JP5000104B2 - 半導体不良解析装置、不良解析方法、不良解析プログラム、及び不良解析システム - Google Patents
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Description
p’(g)=T・p2(g)+(1−T)・p1(g)
p’(b)=T・p2(b)+(1−T)・p1(b)
このように、重畳される画像のデータ要素p2、p1から、重畳画像での各点のデータ要素p’を求めることにより、重畳画像を好適に生成することができる。例えば、上記式からわかるように、透過率T=0であれば、重畳画像は不良観察画像P2となる。また、透過率T=1であれば、重畳画像はレイアウト画像P3となる。また、透過率Tが0〜1の間の値であれば、重畳画像は、図6(b)に示したように、不良観察画像P2の下にレイアウト画像P3が透けて見える画像となる。
P1…パターン画像、P2…不良観察画像、P3…レイアウト画像、P4…発光画像、P5…OBIRCH画像、P6〜P8…重畳画像、A1〜A6…発光領域、B1〜B6…解析領域、C1〜C4…ネット。
Claims (16)
- 半導体デバイスの観察画像を用い、その不良を解析する半導体不良解析装置であって、
少なくとも半導体デバイスの通常の観察画像であるパターン画像、及び不良についての検査を行って得られた、不良に起因する反応情報を含む不良観察画像を観察画像として含む検査情報を取得する検査情報取得手段と、
前記半導体デバイスのレイアウト画像を含むレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得手段と、
前記観察画像を参照して前記半導体デバイスの不良についての解析を行う不良解析手段と、
前記半導体デバイスの不良の解析についての情報を表示手段に表示させる情報表示制御手段とを備え、
前記情報表示制御手段は、
前記表示手段に表示させる前記半導体デバイスの画像として前記パターン画像の上に前記レイアウト画像を重畳し、さらにその上に前記不良観察画像を重畳した重畳画像を生成する重畳画像生成手段と、
前記重畳画像での前記パターン画像に対する前記レイアウト画像の透過率を設定する第1の透過率設定手段と、
前記重畳画像での前記パターン画像及び前記レイアウト画像に対する前記不良観察画像の透過率を設定する第2の透過率設定手段と
を有することを特徴とする半導体不良解析装置。 - 前記情報表示制御手段は、前記表示手段に表示させる画面として前記重畳画像生成手段で生成された前記重畳画像を表示するための画像表示領域と、前記重畳画像の生成条件を調整するための表示調整領域とを有する解析画面を生成する解析画面生成手段を有するとともに、
前記表示調整領域には、前記パターン画像に対する前記レイアウト画像の透過率を設定するための第1透過率設定調整部と、前記パターン画像及び前記レイアウト画像に対する前記不良観察画像の透過率を設定するための第2透過率設定調整部とが設けられていることを特徴とする請求項1記載の不良解析装置。 - 前記不良解析手段は、前記パターン画像と前記レイアウト画像とを参照し、前記パターン画像を少なくとも含む前記観察画像と、前記レイアウト画像との間の位置合わせを行う位置調整手段を有することを特徴とする請求項1または2記載の不良解析装置。
- 前記情報表示制御手段は、前記表示手段に表示させる画面として前記重畳画像生成手段で生成された前記重畳画像を表示するための画像表示領域と、前記不良解析手段で行われる不良の解析についての操作に用いられる解析操作領域とを有する解析画面を生成する解析画面生成手段を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の不良解析装置。
- 前記情報表示制御手段による前記重畳画像の表示とは別に、前記レイアウト画像を前記表示手段に表示させるレイアウト画像表示制御手段を備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載の不良解析装置。
- 半導体デバイスの観察画像を用い、その不良を解析する半導体不良解析方法であって、
少なくとも半導体デバイスの通常の観察画像であるパターン画像、及び不良についての検査を行って得られた、不良に起因する反応情報を含む不良観察画像を観察画像として含む検査情報を取得する検査情報取得ステップと、
前記半導体デバイスのレイアウト画像を含むレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得ステップと、
前記観察画像を参照して前記半導体デバイスの不良についての解析を行う不良解析ステップと、
前記半導体デバイスの不良の解析についての情報を表示手段に表示させる情報表示ステップと、
前記表示手段に表示させる前記半導体デバイスの画像として前記パターン画像の上に前記レイアウト画像を重畳し、さらにその上に前記不良観察画像を重畳した重畳画像を生成する重畳画像生成ステップと、
前記重畳画像での前記パターン画像に対する前記レイアウト画像の透過率を設定する第1の透過率設定ステップと、
前記重畳画像での前記パターン画像及び前記レイアウト画像に対する前記不良観察画像の透過率を設定する第2の透過率設定ステップと
を備えることを特徴とする半導体不良解析方法。 - 前記表示手段に表示させる画面として前記重畳画像生成ステップで生成された前記重畳画像を表示するための画像表示領域と、前記重畳画像の生成条件を調整するための表示調整領域とを有する解析画面を生成する解析画面生成ステップを備えるとともに、
前記表示調整領域には、前記パターン画像に対する前記レイアウト画像の透過率を設定するための第1透過率設定調整部と、前記パターン画像及び前記レイアウト画像に対する前記不良観察画像の透過率を設定するための第2透過率設定調整部とが設けられていることを特徴とする請求項6記載の不良解析方法。 - 前記パターン画像と前記レイアウト画像とを参照し、前記パターン画像を少なくとも含む前記観察画像と、前記レイアウト画像との間の位置合わせを行う位置調整ステップを備えることを特徴とする請求項6または7記載の不良解析方法。
- 前記表示手段に表示させる画面として前記重畳画像生成ステップで生成された前記重畳画像を表示するための画像表示領域と、前記不良解析ステップで行われる不良の解析についての操作に用いられる解析操作領域とを有する解析画面を生成する解析画面生成ステップを備えることを特徴とする請求項6〜8のいずれか一項記載の不良解析方法。
- 前記重畳画像の表示とは別に、前記レイアウト画像を前記表示手段に表示させるレイアウト画像表示ステップを備えることを特徴とする請求項6〜9のいずれか一項記載の不良解析方法。
- 半導体デバイスの観察画像を用い、その不良を解析する半導体不良解析をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
少なくとも半導体デバイスの通常の観察画像であるパターン画像、及び不良についての検査を行って得られた、不良に起因する反応情報を含む不良観察画像を観察画像として含む検査情報を取得する検査情報取得処理と、
前記半導体デバイスのレイアウト画像を含むレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得処理と、
前記観察画像を参照して前記半導体デバイスの不良についての解析を行う不良解析処理と、
前記半導体デバイスの不良の解析についての情報を表示手段に表示させる情報表示処理と、
前記表示手段に表示させる前記半導体デバイスの画像として前記パターン画像の上に前記レイアウト画像を重畳し、さらにその上に前記不良観察画像を重畳した重畳画像を生成する重畳画像生成処理と、
前記重畳画像での前記パターン画像に対する前記レイアウト画像の透過率を設定する第1の透過率設定処理と、
前記重畳画像での前記パターン画像及び前記レイアウト画像に対する前記不良観察画像の透過率を設定する第2の透過率設定処理と
をコンピュータに実行させる半導体不良解析プログラム。 - 前記表示手段に表示させる画面として前記重畳画像生成処理で生成された前記重畳画像を表示するための画像表示領域と、前記重畳画像の生成条件を調整するための表示調整領域とを有する解析画面を生成する解析画面生成処理をコンピュータに実行させ、
前記表示調整領域には、前記パターン画像に対する前記レイアウト画像の透過率を設定するための第1透過率設定調整部と、前記パターン画像及び前記レイアウト画像に対する前記不良観察画像の透過率を設定するための第2透過率設定調整部とが設けられていることを特徴とする請求項11記載の不良解析プログラム。 - 前記パターン画像と前記レイアウト画像とを参照し、前記パターン画像を少なくとも含む前記観察画像と、前記レイアウト画像との間の位置合わせを行う位置調整処理をコンピュータに実行させる請求項11または12記載の不良解析プログラム。
- 前記表示手段に表示させる画面として前記重畳画像生成処理で生成された前記重畳画像を表示するための画像表示領域と、前記不良解析処理で行われる不良の解析についての操作に用いられる解析操作領域とを有する解析画面を生成する解析画面生成処理をコンピュータに実行させる請求項11〜13のいずれか一項記載の不良解析プログラム。
- 前記重畳画像の表示とは別に、前記レイアウト画像を前記表示手段に表示させるレイアウト画像表示処理をコンピュータに実行させる請求項11〜14のいずれか一項記載の不良解析プログラム。
- 請求項1〜5のいずれか一項記載の半導体不良解析装置と、
前記半導体不良解析装置に対して、前記検査情報を供給する検査情報供給手段と、
前記半導体不良解析装置に対して、前記レイアウト情報を供給するレイアウト情報供給手段と、
前記半導体デバイスの不良の解析についての情報を表示する表示手段と
を備えることを特徴とする半導体不良解析システム。
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