KR100200734B1 - 에어리얼 이미지 측정 장치 및 방법 - Google Patents

에어리얼 이미지 측정 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

에어리얼 이미지 측정 장치 및 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 에어리얼 이미지 측정 장치는 포토마스크상의 결함에 따른 영향을 검증하기 위하여, 광원으로부터 상기 포토마스크를 투과한 투과광에 의거하여 형성된 에어리얼 이미지를 측정하는 것으로서, 광원으로부터의 빛을 상기 포토마스크의 크롬 패턴이 형성된 표면에 조사하여 반사광을 형성시키는 반사 시스템을 포함한다.

Description

에어리얼 이미지 측정 장치 및 방법
본 발명은 에어리얼 이미지(aerial image) 측정 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 포토마스크상의 각종 결함에 따른 영향을 검증하기 위한 에어리얼 이미지 측정 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 포토마스크 또는 레티클(이하, 단지 포토마스크라 함)을 사용하여 웨이퍼상에 패턴을 구현할 때 포토마스크상에 존재하는 각종 결함이 웨이퍼에 미치는 영향을 미리 검증하기 위하여 에어리얼 이미지를 측정한다.
도 1은 종래 기술에 따른 에어리얼 이미지 측정 장치의 구성을 개략적을 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 에어리얼 이미지 측정 장치는 예를 들면 DUV(Deep Ultraviolet) 또는 i-라인 광원(2)과, 상기 광원(2)으로부터 조사되는 빛의 파장에 맞는 필터를 갖춘 전동 필터(4), NA(Numerical Aperture) 및 코히런시(coherency)를 조절할 수 있는 조명측 조리개(6) 및 시야 조리개(8)를 통과한 빛을 집광하여 포토마스크(50)의 크롬 패턴(52)이 형성된 반대측 표면으로 빛을 보내는 집광 렌즈(10)와, 상기 포토마스크(50)를 투과한 빛을 전기적인 신호로 변환하여 에어리얼 이미지를 형성시키는 CCD(Charge-Coupled Device) 카메라(30)와, 상기 에어리얼 이미지를 측정하기 위한 AIMS(Aerial Image Measurement System)(40)을 포함하고 있다. 상기 포토마스크(50)를 투과한 빛은 대물 렌즈(12), 튜브 렌즈(14), 7X 확대 투영 렌즈(16) 및 상측 조리개(20)를 거쳐서 CCD 카메라(30)에 전달된다. 상기 상측 조리개(20)와 CCD 카메라(30) 사이에는 NA 및 코히런시의 관찰을 가능하게 하는 보조 렌즈(22)가 설치되어 있고, 또한 상기 대물 렌즈(12)를 통과하여 상기 튜브 렌즈(14)에서 결상된 빛을 모니터와 같은 보조 출력기(도시 생략)를 사용하여 관찰할 수 있도록 가시광 관찰용 CCD 카메라(15)가 설치되어 있다.
상기와 같이 구성된 종래 기술에 따른 에어리얼 이미지 측정 장치에서는 광원으로부터의 빛이 포토마스크의 코롬 패턴이 형성된 반대측 표면에서 조사됨으로써 투과된 광만을 사용하여 에어리얼 이미지를 측정하기 때문에, 포토마스크 패턴상에 존재하는 각종 결함이 웨이퍼상에 미치는 영향을 정확하게 검증할 수 없다.
보다 구체적으로 설명하면, 상기한 종래 기술에 따른 에어리얼 이미지 측정 장치에서는 포토마스크의 크롬 패턴이 형성된 반대측 표면으로부터 포토마스크를 투과하는 빛에 의하여 형성된 에어리얼 이미지만을 측정하므로, 포토마스크의 전면에 걸쳐서 크롬 패턴 위에 코팅된 반사 방지층에서의 반사율의 차이에 따른 영향, 포토마스크상의 결함을 수정한 후에 수정 부분 또는 그 인접 부분에 남아 있는 크롬 입자 또는 이온 빔을 이용하여 크롬을 제거한 경우에 이온 빔 소스인 갈륨에 의해 야기되는 영향, 포토마스크상의 결함을 제거한 후에 포토마스크상에 발생된 손상 부분에 의한 영향, 포토마스크상에 형성된 크롬 패턴층의 두께 차이에 따른 영향, 포토마스크상에 형성된 크롬 패턴층 위에 존재하는 유동성 또는 비유동성 파티클이나 기타 공정중에 발생되는 유기물 등의 오염 물질에 따른 영향 등을 검증하는 것이 불가능하다.
본 발명의 목적은 포토마스크상의 각종 결함에 따른 영향을 검증하기 위하여 포토마스크의 투과광에 의한 에어리얼 이미지 뿐 만 아니라 반사광에 의한 에어리얼 이미지를 형성할 수 있는 에어리얼 이미지 측정 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 포토마스크상에 존재할 수 있는 각종 결함중 어떠한 결함에 의한 영향도 충분히 검증할 수 있는 에어리얼 이미지 측정 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 에어리얼 이미지 측정 장치의 구성을 개략적을 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 에어리얼 이미지 측정 장치의 구성을 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 에어리얼 이미지 측정 장치의 구성을 개략적으로 도시한 것이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
100A : 투과광 경로, 100B : 반사광 경로
102 : 광원, 104 : 전동 필터
106 : 조명측 조리개, 108 : 시야 조리개
110 : 집광 렌즈, 112 : 대물 렌즈
114 : 튜브 렌즈, 115 : CCD 카메라
116 : 7X 확대 투영 렌즈, 120 : 상측 조리개
122 : 보조 렌즈, 130 : CCD 카메라
140 : AIMS, 150 : 포토마스크
152 : 크롬 패턴, 160 : 빔 스플리터
162 : 반사경, 170A, 170B : 온/오프 블링커
190 : 반사 시스템
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 포토마스크상의 결함에 따른 영향을 검증하기 위하여, 광원으로부터 상기 포토마스크를 투과한 투과광에 의거하여 형성된 에어리얼 이미지를 측정하는 에어리얼 이미지 측정 장치에 있어서, 상기 광원으로부터의 빛을 상기 포토마스크의 크롬 패턴이 형성된 표면에 조사하여 반사광을 형성시키는 반사 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 에어리얼 이미지 측정 장치를 제공한다.
바람직하게는, 상기 반사 시스템은 상기 광원으로부터의 빛을 상기 투과광이 형성되는 투과광 경로와, 상기 반사광이 형성되는 반사광 경로로 분할하는 빔 스플리터와, 상기 반사광 경로에 따라 전달된 빛이 상기 포토마스크의 크롬 패턴이 형성된 표면에 조사되도록 빛의 경로를 전환시키는 반사경을 포함한다.
또한 바람직하게는, 상기 투과광 경로 및 반사광 경로에는 각각 상기 투과광 경로 및 반사광 경로로 전달되는 빛을 선택적으로 차단 또는 통과시킬 수 있는 온/오프 수단이 설치된다.
또한 바람직하게는, 상기 광원은 DUV(Deep Ultraviolet) 또는 i-라인 광원이다.
또한 본 발명은, 포토마스크상의 결함에 따른 영향을 검증하기 위하여, 제1 광원으로부터 상기 포토마스크를 투과한 투과광에 의거하여 형성된 에어리얼 이미지를 측정하는 에어리얼 이미지 측정 장치에 있어서, 제2 광원으로부터의 빛을 상기 포토마스크의 크롬 패턴이 형성된 표면에 조사하여 반사광을 형성시키는 반사 시스템을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에어리얼 이미지 측정 장치를 제공한다.
바람직하게는, 상기 반사 시스템은 상기 제2 광원으로부터의 빛을 상기 포토마스크의 크롬 패턴이 형성된 표면에 조사되도록 빛의 경로를 전환시키는 반사경을 포함하고, 상기 제2 광원과 반사경 사이에는 상기 제2 광원으로부터 전달되는 빛을 선택적으로 차단 또는 통과시킬 수 있는 온/오프 수단과, NA(Numerical Aperture) 및 코히런시(coherency)를 조절할 수 있는 조리개가 설치된다. 상기 제1 광원 및 제2 광원은 DUV 또는 i-라인 광원인 것이 바람직하다.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 적어도 1개의 광원으로부터 포토마스크를 거친 광에 의거하여 형성된 에어리얼 이미지 측정 방법에 있어서, 상기 광원중 제1 광원으로부터 상기 포토마스크의 크롬 패턴이 형성된 반대측 표면으로 조사되어 상기 포토마스크를 투과한 투과광과, 상기 광원중 제2 광원으로부터 상기 포토마스크의 크롬 패턴이 형성된 표면으로 조사되어 상기 포토마스크에서 반사된 반사광중 하나의 광을 선택하는 단계와, 상기 선택된 광에 의거하여 에어리얼 이미지를 형성하는 단계와, 상기 에어리얼 이미지를 검사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 에어리얼 이미지 측정 방법을 제공한다.
상기 광원은 1개로 구성하여 상기 제1 광원 및 제2 광원을 동일 광원으로 하는 것이 가능하다. 또는, 상기 광원을 2개로 구성하여 상기 제1 광원 및 제2 광원을 서로 다른 광원으로 할 수도 있다.
다음에, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 에어리얼 이미지 측정 장치의 구성을 개략적으로 도시한 것이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 에어리얼 이미지 측정 장치는 포토마스크(150)상의 각종 결함에 따른 영향을 검증하기 위하여, 광원(102)으로부터 상기 포토마스크(150)를 투과한 투과광에 의거하여 형성된 에어리얼 이미지를 측정하는 에어리얼 이미지 측정 장치에 있어서, 상기 포토마스크(150)의 크롬 패턴(152)이 형성된 표면으로부터 반사된 반사광에 의거하여 에어리얼 이미지를 형성하기 위하여 상기 광원(102)으로부터의 빛을 상기 포토마스크(150)의 크롬 패턴(152)이 형성된 표면에 조사하여 반사광을 형성시키는 반사 시스템(190)을 더 포함한다.
바람직하게는, 상기 반사 시스템(190)은 상기 광원(102)으로부터의 빛을 상기 투과광이 형성되는 투과광 경로(100A)와 상기 반사광이 형성되는 반사광 경로(100B)로 분할하는 빔 스플리터(160)와, 상기 반사광 경로(100B)에 따라 전달된 빛이 상기 포토마스크(150)의 크롬 패턴(152)이 형성된 표면에 조사되도록 빛의 경로를 전환시키는 반사경(162)을 포함한다.
또한, 상기 투과광 경로(100A) 및 반사광 경로(100B)에는 각각 상기 투과광 경로(100A) 및 반사광 경로(100B)로 전달되는 빛을 선택적으로 차단 또는 통과시킬 수 있는 온/오프 수단, 예를 들면 온/오프 블링커(blinker)(170A, 170B)가 설치되어 있다. 따라서, 상기 온/오프 블링커(170A, 170B)의 온/오프 상태에 따라 상기 투과광 경로(100A) 및 반사광 경로(100B)로 전달되는 빛을 차단 또는 통과시킬 수 있다. 따라서, 투과광에 의한 에어리얼 이미지 또는 반사광에 의한 에어리얼 이미지를 선택적으로 형성할 수 있다.
보다 구체적으로 설명하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 에어리얼 이미지 측정 장치에서는 예를 들면 DUV 또는 i-라인 광원(102)과, 상기 광원(102)으로부터의 빛을 투과광 경로(100A)와 반사광 경로(100B)로 분할하는 빔 스플리터(160)를 갖추고 있다. 상기 광원(102)과 빔 스플리터(160) 사이에는 통상의 경우에서와 같이 상기 광원(102)으로부터 조사되는 빛의 파장에 맞는 필터를 갖춘 전동 필터(104)와, NA 및 코히런시를 조절할 수 있는 조명측 조리개(106)가 설치되어 있다.
상기 투과광 경로(100A)에는 시야 조리개(108)를 통과한 빛을 집광하여 포토마스크(150)의 크롬 패턴(152)이 형성된 반대측 표면으로 빛을 보내는 집광 렌즈(110)가 설치되어 있다. 상기 반사광 경로(100B)에 따라 전달된 빛은 상기 반사경(162)에 의하여 상기 포토마스크(150)의 크롬 패턴(152)이 형성된 표면에 조사된다. 이와 같이 반사광 경로(100B)를 따라서 포토마스크(150)상에 조사된 빛의 반사광과, 상기 투과광 경로(100A)를 따라서 포토마스크(150)를 투과한 투과광은 대물 렌즈(112), 튜브 렌즈(114), 7X 확대 투영 렌즈(116) 및 상측 조리개(120)를 거쳐서 CCD 카메라(130)와 AIMS(140)에 전달된다. 따라서, CCD 카메라(130)에서는 상기 투과광 경로(100A)를 따라 진행하여 상기 포토마스크(150)를 투과한 투과광 뿐 만 아니라 상기 반사광 경로(100B)를 따라 진행하여 상기 포토마스크(150)의 표면으로부터 반사된 반사광까지도 전기적인 신호로 변환하여 에어리얼 이미지를 형성시키고, 이를 상기 AIMS(140)에서 측정하게 된다.
상기 상측 조리개(120)와 CCD 카메라(130) 사이에는 NA 및 코히런시의 관찰을 가능하게 하는 보조 렌즈(122)가 설치되어 있고, 또한 상기 대물 렌즈(112)를 통과하여 상기 튜브 렌즈(114)에서 결상된 빛을 모니터와 같은 보조 출력기(도시 생략)를 사용하여 관찰할 수 있도록 가시광 관찰용 CCD 카메라(115)가 설치될 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 에어리얼 이미지 측정 장치의 구성을 개략적으로 도시한 것이다.
도 3에 도시한 실시예는 도 2를 참조하여 설명한 실시예에서와 대체로 동일하며, 따라서 도 3에 있어서 각 부분중 도 2의 부분에 대응하는 부분에 대하여는 도 2에서 사용한 참조 부호에 100을 더한 것에 해당하는 참조 부호를 사용하여 표시하고, 그 상세한 설명은 생략한다.
단, 도 3에 도시한 본 발명의 다른 실시예에 따른 에어리얼 이미지 측정 장치에서는 포토마스크(250)의 크롬 패턴(252)이 형성된 표면으로부터 반사된 반사광에 의거하여 에어리얼 이미지를 형성하기 위한 반사 시스템(290)에서 별도로 설치한 추가 광원(202')을 사용하고, 상기 추가 광원(202')으로부터의 빛을 상기 포토마스크(250)의 크롬 패턴(252)이 형성된 표면에 조사한다. 따라서, 본 실시예에서는 도 2의 실시예에서와 같은 빔 스플리터(160)를 설치할 필요가 없다. 그 대신 상기 추가 광원(202')과 반사경(262) 사이에는 상기 추가 광원(202')으로부터 반사광 경로(200B)로 전달되는 빛을 선택적으로 차단 또는 통과시킬 수 있는 온/오프 블링커(270B)와, NA 및 코히런시를 조절할 수 있는 조명측 조리개(206')가 설치되어 있다.
상기한 바와 같은 구성을 갖춘 본 발명에 따른 에어리얼 이미지 측정 장치를 사용하여 적어도 1개의 광원으로부터 포토마스크를 거친 광에 의거하여 형성된 에어리얼 이미지를 측정할 때에는, 상기 광원중 제1 광원으로부터 상기 포토마스크의 크롬 패턴이 형성된 반대측 표면으로 조사되어 상기 포토마스크를 투과한 투과광과, 상기 광원중 제2 광원으로부터 상기 포토마스크의 크롬 패턴이 형성된 표면으로 조사되어 상기 포토마스크에서 반사된 반사광중 하나의 광을 선택하고, 상기 선택된 광에 의거하여 에어리얼 이미지를 형성하고, 상기 에어리얼 이미지를 검사함으로써, 포토마스크상의 각종 결함이 웨이퍼에 미치는 영향을 검증하게 된다.
상기한 바와 같은 본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 포토마스크상의 각종 결함에 따른 영향을 검증하기 위하여 포토마스크의 투과광에 의한 에어리얼 이미지 뿐 만 아니라 반사광에 의한 에어리얼 이미지를 측정할 수 있으므로, 포토마스크상의 어떠한 결함에 대하여도 그 영향을 정확하게 검증할 수 있으며, 또한 포토마스크상에서 허용 가능한 결함의 수준을 판단할 수 있는 잇점이 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.

Claims (13)

  1. 포토마스크상의 결함에 따른 영향을 검증하기 위하여, 광원으로부터 상기 포토마스크를 투과한 투과광에 의거하여 형성된 에어리얼 이미지를 측정하는 에어리얼 이미지 측정 장치에 있어서,
    상기 광원으로부터의 빛을 상기 포토마스크의 크롬 패턴이 형성된 표면에 조사하여 반사광을 형성시키는 반사 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 에어리얼 이미지 측정 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반사 시스템은
    상기 광원으로부터의 빛을 상기 투과광이 형성되는 투과광 경로와, 상기 반사광이 형성되는 반사광 경로로 분할하는 빔 스플리터와,
    상기 반사광 경로에 따라 전달된 빛이 상기 포토마스크의 크롬 패턴이 형성된 표면에 조사되도록 빛의 경로를 전환시키는 반사경을 포함하는 것을 특징으로 하는 에어리얼 이미지 측정 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 투과광 경로 및 반사광 경로에는 각각 상기 투과광 경로 및 반사광 경로로 전달되는 빛을 선택적으로 차단 또는 통과시킬 수 있는 온/오프 수단이 설치된 것을 특징으로 하는 에어리얼 이미지 측정 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 광원은 DUV(Deep Ultraviolet) 또는 i-라인 광원인 것을 특징으로 하는 에어리얼 이미지 측정 장치.
  5. 포토마스크상의 결함에 따른 영향을 검증하기 위하여, 제1 광원으로부터 상기 포토마스크를 투과한 투과광에 의거하여 형성된 에어리얼 이미지를 측정하는 에어리얼 이미지 측정 장치에 있어서,
    제2 광원으로부터의 빛을 상기 포토마스크의 크롬 패턴이 형성된 표면에 조사하여 반사광을 형성시키는 반사 시스템을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에어리얼 이미지 측정 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 반사 시스템은 상기 제2 광원으로부터의 빛을 상기 포토마스크의 크롬 패턴이 형성된 표면에 조사되도록 빛의 경로를 전환시키는 반사경을 포함하는 것을 특징으로 하는 에어리얼 이미지 측정 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2 광원과 반사경 사이에는 상기 제2 광원으로부터 전달되는 빛을 선택적으로 차단 또는 통과시킬 수 있는 온/오프 수단이 설치된 것을 특징으로 하는 에어리얼 이미지 측정 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제2 광원과 반사경 사이에는 NA(Numerical Aperture) 및 코히런시(coherency)를 조절할 수 있는 조리개가 더 설치된 것을 특징으로 하는 에어리얼 이미지 측정 장치.
  9. 제5항에 있어서, 상기 제1 광원 및 제2 광원은 DUV 또는 i-라인 광원인 것을 특징으로 하는 에어리얼 이미지 측정 장치.
  10. 적어도 1개의 광원으로부터 포토마스크를 거친 광에 의거하여 형성된 에어리얼 이미지 측정 방법에 있어서,
    상기 광원중 제1 광원으로부터 상기 포토마스크의 크롬 패턴이 형성된 반대측 표면으로 조사되어 상기 포토마스크를 투과한 투과광과, 상기 광원중 제2 광원으로부터 상기 포토마스크의 크롬 패턴이 형성된 표면으로 조사되어 상기 포토마스크에서 반사된 반사광중 하나의 광을 선택하는 단계와,
    상기 선택된 광에 의거하여 에어리얼 이미지를 형성하는 단계와,
    상기 에어리얼 이미지를 검사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 에어리얼 이미지 측정 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 광원은 1개로 구성되고, 상기 제1 광원 및 제2 광원은 동일 광원인 것을 특징으로 하는 에어리얼 이미지 측정 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 광원은 2개로 구성되고, 상기 제1 광원 및 제2 광원은 서로 다른 광원인 것을 특징으로 하는 에어리얼 이미지 측정 방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 광원으로서 DUV 또는 i-라인 광원을 사용하는 것을 특징으로 하는 에어리얼 이미지 측정 방법.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2317803A1 (en) 1998-11-05 2000-05-18 Myoung-Jin Kim Method for inspecting inferiority in shape
US6369888B1 (en) * 1999-11-17 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for article inspection including speckle reduction
KR100979484B1 (ko) * 2002-07-15 2010-09-02 케이엘에이-텐코 코포레이션 다른 리소그래픽 과정 변수들을 위한 레티클의 가상 이미지를 얻는 것을 포함하는 결점 조사 방법
US7027143B1 (en) * 2002-10-15 2006-04-11 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging at off-stepper wavelengths
US7123356B1 (en) 2002-10-15 2006-10-17 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging and die-to-database detection
US7379175B1 (en) 2002-10-15 2008-05-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for reticle inspection and defect review using aerial imaging
US7646906B2 (en) * 2004-01-29 2010-01-12 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods for detecting defects in reticle design data
JP4596801B2 (ja) * 2004-03-22 2010-12-15 株式会社東芝 マスク欠陥検査装置
JP4904034B2 (ja) * 2004-09-14 2012-03-28 ケーエルエー−テンカー コーポレイション レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体
DE102005032601A1 (de) * 2005-01-07 2006-07-20 Heidelberger Druckmaschinen Ag Druckmaschine
US7769225B2 (en) 2005-08-02 2010-08-03 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
US7570796B2 (en) * 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US7676077B2 (en) 2005-11-18 2010-03-09 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US8041103B2 (en) * 2005-11-18 2011-10-18 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space
WO2008071324A1 (en) * 2006-12-15 2008-06-19 Carl Zeiss Sms Gmbh Apparatus for measurement of structures on photolithographic masks
WO2008077100A2 (en) 2006-12-19 2008-06-26 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for creating inspection recipes
WO2008086282A2 (en) * 2007-01-05 2008-07-17 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions
US7738093B2 (en) 2007-05-07 2010-06-15 Kla-Tencor Corp. Methods for detecting and classifying defects on a reticle
US7962863B2 (en) * 2007-05-07 2011-06-14 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, systems, and computer-readable media for determining a model for predicting printability of reticle features on a wafer
US8213704B2 (en) * 2007-05-09 2012-07-03 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
KR101387071B1 (ko) * 2007-07-12 2014-04-18 칼 자이스 에스엠에스 엘티디 원자외선 투과 매핑을 위한 방법
US7796804B2 (en) * 2007-07-20 2010-09-14 Kla-Tencor Corp. Methods for generating a standard reference die for use in a die to standard reference die inspection and methods for inspecting a wafer
US7711514B2 (en) * 2007-08-10 2010-05-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for generating a metrology sampling plan
JP5425779B2 (ja) * 2007-08-20 2014-02-26 ケーエルエー−テンカー・コーポレーション 実際の欠陥が潜在的にシステム的な欠陥であるか、または潜在的にランダムな欠陥であるかを判断する、コンピューターに実装された方法
US8139844B2 (en) * 2008-04-14 2012-03-20 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for determining a defect criticality index for defects on wafers
US9659670B2 (en) 2008-07-28 2017-05-23 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for classifying defects detected in a memory device area on a wafer
US8775101B2 (en) 2009-02-13 2014-07-08 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US8204297B1 (en) 2009-02-27 2012-06-19 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for classifying defects detected on a reticle
US8112241B2 (en) * 2009-03-13 2012-02-07 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for generating an inspection process for a wafer
US8781781B2 (en) 2010-07-30 2014-07-15 Kla-Tencor Corp. Dynamic care areas
US9170211B2 (en) 2011-03-25 2015-10-27 Kla-Tencor Corp. Design-based inspection using repeating structures
US9087367B2 (en) 2011-09-13 2015-07-21 Kla-Tencor Corp. Determining design coordinates for wafer defects
US8831334B2 (en) 2012-01-20 2014-09-09 Kla-Tencor Corp. Segmentation for wafer inspection
US8826200B2 (en) 2012-05-25 2014-09-02 Kla-Tencor Corp. Alteration for wafer inspection
US9189844B2 (en) 2012-10-15 2015-11-17 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using defect-specific information
US9053527B2 (en) 2013-01-02 2015-06-09 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US9134254B2 (en) 2013-01-07 2015-09-15 Kla-Tencor Corp. Determining a position of inspection system output in design data space
US9311698B2 (en) 2013-01-09 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using template image matching
WO2014149197A1 (en) 2013-02-01 2014-09-25 Kla-Tencor Corporation Detecting defects on a wafer using defect-specific and multi-channel information
KR102053487B1 (ko) 2013-03-15 2019-12-06 아이리스 인터내셔널 인크. 혈액 샘플에서의 입자 분석을 위한 시스 유체 시스템 및 방법
CN105102959B (zh) 2013-03-15 2017-06-09 艾瑞思国际股份有限公司 用于血样中的颗粒分析的流通池系统和方法
US9865512B2 (en) 2013-04-08 2018-01-09 Kla-Tencor Corp. Dynamic design attributes for wafer inspection
US9310320B2 (en) 2013-04-15 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Based sampling and binning for yield critical defects
CN109781033B (zh) * 2019-03-04 2020-11-06 杭州晶耐科光电技术有限公司 一种透明材质三维轮廓重构的深紫外结构光精密检测装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5235400A (en) * 1988-10-12 1993-08-10 Hitachi, Ltd. Method of and apparatus for detecting defect on photomask
JP2796316B2 (ja) * 1988-10-24 1998-09-10 株式会社日立製作所 欠陥または異物の検査方法およびその装置
US5563702A (en) * 1991-08-22 1996-10-08 Kla Instruments Corporation Automated photomask inspection apparatus and method
IL118872A (en) * 1996-07-16 2000-06-01 Orbot Instr Ltd Optical inspection method and apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980026620A (ko) 1998-07-15
US6184976B1 (en) 2001-02-06
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TW359852B (en) 1999-06-01

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