CN101208609A - 半导体不良解析装置、不良解析方法、不良解析程序及不良解析系统 - Google Patents

半导体不良解析装置、不良解析方法、不良解析程序及不良解析系统 Download PDF

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CN101208609A CNA2006800227127A CN200680022712A CN101208609A CN 101208609 A CN101208609 A CN 101208609A CN A2006800227127 A CNA2006800227127 A CN A2006800227127A CN 200680022712 A CN200680022712 A CN 200680022712A CN 101208609 A CN101208609 A CN 101208609A
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Abstract

由至少取得半导体设备的图案图像(P1)的检测信息取得部(11)；取得布局图像(P3)的布局信息取得部(12)；对半导体设备的不良进行解析的不良解析部(13)；和将不良解析的信息显示在显示装置(40)上的解析画面显示控制部(14)构成不良解析装置(10)。解析画面显示控制部(14)，作为显示在显示模块(40)的半导体设备的图像，生成将图案图像(P1)和布局图像(P3)重叠后的重叠图像；同时，设定重叠图像上的布局图像(P3)对图案图像(P1)的透过率。由此，实现了能确实且高效地进行半导体设备的不良解析的半导体不良解析装置、解析方法、解析程序、及解析系统。

Description

半导体不良解析装置、不良解析方法、不良解析程序及不良解析系统
技术领域
本发明涉及用来对半导体设备的不良进行解析的半导体不良解析装置、不良解析方法、不良解析程序、及不良解析系统。
背景技术
作为取得半导体设备的不良解析用的观察图像的半导体检测装置，先前是采用了微光显微镜(emission microscope)、OBIRCH装置、时间分解微光显微镜等。这些检测装置中，可使用作为不良观察图像而被取得的发光图像或OBIRCH图像，从而可解析半导体设备的故障处所等不良(例如，参照专利文献1、2)。
[专利文献1]日本特开2003-86689号公报
[专利文献2]日本特开2003-303746号公报
发明内容
近年来，在半导体不良解析中，作为解析对象的半导体设备是朝向细微化或高积体化迈进，难以快速地进行使用上述检测装置等的不良处所解析。因此，为了针对如上半导体设备进行不良处所的解析，必须提高用于根据观察图像来推定半导体设备的不良处所的解析处理的提升。
本发明有鉴于以上问题点而研发，目的在于提供一种可使采用观察图像的半导体设备不良解析能确实且高效进行的半导体不良解析装置、不良解析方法、不良解析程序、及半导体不良解析系统。
为了达成上述目的，本发明的半导体不良解析装置，使用半导体设备的观察图像对其不良进行解析，其特征在于，具备：(1)检测信息取得模块，取得检测信息，该检测信息至少包含半导体设备的通常观察图像的图案图像，并将其作为观察图像；(2)布局信息取得模块，取得含有半导体设备的布局图像的布局信息；(3)不良解析模块，参照观察图像对半导体设备的不良进行解析；和(4)信息显示控制模块，将关于半导体设备的不良解析的信息显示在显示模块上，(5)信息显示控制模块具有：重叠图像生成模块，作为显示在显示模块上的半导体设备的图像，生成将图案图像和布局图像重叠后的重叠图像；和透过率设定模块，设定在重叠图像中布局图像相对于图案图像的透过率。
又，本发明的半导体不良解析方法，使用半导体设备的观察图像对其不良进行解析，其特征在于，包括：(a)检测信息取得步骤，取得检测信息，该检测信息至少包括半导体设备的通常观察图像的图案图像，并将其作为观察图像；(b)布局信息取得步骤，取得含有半导体设备的布局图像的布局信息；(c)不良解析步骤，参照观察图像对半导体设备的不良进行解析；和(d)信息显示步骤，将关于半导体设备的不良解析的信息显示在显示模块上；(e)重叠图像生成步骤，作为显示在显示模块上的半导体设备的图像，生成将图案图像和布局图像重叠后的重叠图像；和(f)透过率设定步骤，设定在重叠图像中布局图像相对于图案图像的透过率。
又，本发明的半导体不良解析程序，是由计算机执行的程序，以进行使用半导体设备的观察图像来对其不良进行解析的半导体不良解析，其特征在于，由计算机执行：(a)检测信息取得处理，取得检测信息，该检测信息至少包括半导体设备的通常观察图像的图案图像，并将其作为观察图像；(b)布局信息取得处理，取得含有半导体设备的布局图像的布局信息；(c)不良解析处理，参照观察图像对半导体设备的不良进行解析；和(d)信息显示处理，将关于半导体设备的不良解析的信息显示在显示模块上；(e)重叠图像生成处理，作为显示在显示模块上的半导体设备的图像，生成将图案图像和布局图像重叠后的重叠图像；和(f)透过率设定处理，设定在重叠图像中布局图像相对于图案图像的透过率。
上述半导体不良解析装置、不良解析方法、及不良解析程序中，取得利用微光显微镜装置或OBIRCH装置等半导体检测装置作为观察图像得到的图案图像，和半导体设备的布局图像。然后，生成将图案图像和布局图像重叠后的重叠图像并显示在显示模块上。如此，通过使用图案图像及布局图像得到的重叠图像，将观察图像和布局图像相互对应并执行不良解析，因而容易且可提升其效率。
进一步，上述构成中，对于图案图像，是将布局图像的透过率设为可变，将透过率设定成所希望的值并进行图像的重叠。由此，图案图像、布局图像、及这些重合而成的图像的各个，通过设定适当的透过率，而可简单地进行确认。因此，可确实且高效地进行使用观察图像的半导体设备的不良解析。又，当作为观察图像与图案图像而取得不良观察图像时，通过如上所述将图案图像和布局图像相互对应，则和图案图像同样地，对观察图像的不良观察图像，也是可以与布局图像相互对应。
又，本发明的半导体不良解析系统，其特征在于，具备：上述半导体不良解析装置；对半导体不良解析装置供给检测信息的检测信息供给模块；对半导体不良解析装置供给布局信息的布局信息供给模块；和显示关于半导体设备的不良解析的信息的显示模块。根据上述构成的半导体不良解析系统，则如上述，可确实且高效地进行使用观察图像的半导体设备的不良解析。
根据本发明的半导体不良解析装置、不良解析方法、不良解析程序、及不良解析系统，则除了生成将图案图像和布局图像重叠后的重叠图像，同时还对于图案图像，将布局图像的透过率设为可变，并将透过率设定成所希望的值并进行图像的重叠，由此，图案图像、布局图像、及这些重合而成的图像的各个，通过设定适当的透过率，而可简单地进行确认。因此，可确实且高效地进行使用观察图像的半导体设备的不良解析。
附图说明
图1是含有半导体不良解析装置的不良解析系统的一个实施方式的构成的方框图。
图2是图1所示的半导体不良解析装置的具体构成的方框图。
图3是关于半导体不良解析方法的模型图。
图4是显示装置上所显示的半导体设备的图像的一个例的模式图。
图5是显示装置上所显示的半导体设备的图像的另一例的模式图。
图6是显示装置上所显示的半导体设备的图像的另一例的模式图。
图7是关于不良观察图像的取得的模型图。
图8是半导体检测装置的一个例的构成图。
图9是图8所示的半导体检测装置从侧面来看的构成图。
图10是显示装置上所显示的解析窗口的一个例的构成图。
图11是解析操作区域中所显示的操作画面的一个例的构成图。
图12是解析操作区域中所显示的操作画面的另一例的构成图。
图13是解析操作区域中所显示的操作画面的另一例的构成图。
图14是显示装置上所显示的显示窗口的一个例的构成图。
符号说明
1：半导体不良解析系统
10：半导体不良解析装置
11：检测信息取得部
12：布局信息取得部
13：不良解析部
131：区域设定部
132：网路信息解析部
133：位置调整部
134：附加解析信息取得部
14：解析画面显示控制部
141：重叠图像生成部
142：第1透过率设定部
143：第2透过率设定部
144：解析画面生成部
15：布局图像显示控制部
20：检测信息供给装置
20A：半导体检测装置
21：观察部
22：控制部
23：检测信息处理部
24：显示装置
30：布局信息供给装置
40：显示装置
45：输入装置
P1：图案图像
P2：不良观察图像
P3：布局图像
P4：发光图像
P5：OBIRCH图像
P6～P8：重叠图像
A1～A6：发光区域
B1～B6：解析区域
C1～C4：网路
具体实施方式
以下依据附图，详细说明本发明的半导体不良解析装置、不良解析方法、不良解析程序、及不良解析系统的优选实施方式。此外，附图说明中对同一要素赋予同一符号，并省略重复说明。又，附图的尺寸比例，并不一定和所说明的比例一致。
图1是含有本发明的半导体不良解析装置的不良解析系统的一个实施方式构成的概略方框图。本不良解析系统1，以半导体设备为解析对象，使用其观察图像来进行不良解析，具备：半导体不良解析装置10、检测信息供给装置20、布局信息供给装置30、显示装置40、输入装置45。以下，针对半导体不良解析装置10及不良解析系统1的构成，连同半导体不良解析装置一并加以说明。
半导体不良解析装置10，是用来输入半导体设备不良解析上所必须的数据，来执行其不良解析处理的解析装置。本实施方式的不良解析装置10，具有：检测信息取得部11、布局信息取得部12、不良解析部13、解析画面显示控制部14、布局图像显示控制部15。又，不良解析装置10上，连接着用来显示不良解析相关信息的显示装置40，和用于输入不良解析中必要的指示或信息的输入装置45。
不良解析装置10执行的不良解析中所用的数据，是通过检测信息取得部11及布局信息取得部12而取得的。检测信息取得部11，取得检测信息(检测信息取得步骤)，该检测信息包含，半导体设备的通常观察图像的图案图像P1、及针对不良进行检测而得到的含有因不良所致的反应信息的不良观察图像P2。又，布局信息取得部12，取得含有代表半导体设备中的网路等的构成的布局图像P3的布局信息(布局信息取得步骤)。
图1中，对于检测信息取得部11，连接有检测信息供给装置20，图案图像P1及不良观察图像P2等检测信息从供给装置20向取得部11供给。作为该检测信息供给装置20，例如，可使用微光显微镜装置。此时，不良观察图像P2成为发光图像。又，作为检测信息供给装置20，可使用OBIRCH装置。此时，不良观察图像P2成为OBIRCH图像。或者，也可将这些种类以外的半导体检测装置用作供给装置20。
又，图案图像P1及不良观察图像P2是事先由半导体检测装置取得的情况下，作为检测信息供给装置20，可使用存储这些图像数据的数据存储装置。此时的数据存储装置，可设于不良解析装置10的内部，或可为外部装置。如上构成，在由半导体检测装置先行拍摄观察图像，而在其它计算机上执行不良解析装置10的软件的情况下是有用的。此时，可不占用半导体检测装置，而将不良解析的作业分担进行。
又，关于微光显微镜装置或OBIRCH装置等的半导体检测装置所取得的图案图像P1及不良观察图像P2，在将半导体设备载置于平台上的状态下而取得图像P1、P2。因此，两者以彼此位置重合的图像的方式而取得。
另一方面，对于布局信息取得部12，布局信息供给装置30经由网络进行连接，将布局图像P3等的布局信息从供给装置30供给至取得部12。作为该布局信息供给装置30，例如可使用，启动了根据构成半导体设备的元件或网路(配线)的配置等的设计信息来生成布局图像P3的布局图检阅器的CAD软件的工作站。
在此，关于例如半导体设备中所含的多个网路的各个的信息等布局图像P3以外的布局信息，优选在不良解析装置10中如下构成为，根据需要而与布局信息供给装置30进行通讯并取得信息。或者，也可构成为，对应布局图像P3而从布局信息取得部12读入信息。
又，本实施方式中，在不良解析装置10中设有布局图像显示控制部15。该布局图像显示控制部15，由图像传送软件，例如由X终端构成，区别于后述的解析画面显示控制部14所产生的重叠图像的显示，将布局信息供给装置30中所描绘的布局图像P3显示在显示装置40上的规定显示窗口等中(布局图像显示步骤)。由此，可提升使用图像P1～P3的不良解析的效率。不过，对于如上布局图像显示控制部15，若不需要则也可不设置。
由检测信息取得部11及布局信息取得部12取得的图案图像P1、不良观察图像P2及布局图像P3，被输入至不良解析部13。不良解析部13是，参照不良观察图像P2进行对半导体设备的不良的解析的解析模块(不良解析步骤)。又，该不良解析部13根据需要，除了不良观察图像P2，还可参照来自检测信息供给装置20的其它检测信息，或者来自布局信息供给装置30的布局信息等。此外，一般而言，不良解析部13，可以参照观察图像来针对半导体设备的不良进行解析。
又，解析画面显示控制部14，是将关于半导体设备的不良解析的信息显示在显示装置40上的信息显示控制模块(信息显示步骤)。作为由解析画面显示控制部14显示在显示装置40上的信息，例如有：解析对象的半导体设备的图像、对半导体设备执行的不良解析中的解析条件、由不良解析部13生成的半导体设备的不良解析结果等。
图2是针对图1所示的半导体不良解析装置10中的一部份，图示其具体构成的方框图。在此，表示不良解析装置10中的不良解析部13，及解析画面显示控制部14的具体构成。
首先，针对不良解析部13的构成加以说明。本实施方式的不良解析部13，具有区域设定部131、网路信息解析部132。又，图3是针对利用区域设定部131及网路信息解析部132执行的不良解析方法的模型图。
区域设定部131，是对解析对象的半导体设备，参照不良观察图像P2，对应于图像P2上的反应信息来设定解析区域的设定模块。在此，作为不良观察图像P2的例子，是考虑由微光显微镜装置所取得的发光图像。例如，图3(a)所示的例子中，作为不良解析中所参照的反应信息，在发光图像中存在着A1～A6的6个发光区域(由不良所致的反应区域)。对于如上图像，区域设定部131，如图3(b)所示，对应于发光区域而设定了6个解析区域B1～B6。
如上所述的解析区域的设定，优选为根据来自使用键盘或鼠标等的输入装置45的操作者的输入而手动进行。或者，也可构成为在区域设定部131上自动地进行。又，关于所设定的解析区域的形状，虽无特别限制，但优选如图3(b)所示的设定成矩形，解析容易。此外，如上的解析区域的设定中，考虑在检测时载置半导体设备的平台的位置精度等，优选对不良观察图像P2上的反应区域设定得较为宽松。
网路信息解析部132，针对半导体设备的布局中所含的多个网路(配线)，参照由区域设定部131设定的解析区域来进行解析。具体而言，针对多个网路，抽出通过解析区域的网路。又，当有设定多个解析区域时，取得该被抽出的网路的解析区域的通过次数。
上述例子中，如图3(c)所示，对于由区域设定部131设定的6个解析区域B1～B6，抽出4条网路C1～C4来作为通过解析区域的网路。又，这些网路C1～C4之中，网路C1解析区域的通过次数为3次为最多，网路C2通过次数为2次，网路C3、C4通过次数分别为1次。
此外，如上网路信息的解析中，根据需要优选为，通过布局信息取得部12而和布局信息供给装置30间进行通讯以执行解析。作为如此构成，例如，网路信息解析部132，是对布局信息供给装置30下达网路的抽出、及解析区域的通过次数的取得的指示，并收取其结果的构成。
本实施方式的不良解析部13中，检测信息取得部11除了不良观察图像P2还取得图案图像P1，与此对应地设有位置调整部133。位置调整部133，参照图案图像P1及布局图像P3，在至少含有图案图像P1的来自检测信息供给装置20的观察图像，和来自布局信息供给装置30的布局图像P3之间进行位置对准(位置调整步骤)。该位置对准，例如可采用如下方法，在图案图像P1中指定适当的3点，然后在布局图像P3中指定对应的3点，根据它们的坐标来进行位置对准。
又，不良解析部13中，设有附加解析信息取得部134。附加解析信息取得部134从外部装置等得到附加的解析信息，是利用区别于由区域设定部131及网路信息解析部132得到的上述解析方法的其它解析方法所获得的关于半导体设备的不良的附加的解析信息。该被取得的附加解析信息，和利用网路信息解析部132所得到的解析结果配合参照。
其次，针对解析画面显示控制部14的构成加以说明。本实施方式的解析画面显示控制部14，具有：重叠图像生成部141、第1透过率设定部142、第2透过率设定部143、解析画面生成部144。又，图4～图6，分别是由重叠图像生成部141所生成的显示在显示装置40上的半导体设备的图像的例子的模式图。
不良解析装置10的不良解析中所必须的图像等信息，或作为解析结果而得到的信息，可根据需要由解析画面显示控制部14以解析画面的方式显示在显示装置40上。尤其是，在本实施方式中，在重叠图像生成部141，作为半导体设备的图像，生成了把图案图像P1和布局图像P3重叠而成的重叠图像(覆盖图像)(重叠图像生成步骤)。然后，该重叠图像，作为不良解析的信息而显示在显示装置40。
图4是重叠图像生成部141中所生成的重叠图像的一例的图标，图4(a)是图像的重叠方法，图4(b)是所生成的重叠图像。该图像例中，图案图像P1的上，依序重叠着布局图像P3、及作为不良观察图像P2的发光图像P4，生成重叠图像P6。在此，关于不良观察图像P2，不限于发光图像P4，例如也可使用OBIRCH图像P5等其它不良观察图像P2。或者，如图4(a)虚线所示，除了发光图像P4，还一并重叠上OBIRCH图像P5。又，当不良观察图像P2不需要时，则也可只在图案图像P1上重叠布局图像P3来作为重叠图像。
图2所示的构成中，对于重叠图像生成部141还设有第1透过率设定部142、第2透过率设定部143。第1透过率设定部142，是用来设定重叠图像P6中的布局图像P3相对图案图像P1的透过率的透过率设定模块(透过率设定步骤)。又，第2透过率设定部143，是用来设定重叠图像P6中的不良观察图像P2对图案图像P1及布局图像P3的透过率的第2透过率设定模块(第2透过率设定步骤)。
图5是重叠图像生成部141中所生成的重叠图像的其它例的图，图5(a)是图像的重叠方法，图5(b)是所生成的重叠图像。该图像例中，和图4的图像例同样地，令图案图像P1、布局图像P3、及不良观察图像P2依序重叠而生成重叠图像P7。又，该重叠图像P7中，在第1透过率设定部142对于下侧的图案图像P1，将重叠于其上的布局图像P3的透过率设为50％。
又，图6是重叠图像生成部141中所生成的重叠图像的另一例的图，图6(a)是图像的重叠方法，图6(b)是所生成的重叠图像。该图像例中，虽然关于图案图像P1的图示省略，但和图4的图像例同样地，令图案图像P1、布局图像P3、及不良观察图像P2依序重叠而生成重叠图像P8。又，该重叠图像P8中，在第2透过率设定部143对于下侧的图案图像P1及布局图像P3，将重叠于其上的不良观察图像P2的透过率设为50％。
此外，关于上述第1透过率设定部142及第2透过率设定部143上的图像的透过率的设定，优选为根据来自使用键盘或鼠标等的输入装置45的操作者的输入而手动进行。或者，也可构成为在透过率设定部142、143中随着规定条件而自动地进行。
又，解析画面显示控制部14，如上述，根据需要也可以将不良解析部13的半导体设备的不良解析结果信息，显示在显示装置40。作为如上解析结果的显示，例如构成为，显示关于网路信息解析部132所抽出的网路、及该网路的解析区域的通过次数的信息。如上解析结果的显示，例如，可如图3(c)所示利用含有解析区域及网路的图像来显示，或者，也可以利用对已抽出的网路的名称、及该网路的解析区域的通过次数的计数值一览显示而成的网路清单等来显示。又，当使用含解析区域及网路的图像时，如图3(c)所示，也可将已抽出的网路在布局图像上高亮显示。又，当对抽出的网路以鼠标操作等来选择的时候，改变该网路所通过的解析区域的颜色来显示等，具体而言可使用各式各样的显示方法。
又，图2所示的解析画面显示控制部14中，还设有解析画面生成部144。解析画面生成部144，是生成含有对于半导体设备的不良解析的信息的解析画面(例如解析窗口画面)作为在显示装置40上显示的画面的生成模块(解析画面生成步骤)。此外，对于如上要显示在显示装置40的解析画面，将具体说明如后。
针对上述实施方式的半导体不良解析装置、不良解析方法、及不良解析系统的效果，加以说明。
图1所示的半导体不良解析装置10、及不良解析方法中，对于解析对象的半导体设备取得：由半导体检测装置作为观察图像而取得的图案图像P1，和含有关于半导体设备的网路等构成的信息的布局图像P3。然后，在解析画面显示控制部14的重叠图像生成部141中，生成将图案图像P1和布局图像P3重叠而成的重叠图像，并显示在显示装置40上。如此，通过使用由图案图像及布局图像形成的重叠图像，易于将观察图像和布局图像相互对应并执行不良解析，从而提升其效率。
即，不良解析装置10所执行的半导体设备的不良解析中，需要将图案图像P1等的观察图像和布局图像P3相互对应，并进行解析。对此，通过使用如上述所生成的重叠图像，容易使观察图像和布局图像P3相互对应并执行不良解析，从而可提升其效率。
甚至，上述构成中，对于图案图像P1将布局图像P3的透过率设为可变，通过第1透过率设定部142将该透过率设定成所希望的值而进行图像的重叠。由此，被显示在显示装置40上的重叠图像中，对于图案图像P1的信息、布局图像P3的信息、及它们的重合(对应关系)的信息的各个，通过适当地设定或变更透过率而可简单地进行确认。因此，通过使用上述重叠图像，对于使用观察图像的半导体设备的不良解析可确实且高效地进行。
又，当作为观察图像而配合着图案图像P1而取得不良观察图像P2时，通过如上述那样将图案图像P1和布局图像P3相互对应，则和图案图像P1同样地，针对作为观察图像且彼此呈位置对准状态的图像的不良观察图像P2，也是可以同时地和布局图像P3间进行相互对应。此外，在使用电子线或离子束的物理解析装置的不良解析(例如，使用穿透式电子显微镜的不良解析)等情况下，仅由图案图像P1和布局图像P3的重叠就可观察不良。
又，根据由上述半导体不良解析装置10、检测信息供给装置20、布局信息供给装置30、显示装置40所构成的不良解析系统1，可实现能确实且高效地进行使用观察图像的半导体设备的不良解析的半导体不良解析系统。
图4所示的例子中，将图案图像P1及布局图像P3，以及不良观察图像P2重叠而成为重叠图像P6。如此，除了图案图像P1及布局图像P3，还重叠了不良观察图像P2，同时，对图案图像P1及布局图像P3，将不良观察图像P2的透过率设为可变，并通过第2透过率设定部143将透过率设定成所希望的值而进行图像的重叠，由此，可将关于各图像P1～P3及它们的重合(对应关系)的信息的各个，通过适当地设定或变更透过率而可简单地加以确认，并可更加提升不良解析的效率。例如，通过使用如上重叠图像可容易地进行确认，不良观察图像P2上的异常处所(例如发光图像上的发光处所)究竟是位于半导体设备的布局上的哪个位置等等。
在此，对于重叠图像中的各图像P1～P3的重叠，在将图案图像P1和布局图像P3加以重叠的情况下，则优选在图案图像P1上重叠布局图像P3。即，半导体设备的通常的观察图像也就是图案图像P1，通常是没有能操作透明要素的像素的图像。另一方面，布局图像P3，由于是存在多数网路的布局的构成，因此虽然能作为透明要素操作的像素较少，但随着该布局的规则性等，还是存在着某种程度的可作为透明要素操作的像素。因此，如上所述通过令图案图像P1为下侧，令布局图像P3为上侧来生成重叠图像，就可透过在布局图像P3上的可作为透明要素操作的像素，来识别位于下方的图案图像P1。
又，图案图像P1及布局图像P3，和不良观察图像P2重叠的情况下，则优选在图案图像P1及不良观察图像P2的上重叠布局图像P3。即，发光图像P4或OBIRCH图像P5等的不良观察图像P2，通常数据像素的配置呈局部性，可作为透明要素操作的像素比图案图像P1或布局图像P3还多。因此，如上述，通过令图案图像P1及布局图像P3为下侧，令不良观察图像P2为上侧而生成重叠图像，可使图案图像P1、不良观察图像P2、及布局图像P3的彼此相互对应等变得较为容易。
但是，如上重叠图像中的各图像P1～P3的重叠顺序，不限于上述顺序，可随着各个图像的具体特性而作各种设定。
在此，对于在重叠图像生成部141中生成重叠图像之际的具体生成方法(透过率的设定方法)的一例，使用图6所示的布局图像P3及不良观察图像P2的重叠图像P8来说明。令布局图像P8上的某点p’所对应的不良观察图像P2上的点为p1，布局图像P3上的点为p2，将各点上的RGB色彩要素以r、g、b来表示，令不良观察图像P2对布局图像P3的透过率为T，则重叠图像P8的点p’上的各RGB色彩要素如下所示。
p’(r)＝T·p2(r)+(1-T)·p1(r)
p’(g)＝T·p2(g)+(1-T)·p1(g)
p’(b)＝T·p2(b)+(1-T)·p1(b)
如此，通过根据被重叠的图像的数据要素p2、p1，求出重叠图像上的各点的数据要素p’，由此可良好地生成重叠图像。例如，从上述式子可知，若透过率T＝0，则重叠图像成为不良观察图像P2。又，若透过率T＝1，则重叠图像成为布局图像P3。又，若透过率T为0～1之间的值，则重叠图像如图6(b)所示，成为看起来是在不良观察图像P2之下透写出布局图像P3的图像。
又，本实施方式的不良解析装置10中，对应于不良观察图像P2上的因不良所致的反应信息来设定解析区域，在构成半导体设备的各网路之中抽出通过解析区域的网路而进行不良解析。此时，通过适宜地设定解析区域，就可利用通过解析区域的网路来推定半导体设备中不良可能性高的网路(被疑不良网路)，可有效率地执行不良解析。但是，关于不良解析部13中的具体的解析方法，除了如上方法以外，也可使用各种方法。一般而言，不良解析部13，只要参照观察图像来针对半导体设备的不良进行解析即可。此外，不良观察图像P2上的因不良所致的反应信息，不仅是该反应处所本身为不良处所的情形，还包含因其它不良处所(例如不良网路)而发生反应的处所，因此优选采用考虑到这些的解析方法。
又，作为不良观察图像P2，虽然图3(a)中举例为发光图像，但例如，也可如上所述地使用OBIRCH图像等其它观察图像。又，作为不良观察图像，虽然可使用单一条件下观察1次所得的图像，但并非局限于此，例如图7所示，将第1条件下所取得的图7(a)的不良观察图像，和异于第1条件的第2条件下所取得的图7(b)的不良观察图像进行重叠而成的图7(c)所示的不良观察图像，也可使用。
又，上述第2条件下的不良观察图像的取得中，如图7(d)及(e)所示，也可考虑从第1条件变更观察位置(例如变更不良观察图像的位置或范围)的情形。如上情况下，如图7(f)所示，优选考虑观察位置的变更信息来进行图像的重叠。或者，也可以使用，将第1条件下所得到的解析结果保存在存储模块中备用，加算上第2条件下所得到的解析结果的方法。通过多次进行这些方法，例如可使网路的通过频率的分布显著等，可提升不良解析的效率及准确性。
又，上述实施方式构成为，在不良解析装置10中，不良解析部13的位置调整部133，参照图案图像P1及布局图像P3来进行图像的位置对准。如此，通过使用图案图像P1来进行和布局图像P3的位置对准，可提升使用观察图像的半导体设备的不良解析的精度。又，上述图案图像P1及布局图像P3的重叠图像，在该位置对准进行上也是有用的。尤其是，作为观察图像而和图案图像P1配合而取得不良观察图像P2时，因为图案图像P1在相对不良观察图像P2位置对准的状态下而被取得，因此上述的位置对准是有效的。
又，上述实施方式中，在不良解析装置10中，不良解析部13的附加解析信息取得部134构成为，取得通过其它解析方法所得到的半导体设备的不良的附加解析信息，例如被疑不良网路的信息。通过参照如上附加解析信息，可进一步提升半导体设备的不良解析的精度。
图1所示的半导体不良解析装置10中所执行的不良解析方法所对应的处理，可通过用于在计算机上执行半导体不良解析的半导体不良解析程序来实现。例如，不良解析装置10可由：使半导体不良解析的处理中所必要的各软件程序动作的CPU、存储上述软件程序等的ROM、程序执行中暂时存储数据的RAM所构成。上述构成中，通过CPU来执行规定的不良解析程序，就可实现上述不良解析装置10。
又，用于利用CPU执行半导体不良解析用的各处理的上述各程序，是可记录在计算机可读取的记录介质中并进行发布。该记录介质包含，例如：硬盘及软盘等的磁性介质、CD-ROM及DVD-ROM等光学介质、光磁软盘(Floptical Disk)等的磁性光学介质、或者为了执行或储存程序命例而特别设置的例如RAM、ROM及半导体非挥发性存储器等硬件设备等。
图8是可适用于图1所示的检测信息供给装置20的半导体检测装置的一例的构成图。又，图9是图8所示半导体检测装置从侧面来看的构成图。
本构成例的半导体检测装置20A，具备观察部21、控制部22。作为检测对象(不良解析装置10的解析对象)的半导体设备S，被载置在设置于观察部21的平台218上。而且，本构成例中设置有，用于对半导体设备S施加不良解析时所必须的电信号的测试夹具219。半导体设备S，例如配置成，其背面面对物镜220。
观察部21具有：设置在暗箱内的高灵敏度摄影机210、激光扫描光学系统(LSM：Laser Scanning Microscope)单元212、光学系统222、224，和XYZ平台215。这其中，摄影机210及LSM单元212，是用来取得半导体设备S的观察图像(图案图像P1、不良观察图像P2)的图像取得模块。
又，光学系统222、224及光学系统222、224的设在半导体设备S侧的物镜220，构成了将来自半导体设备S的图像(光像)导入至图像取得模块的导光光学系统。本构成例中，如图8及图9所示，这些具有不同倍率的多个物镜220是设置成可切换。又，测试夹具219，是进行半导体设备S的不良解析用的检测的检测模块。又，LSM单元212，是和上述图像取得模块的功能配合，也具有检测模块的功能。
光学系统222，是将经物镜220入射的来自半导体设备S的光导向摄影机210的摄影机用光学系统。摄影机用光学系统222具有，用来将被物镜220放大成规定倍率的图像，成像在摄影机210内部的受光面上的成像透镜222a。又，物镜220和成像透镜222a之间，隔着光学系统224的分束器224a。作为高灵敏度摄影机210，例如可使用冷却CCD摄影机。
如上构成中，来自不良解析对象的半导体设备S的光线，经含物镜220及摄影机用光学系统222的光学系统而被导向摄影机210。然后，利用摄影机210取得半导体设备S的图案图像P1等观察图像。又，也可取得半导体设备S的不良观察图像P2的发光图像。此时，在由测试夹具219施加电压的状态下，从半导体设备S所发生的光经光学系统而被导向摄影机210，利用摄影机210取得发光图像。
LSM单元212具有：用来照射红外激光的激光导入用光纤212a、将从光纤212a照射的激光变成平行光的准直透镜212b、将由透镜212b变成平行光的激光反射的分束器212e、将被分束器212e所反射的激光在XY方向上扫描而向半导体设备S出射的XY扫描仪212f。
又，LSM单元212具有：将从半导体设备S侧透过XY扫描仪212f而入射、并透过分束器212e的光线聚光的聚光透镜212d，和用来测出被聚光透镜212d聚光的光线的侦测用光纤212c。
光学系统224是在半导体设备S及物镜220，和LSM单元212的XY扫描仪212f之间导光的LSM单元用光学系统。LSM单元用光学系统224具有：将从半导体设备S经物镜220而入射的光的一部份进行反射的分束器224a、将被分束器224a反射的光的光路转换成朝向LSM单元212的光路的反射镜224b、将被反射镜224b反射的光聚光的透镜224c。
上述构成中，从激光源经激光导入用光纤212a而出射的红外激光，通过透镜212b、分束器212e、XY扫描仪212f、光学系统224、及物镜220，而向半导体设备S照射。
相对该入射光的来自半导体设备S的反射散乱光，反映出设于半导体设备S上的电路图案。来自半导体设备S的反射光，通过和入射光相反的光路而到达分束器212e，并透过分束器212e。然后，透过分束器212e的光，经透镜212d而入射至侦测用光纤212c，并被连接于侦测用光纤212c的光侦测器测出。
经过侦测用光纤212c而被光侦测器测出的光的强度，如上述，反映设于半导体设备S的电路图案。因此，利用XY扫描仪212f，红外激光在半导体设备S上进行X-Y扫描，由此可鲜明地取得半导体设备S的图案图像P1。
控制部22具有：摄影机控制部251a、LSM控制部251b、OBIRCH控制部251c、平台控制部252。其中，摄影机控制部251a、LSM控制部251b、及OBIRCH控制部251c构成了观察控制模块，通过对观察部21中的图像取得模块及检测模块等的动作进行控制，而对在观察部21中执行的半导体设备S的观察图像的取得或观察条件的设定进行控制。
具体而言，摄影机控制部251a及LSM控制部251b分别通过对高灵敏度摄影机210及LSM单元212的动作进行控制，而对半导体设备S的观察图像的取得进行控制。又，OBIRCH控制部251c，是可用来取得用作不良观察图像的OBIRCH(Optical Beam Induced ResistanceChange：光束诱发阻抗值变化)图像，抽出激光扫描时所发生的半导体设备S上的电流变化等。
平台控制部252通过对观察部21中的XYZ平台215的动作进行控制，而对本检测装置20A中的作为检测处所的半导体设备S的观察处所的设定，或其位置对准、对焦等进行控制。
又，对这些观察部21及控制部22，设有检测信息处理部23。检测信息处理部23进行观察部21中所取得的半导体设备S的观察图像的数据收集、含图案图像P1及不良观察图像P2的检测信息向不良解析装置10的供给(参照图1)等处理。又，若有必要，也可构成为将显示装置24连接于该检测信息处理部23。此外，图9中，省略了关于检测信息处理部23及显示装置24的图示。
对于利用图1所示的半导体不良解析装置10的向显示装置40的半导体设备的重叠图像的显示方法，及利用不良解析方法10的不良解析方法等的具体例，以通过由解析画面显示控制部14显示在显示装置40上的解析画面(解析窗口)为例来说明。上述解析画面在图2所示的构成中，由解析画面生成部144生成。
图10是显示装置40上显示的解析窗口(不良解析导航窗口)的一例的构成图。该解析窗口400，在本实施例中，是由重叠图像生成部141生成的重叠图像的显示，及用于透过率设定部142、143中的图像透过率的设定的解析画面。
具体而言，解析窗口400具有：位于画面左侧，用来显示半导体设备的图案图像P1、不良观察图像P2、布局图像P3等不良解析中所使用的各图像的图像显示区域401，和位于画面中央，用来指示图像显示区域401中的图像显示条件的调整的显示调整区域402。
解析窗口400的画面右侧，设置有：用于由不良解析部13进行的解析处理中必要的指示及信息的输入的解析操作区域403、控制来自检测信息供给装置20的信息取得的检测信息取得操作区域404、控制来自布局信息供给装置30的信息取得的布局信息取得操作区域405、控制供给装置20、30之间的通讯状态的通讯操作区域406。不良解析装置10所执行的解析处理，由操作者使用这些区域403～406进行控制。
如上所述，图10所示的解析窗口400构成为具有：可以显示由重叠图像生成部141生成的重叠图像的图像显示区域401，和针对不良解析部13进行的不良解析进行操作的解析操作区域403。通过使用如此构成的解析画面，可实现操作者使用不良解析装置10执行不良解析时的便利性。此外，关于图像显示区域401中所显示的半导体设备的图像，根据需要也可显示重叠图像以外的图像。
又，该解析窗口400中，通过设在画面中央的显示调整区域402，可调整包含图像透过率的重叠图像的生成条件。具体而言，该显示调整区域402由下起依序设有3个显示切换钮，即对图案图像P1的显示的ON/OFF进行切换的图案图像显示切换钮402a、对布局图像P3的显示的ON/OFF进行切换的布局图像显示切换钮402b、及对不良观察图像P2的显示的ON/OFF进行切换的不良观察图像显示切换钮402c。
而且，在显示调整区域402中，在显示切换钮402a、402b之间，还设有用来设定布局图像P3相对图案图像P1的透过率的第1透过率设定调节钮402d。解析画面显示控制部14的第1透过率设定部142中的透过率设定，通过操作该设定调节钮402d来进行。又，在显示调整区域402中，在显示切换钮402b、402c之间，还设有用来设定不良观察图像P2对图案图像P1及布局图像P3的透过率的第2透过率设定调节钮402e。解析画面显示控制部14的第2透过率设定部143中的透过率设定，通过操作该设定调节钮402e来进行。
如此，通过将具有显示切换钮402a～402c，和透过率设定调节钮402d、402e的显示调整区域402设在解析画面中，就可将重叠图像生成部141上的重叠图像的生成条件，根据操作者的需要，适当且容易地进行控制。但是，关于如上解析画面的具体构成，除了图10所示的构成例以外还可使用各式各样的构成。例如构成为，还可为在显示调整区域402中不设置显示切换钮402a～402c，而仅设置透过率设定调节钮402d、402e。
接着，针对解析窗口400的画面右侧所设置的解析操作区域403的构成例进行说明。本实施例中，显示在解析操作区域403中的操作画面，可在图11～图13分别表示的位置调整操作画面410、区域设定操作画面420、及解析操作画面430的3个画面间进行切换。这些操作画面当中，图11的位置调整操作画面410，用于由不良解析部13的位置调整部133(参照图2)执行的处理的控制。又，图12的区域设定操作画面420，用于由区域设定部131执行的处理的控制。又，图13的解析操作画面430，用于由网路信息解析部132执行的处理的控制，及所得的显示结果的显示。
首先，针对图11所示的位置调整操作画面410来说明。本构成例中，作为利用位置调整部133的观察图像P1、P2和布局图像P3之间的位置对准的具体方法，使用在图案图像P1中指定适当的3点，然后在布局图像P3中指定对应的3点，根据它们的坐标来进行位置对准的方法。此外，如上方法中，根据需要也可指定4点以上来进行位置对准。
对应于此，在操作画面410中设有，用于针对图案图像P1、及布局图像P3的各个设定位置对准用的3点的位置对准数据设定区域411。在该3点的设定中可采用例如，在解析窗口400的图像显示区域401中显示的图像上利用鼠标操作来设定点的方法，或者将想要设定的点的坐标以数值方式输入的方法等。又，使用3点的图像位置对准，例如，通过由已设定的3点的位置来计算图案图像P1和布局图像P3的倾斜，并进行图案图像P1及不良观察图像P2倾斜的θ补正。此外，关于θ补正，由于布局图像P3是设计数据的真值，因此优选令图案图像P1对布局图像P3进行倾斜。但是，也可按照所求出的斜度来将布局图像P3对图案图像P1进行倾斜。
又，图11的操作画面410中，还设有图像调整区域412。该图像调整区域412中，也可以通过进行图案图像P1的旋转(θ补正)、布局图像P3的移动(位置微调)、布局图像的缩放(Zoom：放大/缩小)等操作，以手动来进行位置对准的微调。又，区域411、412的下方，设有显示必要的操作按钮的按钮显示区域413。
其次，说明图12所示的区域设定操作画面420。该操作画面420中设有：发出利用区域设定部131的多个解析区域的设定中必须的指示的解析区域设定区域421，显示已设定的解析区域的信息的解析区域显示区域422。图12中，显示区域422中显示解析区域1～4的4个解析区域所对应的坐标数据。
又，本构成例中，对于解析区域1～4的各个，可设定属性1、属性2的2种类的属性。图12中，对解析区域1作为属性1设定了属性「S1」，对解析区域2作为属性2设定了属性「S2」，对解析区域3作为属性1设定了属性「S3」，对解析区域4作为属性2设定了属性「S4」。又，区域421、422的下方，设有显示必要的操作按钮的按钮显示区域423。
在此，上述属性，和解析区域的位置信息(例如矩形的解析区域中的左上及右下的坐标)连结起来进行储存。又，这些信息，可保存成档案或从档案读取进来。例如，在不同设备的同样位置进行解析时，通过读入已保存的档案的信息，可省去再次描绘区域、或再次设定其属性的工序；又，在获知该反应处所是具有哪种属性(例如良品发光等)上是有用的。
其次，说明图13所示的解析操作画面430。该操作画面430中，设有：发出利用网路信息解析部132的不良解析的执行中必须的指示的不良解析指示区域431，和显示已得到的解析结果的解析结果显示区域432。图13中，在显示区域432中显示作为解析结果所得的网路的名称，及表示网路的解析区域的通过次数的计数值的一览(网路清单)。又，区域431、432的下方，设有显示必要的操作按钮的按钮显示区域433。
又，不良解析指示区域431中设有：关于对解析区域设定的属性，是否将该解析区域选择为不良解析用的第1指示区域431a，和用来进行具体的解析条件(解析1～解析3)的指定及解析执行的指示用的第2指示区域431b。作为此时的解析区域的选择方法可使用如下的选择方法，例如在利用网路信息解析部132的不良解析中，对于具有在第1指示区域431a中被勾选的属性(图13的例子中的属性S1、S2、S4)的解析区域、及属性未设定的解析区域，用于不良解析；对于具有在第1指示区域431a中未被勾选的属性(图13的例子中的属性S3)的解析区域，不作为用作不良解析。
上述构成，例如，针对与不良的有无无关而总是发光的处所(例如良品发光的处所)，预先将其表示的属性设定为对应的解析区域，以将该解析区域排除在不良解析的对象外的情况等的各种情形下是有用的。由此，可提升半导体设备的不良解析的效率。
进一步，对于用来指示解析条件的第2指示区域431b，优选为例如，当不良观察图像为发光图像时，仅将解析区域内具有配线端的网路抽出；又，当为OBIRCH图像时，则除了解析区域内具有配线端的网路以外还将通过解析区域内的网路抽出等等，可进行网路抽出的具体条件的设定。又，关于如上条件设定，页可构成为根据不良观察图像的种类等而自动地选择。
详细地说，构成半导体设备的网路，被配线成把晶体管等电路连结起来，存在有被接合至晶体管的网路的端点。发光主要是晶体管的切换(switching)所致的微弱发光，异常发光则主要是晶体管的泄漏电流所造成的。又，虽然伴随着切换的发光在良品上也会产生，但这是可通过附加在解析区域的属性来加以区别。如此的发光图像中，许多情况下，在发光图像的反应区域内存在端点的网路，与发光原因的电路有关；通过反应区域的网路，则是和发光原因的电路无关。因此，在使用发光图像的不良解析中，优选如上述仅将解析区域内具有配线端的网路抽出。
另一方面，OBIRCH图像主要以侦测出网路中的不良为中心，又，也可以进行晶体管部份等不良的侦测。因此，使用OBIRCH图像的不良解析中，除了如上述在解析区域内具有配线端的网路，优选还抽出通过解析区域内网路，较为理想。
又，本构成例中，利用位于按钮显示区域433的「详细」按钮，就可显示图14所示的网路清单显示窗口440。该显示窗口440具有：位于画面左侧的网路清单显示区域441、位于画面右侧而将网路清单图形化(直方图化)并显示的图形显示区域442。通过使用上述显示窗口440，操作者就容易掌握所得到的不良解析结果。
又，图14的显示窗口440中，通过下方的按钮显示区域443的「高亮」按钮，可将已选择的网路在布局图像上高亮显示。又，也可构成为，关于图2如上所述通过附加解析信息取得部134取得附加的解析信息时，针对在该解析信息中被判断为不良的网路，在网路清单显示区域441或图形显示区域442中着色来显示。又，也可构成为，当以键盘或鼠标等输入模块选择了布局图像上的网路时，该网路所通过的解析区域的颜色会改变显示，来告知操作者。
本发明的半导体不良解析装置、不良解析方法、不良解析程序、及不良解析系统，不限于上述实施方式及构成例，可作各种变形。例如，作为用来将重叠图像生成部141所生成的重叠图像显示在显示装置40上的解析画面，虽然图10中例示了解析窗口400，但并非限于此构成，也可使用其它各种构成的解析画面。
在此，上述实施方式的半导体不良解析装置，使用半导体设备的观察图像对其不良进行解析，具备：(1)检测信息取得模块，取得检测信息，该检测信息至少包含半导体设备的通常观察图像的图案图像，并将其作为观察图像；(2)布局信息取得模块，取得含有半导体设备的布局图像的布局信息；(3)不良解析模块，参照观察图像对半导体设备的不良进行解析；和(4)信息显示控制模块，将关于半导体设备的不良解析的信息显示在显示模块上，(5)信息显示控制模块具有：重叠图像生成模块，作为显示在显示模块上的半导体设备的图像，生成将图案图像和布局图像重叠后的重叠图像；和透过率设定模块，设定在重叠图像中布局图像相对于图案图像的透过率。
又，半导体不良解析方法，使用半导体设备的观察图像对其不良进行解析，包括：(a)检测信息取得步骤，取得检测信息，该检测信息至少包括半导体设备的通常观察图像的图案图像，并将其作为观察图像；(b)布局信息取得步骤，取得含有半导体设备的布局图像的布局信息；(c)不良解析步骤，参照观察图像对半导体设备的不良进行解析；和(d)信息显示步骤，将关于半导体设备的不良解析的信息显示在显示模块上；(e)重叠图像生成步骤，作为显示在显示模块上的半导体设备的图像，生成将图案图像和布局图像重叠后的重叠图像；和(f)透过率设定步骤，设定在重叠图像中布局图像相对于图案图像的透过率。
又，本发明的半导体不良解析程序，是由计算机执行的程序，以进行使用半导体设备的观察图像来对其不良进行解析的半导体不良解析，由计算机执行：(a)检测信息取得处理，取得检测信息，该检测信息至少包括半导体设备的通常观察图像的图案图像，并将其作为观察图像；(b)布局信息取得处理，取得含有半导体设备的布局图像的布局信息；(c)不良解析处理，参照观察图像对半导体设备的不良进行解析；和(d)信息显示处理，将关于半导体设备的不良解析的信息显示在显示模块上；(e)重叠图像生成处理，作为显示在显示模块上的半导体设备的图像，生成将图案图像和布局图像重叠后的重叠图像；和(f)透过率设定处理，设定在重叠图像中布局图像相对于图案图像的透过率。
又，本发明的半导体不良解析系统中采用以下构成，具备：上述半导体不良解析装置；对半导体不良解析装置供给检测信息的检测信息供给模块；对半导体不良解析装置供给布局信息的布局信息供给模块；和显示关于半导体设备的不良解析的信息的显示模块。
在此，不良解析装置优选为，检测信息取得模块，作为观察图像还取得不良观察图像，该不良观察图像包括对不良进行检测而得到的、因不良所致的反应信息；重叠图像生成模块，生成将图案图像和布局图像，以及不良观察图像重叠后的重叠图像；同时，信息显示控制模块，除了透过率设定模块，还具有第2透过率设定模块，设定在重叠图像中不良观察图像相对于图案图像和布局图像的透过率。
同样地，不良解析方法优选为，在检测信息取得步骤中，作为观察图像还取得不良观察图像，该不良观察图像包括对不良进行检测而得到的、因不良所致的反应信息；在重叠图像生成步骤中，生成将图案图像和布局图像，以及不良观察图像重叠后的重叠图像；同时，除了透过率设定步骤，还具有第2透过率设定步骤，设定在重叠图像中不良观察图像相对于图案图像和布局图像的透过率。
同样地，不良解析程序优选为，检测信息取得处理，作为观察图像还取得不良观察图像，该不良观察图像包括对不良进行检测而得到的、因不良所致的反应信息；重叠图像生成处理，生成将图案图像和布局图像，以及不良观察图像重叠后的重叠图像；同时，除了透过率设定处理，还由计算机执行第2透过率设定处理，设定在重叠图像中不良观察图像相对于图案图像和布局图像的透过率。
如此，除了图案图像及布局图像，还重叠不良观察图像，同时，将其透过率设为可变，通过将图案图像、布局图像、不良观察图像、及这些重合的各个设定成适当的透过率，可简单地进行确认。因此，可进一步提升使用观察图像的半导体设备的不良解析的效率。
又，不良解析装置优选为，不良解析模块具有位置调整模块，参照图案图像和布局图像，进行至少含有图案图像的观察图像，和布局图像之间的位置对准。同样地，不良解析方法优选为，具备位置调整步骤，参照图案图像和布局图像，进行至少含有图案图像的观察图像，和布局图像之间的位置对准。同样地，不良解析程序优选为，由计算机执行位置调整处理，参照图案图像和布局图像，进行至少含有图案图像的观察图像，和布局图像之间的位置对准。另外，作为观察图像在与图案图像配合得到不良观察图像的情况下，在上述位置调整中，优选参照图案图像和布局图像，进行进行至少含有图案图像的观察图像，和布局图像之间的位置对准。
如此，通过使用图案图像来进行和布局图像的位置对准，就可提升半导体设备的不良解析的精度。尤其是，作为观察图像而与图案图像配合的取得不良观察图像时，因为图案图像对不良观察图像P2呈现位置对准的状态下而被取得，因此上述的位置对准是有效的。
又，对于显示模块中的重叠图像的优选显示构成，不良解析装置可使用如下构成，信息显示控制模块具有解析画面生成模块，生成具有图像显示区域和解析操作区域的解析画面；图像显示区域用于显示在重叠图像生成模块中作为在显示模块上进行显示的画面而生成的重叠图像；解析操作区域用于由不良解析模块进行的不良解析中的操作。同样地，不良解析方法可使用如下方法，具备解析画面生成步骤，生成具有图像显示区域和解析操作区域的解析画面；图像显示区域用于显示在重叠图像生成步骤中作为在显示模块上进行显示的画面而生成的重叠图像；解析操作区域用于由不良解析步骤进行的不良解析中的操作。同样地，不良解析程序可使用如下构成，由计算机执行解析画面生成处理，生成具有图像显示区域和解析操作区域的解析画面；图像显示区域用于显示在重叠图像生成处理中作为在显示模块上进行显示的画面而生成的重叠图像；解析操作区域用于不良解析处理中进行的不良解析的操作。
又，不良解析装置，可具备布局图像显示控制模块，区别于由信息显示控制模块生成的重叠图像的显示，将布局图像显示在显示模块上。同样地，不良解析方法，可具备布局图像显示步骤，区别于重叠图像的显示，将布局图像显示在显示模块上。同样地，不良解析程序，可由计算机执行布局图像显示处理，区别于重叠图像的显示，将布局图像显示在显示模块上。
产业上利用的可能性
本发明的半导体不良解析装置、不良解析方法、不良解析程序，及不良解析系统可准确且高效地进行使用不良观察图像的半导体设备不良的解析。

Claims (16)

1.一种半导体不良解析装置，使用半导体设备的观察图像对其不良进行解析，其特征在于，具备：
检测信息取得模块，取得检测信息，该检测信息至少包含半导体设备的通常观察图像的图案图像，并将其作为观察图像；
布局信息取得模块，取得含有所述半导体设备的布局图像的布局信息；
不良解析模块，参照所述观察图像对所述半导体设备的不良进行解析；和
信息显示控制模块，将关于所述半导体设备的不良解析的信息显示在显示模块上，
所述信息显示控制模块具有：重叠图像生成模块，作为显示在所述显示模块上的所述半导体设备的图像，生成将所述图案图像和所述布局图像重叠后的重叠图像；和透过率设定模块，设定在所述重叠图像中所述布局图像相对于所述图案图像的透过率。
2.如权利要求1所述的不良解析装置，其特征在于，
所述检测信息取得模块，作为所述观察图像还取得不良观察图像，该不良观察图像包括对不良进行检测而得到的、因不良所致的反应信息；
所述重叠图像生成模块，生成将所述图案图像和所述布局图像，以及所述不良观察图像重叠后的所述重叠图像；同时，
所述信息显示控制模块，除了所述透过率设定模块，还具有第2透过率设定模块，设定在所述重叠图像中所述不良观察图像相对于所述图案图像和所述布局图像的透过率。
3.如权利要求1或2所述的不良解析装置，其特征在于，
所述不良解析模块具有位置调整模块，参照所述图案图像和所述布局图像，进行至少含有所述图案图像的所述观察图像，和所述布局图像之间的位置对准。
4.如权利要求1～3中任何一项所述的不良解析装置，其特征在于，
所述信息显示控制模块具有解析画面生成模块，生成具有图像显示区域和解析操作区域的解析画面；所述图像显示区域用于显示在所述重叠图像生成模块中作为在所述显示模块上进行显示的画面而生成的所述重叠图像；所述解析操作区域用于由所述不良解析模块进行的不良解析中的操作。
5.如权利要求1～4中任何一项所述的不良解析装置，其特征在于，
具备布局图像显示控制模块，区别于由所述信息显示控制模块生成的所述重叠图像的显示，将所述布局图像显示在所述显示模块上。
6.一种半导体不良解析方法，使用半导体设备的观察图像对其不良进行解析，其特征在于，包括：
检测信息取得步骤，取得检测信息，该检测信息至少包括半导体设备的通常观察图像的图案图像，并将其作为观察图像；
布局信息取得步骤，取得含有所述半导体设备的布局图像的布局信息；
不良解析步骤，参照所述观察图像对所述半导体设备的不良进行解析；和
信息显示步骤，将关于所述半导体设备的不良解析的信息显示在显示模块上；
重叠图像生成步骤，作为显示在所述显示模块上的所述半导体设备的图像，生成将所述图案图像和所述布局图像重叠后的重叠图像；和
透过率设定步骤，设定在所述重叠图像中所述布局图像相对于所述图案图像的透过率。
7.如权利要求6所述的不良解析方法，其特征在于，
在所述检测信息取得步骤中，作为所述观察图像还取得不良观察图像，该不良观察图像包括对不良进行检测而得到的、因不良所致的反应信息；
在所述重叠图像生成步骤中，生成将所述图案图像和所述布局图像，以及所述不良观察图像重叠后的所述重叠图像；同时，
除了所述透过率设定步骤，还具有第2透过率设定步骤，设定在所述重叠图像中所述不良观察图像相对于所述图案图像和所述布局图像的透过率。
8.如权利要求6或7所述的不良解析方法，其特征在于，
具备位置调整步骤，参照所述图案图像和所述布局图像，进行至少含有所述图案图像的所述观察图像，和所述布局图像之间的位置对准。
9.如权利要求6～8中任何一项所述的不良解析方法，其特征在于，
具备解析画面生成步骤，生成具有图像显示区域和解析操作区域的解析画面；所述图像显示区域用于显示在所述重叠图像生成步骤中作为在所述显示模块上进行显示的画面而生成的所述重叠图像；所述解析操作区域用于由所述不良解析步骤进行的不良解析中的操作。
10.如权利要求6～9中任何一项所述的不良解析方法，其特征在于，
具备布局图像显示步骤，区别于所述重叠图像的显示，将所述布局图像显示在所述显示模块上。
11.一种半导体不良解析程序，是由计算机执行的程序，以进行使用半导体设备的观察图像来对其不良进行解析的半导体不良解析，其特征在于，由计算机执行：
检测信息取得处理，取得检测信息，该检测信息至少包括半导体设备的通常观察图像的图案图像，并将其作为观察图像；
布局信息取得处理，取得含有所述半导体设备的布局图像的布局信息；
不良解析处理，参照所述观察图像对所述半导体设备的不良进行解析；和
信息显示处理，将关于所述半导体设备的不良解析的信息显示在显示模块上；
重叠图像生成处理，作为显示在所述显示模块上的所述半导体设备的图像，生成将所述图案图像和所述布局图像重叠后的重叠图像；和
透过率设定处理，设定在所述重叠图像中所述布局图像相对于所述图案图像的透过率。
12.如权利要求11所述的不良解析程序，其特征在于，
所述检测信息取得处理，作为所述观察图像还取得不良观察图像，该不良观察图像包括对不良进行检测而得到的、因不良所致的反应信息；
所述重叠图像生成处理，生成将所述图案图像和所述布局图像，以及所述不良观察图像重叠后的所述重叠图像；同时，
除了所述透过率设定处理，还由计算机执行第2透过率设定处理，设定在所述重叠图像中所述不良观察图像相对于所述图案图像和所述布局图像的透过率。
13.如权利要求11或12所述的不良解析程序，其特征在于，
由计算机执行位置调整处理，参照所述图案图像和所述布局图像，进行至少含有所述图案图像的所述观察图像，和所述布局图像之间的位置对准。
14.如权利要求11～13中任何一项所述的不良解析程序，其特征在于，
由计算机执行解析画面生成处理，生成具有图像显示区域和解析操作区域的解析画面；所述图像显示区域用于显示在所述重叠图像生成处理中作为在所述显示模块上进行显示的画面而生成的所述重叠图像；所述解析操作区域用于所述不良解析处理中进行的不良解析的操作。
15.如权利要求11～14中任何一项所述的不良解析程序，其特征在于，
由计算机执行布局图像显示处理，区别于所述重叠图像的显示，将所述布局图像显示在所述显示模块上。
16.一种半导体不良解析系统，其特征在于，具备：
如权利要求1～5中任何一项所述的半导体不良解析装置；
对所述半导体不良解析装置供给所述检测信息的检测信息供给模块；
对所述半导体不良解析装置供给所述布局信息的布局信息供给模块；和
显示关于所述半导体设备的不良解析的信息的显示模块。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105849883A (zh) * 2013-12-26 2016-08-10 浜松光子学株式会社 图像处理方法、图像处理装置、图像处理程序及存储有图像处理程序的存储介质
CN107564446A (zh) * 2017-09-30 2018-01-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种面板点灯机、面板点灯测试系统及测试方法
CN110087828A (zh) * 2017-06-06 2019-08-02 三菱电机株式会社 信息处理装置及加工不良确定方法
CN110709691A (zh) * 2017-06-06 2020-01-17 浜松光子学株式会社 半导体器件检查方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5005893B2 (ja) * 2005-06-22 2012-08-22 浜松ホトニクス株式会社 半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラム
WO2007114930A2 (en) * 2006-03-31 2007-10-11 Teseda Corporation Secure test-for-yield chip diagnostics management system and method
JP5091430B2 (ja) * 2006-06-14 2012-12-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラム
JP5087236B2 (ja) * 2006-06-14 2012-12-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラム
JP4931483B2 (ja) * 2006-06-14 2012-05-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラム
US8115170B2 (en) * 2007-01-09 2012-02-14 International Business Machines Corporation Method and apparatus for creating time-resolved emission images of integrated circuits using a single-point single-photon detector and a scanning system
US20090007033A1 (en) * 2007-06-28 2009-01-01 Hitesh Suri Method to transfer failure analysis-specific data between data between design houses and fab's/FA labs
US7873936B2 (en) * 2008-01-04 2011-01-18 International Business Machines Corporation Method for quantifying the manufactoring complexity of electrical designs
JP2009168476A (ja) 2008-01-11 2009-07-30 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査方法、及び欠陥検査システム
JP5021503B2 (ja) * 2008-01-15 2012-09-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン欠陥解析装置、パターン欠陥解析方法およびパターン欠陥解析プログラム
US8312413B2 (en) 2010-01-22 2012-11-13 International Business Machines Corporation Navigating analytical tools using layout software
US8539389B2 (en) * 2010-09-27 2013-09-17 Teseda Corporation Correlation of device manufacturing defect data with device electrical test data
US9939488B2 (en) 2011-08-31 2018-04-10 Teseda Corporation Field triage of EOS failures in semiconductor devices
US8907697B2 (en) 2011-08-31 2014-12-09 Teseda Corporation Electrical characterization for a semiconductor device pin
US8412991B2 (en) 2011-09-02 2013-04-02 Teseda Corporation Scan chain fault diagnosis
JP5841427B2 (ja) * 2011-12-28 2016-01-13 株式会社キーエンス 画像処理装置及び画像処理方法
US9443051B2 (en) 2012-08-22 2016-09-13 Mentor Graphics Corporation Generating root cause candidates for yield analysis
JP2014236124A (ja) * 2013-06-03 2014-12-15 三菱電機株式会社 半導体装置、半導体装置の検査方法
US10650509B2 (en) 2016-09-08 2020-05-12 Synopsys, Inc. Video overlay
US10247777B1 (en) 2016-11-10 2019-04-02 Teseda Corporation Detecting and locating shoot-through timing failures in a semiconductor integrated circuit
US10671052B2 (en) * 2017-11-15 2020-06-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Synchronized parallel tile computation for large area lithography simulation
US11023648B2 (en) 2017-12-12 2021-06-01 Siemens Industry Software Inc. Puzzle-based pattern analysis and classification
WO2021250984A1 (ja) * 2020-06-08 2021-12-16 浜松ホトニクス株式会社 半導体検査方法及び半導体検査装置
CN116302841B (zh) * 2023-04-13 2023-12-08 北京浩太同益科技发展有限公司 一种工业物联网安全监测方法及系统

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6185324B1 (en) * 1989-07-12 2001-02-06 Hitachi, Ltd. Semiconductor failure analysis system
JP2941033B2 (ja) * 1990-09-28 1999-08-25 株式会社日立製作所 回路情報表示装置
JP2932794B2 (ja) 1991-11-05 1999-08-09 日本電気株式会社 回路接続検証装置
US5240866A (en) * 1992-02-03 1993-08-31 At&T Bell Laboratories Method for characterizing failed circuits on semiconductor wafers
JP3686124B2 (ja) * 1995-01-09 2005-08-24 株式会社ルネサステクノロジ 電子ビームテストシステムを使用する故障解析方法
JPH0933599A (ja) * 1995-05-15 1997-02-07 Hitachi Ltd パターン検査方法および検査装置
US6292582B1 (en) 1996-05-31 2001-09-18 Lin Youling Method and system for identifying defects in a semiconductor
JP3436456B2 (ja) 1996-06-14 2003-08-11 三菱電機株式会社 エミッション顕微鏡による半導体装置の故障解析方法及び半導体装置故障解析システム
JP3519872B2 (ja) 1996-07-01 2004-04-19 三洋電機株式会社 半導体集積回路装置の故障解析システム
JPH1063235A (ja) * 1996-08-19 1998-03-06 Dainippon Printing Co Ltd 画像処理装置
US20020024603A1 (en) * 1996-10-02 2002-02-28 Nikon Corporation Image processing apparatus, method and recording medium for controlling same
JP2956658B2 (ja) * 1997-06-26 1999-10-04 日本電気株式会社 Ｌｓｉの異常発光箇所特定方法およびその装置
JP3660561B2 (ja) * 1999-11-10 2005-06-15 株式会社東芝 半導体集積回路の故障解析装置
JP3950608B2 (ja) 2000-01-18 2007-08-01 株式会社ルネサステクノロジ エミッション顕微鏡を用いた不良解析方法およびそのシステム並びに半導体装置の製造方法
US20020060650A1 (en) * 2000-10-25 2002-05-23 Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha Schematic illustration drawing apparatus and method
JP3678133B2 (ja) * 2000-10-30 2005-08-03 株式会社日立製作所 検査システムおよび半導体デバイスの製造方法
TW533422B (en) * 2000-11-28 2003-05-21 Advantest Corp Fail analysis device
US6598211B2 (en) * 2001-03-30 2003-07-22 Intel Corporation Scaleable approach to extracting bridges from a hierarchically described VLSI layout
JP4190748B2 (ja) * 2001-06-27 2008-12-03 株式会社ルネサステクノロジ 半導体不良解析用のｃａｄツール及び半導体不良解析方法
JP4095265B2 (ja) * 2001-09-06 2008-06-04 キヤノン株式会社 画像処理装置、画像処理方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体、及びコンピュータプログラム
GB2389178B (en) 2001-12-31 2004-10-27 Orbotech Ltd Method for inspecting patterns
JP2003282665A (ja) 2002-03-22 2003-10-03 Hitachi Ltd 半導体不良解析ツール、システム、不要解析方法および半導体装置の製造方法
JP4283487B2 (ja) 2002-04-08 2009-06-24 株式会社ルネサステクノロジ 半導体の不良解析方法及びそのシステム
WO2004008246A2 (en) * 2002-07-12 2004-01-22 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for context-specific mask writing
JP4429593B2 (ja) * 2002-11-22 2010-03-10 パナソニック株式会社 半導体装置のレイアウト検証方法
JP2004355717A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Renesas Technology Corp 半導体装置の不良解析方法
US7256055B2 (en) * 2003-08-25 2007-08-14 Tau-Metrix, Inc. System and apparatus for using test structures inside of a chip during the fabrication of the chip
US7155689B2 (en) * 2003-10-07 2006-12-26 Magma Design Automation, Inc. Design-manufacturing interface via a unified model
TW200517983A (en) * 2003-10-15 2005-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method for analyzing defect of multilayer wiring structure and defect analyzing device
JP2005158780A (ja) 2003-11-20 2005-06-16 Hitachi Ltd パターン欠陥検査方法及びその装置
US20060098862A1 (en) * 2004-11-10 2006-05-11 International Business Machines Corporation Nanoscale defect image detection for semiconductors
JP5006520B2 (ja) * 2005-03-22 2012-08-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥観察装置及び欠陥観察装置を用いた欠陥観察方法
JP5005893B2 (ja) * 2005-06-22 2012-08-22 浜松ホトニクス株式会社 半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラム
US8041103B2 (en) * 2005-11-18 2011-10-18 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space
JP4931483B2 (ja) * 2006-06-14 2012-05-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラム

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105849883A (zh) * 2013-12-26 2016-08-10 浜松光子学株式会社 图像处理方法、图像处理装置、图像处理程序及存储有图像处理程序的存储介质
CN105849882A (zh) * 2013-12-26 2016-08-10 浜松光子学株式会社 图像处理方法、图像处理装置、图像处理程序及存储有图像处理程序的存储介质
TWI626601B (zh) * 2013-12-26 2018-06-11 濱松赫德尼古斯股份有限公司 影像處理方法、影像處理裝置、影像處理程式及記憶影像處理程式之記憶媒體
CN105849883B (zh) * 2013-12-26 2019-04-30 浜松光子学株式会社 图像处理方法、图像处理装置、图像处理程序及存储有图像处理程序的存储介质
CN105849882B (zh) * 2013-12-26 2019-04-30 浜松光子学株式会社 图像处理方法、图像处理装置、图像处理程序及存储有图像处理程序的存储介质
CN110087828A (zh) * 2017-06-06 2019-08-02 三菱电机株式会社 信息处理装置及加工不良确定方法
CN110709691A (zh) * 2017-06-06 2020-01-17 浜松光子学株式会社 半导体器件检查方法
US11156565B2 (en) 2017-06-06 2021-10-26 Hamamatsu Photonics K.K. Method for inspecting semiconductor device
CN107564446A (zh) * 2017-09-30 2018-01-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种面板点灯机、面板点灯测试系统及测试方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006137415A1 (ja) 2006-12-28
US7752594B2 (en) 2010-07-06
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TWI421959B (zh) 2014-01-01
US20070011519A1 (en) 2007-01-11
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JP2007003306A (ja) 2007-01-11
EP1901080A1 (en) 2008-03-19
TW200707616A (en) 2007-02-16
EP1901080A4 (en) 2015-10-14

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