JP2002014134A - 回路基板検査装置 - Google Patents

回路基板検査装置

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JP2002014134A
JP2002014134A JP2000197430A JP2000197430A JP2002014134A JP 2002014134 A JP2002014134 A JP 2002014134A JP 2000197430 A JP2000197430 A JP 2000197430A JP 2000197430 A JP2000197430 A JP 2000197430A JP 2002014134 A JP2002014134 A JP 2002014134A
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Yoshinori Sato
義典 佐藤
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Hioki EE Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 静電容量測定による検査の信頼性を向上させ
る。 【解決手段】 回路基板Pの導体パターンに接触可能な
接触型プローブ4,5を備え、接触型プローブ4,5を
相互に絶縁されている導体パターンに接触させて各導体
パターンおよび基準電極2b間の静電容量を測定し、測
定した各静電容量に基づいて各導体パターンの良否を検
査する回路基板検査装置1において、各導体パターンに
それぞれ接触させた状態の接触型プローブ4,5間に検
査用交流信号を供給すると共にその状態において接触型
プローブ4,5間に流れる電流の電流値、検査用交流信
号の電圧値、並びに検査用交流信号の電圧位相および電
流位相間の位相差の少なくとも1つに基づいて特定され
る測定パラメータを測定する測定部6と、その測定パラ
メータおよび所定の基準値を比較して導体パターンに対
する接触型プローブ4,5の接触状態を判別する判別部
8とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、検査対象の回路基
板に形成された導体パターンと基準電極との間の静電容
量を測定し、その測定した静電容量に基づいて導体パタ
ーンの良否を検査可能に構成された回路基板検査装置に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】この種の静電容量測定に基づいて導体パ
ターンの良否を検査する回路基板検査装置として、図5
(a)に示す回路基板検査装置31が従来から知られて
いる。この回路基板検査装置31は、表面に絶縁フィル
ム2aが貼付された平板状の基準電極2bを有する電極
部2と、接触型の検査用プローブ4,5と、基準電極2
bおよび検査対象の導体パターン間の静電容量を測定す
る測定部6とを備えている。この場合、回路基板検査装
置31では、少なくとも2本の検査用プローブ4,5を
検査対象の導体パターンにそれぞれ接触させた状態で、
図外の切替手段によって各検査用プローブ4,5を測定
部6に順次切替え接続して静電容量を測定することによ
り、検査時間の短縮が図られている。具体的には、同図
に示すように、検査対象の回路基板Pを電極部2上に載
置した後、回路基板P上の例えば隣接する導体パターン
21,22の各端点に検査用プローブ4,5をそれぞれ
接触させる。次に、例えば導体パターン21の端点と基
準電極2bとの間の静電容量、および導体パターン22
の端点と基準電極2bとの間の静電容量を順に測定す
る。次いで、測定した2つの静電容量と、良品の回路基
板から予め吸収した測定容量に基づいて規定された基準
容量範囲とを比較する。この場合、測定した両静電容量
が共に基準容量範囲内のときには、導体パターン21,
22が正常と判別する。一方、測定したいずれかの静電
容量が基準容量範囲を外れるときには、その導体パター
ン21(または22)に、他の導体パターンとの間での
短絡、または断線が発生していると判別する。以上の処
理によって回路基板Pが検査される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の回路
基板検査装置31には、以下の問題点がある。すなわ
ち、回路基板検査装置31では、検査用プローブ4,5
を例えば導体パターン21,22に接触させ、その状態
で、両検査用プローブ4,5を測定部に順次切替え接続
することによって静電容量を測定している。したがっ
て、検査用プローブ4,5間の静電容量をC1、導体パ
ターン21および基準電極2b間の静電容量をC2、並
びに導体パターン22および基準電極2b間の静電容量
をC3とした場合、値(C2+C1・C3/(C1+C
3))が検査用プローブ4および基準電極2b間の静電
容量として測定される。しかし、検査用プローブ5が導
体パターン22から外れて回路基板Pの例えばレジスト
部分にプロービングされた場合には、測定される検査用
プローブ4および基準電極2b間の静電容量がほぼ値C
1となり、本来測定されるべき静電容量よりも低い値と
なる。したがって、かかる場合には、導体パターン21
が正常であるにも拘わらず、断線が発生していると誤っ
て判別される。このため、従来の回路基板検査装置31
には、検査対象以外の導体パターンにプロービングされ
るべき検査用プローブの接触不良に起因して、検査対象
の導体パターンに対する検査の信頼性が低下するという
問題点がある。
【0004】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり、静電容量測定による検査の信頼性を向上す
ることが可能な回路基板検査装置を提供することを主目
的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく請
求項1記載の回路基板検査装置は、検査対象の回路基板
に形成された導体パターンに接触可能な接触型プローブ
を少なくとも一対備え、一対の接触型プローブを相互に
絶縁されている一対の導体パターンに接触させて各導体
パターンおよび基準電極間の静電容量をそれぞれ測定
し、その測定した各静電容量に基づいて各導体パターン
の良否を検査可能に構成された回路基板検査装置におい
て、各導体パターンにそれぞれ接触させた状態の一対の
接触型プローブ間に検査用交流信号を供給すると共にそ
の状態において一対の接触型プローブ間に流れる電流の
電流値、供給した検査用交流信号の電圧値、並びに検査
用交流信号の電圧位相および電流位相間の位相差の少な
くとも1つに基づいて特定される測定パラメータを測定
する測定部と、その測定パラメータおよび所定の基準値
を比較してその比較結果に基づいて導体パターンに対す
る一対の接触型プローブの接触状態を判別する判別部と
を備えていることを特徴とする。
【0006】また、請求項2記載の回路基板検査装置
は、請求項1記載の回路基板検査装置において、測定部
は、測定パラメータとして電流値を測定し、判別部は、
測定した電流値と所定の基準値としての基準電流値とを
比較して比較結果を得ることを特徴とする。
【0007】さらに、請求項3記載の回路基板検査装置
は、請求項1記載の回路基板検査装置において、測定部
は、測定パラメータとして一対の接触型プローブ間の静
電容量を測定し、判別部は、測定した静電容量と所定の
基準値としての基準容量とを比較して比較結果を得るこ
とを特徴とする。
【0008】また、請求項4記載の回路基板検査装置
は、請求項1から3のいずれかに記載の回路基板検査装
置において、一対の接触型プローブを移動させる移動機
構と、移動機構を駆動制御する制御部とを備え、制御部
は、判別部によって一対の接触型プローブが非接触状態
と判別されたときに移動機構を駆動制御することにより
一対の接触型プローブに対して再プロービングを行うこ
とを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明に係る回路基板検査装置の好適な発明の実施の形態に
ついて説明する。
【0010】最初に、回路基板検査装置1の構成につい
て、図1を参照して説明する。なお、従来の回路基板検
査装置31と同一の構成要素については同一の符号を付
して重複した説明を省略する。
【0011】同図に示すように、回路基板検査装置1
は、電極部2、移動機構3a,3b、接触型の検査用プ
ローブ4,5、測定部6、切替部7、制御部8、RAM
9およびROM10を備えて構成されている。この場
合、電極部2は、表面に絶縁フィルム2aが貼付された
平板状の基準電極2bを有し検査対象の回路基板Pを載
置可能に構成されている。また、移動機構3a,3bに
は、プローブ固定具4a,5aを介して検査用プローブ
4,5が取り付けられた状態で基準電極部2の上方に配
設されている。測定部6は、後述するように、検査用プ
ローブ4(または5)および基準電極2b間の静電容量
や、検査用プローブ4,5間の静電容量などを測定す
る。切替部7は、制御部8の制御下で検査用プローブ
4,5と測定部6との接続を切り替えるスイッチ11〜
14を備えて構成されている。制御部8は、本発明にお
ける判別部および制御部として機能し、測定部6によっ
て測定された静電容量などの測定値に基づく回路基板P
に対する検査処理や、移動機構3a,3bの駆動制御な
どを実行する。RAM9は、良品回路基板から予め吸収
した検査用基準データ、および制御部8の演算結果など
を一時的に記憶する。ROM10は、制御部8の動作プ
ログラムを記憶する。
【0012】一方、図2,4に示すように、検査対象の
回路基板Pには、導体パターン21〜24を初めとする
数多くの導体パターンが形成されている。この場合、例
えば、導体パターン24は、回路基板Pの裏面側に形成
されたグランドパターン25に接続されている。
【0013】次に、回路基板検査装置1による検査処理
について、各図を参照して説明する。
【0014】最初に、検査処理の概要について説明する
と、この回路基板検査装置1では、回路基板Pの良否判
別に際して、一対の検査用プローブ4,5を、相互に絶
縁されている一対の導体パターンに接触させてた状態
で、その各導体パターンおよび基準電極2b間の静電容
量をそれぞれ測定し、その測定した各静電容量に基づい
て導体パターンの良否を検査する。また、回路基板検査
装置1では、各導体パターンおよび基準電極2b間の静
電容量の測定に先立ち、検査用プローブ4,5と導体パ
ターンとの接触状態を検査し、検査用プローブ4,5と
導体パターンとが非接触状態と判別したときには、検査
用プローブ4,5に対して再プロービングを行った後
に、上記した静電容量測定による導体パターンの良否検
査を実行する。
【0015】具体的には、まず、導体パターンの形成面
を上向きにして回路基板Pを電極部2の上に載置する。
次に、制御部8が、移動機構3a,3bを制御して、図
4(a)に示すように、検査用プローブ4,5を例えば
導体パターン21,22にそれぞれ接触させる。次い
で、制御部8は、切替部7の各スイッチ11〜14を切
替制御することにより、各接点cを各接点aに接続す
る。これにより、検査用プローブ4,5が切替部7を介
して測定部6にそれぞれ接続される。続いて、測定部6
は、検査信号として交流電圧を両検査用プローブ4,5
間に供給すると共に、両検査用プローブ4,5間に流れ
る電流を測定する。次いで、供給した交流電圧の電圧値
と、測定した電流値と、電圧位相および電流位相間の位
相差とに基づいて特定される両導体パターン21,22
間の静電容量Cを測定する。
【0016】この際に、図4(a)に示すように、検査
用プローブ4,5の両者が導体パターン21,22に正
常に接触しているときには、値(C1+C2・C3/
(C2+C3))が静電容量Cとして測定される。一
方、同図(b)に示すように、例えば検査用プローブ5
が導体パターン22に非接触状態のときには、値(C1
+C2・C3/(C2+C3))よりも十分に小さい値
C4が静電容量Cとして測定される。したがって、制御
部8は、その両導体パターン21,22に予め対応させ
られている検査用基準データとしての基準容量を下回る
静電容量Cが測定されたときには、検査用プローブ4,
5の少なくとも一方に接触不良が発生していると判別す
る。この際に、制御部8は、移動機構3a,3bを駆動
制御して、検査用プローブ4,5を僅かに移動させた
後、導体パターン21,22に検査用プローブ4,5を
再度接触させる。つまり、再プロービングを行う。次い
で、制御部8は、再プロービングした状態において、上
記した接触状態の検査を再度実行する。
【0017】一方、制御部8は、検査用プローブ4,5
の両者が導体パターン21,22に正常に接触している
と判別したときには、切替部7の各スイッチ11,12
を切替制御することにより、各接点cを各接点bに接続
する。これにより、図5(a)に示すように、検査用プ
ローブ4および基準電極2bが測定部6にそれぞれ接続
される。次に、測定部6が、検査信号として交流電圧を
検査用プローブ4および基準電極2b間に印加して、検
査用プローブ4および基準電極2b間の静電容量Cを測
定する。この際に、値(C2+C1・C3/(C1+C
3))の静電容量Cが測定される。次いで、制御部8
は、測定された静電容量CとRAM9から読み出した検
査用基準データとを比較することにより、導体パターン
21についての短絡および絶縁の有無を判別する。具体
的には、制御部8は、測定された静電容量Cが導体パタ
ーン21に予め対応させられている検査用基準データと
しての基準容量の下限値を下回るときには、導体パター
ン21に断線が発生していると判別し、測定された静電
容量Cが基準容量の上限値を上回るときには、導体パタ
ーン21と他の導体パターンとの間に短絡が発生してい
ると判別し、下限値から上限値の範囲内のときには、導
体パターン21が正常と判別する。
【0018】次に、制御部8は、切替部7のスイッチ1
2を切替制御することにより、接点cを接点aに接続す
る。これにより、図5(b)に示すように、検査用プロ
ーブ5および基準電極2bが測定部6にそれぞれ接続さ
れる。次に、測定部6が、検査信号を検査用プローブ5
および基準電極2b間に印加すると共に、検査用プロー
ブ5および基準電極2b間の静電容量Cを測定する。こ
の際に、値(C3+C1・C2/(C1+C2))の静
電容量Cが測定される。次いで、制御部8は、測定され
た静電容量Cが導体パターン22に予め対応させられて
いる検査用基準データとしての基準容量の下限値を下回
るときには、導体パターン22に断線が発生していると
判別し、測定された静電容量Cが基準容量の上限値を上
回るときには、導体パターン22と他の導体パターンと
の間に短絡が発生していると判別し、下限値から上限値
の範囲内のときには、導体パターン22が正常と判別す
る。
【0019】続いて、導体パターン23,24について
の断線・短絡検査を実行する。この際には、制御部8
は、移動機構3a,3bを駆動制御して、図2(a)に
示すように、検査用プローブ4,5を導体パターン2
3,24にそれぞれ接触させる。次いで、制御部8は、
切替部7の各スイッチ11〜14を切替制御して各接点
cを各接点aに接続した後、両検査用プローブについて
の接触状態の検査を実行する。この場合、同図(a)に
示すように、検査用プローブ4,5の両者が導体パター
ン23,24に正常に接触しているときには、値(C1
2+C11)が静電容量Cとして測定される。なお、両
検査用プローブ4,5間の静電容量をC11とし、検査
用プローブ4および導体パターン25間の静電容量をC
12とする。
【0020】一方、図2(b)に示すように、例えば検
査用プローブ5が導体パターン24に非接触の状態のと
きには、値(C12+C11)よりも十分に小さい値C
4が静電容量Cとして測定される。したがって、制御部
8は、その両導体パターン23,24に予め対応させら
れている検査用基準データとしての基準容量を下回る静
電容量Cが測定されたときには、検査用プローブ4,5
の少なくとも一方に接触不良が発生していると判別す
る。この際にも、制御部8は、移動機構3a,3bを駆
動制御して、検査用プローブ4,5を僅かに移動させた
後、導体パターン23,24に検査用プローブ4,5を
再度接触させ、その状態において、上記した接触状態の
検査を再度実行する。
【0021】また、制御部8は、検査用プローブ4,5
の両者が導体パターン23,24に正常に接触している
と判別したときには、切替部7の各スイッチ11,1
2,14を切替制御することにより、各接点cを各接点
bに接続する。これにより、図3(a)に示すように、
検査用プローブ4および基準電極2bが測定部6にそれ
ぞれ接続されると共に、検査用プローブ5が基準電極2
bと同電位に接続される。次に、測定部6が、検査信号
として交流電圧を検査用プローブ4および基準電極2b
間に印加して、検査用プローブ4および基準電極2b間
の静電容量Cを測定する。この際に、値(C11+C1
2)の静電容量Cが測定される。次いで、制御部8は、
測定された静電容量CとRAM9から読み出した検査用
基準データとを比較することにより、上記した導体パタ
ーン21,22についての短絡および絶縁の有無判別と
同様にして、導体パターン23についての短絡および絶
縁の有無を判別する。
【0022】次に、制御部8は、切替部7のスイッチ1
2,14を切替制御することにより、接点cを接点aに
接続し、スイッチ13を切替制御することにより、接点
cを接点bに接続する。これにより、図3(b)に示す
ように、検査用プローブ5および基準電極2bが測定部
6にそれぞれ接続されると共に、検査用プローブ4が基
準電極2bと同電位に接続される。次に、測定部6が、
検査信号を検査用プローブ5および基準電極2b間に印
加して、検査用プローブ5および基準電極2b間の静電
容量Cを測定する。この場合、導体パターン25および
基準電極2b間の静電容量をC13とすれば、値(C1
1+C13)の静電容量Cが測定される。次いで、制御
部8は、上記した導体パターン21,22についての短
絡および絶縁の有無判別と同様にして、導体パターン2
3についての短絡および絶縁の有無を判別する。以上の
ように、各導体パターン21〜24についての短絡絶縁
検査に先立って検査用プローブ4,5と各導体パターン
との接触状態を判別することにより、検査用プローブ
4,5に接触不良が生じている状態での検査を回避する
ことができるため、短絡絶縁検査に対する信頼性を向上
させることができる。
【0023】なお、本発明は、上記した発明の実施の形
態に限定されない。例えば、回路基板検査装置1では、
検査用プローブ4,5間の静電容量を本発明における測
定パラメータとして測定し、その静電容量と基準容量と
を比較することにより、導体パターン21〜24につい
ての短絡および絶縁の有無を判別しているが、両検査用
プローブ4,5間を流れる交流電流の値を測定し、その
電流値と基準電流値と比較することによって導体パター
ン21〜24についての短絡および絶縁の有無を判別す
ることもできる。ただし、この構成を採用した場合、測
定自体を短時間で行うことができる利点があるが、検査
用プローブ4(または5)と導体パターンとの間の接触
抵抗の大きさによって電流値が変動することに起因して
測定精度が低下するおそれがある。また、接触抵抗の影
響をなくすためには、四端子法によって電流値を測定す
る必要がある。これに対して、測定パラメータとして検
査用プローブ4,5間の静電容量を測定することで、二
端子法で測定できるため、回路基板検査装置1を簡易に
構成することができる。
【0024】また、回路基板検査装置1では、本発明に
おける判別部と制御部とを一体化した構成を採用してい
るが、両者を別個の回路で構成することができるのは勿
論である。さらに、本発明の実施の形態では、本発明に
おける基準電極として電極部2の基準電極2bを用いた
例について説明したが、例えば、検査対象の回路基板P
において広い面積を有するグランドパターンや電源パタ
ーンなどを基準電極として用いることもできる。
【0025】
【発明の効果】以上のように、請求項1記載の回路基板
検査装置によれば、判別部が、測定部によって測定され
た測定パラメータおよび所定の基準値を比較してその比
較結果に基づいて導体パターンに対する一対の接触型プ
ローブの接触状態を判別することにより、接触型プロー
ブに接触不良が生じている状態での検査を回避すること
ができるため、静電容量測定による検査の信頼性を向上
させることができる。
【0026】また、請求項2記載の回路基板検査装置に
よれば、測定部が一対の接触型プローブ間を流れる電流
値を測定パラメータとして測定することにより、接触型
プローブの接触不良を短時間で判別することができる
【0027】さらに、請求項3記載の回路基板検査装置
によれば、測定部が、測定パラメータとして一対の接触
型プローブ間の静電容量を測定することにより、二端子
法で測定パラメータを測定することができるため、回路
基板検査装置を簡易に構成することができる結果、装置
のコストを高騰させることなく、静電容量測定による検
査の信頼性を向上させることができる。
【0028】また、請求項4記載の回路基板検査装置に
よれば、一対の接触型プローブを移動させる移動機構
と、移動機構を駆動制御する制御部とを備え、制御部
が、判別部によって一対の接触型プローブが非接触状態
と判別されたときに移動機構を駆動制御して一対の接触
型プローブに対して再プロービングを行うことにより、
接触不良に起因して中断することなく静電容量測定によ
る検査を継続させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る回路基板検査装置1
の構成を示す構成図である。
【図2】(a),(b)は、回路基板検査装置1による
検査用プローブ4,5の接触状態を検査する際の説明図
である。
【図3】(a),(b)は、回路基板検査装置1による
導体パターン23,24についての断線・短絡検査を行
う際の説明図である。
【図4】(a),(b)は、回路基板検査装置1による
検査用プローブ4,5の接触状態を検査する際の説明図
である。
【図5】(a)は、回路基板検査装置1,31による導
体パターン21,22についての断線・短絡検査を行う
際の説明図、(b)は、回路基板検査装置1による導体
パターン21,22についての断線・短絡検査を行う際
の説明図である。
【符号の説明】
1 回路基板検査装置 2b 基準電極 3a,3b 移動機構 4,5 検査用プローブ 6 測定部 7 切替部 8 制御部 21〜24 導体パターン C1〜C4,C11〜13 静電容量 P 回路基板

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 検査対象の回路基板に形成された導体パ
    ターンに接触可能な接触型プローブを少なくとも一対備
    え、当該一対の接触型プローブを相互に絶縁されている
    一対の前記導体パターンに接触させて当該各導体パター
    ンおよび基準電極間の静電容量をそれぞれ測定し、その
    測定した各静電容量に基づいて当該各導体パターンの良
    否を検査可能に構成された回路基板検査装置において、 前記各導体パターンにそれぞれ接触させた状態の前記一
    対の接触型プローブ間に検査用交流信号を供給すると共
    にその状態において当該一対の接触型プローブ間に流れ
    る電流の電流値、当該供給した検査用交流信号の電圧
    値、並びに当該検査用交流信号の電圧位相および電流位
    相間の位相差の少なくとも1つに基づいて特定される測
    定パラメータを測定する測定部と、その測定パラメータ
    および所定の基準値を比較してその比較結果に基づいて
    前記導体パターンに対する前記一対の接触型プローブの
    接触状態を判別する判別部とを備えていることを特徴と
    する回路基板検査装置。
  2. 【請求項2】 前記測定部は、前記測定パラメータとし
    て前記電流値を測定し、前記判別部は、前記測定した電
    流値と前記所定の基準値としての基準電流値とを比較し
    て前記比較結果を得ることを特徴とする請求項1記載の
    回路基板検査装置。
  3. 【請求項3】 前記測定部は、前記測定パラメータとし
    て前記一対の接触型プローブ間の静電容量を測定し、前
    記判別部は、前記測定した静電容量と前記所定の基準値
    としての基準容量とを比較して前記比較結果を得ること
    を特徴とする請求項1記載の回路基板検査装置。
  4. 【請求項4】 前記一対の接触型プローブを移動させる
    移動機構と、当該移動機構を駆動制御する制御部とを備
    え、当該制御部は、前記判別部によって前記一対の接触
    型プローブが非接触状態と判別されたときに前記移動機
    構を駆動制御することにより前記一対の接触型プローブ
    に対して再プロービングを行うことを特徴とする請求項
    1から3のいずれかに記載の回路基板検査装置。
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