JP2002365235A - 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 - Google Patents
欠陥検査方法及び欠陥検査装置Info
- Publication number
- JP2002365235A JP2002365235A JP2001174075A JP2001174075A JP2002365235A JP 2002365235 A JP2002365235 A JP 2002365235A JP 2001174075 A JP2001174075 A JP 2001174075A JP 2001174075 A JP2001174075 A JP 2001174075A JP 2002365235 A JP2002365235 A JP 2002365235A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defect
- defects
- inspection
- true
- visual field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハ表面の欠陥が真の欠陥か否かを正確
に判定し、より確実な品質保証、より正確な品質管理を
行う。 【解決手段】 真の欠陥か否かの判断要素として欠陥の
発生個数及び発生位置を用いた。これらにより、欠陥の
密集度を検出し、当該密集度を設定値と比較して、欠陥
が真の欠陥か否かを判断する。検査視野より小さい領域
内にある欠陥個数と、検査視野内の全欠陥個数との割合
で欠陥の密集度を検出し、真の欠陥か否かを判断する。
各欠陥の重心位置の分布からｎ次近似曲線を求め、その
ｎ次近似曲線に沿った設定幅内に存在する欠陥個数と、
検査視野内の全欠陥個数との割合で欠陥の密集度を検出
し、真の欠陥か否かを判断する。各欠陥間の距離の平均
値に対してオフセット値を加算又は減算した値より小さ
な距離の、全体に対する割合で、真の欠陥か否かを判断
する。
に判定し、より確実な品質保証、より正確な品質管理を
行う。 【解決手段】 真の欠陥か否かの判断要素として欠陥の
発生個数及び発生位置を用いた。これらにより、欠陥の
密集度を検出し、当該密集度を設定値と比較して、欠陥
が真の欠陥か否かを判断する。検査視野より小さい領域
内にある欠陥個数と、検査視野内の全欠陥個数との割合
で欠陥の密集度を検出し、真の欠陥か否かを判断する。
各欠陥の重心位置の分布からｎ次近似曲線を求め、その
ｎ次近似曲線に沿った設定幅内に存在する欠陥個数と、
検査視野内の全欠陥個数との割合で欠陥の密集度を検出
し、真の欠陥か否かを判断する。各欠陥間の距離の平均
値に対してオフセット値を加算又は減算した値より小さ
な距離の、全体に対する割合で、真の欠陥か否かを判断
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウェーハ
等の検査対象物の表面または内部に発生する各種の欠陥
が真の欠陥か否かを判断する欠陥検査方法及び欠陥検査
装置に関する。
等の検査対象物の表面または内部に発生する各種の欠陥
が真の欠陥か否かを判断する欠陥検査方法及び欠陥検査
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェーハ等の結晶欠陥としては
ＯＳＦやＢＭＤ等がある。シリコンウェーハをエッチン
グすると、その表面に深さ数μｍの小さな穴であるエッ
チピットが現れることがある。このエッチピットのうち
シリコンウェーハの面指数に対応する規則性を持ったも
のが酸化誘起積層欠陥（Oxidation induced Stacking F
ault：ＯＳＦ）、不規則な形状のものが酸化析出物、微
小転位、積層欠陥の集合体（Bulk MicroDefecd：ＢＭ
Ｄ）である。これらＯＳＦやＢＭＤの検査は一般的に、
顕微鏡画像の画面を撮影し、その画像を処理することで
欠陥を検出し、欠陥個数を計数することにより行われて
いる。この例としては、特開昭６１−１９４７３７号公
報記載の「シリコンウェーハのＯＳＦ密度検査方法」や
特公平６−７１０３８号記載の「結晶欠陥認識処理方
法」がある。
ＯＳＦやＢＭＤ等がある。シリコンウェーハをエッチン
グすると、その表面に深さ数μｍの小さな穴であるエッ
チピットが現れることがある。このエッチピットのうち
シリコンウェーハの面指数に対応する規則性を持ったも
のが酸化誘起積層欠陥（Oxidation induced Stacking F
ault：ＯＳＦ）、不規則な形状のものが酸化析出物、微
小転位、積層欠陥の集合体（Bulk MicroDefecd：ＢＭ
Ｄ）である。これらＯＳＦやＢＭＤの検査は一般的に、
顕微鏡画像の画面を撮影し、その画像を処理することで
欠陥を検出し、欠陥個数を計数することにより行われて
いる。この例としては、特開昭６１−１９４７３７号公
報記載の「シリコンウェーハのＯＳＦ密度検査方法」や
特公平６−７１０３８号記載の「結晶欠陥認識処理方
法」がある。
【０００３】ここでは、欠陥の形状特徴を基にして、２
値化した欠陥候補が真の欠陥か否かを判断している。例
えば、特開昭６１−１９４７３７では、標準形態に対し
て真の欠陥か否かを判断している。特公平６−７１０３
８では、欠陥の長さ、縦横比が上げられている。
値化した欠陥候補が真の欠陥か否かを判断している。例
えば、特開昭６１−１９４７３７では、標準形態に対し
て真の欠陥か否かを判断している。特公平６−７１０３
８では、欠陥の長さ、縦横比が上げられている。
【０００４】これらの検査方法では、欠陥の形状にのみ
注目して判断している。即ち、標準形態や欠陥の長さ、
縦横比のような欠陥の形状のみを判断要素にして、真の
欠陥か否かを判断している。
注目して判断している。即ち、標準形態や欠陥の長さ、
縦横比のような欠陥の形状のみを判断要素にして、真の
欠陥か否かを判断している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した従
来の検査方法では、欠陥の形状のみを判断要素にしてい
るため、次のような問題がある。
来の検査方法では、欠陥の形状のみを判断要素にしてい
るため、次のような問題がある。
【０００６】図２に示すような欠陥の場合、形態として
はＯＳＦと判断できる欠陥であるが、発生分布の面から
見ると疑問が残る。即ち、視野内に発生した７個の欠陥
のうち、６個は非常に近い位置に発生している。このよ
うな欠陥は通常、シリコンウェーハをエッチングする際
の処理過程で、ウェーハ表面にピンセットや何らかの異
物が接触した際に発生するものであり、ウェーハ表面に
発生した真の欠陥とは異なるものである。
はＯＳＦと判断できる欠陥であるが、発生分布の面から
見ると疑問が残る。即ち、視野内に発生した７個の欠陥
のうち、６個は非常に近い位置に発生している。このよ
うな欠陥は通常、シリコンウェーハをエッチングする際
の処理過程で、ウェーハ表面にピンセットや何らかの異
物が接触した際に発生するものであり、ウェーハ表面に
発生した真の欠陥とは異なるものである。
【０００７】しかし、従来の検査方法では、ウェーハ表
面に接触したピンセット等による欠陥を判断することは
できず、欠陥個数が多いと判断することになり、品質管
理上問題がある。
面に接触したピンセット等による欠陥を判断することは
できず、欠陥個数が多いと判断することになり、品質管
理上問題がある。
【０００８】本発明は、上述した問題点に鑑みてなされ
たもので、真の欠陥か否かの判断要素に欠陥の発生分布
を用いて判断精度を向上させた欠陥検査方法及び欠陥検
査装置を提供することを目的とする。
たもので、真の欠陥か否かの判断要素に欠陥の発生分布
を用いて判断精度を向上させた欠陥検査方法及び欠陥検
査装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に第１の発明に係る欠陥検査方法は、検査対象物の表面
に観察される欠陥の検査を行う欠陥検査方法において、
上記欠陥が真の欠陥か否かを判断する判断要素として、
上記欠陥の発生個数及び発生位置を用いたことを特徴と
する。
に第１の発明に係る欠陥検査方法は、検査対象物の表面
に観察される欠陥の検査を行う欠陥検査方法において、
上記欠陥が真の欠陥か否かを判断する判断要素として、
上記欠陥の発生個数及び発生位置を用いたことを特徴と
する。
【００１０】上記構成により、真の欠陥か否かの判断要
素として欠陥の発生個数及び発生位置を用いることで、
シリコンウェーハ等の検査対象物の表面にピンセット等
の異物が接触した際に発生する欠陥（真の欠陥でない欠
陥）を容易に認識することができる。ピンセット等の異
物が接触した場合、欠陥は密集して発生する。点であっ
たり、線であったりするが、１点又は１本の線に沿って
密集した状態で発生する。このため、欠陥の発生個数と
共に、発生位置によって密集度を検出することにより、
検出した欠陥が真の欠陥か否かを判断することができ
る。
素として欠陥の発生個数及び発生位置を用いることで、
シリコンウェーハ等の検査対象物の表面にピンセット等
の異物が接触した際に発生する欠陥（真の欠陥でない欠
陥）を容易に認識することができる。ピンセット等の異
物が接触した場合、欠陥は密集して発生する。点であっ
たり、線であったりするが、１点又は１本の線に沿って
密集した状態で発生する。このため、欠陥の発生個数と
共に、発生位置によって密集度を検出することにより、
検出した欠陥が真の欠陥か否かを判断することができ
る。
【００１１】第２の発明に係る欠陥検査方法は、第１の
発明に係る欠陥検査方法において、上記欠陥の発生個数
及び発生位置により、欠陥の密集度を検出し、当該密集
度を設定値と比較して、欠陥が真の欠陥か否かを判断す
ることを特徴とする。
発明に係る欠陥検査方法において、上記欠陥の発生個数
及び発生位置により、欠陥の密集度を検出し、当該密集
度を設定値と比較して、欠陥が真の欠陥か否かを判断す
ることを特徴とする。
【００１２】上記構成により、欠陥の発生個数及び発生
位置によって検出した欠陥の密集度が設定値を越えてい
る場合は、その欠陥は真の欠陥でないと判断する。
位置によって検出した欠陥の密集度が設定値を越えてい
る場合は、その欠陥は真の欠陥でないと判断する。
【００１３】第３の発明に係る欠陥検査方法は、検査対
象物の表面に観察される欠陥の検査を行う欠陥検査方法
において、検査視野内の全欠陥個数が設定値内の場合に
検査視野より小さい領域を設定し、検出した欠陥の重心
位置と上記領域の中心位置を合わせて、その領域内での
欠陥個数を計数し、その欠陥個数の検査視野内の全欠陥
個数に対する割合で欠陥の密集度を検出し、当該欠陥の
密集度が設定割合以上あるか否かを判断基準として、欠
陥が真の欠陥か否かを判断することを特徴とする。
象物の表面に観察される欠陥の検査を行う欠陥検査方法
において、検査視野内の全欠陥個数が設定値内の場合に
検査視野より小さい領域を設定し、検出した欠陥の重心
位置と上記領域の中心位置を合わせて、その領域内での
欠陥個数を計数し、その欠陥個数の検査視野内の全欠陥
個数に対する割合で欠陥の密集度を検出し、当該欠陥の
密集度が設定割合以上あるか否かを判断基準として、欠
陥が真の欠陥か否かを判断することを特徴とする。
【００１４】上記構成により、検査視野より小さく設定
した領域内での欠陥個数が多ければ密集度は高いと判断
できる。一方、ピンセット等の異物が検査対象物の表面
に接触した等の原因による欠陥も密集度が高くなる。こ
のため、一般的に想定される異物による欠陥の密集度を
サンプリング等によって統計的に数値を特定しておき、
検査視野全体に対する割合を予め設定しておけば、その
設定割合との比較で、その欠陥が真の欠陥か否かを容易
に判断することができる。即ち、上記密集度が設定割合
よりも高ければ、真の欠陥でないと判断する。
した領域内での欠陥個数が多ければ密集度は高いと判断
できる。一方、ピンセット等の異物が検査対象物の表面
に接触した等の原因による欠陥も密集度が高くなる。こ
のため、一般的に想定される異物による欠陥の密集度を
サンプリング等によって統計的に数値を特定しておき、
検査視野全体に対する割合を予め設定しておけば、その
設定割合との比較で、その欠陥が真の欠陥か否かを容易
に判断することができる。即ち、上記密集度が設定割合
よりも高ければ、真の欠陥でないと判断する。
【００１５】第４の発明に係る欠陥検査方法は、検査対
象物の表面に観察される欠陥の検査を行う欠陥検査方法
において、検査視野内の全欠陥個数が設定値内の場合に
各欠陥の重心位置を求め、その重心位置の分布からｎ次
近似曲線を求め、そのｎ次近似曲線に沿った設定幅内に
存在する欠陥個数を計数し、その欠陥個数の検査視野内
の全欠陥個数に対する割合で欠陥の密集度を検出し、当
該欠陥の密集度が設定割合以上あるか否かを判断基準と
して、欠陥が真の欠陥か否かを判断することを特徴とす
る。
象物の表面に観察される欠陥の検査を行う欠陥検査方法
において、検査視野内の全欠陥個数が設定値内の場合に
各欠陥の重心位置を求め、その重心位置の分布からｎ次
近似曲線を求め、そのｎ次近似曲線に沿った設定幅内に
存在する欠陥個数を計数し、その欠陥個数の検査視野内
の全欠陥個数に対する割合で欠陥の密集度を検出し、当
該欠陥の密集度が設定割合以上あるか否かを判断基準と
して、欠陥が真の欠陥か否かを判断することを特徴とす
る。
【００１６】上記構成により、ピンセット等の異物はシ
リコンウェーハ等の検査対象物の表面に点で接触する場
合と線で接触する場合がある。線で接触した場合は、欠
陥の重心位置の分布も線状になる。このため、欠陥の重
心位置の分布に沿ってｎ次近似曲線を引き、そのｎ次近
似曲線に沿う欠陥の上記密集度が高い場合は、その欠陥
は真の欠陥でないと判断する。
リコンウェーハ等の検査対象物の表面に点で接触する場
合と線で接触する場合がある。線で接触した場合は、欠
陥の重心位置の分布も線状になる。このため、欠陥の重
心位置の分布に沿ってｎ次近似曲線を引き、そのｎ次近
似曲線に沿う欠陥の上記密集度が高い場合は、その欠陥
は真の欠陥でないと判断する。
【００１７】第５の発明に係る欠陥検査方法は、検査対
象物の表面に観察される欠陥の検査を行う欠陥検査方法
において、検査視野内の全欠陥個数が設定値内の場合に
各欠陥の重心位置を求め、その重心位置を基に各欠陥間
の距離を算出してその距離の平均値を求め、その平均値
に対して予め設定したオフセット値を加算又は減算した
値より小さな距離が、検査視野内の全欠陥の距離の組み
合わせ数に対して設定割合以上あるか否かを判断基準と
して、欠陥が真の欠陥か否かを判断することを特徴とす
る。
象物の表面に観察される欠陥の検査を行う欠陥検査方法
において、検査視野内の全欠陥個数が設定値内の場合に
各欠陥の重心位置を求め、その重心位置を基に各欠陥間
の距離を算出してその距離の平均値を求め、その平均値
に対して予め設定したオフセット値を加算又は減算した
値より小さな距離が、検査視野内の全欠陥の距離の組み
合わせ数に対して設定割合以上あるか否かを判断基準と
して、欠陥が真の欠陥か否かを判断することを特徴とす
る。
【００１８】上記構成により、上記第３及び第４の発明
と同様に欠陥の密集度を検出でき、その密集度に基づい
て欠陥が真の欠陥か否かを判断することができる。
と同様に欠陥の密集度を検出でき、その密集度に基づい
て欠陥が真の欠陥か否かを判断することができる。
【００１９】第６の発明に係る欠陥検査方法は、第１乃
至第５の発明のいずれかに係る欠陥検査方法において、
観察される欠陥が真の欠陥ではないと判断された場合、
検査した視野の近傍の視野を検査することを特徴とす
る。
至第５の発明のいずれかに係る欠陥検査方法において、
観察される欠陥が真の欠陥ではないと判断された場合、
検査した視野の近傍の視野を検査することを特徴とす
る。
【００２０】上記構成により、異物の接触等による欠陥
の場合、検査した視野の近傍の視野を検査して、真の欠
陥の状況を判断する。この場合、主に同心円上の近傍の
視野を検査する。
の場合、検査した視野の近傍の視野を検査して、真の欠
陥の状況を判断する。この場合、主に同心円上の近傍の
視野を検査する。
【００２１】第７の発明に係る欠陥検査方法は、第１乃
至第６の発明のいずれかに係る欠陥検査方法において、
検査した検査対象物の全表面のうち対称関係にある２つ
の位置の検査結果を比較し、その差異が設定値を越えて
いるか否かを判断基準として、欠陥が真の欠陥か否かを
判断することを特徴とする。
至第６の発明のいずれかに係る欠陥検査方法において、
検査した検査対象物の全表面のうち対称関係にある２つ
の位置の検査結果を比較し、その差異が設定値を越えて
いるか否かを判断基準として、欠陥が真の欠陥か否かを
判断することを特徴とする。
【００２２】上記構成において、対称関係にある２つの
位置では、真の欠陥の個数はほぼ同じと考えられる。こ
れはＣＺ法に起因する。ＣＺ法では、インゴットを回転
させながら引き上げていくが、そのとき同心円上は同時
に結晶成長していくため、通常同じ状態になる。このた
め、欠陥が生じた場合は、同心円上に同じように分布す
る傾向にある。従って、真の欠陥か否かは、同心円上の
複数部分での欠陥の状況を比較することで判断すること
ができる。即ち、対称関係にある２つの位置の検査結果
を比較し、その差異が設定値を越えていれば、何らかの
外的要因によるものと考えられ、真の欠陥でないと判断
することができる。
位置では、真の欠陥の個数はほぼ同じと考えられる。こ
れはＣＺ法に起因する。ＣＺ法では、インゴットを回転
させながら引き上げていくが、そのとき同心円上は同時
に結晶成長していくため、通常同じ状態になる。このた
め、欠陥が生じた場合は、同心円上に同じように分布す
る傾向にある。従って、真の欠陥か否かは、同心円上の
複数部分での欠陥の状況を比較することで判断すること
ができる。即ち、対称関係にある２つの位置の検査結果
を比較し、その差異が設定値を越えていれば、何らかの
外的要因によるものと考えられ、真の欠陥でないと判断
することができる。
【００２３】第８の発明に係る欠陥検査装置は、検査対
象物の表面に観察される欠陥の検査を行う欠陥検査装置
において、上記欠陥が真の欠陥か否かを判断する欠陥判
定部を備え、当該欠陥判定部で真の欠陥か否かを判断す
る際の判断要素として、上記欠陥の発生個数及び発生位
置を用いたことを特徴とする。
象物の表面に観察される欠陥の検査を行う欠陥検査装置
において、上記欠陥が真の欠陥か否かを判断する欠陥判
定部を備え、当該欠陥判定部で真の欠陥か否かを判断す
る際の判断要素として、上記欠陥の発生個数及び発生位
置を用いたことを特徴とする。
【００２４】上記構成により、上記第１の発明と同様
に、真の欠陥か否かの判断要素として欠陥の発生個数及
び発生位置を用いることで、真の欠陥か否かを精度よく
認識することができる。
に、真の欠陥か否かの判断要素として欠陥の発生個数及
び発生位置を用いることで、真の欠陥か否かを精度よく
認識することができる。
【００２５】第９の発明に係る欠陥検査装置は、第８の
発明に係る欠陥検査装置において、上記欠陥判定部が、
上記欠陥の発生個数及び発生位置により、欠陥の密集度
を検出し、当該密集度を設定値と比較して、欠陥が真の
欠陥か否かを判断することを特徴とする。
発明に係る欠陥検査装置において、上記欠陥判定部が、
上記欠陥の発生個数及び発生位置により、欠陥の密集度
を検出し、当該密集度を設定値と比較して、欠陥が真の
欠陥か否かを判断することを特徴とする。
【００２６】上記構成により、上記第２の発明と同様
に、欠陥の発生個数及び発生位置によって検出した欠陥
の密集度が設定値を越えている場合は、その欠陥は真の
欠陥でないと判断することができる。
に、欠陥の発生個数及び発生位置によって検出した欠陥
の密集度が設定値を越えている場合は、その欠陥は真の
欠陥でないと判断することができる。
【００２７】第１０の発明に係る欠陥検査装置は、検査
対象物の表面に観察される欠陥の検査を行う欠陥検査装
置において、上記欠陥判定部が、検査視野内の全欠陥個
数が設定値内の場合に検査視野より小さい領域を設定
し、検出した欠陥の重心位置と上記領域の中心位置を合
わせて、その領域内での欠陥個数を計数し、その欠陥個
数の検査視野内の全欠陥個数に対する割合で欠陥の密集
度を検出し、当該欠陥の密集度が設定割合以上あるか否
かを判断基準として、欠陥が真の欠陥か否かを判断する
ことを特徴とする。
対象物の表面に観察される欠陥の検査を行う欠陥検査装
置において、上記欠陥判定部が、検査視野内の全欠陥個
数が設定値内の場合に検査視野より小さい領域を設定
し、検出した欠陥の重心位置と上記領域の中心位置を合
わせて、その領域内での欠陥個数を計数し、その欠陥個
数の検査視野内の全欠陥個数に対する割合で欠陥の密集
度を検出し、当該欠陥の密集度が設定割合以上あるか否
かを判断基準として、欠陥が真の欠陥か否かを判断する
ことを特徴とする。
【００２８】上記構成により、上記第３の発明と同様
に、検出した欠陥の密集度を設定割合との比較して、検
出した欠陥が真の欠陥か否かを容易に判断することがで
きる。即ち、上記密集度が設定割合よりも高ければ、真
の欠陥でないと判断する。
に、検出した欠陥の密集度を設定割合との比較して、検
出した欠陥が真の欠陥か否かを容易に判断することがで
きる。即ち、上記密集度が設定割合よりも高ければ、真
の欠陥でないと判断する。
【００２９】第１１の発明に係る欠陥検査装置は、検査
対象物の表面に観察される欠陥の検査を行う欠陥検査装
置において、上記欠陥判定部が、検査視野内の全欠陥個
数が設定値内の場合に各欠陥の重心位置を求め、その重
心位置の分布からｎ次近似曲線を求め、その曲線に沿っ
た設定幅内に存在する欠陥個数を計数し、その欠陥個数
の検査視野内の全欠陥個数に対する割合で欠陥の密集度
を検出し、当該欠陥の密集度が設定割合以上あるか否か
を判断基準として、欠陥が真の欠陥か否かを判断するこ
とを特徴とする。
対象物の表面に観察される欠陥の検査を行う欠陥検査装
置において、上記欠陥判定部が、検査視野内の全欠陥個
数が設定値内の場合に各欠陥の重心位置を求め、その重
心位置の分布からｎ次近似曲線を求め、その曲線に沿っ
た設定幅内に存在する欠陥個数を計数し、その欠陥個数
の検査視野内の全欠陥個数に対する割合で欠陥の密集度
を検出し、当該欠陥の密集度が設定割合以上あるか否か
を判断基準として、欠陥が真の欠陥か否かを判断するこ
とを特徴とする。
【００３０】上記構成により、上記第４の発明と同様
に、欠陥の重心位置の分布に沿ってｎ次近似曲線を引
き、そのｎ次近似曲線に沿う欠陥の上記密集度が高い場
合は、その欠陥は真の欠陥でないと判断する。
に、欠陥の重心位置の分布に沿ってｎ次近似曲線を引
き、そのｎ次近似曲線に沿う欠陥の上記密集度が高い場
合は、その欠陥は真の欠陥でないと判断する。
【００３１】第１２の発明に係る欠陥検査装置は、検査
対象物の表面に観察される欠陥の検査を行う欠陥検査装
置において、上記欠陥判定部が、検査視野内の全欠陥個
数が設定値内の場合に各欠陥の重心位置を求め、その重
心位置を基に各欠陥間の距離を算出してその距離の平均
値を求め、その平均値に対して予め設定したオフセット
値を加算又は減算した値より小さな距離が、検査視野内
の全欠陥の距離の組み合わせ数に対して設定割合以上あ
るか否かを判断基準として、欠陥が真の欠陥か否かを判
断することを特徴とする。
対象物の表面に観察される欠陥の検査を行う欠陥検査装
置において、上記欠陥判定部が、検査視野内の全欠陥個
数が設定値内の場合に各欠陥の重心位置を求め、その重
心位置を基に各欠陥間の距離を算出してその距離の平均
値を求め、その平均値に対して予め設定したオフセット
値を加算又は減算した値より小さな距離が、検査視野内
の全欠陥の距離の組み合わせ数に対して設定割合以上あ
るか否かを判断基準として、欠陥が真の欠陥か否かを判
断することを特徴とする。
【００３２】上記構成により、上記第１０及び第１１の
発明と同様に欠陥の密集度を検出でき、その密集度に基
づいて欠陥が真の欠陥か否かを判断することができる。
発明と同様に欠陥の密集度を検出でき、その密集度に基
づいて欠陥が真の欠陥か否かを判断することができる。
【００３３】第１３の発明に係る欠陥検査装置は、第８
乃至第１２の発明のいずれかに係る欠陥検査装置におい
て、上記欠陥判定部が、観察される欠陥が真の欠陥では
ないと判断された場合、検査した視野の近傍の視野を検
査することを特徴とする。
乃至第１２の発明のいずれかに係る欠陥検査装置におい
て、上記欠陥判定部が、観察される欠陥が真の欠陥では
ないと判断された場合、検査した視野の近傍の視野を検
査することを特徴とする。
【００３４】上記構成により、上記第６の発明と同様
に、異物の接触等による欠陥の場合、検査した視野の近
傍の視野を検査して、真の欠陥の状況を判断する。この
場合、主に同心円上の近傍の視野を検査する。
に、異物の接触等による欠陥の場合、検査した視野の近
傍の視野を検査して、真の欠陥の状況を判断する。この
場合、主に同心円上の近傍の視野を検査する。
【００３５】第１５の発明に係る欠陥検査装置は、第９
乃至第１４の発明のいずれかに係る欠陥検査装置におい
て、上記欠陥判定部が、検査した検査対象物の全表面の
うち対称関係にある２つの位置の検査結果を比較し、そ
の差異が設定値を越えているか否かを判断基準として、
欠陥が真の欠陥か否かを判断することを特徴とする。
乃至第１４の発明のいずれかに係る欠陥検査装置におい
て、上記欠陥判定部が、検査した検査対象物の全表面の
うち対称関係にある２つの位置の検査結果を比較し、そ
の差異が設定値を越えているか否かを判断基準として、
欠陥が真の欠陥か否かを判断することを特徴とする。
【００３６】上記構成により、上記第７の発明と同様
に、対称関係にある２つの位置の検査結果を比較し、そ
の差異が設定値を越えていれば、何らかの外的要因によ
るものと考えられ、真の欠陥でないと判断することがで
きる。
に、対称関係にある２つの位置の検査結果を比較し、そ
の差異が設定値を越えていれば、何らかの外的要因によ
るものと考えられ、真の欠陥でないと判断することがで
きる。
【００３７】第１６の発明に係る欠陥検査装置は、第９
乃至第１５の発明のいずれかに係る欠陥検査装置におい
て、検出された欠陥が真の欠陥でないと判断された場
合、検査結果に本方式による判断が実施されたことを明
示する手段を備えたことを特徴とする。
乃至第１５の発明のいずれかに係る欠陥検査装置におい
て、検出された欠陥が真の欠陥でないと判断された場
合、検査結果に本方式による判断が実施されたことを明
示する手段を備えたことを特徴とする。
【００３８】上記構成により、上記第８の発明と同様
に、本方式によることを明示することで、その後の適切
な検査、処理等が可能になる。
に、本方式によることを明示することで、その後の適切
な検査、処理等が可能になる。
【００３９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
面に基づいて説明する。
面に基づいて説明する。
【００４０】図１に本実施形態に係るシリコンウェーハ
の欠陥検査装置１の構成を示す。なおここでは、ＯＳＦ
検査について説明する。
の欠陥検査装置１の構成を示す。なおここでは、ＯＳＦ
検査について説明する。
【００４１】欠陥検査装置１は図示するように、ＸＹス
テージ２と、顕微鏡３と、ステージコントローラ４と、
画像処理装置５と、ウェーハローダ６とから構成されて
いる。
テージ２と、顕微鏡３と、ステージコントローラ４と、
画像処理装置５と、ウェーハローダ６とから構成されて
いる。
【００４２】ＸＹステージ２は、載置されたウェーハ７
を支持し、顕微鏡３の位置に合わせてＸＹ方向に正確に
移動させる。必要に応じてウェーハ７を昇降させたり、
回転させる機能も備える。
を支持し、顕微鏡３の位置に合わせてＸＹ方向に正確に
移動させる。必要に応じてウェーハ７を昇降させたり、
回転させる機能も備える。
【００４３】顕微鏡３は、ウェーハ７の表面を観察する
ための装置で、ＣＣＤカメラ等により取り込んだウェー
ハ７の表面の画像を電気信号に変換して画像処理装置５
に送信する。この顕微鏡３は、ウェーハ７の表面の微小
な欠陥を画像として検出できるものであればよい。通常
は微分干渉顕微鏡を用いるが、明視野の光学顕微鏡等
の、欠陥の検出が可能な各種の顕微鏡を用いることがで
きる。
ための装置で、ＣＣＤカメラ等により取り込んだウェー
ハ７の表面の画像を電気信号に変換して画像処理装置５
に送信する。この顕微鏡３は、ウェーハ７の表面の微小
な欠陥を画像として検出できるものであればよい。通常
は微分干渉顕微鏡を用いるが、明視野の光学顕微鏡等
の、欠陥の検出が可能な各種の顕微鏡を用いることがで
きる。
【００４４】ステージコントローラ４は、ウェーハ７の
検査対象面を顕微鏡３の視野に合わせるためにＸＹステ
ージ２を制御する装置である。
検査対象面を顕微鏡３の視野に合わせるためにＸＹステ
ージ２を制御する装置である。
【００４５】画像処理装置５は、ウェーハ７の検査対象
面の画像を取り込んで処理するための装置である。この
画像処理装置５は、ＸＹステージ２及び顕微鏡３に接続
され、ステージコントローラ４を介してＸＹステージ２
を制御し、ウェーハ７の検査対象面を顕微鏡３の直下に
移動させる。顕微鏡３の画像は電気信号として画像処理
装置５に取り込まれる。
面の画像を取り込んで処理するための装置である。この
画像処理装置５は、ＸＹステージ２及び顕微鏡３に接続
され、ステージコントローラ４を介してＸＹステージ２
を制御し、ウェーハ７の検査対象面を顕微鏡３の直下に
移動させる。顕微鏡３の画像は電気信号として画像処理
装置５に取り込まれる。
【００４６】画像処理装置５は具体的には、画像撮影部
１１と、欠陥検出部１２と、欠陥計数部１３と、欠陥判
定部１４とから構成されている。画像撮影部１１は、顕
微鏡３から取り込んだ検査視野の画像を処理する。即
ち、所定の輝度しきい値で２値化する等の処理により、
欠陥を明確な画像として表示させる。欠陥検出部１２
は、検査視野の画像から欠陥部分を検出する。欠陥計数
部１３は、後述する各手段に応じて欠陥の個数を計数す
る。欠陥判定部１４は、後述する各手段によって検出欠
陥が真の欠陥か否かを判定する。
１１と、欠陥検出部１２と、欠陥計数部１３と、欠陥判
定部１４とから構成されている。画像撮影部１１は、顕
微鏡３から取り込んだ検査視野の画像を処理する。即
ち、所定の輝度しきい値で２値化する等の処理により、
欠陥を明確な画像として表示させる。欠陥検出部１２
は、検査視野の画像から欠陥部分を検出する。欠陥計数
部１３は、後述する各手段に応じて欠陥の個数を計数す
る。欠陥判定部１４は、後述する各手段によって検出欠
陥が真の欠陥か否かを判定する。
【００４７】ウェーハローダ６は、検査するウェーハ７
を搬送してＸＹステージ２にセットし、検査終了後のウ
ェーハ７を次の工程等へ搬送する。
を搬送してＸＹステージ２にセットし、検査終了後のウ
ェーハ７を次の工程等へ搬送する。
【００４８】［第１の欠陥検査方法］次に、上記欠陥検
査装置１を用いたシリコンウェーハの第１の欠陥検査方
法について説明する。
査装置１を用いたシリコンウェーハの第１の欠陥検査方
法について説明する。
【００４９】まず、ウェーハローダ６でウェーハ７をＸ
Ｙステージ２上の所定位置にセットする。そして、ステ
ージコントローラ４で制御されたＸＹステージ２で、ウ
ェーハ７を検査対象位置まで移動させ、顕微鏡３にてウ
ェーハ７の表面を観察する。顕微鏡３で取り込まれた画
像は画像処理装置５で処理される。画像処理装置５内で
は、まず画像撮影部１１で、顕微鏡３で取り込んだ検査
視野の画像から２値化等の処理によって欠陥を明確な画
像として表示させる。
Ｙステージ２上の所定位置にセットする。そして、ステ
ージコントローラ４で制御されたＸＹステージ２で、ウ
ェーハ７を検査対象位置まで移動させ、顕微鏡３にてウ
ェーハ７の表面を観察する。顕微鏡３で取り込まれた画
像は画像処理装置５で処理される。画像処理装置５内で
は、まず画像撮影部１１で、顕微鏡３で取り込んだ検査
視野の画像から２値化等の処理によって欠陥を明確な画
像として表示させる。
【００５０】次いで、欠陥検出部１２で検査視野の画像
から欠陥部分が定量的に検出され、欠陥計数部１３で欠
陥の個数が計数される。ここでは、図２に示す画像が撮
影されたとする。なおこの図２の画像は、エッチング処
理の際のウェーハ取り扱い時にピンセットが接触し、そ
の部分に欠陥が発生した状態の画像の例である。この図
２の各欠陥の画像から欠陥の重心Ｃｉ（ｉは欠陥のラベ
ル番号、ここではｉ＝７）を求める。図３は各欠陥の重
心Ｃｉを表示した画像である。
から欠陥部分が定量的に検出され、欠陥計数部１３で欠
陥の個数が計数される。ここでは、図２に示す画像が撮
影されたとする。なおこの図２の画像は、エッチング処
理の際のウェーハ取り扱い時にピンセットが接触し、そ
の部分に欠陥が発生した状態の画像の例である。この図
２の各欠陥の画像から欠陥の重心Ｃｉ（ｉは欠陥のラベ
ル番号、ここではｉ＝７）を求める。図３は各欠陥の重
心Ｃｉを表示した画像である。
【００５１】欠陥判定部１４は、図３の画像の欠陥の分
布を基にして欠陥の密集度を判断する。まず、図３のよ
うに検査視野より小さい領域Ａ１を設定し、領域Ａ１の
中心位置座標を欠陥重心に合わせ、領域Ａ１内の欠陥個
数ＡＫを計数する。ここで、領域Ａ１の中心位置座標を
欠陥重心Ｃ３に合わせた場合は６個の欠陥が存在するこ
とになる。他の欠陥に対しても同様にして欠陥個数ＡＫ
を計数する。このようにして求めた欠陥個数ＡＫのうち
の最大値を判定基準とする。ここでは、ＡＫ＝６個とな
る。
布を基にして欠陥の密集度を判断する。まず、図３のよ
うに検査視野より小さい領域Ａ１を設定し、領域Ａ１の
中心位置座標を欠陥重心に合わせ、領域Ａ１内の欠陥個
数ＡＫを計数する。ここで、領域Ａ１の中心位置座標を
欠陥重心Ｃ３に合わせた場合は６個の欠陥が存在するこ
とになる。他の欠陥に対しても同様にして欠陥個数ＡＫ
を計数する。このようにして求めた欠陥個数ＡＫのうち
の最大値を判定基準とする。ここでは、ＡＫ＝６個とな
る。
【００５２】欠陥判定部１４では、本方式を適用する基
準として、検査視野内の全欠陥個数ｎ１は３個以上３０
個以下、検査視野内の全欠陥個数ｎ１に対する領域Ａ１
内の欠陥個数ＡＫの割合Ｒ１は７０％以上とする。Ｒ１
＝７０％以上のとき、真の欠陥でないと判定する。な
お、これらの設定値は、実測値の統計により妥当な数値
を特定する。
準として、検査視野内の全欠陥個数ｎ１は３個以上３０
個以下、検査視野内の全欠陥個数ｎ１に対する領域Ａ１
内の欠陥個数ＡＫの割合Ｒ１は７０％以上とする。Ｒ１
＝７０％以上のとき、真の欠陥でないと判定する。な
お、これらの設定値は、実測値の統計により妥当な数値
を特定する。
【００５３】この基準により、検査視野内の全欠陥個数
７の７０％は５（少数以下四捨五入）となる。これに対
して、領域Ａ１内の欠陥個数ＡＫは６であるため、真の
欠陥でないと判定される。
７の７０％は５（少数以下四捨五入）となる。これに対
して、領域Ａ１内の欠陥個数ＡＫは６であるため、真の
欠陥でないと判定される。
【００５４】以上により、真の欠陥でないと判定された
場合は、検査視野をずらして上述の検査を繰り返す。こ
の場合、検査した視野の近傍の視野を検査する。ここで
は、ＸＹステージ２をＸ軸方向に１０００μｍ、または
Ｙ軸方向に１０００μｍ移動させて、まだ検査していな
い視野を検査する。この場合、主に同心円上の近傍の視
野を検査する。上述したＣＺ法の特性のためである。異
物の接触等による欠陥の場合、検査した視野のみに存在
すると考えられるので、その近傍の視野を検査して真の
欠陥の状況を検査する。
場合は、検査視野をずらして上述の検査を繰り返す。こ
の場合、検査した視野の近傍の視野を検査する。ここで
は、ＸＹステージ２をＸ軸方向に１０００μｍ、または
Ｙ軸方向に１０００μｍ移動させて、まだ検査していな
い視野を検査する。この場合、主に同心円上の近傍の視
野を検査する。上述したＣＺ法の特性のためである。異
物の接触等による欠陥の場合、検査した視野のみに存在
すると考えられるので、その近傍の視野を検査して真の
欠陥の状況を検査する。
【００５５】以上の判定から得られた検査結果をもと
に、最終的な欠陥判定を行う。
に、最終的な欠陥判定を行う。
【００５６】ウェーハ７の場合、その取り扱い方法か
ら、原点対称の位置はほぼ同じ状態と考えられる。即
ち、一方に図２や図４のような欠陥がある場合は、原点
対称の他方の位置にも同じ欠陥があると考えられる。
ら、原点対称の位置はほぼ同じ状態と考えられる。即
ち、一方に図２や図４のような欠陥がある場合は、原点
対称の他方の位置にも同じ欠陥があると考えられる。
【００５７】このため、図６に示すように、検査したウ
ェーハ７の全表面のうち原点対称関係にある２つの位置
の検査結果を比較し、その差異が設定値を越えているか
否かを判断基準として、欠陥が真の欠陥か否かを判断す
る。
ェーハ７の全表面のうち原点対称関係にある２つの位置
の検査結果を比較し、その差異が設定値を越えているか
否かを判断基準として、欠陥が真の欠陥か否かを判断す
る。
【００５８】ここでは、一方の検査結果をＫ１、他方の
検査結果をＫｉ（ｉ＝２，３，・・・）とする。Ｋ１と
Ｋｉは、原点対称位置（ウェーハ７の径方向両端近傍）
に相当する検査点及びその近傍の結果である。
検査結果をＫｉ（ｉ＝２，３，・・・）とする。Ｋ１と
Ｋｉは、原点対称位置（ウェーハ７の径方向両端近傍）
に相当する検査点及びその近傍の結果である。
【００５９】このときのＫｉの全欠陥個数の平均値ＡＶ
Ｋとして、下記の式でＲＫ１、ＲＫ２を算出する。
Ｋとして、下記の式でＲＫ１、ＲＫ２を算出する。
【００６０】 ＲＫ１＝（｜Ｋｉ−ＡＶＫ｜／ＡＶＫ）×１００（％） ＲＫ２＝｜Ｋｉ−ＡＶＫ｜ ＲＫ１＞ＪＰ１（ここではＪＰ１＝５０％） ＲＫ２＞ＪＰ２（ここではＪＰ２＝２０個） の条件を満たす場合は、真の欠陥でないものが含まれて
いると判断する。
いると判断する。
【００６１】なお、ＲＫ１は、検査点ｉでの平均値に対
する差の割合である。ＲＫ２は、検査点ｉでの平均値か
らの差である。ＪＰ１及びＪＰ２は、真の欠陥か否かを
判断するしきい値である。ＪＰ１及びＪＰ２のしきい値
は、１視野内の欠陥発生個数に応じて予めテーブルで設
定しておく。ＪＰ１では５０％以上平均値から外れる
と、真の欠陥でないと判断する。ＪＰ２では差が２０個
以上となると、真の欠陥でないと判断する。
する差の割合である。ＲＫ２は、検査点ｉでの平均値か
らの差である。ＪＰ１及びＪＰ２は、真の欠陥か否かを
判断するしきい値である。ＪＰ１及びＪＰ２のしきい値
は、１視野内の欠陥発生個数に応じて予めテーブルで設
定しておく。ＪＰ１では５０％以上平均値から外れる
と、真の欠陥でないと判断する。ＪＰ２では差が２０個
以上となると、真の欠陥でないと判断する。
【００６２】これにより、図６のＰ１点は真の欠陥でな
いと判断される。上述のように、ＣＺ法では、真の欠陥
は同心円上に同じように分布するため、真の欠陥であれ
ば４つの点全てで同様の数値となるはずであるが、検査
点Ｐ１のみが上記条件を満たすため、検査点Ｐ１は真の
欠陥ではなく、ピンセットの接触等による欠陥と判断さ
れる。
いと判断される。上述のように、ＣＺ法では、真の欠陥
は同心円上に同じように分布するため、真の欠陥であれ
ば４つの点全てで同様の数値となるはずであるが、検査
点Ｐ１のみが上記条件を満たすため、検査点Ｐ１は真の
欠陥ではなく、ピンセットの接触等による欠陥と判断さ
れる。
【００６３】なお、ここでは平均値を基準に判断した
が、欠陥計測値Ｋｉのどれを基準としてもよい。
が、欠陥計測値Ｋｉのどれを基準としてもよい。
【００６４】以上のようにして検査が終了した後は、上
述の方式による検査で、検出された欠陥が真の欠陥でな
いと判断された視野が存在するか否かを、検査結果とし
て記録する。例えば、ウェーハ７に直接マークし、また
は検査時に保存した画像にマークし、または結果ファイ
ルに記録して、後で検査員が確認できるようにする。
述の方式による検査で、検出された欠陥が真の欠陥でな
いと判断された視野が存在するか否かを、検査結果とし
て記録する。例えば、ウェーハ７に直接マークし、また
は検査時に保存した画像にマークし、または結果ファイ
ルに記録して、後で検査員が確認できるようにする。
【００６５】ここでは、検査画像を保存していることか
ら、検査画像の枠に赤枠を記載して表示する。これによ
り、後で検査員が確認しやすくなり、その後の適切な検
査、処理等が可能になる。
ら、検査画像の枠に赤枠を記載して表示する。これによ
り、後で検査員が確認しやすくなり、その後の適切な検
査、処理等が可能になる。
【００６６】［第２の欠陥検査方法］図４のような画像
が撮影された場合は、欠陥判定部１４においてｎ次近似
曲線をもとに判定する。
が撮影された場合は、欠陥判定部１４においてｎ次近似
曲線をもとに判定する。
【００６７】まず、上記第１の欠陥検査方法と同様にし
て、図５に示すように、欠陥の重心Ｃｉ（ｉ＝９）を求
める。この重心Ｃｉの分布をもとにｎ次近似曲線を求め
る。ここでは１次関数として求めることができる。即
ち、Ｃｉの分布に対して直線Ｙ１を近似線として求め
る。この近似直線Ｙ１は、ピンセット等がウェーハ７の
表面に接触して引きずられた等の線である。
て、図５に示すように、欠陥の重心Ｃｉ（ｉ＝９）を求
める。この重心Ｃｉの分布をもとにｎ次近似曲線を求め
る。ここでは１次関数として求めることができる。即
ち、Ｃｉの分布に対して直線Ｙ１を近似線として求め
る。この近似直線Ｙ１は、ピンセット等がウェーハ７の
表面に接触して引きずられた等の線である。
【００６８】近似直線Ｙ１に対して、所定幅Ｗ１を設定
し、その範囲内の欠陥個数ＡＫを計数する。ここでは図
５に示すように、近似直線Ｙ１に垂直な幅として５０μ
ｍを設定し、その範囲内の欠陥個数ＡＫを計数した。計
算結果は８であった。
し、その範囲内の欠陥個数ＡＫを計数する。ここでは図
５に示すように、近似直線Ｙ１に垂直な幅として５０μ
ｍを設定し、その範囲内の欠陥個数ＡＫを計数した。計
算結果は８であった。
【００６９】ここで、上記全欠陥個数ｎ１＝５個以上３
０個以下、全欠陥個数ｎ１に対する上記欠陥個数ＡＫの
割合Ｒ１＝７０％を設定値として判定する。なお、上記
Ｗ１、ｎ１及びＲ１は、実測値の統計により、妥当な数
値を予め設定しておく。
０個以下、全欠陥個数ｎ１に対する上記欠陥個数ＡＫの
割合Ｒ１＝７０％を設定値として判定する。なお、上記
Ｗ１、ｎ１及びＲ１は、実測値の統計により、妥当な数
値を予め設定しておく。
【００７０】全欠陥個数９の７０％は６となる。これに
対して、近似直線Ｙ１の所定幅Ｗ１内の欠陥個数ＡＫは
８であるため、真の欠陥でないと判定される。
対して、近似直線Ｙ１の所定幅Ｗ１内の欠陥個数ＡＫは
８であるため、真の欠陥でないと判定される。
【００７１】この後は、上記第１の欠陥検査方法と同様
にして、最終的な欠陥判定を行い、検査結果をウェーハ
７等に記録する。
にして、最終的な欠陥判定を行い、検査結果をウェーハ
７等に記録する。
【００７２】［第３の欠陥検査方法］本方法は、欠陥判
定部１４において各欠陥の位置から割り出した欠陥間の
距離をもとに、真の欠陥か否かを判定する例である。
定部１４において各欠陥の位置から割り出した欠陥間の
距離をもとに、真の欠陥か否かを判定する例である。
【００７３】まず、上記第１の欠陥検査方法と同様にし
て、図３のように欠陥の重心Ｃｉを求める。その重心位
置を基に各欠陥間の距離Ｌｉｊを算出する。この距離Ｌ
ｉｊは、欠陥の重心Ｃｉから他の欠陥の重心Ｃｊまでの
距離を表す。例えば、Ｌ１２は重心Ｃ１から重心Ｃ２ま
での距離を表す。
て、図３のように欠陥の重心Ｃｉを求める。その重心位
置を基に各欠陥間の距離Ｌｉｊを算出する。この距離Ｌ
ｉｊは、欠陥の重心Ｃｉから他の欠陥の重心Ｃｊまでの
距離を表す。例えば、Ｌ１２は重心Ｃ１から重心Ｃ２ま
での距離を表す。
【００７４】ここでは、欠陥が７個なので、ｉ＝１〜
７、ｊ＝２〜７、ｊ＞ｉとし、距離Ｌｉｊは重心Ｃｉ及
び重心Ｃｊの座標によって計算される。即ち、下記の式
によって求められる。
７、ｊ＝２〜７、ｊ＞ｉとし、距離Ｌｉｊは重心Ｃｉ及
び重心Ｃｊの座標によって計算される。即ち、下記の式
によって求められる。
【００７５】重心ＣｉのＸ座標ＣＸｉ、Ｙ座標ＣＹｉ、
重心ＣｊのＸ座標ＣＸｊ、Ｙ座標ＣＹｊとすると、 Ｌｉｊ＝√((ＣＸｉ−ＣＸｊ)２＋(ＣＹｉ−ＣＹｊ)２ として求める。
重心ＣｊのＸ座標ＣＸｊ、Ｙ座標ＣＹｊとすると、 Ｌｉｊ＝√((ＣＸｉ−ＣＸｊ)２＋(ＣＹｉ−ＣＹｊ)２ として求める。
【００７６】この式によって求めた全欠陥間の距離Ｌｉ
ｊ（ｉ＝１〜７、ｊ＝２〜７、ｊ＞ｉ）から平均値ＡＬ
を求める。
ｊ（ｉ＝１〜７、ｊ＝２〜７、ｊ＞ｉ）から平均値ＡＬ
を求める。
【００７７】次いで、この平均値ＡＬに対して予め設定
したオフセット値αを加算又は減算して判定基準ＪＡＬ
を決定する。
したオフセット値αを加算又は減算して判定基準ＪＡＬ
を決定する。
【００７８】ＪＡＬ＝ＡＬ＋α （α＝−５０） ただし、ＪＡＬ＜β（β＝３００）のときＪＡＬ＝βと
する。
する。
【００７９】ここで、オフセット値α及びβは次の意味
で用いている。
で用いている。
【００８０】真の欠陥は検査視野内に比較的均一に分布
する。このため、各欠陥間の距離は、その平均値を挟ん
で大から小まで広く分布する。これに対して、ピンセッ
ト等の外的要因による欠陥の場合は検査視野の中で一部
分に集中する。このため、各欠陥間の距離は平均値より
も小さい値が多くなる。検査視野の中で欠陥の大部分が
一部分に集中し、僅かな数の欠陥が視野全体に分布する
場合は、各欠陥間の距離の平均値は大きくても、一部分
に集中した欠陥間の距離はいずれも平均値より大幅に小
さくなる。このため、平均値から所定値（オフセット値
α）だけ引いた値内に欠陥の組み合わせが多く存在すれ
ば、欠陥が一部分に集中していると判断できる。即ち、
真の欠陥でないと判断できる。
する。このため、各欠陥間の距離は、その平均値を挟ん
で大から小まで広く分布する。これに対して、ピンセッ
ト等の外的要因による欠陥の場合は検査視野の中で一部
分に集中する。このため、各欠陥間の距離は平均値より
も小さい値が多くなる。検査視野の中で欠陥の大部分が
一部分に集中し、僅かな数の欠陥が視野全体に分布する
場合は、各欠陥間の距離の平均値は大きくても、一部分
に集中した欠陥間の距離はいずれも平均値より大幅に小
さくなる。このため、平均値から所定値（オフセット値
α）だけ引いた値内に欠陥の組み合わせが多く存在すれ
ば、欠陥が一部分に集中していると判断できる。即ち、
真の欠陥でないと判断できる。
【００８１】なおこの場合において、例えば比較的均一
になる通常の欠陥分布においては、１視野に欠陥が１０
個発生した場合の各欠陥間の距離の平均値に対して、５
０個発生した場合の各欠陥間の距離の平均値は１／５に
なる。即ち、欠陥が１０個発生した場合の各欠陥間の距
離の平均値は長く、５０個の場合は短くなる。このた
め、平均値の大きさに合わせてオフセット値αを調整す
る。
になる通常の欠陥分布においては、１視野に欠陥が１０
個発生した場合の各欠陥間の距離の平均値に対して、５
０個発生した場合の各欠陥間の距離の平均値は１／５に
なる。即ち、欠陥が１０個発生した場合の各欠陥間の距
離の平均値は長く、５０個の場合は短くなる。このた
め、平均値の大きさに合わせてオフセット値αを調整す
る。
【００８２】βは判定基準ＪＡＬの下限を設定する数値
である。平均的に見ると、発生する個数によってどの程
度距離が離れているかは概略的数値として事前に分かる
ため、それに応じたβを用いる。例えば、１視野内に１
０個の欠陥があって、それらは一部分にのみ集中してい
る場合、即ち真の欠陥でない場合、平均値のみを基準と
して判定基準ＪＡＬを求めると、その数値は小さくな
る。これにより、小さな数値の判定基準ＪＡＬによっ
て、真の欠陥でない欠陥が真の欠陥と判定されることが
ある。このため、１視野内の欠陥の個数に応じて、判定
基準ＪＡＬの最低値βを設定する。
である。平均的に見ると、発生する個数によってどの程
度距離が離れているかは概略的数値として事前に分かる
ため、それに応じたβを用いる。例えば、１視野内に１
０個の欠陥があって、それらは一部分にのみ集中してい
る場合、即ち真の欠陥でない場合、平均値のみを基準と
して判定基準ＪＡＬを求めると、その数値は小さくな
る。これにより、小さな数値の判定基準ＪＡＬによっ
て、真の欠陥でない欠陥が真の欠陥と判定されることが
ある。このため、１視野内の欠陥の個数に応じて、判定
基準ＪＡＬの最低値βを設定する。
【００８３】上記α及びβは１視野内に存在する欠陥の
個数に応じて変動する変数であるが、その具体的な数値
は、実測値の統計により、妥当な数値を予め設定する。
個数に応じて変動する変数であるが、その具体的な数値
は、実測値の統計により、妥当な数値を予め設定する。
【００８４】ここでは、欠陥個数が７であるため、各欠
陥間の距離の組み合わせは２１となる。実測の結果、図
３における検出結果の平均値はＡＬ＝２５３であった。
この数値は判定基準ＪＡＬの最低値β＝３００以下なの
で、ＪＡＬ＝３００となる。
陥間の距離の組み合わせは２１となる。実測の結果、図
３における検出結果の平均値はＡＬ＝２５３であった。
この数値は判定基準ＪＡＬの最低値β＝３００以下なの
で、ＪＡＬ＝３００となる。
【００８５】各欠陥間の距離のうち、判定基準ＪＡＬ＝
３００以下の組み合わせは１５であった。
３００以下の組み合わせは１５であった。
【００８６】ここで、検査視野内の全欠陥の距離の組み
合わせ数に対して設定割合（判断基準）をＲ２＝７０％
として判定する。
合わせ数に対して設定割合（判断基準）をＲ２＝７０％
として判定する。
【００８７】各欠陥間の距離の組み合わせは２１である
ため、２１×７０％＝１５となる。これに対して、判定
基準ＪＡＬ＝３００以下の組み合わせは１５であるた
め、真の欠陥でないと判定される。
ため、２１×７０％＝１５となる。これに対して、判定
基準ＪＡＬ＝３００以下の組み合わせは１５であるた
め、真の欠陥でないと判定される。
【００８８】この後は、上記第１の欠陥検査方法と同様
にして、最終的な欠陥判定を行い、検査結果をウェーハ
７等に記録する。
にして、最終的な欠陥判定を行い、検査結果をウェーハ
７等に記録する。
【００８９】［効果］以上のように、各方法により、ウ
ェーハ７の表面に現れた欠陥が真の欠陥か否かをより正
確に判定することができるため、欠陥計数誤差を低減で
き、より確実な品質保証、より正確な品質管理を行うこ
とができるようになる。
ェーハ７の表面に現れた欠陥が真の欠陥か否かをより正
確に判定することができるため、欠陥計数誤差を低減で
き、より確実な品質保証、より正確な品質管理を行うこ
とができるようになる。
【００９０】［変形例］ （１） 上記実施形態では、検査対象物としてシリコン
ウェーハを例に説明したが、本発明の欠陥検査方法及び
欠陥検査装置はこれに限らず、表面に微小な欠陥が生じ
る全ての検査対象物に適用することができる。この場合
も、上記実施形態同様の作用、効果を奏することができ
る。
ウェーハを例に説明したが、本発明の欠陥検査方法及び
欠陥検査装置はこれに限らず、表面に微小な欠陥が生じ
る全ての検査対象物に適用することができる。この場合
も、上記実施形態同様の作用、効果を奏することができ
る。
【００９１】（２） 上記実施形態では、判定基準とな
る設定値を実測値から統計的に割り出しているが、予め
設定した値を固定値として用いてもよい。この場合も、
上記実施形態同様の作用、効果を奏することができる。
る設定値を実測値から統計的に割り出しているが、予め
設定した値を固定値として用いてもよい。この場合も、
上記実施形態同様の作用、効果を奏することができる。
【００９２】（３） 上記第２の欠陥検査方法では、ｎ
次近似曲線として１次関数を用いたが、欠陥の分布に応
じて２次関数又は３次関数以上の曲線で近似してもよい
ことはいうまでもない。欠陥の分布は、ピンセット等の
接触状況に応じて異なるため、欠陥分布に応じて適宜選
択する。この場合も、上記実施形態同様の作用、効果を
奏することができる。
次近似曲線として１次関数を用いたが、欠陥の分布に応
じて２次関数又は３次関数以上の曲線で近似してもよい
ことはいうまでもない。欠陥の分布は、ピンセット等の
接触状況に応じて異なるため、欠陥分布に応じて適宜選
択する。この場合も、上記実施形態同様の作用、効果を
奏することができる。
【００９３】（４） 上記実施形態では、欠陥としてＯ
ＳＦを例に説明したが、ＢＭＤ等の他の欠陥の場合も上
記同様にして検査することができる。
ＳＦを例に説明したが、ＢＭＤ等の他の欠陥の場合も上
記同様にして検査することができる。
【００９４】（５） 上記実施形態では、欠陥の発生個
数及び発生位置を判断要素とした欠陥検査方法として、
一点を中心とした密集度、線を中心とした密集度、欠陥
間の距離から割り出した密集度を用いた例について説明
したが、本発明はこれに限らず、欠陥の発生個数及び発
生位置を用いた他の手段でもよい。即ち、欠陥の発生個
数及び発生位置を基に、欠陥の密集した部分の面積の、
全体に対する割合等の他の手段により、真の欠陥か否か
を判定してもよい。
数及び発生位置を判断要素とした欠陥検査方法として、
一点を中心とした密集度、線を中心とした密集度、欠陥
間の距離から割り出した密集度を用いた例について説明
したが、本発明はこれに限らず、欠陥の発生個数及び発
生位置を用いた他の手段でもよい。即ち、欠陥の発生個
数及び発生位置を基に、欠陥の密集した部分の面積の、
全体に対する割合等の他の手段により、真の欠陥か否か
を判定してもよい。
【００９５】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の欠陥検査
方法及び欠陥検査装置によれば、次のような効果を奏す
る。
方法及び欠陥検査装置によれば、次のような効果を奏す
る。
【００９６】欠陥の発生個数及び発生位置を用いて、上
述の各方法で欠陥の密集度を検出し、当該密集度を設定
値と比較して、欠陥が真の欠陥か否かを判定するため、
検査対象物の表面に現れた欠陥が真の欠陥か否かをより
正確に判定することができるようになる。
述の各方法で欠陥の密集度を検出し、当該密集度を設定
値と比較して、欠陥が真の欠陥か否かを判定するため、
検査対象物の表面に現れた欠陥が真の欠陥か否かをより
正確に判定することができるようになる。
【００９７】この結果、欠陥計数誤差を低減することが
でき、検査対象物に対するより確実な品質保証、より正
確な品質管理を行うことができるようになる。
でき、検査対象物に対するより確実な品質保証、より正
確な品質管理を行うことができるようになる。
【図１】本発明の実施形態に係る欠陥検査装置の概略構
成を示すブロック図である。
成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施形態に係る欠陥検査装置で検出し
た欠陥の一例を示す模式図である。
た欠陥の一例を示す模式図である。
【図３】図２の欠陥から重心を検出した例を示す模式図
である。
である。
【図４】本発明の実施形態に係る欠陥検査装置で検出し
た欠陥の他の例を示す模式図である。
た欠陥の他の例を示す模式図である。
【図５】図４の欠陥から重心を検出した例を示す模式図
である。
である。
【図６】最終的な欠陥判定を行う位置を表したウェーハ
を示す平面図である。
を示す平面図である。
１：欠陥検査装置、２：ＸＹステージ、３：顕微鏡、
４：ステージコントローラ、５：画像処理装置、６：ウ
ェーハローダ、７：ウェーハ、１１：画像撮影部、１
２：欠陥検出部、１３：欠陥計数部、１４：欠陥判定
部。
４：ステージコントローラ、５：画像処理装置、６：ウ
ェーハローダ、７：ウェーハ、１１：画像撮影部、１
２：欠陥検出部、１３：欠陥計数部、１４：欠陥判定
部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA03 AA07 AA22 BB01 BB24 CC19 DD04 FF04 JJ03 JJ26 MM03 MM04 PP12 PP24 QQ04 QQ06 QQ13 QQ17 QQ24 QQ27 QQ34 RR02 RR06 UU05 2G051 AA51 AB01 AB02 CA03 DA03 DA07 EA11 EA12 EA14 EB01 EC03 ED23 FA01 4M106 AA01 BA10 CB19 DB04 DB18 DB21 DJ02 DJ04 DJ17 DJ20 5B057 AA03 BA02 DA03 DB02 DB09 DC02 DC03 DC04 DC06
Claims (14)
- 【請求項１】 検査対象物の表面に観察される欠陥の検
査を行う欠陥検査方法において、 上記欠陥が真の欠陥か否かを判断する判断要素として、
上記欠陥の発生個数及び発生位置を用いたことを特徴と
する欠陥検査方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の欠陥検査方法におい
て、 上記欠陥の発生個数及び発生位置により、欠陥の密集度
を検出し、当該密集度を設定値と比較して、欠陥が真の
欠陥か否かを判断することを特徴とする欠陥検査方法。 - 【請求項３】 検査対象物の表面に観察される欠陥の検
査を行う欠陥検査方法において、 検査視野内の全欠陥個数が設定値内の場合に検査視野よ
り小さい領域を設定し、検出した欠陥の重心位置と上記
領域の中心位置を合わせて、その領域内での欠陥個数を
計数し、その欠陥個数の検査視野内の全欠陥個数に対す
る割合で欠陥の密集度を検出し、当該欠陥の密集度が設
定割合以上あるか否かを判断基準として、欠陥が真の欠
陥か否かを判断することを特徴とする欠陥検査方法。 - 【請求項４】 検査対象物の表面に観察される欠陥の検
査を行う欠陥検査方法において、 検査視野内の全欠陥個数が設定値内の場合に各欠陥の重
心位置を求め、その重心位置の分布からｎ次近似曲線を
求め、そのｎ次近似曲線に沿った設定幅内に存在する欠
陥個数を計数し、その欠陥個数の検査視野内の全欠陥個
数に対する割合で欠陥の密集度を検出し、当該欠陥の密
集度が設定割合以上あるか否かを判断基準として、欠陥
が真の欠陥か否かを判断することを特徴とする欠陥検査
方法。 - 【請求項５】 検査対象物の表面に観察される欠陥の検
査を行う欠陥検査方法において、 検査視野内の全欠陥個数が設定値内の場合に各欠陥の重
心位置を求め、その重心位置を基に各欠陥間の距離を算
出してその距離の平均値を求め、その平均値に対して予
め設定したオフセット値を加算又は減算した値より小さ
な距離が、検査視野内の全欠陥の距離の組み合わせ数に
対して設定割合以上あるか否かを判断基準として、欠陥
が真の欠陥か否かを判断することを特徴とする欠陥検査
方法。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれかに記載の欠陥
検査方法において、 観察される欠陥が真の欠陥ではないと判断された場合、
検査した視野の近傍の視野を検査することを特徴とする
欠陥検査方法。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれかに記載の欠陥
検査方法において、 検査した検査対象物の全表面のうち対称関係にある２つ
の位置の検査結果を比較し、その差異が設定値を越えて
いるか否かを判断基準として、欠陥が真の欠陥か否かを
判断することを特徴とする欠陥検査方法。 - 【請求項８】 検査対象物の表面に観察される欠陥の検
査を行う欠陥検査装置において、 上記欠陥が真の欠陥か否かを判断する欠陥判定部を備
え、当該欠陥判定部で真の欠陥か否かを判断する際の判
断要素として、上記欠陥の発生個数及び発生位置を用い
たことを特徴とする欠陥検査装置。 - 【請求項９】 請求項８に記載の欠陥検査装置におい
て、 上記欠陥判定部が、上記欠陥の発生個数及び発生位置に
より、欠陥の密集度を検出し、当該密集度を設定値と比
較して、欠陥が真の欠陥か否かを判断することを特徴と
する欠陥検査装置。 - 【請求項１０】 検査対象物の表面に観察される欠陥の
検査を行う欠陥検査装置において、 上記欠陥判定部が、検査視野内の全欠陥個数が設定値内
の場合に検査視野より小さい領域を設定し、検出した欠
陥の重心位置と上記領域の中心位置を合わせて、その領
域内での欠陥個数を計数し、その欠陥個数の検査視野内
の全欠陥個数に対する割合で欠陥の密集度を検出し、当
該欠陥の密集度が設定割合以上あるか否かを判断基準と
して、欠陥が真の欠陥か否かを判断することを特徴とす
る欠陥検査装置。 - 【請求項１１】 検査対象物の表面に観察される欠陥の
検査を行う欠陥検査装置において、 上記欠陥判定部が、検査視野内の全欠陥個数が設定値内
の場合に各欠陥の重心位置を求め、その重心位置の分布
からｎ次近似曲線を求め、その曲線に沿った設定幅内に
存在する欠陥個数を計数し、その欠陥個数の検査視野内
の全欠陥個数に対する割合で欠陥の密集度を検出し、当
該欠陥の密集度が設定割合以上あるか否かを判断基準と
して、欠陥が真の欠陥か否かを判断することを特徴とす
る欠陥検査装置。 - 【請求項１２】 検査対象物の表面に観察される欠陥の
検査を行う欠陥検査装置において、 上記欠陥判定部が、検査視野内の全欠陥個数が設定値内
の場合に各欠陥の重心位置を求め、その重心位置を基に
各欠陥間の距離を算出してその距離の平均値を求め、そ
の平均値に対して予め設定したオフセット値を加算又は
減算した値より小さな距離が、検査視野内の全欠陥の距
離の組み合わせ数に対して設定割合以上あるか否かを判
断基準として、欠陥が真の欠陥か否かを判断することを
特徴とする欠陥検査装置。 - 【請求項１３】 請求項８乃至１２のいずれかに記載の
欠陥検査装置において、 上記欠陥判定部が、観察される欠陥が真の欠陥ではない
と判断された場合、検査した視野の近傍の視野を検査す
ることを特徴とする欠陥検査装置。 - 【請求項１４】 請求項８乃至１３のいずれかに記載の
欠陥検査装置において、 上記欠陥判定部が、検査した検査対象物の全表面のうち
対称関係にある２つの位置の検査結果を比較し、その差
異が設定値を越えているか否かを判断基準として、欠陥
が真の欠陥か否かを判断することを特徴とする欠陥検査
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001174075A JP3551163B2 (ja) | 2001-06-08 | 2001-06-08 | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| US10/156,464 US6779159B2 (en) | 2001-06-08 | 2002-05-29 | Defect inspection method and defect inspection apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001174075A JP3551163B2 (ja) | 2001-06-08 | 2001-06-08 | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002365235A true JP2002365235A (ja) | 2002-12-18 |
| JP3551163B2 JP3551163B2 (ja) | 2004-08-04 |
Family
ID=19015413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001174075A Expired - Fee Related JP3551163B2 (ja) | 2001-06-08 | 2001-06-08 | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3551163B2 (ja) |
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008196951A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Micronics Japan Co Ltd | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| WO2009026358A1 (en) * | 2007-08-20 | 2009-02-26 | Kla-Tencor Corporation | Computer-implemented methods for determining if actual defects are potentially systematic defects or potentially random defects |
| US8041103B2 (en) | 2005-11-18 | 2011-10-18 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space |
| JP2011209271A (ja) * | 2011-01-19 | 2011-10-20 | Lasertec Corp | 検査装置及び欠陥分類方法 |
| US8112241B2 (en) | 2009-03-13 | 2012-02-07 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for generating an inspection process for a wafer |
| US8139844B2 (en) | 2008-04-14 | 2012-03-20 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for determining a defect criticality index for defects on wafers |
| US8139843B2 (en) | 2005-11-18 | 2012-03-20 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
| US8194968B2 (en) | 2007-01-05 | 2012-06-05 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions |
| US8204297B1 (en) | 2009-02-27 | 2012-06-19 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for classifying defects detected on a reticle |
| US8213704B2 (en) | 2007-05-09 | 2012-07-03 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern |
| US8775101B2 (en) | 2009-02-13 | 2014-07-08 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
| US8781781B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-07-15 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic care areas |
| US8824952B2 (en) | 2003-12-26 | 2014-09-02 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus |
| US8826200B2 (en) | 2012-05-25 | 2014-09-02 | Kla-Tencor Corp. | Alteration for wafer inspection |
| US8831334B2 (en) | 2012-01-20 | 2014-09-09 | Kla-Tencor Corp. | Segmentation for wafer inspection |
| US8923600B2 (en) | 2005-11-18 | 2014-12-30 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
| US9053527B2 (en) | 2013-01-02 | 2015-06-09 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
| US9087367B2 (en) | 2011-09-13 | 2015-07-21 | Kla-Tencor Corp. | Determining design coordinates for wafer defects |
| US9092846B2 (en) | 2013-02-01 | 2015-07-28 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using defect-specific and multi-channel information |
| US9134254B2 (en) | 2013-01-07 | 2015-09-15 | Kla-Tencor Corp. | Determining a position of inspection system output in design data space |
| US9170211B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-10-27 | Kla-Tencor Corp. | Design-based inspection using repeating structures |
| US9189844B2 (en) | 2012-10-15 | 2015-11-17 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using defect-specific information |
| US9310320B2 (en) | 2013-04-15 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Based sampling and binning for yield critical defects |
| US9311698B2 (en) | 2013-01-09 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using template image matching |
| US9659670B2 (en) | 2008-07-28 | 2017-05-23 | Kla-Tencor Corp. | Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for classifying defects detected in a memory device area on a wafer |
| JP2017095263A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 株式会社東芝 | 輸送物監視システムおよび輸送物監視方法 |
| JP2017101938A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | シグマ株式会社 | 内面検査装置 |
| US9865512B2 (en) | 2013-04-08 | 2018-01-09 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic design attributes for wafer inspection |
| CN111341686A (zh) * | 2020-03-10 | 2020-06-26 | 上海华力微电子有限公司 | 一种检测晶圆缺陷的方法及装置 |
-
2001
- 2001-06-08 JP JP2001174075A patent/JP3551163B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8824952B2 (en) | 2003-12-26 | 2014-09-02 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus |
| US8139843B2 (en) | 2005-11-18 | 2012-03-20 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
| US8923600B2 (en) | 2005-11-18 | 2014-12-30 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
| US8041103B2 (en) | 2005-11-18 | 2011-10-18 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space |
| US8194968B2 (en) | 2007-01-05 | 2012-06-05 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions |
| JP2008196951A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Micronics Japan Co Ltd | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| US8213704B2 (en) | 2007-05-09 | 2012-07-03 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern |
| KR101448971B1 (ko) | 2007-08-20 | 2014-10-13 | 케이엘에이-텐코어 코오포레이션 | 실제 결함들이 잠재적으로 조직적인 결함들인지 또는 잠재적으로 랜덤인 결함들인지를 결정하기 위한 컴퓨터-구현 방법들 |
| US7975245B2 (en) | 2007-08-20 | 2011-07-05 | Kla-Tencor Corp. | Computer-implemented methods for determining if actual defects are potentially systematic defects or potentially random defects |
| WO2009026358A1 (en) * | 2007-08-20 | 2009-02-26 | Kla-Tencor Corporation | Computer-implemented methods for determining if actual defects are potentially systematic defects or potentially random defects |
| US8139844B2 (en) | 2008-04-14 | 2012-03-20 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for determining a defect criticality index for defects on wafers |
| US9659670B2 (en) | 2008-07-28 | 2017-05-23 | Kla-Tencor Corp. | Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for classifying defects detected in a memory device area on a wafer |
| US8775101B2 (en) | 2009-02-13 | 2014-07-08 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
| US8204297B1 (en) | 2009-02-27 | 2012-06-19 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for classifying defects detected on a reticle |
| US8112241B2 (en) | 2009-03-13 | 2012-02-07 | Kla-Tencor Corp. | Methods and systems for generating an inspection process for a wafer |
| US8781781B2 (en) | 2010-07-30 | 2014-07-15 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic care areas |
| JP2011209271A (ja) * | 2011-01-19 | 2011-10-20 | Lasertec Corp | 検査装置及び欠陥分類方法 |
| US9170211B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-10-27 | Kla-Tencor Corp. | Design-based inspection using repeating structures |
| US9087367B2 (en) | 2011-09-13 | 2015-07-21 | Kla-Tencor Corp. | Determining design coordinates for wafer defects |
| US8831334B2 (en) | 2012-01-20 | 2014-09-09 | Kla-Tencor Corp. | Segmentation for wafer inspection |
| US8826200B2 (en) | 2012-05-25 | 2014-09-02 | Kla-Tencor Corp. | Alteration for wafer inspection |
| US9189844B2 (en) | 2012-10-15 | 2015-11-17 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using defect-specific information |
| US9053527B2 (en) | 2013-01-02 | 2015-06-09 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
| US9134254B2 (en) | 2013-01-07 | 2015-09-15 | Kla-Tencor Corp. | Determining a position of inspection system output in design data space |
| US9311698B2 (en) | 2013-01-09 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using template image matching |
| US9092846B2 (en) | 2013-02-01 | 2015-07-28 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer using defect-specific and multi-channel information |
| US9865512B2 (en) | 2013-04-08 | 2018-01-09 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic design attributes for wafer inspection |
| US9310320B2 (en) | 2013-04-15 | 2016-04-12 | Kla-Tencor Corp. | Based sampling and binning for yield critical defects |
| JP2017095263A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 株式会社東芝 | 輸送物監視システムおよび輸送物監視方法 |
| JP2017101938A (ja) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | シグマ株式会社 | 内面検査装置 |
| CN111341686A (zh) * | 2020-03-10 | 2020-06-26 | 上海华力微电子有限公司 | 一种检测晶圆缺陷的方法及装置 |
| CN111341686B (zh) * | 2020-03-10 | 2022-04-19 | 上海华力微电子有限公司 | 一种检测晶圆缺陷的方法及装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3551163B2 (ja) | 2004-08-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3551163B2 (ja) | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 | |
| US6779159B2 (en) | Defect inspection method and defect inspection apparatus | |
| KR101021320B1 (ko) | 프로세스 편차 모니터용 시스템 및 방법 | |
| US4958373A (en) | Defect-recognition processing apparatus | |
| JP3826849B2 (ja) | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 | |
| US8736832B2 (en) | Method of detecting specific defect, and system and program for detecting specific defect | |
| EP3306653B1 (en) | Semiconductor wafer evaluation method | |
| JPH11243041A (ja) | 品質管理システムおよび記録媒体 | |
| US6726319B1 (en) | Method for inspecting surface of semiconductor wafer | |
| JPH06295945A (ja) | 半導体製造プロセスの評価方法および装置 | |
| JPH04107946A (ja) | 自動外観検査装置 | |
| JP2000346627A (ja) | 検査装置 | |
| US6724474B1 (en) | Wafer surface inspection method | |
| JP3620470B2 (ja) | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 | |
| US8822920B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
| JP2007019270A (ja) | 顕微鏡を用いた欠陥観察方法および観察装置 | |
| US8055056B2 (en) | Method of detecting defects of patterns on a semiconductor substrate and apparatus for performing the same | |
| JP6168834B2 (ja) | 光学フィルムの欠陥判別方法 | |
| JP2000067243A (ja) | 自動欠陥情報収集制御方法及び自動欠陥情報収集制御プログラムを記録した記録媒体 | |
| KR20060079479A (ko) | 웨이퍼 결함 이미지 자동 분석 시스템 | |
| JPH10246704A (ja) | 半導体ウェハ検査方法及び半導体ウェハ検査装置 | |
| JP2003188224A (ja) | 化合物半導体ウェーハにおける転位ピット密度の測定方法 | |
| JP2001153635A (ja) | 半導体ウェ−ハの品質評価方法 | |
| KR0147319B1 (ko) | 전자총 비드 마운트의 아일렛 편심 자동 검사 장치와 방법 | |
| JPH03154807A (ja) | パターン検査方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040113 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040309 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040330 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040412 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3551163 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090514 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090514 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100514 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100514 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110514 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120514 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |