JPH0894338A - マスク検査装置 - Google Patents
マスク検査装置Info
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- JPH0894338A JPH0894338A JP22988294A JP22988294A JPH0894338A JP H0894338 A JPH0894338 A JP H0894338A JP 22988294 A JP22988294 A JP 22988294A JP 22988294 A JP22988294 A JP 22988294A JP H0894338 A JPH0894338 A JP H0894338A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、短波長の露光処理に用いるマスクを
検査することを目的とする。 【構成】露光光と同一短波長のエキシマレーザ光を、露
光装置の照明光学系と同一開口数に設定した検査用照射
光学系(A) によりマスク(6) に照射し、このマスク(6)
を通過したパターン光を、露光装置の投影系と同一開口
数に設定した検査用観察光学系(B) により投影してその
像を観察する。これにより、短波長の光、例えばＤＵＶ
（２４８ｎｍ）、ＶＵＶ（１９３ｎｍ）の波長のエキシ
マレーザ光をマスク(6) に照射して、微細化のマスク
(6) に対する検査ができる。
検査することを目的とする。 【構成】露光光と同一短波長のエキシマレーザ光を、露
光装置の照明光学系と同一開口数に設定した検査用照射
光学系(A) によりマスク(6) に照射し、このマスク(6)
を通過したパターン光を、露光装置の投影系と同一開口
数に設定した検査用観察光学系(B) により投影してその
像を観察する。これにより、短波長の光、例えばＤＵＶ
（２４８ｎｍ）、ＶＵＶ（１９３ｎｍ）の波長のエキシ
マレーザ光をマスク(6) に照射して、微細化のマスク
(6) に対する検査ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば遠紫外線や深紫
外線の短波長の露光光による露光処理に用いるマスクを
検査するためのマスク検査装置に関する。
外線の短波長の露光光による露光処理に用いるマスクを
検査するためのマスク検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５はステッパ光学系を用いた露光装置
の構成図である。ブロードな分光分布を持った光源、例
えば水銀ランプ１が備えられ、この水銀ランプ１から放
射された露光光は、干渉フィルタ２により所望の波長、
例えばｉ線程度（３６５ｎｍ）の波長のみが取り出され
る。
の構成図である。ブロードな分光分布を持った光源、例
えば水銀ランプ１が備えられ、この水銀ランプ１から放
射された露光光は、干渉フィルタ２により所望の波長、
例えばｉ線程度（３６５ｎｍ）の波長のみが取り出され
る。
【０００３】この波長の露光光は、インテグレータレン
ズ３、絞り又は輪帯４を通して照明レンズ５に送られ、
この照明レンズ５によりマスク６に照射される。そうし
て、このマスク６を通過したパターン光は、投影レンズ
７によりレジスト８の塗布された半導体ウエハ等の被処
理体９に投影され、マスクパターンが被処理体９に転写
される。
ズ３、絞り又は輪帯４を通して照明レンズ５に送られ、
この照明レンズ５によりマスク６に照射される。そうし
て、このマスク６を通過したパターン光は、投影レンズ
７によりレジスト８の塗布された半導体ウエハ等の被処
理体９に投影され、マスクパターンが被処理体９に転写
される。
【０００４】このような露光装置において、マスク６の
検査を行う場合は、露光処理と同一条件、すなわち上記
ステッパ光学系と同一の光学系、水銀ランプ１、干渉フ
ィルタ２、インテグレータレンズ３、絞り又は輪帯４、
及び照明レンズ５を用いてｉ線程度の波長の検査用光を
マスク６に照射し、このマスク６を通過したパターン光
をＣＣＤ等の撮像素子に結像し、その像をモニター表示
している。
検査を行う場合は、露光処理と同一条件、すなわち上記
ステッパ光学系と同一の光学系、水銀ランプ１、干渉フ
ィルタ２、インテグレータレンズ３、絞り又は輪帯４、
及び照明レンズ５を用いてｉ線程度の波長の検査用光を
マスク６に照射し、このマスク６を通過したパターン光
をＣＣＤ等の撮像素子に結像し、その像をモニター表示
している。
【０００５】ところが、近年、半導体装置の高集積化が
進み、これに伴ってマスクパターンの微細化も進んでい
る。これにより、露光光の波長も短波長化し、その露光
光は、エキシマレーザを光源とするＤＵＶ（２４８ｎ
ｍ）、ＶＵＶ（１９３ｎｍ）の波長が必要となってい
る。
進み、これに伴ってマスクパターンの微細化も進んでい
る。これにより、露光光の波長も短波長化し、その露光
光は、エキシマレーザを光源とするＤＵＶ（２４８ｎ
ｍ）、ＶＵＶ（１９３ｎｍ）の波長が必要となってい
る。
【０００６】従って、マスク検査にあっても、露光光と
同一の波長と波長幅を持つ検査用光を用いる必要があ
る。しかしながら、現状では、露光光と同一の波長と波
長幅を持つ検査用光を従来の光源である水銀ランプ１か
ら得ることは困難である。
同一の波長と波長幅を持つ検査用光を用いる必要があ
る。しかしながら、現状では、露光光と同一の波長と波
長幅を持つ検査用光を従来の光源である水銀ランプ１か
ら得ることは困難である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上のように短波長に
よる露光装置に用いるマスクを検査する場合、露光光と
同一の波長と波長幅を持つ検査用光を水銀ランプ１から
得ることは困難である。そこで本発明は、短波長の露光
処理に用いるマスクを検査できるマスク検査装置を提供
することを目的とする。
よる露光装置に用いるマスクを検査する場合、露光光と
同一の波長と波長幅を持つ検査用光を水銀ランプ１から
得ることは困難である。そこで本発明は、短波長の露光
処理に用いるマスクを検査できるマスク検査装置を提供
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１によれば、短波
長の露光光を照明光学系を通してマスクに照射し、この
マスクを通過したパターン光を投影光学系により縮小投
影して被処理体に転写する露光装置に用いるマスクの検
査を行うマスク検査装置において、露光光と同一波長域
の光を放射する光源と、この光源から放射された光をマ
スクに照射する照明光学系のマスク側の開口数と同一に
マスク側の開口数を合わせる可変自在の検査用照射光学
系と、マスクを通過したパターン光を投影してその像を
観察する投影光学系と同一開口数にマスク側の開口数に
合わせる可変自在の検査用観察光学系と、を備えて上記
目的を達成しようとするマスク検査装置である。
長の露光光を照明光学系を通してマスクに照射し、この
マスクを通過したパターン光を投影光学系により縮小投
影して被処理体に転写する露光装置に用いるマスクの検
査を行うマスク検査装置において、露光光と同一波長域
の光を放射する光源と、この光源から放射された光をマ
スクに照射する照明光学系のマスク側の開口数と同一に
マスク側の開口数を合わせる可変自在の検査用照射光学
系と、マスクを通過したパターン光を投影してその像を
観察する投影光学系と同一開口数にマスク側の開口数に
合わせる可変自在の検査用観察光学系と、を備えて上記
目的を達成しようとするマスク検査装置である。
【０００９】請求項２によれば、光源は、露光光の波長
に応じてその発振波長を変更自在なエキシマレーザ発振
器である。請求項３によれば、光源は、少なくともＡｒ
ガス、Ｋｒガス、Ｆガスを備え、これらガスを組み合わ
せて、少なくともＡｒＦエキシマレーザ光、又はＫｒＦ
エキシマレーザ光のうちいずれか一方のエキシマレーザ
光を発振する。
に応じてその発振波長を変更自在なエキシマレーザ発振
器である。請求項３によれば、光源は、少なくともＡｒ
ガス、Ｋｒガス、Ｆガスを備え、これらガスを組み合わ
せて、少なくともＡｒＦエキシマレーザ光、又はＫｒＦ
エキシマレーザ光のうちいずれか一方のエキシマレーザ
光を発振する。
【００１０】請求項４によれば、短波長の露光光を照明
光学系を通してマスクに照射し、このマスクを通過した
パターン光を投影光学系により縮小投影して被処理体に
転写する露光装置に用いるマスクの検査を行うマスク検
査装置において、投影光学系と交換可能な検査光学系を
備え、この検査光学系は、マスクを通過したパターン光
を絞る開口絞りと、この開口絞りを通過したパターン光
を撮像素子に対して拡大投影を行う投影光学系のマスク
側の開口数と同一にマスク側の開口数が設定された対物
レンズと、を備えて上記目的を達成しようとするマスク
検査装置である。請求項５によれば、対物レンズの開口
数は、投影光学系の入射像に対する出射像の縮小投影比
率の逆数となる。
光学系を通してマスクに照射し、このマスクを通過した
パターン光を投影光学系により縮小投影して被処理体に
転写する露光装置に用いるマスクの検査を行うマスク検
査装置において、投影光学系と交換可能な検査光学系を
備え、この検査光学系は、マスクを通過したパターン光
を絞る開口絞りと、この開口絞りを通過したパターン光
を撮像素子に対して拡大投影を行う投影光学系のマスク
側の開口数と同一にマスク側の開口数が設定された対物
レンズと、を備えて上記目的を達成しようとするマスク
検査装置である。請求項５によれば、対物レンズの開口
数は、投影光学系の入射像に対する出射像の縮小投影比
率の逆数となる。
【００１１】
【作用】請求項１によれば、マスクを検査する場合、光
源から露光光と同一波長域の光を放射し、この光を、照
明光学系のマスク側の開口数が同一にマスク側の開口数
を合わせた検査用照射光学系によりマスクに照射する。
そして、このマスクを通過したパターン光を、投影光学
系と同一開口数にマスク側の開口数を合わせた検査用観
察光学系により投影してその像を観察する。
源から露光光と同一波長域の光を放射し、この光を、照
明光学系のマスク側の開口数が同一にマスク側の開口数
を合わせた検査用照射光学系によりマスクに照射する。
そして、このマスクを通過したパターン光を、投影光学
系と同一開口数にマスク側の開口数を合わせた検査用観
察光学系により投影してその像を観察する。
【００１２】請求項２によれば、エキシマレーザ発振器
から露光光の波長に応じてその発振波長を変更自在とし
ている。請求項３によれば、少なくともＡｒガス、Ｋｒ
ガス、Ｆガスを組み合わせて、少なくともＡｒＦガス、
ＫｒＦガスを作成し、これらガスを用いてＡｒＦエキシ
マレーザ光、又はＫｒＦエキシマレーザ光を発振する 請求項４によれば、マスクのパターン光を投影光学系に
より縮小投影して被処理体に転写するマスクを検査する
場合、投影光学系に対して検査光学系を交換する。この
検査光学系は、マスクを通過したパターン光を開口絞り
を通し、さらに投影光学系のマスク側の開口数と同一に
マスク側の開口数が設定された対物レンズにより撮像素
子に対して拡大投影する。請求項５によれば、対物レン
ズの開口数を、投影光学系の入射像に対する出射像の縮
小投影比率の逆数として設定する。
から露光光の波長に応じてその発振波長を変更自在とし
ている。請求項３によれば、少なくともＡｒガス、Ｋｒ
ガス、Ｆガスを組み合わせて、少なくともＡｒＦガス、
ＫｒＦガスを作成し、これらガスを用いてＡｒＦエキシ
マレーザ光、又はＫｒＦエキシマレーザ光を発振する 請求項４によれば、マスクのパターン光を投影光学系に
より縮小投影して被処理体に転写するマスクを検査する
場合、投影光学系に対して検査光学系を交換する。この
検査光学系は、マスクを通過したパターン光を開口絞り
を通し、さらに投影光学系のマスク側の開口数と同一に
マスク側の開口数が設定された対物レンズにより撮像素
子に対して拡大投影する。請求項５によれば、対物レン
ズの開口数を、投影光学系の入射像に対する出射像の縮
小投影比率の逆数として設定する。
【００１３】
(1) 以下、本発明の第１の実施例について図面を参照し
て説明する。図１はマスク検査装置の構成図である。エ
キシマチューブ１０は、エキシマレーザ媒質を励起する
ことによりエキシマパルスレーザ光を発振するもので、
このエキシマチューブ１０には、エキシマレーザ媒質の
原ガスとしてＡｒガス、Ｋｒガス、Ｆガスの各充填容器
１１、１２、１３が連通している。
て説明する。図１はマスク検査装置の構成図である。エ
キシマチューブ１０は、エキシマレーザ媒質を励起する
ことによりエキシマパルスレーザ光を発振するもので、
このエキシマチューブ１０には、エキシマレーザ媒質の
原ガスとしてＡｒガス、Ｋｒガス、Ｆガスの各充填容器
１１、１２、１３が連通している。
【００１４】この場合、エキシマチューブ１０には、Ａ
ｒガス填容器１１とＦガス充填容器１３との各ガスが組
み合わされたＡｒＦガスが注入されるか、又はＫｒガス
填容器１２とＦガス充填容器１３との各ガスが組み合わ
されたＫｒＦガスが注入されるように選択可能な構成と
なっている。
ｒガス填容器１１とＦガス充填容器１３との各ガスが組
み合わされたＡｒＦガスが注入されるか、又はＫｒガス
填容器１２とＦガス充填容器１３との各ガスが組み合わ
されたＫｒＦガスが注入されるように選択可能な構成と
なっている。
【００１５】このエキシマチューブ１０から出力される
エキシマレーザ光の光路上には、照明光学系Ａが配置さ
れている。すなわち、エキシマレーザ光の光路上には、
狭帯化エタロン１４、拡大光学系１５、インテグレータ
１６、ピンホール板１７、及びハーフミラー１８が配置
され、さらにこのハーフミラー１８の反射方向にコンデ
ンサレンズ１９が配置されている。
エキシマレーザ光の光路上には、照明光学系Ａが配置さ
れている。すなわち、エキシマレーザ光の光路上には、
狭帯化エタロン１４、拡大光学系１５、インテグレータ
１６、ピンホール板１７、及びハーフミラー１８が配置
され、さらにこのハーフミラー１８の反射方向にコンデ
ンサレンズ１９が配置されている。
【００１６】従って、このコンデンサレンズ１９の結像
位置にマスク２０が配置される。一方、このマスク２０
から通過するパターン光の光路上には、観察光学系Ｂが
配置されている。すなわち、パターン光の光路上には、
対物レンズ３０、開口絞り３１、及び蓄積型の冷却ＣＣ
Ｄカメラ（以下、ＣＣＤカメラと省略する）３２が配置
され、このＣＣＤカメラ３２の出力端子にモニター装置
３３が接続されている。
位置にマスク２０が配置される。一方、このマスク２０
から通過するパターン光の光路上には、観察光学系Ｂが
配置されている。すなわち、パターン光の光路上には、
対物レンズ３０、開口絞り３１、及び蓄積型の冷却ＣＣ
Ｄカメラ（以下、ＣＣＤカメラと省略する）３２が配置
され、このＣＣＤカメラ３２の出力端子にモニター装置
３３が接続されている。
【００１７】このうち対物レンズ３０及び開口絞り３１
は、デフォーカス機構３４により矢印（イ）方向に昇降
し、ＣＣＤカメラ３２に対するフォーカスをずらす構成
となっている。
は、デフォーカス機構３４により矢印（イ）方向に昇降
し、ＣＣＤカメラ３２に対するフォーカスをずらす構成
となっている。
【００１８】対物レンズ３０の開口数ＮＡは、ステッパ
光学系の開口数ＮＡとほぼ同一になっている。しかる
に、観察光学系Ｂにおいて観察される像（像シミュレー
ション）は、露光装置におけるステッパ光学系と同様な
波長λ、開口数ＮＡ、照明のコヒーレンシーσ｛＝ sin
（θ1 ／２）／（ sinθ2 ／２）｝により観察される。
光学系の開口数ＮＡとほぼ同一になっている。しかる
に、観察光学系Ｂにおいて観察される像（像シミュレー
ション）は、露光装置におけるステッパ光学系と同様な
波長λ、開口数ＮＡ、照明のコヒーレンシーσ｛＝ sin
（θ1 ／２）／（ sinθ2 ／２）｝により観察される。
【００１９】又、マスク２０は、実際にはステージ上に
載置され、このステージ位置がマスク移動機構３５によ
り移動自在となっている。又、光量センサ４０がハーフ
ミラー１８の光透過光路上に配置されている。この光量
センサ４０は、受光するエキシマレーザ光の光量に応じ
た光量信号を出力するもので、この光量信号はパワー補
正装置４１に送られている。
載置され、このステージ位置がマスク移動機構３５によ
り移動自在となっている。又、光量センサ４０がハーフ
ミラー１８の光透過光路上に配置されている。この光量
センサ４０は、受光するエキシマレーザ光の光量に応じ
た光量信号を出力するもので、この光量信号はパワー補
正装置４１に送られている。
【００２０】このパワー補正装置４１は、光量信号を受
けてエキシマチューブ１０から所定光量のエキシマレー
ザ光が出力されているかを判断し、出力されていなけれ
ば、エキシマチューブ１０における印加電圧、エキシマ
レーザ媒質の量、又はガス圧力を制御してエキシマレー
ザ光のパワー補正を行う機能を有している。
けてエキシマチューブ１０から所定光量のエキシマレー
ザ光が出力されているかを判断し、出力されていなけれ
ば、エキシマチューブ１０における印加電圧、エキシマ
レーザ媒質の量、又はガス圧力を制御してエキシマレー
ザ光のパワー補正を行う機能を有している。
【００２１】次に上記の如く構成された装置の作用につ
いて説明する。露光装置で使用する露光光の波長が１９
３ｎｍの場合、ＡｒガスとＦガスとを組み合わせたＡｒ
Ｆガスがエキシマレーザ媒質として選択される。
いて説明する。露光装置で使用する露光光の波長が１９
３ｎｍの場合、ＡｒガスとＦガスとを組み合わせたＡｒ
Ｆガスがエキシマレーザ媒質として選択される。
【００２２】すなわち、Ａｒガス填容器１１のＡｒガス
とＦガス充填容器１３のＦガスとが組み合わされたＡｒ
Ｆガスがエキシマチューブ１０に注入されると、このエ
キシマチューブ１０からは、波長１９３ｎｍのパルスＡ
ｒＦエキシマレーザ光が出力される。
とＦガス充填容器１３のＦガスとが組み合わされたＡｒ
Ｆガスがエキシマチューブ１０に注入されると、このエ
キシマチューブ１０からは、波長１９３ｎｍのパルスＡ
ｒＦエキシマレーザ光が出力される。
【００２３】このＡｒＦエキシマレーザ光は、狭帯化エ
タロン１４により波長幅が数ｐｍ以下に狭帯化され、拡
大光学系１５、インテグレータ１６、及びピンホール板
１７を通過してハーフミラー１８に入射する。
タロン１４により波長幅が数ｐｍ以下に狭帯化され、拡
大光学系１５、インテグレータ１６、及びピンホール板
１７を通過してハーフミラー１８に入射する。
【００２４】ここで、ＡｒＦエキシマレーザ光は、ハー
フミラー１８により２方向に分岐され、その一方のＡｒ
Ｆエキシマレーザ光がコンデンサレンズ１９によりマス
ク２０に照射される。
フミラー１８により２方向に分岐され、その一方のＡｒ
Ｆエキシマレーザ光がコンデンサレンズ１９によりマス
ク２０に照射される。
【００２５】このマスク２０を通過したパターン光は、
対物レンズ３０、開口絞り３１を通ってＣＣＤカメラ３
２に拡大投影（例えば５倍）される。このときパターン
光は、開口絞り３１により露光装置ステッパ光学系の開
口数ＮＡと同様の開口数ＮＡに絞られてＣＣＤカメラ３
２に入射する。
対物レンズ３０、開口絞り３１を通ってＣＣＤカメラ３
２に拡大投影（例えば５倍）される。このときパターン
光は、開口絞り３１により露光装置ステッパ光学系の開
口数ＮＡと同様の開口数ＮＡに絞られてＣＣＤカメラ３
２に入射する。
【００２６】このＣＣＤカメラ３２は、パルス発振され
たＡｒＦエキシマレーザ光によるパターン光を受光する
ので、各パルスのパターン光を蓄積し、この蓄積による
パターン光の強度に応じた電気信号を出力する。
たＡｒＦエキシマレーザ光によるパターン光を受光する
ので、各パルスのパターン光を蓄積し、この蓄積による
パターン光の強度に応じた電気信号を出力する。
【００２７】モニター装置３３は、ＣＣＤカメラ３２か
らの電気信号を受けて画像処理し、パターン光の光強度
を示す波形を表示する。従って、このモニター装置３３
に表示されるパターン光強度の波形を観察すれば、マス
ク２０に対する検査ができる。
らの電気信号を受けて画像処理し、パターン光の光強度
を示す波形を表示する。従って、このモニター装置３３
に表示されるパターン光強度の波形を観察すれば、マス
ク２０に対する検査ができる。
【００２８】一方、この状態に、デフォーカス調整機構
３４により対物レンズ３０及び開口絞り３１を矢印
（イ）方向に昇降させてＣＣＤカメラ３２に対するフォ
ーカスをずらせば、モニター装置３３には、フォーカス
をずらしたときに、どのフォーカス範囲までマスクパタ
ーンが解像度高く映し出されるか測定される。
３４により対物レンズ３０及び開口絞り３１を矢印
（イ）方向に昇降させてＣＣＤカメラ３２に対するフォ
ーカスをずらせば、モニター装置３３には、フォーカス
をずらしたときに、どのフォーカス範囲までマスクパタ
ーンが解像度高く映し出されるか測定される。
【００２９】なお、光量センサ４０は、ハーフミラー１
８を透過したエキシマレーザ光を受光し、その光量に応
じた光量信号を出力する。パワー補正装置４１は、光量
信号を受けてエキシマチューブ１０から所定光量のエキ
シマレーザ光が出力されているかを判断し、出力されて
いなければ、エキシマチューブ１０における印加電圧、
エキシマレーザ媒質の量、又はガス圧力を制御する。
８を透過したエキシマレーザ光を受光し、その光量に応
じた光量信号を出力する。パワー補正装置４１は、光量
信号を受けてエキシマチューブ１０から所定光量のエキ
シマレーザ光が出力されているかを判断し、出力されて
いなければ、エキシマチューブ１０における印加電圧、
エキシマレーザ媒質の量、又はガス圧力を制御する。
【００３０】これにより、エキシマレーザ光は、その光
量が一定に制御される。次に露光装置で使用する露光光
の波長が２４８ｎｍの場合、ＫｒガスとＦガスとを組み
合わせたＫｒＦガスがエキシマレーザ媒質として選択さ
れる。
量が一定に制御される。次に露光装置で使用する露光光
の波長が２４８ｎｍの場合、ＫｒガスとＦガスとを組み
合わせたＫｒＦガスがエキシマレーザ媒質として選択さ
れる。
【００３１】すなわち、Ｋｒガス填容器１２のＫｒガス
とＦガス充填容器１３のＦガスとが組み合わされたＫｒ
Ｆガスがエキシマチューブ１０に注入されると、このエ
キシマチューブ１０からは、波長２４８ｎｍのパルスＫ
ｒＦエキシマレーザ光が出力される。
とＦガス充填容器１３のＦガスとが組み合わされたＫｒ
Ｆガスがエキシマチューブ１０に注入されると、このエ
キシマチューブ１０からは、波長２４８ｎｍのパルスＫ
ｒＦエキシマレーザ光が出力される。
【００３２】このＫｒＦエキシマレーザ光は、上記同様
に狭帯化エタロン１４、拡大光学系１５、インテグレー
タ１６、及びピンホール板１７を通過してハーフミラー
１８に入射し、ここで２方向に分岐され、その一方のＫ
ｒＦエキシマレーザ光がコンデンサレンズ１９によりマ
スク２０に照射される。
に狭帯化エタロン１４、拡大光学系１５、インテグレー
タ１６、及びピンホール板１７を通過してハーフミラー
１８に入射し、ここで２方向に分岐され、その一方のＫ
ｒＦエキシマレーザ光がコンデンサレンズ１９によりマ
スク２０に照射される。
【００３３】このマスク２０を通過したパターン光は、
対物レンズ３０により集光されるとともに開口絞り３１
により露光装置ステッパ光学系の開口数ＮＡと同様の開
口数ＮＡに絞られてＣＣＤカメラ３２に入射する。
対物レンズ３０により集光されるとともに開口絞り３１
により露光装置ステッパ光学系の開口数ＮＡと同様の開
口数ＮＡに絞られてＣＣＤカメラ３２に入射する。
【００３４】従って、このＣＣＤカメラ３２の出力信号
によりモニター装置３３には、パターン光の光強度を示
す波形が表示される。従って、このモニター装置３３に
表示されるパターン光強度の波形を観察すれば、マスク
２０に対する検査ができる。
によりモニター装置３３には、パターン光の光強度を示
す波形が表示される。従って、このモニター装置３３に
表示されるパターン光強度の波形を観察すれば、マスク
２０に対する検査ができる。
【００３５】又、デフォーカス調整機構３４によりＣＣ
Ｄカメラ３２に対するフォーカスをずらせば、モニター
装置３３には、フォーカスをずらしたときに、どのフォ
ーカス範囲までマスクパターンが解像度高く映し出され
るか測定される。
Ｄカメラ３２に対するフォーカスをずらせば、モニター
装置３３には、フォーカスをずらしたときに、どのフォ
ーカス範囲までマスクパターンが解像度高く映し出され
るか測定される。
【００３６】このように上記第１の実施例においては、
露光光と同一短波長のエキシマレーザ光を放射し、この
光を、露光装置の照明光学系と同一開口数に設定した検
査用照射光学系Ａによりマスク６に照射し、このマスク
６を通過したパターン光を、露光装置の投影系と同一開
口数に設定した検査用観察光学系Ｂにより投影してその
像を観察するようにしたので、高集積化の半導体装置を
製造するにあたって必要とする微細化のマスクパターン
の検査に必要な短波長の光、つまりＤＵＶ（２４８ｎ
ｍ）、ＶＵＶ（１９３ｎｍ）の波長のエキシマレーザ光
をマスク６に照射して、微細化のマスク６に対する検査
ができる。
露光光と同一短波長のエキシマレーザ光を放射し、この
光を、露光装置の照明光学系と同一開口数に設定した検
査用照射光学系Ａによりマスク６に照射し、このマスク
６を通過したパターン光を、露光装置の投影系と同一開
口数に設定した検査用観察光学系Ｂにより投影してその
像を観察するようにしたので、高集積化の半導体装置を
製造するにあたって必要とする微細化のマスクパターン
の検査に必要な短波長の光、つまりＤＵＶ（２４８ｎ
ｍ）、ＶＵＶ（１９３ｎｍ）の波長のエキシマレーザ光
をマスク６に照射して、微細化のマスク６に対する検査
ができる。
【００３７】この場合、ＤＵＶ（２４８ｎｍ）、ＶＵＶ
（１９３ｎｍ）の２つの波長のエキシマレーザ光を選択
できるので、１つの検査装置で２つの像シミュレーショ
ンができ、コストダウンと省面積化とが図れる。
（１９３ｎｍ）の２つの波長のエキシマレーザ光を選択
できるので、１つの検査装置で２つの像シミュレーショ
ンができ、コストダウンと省面積化とが図れる。
【００３８】又、デフォーカス調整機構３４によりＣＣ
Ｄカメラ３２に対するフォーカスをずらすので、フォー
カスをずらしたときに、どのフォーカス範囲までマスク
パターンが解像度高く映し出されるかを測定できる。
Ｄカメラ３２に対するフォーカスをずらすので、フォー
カスをずらしたときに、どのフォーカス範囲までマスク
パターンが解像度高く映し出されるかを測定できる。
【００３９】そのうえ、開口絞り３１は、その絞りの大
きさが自在なので、露光装置ステッパ光学系の開口数Ｎ
Ａに合わせた開口数ＮＡに絞ることができ、露光装置に
合ったマスク検査ができる。 (2) 次に本発明の第２の実施例について説明する。な
お、図１と同一部分には同一符号を付してその詳しい説
明は省略する。
きさが自在なので、露光装置ステッパ光学系の開口数Ｎ
Ａに合わせた開口数ＮＡに絞ることができ、露光装置に
合ったマスク検査ができる。 (2) 次に本発明の第２の実施例について説明する。な
お、図１と同一部分には同一符号を付してその詳しい説
明は省略する。
【００４０】図２はマスク検査装置の構成図である。光
量センサ４０の出力端子には、Ａ／Ｄボード５０を介し
てＣＰＵ５１が接続されている。なお、Ａ／Ｄボード５
０は、光量センサ４０から出力されたエキシマレーザ光
の光量に応じた光量信号をディジタル光量信号に変換し
てＣＰＵ５１に送る機能を有している。
量センサ４０の出力端子には、Ａ／Ｄボード５０を介し
てＣＰＵ５１が接続されている。なお、Ａ／Ｄボード５
０は、光量センサ４０から出力されたエキシマレーザ光
の光量に応じた光量信号をディジタル光量信号に変換し
てＣＰＵ５１に送る機能を有している。
【００４１】ＣＰＵ５１は、エキシマレーザ光の光量に
応じたディジタル光量信号を受けてエキシマレーザ光の
光量の変動を検出し、エキシマレーザ光に光量変動があ
る場合にその光量変動に応じてモニター装置３３の画像
処理により得られたパターン光の光強度を示す波形から
光量変動分をキャンセルする機能を有している。
応じたディジタル光量信号を受けてエキシマレーザ光の
光量の変動を検出し、エキシマレーザ光に光量変動があ
る場合にその光量変動に応じてモニター装置３３の画像
処理により得られたパターン光の光強度を示す波形から
光量変動分をキャンセルする機能を有している。
【００４２】このような構成であれば、例えば露光装置
で使用する露光光の波長が１９３ｎｍの場合、Ａｒガス
とＦガスとを組み合わせたＡｒＦガスがエキシマレーザ
媒質として選択され、エキシマチューブ１０からは、波
長１９３ｎｍのパルスＡｒＦエキシマレーザ光が出力さ
れる。
で使用する露光光の波長が１９３ｎｍの場合、Ａｒガス
とＦガスとを組み合わせたＡｒＦガスがエキシマレーザ
媒質として選択され、エキシマチューブ１０からは、波
長１９３ｎｍのパルスＡｒＦエキシマレーザ光が出力さ
れる。
【００４３】このＡｒＦエキシマレーザ光は、狭帯化エ
タロン１４により波長幅が数ｐｍ以下に狭帯化され、拡
大光学系１５やピンホール板１７等を通過してハーフミ
ラー１８に入射し、ここで、２方向に分岐され、その一
方のＡｒＦエキシマレーザ光がコンデンサレンズ１９に
よりマスク２０に照射される。
タロン１４により波長幅が数ｐｍ以下に狭帯化され、拡
大光学系１５やピンホール板１７等を通過してハーフミ
ラー１８に入射し、ここで、２方向に分岐され、その一
方のＡｒＦエキシマレーザ光がコンデンサレンズ１９に
よりマスク２０に照射される。
【００４４】このマスク２０を通過したパターン光は、
対物レンズ３０、開口絞り３１を通ってＣＣＤカメラ３
２に拡大投影（例えば５倍）される。このときパターン
光は、開口絞り３１により露光装置ステッパ光学系の開
口数ＮＡとほぼ同様の開口数ＮＡに絞られてＣＣＤカメ
ラ３２に入射する。
対物レンズ３０、開口絞り３１を通ってＣＣＤカメラ３
２に拡大投影（例えば５倍）される。このときパターン
光は、開口絞り３１により露光装置ステッパ光学系の開
口数ＮＡとほぼ同様の開口数ＮＡに絞られてＣＣＤカメ
ラ３２に入射する。
【００４５】このＣＣＤカメラ３２は、パルス発振され
たＡｒＦエキシマレーザ光によるパターン光を受光する
ので、各パルスのパターン光を蓄積し、この蓄積による
パターン光の強度に応じた電気信号を出力する。
たＡｒＦエキシマレーザ光によるパターン光を受光する
ので、各パルスのパターン光を蓄積し、この蓄積による
パターン光の強度に応じた電気信号を出力する。
【００４６】モニター装置３３は、ＣＣＤカメラ３２か
らの電気信号を受けて画像処理し、パターン光の光強度
を示す波形を表示し、さらにこのパターン光の光強度を
示す波形をＣＰＵ５１に送る。
らの電気信号を受けて画像処理し、パターン光の光強度
を示す波形を表示し、さらにこのパターン光の光強度を
示す波形をＣＰＵ５１に送る。
【００４７】この状態に、デフォーカス調整機構３４に
より対物レンズ３０及び開口絞り３１を矢印（イ）方向
に昇降させてＣＣＤカメラ３２に対するフォーカスをず
らせば、モニター装置３３には、フォーカスをずらした
ときに、どのフォーカス範囲までマスクパターンが解像
度高く映し出されるか測定される。
より対物レンズ３０及び開口絞り３１を矢印（イ）方向
に昇降させてＣＣＤカメラ３２に対するフォーカスをず
らせば、モニター装置３３には、フォーカスをずらした
ときに、どのフォーカス範囲までマスクパターンが解像
度高く映し出されるか測定される。
【００４８】一方、光量センサ４０は、ハーフミラー１
８を透過したエキシマレーザ光を受光し、その光量に応
じた光量信号を出力する。この光量信号は、パワー補正
装置４１に送られるとともにＡ／Ｄボード５０によりデ
ィジタル光量信号に変換されてＣＰＵ５１に送られる。
８を透過したエキシマレーザ光を受光し、その光量に応
じた光量信号を出力する。この光量信号は、パワー補正
装置４１に送られるとともにＡ／Ｄボード５０によりデ
ィジタル光量信号に変換されてＣＰＵ５１に送られる。
【００４９】パワー補正装置４１は、上記同様に、光量
信号を受けてエキシマチューブ１０から所定光量のエキ
シマレーザ光が出力されているかを判断し、出力されて
いなければ、エキシマチューブ１０における印加電圧、
エキシマレーザ媒質の量、又はガス圧力を制御する。
信号を受けてエキシマチューブ１０から所定光量のエキ
シマレーザ光が出力されているかを判断し、出力されて
いなければ、エキシマチューブ１０における印加電圧、
エキシマレーザ媒質の量、又はガス圧力を制御する。
【００５０】これにより、エキシマレーザ光は、その光
量が一定に制御される。ＣＰＵ５１は、図３に示すよう
にエキシマレーザ光の光量に応じたディジタル光量信号
を受けてエキシマレーザ光の光量の変動を検出する。
量が一定に制御される。ＣＰＵ５１は、図３に示すよう
にエキシマレーザ光の光量に応じたディジタル光量信号
を受けてエキシマレーザ光の光量の変動を検出する。
【００５１】このＣＰＵ５１は、エキシマレーザ光に光
量変動がある場合、その光量変動に応じてモニター装置
３３の画像処理により得られたパターン光の光強度を示
す波形から光量変動分をキャンセルする。
量変動がある場合、その光量変動に応じてモニター装置
３３の画像処理により得られたパターン光の光強度を示
す波形から光量変動分をキャンセルする。
【００５２】この結果、光量変動分がキャンセルされた
パターン光強度の波形を観察することにより、マスク２
０に対する精度高い検査ができる。このように第２の実
施例によれば、エキシマレーザ光の光量の変動を検出
し、エキシマレーザ光に光量変動がある場合にその光量
変動に応じてモニター装置３３の画像処理により得られ
たパターン光の光強度を示す波形、つまりＣＣＤカメラ
３２からの電気信号から光量変動分をキャンセルするの
で、パワー補正装置４１によりエキシマレーザ光の光量
を一定に制御しているが、それでもエキシマレーザ光の
光量に変動が生じた場合にはその光量変動をキャンセル
できてマスク２０に対する精度高い検査ができる。 (3) 次に本発明の第３の実施例について説明する。な
お、図５と同一部分には同一部号を付してある。
パターン光強度の波形を観察することにより、マスク２
０に対する精度高い検査ができる。このように第２の実
施例によれば、エキシマレーザ光の光量の変動を検出
し、エキシマレーザ光に光量変動がある場合にその光量
変動に応じてモニター装置３３の画像処理により得られ
たパターン光の光強度を示す波形、つまりＣＣＤカメラ
３２からの電気信号から光量変動分をキャンセルするの
で、パワー補正装置４１によりエキシマレーザ光の光量
を一定に制御しているが、それでもエキシマレーザ光の
光量に変動が生じた場合にはその光量変動をキャンセル
できてマスク２０に対する精度高い検査ができる。 (3) 次に本発明の第３の実施例について説明する。な
お、図５と同一部分には同一部号を付してある。
【００５３】図４はステッパ光学系を用いた露光装置及
びその検査装置の構成図である。ステッパ光学系を用い
た露光装置では、上記同様に、投影レンズ７によりマス
ク６の像をレジスト８の塗布された半導体ウエハ等の被
処理体９に縮小投影する。
びその検査装置の構成図である。ステッパ光学系を用い
た露光装置では、上記同様に、投影レンズ７によりマス
ク６の像をレジスト８の塗布された半導体ウエハ等の被
処理体９に縮小投影する。
【００５４】一方、検査光学系のステッパシミュレータ
６０は、開口絞り６１、対物レンズ６２を配置し、この
対物レンズ６２を用いてマスク６の像を冷却ＣＣＤカメ
ラ６３に拡大投影するものとなっている。
６０は、開口絞り６１、対物レンズ６２を配置し、この
対物レンズ６２を用いてマスク６の像を冷却ＣＣＤカメ
ラ６３に拡大投影するものとなっている。
【００５５】対物レンズ６２の開口数ＮＡは、ここでは
ステッパ光学系の開口数ＮＡの５分の１となっている。
ステッパ光学系での縮小比率を「５」としているからで
ある。要するに５分の１の大きさに像が縮小される。
ステッパ光学系の開口数ＮＡの５分の１となっている。
ステッパ光学系での縮小比率を「５」としているからで
ある。要するに５分の１の大きさに像が縮小される。
【００５６】しかるに、ステッパシミュレータ６０にお
いて観察される像（像シミュレーション）は、露光装置
におけるステッパ光学系と同様な波長λ、開口数ＮＡ、
照明のコヒーレンシーσ｛＝ sin（θ1 ／２）／（ sin
θ2 ／２）｝により観察される。
いて観察される像（像シミュレーション）は、露光装置
におけるステッパ光学系と同様な波長λ、開口数ＮＡ、
照明のコヒーレンシーσ｛＝ sin（θ1 ／２）／（ sin
θ2 ／２）｝により観察される。
【００５７】このステッパシミュレータ６０は、露光結
像系（投影光学系）Ａと交換可能な構造となっている。
又、対物レンズ６２及び開口絞り６１は、デフォーカス
機構６４により矢印（ロ）方向に昇降し、冷却ＣＣＤカ
メラ６３に対するフォーカスをずらす構成となってい
る。
像系（投影光学系）Ａと交換可能な構造となっている。
又、対物レンズ６２及び開口絞り６１は、デフォーカス
機構６４により矢印（ロ）方向に昇降し、冷却ＣＣＤカ
メラ６３に対するフォーカスをずらす構成となってい
る。
【００５８】かかる構成であれば、露光時に露光結像系
Ａが取り付けられる。水銀ランプ１から放射された露光
光は、干渉フィルタ２により所望の波長のみが取り出さ
れる。この波長の露光光は、インテグレータレンズ３、
絞り又は輪帯４を通して照明レンズ５に送られ、この照
明レンズ５によりマスク６に照射される。そうして、こ
のマスク６を通過したパターン光は、投影レンズ７によ
りレジスト８の塗布された半導体ウエハ等の被処理体９
に投影され、マスクパターンが被処理体９に転写され
る。
Ａが取り付けられる。水銀ランプ１から放射された露光
光は、干渉フィルタ２により所望の波長のみが取り出さ
れる。この波長の露光光は、インテグレータレンズ３、
絞り又は輪帯４を通して照明レンズ５に送られ、この照
明レンズ５によりマスク６に照射される。そうして、こ
のマスク６を通過したパターン光は、投影レンズ７によ
りレジスト８の塗布された半導体ウエハ等の被処理体９
に投影され、マスクパターンが被処理体９に転写され
る。
【００５９】一方、この露光装置においてマスク６の検
査を行う場合は、露光結像系Ａに替えてステッパシミュ
レータ６０が取り付けられる。しかるに、マスク６を通
過したパターン光は、開口絞り６１を通り対物レンズ６
２により集光されることにより、露光装置ステッパ光学
系の開口数ＮＡとほぼ同様の開口数ＮＡに絞られ、対物
レンズ６２により集光されて冷却ＣＣＤカメラ６３に入
射する。
査を行う場合は、露光結像系Ａに替えてステッパシミュ
レータ６０が取り付けられる。しかるに、マスク６を通
過したパターン光は、開口絞り６１を通り対物レンズ６
２により集光されることにより、露光装置ステッパ光学
系の開口数ＮＡとほぼ同様の開口数ＮＡに絞られ、対物
レンズ６２により集光されて冷却ＣＣＤカメラ６３に入
射する。
【００６０】従って、この冷却ＣＣＤカメラ６３の出力
信号により、例えばモニター装置には、パターン光の光
強度を示す波形が表示される。従って、このモニター装
置に表示されるパターン光強度の波形を観察すれば、マ
スク６に対する検査ができる。
信号により、例えばモニター装置には、パターン光の光
強度を示す波形が表示される。従って、このモニター装
置に表示されるパターン光強度の波形を観察すれば、マ
スク６に対する検査ができる。
【００６１】又、デフォーカス調整機構６４により冷却
ＣＣＤカメラ６３に対するフォーカスをずらせば、モニ
ター装置には、フォーカスをずらしたときに、どのフォ
ーカス範囲までマスクパターンが解像度高く映し出され
るか測定される。
ＣＣＤカメラ６３に対するフォーカスをずらせば、モニ
ター装置には、フォーカスをずらしたときに、どのフォ
ーカス範囲までマスクパターンが解像度高く映し出され
るか測定される。
【００６２】このように第３の実施例によれば、露光結
像系Ａと検査光学系のステッパシミュレータ６０とを交
換可能としたので、１つの装置で被処理体９に対するマ
スクパターンの転写とマスク６に対する検査とができる
ものとなり、露光と検査に要する時間を大幅に短縮で
き、開発時間の短縮とコストダウン、さらには装置設置
場所の小面積化が図れる。
像系Ａと検査光学系のステッパシミュレータ６０とを交
換可能としたので、１つの装置で被処理体９に対するマ
スクパターンの転写とマスク６に対する検査とができる
ものとなり、露光と検査に要する時間を大幅に短縮で
き、開発時間の短縮とコストダウン、さらには装置設置
場所の小面積化が図れる。
【００６３】なお、本発明は、上記各実施例に限定され
るものでなく次の通りに変形してもよい。例えば、光源
としては、エキシマレーザに限らず、露光装置で用いる
短波長の光を得るものであれば、アルゴンレーザ光をＳ
ＨＧ（第２次高調波発生）を用いて短波長化したり、又
はＹＡＧレーザ等を用いてもよい。
るものでなく次の通りに変形してもよい。例えば、光源
としては、エキシマレーザに限らず、露光装置で用いる
短波長の光を得るものであれば、アルゴンレーザ光をＳ
ＨＧ（第２次高調波発生）を用いて短波長化したり、又
はＹＡＧレーザ等を用いてもよい。
【００６４】さらに、エキシマチューブ１０に他のガス
を注入して他の波長のパルスレーザ光を出力するように
してもよい。又、開口絞り３１に代えてピンホールを用
いてもよく、さらにデフォーカス機構３４及びマスク移
動機構３５の構成についても特定はしない。
を注入して他の波長のパルスレーザ光を出力するように
してもよい。又、開口絞り３１に代えてピンホールを用
いてもよく、さらにデフォーカス機構３４及びマスク移
動機構３５の構成についても特定はしない。
【００６５】
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、短
波長の露光処理に用いるマスクを検査できるマスク検査
装置を提供できる。
波長の露光処理に用いるマスクを検査できるマスク検査
装置を提供できる。
【図１】本発明に係わるマスク検査装置の第１の実施例
を示す構成図。
を示す構成図。
【図２】本発明に係わるマスク検査装置の第２の実施例
を示す構成図。
を示す構成図。
【図３】エキシマレーザ光の光量変動のキャンセルを示
す図。
す図。
【図４】本発明に係わるマスク検査装置の第３の実施例
を示す構成図。
を示す構成図。
【図５】従来装置の構成図。
１０…エキシマチューブ、１１…Ａｒガス充填容器、１
２…Ｋｒガス充填容器、１３…Ｆガス充填容器、１４…
狭帯化エタロン、１６…インテグレータ、１７…ピンホ
ール板、１８…ハーフミラー、１９…コンデンサレン
ズ、２０…マスク、３０…対物レンズ、３１…開口絞
り、３２…ＣＣＤカメラ、３３…モニター装置、３４…
デフォーカス機構、３５…マスク移動機構、４０…光量
センサ、４１…パワー補正装置、５１…ＣＰＵ、６０…
ステッパシミュレータ、６１…開口絞り、６２…対物レ
ンズ、６３…冷却ＣＣＤカメラ、６４…デフォーカス機
構。
２…Ｋｒガス充填容器、１３…Ｆガス充填容器、１４…
狭帯化エタロン、１６…インテグレータ、１７…ピンホ
ール板、１８…ハーフミラー、１９…コンデンサレン
ズ、２０…マスク、３０…対物レンズ、３１…開口絞
り、３２…ＣＣＤカメラ、３３…モニター装置、３４…
デフォーカス機構、３５…マスク移動機構、４０…光量
センサ、４１…パワー補正装置、５１…ＣＰＵ、６０…
ステッパシミュレータ、６１…開口絞り、６２…対物レ
ンズ、６３…冷却ＣＣＤカメラ、６４…デフォーカス機
構。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 1/08 Ｓ Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (5)
- 【請求項１】 短波長の露光光を照明光学系を通してマ
スクに照射し、このマスクを通過したパターン光を投影
光学系により縮小投影して被処理体に転写する露光装置
に用いる前記マスクの検査を行うマスク検査装置におい
て、 前記露光光と同一波長域の光を放射する光源と、 この光源から放射された光を前記マスクに照射する前記
照明光学系の前記マスク側の開口数と同一に前記マスク
側の開口数を合わせる可変自在の検査用照射光学系と、 前記マスクを通過したパターン光を投影してその像を観
察する前記投影光学系と同一開口数に前記マスク側の開
口数に合わせる可変自在の検査用観察光学系と、を具備
したことを特徴とするマスク検査装置。 - 【請求項２】 光源は、露光光の波長に応じてその発振
波長を変更自在なエキシマレーザ発振器であることを特
徴とする請求項１記載のマスク検査装置。 - 【請求項３】 光源は、少なくともＡｒガス、Ｋｒガ
ス、Ｆガスを備え、これらガスを組み合わせて、少なく
ともＡｒＦエキシマレーザ光、又はＫｒＦエキシマレー
ザ光のうちいずれか一方のエキシマレーザ光を発振する
ことを特徴とする請求項１記載のマスク検査装置。 - 【請求項４】 短波長の露光光を照明光学系を通してマ
スクに照射し、このマスクを通過したパターン光を投影
光学系により縮小投影して被処理体に転写する露光装置
に用いる前記マスクの検査を行うマスク検査装置におい
て、 前記投影光学系と交換可能な検査光学系を備え、 この検査光学系は、前記マスクを通過したパターン光を
絞る開口絞りと、 この開口絞りを通過したパターン光を撮像素子に対して
拡大投影を行う前記投影光学系の前記マスク側の開口数
と同一に前記マスク側の開口数が設定された対物レンズ
と、を備えたことを特徴とするマスク検査装置。 - 【請求項５】 対物レンズの開口数は、投影光学系の入
射像に対する出射像の縮小投影比率の逆数となる請求項
４記載のマスク検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22988294A JPH0894338A (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | マスク検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22988294A JPH0894338A (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | マスク検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0894338A true JPH0894338A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=16899195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22988294A Pending JPH0894338A (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | マスク検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0894338A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000193443A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Hitachi Ltd | パタ―ン欠陥検査方法及びその装置 |
| JP2009244155A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Advanced Mask Inspection Technology Kk | マスク検査装置 |
| JP2010191398A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Hoya Corp | 多階調フォトマスクの検査方法 |
| JP2010197800A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Hoya Corp | 多階調フォトマスクの評価方法 |
| JP2015225257A (ja) * | 2014-05-28 | 2015-12-14 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクの検査方法およびフォトマスクの製造方法 |
| US9696568B2 (en) | 2015-05-13 | 2017-07-04 | Lasertec Corporation | Light source apparatus and inspection apparatus |
-
1994
- 1994-09-26 JP JP22988294A patent/JPH0894338A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000193443A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Hitachi Ltd | パタ―ン欠陥検査方法及びその装置 |
| JP2009244155A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Advanced Mask Inspection Technology Kk | マスク検査装置 |
| JP4608566B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2011-01-12 | アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 | マスク検査装置 |
| US8154719B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-04-10 | Nuflare Technology, Inc. | Mask inspection apparatus |
| JP2010191398A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Hoya Corp | 多階調フォトマスクの検査方法 |
| JP2010197800A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Hoya Corp | 多階調フォトマスクの評価方法 |
| JP2015225257A (ja) * | 2014-05-28 | 2015-12-14 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクの検査方法およびフォトマスクの製造方法 |
| US9696568B2 (en) | 2015-05-13 | 2017-07-04 | Lasertec Corporation | Light source apparatus and inspection apparatus |
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