TWI484158B - 基板檢查系統 - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種具有查核檢查與修正功能之缺陷查核及修正裝置,該查核檢查係用顯微鏡來擴大觀察製造於半導體晶圓或玻璃基板上之細微圖案,而該修正功能則可利用雷射來修正該缺陷。
以往,半導體IC晶片或液晶面板係經複數製造步驟製造而成製品。這些各步驟間一般設有檢查步驟,以管理製造裝置或其製造步驟所產生的細微圖案上之缺陷。
該檢查步驟係以由外觀檢查裝置、線寬測定檢查裝置及查核檢查裝置等構成之檢查系統來執行,外觀檢查裝置檢查配線圖案之不整或異物混入,寬測定檢查裝置測定配線圖案間之距離或寬度,而查核檢查裝置則進行外觀檢查裝置所檢測出之缺陷的詳細檢查。在這些檢查步驟中及早發現不良,回饋於製造步驟將影響到生產線之效能提高。又,進行效能提高之機構有時具有修正缺陷處之修正步驟。就沒有該修正步驟之檢查系統而言,包含檢測出之缺陷的半導體IC晶片或液晶基板面板會被判定為不良品而無法成為製品。
惟,藉使用修正裝置便可修正缺陷處或不良處,並可將在檢查步驟被判定為不良之基板再次當成良品而進入後續步驟。
沒有修正步驟之查核檢查裝置有例如專利文獻1所揭示者。該系統係修正檢查裝置所輸出之缺陷座標與查核檢查裝置之觀察座標的誤差,並精確地進行用以特定缺陷處之缺陷探索,再根據缺陷尺寸之檢出值的傾向來進行SEM等需要高倍率觀察之缺陷選定,藉此提高查核效率。
又,具有檢查步驟之修正檢查裝置有例如專利文獻2所揭示之缺陷修正方法及缺陷修正裝置。該修正裝置係分析收集檢查裝置所檢測出之缺陷來作為缺陷之位置座標、形狀或尺寸等構成成分,並使用記憶有與該缺陷有關之資料、電路設計配置資料及每一缺陷之修正方法的缺陷修正方法知識資料庫,以將引起電性不整合之缺陷特定自動分類並進行該缺陷之去除或修復。
【專利文獻1】日本專利公開公報:特開2006-145269號公報
【專利文獻2】日本專利公開公報:特開2006-303227號公報
上述查核檢查裝置係於檢查基板全面之自動巨觀檢查裝置所輸出之缺陷座標移動例如光學顯微鏡等可擴大觀看缺陷之觀察裝置,並進行查核檢查者。又,自動巨觀檢查裝置具有分類功能時,使用其分類資料來預先篩選需要查核之缺陷,藉此可減少查核檢查次數。
以上述方法進行查核時有一個問題,即,必須移動前述顯微鏡來使自動巨觀檢查裝置所輸出之各缺陷進入視野中心,而使顯微鏡移動查核缺陷數量之次數。
有鑒於以上問題,本發明之目的在於提供一種有效地進行查核檢查,而可實現檢查時間縮短之檢查系統。
為了解決上述課題,本發明採用以下構成。
即,根據本發明其中一態樣,本發明之檢查系統係一具有缺陷檢查裝置及查核檢查裝置之檢查系統。且,前述缺陷檢查裝置辨識基板所形成之缺陷,並取得缺陷資訊,該缺陷資訊包含表示前述缺陷之位置座標的缺陷位置座標及表示前述缺陷之尺寸的缺陷尺寸。又,前述查核檢查裝置根據前述缺陷檢查裝置所取得之前述缺陷位置座標,使拍攝範圍相對地移動並用顯微鏡來檢查前述基板,且前述查核檢查裝置具有座標算出部,該座標算出部根據前述缺陷資訊及用以構成前述拍攝範圍之拍攝範圍資訊來算出座標,以使前述相對移動之次數減少。
又,本發明之檢查系統中,前述座標算出部宜由與前述查核檢查裝置不同之裝置所具有,例如以網路與前述查核檢查裝置之缺陷檢查裝置、生產資料管理伺服器或座標管理伺服器。
又,本發明之檢查系統中,前述座標算出部宜具有同一視野內缺陷抽出部,該同一視野內缺陷抽出部求取前述
顯微鏡之同一拍攝範圍內同時進入複數缺陷之座標。
又,本發明之檢查系統中,前述座標算出部宜具有格子座標設定部,該格子座標設定部用以根據前述顯微鏡之拍攝範圍來求取進入複數缺陷之格子。
又,本發明之檢查系統中,前述查核檢查裝置宜具有缺陷座標記憶部,該缺陷座標記憶部記憶前述缺陷檢查裝置所輸出之缺陷位置座標。
又,本發明之檢查系統中,前述查核檢查裝置宜具有空間調變元件,為一可一次以任意形狀照射複數雷射光來進行修復的具修正功能之查核檢查裝置。
又,本發明之檢查系統中,前述查核檢查裝置宜具有不需照射雷射部分判定部,該不需照射雷射部分判定部抽出需要雷射修復之缺陷部分,屏除不需修復之部分。
根據本發明,由於可將半導體製造步驟所產生的基板上之複數缺陷座標統合於進入查核檢查裝置之顯微鏡之同一拍攝範圍內的一個座標,因此可減少為了查核檢查而相對移動拍攝範圍之次數,並縮短檢查時間。
以下,一面參考圖式一面說明本發明之實施形態。所有圖式中,即使實施形態有所不同,但對於同一或相當之構件係標以相同標號,並省略共通之說明。
(第1實施形態)
第1圖顯示適用了本發明檢查系統之構成。
第1圖中,檢查系統為生產液晶基板之液晶基板生產系統的一部份,具有與網路104連接之之缺陷檢查裝置101及查核檢查裝置103。又,網路104並連接有生產資料管理伺服器102及座標管理伺服器105。
缺陷檢查裝置101為一自動巨觀檢查裝置,係以線型感測器拍攝基板全面來檢測基板上之缺陷並取得缺陷資訊者,且該缺陷資訊包含顯示前述缺陷之位置的缺陷位置座標及顯示前述缺陷之尺寸的缺陷尺寸。查核檢查裝置103搭載有例如顯微鏡等可用高倍率觀察缺陷之微觀檢查裝置,根據缺陷檢查裝置101所取得之缺陷位置座標,以顯微鏡使拍攝範圍相對地移動來觀察、檢查前述基板。
又,生產資料管理伺服器102具有一可整體管理生產液晶基板之工廠生產線資訊之資料庫功能,而座標管理伺服器105則具有一作成管理查核資料之資料庫功能。
一般而言,液晶電視等液晶顯示裝置係藉著於玻璃基板上形成薄膜層並重複圖案形成步驟等製造步驟而製造。且,檢查步驟為進行該圖案形成之評價者。一般檢查處理進行如下。
首先,將光刻步驟所製造的具圖案之玻璃基板以生產工廠之搬送系統搬入缺陷檢查裝置101。接著,缺陷檢查裝置101根據設好的檢查條件(檢查法)來執行玻璃基板全面之檢查,並將塗敷不均、異物混入或圖案不整當作缺陷而加以檢測。且,缺陷檢查裝置101用例如FTP(File Transfer Protocol)來透過網路104將該檢查結果登錄於座標管理伺服器105。
座標管理伺服器105將該檢查結果轉換為可登錄於生產資料管理伺服器102之格式後,作為檔案而用FTP來透過網路104登錄於生產資料管理伺服器102。
接著,如上所述已由缺陷檢查裝置(自動巨觀檢查裝置)101檢查圖案缺陷之基板會以搬送系統搬送至查核檢查裝置103。且,查核檢查裝置103作成以用以識別已搬送之基板的基板ID為檢索條件之要求檔案,並藉FTP對座標管理伺服器105進行查核資訊之要求。
座標管理伺服器105藉FTP由生產資料管理伺服器102取得查核檔案。且,座標管理伺服器105根據內部所設定之轉換資訊來作成最佳查核檔案,並將查核資訊傳送至查核檢查裝置103。
查核檢查裝置103根據取得之最佳查核檔案,座標移動顯微鏡之顯微鏡頭來拍攝缺陷影像。且,將已藉影像處理功能分類缺陷種類之結果作成查核結果檔案,並登錄於座標管理伺服器105。
座標管理伺服器105轉換為可登錄於生產資料管理伺服器102之格式後,用FTP來透過網路104登錄於生產資料管理伺服器102。
接著,由查核檢查裝置搬出基板,結束檢查。
上述檢查系統中可實現本發明。在此,就第1實施形態說明概略。
首先,由查核檢查裝置103接收缺陷檢查裝置101所抽出之缺陷位置座標。接著,查核檢查裝置103以顯微鏡擴大並拍攝由缺陷檢查裝置101接收之缺陷,並將該影像進行影像處理後判斷為不需雷射照射修正(修復)之缺陷(擬似缺陷),而將該擬似缺陷由雷射照射之修正對象中屏除。在此,不需修正之缺陷係指例如後述圖案間未短路,即使不修復亦無損之缺陷。
接著,由缺陷檢查裝置101所檢測出之各缺陷影像的位置座標算出用以在具雷射修復功能之查核檢查裝置103進行檢查之順序。具體而言,依座標之順序進行排序,判斷是否有複數缺陷進入同一拍攝範圍內,進入時在該等複數缺陷進行群組化,並求取該群組織中心座標,以決定進行查核檢查之順序。
最後,移動查核檢查裝置103之顯微鏡,依決定好的順序進行查核檢查,並於必要時進行雷射修復。
第2圖係顯示查核檔案之格式例之圖。
第2圖中,區塊201顯示標頭領域,與要查核之基板有關的資訊包含以下基板資訊。即,在此之基板資訊由前頭行起,顯示註釋201a、用以特定要查核之基板的基板ID201b及該基板所含的面板數201c。
區塊202表示基板內之各面板的缺陷資訊。換言之,在此之缺陷資訊由前頭行起,顯示面板編號202a、該面板領域內所含的缺陷總數202b、第1缺陷資訊202c、第2缺陷資訊202d及第3缺陷資訊202e。這些第1缺陷資訊202c至第3缺陷資訊202e分別由索引、X座標、Y座標、X尺寸與Y尺寸所構成。舉例言之,第1缺陷資訊202c中,索引為「01」、X座標為「111」、Y座標為「111」、X尺寸為「10」、Y尺寸為「10」。
區塊203顯示其它面板編號2至4之缺陷資訊。
上述查核檔案係將欲查核之缺陷座標記載為清單狀之檔案,並以缺陷檢查裝置101或其它檢查裝置所作成之結果為基礎而作成。
接著,說明最佳查核檔案之作成方法。
第3圖係顯示作成最佳查核檔案之查核檔案作成處理流程之流程圖。
首先,步驟S301中,進行查核檔案之缺陷座標資料排序並作成座標清單,使顯微鏡可以最短距離之順序移動於缺陷點間。其理由在於,若是將查核檔案之缺陷座標資料僅以昇羃或降羃處理,未必可以最短距離來移動顯微鏡而進行有效率之控制。
接著,以將顯微鏡之移動次數控制於最小限度為目的,將同時進入欲查核之顯微鏡倍率的同一拍攝範圍(視野)內的缺陷群組化。就具體之步驟而言,首先,於步驟S302中,將欲管理要作成之新座標資料的查核清單初始化。接著,於步驟S303中,將步驟S301所排序之座標清單的前頭座標設定為基準缺陷座標。接著,於步驟S304中,將清單中的下一缺陷座標與基準缺陷座標加以比較,並於步驟S305中,判斷這些缺陷座標是否同時進入同一拍攝範圍內。
當判斷出複數缺陷進入同一拍攝範圍內時(步驟S305:Yes),於步驟S306中,將判斷為進入同一拍攝範圍內之複數缺陷群組化,並算出該群組之中心座標。接著,為了將該群組之中心座標設為新的基準缺陷座標,回到步驟S303之基準缺陷設定步驟。
另一方面,當判斷出其它缺陷沒有進入同一拍攝範圍內時(步驟S305:No),於步驟S307中,將此時(判斷出沒有同時進入同一拍攝範圍內之時)保持的基準缺陷座標追加至前述管理新座標資料之查核清單,並將下一缺陷座標保持為基準缺陷座標之候補。接著,於步驟S308中,判斷是否為座標清單之最後資料,當判斷出座標清單還有餘時(步驟S308:Yes),為了將步驟S307所保持的基準缺陷座標之候補設為新基準缺陷座標,回到步驟S303之基準缺陷座標設定步驟。另一方面,當判斷為座標清單之最後時(步驟S308:No),則結束本查核檔案作成處理。
接著,詳細說明上述基準缺陷座標之設定步驟(步驟S303)至查核清單之追加步驟(步驟S307)之處理。
第4圖、第5圖、第6圖及第7圖係用以詳細說明第3圖之步驟S303至步驟S307之處理者。
第4圖顯示缺陷401與該缺陷進入之尺寸的矩形402。本實施形態將該矩形402當作缺陷處理。
第5圖顯示缺陷503之中心座標重疊於顯微鏡視野(拍攝範圍)501之中心座標502之狀態,該缺陷503為第3圖中第1次以步驟S303設定之基準缺陷座標。且,缺陷504顯示靠近缺陷503之下一缺陷。
第6圖顯示已在第3圖之步驟S306進行中心座標算出之狀態。在此,算出之中心座標601為包圍顯微鏡視野501內所含的缺陷503與缺陷504的矩形602之中心座標。且,缺陷603更顯示接近缺陷503之下一缺陷。
第7圖顯示已在步驟S306進行第2次中心座標算出之狀態,除缺陷503、504外,並算出缺陷603包含於顯微鏡視野501之群組的中心座標701。在此,更包含缺陷702,即,由缺陷503、缺陷504、缺陷603及缺陷702構成之缺陷群組會變成顯微鏡視野外的尺寸,因此將缺陷503、缺陷504及缺陷603當作1個群組,並將該群組之中心座標701追加於查核清單。使用由該等處理作成之查核清單,藉此使顯微鏡朝群組化之複數缺陷503、504、603之中心座標701移動來實現以最小限度之移動次數進行查核檢查,並可縮短檢查時間。
而,本實施形態係設置座標管理伺服器105來另行查核檔案作成處理,但對於即使該查核檔案作成處理造成檢查時間延遲亦不會造成問題的系統而言,亦可用查核檢查裝置103內部的程式來執行。又,亦可使座標管理伺服器105包含本功能,並以座標管理伺服器105作成經轉換之查核檔案。又,雖將缺陷視為矩形,但只要包圍欲觀察之缺陷者亦可包含曲線。
接著,就具有圖案修正功能之查核檢查裝置的查核座標算出方法進行說明。
在此,圖案修正功能係指藉對修正對象之缺陷照射雷射來切除例如跨過2個圖案間之缺陷,舉例言之,特開2006-350123號公報中,有一控制微鏡陣列來切除成任意形狀圖案之方法。切除成任意形狀圖案時,不需以上述第1實施形態所示之缺陷全體進入之矩形為基準,只要考慮配線圖案而僅將應進行雷射切除之領域作為對象座標來計算即可。
第8圖係顯示正常形成有抗蝕圖案之狀態之圖,第9圖係顯示基板上形成有缺陷之狀態之圖。第10圖係顯示由缺陷抽出缺陷領域之狀態之圖。
第8圖中,圖案801、圖案802及圖案803等3條抗蝕圖案係正常形成於基板上。
第9圖中,除了基板上所形成之圖案901、圖案902及圖案903等3條正常抗蝕圖案外,並存在與這些圖案重疊之缺陷904、缺陷905及缺陷906。
在此,只將例如第8圖所示之正常抗蝕圖案之影像作為參考影像,並進行影像處理來與第9圖所示之包含缺陷901等的影像比較時,其差分如第10圖所示,未出現於正常抗蝕圖案上之缺陷的一部份可抽出缺陷領域1001、缺陷領域1002、缺陷領域1003、缺陷領域1004、缺陷領域1005及缺陷領域1006。
接著,就用以識別這些缺陷領域1001至缺陷領域1006中,有需要修正之短路缺陷(即跨過圖案間之缺陷)之流程進行說明。
第11圖係顯示電路設計配置資料格式之例圖,第12圖係顯示抗蝕圖案例之圖。
第11圖之開始位置座標1101表示第12圖之抗蝕圖案1204a的開始位置座標(X,Y),長度1102表示第12圖之抗蝕圖1204a之長度1202。又,寬度1103為抗蝕圖案1204a之寬度,表示第12圖之抗蝕圖案1204a之長度1203,個數1104表示與前述長度1102及寬度1103所定義之抗蝕圖案1204a相同尺寸之抗蝕圖案的個數。第12圖所示之例中,顯示存在抗蝕圖案1204a、抗蝕圖案1204b、抗蝕圖案1204c等3個抗蝕圖案。且,重複間隔1105表示抗蝕圖案1204a及相鄰之抗蝕圖案1204c之間隔。而,抗蝕圖案1204b與相鄰之抗蝕圖案1204c之間隔也是以重複間隔1105所定義之間隔。
第13圖係顯示用以識別短路缺陷之短路缺陷識別處理流程之流程圖。
本短路缺陷識別處理為前述處理,即,用以識別圖案間沒有短路、即使不修復亦無實際影響之缺陷與必須修復之缺陷的處理。
首先,於步驟S1301中,製作並初始化一管理修正缺陷之矩形座標的修復清單(Repair List),並於步驟S1302中,定義抗蝕圖案之重複數,例如第11圖所示之配置資料格式所記述之Number=3。
接著,於步驟S1303中,判斷Number是否為1以下,以根據重複數來重複步驟S1304以後之步驟,當判斷為1以下時(步驟S1303:Yes),結束本短路缺陷識別處理。
另一方面,當判斷並非1以下時(步驟S1303:No),於步驟S1304中,算出禁止短路之領域座標、禁止領域座標X1與X2。在此,舉例言之,X1係於第10圖之圖案901之中心座標(PointX)加算圖案901之寬度的一半。這會成為圖案801之右側邊緣座標。又,X2係於圖案801之中心座標(PointX)加上圖案重複間隔(Interval),並減算圖案801之寬度的一半。這會成為圖案802之左側邊緣座標。
接著,於步驟S1305中,判斷例如第10圖所示之缺陷1001至缺陷1006是否位於步驟S1304所算出之X1至X2間。具體而言,將包圍缺陷1001等之矩形的左下座標及右上座標分別作為(DefectL,DefectB)及(DefectR,DefectT),並判斷X1是否為DefectL以上,且X2是否為DefectR以下。
接著,當判斷缺陷1001等為位於X1至X2間之缺陷時(步驟S1305:Yes),並於步驟S1306中,以下述算式設定矩形座標(RepairerL、RepairerR、RepairerB、RepairerT)。
RepairerL:X1
RepairerR:X2
RepairerB:DefectB
RepairerT:DefectT
再者,於步驟S1307中,將步驟S1306所設定之矩形座標追加於Repair List。接著,於步驟S1308中,將變數Number加1來識別下一缺陷,並於PointX加算圖案之間隔,再回到步驟S1304。
藉本短路缺陷識別處理,可將例如第10圖之缺陷1002及1004識別為應修復之短路缺陷。藉此,可防止對不需修復之部分進行照射。
第14圖顯示短路缺陷進入了同一拍攝範圍內之狀態之圖。
第14圖中,缺陷1002及1004藉已利用第13圖說明之短路缺陷識別處理來識別,並藉已利用第3圖至第7圖說明之處理來判斷是否進入同一拍攝範圍內。且,如上所述,若使用可用微鏡陣列控制將顯微鏡視野1401內之缺陷1002及缺陷1004裁剪為任意形狀圖案之修正功能,便可同時修正缺陷1002及缺陷1004,減少座標移動次數,有效率地進行以修正為目的之查核檢查。
藉本第1實施形態,將半導體製造步驟所產生的複數缺陷統合於進入顯微鏡之同一拍攝範圍的1個群組時,可加上關於必須修正之缺陷的資訊,藉此減少以修正為目的之查核檢查座標之座標移動,而可縮短檢查時間。
又,藉本第1實施形態,可與查核檢查分開地執行一將半導體製造步驟所產生的複數缺陷統合於進入顯微鏡之同一拍攝範圍內的1個群組之計算處理,藉此由檢查裝置去除計算處理之負荷,而可縮短計算處理所需之處理時間。
(第2實施形態)
適用本發明之第2實施形態係將觀察領域矩形均等地配置於基板上,並將其矩形中心座標作為觀察座標之方法。
本第2實施形態可於與實現第1實施形態之檢查系統相同構成之檢查系統中實現。在此,就第2實施形態說明其概略。
首先,由查核檢查裝置103接收缺陷檢查裝置101所抽出之缺陷的位置座標。接著,查核檢查裝置103以顯微鏡擴大並拍攝由缺陷檢查裝置101收到之缺陷,並藉使用第1實施形態所說明之第13圖的短路缺陷識別處理等來對其影像進行影像處理,藉此判斷不需修復之部分,並將該部分由修復對象排除。
接著,由缺陷影像之位置座標算出以具有雷射修復功能之查核檢查裝置103進行檢查之順序。具體而言,根據顯微鏡之視野尺寸來準備複數個將基板切割為格子狀的格子座標(格子編號),並將缺陷檢查裝置101所檢測出之缺陷分配至格子座標。對於跨越複數格子之缺陷,由於會成為中心座標與大小之資訊,因此判斷進入其它哪個格子座標而求取進入之格子座標,並決定進行查核檢查之順序。
最後,使查核檢查裝置103之顯微鏡移動,依照決定好的順序進行查核檢查,並視需要進行雷射修復。
第15圖係顯示根據顯微鏡視野之矩形視野尺寸來將作為查核暨修正對象之基板分割為格子狀之例圖。
第15圖中,基板1501之座標以左下為原點(0,0),並以橫軸為X軸,縱軸為Y軸。且,分割為格子狀之各矩形領域1502附有以X行Y列表示之格子座標1503。
第16圖係基板上顯示有查核檔案之缺陷位址座標之圖。
第16圖中,缺陷1601、缺陷1602、缺陷1603、缺陷1604、缺陷1605及缺陷1606中,缺陷1602與缺陷1603進入同一矩形領域(2,4)。又,缺陷1606為跨越3個矩形領域(7,1)(8,1)(9,1)之缺陷。
第17圖係顯示了顯微鏡僅於包含缺陷之觀察領域矩形移動之順序之圖。
第17圖中顯示,沿著連結了開始觀察位置1701至最終觀察位置1703之虛線1702,依序觀察包含作為觀察對象之缺陷之矩形領域中心的格子座標(1,3)、格子座標(2,4)、格子座標(3,6)、格子座標(5,3)、格子座標(7,1)、格子座標(8,1)及格子座標(9,1)。
第18圖係顯示決定顯微鏡移動順序之顯微鏡移動順序決定處理流程之流程圖。
本顯微鏡移動順序決定處理由查核檔案之缺陷資訊決定包含作為觀察修正對象之缺陷的矩形領域,並決定顯微鏡之移動順序。
首先,於步驟S1801中,在與第15圖所示之觀察視野尺寸相當之矩形領域1502將基板1501分割為格子狀,並於矩形領域製作將格子座標1503作為要件編號之二次元配列InspMap[maxX][maxY]圖。在此,maxX為將橫軸以矩形領域1502之橫寬分割時所需之個數,maxY為將縱軸以矩形領域1502之縱寬分割時所需之個數。
接著,於步驟S1802中,將二次元配列之全要件資料初始化。
接著,於步驟S1803中,讀取查核檔案,取得查核檔案所示之全資訊(缺陷座標、尺寸X、尺寸Y)。在此,為了易於說明缺陷之座標系統,係以第15圖所示之左下為原點。
接著,於步驟S1804中,執行副程序「二次元配列InspMap[maxX][maxY]資料設定處理」,該處理係於與缺陷座標一致之二次元配列InspMap[maxX][maxY]設置資料者。
第19圖係顯示副程序「二次元配列InspMap[maxX][maxY]資料設定處理」流程之流程圖,第20圖係用以說明缺陷定義之圖。
第20圖中,以DefectX表示缺陷2001之X尺寸2003,並以DefectY表示Y尺寸2004。又,以RectL_X表示包圍缺陷2001之矩形2002的左下座標2005之X座標2005X,以RectB_Y表示Y座標2005Y,以RectR_X表示右上座標2006之X座標2006X,並以RectT_Y表示Y座標2006Y。
第19圖所示之副程序「二次元配列InspMap[maxX][maxY]資料設定處理」係一面根據缺陷座標數來變更座標,一面重複步驟S1900與步驟S1912所示之「查核缺陷座標數循環」間之各步驟(即步驟S1901至步驟S1911)之處理。
首先,於步驟S1901中,算出查核檔案之最初缺陷的X尺寸DefectX2003、Y尺寸RefectY2004、矩形2002之左下座標2005之X座標RectL_X2005X、Y座標RectB_Y2005Y、右上座標2006之X座標RectR_X2006X及Y座標RectT_Y2006Y。
接著,於步驟S1902中,於本副程序程式內部之變數PointX及PointY分別設定RectL_X及RectB_Y來作為初始值。接著,於步驟S1903中,算出該矩形2002之座標與二次元配列InspMap的哪一個要素數一致。二次元配列InspMap之要素數係分別以InspMap[ElementX][ElementY]表示,將ElementX之初始值設為InitElementX,將ElementY之初始值設為InitElementY,並藉下述算式算出。
InitElementX=PointX/InspAreaX
ElementX=InitElement
InitElementY=PointY/InspArea
ElementY=InitElementY
接著,於步驟S1904中,將與步驟1903所算出之要素數一致的InspMap[ElementX][ElementY]的資料加1,於步驟S1905中,將ElementX加1來求取1個右側(X軸之正方向)之格子座標,並求取該ElementX之開始座標值PointX。
接著,於步驟S1906中,判斷步驟S1905所算出之ElementX之開始座標值PointX是否超過對象缺陷之矩形座標RectR_X,即,判斷缺陷是否未連續。若開始座標值PointX超過矩形座標RectR_X,表示缺陷未連續。且,若判斷開始座標值PointX未超過矩形座標RectR_X時(步驟S1906:No),於步驟S1907中,將InspMap[ElementX][ElementY]的資料加1後,回到步驟S1905。
另一方面,若判斷開始座標值PointX為矩形座標RectR_X以下時(步驟S1906:Yes),則判斷該ElementX不存在缺陷,前進至步驟S1908。
接著,於步驟S1908中,使X軸之參數座標編號ElementX及開始座標值PointX回到初始值後,於步驟S1909中,將ElementY加1來求取1個上側(Y軸之正方向)之格子座標,並求取該ElementY之開始座標值PointY。
接著,於步驟S1910中,判斷步驟S1909所算出之ElementY之開始座標值PointY是否超過對象缺陷之矩形座標RectR_Y,即,判斷缺陷是否未連續。若開始座標值PointY超過矩形座標RectR_Y,表示缺陷未連續。且,若判斷開始座標值PointY未超過矩形座標RectR_Y時(步驟S1910:No),於步驟S1911中,將InspMap[ElementX][ElementY]的資料加1後,回到步驟S1905。
另一方面,若判斷開始座標值PointY為矩形座標RectR_Y以下時(步驟S1910:Yes),則判斷該ElementY不存在缺陷。接著,當缺陷座標數之循環數結束時,結束本副程序「二次元配列InspMap[maxX][maxY]資料設定處理」。
如上,已使用第19圖及第20圖說明第18圖之步驟S1804之副程序「二次元配列InspMap[maxX][maxY]資料設定處理」,藉該資料設定處理之執行,由於檢查對象之InspMap[ElementX][ElementY]沒有0以上的資料進入,因此只要依序移動顯微鏡來檢查有0以外資料的InspMap[ElementX][ElementY]之中心座標即可。
第21圖係顯示基板上之顯微鏡移動規則之例圖。
第21圖中,基板2101上之箭頭2102顯示顯微鏡之移動規則。第18圖之步驟S1805以後係根據該移動規則。
回到第18圖之說明。
於步驟S1805中,將InspMap[ElementX][ElementY]之ElementX初始化為0。
接著,於步驟S1806中,判斷ElementX為偶數或奇數。
當判斷ElementX為偶數時(步驟S1806:Yes),於步驟S1807中將ElementY初始化為0,並於當判斷ElementY為奇數時(步驟S1806:No),於步驟S1808中將ElementY設定為MaxY。
接著,於步驟S1809中,判斷InspMap[ElementX][ElementY]是否有資料進入(1以上)。
當判斷有資料進入時(步驟S1809:Yes),於步驟S1810中,藉下述算式算出InspMap[ElementX][ElementY]之中心座標,作為顯微鏡移動之座標(MoveX、MoveY)。
MoveX=ElementX×InspAreaX+InspAreaX/2
MoveY=ElementY×InspAreaY+InspAreaY/2
接著,於步驟S1811中,於步驟S1810所算出之座標(MoveX、MoveY)製作用以移動顯微鏡之清單。
接著,於步驟S1812中,再次判斷ElementX為偶數或奇數。
當判斷ElementX為偶數時(步驟S1812:Yes),於步驟S1813中將ElementY加1,並於步驟S1814中判斷ElementY是否為MaxY以上。且,當判斷未滿MaxY時(步驟S1814:No),回到步驟S1809,而若判斷為MaxY以上時(步驟S1814:Yes),則前進至步驟S1817。
另一方面,當於步驟S1812判斷ElementY為奇數時(步驟S1812:No),於步驟S1815中將ElementY減1,並於步驟S1816中判斷ElementY是否未滿0。且,當判斷並非未滿0時(步驟S1816:No),回到步驟S1809,而若判斷未滿0時(步驟S1816:Yes),則前進至步驟S1817。
接著,於步驟S1817中,將ElementX加1。
最後,於步驟S1818中,判斷ElementX是否為MaxX以上,當判斷並非MaxX以上時(步驟S1818:No),回到步驟S1807,而若判斷為MaxX以上時(步驟S1818:Yes),則結束本顯微鏡移動順序決定處理。
藉本第2實施形態,由於使用預先作成之觀察領域矩形來求取可一次觀察之缺陷,因此可減少用以算出之負荷,並迅速地求出觀察之順序。
以上,已一面參考圖式一面說明本發明之各實施形態,但適用本發明之檢查系統所具有之缺陷檢查裝置及查核檢查裝置若可執行其功能,並未受限於上述各實施形態等,當然亦可為分別單體之裝置、由複數裝置構成之系統或統合裝置、透過LAN、WAN等網路進行處理之系統。
又,可利用由連接於匯流排之CPU、ROM或RAM等記憶體、輸入裝置、輸出裝置、外部記錄裝置、媒體驅動裝置、可攜式記錄媒體、網路連接裝置所構成之系統來實現。換言之,將記錄有軟體(用以實現前述各實施形態系統者)之程式碼的ROM或RAM等記憶體、外部記錄裝置、可攜式記錄媒體供給至缺陷檢查裝置或查核檢查裝置,並由該缺陷檢查裝置或查核檢查裝置之電腦讀取並執行程式碼,如此當然亦可達成。
此時,由從可攜式記錄媒體等讀出之程式碼本身來實現本案之新穎功能,記錄有該程式碼之可攜式記錄媒體等即構成本發明。
用以供給程式碼之可攜式記錄媒體可使用例如軟碟、硬碟、光碟、光磁碟、CD-ROM、CD-R、DVD-ROM、DVD-RAM、磁帶、非依電性之記憶卡、ROM卡、透過電子郵件或個人電腦通訊等網路連接裝置所記錄之各種記錄媒體等。
又,除了藉電腦執行已讀取至記憶體上之程式碼來實現前述各實施形態之功能外,根據該程式碼之指示,在電腦上運作之OS等進行實際處理的一部份或全部,藉該處理亦可實現前述各實施形態之功能。
再者,由可攜式記錄媒體讀出之程式碼或程式(資料)提供者所提供之程式(資料),寫入已插入電腦之功能擴充板或連接於電腦之功能擴充單元所具備之記憶體後,根據該程式碼之指示,由該功能擴充板或功能擴充單元所具備之CPU等進行實際處理之一部份或全部,藉該處理亦可實現前述各實施形態之功能。
換言之,本發明並未受限於以上所述之各實施形態等,在不脫離本發明要旨之範圍內可採用各種構成或形狀。
101...缺陷檢查裝置
102...生產資料管理伺服器
103...查核檢查裝置
104...網路
105...座標管理伺服器
201...區塊
201a...註釋
201b...基板ID
201c...面板數
202...區塊
202a...面板編號
202b...缺陷總數
202c...第1缺陷資訊
202d...第2缺陷資訊
202e...第3缺陷資訊
203...方塊
401...缺陷
402...矩形
501...顯微鏡視野
502...中心座標
503...缺陷
504...缺陷
601...中心座標
602...矩形
603...缺陷
701...中心座標
702...缺陷
801、802、803、901、902、903...圖案
904、905、906...缺陷
1001、1002、1003、1004、1005、1006...缺陷領域
1101...開始位置座標
1102...長度
1103...寬度
1004...個數
1005...重複間隔
1201...開始位置座標
1202...長度
1203...寬度
1204a、1204b、1204c、1205...抗蝕圖案
1205...重複間隔
1401...顯微鏡視野
1501...基板
1502...矩形領域
1503...格子座標
1601、1602、1603、1604、1605、1606...缺陷
1701...開始觀察位置
1702...虛線
1703...最後觀察位置
2001...缺陷
2002...矩形
2003...X尺寸(DefectX)
2004...Y尺寸(DefectY)
2005...左下座標
2006...右上座標
2101...基板
2102...顯微鏡移動規則
第1圖係顯示適用本發明之檢查系統構成之圖。
第2圖係顯示查核檔案之格式例之圖。
第3圖係顯示作成最佳查核檔案之查核檔案作成處理流程之流程圖。
第4圖係用以詳細說明第3圖之步驟S303至步驟S307之處理之圖(其之一)。
第5圖係用以詳細說明第3圖之步驟S303至步驟S307之處理之圖(其之二)。
第6圖係用以詳細說明第3圖之步驟S303至步驟S307之處理之圖(其之三)。
第7圖係用以詳細說明第3圖之步驟S303至步驟S307之處理之圖(其之四)。
第8圖係顯示正常形成有抗蝕圖案之狀態之圖。
第9圖係顯示基板上形成有缺陷之狀態之圖。
第10圖係顯示由缺陷抽出缺陷領域之狀態之圖。
第11圖係顯示電路設計配置資料格式之例圖。
第12圖係顯示抗蝕圖案例之圖。
第13圖係顯示用以識別短路缺陷之短路缺陷識別處理流程之流程圖。
第14圖顯示短路缺陷進入了同一拍攝範圍內之狀態之圖。
第15圖係顯示根據顯微鏡視野之矩形視野尺寸來將作為查核暨修正對象之基板分割為格子狀之例圖。
第16圖係基板上顯示有查核檔案之缺陷位址座標之圖。
第17圖係顯示了顯微鏡僅於包含缺陷之觀察領域矩形移動之順序之圖。
第18圖係顯示決定顯微鏡移動順序之顯微鏡移動順序決定處理流程之流程圖。
第19圖係顯示副程序「二次元配列InspMap[maxX][maxY]資料設定處理」流程之流程圖。
第20圖係用以說明缺陷定義之圖。
第21圖係顯示基板上之顯微鏡移動規則之例圖。
501‧‧‧顯微鏡視野
503‧‧‧缺陷
504‧‧‧缺陷
603‧‧‧缺陷
701‧‧‧中心座標
702‧‧‧缺陷
Claims (7)
- 一種基板檢查系統,是根據以缺陷檢查裝置所辨識之基板的缺陷位置座標以查核檢查裝置查核檢查前述缺陷;前述缺陷檢查裝置按照檢查條件檢測前述基板上之缺陷,並取得缺陷資訊,該缺陷資訊包含檢測出之各缺陷的缺陷位置座標及缺陷尺寸;前述查核檢查裝置接收前述缺陷位置座標且在複數個缺陷位置座標進入同一拍攝範圍內時,將該等缺陷座標群組化,求取該群組之中心座標,根據前述缺陷位置座標與前述群組之中心座標來決定前述查核檢查之順序,依決定了的順序使顯微鏡移動進行前述查核檢查;且,前述查核檢查裝置具有座標算出部,該座標算出部根據前述缺陷資訊及用以構成前述拍攝範圍之拍攝範圍資訊來算出查核座標,以使前述相對移動之次數減少。
- 如申請專利範圍第1項之基板檢查系統,其中前述座標算出部由與前述查核檢查裝置不同之裝置所具有。
- 如申請專利範圍第1或2項之基板檢查系統,其中前述座標算出部具有同一視野內缺陷抽出部,該同一視野內缺陷抽出部求取前述顯微鏡之同一拍攝範圍內同時進入複數缺陷之座標。
- 如申請專利範圍第1或2項之基板檢查系統,其中前述座標算出部具有格子座標設定部,該格子座標設定部用以 根據前述顯微鏡之拍攝範圍來求取進入複數缺陷之格子。
- 如申請專利範圍第1項之基板檢查系統,其中前述查核檢查裝置具有缺陷座標記憶部,該缺陷座標記憶部記憶前述缺陷檢查裝置所輸出之缺陷位置座標。
- 如申請專利範圍第1項之基板檢查系統,其中前述查核檢查裝置具有空間調變元件,為一可一次以任意形狀照射複數雷射光來進行修復的具修正功能之查核檢查裝置。
- 如申請專利範圍第1項之基板檢查系統,其中前述查核檢查裝置具有不需照射雷射部分判定部,該不需照射雷射部分判定部抽出需要雷射修復之缺陷部分,摒除不需修復之部分。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008018740A JP5100419B2 (ja) | 2008-01-30 | 2008-01-30 | 検査システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200937006A TW200937006A (en) | 2009-09-01 |
TWI484158B true TWI484158B (zh) | 2015-05-11 |
Family
ID=40946427
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW098100839A TWI484158B (zh) | 2008-01-30 | 2009-01-10 | 基板檢查系統 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5100419B2 (zh) |
KR (1) | KR20090083861A (zh) |
CN (1) | CN101499434B (zh) |
TW (1) | TWI484158B (zh) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101119278B1 (ko) | 2009-10-29 | 2012-03-16 | 삼성전기주식회사 | 기판검사시스템 및 기판검사방법 |
CN102142355B (zh) * | 2010-02-02 | 2013-07-17 | 吕一云 | 物体制造缺陷的应用方法 |
JP5730528B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2015-06-10 | オリンパス株式会社 | 欠陥修正装置および欠陥追跡方法 |
CN104282587B (zh) * | 2013-07-03 | 2019-05-31 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶圆边缘缺陷的检测方法 |
JP6309221B2 (ja) * | 2013-08-12 | 2018-04-11 | 株式会社ホロン | 超高速レビュー装置および超高速レビュー方法 |
TWI498545B (zh) * | 2013-10-30 | 2015-09-01 | Utechzone Co Ltd | Optical inspection machine |
KR20150095053A (ko) * | 2014-02-12 | 2015-08-20 | 한화테크윈 주식회사 | 제품 검사의 유효성 검증 장치 및 방법 |
JP2016070725A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 大日本印刷株式会社 | 基板等の検査システム,方法およびプログラム |
CN112577971B (zh) * | 2019-09-30 | 2024-10-15 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 一种检测方法、系统及设备 |
CN113805365A (zh) * | 2020-06-16 | 2021-12-17 | 艾聚达信息技术(苏州)有限公司 | 标记设备及缺陷标记方法 |
JP2022189284A (ja) * | 2021-06-11 | 2022-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板検査装置、基板検査方法及び記憶媒体 |
CN113469472B (zh) * | 2021-09-06 | 2022-02-22 | 中导光电设备股份有限公司 | 一种多显微镜定点拍照路径优化方法 |
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JP4287863B2 (ja) * | 2006-05-15 | 2009-07-01 | 株式会社日立製作所 | レビューsem |
-
2008
- 2008-01-30 JP JP2008018740A patent/JP5100419B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-01-10 TW TW098100839A patent/TWI484158B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-01-22 KR KR1020090005477A patent/KR20090083861A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-01-23 CN CN2009100009791A patent/CN101499434B/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5100419B2 (ja) | 2012-12-19 |
CN101499434A (zh) | 2009-08-05 |
JP2009180578A (ja) | 2009-08-13 |
CN101499434B (zh) | 2013-01-23 |
TW200937006A (en) | 2009-09-01 |
KR20090083861A (ko) | 2009-08-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |