JP4216902B1 - 半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラム - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能な半導体不良解析装置、解析方法、及び解析プログラムを提供する。
【解決手段】 半導体デバイスの不良観察画像Ｐ２を取得する検査情報取得部１１と、レイアウト情報を取得するレイアウト情報取得部１２と、半導体デバイスの不良についての解析を行う不良解析部１３と、解析結果の情報を表示装置４０に表示させる解析画面表示制御部１４とによって不良解析装置１０を構成する。不良解析部１３は、不良観察画像Ｐ２を参照して解析領域を設定するとともに、半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数のネットについて解析領域を通過するネットを抽出する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体デバイスの不良について解析を行うための半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラムに関するものである。

半導体デバイスの不良を解析するための観察画像を取得する半導体検査装置としては、従来、エミッション顕微鏡、ＯＢＩＲＣＨ装置、時間分解エミッション顕微鏡などが用いられている。これらの検査装置では、不良観察画像として取得される発光画像やＯＢＩＲＣＨ画像を用いて、半導体デバイスの故障箇所などの不良を解析することができる（例えば、特許文献１、２参照）。
特開２００３−８６６８９号公報 特開２００３−３０３７４６号公報

近年、半導体不良解析において、解析対象となる半導体デバイスの微細化や高集積化が進んでおり、上記した検査装置を用いた不良箇所の解析が困難になってきている。したがって、このような半導体デバイスについて不良箇所の解析を行うためには、不良観察画像から半導体デバイスの不良箇所を推定するための解析処理の確実性、及びその効率を向上することが必要不可欠である。

本発明は、以上の問題点を解決するためになされたものであり、不良観察画像を用いた半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能な半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラムを提供することを目的とする。

このような目的を達成するために、本発明による半導体不良解析装置は、半導体デバイスの観察画像を用いて、その不良を解析する半導体不良解析装置であって、（１）半導体デバイスの観察画像として、不良についての検査を行って得られた、不良に起因する反応情報を含む不良観察画像を取得する検査情報取得手段と、（２）半導体デバイスのレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得手段と、（３）不良観察画像及びレイアウト情報を参照して半導体デバイスの不良についての解析を行う不良解析手段と、（４）半導体デバイスの不良の解析についての情報を表示手段に表示させる情報表示制御手段とを備え、（５）不良解析手段は、不良観察画像を参照し、反応情報に対応して解析領域を設定するための領域設定手段と、半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数のネットについて解析領域を通過するネットを抽出するネット情報解析手段とを有し、（６）情報表示制御手段は、領域設定手段及びネット情報解析手段による半導体デバイスの不良の解析結果についての情報を表示手段に表示させ、領域設定手段は、不良観察画像を参照し、反応情報に対応して複数の解析領域を設定するとともに、ネット情報解析手段は、複数のネットについて複数の解析領域のそれぞれを通過するネットを抽出し、そのネットの解析領域の通過回数を取得することを特徴とする。

また、本発明による半導体不良解析方法は、半導体デバイスの観察画像を用いて、その不良を解析する半導体不良解析方法であって、（ａ）半導体デバイスの観察画像として、不良についての検査を行って得られた、不良に起因する反応情報を含む不良観察画像を取得する検査情報取得ステップと、（ｂ）半導体デバイスのレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得ステップと、（ｃ）不良観察画像を参照し、反応情報に対応して解析領域を設定する領域設定ステップと、（ｄ）半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数のネットについて解析領域を通過するネットを抽出するネット情報解析ステップと、（ｅ）領域設定ステップ及びネット情報解析ステップによる半導体デバイスの不良の解析結果についての情報を表示手段に表示させる情報表示ステップとを備え、領域設定ステップにおいて、不良観察画像を参照し、反応情報に対応して複数の解析領域を設定するとともに、ネット情報解析ステップにおいて、複数のネットについて複数の解析領域のそれぞれを通過するネットを抽出し、そのネットの解析領域の通過回数を取得することを特徴とする。

また、本発明による半導体不良解析プログラムは、半導体デバイスの観察画像を用い、その不良を解析する半導体不良解析をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、（ａ）半導体デバイスの観察画像として、不良についての検査を行って得られた、不良に起因する反応情報を含む不良観察画像を取得する検査情報取得処理と、（ｂ）半導体デバイスのレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得処理と、（ｃ）不良観察画像を参照し、反応情報に対応して解析領域を設定する領域設定処理と、（ｄ）半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数のネットについて解析領域を通過するネットを抽出するネット情報解析処理と、（ｅ）領域設定処理及びネット情報解析処理による半導体デバイスの不良の解析結果についての情報を表示手段に表示させる情報表示処理とをコンピュータに実行させ、領域設定処理は、不良観察画像を参照し、反応情報に対応して複数の解析領域を設定するとともに、ネット情報解析処理は、複数のネットについて複数の解析領域のそれぞれを通過するネットを抽出し、そのネットの解析領域の通過回数を取得することを特徴とする。

上記した半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラムにおいては、解析対象の半導体デバイスを検査して得られた発光画像やＯＢＩＲＣＨ画像などの不良観察画像と、半導体デバイスのレイアウトに関して必要な情報とを取得する。そして、不良観察画像での反応情報（例えば反応箇所の情報）に対応して解析領域を設定し、半導体デバイスを構成する各ネットのうちで解析領域を通過するネットを抽出することによって、半導体デバイスの不良の解析を行っている。このような構成によれば、解析領域を好適に設定することで、解析領域を通過するネットによって、半導体デバイスでの不良の可能性が高いネットを推定することができる。したがって、不良観察画像を用いた半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能となる。

上記した不良解析装置において、領域設定手段は、不良観察画像を参照し、反応情報に対応して複数の解析領域を設定するとともに、ネット情報解析手段は、複数のネットについて複数の解析領域のそれぞれを通過するネットを抽出し、そのネットの解析領域の通過回数を取得することが好ましい。

同様に、不良解析方法は、領域設定ステップにおいて、不良観察画像を参照し、反応情報に対応して複数の解析領域を設定するとともに、ネット情報解析ステップにおいて、複数のネットについて複数の解析領域のそれぞれを通過するネットを抽出し、そのネットの解析領域の通過回数を取得することが好ましい。

同様に、不良解析プログラムは、領域設定処理が、不良観察画像を参照し、反応情報に対応して複数の解析領域を設定するとともに、ネット情報解析処理が、複数のネットについて複数の解析領域のそれぞれを通過するネットを抽出し、そのネットの解析領域の通過回数を取得することが好ましい。

このように、不良観察画像での反応情報に対応して解析領域を複数設定し、半導体デバイスを構成する各ネットの解析領域の通過回数を取得する構成によれば、解析領域の通過回数が多いネットによって、半導体デバイスでの不良の可能性が高いネットを推定することができる。したがって、不良観察画像を用いた半導体デバイスの不良の解析を、さらに確実かつ効率良く行うことが可能となる。

ここで、不良解析装置は、検査情報取得手段が、不良観察画像に加えて、通常の観察画像であるパターン画像を取得し、レイアウト情報取得手段が、レイアウト情報としてレイアウト画像を取得するとともに、不良解析手段が、パターン画像とレイアウト画像とを参照して、パターン画像及び不良観察画像を含む観察画像と、レイアウト画像との間の位置合わせを行う位置調整手段を有することが好ましい。

同様に、不良解析方法は、検査情報取得ステップにおいて、不良観察画像に加えて、通常の観察画像であるパターン画像を取得し、レイアウト情報取得ステップにおいて、レイアウト情報としてレイアウト画像を取得するとともに、パターン画像とレイアウト画像とを参照して、パターン画像及び不良観察画像を含む観察画像と、レイアウト画像との間の位置合わせを行う位置調整ステップを備えることが好ましい。

同様に、不良解析プログラムは、検査情報取得処理が、不良観察画像に加えて、通常の観察画像であるパターン画像を取得し、レイアウト情報取得処理が、レイアウト情報としてレイアウト画像を取得するとともに、パターン画像とレイアウト画像とを参照して、パターン画像及び不良観察画像を含む観察画像と、レイアウト画像との間の位置合わせを行う位置調整処理をコンピュータに実行させることが好ましい。

このように、不良観察画像に対して位置が合った状態で取得されるパターン画像を用いてレイアウト画像との位置合わせを行うことにより、不良観察画像を用いた半導体デバイスの不良の解析の精度を向上することができる。

不良解析装置は、領域設定手段が、解析領域に対して属性を設定することが可能に構成されていることが好ましい。同様に、不良解析方法は、領域設定ステップにおいて、解析領域に対して属性を設定することが可能となっていることが好ましい。同様に、不良解析プログラムは、領域設定処理が、解析領域に対して属性を設定することが可能となっていることが好ましい。また、複数の解析領域が設定されている場合には、この属性は、複数の解析領域のそれぞれに対して設定可能であることが好ましい。

また、この場合、不良解析装置は、ネット情報解析手段が、解析領域に対して設定された属性を参照して、その解析領域についてネットの抽出に用いるかどうかを選択することとしても良い。同様に、不良解析方法は、ネット情報解析ステップにおいて、解析領域に対して設定された属性を参照して、その解析領域についてネットの抽出に用いるかどうかを選択することとしても良い。同様に、不良解析プログラムは、ネット情報解析処理が、解析領域に対して設定された属性を参照して、その解析領域についてネットの抽出に用いるかどうかを選択することとしても良い。また、複数の解析領域が設定されている場合には、ネット情報解析において、複数の解析領域のそれぞれに対して設定された属性を参照して、それぞれの解析領域についてネットの抽出及び通過回数の取得に用いるかどうかを選択することが好ましい。

また、不良解析装置は、不良解析手段が、別の解析方法によって得られた半導体デバイスの不良についての付加的な解析情報を取得する付加解析情報取得手段を有することとしても良い。同様に、不良解析方法は、別の解析方法によって得られた半導体デバイスの不良についての付加的な解析情報を取得する付加解析情報取得ステップを備えることとしても良い。同様に、不良解析プログラムは、別の解析方法によって得られた半導体デバイスの不良についての付加的な解析情報を取得する付加解析情報取得処理をコンピュータに実行させることとしても良い。

また、表示手段に表示される解析結果については、ネット情報解析によって抽出されたネットを一覧表示したネットリストを表示手段に表示させることが好ましい。また、複数の解析領域が設定されている場合には、解析結果として、ネット情報解析によって抽出されたネット（例えばネットの名称）、及びそのネットの解析領域の通過回数（例えば通過回数を示すカウント数）を一覧表示したネットリストを表示手段に表示させることが好ましい。

本発明の半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラムによれば、不良観察画像での反応情報に対応して解析領域を設定し、半導体デバイスのレイアウトに含まれる各ネットのうちで解析領域を通過するネットを抽出することにより、解析領域を好適に設定することで、解析領域を通過するネットによって、半導体デバイスでの不良の可能性が高いネットを推定することができる。したがって、不良観察画像を用いた半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能となる。

以下、図面とともに本発明による半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラムの好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。

図１は、本発明による半導体不良解析装置を含む不良解析システムの一実施形態の構成を概略的に示すブロック図である。本不良解析システム１は、半導体デバイスを解析対象とし、その観察画像を用いて不良の解析を行うためのものであり、半導体不良解析装置１０と、検査情報供給装置２０と、レイアウト情報供給装置３０と、表示装置４０と、入力装置４５とを備えている。以下、半導体不良解析装置１０及び不良解析システム１の構成について、半導体不良解析方法とともに説明する。

半導体不良解析装置１０は、半導体デバイスの不良解析に必要なデータを入力して、その不良の解析処理を実行するための解析装置である。本実施形態による不良解析装置１０は、検査情報取得部１１と、レイアウト情報取得部１２と、不良解析部１３と、解析画面表示制御部１４と、レイアウト画像表示制御部１５とを有している。また、不良解析装置１０には、不良解析に関する情報を表示するための表示装置４０と、不良解析に必要な指示や情報の入力に用いられる入力装置４５とが接続されている。

不良解析装置１０において実行される不良解析に用いられるデータは、検査情報取得部１１及びレイアウト情報取得部１２によって取得される。検査情報取得部１１は、半導体デバイスの観察画像として、通常の観察画像であるパターン画像Ｐ１と、不良についての検査を行って得られた、不良に起因する反応情報を含んでいる不良観察画像Ｐ２とを取得する（検査情報取得ステップ）。また、レイアウト情報取得部１２は、半導体デバイスでのネットなどの構成を示すレイアウト情報を取得する（レイアウト情報取得ステップ）。図１においては、レイアウト情報取得部１２は、この半導体デバイスのレイアウト情報として、レイアウト画像Ｐ３を取得している。

図１においては、検査情報取得部１１に対して、検査情報供給装置２０が接続されており、パターン画像Ｐ１及び不良観察画像Ｐ２は供給装置２０から取得部１１へと供給されている。この検査情報供給装置２０としては、例えば、エミッション顕微鏡装置を用いることができる。この場合、不良観察画像Ｐ２は発光画像となる。また、検査情報供給装置２０として、ＯＢＩＲＣＨ装置を用いることができる。この場合、不良観察画像Ｐ２はＯＢＩＲＣＨ画像となる。あるいは、これら以外の種類の半導体検査装置を供給装置２０として用いても良い。

また、パターン画像Ｐ１及び不良観察画像Ｐ２があらかじめ半導体検査装置によって取得されている場合には、検査情報供給装置２０としては、それらの画像データを記憶しているデータ記憶装置が用いられる。この場合のデータ記憶装置は、不良解析装置１０の内部に設けられていても良く、あるいは外部装置であっても良い。このような構成は、半導体検査装置で観察画像を先に撮りためておき、不良解析装置１０のソフトウェアを別のコンピュータ上で実行するような場合に有用である。この場合、半導体検査装置を占有することなく、不良解析の作業を分担して進めることができる。

また、エミッション顕微鏡装置やＯＢＩＲＣＨ装置などの半導体検査装置で取得されるパターン画像Ｐ１及び不良観察画像Ｐ２については、ステージ上に半導体デバイスを載置した状態で画像Ｐ１、Ｐ２が取得される。このため、両者は互いに位置合わせがされた画像として取得される。

一方、レイアウト情報取得部１２に対して、レイアウト情報供給装置３０がネットワークを介して接続されており、レイアウト画像Ｐ３は供給装置３０から取得部１２へと供給されている。このレイアウト情報供給装置３０としては、例えば、半導体デバイスを構成する素子やネット（配線）の配置などの設計情報からレイアウト画像Ｐ３を生成するレイアウト・ビューアのＣＡＤソフトが起動されているワークステーションを用いることができる。

ここで、例えば半導体デバイスに含まれる複数のネットの個々の情報など、レイアウト画像Ｐ３以外のレイアウト情報については、不良解析装置１０において、必要に応じてレイアウト情報供給装置３０と通信を行って情報を取得する構成を用いることが好ましい。あるいは、レイアウト画像Ｐ３と合わせてレイアウト情報取得部１２から情報を読み込んでおく構成としても良い。

また、本実施形態においては、不良解析装置１０にレイアウト画像表示制御部１５が設けられている。このレイアウト画像表示制御部１５は、例えば、Ｘウィンドウ・サーバによって構成され、レイアウト情報供給装置３０において描画されたレイアウト画像Ｐ３を表示装置４０での所定の表示ウィンドウに表示するなどの機能を有する。ただし、このようなレイアウト画像表示制御部１５については、不要であれば設けなくても良い。

検査情報取得部１１、及びレイアウト情報取得部１２によって取得されたパターン画像Ｐ１、不良観察画像Ｐ２、及びレイアウト画像Ｐ３は、不良解析部１３へと入力される。不良解析部１３は、不良観察画像Ｐ２及びレイアウト情報を参照して、半導体デバイスの不良についての解析を行う解析手段である。また、解析画面表示制御部１４は、不良解析部１３による半導体デバイスの不良の解析結果についての情報を表示装置４０に表示させる情報表示制御手段である。また、解析画面表示制御部１４は、必要に応じて、解析結果以外で半導体デバイスの不良の解析についての情報を所定の解析画面で表示する。

図２は、図１に示した半導体不良解析装置１０における不良解析部１３の具体的な構成を示すブロック図である。本実施形態による不良解析部１３は、領域設定部１３１と、ネット情報解析部１３２とを有している。また、図３は、領域設定部１３１及びネット情報解析部１３２によって実行される不良解析方法について模式的に示す図である。

領域設定部１３１は、解析対象の半導体デバイスに対し、不良観察画像Ｐ２を参照し、画像Ｐ２での反応情報に対応して解析領域を設定する設定手段である。ここで、不良観察画像Ｐ２の例としてエミッション顕微鏡装置によって取得される発光画像を考える。例えば、図３（ａ）に示す例では、不良解析において参照される反応情報として、発光画像中にＡ１〜Ａ６の６つの発光領域（反応領域）が存在する。このような画像に対して、領域設定部１３１は、図３（ｂ）に示すように、発光領域に対応して６つの解析領域Ｂ１〜Ｂ６を設定する（領域設定ステップ）。

このような解析領域の設定は、キーボードやマウスなどを用いた入力装置４５からの操作者の入力に応じて手動で行うことが好ましい。あるいは、領域設定部１３１において自動で行われる構成としても良い。また、設定される解析領域の形状については、特に制限されないが、図３（ｂ）に示すように矩形状に設定することが、解析の容易さなどの点で好ましい。なお、このような解析領域の設定においては、検査時に半導体デバイスを載置するステージの位置精度等を考慮して、不良観察画像Ｐ２での反応領域に対して広めに設定することが好ましい。

ネット情報解析部１３２は、半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数のネット（配線）について、領域設定部１３１で設定された解析領域を参照して解析を行う。具体的には、複数のネットについて、設定された解析領域を通過するネットを抽出する（ネット情報解析ステップ）。また、領域設定部１３１において複数の解析領域が設定されている場合には、ネット情報解析部１３２は、複数のネットについて、複数の解析領域のそれぞれを通過するネットを抽出するとともに、そのネットの解析領域の通過回数を取得する。

上記した例では、図３（ｃ）に示すように、領域設定部１３１で設定された６つの解析領域Ｂ１〜Ｂ６に対して、解析領域を通過するネットとして４本のネットＣ１〜Ｃ４が抽出されている。また、これらのネットＣ１〜Ｃ４のうち、ネットＣ１は解析領域の通過回数が３回で最も多く、ネットＣ２は通過回数が２回、ネットＣ３、Ｃ４は通過回数がそれぞれ１回となっている。

なお、このようなネット情報の解析では、必要に応じて、レイアウト情報取得部１２を介してレイアウト情報供給装置３０との間で通信を行って、解析を実行することが好ましい。このような構成としては、例えば、ネット情報解析部１３２が、レイアウト情報供給装置３０に対してネットの抽出、及び解析領域の通過回数の取得を指示し、その結果を受け取る構成がある。

また、これらの不良解析に必要な画像などの情報、あるいは解析結果として得られた情報は、必要に応じて解析画面表示制御部１４によって解析画面として表示装置４０に表示される。特に、本実施形態においては、解析画面表示制御部１４は、上記した不良解析部１３による解析結果を示すものとして、ネット情報解析部１３２で抽出されたネット、及びそのネットの解析領域の通過回数についての情報を表示装置４０に表示させる（情報表示ステップ）。

このような解析結果の表示は、例えば、図３（ｃ）に示すように解析領域及びネットを含む画像によって表示しても良く、あるいは、ネットの名称及び通過回数のカウント数などによって表示しても良い。具体的には、解析画面表示制御部１４は、解析結果として、ネット情報解析部１３２によって抽出されたネットを一覧表示したネットリストを表示装置４０に表示させることが好ましい。また、複数の解析領域が設定されている場合には、解析結果として、ネット情報解析部１３２によって抽出されたネット（例えばネットの名称）、及びそのネットの解析領域の通過回数（例えば通過回数を示すカウント数）を一覧表示したネットリストを表示装置４０に表示させることが好ましい。

また、設定された解析領域、及び抽出されたネットを含む画像によって解析結果を表示する場合には、図３（ｃ）に示すように、抽出されたネットをレイアウト画像上でハイライト表示しても良い。また、抽出されたネットをマウス操作等によって選択した場合に、そのネットが通過している解析領域の色を変えて表示するなど、具体的には様々な表示方法を用いて良い。

本実施形態の不良解析部１３においては、検査情報取得部１１が不良観察画像Ｐ２に加えてパターン画像Ｐ１を取得していることに対応して、位置調整部１３３が設けられている。位置調整部１３３は、パターン画像Ｐ１及びレイアウト画像Ｐ３を参照して、パターン画像Ｐ１及び不良観察画像Ｐ２を含む検査情報供給装置２０からの観察画像と、レイアウト情報供給装置３０からのレイアウト画像Ｐ３との間で位置合わせを行う（位置調整ステップ）。この位置合わせは、例えば、パターン画像Ｐ１において適当な３点を指定し、さらにレイアウト画像Ｐ３において対応する３点を指定して、それらの座標から位置合わせを行う方法を用いることができる。

また、不良解析部１３には、付加解析情報取得部１３４が設けられている。付加解析情報取得部１３４は、領域設定部１３１及びネット情報解析部１３２による上記した解析方法とは別の解析方法によって得られた半導体デバイスの不良についての付加的な解析情報を外部装置などから取得する（付加解析情報取得ステップ）。この取得された付加解析情報は、ネット情報解析部１３２で得られた解析結果と合わせて参照される。

上記実施形態による半導体不良解析装置、及び半導体不良解析方法の効果について説明する。

図１に示した半導体不良解析装置１０、及び不良解析方法においては、解析対象の半導体デバイスを検査して得られた不良観察画像Ｐ２と、半導体デバイスのレイアウトに関して必要な情報とを取得する。そして、領域設定部１３１において、不良観察画像Ｐ２での不良に起因する反応情報（例えば反応箇所の情報、具体的には発光画像での発光箇所の情報等）に対応して解析領域を設定し、ネット情報解析部１３２において、半導体デバイスを構成する各ネットのうちで解析領域を通過するネットを抽出することによって、半導体デバイスの不良の解析を行っている。このような構成によれば、解析領域を好適に設定することで、解析領域を通過するネットによって、半導体デバイスでの膨大な数のネットの中から、不良となっている可能性が高いネット（被疑不良ネット）を推定することができる。したがって、不良観察画像Ｐ２を用いた半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能となる。

また、上記した半導体不良解析装置１０と、検査情報供給装置２０と、レイアウト情報供給装置３０と、表示装置４０とによって構成される不良解析システム１によれば、不良観察画像Ｐ２を用いた半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能な半導体不良解析システムが実現される。

ここで、不良観察画像Ｐ２での不良に起因する反応情報は、その反応箇所自体が不良箇所である場合のみでなく、他の不良箇所（例えば不良ネット）に起因して反応が発生している箇所が含まれる。上記構成によれば、このような不良ネット等についても、反応情報を用いて好適に絞込、推定を行うことが可能である。

また、不良観察画像Ｐ２での反応情報に対応して設定される解析領域について、領域設定部１３１において、複数の解析領域が設定される場合には、ネット情報解析部１３２において、半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数のネットについて複数の解析領域のそれぞれを通過するネットを抽出するとともに、そのネットの解析領域の通過回数を取得することが好ましい。このような構成によれば、解析領域の通過回数が多いネットによって、半導体デバイスでの不良となっている可能性が高いネットを推定することができる。したがって、不良観察画像Ｐ２を用いた半導体デバイスの不良の解析を、さらに確実かつ効率良く行うことが可能となる。

不良解析に用いられる不良観察画像Ｐ２としては、図３（ａ）においては発光画像を例示したが、例えば、ＯＢＩＲＣＨ画像などの他の観察画像を用いた場合でも、同様の不良解析方法を適用可能である。また、図３（ａ）に示した不良観察画像としては、単一条件での１回の観察で得られた画像を用いることができるが、それに限らず、例えば図４に示すように、第１の条件で取得された図４（ａ）の不良観察画像と、第１の条件とは異なる第２の条件で取得された図４（ｂ）の不良観察画像とを重ね合わせた図４（ｃ）に示す不良観察画像を用いても良い。

また、上記した第２の条件での不良観察画像の取得において、図４（ｄ）及び（ｅ）に示すように、第１の条件から観察位置の変更（例えば不良観察画像の位置や範囲の変更）がある場合も考えられる。このような場合には、図４（ｆ）に示すように、観察位置の変更情報を考慮して画像の重ね合わせを行うことが好ましい。あるいは、第１の条件下において得られたネット名及び通過回数を記憶手段に保管しておき、第２の条件下において得られたネット名及び通過回数を加算する方法を用いても良い。これらを多数回行うことにより、ネットの通過頻度の分布を顕著にすることができる。

また、上記実施形態においては、不良解析装置１０において、検査情報取得部１１が、不良観察画像Ｐ２に加えてパターン画像Ｐ１を取得し、レイアウト情報取得部１２が、レイアウト情報としてレイアウト画像Ｐ３を取得するとともに、不良解析部１３の位置調整部１３３が、パターン画像Ｐ１及びレイアウト画像Ｐ３を参照して画像の位置合わせを行う構成としている。このように、不良観察画像Ｐ２に対して位置が合った状態で取得されるパターン画像Ｐ１を用いてレイアウト画像Ｐ３との位置合わせを行うことにより、半導体デバイスの不良の解析の精度を向上することができる。

ここで、不良解析部１３の領域設定部１３１は、解析領域に対して属性を設定することが可能に構成されていることが好ましい。また、この場合、ネット情報解析部１３２は、解析領域に対して設定された属性を参照して、その解析領域についてネットの抽出に用いるかどうか（不良解析に用いるかどうか）を選択することとしても良い。また、複数の解析領域が設定されている場合には、領域設定部１３１は、複数の解析領域のそれぞれに対して属性を設定することが可能に構成されていることが好ましい。また、この場合、ネット情報解析部１３２は、複数の解析領域のそれぞれに対して設定された属性を参照して、それぞれの解析領域についてネットの抽出及び通過回数の取得に用いるかどうかを選択することとしても良い。このような具体的な不良解析方法については、さらに後述する。

また、上記実施形態においては、不良解析装置１０において、不良解析部１３の付加解析情報取得部１３４が、別の解析方法によって得られた半導体デバイスの不良についての付加的な解析情報、例えば被疑不良ネットの情報を取得する構成としている。このような付加解析情報を参照することにより、半導体デバイスの不良の解析の精度をさらに向上することができる。

また、表示装置４０への解析結果の表示については、上記したように、ネット情報解析によって抽出されたネット、あるいはさらにネットの解析領域の通過回数を一覧表示したネットリストを表示装置４０に表示させることが好ましい。これにより、操作者は、半導体デバイスでの不良となっている可能性が高いネットの推定等の不良解析作業を、視認性良く行うことができる。したがって、不良観察画像Ｐ２を用いた半導体デバイスの不良の解析を、さらに確実かつ効率良く行うことが可能となる。また、このような一覧表示に加えて、ネットリストをグラフ化（例えば解析領域の通過回数のカウント数をグラフ化）して表示して、その視認性をさらに向上しても良い。

図１に示した半導体不良解析装置１０において実行される不良解析方法に対応する処理は、半導体不良解析をコンピュータに実行させるための半導体不良解析プログラムによって実現可能である。例えば、不良解析装置１０は、半導体不良解析の処理に必要な各ソフトウェアプログラムを動作させるＣＰＵと、上記ソフトウェアプログラムなどが記憶されるＲＯＭと、プログラム実行中に一時的にデータが記憶されるＲＡＭとによって構成することができる。このような構成において、ＣＰＵによって所定の不良解析プログラムを実行することにより、上記した不良解析装置１０を実現することができる。

また、半導体不良解析のための各処理をＣＰＵによって実行させるための上記プログラムは、コンピュータ読取可能な記録媒体に記録して頒布することが可能である。このような記録媒体には、例えば、ハードディスク及びフレキシブルディスクなどの磁気媒体、ＣＤ−ＲＯＭ及びＤＶＤ−ＲＯＭなどの光学媒体、フロプティカルディスクなどの磁気光学媒体、あるいはプログラム命令を実行または格納するように特別に配置された、例えばＲＡＭ、ＲＯＭ、及び半導体不揮発性メモリなどのハードウェアデバイスなどが含まれる。

図５は、図１に示した検査情報供給装置２０として適用が可能な半導体検査装置の一例を示す構成図である。また、図６は、図５に示した半導体検査装置を側面から示す構成図である。

本構成例による半導体検査装置２０Ａは、観察部２１と、制御部２２とを備えている。検査対象（不良解析装置１０による解析対象）となる半導体デバイスＳは、観察部２１に設けられたステージ２１８上に載置されている。さらに、本構成例においては、半導体デバイスＳに対して不良解析に必要な電気信号等を印加するためのテストフィクスチャ２１９が設置されている。半導体デバイスＳは、例えば、その裏面が対物レンズ２２０に対面するように配置される。

観察部２１は、暗箱内に設置された高感度カメラ２１０と、レーザスキャン光学系（ＬＳＭ：Laser Scanning Microscope）ユニット２１２と、光学系２２２、２２４と、ＸＹＺステージ２１５とを有している。これらのうち、カメラ２１０及びＬＳＭユニット２１２は、半導体デバイスＳの観察画像（パターン画像Ｐ１、不良観察画像Ｐ２）を取得するための画像取得手段である。

また、光学系２２２、２２４、及び光学系２２２、２２４の半導体デバイスＳ側に設けられた対物レンズ２２０は、半導体デバイスＳからの画像（光像）を画像取得手段へと導くための導光光学系を構成している。本構成例においては、図５及び図６に示すように、それぞれ異なる倍率を有する複数の対物レンズ２２０が切り換え可能に設置されている。また、テストフィクスチャ２１９は、半導体デバイスＳの不良解析のための検査を行う検査手段である。また、ＬＳＭユニット２１２は、上記した画像取得手段としての機能と合わせて、検査手段としての機能も有している。

光学系２２２は、対物レンズ２２０を介して入射された半導体デバイスＳからの光をカメラ２１０へと導くカメラ用光学系である。カメラ用光学系２２２は、対物レンズ２２０によって所定の倍率で拡大された画像をカメラ２１０内部の受光面に結像させるための結像レンズ２２２ａを有している。また、対物レンズ２２０と結像レンズ２２２ａとの間には、光学系２２４のビームスプリッタ２２４ａが介在している。高感度カメラ２１０としては、例えば冷却ＣＣＤカメラ等が用いられる。

このような構成において、不良の解析対象となっている半導体デバイスＳからの光は、対物レンズ２２０及びカメラ用光学系２２２を含む光学系を介してカメラ２１０へと導かれる。そして、カメラ２１０によって、半導体デバイスＳのパターン画像Ｐ１などの観察画像が取得される。また、半導体デバイスＳの不良観察画像Ｐ２である発光画像を取得することも可能である。この場合には、テストフィクスチャ２１９によって電圧を印加した状態で半導体デバイスＳから発生した光が光学系を介してカメラ２１０へと導かれ、カメラ２１０によって発光画像が取得される。

ＬＳＭユニット２１２は、赤外レーザ光を照射するためのレーザ光導入用光ファイバ２１２ａと、光ファイバ２１２ａから照射されたレーザ光を平行光とするコリメータレンズ２１２ｂと、レンズ２１２ｂによって平行光とされたレーザ光を反射するビームスプリッタ２１２ｅと、ビームスプリッタ２１２ｅで反射されたレーザ光をＸＹ方向に走査して半導体デバイスＳ側へと出射するＸＹスキャナ２１２ｆとを有している。

また、ＬＳＭユニット２１２は、半導体デバイスＳ側からＸＹスキャナ２１２ｆを介して入射され、ビームスプリッタ２１２ｅを透過した光を集光するコンデンサレンズ２１２ｄと、コンデンサレンズ２１２ｄによって集光された光を検出するための検出用光ファイバ２１２ｃとを有している。

光学系２２４は、半導体デバイスＳ及び対物レンズ２２０と、ＬＳＭユニット２１２のＸＹスキャナ２１２ｆとの間で光を導くＬＳＭユニット用光学系である。ＬＳＭユニット用光学系２２４は、半導体デバイスＳから対物レンズ２２０を介して入射された光の一部を反射するビームスプリッタ２２４ａと、ビームスプリッタ２２４ａで反射された光の光路をＬＳＭユニット２１２に向かう光路へと変換するミラー２２４ｂと、ミラー２２４ｂで反射された光を集光するレンズ２２４ｃとを有している。

このような構成において、レーザ光源からレーザ光導入用光ファイバ２１２ａを介して出射された赤外レーザ光は、レンズ２１２ｂ、ビームスプリッタ２１２ｅ、ＸＹスキャナ２１２ｆ、光学系２２４、及び対物レンズ２２０を通過して半導体デバイスＳへと照射される。

この入射光に対する半導体デバイスＳからの反射散乱光は、半導体デバイスＳに設けられている回路パターンを反映している。半導体デバイスＳからの反射光は、入射光とは逆の光路を通過してビームスプリッタ２１２ｅへと到達し、ビームスプリッタ２１２ｅを透過する。そして、ビームスプリッタ２１２ｅを透過した光は、レンズ２１２ｄを介して検出用光ファイバ２１２ｃへと入射し、検出用光ファイバ２１２ｃに接続された光検出器によって検出される。

検出用光ファイバ２１２ｃを介して光検出器によって検出される光の強度は、上記したように、半導体デバイスＳに設けられている回路パターンを反映した強度となっている。したがって、ＸＹスキャナ２１２ｆによって赤外レーザ光が半導体デバイスＳ上をＸ−Ｙ走査することにより、半導体デバイスＳのパターン画像Ｐ１などを鮮明に取得することができる。

制御部２２は、カメラ制御部２５１ａと、ＬＳＭ制御部２５１ｂと、ＯＢＩＲＣＨ制御部２５１ｃと、ステージ制御部２５２とを有している。これらのうち、カメラ制御部２５１ａ、ＬＳＭ制御部２５１ｂ、及びＯＢＩＲＣＨ制御部２５１ｃは、観察部２１における画像取得手段及び検査手段等の動作を制御することによって、観察部２１で実行される半導体デバイスＳの観察画像の取得や観察条件の設定などを制御する観察制御手段を構成している。

具体的には、カメラ制御部２５１ａ及びＬＳＭ制御部２５１ｂは、それぞれ高感度カメラ２１０及びＬＳＭユニット２１２の動作を制御することによって、半導体デバイスＳの観察画像の取得を制御する。また、ＯＢＩＲＣＨ制御部２５１ｃは、不良観察画像として用いることが可能なＯＢＩＲＣＨ（Optical Beam Induced Resistance Change）画像を取得するためのものであり、レーザ光を走査した際に発生する半導体デバイスＳでの電流変化等を抽出する。

ステージ制御部２５２は、観察部２１におけるＸＹＺステージ２１５の動作を制御することによって、本検査装置２０Ａにおける検査箇所となる半導体デバイスＳの観察箇所の設定、あるいはその位置合わせ、焦点合わせ等を制御する。

また、これらの観察部２１及び制御部２２に対して、検査情報処理部２３が設けられている。検査情報処理部２３は、観察部２１において取得された半導体デバイスＳの観察画像のデータ収集、パターン画像Ｐ１及び不良観察画像Ｐ２を含む検査情報の不良解析装置１０への供給（図１参照）などの処理を行う。また、必要があれば、この検査情報処理部２３に対して、表示装置２４を接続する構成としても良い。なお、図６においては、検査情報処理部２３及び表示装置２４について図示を省略している。

図１に示した半導体不良解析装置１０による不良解析方法の具体例について、解析画面表示制御部１４によって表示装置４０に表示される解析画面（解析ウィンドウ）の例とともに説明する。

図７は、表示装置４０に表示される解析ウィンドウ（不良解析ナビゲーションウィンドウ）の一例を示す構成図である。この解析ウィンドウ４００は、画面の左側に位置して、半導体デバイスのパターン画像Ｐ１、不良観察画像Ｐ２、レイアウト画像Ｐ３などの不良解析に用いられる各画像の表示に用いられる画像表示領域４０１と、画面の中央に位置して、画像表示領域４０１での画像の表示条件の調整を指示するための表示調整領域４０２とを有している。

画像表示領域４０１には、例えば図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、パターン画像Ｐ１、レイアウト画像Ｐ３、及び不良観察画像Ｐ２である発光画像Ｐ４を重畳させた重畳画像Ｐ６が表示される。また、発光画像Ｐ４と併せて、他の不良観察画像Ｐ２であるＯＢＩＲＣＨ画像Ｐ５をさらに重畳させて表示しても良い。一般には、この画像表示領域４０１には、例えばパターン画像Ｐ１、不良観察画像Ｐ２、及びレイアウト画像Ｐ３のいずれか１つの画像を表示するなど、必要に応じて様々な画像を表示して良い。

解析ウィンドウ４００の画面の右側には、不良解析部１３で行われる解析処理についての必要な指示及び情報の入力に用いられる解析操作領域４０３と、検査情報供給装置２０からの情報の取得を制御する検査情報取得操作領域４０４と、レイアウト情報供給装置３０からの情報の取得を制御するレイアウト情報取得操作領域４０５と、供給装置２０、３０との間での通信状態を制御する通信操作領域４０６とが設けられている。不良解析装置１０において実行される解析処理は、これらの領域４０３〜４０６を用いて操作者によって制御される。

解析操作領域４０３に表示される操作画面は、図９〜図１１にそれぞれ示す位置調整操作画面４１０、領域設定操作画面４２０、及び解析操作画面４３０の３つの画面で切り換えることが可能となっている。これらの操作画面のうち、図９の位置調整操作画面４１０は、不良解析部１３の位置調整部１３３（図２参照）で実行される処理の制御に用いられる。また、図１０の領域設定操作画面４２０は、領域設定部１３１で実行される処理の制御に用いられる。また、図１１の解析操作画面４３０は、ネット情報解析部１３２で実行される処理の制御、及び得られた解析結果の表示に用いられる。

まず、図９に示す位置調整操作画面４１０について説明する。この構成例では、位置調整部１３３による観察画像Ｐ１、Ｐ２とレイアウト画像Ｐ３との間での位置合わせの具体的な方法として、パターン画像Ｐ１において適当な３点を指定し、さらにレイアウト画像Ｐ３において対応する３点を指定して、それらの座標から位置合わせを行う方法を用いている。なお、このような方法では、必要に応じて４点以上の点を指定して位置合わせを行うこととしても良い。

これに対応して、操作画面４１０には、パターン画像Ｐ１、及びレイアウト画像Ｐ３のそれぞれについて位置合わせに用いる３点を設定するための位置合わせデータ設定領域４１１が設けられている。この３点の設定には、例えば、解析ウィンドウ４００の画像表示領域４０１に表示された画像上においてマウス操作で点を設定する方法、あるいは設定したい点の座標を数値データとして入力する方法等を用いることができる。また、３点を用いた画像の位置合わせは、例えば、設定された３点の位置からパターン画像Ｐ１とレイアウト画像Ｐ３との傾きを計算し、パターン画像Ｐ１及び不良観察画像Ｐ２を傾けるθ補正によって行われる。

また、図９の操作画面４１０には、さらに画像調整領域４１２が設けられている。この画像調整領域４１２では、パターン画像Ｐ１の回転（θ補正）、レイアウト画像Ｐ３の移動（位置の微調整）、レイアウト画像のズーム（拡大／縮小）などの操作を行うことで、位置合わせの微調整を手動で行うことが可能となっている。また、領域４１１、４１２の下方には、必要な操作ボタンが表示されたボタン表示領域４１３が設けられている。

次に、図１０に示す領域設定操作画面４２０について説明する。この操作画面４２０には、領域設定部１３１による複数の解析領域の設定に必要な指示を出す解析領域設定領域４２１と、設定された解析領域の情報を表示する解析領域表示領域４２２とが設けられている。図１０では、表示領域４２２において、解析領域１〜４の４つの解析領域に対応する座標データが表示されている。

また、この構成例では、解析領域１〜４のそれぞれに対して、属性１、属性２の２種類の属性が設定可能となっている。図１０では、解析領域１に対して属性「Ｓ１」が属性１として設定され、解析領域２に対して属性「Ｓ２」が属性２として設定され、解析領域３に対して属性「Ｓ３」が属性１として設定され、解析領域４に対して属性「Ｓ４」が属性２として設定されている。また、領域４２１、４２２の下方には、必要な操作ボタンが表示されたボタン表示領域４２３が設けられている。

ここで、上記した属性は、解析領域の位置情報（例えば矩形の解析領域での左上及び右下の座標）とリンクして格納される。また、これらの情報は、ファイルなどへの保存及び読込が可能となっている。例えば、違うデバイスで同じ位置を解析する場合、保存したファイルの情報を読み込むことで、再度領域を描いたり、その属性を再度設定する手間が省ける場合があり、また、その反応箇所がどのような属性（例えば良品発光など）を有しているかを知る上で有用である。

次に、図１１に示す解析操作画面４３０について説明する。この操作画面４３０には、ネット情報解析部１３２による不良解析の実行に必要な指示を出す不良解析指示領域４３１と、得られた解析結果を表示する解析結果表示領域４３２とが設けられている。図１１では、表示領域４３２において、解析結果として得られたネットの名称、及びネットの解析領域の通過回数を示すカウント数の一覧（ネットリスト）が表示されている。また、領域４３１、４３２の下方には、必要な操作ボタンが表示されたボタン表示領域４３３が設けられている。

また、不良解析指示領域４３１には、解析領域に対して設定された属性について、その解析領域を不良解析に用いるかどうかを選択するための第１指示領域４３１ａと、具体的な解析の条件（解析１〜解析３）の指定及び解析実行の指示を行うための第２指示領域４３１ｂとが設けられている。この場合の解析領域の選択方法としては、例えば、ネット情報解析部１３２による不良解析において、第１指示領域４３１ａでチェックがされた属性（図１１の例での属性Ｓ１、Ｓ２、Ｓ４）を有する解析領域、及び属性が設定されていない解析領域を不良解析に用いることとし、第１指示領域４３１ａでチェックがされていない属性（図１１の例での属性Ｓ３）を有する解析領域を不良解析に用いないこととする選択方法を用いることができる。

このような構成は、例えば、不良の有無にかかわらず常に発光する箇所（例えば良品発光の箇所）について、それを示す属性を対応する解析領域に設定しておき、その解析領域を不良解析の対象から外すような場合など、様々な場合に有用である。これにより、半導体デバイスの不良の解析の効率を向上することができる。

さらに、解析条件を指示するための第２指示領域４３１ｂについては、例えば、不良観察画像が発光画像であった場合には、解析領域内に配線端を有するネットのみを抽出し、また、ＯＢＩＲＣＨ画像であった場合には、解析領域内に配線端を有するネットに加えて解析領域内を通過するネットをも抽出するなど、ネット抽出の具体的な条件の設定を行うことが可能な構成とすることが好ましい。また、このような条件設定については、不良観察画像の種類等に応じて自動的に選択される構成としても良い。

詳述すると、半導体デバイスを構成するネットは、トランジスタなどの回路を結ぶように配線されており、トランジスタに接合されるネットの端点が存在する。発光は、主にトランジスタのスイッチングによる微弱発光であり、異常な発光は、主としてトランジスタのリーク電流により発生する。また、スイッチングに伴う発光は良品でも発生するが、これは解析領域に属性を付加することで区別が可能である。このような発光画像では、多くの場合、発光画像の反応領域内に端点が存在するネットは、発光原因の回路に関係するもので、反応領域を通過するネットは、発光原因の回路とは無関係のものである。したがって、発光画像を用いた不良解析では、上記のように解析領域内に配線端を有するネットのみを抽出することが好ましい。

一方、ＯＢＩＲＣＨ画像は、主にネット中の不良の検出が中心であり、また、トランジスタ部分等の不良の検出も可能である。したがって、ＯＢＩＲＣＨ画像を用いた不良解析では、上記のように解析領域内に配線端を有するネットに加えて解析領域内を通過するネットをも抽出することが好ましい。

また、本構成例では、ボタン表示領域４３３にある「詳細」ボタンにより、図１２に示すネットリスト表示ウィンドウ４４０を表示することが可能となっている。この表示ウィンドウ４４０は、画面の左側に位置するネットリスト表示領域４４１と、画面の右側に位置してネットリストをグラフ化（ヒストグラム化）して表示するグラフ表示領域４４２とを有している。このような表示ウィンドウ４４０を用いることにより、得られた不良解析結果の操作者による把握が容易となる。

また、図１２の表示ウィンドウ４４０では、下方のボタン表示領域４４３の「ハイライト」ボタンにより、選択されたネットをレイアウト画像上でハイライト表示することが可能となっている。また、図２に関して上記したように付加解析情報取得部１３４によって付加的な解析情報が取得された場合には、その解析情報で不良と判断されたネットについて、ネットリスト表示領域４４１またはグラフ表示領域４４２中で着色して示すなどの構成としても良い。また、レイアウト画像上のネットを、キーボードやマウスなどの入力手段で選択した場合には、そのネットが通過している解析領域の色を変えて表示し、操作者に知らせる構成としても良い。

本発明による半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラムは、上記した実施形態及び構成例に限られるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、上記した解析画面及び操作画面は、半導体不良解析装置に適用可能な画面の一例を示すものであるが、このような画面に限らず、具体的な不良解析方法などに応じて様々な解析画面を用いて良い。また、解析領域の設定方法等についても、上記した具体例に限らず、様々な方法を用いて良い。

本発明は、不良観察画像を用いた半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能な半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラムとして利用可能である。

半導体不良解析装置を含む不良解析システムの一実施形態の構成を示すブロック図である。 不良解析部の具体的な構成を示すブロック図である。 半導体不良解析方法について模式的に示す図である。 不良観察画像の取得について模式的に示す図である。 半導体検査装置の一例を示す構成図である。 図５に示した半導体検査装置を側面から示す構成図である。 表示装置に表示される解析ウィンドウの一例を示す構成図である。 画像表示領域に表示される画像について模式的に示す図である。 解析操作領域に表示される操作画面の一例を示す構成図である。 解析操作領域に表示される操作画面の他の例を示す構成図である。 解析操作領域に表示される操作画面の他の例を示す構成図である。 表示装置に表示される表示ウィンドウの一例を示す構成図である。

符号の説明

１…半導体不良解析システム、１０…半導体不良解析装置、１１…検査情報取得部、１２…レイアウト情報取得部、１３…不良解析部、１３１…領域設定部、１３２…ネット情報解析部、１３３…位置調整部、１３４…付加解析情報取得部、１４…解析画面表示制御部、１５…レイアウト画像表示制御部、２０…検査情報供給装置、２０Ａ…半導体検査装置、２１…観察部、２２…制御部、２３…検査情報処理部、２４…表示装置、３０…レイアウト情報供給装置、４０…表示装置、４５…入力装置、
Ｐ１…パターン画像、Ｐ２…不良観察画像、Ｐ３…レイアウト画像、Ｐ４…発光画像、Ｐ５…ＯＢＩＲＣＨ画像、Ｐ６…重畳画像、Ａ１〜Ａ６…発光領域、Ｂ１〜Ｂ６…解析領域、Ｃ１〜Ｃ４…ネット。

Claims (16)

1. 半導体デバイスの観察画像を用い、その不良を解析する半導体不良解析装置であって、
   半導体デバイスの観察画像として、不良についての検査を行って得られた、不良に起因する反応情報を含む不良観察画像を取得する検査情報取得手段と、
   前記半導体デバイスのレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得手段と、
   前記不良観察画像及び前記レイアウト情報を参照して前記半導体デバイスの不良についての解析を行う不良解析手段と、
   前記半導体デバイスの不良の解析についての情報を表示手段に表示させる情報表示制御手段とを備え、
   前記不良解析手段は、前記不良観察画像を参照し、前記反応情報に対応して解析領域を設定するための領域設定手段と、前記半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数のネットについて前記解析領域を通過するネットを抽出するネット情報解析手段とを有し、
   前記情報表示制御手段は、前記領域設定手段及び前記ネット情報解析手段による前記半導体デバイスの不良の解析結果についての情報を前記表示手段に表示させ、
   前記領域設定手段は、前記不良観察画像を参照し、前記反応情報に対応して複数の前記解析領域を設定するとともに、
   前記ネット情報解析手段は、前記複数のネットについて複数の前記解析領域のそれぞれを通過するネットを抽出し、そのネットの前記解析領域の通過回数を取得することを特徴とする半導体不良解析装置。
2. 前記検査情報取得手段は、前記不良観察画像に加えて、通常の前記観察画像であるパターン画像を取得し、前記レイアウト情報取得手段は、前記レイアウト情報としてレイアウト画像を取得するとともに、
   前記不良解析手段は、前記パターン画像と前記レイアウト画像とを参照して、前記パターン画像及び前記不良観察画像を含む前記観察画像と、前記レイアウト画像との間の位置合わせを行う位置調整手段を有することを特徴とする請求項１記載の不良解析装置。
3. 前記領域設定手段は、前記解析領域に対して属性を設定することが可能に構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の不良解析装置。
4. 前記ネット情報解析手段は、前記解析領域に対して設定された前記属性を参照して、その解析領域について前記ネットの抽出に用いるかどうかを選択することを特徴とする請求項３記載の不良解析装置。
5. 前記不良解析手段は、別の解析方法によって得られた前記半導体デバイスの不良についての付加的な解析情報を取得する付加解析情報取得手段を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の不良解析装置。
6. 半導体デバイスの観察画像を用い、その不良を解析する半導体不良解析方法であって、
   半導体デバイスの観察画像として、不良についての検査を行って得られた、不良に起因する反応情報を含む不良観察画像を取得する検査情報取得ステップと、
   前記半導体デバイスのレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得ステップと、
   前記不良観察画像を参照し、前記反応情報に対応して解析領域を設定する領域設定ステップと、
   前記半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数のネットについて前記解析領域を通過するネットを抽出するネット情報解析ステップと、
   前記領域設定ステップ及び前記ネット情報解析ステップによる前記半導体デバイスの不良の解析結果についての情報を表示手段に表示させる情報表示ステップと
   を備え、
   前記領域設定ステップにおいて、前記不良観察画像を参照し、前記反応情報に対応して複数の前記解析領域を設定するとともに、
   前記ネット情報解析ステップにおいて、前記複数のネットについて複数の前記解析領域のそれぞれを通過するネットを抽出し、そのネットの前記解析領域の通過回数を取得することを特徴とする半導体不良解析方法。
7. 前記検査情報取得ステップにおいて、前記不良観察画像に加えて、通常の前記観察画像であるパターン画像を取得し、前記レイアウト情報取得ステップにおいて、前記レイアウト情報としてレイアウト画像を取得するとともに、
   前記パターン画像と前記レイアウト画像とを参照して、前記パターン画像及び前記不良観察画像を含む前記観察画像と、前記レイアウト画像との間の位置合わせを行う位置調整ステップを備えることを特徴とする請求項６記載の不良解析方法。
8. 前記領域設定ステップにおいて、前記解析領域に対して属性を設定することが可能となっていることを特徴とする請求項６または７記載の不良解析方法。
9. 前記ネット情報解析ステップにおいて、前記解析領域に対して設定された前記属性を参照して、その解析領域について前記ネットの抽出に用いるかどうかを選択することを特徴とする請求項８記載の不良解析方法。
10. 別の解析方法によって得られた前記半導体デバイスの不良についての付加的な解析情報を取得する付加解析情報取得ステップを備えることを特徴とする請求項６〜９のいずれか一項記載の不良解析方法。
11. 半導体デバイスの観察画像を用い、その不良を解析する半導体不良解析をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
    半導体デバイスの観察画像として、不良についての検査を行って得られた、不良に起因する反応情報を含む不良観察画像を取得する検査情報取得処理と、
    前記半導体デバイスのレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得処理と、
    前記不良観察画像を参照し、前記反応情報に対応して解析領域を設定する領域設定処理と、
    前記半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数のネットについて前記解析領域を通過するネットを抽出するネット情報解析処理と、
    前記領域設定処理及び前記ネット情報解析処理による前記半導体デバイスの不良の解析結果についての情報を表示手段に表示させる情報表示処理と
    をコンピュータに実行させ、
    前記領域設定処理は、前記不良観察画像を参照し、前記反応情報に対応して複数の前記解析領域を設定するとともに、
    前記ネット情報解析処理は、前記複数のネットについて複数の前記解析領域のそれぞれを通過するネットを抽出し、そのネットの前記解析領域の通過回数を取得する半導体不良解析プログラム。
12. 前記検査情報取得処理は、前記不良観察画像に加えて、通常の前記観察画像であるパターン画像を取得し、前記レイアウト情報取得処理は、前記レイアウト情報としてレイアウト画像を取得するとともに、
    前記パターン画像と前記レイアウト画像とを参照して、前記パターン画像及び前記不良観察画像を含む前記観察画像と、前記レイアウト画像との間の位置合わせを行う位置調整処理をコンピュータに実行させる請求項１１記載の不良解析プログラム。
13. 前記領域設定処理は、前記解析領域に対して属性を設定することが可能となっていることを特徴とする請求項１１または１２記載の不良解析プログラム。
14. 前記ネット情報解析処理は、前記解析領域に対して設定された前記属性を参照して、その解析領域について前記ネットの抽出に用いるかどうかを選択することを特徴とする請求項１３記載の不良解析プログラム。
15. 別の解析方法によって得られた前記半導体デバイスの不良についての付加的な解析情報を取得する付加解析情報取得処理をコンピュータに実行させる請求項１１〜１４のいずれか一項記載の不良解析プログラム。
16. 前記情報表示処理は、前記解析結果として、前記ネット情報解析処理によって抽出されたネットを一覧表示したネットリストを前記表示手段に表示させることを特徴とする請求項１１〜１５のいずれか一項記載の不良解析プログラム。

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