TWI621849B - 用於偵測晶圓上之缺陷之電腦實施方法、非暫時性電腦可讀媒體及系統 - Google Patents

用於偵測晶圓上之缺陷之電腦實施方法、非暫時性電腦可讀媒體及系統 Download PDF

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Abstract

本發明提供用於使用缺陷特定之資訊偵測一晶圓上之缺陷之方法及系統。一種方法包含獲取一晶圓上之一目標之資訊。該目標包含形成在該晶圓上之一關注圖案及鄰近該關注圖案或在該關注圖案中發生之一已知關注缺陷(DOI)。該資訊包含該晶圓上之該目標之一影像。該方法亦包含搜尋該晶圓或另一晶圓上之目標候選者。該等目標候選者包含該關注圖案。提供該目標及該等目標候選者位置以進行缺陷偵測。此外，該方法包含藉由識別該等目標候選者之影像中之潛在DOI位置及將一或多個偵測參數應用至該等潛在DOI位置之影像而偵測該等目標候選者中之該已知DOI。

Description

用於偵測晶圓上之缺陷之電腦實施方法、非暫時性電腦可讀媒體及系統
本發明大致係關於使用缺陷特定之資訊偵測晶圓上之缺陷。
下文描述及實例不因其等包含在[先前技術]中而被認定為先前技術。 在半導體製程期間的不同步驟中使用檢驗程序以偵測晶圓上之缺陷。任意晶圓檢驗系統之一重要目的係抑制妨害缺陷。妨害缺陷係可能與半導體良率無關之所偵測事件。此等妨害缺陷可能由晶圓雜訊及系統雜訊導致或係晶圓上的實物。妨害缺陷可能出現在晶圓上的任意位置。一些關注缺陷(DOI)可能出現在晶圓上的特定位置。DOI的內容脈絡資訊可用作缺陷偵測的先前知識。已開發使用內容脈絡資訊之數種方法以偵測缺陷。一種此方法使用圖形資料串流(GDS)資料或設計資訊以尋找缺陷可能以更高概率發生之熱點及檢驗熱點周圍的缺陷。另一此方法匹配缺陷背景並在缺陷偵測後保留或移除匹配的缺陷。 但是，此等方法存在若干缺點。舉例而言，第一方法適用於GDS資料。但是，GDS資訊可能無法在所有環境中獲得，諸如對於半導體製造廠中的缺陷工程師。此外，使用者需進行圖塊至設計對準(patch-to-design alignment；PDA)及運行時間基於刈幅的對準以精確重疊影像上的關照區域。若基於刈幅的對準失敗，則將不檢驗被刈幅覆蓋的位置。若妨害缺陷數及缺陷類型相對較大的情況下，則缺陷偵測後執行的第二方法可使檢驗顯著變慢。此外，若缺陷信號相對較弱，則可偵測大量妨害缺陷。缺陷信號可被定義為具有缺陷之影像與無缺陷之參考影像之間之最大灰階差異。參考影像與缺陷影像空間對準且可獲取自晶圓上之鄰近晶粒或多個晶粒。此外，若執行方法以保持系統DOI，則需其他妨害缺陷移除機制以分離妨害缺陷及隨機分佈DOI。此等方法均不使用缺陷特定之資訊。 因此，開發無上述之缺點之一者或多者之用於偵測晶圓上之缺陷之方法及/或系統將為有利。
各種實施例之下文描述不得以任何方式解釋為限制隨附申請專利範圍之標的。 一實施例係關於用於使用缺陷特定之資訊偵測晶圓上之缺陷之電腦實施方法。方法包含獲取晶圓上之目標之資訊。目標包含形成在晶圓上之關注圖案(POI)及鄰近POI或在POI中發生之已知關注缺陷(DOI)。資訊包含藉由使晶圓上之目標成像而獲取之晶圓上之目標之影像、晶圓上之POI之位置、已知DOI相對於POI之位置及自POI及已知DOI計算之一或多個特性。方法亦包含搜尋匹配晶圓上或另一晶圓上之晶粒中之POI之目標候選者。目標候選者包含POI。可在缺陷偵測前之設置步驟中執行POI搜尋。在POI搜尋後，可針對各潛在缺陷位置產生微關照區域(MCA)。可提供此等位置用於缺陷偵測。此外，方法包含藉由識別目標候選者之影像中之潛在DOI位置及將一或多個偵測參數應用至潛在DOI位置之影像而偵測目標候選者中之已知DOI。使用電腦系統執行偵測已知DOI。 存在本方法與當前使用之基於內容脈絡之檢驗之間之數個差異。首先，本方法不依賴圖形資料串流(GDS)資料。此外，可執行高度精確的關照區域對準以偵測特定缺陷。此外，在設置及缺陷偵測期間使用內容脈絡及缺陷特定之資訊，而非在缺陷偵測後使用在設置及缺陷偵測期間。 可如本文中進一步描述執行上述方法。此外，上述方法可包含本文中描述之(諸)任意其他方法之(諸)任意其他步驟。此外，可由本文描述之任意系統執行上述方法。 另一實施例係關於非暫時性電腦可讀媒體，其儲存可在電腦系統上執行之程式指令，用於執行用於偵測晶圓上之缺陷之電腦實施方法。電腦實施方法包含上述方法之步驟。可進一步如本文中描述組態電腦可讀媒體。可如本文中進一步描述執行電腦實施方法之步驟。此外，可對其執行程式指令之電腦實施方法可包含本文中描述之(諸)任意其他方法之(諸)任意其他步驟。 額外實施例係關於經組態以偵測晶圓上之缺陷之系統。系統包含經組態以獲取晶圓上之目標之資訊之檢驗子系統。目標包含形成在晶圓上之POI及鄰近POI或在POI中發生之已知DOI。資訊包含藉由使晶圓上之目標成像而獲取之晶圓上之目標之影像。檢驗子系統亦經組態以搜尋匹配晶圓上或另一晶圓上之POI之目標候選者及獲取目標候選者之影像。此外，系統包含電腦系統，該電腦系統經組態以藉由識別目標候選者之影像中之潛在DOI位置及將一或多個偵測參數應用至潛在DOI位置之影像而偵測目標候選者中之已知DOI。系統可如本文中描述進一步組態。
現參考圖式，應注意圖式未按比例繪製。特定言之，圖式之一些元件之比例被極大誇大以突出元件之特性。亦應注意，圖式未按相同比例繪製。已使用相同參考數字指示一個以上圖式中所示之可能類似地組態之元件。 一實施例係關於用於偵測晶圓上之缺陷之電腦實施方法。方法包含獲取晶圓上之目標之資訊。目標包含形成在晶圓上之關注圖案(POI)及鄰近(靠近) POI或在POI中發生之已知關注缺陷(DOI)。POI可僅包含形成在晶圓上或將形成在晶圓上之晶粒之整個設計中之一些經圖案化特徵。換言之，包含在目標中之POI不包含形成在晶圓上或待形成在晶圓上之晶粒之整個圖案。 DOI之樣本可從特定源得知，諸如對晶圓執行之e光束檢驗或掃描電子顯微術(SEM)復檢。在一些此等例項中，使用者將想要瞭解整個晶圓上之此等種類之缺陷之數量。給定目標資訊(特定內容脈絡中之樣本DOI)，本文中描述之實施例可用於偵測所有DOI並抑制整個晶圓上之妨害缺陷。此外，由於本文中描述之實施例經設計以僅偵測含有特定圖案之目標候選者中之缺陷，故本文中描述之實施例對於偵測晶圓上之系統缺陷特別有用，該等系統缺陷係通常歸因於圖案與用於在晶圓上形成圖案之程序之間之相互作用而在晶圓上以特定圖案重複發生之缺陷。因此，DOI可包含形成在晶圓上之圖案中之缺陷，諸如橋接。 在一此實施例中，如圖1中所示，圖案100可形成在晶圓上且在圖1中展示，因為圖案100可藉由高解析度檢驗系統(諸如e光束檢驗系統或光學檢驗系統)成像。系統可抓取兩個影像，一影像來自目標位置，且另一影像來自待對其執行POI搜尋之晶粒或晶圓。圖案100中所示之特徵可包含在本文中描述之目標中，如圖案102(其等效於圖案100但具有發生於其中之缺陷)中所示，可能已在晶圓上之圖案之一或多個例項中偵測到經圖案化特徵106與經圖案化特徵108之間之DOI 104 (諸如橋接缺陷)。圖1中所示之圖案非意圖代表可能實際形成在晶圓上之任意圖案。而是，圖案意圖展示可包含在目標之POI中之特徵之類型及可能發生於其中之DOI之類型。可選擇包含在POI中之經圖案化特徵之數量，使得可以預定精確度在針對晶圓或其他晶圓獲取之影像中識別目標候選者。POI之大小亦可如本文中進一步描述判定。 目標之資訊包含藉由使晶圓上之目標成像而獲取之晶圓上之目標之影像、晶圓上之POI之位置、已知DOI相對於POI之位置及自POI及已知DOI計算之一或多個特性。此外，目標之資訊可包含DOI可發生之位置且位置可能對POI位置而言是已知且唯一的。目標的資訊可在設置期間產生且可包含識別潛在缺陷位置及使用樣本缺陷之測試影像及參考影像計算缺陷資訊。 在一實施例中，獲取目標之資訊包含：匯入DOI樣本之位置。此等位置之源可獲自檢驗結果及SEM復檢結果。此等位置可用於抓取目標之影像。在一實施例中，獲取目標之資訊包含：顯示DOI位置之高解析度影像。可產生自其他系統影像，諸如SEM復檢機或e光束檢驗機。此外，獲取目標之資訊可包含提供至使用者的圖形使用者介面(GUI)。GUI可顯示針對目標獲取之任意資訊。 在一實施例中，獲取目標之資訊包含使用檢驗系統在DOI之已知位置中抓取晶圓上之目標之影像。舉例而言，在設置期間，系統抓取兩組影像，一組影像來自晶粒中之目標位置且另一組影像來自待對其執行POI搜尋之晶粒。目標位置上之影像組包含測試影像及參考影像。系統將一影像與另一影像對準且計算兩個影像之間之差異。使用者藉由參考測試影像或差異影像而手動標記DOI位置及POI位置。另一組影像包含在用於POI搜尋之晶粒中之相應位置上之測試影像及參考影像。系統藉由將兩個參考影像相互關聯而自動定位用於POI搜尋之晶粒之影像中之POI位置。當使用者指定POI位置時，可從用於POI搜尋之晶粒中抓取模板(POI之影像)。獲取資訊亦可包含界定模板位置及大小。此外，獲取資訊亦可包含界定可針對缺陷偵測判定一或多個參數之區域。亦可計算POI及DOI之特性。將儲存此目標資訊用於將在下文中描述之POI搜尋。在另一實施例中，獲取目標之資訊包含針對晶圓或另一晶圓上之一晶粒中之所有已知DOI抓取影像，其中將執行如本文中進一步描述搜尋目標候選者。可藉由將目標之影像與從用於POI搜尋之晶粒產生之影像相互關聯而獲得此等模板之位置。可能存在許多類型之目標。可針對各類型抓取一模板。 在另一實施例中，獲取目標之資訊包含指定：關照區域之大小、形狀及位置；模板之大小、形狀及位置；及其處在被應用一或多個偵測參數之影像(用於缺陷偵測之影像)中判定一或多個特性之區域。可如本文中進一步描述執行此等步驟之各者。 可自用於POI搜尋之相同晶粒抓取所有模板。歸因於晶圓結構之相對較小變化，晶圓圖案之影像強度有時跨晶圓實質不同。此差異被稱作顏色變異。在晶粒內顏色變異比跨晶圓顏色變異小得多。為了確保POI搜尋之實質高品質，可從一個晶粒抓取所有模板且可對從其中抓取模板之晶粒執行POI搜尋。 在一實施例中，獲取目標之資訊包含：判定目標之模板與影像之間之類似性；及判定POI相對於鄰近POI之其他圖案之唯一性(即，POI相對於其周圍之唯一性)。舉例而言，在模板抓取期間，來自目標晶粒之影像與用於POI搜尋之晶粒之影像之間之相互關聯值可經計並儲存用於POI搜尋。選擇模板以唯一地尋找DOI位置。可計算量測模板之唯一性之度量。舉例而言，針對影像中之所有位置之相互關聯值之中之第二最高峰值與最高峰值之比率可用作唯一性度量。使用者可根據唯一性值調整模板位置。 不同目標可共用一些相同目標資訊。舉例而言，兩個DOI可位於相同POI中或鄰近相同POI。此兩個DOI之潛在位置可相對於POI位置而界定且可藉由搜尋POI而識別。在另一實例中，兩個DOI具有相同特性，諸如極性。缺陷極性由其灰階界定，該灰階比其內容脈絡更亮或更暗。 方法亦可包含從一晶粒搜尋所有POI位置以判定DOI在任意POI位置中或靠近任意POI位置。對應於此等POI位置之潛在DOI位置被稱作目標候選者。以此方式，方法可包含搜尋晶粒上之所有目標候選者(或潛在DOI位置)。相同圖案在此等位置上發生，但DOI可能在此等位置上發生或可能不在此等位置上發生。只要在一位置上偵測到DOI，則圖案及缺陷即為實際目標。在一些實施例中，方法包含藉由判定目標之模板是否與晶粒之影像之不同部分相互關聯而搜尋用於POI之晶圓上或另一晶圓上之晶粒之影像。舉例而言，檢驗系統可用於抓取整個晶粒之影像及運行模板與影像之間之相互關聯(諸如正規化交互相互關聯(NCC))以搜尋POI位置。通過相互關聯臨限值之位置係目標候選者。使用者具有手動精選目標候選者之選項。在一實施例中，方法包含產生POI之模板及藉由改變模板之大小或翻轉、旋轉或處理模板而修改模板。模板形狀可為正方形或矩形且其大小可小於由檢驗系統獲取之影像。獲自POI搜尋之POI位置被儲存且將在缺陷偵測期間使用。 隨著半導體設計規則縮小，特定晶圓結構導致缺陷的概率更高。當使用設計資料(諸如圖形資料串流(GDS)資料)識別該等晶圓結構時，該等結構通常被稱作「熱點」。更特定言之，可藉由使用GDS資料識別「熱點」，以判定哪些晶圓結構可能(假設地)導致晶圓上之缺陷而。在一晶粒上可能存在不同類型的熱點且相同類型的熱點可印刷在晶粒中的多個位置上。熱點上產生的缺陷通常係系統缺陷且通常具有比周圍雜訊弱的信號，使得其等相對難以偵測。 因此，熱點與本文中描述之目標不同在於：本文中描述之目標未被識別為GDS資料中可能導致缺陷的晶圓結構。而是，使用其上已形成晶圓結構的一或多個實際晶圓來識別目標。舉例而言，e光束檢驗或e光束復檢可用於尋找實質局部區域中的目標。由於e光束檢驗及e光束復檢之處理量通常實質上低，故其通常無法用於檢驗整個晶圓。但是，給定目標(諸如藉由e光束檢驗尋找到之目標)之位置，本文中描述之實施例可用於判定多少目標候選者形成在整個晶圓上及多少DOI出現在此等目標候選者上。以此方式，給定樣本缺陷位置，方法可判定在晶圓上有多少此種缺陷。 因此，本文中描述之實施例與使用基於GDS之檢驗偵測缺陷之方法實質不同。舉例而言，基於GDS之方法試圖捕獲任意類型之缺陷並執行圖塊至設計對準以產生影像用於運行時間基於刈幅之對準。相比之下，本文中描述之方法使用樣本DOI之影像以尋找整個晶圓上之所有相同類型之缺陷。樣本DOI可來自SEM復檢、e光束檢驗或另一檢驗或缺陷復檢結果檔案。在檢驗期間，可藉由將模板與晶圓相互關聯影像而調整各POI位置。因此，兩種方法不同在於：使用熱點之方法尋找所有可能缺陷，而本文中描述之方法僅尋找特定已知缺陷。 在一實施例中，POI之寬度及高度分別短於形成在晶圓及另一晶圓上之晶粒之寬度及高度。舉例而言，圖2展示其上形成多個晶粒且多個POI形成在多個晶粒之各者中之晶圓。特定言之，可在晶圓製程(例如，微影)期間印製晶圓200，其中晶粒202處於特定佈局。第一POI 204可位於晶粒中的第一位置。舉例而言，第一POI 204可位於晶粒之左上角。此外，如圖2中所示，POI 204之寬度小於晶粒之寬度之寬度，且POI 204之高度小於晶粒之高度。第二POI 206位於晶粒中之第二位置，第二位置與第一POI之第一位置不同。此外，如圖2中所示，POI 204及206可具有彼此不同的尺寸。舉例而言，由於POI 204及206包含在不同圖案中偵測到之不同DOI，故兩個POI可具有基於位於不同圖案中之DOI而判定之不同尺寸。此外，如圖2中所示，POI 206之寬度具有小於晶粒之寬度，且POI 206之高度小於晶粒之高度。此外，POI可部分重疊。 在另一實施例中，一或多個特性包含已知DOI之一或多個特性。舉例而言，可使用樣本缺陷之測試影像及參考影像來判定缺陷資訊。特定言之，可從測試影像中減去參考影像以產生差異影像，且可自該差異影像判定已知DOI之一或多個特性。在一此實施例中，一或多個特性包含已知DOI之大小、形狀、強度、對比度或極性。可使用目標之差異影像來計算缺陷大小、形狀、對比度及極性。可自目標之測試影像計算強度。 在一實施例中，包含在目標中之圖案較佳可藉由檢驗系統解析。本文中描述之實施例將不適用於非圖案區域中且將不適用於隨機分佈之缺陷。 本文中描述之方法之設置亦可包含任意其他適當步驟，諸如光學件選擇，其可基於已知缺陷位置予以執行。一些方法亦可包含用檢驗系統之多個光學件模式檢驗任一目標或一種類型之目標。光學件模式係檢驗系統之波長、孔隙、像素大小、焦點、光位準及類似參數之參數組態。此一方法可包含針對多個模式選擇一或多個參數。以此方式，方法可包含針對基於目標之檢驗設置一個以上模式。此一方法可包含使用缺陷信號之最佳模式以從不同晶粒中選擇DOI及從一個晶粒收集目標資訊。收集目標資訊可包含：在於第一步驟中獲得之晶粒位置上抓取缺陷影像；及在對POI搜尋最佳的另一模式中執行模式間影像對準以尋找相應模板。接著，方法可包含使用搜尋模式在一晶粒中尋找所有目標候選者位置。接著，可基於在此等位置上抓取之影像圖塊檢視或修改位置。接著，偵測配方可設置為針對缺陷信號之最佳模式。可如本文中描述進一步執行檢驗目標候選者。 方法亦包含搜尋晶圓或另一晶圓上之目標候選者。目標候選者包含POI之位置(例如，在整個晶圓上)。舉例而言，可能存在具有與目標相同類型之圖案之許多位置。相同類型之缺陷可能發生在一些此等位置上。為了偵測所有缺陷，搜尋並報告此等位置。可如本文中進一步描述圍繞此等位置界定微關照區域(MCA)。「關照區域」係於其處執行缺陷偵測之一組連接影像像素。舉例而言，可由使用者在電腦圖形使用者介面(GUI)的幫助下定義圍繞目標之位置之MCA大小。在檢驗期間，針對任意DOI活動檢測此等位置。為了搜尋此等位置，系統可察看晶粒上之各像素並計算模板與圍繞晶粒上之像素之圖案之間之類似性之值。若類似性值大於模板抓取時定義之臨限值，則像素位置被標記為POI位置。可藉由將從POI偏移之位置相加至目標候選者位置而計算目標候選者位置。潛在DOI位置及POI位置之影像被抓取並顯示給使用者。使用者可藉由復檢POI及潛在DOI位置之影像及其等之類似性值而精選目標候選者。儲存POI位置以用於缺陷偵測。可提供目標資訊及目標候選者位置以進行缺陷偵測。 在一實施例中，搜尋目標候選者包含：使用最佳光學件模式獲取目標候選者之影像，用於將目標候選者之影像影像匹配至POI之影像或模板。舉例而言，可用對於影像匹配最佳之光學件模式中獲得之影像來執行POI搜尋。可使用用不同光學件模式獲得之影像來執行如本文中進一步描述獲取目標資訊及缺陷偵測。舉例而言，在一實施例中，使用第一光學件模式執行使晶圓上之目標成像，及使用與第一光學件模式不同之第二光學件模式獲取用於偵測目標候選者中之已知DOI之目標候選者之影像。可在兩個光學件模式之間執行模式間影像對準。 在一實施例中，使用檢驗系統(即，相同檢驗系統)執行獲取目標之資訊及搜尋目標候選者。此外，可在缺陷偵測之前之設置步驟中使用檢驗系統執行獲取目標資訊及搜尋目標候選者。舉例而言，應使用相同檢驗系統用於模板抓取及POI搜尋。或者，使用相同類型之不同檢驗系統執行獲取目標之資訊及搜尋目標候選者。在另一實施例中，在不同晶粒中執行獲取目標之資訊及搜尋目標候選者，且在一晶粒中使用目標候選者之一或多個模板來執行搜尋目標候選者。 在一實施例中，目標候選者可來自其他源，諸如基於GDS之圖案搜尋。在此等情況中，基於目標之檢驗僅需抓取模板及計算目標資訊。可省略基於影像之POI搜尋。針對各目標候選者產生MCA。在檢驗期間，可藉由將模板與產生用於檢驗之影像相互關聯而搜尋POI位置。可用POI搜尋結果校正MCA位置。可由MCA內之電腦系統執行缺陷偵測。 在一實施例中，方法包含針對基於目標之檢驗判定關照區域之一或多個參數。舉例而言，針對各類型之缺陷，可基於POI位置圍繞缺陷位置產生一類型之MCA。圖2a至圖2d展示晶圓上之圖案、圖案中之POI、位於POI中及/或靠近POI之一或多個DOI及可針對DOI之各者產生之一或多個MCA之間之不同關係。舉例而言，如圖2a中所示，POI 210可位於圖案212中。圖2a及圖2c至圖2d中所示之POI 210之影像係如其可能出現在POI之模板中之POI。如圖2a中所示，DOI 214可位於靠近POI 210，但不一定在POI 210中。MCA 216可定位為圍繞DOI之位置且在DOI之位置上居中。以此類似方式，如圖2b中所示，POI 218可位於圖案220中。圖2b中所示之POI 218之影像係如其可能出現在POI之模板中之POI。DOI 222可位於POI 218中。MCA 224可被判定為圍繞DOI之位置且在DOI之位置上居中。一個POI可與一個以上DOI相互關聯。舉例而言，如圖2c中所示，DOI 226可位於POI 210中，而DOI 228可位於靠近POI 210，但不一定在POI 210中。MCA 230可定位為圍繞DOI 226之位置及在DOI 226之位置上居中，而MCA 232可定位為圍繞DOI 228之位置且在DOI 228之位置上居中。因此，MCA之各者可僅與DOI之一者相關聯。但是，MCA可與一個以上DOI相關聯。舉例而言，如圖2d中所示，可針對DOI 226及228兩者產生MCA 234。POI及MCA形狀不限於正方形或矩形。圖2a至圖2d中所示之圖案非意圖代表可能實際形成在晶圓上之任意圖案。 在一實施例中，方法包含藉由將POI之模板影像與用於偵測DOI之影像相互關聯而判定關照區域位置。舉例而言，POI搜尋及缺陷偵測可為兩個不同的晶圓掃描。在POI搜尋期間產生之MCA可僅在檢驗程序期間充當缺陷之近似位置。可藉由將模板與用於缺陷偵測之影像相互關聯而識別精確缺陷位置。換言之，MCA可能未與潛在缺陷位置精確對準。就此點而言，在缺陷偵測期間，模板可與影像相互關聯以精選MCA位置。此一實施例亦可包含校正晶圓載物台不確定性。接著，可在此等MCA內執行缺陷偵測，如本文中進一步描述。以此方式，基於目標之檢驗可僅包含使用目標候選者之關照區域中之影像像素，且就此點而言，影像像素可能不用於晶圓上之非目標候選者且可能不針對非目標候選者執行檢驗。因此，本文中描述之實施例可能與多數檢驗方法不同，多數檢驗方法通常涉及使用針對整個晶圓或晶圓上通常橫跨晶圓上之整個尺寸之整個刈幅的影像像素。此等當前使用之方法對於若干使用情況有利，諸如偵測可能存在於晶圓上之任意位置中之任意缺陷。但是，若晶圓雜訊實質上高且DOI信號相對較弱，則此等方法可能無法尋找任意DOI。由於僅針對晶圓上之特定目標候選者執行本文中描述之實施例，故實施例能夠偵測具有相對較低訊雜比、具有實質高處理量之DOI，同時實質上抑制其他區域中之妨害缺陷。此外，若僅存在針對特定DOI之一區域，則可繞過POI搜尋(設置步驟)。 作為判定目標之關照區域之一或多個參數之補充或替代，在設置期間，方法可包含識別晶圓上之目標候選者之潛在位置。舉例而言，將形成在晶圓上之晶粒內之目標之位置及有關晶圓上之晶粒之佈局之資訊可用於識別晶圓上之目標候選者之潛在位置及因此晶圓上之DOI之潛在位置。 方法進一步包含藉由識別目標候選者之影像中之潛在DOI位置及將一或多個偵測參數應用至潛在DOI位置之影像而偵測目標候選者中之已知DOI。潛在DOI位置可能鄰近POI之位置。POI可包含0或更多個DOI位置且POI可部分重疊。以此方式，方法可包含在整個晶圓上之目標候選者位置處偵測其他目標。 偵測DOI可包含識別目標候選者之精確位置及基於缺陷資訊檢查已知DOI是否存在於該等位置上。更具體言之，在檢驗期間，設置期間產生之模板及缺陷資訊可發送至電腦系統，諸如本文中進一步描述之電腦系統。舉例而言，在一實施例中，偵測步驟包含將目標之資訊提供至缺陷偵測模組(諸如本文中描述之電腦系統)以準確識別潛在DOI位置。以此方式，模板可用於尋找目標候選者之精確位置。舉例而言，在一實施例中，偵測步驟包含藉由將在設置期間獲得之模板與在缺陷偵測期間獲得之目標候選者之影像相互關聯而在目標候選者之影像中識別潛在DOI位置。 以此方式，可使用諸如NCC之任意適當相互關聯，將模板與針對一範圍內之目標候選者獲取之影像相互關聯。根據晶圓載物台不確定性及檢驗像素大小而判定此範圍。典型值係20個像素。對應於最大NCC值之像素之位置被選擇作為POI位置。可基於相對於POI位置之缺陷位置計算目標候選者位置。以此方式，在檢驗期間，本文中描述之實施例使用影像匹配尋找實質上準確的目標候選者位置。 在相同目標之多個POI位置出現在一影像中之情況中，針對一位置執行POI搜尋且計算從近似MCA位置至真實MCA位置之偏差。此偏差被應用於此影像中之其他近似MCA位置。無需搜尋所有POI位置。 可產生MCA以覆蓋潛在DOI位置之一者或多者。舉例而言，由於目標候選者位置實質上準確，故圍繞該位置界定MCA，如本文中進一步描述。MCA之大小可為舉例而言5像素×5像素。此外，由於本文中描述之實施例使用缺陷特定之資訊，故DOI偵測及妨害缺陷抑制更有效。 由於本文中描述之實施例執行基於目標之對準以實質上準確地定位所有潛在缺陷位置，故本文中描述之實施例比可在基於設計之方法中使用之基於刈幅對準之方法有利。刈幅係由時間延遲積分(TDI)感測器產生之覆蓋整個晶粒列之原始影像。基於刈幅之對準將關照區域與刈幅相互關聯。對於相對較小百分比之檢驗資料，基於刈幅之校準可失敗。在此未對準發生時，將不檢驗整個刈幅，或將歸因於未對準的檢驗資料而偵測及報告大量妨害缺陷。但是，本文中描述之實施例將不受此等對準問題影響，此係因為本文中描述之基於目標之相互關聯係局部執行。 可以任意適當方式執行將一或多個偵測參應用至目標候選者之影像。舉例而言，在一些實施例中，應用一或多個偵測參數包含使用潛在DOI位置之影像及參考影像產生差異影像；計算雜訊量度及臨限值及將臨限值應用至差異影像中之信號。在另一實施例中，方法包含判定鄰近潛在DOI位置之差異影像之一或多個特性，且應用一或多個偵測參數包含將臨限值應用至差異影像之一或多個特性之一或多個值。參考影像可為舉例而言其中尚未偵測到DOI之晶粒中之潛在DOI位置之影像、多個晶粒之中值影像或在設置時獲取之模板。舉例而言，在一實施例中，被應用一或多個偵測參數之潛在DOI位置之影像包含使用參考影像及測試影像產生之影像，且參考影像係POI之模板。以此方式，參考影像可能不是在檢驗期間獲取之影像。換言之，參考影像不限於檢驗期間獲取之影像。在另一實例中，可在晶圓上識別非缺陷目標候選者之位置，且可使用檢驗系統在該晶圓之該位置上獲取影像。可從在另一目標候選者之位置上獲取之影像減去此影像以產生差異影像，且諸如本文中描述之臨限值可應用至差異影像。差異影像中高於臨限值之任意信號可被識別為缺陷或潛在缺陷。使用電腦系統執行偵測已知DOI，該電腦系統可如文本中進一步描述組態。 使用模板作為參考影像之方法在特定情況中係有利的。舉例而言，若系統缺陷之數量實質上高，則晶圓上之大多數晶粒係缺陷的。因此，實質上可能的是多晶粒影像之中值係有缺陷的。因此，中值影像無法用作參考影像。參考影像可在設置時判定且被驗證為無缺陷。因此，可在檢驗期間使用參考影像。 在一些實施例中，方法包含基於目標之資訊判定一或多個偵測參數。舉例而言，一或多個偵測參數(或缺陷偵測演算法)可為雜訊自適應。即，若在針對目標獲取之影像中雜訊相對較高，則檢驗靈敏度可能設置為相對較低。否則，檢驗靈敏度可設置為相對較高。可藉由選擇施加至目標候選者之差異影像之相對較高臨限值而將檢驗靈敏度設定為相對較低。相比之下，可藉由選擇施加至目標候選者之差異影像之相對較低臨限值而將檢驗靈敏度設定為相對較高。此外，在另一實施例中，方法包含分別基於各目標類型之影像而單獨地針對各目標判定一或多個偵測參數。因此，由於方法可用於不同類型之目標，故不同臨限值可用於偵測不同類型之目標候選者中之缺陷。舉例而言，第一臨限值可用於偵測第一類型之目標候選者中之第一已知DOI，且第二不同臨限值可用於偵測第二不同類型之目標候選者中之第二不同已知DOI。 相同一或多個偵測參數可用於偵測具有相同目標類型之目標候選者之各者中之缺陷。但是，在另一實施例中，方法包含分別基於目標候選者之影像單獨地針對對其執行偵測已知DOI之目標候選者之各者判定一或多個偵測參數。以此方式，可逐個目標候選者判定(該等)偵測參數。舉例而言，一旦已識別潛在目標候選者或潛在DOI位置，則可判定局部區域中差異影像之標準差。接著，臨限值可判定為：臨限值=平均值+G+K*(局部區域之差異)之標準差，其中平均值係局部區域中差異影像之平均值且G及K係使用者定義之參數。G及K係帶正負號值。但是，各目標候選者之臨限值可以任意其他適當方式判定。 DOI資訊亦可用於判定潛在DOI位置上是否存在已知DOI。舉例而言，在額外實施例中，一或多個特性包含已知DOI之一或多個特性，諸如上述特性之任意者，且應用一或多個偵測參數包含將臨限值應用至自潛在DOI位置之影像判定之一或多個特性之一或多個值。在一此實例中，若已知DOI之特性(諸如極性)在DOI之間是一致的，則偵測DOI可包含針對特性的值設定臨限值。此基於極性之臨限值設定可應用於針對目標候選者獲取之影像，該影像與如上文描述針對目標候選者產生之模板或差異影像相互關聯。(該等)缺陷特性之臨限值設定可結合本文中描述之其他臨限值設定(例如，在差異影像中對信號設定臨限值)使用。以此方式使用缺陷特性(諸如極性及缺陷大小)亦可有助於抑制妨害缺陷偵測。 在又一實施例中，被應用一或多個偵測參數之潛在DOI位置之影像係圍繞潛在DOI位置之關照區域之影像，且基於鄰近POI或在POI中發生之已知DOI之大小來判定關照區域。舉例而言，大致在目標候選者之位置上獲取之影像之大小可能相對較大以確保實際針對目標候選者獲取影像。在一此實例中，圖3中所示之區域300可大致為在目標候選者上獲取之影像之大小。此外，區域300可為針對目標候選者產生之差異影像之大小。接著，可使用如上所述之相互關聯來判定該影像內之目標候選者之位置。接著，可使用已知比目標候選者大的區域以逐個目標候選者判定臨限值，如上所述。舉例而言，如圖3中所示，可使用區域300內之區域302以判定目標候選者之臨限值。接著，臨限值可應用於稍微大於已知DOI之區域之區域。舉例而言，如圖3中所示，區域302內之區域304可為被應用臨限值之區域，且區域304可稍微大於已知DOI之區域。在一此實例中，取決於已知DOI之大小，用於判定臨限值之影像之部分可為大約64像素×大約64像素，而被應用所判定之臨限值之區域可為大約5像素×5像素。減小被應用臨限值之差異影像之大小使影像中之雜訊將被誤識別為潛在DOI之可能性降低。此外，使用此一實質小區域作為被應用臨限值之關照區域允許使用實質低臨限值，而不偵測大量妨害缺陷。有鑑於此，本實施例中使用之關照區域被稱作微關照區域或MCA。相比之下，針對實質上靈敏檢驗使用相對較低臨限值之許多當前使用之檢驗方法偵測大量妨害缺陷，接著需需使該等缺陷與DOI分離。 在一實施例中，方法包含選擇目標之一或多個特性、選擇一或多個偵測參數及判定關照區域之一或多個參數，使得不在目標候選者中偵測除已知DOI外之缺陷(例如，僅檢驗其中已知DOI可能發生之位置)。舉例而言，可縮減關照區域以僅包含針對已知DOI之區域並且實質上排除不含已知DOI且僅含妨害缺陷之區域。特定言之，可圍繞已知DOI可能發生之位置界定關照區域。因此，可完全忽略關照區域外之雜訊。此外，由於目標或模板之影像可用於尋找目標候選者之實質精確位置，故關照區域可製作為實質小。本文中描述之實施例中使用之關照區域亦可實質小於其他當前使用之關照區域，此係因為其他方法無實質上準確定位目標候選者之機制。可判定越準確目標候選者位置，可使用之關照區域越小且將偵測之妨害缺陷越少。此外，本文中描述之實施例可藉由精選源自設計資料之關照區域位置而偵測系統缺陷。 雖然本文中參考搜尋目標候選者及偵測目標候選者中之已知DOI描述實施例，但是應瞭解，本文中描述之實施例可用於搜尋一種以上類型之目標候選者及偵測一種以上類型之目標候選者中之DOI。舉例而言，可能在晶圓上存在多種類型之橋接缺陷或相同類型之橋接可能發生在不同的晶圓結構中。此等橋接可被視作不同類型之目標。本文中描述之實施例可包含使用有關此等類型之目標之資訊以針對目標候選者之任意其他例項搜尋整個晶粒。圍繞此等目標候選者界定MCA且在檢驗期間精選MCA之位置。可針對目標候選者之各例項執行缺陷偵測。以此方式，本文中描述之實施例可用於跨整個晶圓檢驗目標候選者。 在一實施例中，使用晶圓或另一晶圓之設計資料執行方法之步驟。換言之，方法之任意步驟無需晶圓或另一晶圓之設計資料。因此，本文中描述之實施例有利在於其等無需設計資料。而是，使用除GDS資訊以外之檢驗影像。就此點而言，GDS可用性不成問題。相比之下，使用熱點之方法需要設計資料才能執行。此等方法有時亦需來自具有設計知識的一些人(例如，客戶)的支援。但是，由於本文中描述之實施例無需任意設計資料，故任意使用者可執行檢驗，其係重要的優點，尤其因為可能無法在所有情況中獲得設計資料。 在一實施例中，方法之各步驟可獨立使用晶圓或另一晶圓之設計資料。舉例而言，本文中描述之實施例可適用於自設計資料之提供資訊。舉例而言，設計工程師可指定易遭受橋接缺陷且想要監測位置之晶圓結構。可產生目標資訊，且可在晶粒中執行搜尋以尋找具有與目標相同之圖案的所有目標候選者。可在此等目標候選者中執行缺陷偵測以尋找此晶圓或其他晶圓上之其他目標。在另一實施例中，可執行基於設計之圖案搜尋以尋找晶粒上之所有目標候選者。本文中描述之實施例可產生目標資訊，跳過基於影像之搜尋並在此等目標候選者上執行缺陷偵測。 本文中描述之實施例亦可執行為基於設計之檢驗。舉例而言，所有目標候選者位置可用作熱點位置。基於設計之檢驗產生圍繞熱點之相對較小關照區域並執行圖塊至設計對準以精選關照區域位置。接著，在熱點處執行缺陷偵測。 在另一實施例中，對應於已知DOI之目標候選者之影像中之信號大致等於或弱於對應於晶圓上之妨害缺陷之信號。舉例而言，定期檢驗可涉及在覆蓋晶粒之多數區域之檢驗關照區域中執行缺陷偵測。在DOI之信號比假(妨害)缺陷弱得多的情況中，可藉由現有方法偵測絕大多數假缺陷。舉例而言，為了偵測具有相對較弱信號之缺陷，可執行實質上靈敏的檢驗，其亦偵測許多妨害缺陷。妨害缺陷計數可能大於總偵測事件之99%。實質上難以在此等大量妨害缺陷中尋找DOI。舉例而言，可針對來自影像之各缺陷計算特徵向量及缺陷屬性並且於缺陷分類中使用特徵向量及缺陷屬性。但是，有時，無法分離DOI與妨害缺陷，此係因為此兩種類型之事件可在特徵向量及屬性空間中佔據相同區域。因此，需額外資訊用於解決此問題。此外，若使用較不靈敏的檢驗，則妨害率可顯著減小，但DOI亦可能丟失(即，未被偵測到)。 相比之下，本文中描述之實施例抑制大量妨害缺陷。舉例而言，本文中描述之實施例使用以特定DOI為目標且對於缺陷偵測非常相關的資訊。分類方法在妨害事件被偵測到後移除妨害缺陷。本文中描述之實施例嘗試防止妨害事件被偵測。更具體言之，本文中描述之實施例允許運行高靈敏檢驗，同時藉由檢驗已知DOI將可能出現之區域(即，目標候選者)中之晶圓而控制妨害缺陷數。換言之，如本文中描述，使用實質上準確缺陷位置資訊係對妨害缺陷抑制的主要貢獻。以此方式，本文中描述之實施例可用重複結構中針對具有相對較弱信號已知DOI達成顯著妨害缺陷抑制。因此，本文中描述之實施例可偵測DOI並更準確地抑制妨害缺陷。 本文中描述之實施例可補充亦可用於檢驗晶圓之任意其他檢驗。舉例而言，在另一實施例中，方法包含獲取晶圓或另一晶圓之其他影像及使用其他影像以偵測晶圓或另一晶圓上之其他缺陷。在一此實例中，針對其他區域，定期檢驗可照常設置並運行以偵測隨機分佈之缺陷，且可運行本文中描述之實施例以偵測具有相對較弱信號之系統缺陷。此外，可在一測試中執行如本文中描述之偵測已知DOI及定期檢驗，藉此提供顯著處理量優勢。舉例而言，本文中描述之實施例可用於偵測具有相對較弱信號之已知DOI且可與任意一般檢驗方法並行運行。 本文中描述之實施例亦可用於特定妨害缺陷移除。舉例而言，可如本文中描述執行本文中描述之實施例，而非針對已知DOI執行本文中描述之實施例，可針對已知系統妨害缺陷執行實施例。已知妨害缺陷可被定義為移除目標。本文中描述之實施例可搜尋晶粒上之移除目標候選者且不在移除目標候選者上執行缺陷偵測。因此，將不偵測此類型之妨害缺陷。 上述方法之實施例之各者可包含本文中描述之(諸)任意其他方法之(諸)任意其他步驟。此外，可藉由本文中描述之任意系統執行上述方法之實施例之各者。 本文中描述之所有方法可包含：在非暫時性電腦可讀儲存媒體中儲存方法實施例之一或多個步驟之結果。結果可包含本文中描述之任意結果並可以此項領域中已知之任意方式予以儲存。儲存媒體可包含本文中描述之任意儲存媒體或此項領域中已知之任意其他適當儲存媒體。在已儲存結果後，可在儲存媒體中存取結果並由本文中描述之任意方法或系統實施例使用結果；格式化結果以顯示給使用者；由另一軟體模組、方法或系統使用結果等。舉例而言，在方法偵測缺陷後，方法可包含在儲存媒體中儲存有關所偵測之缺陷之資訊。 額外實施例係關於非暫時性電腦可讀媒體，其儲存可在電腦系統上執行之程式指令，用於執行用於偵測晶圓上之缺陷之電腦實施方法。在圖4中展示一此實施例。特定言之，如圖4中所示，非暫時性電腦可讀媒體400包含可在電腦系統404上執行之程式指令402。電腦實施方法包含上述方法之步驟。可執行其程式指令之電腦實施方法可包含本文中描述之(諸)任意其他步驟。 實施諸如本文中描述之方法之方法之程式指令402可儲存在電腦可讀媒體400上。電腦可讀媒體可為儲存媒體，諸如磁碟或光碟、磁帶或此項領域中已知的任意其他適當非暫時性電腦可讀媒體。 可以任意不同方式實施程式指令，包含基於程序之技術、基於組件之技術及/或物件導向之技術等等。舉例而言，程式指令可根據需要使用ActiveX控制項、C++物件、JavaBeans、Microsoft Foundation Classes(「MFC」)或其他技術或方法實施。 電腦系統可採用不同形式，包含個人電腦系統、影像電腦、大型主機電腦系統、工作站、網路設備、網際網路設備或其他裝置。一般而言，術語「電腦系統」可廣泛地定義為涵蓋具有一或多個處理器之任意裝置，其執行來自記憶體媒體之指令。電腦系統亦可包含此項領域中已知之任意適當處理器，諸如並行處理器。此外，電腦系統可包含具有高速處理及軟體之電腦平台，其作為獨立工具或網路化工具。 另一實施例係關於經組態以偵測晶圓上之缺陷之系統。在圖5中展示此一系統之一實施例。系統包含經組態以獲取晶圓上之目標之資訊之檢驗子系統。檢驗子系統可包含任意適當檢驗子系統，諸如e光束檢驗子系統。適當e光束檢驗子系統之實例包含市售之e光束檢驗工具(諸如來自KLA-Tencor，Milpitas，Calif之eSxxx工具)中包含之子系統。或者，檢驗子系統可包含光學檢驗子系統，其可具有如本文中描述之組態。 目標包含形成在晶圓上之POI及鄰近POI或在POI中發生之已知DOI。可進一步如本文中描述組態目標。資訊包含藉由使晶圓上之目標成像而獲取之晶圓上之目標之影像。目標之影像可包含任意適當資料、影像資料、信號或影像信號。檢驗子系統可以任意方式使晶圓上之目標成像。目標之資訊可包含本文中描述之任意其他目標資訊。 檢驗子系統亦經組態以搜尋晶圓或另一晶圓上之目標候選者。目標候選者包含POI。目標候選者可如本文中描述組態。如圖5中所示，檢驗子系統包含光源502。光源502可包含此項領域中已知之任意適當光源，諸如雷射。光源502經組態以將光引導至光束分光器504，該光束分光器504經組態以將來自光源502之光反射至折射光學元件506。折射光學元件506經組態以使來自光束分光器504之光聚焦至晶圓508。光束分光器504可包含任意適當光束分光器，諸如50/50光束分光器。折射光學元件506可包含任意適當折射光學元件，且雖然折射光學元件506在圖5中展示為單個折射光學元件，但是其可用一或多個折射光學元件及/或一或多個反射光學元件取代。 光源502、光束分光器504及折射光學元件506因此可形成檢驗子系統之照明子系統。照明子系統可包含任意其他適當元件(圖5中未展示)，諸如一或多個偏光組件及一或多個濾光器，諸如光譜濾光器。如圖5中所示，光源、光束分光器及折射光學元件經組態使得光按法向或實質上法向入射角被引導至晶圓。但是，光可按任意其他適當入射角被引導至晶圓。檢驗子系統可經組態從而以任意適當方式在晶圓上掃描光。 從晶圓508反射之光可被折射光學元件506收集並可透過光束分光器504被引導至偵測器510。因此，折射光學元件、光束分光器及偵測器可形成檢驗子系統之偵測子系統。偵測器可包含此項領域中已知之任意適當成像偵測器，諸如電荷耦合器件(CCD)。偵測子系統亦可包含一或多個額外組件(圖5中未展示)，諸如一或多個偏光組件、一或多個空間濾光器、一或多個光譜濾光器及類似組件。偵測器510經組態以產生回應於被偵測器偵測到之反射光之影像。 系統亦包含電腦系統512，該電腦系統512經組態以藉由識別目標候選者之影像中之潛在DOI位置及將一或多個偵測參數應用至潛在DOI位置之影像而偵測目標候選者中之已知DOI。電腦系統可識別位置並應用一或多個偵測參數，如本文中進一步描述。此外，電腦系統可經組態以執行本文中描述之(諸)任意其他步驟。由偵測器產生之影像可被提供至電腦系統512。舉例而言，電腦系統可耦合至偵測器(例如，藉由圖5中之虛線所示之一或多個傳輸媒體，其可包含此項領域中已知之任意適當傳輸媒體)，使得電腦系統可接收由偵測器產生之影像。電腦系統可以任意適當方式耦合至偵測器。電腦系統可如本文中描述進一步組態。檢驗子系統亦可如本文中描述進一步組態。此外，系統可如本文中描述進一步組態。 應注意，本文中提供圖5以大致繪示可包含在本文中描述之系統實施例中之檢驗子系統之一組態。顯然，可更改本文中描述之檢驗子系統組態以使檢驗系統之效能最佳化，猶如在設計商用檢驗系統時正常執行。此外，可使用現有檢驗系統(諸如可購自KLA-Tencor之28XX、29XX及Puma 9XXX系列工具)實施本文中描述之系統，例如，藉由將本文中描述之功能性加至現有檢驗系統。對於一些此等系統，本文中描述之方法可提供為系統之視需要功能性(例如，補充系統之其他功能性)。或者，本文中描述之系統可「從頭開始」設計以提供全新系統。 雖然檢驗子系統在上文中被描述為亮場(BF)檢驗子系統，但是應瞭解，檢驗子系統亦可或替代地組態為暗場(DF)檢驗子系統(即，檢驗子系統經組態以使用散射光來偵測缺陷)。 熟習此項技術者鑑於本說明書將瞭解本發明之不同態樣之其他修改例及替代實施例。舉例而言，提供用於偵測晶圓上之缺陷之方法及系統。因此，本描述將僅被解釋為闡釋性且用於教示熟習此項技術者執行本發明之一般方式之目的。應瞭解，本文中展示及描述之本發明之形式將被視作目前較佳的實施例。元件及材料可取代本文中繪示及描述之元件及材料，零件及程序可顛倒且本發明之特定特徵可獨立被利用，皆如此項領域技術人員在受益於本發明之描述後所瞭解。可對本文中描述之元件進行變更而不脫離如下文申請專利範圍中描述之本發明之精神及範疇。
100‧‧‧圖案
102‧‧‧圖案
104‧‧‧關注缺陷(DOI)
106‧‧‧經圖案化特徵
108‧‧‧經圖案化特徵
200‧‧‧晶圓
202‧‧‧晶粒
204‧‧‧關注圖案(POI)/第一關注圖案(POI)
206‧‧‧關注圖案(POI)/第二關注圖案(POI)
210‧‧‧關注圖案(POI)
212‧‧‧圖案
214‧‧‧關注缺陷(DOI)
216‧‧‧微關照區域(MCA)
218‧‧‧關注圖案(POI)
220‧‧‧圖案
222‧‧‧關注缺陷(DOI)
224‧‧‧微關照區域(MCA)
226‧‧‧關注缺陷(DOI)
228‧‧‧關注缺陷(DOI)
230‧‧‧微關照區域(MCA)
232‧‧‧微關照區域(MCA)
234‧‧‧微關照區域(MCA)
300‧‧‧區域
302‧‧‧區域
304‧‧‧區域
400‧‧‧非暫時性電腦可讀媒體
402‧‧‧程式指令
404‧‧‧電腦系統
502‧‧‧光源
504‧‧‧光束分光器
506‧‧‧折射光學元件
508‧‧‧晶圓
510‧‧‧偵測器
512‧‧‧電腦系統
在閱讀下文詳細描述時及在參考附圖時，將瞭解本發明之其他目的及優點，其中： 圖1係繪示形成在晶圓上之圖案之一實施例之平面圖之示意圖，且該圖案具有在該圖案中偵測到之已知關注缺陷(DOI)； 圖2係繪示其上多個晶粒及多個關注圖案(POI)形成在多個晶粒內之晶圓之一實施例之平面圖之示意圖； 圖2a至圖2d係繪示POI、靠近POI或在POI中發生之一或多個已知DOI、可針對已知DOI產生之一或多個微關照區域之不同實施例之平面圖之示意圖； 圖3係繪示影像、用於判定一或多個偵測參數之影像內之區域及被應用一或多個偵測參數之影像內之區域之一實施例之平面圖之示意圖； 圖4係儲存可在電腦系統上執行用於執行本文中描述之電腦實施方法之一者或多者之非暫時性電腦可讀媒體之一實施例之方塊圖；及 圖5係繪示經組態以偵測晶圓上之缺陷之系統之一實施例之側視圖之示意圖。 雖然本發明可具有不同修改及替代形式，但是其等之特定實施例僅舉例而言展示在圖式中且將在本文中詳細描述。但是，應瞭解圖式及其等之詳細描述非意圖將本發明限於所揭示之特定形式，而是相反，本發明將涵蓋落在如隨附申請專利範圍所定義之本發明之精神及範疇內之所有修改例、等效例及替代例。

Claims (23)

  1. 一種用於偵測一晶圓上之缺陷之電腦實施方法，其包括： 獲取一晶圓上之一目標之資訊，其中該目標包括形成在該晶圓上之一關注圖案及具有相對於該關注圖案之一位置為已知及唯一之一位置之一已知關注缺陷，且其中該資訊包括藉由使該晶圓上之該目標成像而獲取之該晶圓上之該目標之一影像、該晶圓上之該關注圖案之該位置及該已知關注缺陷相對於該關注圖案之該位置； 搜尋該晶圓或另一晶圓上之目標候選者，其中該等目標候選者包括該關注圖案；及 藉由識別該等目標候選者之影像中之潛在關注缺陷位置及將一或多個偵測參數應用至該等潛在關注缺陷位置之影像而偵測該等目標候選者中之該已知關注缺陷，其中使用一電腦系統執行該偵測。
  2. 一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存可在一電腦系統上執行之程式指令，用於執行用於偵測一晶圓上之缺陷之一電腦實施方法，其中該電腦實施方法包括： 獲取一晶圓上之一目標之資訊，其中該目標包括形成在該晶圓上之一關注圖案及具有相對於該關注圖案之一位置為已知及唯一之一位置之一已知關注缺陷，且其中該資訊包括藉由使該晶圓上之該目標成像而獲取之該晶圓上之該目標之一影像、該晶圓上之該關注圖案之該位置及該已知關注缺陷相對於該關注圖案之該位置； 搜尋該晶圓或另一晶圓上之目標候選者，其中該等目標候選者包括該關注圖案；及 藉由識別該等目標候選者之影像中之潛在關注缺陷位置及將一或多個偵測參數應用至該等潛在關注缺陷位置之影像而偵測該等目標候選者中之該已知關注缺陷。
  3. 一種經組態以偵測一晶圓上之缺陷之系統，其包括： 一檢驗子系統，其經組態以獲取一晶圓上之一目標之資訊，其中該目標包括形成在該晶圓上之一關注圖案及具有相對於該關注圖案之一位置為已知及唯一之一位置之一已知關注缺陷，且其中該資訊包括藉由使該晶圓上之該目標成像而獲取之該晶圓上之該目標之一影像、該晶圓上之該關注圖案之該位置及該已知關注缺陷相對於該關注圖案之該位置； 其中該檢驗子系統進一步經組態以搜尋該晶圓或另一晶圓上之目標候選者，其中該等目標候選者包括該關注圖案；及 一電腦系統，其經組態以藉由識別該等目標候選者之影像中之潛在關注缺陷位置及將一或多個偵測參數應用至該等潛在關注缺陷位置之影像而偵測該等目標候選者中之該已知關注缺陷。
  4. 如請求項3之系統，其中該檢驗子系統進一步經組態以不使用該晶圓或該另一晶圓之設計資料而獲取該資訊及搜尋該目標候選者，且其中該電腦系統進一步經組態以不使用該晶圓或該另一晶圓之該設計資料而偵測該已知關注缺陷。
  5. 如請求項3之系統，其中該電腦系統進一步經組態以藉由指定關照區域之大小、形狀及位置、模板之大小、形狀及位置、及其處在被應用該一或多個偵測參數之該等影像中判定該一或多個特性之區域而獲取該資訊。
  6. 如請求項3之系統，其中該關注圖案之一寬度及一高度分別短於形成在該晶圓及該另一晶圓上之晶粒之一寬度及一高度。
  7. 如請求項3之系統，其中該電腦系統進一步經組態以產生微關照區域以覆蓋該等潛在關注缺陷位置之一者或多者。
  8. 如請求項3之系統，其中該電腦系統進一步經組態以藉由將該關注圖案之一模板影像與用於偵測該已知關注缺陷之該等影像相互關聯而判定一關照區域位置。
  9. 如請求項3之系統，其中該電腦系統進一步經組態以選擇該目標之一或多個特性、選擇該一或多個偵測參數及判定一關照區域之一或多個參數，使得不在該等目標候選者中偵測除該已知關注缺陷外之缺陷。
  10. 如請求項3之系統，其中該檢驗子系統進一步經組態以獲取該晶圓或該另一晶圓之其他影像，且其中該電腦系統進一步經組態以使用該等其他影像以偵測該晶圓或該另一晶圓上之其他缺陷。
  11. 如請求項3之系統，其中被應用該一或多個偵測參數之該等影像包括使用一參考影像及一測試影像產生之影像，且其中該參考影像係該關注圖案之一模板。
  12. 如請求項3之系統，其中該電腦系統進一步經組態以藉由將該目標之該資訊提供至一缺陷偵測模組以準確識別該等潛在關注缺陷位置而偵測該已知關注缺陷。
  13. 如請求項3之系統，其中該電腦系統進一步經組態以藉由將在設置期間獲得之一模板與在藉由該電腦系統偵測該已知關注缺陷期間獲得之該等目標候選者之該等影像相互關聯，而識別該等目標候選者之該等影像中之該等潛在關注缺陷位置，藉以偵測該已知關注缺陷。
  14. 如請求項3之系統，其中該電腦系統進一步經組態以基於該目標之該資訊判定該一或多個偵測參數。
  15. 如請求項3之系統，其中該電腦系統進一步經組態以分別基於各類型之該等目標候選者之影像單獨地針對各類型之該等目標候選者判定該一或多個偵測參數。
  16. 如請求項3之系统，其中應用該一或多個偵測參數包括使用該等潛在關注缺陷位置之該等影像及一參考影像產生差異影像，及對該等差異影像中之信號應用一臨限值。
  17. 如請求項3之系統，其中該電腦系統進一步經組態以判定該等潛在關注缺陷位置之一差異影像之一或多個特性，且其中應用該一或多個偵測參數包含將一臨限值應用至該差異影像之該一或多個特性之一或多個值。
  18. 如請求項3之系统，其中被應用該一或多個偵測參數之該等潛在關注缺陷位置之該等影像係圍繞該等潛在關注缺陷位置之關照區域之影像，且其中該等關照區域基於相對於具有相對於該關注圖案之該位置為已知且唯一之該位置之該已知關注缺陷之一大小判定。
  19. 如請求項3之系統，其中該已知關注缺陷係在該晶圓上之特定圖案中重複發生之一缺陷。
  20. 如請求項3之系統，其中該已知關注缺陷係一系統缺陷。
  21. 如請求項3之系統，其中該檢測子系統進一步經組態為一電子束（electron beam）檢測子系統。
  22. 如請求項3之系統，其中該檢測子系統包括一成像偵測器，該成像偵測器經組態以偵測自該晶圓反射之光，並產生回應於被該偵測器所偵測之該經反射之光的一影像。
  23. 如請求項3之系統，其中該檢測子系統進一步經組態為一亮場（bright field）檢測子系統。
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Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9189844B2 (en) * 2012-10-15 2015-11-17 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using defect-specific information
US9235885B2 (en) * 2013-01-31 2016-01-12 Applied Materials Israel Ltd System, a method and a computer program product for patch-based defect detection
US8984450B2 (en) * 2013-03-14 2015-03-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for extracting systematic defects
US9098891B2 (en) 2013-04-08 2015-08-04 Kla-Tencor Corp. Adaptive sampling for semiconductor inspection recipe creation, defect review, and metrology
US9171364B2 (en) * 2013-06-21 2015-10-27 Kla-Tencor Corp. Wafer inspection using free-form care areas
SG11201606207WA (en) * 2014-02-12 2016-09-29 Asml Netherlands Bv Method of optimizing a process window
US9401016B2 (en) 2014-05-12 2016-07-26 Kla-Tencor Corp. Using high resolution full die image data for inspection
US9400865B2 (en) 2014-06-13 2016-07-26 Kla-Tencor Corp. Extracting comprehensive design guidance for in-line process control tools and methods
US9816939B2 (en) * 2014-07-22 2017-11-14 Kla-Tencor Corp. Virtual inspection systems with multiple modes
US10127653B2 (en) * 2014-07-22 2018-11-13 Kla-Tencor Corp. Determining coordinates for an area of interest on a specimen
US10483081B2 (en) 2014-10-22 2019-11-19 Kla-Tencor Corp. Self directed metrology and pattern classification
US10267746B2 (en) 2014-10-22 2019-04-23 Kla-Tencor Corp. Automated pattern fidelity measurement plan generation
US11669953B2 (en) * 2015-01-30 2023-06-06 Hitachi High-Tech Corporation Pattern matching device and computer program for pattern matching
US9767548B2 (en) * 2015-04-24 2017-09-19 Kla-Tencor Corp. Outlier detection on pattern of interest image populations
TWI683997B (zh) * 2015-05-28 2020-02-01 美商克萊譚克公司 用於在檢測工具上之動態看護區域產生的系統及方法
US10018571B2 (en) 2015-05-28 2018-07-10 Kla-Tencor Corporation System and method for dynamic care area generation on an inspection tool
US10062543B2 (en) 2015-06-23 2018-08-28 Kla-Tencor Corp. Determining multi-patterning step overlay error
KR102330738B1 (ko) * 2015-07-30 2021-11-23 케이엘에이 코포레이션 검사 도구에서의 동적 관리 영역 생성을 위한 시스템 및 방법
US10359371B2 (en) 2015-08-24 2019-07-23 Kla-Tencor Corp. Determining one or more characteristics of a pattern of interest on a specimen
TWI684225B (zh) * 2015-08-28 2020-02-01 美商克萊譚克公司 自定向計量和圖樣分類
US10535131B2 (en) * 2015-11-18 2020-01-14 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for region-adaptive defect detection
US10186028B2 (en) * 2015-12-09 2019-01-22 Kla-Tencor Corporation Defect signal to noise enhancement by reducing die to die process noise
US10338002B1 (en) * 2016-02-01 2019-07-02 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for selecting recipe for defect inspection
KR102483787B1 (ko) * 2016-02-25 2023-01-04 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치의 결함 모델링 장치 및 방법, 이를 위한 컴퓨터 프로그램과, 이를 이용한 반도체 장치의 결함 검사 시스템
CN108603850B (zh) * 2016-03-16 2020-10-13 株式会社日立高新技术 缺陷检查方法以及缺陷检查装置
US10339262B2 (en) * 2016-03-29 2019-07-02 Kla-Tencor Corporation System and method for defining care areas in repeating structures of design data
US9984454B2 (en) * 2016-04-22 2018-05-29 Kla-Tencor Corporation System, method and computer program product for correcting a difference image generated from a comparison of target and reference dies
US10346740B2 (en) * 2016-06-01 2019-07-09 Kla-Tencor Corp. Systems and methods incorporating a neural network and a forward physical model for semiconductor applications
US10304177B2 (en) * 2016-06-29 2019-05-28 Kla-Tencor Corporation Systems and methods of using z-layer context in logic and hot spot inspection for sensitivity improvement and nuisance suppression
KR102595300B1 (ko) 2016-07-04 2023-10-31 삼성전자주식회사 검사 방법 및 시스템, 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법
US11047806B2 (en) * 2016-11-30 2021-06-29 Kla-Tencor Corporation Defect discovery and recipe optimization for inspection of three-dimensional semiconductor structures
CN110709887B (zh) 2017-01-18 2023-10-24 Asml荷兰有限公司 级联缺陷检查
US10140400B2 (en) * 2017-01-30 2018-11-27 Dongfang Jingyuan Electron Limited Method and system for defect prediction of integrated circuits
US10600175B2 (en) * 2017-03-24 2020-03-24 Kla-Tencor Corporation Dynamic care areas for defect detection
US10648925B2 (en) * 2017-06-05 2020-05-12 Kla-Tencor Corporation Repeater defect detection
US10402963B2 (en) * 2017-08-24 2019-09-03 Kla-Tencor Corporation Defect detection on transparent or translucent wafers
US10997710B2 (en) * 2017-10-18 2021-05-04 Kla-Tencor Corporation Adaptive care areas for die-die inspection
US11222799B2 (en) * 2017-10-18 2022-01-11 Kla Corporation Swath selection for semiconductor inspection
US20190279914A1 (en) * 2018-03-09 2019-09-12 Kla-Tencor Corporation Region of interest and pattern of interest generation for critical dimension measurement
US10789703B2 (en) * 2018-03-19 2020-09-29 Kla-Tencor Corporation Semi-supervised anomaly detection in scanning electron microscope images
US10872406B2 (en) * 2018-04-13 2020-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Hot spot defect detecting method and hot spot defect detecting system
US11195268B2 (en) * 2018-05-22 2021-12-07 Kla-Tencor Corporation Target selection improvements for better design alignment
US10697900B2 (en) * 2018-06-19 2020-06-30 Kla-Tencor Corporation Correlating SEM and optical images for wafer noise nuisance identification
US10605745B2 (en) * 2018-06-28 2020-03-31 Applied Materials Israel Ltd. Guided inspection of a semiconductor wafer based on systematic defects
US11094053B2 (en) * 2018-10-08 2021-08-17 Kla Corporation Deep learning based adaptive regions of interest for critical dimension measurements of semiconductor substrates
WO2020083612A1 (en) * 2018-10-23 2020-04-30 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for adaptive alignment
US11430677B2 (en) * 2018-10-30 2022-08-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer taping apparatus and method
US11600505B2 (en) 2018-10-31 2023-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for systematic physical failure analysis (PFA) fault localization
KR20200050497A (ko) * 2018-11-01 2020-05-12 에스케이하이닉스 주식회사 포토레지스트 패턴에서 프린팅 결함을 검출하는 방법
US10964015B2 (en) * 2019-01-15 2021-03-30 International Business Machines Corporation Product defect detection
US20210158223A1 (en) * 2019-11-22 2021-05-27 Kla Corporation Finding Semiconductor Defects Using Convolutional Context Attributes
US20230067659A1 (en) * 2021-08-24 2023-03-02 Ford Global Technologies, Llc Systems and methods for detecting vehicle defects
CN114187294B (zh) * 2022-02-16 2022-05-17 常州铭赛机器人科技股份有限公司 基于先验信息的规则晶片定位方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100076699A1 (en) * 2008-09-24 2010-03-25 Ditza Auerbach Wafer defect detection system and method
US20100226562A1 (en) * 2004-12-07 2010-09-09 Kla-Tencor Technologies Corporation Computer-implemented methods for detecting and/or sorting defects in a design pattern of a reticle
TW201100779A (en) * 2009-01-13 2011-01-01 Semiconductor Technologies & Instr Pte Ltd System and method for inspecting a wafer (3)
US20120044486A1 (en) * 2009-01-26 2012-02-23 Kla-Tencor Corporation Detecting Defects on a Wafer

Family Cites Families (441)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3495269A (en) 1966-12-19 1970-02-10 Xerox Corp Electrographic recording method and apparatus with inert gaseous discharge ionization and acceleration gaps
US3496352A (en) 1967-06-05 1970-02-17 Xerox Corp Self-cleaning corona generating apparatus
US3909602A (en) 1973-09-27 1975-09-30 California Inst Of Techn Automatic visual inspection system for microelectronics
US4015203A (en) 1975-12-31 1977-03-29 International Business Machines Corporation Contactless LSI junction leakage testing method
US4247203A (en) 1978-04-03 1981-01-27 Kla Instrument Corporation Automatic photomask inspection system and apparatus
US4347001A (en) 1978-04-03 1982-08-31 Kla Instruments Corporation Automatic photomask inspection system and apparatus
FR2473789A1 (fr) 1980-01-09 1981-07-17 Ibm France Procedes et structures de test pour circuits integres a semi-conducteurs permettant la determination electrique de certaines tolerances lors des etapes photolithographiques.
US4378159A (en) 1981-03-30 1983-03-29 Tencor Instruments Scanning contaminant and defect detector
US4448532A (en) 1981-03-31 1984-05-15 Kla Instruments Corporation Automatic photomask inspection method and system
US4475122A (en) 1981-11-09 1984-10-02 Tre Semiconductor Equipment Corporation Automatic wafer alignment technique
US4926489A (en) 1983-03-11 1990-05-15 Kla Instruments Corporation Reticle inspection system
US4579455A (en) 1983-05-09 1986-04-01 Kla Instruments Corporation Photomask inspection apparatus and method with improved defect detection
US4532650A (en) 1983-05-12 1985-07-30 Kla Instruments Corporation Photomask inspection apparatus and method using corner comparator defect detection algorithm
US4555798A (en) 1983-06-20 1985-11-26 Kla Instruments Corporation Automatic system and method for inspecting hole quality
US4578810A (en) 1983-08-08 1986-03-25 Itek Corporation System for printed circuit board defect detection
JPS6062122A (ja) 1983-09-16 1985-04-10 Fujitsu Ltd マスクパターンの露光方法
US4599558A (en) 1983-12-14 1986-07-08 Ibm Photovoltaic imaging for large area semiconductors
US4595289A (en) 1984-01-25 1986-06-17 At&T Bell Laboratories Inspection system utilizing dark-field illumination
JPS60263807A (ja) 1984-06-12 1985-12-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd プリント配線板のパタ−ン欠陥検査装置
US4633504A (en) 1984-06-28 1986-12-30 Kla Instruments Corporation Automatic photomask inspection system having image enhancement means
US4817123A (en) 1984-09-21 1989-03-28 Picker International Digital radiography detector resolution improvement
JPH0648380B2 (ja) 1985-06-13 1994-06-22 株式会社東芝 マスク検査方法
US4734721A (en) 1985-10-04 1988-03-29 Markem Corporation Electrostatic printer utilizing dehumidified air
US4641967A (en) 1985-10-11 1987-02-10 Tencor Instruments Particle position correlator and correlation method for a surface scanner
US4928313A (en) 1985-10-25 1990-05-22 Synthetic Vision Systems, Inc. Method and system for automatically visually inspecting an article
US5046109A (en) 1986-03-12 1991-09-03 Nikon Corporation Pattern inspection apparatus
US4814829A (en) 1986-06-12 1989-03-21 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
US4805123B1 (en) 1986-07-14 1998-10-13 Kla Instr Corp Automatic photomask and reticle inspection method and apparatus including improved defect detector and alignment sub-systems
US4758094A (en) 1987-05-15 1988-07-19 Kla Instruments Corp. Process and apparatus for in-situ qualification of master patterns used in patterning systems
US4766324A (en) 1987-08-07 1988-08-23 Tencor Instruments Particle detection method including comparison between sequential scans
US4812756A (en) 1987-08-26 1989-03-14 International Business Machines Corporation Contactless technique for semicondutor wafer testing
US4845558A (en) 1987-12-03 1989-07-04 Kla Instruments Corporation Method and apparatus for detecting defects in repeated microminiature patterns
US4877326A (en) 1988-02-19 1989-10-31 Kla Instruments Corporation Method and apparatus for optical inspection of substrates
US5054097A (en) 1988-11-23 1991-10-01 Schlumberger Technologies, Inc. Methods and apparatus for alignment of images
US5155336A (en) 1990-01-19 1992-10-13 Applied Materials, Inc. Rapid thermal heating apparatus and method
US5124927A (en) 1990-03-02 1992-06-23 International Business Machines Corp. Latent-image control of lithography tools
JP3707172B2 (ja) 1996-01-24 2005-10-19 富士ゼロックス株式会社 画像読取装置
US5189481A (en) 1991-07-26 1993-02-23 Tencor Instruments Particle detector for rough surfaces
DE69208413T2 (de) 1991-08-22 1996-11-14 Kla Instr Corp Gerät zur automatischen Prüfung von Photomaske
US5563702A (en) 1991-08-22 1996-10-08 Kla Instruments Corporation Automated photomask inspection apparatus and method
CA2131692A1 (en) 1992-03-09 1993-09-16 Sybille Muller An anti-idiotypic antibody and its use in diagnosis and therapy in hiv-related disease
US6205259B1 (en) 1992-04-09 2001-03-20 Olympus Optical Co., Ltd. Image processing apparatus
JP2667940B2 (ja) 1992-04-27 1997-10-27 三菱電機株式会社 マスク検査方法およびマスク検出装置
JP3730263B2 (ja) 1992-05-27 2005-12-21 ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法
JP3212389B2 (ja) 1992-10-26 2001-09-25 株式会社キリンテクノシステム 固体上の異物検査方法
KR100300618B1 (ko) 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
US5448053A (en) 1993-03-01 1995-09-05 Rhoads; Geoffrey B. Method and apparatus for wide field distortion-compensated imaging
US5355212A (en) 1993-07-19 1994-10-11 Tencor Instruments Process for inspecting patterned wafers
US5453844A (en) 1993-07-21 1995-09-26 The University Of Rochester Image data coding and compression system utilizing controlled blurring
US5497381A (en) 1993-10-15 1996-03-05 Analog Devices, Inc. Bitstream defect analysis method for integrated circuits
US5544256A (en) 1993-10-22 1996-08-06 International Business Machines Corporation Automated defect classification system
JPH07159337A (ja) 1993-12-07 1995-06-23 Sony Corp 半導体素子の欠陥検査方法
US5500607A (en) 1993-12-22 1996-03-19 International Business Machines Corporation Probe-oxide-semiconductor method and apparatus for measuring oxide charge on a semiconductor wafer
US5553168A (en) 1994-01-21 1996-09-03 Texas Instruments Incorporated System and method for recognizing visual indicia
US5696835A (en) 1994-01-21 1997-12-09 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for aligning and measuring misregistration
US5883710A (en) 1994-12-08 1999-03-16 Kla-Tencor Corporation Scanning system for inspecting anomalies on surfaces
US5608538A (en) 1994-08-24 1997-03-04 International Business Machines Corporation Scan line queuing for high performance image correction
US5572608A (en) 1994-08-24 1996-11-05 International Business Machines Corporation Sinc filter in linear lumen space for scanner
US5528153A (en) 1994-11-07 1996-06-18 Texas Instruments Incorporated Method for non-destructive, non-contact measurement of dielectric constant of thin films
US6014461A (en) 1994-11-30 2000-01-11 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for automatic knowlege-based object identification
US5694478A (en) 1994-12-15 1997-12-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method and apparatus for detecting and identifying microbial colonies
US5948972A (en) 1994-12-22 1999-09-07 Kla-Tencor Corporation Dual stage instrument for scanning a specimen
CA2139182A1 (en) 1994-12-28 1996-06-29 Paul Chevrette Method and system for fast microscanning
US5661408A (en) 1995-03-01 1997-08-26 Qc Solutions, Inc. Real-time in-line testing of semiconductor wafers
US5991699A (en) 1995-05-04 1999-11-23 Kla Instruments Corporation Detecting groups of defects in semiconductor feature space
US5644223A (en) 1995-05-12 1997-07-01 International Business Machines Corporation Uniform density charge deposit source
US5485091A (en) 1995-05-12 1996-01-16 International Business Machines Corporation Contactless electrical thin oxide measurements
TW341664B (en) 1995-05-12 1998-10-01 Ibm Photovoltaic oxide charge measurement probe technique
US6288780B1 (en) 1995-06-06 2001-09-11 Kla-Tencor Technologies Corp. High throughput brightfield/darkfield wafer inspection system using advanced optical techniques
US20020054291A1 (en) 1997-06-27 2002-05-09 Tsai Bin-Ming Benjamin Inspection system simultaneously utilizing monochromatic darkfield and broadband brightfield illumination sources
US5649169A (en) 1995-06-20 1997-07-15 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for declustering semiconductor defect data
US5594247A (en) 1995-07-07 1997-01-14 Keithley Instruments, Inc. Apparatus and method for depositing charge on a semiconductor wafer
US5773989A (en) 1995-07-14 1998-06-30 University Of South Florida Measurement of the mobile ion concentration in the oxide layer of a semiconductor wafer
US5621519A (en) 1995-07-31 1997-04-15 Neopath, Inc. Imaging system transfer function control method and apparatus
US5619548A (en) 1995-08-11 1997-04-08 Oryx Instruments And Materials Corp. X-ray thickness gauge
WO1997013370A1 (en) 1995-10-02 1997-04-10 Kla Instruments Corporation Alignment correction prior to image sampling in inspection systems
US5754678A (en) 1996-01-17 1998-05-19 Photon Dynamics, Inc. Substrate inspection apparatus and method
JPH09320505A (ja) 1996-03-29 1997-12-12 Hitachi Ltd 電子線式検査方法及びその装置並びに半導体の製造方法及びその製造ライン
US5673208A (en) 1996-04-11 1997-09-30 Micron Technology, Inc. Focus spot detection method and system
US5917332A (en) 1996-05-09 1999-06-29 Advanced Micro Devices, Inc. Arrangement for improving defect scanner sensitivity and scanning defects on die of a semiconductor wafer
US5742658A (en) 1996-05-23 1998-04-21 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and method for determining the elemental compositions and relative locations of particles on the surface of a semiconductor wafer
JP3634505B2 (ja) 1996-05-29 2005-03-30 株式会社ルネサステクノロジ アライメントマーク配置方法
US6205239B1 (en) 1996-05-31 2001-03-20 Texas Instruments Incorporated System and method for circuit repair
US6292582B1 (en) 1996-05-31 2001-09-18 Lin Youling Method and system for identifying defects in a semiconductor
US6091846A (en) 1996-05-31 2000-07-18 Texas Instruments Incorporated Method and system for anomaly detection
US6246787B1 (en) 1996-05-31 2001-06-12 Texas Instruments Incorporated System and method for knowledgebase generation and management
IL118804A0 (en) 1996-07-05 1996-10-31 Orbot Instr Ltd Data converter apparatus and method particularly useful for a database-to-object inspection system
US5822218A (en) 1996-08-27 1998-10-13 Clemson University Systems, methods and computer program products for prediction of defect-related failures in integrated circuits
US5767693A (en) 1996-09-04 1998-06-16 Smithley Instruments, Inc. Method and apparatus for measurement of mobile charges with a corona screen gun
US6076465A (en) 1996-09-20 2000-06-20 Kla-Tencor Corporation System and method for determining reticle defect printability
KR100200734B1 (ko) 1996-10-10 1999-06-15 윤종용 에어리얼 이미지 측정 장치 및 방법
US5866806A (en) 1996-10-11 1999-02-02 Kla-Tencor Corporation System for locating a feature of a surface
US5928389A (en) 1996-10-21 1999-07-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for priority based scheduling of wafer processing within a multiple chamber semiconductor wafer processing tool
US6259960B1 (en) 1996-11-01 2001-07-10 Joel Ltd. Part-inspecting system
US5852232A (en) 1997-01-02 1998-12-22 Kla-Tencor Corporation Acoustic sensor as proximity detector
US5978501A (en) 1997-01-03 1999-11-02 International Business Machines Corporation Adaptive inspection method and system
US5955661A (en) 1997-01-06 1999-09-21 Kla-Tencor Corporation Optical profilometer combined with stylus probe measurement device
US5795685A (en) 1997-01-14 1998-08-18 International Business Machines Corporation Simple repair method for phase shifting masks
US5889593A (en) 1997-02-26 1999-03-30 Kla Instruments Corporation Optical system and method for angle-dependent reflection or transmission measurement
US5980187A (en) 1997-04-16 1999-11-09 Kla-Tencor Corporation Mechanism for transporting semiconductor-process masks
US6121783A (en) 1997-04-22 2000-09-19 Horner; Gregory S. Method and apparatus for establishing electrical contact between a wafer and a chuck
US6097196A (en) 1997-04-23 2000-08-01 Verkuil; Roger L. Non-contact tunnelling field measurement for a semiconductor oxide layer
US6078738A (en) 1997-05-08 2000-06-20 Lsi Logic Corporation Comparing aerial image to SEM of photoresist or substrate pattern for masking process characterization
KR100308811B1 (ko) 1997-05-10 2001-12-15 박종섭 Gps를이용한시간및주파수발생장치의시간오차개선방법
US6201999B1 (en) 1997-06-09 2001-03-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for automatically generating schedules for wafer processing within a multichamber semiconductor wafer processing tool
US6011404A (en) 1997-07-03 2000-01-04 Lucent Technologies Inc. System and method for determining near--surface lifetimes and the tunneling field of a dielectric in a semiconductor
US6072320A (en) 1997-07-30 2000-06-06 Verkuil; Roger L. Product wafer junction leakage measurement using light and eddy current
US6104206A (en) 1997-08-05 2000-08-15 Verkuil; Roger L. Product wafer junction leakage measurement using corona and a kelvin probe
US5834941A (en) 1997-08-11 1998-11-10 Keithley Instruments, Inc. Mobile charge measurement using corona charge and ultraviolet light
US6191605B1 (en) 1997-08-18 2001-02-20 Tom G. Miller Contactless method for measuring total charge of an insulating layer on a substrate using corona charge
JP2984633B2 (ja) 1997-08-29 1999-11-29 日本電気株式会社 参照画像作成方法およびパターン検査装置
US6470489B1 (en) 1997-09-17 2002-10-22 Numerical Technologies, Inc. Design rule checking system and method
US6578188B1 (en) 1997-09-17 2003-06-10 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for a network-based mask defect printability analysis system
US6757645B2 (en) 1997-09-17 2004-06-29 Numerical Technologies, Inc. Visual inspection and verification system
US7107571B2 (en) 1997-09-17 2006-09-12 Synopsys, Inc. Visual analysis and verification system using advanced tools
US5965306A (en) 1997-10-15 1999-10-12 International Business Machines Corporation Method of determining the printability of photomask defects
US5874733A (en) 1997-10-16 1999-02-23 Raytheon Company Convergent beam scanner linearizing method and apparatus
US6233719B1 (en) 1997-10-27 2001-05-15 Kla-Tencor Corporation System and method for analyzing semiconductor production data
US6097887A (en) 1997-10-27 2000-08-01 Kla-Tencor Corporation Software system and method for graphically building customized recipe flowcharts
EP1025511A4 (en) 1997-10-27 2002-09-11 Kla Tencor Corp SOFTWARE SYSTEM AND METHOD FOR GRAPHIC CREATION OF PERSONALIZED RECIPE ORGANIZATION CHART
US6110011A (en) 1997-11-10 2000-08-29 Applied Materials, Inc. Integrated electrodeposition and chemical-mechanical polishing tool
US6104835A (en) 1997-11-14 2000-08-15 Kla-Tencor Corporation Automatic knowledge database generation for classifying objects and systems therefor
JPH11162832A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Nikon Corp 走査露光方法及び走査型露光装置
US5999003A (en) 1997-12-12 1999-12-07 Advanced Micro Devices, Inc. Intelligent usage of first pass defect data for improved statistical accuracy of wafer level classification
US6614520B1 (en) 1997-12-18 2003-09-02 Kla-Tencor Corporation Method for inspecting a reticle
US6060709A (en) 1997-12-31 2000-05-09 Verkuil; Roger L. Apparatus and method for depositing uniform charge on a thin oxide semiconductor wafer
US6122017A (en) 1998-01-22 2000-09-19 Hewlett-Packard Company Method for providing motion-compensated multi-field enhancement of still images from video
US6175645B1 (en) 1998-01-22 2001-01-16 Applied Materials, Inc. Optical inspection method and apparatus
US6171737B1 (en) 1998-02-03 2001-01-09 Advanced Micro Devices, Inc. Low cost application of oxide test wafer for defect monitor in photolithography process
US6391166B1 (en) 1998-02-12 2002-05-21 Acm Research, Inc. Plating apparatus and method
US6091845A (en) 1998-02-24 2000-07-18 Micron Technology, Inc. Inspection technique of photomask
US5932377A (en) 1998-02-24 1999-08-03 International Business Machines Corporation Exact transmission balanced alternating phase-shifting mask for photolithography
US6091257A (en) 1998-02-26 2000-07-18 Verkuil; Roger L. Vacuum activated backside contact
US6295374B1 (en) 1998-04-06 2001-09-25 Integral Vision, Inc. Method and system for detecting a flaw in a sample image
US6408219B2 (en) 1998-05-11 2002-06-18 Applied Materials, Inc. FAB yield enhancement system
US6282309B1 (en) 1998-05-29 2001-08-28 Kla-Tencor Corporation Enhanced sensitivity automated photomask inspection system
US6137570A (en) 1998-06-30 2000-10-24 Kla-Tencor Corporation System and method for analyzing topological features on a surface
US6987873B1 (en) 1998-07-08 2006-01-17 Applied Materials, Inc. Automatic defect classification with invariant core classes
JP2000089148A (ja) 1998-07-13 2000-03-31 Canon Inc 光走査装置及びそれを用いた画像形成装置
US6324298B1 (en) 1998-07-15 2001-11-27 August Technology Corp. Automated wafer defect inspection system and a process of performing such inspection
US6266437B1 (en) 1998-09-04 2001-07-24 Sandia Corporation Sequential detection of web defects
US6466314B1 (en) 1998-09-17 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Reticle design inspection system
US6040912A (en) 1998-09-30 2000-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for detecting process sensitivity to integrated circuit layout using wafer to wafer defect inspection device
US6122046A (en) 1998-10-02 2000-09-19 Applied Materials, Inc. Dual resolution combined laser spot scanning and area imaging inspection
US6535628B2 (en) 1998-10-15 2003-03-18 Applied Materials, Inc. Detection of wafer fragments in a wafer processing apparatus
US6393602B1 (en) 1998-10-21 2002-05-21 Texas Instruments Incorporated Method of a comprehensive sequential analysis of the yield losses of semiconductor wafers
JP3860347B2 (ja) 1998-10-30 2006-12-20 富士通株式会社 リンク処理装置
US6248486B1 (en) 1998-11-23 2001-06-19 U.S. Philips Corporation Method of detecting aberrations of an optical imaging system
US6476913B1 (en) 1998-11-30 2002-11-05 Hitachi, Ltd. Inspection method, apparatus and system for circuit pattern
US6529621B1 (en) 1998-12-17 2003-03-04 Kla-Tencor Mechanisms for making and inspecting reticles
US6539106B1 (en) 1999-01-08 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Feature-based defect detection
US6373975B1 (en) 1999-01-25 2002-04-16 International Business Machines Corporation Error checking of simulated printed images with process window effects included
US6336082B1 (en) 1999-03-05 2002-01-01 General Electric Company Method for automatic screening of abnormalities
US6252981B1 (en) 1999-03-17 2001-06-26 Semiconductor Technologies & Instruments, Inc. System and method for selection of a reference die
US6427024B1 (en) * 1999-04-02 2002-07-30 Beltronics, Inc. Apparatus for and method of automatic optical inspection of electronic circuit boards, wafers and the like for defects, using skeletal reference inspection and separately programmable alignment tolerance and detection parameters
US7106895B1 (en) 1999-05-05 2006-09-12 Kla-Tencor Method and apparatus for inspecting reticles implementing parallel processing
AU3676500A (en) 1999-05-07 2000-11-21 Nikon Corporation Aligner, microdevice, photomask, exposure method, and method of manufacturing device
EP1190238A1 (en) 1999-05-18 2002-03-27 Applied Materials, Inc. Method of and apparatus for inspection of articles by comparison with a master
US6526164B1 (en) 1999-05-27 2003-02-25 International Business Machines Corporation Intelligent photomask disposition
US6407373B1 (en) 1999-06-15 2002-06-18 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for reviewing defects on an object
US6922482B1 (en) 1999-06-15 2005-07-26 Applied Materials, Inc. Hybrid invariant adaptive automatic defect classification
EP1065567A3 (en) 1999-06-29 2001-05-16 Applied Materials, Inc. Integrated critical dimension control
JP3816390B2 (ja) 1999-07-02 2006-08-30 富士通株式会社 サービス割り当て装置
US6776692B1 (en) 1999-07-09 2004-08-17 Applied Materials Inc. Closed-loop control of wafer polishing in a chemical mechanical polishing system
US6466895B1 (en) 1999-07-16 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Defect reference system automatic pattern classification
US6248485B1 (en) 1999-07-19 2001-06-19 Lucent Technologies Inc. Method for controlling a process for patterning a feature in a photoresist
US6754305B1 (en) 1999-08-02 2004-06-22 Therma-Wave, Inc. Measurement of thin films and barrier layers on patterned wafers with X-ray reflectometry
US6466315B1 (en) 1999-09-03 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Method and system for reticle inspection by photolithography simulation
US20020144230A1 (en) 1999-09-22 2002-10-03 Dupont Photomasks, Inc. System and method for correcting design rule violations in a mask layout file
KR100335491B1 (ko) 1999-10-13 2002-05-04 윤종용 공정 파라미터 라이브러리를 내장한 웨이퍼 검사장비 및 웨이퍼 검사시의 공정 파라미터 설정방법
US6268093B1 (en) 1999-10-13 2001-07-31 Applied Materials, Inc. Method for reticle inspection using aerial imaging
FR2801673B1 (fr) 1999-11-26 2001-12-28 Pechiney Aluminium Procede de mesure du degre et de l'homogeneite de calcination des alumines
US6999614B1 (en) 1999-11-29 2006-02-14 Kla-Tencor Corporation Power assisted automatic supervised classifier creation tool for semiconductor defects
AU1553601A (en) 1999-11-29 2001-06-12 Olympus Optical Co., Ltd. Defect inspecting system
US7190292B2 (en) 1999-11-29 2007-03-13 Bizjak Karl M Input level adjust system and method
US6738954B1 (en) 1999-12-08 2004-05-18 International Business Machines Corporation Method for prediction random defect yields of integrated circuits with accuracy and computation time controls
US6553329B2 (en) 1999-12-13 2003-04-22 Texas Instruments Incorporated System for mapping logical functional test data of logical integrated circuits to physical representation using pruned diagnostic list
US6771806B1 (en) 1999-12-14 2004-08-03 Kla-Tencor Multi-pixel methods and apparatus for analysis of defect information from test structures on semiconductor devices
US6445199B1 (en) 1999-12-14 2002-09-03 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus for generating spatially resolved voltage contrast maps of semiconductor test structures
US6701004B1 (en) 1999-12-22 2004-03-02 Intel Corporation Detecting defects on photomasks
US6778695B1 (en) 1999-12-23 2004-08-17 Franklin M. Schellenberg Design-based reticle defect prioritization
JP4419250B2 (ja) 2000-02-15 2010-02-24 株式会社ニコン 欠陥検査装置
US7120285B1 (en) 2000-02-29 2006-10-10 Advanced Micro Devices, Inc. Method for evaluation of reticle image using aerial image simulator
US6451690B1 (en) 2000-03-13 2002-09-17 Matsushita Electronics Corporation Method of forming electrode structure and method of fabricating semiconductor device
US6482557B1 (en) 2000-03-24 2002-11-19 Dupont Photomasks, Inc. Method and apparatus for evaluating the runability of a photomask inspection tool
US6569691B1 (en) 2000-03-29 2003-05-27 Semiconductor Diagnostics, Inc. Measurement of different mobile ion concentrations in the oxide layer of a semiconductor wafer
WO2001086698A2 (en) 2000-05-10 2001-11-15 Kla-Tencor, Inc. Method and system for detecting metal contamination on a semiconductor wafer
US6425113B1 (en) 2000-06-13 2002-07-23 Leigh C. Anderson Integrated verification and manufacturability tool
EP1296351A4 (en) 2000-06-27 2009-09-23 Ebara Corp INVESTIGATION DEVICE FOR LOADED PARTICLE RAYS AND METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT ELEVATED WITH THIS INSPECTION DEVICE
JP2002032737A (ja) 2000-07-14 2002-01-31 Seiko Instruments Inc 半導体装置のパターン観察のためのナビゲーション方法及び装置
US6636301B1 (en) 2000-08-10 2003-10-21 Kla-Tencor Corporation Multiple beam inspection apparatus and method
US6634018B2 (en) 2000-08-24 2003-10-14 Texas Instruments Incorporated Optical proximity correction
JP2002071575A (ja) 2000-09-04 2002-03-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 欠陥検査解析方法および欠陥検査解析システム
TW513772B (en) 2000-09-05 2002-12-11 Komatsu Denshi Kinzoku Kk Apparatus for inspecting wafer surface, method for inspecting wafer surface, apparatus for judging defective wafer, method for judging defective wafer and information treatment apparatus of wafer surface
DE10044257A1 (de) 2000-09-07 2002-04-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erzeugen von Masken-Layout-Daten für die Lithografiesimulation und von optimierten Masken-Layout-Daten sowie zugehörige Vorrichtung und Programme
US6513151B1 (en) 2000-09-14 2003-01-28 Advanced Micro Devices, Inc. Full flow focus exposure matrix analysis and electrical testing for new product mask evaluation
US6919957B2 (en) 2000-09-20 2005-07-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen
US6724489B2 (en) 2000-09-22 2004-04-20 Daniel Freifeld Three dimensional scanning camera
CN1398348A (zh) 2000-10-02 2003-02-19 应用材料有限公司 缺陷源识别器
EP1271605A4 (en) 2000-11-02 2009-09-02 Ebara Corp ELECTRON BEAM APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING SAID APPARATUS
US6753954B2 (en) 2000-12-06 2004-06-22 Asml Masktools B.V. Method and apparatus for detecting aberrations in a projection lens utilized for projection optics
US6602728B1 (en) 2001-01-05 2003-08-05 International Business Machines Corporation Method for generating a proximity model based on proximity rules
US6680621B2 (en) 2001-01-26 2004-01-20 Semiconductor Diagnostics, Inc. Steady state method for measuring the thickness and the capacitance of ultra thin dielectric in the presence of substantial leakage current
US6597193B2 (en) 2001-01-26 2003-07-22 Semiconductor Diagnostics, Inc. Steady state method for measuring the thickness and the capacitance of ultra thin dielectric in the presence of substantial leakage current
US20020145734A1 (en) 2001-02-09 2002-10-10 Cory Watkins Confocal 3D inspection system and process
CN1262960C (zh) 2001-03-12 2006-07-05 Pdf技术公司 缺陷密度与尺寸分布的提取方法
US6873720B2 (en) 2001-03-20 2005-03-29 Synopsys, Inc. System and method of providing mask defect printability analysis
JP3973372B2 (ja) 2001-03-23 2007-09-12 株式会社日立製作所 荷電粒子線を用いた基板検査装置および基板検査方法
US6605478B2 (en) 2001-03-30 2003-08-12 Appleid Materials, Inc, Kill index analysis for automatic defect classification in semiconductor wafers
US6665065B1 (en) 2001-04-09 2003-12-16 Advanced Micro Devices, Inc. Defect detection in pellicized reticles via exposure at short wavelengths
JP4038356B2 (ja) 2001-04-10 2008-01-23 株式会社日立製作所 欠陥データ解析方法及びその装置並びにレビューシステム
US7113629B2 (en) * 2001-04-11 2006-09-26 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Pattern inspecting apparatus and method
JP4266082B2 (ja) 2001-04-26 2009-05-20 株式会社東芝 露光用マスクパターンの検査方法
JP4199939B2 (ja) 2001-04-27 2008-12-24 株式会社日立製作所 半導体検査システム
US7127099B2 (en) 2001-05-11 2006-10-24 Orbotech Ltd. Image searching defect detector
JP2002353099A (ja) 2001-05-22 2002-12-06 Canon Inc 位置検出方法及び装置及び露光装置及びデバイス製造方法
US20030004699A1 (en) 2001-06-04 2003-01-02 Choi Charles Y. Method and apparatus for evaluating an integrated circuit model
US20020186878A1 (en) 2001-06-07 2002-12-12 Hoon Tan Seow System and method for multiple image analysis
JP3551163B2 (ja) 2001-06-08 2004-08-04 三菱住友シリコン株式会社 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
US6779159B2 (en) 2001-06-08 2004-08-17 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Defect inspection method and defect inspection apparatus
US6581193B1 (en) 2001-06-13 2003-06-17 Kla-Tencor Apparatus and methods for modeling process effects and imaging effects in scanning electron microscopy
US7382447B2 (en) 2001-06-26 2008-06-03 Kla-Tencor Technologies Corporation Method for determining lithographic focus and exposure
US6593748B1 (en) 2001-07-12 2003-07-15 Advanced Micro Devices, Inc. Process integration of electrical thickness measurement of gate oxide and tunnel oxides by corona discharge technique
US20030014146A1 (en) 2001-07-12 2003-01-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Dangerous process/pattern detection system and method, danger detection program, and semiconductor device manufacturing method
JP2003031477A (ja) 2001-07-17 2003-01-31 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法およびシステム
JP4122735B2 (ja) 2001-07-24 2008-07-23 株式会社日立製作所 半導体デバイスの検査方法および検査条件設定方法
US7155698B1 (en) 2001-09-11 2006-12-26 The Regents Of The University Of California Method of locating areas in an image such as a photo mask layout that are sensitive to residual processing effects
US7030997B2 (en) 2001-09-11 2006-04-18 The Regents Of The University Of California Characterizing aberrations in an imaging lens and applications to visual testing and integrated circuit mask analysis
CA2582665C (en) 2001-09-12 2012-04-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Picture coding method and picture decoding method
US7133070B2 (en) 2001-09-20 2006-11-07 Eastman Kodak Company System and method for deciding when to correct image-specific defects based on camera, scene, display and demographic data
JP3870052B2 (ja) 2001-09-20 2007-01-17 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法及び欠陥検査データ処理方法
JP4035974B2 (ja) 2001-09-26 2008-01-23 株式会社日立製作所 欠陥観察方法及びその装置
JP3955450B2 (ja) 2001-09-27 2007-08-08 株式会社ルネサステクノロジ 試料検査方法
JP3706364B2 (ja) * 2001-10-09 2005-10-12 アスムル マスクツールズ ビー．ブイ． ２次元フィーチャ・モデルの較正および最適化方法
US6670082B2 (en) 2001-10-09 2003-12-30 Numerical Technologies, Inc. System and method for correcting 3D effects in an alternating phase-shifting mask
US7065239B2 (en) 2001-10-24 2006-06-20 Applied Materials, Inc. Automated repetitive array microstructure defect inspection
US6813572B2 (en) 2001-10-25 2004-11-02 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for managing reliability of semiconductor devices
US6918101B1 (en) 2001-10-25 2005-07-12 Kla -Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining critical area of semiconductor design data
US6948141B1 (en) 2001-10-25 2005-09-20 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining critical area of semiconductor design data
US6751519B1 (en) 2001-10-25 2004-06-15 Kla-Tencor Technologies Corporation Methods and systems for predicting IC chip yield
US6734696B2 (en) 2001-11-01 2004-05-11 Kla-Tencor Technologies Corp. Non-contact hysteresis measurements of insulating films
JP2003151483A (ja) 2001-11-19 2003-05-23 Hitachi Ltd 荷電粒子線を用いた回路パターン用基板検査装置および基板検査方法
US6886153B1 (en) 2001-12-21 2005-04-26 Kla-Tencor Corporation Design driven inspection or measurement for semiconductor using recipe
US6789032B2 (en) 2001-12-26 2004-09-07 International Business Machines Corporation Method of statistical binning for reliability selection
US6658640B2 (en) 2001-12-26 2003-12-02 Numerical Technologies, Inc. Simulation-based feed forward process control
KR100689694B1 (ko) 2001-12-27 2007-03-08 삼성전자주식회사 웨이퍼상에 발생된 결함을 검출하는 방법 및 장치
US6906305B2 (en) 2002-01-08 2005-06-14 Brion Technologies, Inc. System and method for aerial image sensing
US7236847B2 (en) 2002-01-16 2007-06-26 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for closed loop defect reduction
JP2003215060A (ja) 2002-01-22 2003-07-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd パターン検査方法及び検査装置
US6691052B1 (en) 2002-01-30 2004-02-10 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for generating an inspection reference pattern
JP3629244B2 (ja) 2002-02-19 2005-03-16 本多エレクトロン株式会社 ウエーハ用検査装置
US7257247B2 (en) 2002-02-21 2007-08-14 International Business Machines Corporation Mask defect analysis system
US20030223639A1 (en) 2002-03-05 2003-12-04 Vladimir Shlain Calibration and recognition of materials in technical images using specific and non-specific features
US7693323B2 (en) 2002-03-12 2010-04-06 Applied Materials, Inc. Multi-detector defect detection system and a method for detecting defects
US20030192015A1 (en) 2002-04-04 2003-10-09 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus to facilitate test pattern design for model calibration and proximity correction
US6966047B1 (en) 2002-04-09 2005-11-15 Kla-Tencor Technologies Corporation Capturing designer intent in reticle inspection
US6642066B1 (en) 2002-05-15 2003-11-04 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated process for depositing layer of high-K dielectric with in-situ control of K value and thickness of high-K dielectric layer
US20030229875A1 (en) 2002-06-07 2003-12-11 Smith Taber H. Use of models in integrated circuit fabrication
US7152215B2 (en) 2002-06-07 2006-12-19 Praesagus, Inc. Dummy fill for integrated circuits
JP3826849B2 (ja) 2002-06-07 2006-09-27 株式会社Ｓｕｍｃｏ 欠陥検査方法および欠陥検査装置
WO2003104921A2 (en) 2002-06-07 2003-12-18 Praesagus, Inc. Characterization adn reduction of variation for integrated circuits
US6828542B2 (en) 2002-06-07 2004-12-07 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography process monitoring and control
US7124386B2 (en) 2002-06-07 2006-10-17 Praesagus, Inc. Dummy fill for integrated circuits
US7393755B2 (en) 2002-06-07 2008-07-01 Cadence Design Systems, Inc. Dummy fill for integrated circuits
US7363099B2 (en) 2002-06-07 2008-04-22 Cadence Design Systems, Inc. Integrated circuit metrology
US7155052B2 (en) 2002-06-10 2006-12-26 Tokyo Seimitsu (Israel) Ltd Method for pattern inspection
JP2004031709A (ja) 2002-06-27 2004-01-29 Seiko Instruments Inc ウエハレス測長レシピ生成装置
US6777676B1 (en) 2002-07-05 2004-08-17 Kla-Tencor Technologies Corporation Non-destructive root cause analysis on blocked contact or via
JP4073265B2 (ja) 2002-07-09 2008-04-09 富士通株式会社 検査装置及び検査方法
US7012438B1 (en) 2002-07-10 2006-03-14 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a property of an insulating film
US7231628B2 (en) 2002-07-12 2007-06-12 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for context-specific mask inspection
JP2005533283A (ja) 2002-07-12 2005-11-04 ケイデンス デザイン システムズ インコーポレイテッド コンテクスト特定のマスク書込のための方法及びシステム
US6902855B2 (en) 2002-07-15 2005-06-07 Kla-Tencor Technologies Qualifying patterns, patterning processes, or patterning apparatus in the fabrication of microlithographic patterns
AU2003247868A1 (en) 2002-07-15 2004-02-02 Kla-Tencor Technologies Corp. Defect inspection methods that include acquiring aerial images of a reticle for different lithographic process variables
US6775818B2 (en) 2002-08-20 2004-08-10 Lsi Logic Corporation Device parameter and gate performance simulation based on wafer image prediction
US6784446B1 (en) 2002-08-29 2004-08-31 Advanced Micro Devices, Inc. Reticle defect printability verification by resist latent image comparison
US20040049722A1 (en) 2002-09-09 2004-03-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Failure analysis system, failure analysis method, a computer program product and a manufacturing method for a semiconductor device
KR20050065543A (ko) 2002-09-12 2005-06-29 엔라인 코포레이션 복소 영상의 획득 및 처리 시스템 및 방법
US7043071B2 (en) 2002-09-13 2006-05-09 Synopsys, Inc. Soft defect printability simulation and analysis for masks
US7504182B2 (en) 2002-09-18 2009-03-17 Fei Company Photolithography mask repair
KR100474571B1 (ko) 2002-09-23 2005-03-10 삼성전자주식회사 웨이퍼의 패턴 검사용 기준 이미지 설정 방법과 이 설정방법을 이용한 패턴 검사 방법 및 장치
US7061625B1 (en) 2002-09-27 2006-06-13 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and apparatus using interferometric metrology for high aspect ratio inspection
JP4310090B2 (ja) 2002-09-27 2009-08-05 株式会社日立製作所 欠陥データ解析方法及びその装置並びにレビューシステム
US6831736B2 (en) 2002-10-07 2004-12-14 Applied Materials Israel, Ltd. Method of and apparatus for line alignment to compensate for static and dynamic inaccuracies in scanning
US7027143B1 (en) 2002-10-15 2006-04-11 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging at off-stepper wavelengths
US7123356B1 (en) 2002-10-15 2006-10-17 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging and die-to-database detection
US7379175B1 (en) 2002-10-15 2008-05-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for reticle inspection and defect review using aerial imaging
JP4302965B2 (ja) * 2002-11-01 2009-07-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体デバイスの製造方法及びその製造システム
US6807503B2 (en) 2002-11-04 2004-10-19 Brion Technologies, Inc. Method and apparatus for monitoring integrated circuit fabrication
US7386839B1 (en) 2002-11-06 2008-06-10 Valery Golender System and method for troubleshooting software configuration problems using application tracing
WO2004044596A2 (en) 2002-11-12 2004-05-27 Fei Company Defect analyzer
US7457736B2 (en) 2002-11-21 2008-11-25 Synopsys, Inc. Automated creation of metrology recipes
US7136143B2 (en) 2002-12-13 2006-11-14 Smith Bruce W Method for aberration detection and measurement
US6882745B2 (en) 2002-12-19 2005-04-19 Freescale Semiconductor, Inc. Method and apparatus for translating detected wafer defect coordinates to reticle coordinates using CAD data
US7162071B2 (en) 2002-12-20 2007-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Progressive self-learning defect review and classification method
US7525659B2 (en) 2003-01-15 2009-04-28 Negevtech Ltd. System for detection of water defects
US6990385B1 (en) 2003-02-03 2006-01-24 Kla-Tencor Technologies Corporation Defect detection using multiple sensors and parallel processing
CN100481360C (zh) 2003-02-03 2009-04-22 三菱住友硅晶株式会社 检查方法、解析片的制作方法、解析方法以及解析装置
US6718526B1 (en) 2003-02-07 2004-04-06 Kla-Tencor Corporation Spatial signature analysis
US7030966B2 (en) 2003-02-11 2006-04-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for optimizing an illumination source using photolithographic simulations
US7756320B2 (en) 2003-03-12 2010-07-13 Hitachi High-Technologies Corporation Defect classification using a logical equation for high stage classification
JP3699960B2 (ja) 2003-03-14 2005-09-28 株式会社東芝 検査レシピ作成システム、欠陥レビューシステム、検査レシピ作成方法及び欠陥レビュー方法
US7053355B2 (en) 2003-03-18 2006-05-30 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography process monitoring and control
US7508973B2 (en) 2003-03-28 2009-03-24 Hitachi High-Technologies Corporation Method of inspecting defects
US6925614B2 (en) 2003-04-01 2005-08-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for protecting and integrating silicon intellectual property (IP) in an integrated circuit (IC)
US6952653B2 (en) 2003-04-29 2005-10-04 Kla-Tencor Technologies Corporation Single tool defect classification solution
US6859746B1 (en) 2003-05-01 2005-02-22 Advanced Micro Devices, Inc. Methods of using adaptive sampling techniques based upon categorization of process variations, and system for performing same
US7739064B1 (en) 2003-05-09 2010-06-15 Kla-Tencor Corporation Inline clustered defect reduction
JP2004340652A (ja) 2003-05-14 2004-12-02 Hitachi Ltd 欠陥検査装置および陽電子線応用装置
US6777147B1 (en) 2003-05-21 2004-08-17 International Business Machines Corporation Method for evaluating the effects of multiple exposure processes in lithography
US7068363B2 (en) 2003-06-06 2006-06-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems for inspection of patterned or unpatterned wafers and other specimen
US7346470B2 (en) 2003-06-10 2008-03-18 International Business Machines Corporation System for identification of defects on circuits or other arrayed products
US9002497B2 (en) 2003-07-03 2015-04-07 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspection of wafers and reticles using designer intent data
US7135344B2 (en) 2003-07-11 2006-11-14 Applied Materials, Israel, Ltd. Design-based monitoring
US6947588B2 (en) 2003-07-14 2005-09-20 August Technology Corp. Edge normal process
US7968859B2 (en) 2003-07-28 2011-06-28 Lsi Corporation Wafer edge defect inspection using captured image analysis
US6988045B2 (en) 2003-08-04 2006-01-17 Advanced Micro Devices, Inc. Dynamic metrology sampling methods, and system for performing same
US7271891B1 (en) 2003-08-29 2007-09-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for providing selective defect sensitivity
US7433535B2 (en) 2003-09-30 2008-10-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Enhancing text-like edges in digital images
US7003758B2 (en) 2003-10-07 2006-02-21 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography simulation
US7114143B2 (en) 2003-10-29 2006-09-26 Lsi Logic Corporation Process yield learning
US7103484B1 (en) 2003-10-31 2006-09-05 Kla-Tencor Technologies Corp. Non-contact methods for measuring electrical thickness and determining nitrogen content of insulating films
JP2005158780A (ja) 2003-11-20 2005-06-16 Hitachi Ltd パターン欠陥検査方法及びその装置
JP2005183907A (ja) 2003-11-26 2005-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン解析方法及びパターン解析装置
JP4351522B2 (ja) 2003-11-28 2009-10-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン欠陥検査装置およびパターン欠陥検査方法
US8151220B2 (en) 2003-12-04 2012-04-03 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods for simulating reticle layout data, inspecting reticle layout data, and generating a process for inspecting reticle layout data
KR101056142B1 (ko) 2004-01-29 2011-08-10 케이엘에이-텐코 코포레이션 레티클 설계 데이터의 결함을 검출하기 위한 컴퓨터로구현되는 방법
JP4426871B2 (ja) 2004-02-25 2010-03-03 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 Ｆｉｂ／ｓｅｍ複合装置の画像ノイズ除去
US7194709B2 (en) 2004-03-05 2007-03-20 Keith John Brankner Automatic alignment of integrated circuit and design layout of integrated circuit to more accurately assess the impact of anomalies
JP2005283326A (ja) 2004-03-30 2005-10-13 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥レビュー方法及びその装置
JP4313755B2 (ja) 2004-05-07 2009-08-12 株式会社日立製作所 再生信号の評価方法および光ディスク装置
US7171334B2 (en) 2004-06-01 2007-01-30 Brion Technologies, Inc. Method and apparatus for synchronizing data acquisition of a monitored IC fabrication process
JP4347751B2 (ja) 2004-06-07 2009-10-21 株式会社アドバンテスト 不良解析システム及び不良箇所表示方法
US7207017B1 (en) 2004-06-10 2007-04-17 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for metrology recipe generation and review and analysis of design, simulation and metrology results
WO2006019919A2 (en) 2004-07-21 2006-02-23 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods for generating input for a simulation program for generating a simulated image of a reticle
US7678516B2 (en) * 2004-07-22 2010-03-16 Kla-Tencor Technologies Corp. Test structures and methods for monitoring or controlling a semiconductor fabrication process
EP1779325B1 (en) 2004-08-09 2011-06-08 Bracco Suisse SA An image registration method and apparatus for medical imaging based on multiple masks
US7310796B2 (en) 2004-08-27 2007-12-18 Applied Materials, Israel, Ltd. System and method for simulating an aerial image
TW200622275A (en) 2004-09-06 2006-07-01 Mentor Graphics Corp Integrated circuit yield and quality analysis methods and systems
JP4904034B2 (ja) 2004-09-14 2012-03-28 ケーエルエー−テンカー コーポレイション レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体
US7142992B1 (en) 2004-09-30 2006-11-28 Kla-Tencor Technologies Corp. Flexible hybrid defect classification for semiconductor manufacturing
US7783113B2 (en) 2004-10-08 2010-08-24 Drvision Technologies Llc Partition pattern match and integration method for alignment
US8532949B2 (en) 2004-10-12 2013-09-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods and systems for classifying defects on a specimen
JP4045269B2 (ja) 2004-10-20 2008-02-13 株式会社日立製作所 記録方法及び光ディスク装置
KR20060075691A (ko) 2004-12-29 2006-07-04 삼성전자주식회사 결함 검사 방법
JP2006220644A (ja) * 2005-01-14 2006-08-24 Hitachi High-Technologies Corp パターン検査方法及びその装置
JP2006200972A (ja) 2005-01-19 2006-08-03 Tokyo Seimitsu Co Ltd 画像欠陥検査方法、画像欠陥検査装置及び外観検査装置
JP4895569B2 (ja) 2005-01-26 2012-03-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 帯電制御装置及び帯電制御装置を備えた計測装置
US7475382B2 (en) 2005-02-24 2009-01-06 Synopsys, Inc. Method and apparatus for determining an improved assist feature configuration in a mask layout
US7813541B2 (en) 2005-02-28 2010-10-12 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Method and apparatus for detecting defects in wafers
US7804993B2 (en) 2005-02-28 2010-09-28 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Method and apparatus for detecting defects in wafers including alignment of the wafer images so as to induce the same smear in all images
CN1828857A (zh) * 2005-03-02 2006-09-06 盟图科技股份有限公司 检测光掩膜缺陷方法
US7496880B2 (en) 2005-03-17 2009-02-24 Synopsys, Inc. Method and apparatus for assessing the quality of a process model
US7760929B2 (en) 2005-05-13 2010-07-20 Applied Materials, Inc. Grouping systematic defects with feedback from electrical inspection
US7760347B2 (en) 2005-05-13 2010-07-20 Applied Materials, Inc. Design-based method for grouping systematic defects in lithography pattern writing system
KR100687090B1 (ko) 2005-05-31 2007-02-26 삼성전자주식회사 결함 분류 방법
US7444615B2 (en) 2005-05-31 2008-10-28 Invarium, Inc. Calibration on wafer sweet spots
US7564017B2 (en) 2005-06-03 2009-07-21 Brion Technologies, Inc. System and method for characterizing aerial image quality in a lithography system
US7853920B2 (en) 2005-06-03 2010-12-14 Asml Netherlands B.V. Method for detecting, sampling, analyzing, and correcting marginal patterns in integrated circuit manufacturing
US7501215B2 (en) 2005-06-28 2009-03-10 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a calibration substrate
US20070002322A1 (en) 2005-06-30 2007-01-04 Yan Borodovsky Image inspection method
US8219940B2 (en) 2005-07-06 2012-07-10 Semiconductor Insights Inc. Method and apparatus for removing dummy features from a data structure
KR100663365B1 (ko) 2005-07-18 2007-01-02 삼성전자주식회사 내부에 적어도 한 쌍의 빔 경로들을 갖는 렌즈 유니트를구비하는 광학적 검사장비들 및 이를 사용하여 기판의 표면결함들을 검출하는 방법들
US7769225B2 (en) 2005-08-02 2010-08-03 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
US7488933B2 (en) 2005-08-05 2009-02-10 Brion Technologies, Inc. Method for lithography model calibration
KR100958714B1 (ko) 2005-08-08 2010-05-18 브라이언 테크놀로지스, 인코포레이티드 리소그래피 공정의 포커스-노광 모델을 생성하는 시스템 및방법
US7749666B2 (en) 2005-08-09 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. System and method for measuring and analyzing lithographic parameters and determining optimal process corrections
KR100909474B1 (ko) 2005-08-10 2009-07-28 삼성전자주식회사 웨이퍼 결함지수를 사용하여 국부성 불량 모드를 갖는결함성 반도체 웨이퍼의 검출 방법들 및 이에 사용되는장비들
EP1928583A4 (en) 2005-09-01 2010-02-03 Camtek Ltd METHOD AND SYSTEM FOR ESTABLISHING A TEST PROCEDURE
JP4203498B2 (ja) 2005-09-22 2009-01-07 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 画像補正装置、パターン検査装置、画像補正方法、及び、パターン欠陥検査方法
US7676077B2 (en) 2005-11-18 2010-03-09 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US8041103B2 (en) 2005-11-18 2011-10-18 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space
US7570796B2 (en) 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US7570800B2 (en) 2005-12-14 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for binning defects detected on a specimen
KR100696276B1 (ko) 2006-01-31 2007-03-19 (주)미래로시스템 웨이퍼 결함 검사 장비들로부터 획득된 측정 데이터들을이용한 자동 결함 분류 시스템
US7801353B2 (en) 2006-02-01 2010-09-21 Applied Materials Israel, Ltd. Method for defect detection using computer aided design data
EP1982160A4 (en) 2006-02-09 2016-02-17 Kla Tencor Tech Corp METHOD AND SYSTEMS FOR DETERMINING A WAFER FEATURE
JP4728144B2 (ja) 2006-02-28 2011-07-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ 回路パターンの検査装置
WO2007137261A2 (en) 2006-05-22 2007-11-29 Kla-Tencor Technologies Corporation Methods and systems for detecting pinholes in a film formed on a wafer or for monitoring a thermal process tool
JP4791267B2 (ja) 2006-06-23 2011-10-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査システム
JP4165580B2 (ja) 2006-06-29 2008-10-15 トヨタ自動車株式会社 画像処理装置及び画像処理プログラム
US8102408B2 (en) 2006-06-29 2012-01-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods and systems for determining different process windows for a wafer printing process for different reticle designs
US7664608B2 (en) 2006-07-14 2010-02-16 Hitachi High-Technologies Corporation Defect inspection method and apparatus
JP2008041940A (ja) 2006-08-07 2008-02-21 Hitachi High-Technologies Corp Ｓｅｍ式レビュー装置並びにｓｅｍ式レビュー装置を用いた欠陥のレビュー方法及び欠陥検査方法
US7904845B2 (en) 2006-12-06 2011-03-08 Kla-Tencor Corp. Determining locations on a wafer to be reviewed during defect review
WO2008077100A2 (en) 2006-12-19 2008-06-26 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for creating inspection recipes
WO2008086282A2 (en) 2007-01-05 2008-07-17 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions
US7962863B2 (en) 2007-05-07 2011-06-14 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, systems, and computer-readable media for determining a model for predicting printability of reticle features on a wafer
US7738093B2 (en) 2007-05-07 2010-06-15 Kla-Tencor Corp. Methods for detecting and classifying defects on a reticle
US8073240B2 (en) 2007-05-07 2011-12-06 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for identifying one or more optical modes of an inspection system as candidates for use in inspection of a layer of a wafer
US7962864B2 (en) 2007-05-24 2011-06-14 Applied Materials, Inc. Stage yield prediction
US8799831B2 (en) 2007-05-24 2014-08-05 Applied Materials, Inc. Inline defect analysis for sampling and SPC
KR100877105B1 (ko) 2007-06-27 2009-01-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 패턴 검증 방법
US7796804B2 (en) 2007-07-20 2010-09-14 Kla-Tencor Corp. Methods for generating a standard reference die for use in a die to standard reference die inspection and methods for inspecting a wafer
US8611639B2 (en) 2007-07-30 2013-12-17 Kla-Tencor Technologies Corp Semiconductor device property extraction, generation, visualization, and monitoring methods
US7711514B2 (en) 2007-08-10 2010-05-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for generating a metrology sampling plan
TWI469235B (zh) 2007-08-20 2015-01-11 Kla Tencor Corp 決定實際缺陷是潛在系統性缺陷或潛在隨機缺陷之由電腦實施之方法
KR20100075875A (ko) 2007-08-30 2010-07-05 비티 이미징 피티와이 리미티드 광발전 전지 제조
US8155428B2 (en) 2007-09-07 2012-04-10 Kla-Tencor Corporation Memory cell and page break inspection
US8126255B2 (en) 2007-09-20 2012-02-28 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for creating persistent data for a wafer and for using persistent data for inspection-related functions
JP5022191B2 (ja) 2007-11-16 2012-09-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
US7890917B1 (en) 2008-01-14 2011-02-15 Xilinx, Inc. Method and apparatus for providing secure intellectual property cores for a programmable logic device
US7774153B1 (en) 2008-03-17 2010-08-10 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for stabilizing output acquired by an inspection system
US8139844B2 (en) 2008-04-14 2012-03-20 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for determining a defect criticality index for defects on wafers
US8049877B2 (en) 2008-05-14 2011-11-01 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for selecting polarization settings for an inspection system
US8000922B2 (en) 2008-05-29 2011-08-16 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for generating information to be used for selecting values for one or more parameters of a detection algorithm
WO2009152046A1 (en) 2008-06-11 2009-12-17 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for detecting design and process defects on a wafer, reviewing defects on a wafer, selecting one or more features within a design for use as process monitoring features, or some combination thereof
US7973921B2 (en) 2008-06-25 2011-07-05 Applied Materials South East Asia Pte Ltd. Dynamic illumination in optical inspection systems
US8269960B2 (en) 2008-07-24 2012-09-18 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods for inspecting and/or classifying a wafer
US8467595B2 (en) 2008-08-01 2013-06-18 Hitachi High-Technologies Corporation Defect review system and method, and program
KR20100061018A (ko) 2008-11-28 2010-06-07 삼성전자주식회사 다수 전자빔 조건의 멀티 스캔을 연산하여 새로운 패턴 이미지를 창출하는 반도체 소자의 디펙트 검사 장치 및 방법
US9262303B2 (en) 2008-12-05 2016-02-16 Altera Corporation Automated semiconductor design flaw detection system
US8041106B2 (en) * 2008-12-05 2011-10-18 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for detecting defects on a reticle
US8094924B2 (en) 2008-12-15 2012-01-10 Hermes-Microvision, Inc. E-beam defect review system
US8223327B2 (en) * 2009-01-26 2012-07-17 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for detecting defects on a wafer
JP5641463B2 (ja) 2009-01-27 2014-12-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置及びその方法
EP2394295A2 (en) 2009-02-06 2011-12-14 KLA-Tencor Corporation Selecting one or more parameters for inspection of a wafer
KR101674698B1 (ko) * 2009-02-13 2016-11-09 케이엘에이-텐코어 코오포레이션 웨이퍼 상의 결함들 검출
US8112241B2 (en) 2009-03-13 2012-02-07 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for generating an inspection process for a wafer
JP2010256242A (ja) 2009-04-27 2010-11-11 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
WO2011004534A1 (ja) * 2009-07-09 2011-01-13 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 半導体欠陥分類方法，半導体欠陥分類装置，半導体欠陥分類プログラム
US8295580B2 (en) 2009-09-02 2012-10-23 Hermes Microvision Inc. Substrate and die defect inspection method
JP5622398B2 (ja) * 2010-01-05 2014-11-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ Ｓｅｍを用いた欠陥検査方法及び装置
US8437967B2 (en) 2010-01-27 2013-05-07 International Business Machines Corporation Method and system for inspecting multi-layer reticles
JP5444092B2 (ja) * 2010-04-06 2014-03-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査方法およびその装置
JP5722551B2 (ja) * 2010-05-13 2015-05-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及びその装置
JP5553716B2 (ja) * 2010-09-15 2014-07-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及びその装置
KR20120068128A (ko) 2010-12-17 2012-06-27 삼성전자주식회사 패턴의 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 결함 검출 장치
JP5715873B2 (ja) 2011-04-20 2015-05-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥分類方法及び欠陥分類システム
US9201022B2 (en) 2011-06-02 2015-12-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extraction of systematic defects
JP2012255740A (ja) * 2011-06-10 2012-12-27 Fujitsu Semiconductor Ltd 欠陥検査装置および欠陥検査方法
US9069923B2 (en) 2011-06-16 2015-06-30 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. IP protection
US20130009989A1 (en) 2011-07-07 2013-01-10 Li-Hui Chen Methods and systems for image segmentation and related applications
US8611598B2 (en) 2011-07-26 2013-12-17 Harman International (China) Holdings Co., Ltd. Vehicle obstacle detection system
US8977035B2 (en) 2012-06-13 2015-03-10 Applied Materials Israel, Ltd. System, method and computer program product for detection of defects within inspection images
US9916653B2 (en) * 2012-06-27 2018-03-13 Kla-Tenor Corporation Detection of defects embedded in noise for inspection in semiconductor manufacturing
US9053390B2 (en) 2012-08-14 2015-06-09 Kla-Tencor Corporation Automated inspection scenario generation
US9189844B2 (en) * 2012-10-15 2015-11-17 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using defect-specific information
US9053527B2 (en) 2013-01-02 2015-06-09 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US9311698B2 (en) 2013-01-09 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using template image matching
KR102019534B1 (ko) * 2013-02-01 2019-09-09 케이엘에이 코포레이션 결함 특유의, 다중 채널 정보를 이용한 웨이퍼 상의 결함 검출

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100226562A1 (en) * 2004-12-07 2010-09-09 Kla-Tencor Technologies Corporation Computer-implemented methods for detecting and/or sorting defects in a design pattern of a reticle
US20100076699A1 (en) * 2008-09-24 2010-03-25 Ditza Auerbach Wafer defect detection system and method
TW201100779A (en) * 2009-01-13 2011-01-01 Semiconductor Technologies & Instr Pte Ltd System and method for inspecting a wafer (3)
US20120044486A1 (en) * 2009-01-26 2012-02-23 Kla-Tencor Corporation Detecting Defects on a Wafer

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