JP2007263884A - 欠陥識別装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】先ず電子顕微鏡ユニット2によるレビュー結果に基づき、第1の判定部3により認定欠陥部位に欠陥が有ると認められる場合のみ、その旨の欠陥情報が欠陥情報分類部6に出力される。続いて、電子顕微鏡ユニット2で欠陥が無いと判定された認定欠陥部位のみについて、光学顕微鏡ユニット4によりレビューし、その結果に基づき、第2の判定部5により認定欠陥部位における欠陥の有無の情報が欠陥情報分類部6に出力される。
【選択図】図1
Description
先ず、被検査体の表面を欠陥検査装置により観察し、欠陥情報を得る(ステップS11)。この欠陥検査装置は、被検査体を照明光、例えばレーザ光又はランプ(UVランプ、ハロゲンランプ等)で照射する光源を備え、照明光の被検査体からの正反射光を撮像する明視野光学系と、被検査体を照明光、例えばレーザ光で照射する光源を備え、照明光の被検査体からの乱反射光(散乱光)を撮像する暗視野光学系とを備えており、明視野光学系及び暗視野光学系の双方により被検査体の表面の欠陥を検査する。ここで、特許文献1のように、欠陥の種別を自動的に判定するようにしても良い。
本発明では、光学顕微鏡及び電子顕微鏡を用いて被検査体の欠陥を識別して分類するに際して、被検査体において欠陥であると認定された情報、即ち欠陥検査装置(明視野光学系及び暗視野光学系を含む)を用いて欠陥が生じていると認定された欠陥(認定欠陥)の情報に基づき、先ず電子顕微鏡により各認定欠陥部位を観察(レビュー)する。電子顕微鏡では、被検査体の表面の性状のみの情報を高分解能で得ることができるため、電子顕微鏡によるレビュー結果に基づき、第1の判定手段により、当該認定欠陥部位に欠陥が有ると判定された場合には、光学顕微鏡によるレビュー結果を待たずに、被検査体の表面には、当該認定欠陥部位に実際に欠陥が存すると認識する。
以下、本発明を適用した好適な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
この欠陥識別装置は、被検査体、例えば半導体素子が集積形成された半導体基板(図3及び図4において半導体基板10とする。)における欠陥を検査する欠陥検査装置1と、欠陥検査装置1により欠陥であると認定された情報(認定欠陥の情報)に基づき、各認定欠陥部位をレビューする電子顕微鏡ユニット2と、電子顕微鏡ユニット2によるレビュー結果に基づき、各欠陥の有無を判定する第1の判定部3と、第1の判定部3により無しと判定された各認定欠陥部位のみをレビューする光学顕微鏡ユニット4と、光学顕微鏡ユニット4によるレビュー結果に基づき、各欠陥の有無を判定する第2の判定部5と、第1及び第2の判定部3,5による判定に基づき、半導体基板の欠陥を分類する欠陥情報分類部6と、欠陥情報分類部6により分類された欠陥情報を格納する欠陥情報記憶部7とを備えて構成されている。なお、欠陥検査装置1、電子顕微鏡ユニット2、第1の判定部3、光学顕微鏡ユニット4、第2の判定部5、及び欠陥情報分類部6の各動作は、不図示の制御部により統括制御される。
上記の欠陥識別装置を用いて被検査体、ここでは半導体基板10の欠陥を識別するには、先ず欠陥検査装置1を用いて半導体基板10における欠陥を検査する(ステップS1)。ここでは、明視野光学系11及び暗視野光学系12の双方により半導体基板10の欠陥を順次検査し、欠陥を認定する。
前記電子顕微鏡ユニットによる観察結果に基づき、前記各欠陥の有無を判定する第1の判定手段と、
前記第1の判定手段により無しと判定された前記各欠陥のみを観察する光学顕微鏡ユニットと、
前記光学顕微鏡ユニットによる観察結果に基づき、前記各欠陥の有無を判定する第2の判定手段と、
前記第1の判定手段により有りと判定された前記欠陥の情報を前記被検査体の表面に存する第1の欠陥情報として、前記第2の判定手段により有りと判定された前記欠陥の情報を前記被検査体の下層に存する第2の欠陥情報として、前記第2の判定手段により無しと判定された前記欠陥の情報を前記被検査体に実際には存しない擬似欠陥情報として、それぞれ分類する欠陥情報分類手段と
を含むことを特徴とする欠陥識別装置。
電子顕微鏡本体と、
前記電子顕微鏡本体による前記被検査体の画像を得る第1の画像取得手段と、
前記第1の画像取得手段により得られた前記画像のデータを記憶する第1の画像記憶手段と
を含むことを特徴とする付記1〜3のいずれか1項に記載の欠陥識別装置。
光学顕微鏡本体と、
前記光学顕微鏡本体による前記被検査体の画像を得る第2の画像取得手段と、
前記第2の画像取得手段により得られた前記画像のデータを記憶する第2の画像記憶手段と
を含むことを特徴とする付記1〜4のいずれか1項に記載の欠陥識別装置。
前記電子顕微鏡ユニットによる観察により、前記各欠陥の有無を判定する第2の工程と、
前記第2の工程において無しと判定された前記各欠陥のみを光学顕微鏡ユニットにより観察する第3の工程と、
前記光学顕微鏡ユニットによる観察により、前記各欠陥の有無を判定する第4の工程と、
前記第2の工程において有りと判定された前記欠陥の情報を前記被検査体の表面に存する第1の欠陥情報として、前記第4の工程において有りと判定された前記欠陥の情報を前記被検査体の下層に存する第2の欠陥情報として、前記第4の工程において無しと判定された前記欠陥の情報を前記被検査体に実際には存しない擬似欠陥情報として、それぞれ分類する工程と
を含むことを特徴とする欠陥識別方法。
2 電子顕微鏡ユニット
3 第1の判定部
4 光学顕微鏡ユニット
5 第2の判定部
6 欠陥情報分類部
6a〜6c メモリ
7 欠陥情報記憶部
10 半導体基板
11 明視野光学系
12 暗視野光学系
21 電子顕微鏡本体
22 二次電子検出部
23,43 画像メモリ
41 光学顕微鏡本体
42 カメラ
Claims (5)
- 被検査体において欠陥であると認定された情報に基づき、前記各欠陥を観察する電子顕微鏡ユニットと、
前記電子顕微鏡ユニットによる観察結果に基づき、前記各欠陥の有無を判定する第1の判定手段と、
前記第1の判定手段により無しと判定された前記各欠陥のみを観察する光学顕微鏡ユニットと、
前記光学顕微鏡ユニットによる観察結果に基づき、前記各欠陥の有無を判定する第2の判定手段と、
前記第1の判定手段により有りと判定された前記欠陥の情報を前記被検査体の表面に存する第1の欠陥情報として、前記第2の判定手段により有りと判定された前記欠陥の情報を前記被検査体の下層に存する第2の欠陥情報として、前記第2の判定手段により無しと判定された前記欠陥の情報を前記被検査体に実際には存しない擬似欠陥情報として、それぞれ分類する欠陥情報分類手段と
を含むことを特徴とする欠陥識別装置。 - 前記第1の欠陥情報、前記第2の欠陥情報、及び前記第3の欠陥情報を、前記欠陥情報分類手段により分類された状態で格納する欠陥情報記憶手段を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の欠陥識別装置。
- 前記電子顕微鏡ユニットによる観察に先立ち、前記被検査体における前記欠陥を検査する欠陥検査装置を更に含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の欠陥識別装置。
- 被検査体において欠陥であると認定された情報に基づき、前記各欠陥を電子顕微鏡ユニットにより観察する第1の工程と、
前記電子顕微鏡ユニットによる観察により、前記各欠陥の有無を判定する第2の工程と、
前記第2の工程において無しと判定された前記各欠陥のみを光学顕微鏡ユニットにより観察する第3の工程と、
前記光学顕微鏡ユニットによる観察により、前記各欠陥の有無を判定する第4の工程と、
前記第2の工程において有りと判定された前記欠陥の情報を前記被検査体の表面に存する第1の欠陥情報として、前記第4の工程において有りと判定された前記欠陥の情報を前記被検査体の下層に存する第2の欠陥情報として、前記第4の工程において無しと判定された前記欠陥の情報を前記被検査体に実際には存しない擬似欠陥情報として、それぞれ分類する工程と
を含むことを特徴とする欠陥識別方法。 - 前記第1の欠陥情報、前記第2の欠陥情報、及び前記第3の欠陥情報を、前記欠陥情報分類手段により分類された状態で格納する工程を更に含むことを特徴とする請求項4に記載の欠陥識別方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010127748A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-10 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 欠陥レビュー装置及び欠陥レビュー方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6273141A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-03 | Hitachi Ltd | 透明な試料に対する欠陥検出方法及びその装置 |
JP2001133417A (ja) * | 1999-06-15 | 2001-05-18 | Applied Materials Inc | 物体上の欠陥を再検査する装置及び方法 |
JP2001281163A (ja) * | 2001-02-07 | 2001-10-10 | Nidek Co Ltd | 欠陥検査装置 |
JP2002026102A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Hitachi Ltd | 検査情報処理方法及びその検査システム |
JP2004349515A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Hitachi High-Technologies Corp | Sem式外観検査装置,レビュー装置、およびアライメント座標設定方法 |
JP2005055447A (ja) * | 1998-09-18 | 2005-03-03 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法及びその装置 |
JP2005156537A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥観察方法及びその装置 |
JP2005292048A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Sony Corp | 外観検査方法及び外観検査装置 |
-
2006
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6273141A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-03 | Hitachi Ltd | 透明な試料に対する欠陥検出方法及びその装置 |
JP2005055447A (ja) * | 1998-09-18 | 2005-03-03 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法及びその装置 |
JP2001133417A (ja) * | 1999-06-15 | 2001-05-18 | Applied Materials Inc | 物体上の欠陥を再検査する装置及び方法 |
JP2002026102A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Hitachi Ltd | 検査情報処理方法及びその検査システム |
JP2001281163A (ja) * | 2001-02-07 | 2001-10-10 | Nidek Co Ltd | 欠陥検査装置 |
JP2004349515A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Hitachi High-Technologies Corp | Sem式外観検査装置,レビュー装置、およびアライメント座標設定方法 |
JP2005156537A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥観察方法及びその装置 |
JP2005292048A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Sony Corp | 外観検査方法及び外観検査装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010127748A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-10 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 欠陥レビュー装置及び欠陥レビュー方法 |
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