JPH1078668A - 検査装置 - Google Patents
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- JPH1078668A JPH1078668A JP8234268A JP23426896A JPH1078668A JP H1078668 A JPH1078668 A JP H1078668A JP 8234268 A JP8234268 A JP 8234268A JP 23426896 A JP23426896 A JP 23426896A JP H1078668 A JPH1078668 A JP H1078668A
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- Japan
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- light
- optical system
- light source
- mask
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、ランプ光とレーザ光などの各種光源
でのフォトマスクなどの被検査体に対する検査を行う。 【解決手段】ランプ光源20から放射されたランプ光は
光源切替ミラー24に入り、レーザ光源25から放射さ
れたUVレーザ光は拡散板26により拡散されて光源切
替ミラー24に入り、これらUVレーザ光とランプ光と
は、光源切替ミラー24によりいずれか1つの光に切り
替えられて照明光学系31に送られる。そして、UVレ
ーザ光又はランプ光は、照明光学系31を通してフォト
マスク32に照射され、このフォトマスク32を透過し
て得られるマスクパターン像に基づいてフォトマスク3
2の良否が判定される。
でのフォトマスクなどの被検査体に対する検査を行う。 【解決手段】ランプ光源20から放射されたランプ光は
光源切替ミラー24に入り、レーザ光源25から放射さ
れたUVレーザ光は拡散板26により拡散されて光源切
替ミラー24に入り、これらUVレーザ光とランプ光と
は、光源切替ミラー24によりいずれか1つの光に切り
替えられて照明光学系31に送られる。そして、UVレ
ーザ光又はランプ光は、照明光学系31を通してフォト
マスク32に照射され、このフォトマスク32を透過し
て得られるマスクパターン像に基づいてフォトマスク3
2の良否が判定される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素子
を製造する際のリソグラフィー工程において被投影原板
として用いられるフィトマスク(レチクル)をその像質
から検査する検査装置に関する。
を製造する際のリソグラフィー工程において被投影原板
として用いられるフィトマスク(レチクル)をその像質
から検査する検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】このようなリソグラフィー工程の技術と
しては、例えば特開昭53−72575号公報に記載さ
れたパターン転写光学装置がある。図4はかかるパター
ン転写光学装置の構成図であって、レーザ光源1から出
力されたレーザ光2は、各反射鏡3〜5でそれぞれ反射
してシャッター6に入射する。
しては、例えば特開昭53−72575号公報に記載さ
れたパターン転写光学装置がある。図4はかかるパター
ン転写光学装置の構成図であって、レーザ光源1から出
力されたレーザ光2は、各反射鏡3〜5でそれぞれ反射
してシャッター6に入射する。
【0003】このシャッター6は、シャッター制御回路
7により開閉制御されるもので、このシャッター6を通
過したレーザ光2は、集束レンズ8、光変調器9及びコ
ンデンサレンズ10を透過してフォトマスク11に照射
される。
7により開閉制御されるもので、このシャッター6を通
過したレーザ光2は、集束レンズ8、光変調器9及びコ
ンデンサレンズ10を透過してフォトマスク11に照射
される。
【0004】このフォトマスク11には、マスクパター
ン12が形成されており、このマスクパターン12を通
過したマスクパターン光13は、転写レンズ14により
縮小されて感光樹脂層の塗布された半導体基板15上の
所望の露光エリア16に投影される。
ン12が形成されており、このマスクパターン12を通
過したマスクパターン光13は、転写レンズ14により
縮小されて感光樹脂層の塗布された半導体基板15上の
所望の露光エリア16に投影される。
【0005】このようなパターン転写において光変調器
9は、コヒーレントな光によりマスクパターン像に生じ
る欠陥を修正している。すなわち、コヒーレントな光に
よって生じる寄生干渉縞が生じることが判明している。
この現象は、コヒーレントな光では、静止干渉縞が発生
されるという事実に起因している。
9は、コヒーレントな光によりマスクパターン像に生じ
る欠陥を修正している。すなわち、コヒーレントな光に
よって生じる寄生干渉縞が生じることが判明している。
この現象は、コヒーレントな光では、静止干渉縞が発生
されるという事実に起因している。
【0006】この干渉縞は、フォトマスク11により得
られるマスクパターン像の質に悪影響を及ぼす。このよ
うな問題を解消するために、レーザ光2に位相変調をか
けて持続時間の短い波面揺動を生じさせることにより平
均位置を中心として干渉縞を変位させるようにし、露光
時間中にそのような干渉縞変位を数回行わせるものであ
る。
られるマスクパターン像の質に悪影響を及ぼす。このよ
うな問題を解消するために、レーザ光2に位相変調をか
けて持続時間の短い波面揺動を生じさせることにより平
均位置を中心として干渉縞を変位させるようにし、露光
時間中にそのような干渉縞変位を数回行わせるものであ
る。
【0007】従って、半導体基板15上の感光樹脂層で
光を積分することによってマスクパターン像の品質に悪
影響を及ぼすことなしに干渉縞を解消できる。光変調器
9は、この平均化変調を行うもので、散乱円板に形成さ
れた可動素子を有し、この可動素子をモータによって回
転するものとなっている。なお、可動素子の回転制御
は、制御回路17によって行われる。
光を積分することによってマスクパターン像の品質に悪
影響を及ぼすことなしに干渉縞を解消できる。光変調器
9は、この平均化変調を行うもので、散乱円板に形成さ
れた可動素子を有し、この可動素子をモータによって回
転するものとなっている。なお、可動素子の回転制御
は、制御回路17によって行われる。
【0008】ところで、紫外光を用いた露光(UV露
光)では、ランプ光源とレーザ光源との2種類の光源が
用いられる。これらランプ光源とレーザ光源とでは、そ
れぞれ光のスペクトル幅が異なり、フォトマスク11が
例えば位相シフトマスクのように位相シフト膜に波長依
存性のあるものでは、フォトマスク11の半導体基板1
5上に転写したときのマスクパターン像の質が異なる可
能性が高くなる。
光)では、ランプ光源とレーザ光源との2種類の光源が
用いられる。これらランプ光源とレーザ光源とでは、そ
れぞれ光のスペクトル幅が異なり、フォトマスク11が
例えば位相シフトマスクのように位相シフト膜に波長依
存性のあるものでは、フォトマスク11の半導体基板1
5上に転写したときのマスクパターン像の質が異なる可
能性が高くなる。
【0009】従って、このようなUV露光装置では、2
つの光源に対してそれぞれ2種類のステッパがあり、フ
ォトマスク11に対してはそれぞれの光源に対する検査
を行う必要がある。
つの光源に対してそれぞれ2種類のステッパがあり、フ
ォトマスク11に対してはそれぞれの光源に対する検査
を行う必要がある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記パ
ターン転写光学装置では、光変調器9がレーザ光路上に
おいてコンデンサレンズ10の直前に配置されているた
めに、ランプ光とレーザ光とを同一の照明光学系を通し
てフォトマスク11に照射し、フォトマスク11の検査
を行うことはできない。
ターン転写光学装置では、光変調器9がレーザ光路上に
おいてコンデンサレンズ10の直前に配置されているた
めに、ランプ光とレーザ光とを同一の照明光学系を通し
てフォトマスク11に照射し、フォトマスク11の検査
を行うことはできない。
【0011】そこで本発明は、スペックルに影響されず
にランプ光とレーザ光などの各種光源でのフォトマスク
などの被検査体に対する検査ができる検査装置を提供す
ることを目的とする。
にランプ光とレーザ光などの各種光源でのフォトマスク
などの被検査体に対する検査ができる検査装置を提供す
ることを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】請求項1によれば、光の
スペクトル幅の異なる少なくとも2つの光源と、これら
光源からそれぞれ放射された各光のうちいずれかの光を
拡散する拡散光学系と、各光源からそれぞれ放射された
各光及び拡散光学系により拡散された光を被検査体に照
射する照明光学系と、各光源からそれぞれ放射された各
光又は拡散光学系により拡散された光のうちいずれかの
光を切り替えて照明光学系に導く光源切替手段と、被検
査体を透過して得られる被検査体像に基づいて被検査体
の良否を判定する検査判定手段と、を備えた検査装置で
ある。
スペクトル幅の異なる少なくとも2つの光源と、これら
光源からそれぞれ放射された各光のうちいずれかの光を
拡散する拡散光学系と、各光源からそれぞれ放射された
各光及び拡散光学系により拡散された光を被検査体に照
射する照明光学系と、各光源からそれぞれ放射された各
光又は拡散光学系により拡散された光のうちいずれかの
光を切り替えて照明光学系に導く光源切替手段と、被検
査体を透過して得られる被検査体像に基づいて被検査体
の良否を判定する検査判定手段と、を備えた検査装置で
ある。
【0013】このような検査装置であれば、例えば1つ
の光源から放射された光は拡散光学系により拡散されて
光源切替手段に入り、残りの他の光源から放射された光
も光源切替手段に入る。これら拡散された光と残りの他
の光とは、光源切替手段によりいずれか1つの光に切り
替えられて照明光学系に送られ、この照明光学系を通し
て被検査体に照射される。
の光源から放射された光は拡散光学系により拡散されて
光源切替手段に入り、残りの他の光源から放射された光
も光源切替手段に入る。これら拡散された光と残りの他
の光とは、光源切替手段によりいずれか1つの光に切り
替えられて照明光学系に送られ、この照明光学系を通し
て被検査体に照射される。
【0014】そして、この被検査体を透過して得られる
被検査体像に基づいて被検査体の良否が判定される。す
なわち、拡散された光と残りの他の光とは、同一の照明
光学系を通して被検査体に照射されて検査を行うことに
なる。
被検査体像に基づいて被検査体の良否が判定される。す
なわち、拡散された光と残りの他の光とは、同一の照明
光学系を通して被検査体に照射されて検査を行うことに
なる。
【0015】請求項2によれば、露光用光をマスクを通
して被処理体に照射し、マスクに形成されたマスクパタ
ーンを被処理体に転写する露光装置のマスクを検査する
検査装置において、光のスペクトル幅の異なる少なくと
も2つの光源と、これら光源からそれぞれ放射された各
光のうちいずれかの光を拡散する拡散光学系と、各光源
からそれぞれ放射された各光及び拡散光学系により拡散
された光をマスクに照射する照明光学系と、各光源から
それぞれ放射された各光又は拡散光学系により拡散され
た光のうちいずれかの光を切り替えて照明光学系に導く
光源切替手段と、マスクを透過して得られるマスク像に
基づいてマスクの良否を判定する検査判定手段と、を備
えた検査装置である。
して被処理体に照射し、マスクに形成されたマスクパタ
ーンを被処理体に転写する露光装置のマスクを検査する
検査装置において、光のスペクトル幅の異なる少なくと
も2つの光源と、これら光源からそれぞれ放射された各
光のうちいずれかの光を拡散する拡散光学系と、各光源
からそれぞれ放射された各光及び拡散光学系により拡散
された光をマスクに照射する照明光学系と、各光源から
それぞれ放射された各光又は拡散光学系により拡散され
た光のうちいずれかの光を切り替えて照明光学系に導く
光源切替手段と、マスクを透過して得られるマスク像に
基づいてマスクの良否を判定する検査判定手段と、を備
えた検査装置である。
【0016】このような検査装置であれば、例えば1つ
の光源から放射された光は拡散光学系により拡散されて
光源切替手段に入り、残りの他の光源から放射された光
も光源切替手段に入る。これら拡散された光と残りの他
の光とは、光源切替手段によりいずれか1つの光に切り
替えられて照明光学系に送られ、この照明光学系を通し
てマスクに照射される。そして、このマスクを透過して
得られるマスク像に基づいてマスクの良否が判定され
る。
の光源から放射された光は拡散光学系により拡散されて
光源切替手段に入り、残りの他の光源から放射された光
も光源切替手段に入る。これら拡散された光と残りの他
の光とは、光源切替手段によりいずれか1つの光に切り
替えられて照明光学系に送られ、この照明光学系を通し
てマスクに照射される。そして、このマスクを透過して
得られるマスク像に基づいてマスクの良否が判定され
る。
【0017】請求項3によれば、請求項1又は2記載の
検査装置において、光源は、露光用波長領域のレーザ光
を出力するレーザ光源と、露光用波長領域の光を放射す
るランプ光源と、を有する。
検査装置において、光源は、露光用波長領域のレーザ光
を出力するレーザ光源と、露光用波長領域の光を放射す
るランプ光源と、を有する。
【0018】このような検査装置であれば、レーザ光源
から放射されたレーザ光は拡散光学系により拡散されて
光源切替手段に入り、ランプ光源から放射されたランプ
光も光源切替手段に入る。これら拡散されたレーザ光と
ランプ光とは、光源切替手段によりいずれか1つの光に
切り替えられて照明光学系に送られ、この照明光学系を
通してマスクに照射される。そして、このマスクを透過
して得られるマスク像に基づいてマスクの良否が判定さ
れる。
から放射されたレーザ光は拡散光学系により拡散されて
光源切替手段に入り、ランプ光源から放射されたランプ
光も光源切替手段に入る。これら拡散されたレーザ光と
ランプ光とは、光源切替手段によりいずれか1つの光に
切り替えられて照明光学系に送られ、この照明光学系を
通してマスクに照射される。そして、このマスクを透過
して得られるマスク像に基づいてマスクの良否が判定さ
れる。
【0019】請求項4によれば、請求項1又は2記載の
検査装置において、拡散光学系は、光源から放射される
光の光路上に配置された拡散板と、この拡散板を光源か
ら放射される光の光路上で移動させる駆動手段と、を有
する。
検査装置において、拡散光学系は、光源から放射される
光の光路上に配置された拡散板と、この拡散板を光源か
ら放射される光の光路上で移動させる駆動手段と、を有
する。
【0020】このような検査装置であれば、例えばレー
ザ光源から放射されたレーザ光は、拡散光学系に入り、
この拡散光学系において回転する拡散板を透過すること
により拡散される。そして、この拡散されたレーザ光と
ランプ光とのいずれか1つの光が照明光学系を通してマ
スクに照射され、そのマスク像に基づいてマスクの良否
が判定される。
ザ光源から放射されたレーザ光は、拡散光学系に入り、
この拡散光学系において回転する拡散板を透過すること
により拡散される。そして、この拡散されたレーザ光と
ランプ光とのいずれか1つの光が照明光学系を通してマ
スクに照射され、そのマスク像に基づいてマスクの良否
が判定される。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図1はUV露光に適用す
るフォトマスクパターン検査装置の構成図である。ラン
プ光源20は、例えばHg−Xeランプ等の水銀ランプ
であって、このランプ光源20から放射されるランプ光
の光路上には、干渉フィルタ21、各光学レンズ22、
23及び光源切替ミラー24が配置されている。
いて図面を参照して説明する。図1はUV露光に適用す
るフォトマスクパターン検査装置の構成図である。ラン
プ光源20は、例えばHg−Xeランプ等の水銀ランプ
であって、このランプ光源20から放射されるランプ光
の光路上には、干渉フィルタ21、各光学レンズ22、
23及び光源切替ミラー24が配置されている。
【0022】このうち干渉フィルタ21は、露光用波長
領域であるUV光を透過させる性質を有している。一
方、レーザ光源25は、UVレーザ光を出力するもの
で、例えばエキシマレーザのようにパルスレーザを出力
するもの、又は連続発振するもののいずれでもよい。
領域であるUV光を透過させる性質を有している。一
方、レーザ光源25は、UVレーザ光を出力するもの
で、例えばエキシマレーザのようにパルスレーザを出力
するもの、又は連続発振するもののいずれでもよい。
【0023】このレーザ光源25から出力されるUVレ
ーザ光の光路上には、拡散板26、シャッター27、各
光学レンズ28、29及び上記光源切替ミラー24が配
置されている。
ーザ光の光路上には、拡散板26、シャッター27、各
光学レンズ28、29及び上記光源切替ミラー24が配
置されている。
【0024】このうち拡散板26は、例えば図2に示す
ように一方の面に拡散面が形成された円盤状のガラス基
板であり、モータ26aの回転軸に連結されて回転自在
となっている。
ように一方の面に拡散面が形成された円盤状のガラス基
板であり、モータ26aの回転軸に連結されて回転自在
となっている。
【0025】この拡散板26は、回転中心から半径方向
に離れた位置でUVレーザ光を受光するもので、レーザ
光源25から出力されたUVレーザ光を拡散して2次光
源とし、この拡散板26により生じるスペックルパター
ンは、この拡散板26の角度を変えることで変化する。
に離れた位置でUVレーザ光を受光するもので、レーザ
光源25から出力されたUVレーザ光を拡散して2次光
源とし、この拡散板26により生じるスペックルパター
ンは、この拡散板26の角度を変えることで変化する。
【0026】このために拡散板26は、回転自在な構成
となっており、制御回路30によって拡散板26のモー
タを回転制御し、かつ拡散板26の回転毎にレーザ光源
25をレーザ発振制御するものとなっている。
となっており、制御回路30によって拡散板26のモー
タを回転制御し、かつ拡散板26の回転毎にレーザ光源
25をレーザ発振制御するものとなっている。
【0027】なお、この拡散板26は、後述するコンデ
ンサレンズ34の瞳と共役な位置に配置されている。上
記光源切替ミラー24は、ランプ光源20からのランプ
光又はレーザ光源からのUVレーザ光のいずれか一方の
光を照明光学系31に導くものである。この光源切替ミ
ラー24は、矢印(イ)方向に移動自在であり、照明光
学系31への光路上から離れた場合にランプ光を照明光
学系31に導き、かつ照明光学系31への光路上に挿入
された場合にUVレーザ光を照明光学系31に導くもの
となっている。
ンサレンズ34の瞳と共役な位置に配置されている。上
記光源切替ミラー24は、ランプ光源20からのランプ
光又はレーザ光源からのUVレーザ光のいずれか一方の
光を照明光学系31に導くものである。この光源切替ミ
ラー24は、矢印(イ)方向に移動自在であり、照明光
学系31への光路上から離れた場合にランプ光を照明光
学系31に導き、かつ照明光学系31への光路上に挿入
された場合にUVレーザ光を照明光学系31に導くもの
となっている。
【0028】照明光学系31は、光源切替ミラー24に
より切り替えられたランプ光又はUVレーザ光を被検査
体としてのフォトマスク32に照射するもので、光学レ
ンズ33及びコンデンサレンズ34を有している。
より切り替えられたランプ光又はUVレーザ光を被検査
体としてのフォトマスク32に照射するもので、光学レ
ンズ33及びコンデンサレンズ34を有している。
【0029】なお、フォトマスク32には、クロム膜や
HT膜の位相シフト膜35が形成されている。このフォ
トマスク32から透過するランプ光又はUVレーザ光の
光路上には、結像光学系36としての対物レンズ37及
び結像レンズ38が配置されている。この結像光学系3
6は、フォトマスク32を透過したランプ光又はUVレ
ーザ光、すなわちマスクパターン像を干渉フィルタ39
を通して検出器40上に結像するものである。
HT膜の位相シフト膜35が形成されている。このフォ
トマスク32から透過するランプ光又はUVレーザ光の
光路上には、結像光学系36としての対物レンズ37及
び結像レンズ38が配置されている。この結像光学系3
6は、フォトマスク32を透過したランプ光又はUVレ
ーザ光、すなわちマスクパターン像を干渉フィルタ39
を通して検出器40上に結像するものである。
【0030】干渉フィルタ39は、結像光学系36のU
V光による蛍光等を取り除くために検出器40の直前に
配置されている。検出器40は、結像光学系36を通し
て結像されたマスクパターン像の拡大像の画像信号を出
力して制御回路30に送るもので、例えばエリアセンサ
から構成されている。
V光による蛍光等を取り除くために検出器40の直前に
配置されている。検出器40は、結像光学系36を通し
て結像されたマスクパターン像の拡大像の画像信号を出
力して制御回路30に送るもので、例えばエリアセンサ
から構成されている。
【0031】制御回路30は、上記の如く拡散板26の
回転制御及びレーザ光源25のレーザ発振制御を行う機
能を有し、かつ検出器40から出力される画像信号を取
り込み、その画像データにおいて線幅、コントラスト等
の特徴量を演算して求めてフォトマスク32の良否を判
定する機能を有している。
回転制御及びレーザ光源25のレーザ発振制御を行う機
能を有し、かつ検出器40から出力される画像信号を取
り込み、その画像データにおいて線幅、コントラスト等
の特徴量を演算して求めてフォトマスク32の良否を判
定する機能を有している。
【0032】次に上記の如く構成された装置の作用につ
いて説明する。ランプ光源20による照明では、光源切
替ミラー24は、照明光学系31への光路上から離れて
いる。
いて説明する。ランプ光源20による照明では、光源切
替ミラー24は、照明光学系31への光路上から離れて
いる。
【0033】ランプ光源20から放射されたランプ光
は、干渉フィルタ21を透過することにより露光に必要
なUV光となり、各光学レンズ22、23を通って平行
光となり、さらに照明光学系31の光学レンズ33、コ
ンデンサレンズ34を通って平行光としてフォトマスク
32に照射される。
は、干渉フィルタ21を透過することにより露光に必要
なUV光となり、各光学レンズ22、23を通って平行
光となり、さらに照明光学系31の光学レンズ33、コ
ンデンサレンズ34を通って平行光としてフォトマスク
32に照射される。
【0034】このフォトマスク32を通ったマスクパタ
ーン像は、結像光学系36の対物レンズ37、結像レン
ズ38により検出器40上に結像される。このとき、検
出器40の直前に配置された干渉フィルタ39により結
像光学系36のUV光による蛍光等が取り除かれる。
ーン像は、結像光学系36の対物レンズ37、結像レン
ズ38により検出器40上に結像される。このとき、検
出器40の直前に配置された干渉フィルタ39により結
像光学系36のUV光による蛍光等が取り除かれる。
【0035】検出器40は、結像光学系36を通して結
像されたマスクパターン像の拡大像を受光し、このマス
クパターン像の画像信号を出力する。制御回路30は、
検出器40から出力される画像信号を取り込み、その画
像データにおいて線幅、コントラスト等の特徴量を演算
して求めてランプ光源20に対するフォトマスク32の
良否を判定する。
像されたマスクパターン像の拡大像を受光し、このマス
クパターン像の画像信号を出力する。制御回路30は、
検出器40から出力される画像信号を取り込み、その画
像データにおいて線幅、コントラスト等の特徴量を演算
して求めてランプ光源20に対するフォトマスク32の
良否を判定する。
【0036】一方、レーザ光源25による照明では、光
源切替ミラー24は、照明光学系31への光路上に挿入
される。又、拡散板26は、制御回路30のモータ回転
制御によって回転し、かつレーザ光源25は、制御回路
30のレーザ発振制御により拡散板26の回転毎にレー
ザ発振する。
源切替ミラー24は、照明光学系31への光路上に挿入
される。又、拡散板26は、制御回路30のモータ回転
制御によって回転し、かつレーザ光源25は、制御回路
30のレーザ発振制御により拡散板26の回転毎にレー
ザ発振する。
【0037】レーザ光源25から出力された平行光のU
Vレーザ光は、回転する拡散板26を透過することによ
り拡散されるとともに拡散板26により生じるスペック
ルパターンが変化する。
Vレーザ光は、回転する拡散板26を透過することによ
り拡散されるとともに拡散板26により生じるスペック
ルパターンが変化する。
【0038】この拡散されたUVレーザ光は、シャッタ
ー27を通過するが、このシャッター27は、制御回路
30によりレーザ光源25がエキシマレーザのようなパ
ルスレーザ、又は連続発振するレーザに応じて開閉制御
される。
ー27を通過するが、このシャッター27は、制御回路
30によりレーザ光源25がエキシマレーザのようなパ
ルスレーザ、又は連続発振するレーザに応じて開閉制御
される。
【0039】すなわち、シャッター27は、パルスレー
ザのとき開放のままであり、連続発振レーザのとき拡散
板26の回転毎に開く。このシャッター27を通過した
UVレーザ光は、各光学レンズ28、29を通って平行
光として光源切替ミラー24に入り、この光源切替ミラ
ー24で反射して照明光学系31に導かれる。
ザのとき開放のままであり、連続発振レーザのとき拡散
板26の回転毎に開く。このシャッター27を通過した
UVレーザ光は、各光学レンズ28、29を通って平行
光として光源切替ミラー24に入り、この光源切替ミラ
ー24で反射して照明光学系31に導かれる。
【0040】そして、UVレーザ光は、照明光学系31
の光学レンズ33、コンデンサレンズ34を通って平行
光としてフォトマスク32に照射される。このフォトマ
スク32を通ったマスクパターン像は、結像光学系36
の対物レンズ37、結像レンズ38により検出器40上
に結像される。
の光学レンズ33、コンデンサレンズ34を通って平行
光としてフォトマスク32に照射される。このフォトマ
スク32を通ったマスクパターン像は、結像光学系36
の対物レンズ37、結像レンズ38により検出器40上
に結像される。
【0041】この検出器40は、結像光学系36を通し
て結像されたマスクパターン像の拡大像を受光し、この
マスクパターン像の画像信号を出力する。制御回路30
は、検出器40から出力される画像信号を取り込むが、
レーザ光源25がパルスレーザの場合、拡散板26を回
転させる毎にレーザ光源25を発振させ、このレーザ発
振毎に画像信号を取り込む。
て結像されたマスクパターン像の拡大像を受光し、この
マスクパターン像の画像信号を出力する。制御回路30
は、検出器40から出力される画像信号を取り込むが、
レーザ光源25がパルスレーザの場合、拡散板26を回
転させる毎にレーザ光源25を発振させ、このレーザ発
振毎に画像信号を取り込む。
【0042】又、レーザ光源25が連続発振レーザの場
合、制御回路30は、拡散板26の回転毎にシャッター
27を開き、このシャッター27の開く毎に画像信号を
取り込む。
合、制御回路30は、拡散板26の回転毎にシャッター
27を開き、このシャッター27の開く毎に画像信号を
取り込む。
【0043】そして、制御回路30は、検出器40から
出力される画像信号を取り込み、その画像データにおい
て線幅、コントラスト等の特徴量を演算して求めてラン
プ光源20に対するフォトマスク32の良否を判定す
る。
出力される画像信号を取り込み、その画像データにおい
て線幅、コントラスト等の特徴量を演算して求めてラン
プ光源20に対するフォトマスク32の良否を判定す
る。
【0044】このように上記一実施の形態においては、
ランプ光源20から放射されたランプ光も光源切替ミラ
ー24に入り、レーザ光源25から放射されたUVレー
ザ光は拡散板26により拡散されて光源切替ミラー24
に入り、これらUVレーザ光とランプ光とは、光源切替
ミラー24によりいずれか1つの光に切り替えられて照
明光学系31に送られ、この照明光学系31を通してフ
ォトマスク32に照射され、このフォトマスク32を透
過して得られるマスクパターン像に基づいてフォトマス
ク32の良否を判定するようにしたので、ランプ光とU
Vレーザ光とを同一の照射光学系31に共用して通して
フォトマスク32に照射することができ、これらランプ
光とUVレーザ光とを等価にして2つの光源であるラン
プ光源20とレーザ光源25とでフォトマスク32に対
するパターン検査ができる。
ランプ光源20から放射されたランプ光も光源切替ミラ
ー24に入り、レーザ光源25から放射されたUVレー
ザ光は拡散板26により拡散されて光源切替ミラー24
に入り、これらUVレーザ光とランプ光とは、光源切替
ミラー24によりいずれか1つの光に切り替えられて照
明光学系31に送られ、この照明光学系31を通してフ
ォトマスク32に照射され、このフォトマスク32を透
過して得られるマスクパターン像に基づいてフォトマス
ク32の良否を判定するようにしたので、ランプ光とU
Vレーザ光とを同一の照射光学系31に共用して通して
フォトマスク32に照射することができ、これらランプ
光とUVレーザ光とを等価にして2つの光源であるラン
プ光源20とレーザ光源25とでフォトマスク32に対
するパターン検査ができる。
【0045】従って、半導体基板を検出器40に代わっ
て配置すれば、ランプ光源20とレーザ光源25とを備
えたUV露光装置となるが、このようなUV露光装置に
おいて、例えば位相シフトマスクのように位相シフト膜
に波長依存性のあるものを用いた場合でも、この位相シ
フトマスクに対するランプ光源20とレーザ光源25と
でパターン検査ができる。
て配置すれば、ランプ光源20とレーザ光源25とを備
えたUV露光装置となるが、このようなUV露光装置に
おいて、例えば位相シフトマスクのように位相シフト膜
に波長依存性のあるものを用いた場合でも、この位相シ
フトマスクに対するランプ光源20とレーザ光源25と
でパターン検査ができる。
【0046】なお、本発明は、上記一実施の形態に限定
されるものでなく次の通り変形してもよい。例えば、光
源としては、ランプ光源20とレーザ光源25とに限ら
ず、他の種類の光源を追加し、光源切替手段によってこ
れら光源のうち1つの光源からの光を照明光学系31に
導くようにしてもよい。
されるものでなく次の通り変形してもよい。例えば、光
源としては、ランプ光源20とレーザ光源25とに限ら
ず、他の種類の光源を追加し、光源切替手段によってこ
れら光源のうち1つの光源からの光を照明光学系31に
導くようにしてもよい。
【0047】又、拡散板26は円盤状でなく、図3に示
すように長方形の拡散板41に形成してもよく、この場
合には、拡散板41を長手方向(ロ)にスライド往復移
動させるものとなる。
すように長方形の拡散板41に形成してもよく、この場
合には、拡散板41を長手方向(ロ)にスライド往復移
動させるものとなる。
【0048】
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、ス
ペックルに影響されずに光のスペクトル幅の異なる各種
光源での被検査体に対する検査ができる検査装置を提供
できる。
ペックルに影響されずに光のスペクトル幅の異なる各種
光源での被検査体に対する検査ができる検査装置を提供
できる。
【0049】又、本発明によれば、UV露光においてス
ペックルに影響されずにランプ光源とレーザ光源とのフ
ォトマスクに対するマスクパターン検査ができる検査装
置を提供できる。
ペックルに影響されずにランプ光源とレーザ光源とのフ
ォトマスクに対するマスクパターン検査ができる検査装
置を提供できる。
【図1】本発明に係わるフォトマスクパターンの検査装
置の一実施の形態を示す構成図。
置の一実施の形態を示す構成図。
【図2】拡散板の回転の構成図。
【図3】他の拡散板の構成図。
【図4】従来のパターン転写光学装置の構成図。
20…ランプ光源、 21…干渉フィルタ、 24…光源切替ミラー、 25…レーザ光源、 26…拡散板、 27…シャッター、 30…制御回路、 31…照明光学系、 32…フォトマスク、 36…結像光学系、 40…検出器。
Claims (4)
- 【請求項1】 光のスペクトル幅の異なる少なくとも2
つの光源と、 これら光源からそれぞれ放射された各光のうちいずれか
の光を拡散する拡散光学系と、 前記各光源からそれぞれ放射された各光及び前記拡散光
学系により拡散された光を被検査体に照射する照明光学
系と、 前記各光源からそれぞれ放射された各光又は前記拡散光
学系により拡散された光のうちいずれかの光を切り替え
て前記照明光学系に導く光源切替手段と、 前記被検査体を透過して得られる被検査体像に基づいて
前記被検査体の良否を判定する検査判定手段と、を具備
することを特徴とする検査装置。 - 【請求項2】 露光用光をマスクを通して被処理体に照
射し、前記マスクに形成されたマスクパターンを前記被
処理体に転写する露光装置の前記マスクを検査する検査
装置において、 光のスペクトル幅の異なる少なくとも2つの光源と、 これら光源からそれぞれ放射された各光のうちいずれか
の光を拡散する拡散光学系と、 前記各光源からそれぞれ放射された各光及び前記拡散光
学系により拡散された光を前記マスクに照射する照明光
学系と、 前記各光源からそれぞれ放射された各光又は前記拡散光
学系により拡散された光のうちいずれかの光を切り替え
て前記照明光学系に導く光源切替手段と、 前記マスクを透過して得られるマスク像に基づいて前記
マスクの良否を判定する検査判定手段と、を具備するこ
とを特徴とする検査装置。 - 【請求項3】 前記光源は、露光用波長領域のレーザ光
を出力するレーザ光源と、 前記露光用波長領域の光を放射するランプ光源と、 を有することを特徴とする請求項1又は2記載の検査装
置。 - 【請求項4】 前記拡散光学系は、前記光源から放射さ
れる光の光路上に配置された拡散板と、 この拡散板を前記光源から放射される光の光路上で移動
させる駆動手段と、を有することを特徴とする請求項1
又は2記載の検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8234268A JPH1078668A (ja) | 1996-09-04 | 1996-09-04 | 検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8234268A JPH1078668A (ja) | 1996-09-04 | 1996-09-04 | 検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1078668A true JPH1078668A (ja) | 1998-03-24 |
Family
ID=16968312
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8234268A Pending JPH1078668A (ja) | 1996-09-04 | 1996-09-04 | 検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1078668A (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000193443A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Hitachi Ltd | パタ―ン欠陥検査方法及びその装置 |
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JP2003510646A (ja) * | 1999-09-29 | 2003-03-18 | カール ツァイス イエナ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 主に半導体の製造に用いられる検査用顕微鏡 |
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US7205549B2 (en) | 2003-01-29 | 2007-04-17 | Hitachi High-Technologies Corporation | Pattern defect inspection method and its apparatus |
US7295305B2 (en) | 2003-09-18 | 2007-11-13 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and its apparatus for inspecting a pattern |
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-
1996
- 1996-09-04 JP JP8234268A patent/JPH1078668A/ja active Pending
Cited By (22)
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