JP6999327B2 - 基板検査装置 - Google Patents

Description

本発明は、検査対象基板の導体パターンに接触させた検査用プローブを介して測定した測定値に基づいて導体パターンの良否を判別する基板検査装置に関するものである。

この種の基板検査装置として、出願人は、下記の公報に回路基板検査装置の発明を開示している。出願人が開示している回路基板検査装置（以下、「基板検査装置」ともいう）は、表面に絶縁フィルムが貼付された電極を有する電極部、一対の検査用プローブ、両検査用プローブを移動させる移動機構、両検査用プローブを介して測定処理を行う測定部、および装置を総括的に制御する制御部などを備え、検査対象の回路基板に形成された各導体パターンの絶縁状態や導通状態を検査することができるように構成されている。

この基板検査装置による回路基板の検査に際しては、まず、導体パターンの形成面を上向きにして電極部の上に回路基板を載置する。次いで、一対の導体パターンの間の絶縁検査を行うときには、制御部が、移動機構を制御して対象の両導体パターンにおける各検査位置（検査ポイント）に両検査用プローブをそれぞれ接触させる。続いて、制御部は、両検査用プローブが両検査ポイントにそれぞれ正常に接触しているか否かを確認する処理（以下、「確認処理」ともいう）を実行する。

具体的には、制御部は、測定部を制御することにより、検査ポイントと電極部における電極との間の静電容量（検査用プローブと電極との間の静電容量）を測定する。より具体的には、一例として、検査ポイントに接触させた検査用プローブと電極との間に交流電圧を印加した状態において検査用プローブと電極との間を流れる電流の電流値を測定し、測定された電流値と印加した電圧の電圧値とに基づいて静電容量を演算する。

この場合、例えば、検査用プローブが検査ポイントに正常に接触していないときには、その検査用プローブと電極間との間を流れる電流の電流値が低下するため、演算される静電容量が接触状態判別用データの下限値を下回る。したがって、制御部は、そのような静電容量が測定されたときに、その検査ポイントに検査用プローブが正常に接触していないと判別し、一例として、正常に接触していないと判別した検査ポイントと検査的に等価な他の検査ポイントに検査用プローブを移動させた後に、上記の確認処理を再び実行する。

一方、検査ポイントに検査用プローブが正常に接触しているときには、接触状態判別用データにおける上記の下限値以上の静電容量が測定される。この際には、検査ポイントに検査用プローブが正常に接触していると判別する。したがって、制御部は、その検査用プローブを使用した導体パターンの良否の検査を開始する。具体的には、制御部は、測定部を制御して検査用プローブ（導体パターン上の検査ポイント）と電極との間に検査用の交流電圧を印加して検査用プローブと電極間との間を流れる電流の電流値を測定し、測定された電流値と印加した電圧の電圧値とに基づいて静電容量を演算する。

この場合、例えば、検査用プローブを接触させている導体パターンに欠損が生じている場合には、検査用プローブに電気的に接続された状態の導体部（導体パターン）の面積が正常状態よりも狭くなり、演算される静電容量が検査用基準データの下限値を下回る。また、検査用プローブを接触させている導体パターンと他の導体パターンとの間に短絡が生じている場合には、検査用プローブに電気的に接続された状態の導体部（短絡した状態の複数の導体パターン）の合計面積が検査対象の導体パターン単体の面積よりも広くなり、演算される静電容量が検査用基準データの上限値を超える。

したがって、制御部は、検査用基準データの下限値を下回る静電容量、または上限値を超える静電容量が測定されたときに、検査用プローブを接触させている検査ポイントの導体パターンに不良が生じていると判別する。一方、検査用プローブを接触させている導体パターンに欠損や短絡などが生じていない場合には、検査用基準データの下限値から上限値までの範囲内の静電容量が測定されるため、制御部は、そのような静電容量が測定されたときに、検査用プローブを接触させている検査ポイントの導体パターンが正常であると判別する。

この後、他の検査ポイント間についても、検査用プローブの移動（検査ポイントへの接触）、確認処理、および不良の有無の判別などの各処理を順次実行することにより、回路基板の良否が検査される。

特開２００１－２４２２１１号公報（第３－５頁、第１－２図）

ところが、出願人が開示している基板検査装置には、以下のような改善すべき課題が存在する。具体的には、出願人が開示している基板検査装置では、検査用プローブ（検査ポイント）および電極の間の実測値（測定値：静電容量）と接触状態判別用データとに基づいて検査用プローブが検査ポイントに正常に接触しているか否かを判別し、正常に接触していると判別したときに、検査用プローブ（検査ポイント）および電極の実測値と検査用基準データとに基づいて検査用プローブを接触させている検査ポイントの導体パターンが正常であるか否かを判別する構成が採用されている。

この場合、検査対象基板のなかには、各種電子部品が接続される導体パターン（ある程度の面積を有している導体パターン）だけでなく、電子部品等が接続されることのない点的な導体パターン（その面積が非常に小さい導体パターン：以下「極小パターン」ともいう）が形成されたものが存在する。また、検査対象基板の小形化およびファインピッチ化に伴い、極小パターンの大きさがさらに小さくなる傾向がある。

このような極小パターンの良否を検査する際には、前述したような測定処理によって静電容量を測定したときに、極小パターンに検査用プローブが正常に接触している状態で測定される静電容量と接触していない状態で測定される静電容量とが同程度となり、その差が非常に小さくなる。したがって、極小パターンを有する検査対象基板を検査するための接触状態判別用データを生成する際には、その下限値の規定が非常に困難となっている。

具体的には、いずれかの極小パターンについての接触状態判別用データにおける下限値を過剰に小さく規定してしまった場合には、極小パターンに検査用プローブが正常に接触しているにも拘わらず接触不良が生じていると誤って判別されるおそれがある。また、いずれかの極小パターンについての接触状態判別用データにおける下限値を過剰に大きく規定してしまった場合には、極小パターンに検査用プローブが正常に接触していないにも拘わらず正常に接触していると誤って判別されるおそれがある。

このため、この種の基板検査装置による検査対象基板の検査に不慣れな者にとっては、上記のような誤った判別を招くことがないように極小パターンについての接触状態判別用データの下限値（判別用基準値）を規定するのが困難となっており、この点を改善するのが好ましい。

本発明は、かかる改善すべき課題に鑑みてなされたものであり、検査対象基板に形成された各種の導体パターンに検査用プローブが正常に接触しているか否かを好適に判別可能な判別用基準値を容易に生成し得る基板検査装置を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく、請求項１記載の基板検査装置は、検査対象基板に形成された導体パターンに接触させられる検査用プローブと、前記検査対象基板を撮像して撮像データを出力する撮像部と、前記検査用プローブおよび前記撮像部を移動させる移動機構と、前記検査用プローブを介して当該検査用プローブの接触位置と当該接触位置に対して絶縁されている導体部との間についての予め規定された被測定量を測定する測定部と、前記移動機構を制御して前記接触位置に前記撮像部を移動させる第１の移動処理、前記撮像部を制御して当該接触位置を特定可能に前記検査対象基板を撮像させる撮像処理、前記移動機構を制御して前記検査用プローブを前記接触位置に接触させる第２の移動処理、前記測定部を制御して前記被測定量を測定させる測定処理、前記被測定量および判別用基準値に基づいて前記検査用プローブが前記導体パターン上の前記接触位置に正常に接触しているか否かを判別する接触状態判別処理、並びに前記被測定量および検査用基準値に基づいて前記導体パターンの良否を判別する検査処理を実行する処理部とを備え、前記処理部は、前記導体パターンに前記検査用プローブが接触した状態となる第１の位置を前記接触位置とする前記第２の移動処理および前記測定処理を実行すると共に前記測定部によって測定された前記被測定量を第１の値として取得する処理Ａを実行し、かつ前記導体パターンに前記検査用プローブが非接触の状態となる第２の位置を前記接触位置とする前記第１の移動処理および前記撮像処理を実行すると共に前記撮像部から出力された前記撮像データの画像を表示部に表示させ、当該画像に基づいて特定される前記接触位置が前記非接触の状態となる位置であると確認されたときに前記第２の位置を前記接触位置とする前記第２の移動処理および前記測定処理を実行すると共に前記測定部によって測定された前記被測定量を第２の値として取得する処理Ｂを実行し、前記第１の値および前記第２の値に基づいて前記判別用基準値を生成する判別用基準値生成処理を実行可能に構成されている。
また、請求項２記載の基板検査装置は、検査対象基板に形成された導体パターンに接触させられる検査用プローブと、前記検査対象基板を撮像して撮像データを出力する撮像部と、前記検査用プローブおよび前記撮像部を移動させる移動機構と、前記検査用プローブを介して当該検査用プローブの接触位置と当該接触位置に対して絶縁されている導体部との間についての予め規定された被測定量を測定する測定部と、前記移動機構を制御して前記接触位置に前記撮像部を移動させる第１の移動処理、前記撮像部を制御して当該接触位置を特定可能に前記検査対象基板を撮像させる撮像処理、前記移動機構を制御して前記検査用プローブを前記接触位置に接触させる第２の移動処理、前記測定部を制御して前記被測定量を測定させる測定処理、前記被測定量および判別用基準値に基づいて前記検査用プローブが前記導体パターン上の前記接触位置に正常に接触しているか否かを判別する接触状態判別処理、並びに前記被測定量および検査用基準値に基づいて前記導体パターンの良否を判別する検査処理を実行する処理部とを備え、前記処理部は、前記導体パターンに前記検査用プローブが接触した状態となる第１の位置を前記接触位置とする前記第２の移動処理および前記測定処理を実行すると共に前記測定部によって測定された前記被測定量を第１の値として取得する処理Ａを実行し、かつ前記導体パターンに前記検査用プローブが非接触の状態となる第２の位置を前記接触位置とする前記第２の移動処理および前記測定処理を実行した後に当該第２の位置を前記接触位置とする前記第１の移動処理および前記撮像処理を実行すると共に前記撮像部から出力された前記撮像データの画像を表示部に表示させ、当該画像に基づいて特定される前記接触位置が前記非接触の状態となる位置であると確認されたときに前記測定部によって測定された前記被測定量を前記第２の値として取得する処理Ｃを実行し、前記第１の値および前記第２の値に基づいて前記判別用基準値を生成する判別用基準値生成処理を実行可能に構成されている。

また、請求項３記載の基板検査装置は、請求項１または２記載の基板検査装置において、前記処理部は、前記処理Ａにおいて、前記第１の位置を前記接触位置とする前記第１の移動処理および前記撮像処理を実行すると共に前記撮像部から出力された前記撮像データの画像を表示部に表示させ、当該画像に基づいて特定される前記接触位置が前記接触した状態となる位置であると確認されたときに、当該第１の位置を前記接触位置とする前記第２の移動処理および前記測定処理を実行して前記第１の値を取得する。

また、請求項４記載の基板検査装置は、請求項１または２記載の基板検査装置において、前記処理部は、前記処理Ａにおいて、前記第１の位置を前記接触位置とする前記第２の移動処理および前記測定処理を実行した後に当該第１の位置を前記接触位置とする前記第１の移動処理および前記撮像処理を実行すると共に前記撮像部から出力された前記撮像データの画像を表示部に表示させ、当該画像に基づいて特定される前記接触位置が前記接触した状態となる位置であると確認されたときに前記測定部によって測定された前記被測定量を前記第１の値として取得する。

請求項１記載の基板検査装置では、処理部が、接触位置に撮像部を移動させる第１の移動処理、接触位置を特定可能に検査対象基板を撮像させる撮像処理、検査用プローブを接触位置に接触させる第２の移動処理、測定部に被測定量を測定させる測定処理、被測定量および判別用基準値に基づいて検査用プローブが導体パターン上の接触位置に正常に接触しているか否かを判別する接触状態判別処理、並びに被測定量および検査用基準値に基づいて導体パターンの良否を判別する検査処理を実行可能に構成され、導体パターンに検査用プローブが接触した状態となる第１の位置を接触位置とする第２の移動処理および測定処理を実行すると共に測定された被測定量を第１の値として取得する処理Ａを実行し、かつ導体パターンに検査用プローブが非接触の状態となる第２の位置を接触位置とする第１の移動処理および撮像処理を実行すると共に撮像データの画像を表示部に表示させ、画像に基づいて特定される接触位置が「非接触の状態」となる位置であると確認されたときに第２の位置を接触位置とする第２の移動処理および測定処理を実行すると共に測定された被測定量を第２の値として取得する処理Ｂを実行し、第１の値および第２の値に基づいて判別用基準値を生成する判別用基準値生成処理を実行可能に構成されている。
また、請求項２記載の基板検査装置では、処理部が、接触位置に撮像部を移動させる第１の移動処理、接触位置を特定可能に検査対象基板を撮像させる撮像処理、検査用プローブを接触位置に接触させる第２の移動処理、測定部に被測定量を測定させる測定処理、被測定量および判別用基準値に基づいて検査用プローブが導体パターン上の接触位置に正常に接触しているか否かを判別する接触状態判別処理、並びに被測定量および検査用基準値に基づいて導体パターンの良否を判別する検査処理を実行可能に構成され、導体パターンに検査用プローブが接触した状態となる第１の位置を接触位置とする第２の移動処理および測定処理を実行すると共に測定された被測定量を第１の値として取得する処理Ａを実行し、かつ導体パターンに検査用プローブが非接触の状態となる第２の位置を接触位置とする第２の移動処理および測定処理を実行した後に第２の位置を接触位置とする第１の移動処理および撮像処理を実行すると共に撮像データの画像を表示部に表示させ、画像に基づいて特定される接触位置が「非接触の状態」となる位置であると確認されたときに測定された被測定量を第２の値として取得する処理Ｃを実行し、第１の値および第２の値に基づいて判別用基準値を生成する判別用基準値生成処理を実行可能に構成されている。

したがって、請求項１または２記載の基板検査装置によれば、検査用プローブが接触している状態と接触していない状態とで測定される被測定量が大きく相違することのない非常に小さな導体パターンについても、そのような導体パターンに検査用プローブが正常に接触しているか否かを好適に判別可能な判別用基準値を、検査用プローブが導体パターンに接触させられた状態で取得される第１の値と、表示部に表示される検査対象基板の像を見たオペレータによって、「接触位置」が「非接触の状態」となる位置であることが確認されたうえで取得される第２の値との両値に基づき、確実かつ容易に生成することができる。

請求項３記載の基板検査装置では、処理部が、処理Ａにおいて、第１の位置を接触位置とする第１の移動処理および撮像処理を実行すると共に撮像データの画像を表示部に表示させ、画像に基づいて特定される接触位置が「接触した状態」となる位置であると確認されたときに、第１の位置を接触位置とする第２の移動処理および測定処理を実行して第１の値を取得する。また、請求項４記載の基板検査装置では、処理部が、処理Ａにおいて、第１の位置を接触位置とする第２の移動処理および測定処理を実行した後に第１の位置を接触位置とする第１の移動処理および撮像処理を実行すると共に撮像データの画像を表示部に表示させ、画像に基づいて特定される接触位置が「接触した状態」となる位置であると確認されたときに測定された被測定量を第１の値として取得する。

したがって、請求項３，４記載の基板検査装置によれば、例えば「接触位置」としての「第１の位置」に塵埃が付着している状態、すなわち、その「接触位置」に検査用プローブを接触させようとしたときに導体パターンに検査用プローブが「非接触の状態」となるおそれがあるときに第１の値が取得されることがないため、導体パターンに接触していない検査用プローブを介して第１の値が取得されて導体パターンに対する検査用プローブの接触状態を正しく判別できない判別用基準値が生成される事態を好適に回避することができる。

基板検査装置１の構成を示す構成図である。 検査対象基板Ｘにおける導体パターンＹ１，Ｙ２・・の一例について説明するための説明図である。 判別用基準値取得処理２０のフローチャートである。 基板検査装置１の表示部９に表示させたプロービング位置確認用画面４０の一例を示す表示画面図である。 基板検査装置１の表示部９に表示させたプロービング位置確認用画面４０の他の一例を示す表示画面図である。

以下、基板検査装置の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。

図１に示す基板検査装置１は、「基板検査装置」の一例であって、基板保持機構２、電極部３、コンタクトプローブ４ａ，４ｂ、カメラ５ａ，５ｂ、移動機構６ａ，６ｂ、測定部７、操作部８、表示部９、処理部１０および記憶部１１を備え、検査対象基板Ｘの良否を電気的に検査可能に構成されている。

この場合、検査対象基板Ｘは「検査対象基板」の一例であって、図２に示すように、導体パターンＹ１，Ｙ２・・（「導体パターン」の一例：以下、区別しないときには「導体パターンＹ」ともいう）が形成されている。また、検査対象基板Ｘに形成された導体パターンＹのなかには、同図に示す導体パターンＹ１，Ｙ２のように、各種電子部品を相互に接続可能にある程度の長さ（広さ）を有しているものだけでなく、同図に示す導体パターンＹ３，Ｙ４のように、各種電子部品等に接続されることのない点的な（非常に狭い）ものも存在する。さらに、各種電子部品等に接続されることのない点的な導体パターンＹのなかには、上記の導体パターンＹ３，Ｙ４よりも大きな（広い）ものも存在する（図示せず）。なお、以下の説明において、導体パターンＹ３，Ｙ４のように各種電子部品等に接続されることのない点的な導体パターンＹを「単独パッド」ともいう。

また、検査対象基板Ｘには、各導体パターンＹの絶縁状態や導通状態を検査するための複数の「検査ポイント」が規定されている。具体的には、例えば、導体パターンＹ１については、電子部品等が接続される箇所に検査ポイントＰ１ａ，Ｐ１ｂなどが規定されている。また、導体パターンＹ２については、電子部品等が接続される箇所に検査ポイントＰ２ａ，Ｐ２ｂなどが規定されている。さらに、単独パッドの一例である導体パターンＹ３については、検査ポイントＰ３が規定され、単独パッドの他の一例である導体パターンＹ４については、検査ポイントＰ４が規定されている。なお、上記の各検査ポイントＰ１ａ，Ｐ１ｂ・・等を区別しないときには「検査ポイントＰ」ともいう。また、本例では、上記の導体パターンＹ３，Ｙ４が互いに等しい大きさ（等しい広さ）で、かつ、すべての導体パターンＹの中で最も小さい（最も狭い）導体パターンＹであるものとする。

この場合、本例の基板検査装置１では、検査対象基板Ｘの検査に際して、検査対象基板Ｘ上における各検査ポイントＰの位置（座標情報）が記録された検査用データＤ０を使用して各検査ポイントＰの位置を特定する構成が採用されている。また、検査用データＤ０には、いずれの導体パターンＹが単独パッドであるか（いずれの検査ポイントＰが単独パット上に規定された検査ポイントＰであるか）を特定可能な情報が記録されると共に、一例として、各導体パターンＹのなかでいずれの導体パターンＹが最も小さいか（いずれの検査ポイントＰが最も小さい導体パターンＹ上に規定された検査ポイントＰであるか）を特定可能な情報が記録されている。この検査用データＤ０は、検査対象基板Ｘの設計情報等に基づいて予め生成されている。

基板保持機構２は、一例として、図１に示すように、電極部３上に載置された検査対象基板Ｘを挟持して所定の検査位置に保持することができるように構成されている。電極部３は、「検査用プローブの接触位置に対して絶縁されている導体部」の一例である電極板３ｂの表面に絶縁シート３ａが配設された測定用電極であって、電極板３ｂが測定部７に接続されている。なお、本例の基板検査装置１では、電極部３上に載置した検査対象基板Ｘを基板保持機構２によって挟持して検査を行う構成が採用されているが、このような構成に代えて、基板保持機構２によって挟持された検査対象基板Ｘに対して電極部３を移動させることで検査対象基板Ｘに電極部３を当接させて検査を行う構成を採用することもできる。

コンタクトプローブ４ａ，４ｂ（以下、区別しないときには「コンタクトプローブ４」ともいう）は、「検査用プローブ」の一例である伸縮型のピンプローブであって、測定部７に対してそれぞれ電気的に接続されている。なお、本例では、一対のコンタクトプローブ４ａ，４ｂを備えているが、１本のコンタクトプローブ４、または、３本以上のコンタクトプローブ４を備えて構成することもできる。

カメラ５ａ，５ｂ（以下、区別しないときには「カメラ５」ともいう）は、「撮像部」の一例であって、後述するように、処理部１０の制御に従って検査対象基板Ｘを撮像して撮像データＤｐを生成し、生成した撮像データＤｐを処理部１０に出力する。この場合、一対のコンタクトプローブ４ａ，４ｂを備えた本例の基板検査装置１では、検査対象基板Ｘにおけるコンタクトプローブ４ａの「接触位置」を特定可能に撮像するカメラ５ａ、および検査対象基板Ｘにおけるコンタクトプローブ４ｂの「接触位置」を特定可能に撮像するカメラ５ｂの２台を備えて構成されている。

移動機構６ａ，６ｂは、「移動機構」の一例であって、本例では、移動機構６ａが処理部１０の制御に従ってコンタクトプローブ４ａおよびカメラ５ａを任意のＸＹ方向（検査対象基板Ｘの表面に沿った方向）およびＺ方向（検査対象基板Ｘの表面に垂直な方向）に移動させて任意の検査ポイントＰを撮像可能な位置にカメラ５ａを位置させると共に任意の検査ポイントＰにコンタクトプローブ４ａを接触させ、移動機構６ｂが処理部１０の制御に従ってコンタクトプローブ４ｂおよびカメラ５ｂを任意のＸＹ方向およびＺ方向に移動させて任意の検査ポイントＰを撮像可能な位置にカメラ５ｂを位置させると共に任意の検査ポイントＰにコンタクトプローブ４ｂを接触させる構成が採用されている。

なお、本例の構成に代えて、移動機構６ｂにカメラ５を取り付けずに移動機構６ａだけカメラ５を取り付け、そのカメラ５によってコンタクトプローブ４ａの「接触位置」およびコンタクトプローブ４ｂの「接触位置」をそれぞれ撮像する構成を採用することもできる。

測定部７は、「測定部」の一例であって、後述するように、処理部１０の制御に従い、検査対象基板Ｘが載置された電極部３と検査対象基板Ｘの各検査ポイントＰ，Ｐ・・のうちの任意の１つに接触させられたコンタクトプローブ４との間の電気的パラメータを測定して測定値データＤ２を出力する測定処理や、検査対象基板Ｘの各検査ポイントＰ，Ｐ・・のうちの任意の１つに接触させられたコンタクトプローブ４ａと各検査ポイントＰ，Ｐ・・のうちの他の任意の１つに接触させられたコンタクトプローブ４ｂとの間の電気的パラメータを測定して測定値データＤ２を出力する測定処理などを実行する。なお、測定部７による測定処理については、後に詳細に説明する。

操作部８は、基板検査装置１の動作条件の設定操作、後述する確認操作および位置変更操作、並びに検査処理の開始／停止などを指示する操作が可能な操作スイッチを備え、スイッチ操作に応じた操作信号を処理部１０に出力する。表示部９は、処理部１０の制御に従い、基板検査装置１の動作条件を設定する設定画面、後述するプロービング位置確認用画面４０、検査対象基板Ｘについての検査時における動作状態の表示画面、および検査対象基板Ｘについての検査結果などを表示する。

処理部１０は、「処理部」の一例であって、基板検査装置１を総括的に制御する。具体的には、処理部１０は、検査対象基板Ｘを検査するための基準値データＤ１を生成し、生成した基準値データＤ１を記憶部１１に記憶させる。この場合、基準値データＤ１は、検査対象基板Ｘの導体パターンＹにコンタクトプローブ４が正常に接触しているか否かを判別するための「判別用基準値」が記録されると共に、導体パターンＹが正常であるか否かを判別するための「検査用基準値」が各検査ポイントＰ毎（各導体パターンＹ毎）にそれぞれ記録されたデータであって、両基準値のうちの「判別用基準値」については、後述するように、図３に示す判別用基準値取得処理２０の実行によって生成され、「検査用基準値」については、図示しない「検査用基準値取得処理」の実行によって生成される。また、処理部１０は、「検査処理」を実行して検査対象基板Ｘの良否を検査し、その検査結果を表示部９に表示させると共に、検査結果データＤ３を生成して外部装置に出力可能に記憶部１１に記憶させる。

この場合、処理部１０は、上記の判別用基準値取得処理２０、「検査用基準値取得処理」および「検査処理」において、移動機構６を制御して検査対象基板Ｘにおけるコンタクトプローブ４の「接触位置」にカメラ５を移動させる「第１の移動処理」、カメラ５を制御して「接触位置」を特定可能に検査対象基板Ｘを撮像させる「撮像処理」、移動機構６を制御してコンタクトプローブ４を「接触位置」に接触させる「第２の移動処理」、および測定部７を制御して電極部３（電極板３ｂ）と「接触位置（導体パターンＹ）」との間の予め規定された「被測定量」を測定させる「測定処理」などを実行する。なお、処理部１０によって実行される上記の各処理については、後に詳細に説明する。

記憶部１１は、処理部１０の動作プログラム、検査対象基板Ｘについての検査用データＤ０および基準値データＤ１、測定部７から出力される測定値データＤ２、処理部１０によって生成される検査結果データＤ３、並びにカメラ５から出力される撮像データＤｐなどを記憶する。

次に、基板検査装置１による検査対象基板Ｘの検査方法について添付図面を参照して説明する。

検査対象基板Ｘの検査に際しては、まず、検査対象基板Ｘと同種の良品基板（検査対象基板Ｘと同じ製品で各導体パターンＹに欠損や短絡等が生じていないもの）を用意して基準値データＤ１を生成する。なお、以下の説明では、この良品基板について「検査対象基板Ｘ０」ともいう。また、各導体パターンＹ上に規定された検査ポイントＰの位置や、いずれの検査ポイントＰが最も小さい（狭い）導体パターンＹ上に規定された検査ポイントＰであるかなどを特定可能な検査用データＤ０については、記憶部１１に記憶されているものとする。

まず、検査対象基板Ｘ０を電極部３上に載置して基板保持機構２に保持させることによって検査位置に位置させる。なお、詳細な説明を省略するが、基板保持機構２による検査対象基板Ｘ０，Ｘの保持を完了したときには、カメラ５による検査対象基板Ｘ，Ｘ０の撮像、および撮像データＤｐの画像解析が実行され、検査対象基板Ｘ０，Ｘが検査位置に対して位置ずれすることなく保持されているか否かが確認される。また、許容範囲内の位置ずれが生じている場合には、その位置ずれの量および方向に関する情報（位置ずれ情報）が取得される。さらに、位置ずれ情報が取得された場合には、その検査対象基板Ｘ０，Ｘについての移動機構６によるコンタクトプローブ４やカメラ５の移動に際して、取得された情報に応じた移動距離および方向の補正が行われる。

次いで、操作部８を操作することにより、基準値データＤ１の生成処理を開始させる。これに応じて、処理部１０は、図３に示す判別用基準値取得処理２０を開始する。この判別用基準値取得処理２０では、処理部１０は、まず、検査用データＤ０に基づき、最小の導体パターンＹ（最小の導体パターンＹ上に規定されている検査ポイントＰ：すなわち、最小の単独パッド上の検査ポイントＰ）を特定すると共に、特定した導体パターンＹ（検査ポイントＰ）上にカメラ５を移動させる（ステップ２１）。

具体的には、処理部１０は、検査用データＤ０に基づき、導体パターンＹ３上に規定されている検査ポイントＰ３が「最も小さい導体パターンＹ上に規定された検査ポイントＰ」であると特定すると共に、検査用データＤ０に基づいて移動機構６を制御することにより、検査ポイントＰ３を撮像可能な位置にカメラ５を移動させる（「検査ポイントＰ３」を「接触位置」としての「第１の位置」とする「第１の移動処理」の一例）。この際に、上記のステップ２１の処理に代えて、「最も小さい導体パターンＹ上に規定された検査ポイントＰ」をオペレータに指定させ、指定された検査ポイントＰを撮像可能な位置にカメラ５を移動させる処理を実行する構成を採用することもできる。

次いで、処理部１０は、カメラ５を制御することにより、検査ポイントＰ３を特定可能に検査対象基板Ｘ０を撮像させると共に（「検査ポイントＰ３」を「接触位置」としての「第１の位置」とする「撮像処理」の一例）、図４に示すように、カメラ５から出力される撮像データＤｐの画像（基板像５０）を表示部９のプロービング位置確認用画面４０に表示させる（ステップ２２）。

この場合、プロービング位置確認用画面４０は、後に説明するステップ２５においてコンタクトプローブ４が接触させられる「接触位置」をオペレータに確認させるための画面であって、「接触位置」を示すターゲット表示４１が撮像データＤｐに基づく基板像５０に重なって表示される。この際に、導体パターンＹ３が位置ずれすることなく形成されている検査対象基板Ｘ０を撮像した本例では、同図に示すように、検査ポイントＰ３（導体パターンＹ３の像であるパターン像５１の中心）にターゲット表示４１が重なって表示される。

この状態のプロービング位置確認用画面４０を見たオペレータは、基板保持機構２によって保持された検査対象基板Ｘ０が「導体パターンＹ３に対してコンタクトプローブ４が接触させられる状態」となっていると認識して操作部８のＯＫボタンを操作する（「画像に基づいて特定される接触位置が［接触した状態］となる位置であると確認されたとき」との状態の一例）。これに応じて、処理部１０は、「接触位置」が導体パターンＹ３に対してコンタクトプローブ４が接触した状態となる位置であると確認されたと判別し（ステップ２３）、後述するステップ２５の処理を開始する。

なお、上記の例とは相違するが、例えば、ステップ２２において撮像データＤｐの基板像５０をプロービング位置確認用画面４０に表示させたときに、基板像５０においてターゲット表示４１と重なる位置に極く小さな塵埃等の像が確認されたとき、すなわち、検査ポイントＰ３を「接触位置」とするプロービングを行ったときにコンタクトプローブ４と導体パターンＹ３との間に異物が存在する状態となって導体パターンＹ３にコンタクトプローブ４が接触しない状態となるおそれがあるときには、導体パターンＹ３上の他の任意の位置や、導体パターンＹ３と同じ大きさ（すなわち、導体パターンＹ３と同様に最も小さい）の導体パターンＹ４上の任意の位置を新たな「接触位置」とする位置変更操作を行う。

この際に、処理部１０は、位置変更操作に応じて移動機構６を制御してカメラ５を移動させ（ステップ２４）、変更された新たな「接触位置」を特定可能に検査対象基板Ｘ０を撮像させると共に（「撮像処理」の他の一例）、図４に示すように、カメラ５から出力される撮像データＤｐの画像を（基板像５０）を表示部９のプロービング位置確認用画面４０に表示させる（ステップ２２）。

一方、操作部８のＯＫボタンが操作されたときに（ステップ２３）、処理部１０は、その「接触位置」に対するプロービングおよび測定処理を実行する（接触時測定値の取得：ステップ２５）。具体的には、処理部１０は、基準値データＤ１に基づいて移動機構６を制御してコンタクトプローブ４を検査ポイントＰ３に接触させる（「検査ポイントＰ３」を「接触位置」としての「第１の位置」とする「第２の移動処理」の一例）。次いで、処理部１０は、測定部７を制御することにより、まず、検査対象基板Ｘの検査に際してコンタクトプローブ４が検査ポイントＰ３に正常に接触しているか否かを判別する「接触状態判別処理」において使用する「判別用基準値」を規定するための「被測定値」を測定させる。

この際に、測定部７は、電極部３の電極板３ｂとコンタクトプローブ４との間に「接触状態判別処理」用の交流電圧を印加させ、その状態において電極板３ｂとコンタクトプローブ４との間（電極板３ｂと、コンタクトプローブ４が接触している導体パターンＹ３との間）を流れる電流の電流値を測定して測定値データＤ２を出力する。また、処理部１０は、測定値データＤ２の値と、測定部７が電極板３ｂおよびコンタクトプローブ４の間に印加した交流電圧の電圧値と、印加させた交流電圧および測定した電流の間の位相差とに基づき、コンタクトプローブ４（導体パターンＹ３）と電極板３ｂとの間の静電容量（「被測定量」としての「第１の値」の一例）を演算する。以上により、「判別用基準値」を求めるための「接触時測定値」を取得する「処理Ａ」が完了する。

次いで、処理部１０は、一例として、コンタクトプローブ４が導体パターンＹ３を含むいずれの導体パターンＹにも接触しない位置の指示を催促するメッセージ等を表示部９に表示させる。これに応じて、利用者は、導体パターンＹ３から外れた任意の位置を「接触位置」として指定する位置変更操作を行う。この際に、処理部１０は、位置変更操作に応じて移動機構６を制御してカメラ５を移動させる（「第２の位置」を「接触位置」とする「第１の移動処理」の一例：ステップ２６）。また、処理部１０は、変更された新たな「接触位置」を特定可能に検査対象基板Ｘ０を撮像させると共に（「第２の位置」を「接触位置」とする「撮像処理」の一例）、図５に示すように、カメラ５から出力される撮像データＤｐの画像を（基板像５０）を表示部９のプロービング位置確認用画面４０に表示させる（ステップ２７）。

この場合、後のステップ２９においてコンタクトプローブ４を接触させる「接触位置」を示すターゲット表示４１が、位置変更操作に応じて移動機構６によって移動させられるカメラ５によって撮像された撮像データＤｐの基板像５０に重ねてプロービング位置確認用画面４０の表示される本例の基板検査装置１では、基板像５０におけるパターン像５１（導体パターンＹ３の像）とは重ならない位置にターゲット表示４１の中心を位置させるように位置変更操作を行うことで、コンタクトプローブ４が導体パターンＹ３に接触しない位置を「第２の位置」としての「接触位置」として確実かつ容易に指定することが可能となっている。

一方、オペレータは、プロービング位置確認用画面４０を見ながら上記の位置変更操作を行いつつ、パターン像５１（導体パターンＹ３の像）とは重ならない位置（導体パターンＹ３にコンタクトプローブ４が非接触の状態となる位置）にターゲット表示４１の中心が位置した状態において操作部８のＯＫボタンを操作する（「画像に基づいて特定される接触位置が［非接触の状態］となる位置であると確認されたとき」との状態の一例）。これに応じて、処理部１０は、「接触位置」が導体パターンＹ３に対してコンタクトプローブ４が非接触の状態となる位置であると確認されたと判別し（ステップ２８）、その「接触位置」に対するプロービングおよび測定処理を実行する（非接触時測定値の取得：ステップ２９）。

具体的には、処理部１０は、移動機構６を制御して上記の位置変更操作によってカメラ５を移動させた位置（カメラ５によって撮像された基板像５０においてターゲット表示４１の中心と重なっていた位置）にコンタクトプローブ４を接触させる（「第２の位置」を「接触位置」とする「第２の移動処理」の一例）。

次いで、処理部１０は、測定部７を制御することにより、「判別用基準値」を規定するための「被測定値」を測定させる。なお、交流電圧の印加および電流値の測定の具体的な手順については「接触時測定値」の取得時と同様のため、詳細な説明を省略する。また、処理部１０は、「接触時測定値」の取得時と同様にして、コンタクトプローブ４と電極板３ｂとの間の静電容量（「被測定量」としての「第２の値」の一例）を演算する。以上により、「判別用基準値」を求めるための「非接触時測定値」を取得する「処理Ｂ」が完了する。

続いて、処理部１０は、「接触時測定値（第１の値）」および「非接触時測定値（第２の値）」に基づいて「判別用基準値」を演算して基準値データＤ１に記録する（ステップ３０）。この際に、処理部１０は、一例として、「接触時測定値」と「非接触時測定値」との中間値を演算し、演算した値を「判別用基準値」の下限値として規定して基準値データＤ１に記録し、この判別用基準値取得処理２０を終了する。

この場合、上記の判別用基準値取得処理２０において規定した「判別用基準値」は、検査対象基板Ｘ０，Ｘに形成された各導体パターンＹのなかで最も小さい導体パターンＹ３（または、導体パターンＹ４等）を対象として測定した「被測定値」に基づいて特定されている。したがって、検査対象基板Ｘ０，Ｘに形成されたすべての導体パターンＹに関し、その導体パターンＹ上に規定された検査ポイントＰにコンタクトプローブ４が正常に接触しているときには、そのコンタクトプローブ４を介して「判別用基準値」を超える「被測定値（本例では、静電容量）」が測定されることとなる。

次いで、処理部１０は、検査対象基板Ｘ０の各導体パターンＹを対象として、欠損や短絡などの不良が生じているか、そのような不良が生じることなく正常に形成されているかを検査するための「検査用基準値」を取得する「検査用基準値取得処理」を開始する。この「検査用基準値取得処理」では、処理部１０は、検査用データＤ０に基づいて移動機構６を制御して任意の検査ポイントＰにコンタクトプローブ４を接触させ、上記の「判別用基準値」を使用した「接触状態判別処理」を実行する。

具体的には、処理部１０は、測定部７を制御して電極部３の電極板３ｂとコンタクトプローブ４との間に予め規定された電圧値の接触状態判別用の交流電圧を印加させた状態において電極板３ｂおよびコンタクトプローブ４の間を流れる電流の電流値を測定させる。これに応じて、測定部７が、測定した電流値を示す測定値データＤ２を処理部１０に出力し、処理部１０は、出力された測定値データＤ２を記憶部１１に記憶させる。続いて、処理部１０は、電極板３ｂおよびコンタクトプローブ４の間に印加した交流電圧の電圧値と、上記の測定値データＤ２と、印加させた交流電圧および測定した電流の間の位相差とに基づき、電極板３ｂおよび導体パターンＹ間の静電容量を演算する。

次いで、処理部１０は、演算した静電容量が基準値データＤ１における「判別用基準値」の下限値以上であるか否かを判別する。この際に、コンタクトプローブ４が検査ポイントＰ（導体パターンＹ）に正常に接触していないときには、測定値データＤ２の値が「判別用基準値」の下限値を下回る。したがって、処理部１０は、測定値データＤ２の値が「判別用基準値」の下限値を下回っているときに、移動機構６を制御して検査ポイントＰが規定されている導体パターンＹの検査ポイントＰとは異なる任意の位置にコンタクトプローブ４を接触させ、再び「接触状態判別処理」を実行する。

また、コンタクトプローブ４が検査ポイントＰ（導体パターンＹ）に正常に接触しているときには、測定値データＤ２の値が「判別用基準値」の下限値以上となる。したがって、処理部１０は、測定値データＤ２の値が「判別用基準値」の下限値以上のときに、検査ポイントＰ（導体パターンＹ）に対してコンタクトプローブ４が正常に接触していると判別し、測定部７を制御して「被測定量」を測定させる。

この際に、測定部７は、電極部３の電極板３ｂとコンタクトプローブ４との間に「検査処理」用の交流電圧を印加させ、その状態において電極板３ｂとコンタクトプローブ４との間（電極板３ｂと、コンタクトプローブ４が接触している導体パターンＹとの間）を流れる電流の電流値を測定して測定値データＤ２を出力する。また、処理部１０は、測定値データＤ２の値と、測定部７が電極板３ｂおよびコンタクトプローブ４の間に印加した交流電圧の電圧値と、印加させた交流電圧および測定した電流の間の位相差とに基づき、コンタクトプローブ４（導体パターンＹ）と電極板３ｂとの間の静電容量を演算する。

また、処理部１０は、一例として、演算した静電容量（被測定値）を中心値とする予め規定された許容範囲を特定し、特定した許容範囲の上限値および下限値を、その導体パターンＹについての「検査用基準値」として基準値データＤ１に記録する。この後、処理部１０は、すべての導体パターンＹについての「検査用基準値」の取得が完了したときに、「検査用基準値取得処理」を終了する。これにより、検査対象基板Ｘを検査する準備が整う。

一方、検査対象基板Ｘの検査に際しては、まず、検査対象基板Ｘを電極部３上に載置して基板保持機構２によって検査位置に保持させる。次いで、操作部８の操作によって検査の開始を指示する。これに応じて、処理部１０は、「検査処理」を開始する。具体的には、処理部１０は、まず、検査用データＤ０に基づいて「プロービング処理」を実行し、いずれかの導体パターンＹにおける検査ポイントＰにコンタクトプローブ４を接触させる。次いで、処理部１０は、「接触状態判別処理」を実行する。なお、この「接触状態判別処理」の手順については、前述した基準値データＤ１の生成処理時（「検査用基準値取得処理」時）の処理と同様のため、詳細な説明を省略する。

また、コンタクトプローブ４が検査ポイントＰ（導体パターンＹ）に正常に接触しているときに、処理部１０は、測定部７を制御して電極部３の電極板３ｂとコンタクトプローブ４との間に予め規定された電圧値の検査用の交流電圧を印加させた状態において電極板３ｂおよびコンタクトプローブ４の間を流れる電流の電流値を測定させる。

これに応じて、測定部７が、測定した電流値を示す測定値データＤ２を処理部１０に出力し、処理部１０は、出力された測定値データＤ２を記憶部１１に記憶させる。続いて、処理部１０は、電極板３ｂおよびコンタクトプローブ４の間に印加した交流電圧の電圧値と、上記の測定値データＤ２と、印加させた交流電圧および測定した電流の間の位相差とに基づき、電極板３ｂおよび導体パターンＹ間の静電容量を演算する。次いで、処理部１０は、演算した静電容量が基準値データＤ１における「検査用基準値」の下限値以上かつ上限値以下であるか否かを判別する。

この際に、コンタクトプローブ４を接触させている検査ポイントＰの導体パターンＹに欠損が生じているときには、測定値データＤ２の値が「検査用基準値」の下限値を下回る。また、コンタクトプローブ４を接触させている検査ポイントＰの導体パターンＹが他の導体パターンＹに対して短絡した状態となっているときには、測定値データＤ２の値が「検査用基準値」の上限値を超える。したがって、処理部１０は、測定値データＤ２の値が「検査用基準値」の下限値を下回っているとき、または、上限値を超えているときに、その検査ポイントＰの導体パターンＹが不良であると判別し、判別結果を検査結果データＤ３に記録する。

また、コンタクトプローブ４を接触させている検査ポイントＰの導体パターンＹに欠損や短絡が生じていないときには、測定値データＤ２の値が「検査用基準値」の下限値以上かつ上限値以下の値となる。したがって、処理部１０は、測定値データＤ２の値がそのような値であったときに、その検査ポイントＰの導体パターンＹが正常であると判別し、判別結果を検査結果データＤ３に記録する。この後、処理部１０は、他の検査ポイントＰ（他の導体パターンＹ）についても上記の各処理と同様の手順で良否を検査し、すべての検査ポイントＰ（導体パターンＹ）についての検査を完了したときに、この「検査処理」を終了する。

このように、この基板検査装置１では、処理部１０が、「接触位置」にカメラ５を移動させる「第１の移動処理」、「接触位置」を特定可能に検査対象基板Ｘ０を撮像させる「撮像処理」、コンタクトプローブ４を「接触位置」に接触させる「第２の移動処理」、測定部７に「被測定量」を測定させる「測定処理」、「被測定量」および「判別用基準値（基準値データＤ１の値）」に基づいてコンタクトプローブ４が導体パターンＹ上の「接触位置」に正常に接触しているか否かを判別する「接触状態判別処理」、並びに「被測定量」および「検査用基準値（基準値データＤ１の値）」に基づいて導体パターンＹの良否を判別する「検査処理」を実行可能に構成され、導体パターンＹにコンタクトプローブ４が接触した状態となる「第１の位置」を「接触位置」とする「第２の移動処理」および「測定処理」を実行すると共に測定された「被測定量」を「第１の値」として取得する「処理Ａ」を実行し、かつ導体パターンＹにコンタクトプローブ４が非接触の状態となる「第２の位置」を「接触位置」とする「第１の移動処理」および「撮像処理」を実行すると共に撮像データＤｐの基板像５０を表示部９に表示させ、基板像５０に基づいて特定される「接触位置」が「非接触の状態」となる位置であると確認されたときに「第２の位置」を「接触位置」とする「第２の移動処理」および「測定処理」を実行すると共に測定された「被測定量」を「第２の値」として取得する「処理Ｂ」を実行し、「第１の値」および「第２の値」に基づいて「判別用基準値」を生成する「判別用基準値生成処理」を実行可能に構成されている。

したがって、この基板検査装置１によれば、コンタクトプローブ４が接触している状態と接触していない状態とで測定される「被測定量」が大きく相違することのない非常に小さな導体パターンＹについても、そのような導体パターンＹにコンタクトプローブ４が正常に接触しているか否かを好適に判別可能な判別用基準値を、コンタクトプローブ４が導体パターンＹに接触させられた状態で取得される「第１の値」と、表示部９に表示される基板像５０を見たオペレータによって、「接触位置」が「非接触の状態」となる位置であることが確認されたうえで取得される「第２の値」との両値に基づき、確実かつ容易に生成することができる。

さらに、この基板検査装置１では、処理部１０が、「処理Ａ」において、「第１の位置」を「接触位置」とする「第１の移動処理」および「撮像処理」を実行すると共に撮像データＤｐの基板像５０を表示部９に表示させ、基板像５０に基づいて特定される「接触位置」が「接触した状態」となる位置であると確認されたときに、「第１の位置」を「接触位置」とする「第２の移動処理」および「測定処理」を実行して「第１の値」を取得する。

したがって、この基板検査装置１によれば、例えば「接触位置」としての「第１の位置」に塵埃が付着している状態、すなわち、その「接触位置」にコンタクトプローブ４を接触させようとしたときに導体パターンＹにコンタクトプローブ４が非接触の状態となるおそれがあるときに「第１の値」が取得されることがないため、導体パターンＹに接触していないコンタクトプローブ４を介して「第１の値」が取得されて導体パターンＹに対するコンタクトプローブ４の接触状態を正しく判別できない「判別用基準値」が生成される事態を好適に回避することができる。

なお、「基板検査装置」の構成については、上記の基板検査装置１の構成の例に限定されない。例えば、上記の基板検査装置１における判別用基準値取得処理２０のステップ２１～２５の一連の処理（「処理Ａ」の一例）に代えて、処理部１０が、「処理Ａ」において、「第１の位置」を「接触位置」とする「第２の移動処理」および「測定処理」を実行した後に「第１の位置」を「接触位置」とする「第１の移動処理」および「撮像処理」を実行すると共に撮像データＤｐの基板像５０を表示部９に表示させ、基板像５０に基づいて特定される「接触位置」が「非接触の状態」となる位置であると確認されたときに測定された「被測定量」を「第１の値」として取得する構成を採用することもできる。

また、「第１の位置」にコンタクトプローブ４を接触させるのに先立って「第１の位置」をカメラ５で撮像し、その基板像５０に基づいて「接触位置」が「接触した状態」となる位置であるか否かを確認させる構成を例に挙げて説明したが、「第１の位置」については、基本的には検査用データＤ０に基づいて確実にコンタクトプローブ４を接触させることができるため、「撮像処理」およびその画像の表示や、オペレータによる確認を行わせない構成を採用することもできる。

さらに、上記の基板検査装置１における判別用基準値取得処理２０のステップ２６～２９の一連の処理（「処理Ｂ」の一例）に代えて、処理部１０が、「第２の位置」を「接触位置」とする「第２の移動処理」および「測定処理」を実行した後に「第２の位置」を「接触位置」とする「第１の移動処理」および「撮像処理」を実行すると共に撮像データＤｐの基板像５０を表示部９に表示させ、基板像５０に基づいて特定される「接触位置」が「非接触の状態」となる位置であると確認されたときに測定された「被測定量」を「第２の値」として取得する「処理Ｃ」を実行する構成を採用することもできる。

また、電極部３における電極板３ｂを「導体部」として使用する構成を例に挙げて説明したが、コンタクトプローブ４ａ，４ｂを互いに相違する導体パターンＹ，Ｙに接触させると共に、一方の導体パターンＹを検査対象とし、他方の導体パターンＹを「導体部」として各処理を行うことにより、電極部３（電極板３ｂ）を使用することなく「被測定量」を測定することもできる。さらに、「第１の値」および「第２の値」の中間値を演算して「判別用基準値」とする構成を例に挙げて説明したが、この中間値としては、「第１の値」以上で「第２の値」以下の範囲内で任意に規定する構成を採用することができる。

また、検査対象基板Ｘ０，Ｘに形成された各導体パターンＹのなかで最も小さい（最も狭い）導体パターンＹ（最小の単独パッド：上記の例では、導体パターンＹ３，Ｙ４）を対象として測定した「被測定量」に基づいて「判別用基準値」を取得し、取得した「判別用基準値」をすべての導体パターンＹについての「判別用基準値」として使用可能に基準値データＤ１を生成する構成を例に挙げて説明したが、最も小さい導体パターンＹと同程度に十分に小さい導体パターンＹであれば、２番目に小さい導体パターンＹや３番目に小さい導体パターンＹなど（十分に小さい単独パッド）を対象として測定した「被測定量」に基づいて「判別用基準値」を取得する構成を採用することもできる。さらに、検査対象基板Ｘ上のすべての導体パターンＹ毎に判別用基準値取得処理２０を実行して「判別用基準値」を取得したり、大きさ（広さ）が同程度の導体パターンＹ毎に代表する導体パターンＹを規定して「判別用基準値」を取得したりする構成を採用することもできる。

１ 基板検査装置
２ 基板保持機構
３ 電極部
３ａ 絶縁シート
３ｂ 電極板
４ａ，４ｂ コンタクトプローブ
５ａ，５ｂ カメラ
６ａ，６ｂ 移動機構
７ 測定部
８ 操作部
９ 表示部
１０ 処理部
１１ 記憶部
２０ 判別用基準値取得処理
４０ プロービング位置確認用画面
４１ ターゲット表示
５０ 基板像
５１ パターン像
Ｄ０ 検査用データ
Ｄ１ 基準値データ
Ｄ２ 測定値データ
Ｄ３ 検査結果データ
Ｄｐ 撮像データ
Ｐ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ２ａ，Ｐ２ｂ・・ 検査ポイント
Ｘ 検査対象基板
Ｙ１，Ｙ２・・ 導体パターン

Claims (4)

1. 検査対象基板に形成された導体パターンに接触させられる検査用プローブと、
   前記検査対象基板を撮像して撮像データを出力する撮像部と、
   前記検査用プローブおよび前記撮像部を移動させる移動機構と、
   前記検査用プローブを介して当該検査用プローブの接触位置と当該接触位置に対して絶縁されている導体部との間についての予め規定された被測定量を測定する測定部と、
   前記移動機構を制御して前記接触位置に前記撮像部を移動させる第１の移動処理、前記撮像部を制御して当該接触位置を特定可能に前記検査対象基板を撮像させる撮像処理、前記移動機構を制御して前記検査用プローブを前記接触位置に接触させる第２の移動処理、前記測定部を制御して前記被測定量を測定させる測定処理、前記被測定量および判別用基準値に基づいて前記検査用プローブが前記導体パターン上の前記接触位置に正常に接触しているか否かを判別する接触状態判別処理、並びに前記被測定量および検査用基準値に基づいて前記導体パターンの良否を判別する検査処理を実行する処理部とを備え、
   前記処理部は、前記導体パターンに前記検査用プローブが接触した状態となる第１の位置を前記接触位置とする前記第２の移動処理および前記測定処理を実行すると共に前記測定部によって測定された前記被測定量を第１の値として取得する処理Ａを実行し、かつ前記導体パターンに前記検査用プローブが非接触の状態となる第２の位置を前記接触位置とする前記第１の移動処理および前記撮像処理を実行すると共に前記撮像部から出力された前記撮像データの画像を表示部に表示させ、当該画像に基づいて特定される前記接触位置が前記非接触の状態となる位置であると確認されたときに前記第２の位置を前記接触位置とする前記第２の移動処理および前記測定処理を実行すると共に前記測定部によって測定された前記被測定量を第２の値として取得する処理Ｂを実行し、前記第１の値および前記第２の値に基づいて前記判別用基準値を生成する判別用基準値生成処理を実行可能に構成されている基板検査装置。
2. 検査対象基板に形成された導体パターンに接触させられる検査用プローブと、
   前記検査対象基板を撮像して撮像データを出力する撮像部と、
   前記検査用プローブおよび前記撮像部を移動させる移動機構と、
   前記検査用プローブを介して当該検査用プローブの接触位置と当該接触位置に対して絶縁されている導体部との間についての予め規定された被測定量を測定する測定部と、
   前記移動機構を制御して前記接触位置に前記撮像部を移動させる第１の移動処理、前記撮像部を制御して当該接触位置を特定可能に前記検査対象基板を撮像させる撮像処理、前記移動機構を制御して前記検査用プローブを前記接触位置に接触させる第２の移動処理、前記測定部を制御して前記被測定量を測定させる測定処理、前記被測定量および判別用基準値に基づいて前記検査用プローブが前記導体パターン上の前記接触位置に正常に接触しているか否かを判別する接触状態判別処理、並びに前記被測定量および検査用基準値に基づいて前記導体パターンの良否を判別する検査処理を実行する処理部とを備え、
   前記処理部は、前記導体パターンに前記検査用プローブが接触した状態となる第１の位置を前記接触位置とする前記第２の移動処理および前記測定処理を実行すると共に前記測定部によって測定された前記被測定量を第１の値として取得する処理Ａを実行し、かつ前記導体パターンに前記検査用プローブが非接触の状態となる第２の位置を前記接触位置とする前記第２の移動処理および前記測定処理を実行した後に当該第２の位置を前記接触位置とする前記第１の移動処理および前記撮像処理を実行すると共に前記撮像部から出力された前記撮像データの画像を表示部に表示させ、当該画像に基づいて特定される前記接触位置が前記非接触の状態となる位置であると確認されたときに前記測定部によって測定された前記被測定量を前記第２の値として取得する処理Ｃを実行し、前記第１の値および前記第２の値に基づいて前記判別用基準値を生成する判別用基準値生成処理を実行可能に構成されている基板検査装置。
3. 前記処理部は、前記処理Ａにおいて、前記第１の位置を前記接触位置とする前記第１の移動処理および前記撮像処理を実行すると共に前記撮像部から出力された前記撮像データの画像を表示部に表示させ、当該画像に基づいて特定される前記接触位置が前記接触した状態となる位置であると確認されたときに、当該第１の位置を前記接触位置とする前記第２の移動処理および前記測定処理を実行して前記第１の値を取得する請求項１または２記載の基板検査装置。
4. 前記処理部は、前記処理Ａにおいて、前記第１の位置を前記接触位置とする前記第２の移動処理および前記測定処理を実行した後に当該第１の位置を前記接触位置とする前記第１の移動処理および前記撮像処理を実行すると共に前記撮像部から出力された前記撮像データの画像を表示部に表示させ、当該画像に基づいて特定される前記接触位置が前記接触した状態となる位置であると確認されたときに前記測定部によって測定された前記被測定量を前記第１の値として取得する請求項１または２記載の基板検査装置。

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