JP5018474B2 - 半導体デバイス試験装置及び半導体デバイス試験方法 - Google Patents
半導体デバイス試験装置及び半導体デバイス試験方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5018474B2 JP5018474B2 JP2007341031A JP2007341031A JP5018474B2 JP 5018474 B2 JP5018474 B2 JP 5018474B2 JP 2007341031 A JP2007341031 A JP 2007341031A JP 2007341031 A JP2007341031 A JP 2007341031A JP 5018474 B2 JP5018474 B2 JP 5018474B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- value
- determination
- standard deviation
- index value
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
502 プローブ
503 半導体ウェハ
504 半導体ウェハ位置制御部
505 コンピュータ
801 バス
802 CPU
803 ROM
804 RAM
805 ネットワークインタフェース
806 入力装置
807 出力装置
808 外部記憶装置
Claims (5)
- 複数の半導体デバイスの測定値を入力する入力部と、
前記複数の測定値のうちの異なる2個の測定値の差の絶対値の平均値を指標値として演算する指標値演算部と、
前記複数の測定値の標準偏差を演算する標準偏差演算部と、
前記指標値及び前記標準偏差を基に判定の有効性を判断する有効性判断部と、
前記判定が有効であると判断されたときには、前記標準偏差を用いて前記複数の半導体デバイスの良品/不良品判定を行ってその判定結果を出力する良品/不良品判定部と
を有することを特徴とする半導体デバイス試験装置。 - 前記指標値演算部は、連続性のある2個の半導体デバイスの測定値の差の絶対値の平均値を指標値として演算することを特徴とする請求項1記載の半導体デバイス試験装置。
- 前記指標値演算部は、測定順序が隣接する2個の半導体デバイスの測定値の差の絶対値の平均値を指標値として演算することを特徴とする請求項2記載の半導体デバイス試験装置。
- 前記指標値演算部は、半導体ウェハ内の位置が隣接する2個の半導体デバイスの測定値の差の絶対値の平均値を指標値として演算することを特徴とする請求項2記載の半導体デバイス試験装置。
- 複数の半導体デバイスの測定値を入力する入力ステップと、
前記複数の測定値のうちの異なる2個の測定値の差の絶対値の平均値を指標値として演算する指標値演算ステップと、
前記複数の測定値の標準偏差を演算する標準偏差演算ステップと、
前記指標値及び前記標準偏差を基に判定の有効性を判断する有効性判断ステップと、
前記判定が有効であると判断されたときには、前記標準偏差を用いて前記複数の半導体デバイスの良品/不良品判定を行ってその判定結果を出力する良品/不良品判定ステップと
を有することを特徴とする半導体デバイス試験方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007341031A JP5018474B2 (ja) | 2007-12-28 | 2007-12-28 | 半導体デバイス試験装置及び半導体デバイス試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007341031A JP5018474B2 (ja) | 2007-12-28 | 2007-12-28 | 半導体デバイス試験装置及び半導体デバイス試験方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009164292A JP2009164292A (ja) | 2009-07-23 |
JP5018474B2 true JP5018474B2 (ja) | 2012-09-05 |
Family
ID=40966581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007341031A Expired - Fee Related JP5018474B2 (ja) | 2007-12-28 | 2007-12-28 | 半導体デバイス試験装置及び半導体デバイス試験方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5018474B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2378278B1 (en) * | 2010-04-19 | 2018-03-28 | Airbus Defence and Space GmbH | Method for screening of multi-junction solar cells |
CN106813703B (zh) * | 2016-12-20 | 2019-06-28 | 歌尔科技有限公司 | 一种测试产品功能的方法和装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04313080A (ja) * | 1991-03-25 | 1992-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体試験方法 |
WO1996026539A1 (fr) * | 1995-02-24 | 1996-08-29 | Hitachi, Ltd. | Procede et dispositif destine a l'analyse d'anomalies et la verification de chaines de production |
JPH1196361A (ja) * | 1996-08-29 | 1999-04-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 物体抽出装置、物体抽出方法、物体抽出プログラムを記録した媒体および物体検出プログラムを記録した媒体 |
JP4303017B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2009-07-29 | Necエレクトロニクス株式会社 | 品質管理装置及び品質管理方法 |
JP4825482B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2011-11-30 | 中国電力株式会社 | 不具合発生予測装置および不具合発生予測方法 |
WO2007113968A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体集積回路の検査方法および情報記録媒体 |
-
2007
- 2007-12-28 JP JP2007341031A patent/JP5018474B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009164292A (ja) | 2009-07-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3940718B2 (ja) | 試験装置、良否判定基準設定装置、試験方法及び試験プログラム | |
US10002701B2 (en) | Profiling transformer of power system | |
US20110031981A1 (en) | Valuation method of dielectric breakdown lifetime of gate insulating film, valuation device of dielectric breakdown lifetime of gate insulating film and program for evaluating dielectric breakdown lifetime of gate insulating film | |
US20060236184A1 (en) | Fault detecting method and layout method for semiconductor integrated circuit | |
JP2018147959A (ja) | 検査システム、ならびに検査システムの故障解析・予知方法 | |
JP2008002900A (ja) | 半導体装置のスクリーニング方法と装置並びにプログラム | |
WO2007113968A1 (ja) | 半導体集積回路の検査方法および情報記録媒体 | |
US20120212245A1 (en) | Circuit and method for testing insulating material | |
JP2007235108A (ja) | 半導体検査装置、半導体検査方法 | |
JP5018474B2 (ja) | 半導体デバイス試験装置及び半導体デバイス試験方法 | |
JP2007240376A (ja) | 半導体集積回路の静止電源電流検査方法および装置 | |
US10191112B2 (en) | Early development of a database of fail signatures for systematic defects in integrated circuit (IC) chips | |
US20170212165A1 (en) | Resistance measurement-dependent integrated circuit chip reliability estimation | |
US6476631B1 (en) | Defect screening using delta VDD | |
CN113887990A (zh) | 电气设备维修决策优化方法 | |
US7822567B2 (en) | Method and apparatus for implementing scaled device tests | |
CN117148091B (zh) | 一种半导体测试方法、系统、终端及存储介质 | |
CN110967615A (zh) | 电路板故障诊断装置及诊断方法 | |
JP2007248200A (ja) | 半導体試験装置の保守システムおよび保守方法 | |
JP2012088246A (ja) | 検査制御システム、検査方法、および検査制御プログラム | |
CN112462233B (zh) | 一种集成电路测试中site的管控方法及系统 | |
Kacker et al. | Measuring the Adequacy of a Test Suite With Respect to a Modeled Test Space | |
KR100865857B1 (ko) | 반도체 소자의 테스트 장치 및 방법 | |
JP6798834B2 (ja) | 検査装置、検査システム、検査方法、及び検査プログラム | |
CN113625149A (zh) | 异常芯片检测方法与异常芯片检测系统 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101001 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120515 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120528 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5018474 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150622 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |