された電圧値の交流電圧を印加させた状態において当該両検査用プローブの間を流れる電流の電流値を測定する第１の処理を実行すると共に、当該第１の処理において測定された電流値に基づいて前記両検査ポイントの間の静電容量値を演算する第２の処理を実行し、前記第２の処理によって演算した静電容量値が予め規定された第１の基準値以上のときには、前記両検査ポイントを対象とする前記検査処理を実行すると共に、前記第２の処理によって演算した静電容量値が前記第１の基準値を下回るときには、前記第１の処理において測定された電流値に基づいて前記両検査ポイント間のインピーダンス値を演算する第３の処理を実行し、前記第３の処理によって演算したインピーダンス値が予め規定された第２の基準値以下のときには、前記検査処理を実行することなく前記両検査ポイント間の絶縁状態が不良であると判別すると共に、前記第３の処理によって演算したインピーダンス値が前記第２の基準値を超えているときには、前記両検査用プローブが前記両検査ポイントに正常に接触していないと判別して前記検査処理を実行することなく予め規定された第４の処理を実行する。

さらに、請求項６記載の基板検査方法は、請求項４または５記載の基板検査方法において、前記両検査用プローブが正常に接触していないと判別した前記両検査ポイントを対象とする前記プロービング処理を前記第４の処理として実行した後に、前記第１の処理および前記第２の処理を再び実行すると共に、当該第２の処理によって演算した静電容量値に応じて前記検査処理、および前記第３の処理以降の各処理のいずれかを実行する。

請求項１記載の基板検査装置、および請求項４記載の基板検査方法では、検査対象基板において相互に絶縁されているべき一対の検査ポイントの間の良否を検査するときに、プロービング処理を実行して両検査ポイントに両検査用プローブをそれぞれ接触させた後に、両検査用プローブの間に予め規定された電圧値の交流電圧を印加させた状態において両検査用プローブの間を流れる電流の電流値を測定させる第１の処理を実行すると共に、第１の処理において測定された電流値に基づいて両検査ポイントの間の静電容量値を演算する第２の処理を実行し、第２の処理によって演算した静電容量値が予め規定された第１の基準値以上のときには、両検査ポイントを対象とする検査処理を実行すると共に、第２の処理によって演算した静電容量値が予め規定された第１の基準値を下回るときには、第１の処理において測定された電流値に基づいて両検査ポイント間のインピーダンス値を演算する第３の処理を実行し、第３の処理によって演算したインピーダンス値が予め規定された第２の基準値以下のときには、両検査ポイントを対象とする検査処理を実行すると共に、第３の処理によって演算したインピーダンス値が予め規定された第２の基準値を超えているときには、両検査用プローブが両検査ポイントに正常に接触していないと判別して検査処理を実行することなく予め規定された第４の処理を実行する。

したがって、請求項１記載の基板検査装置、および請求項４記載の基板検査方法によれば、インダクタンス成分が存在するのと等価の短絡箇所が存在する両検査ポイントについて、検査処理の開始に先立って両検査用プローブが正常に接触しているか否かを判別するときに、検査ポイントに両検査用プローブが正常に接触しているにも拘わらず、静電容量値に基づいて正常に接触していないと誤って判別されることなく、インピーダンス値に基づいて正常に接触していると正しく判別することができる。これにより、検査対象基板の導体パターンと対向する電極が存在しなくても、検査ポイントに両検査用プローブが正常に接触しているか否かを確実に判別し、その検査ポイントについての検査処理を確実に実行することができる。

請求項２記載の基板検査装置、および請求項５記載の基板検査方法では、検査対象基板において相互に絶縁されているべき一対の検査ポイントの間の良否を検査するときに、プロービング処理を実行して両検査ポイントに両検査用プローブをそれぞれ接触させた後に、両検査用プローブの間に予め規定された電圧値の交流電圧を印加させた状態において両検査用プローブの間を流れる電流の電流値を測定させる第１の処理を実行すると共に、第１の処理において測定された電流値に基づいて両検査ポイントの間の静電容量値を演算する第２の処理を実行し、第２の処理によって演算した静電容量値が予め規定された第１の基準値以上のときには、両検査ポイントを対象とする検査処理を実行すると共に、第２の処理によって演算した静電容量値が予め規定された第１の基準値を下回るときには、第１の処理において測定された電流値に基づいて両検査ポイント間のインピーダンス値を演算する第３の処理を実行し、第３の処理によって演算したインピーダンス値が予め規定された第２の基準値以下のときには、検査処理を実行することなく両検査ポイント間の絶縁状態が不良であると判別すると共に、第３の処理によって演算したインピーダンス値が予め規定された第２の基準値を超えているときには、両検査用プローブが両検査ポイントに正常に接触していないと判別して検査処理を実行することなく予め規定された第４の処理を実行する。

したがって、請求項２記載の基板検査装置、および請求項５記載の基板検査方法によれば、インダクタンス成分が存在するのと等価の短絡箇所が存在する両検査ポイントについて、検査処理の開始に先立って両検査用プローブが正常に接触しているか否かを判別するときに、検査ポイントに両検査用プローブが正常に接触しているにも拘わらず、演算される静電容量値に基づいて正常に接触していないと誤って判別される事態を好適に回避できるだけでなく、絶縁状態が不良であることで低いインピーダンス値が測定される不良の検査ポイントについての不要な検査処理を実行しなくて済む分だけ、検査対象基板の検査に要する時間を充分に短縮することができる。

請求項３記載の基板検査装置、および請求項６記載の基板検査方法では、両検査用プローブが正常に接触していないと判別した両検査ポイントを対象とするプロービング処理を第４の処理として実行した後に、第１の処理および第２の処理を再び実行すると共に、第２の処理によって演算した静電容量値に応じて検査処理、および第３の処理以降の各処理のいずれかを実行する。

したがって、請求項３記載の基板検査装置、および請求項６記載の基板検査方法によれば、例えば検査ポイントと両検査用プローブとの間に異物が挟まるなどして検査ポイントに両検査用プローブが一時的に接触できなかったとしても、第４の処理としてのプロービング処理において、その検査ポイント（または、その検査ポイントの極く近傍の新たな検査ポイント）に対するプロービング処理を実行することで、異物が排除されて両検査用プローブを正常に接触させることができる。また、他の検査ポイントについてのプロービング処理を第４の処理として実行することで、例えば、検査対象基板の製造不良に起因して検査ポイントが絶縁膜で覆われた状態となっており、その検査ポイントに対するプロービング処理を何度実行しても両検査用プローブを正常に接触させることができないときに、そのような検査ポイントに対する不要なプロービング処理を繰り返すことがない分だけ１枚の検査対象基板の検査に要する時間を充分に短縮することができる。

基板検査装置１の構成を示す構成図である。 検査対象基板Ｘにおける導体パターンＹａ，Ｙｂ（検査ポイントＰａ，Ｐｂ）の一例について説明するための説明図である。 基板検査処理１０のフローチャートである。

以下、基板検査装置および基板検査方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。

図１に示す基板検査装置１は、「基板検査装置」の一例であって、基板保持機構２、コンタクトプローブ３ａ，３ｂ、移動機構４ａ，４ｂ、測定部５、操作部６、表示部７、処理部８および記憶部９を備え、後述する「基板検査方法」に従って検査対象基板Ｘの良否を電気的に検査可能に構成されている。

この場合、検査対象基板Ｘは「検査対象基板」の一例であって、図２に示すように、導体パターンＹａ，Ｙｂなどの複数の導体パターン（以下、区別しないときには「導体パターンＹ」ともいう）が形成されている。また、検査対象基板Ｘには、隣接する一対の導体パターンＹ，Ｙ間の絶縁状態や、各導体パターンＹ毎の導通状態を検査するための複数の「検査ポイント」が規定されている。具体的には、一例として、上記の導体パターンＹａ，Ｙｂの間の絶縁状態を検査するための「検査ポイント」としては、導体パターンＹａ上に検査ポイントＰａが規定され、導体パターンＹｂ上に検査ポイントＰｂが規定されているものとする。以下、検査ポイントＰａ，Ｐｂ等を区別しないときには「検査ポイントＰ」ともいう。

一方、基板保持機構２は、一例として、検査対象基板Ｘの端部を挟持して所定の検査位置に保持することができるように構成されている。コンタクトプローブ３ａ，３ｂは、「一対の検査用プローブ」の一例である伸縮型のピンプローブであって、測定部５に対してそれぞれ電気的に接続されている。移動機構４ａ，４ｂは、「移動機構」の一例であって、本例では、移動機構４ａが処理部８の制御に従ってコンタクトプローブ３ａを任意のＸＹ方向（検査対象基板Ｘの表面に沿った方向）およびＺ方向（検査対象基板Ｘの表面に垂直な方向）に移動させて任意の検査ポイントＰに接触させ、移動機構４ｂが処理部８の制御に従ってコンタクトプローブ３ｂを任意のＸＹＺ方向に移動させて任意の検査ポイントＰに接触させる構成が採用されている。

測定部５は、「測定部」の一例であって、後述するように、処理部８の制御に従い、検査対象基板Ｘに規定された各検査ポイントＰ，Ｐ・・のうちの任意の２箇所にそれぞれ接触させられた両コンタクトプローブ３ａ，３ｂを介して両検査ポイントＰ，Ｐの間についての各種の電気的パラメータを測定して測定値データＤ１を出力する測定処理を実行する。なお、測定部５による測定処理については、後に詳細に説明する。

操作部６は、基板検査装置１の動作条件の設定操作や、検査処理の開始／停止を指示する操作が可能な操作スイッチを備え、スイッチ操作に応じた操作信号を処理部８に出力する。表示部７は、処理部８の制御に従い、基板検査装置１の動作条件を設定する設定画面、検査対象基板Ｘについての検査時における動作状態の表示画面、および検査対象基板Ｘに検査結果などを表示する。

処理部８は、「処理部」の一例であって、基板検査装置１を総括的に制御する。具体的には、処理部８は、図３に示す基板検査処理１０を実行して検査対象基板Ｘの良否を検査し、その検査結果を表示部７に表示させると共に、検査結果データＤ２を生成して外部装置に出力可能に記憶部９に記憶させる。

より具体的には、処理部８は、両移動機構４ａ，４ｂを制御して検査対象基板Ｘ上に規定された各検査ポイントＰ，Ｐ・・のうちの一対の検査ポイントＰ，Ｐに両コンタクトプローブ３ａ，３ｂをそれぞれ接触させる「プロービング処理」を実行する。また、処理部８は、測定部５を制御して測定処理を実行させて「予め規定された検査用被測定量」を測定させると共に、測定処理の測定結果に基づいて両検査ポイントＰ，Ｐの間の良否を判別する「検査処理」を実行する。

さらに、本例の基板検査装置１における処理部８は、上記の「プロービング処理」の完了後、「検査処理」の開始に先立ち、両コンタクトプローブ３ａ，３ｂが接触させられているべき検査ポイントＰ，Ｐに正常に接触しているか否かを判別する「確認処理」を実行する構成が採用されている。なお、この「確認処理」については、後に詳細に説明する。

記憶部９は、処理部８の動作プログラム、検査対象基板Ｘについての検査用データＤ０、測定部５から出力される測定値データＤ１、および処理部８によって生成される検査結果データＤ２などを記憶する。

次に、基板検査装置１による検査対象基板Ｘの検査方法について添付図面を参照して説明する。

なお、検査対象基板Ｘの良否を検査する際には、前述したように、隣接する一対の導体パターンＹ，Ｙ間の絶縁状態の検査（絶縁検査）、および各導体パターンＹ毎の導通状態の検査（導通検査）などの複数種類の検査項目をそれぞれ実行するが、「基板検査装置」および「基板検査方法」についての理解を容易とするために、これらの検査項目のうちの「絶縁検査」の方法（「検査対象基板において相互に絶縁されているべき一対の検査ポイントの間の良否を検査するとき」の一例）について以下に説明する。

まず、検査対象基板Ｘを基板保持機構２によって保持させて検査位置に位置させる。この状態において、操作部６の操作によって検査の開始が指示されたときに、処理部８は、図３に示す基板検査処理１０を開始する。

この基板検査処理１０では、処理部８は、まず、検査用データＤ０に基づいて「プロービング処理」を実行する（ステップ１１）。具体的には、一例として、図２に示す導体パターンＹａ，Ｙｂ間の絶縁検査に際して、処理部８は、移動機構４ａを制御して導体パターンＹａの検査ポイントＰａにコンタクトプローブ３ａを接触させると共に、移動機構４ｂを制御して導体パターンＹｂの検査ポイントＰｂにコンタクトプローブ３ｂを接触させる。

次いで、処理部８は、検査用データＤ０に基づき、「確認処理」を実行する。具体的には、処理部８は、測定部５を制御してコンタクトプローブ３ａ，３ｂの間に予め規定された電圧値の交流電圧を印加させた状態において両コンタクトプローブ３ａ，３ｂの間を流れる電流の電流値を測定させる（「第１の処理」としての「測定処理」の実行：ステップ１２）。これに応じて、測定部５が、測定した電流値を示す測定値データＤ１を処理部８に出力し、処理部８は、出力された測定値データＤ１を記憶部９に記憶させる。

続いて、処理部８は、コンタクトプローブ３ａ，３ｂの間に印加した交流電圧の電圧値、および上記の測定値データＤ１に基づき、導体パターンＹａ，Ｙｂ間（検査ポイントＰａ，Ｐｂ）の間の静電容量Ｃの静電容量値を演算する（「第２の処理」の実行：ステップ１３）。

この場合、図２に示すように、絶縁検査をすべき導体パターンＹａ，Ｙｂは、短絡箇所等が生じ得る近接パターンであるため、同図に示すように、両導体パターンＹａ，Ｙｂの間には静電容量Ｃが存在する。したがって、両導体パターンＹａ，Ｙｂが正常に絶縁されている状態（導体パターンＹａ，Ｙｂの間にインダクタンス成分Ｌが存在するのと等価の短絡箇所が存在しない状態）において、検査ポイントＰａ（導体パターンＹａ）にコンタクトプローブ３ａが正常に接触させられ、かつ検査ポイントＰｂ（導体パターンＹｂ）にコンタクトプローブ３ｂが正常に接触させられているときには、上記の「測定処理」において、静電容量Ｃの大きさに応じた電流値（以下、「正常時電流値」ともいう）が測定される。

したがって、正常に絶縁された両導体パターンＹａ，Ｙｂの検査ポイントＰａ，Ｐｂにコンタクトプローブ３ａ，３ｂが正常に接触させられているときには、正常時電流値に基づき、検査用データＤ０に記録されている接触状態判別用の基準値（基準静電容量値：「第１の基準値」の一例）以上の静電容量値が演算される。この際に、処理部８は、静電容量値が基準値以上であると判別し（ステップ１４）、両コンタクトプローブ３ａ，３ｂが検査ポイントＰａ，Ｐｂに正常に接触していると判別して「確認処理」を完了し（ステップ１５）、検査ポイントＰａ，Ｐｂの間の絶縁検査を開始する（ステップ１６）。

具体的には、一例として、処理部８は、検査ポイントＰａ，Ｐｂにコンタクトプローブ３ａ，３ｂを接触させた状態を維持しつつ、測定部５を制御して検査ポイントＰａ，Ｐｂ間（導体パターンＹａ，Ｙｂ間）の抵抗値（「予め規定された検査用被測定量」の一例）を測定させる。

また、処理部８は、測定された抵抗値が検査用データＤ０に記憶されている基準抵抗値以上のときには、検査ポイントＰａ，Ｐｂ間（導体パターンＹａ，Ｙｂ間）が正常に絶縁されていると判別し、良好との判別結果およびその抵抗値を検査ポイントＰａ，Ｐｂに関連付けて検査結果データＤ２に記録する。また、処理部８は、測定された抵抗値が検査用データＤ０に記憶されている基準抵抗値を下回るときには、検査ポイントＰａ，Ｐｂ間（導体パターンＹａ，Ｙｂ間）が正常に絶縁されていないと判別し、不良との判別結果およびその抵抗値を検査ポイントＰａ，Ｐｂに関連付けて検査結果データＤ２に記録する。

続いて、処理部８は、絶縁検査を実行すべき他の検査ステップ（他の検査ポイントＰ，Ｐ）が存在するか否かを判別し（ステップ１７）、検査すべき検査ステップが存在するときには、ステップ１１に戻り、対象の検査ポイントＰ，Ｐに対する「プロービング処理」を実行する。

一方、前述したステップ１１の「プロービング処理」において、検査ポイントＰａ（導体パターンＹａ）にコンタクトプローブ３ａが正常に接触させられ、かつ検査ポイントＰｂ（導体パターンＹｂ）にコンタクトプローブ３ｂが正常に接触させられていたとしても、図２に示すように、導体パターンＹａ，Ｙｂの間にインダクタンス成分Ｌが存在するのと等価の短絡箇所が存在している状態（両導体パターンＹａ，Ｙｂが正常に絶縁されていない状態）では、ステップ１２の「測定処理」において、測定のタイミング（電圧値のサンプリング周期）によっては、正常時電流値よりも小さな値の電流値、または、マイナス値の電流値（以下、「短絡箇所存在時電流値」ともいう）が測定されることがある。

また、導体パターンＹａ，Ｙｂ間の絶縁状態を問わず、前述したステップ１１の「プロービング処理」において、コンタクトプローブ３ａ，３ｂのいずれか、または双方が検査ポイントＰａ，Ｐｂ（導体パターンＹａ，Ｙｂ）に正常に接触されていないときには、ステップ１２の「測定処理」において、正常時電流値よりも小さな値の電流値（以下、「接触不良時電流値」ともいう）が測定される。

したがって、両導体パターンＹａ，Ｙｂ間が正常に絶縁されていないときや、コンタクトプローブ３ａ，３ｂのいずれか、または双方が検査ポイントＰａ，Ｐｂに正常に接触していないときには、短絡箇所存在時電流値、または接触不良時電流値に基づき、検査用データＤ０に記録されている接触状態判別用の基準値を下回る静電容量値が演算される。この際に、処理部８は、静電容量値が基準値を下回ると判別し（ステップ１４）、検査ポイントＰａ，Ｐｂ間に印加した交流電圧の電圧値、および記憶部９に記憶させた測定値データＤ１の値（電流値）に基づき、両検査ポイントＰａ，Ｐｂ間のインピーダンス値を演算する（「第３の処理」の実行：ステップ１８）。

この場合、インダクタンス成分Ｌが存在するのと等価の短絡箇所が存在する導体パターンＹａ，Ｙｂ（検査ポイントＰａ，Ｐｂに両コンタクトプローブ３ａ，３ｂが正常に接触させられているときには、短絡箇所存在時電流値に基づき、検査用データＤ０に記録されている接触状態判別用の基準値（基準インピーダンス値：「第２の基準値」の一例）以下のインピーダンス値が演算される。この際に、処理部８は、インピーダンス値が基準値以下であると判別し（ステップ１９）、両コンタクトプローブ３ａ，３ｂが検査ポイントＰａ，Ｐｂに正常に接触していると判別して「確認処理」を完了する（ステップ１５）。また、処理部８は、前述したステップ１６以降の処理を実行する。

一方、導体パターンＹａ，Ｙｂ間の絶縁状態を問わず、前述したステップ１１の「プロービング処理」において、コンタクトプローブ３ａ，３ｂのいずれか、または双方が検査ポイントＰａ，Ｐｂ（導体パターンＹａ，Ｙｂ）に正常に接触されていないときには、接触不良時電流値に基づき、検査用データＤ０に記録されている接触状態判別用の基準値（基準インピーダンス値：「第２の基準値」）を超えるインピーダンス値が演算される。この際に、処理部８は、インピーダンス値が基準値を超えると判別し（ステップ１９）、両コンタクトプローブ３ａ，３ｂが検査ポイントＰａ，Ｐｂに正常に接触していないと判別して「確認処理」を完了する（ステップ２０）。

この際に、処理部８は、まず、その検査ポイントＰａ，Ｐｂにコンタクトプローブ３ａ，３ｂが正常に接触していないと判別したのが初回であるか否かを判別する（ステップ２１）。この場合、本例では、上記のステップ２０の判別が検査ポイントＰａ，Ｐｂに対する初回の判別結果であるため、処理部８は、上記のステップ１１に戻り、その検査ポイントＰａ，Ｐｂにコンタクトプローブ３ａ，３ｂを再び接触させる「フロービング処理」を実行する（「第４の処理」としての「再プロービング処理」の実行：ステップ２２）。次いで、処理部８は、上記のステップ１２以降の各処理を再び実行する。

この場合、例えば、検査ポイントＰａ，Ｐｂのいずれか、または双方が製造不良等に起因して絶縁膜で覆われた状態となっていたり、検査ポイントＰａ，Ｐｂのいずれか、または双方にコンタクトプローブ３ａ，３ｂの接触を妨げる異物が付着した状態となっていたりしたときには、上記のステップ２２の「プロービング処理」を行っても、検査ポイントＰａ，Ｐｂにコンタクトプローブ３ａ，３ｂを正常に接触させることができない。この際に、処理部８は、検査ポイントＰａ，Ｐｂにコンタクトプローブ３ａ，３ｂが正常に接触していないと判別すると共に（ステップ２０）、その検査ポイントＰａ，Ｐｂに対する接触不良との判別が初回ではないと判別する（ステップ２１）。

この際に、処理部８は、検査ポイントＰａ，Ｐｂに対する絶縁検査を実施することができないと判別して（ステップ２３）、そのような判別結果を検査結果データＤ２に記録し、絶縁検査を実行すべき他の検査ステップ（他の検査ポイントＰ，Ｐ）が存在するか否かを判別する（ステップ１７）。また、上記の一連の各処理を実行することにより、すべての検査ステップ（絶縁検査を実行すべきすべての検査ポイントＰ，Ｐ）についての検査を終了したときに、処理部８は、この基板検査処理１０を終了する。

このように、この基板検査装置１、およびその基板検査方法では、検査対象基板Ｘにおいて相互に絶縁されているべき一対の検査ポイントＰ，Ｐの間の良否を検査するときに、「プロービング処理」を実行して両検査ポイントＰ，Ｐに両コンタクトプローブ３ａ，３ｂをそれぞれ接触させた後に、両コンタクトプローブ３ａ，３ｂの間に予め規定された電圧値の交流電圧を印加させた状態において両コンタクトプローブ３ａ，３ｂの間を流れる電流の電流値を測定させる「第１の処理」を実行すると共に、「第１の処理」において測定された電流値に基づいて両検査ポイントＰ，Ｐの間の静電容量値を演算する「第２の処理」を実行し、「第２の処理」によって演算した静電容量値が予め規定された「第１の基準値」以上のときには、両検査ポイントＰ，Ｐを対象とする「検査処理」を実行すると共に、「第２の処理」によって演算した静電容量値が予め規定された「第１の基準値」を下回るときには、「第１の処理」において測定された電流値に基づいて両検査ポイントＰ，Ｐ間のインピーダンス値を演算する「第３の処理」を実行し、「第３の処理」によって演算したインピーダンス値が予め規定された「第２の基準値」以下のときには、両検査ポイントＰ，Ｐを対象とする「検査処理」を実行すると共に、「第３の処理」によって演算したインピーダンス値が予め規定された「第２の基準値」を超えているときには、両コンタクトプローブ３ａ，３ｂが両検査ポイントＰ，Ｐに正常に接触していないと判別して「検査処理」を実行することなく予め規定された「第４の処理」を実行する。

したがって、この基板検査装置１、およびその基板検査方法によれば、インダクタンス成分Ｌが存在するのと等価の短絡箇所が存在する検査ポイントＰ，Ｐについて、「検査処理（絶縁検査）」の開始に先立ってコンタクトプローブ３ａ，３ｂが正常に接触しているか否かを判別するときに、検査ポイントＰ，Ｐにコンタクトプローブ３ａ，３ｂが正常に接触しているにも拘わらず、静電容量値に基づいて正常に接触していないと誤って判別されることなく、インピーダンス値に基づいて正常に接触していると正しく判別することができる。これにより、検査対象基板Ｘの導体パターンＹと対向する電極が存在しなくても、検査ポイントＰ，Ｐにコンタクトプローブ３ａ，３ｂが正常に接触しているか否かを確実に判別し、その検査ポイントＰ，Ｐについての「検査処理」を確実に実行することができる。

また、この基板検査装置１、およびその基板検査方法では、両コンタクトプローブ３ａ，３ｂが正常に接触していないと判別した両検査ポイントＰ，Ｐを対象とする「プロービング処理」を「第４の処理」として実行した後に、「第１の処理」および「第２の処理」を再び実行すると共に、「第２の処理」によって演算した静電容量値に応じて「検査処理」、および「第３の処理」以降の各処理のいずれかを実行する。

したがって、この基板検査装置１、およびその基板検査方法によれば、例えば検査ポイントＰ，Ｐとコンタクトプローブ３ａ，３ｂとの間に異物が挟まるなどして検査ポイントＰ，Ｐにコンタクトプローブ３ａ，３ｂが一時的に接触できなかったとしても、「第４の処理」としての「プロービング処理」において、その検査ポイントＰ，Ｐ（または、その検査ポイントＰ，Ｐの極く近傍の新たな検査ポイントＰ，Ｐ）に対する「プロービング処理」を実行することで、異物が排除されてコンタクトプローブ３ａ，３ｂを正常に接触させることができる。

なお、「基板検査装置」の構成、および「基板検査方法」の内容については、上記の基板検査装置１の構成、および基板検査方法による基板検査処理１０の内容の例に限定されない。例えば、ステップ１８の「第３の処理」において演算した両検査ポイントＰａ，Ｐｂ間のインピーダンス値が、「第２の基準値」としての接触状態判別用の基準値（基準インピーダンス値）以下のときに（ステップ１９）、両コンタクトプローブ３ａ，３ｂが検査ポイントＰａ，Ｐｂに正常に接触していると判別して「確認処理」を完了し（ステップ１５）、ステップ１６の絶縁検査を実行する構成および方法を例に挙げて説明したが、これに限定されない。例えば、このような構成および方法に代えて、「第３の処理」によって演算したインピーダンス値が「第２の基準値」以下のときに、「検査処理」を実行することなく両検査ポイントＰ，Ｐ間の絶縁状態が不良であると判別して、その検査ポイントＰ，Ｐについての検査を終了する構成および方法を採用することもできる。

このような構成の「基板検査装置」、およびその「基板検査方法」によれば、インダクタンス成分Ｌが存在するのと等価の短絡箇所が存在する検査ポイントＰ，Ｐについて、「検査処理（絶縁検査）」の開始に先立ってコンタクトプローブ３ａ，３ｂが正常に接触しているか否かを判別するときに、検査ポイントＰ，Ｐにコンタクトプローブ３ａ，３ｂが正常に接触しているにも拘わらず、演算される静電容量値に基づいて正常に接触していないと誤って判別される事態を好適に回避できるだけでなく、絶縁状態が不良であることで低いインピーダンス値が測定される不良の検査ポイントＰ，Ｐについての不要な「検査処理」を実行しなくて済む分だけ、検査対象基板Ｘの検査に要する時間を充分に短縮することができる。

また、「第４の処理」としての「プロービング処理（再プロービング処理）」において、接触不良が発生していると判別した検査ポイントＰ，Ｐにコンタクトプローブ３ａ，３ｂを再び接触させる処理を実行する構成および方法を例に挙げて説明したが、このような構成および方法に代えて、接触不良が発生していると判別した検査ポイントＰ，Ｐの位置とは僅かに異なる同一パターン上の検査ポイントＰ，Ｐにコンタクトプローブ３ａ，３ｂを新たに接触させる「プロービング処理（再プロービング処理）」を「第４の処理」として実行する構成および方法を採用することもできる。

さらに、「第４の処理」は、接触不良が発生していると判別した検査ポイントＰ，Ｐ、または、その検査ポイントＰ，Ｐの極く近傍の新たな検査ポイントＰ，Ｐにコンタクトプローブ３ａ，３ｂを接触させる「プロービング処理」に限定されず、接触不良が発生していると判別した検査ポイントＰ，Ｐに接触できないと判別し、他の検査ポイントＰ，Ｐ（他の検査ステップ）についての「プロービング処理」を「第４の処理」として実行する構成および方法を採用することもできる。

このように、他の検査ポイントＰ，Ｐについての「プロービング処理」を「第４の処理」として実行することで、例えば、検査対象基板Ｘの製造不良に起因して検査ポイントＰ，Ｐが絶縁膜で覆われた状態となっており、その検査ポイントＰ，Ｐに対する「プロービング処理」を何度実行してもコンタクトプローブ３ａ，３ｂを正常に接触させることができないときに、そのような検査ポイントＰ，Ｐに対する不要な「プロービング処理」を繰り返すことがない分だけ１枚の検査対象基板Ｘの検査に要する時間を充分に短縮することができる。

１ 基板検査装置
３ａ，３ｂ コンタクトプローブ
４ａ，４ｂ 移動機構
５ 測定部
８ 処理部
９ 記憶部
１０ 基板検査処理
Ｃ 静電容量
Ｄ０ 検査用データ
Ｄ１ 測定値データ
Ｄ２ 検査結果データ
Ｌ インダクタンス成分
Ｐａ，Ｐｂ 検査ポイント
Ｘ 検査対象基板
Ｙａ，Ｙｂ 導体パターン

Claims (6)

1. 検査対象基板に接触させられる一対の検査用プローブと、
   前記両検査用プローブを移動させる移動機構と、
   前記両検査用プローブを介して予め規定された検査用被測定量を測定する測定部と、
   前記移動機構を制御して前記検査対象基板上の一対の検査ポイントに前記両検査用プローブをそれぞれ接触させるプロービング処理、および前記測定部を制御して前記検査用被測定量を測定させると共に当該測定部による測定結果に基づいて前記一対の検査ポイントの間の良否を判別する検査処理を実行する処理部とを備えた基板検査装置であって、
   前記処理部は、前記検査対象基板において相互に絶縁されているべき前記一対の検査ポイントの間の良否を検査するときに、前記プロービング処理を実行して当該両検査ポイントに前記両検査用プローブをそれぞれ接触させた後に、前記測定部を制御して前記両検査用プローブの間に予め規定された電圧値の交流電圧を印加させた状態において当該両検査用プローブの間を流れる電流の電流値を測定させる第１の処理を実行すると共に、当該第１の処理において測定された電流値に基づいて前記両検査ポイントの間の静電容量値を演算する第２の処理を実行し、
   前記第２の処理によって演算した静電容量値が予め規定された第１の基準値以上のときには、前記両検査ポイントを対象とする前記検査処理を実行すると共に、前記第２の処理によって演算した静電容量値が前記第１の基準値を下回るときには、前記第１の処理において測定された電流値に基づいて前記両検査ポイント間のインピーダンス値を演算する第３の処理を実行し、
   前記第３の処理によって演算したインピーダンス値が予め規定された第２の基準値以下のときには、前記両検査ポイントを対象とする前記検査処理を実行すると共に、前記第３の処理によって演算したインピーダンス値が前記第２の基準値を超えているときには、前記両検査用プローブが前記両検査ポイントに正常に接触していないと判別して前記検査処理を実行することなく予め規定された第４の処理を実行する基板検査装置。
2. 検査対象基板に接触させられる一対の検査用プローブと、
   前記両検査用プローブを移動させる移動機構と、
   前記両検査用プローブを介して予め規定された検査用被測定量を測定する測定部と、
   前記移動機構を制御して前記検査対象基板上の一対の検査ポイントに前記両検査用プローブをそれぞれ接触させるプロービング処理、および前記測定部を制御して前記検査用被測定量を測定させると共に当該測定部による測定結果に基づいて前記一対の検査ポイントの間の良否を判別する検査処理を実行する処理部とを備えた基板検査装置であって、
   前記処理部は、前記検査対象基板において相互に絶縁されているべき前記一対の検査ポイントの間の良否を検査するときに、前記プロービング処理を実行して当該両検査ポイントに前記両検査用プローブをそれぞれ接触させた後に、前記測定部を制御して前記両検査用プローブの間に予め規定された電圧値の交流電圧を印加させた状態において当該両検査用プローブの間を流れる電流の電流値を測定させる第１の処理を実行すると共に、当該第１の処理において測定された電流値に基づいて前記両検査ポイントの間の静電容量値を演算する第２の処理を実行し、
   前記第２の処理によって演算した静電容量値が予め規定された第１の基準値以上のときには、前記両検査ポイントを対象とする前記検査処理を実行すると共に、前記第２の処理によって演算した静電容量値が前記第１の基準値を下回るときには、前記第１の処理において測定された電流値に基づいて前記両検査ポイント間のインピーダンス値を演算する第３の処理を実行し、
   前記第３の処理によって演算したインピーダンス値が予め規定された第２の基準値以下のときには、前記検査処理を実行することなく前記両検査ポイント間の絶縁状態が不良であると判別すると共に、前記第３の処理によって演算したインピーダンス値が前記第２の基準値を超えているときには、前記両検査用プローブが前記両検査ポイントに正常に接触していないと判別して前記検査処理を実行することなく予め規定された第４の処理を実行する基板検査装置。
3. 前記処理部は、前記両検査用プローブが正常に接触していないと判別した前記両検査ポイントを対象とする前記プロービング処理を前記第４の処理として実行した後に、前記第１の処理および前記第２の処理を再び実行すると共に、当該第２の処理によって演算した静電容量値に応じて前記検査処理、および前記第３の処理以降の各処理のいずれかを実行する請求項１または２記載の基板検査装置。
4. 検査対象基板上の一対の検査ポイントに一対の検査用プローブをそれぞれ接触させるプロービング処理、および前記両検査用プローブを介して予め規定された検査用被測定量を測定すると共にその測定結果に基づいて前記一対の検査ポイントの間の良否を判別する検査処理を実行する基板検査方法であって、
   前記検査対象基板において相互に絶縁されているべき前記一対の検査ポイントの間の良否を検査するときに、前記プロービング処理を実行して当該両検査ポイントに前記両検査用プローブをそれぞれ接触させた後に、前記両検査用プローブの間に予め規定された電圧値の交流電圧を印加させた状態において当該両検査用プローブの間を流れる電流の電流値を測定する第１の処理を実行すると共に、当該第１の処理において測定された電流値に基づいて前記両検査ポイントの間の静電容量値を演算する第２の処理を実行し、
   前記第２の処理によって演算した静電容量値が予め規定された第１の基準値以上のときには、前記両検査ポイントを対象とする前記検査処理を実行すると共に、前記第２の処理によって演算した静電容量値が前記第１の基準値を下回るときには、前記第１の処理において測定された電流値に基づいて前記両検査ポイント間のインピーダンス値を演算する第３の処理を実行し、
   前記第３の処理によって演算したインピーダンス値が予め規定された第２の基準値以下のときには、前記両検査ポイントを対象とする前記検査処理を実行すると共に、前記第３の処理によって演算したインピーダンス値が前記第２の基準値を超えているときには、前記両検査用プローブが前記両検査ポイントに正常に接触していないと判別して前記検査処理を実行することなく予め規定された第４の処理を実行する基板検査方法。
5. 検査対象基板上の一対の検査ポイントに一対の検査用プローブをそれぞれ接触させるプロービング処理、および前記両検査用プローブを介して予め規定された検査用被測定量を測定すると共にその測定結果に基づいて前記一対の検査ポイントの間の良否を判別する検査処理を実行する基板検査方法であって、
   前記検査対象基板において相互に絶縁されているべき前記一対の検査ポイントの間の良否を検査するときに、前記プロービング処理を実行して当該両検査ポイントに前記両検査用プローブをそれぞれ接触させた後に、前記両検査用プローブの間に予め規定された電圧値の交流電圧を印加させた状態において当該両検査用プローブの間を流れる電流の電流値を測定する第１の処理を実行すると共に、当該第１の処理において測定された電流値に基づいて前記両検査ポイントの間の静電容量値を演算する第２の処理を実行し、
   前記第２の処理によって演算した静電容量値が予め規定された第１の基準値以上のときには、前記両検査ポイントを対象とする前記検査処理を実行すると共に、前記第２の処理によって演算した静電容量値が前記第１の基準値を下回るときには、前記第１の処理において測定された電流値に基づいて前記両検査ポイント間のインピーダンス値を演算する第３の処理を実行し、
   前記第３の処理によって演算したインピーダンス値が予め規定された第２の基準値以下のときには、前記検査処理を実行することなく前記両検査ポイント間の絶縁状態が不良であると判別すると共に、前記第３の処理によって演算したインピーダンス値が前記第２の基準値を超えているときには、前記両検査用プローブが前記両検査ポイントに正常に接触していないと判別して前記検査処理を実行することなく予め規定された第４の処理を実行する基板検査方法。
6. 前記両検査用プローブが正常に接触していないと判別した前記両検査ポイントを対象とする前記プロービング処理を前記第４の処理として実行した後に、前記第１の処理および前記第２の処理を再び実行すると共に、当該第２の処理によって演算した静電容量値に応じて前記検査処理、および前記第３の処理以降の各処理のいずれかを実行する請求項４または５記載の基板検査方法。

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