JP5485012B2 - 回路基板検査装置および回路基板検査方法 - Google Patents

Description

本発明は、回路基板における各導体パターンの間の絶縁状態を検査する回路基板検査装置および回路基板検査方法に関するものである。

回路基板における各導体パターンの間の絶縁状態を検査する回路基板検査方法が従来から知られている。この場合、例えば、各導体パターンの中から選択した一対の導体パターンに対する絶縁検査を一対の導体パターンの全ての組み合わせについて行う回路基板検査方法を用いて、多くの導体パターンを有する回路基板の検査を行うときには、一対の導体パターンの組み合わせが膨大な数となって検査に長時間を要することとなる。このような問題点を解消可能な回路基板検査方法として、各導体パターンうちの１つと、その１つを除く他の導体パターンの一部または全部との間の絶縁状態を検査することによって検査回数を低減する回路基板検査方法（例えば、特開２０００−１９３７０２の段落（０００２）〜段落（０００６）に開示されている絶縁検査）が知られている。

例えば、１番からＭ番までの番号が付番されたＭ個の導体パターンを有する回路基板における各導体パターンの間の絶縁状態を上記の回路基板検査方法を用いて検査する際には、図５に示すように、１回目の検査において、Ｍ個のうちの１つの導体パターンとして１番の導体パターンを選択する。次いで、選択した１番の導体パターンを検査用信号の出力部に接続して高電位とすると共に、１番の導体パターンを除く２番からＭ番までの導体パターンを低電位（グランド電位）に接続して互いに同電位としつつ、２番からＭ番までの導体パターンと１番の導体パターンとの間に検査用信号を供給して電流値を測定し、その電流値に基づいて各導体パターンの間の絶縁状態を検査する。次いで、２回目の検査において、検査が終了した１番の導体パターンを検査対象から除外し、Ｍ個のうちの１つの導体パターンとして２番の導体パターンを新たに選択し、１番および２番の導体パターンを除く３番からＭ番までの導体パターンを同電位としつつ、３番からＭ番までの導体パターンと２番の導体パターンとの間に検査用信号を供給して各導体パターンの間の絶縁状態を検査する。以下、同図に示すように、Ｍ個のうちの１つの導体パターンとして順次大きな番号の導体パターンを選択し、その導体パターンよりも番号が大きい各導体パターンを同電位としつつ検査用信号を供給して各導体パターンの間の絶縁状態を検査し、Ｍ個のうちの１つの導体パターンとして選択する導体パターンの番号が（Ｍ−１）番となるまでこの検査を繰り返す。

特開２０００−１９３７０２号公報（第３頁、第９−１１図）

ところが、上記の回路基板検査方法には、改善すべき以下の課題がある。すなわち、この回路基板検査装置では、Ｍ個のうちの１つとして選択されて検査が終了した導体パターンは、その後の検査（他の導体パターンに対する検査）においては検査対象から除外されてオープン状態となる。このため、この回路基板検査方法では、検査が終了してオープン状態となった導体パターンに高電圧の検査用信号が印加されて、その導体パターンに絶縁不良が生じるおそれがある。しかしながら、この回路基板検査装置では、各導体パターンについての検査が１回だけに限定され、検査終了後の導体パターンは、その後の検査において検査対象から除外されるため、このような絶縁不良が生じたとしても、その後の検査においてその絶縁不良が見過ごされる可能性がある。

また、図６に示すように、導体パターンに「ばり」等が形成されていたり、隣接する導体パターンの間の基板内に金属の破片や粉体等の異物が混入しているときには、一方の向きには大きな電流Ｉ１が流れる絶縁不良が生じていても、その逆向きには小さな電流Ｉ２しか流れないことがある。しかしながら、この回路基板検査方法では、Ｍ個のうちの１つとして選択された導体パターンを高電位とし、他の導体パターンを低電位として行う検査しか行っていないため、その検査のときの電流の向きが小さな電流しか流れない向きであるときには、絶縁不良が生じているにも拘わらず良好と判定されて、その絶縁不良が見過ごされる可能性がある。このように、従来の回路基板検査方法には、絶縁不良が見過ごされる可能性があり、これらに起因して検査精度の向上が困難となっている。

本発明は、かかる改善すべき課題に鑑みてなされたものであり、絶縁検査の検査精度を向上し得る回路基板検査装置および回路基板検査方法を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載の絶縁検査装置は、３個以上の導体パターンを有する回路基板における当該各導体パターンのうちの一部の導体パターンを第１グループとして設定すると共に当該第１グループの導体パターンを除く他の全ての導体パターンを第２グループとして設定し、前記第１グループの前記導体パターンを高電位および低電位のいずれか一方の電位で同電位とすると共に前記第２グループの前記導体パターンを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位としつつ当該第１グループの導体パターンと当該第２グループの導体パターンとの間に検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査する第１絶縁検査を、前記第１グループおよび前記第２グループとして設定する前記導体パターンの組み合わせを変更しつつ実行する検査部を備えた回路基板検査装置であって、前記検査部は、前記第１絶縁検査の実行後において、前記第１グループの前記導体パターンを前記他方の電位で同電位とすると共に前記第２グループの前記導体パターンを前記いずれか一方の電位で同電位としつつ当該第１グループの導体パターンと当該第２グループの導体パターンとの間に前記検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査する第２絶縁検査を、前記第１絶縁検査における前記組み合わせと同じ組み合わせについて実行する。

また、請求項２記載の絶縁検査装置は、請求項１記載の絶縁検査装置において、前記検査部は、Ｍ（Ｍは５以上の整数）個の前記導体パターンを有する前記回路基板に対する前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査を実行する際に、当該回路基板の各導体パターンのうちのＮ（Ｎは２以上で（Ｍ−２）以下の整数）個の導体パターンを前記第１グループとして設定すると共に当該Ｎ個の導体パターンを除く他の全ての導体パターンを前記第２グループとして設定し、前記第１グループおよび前記第２グループとして設定する前記導体パターンの組み合わせを変更しつつ前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査をそれぞれＫ（Ｋは（ｌｏｇ_２Ｍ）以上であって（ｌｏｇ_２Ｍ）に最も近い整数）回実行する。

また、請求項３記載の絶縁検査装置は、請求項１記載の絶縁検査装置において、前記検査部は、Ｌ（Ｌは３以上の整数）個の前記導体パターンを有する前記回路基板に対する前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査を実行する際に、当該回路基板の各導体パターンのうちの１個の導体パターンを前記第１グループとして設定すると共に当該１個の導体パターンを除く他の全ての導体パターンを前記第２グループとして設定し、前記第１グループおよび前記第２グループとして設定する前記導体パターンの組み合わせを変更しつつ前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査をそれぞれＬ回実行する。

また、請求項４記載の絶縁検査装置は、請求項１から３のいずれかに記載の絶縁検査装置において、前記検査部は、前記検査用信号としての低電圧信号を用いて前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査を実行する低電圧絶縁検査と、前記検査用信号としての高電圧信号を用いて前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査を実行する高電圧絶縁検査とを実行する。

また、請求項５記載の絶縁検査方法は、３個以上の導体パターンを有する回路基板における当該各導体パターンのうちの一部の導体パターンを第１グループとして設定すると共に当該第１グループの導体パターンを除く他の全ての導体パターンを第２グループとして設定し、前記第１グループの前記導体パターンを高電位および低電位のいずれか一方の電位で同電位とすると共に前記第２グループの前記導体パターンを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位としつつ当該第１グループの導体パターンと当該第２グループの導体パターンとの間に検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査する第１絶縁検査を、前記第１グループおよび前記第２グループとして設定する前記導体パターンの組み合わせを変更しつつ実行する回路基板検査方法であって、前記第１絶縁検査の実行後において、前記第１グループの前記導体パターンを前記他方の電位で同電位とすると共に前記第２グループの前記導体パターンを前記いずれか一方の電位で同電位としつつ当該第１グループの導体パターンと当該第２グループの導体パターンとの間に前記検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査する第２絶縁検査を、前記第１絶縁検査における前記組み合わせと同じ組み合わせについて実行する回路基板検査方法。

また、請求項６記載の絶縁検査方法は、請求項５記載の絶縁検査方法において、Ｍ（Ｍは５以上の整数）個の前記導体パターンを有する前記回路基板に対する前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査を実行する際に、当該回路基板の各導体パターンのうちのＮ（Ｎは２以上で（Ｍ−２）以下の整数）個の導体パターンを前記第１グループとして設定すると共に当該Ｎ個の導体パターンを除く他の全ての導体パターンを前記第２グループとして設定し、前記第１グループおよび前記第２グループとして設定する前記導体パターンの組み合わせを変更しつつ前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査をそれぞれＫ（Ｋは（ｌｏｇ_２Ｍ）以上であって（ｌｏｇ_２Ｍ）に最も近い整数）回実行する。

また、請求項７記載の絶縁検査方法は、請求項５記載の絶縁検査方法において、Ｌ（Ｌは３以上の整数）個の前記導体パターンを有する前記回路基板に対する前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査を実行する際に、当該回路基板の各導体パターンのうちの１個の導体パターンを前記第１グループとして設定すると共に当該１個の導体パターンを除く他の全ての導体パターンを前記第２グループとして設定し、前記第１グループおよび前記第２グループとして設定する前記導体パターンの組み合わせを変更しつつ前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査をそれぞれＬ回実行する。

また、請求項８記載の絶縁検査方法は、請求項５から７のいずれかに記載の絶縁検査方法において、前記検査用信号としての低電圧信号を用いて前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査を実行する低電圧絶縁検査と、前記検査用信号としての高電圧信号を用いて前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査を実行する高電圧絶縁検査とを実行する。

請求項１記載の絶縁検査装置、および請求項５記載の絶縁検査方法では、第１絶縁検査および第２絶縁検査のいずれの検査においても、第１グループとして設定した導体パターンを低電位および高電位のいずれか一方の電位に接続し、第２グループとして設定した他の全ての導体パターンを低電位および高電位の他方の電位に接続して検査用信号を供給する。このため、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、オープン状態の導体パターンに検査用信号が供給されて絶縁状態が不良となる可能性を十分に低下させることができると共に、その不良が見過ごされる可能性を十分に低下させることができる。また、この回路基板検査装置および回路基板検査方法では、第１絶縁検査を実行した後に実行する第２絶縁検査において、各導体パターンの電位を第１絶縁検査における各導体パターンの電位に対して反転させる。このため、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、例えば、導体パターンに「ばり」等が形成されていたり、隣接する導体パターンの間の基板内に金属の破片や粉体等の異物が混入していたりして、電流の向きによって各導体パターンの間に流れる電流値が大きく異なる場合であっても、絶縁不良を確実に発見することができる。したがって、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、検査精度を十分に向上させることができる。

また、請求項２記載の絶縁検査装置、および請求項６記載の絶縁検査方法では、Ｍ（Ｍは５以上の整数）個の各導体パターンのうちのＮ（Ｎは２以上で（Ｍ−２）以下の整数）個の導体パターンを第１グループとして設定すると共にＮ個の導体パターンを除く他の全ての導体パターンを第２グループとして設定し、第１グループおよび第２グループとして設定する導体パターンの組み合わせを変更しつつ、第１絶縁検査および第２絶縁検査をそれぞれＫ（Ｋは（ｌｏｇ_２Ｍ）以上であって（ｌｏｇ_２Ｍ）に最も近い整数）回実行することで、全ての導体パターンについての絶縁状態の良否を検査する。したがって、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、各導体パターンの中から選択した一対の導体パターンに対する絶縁検査を一対の導体パターンの全ての組み合わせについて行う回路基板検査方法や、各導体パターンうちの１つと、その１つを除く他の導体パターンの一部または全部との間の絶縁状態を検査する回路基板検査方法と比較して、検査回数を十分に少なくすることができるため、検査効率を十分に向上させることができる。

また、請求項３記載の絶縁検査装置、および請求項７記載の絶縁検査方法では、Ｌ（Ｌは３以上の整数）個の各導体パターンのうちの１個の導体パターンを第１グループとして設定すると共にその導体パターンを除く他の全ての導体パターンを第２グループとして設定し、第１グループおよび第２グループとして設定する導体パターンの組み合わせを変更しつつ、第１絶縁検査および第２絶縁検査をそれぞれＬ回実行することで、全ての導体パターンについての絶縁状態の良否を検査する。したがって、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、各導体パターンの中から選択した一対の導体パターンに対する絶縁検査を一対の導体パターンの全ての組み合わせについて行う回路基板検査方法と比較して、検査回数を十分に少なくすることができるため、検査効率を十分に向上させることができる。

また、請求項４記載の絶縁検査装置、および請求項８記載の絶縁検査方法では、低電圧信号を用いた低電圧絶縁検査、および高電圧信号を用いた高電圧絶縁検査を実行する。このため、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、十分な絶縁性を有しているか否かを高電圧絶縁検査によって確実に検査することができると共に、高電圧絶縁検査において高電圧信号を供給したときに瞬時的に流れる電流の非検出に起因して見過ごされる可能性がある絶縁不良を、低電圧信号を用いた低電圧絶縁検査によって確実に検出することができる結果、検査精度をさらに向上させることができる。

回路基板検査装置１の構成を示す構成図である。 回路基板１００の構成を示す構成図である。 回路基板検査方法を説明する第１の説明図である。 回路基板検査方法を説明する第２の説明図である。 従来の回路基板検査方法を説明する第１の説明図である。 従来の回路基板検査方法を説明する第２の説明図である。

以下、本発明に係る回路基板検査装置および回路基板検査方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。

最初に、回路基板検査装置の一例としての回路基板検査装置１の構成について説明する。図１に示す回路基板検査装置１は、３個以上の一例としてＭ（Ｍは５以上の整数であって、この例では、８）個の導体パターンＰ１〜Ｐ８（図２参照：以下、区別しないときには「導体パターンＰ」ともいう）を有する回路基板１００における各導体パターンＰの間の絶縁状態を検査する絶縁検査を後述する回路基板検査方法に従って実行可能に構成されている。具体的には、回路基板検査装置１は、図１に示すように、基板保持部１１、プローブユニット１２、移動機構１３、検査用信号出力部１４、スキャナ部１５、測定部１６、記憶部１７および制御部１８を備えて構成されている。この場合、スキャナ部１５、測定部１６および制御部１８によって検査部が構成される。

基板保持部１１は、保持板と、保持板に取り付けられて回路基板１００の端部を挟み込んで固定するクランプ機構（いずれも図示せず）とを備えて、回路基板１００を保持可能に構成されている。プローブユニット１２は、複数のプローブピン２１を備えて治具型に構成されている。この場合、プローブユニット１２は、回路基板１００の各導体パターンＰの形状や配設位置などに応じて、プローブピン２１の数や配列パターンが規定されている。移動機構１３は、制御部１８の制御に従い、プローブユニット１２を上下方向に移動させることによってプロービングを実行する。

検査用信号出力部１４は、制御部１８の制御に従い、電圧値が０．１Ｖ〜１０Ｖ程度に規定された直流電圧の低電圧信号Ｓ１（検査用信号としての低電圧信号の一例）、および電圧値が１５Ｖ〜２５０Ｖ程度に規定された（つまり、低電圧信号Ｓ１の電圧値よりも高い電圧値に規定された）直流電圧の高電圧信号Ｓ２（検査用信号としての高電圧信号の一例：以下、低電圧信号Ｓ１および高電圧信号Ｓ２を区別しないときには「電圧信号Ｓ」ともいう）を出力する。スキャナ部１５は、複数のスイッチ（図示せず）を備えて構成され、制御部１８の制御に従って各スイッチをオン状態またはオフ状態に移行させることにより、プローブユニット１２におけるプローブピン２１と検査用信号出力部１４との接断（接続および切断）、およびプローブピン２１と測定部１６との接断を行う（以下、これらの処理を「接断処理」ともいう）。測定部１６は、電圧信号Ｓが供給されたときにプローブピン２１，２１（導体パターンＰ間）に流れる（生じる）電流を測定する測定処理を実行する。

記憶部１７は、制御部１８によって実行される検査処理において用いられる導体パターンデータＤを記憶する。この場合、導体パターンデータＤは、一例として、回路基板１００の各導体パターンＰに対してユニークに（重複することなく）１番からＭ番（この例では、８番）までの番号を付したときに、その１番からＭ番までの番号や、導体パターンＰの番号と検査時（プロービング時）において各導体パターンＰに接触するプローブピン２１の番号とを関連付けた情報などを含んで構成されている。

制御部１８は、図外の操作部から出力される操作信号に従って回路基板検査装置１を構成する各構成要素を制御する。具体的には、制御部１８は、移動機構１３によるプローブユニット１２の移動を制御する。また、制御部１８は、検査用信号出力部１４による電圧信号Ｓの出力を制御する。

また、制御部１８は、後述する低電圧絶縁検査および高電圧絶縁検査を実行し、低電圧絶縁検査および高電圧絶縁検査のそれぞれの中で、第１絶縁検査および第２絶縁検査をこの順番で実行する。

この場合、制御部１８は、第１絶縁検査において、各導体パターンＰのうちのＮ（Ｎは２以上で（Ｍ−２）以下の整数）個の導体パターンＰを第１グループとして設定すると共に、そのＮ個の導体パターンＰ（第１グループの導体パターンＰ）を除く他の全ての導体パターンＰを第２グループとして設定する。また、制御部１８は、スキャナ部１５による接断処理を制御することにより、第１グループの各導体パターンＰと検査用信号出力部１４の高電位側とを接続させて、第１グループの各導体パターンＰを高電位（高電位および低電位のいずれか一方の電位の一例）で同電位とすると共に、第２グループの各導体パターンＰをグランド電位に接続させて、第２グループの各導体パターンＰを低電位（高電位および低電位の他方の電位の一例）で同電位とした状態で第１グループの各導体パターンＰと第２グループの各導体パターンＰとの間に電圧信号Ｓを供給させる供給処理を実行する。

また、制御部１８は、電圧信号Ｓの供給によって流れる電流を測定部１６に測定させて、その測定値に基づいて絶縁状態を検査する。また、制御部１８は、第１グループおよび第２グループとして設定する導体パターンＰの組み合わせを後述する手順に従って変更しつつ、この第１絶縁検査をＫ（Ｋは（ｌｏｇ_２Ｍ）以上であって（ｌｏｇ_２Ｍ）に最も近い整数）回実行する。つまり、制御部１８は、第１グループおよび第２グループとして設定する導体パターンＰの組み合わせを（Ｋ−１）回変更しつつ第１絶縁検査を実行する。

また、制御部１８は、第２絶縁検査において、スキャナ部１５による接断処理を制御することにより、上記のように第１グループとして設定した各導体パターンＰをグランド電位に接続させて、第１グループの各導体パターンＰを低電位で同電位とすると共に、上記のように第２グループとして設定した各導体パターンＰと検査用信号出力部１４の高電位側とを接続させて、第２グループの各導体パターンＰを高電位で同電位とした状態で、第１グループの各導体パターンＰと第２グループの各導体パターンＰとの間に電圧信号Ｓを供給させる供給処理を実行する。つまり、制御部１８は、第１絶縁検査を実行した後に実行する第２絶縁検査において、各導体パターンＰの電位を第１絶縁検査における各導体パターンＰの電位に対して反転させる。

また、制御部１８は、電圧信号Ｓの供給によって流れる電流を測定部１６に測定させて、その測定値に基づいて絶縁状態を検査する。また、制御部１８は、第１グループおよび第２グループとして設定する導体パターンＰの組み合わせを第１絶縁検査における手順と同じ手順で変更しつつ、この第２絶縁検査をＫ回実行する。

また、制御部１８は、低電圧絶縁検査において、低電圧信号Ｓ１を用いて第１絶縁検査および第２絶縁検査を実行し、高電圧絶縁検査において、高電圧信号Ｓ２を用いて第１絶縁検査および第２絶縁検査を実行する。

次に、回路基板検査装置１を用いて回路基板１００における各導体パターンＰの間の絶縁状態を検査する回路基板検査方法、およびその際の回路基板検査装置１の動作について、図面を参照して説明する。なお、回路基板１００は、図２に示すように、８個（Ｍ個の一例）の導体パターンＰ１〜Ｐ８を有しているものとする。また、各導体パターンＰ１〜Ｐ８には、１番から８番（Ｍ番の一例）の番号がユニークに付されているものとする。

まず、検査対象の回路基板１００を基板保持部１１における保持板（図示せず）に載置し、次いで、基板保持部１１のクランプ機構（図示せず）で回路基板１００の端部を挟み込んで固定することにより、回路基板１００を基板保持部１１に保持させる。続いて、図外の操作部を用いて検査開始操作を行う。この際に、制御部１８が、操作部から出力された操作信号に従い、移動機構１３を制御してプローブユニット１２を下向きに移動させる。これにより、プローブユニット１２の各プローブピン２１の先端部が各導体パターンＰ１〜Ｐ８に接触（プロービング）させられる。

次いで、制御部１８は、低電圧絶縁検査を実行する。この低電圧絶縁検査では、制御部１８は、検査用信号出力部１４を制御して低電圧信号Ｓ１の出力を開始させる。続いて、制御部１８は、記憶部１７から導体パターンデータＤを読み出す。次いで、制御部１８は、第１絶縁検査を以下に説明するマルチプル方式で複数回実行する。

具体的には、制御部１８は、まず、１回目の第１絶縁検査を実行する。この１回目の第１絶縁検査では、制御部１８は、回路基板１００の各導体パターンＰのうちの第１グループとして設定する導体パターンＰと、第２グループとして設定する導体パターンＰとを導体パターンデータＤに基づいて特定する。この場合、制御部１８は、例えば、各導体パターンＰに付された１０進数の番号を２進数としたときの１桁目が「１」である導体パターンＰ（この例では、１番，３番，５番，７番の番号が付された導体パターンＰ１，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ７）を第１グループとして設定する。また、制御部１８は、第１グループとして設定した各導体パターンＰを除く他の全ての導体パターンＰ（この例では、２番，４番，６番，８番の番号が付された導体パターンＰ２，Ｐ４，Ｐ６，Ｐ８）を第２グループとして設定する（図３における１回目の第１絶縁検査の列参照）。

続いて、制御部１８は、第１グループの各導体パターンＰに接触しているプローブピン２１を特定する。次いで、制御部１８は、供給処理を実行する。この供給処理では、制御部１８は、スキャナ部１５を制御して、第１グループの各導体パターンＰに接触しているプローブピン２１と検査用信号出力部１４の高電位側とを接続する。また、制御部１８は、スキャナ部１５を制御して、第２グループの各導体パターンＰに接触しているプローブピン２１をグランド電位に接続する。

これにより、第１グループの各導体パターンＰと第２グループの各導体パターンＰとの間に各プローブピン２１を介して電圧信号Ｓが供給（印加）される。この場合、第１グループの各導体パターンＰがプローブピン２１を介して検査用信号出力部１４の高電位側に接続されているため、これらの導体パターンＰが高電位で同電位（この例では、低電圧信号Ｓ１の電位）に維持される。また、第２グループの各導体パターンＰがプローブピン２１を介してグランド電位に接続されているため、これらの導体パターンＰが低電位で同電位（この例では、グランド電位）に維持される。

続いて、制御部１８は、測定部１６に対して測定処理を実行させて、電圧信号Ｓの供給に伴って第１グループのＰと第２グループの各導体パターンＰとの間に流れる電流を測定させる。次いで、制御部１８は、測定部１６によって測定された電流の測定値および電圧信号Ｓの電圧値に基づいて抵抗値を算出し、その抵抗値と予め決められた基準値とを比較して第１グループの各導体パターンＰと第２グループの各導体パターンＰとの間の絶縁状態の良否を検査する。

続いて、制御部１８は、２回目の第１絶縁検査を実行する。この２回目の第１絶縁検査では、制御部１８は、例えば、各導体パターンＰの番号を２進数としたときの２桁目が「１」である導体パターンＰ（この例では、２番，３番，６番，７番の導体パターンＰ２，Ｐ３，Ｐ６，Ｐ７）を第１グループとして設定する。また、制御部１８は、第１グループとして設定した各導体パターンＰを除く他の全ての導体パターンＰ（この例では、１番，４番，５番，８番の導体パターンＰ１，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ８）を第２グループとして設定する（図３における２回目の第１絶縁検査の列参照）。次いで、制御部１８は、供給処理を実行し、第１グループの各導体パターンＰと第２グループの各導体パターンＰとの間の絶縁状態の良否を検査する。

続いて、制御部１８は、３回目の第１絶縁検査を実行する。この３回目の第１絶縁検査では、制御部１８は、例えば、各導体パターンＰの番号を２進数としたときの３桁目が「１」である導体パターンＰ（この例では、４番〜７番の導体パターンＰ４〜Ｐ７）を第１グループとして設定する。また、制御部１８は、第１グループとして設定した各導体パターンＰを除く他の全ての導体パターンＰ（この例では、１番〜３番，８番の導体パターンＰ１〜Ｐ３，Ｐ８）を第２グループとして設定する（図３における３回目の第１絶縁検査の列参照）。次いで、制御部１８は、供給処理を実行し、第１グループの各導体パターンＰと第２グループの各導体パターンＰとの間の絶縁状態の良否を検査する。

続いて、制御部１８は、第２絶縁検査をマルチプル方式で複数回実行する。この場合、制御部１８は、第１グループおよび第２グループとして設定する導体パターンＰの組み合わせを、第１絶縁検査における変更手順と同じ手順で変更しつつ、この第２絶縁検査を第１絶縁検査の実行回数と同じ回数だけ実行する。具体的には、制御部１８は、１回目の第２絶縁検査において、上記した、１回目の第１絶縁検査において第１グループとして設定した導体パターンＰ１，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ７を第１グループとして設定し、第２グループとして設定した導体パターンＰ２，Ｐ４，Ｐ６，Ｐ８を第２グループとして設定する。（図３における１回目の第２絶縁検査の列参照）。次いで、制御部１８は、供給処理を実行してスキャナ部１５を制御し、第１グループの各導体パターンＰに接触しているプローブピン２１をグランド電位に接続すると共に、第２グループの各導体パターンＰに接触しているプローブピン２１と検査用信号出力部１４の高電位側とを接続する。

これにより、第１グループの各導体パターンＰが低電位で同電位に維持され、第２グループの各導体パターンＰが高電位で同電位に維持された状態で、第１グループの各導体パターンＰと第２グループの各導体パターンＰとの間に電圧信号Ｓが供給される。続いて、制御部１８は、測定部１６によって測定された電流の測定値に基づいて第１グループの各導体パターンＰと第２グループの各導体パターンＰとの間の絶縁状態の良否を検査する。

次いで、制御部１８は、２回目の第２絶縁検査において、上記した、２回目の第１絶縁検査において第１グループとして設定した導体パターンＰ２，Ｐ３，Ｐ６，Ｐ７を第１グループとして設定し、第２グループとして設定した導体パターンＰ１，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ８を第２グループとして設定する。（図３における２回目の第２絶縁検査の列参照）。続いて、制御部１８は、供給処理を実行し、第１グループの各導体パターンＰと第２グループの各導体パターンＰとの間の絶縁状態の良否を検査する。

次いで、制御部１８は、３回目の第２絶縁検査において、上記した、３回目の第１絶縁検査において第１グループとして設定した導体パターンＰ４〜Ｐ７を第１グループとして設定し、第２グループとして設定した導体パターンＰ１〜Ｐ３，Ｐ８を第２グループとして設定する。（図３における３回目の第２絶縁検査の列参照）。続いて、制御部１８は、供給処理を実行し、第１グループの各導体パターンＰと第２グループの各導体パターンＰとの間の絶縁状態の良否を検査する。以上により、低電圧絶縁検査が終了する。

ここで、例えば、導体パターンＰに「ばり」等が形成されていたり、隣接する導体パターンＰの間の基板内に金属の破片や粉体等の異物が混入していたりしているときには、各導体パターンＰの間における一方の向きには大きな電流が流れる絶縁不良が生じていても、その逆向きには小さな電流しか流れないことがある。このようなときに、第１絶縁検査および第２絶縁検査のいずれか一方だけを実行する構成および方法では、その一方の検査における電流の向きが小さな電流しか流れない向きであるときには、絶縁不良が生じているにも拘わらず良好と判定されて、その絶縁不良が見過ごされる可能性がある。これに対して、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、上記したように、制御部１８が、第１絶縁検査を実行した後に実行する第２絶縁検査において、各導体パターンＰの電位を第１絶縁検査における各導体パターンＰの電位に対して反転させる。このため、このこの回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、このような絶縁不良を確実に発見することが可能となっている。

また、上記したマルチプル方式の第１絶縁検査および第２絶縁検査では、図３に示すように、Ｍ（Ｍは５以上の整数であって、この例では、８）個の各導体パターンＰのうちのＮ（Ｎは２以上で（Ｍ−２）以下の整数であって、この例では、４）個の導体パターンＰを第１グループとして設定すると共にＮ個の導体パターンＰを除く他の全ての導体パターンＰ導体を第２グループとして設定する。また、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、第１絶縁検査および第２絶縁検査のいずれの検査においても、第１グループとして設定した導体パターンＰを低電位および高電位のいずれか一方の電位に接続し、第２グループとして設定した他の全ての導体パターンＰを低電位および高電位の他方の電位に接続して電圧信号Ｓを供給する。このため、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、オープン状態の導体パターンＰに電圧が印加されて絶縁状態が不良となる可能性を十分に低下させることができると共に、その不良が見過ごされる可能性を十分に低下させることが可能となっている。

また、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、マルチプル方式の第１絶縁検査および第２絶縁検査を実行する際に、導体パターンＰの数をＭ（この例では、８）としたときに、第１グループおよび第２グループとする導体パターンＰの組み合わせを変更しつつ、第１絶縁検査および第２絶縁検査をそれぞれＫ（Ｋは（ｌｏｇ_２Ｍ）以上であって（ｌｏｇ_２Ｍ）に最も近い整数）回（この例では、３回）実行することで、全ての導体パターンＰについての絶縁状態の良否を検査する。このため、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、各導体パターンＰの中から選択した一対の導体パターンＰに対する絶縁検査を一対の導体パターンＰの全ての組み合わせについて行う回路基板検査方法や、各導体パターンＰうちの１つと、その１つを除く他の導体パターンＰの一部または全部との間の絶縁状態を検査する回路基板検査方法と比較して、検査回数を十分に少なくすることができるため、検査効率を十分に向上させることが可能となっている。なお、８個（Ｍ個の一例）の導体パターンＰの全てについての絶縁状態を、３回（Ｋ回の一例）の第１絶縁検査および第２絶縁検査で行う例について上記したが、導体パターンＰの数Ｍが５〜７の整数および９以上の整数（つまり、５以上の任意の整数）であるときに適用することができるのは勿論である。この場合、これらＭ個の全ての導体パターンＰについての絶縁状態を、（ｌｏｇ_２Ｍ）以上であって（ｌｏｇ_２Ｍ）に最も近い整数で規定されるＫ回の第１絶縁検査およびＫ回の第２絶縁検査で行うことができる。また、上記の例では、４個（Ｎ個の一例）の導体パターンＰを第１グループとして設定する例について上記したが、このＮ個についても、２以上で（Ｍ−２）以下の任意の整数に規定することができる。

一方、制御部１８は、低電圧絶縁検査に次いで、高電圧絶縁検査を実行する。この高電圧絶縁検査では、制御部１８は、検査用信号出力部１４を制御して高電圧信号Ｓ２の出力を開始させる。続いて、制御部１８は、低電圧絶縁検査における第１絶縁検査および第２絶縁検査と同じ手順で、第１絶縁検査および第２絶縁検査を実行する。つまり、制御部１８は、上記した低電圧絶縁検査において用いた低電圧信号Ｓ１に代えて高電圧信号Ｓ２を用いて、上記した第１絶縁検査および第２絶縁検査を実行する。以上により、高電圧絶縁検査が終了する。

この回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、低電圧信号Ｓ１を用いた低電圧絶縁検査、および高電圧信号Ｓ２を用いた高電圧絶縁検査の双方を実行する。この場合、高電圧絶縁検査では、導体パターンＰに対して高電圧信号Ｓ２を供給して検査を行うため、十分な絶縁性を有しているか否かを確実に検査することができる。一方、例えば、高電圧絶縁検査では、導体パターンＰに「ばり」等が形成されていたり、隣接する導体パターンＰの間の基板内に金属の破片や粉体等の異物が混入しているときには、導体パターンＰに対して高電圧信号Ｓ２が供給されたときに導体パターンＰの間に瞬時的に大きな電流が流れ、この電流が測定部１６によって検出されずに絶縁不良が見過ごされる可能性がある。これに対して、低電圧信号Ｓ１を用いた低電圧絶縁検査では、このような場合において、導体パターンＰに対して低電圧信号Ｓ１が供給されたときに導体パターンＰの間に比較的小さな電流が継続的に流れるため、この電流を測定部１６によって確実に検出させることができる。したがって、低電圧絶縁検査行う高電圧絶縁検査の双方を実行するこの回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、十分な絶縁性を有しているか否かを確実に検査することができると共に、上記のような絶縁不良が見過ごされる可能性を十分に低下させることが可能となっている。

次いで、制御部１８は、低電圧絶縁検査における第１絶縁検査および第２絶縁検査の結果、並びに高電圧絶縁検査における第１絶縁検査および第２絶縁検査の結果を図外の表示部に表示させる。

このように、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、第１絶縁検査および第２絶縁検査のいずれの検査においても、第１グループとして設定した導体パターンＰを低電位および高電位のいずれか一方の電位に接続し、第２グループとして設定した他の全ての導体パターンＰを低電位および高電位の他方の電位に接続して電圧信号Ｓを供給する。このため、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法によれば、オープン状態の導体パターンＰに電圧が印加されて絶縁状態が不良となる可能性を十分に低下させることができると共に、その不良が見過ごされる可能性を十分に低下させることができる。また、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、制御部１８が、第１絶縁検査を実行した後に実行する第２絶縁検査において、各導体パターンＰの電位を第１絶縁検査における各導体パターンＰの電位に対して反転させる。このため、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法によれば、例えば、導体パターンＰに「ばり」等が形成されていたり、隣接する導体パターンＰの間の基板内に金属の破片や粉体等の異物が混入していたりして、電流の向きによって各導体パターンＰの間に流れる電流値が大きく異なる場合であっても、絶縁不良を確実に発見することができる。したがって、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法によれば、検査精度を十分に向上させることができる。

また、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、Ｍ（この例では、８）個の各導体パターンＰのうちのＮ（この例では、４）個の導体パターンＰを第１グループとして設定すると共にＮ個の導体パターンＰを除く他の全ての導体パターンＰを第２グループとして設定し、第１グループおよび第２グループとして設定する導体パターンＰの組み合わせを変更しつつ、第１絶縁検査および第２絶縁検査をそれぞれＫ（Ｋは（ｌｏｇ_２Ｍ）以上であって（ｌｏｇ_２Ｍ）に最も近い整数）回実行することで、全ての導体パターンＰについての絶縁状態の良否を検査する。したがって、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法によれば、各導体パターンＰの中から選択した一対の導体パターンＰに対する絶縁検査を一対の導体パターンＰの全ての組み合わせについて行う回路基板検査方法や、各導体パターンＰうちの１つと、その１つを除く他の導体パターンＰの一部または全部との間の絶縁状態を検査する回路基板検査方法と比較して、検査回数を十分に少なくすることができるため、検査効率を十分に向上させることができる。

また、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、低電圧信号Ｓ１を用いた低電圧絶縁検査、および高電圧信号Ｓ２を用いた高電圧絶縁検査を実行する。このため、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法によれば、十分な絶縁性を有しているか否かを高電圧絶縁検査によって確実に検査することができると共に、高電圧絶縁検査において高電圧信号Ｓ２を供給したときに瞬時的に流れる電流の非検出に起因して見過ごされる可能性がある絶縁不良を、低電圧信号Ｓ１を用いた低電圧絶縁検査によって確実に検出することができる結果、検査精度をさらに向上させることができる。

次に、回路基板検査装置および回路基板検査方法の他の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。まず、回路基板検査装置１Ａの構成について説明する。なお、以下の説明において、上記した回路基板検査装置１と同じ構成要素については、同じ符号を付して、重複する説明を省略する。また、上記した回路基板検査方法（以下、この上記した回路基板検査方法を「第１の回路基板検査方法」ともいう）と同じ内容については、重複する説明を省略する。

回路基板検査装置１Ａは、Ｌ（Ｌは３以上の整数であって、一例として８）個の導体パターンＰ１〜Ｐ８を有する回路基板１００における各導体パターンＰの間の絶縁状態を検査する絶縁検査を後述する回路基板検査方法（以下、この回路基板検査方法を「第２の回路基板検査方法」ともいう）に従って実行可能に構成されている。具体的には、回路基板検査装置１Ａは、図１に示すように、基板保持部１１、プローブユニット１２、移動機構１３、検査用信号出力部１４、スキャナ部１５、測定部１６、記憶部１７および制御部１８Ａを備えて構成されている。

制御部１８Ａは、回路基板検査装置１の制御部１８と同様の機能を有している。この場合、制御部１８Ａは、Ｌ個の導体パターンＰを有する回路基板１００に対する第１絶縁検査を実行する際に、各導体パターンＰのうちの１個の導体パターンＰを第１グループとして設定すると共に、その１個の導体パターンＰを除く他の全ての導体パターンＰを第２グループとして設定する。また、制御部１８Ａは、第１絶縁検査において、スキャナ部１５による接断処理を制御することにより、第１グループの導体パターンＰと検査用信号出力部１４の高電位側とを接続させて、第１グループの各導体パターンＰを高電位（高電位および低電位のいずれか一方の電位の一例）とすると共に、第２グループの各導体パターンＰをグランド電位に接続させて、第２グループの各導体パターンＰを低電位（高電位および低電位の他方の電位の一例）で同電位とした状態で第１グループの導体パターンＰと第２グループの各導体パターンＰとの間に電圧信号Ｓを供給させる供給処理を実行する。この場合、制御部１８Ａは、第１グループおよび第２グループとして設定する導体パターンＰの組み合わせを後述する手順に従って変更しつつ、この第１絶縁検査をＬ回実行する。つまり、制御部１８Ａは、第１グループおよび第２グループとして設定する導体パターンＰの組み合わせを（Ｌ−１）回変更しつつ第１絶縁検査を実行する。

また、第２絶縁検査において、制御部１８Ａは、スキャナ部１５による接断処理を制御することにより、上記のように第１グループとして設定した導体パターンＰをグランド電位に接続させて、第２グループの各導体パターンＰを低電位で同電位とすると共に、上記のように第２グループとして設定した各導体パターンＰと検査用信号出力部１４の高電位側とを接続させて、第２グループの各導体パターンＰを高電位で同電位とした状態で第１グループの導体パターンＰと第２グループの各導体パターンＰとの間に電圧信号Ｓを供給させる供給処理を実行する。この場合、制御部１８Ａは、第１グループおよび第２グループとして設定する導体パターンの組み合わせを第１絶縁検査における手順と同じ手順で変更しつつ、この第２絶縁検査をＬ回実行する。

次に、回路基板検査装置１Ａを用いて、図２に示す回路基板１００における各導体パターンＰの間の絶縁状態を検査する回路基板検査方法、およびその際の回路基板検査装置１Ａの動作について、図面を参照して説明する。なお、回路基板検査装置１における各構成要素の動作と同じ動作については、重複する説明を省略する。

この回路基板検査装置１Ａでは、制御部１８Ａが、低電圧絶縁検査における第１絶縁検査を以下に説明するバルクショート方式で複数回実行する。具体的には、制御部１８Ａは、まず、１回目の第１絶縁検査を実行する。この１回目の第１絶縁検査では、制御部１８Ａは、例えば、各導体パターンＰに付された番号（１０進数の番号）のうちの最も小さい番号が付された導体パターンＰ（この例では、１番の番号が付された導体パターンＰ１）を第１グループとして設定する。また、制御部１８Ａは、第１グループとして設定した導体パターンＰ１を除く他の全ての導体パターンＰ（この例では、２番〜８番の番号が付された導体パターンＰ２〜Ｐ８）を第２グループとして設定する（図４における１回目の第１絶縁検査の列参照）。

続いて、制御部１８Ａは、各導体パターンＰに接触しているプローブピン２１を特定する。次いで、制御部１８Ａは、供給処理を実行する。この供給処理では、制御部１８Ａは、スキャナ部１５を制御して、導体パターンＰ１に接触しているプローブピン２１と検査用信号出力部１４の高電位側とを接続する。また、制御部１８Ａは、スキャナ部１５を制御して、第２グループの各導体パターンＰに接触しているプローブピン２１をグランド電位に接続する。

これにより、導体パターンＰ１と第２グループの各導体パターンＰとの間に各プローブピン２１を介して電圧信号Ｓが供給（印加）される。この場合、第２グループの各導体パターンＰがプローブピン２１を介してグランド電位に接続されているため、これらの導体パターンＰが低電位で同電位（この例では、グランド電位）に維持される。続いて、制御部１８Ａは、測定部１６によって測定された電流の測定値に基づいて導体パターンＰ１と第２グループの各導体パターンＰとの間の絶縁状態の良否を検査する。

次いで、制御部１８Ａは、２回目の第１絶縁検査を実行する。この２回目の第１絶縁検査では、制御部１８Ａは、２番目に小さい番号が付された導体パターンＰ２を第１グループとして設定する。また、制御部１８Ａは、第１グループとして設定した導体パターンＰ２を除く他の全ての導体パターンＰ（この例では、１番および３番〜８番の番号が付された導体パターンＰ１，Ｐ３〜Ｐ８）を第２グループとして設定する（図４における２回目の第１絶縁検査の列参照）。続いて、制御部１８Ａは、供給処理を実行し、導体パターンＰ２と第２グループの各導体パターンＰとの間の絶縁状態の良否を検査する。

以下、制御部１８Ａは、直前の第１絶縁検査において第１グループとして設定した導体パターンＰの番号よりも１つ大きい番号が付された導体パターンＰを第１グループとして設定すると共に、その導体パターンＰを除く他の全ての導体パターンＰを第２グループとして設定して、第１絶縁検査を実行する。つまり、制御部１８Ａは、第１グループおよび第２グループとして設定する導体パターンＰの組み合わせを（Ｌ−１）回変更しつつ第１絶縁検査をＬ回実行する。

次いで、制御部１８Ａは、第２絶縁検査をバルクショート方式で複数回実行する。この場合、制御部１８Ａは、第１グループおよび第２グループとして設定する導体パターンＰの組み合わせを、第１絶縁検査における変更手順と同じ手順で変更しつつ、この第２絶縁検査を第１絶縁検査の実行回数と同じ回数だけ実行する。具体的には、制御部１８Ａは、１回目の第２絶縁検査において、１回目の第１絶縁検査において第１グループとして設定した１個の導体パターンＰ１を第１グループとして設定し、その１個の導体パターンを除く他の全ての導体パターンＰ２〜Ｐ８を第２グループとして設定する。（図４における１回目の第２絶縁検査の列参照）。続いて、制御部１８Ａは、供給処理を実行してスキャナ部１５を制御し、導体パターンＰ１に接触しているプローブピン２１グランド電位に接続すると共に、第２グループの各導体パターンＰに接触しているプローブピン２１と検査用信号出力部１４の高電位側とを接続する。

これにより、第１グループの導体パターンＰが低電位に維持され、第２グループの各導体パターンＰが高電位で同電位に維持された状態で、第１グループの導体パターンＰと第２グループの各導体パターンＰとの間に電圧信号Ｓが供給される。次いで、制御部１８Ａは、測定部１６によって測定された電流の測定値に基づいて第１グループの導体パターンＰと第２グループの各導体パターンＰとの間の絶縁状態の良否を検査する。

続いて、制御部１８Ａは、２回目の第２絶縁検査において、上記した、２回目の第１絶縁検査において第１グループとして設定した導体パターンＰ２を第１グループとして設定し、第２グループとして設定した導体パターンＰ１，Ｐ３〜Ｐ８を第２グループとして設定する。（図４における２回目の第２絶縁検査の列参照）。次いで、制御部１８Ａは、供給処理を実行し、導体パターンＰ２と第２グループの各導体パターンＰとの間の絶縁状態の良否を検査する。

以下、制御部１８Ａは、直前の第１絶縁検査において第１グループとして設定した導体パターンＰの番号よりも１つ大きい番号が付された導体パターンＰを第１グループとして設定すると共に、その導体パターンＰを除く他の全ての導体パターンＰを第２グループとして設定して、第２絶縁検査を実行する。つまり、制御部１８Ａは、第１グループおよび第２グループとして設定する導体パターンＰの組み合わせを（Ｌ−１）回変更しつつ第２絶縁検査をＬ回実行する。以上により、低電圧絶縁検査が終了する。

このバルクショート方式の第１絶縁検査および第２絶縁検査では、図４に示すように、Ｌ（Ｌは３以上の整数であって、この例では、８）個の各導体パターンＰのうちの１個の導体パターンＰを第１グループとして設定すると共にその１個の導体パターンＰを除く他の全ての導体パターンＰを第２グループとして設定する。また、この回路基板検査装置１Ａおよび第２の回路基板検査方法では、第１絶縁検査および第２絶縁検査のいずれの検査においても、第１グループとして設定した導体パターンＰを低電位および高電位のいずれか一方の電位に接続し、第２グループとして設定した他の全ての導体パターンＰを低電位および高電位の他方の電位に接続して電圧信号Ｓを供給する。このため、この回路基板検査装置１Ａおよび第２の回路基板検査方法では、オープン状態の導体パターンＰに電圧が印加されて絶縁状態が不良となる可能性を十分に低下させることができると共に、その不良が見過ごされる可能性を十分に低下させることが可能となっている。なお、８個（Ｌ個の一例）の導体パターンＰの全てについての絶縁状態を、８回（Ｌ回の一例）の第１絶縁検査および８回（Ｌ回の一例）の第２絶縁検査で行う例について上記したが、導体パターンＰの数Ｌが３〜７の整数および９以上の整数（つまり、３以上の任意の整数）であるときに適用することができるのは勿論である。この場合、これらＬ個の全ての導体パターンＰについての絶縁状態を、Ｌ回の第１絶縁検査およびＬ回の第２絶縁検査で行うことができる。

また、この回路基板検査装置１Ａおよび第２の回路基板検査方法では、制御部１８Ａが、第１絶縁検査を実行した後に実行する第２絶縁検査において、各導体パターンＰの電位を第１絶縁検査における各導体パターンＰの電位に対して反転させる。このため、この回路基板検査装置１Ａおよび第２の回路基板検査方法においても、回路基板検査装置１および第１の回路基板検査方法と同様にして、絶縁不良が確実に発見される結果、検査精度を十分に向上させることが可能となっている。

また、この回路基板検査装置１Ａおよび第２の回路基板検査方法では、バルクショート方式の第１絶縁検査および第２絶縁検査を実行する際に、導体パターンＰの数をＬ（この例では、８）としたときに、第１グループおよび第２グループとする導体パターンＰの組み合わせを（Ｌ−１）回だけ変更する。つまり、第１絶縁検査および第２絶縁検査をそれぞれＬ回実行することで、全ての導体パターンＰについての絶縁状態の良否が検査される。このため、この回路基板検査装置１Ａおよび第２の回路基板検査方法では、各導体パターンＰの中から選択した一対の導体パターンＰに対する絶縁検査を一対の導体パターンＰの全ての組み合わせについて行う回路基板検査方法と比較して、検査回数を十分に少なくすることができる結果、検査効率が十分に向上されている。

続いて、制御部１８Ａは、高電圧絶縁検査を実行する。この高電圧絶縁検査では、制御部１８Ａは、検査用信号出力部１４を制御して高電圧信号Ｓ２の出力を開始させる。次いで、制御部１８Ａは、低電圧絶縁検査における第１絶縁検査および第２絶縁検査と同じ手順で、高電圧絶縁検査の第１絶縁検査および第２絶縁検査を実行する。つまり、制御部１８Ａは、上記した低電圧絶縁検査において用いた低電圧信号Ｓ１に代えて高電圧信号Ｓ２を用いて、上記した第１絶縁検査および第２絶縁検査を実行する。以上により、高電圧絶縁検査が終了する。

この場合、この回路基板検査装置１Ａおよび第２の回路基板検査方法においても、低電圧信号Ｓ１を用いた低電圧絶縁検査、および高電圧信号Ｓ２を用いた高電圧絶縁検査を実行するため、回路基板検査装置１および第１の回路基板検査方法と同様にして、絶縁不良が見過ごされる可能性を十分に低下させることが可能となっている。

続いて、制御部１８Ａは、低電圧絶縁検査における第１絶縁検査および第２絶縁検査の結果、並びに高電圧絶縁検査における第１絶縁検査および第２絶縁検査の結果を図外の表示部に表示する。

このように、この回路基板検査装置１Ａおよび第２の回路基板検査方法では、第１絶縁検査および第２絶縁検査のいずれの検査においても、第１グループとして設定した導体パターンＰを低電位および高電位のいずれか一方の電位に接続し、第２グループとして設定した他の全ての導体パターンＰを低電位および高電位の他方の電位に接続して電圧信号Ｓを供給する。このため、この回路基板検査装置１Ａおよび第２の回路基板検査方法によれば、オープン状態の導体パターンＰに電圧が印加されて絶縁状態が不良となる可能性を十分に低下させることができると共に、その不良が見過ごされる可能性を十分に低下させることができる。また、この回路基板検査装置１Ａおよび第２の回路基板検査方法では、制御部１８Ａが、第１絶縁検査を実行した後に実行する第２絶縁検査において、各導体パターンＰの電位を第１絶縁検査における各導体パターンＰの電位に対して反転させる。このため、この回路基板検査装置１Ａおよび第２の回路基板検査方法によれば、電流の向きによって各導体パターンＰの間に流れる電流値が大きく異なる場合であっても、絶縁不良を確実に発見することができる。したがって、この回路基板検査装置１Ａおよび第２の回路基板検査方法によれば、検査精度を十分に向上させることができる。

また、この回路基板検査装置１Ａおよび第２の回路基板検査方法では、Ｌ個の各導体パターンＰのうちの１個の導体パターンＰを第１グループとして設定すると共にその導体パターンＰを除く他の全ての導体パターンＰを第２グループとして設定し、第１グループおよび第２グループとして設定する導体パターンＰの組み合わせを変更しつつ、第１絶縁検査および第２絶縁検査をそれぞれＬ回実行することで、全ての導体パターンＰについての絶縁状態の良否を検査する。したがって、この回路基板検査装置１Ａおよび第２の回路基板検査方法によれば、各導体パターンＰの中から選択した一対の導体パターンＰに対する絶縁検査を一対の導体パターンＰの全ての組み合わせについて行う回路基板検査方法と比較して、検査回数を十分に少なくすることができるため、検査効率を十分に向上させることができる。

また、この回路基板検査装置１Ａおよび第２の回路基板検査方法では、低電圧信号Ｓ１を用いた低電圧絶縁検査、および高電圧信号Ｓ２を用いた高電圧絶縁検査を実行する。このため、この回路基板検査装置１Ａおよび第２の回路基板検査方法によれば、第１絶縁検査および第１の回路基板検査方法と同様にして、十分な絶縁性を有しているか否かを高電圧絶縁検査によって確実に検査することができると共に、高電圧絶縁検査において高電圧信号Ｓ２を供給したときに瞬時的に流れる電流の非検出に起因して見過ごされる可能性がある絶縁不良を、低電圧信号Ｓ１を用いた低電圧絶縁検査によって確実に検出することができる結果、検査精度をさらに向上させることができる。

なお、第１絶縁検査および第２絶縁検査をマルチプル方式またはバルクショート方式で複数回実行する例について上記したが、他の方式（例えば、特開２００８−０５８２５４に開示されているような変形マルチプル方式）で第１絶縁検査および第２絶縁検査を複数回実行する構成および方法を採用することもできる。また、低電圧絶縁検査の実行後に高電圧絶縁検査を実行する例について説明したが、高電圧絶縁検査の実行後に低電圧絶縁検査をを実行する構成および方法を採用することもできる。また、低電圧絶縁検査および高電圧絶縁検査の一方だけを実行する構成および方法を採用することもできる。また、低電圧絶縁検査や高電圧絶縁検査の実行前または実行後に各導体パターンＰの導通検査（導体パターンＰにおける断線有無の検査）を実行する構成および方法を採用することもできる。

１，１Ａ 回路基板検査装置
１４ 検査用信号出力部
１５ スキャナ部
１６ 測定部
１８，１８Ａ 制御部
１００ 回路基板
Ｐ１〜Ｐ８ 導体パターン
Ｓ１ 低電圧信号
Ｓ２ 高電圧信号

Claims (8)

1. ３個以上の導体パターンを有する回路基板における当該各導体パターンのうちの一部の導体パターンを第１グループとして設定すると共に当該第１グループの導体パターンを除く他の全ての導体パターンを第２グループとして設定し、前記第１グループの前記導体パターンを高電位および低電位のいずれか一方の電位で同電位とすると共に前記第２グループの前記導体パターンを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位としつつ当該第１グループの導体パターンと当該第２グループの導体パターンとの間に検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査する第１絶縁検査を、前記第１グループおよび前記第２グループとして設定する前記導体パターンの組み合わせを変更しつつ実行する検査部を備えた回路基板検査装置であって、
   前記検査部は、前記第１絶縁検査の実行後において、前記第１グループの前記導体パターンを前記他方の電位で同電位とすると共に前記第２グループの前記導体パターンを前記いずれか一方の電位で同電位としつつ当該第１グループの導体パターンと当該第２グループの導体パターンとの間に前記検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査する第２絶縁検査を、前記第１絶縁検査における前記組み合わせと同じ組み合わせについて実行する回路基板検査装置。
2. 前記検査部は、Ｍ（Ｍは５以上の整数）個の前記導体パターンを有する前記回路基板に対する前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査を実行する際に、当該回路基板の各導体パターンのうちのＮ（Ｎは２以上で（Ｍ−２）以下の整数）個の導体パターンを前記第１グループとして設定すると共に当該Ｎ個の導体パターンを除く他の全ての導体パターンを前記第２グループとして設定し、前記第１グループおよび前記第２グループとして設定する前記導体パターンの組み合わせを変更しつつ前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査をそれぞれＫ（Ｋは（ｌｏｇ_２Ｍ）以上であって（ｌｏｇ_２Ｍ）に最も近い整数）回実行する請求項１記載の回路基板検査装置。
3. 前記検査部は、Ｌ（Ｌは３以上の整数）個の前記導体パターンを有する前記回路基板に対する前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査を実行する際に、当該回路基板の各導体パターンのうちの１個の導体パターンを前記第１グループとして設定すると共に当該１個の導体パターンを除く他の全ての導体パターンを前記第２グループとして設定し、前記第１グループおよび前記第２グループとして設定する前記導体パターンの組み合わせを変更しつつ前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査をそれぞれＬ回実行する請求項１記載の回路基板検査装置。
4. 前記検査部は、前記検査用信号としての低電圧信号を用いて前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査を実行する低電圧絶縁検査と、前記検査用信号としての高電圧信号を用いて前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査を実行する高電圧絶縁検査とを実行する請求項１から３のいずれかに記載の回路基板検査装置。
5. ３個以上の導体パターンを有する回路基板における当該各導体パターンのうちの一部の導体パターンを第１グループとして設定すると共に当該第１グループの導体パターンを除く他の全ての導体パターンを第２グループとして設定し、前記第１グループの前記導体パターンを高電位および低電位のいずれか一方の電位で同電位とすると共に前記第２グループの前記導体パターンを当該高電位および当該低電位の他方の電位で同電位としつつ当該第１グループの導体パターンと当該第２グループの導体パターンとの間に検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査する第１絶縁検査を、前記第１グループおよび前記第２グループとして設定する前記導体パターンの組み合わせを変更しつつ実行する回路基板検査方法であって、
   前記第１絶縁検査の実行後において、前記第１グループの前記導体パターンを前記他方の電位で同電位とすると共に前記第２グループの前記導体パターンを前記いずれか一方の電位で同電位としつつ当該第１グループの導体パターンと当該第２グループの導体パターンとの間に前記検査用信号を供給させて当該各導体パターンの間の絶縁状態を検査する第２絶縁検査を、前記第１絶縁検査における前記組み合わせと同じ組み合わせについて実行する回路基板検査方法。
6. Ｍ（Ｍは５以上の整数）個の前記導体パターンを有する前記回路基板に対する前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査を実行する際に、当該回路基板の各導体パターンのうちのＮ（Ｎは２以上で（Ｍ−２）以下の整数）個の導体パターンを前記第１グループとして設定すると共に当該Ｎ個の導体パターンを除く他の全ての導体パターンを前記第２グループとして設定し、前記第１グループおよび前記第２グループとして設定する前記導体パターンの組み合わせを変更しつつ前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査をそれぞれＫ（Ｋは（ｌｏｇ_２Ｍ）以上であって（ｌｏｇ_２Ｍ）に最も近い整数）回実行する請求項５記載の回路基板検査方法。
7. Ｌ（Ｌは３以上の整数）個の前記導体パターンを有する前記回路基板に対する前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査を実行する際に、当該回路基板の各導体パターンのうちの１個の導体パターンを前記第１グループとして設定すると共に当該１個の導体パターンを除く他の全ての導体パターンを前記第２グループとして設定し、前記第１グループおよび前記第２グループとして設定する前記導体パターンの組み合わせを変更しつつ前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査をそれぞれＬ回実行する請求項５記載の回路基板検査方法。
8. 前記検査用信号としての低電圧信号を用いて前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査を実行する低電圧絶縁検査と、前記検査用信号としての高電圧信号を用いて前記第１絶縁検査および前記第２絶縁検査を実行する高電圧絶縁検査とを実行する請求項５から７のいずれかに記載の回路基板検査方法。

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