JP3551163B2 - 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 - Google Patents
欠陥検査方法及び欠陥検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3551163B2 JP3551163B2 JP2001174075A JP2001174075A JP3551163B2 JP 3551163 B2 JP3551163 B2 JP 3551163B2 JP 2001174075 A JP2001174075 A JP 2001174075A JP 2001174075 A JP2001174075 A JP 2001174075A JP 3551163 B2 JP3551163 B2 JP 3551163B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defect
- inspection
- defects
- true
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Image Analysis (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウェーハ等の検査対象物の表面または内部に発生する各種の欠陥が真の欠陥か否かを判断する欠陥検査方法及び欠陥検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
シリコンウェーハ等の結晶欠陥としてはOSFやBMD等がある。シリコンウェーハをエッチングすると、その表面に深さ数μmの小さな穴であるエッチピットが現れることがある。このエッチピットのうちシリコンウェーハの面指数に対応する規則性を持ったものが酸化誘起積層欠陥(Oxidation induced Stacking Fault:OSF)、不規則な形状のものが酸化析出物、微小転位、積層欠陥の集合体(Bulk MicroDefecd:BMD)である。これらOSFやBMDの検査は一般的に、顕微鏡画像の画面を撮影し、その画像を処理することで欠陥を検出し、欠陥個数を計数することにより行われている。この例としては、特開昭61−194737号公報記載の「シリコンウェーハのOSF密度検査方法」や特公平6−71038号記載の「結晶欠陥認識処理方法」がある。
【0003】
ここでは、欠陥の形状特徴を基にして、2値化した欠陥候補が真の欠陥か否かを判断している。例えば、特開昭61−194737では、標準形態に対して真の欠陥か否かを判断している。特公平6−71038では、欠陥の長さ、縦横比が上げられている。
【0004】
これらの検査方法では、欠陥の形状にのみ注目して判断している。即ち、標準形態や欠陥の長さ、縦横比のような欠陥の形状のみを判断要素にして、真の欠陥か否かを判断している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述した従来の検査方法では、欠陥の形状のみを判断要素にしているため、次のような問題がある。
【0006】
図2に示すような欠陥の場合、形態としてはOSFと判断できる欠陥であるが、発生分布の面から見ると疑問が残る。即ち、視野内に発生した7個の欠陥のうち、6個は非常に近い位置に発生している。このような欠陥は通常、シリコンウェーハをエッチングする際の処理過程で、ウェーハ表面にピンセットや何らかの異物が接触した際に発生するものであり、ウェーハ表面に発生した真の欠陥とは異なるものである。
【0007】
しかし、従来の検査方法では、ウェーハ表面に接触したピンセット等による欠陥を判断することはできず、欠陥個数が多いと判断することになり、品質管理上問題がある。
【0008】
本発明は、上述した問題点に鑑みてなされたもので、真の欠陥か否かの判断要素に欠陥の発生分布を用いて判断精度を向上させた欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために第1の発明に係る欠陥検査方法は、検査対象物の表面に観察される欠陥の検査を行う欠陥検査方法において、検査視野内の全欠陥個数が設定値内の場合に各欠陥の重心位置を求め、その重心位置を基に各欠陥間の距離を算出してその距離の平均値を求め、その平均値に対して予め設定したオフセット値を加算又は減算した値より小さな距離が、検査視野内の全欠陥の距離の組み合わせ数に対して設定割合以上あるか否かを判断基準として、欠陥が真の欠陥か否かを判断することを特徴とする。
上記構成により、欠陥の密集度を検出でき、その密集度に基づいて欠陥が真の欠陥か否かを判断することができる。
第2の発明に係る欠陥検査方法は、第1の発明に係る欠陥検査方法において、検査した検査対象物の全表面のうち対称関係にある2つの位置の検査結果を比較し、その差異が設定値を越えているか否かを判断基準として、欠陥が真の欠陥か否かを判断することを特徴とする。
上記構成において、対称関係にある2つの位置では、真の欠陥の個数はほぼ同じと考えられる。これはCZ法に起因する。CZ法では、インゴットを回転させながら引き上げていくが、そのとき同心円上は同時に結晶成長していくため、通常同じ状態になる。このため、欠陥が生じた場合は、同心円上に同じように分布する傾向にある。従って、真の欠陥か否かは、同心円上の複数部分での欠陥の状況を比較することで判断することができる。即ち、対称関係にある2つの位置の検査結果を比較し、その差異が設定値を越えていれば、何らかの外的要因によるものと考えられ、真の欠陥でないと判断することができる。
第3の発明に係る欠陥検査装置は、検査対象物の表面に観察される欠陥の検査を行う欠陥検査装置において、上記欠陥判定部が、検査視野内の全欠陥個数が設定値内の場合に各欠陥の重心位置を求め、その重心位置を基に各欠陥間の距離を算出してその距離の平均値を求め、その平均値に対して予め設定したオフセット値を加算又は減算した値より小さな距離が、検査視野内の全欠陥の距離の組み合わせ数に対して設定割合以上あるか否かを判断基準として、欠陥が真の欠陥か否かを判断することを特徴とする。
上記構成により、欠陥の密集度を検出でき、その密集度に基づいて欠陥が真の欠陥か否かを判断することができる。
第4の発明に係る欠陥検査装置は、第3の発明に係る欠陥検査装置において、上記欠陥判定部が、検査した検査対象物の全表面のうち対称関係にある2つの位置の検査結果を比較し、その差異が設定値を越えているか否かを判断基準として、欠陥が真の欠陥か否かを判断することを特徴とする。
上記構成により、対称関係にある2つの位置の検査結果を比較し、その差異が設定値を 越えていれば、何らかの外的要因によるものと考えられ、真の欠陥でないと判断することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて説明する。
【0011】
図1に本実施形態に係るシリコンウェーハの欠陥検査装置1の構成を示す。なおここでは、OSF検査について説明する。
【0012】
欠陥検査装置1は図示するように、XYステージ2と、顕微鏡3と、ステージコントローラ4と、画像処理装置5と、ウェーハローダ6とから構成されている。
【0013】
XYステージ2は、載置されたウェーハ7を支持し、顕微鏡3の位置に合わせてXY方向に正確に移動させる。必要に応じてウェーハ7を昇降させたり、回転させる機能も備える。
【0014】
顕微鏡3は、ウェーハ7の表面を観察するための装置で、CCDカメラ等により取り込んだウェーハ7の表面の画像を電気信号に変換して画像処理装置5に送信する。この顕微鏡3は、ウェーハ7の表面の微小な欠陥を画像として検出できるものであればよい。通常は微分干渉顕微鏡を用いるが、明視野の光学顕微鏡等の、欠陥の検出が可能な各種の顕微鏡を用いることができる。
【0015】
ステージコントローラ4は、ウェーハ7の検査対象面を顕微鏡3の視野に合わせるためにXYステージ2を制御する装置である。
【0016】
画像処理装置5は、ウェーハ7の検査対象面の画像を取り込んで処理するための装置である。この画像処理装置5は、XYステージ2及び顕微鏡3に接続され、ステージコントローラ4を介してXYステージ2を制御し、ウェーハ7の検査対象面を顕微鏡3の直下に移動させる。顕微鏡3の画像は電気信号として画像処理装置5に取り込まれる。
【0017】
画像処理装置5は具体的には、画像撮影部11と、欠陥検出部12と、欠陥計数部13と、欠陥判定部14とから構成されている。画像撮影部11は、顕微鏡3から取り込んだ検査視野の画像を処理する。即ち、所定の輝度しきい値で2値化する等の処理により、欠陥を明確な画像として表示させる。欠陥検出部12は、検査視野の画像から欠陥部分を検出する。欠陥計数部13は、後述する各手段に応じて欠陥の個数を計数する。欠陥判定部14は、後述する各手段によって検出欠陥が真の欠陥か否かを判定する。
【0018】
ウェーハローダ6は、検査するウェーハ7を搬送してXYステージ2にセットし、検査終了後のウェーハ7を次の工程等へ搬送する。
【0019】
[第1の欠陥検査方法]
次に、上記欠陥検査装置1を用いたシリコンウェーハの第1の欠陥検査方法について説明する。
【0020】
まず、ウェーハローダ6でウェーハ7をXYステージ2上の所定位置にセットする。そして、ステージコントローラ4で制御されたXYステージ2で、ウェーハ7を検査対象位置まで移動させ、顕微鏡3にてウェーハ7の表面を観察する。顕微鏡3で取り込まれた画像は画像処理装置5で処理される。画像処理装置5内では、まず画像撮影部11で、顕微鏡3で取り込んだ検査視野の画像から2値化等の処理によって欠陥を明確な画像として表示させる。
【0021】
次いで、欠陥検出部12で検査視野の画像から欠陥部分が定量的に検出され、欠陥計数部13で欠陥の個数が計数される。ここでは、図2に示す画像が撮影されたとする。なおこの図2の画像は、エッチング処理の際のウェーハ取り扱い時にピンセットが接触し、その部分に欠陥が発生した状態の画像の例である。この図2の各欠陥の画像から欠陥の重心Ci(iは欠陥のラベル番号、ここではi=7)を求める。図3は各欠陥の重心Ciを表示した画像である。
【0022】
欠陥判定部14は、図3の画像の欠陥の分布を基にして欠陥の密集度を判断する。まず、図3のように検査視野より小さい領域A1を設定し、領域A1の中心位置座標を欠陥重心に合わせ、領域A1内の欠陥個数AKを計数する。ここで、領域A1の中心位置座標を欠陥重心C3に合わせた場合は6個の欠陥が存在することになる。他の欠陥に対しても同様にして欠陥個数AKを計数する。このようにして求めた欠陥個数AKのうちの最大値を判定基準とする。ここでは、AK=6個となる。
【0023】
欠陥判定部14では、本方式を適用する基準として、検査視野内の全欠陥個数n1は3個以上30個以下、検査視野内の全欠陥個数n1に対する領域A1内の欠陥個数AKの割合R1は70%以上とする。R1=70%以上のとき、真の欠陥でないと判定する。なお、これらの設定値は、実測値の統計により妥当な数値を特定する。
【0024】
この基準により、検査視野内の全欠陥個数7の70%は5(少数以下四捨五入)となる。これに対して、領域A1内の欠陥個数AKは6であるため、真の欠陥でないと判定される。
【0025】
以上により、真の欠陥でないと判定された場合は、検査視野をずらして上述の検査を繰り返す。この場合、検査した視野の近傍の視野を検査する。ここでは、XYステージ2をX軸方向に1000μm、またはY軸方向に1000μm移動させて、まだ検査していない視野を検査する。この場合、主に同心円上の近傍の視野を検査する。上述したCZ法の特性のためである。異物の接触等による欠陥の場合、検査した視野のみに存在すると考えられるので、その近傍の視野を検査して真の欠陥の状況を検査する。
【0026】
以上の判定から得られた検査結果をもとに、最終的な欠陥判定を行う。
【0027】
ウェーハ7の場合、その取り扱い方法から、原点対称の位置はほぼ同じ状態と考えられる。即ち、一方に図2や図4のような欠陥がある場合は、原点対称の他方の位置にも同じ欠陥があると考えられる。
【0028】
このため、図6に示すように、検査したウェーハ7の全表面のうち原点対称関係にある2つの位置の検査結果を比較し、その差異が設定値を越えているか否かを判断基準として、欠陥が真の欠陥か否かを判断する。
【0029】
ここでは、一方の検査結果をK1、他方の検査結果をKi(i=2,3,・・・)とする。K1とKiは、原点対称位置(ウェーハ7の径方向両端近傍)に相当する検査点及びその近傍の結果である。
【0030】
このときのKiの全欠陥個数の平均値AVKとして、下記の式でRK1、RK2を算出する。
【0031】
RK1=(|Ki−AVK|/AVK)×100(%)
RK2=|Ki−AVK|
RK1>JP1(ここではJP1=50%)
RK2>JP2(ここではJP2=20個)
の条件を満たす場合は、真の欠陥でないものが含まれていると判断する。
【0032】
なお、RK1は、検査点iでの平均値に対する差の割合である。RK2は、検査点iでの平均値からの差である。JP1及びJP2は、真の欠陥か否かを判断するしきい値である。JP1及びJP2のしきい値は、1視野内の欠陥発生個数に応じて予めテーブルで設定しておく。JP1では50%以上平均値から外れると、真の欠陥でないと判断する。JP2では差が20個以上となると、真の欠陥でないと判断する。
【0033】
これにより、図6のP1点は真の欠陥でないと判断される。上述のように、CZ法では、真の欠陥は同心円上に同じように分布するため、真の欠陥であれば4つの点全てで同様の数値となるはずであるが、検査点P1のみが上記条件を満たすため、検査点P1は真の欠陥ではなく、ピンセットの接触等による欠陥と判断される。
【0034】
なお、ここでは平均値を基準に判断したが、欠陥計測値Kiのどれを基準としてもよい。
【0035】
以上のようにして検査が終了した後は、上述の方式による検査で、検出された欠陥が真の欠陥でないと判断された視野が存在するか否かを、検査結果として記録する。例えば、ウェーハ7に直接マークし、または検査時に保存した画像にマークし、または結果ファイルに記録して、後で検査員が確認できるようにする。
【0036】
ここでは、検査画像を保存していることから、検査画像の枠に赤枠を記載して表示する。これにより、後で検査員が確認しやすくなり、その後の適切な検査、処理等が可能になる。
【0037】
[第2の欠陥検査方法]
図4のような画像が撮影された場合は、欠陥判定部14においてn次近似曲線をもとに判定する。
【0038】
まず、上記第1の欠陥検査方法と同様にして、図5に示すように、欠陥の重心Ci(i=9)を求める。この重心Ciの分布をもとにn次近似曲線を求める。ここでは1次関数として求めることができる。即ち、Ciの分布に対して直線Y1を近似線として求める。この近似直線Y1は、ピンセット等がウェーハ7の表面に接触して引きずられた等の線である。
【0039】
近似直線Y1に対して、所定幅W1を設定し、その範囲内の欠陥個数AKを計数する。ここでは図5に示すように、近似直線Y1に垂直な幅として50μmを設定し、その範囲内の欠陥個数AKを計数した。計算結果は8であった。
【0040】
ここで、上記全欠陥個数n1=5個以上30個以下、全欠陥個数n1に対する上記欠陥個数AKの割合R1=70%を設定値として判定する。なお、上記W1、n1及びR1は、実測値の統計により、妥当な数値を予め設定しておく。
【0041】
全欠陥個数9の70%は6となる。これに対して、近似直線Y1の所定幅W1内の欠陥個数AKは8であるため、真の欠陥でないと判定される。
【0042】
この後は、上記第1の欠陥検査方法と同様にして、最終的な欠陥判定を行い、検査結果をウェーハ7等に記録する。
【0043】
[第3の欠陥検査方法]
本方法は、欠陥判定部14において各欠陥の位置から割り出した欠陥間の距離をもとに、真の欠陥か否かを判定する例である。
【0044】
まず、上記第1の欠陥検査方法と同様にして、図3のように欠陥の重心Ciを求める。その重心位置を基に各欠陥間の距離Lijを算出する。この距離Lijは、欠陥の重心Ciから他の欠陥の重心Cjまでの距離を表す。例えば、L12は重心C1から重心C2までの距離を表す。
【0045】
ここでは、欠陥が7個なので、i=1〜7、j=2〜7、j>iとし、距離Lijは重心Ci及び重心Cjの座標によって計算される。即ち、下記の式によって求められる。
【0046】
重心CiのX座標CXi、Y座標CYi、重心CjのX座標CXj、Y座標CYjとすると、
Lij=√((CXi−CXj)2+(CYi−CYj)2
として求める。
【0047】
この式によって求めた全欠陥間の距離Lij(i=1〜7、j=2〜7、j>i)から平均値ALを求める。
【0048】
次いで、この平均値ALに対して予め設定したオフセット値αを加算又は減算して判定基準JALを決定する。
【0049】
JAL=AL+α (α=−50)
ただし、JAL<β(β=300)のときJAL=βとする。
【0050】
ここで、オフセット値α及びβは次の意味で用いている。
【0051】
真の欠陥は検査視野内に比較的均一に分布する。このため、各欠陥間の距離は、その平均値を挟んで大から小まで広く分布する。これに対して、ピンセット等の外的要因による欠陥の場合は検査視野の中で一部分に集中する。このため、各欠陥間の距離は平均値よりも小さい値が多くなる。検査視野の中で欠陥の大部分が一部分に集中し、僅かな数の欠陥が視野全体に分布する場合は、各欠陥間の距離の平均値は大きくても、一部分に集中した欠陥間の距離はいずれも平均値より大幅に小さくなる。このため、平均値から所定値(オフセット値α)だけ引いた値内に欠陥の組み合わせが多く存在すれば、欠陥が一部分に集中していると判断できる。即ち、真の欠陥でないと判断できる。
【0052】
なおこの場合において、例えば比較的均一になる通常の欠陥分布においては、1視野に欠陥が10個発生した場合の各欠陥間の距離の平均値に対して、50個発生した場合の各欠陥間の距離の平均値は1/5になる。即ち、欠陥が10個発生した場合の各欠陥間の距離の平均値は長く、50個の場合は短くなる。このため、平均値の大きさに合わせてオフセット値αを調整する。
【0053】
βは判定基準JALの下限を設定する数値である。平均的に見ると、発生する個数によってどの程度距離が離れているかは概略的数値として事前に分かるため、それに応じたβを用いる。例えば、1視野内に10個の欠陥があって、それらは一部分にのみ集中している場合、即ち真の欠陥でない場合、平均値のみを基準として判定基準JALを求めると、その数値は小さくなる。これにより、小さな数値の判定基準JALによって、真の欠陥でない欠陥が真の欠陥と判定されることがある。このため、1視野内の欠陥の個数に応じて、判定基準JALの最低値βを設定する。
【0054】
上記α及びβは1視野内に存在する欠陥の個数に応じて変動する変数であるが、その具体的な数値は、実測値の統計により、妥当な数値を予め設定する。
【0055】
ここでは、欠陥個数が7であるため、各欠陥間の距離の組み合わせは21となる。実測の結果、図3における検出結果の平均値はAL=253であった。この数値は判定基準JALの最低値β=300以下なので、JAL=300となる。
【0056】
各欠陥間の距離のうち、判定基準JAL=300以下の組み合わせは15であった。
【0057】
ここで、検査視野内の全欠陥の距離の組み合わせ数に対して設定割合(判断基準)をR2=70%として判定する。
【0058】
各欠陥間の距離の組み合わせは21であるため、21×70%=15となる。これに対して、判定基準JAL=300以下の組み合わせは15であるため、真の欠陥でないと判定される。
【0059】
この後は、上記第1の欠陥検査方法と同様にして、最終的な欠陥判定を行い、検査結果をウェーハ7等に記録する。
【0060】
[効果]
以上のように、各方法により、ウェーハ7の表面に現れた欠陥が真の欠陥か否かをより正確に判定することができるため、欠陥計数誤差を低減でき、より確実な品質保証、より正確な品質管理を行うことができるようになる。
【0061】
[変形例]
(1) 上記実施形態では、検査対象物としてシリコンウェーハを例に説明したが、本発明の欠陥検査方法及び欠陥検査装置はこれに限らず、表面に微小な欠陥が生じる全ての検査対象物に適用することができる。この場合も、上記実施形態同様の作用、効果を奏することができる。
【0062】
(2) 上記実施形態では、判定基準となる設定値を実測値から統計的に割り出しているが、予め設定した値を固定値として用いてもよい。この場合も、上記実施形態同様の作用、効果を奏することができる。
【0063】
(3) 上記第2の欠陥検査方法では、n次近似曲線として1次関数を用いたが、欠陥の分布に応じて2次関数又は3次関数以上の曲線で近似してもよいことはいうまでもない。欠陥の分布は、ピンセット等の接触状況に応じて異なるため、欠陥分布に応じて適宜選択する。この場合も、上記実施形態同様の作用、効果を奏することができる。
【0064】
(4) 上記実施形態では、欠陥としてOSFを例に説明したが、BMD等の他の欠陥の場合も上記同様にして検査することができる。
【0065】
(5) 上記実施形態では、欠陥の発生個数及び発生位置を判断要素とした欠陥検査方法として、一点を中心とした密集度、線を中心とした密集度、欠陥間の距離から割り出した密集度を用いた例について説明したが、本発明はこれに限らず、欠陥の発生個数及び発生位置を用いた他の手段でもよい。即ち、欠陥の発生個数及び発生位置を基に、欠陥の密集した部分の面積の、全体に対する割合等の他の手段により、真の欠陥か否かを判定してもよい。
【0066】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明の欠陥検査方法及び欠陥検査装置によれば、次のような効果を奏する。
【0067】
欠陥の発生個数及び発生位置を用いて、上述の各方法で欠陥の密集度を検出し、当該密集度を設定値と比較して、欠陥が真の欠陥か否かを判定するため、検査対象物の表面に現れた欠陥が真の欠陥か否かをより正確に判定することができるようになる。
【0068】
この結果、欠陥計数誤差を低減することができ、検査対象物に対するより確実な品質保証、より正確な品質管理を行うことができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る欠陥検査装置の概略構成を示すブロック図である。
【図2】本発明の実施形態に係る欠陥検査装置で検出した欠陥の一例を示す模式図である。
【図3】図2の欠陥から重心を検出した例を示す模式図である。
【図4】本発明の実施形態に係る欠陥検査装置で検出した欠陥の他の例を示す模式図である。
【図5】図4の欠陥から重心を検出した例を示す模式図である。
【図6】最終的な欠陥判定を行う位置を表したウェーハを示す平面図である。
【符号の説明】
1:欠陥検査装置、2:XYステージ、3:顕微鏡、4:ステージコントローラ、5:画像処理装置、6:ウェーハローダ、7:ウェーハ、11:画像撮影部、12:欠陥検出部、13:欠陥計数部、14:欠陥判定部。
Claims (4)
- 検査対象物の表面に観察される欠陥の検査を行う欠陥検査方法において、
検査視野内の全欠陥個数が設定値内の場合に各欠陥の重心位置を求め、その重心位置を基に各欠陥間の距離を算出してその距離の平均値を求め、その平均値に対して予め設定したオフセット値を加算又は減算した値より小さな距離が、検査視野内の全欠陥の距離の組み合わせ数に対して設定割合以上あるか否かを判断基準として、欠陥が真の欠陥か否かを判断することを特徴とする欠陥検査方法。 - 請求項1に記載の欠陥検査方法において、
検査した検査対象物の全表面のうち対称関係にある2つの位置の検査結果を比較し、その差異が設定値を越えているか否かを判断基準として、欠陥が真の欠陥か否かを判断することを特徴とする欠陥検査方法。 - 検査対象物の表面に観察される欠陥の検査を行う欠陥検査装置において、
上記欠陥判定部が、検査視野内の全欠陥個数が設定値内の場合に各欠陥の重心位置を求め、その重心位置を基に各欠陥間の距離を算出してその距離の平均値を求め、その平均値に対して予め設定したオフセット値を加算又は減算した値より小さな距離が、検査視野内の全欠陥の距離の組み合わせ数に対して設定割合以上あるか否かを判断基準として、欠陥が真の欠陥か否かを判断することを特徴とする欠陥検査装置。 - 請求項3に記載の欠陥検査装置において、
上記欠陥判定部が、検査した検査対象物の全表面のうち対称関係にある2つの位置の検査結果を比較し、その差異が設定値を越えているか否かを判断基準として、欠陥が真の欠陥か否かを判断することを特徴とする欠陥検査装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001174075A JP3551163B2 (ja) | 2001-06-08 | 2001-06-08 | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
US10/156,464 US6779159B2 (en) | 2001-06-08 | 2002-05-29 | Defect inspection method and defect inspection apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001174075A JP3551163B2 (ja) | 2001-06-08 | 2001-06-08 | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002365235A JP2002365235A (ja) | 2002-12-18 |
JP3551163B2 true JP3551163B2 (ja) | 2004-08-04 |
Family
ID=19015413
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001174075A Expired - Fee Related JP3551163B2 (ja) | 2001-06-08 | 2001-06-08 | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3551163B2 (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4189748B2 (ja) | 2003-12-26 | 2008-12-03 | ブラザー工業株式会社 | 画像形成装置 |
US7570796B2 (en) | 2005-11-18 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
US8041103B2 (en) | 2005-11-18 | 2011-10-18 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space |
US7676077B2 (en) | 2005-11-18 | 2010-03-09 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
US8194968B2 (en) | 2007-01-05 | 2012-06-05 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions |
JP4808165B2 (ja) * | 2007-02-13 | 2011-11-02 | 株式会社日本マイクロニクス | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
US8213704B2 (en) | 2007-05-09 | 2012-07-03 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern |
US7975245B2 (en) | 2007-08-20 | 2011-07-05 | Kla-Tencor Corp. | Computer-implemented methods for determining if actual defects are potentially systematic defects or potentially random defects |
US8139844B2 (en) | 2008-04-14 | 2012-03-20 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for determining a defect criticality index for defects on wafers |
KR101623747B1 (ko) | 2008-07-28 | 2016-05-26 | 케이엘에이-텐코어 코오포레이션 | 웨이퍼 상의 메모리 디바이스 영역에서 검출된 결함들을 분류하기 위한 컴퓨터-구현 방법들, 컴퓨터-판독 가능 매체, 및 시스템들 |
US8775101B2 (en) | 2009-02-13 | 2014-07-08 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
US8204297B1 (en) | 2009-02-27 | 2012-06-19 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for classifying defects detected on a reticle |
US8112241B2 (en) | 2009-03-13 | 2012-02-07 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for generating an inspection process for a wafer |
US8781781B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-07-15 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic care areas |
JP4844694B2 (ja) * | 2011-01-19 | 2011-12-28 | レーザーテック株式会社 | 検査装置及び欠陥分類方法 |
US9170211B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-10-27 | Kla-Tencor Corp. | Design-based inspection using repeating structures |
US9087367B2 (en) | 2011-09-13 | 2015-07-21 | Kla-Tencor Corp. | Determining design coordinates for wafer defects |
US8831334B2 (en) | 2012-01-20 | 2014-09-09 | Kla-Tencor Corp. | Segmentation for wafer inspection |
US8826200B2 (en) | 2012-05-25 | 2014-09-02 | Kla-Tencor Corp. | Alteration for wafer inspection |
US9189844B2 (en) | 2012-10-15 | 2015-11-17 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using defect-specific information |
US9053527B2 (en) | 2013-01-02 | 2015-06-09 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
US9134254B2 (en) | 2013-01-07 | 2015-09-15 | Kla-Tencor Corp. | Determining a position of inspection system output in design data space |
US9311698B2 (en) | 2013-01-09 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using template image matching |
WO2014149197A1 (en) | 2013-02-01 | 2014-09-25 | Kla-Tencor Corporation | Detecting defects on a wafer using defect-specific and multi-channel information |
US9865512B2 (en) | 2013-04-08 | 2018-01-09 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic design attributes for wafer inspection |
US9310320B2 (en) | 2013-04-15 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Based sampling and binning for yield critical defects |
JP2017095263A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 株式会社東芝 | 輸送物監視システムおよび輸送物監視方法 |
JP6263519B2 (ja) * | 2015-11-30 | 2018-01-17 | シグマ株式会社 | 内面検査装置 |
WO2020208680A1 (ja) | 2019-04-08 | 2020-10-15 | 株式会社日立ハイテク | 表面形状検出装置及び検出方法 |
CN111341686B (zh) * | 2020-03-10 | 2022-04-19 | 上海华力微电子有限公司 | 一种检测晶圆缺陷的方法及装置 |
-
2001
- 2001-06-08 JP JP2001174075A patent/JP3551163B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002365235A (ja) | 2002-12-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3551163B2 (ja) | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 | |
US6779159B2 (en) | Defect inspection method and defect inspection apparatus | |
KR101021320B1 (ko) | 프로세스 편차 모니터용 시스템 및 방법 | |
JP4520046B2 (ja) | 基準ダイの選択装置及び方法 | |
KR100821765B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼의 검사방법 및 제조방법, 반도체디바이스의 제조방법 및 실리콘 웨이퍼 | |
US8736832B2 (en) | Method of detecting specific defect, and system and program for detecting specific defect | |
JPS63244753A (ja) | 結晶欠陥認識処理方法 | |
KR20150018523A (ko) | 검사 알고리즘 및 필터에 대한 시각적 피드백 | |
US5464779A (en) | Method and apparatus for evaluation of semiconductor production process | |
KR20180083326A (ko) | 결함영역의 판정방법 | |
JPS62209305A (ja) | 寸法良否判定方法 | |
US8173449B2 (en) | Method for making COP evaluation on single-crystal silicon wafer | |
US6726319B1 (en) | Method for inspecting surface of semiconductor wafer | |
KR100327340B1 (ko) | 웨이퍼 표면 검사방법 | |
JP3620470B2 (ja) | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 | |
KR20190117496A (ko) | 실리콘 단결정 웨이퍼의 결함영역 판정방법 | |
JP4017627B2 (ja) | 切断装置 | |
JP2000338047A (ja) | 結晶欠陥の検査方法及び検査装置 | |
JP3787547B2 (ja) | 結晶欠陥の自動検査方法及び自動検査装置 | |
JP4434903B2 (ja) | ワイヤソーの検査方法、ワイヤソーの検査装置及び切断装置 | |
KR101023068B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 | |
KR20110078943A (ko) | 웨이퍼 검사장치 | |
JPH03150859A (ja) | 半導体ウエハ検査装置 | |
KR100901925B1 (ko) | 웨이퍼의 게터링 평가 방법 | |
KR20070119977A (ko) | 웨이퍼의 검사 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040113 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040309 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040330 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040412 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3551163 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090514 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090514 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100514 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100514 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110514 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120514 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |