KR102019534B1

KR102019534B1 - 결함 특유의, 다중 채널 정보를 이용한 웨이퍼 상의 결함 검출

Info

Publication number: KR102019534B1
Application number: KR1020157023323A
Authority: KR
Inventors: 커농 우; 리쉥 가오; 그레이스 에이치. 첸; 데이비드 더블유. 쇼트
Original assignee: 케이엘에이 코포레이션
Priority date: 2013-02-01
Filing date: 2014-01-31
Publication date: 2019-09-09
Also published as: TW201727580A; US9552636B2; US20170091925A1; TW201439986A; US9846930B2; TWI590194B; TWI606423B; US20140219544A1; WO2014149197A1; TWI614722B; TW201802770A; KR20150113102A; US20160027165A1; US9092846B2

Abstract

결함 특유의, 다중 채널 정보를 이용한 웨이퍼 상의 결함을 검출하기 위한 방법들 및 시스템들이 제공된다. 타깃은 웨이퍼 상에 형성되는 관심 패턴(POI) 및 상기 POI의 근방에 또는 상기 POI 내에 발생하는 알려진 관심 결함(DOI)을 포함한다. 상기 방법은 또한 검사 시스템의 제1 채널에 의해 획득되는 타깃 후보의 이미지에 기초하여 잠재적인 DOI 위치를 식별하여 검사 시스템의 제2 채널에 의해 획득되는 잠재적인 DOI 위치의 이미지에 하나 이상의 파라미터를 적용함으로써 타깃 후보에서 알려진 DOI를 검출하는 단계를 포함한다. 따라서, 잠재적인 DOI 위치를 찾기 위해 사용되는 이미지(들) 및 결함 검출을 위해 사용되는 이미지(들)는 상이할 수 있다.

Description

결함 특유의, 다중 채널 정보를 이용한 웨이퍼 상의 결함 검출{DETECTING DEFECTS ON A WAFER USING DEFECT-SPECIFIC AND MULTI-CHANNEL INFORMATION}

본 발명은 일반적으로 결함 특유의, 다중 채널 정보를 이용한 웨이퍼 상의 결함을 검출하는 것에 관한 것이다.

이하의 설명 및 예들은 이 섹션에서의 그들의 포함으로 인해 종래 기술로 공인되지 않는다.

웨이퍼 상의 결함을 검출하기 위해 반도체 제조 프로세스 동안의 다양한 단계에서 검사 프로세스가 사용된다. 임의의 웨이퍼 검사 시스템에 있어서의 하나의 중요한 목표는 누이상스(nuisance) 결함을 억제하는 것이다. 누이상스 결함은 반도체 수율과는 관련이 없을 수도 있는 검출된 이벤트이다. 누이상스 결함은 웨이퍼 노이즈 및 시스템 노이즈에 의해 야기될 수 있거나 웨이퍼 상의 물리 오브젝트이다. 누이상스 결함은 웨이퍼 상의 어디에서나 나타날 수 있다. 반대로, 일부 관심 결함(DOI: defect of interest)은 웨이퍼 상의 특정 위치에만 나타날 수 있다.

DOI에 대한 콘텍스트 정보가 결함 검출을 위한 사전 지식으로서 사용될 수 있다. 콘텍스트 정보를 사용하는 여러 가지 방법이 결함을 검출하도록 개발되고 있다. 그러한 하나의 방법은 결함이 더 높은 확률로 발생할 수 있는 핫 스폿을 찾기 위해 및 핫 스폿 근방의 결함을 검사하기 위해 그래픽 데이터 스트림(GDS) 또는 설계 정보를 사용한다. 그러한 다른 방법은 결함 배경을 매칭시키고 결함 검출 후에 매칭된 결함을 유지 또는 제거한다.

그러나, 그러한 방법에 다수의 단점이 존재한다. 예를 들면, 제1 방법은 GDS 데이터로 작업한다. 그러나, GDS 정보는 반도체 제조 공장에서의 결함 기술자에 대해서와 같이 모든 환경에서 사용 가능하지 않을 수도 있다. 또한, 사용자는 결함 영역을 찾기 위해 검사 소프트웨어로부터 분리되는 소프트웨어를 필요로 할 수도 있다. 더욱이, 사용자는 이미지 상에 정확하게 보호 영역을 오버랩하기 위해 픽셀 대 디자인 정렬(PDA, pixel-to-design alignment) 및 실행 시간 스와쓰(swath) 기반 정렬을 행할 필요가 있다. 전체 다이를 덮는 스와쓰 이미지는 매우 크기 때문에, 이미지 왜곡이 정렬 부정확성을 야기할 수도 있다. 스와쓰 기반 정렬이 실패하는 경우, 스와쓰에 의해 덮여지는 위치가 검사되지 않을 것이다.

결함 검출 이후에 실행되는 제2 방법은 누이상스 결함의 결함 카운트 및 타입이 비교적 큰 경우에는 검사를 현저하게 천천히 할 수 있다. 덧붙여서, 결함 신호가 비교적 약한 경우, 막대한 양의 누이상스 결함이 검출될 수도 있다. 검출 신호는 결함이 있는 이미지와 결함이 없는 기준 이미지 사이의 최대 계조 차(gray-level difference)로서 정의될 수도 있다. 기준 이미지는 결함 이미지와 공간적으로 정렬되고 인접한 다이로부터 또는 웨이퍼 상의 다수의 다이로부터 획득될 수도 있다. 더욱이, 방법들이 체계적인 DOI를 유지하기 위해 실행되는 경우, 다른 누이상스 제거 메커니즘이 별개의 누이상스 결함 및 랜덤하게 분포된 DOI에 대해 필요하게 된다.

이들 방법의 어느 것도 웨이퍼 및 결함 정보를 획득하기 위해 결함 특유의 정보와, 다수의 광학 모드를 갖는 다중 채널 시스템을 사용하지 않는다.

따라서, 전술한 결점 중 하나 이상을 갖지 않는 웨이퍼 상의 결함을 검출하기 위한 방법 및/또는 시스템을 개발하는 것이 유리하다.

여러 가지 실시예의 아래의 설명은 첨부된 청구항들의 청구 대상(subject matter)을 어떤 식으로도 제한하는 것으로 이해되어서는 안된다.

일 실시예는 결함 특유의 정보를 사용하여 웨이퍼 상의 결함을 검출하기 위한 컴퓨터로 실현되는 방법에 관한 것이다. 그 방법은 웨이퍼 상의 타깃에 대한 정보를 획득하는 단계를 포함한다. 상기 타깃은 상기 웨이퍼 상에 형성되는 관심 패턴(POI) 및 상기 POI의 근방에 또는 상기 POI 내에 발생하는 알려진 관심 결함(DOI)을 포함한다. 상기 정보는, 검사 시스템의 제1 채널로 상기 웨이퍼 상에 상기 POI를 촬상함으로써 획득되는 상기 웨이퍼 상의 상기 POI의 제1 이미지, 상기 검사 시스템의 제2 채널로 상기 알려진 DOI를 촬상함으로써 획득되는 상기 웨이퍼 상의 상기 알려진 DOI의 제2 이미지, 상기 웨이퍼 상의 상기 POI의 위치, 상기 POI에 대한 상기 알려진 DOI의 위치, 및 상기 POI와 상기 알려진 DOI로부터 산출되는 하나 이상의 특징을 포함한다.

상기 방법은 또한 상기 웨이퍼 상의 또는 다른 웨이퍼 상의 하나의 다이 내에서 상기 POI에 매칭하는 타깃 후보를 검색하는 단계를 포함한다. 상기 타깃 후보는 상기 POI를 포함한다. POI 검색은 결함 검출 전의 설정(setup) 단계에서 수행될 수 있다. POI 검색 후에, 마이크로 보호 영역(MCA)이 각각의 잠재적인 결함 위치에 대한 POI 위치에 관한 알려진 결함의 위치에 기초하여 생성될 수 있다. 이들 위치는 결함 검출을 위해 제공될 수 있다. 덧붙여서, 상기 방법은, 상기 제1 채널에 의해 획득되는 상기 타깃 후보의 이미지에 기초하여 잠재적인 DOI 위치를 식별하고 하나 이상의 검출 파라미터를 상기 잠재적인 DOI 위치의 상기 제2 채널에 의해 획득되는 이미지에 적용함으로써 상기 타깃 후보 내의 상기 알려진 DOI를 검출하는 단계를 포함한다. 상기 알려진 DOI를 검출하는 단계는 컴퓨터 시스템을 사용하여 수행된다.

이 방법과 기존에 사용되는 콘텍스트 기반 검사 사이에 여러 가지 차이가 존재한다. 먼저, 이 방법은 그래픽 데이터 스트림(GDS) 데이터에 의존하지 않는다. 덧붙여서, 매우 정확한 보호 영역 정렬이 특정 결함을 검출하기 위해 수행될 수 있다. 보호 영역 정렬은 스와쓰 이미지 레벨에서 수행되지 않는다. 보호 영역 정렬은 결함 검출을 위한 기본 이미지 요소인 프레임 이미지 내에서 수행된다. 더욱이, 콘텍스트 및 결함 특유의 정보가 결함 검출 후가 아니라 설정 및 결함 검출 동안 사용된다. 덧붙여서, 다중 채널 검사 시스템이 상이한 이미지 모드를 사용하여 POI 검색 및 결함 검출을 분리할 수 있다. 상이한 이미지 모드가 스펙트럼, 개구, 편광 및 포커스 오프셋을 변경함으로써 얻어질 수 있다. 일부 이미지 모드는 패턴 검색을 위해서는 양호할 수 있지만 결함을 감지하는 데 양호하지 않을 수도 있다. 반면에, 일부 이미지 모드는 결함을 감지하는 데 양호할 수 있지만 웨이퍼 패턴에 대한 양호한 해상도를 갖지 않는다. 본 명세서에 기재된 시스템은 패턴 검색 감도 및 결함 검출 감도를 분리시킨다.

전술한 방법은 본 명세서에 더욱 기재되는 바와 같이 수행될 수 있다. 덧붙여서, 전술한 방법은 본 명세서에 기재된 임의의 다른 방법(들)의 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수 있다. 더욱이, 전술한 방법은 본 명세서에 기재된 시스템 중 어느 하나에 의해 수행될 수도 있다.

다른 실시예는 웨이퍼 상의 결함을 검출하기 위한 컴퓨터로 실현되는 방법을 수행하기 위해 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어를 저장하는 비일시적인 컴퓨터로 판독 가능한 매체에 관한 것이다. 컴퓨터로 실현되는 방법은 전술한 방법의 단계들을 포함한다. 컴퓨터로 판독 가능한 매체는 또한 본 명세서에 기재된 바와 같이 구성될 수 있다. 컴퓨터로 실현되는 방법의 단계들은 본 명세서에 더욱 기재되는 바와 같이 수행될 수 있다. 덧붙여서, 컴퓨터로 실현되는 방법은 본 명세서에 기재된 임의의 다른 방법(들)의 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수 있다.

추가의 실시예는 웨이퍼 상의 결함을 검출하도록 구성된 시스템에 관한 것이다. 상기 시스템은 웨이퍼 상의 타깃에 대한 정보를 획득하도록 구성된 검사 서브시스템을 포함한다. 상기 타깃은 상기 웨이퍼 상에 형성되는 POI 및 상기 POI의 근방에 또는 상기 POI 내에 발생하는 알려진 DOI를 포함한다. 상기 정보는, 검사 서브시스템의 제1 채널로 상기 웨이퍼 상에 상기 POI를 촬상함으로써 획득되는 상기 웨이퍼 상의 상기 POI의 제1 이미지, 및 상기 검사 서브시스템의 제2 채널로 상기 알려진 DOI를 촬상함으로써 획득되는 상기 웨이퍼 상의 상기 알려진 DOI의 제2 이미지를 포함한다. 상기 검사 서브시스템은 또한 상기 웨이퍼 상의 또는 다른 웨이퍼 상의 POI와 매칭하는 타깃 후보를 검색하여 타깃 후보의 이미지를 획득하도록 구성된다. 상기 타깃 후보는 POI를 포함한다. 덧붙여서, 상기 시스템은, 상기 제1 채널에 의해 획득되는 상기 타깃 후보의 이미지에 기초하여 잠재적인 DOI 위치를 식별하고 하나 이상의 검출 파라미터를 상기 잠재적인 DOI 위치의 상기 제2 채널에 의해 획득되는 이미지에 적용함으로써 상기 타깃 후보 내의 상기 알려진 DOI를 검출하도록 구성된 컴퓨터 시스템을 포함한다. 상기 시스템은 또한 본 명세서에 기재된 바와 같이 구성될 수 있다.

본 발명의 다른 목적 및 장점들은 아래의 상세한 설명을 읽고 첨부하는 도면을 참조할 때 명백해질 것이다.
도 1은 웨이퍼 상에 형성된 패턴 및 패턴 내에서 검출되는 알려진 관심 결함을 갖는 패턴의 일 실시예의 평면도를 나타내는 개략도이다.
도 2는 다수의 다이가 형성되어 있고, 다수의 다이 내에 다수의 관심 패턴(POI)이 형성되어 있는, 웨이퍼의 일 실시예의 평면도를 나타내는 개략도이다.
도 2a∼도 2d는 POI, 그 POI 근방에 또는 POI 내에 발생하는 하나 이상의 알려진 DOI, 및 알려진 DOI에 대해 생성될 수도 있는 하나 이상의 마이크로 보호 영역의 다른 실시예의 평면도를 나타내는 개략도이다.
도 3은 이미지, 하나 이상의 검출 파라미터를 결정하는 데 사용되는 이미지 내의 영역, 및 하나 이상의 검출 파라미터가 적용되는 이미지 내의 영역의 일 실시예의 평면도를 나타내는 개략도이다.
도 4는 템플릿(template) 및 보호 영역 설정을 위한 방법의 일 실시예를 나타내는 플로우차트이다.
도 5는 다중 채널 검사를 위한 방법의 일 실시예를 나타내는 플로우차트이다.
도 6은 본 명세서에 기재된 컴퓨터로 실현되는 방법 중 하나 이상을 수행하기 위한 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어들을 저장하는 비일시적 컴퓨터로 판독 가능한 매체의 일 실시예를 나타내는 블록도이다.
도 7은 웨이퍼 상의 결함을 검출하도록 구성된 시스템의 일 실시예의 측면도를 나타내는 개략도이다.
도 8 및 도 9는 본 명세서에 기재된 실시예들에 의해 사용될 수 있는 조명 및 수집 방식의 여러 가지 실시예의 평면도를 나타내는 개략도이다.
본 발명은 여러 가지 수정 및 변형 형태가 가능하기 때문에, 그 특정 실시예가 도면에서 예로서 도시되고 본 명세서에 상세하게 설명된다. 그러나, 도면 및 그에 대한 상세한 설명은 본 발명을 개시된 특정 형태로 제한하고자 하는 것이 아니라, 반대로, 그 의도는 첨부된 청구항들에 의해 한정되는 것으로서 본 발명의 사상 및 범위 내에 있는 모든 수정, 균등물 및 변형을 커버하기 위한 것임을 이해해야 한다.

이제 도면으로 돌아가서, 도면들은 일정 비례로 확대하여 도시되지 않은 것임을 알아야 한다. 특히, 도면의 요소들 중 일부의 축척은 그 요소들의 특징을 강조하기 위해 크게 과장되어 있다. 또한 도면들은 동일 축척으로 도시되지 않은 것을 알아야 한다. 유사하게 구성될 수도 있는 하나 이상의 도면에 도시되어 있는 요소들은 동일한 참조 번호를 사용하여 나타내고 있다. 본 명세서에서 별도로 언급이 없으면, 기재된 및 도시된 요소들 중 어느 것이 임의의 적절한 시판되고 있는 요소들을 포함할 수도 있다.

일 실시예는 웨이퍼 상의 결함을 검출하기 위한 컴퓨터로 실현되는 방법에 관한 것이다. 본 명세서에 기재된 실시예들은 일반적으로 2개의 부분: 1) 템플릿 및 보호 영역(CA, care area) 설정을 포함할 수도 있는 설정, 및 2) 결함 검출을 포함한다. 설정하는 동안 웨이퍼 상의 알려진 관심 결함(DOI) 위치 및/또는 취약 위치에 대해 타깃 정보가 수집된다. 결함 검출 동안, 웨이퍼는 타깃 정보를 사용하여 검사된다. 본 명세서에서 더욱 설명되는 바와 같이, 실시예들은 다중 채널 및 다중 모드 검사 둘다에, 그리고 암시야(DF: dark field) 및 임의의 다른 타입의 검사에 적용된다.

방법은 웨이퍼 상의 타깃에 대한 정보를 획득하는 것을 포함한다. 타깃은 웨이퍼 상에 형성되는 관심 패턴(POI) 및 POI의 근방에 또는 POI 내에 발생하는 알려진 DOI를 포함한다. 타깃에 대한 정보는 검사 시스템의 제1 채널로 웨이퍼 상의 POI를 촬상함으로써 획득되는 웨이퍼 상의 POI의 제1 이미지, 검사 시스템의 제2 채널로 알려진 DOI를 촬상함으로써 획득되는 웨이퍼 상의 알려진 DOI의 제2 이미지, 웨이퍼 상의 POI의 위치, POI에 대한 알려진 DOI의 위치, 및 POI와 알려진 DOI로부터 산출되는 하나 이상의 특징을 포함한다. 따라서, 타깃에 대한 정보는 검사 시스템의 다수의 채널(즉, 적어도 제1 채널 및 제2 채널)에 의해 획득되는 정보를 포함할 수 있다. 본 명세서에 더욱 설명되는 바와 같이, 실시예들은 다중 채널을 갖는 검사 시스템에 특히 적합하고, 그러한 검사 시스템의 다중 채널 능력을 특별하게 활용(leverage)한다. 검사 시스템은 본 명세서에 기재된 바와 같이 추가로 구성될 수도 있다.

타깃 정보(특정 콘텍스트에서는 샘플 DOI)가 주어지면, 본 명세서에 기재된 실시예들은 모든 DOI를 검출하고 전체 웨이퍼 상의 누이상스 결함을 억제하기 위해 사용될 수도 있다. 덧붙여서, 본 명세서에 기재된 실시예들은 특정 패턴을 포함하는 타깃 후보들만의 결함을 검출하도록 설계되기 때문에, 본 명세서에 기재된 실시예들은 일반적으로 패턴과 웨이퍼 상의 패턴을 형성하는 데 사용되는 프로세스 사이의 상호 작용으로 인해 웨이퍼 상의 특정 패턴에서 반복적으로 발생하는 결함인 웨이퍼 상의 체계적인 결함을 검출하는 데 특히 유용하다. 따라서, DOI는 브릿지(brigde)와 같은 웨이퍼 상에 형성되는 패턴 내의 결함을 포함할 수도 있다.

POI는 웨이퍼 상에 형성된(또는 형성될) 다이를 위한 전체 설계에서 몇몇 패턴화된 피처(feature)만을 포함할 수도 있다. 바꿔 말하면, 타깃 내에 포함되는 POI는 웨이퍼 상에 형성되거나 형성될 다이를 위한 전체 패턴을 포함하지 않는다.

타깃에 대한 정보는 또한, DOI가 발생할 수 있는 위치를 포함할 수 있으며, 그 위치는 알려질 수 있고 POI 위치에 대해 고유할 수 있다. 이 방식으로, 알려진 DOI의 위치는 POI의 위치에 고유하게 관련된다. 바꿔 말하면, POI는 바람직하게는 잠재적인 결함 위치와 고유한 공간 관계를 갖는다.

일 실시예에서, 알려진 DOI의 위치가 웨이퍼를 위한 설계 데이터에 기초하여 얻어진다. 예를 들면, 결함 위치 및 취약 위치는 반도체 설계 파일로부터 얻어진다. 그러한 일례에서, 설정 시에, 타깃 위치는 룰 기반 또는 패턴 기반 검색을 통해 설계 파일로부터 비롯될 수 있다.

일 실시예에서, 타깃에 대한 정보를 획득하는 것은 DOI 샘플의 위치를 가져오는 것을 포함한다. 다른 실시예에서, 웨이퍼 상의 알려진 DOI의 위치 및/또는 취약 위치가 웨이퍼의 광학 이미지(optical image) 또는 SEM (scanning electron microscope) 이미지에 기초하여 얻어진다. 이들 위치의 소스는 검사 결과 및 SEM 리뷰 결과로부터 얻어질 수도 있다. 이 방식으로, DOI의 샘플이 또한, 웨이퍼 상에서 수행되는 e 빔 검사 또는 주사 전자 현미경 검사(SEM) 리뷰와 같은 특정 소스로부터 알려질 수도 있다.

이들 위치는 타깃의 이미지를 그래브하기(grabbing) 위해 사용될 수도 있다. 예를 들면, 설정 시에, 이미지 패치(템플릿)가 각 결함 타입에 대해 생성된다. 이미지 패치의 위치는 결함 위치 또는 취약 위치에 기초하여 얻어진다. 설정 시에, SEM 이미지는 광학 이미지 내의 결함 위치를 식별하기 위해 광학 이미지와 상관될 수 있다. 덧붙여서, 설정 시에, 이전의 검사 결과에 포함되는 광학 패치 이미지는 타깃 템플릿으로서 사용될 수 있거나 정확한 결함 위치를 검색하는 데 사용될 수 있다. 예를 들면, 일 실시예에서, 방법은 알려진 DOI의 SEM 이미지를 웨이퍼의 광학 이미지에 상관시킴으로써 웨이퍼의 광학 이미지 내의 알려진 DOI의 위치를 결정하는 것을 포함한다. 그러한 일부의 경우에, 사용자는 전체 웨이퍼 상의 이들 종류의 결함의 수를 알기를 원한다.

타깃에 대한 정보는 설정 동안 생성될 수도 있고, 잠재적인 결함 위치를 식별하는 것과, 샘플 결함의 기준 이미지 및 테스트를 사용하여 결함 정보를 산출하는 것을 포함할 수도 있다. 그러한 일 실시예에서, 도 1에 도시된 바와 같이, 패턴(100)은 웨이퍼 상에 형성될 수도 있고, e 빔 검사 시스템 또는 광학 검사 시스템과 같은 고해상도 검사 시스템에 의해 촬상될 수도 있는 것으로서 도 1에 도시되어 있다. 시스템은 2개의 이미지, 즉, 타깃 위치로부터의 하나의 이미지 및 POI 검색이 수행될 다이나 웨이퍼로부터의 나머지 하나의 이미지를 그래브할 수도 있다. 패턴(100)에 나타나는 피처는, 패턴(100)과 동등하지만 자체 내에서 발생하는 결함이 있는 패턴(102)에 나타나는 바와 같이, 패턴화된 피처(106)와 패턴화된 피처(108) 사이의 브릿징 결함과 같은 DOI(104)가 웨이퍼 상의 패턴의 하나 이상의 경우에 검출되었을 수 있기 때문에, 본 명세서에 기재된 타깃에 포함될 수도 있다. 도 1에 도시된 패턴들은 웨이퍼 상에 실제로 형성될 수도 있는 임의의 패턴을 나타내려는 의도는 아니다. 그 대신에, 패턴은 어떤 타입의 피처가 타깃의 POI에 포함될 수 있는지와, 여기에서 발생할 수도 있는 DOI의 타입을 나타내도록 의도된다. POI에 포함되는 패턴화된 피처의 수는 타깃 후보들이 미리 정해진 정확성을 갖고 웨이퍼 또는 다른 웨이퍼에 대해 획득된 이미지에서 식별될 수 있도록 선택될 수도 있다. POI의 사이즈는 또한 본 명세서에서 더욱 설명되는 바와 결정될 수도 있다.

일 실시예에서, 타깃을 위한 정보를 획득하는 것은 DOI 위치의 고해상도 이미지를 디스플레이하는 것을 포함한다. 이미지는 SEM 리뷰 머신 또는 e 빔 검사 머신과 같은 다른 시스템으로부터 생성될 수도 있다. 본 명세서에 사용되는 용어인 "고해상도" 이미지는 웨이퍼 검사를 위해 정상적으로 사용되는 것보다 더 높은 해상도에서 획득되는 임의의 이미지로서 정의된다. 덧붙여서, 타깃에 대한 정보를 획득하는 것은 사용자에게 그래픽 사용자 인터페이스(GUI)를 제공하는 것을 포함할 수도 있다. GUI는 타깃에 대해 획득되는 정보 중 어느 것도 디스플레이할 수 있다.

일 실시예에서, 타깃에 대한 정보를 획득하는 것은 검사 시스템을 사용하여 DOI의 알려진 위치에서 웨이퍼 상의 타깃의 이미지를 그래브하는 것을 포함한다. 예를 들면, 설정 동안, 시스템은 2 세트의 이미지, 즉, 다이 내의 타깃 위치로부터의 한 세트의 이미지 및 POI 검색이 수행될 다이로부터의 나머지 한 세트의 이미지를 그래브한다. 타깃 위치에 있는 이미지들의 세트는 테스트 및 기준 이미지를 포함한다. 시스템은 하나의 이미지를 다른 이미지에 정렬시키고 2개의 이미지의 차이를 산출한다. 사용자는 테스트 또는 차이 이미지를 참조함으로써 DOI 위치 및 POI 위치를 수동으로 마크(mark)한다. 다른 세트의 이미지는 POI 검색을 위해 다이 내의 대응하는 위치에 테스트 및 기준 이미지를 포함한다. 시스템은 2개의 기준 이미지를 상관시킴으로써 POI 검색을 위해 다이의 이미지 내의 POI 위치를 자동으로 위치 설정한다. 템플릿, POI의 이미지는 사용자가 POI 위치를 지정할 때 POI 검색을 위해 다이로부터 그래브될 수도 있다.

다른 실시예에서, 타깃에 대한 정보를 획득하는 것은 검사 시스템의 다수의 채널을 사용하여 웨이퍼 상의 타깃의 이미지를 그래브하는 것을 포함하고, 다수의 채널은 적어도 제1 채널 및 제2 채널을 포함한다. 이 방식으로, 타깃에 대한 정보가 다중 채널 검사 시스템을 사용하여 적어도 부분적으로 획득될 수도 있다. 예를 들면, 도 4의 방법에 도시된 바와 같이, 다중 채널 검사 시스템(400)은 웨이퍼 상의 타깃의 다수의 이미지(402)를 그래브하는 데 사용될 수도 있다. 덧붙여서, 다수의 이미지는 POI와 DOI의 알려진 위치의 양자에 대해 획득될 수도 있고, 타깃에 대한 정보에 포함될 수도 있다. 예를 들면, 타깃에 대한 정보는 검사 시스템의 다수의 채널을 사용하여 그래브된 POI에 대한 다수의 이미지를 포함할 수도 있다.

이미지를 그래브하는 것은 임의의 적절한 방식으로(예를 들면, POI의 위치 및 DOI의 알려진 위치 위로 주사하는 것, 및 주사 동안 위치들의 이미지를 획득하는 것) 수행될 수도 있다. 웨이퍼 상의 타깃의 이미지를 그래브하는 것은 본 명세서에 더욱 기재되는 바와 같은 검사 시스템을 사용하여 수행될 수도 있고, 이는 동시에 또는 순차적으로 다수의 채널을 통해 동일한 위치의 다수의 타입의 웨이퍼 이미지의 세트를 획득할 가능성을 갖는다. 일 실시예에서, 검사 시스템은 제1 및 제2 채널에서 상이한 광학 모드를 사용하고, 상이한 광학 모드는 스펙트럼, 개구(aperture), 편광, 주사 속도, 또는 이들의 일부 조합에 의해 정의된다. 예를 들면, 다중 채널 검사 시스템은 상이한 원근감(perspectives), 스펙트럼, 개구, 편광, 촬상 메커니즘, 또는 이들의 일부 조합에 의해 동시에 또는 순차적으로 하나보다 많은 채널을 통해 동일한 위치의 다수의 이미지를 획득하기 위해 사용될 수도 있다. 이들 이미지 중에서, 일부 이미지는 패턴 해상도가 비교적 양호할 수도 있는 한편, 다른 이미지는 결함 검출이 비교적 양호할 수도 있다. 어느 경우에나, 이미지는 하드웨어나 소프트웨어에 의해 서로 정렬될 수 있다. 예를 들면, 일 실시예에서, 제1 및 제2 채널에 의해 획득되는 이미지는, 임의의 적절한 방식으로 수행될 수도 있는, 이미지에 적용되는 이미지 센서 교정(calibration) 및 정렬(alignment) 알고리즘에 의해 서로에 대해 공간적으로 등록된다.

타깃 정보에 포함되는 이미지는 또한 검사 시스템에 의해 그래브된 이미지 및/또는 어떤 방식으로 조작되었던 그래브된 이미지를 포함할 수도 있다. 예를 들면, POI의 제1 이미지는 검사 시스템의 다수의 채널 중 하나 이상으로 웨이퍼 상의 POI를 촬상한 후 그래브된 이미지를 처리하는 것에 의해, 예컨대, 제1 이미지(들)로서 사용되는 상이한 이미지를 생성하는 것 또는 제1 이미지(들)로서 사용되는 그래브된 이미지로부터 템플릿을 생성하는 것 등에 의해 획득될 수 있다. 일 실시예에서, 방법은 POI를 위한 템플릿을 생성하는 것 및 템플릿의 사이즈를 변경하거나 템플릿을 플립핑(flipping), 회전, 또는 처리하는 것에 의해 템플릿을 수정하는 것을 포함한다. 템플릿 형상은 정사각형 또는 직사각형일 수 있고, 그 사이즈는 검사 시스템에 의해 획득된 이미지보다 더 작을 수도 있다.

다른 실시예에서, 타깃에 대한 정보를 획득하는 것은, 검사 시스템의 다수의 채널로 POI의 이미지를 그래브하는 것, 그래브된 이미지 중 어느 것이 패턴 검색용으로 최상인지를 결정하는 것, 및 다수의 채널 중, 패턴 검색용으로 그래브된 이미지 중 최상의 것을 그래브한 채널을 제1 채널로서 지정하는 것을 포함한다. 예를 들면, 도 4의 방법에 도시된 바와 같이, 다수의 이미지(402)가 패턴 검색을 위해 최상인 이미지(404)를 결정하기 위해 사용될 수도 있다. 덧붙여서, 설정 동안, 방법은 획득된 모든 이미지 중에서 최상의 이미지 해상도를 갖는 하나 이상의 이미지 타입을 사용하여 잠재적인 결함 위치를 검색하는 것을 포함할 수도 있다. 이들 이미지 타입은 결함 검출을 위해 사용되는 이미지 타입과 상이할 수도 있다.

일부 실시예에서, 타깃에 대한 정보를 획득하는 것은, 검사 시스템의 다수의 채널로 알려진 DOI에서 및 알려진 DOI의 근방에서 웨이퍼의 추가의 이미지를 생성하는 것, 추가의 이미지 중 어느 것이 패턴 검색용으로 최상인지를 결정하는 것, 및 패턴 검색용으로 최상인 것으로 결정된 추가의 이미지로부터 POI를 선택하는 것을 포함한다. 예를 들면, 설정 동안, 다수의 이미지 패치가 하나의 다이로부터 샘플 결함 위치에서 또는 샘플 결함 위치 근방에서 획득될 수 있다. 도 4의 방법에 도시된 바와 같이, 패턴 검색을 위한 최상의 이미지(404)가 그 이미지에 포함되는 웨이퍼 상의 패턴으로부터 적절한 POI를 식별하기 위해 사용될 수도 있다. 일부 경우에는, 사용자는 패턴 검색을 위한 최상의 해상도를 갖는 이미지에서 POI를 정의할 수 있다.

일 실시예에서, 타깃에 대한 정보를 획득하는 것은, 제1 채널로 웨이퍼 상에 타깃을 촬상함으로써 획득되는 타깃의 이미지와 POI를 위한 템플릿 사이의 유사성(similarity)을 결정하는 것, 및 POI에 근접한 다른 패턴에 대한 POI의 고유성(uniqueness)(즉, 그 주위에 대한 POI의 고유성)을 결정하는 것을 포함한다. 예를 들면, 템플릿 그래브 동안, 타깃 다이와 POI 검색용 다이로부터의 이미지들 사이의 상관 값이 산출되어 POI 검색을 위해 세이브될 수도 있다. 템플릿은 DOI 위치를 고유하게 찾기 위해 선택된다. 템플릿의 고유성을 측정하는 메트릭(metric)이 산출될 수 있다. 예를 들면, 이미지 내의 모든 위치에 대한 상관 값 중에서 가장 높은 피크 값과 두 번째로 높은 피크의 비가 고유성 메트릭으로서 사용될 수 있다. 사용자는 고유성 값에 따라 템플릿 위치를 조정할 수 있다.

일 실시예에서, POI는 웨이퍼 및 다른 웨이퍼 상에 형성되는 다이의 폭과 높이보다 각각 더 짧은 폭과 높이를 갖는다. 예를 들면, 도 2는 자체 상에 다수의 다이가 형성되어 있고 다수의 POI가 다수의 다이의 각각 내에 형성되어 있는 웨이퍼를 도시한다. 특히, 웨이퍼(200)는 웨이퍼 제조 프로세스(예컨대, 리소그래피) 동안 특정 레이아웃으로 다이(202)로 인쇄될 수 있다. 제1 POI(204)는 다이 내의 제1 위치에 위치할 수 있다. 예를 들면, 제1 POI(204)는 다이의 좌상측 코너에 위치할 수 있다. 덧붙여서, 도 2에 도시된 바와 같이, POI(204)는 다이의 폭보다 좁은 폭 및 다이의 높이보다 낮은 높이를 갖는다. 제2 POI(206)는 제1 POI의 제1 위치와 상이한 다이 내의 제2 위치에 위치한다. 더욱이, 도 2에 도시된 바와 같이, POI(204 및 206)는 서로 상이한 치수를 가질 수도 있다. 예를 들면, POI(204 및 206)가 상이한 패턴으로 검출된 상이한 DOI를 포함하기 때문에, 2개의 POI는 상이한 패턴으로 위치하는 DOI에 기초하여 결정되는 상이한 치수를 가질 수도 있다. 덧붙여서, 도 2에 도시된 바와 같이, POI(206)는 다이의 폭보다 좁은 폭 및 다이의 높이보다 낮은 높이를 갖는다. 더욱이, POI는 부분적으로 오버랩될 수 있다.

일 실시예에서, 타깃에 포함되는 패턴은 바람직하게는 검사 시스템에 의해 분석 가능하다. 본 명세서에 기재된 실시예들은 비패턴 영역에서 작용하지 않을 것이고, 랜덤하게 분포된 결함에 대해 작용하지 않을 것이다.

다른 실시예에서, 타깃에 대한 정보를 획득하는 것은, 본 명세서에 더욱 기재되는 바와 같은 타깃 후보를 검색하는 것이 검사 시스템의 적어도 제1 채널로 수행되는 웨이퍼나 다른 웨이퍼 상에서 하나의 다이 내의 모든 알려진 DOI를 위한 템플릿을 그래브하는 것을 포함한다. 이들 템플릿의 위치는 POI 검색을 위해 다이로부터 생성되는 이미지와 타깃의 이미지를 상관시킴으로써 얻어질 수도 있다. 다수의 타입의 타깃이 존재할 수도 있다. 하나의 템플릿이 각 타입별로 및 각 채널별로 그래브될 수도 있다. 예를 들면, 도 4에 도시된 바와 같이, 식별된 POI에 대해, 템플릿 생성(410)이, 식별된 POI에 대한 POI 템플릿(402)을 생성하기 위해 이루어질 수도 있다. 템플릿은 본 명세서에 기재된 임의의 방식으로 생성될 수도 있다. 정보를 획득하는 것은 또한, 템플릿 위치 및 사이즈를 정의하는 것을 포함할 수도 있다. 덧붙여서, 정보를 획득하는 것은 또한, 하나 이상의 파라미터가 결함 검출을 위해 결정될 수 있는 영역을 정의하는 것을 포함할 수도 있다.

모든 템플릿이 POI 검색을 위해 동일한 다이로부터 그래브될 수도 있다. 웨이퍼 구조의 비교적 작은 변화로 인해, 웨이퍼 패턴의 이미지 강도가 종종 웨이퍼 전반에 걸쳐 실질적으로 상이하다. 이 차이는 컬러 배리에이션(color variation)이라고 칭해진다. 컬러 배리에이션은 웨이퍼 전반에 걸쳐서보다는 다이 내에서 훨씬 작다. POI 검색을 위해 실질적으로 높은 품질을 보증하기 위해, 모든 템플릿이 하나의 다이로부터 그래브될 수도 있고, 템플릿이 그래브되어 있는 다이 상에서 POI 검색이 행해질 수도 있다.

일 실시예에서, 타깃에 대한 정보를 획득하는 것은, 검사 시스템의 다수의 채널로 알려진 DOI의 이미지를 그래브하는 것, 그래브된 이미지 중 어느 것이 본 명세서에서 더욱 기재되는 타깃 후보에서 알려진 DOI를 검출하기 위한 최상인지를 결정하는 것, 및 다수의 채널 중, 그래브된 이미지 중 최상의 것을 그래브한 채널을 제2 채널로서 지정하는 것을 포함한다. 예를 들면, 도 4에 도시된 다수의 이미지(402) 중에서부터 결함 검출을 위한 최상의 이미지가 결정될 수 있다. 그 이미지(들)를 그래브하기 위해 사용되었던 채널(들)이 그 후 결함 검출 채널(들)로 지정될 수도 있다.

그래브된 잠재적인 DOI의 이미지 및 POI 위치가 사용자에게 디스플레이될 수도 있다. 사용자는 POI의 이미지 및 잠재적인 DOI 위치 및 그들의 유사성 값을 리뷰함으로써 타깃 후보를 개선할 수 있다. POI 위치가 결함 검출을 위해 세이브된다. 타깃 정보 및 타깃 후보 위치가 결함 검출을 위해 제공될 수 있다.

POI 및 DOI의 특징이 또한 산출될 수도 있다. 이 타깃 정보는 이후에 설명될 POI 검색을 위해 세이브된다. 예를 들면, 일 실시예에서, 하나 이상의 특징은 알려진 DOI의 하나 이상의 특징을 포함한다. 그러한 일례에서, 결함 정보는 샘플 결함의 기준 이미지 및 테스트를 사용하여 결정될 수도 있다. 특히, 기준 이미지가 차이 이미지를 생성하기 위해 테스트 이미지로부터 감산될 수 있고, 알려진 DOI의 하나 이상의 특징이 차이 이미지로부터 결정될 수도 있다. 그러한 일 실시예에서, 하나 이상의 특징은 알려진 DOI의 사이즈, 형상, 강도, 콘트라스트, 또는 극성을 포함한다. 결함 사이즈, 형상, 콘트라스트 및 극성이, 타깃에 대한 차이 이미지를 사용하여 산출될 수 있다. 강도가 타깃의 테스트 이미지로부터 산출될 수 있다.

도 4에 도시된 방법에서, 다수의 이미지(402) 중에서, 타깃 정보 생성(406)이 이루어질 수 있다. 추가의 실시예에서, 하나 이상의 특징은 제2 채널에 의해 획득된 제2 이미지로부터 결정된 알려진 DOI의 하나 이상의 특징을 포함한다. 이 방식으로, 결함 검출을 위한 최상인 것으로서 지정했거나 지정되었던 적어도 이미지(들)를 사용하여 타깃 정보 생성이 이루어질 수 있다. 예를 들면, 결함 검출을 위한 최상인 것으로 지정했거나 지정되었던 이미지(들)를 사용하여, 본 명세서에 기재된 것과 같은 DOI의 하나 이상의 특징이 결정될 수 있다. 이 방식으로, 방법은 결함 검출을 위해 사용되는 이미지 타입으로부터 결함 정보를 결정하는 것을 포함할 수 있다. 다른 타깃 정보(408)가 또한 단계 406에서 생성된 타깃 정보 또는 다수의 이미지(402)를 사용하여 생성될 수 있다. 이 방식으로, 상이한 타입의 정보가 웨이퍼에 대해 그래브된 이미지 중 어느 하나를 사용하여 타깃에 대해 결정될 수도 있다.

상이한 타깃이 동일한 타깃 정보의 일부를 공유할 수 있다. 예를 들면, 2개의 DOI가 동일한 POI 내에 또는 그 근방에 위치할 수 있다. 이들 2개의 DOI의 잠재적인 위치는 POI 위치에 대해 정의될 수 있고, POI에 대한 검색에 의해 식별될 수 있다. 다른 예에서, 2개의 DOI가 극성 등의 동일한 특징을 갖는다. 결함 극성은 그 계조에 의해 정의되며, 이는 그 배경보다 밝거나 어둡다.

방법은 또한, DOI가 POI 위치 내에 있는지 또는 POI 위치 근방에 있는지를 결정하기 위해 하나의 다이로부터 모든 POI 위치를 검색하는 것을 포함한다. 이들 POI 위치에 대응하는 잠재적인 DOI 위치가 타깃 후보라고 칭해진다. 이 방식으로, 방법은 다이 내의 모든 타깃 후보(또는 잠재적인 DOI 위치)에 대해 검색하는 것을 포함할 수도 있다. 동일한 패턴이 이들 위치에서 발생하지만, DOI는 이들 위치에서 발생할 수도 발생하지 않을 수도 있다. DOI가 검출되는 경우에만 실제 타깃의 패턴 및 결함이 있다. 일부 실시예에서, 방법은 타깃을 위한 템플릿이 다이의 이미지의 상이한 부분과 상관하는지를 결정함으로써 POI용의 웨이퍼 또는 다른 웨이퍼 상의 다이의 이미지를 검색하는 것을 포함한다. 예를 들면, 검사 시스템이, 전체 다이에 대한 이미지를 그래브하고 템플릿과 POI 위치에 대한 검색을 위한 이미지 사이의 상관(정규화된 교차 상관(NCC: normalized cross correlation))을 행하도록 사용될 수도 있다. 상관 임계값을 넘은 위치가 타깃 후보이다. 사용자는 타깃 후보를 수동으로 개선하기(refine) 위한 옵션을 갖는다. POI 검색으로부터 얻어지는 POI 위치가 세이브되고 결함 검출 동안 사용될 것이다.

반도체 설계 규칙이 축소함에 따라, 특정 웨이퍼 구조가 결함을 야기할 기회가 더 많아진다. 그 웨이퍼 구조가 그래픽 데이터 스트림(GDS) 데이터와 같은 설계 데이터를 사용하여 식별될 때, 그 구조는 일반적으로 "핫 스폿(hot spot)"이라고 칭해진다. 더욱 구체적으로는, "핫 스폿"은 어떤 웨이퍼 구조가 (가설로) 웨이퍼 상에 결함을 야기할 수 있는지를 결정하기 위해 GDS 데이터를 사용함으로써 식별될 수 있다. 하나의 다이에 상이한 타입의 핫 스폿이 존재할 수 있고, 동일한 타입의 핫 스폿이 다이 내의 다수의 위치에 인쇄될 수 있다. 핫 스폿에서 생성되는 결함은 일반적으로 체계적인 결함이고, 통상적으로 결함을 검출하기 비교적 어렵게 만드는 주변 노이즈보다 약한 신호를 갖는다.

따라서, 핫 스폿은 본 명세서에 기재된 타깃과는, 본 명세서에 기재된 타깃이 결함을 야기할 수도 있는 GDS 데이터에서 웨이퍼 구조로서 식별되지 않는 점에서 상이하다. 그 대신에, 타깃이 웨이퍼 구조가 형성되었던 하나 이상의 실제 웨이퍼를 사용하여 식별된다. 예를 들면, e 빔 검사 또는 e 빔 리뷰가 실질적으로 로컬 영역에서 타깃을 찾기 위해 사용될 수도 있다. e 빔 검사 및 e 빔 리뷰의 처리량(throughput)은 일반적으로 실질적으로 낮기 때문에, 이것은 일반적으로 전체 웨이퍼를 검사하는 데 사용될 수 없다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시예들은, e 빔 검사에 의해 찾은 것과 같은 타깃의 위치가 주어지면, 얼마나 많은 타깃 후보가 전체 웨이퍼 상에 형성되는지 및 얼마나 많은 DOI가 이들 타깃 후보에 나타나는지를 결정하기 위해 사용될 수 있다. 이 방식으로, 샘플 결함 위치가 주어지면, 방법은 이 종류의 결함이 웨이퍼 상에 얼마나 많이 있는지를 결정할 수 있다,

본 명세서에 기재된 실시예들은 따라서 GDS 기반 검사를 사용하여 결함을 검출하는 방법과 실질적으로 상이하다. 예를 들면, GDS 기반 방법은 임의의 타입의 결함을 포착하기 위해 시도하고, 실행 시간 동안 이미지를 생성하기 위해 픽셀 대 설계(pixel-to-design) 정렬, 스와쓰 기반 정렬을 수행한다. 반대로, 본 명세서에 기재된 방법은 전체 웨이퍼 상에 동일한 타입의 모든 결함을 찾기 위해 샘플 DOI의 이미지를 사용한다. 샘플 DOI는 SEM 리뷰, e 빔 검사, 또는 다른 검사나 결함 리뷰 결과 파일로부터 비롯될 수 있다. 검사 동안, 각 POI 위치가 템플릿을 웨이퍼 이미지에 상관시킴으로써 조정될 수 있다. 따라서, 2개의 방법은, 핫 스폿을 사용하는 방법이 모든 가능한 결함을 찾는 한편 본 명세서에 기재된 방법은 특정의 알려진 결함만을 찾는 점에서 동일하지 않다.

본 명세서에 기재된 방법의 설정은 또한 알려진 결함 위치에 기초하여 수행될 수도 있는 광학 선택과 같은 임의의 다른 적절한 단계를 포함할 수 있다. 일부 방법은 또한 검사 시스템의 다수의 광학 모드로 어느 하나의 타깃 또는 하나의 타입의 타깃을 검사하는 것을 포함할 수 있다. 광학 모드는 검사 시스템을 위한 파장, 개구, 포커스, 광 레벨 등의 파라미터 구성이다. 그러한 방법은 다수의 모드를 위한 하나 이상의 파라미터를 선택하는 것을 포함할 수 있다. 이 방식으로, 방법은 타깃 기반 검사를 위한 하나보다 많은 모드를 설정하는 것을 포함할 수 있다. 그러한 방법은 상이한 다이로부터 DOI를 선택하기 위해 결함 신호를 위한 최상의 모드를 사용하는 것과 하나의 다이로부터 타깃 정보를 수집하는 것을 포함할 수 있다. 타깃 정보를 수집하는 것은, 제1 단계에서 얻어지는 다이 위치에서 결함 이미지를 그래브하는 것과 POI 검색을 위한 최상의 것인 다른 모드에서 대응하는 템플릿을 찾기 위해 모드간(inter-mode) 이미지 정렬을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 방법은 그 후, 검색 모드를 사용하여 하나의 다이 내의 모든 타깃 후보 위치를 찾는 것을 포함할 수 있다. 그 위치들은 그 후, 이들 위치에서 그래브된 이미지 패치에 기초하여 관찰되거나 변경될 수 있다. 검출 레시피가 그 후, 결함 신호를 위한 최상의 모드로 설정될 수 있다. 타깃 후보를 검사하는 것은 본 명세서에 기재된 바와 같이 추가로 수행될 수 있다.

패턴 검색 및 결함 검출 둘다를 위해 동일한 타입의 이미지를 사용하는 것으로 검사를 제한하는 단일 채널 검사 시스템을 사용하는 것과 비교하여, 본 명세서에 기재된 실시예들은, 1) 웨이퍼 상의 타깃 위치를 식별하고 2) 타깃에서 결함 검출을 수행하기 위해 검사 시스템의 상이한 채널에 의해 생성되는 상이한 타입의 이미지를 사용할 수 있다. 검사하는 동안 상이한 기능에 상이한 타입의 이미지를 사용하면 본 명세서에 기재된 실시예들에 다수의 장점을 제공한다. 예를 들면, 일부 타입의 이미지는 웨이퍼 패턴 첨예도(sharpness)에 대해 양호할 수 있지만 다른 타입의 이미지는 결함 신호에 대해 양호할 수도 있다. 그러한 일례에서, 명시야(BF: bright field) 모드가 패턴 검색을 위해 양호한 최상의 웨이퍼 이미지 해상도를 제공할 수 있다. 덧붙여서, 암시야 필드(DF) 모드는 최상의 결함 신호를 제공할 수 있고 결함 검출을 위해 양호할 수도 있다. 이 경우에, 2개의 주사가 2개의 종류의 이미지를 얻기 위해 필요하게 되고, 2개의 타입의 이미지 사이의 정렬이 필요하게 된다. 본 명세서에 기재된 실시예들은 패턴 검색 감도 및 결함 검출 감도를 분리시킴으로써 그러한 능력을 제공한다.

방법은 또한, 웨이퍼 상의 또는 다른 웨이퍼 상의 타깃 후보를 검색하는 것을 포함한다. 예를 들면, 도 4에 도시된 바와 같이, POI 템플릿(412)이 POI 검색(414)을 위해 사용될 수 있다. 타깃 후보는 (예를 들면, 전체 다이 상의) POI의 위치를 포함한다. 타깃으로서 동일한 타입의 패턴을 갖는 다수의 위치가 존재할 수도 있다. 동일한 타입의 결함이 이들 위치 중 일부에서 발생할 수 있다. 모든 결함을 검출하기 위해, 이들 위치가 검색되고 보고된다. 이들 위치를 검색하기 위해, 시스템은 다이 상의 각 픽셀을 방문(visit)할 수 있고 템플릿과 다이 상의 픽셀 주변의 패턴 사이의 유사성에 대한 값을 산출할 수 있다. 유사성 값이 템플릿 그래브에서 정의된 임계값보다 더 큰 경우에, 픽셀의 위치가 POI 위치로서 마크된다. 타깃 후보 위치는 POI로부터의 위치 오프셋을 타깃 후보 위치에 가산함으로써 산출될 수 있다.

일 실시예에서, 제1 채널은 적어도 부분적으로, POI를 위한 템플릿 또는 타깃 후보의 이미지의 제1 이미지로의 이미지 매칭을 위한 최상의 광학 모드를 정의한다. 이 방식으로, 타깃 후보를 검색하는 것이, POI를 위한 템플릿 또는 타깃 후보의 이미지의 이미지로의 이미지 매칭을 위한 최상의 광학 모드를 이용해서 타깃에 대해 획득되는 제1 이미지(들)를 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들면, 템플릿이라고 칭해지는 POI의 이미지는 템플릿을 웨이퍼 이미지에 매칭시킴으로써 잠재적인 결함의 모든 위치를 찾기 위해 전체 논리 영역을 검색하는 데 사용될 수 있고, 최상의 패턴 해상도를 갖는 이미지는 POI 위치 검색에 사용될 수 있다. 이 방식으로, POI 검색이, 이미지 매칭을 위한 최상의 광학 모드에서 얻어지는 이미지에 의해 수행될 수 있다. 본 명세서에 더욱 기재되는 바와 같은 결함 검출 및 타깃 정보를 획득하는 것은 상이한 광학 모드에 의해 얻어지는 이미지를 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들면, 일 실시예에서, 웨이퍼 상의 타깃을 촬상하는 것은 제1 광학 모드를 사용하여 수행되고, 타깃 후보에서 알려진 DOI를 검출하기 위해 사용되는 타깃 후보의 이미지는 제1 광학 모드와 상이한 제2 광학 모드를 사용하여 획득된다. 모드간 이미지 정렬은 2개의 광학 모드 사이에서 수행될 수 있다.

일 실시예에서, 타깃에 대한 정보를 획득하는 것 및 타깃 후보를 검색하는 것은 검사 시스템(즉, 동일한 검사 시스템)을 사용하여 수행된다. 덧붙여서, 타깃 정보를 획득하는 것 및 타깃 후보를 검색하는 것은 결함 검출 전의 설정 시에 검사 시스템에 의해 수행될 수 있다. 예를 들면, 동일한 검사 시스템이 템플릿 그래브 및 POI 검색에 사용되어야 한다. 이와 달리, 타깃에 대한 정보를 획득하는 것 및 타깃 후보를 검색하는 것은 동일한 타입의 상이한 검사 시스템을 사용하여 수행된다. 이 방식으로, 타깃에 대한 정보를 획득하는 것 및 타깃 후보를 검색하는 것은 검사 시스템으로서 동일한 타입의 상이한 검사 시스템을 사용하여 수행될 수 있다. 다른 실시예에서, 타깃에 대한 정보를 획득하는 것 및 타깃 후보를 검색하는 것은 웨이퍼 또는 다른 웨이퍼 상의 상이한 다이에서 수행되고, 타깃 후보를 검색하는 것은 타깃 후보를 위한 하나 이상의 템플릿을 사용하여 웨이퍼 또는 다른 웨이퍼 상의 하나의 다이에서 수행된다.

일 실시예에서, 타깃 후보는 GDS 기반 패턴 검색과 같은 다른 소스로부터 비롯될 수 있다. 이들 경우에, 타깃 기반 검사는 템플릿을 그래브하고 타깃 정보를 산출하는 것만을 필요로 한다. POI에 대한 이미지 기반 검색은 생략될 수 있다.

일 실시예에서, 방법은 타깃 기반 검사를 위한 보호 영역의 하나 이상의 파라미터를 결정하는 것을 포함한다. 다른 실시예에서, 타깃에 대한 정보를 획득하는 것은 보호 영역들의 사이즈, 형상 및 위치, 템플릿들의 사이즈, 형상 및 위치, 및 하나 이상의 검출 파라미터가 적용되는 이미지(결함 검출을 위해 사용되는 이미지)에서 하나 이상의 특징이 결정되는 영역을 명시하는 것을 포함한다. 예를 들면, 마이크로 보호 영역(MCA)이 검색 단계에서 식별된 타깃 후보의 위치에 기초하여 정의될 수 있다. 덧붙여서, 타깃 위치는 규칙 기반 또는 패턴 기반 검색을 통해 설계 파일로부터 비롯될 수 있고, 이들 위치는 MCA를 생성하기 위해 사용될 수 있다. "보호 영역"은 결함 검출이 수행되는 연결된 이미지 픽셀의 세트이다. 타깃 후보 위치가 실질적으로 정확하기 때문에, MCA는 그 위치 주변에 정의될 수 있다. 타깃 주변의 위치의 MCA 사이즈는 컴퓨터 GUI의 도움으로 사용자에 의해 정의될 수 있다. MCA의 사이즈는 예를 들면, 5 픽셀 × 5 픽셀일 수 있다. 이 방식으로, 방법은 본 명세서에 기재된 검색 단계의 결과에 기초하여 보호 영역의 하나 이상의 파라미터를 결정하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들면, 도 4에 도시된 바와 같이, 방법은 POI 검색(414)을 기초하여 보호 영역(416)을 결정하는 것을 포함할 수 있다. MCA는 각 타깃 후보에 대해 생성된다. 덧붙여서, 본 명세서에 더욱 기재되는 바와 같이, MCA가 잠재적인 DOI 위치 중 하나 이상을 커버하도록 생성될 수 있다.

이 방식으로, 검사하는 동안, POI 위치가 템플릿 및 검사를 위해 생성된 이미지를 상관시킴으로써 검색될 수 있다. MCA 위치는 POI 검색 결과와 상관될 수 있다. 검사하는 동안, 이들 위치가 임의의 DOI 활성(activity)에 대해 조사된다. 예를 들면, 결함 검출이 MCA 내의 컴퓨터 시스템에 의해 수행될 수 있다. MCA는 결함의 대략 위치로만 역할하고, 정확한 결함 위치는 MCA 및 템플릿(이미지 패치)에 기초하여 실행 시간에 식별될 수 있다. 이 단계의 목적은, 잠재적인 결함의 대략 위치를 찾고, 알려진 DOI를 위한 보호 영역을 감소시키며, 알려진 타입의 DOI를 포함하지 않고 누이상스 결함을 포함하는 영역을 명백하게 제외시키기 위한 것이다. 본 명세서에 기재된 실시예들이 결함 특유의 정보를 사용하기 때문에, DOI 검출 및 누이상스 억제가 더욱 효과적이다.

각 타입의 결함마다, 템플릿에 매칭하는 위치 주변의 하나의 타입의 MCA가 생성될 수 있다. 예를 들면, 각 타입의 결함마다, 하나의 타입의 MCA가 POI 위치에 기초하여 결함 위치 주변에 생성될 수 있다. 도 2a∼도 2d는 웨이퍼 상의 패턴, 패턴 내의 POI, POI 내에 및/또는 POI 근방에 위치하는 하나 이상의 DOI, 및 각각의 DOI마다 생성될 수 있는 하나 이상의 MCA 사이의 여러 가지 관계를 도시한다. 예를 들면, 도 2a에 도시된 바와 같이, POI(210)는 패턴(212) 내에 위치할 수 있다. 도 2a 및 도 2c∼도 2d에 도시된 POI(210)의 이미지는 POI를 위한 템플릿에 나타날 수 있으므로 POI이다 도 2a에 도시된 바와 같이, DOI(214)가 POI(210) 근방에 위치할 수 있지만, 반드시 POI(210) 내에 위치할 필요는 없다. MCA(216)는 DOI의 위치 주변에 위치 결정되어 그 위치에 센터링될 수 있다. 유사한 방식으로, 도 2b에 도시된 바와 같이, POI(218)는 패턴(220) 내에 위치할 수 있다. 도 2b에 도시된 POI(218)의 이미지는 POI를 위한 템플릿에 나타날 수 있으므로 POI이다. DOI(222)는 POI(218) 내에 위치할 수 있다. MCA(224)는 DOI의 위치 주변에 결정되어 그 위치에 센터링될 수 있다. 하나의 POI가 하나보다 많은 DOI와 연관될 수 있다. 예를 들면, 도 2c에 도시된 바와 같이, DOI(226)는 POI(210) 내에 위치할 수 있는 한편, DOI(228)는 POI(210) 근방에 위치할 수 있지만 반드시 POI(210) 내에 위치할 필요는 없다. MCA(230)은 DOI(226)의 위치 주변에 위치 결정되어 그 위치에 센터링될 수 있는 한편, MCA(232)는 DOI(228)의 위치 주변에 위치 결정되어 그 위치에 센터링될 수 있다. 따라서, MCA의 각각은 단 하나의 DOI와만 연관될 수 있다. 그러나, MCA는 하나보다 많은 DOI와 연관될 수 있다. 예를 들면, 도 2d에 도시된 바와 같이, MCA(234)는 양 DOI(226 및 228)에 대해 생성될 수 있다. POI 및 MCA 형상은 정사각형 또는 직사각형으로 제한되는 것은 아니다. 도 2a∼도 2d에 도시된 패턴은 실제로 웨이퍼 상에 형성될 수 있는 임의의 패턴을 나타내도록 의도된 것은 아니다.

일 실시예에서, 방법은 제1 채널에 의해 획득되는 타깃 후보용으로 사용된 이미지 및 POI를 위한 템플릿 이미지를 상관시킴으로써 보호 영역 위치를 결정하는 것, 및 잠재적인 DOI 위치의 제2 채널에 의해 획득되는 이미지에 보호 영역 위치를 적용하는 것을 포함한다. 이 방식으로, POI 검색이, 최상의 해상도로 또는 패턴 매칭을 위한 최상인 것으로 결정되었던 것으로 획득된 이미지를 사용하여 수행될 수 있고, 보호 영역 위치가 결함 검출을 위한 최상인 것으로 결정된 이미지에 적용될 수 있다. 덧붙여서, POI 검색 및 결함 검출이 2개의 상이한 웨이퍼 주사로 수행될 수 있다. POI 검색 동안 생성되는 MCA는 검사 프로세스 동안 결함의 대략 위치로만 역할할 수 있다. 정확한 결함 위치는 패턴 매칭을 위한 최상의 채널에 의해 획득되는 이미지와 템플릿을 상관시킴으로써 식별될 수 있다. 더욱이, MCA는 잠재적인 결함 위치와 정확하게 정렬되지 않을 수도 있다. 그와 같이, 결함 검출 동안, 템플릿은 MCA 위치를 개선하기 위해 이미지 매칭을 위한 최상의 채널에 의해 획득되는 이미지와 상관될 수 있다. 그러한 일 실시예는 또한 웨이퍼 스테이지 불확실성을 정정하는 것을 포함한다. 그 후, 결함 검출은 본 명세서에 더욱 기재되는 바와 같이 이들 MCA 내에서 수행될 수 있다.

도 5에 도시된 그러한 일 실시예에서, 방법은 본 명세서에 더욱 기재되는 바와 같이 구성될 수 있는 다중 채널 검사 시스템을 사용하여 본 명세서에 기재된 바와 같이 수행될 수 있는 이미지 획득(500)을 포함한다. 이 방식으로, 이미지 획득(500)은 검사 시스템의 다수의 채널에 의해 생성되는 다수의 이미지(502)를 생성할 수 있다. 다수의 채널로부터 획득되는 이들 이미지는 촬상 시스템에 의해 서로 정렬된다. 도 5에 더욱 도시되는 바와 같이, 보호 영역 배치(504)가 다수의 이미지(502), 보호 영역(506), 및 POI 템플릿(508) 중 적어도 하나를 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들면, 보호 영역, POI 템플릿 및 패턴 매칭을 위한 최상의 이미지(들)에 관한 정보를 사용하여, 보호 영역(들)이 결함 검출을 위한 최상의 이미지(들) 내에 배치될 수 있다. 더욱 구체적으로는, POI 템플릿이 패턴 매칭을 위한 최상의 하나 이상의 이미지에 매칭되었다면, POI 템플릿이 그 하나 이상의 이미지뿐만 아니라 POI 위치에 대한 보호 영역 위치에 매칭하는 것에 관한 정보는 결함 검출을 위한 것 또는 결함 검출에 최상인 채널(들)을 사용하여 생성된 하나 이상의 다수의 이미지 중 다른 것에 보호 영역을 배치하기 위해 사용될 수 있다. 그와 같이, 교차 채널 정보가, 검사 시스템의 모든 채널보다 적은 채널에 의해 생성된 이미지에 보호 영역을 배치하기 위해 사용될 수 있다.

도 5에 더욱 도시되는 바와 같이, 보호 영역 배치뿐만 아니라 다수의 이미지(502) 중 하나 이상에 관한 정보가 결함 검출(510)을 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 보호 영역이 결함 검출을 위해 사용될 이미지에 배치되었다면, 하나 이상의 결함 검출 파라미터가 보호 영역이 이미지 내에 위치하는 장소에 기초하여 이미지에 적용될 수 있다. 그러한 결함 검출은 본 명세서에 더욱 기재되는 바와 같이 수행될 수 있다. 덧붙여서, 일부 실시예에서, 다른 타깃 정보(512)가 결함 검출(510)을 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 본 명세서에 더욱 기재되는 바와 같이, 알려진 DOI에 관한 정보가 결함 검출을 위해 사용될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 결함(514)은 결함 검출(510)에 의해 검출될 수 있다. 도 5에 도시된 방법은 본 명세서에 기재된 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수 있다.

이 방식으로, 타깃 기반 검사는 타깃 후보를 위한 보호 영역 내의 이미지 픽셀을 사용하는 것만을 포함할 수 있고, 그와 같이, 이미지 픽셀이 웨이퍼 상의 타깃이 아닌 후보에 대해 사용되지 않을 수도 있으며, 검사가 타깃이 아닌 후보에 대해 수행되지 않을 수도 있다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예들은 전체 이미지 내의 이미지 픽셀을 사용하는 것을 통상 수반하는 대부분의 검사 방법과 상이할 수 있다. 그러한 현재 사용되는 방법은 웨이퍼 상의 임의의 위치에 존재할 수도 있는 임의의 결함을 검출하는 것과 같은 다수의 사용례에 대해 유리하다. 그러나, 이들 방법은 웨이퍼 노이즈가 실질적으로 높고 DOI 신호가 비교적 약한 경우, 임의의 DOI를 찾는 것이 불가능할 수도 있다. 본 명세서에 기재된 실시예들이 웨이퍼 상의 특정 타깃 후보에만 존재하는 특정 DOI만을 위해 수행되기 때문에, 실시예들은 다른 영역에서의 누이상스 결함을 실질적으로 억제하면서 실질적으로 높은 처리량으로 비교적 낮은 신호 대 노이즈 비를 갖는 DOI를 검출할 수 있다. 덧붙여서, 특정 DOI에 대한 하나의 위치만 존재하는 경우에, POI 검색(설정 단계)이 바이패스될 수 있다.

타깃에 대한 보호 영역의 하나 이상의 파라미터를 결정하는 것에 덧붙여서 또는 이와 달리, 설정하는 동안 방법은 웨이퍼 상의 타깃 후보의 잠재적인 위치를 식별하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼 상의 다이의 레이아웃에 관한 정보 및 웨이퍼 상에 형성될 다이 내의 타깃의 위치가, 웨이퍼 상의 타깃 후보의 잠재적인 위치 및 그에 따라 웨이퍼 상의 DOI의 잠재적인 위치를 식별하기 위해 사용될 수 있다.

방법은 제1 채널에 의해 획득되는 타깃 후보의 이미지에 기초하여 잠재적인 DOI 위치를 식별함으로써 타깃 후보에서 알려진 DOI를 검출하는 것 및 잠재적인 DOI 위치의 제2 채널에 의해 획득되는 이미지에 하나 이상의 검출 파라미터를 적용하는 것을 더 포함한다. 이 방식으로, 검사하는 동안, 다중 채널 이미지는 상이한 목적으로 사용된다. 특히, 패턴 검색을 위한 최상의 이미지 타입이 MCA의 실질적으로 정확한 위치를 찾는데 사용될 수 있다. 그와 같이, 패턴 매칭을 위한 최상의 템플릿을 사용하여 MCA 주변에 패턴 매칭을 적용함으로써 정확한 결함 위치가 찾아질 수 있다. 결함 정보는 타깃으로 된 결함이 특정 위치에 존재하는지를 결정하기 위해 사용된다. 결함 검출을 위한 최상의 이미지 타입이 바람직하게는 결함을 검출하기 위해 사용된다. 특히, MCA 내에서, 결함 검출을 위한 최상의 이미지가 결함을 검출하기 위해 사용된다.

DOI를 검출하는 것은, 타깃 후보의 정확한 위치를 식별하는 것 및 알려진 DOI가 결함 정보를 기초로 하는 위치에 존재하는지를 체크하는 것을 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로는, 검사하는 동안, 설정 시에 생성되는 MCA, 템플릿 및 결함 정보가 본 명세서에 더욱 기재되는 것과 같은 컴퓨터 시스템에 전송될 수 있다. 예를 들면, 일 실시예에서, 검출하는 단계는 잠재적인 DOI 위치를 정확하게 식별하기 위해 본 명세서에 기재된 컴퓨터 시스템과 같은 결함 검출 모듈에 타깃에 대한 정보를 제공하는 것을 포함한다. 이 방식으로, 템플릿이 타깃 후보의 정확한 위치를 찾기 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 일 실시예에서, 검출하는 단계는, 설정 시에 얻어지는 템플릿 및 결함 검출 시에 얻어지는 타깃 후보의 이미지를 상관시킴으로써 타깃 후보의 이미지에서 잠재적인 DOI 위치를 식별하는 것을 포함한다.

템플릿은 NCC와 같은 임의의 적절한 상관을 사용하여 범위 내의 타깃 후보에 대해 획득된 이미지와 상관될 수 있다. 이 범위는 웨이퍼 스테이지 불확실성 및 검사 픽셀 사이즈에 따라서 결정된다. 대표적인 값은 20 픽셀이다. 최대 NCC 값에 대응하는 픽셀의 위치가 POI 위치로서 선택된다. 타깃 후보 위치는 POI 위치에 대한 결함 위치에 기초하여 산출될 수 있다. 이 방식으로, 검사하는 동안, 본 명세서에 기재된 실시예들은 이미지 매칭을 사용하여 실질적으로 정확한 타깃 후보 위치를 찾는다. 검사하는 동안 검색을 위해 사용되는 이미지 타입은 설정하는 동안 검색을 위해 사용된 것과 동일한 타입이다.

동일한 타깃의 다수의 POI 위치가 하나의 이미지에 나타나는 경우에, POI 검색이 하나의 위치에 대해 수행되고, 대략적 MCA 위치로부터 진정한 MCA 위치까지의 오프셋이 산출된다. 이 오프셋은 이 이미지 내의 다른 대략적 MCA 위치에 적용된다. 모든 POI 위치에 대해 검색하는 것은 불필요하다.

본 명세서에 기재된 실시예들이 모든 잠재적인 결함 위치를 실질적으로 정확하게 찾기 위해 타깃 기반 정렬을 수행하기 때문에, 본 명세서에 기재된 실시예들은 설계 기반 방법에 사용될 수 있는 스와쓰 정렬 기반 접근법보다 유리하다. 스와쓰는 전체 다이 로우(row)를 덮는 시간 지연 통합(TDI) 센서에 의해 생성되는 처리전(raw) 이미지이다. 스와쓰 기반 정렬은 스와쓰 이미지에 보호 영역을 상관시킨다. 스와쓰 기반 정렬은 검사 데이터의 비교적 작은 백분율에 대해서는 실패할 수도 있다. 그러한 오정렬이 발생하는 경우, 전체 스와쓰가 검사되지 않거나 오정렬된 검사 데이터로 인해 실제량의 누이상스 결함이 검출되어 보고된다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시예들은 본 명세서에 기재된 타깃 기반 상관이 로컬 방식으로 수행되기 때문에, 그러한 정렬 문제에 영향을 받지 않는다.

하나 이상의 검출 파라미터를 타깃 후보를 위한 이미지에 적용하는 것은 임의의 적절한 방식으로 수행될 수 있다. 예를 들면, 검출 파라미터(들)를 적용하는 것은, 잠재적인 DOI 위치의 이미지 및 기준 이미지를 사용하여 차이 이미지를 생성하는 것, 노이즈 측정치 및 임계값을 산출하는 것, 및 임계값을 차이 이미지 내의 신호에 적용하는 것을 포함한다. 다른 실시예에서는, 방법은 잠재적인 DOI 위치 근방의 차이 이미지의 하나 이상의 특징을 결정하는 것을 포함하고, 검출 파라미터(들)를 적용하는 것은 임계값을 차이 이미지의 하나 이상의 특징의 하나 이상의 값에 적용하는 것을 포함한다. 차이 이미지는 예를 들면, DOI가 검출되지 않았던 다이 내의 잠재적인 DOI 위치의 이미지, 다수의 다이의 중간 이미지(midian image), 또는 설정 시에 획득된 템플릿일 수 있다. 예를 들면, 일 실시예에서, 검출 파라미터(들)가 적용되는 잠재적인 DOI 위치의 이미지는 기준 이미지 및 테스트 이미지를 사용하여 생성되는 이미지를 포함하고, 기준 이미지는 POI를 위한 템플릿이다. 이 방식으로, 기준 이미지는 검사하는 동안 획득된 이미지가 아닐 수도 있다. 바꿔 말하면, 기준 이미지는 검사하는 동안 획득되는 이미지로 제한되지 않는다. 다른 예에서, 비결함 타깃 후보의 위치는 웨이퍼 상에서 식별될 수 있고 이미지가 검사 시스템을 사용하여 웨이퍼 상의 위치에서 획득될 수 있다. 이 이미지는 차이 이미지를 생성하기 위해 다른 타깃 후보의 위치에서 획득되는 이미지로부터 감산될 수 있으며, 본 명세서에 기재된 것과 같은 임계값이 차이 이미지에 적용될 수 있다. 임계값을 넘은 차이 이미지 내의 임의의 신호가 결함 또는 잠재적인 결함으로서 식별될 수 있다. 알려진 DOI를 검출하는 것은 본 명세서에 더욱 기재되는 바와 같이 구성될 수 있는 컴퓨터 시스템을 사용하여 수행된다.

기준 이미지로서 템플릿을 사용하는 방법은 특정 상황에서 유리하다. 예를 들면, 체계적인 결함의 수가 실질적으로 높은 경우, 웨이퍼 상의 대부분의 다이에 결함이 있을 것이다. 2개의 인접한 다이 상의 동일한 다이 위치에 2개의 결함이 나타나는 경우, 이들 2개의 다이의 이미지들 사이의 차이 이미지가 결함을 드러내지 않을 수도 있다. 실질적으로, 다수 다이 이미지의 중간 이미지에 결함이 있을 가능성이 있다. 그러므로, 중간 이미지는 기준 이미지로서 사용될 수 없다. 기준 이미지는 설정 시에 결정되어 결함 없는 것으로서 검증될 수 있다. 따라서, 기준 이미지가 검사하는 동안 사용될 수 있다.

일부 실시예에서, 방법은 타깃에 대한 정보에 기초하여 검출 파라미터(들)를 결정하는 것을 포함한다. 예를 들면, 검출 파라미터(들)(또는 결함 검출 알고리즘)가 노이즈 적응형일 수도 있다. 즉, 노이즈가 타깃에 대해 획득된 이미지에서 비교적 높은 경우, 검사 감도가 비교적 낮게 설정될 수 있다. 그렇지 않은 경우, 검사 감도가 비교적 높게 설정될 수도 있다. 검사 감도는 타깃 후보를 위한 차이 이미지에 적용되는 비교적 높은 임계값을 선택함으로써 비교적 낮게 설정될 수 있다. 반대로, 검사 감도는 타깃 후보를 위한 차이 이미지에 적용되는 비교적 낮은 임계값을 선택함으로써 비교적 높게 설정될 수도 있다. 덧붙여서, 다른 실시예에서, 방법은 각 타깃 타입마다의 이미지에 각각 기초하여 각 타깃 타입마다 별개로 검출 파라미터(들)를 결정하는 것을 포함한다. 따라서, 방법이 상이한 타입의 타깃에 대해 사용될 수 있으므로, 상이한 임계값이 상이한 타입의 타깃 후보에서 결함을 검출하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 제1 임계값이 제1 타입의 타깃 후보에서 제1의 알려진 DOI를 검출하기 위해 사용될 수 있고, 제2의 상이한 임계값이 제2의 상이한 타입의 타깃 후보에서 제2의 상이한 알려진 DOI를 검출하기 위해 사용될 수 있다.

동일한 검출 파라미터(들)가 동일한 타깃 타입을 갖는 타깃 후보의 각각에서 결함을 검출하기 위해 사용될 수도 있다. 그러나, 다른 실시예에서, 방법은 알려진 DOI를 검출하는 것이 타깃 후보의 이미지에 각각 기초하여 수행되는 타깃 후보의 각각에 대해 별개로 검출 파라미터(들)를 결정하는 것을 포함한다. 이 방식으로, 검출 파라미터(들)가 타깃 후보별 기반으로(on a target candidate-by-target candidate basis) 결정될 수 있다. 예를 들면, 잠재적인 타깃 후보 또는 잠재적인 DOI 위치가 식별되었다면, 로컬 영역 내의 차이 이미지의 표준 편차가 결정될 수 있다. 임계값은 그 후 임계값 = 평균 + G + K * (로컬 영역 내의 차이)의 표준 편차로서 결정될 수 있으며, 여기에서 평균은 로컬 영역 내의 차이 이미지의 평균값이고 G 및 K는 사용자 정의 파라미터이다. G 및 K는 부호화된 값이다. 그러나, 각 타깃 후보에 대한 임계값은 임의의 다른 적절한 방식으로 결정될 수도 있다.

DOI 정보가 또한, 알려진 DOI가 잠재적인 DOI 위치에 존재하는지를 결정하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 추가의 실시예에서, 하나 이상의 특징이 전술한 것 중 어느 하나와 같은 알려진 DOI의 특징(들)을 포함하고, 검출 파라미터(들)를 적용하는 것은 임계값을 잠재적인 DOI 위치의 이미지로부터 결정된 특징(들)의 하나 이상의 값에 적용하는 것을 포함한다. 그러한 일례에서, 극성 등의 알려진 DOI의 특징이 DOI마다 일관성이 있는 경우, DOI를 검출하는 것은 특징에 대한 값을 경계화하는 것을 포함할 수 있다. 그러한 극성 기반 경계화는 타깃 후보를 위한 전술한 바와 같이 생성되는 차이 이미지 또는 템플릿에 상관시키는 타깃 후보에 대해 획득된 이미지에 적용될 수 있다. 결함 특징(들)의 경계화는 본 명세서에 기재되는 다른 경계화(예를 들면, 차이 이미지 내의 신호들의 경계화)와 조합하여 사용될 수 있다. 이 방식으로 극성 및 결함 사이즈와 같은 결함 특징을 사용하면 또한, 누이상스 결함을 억제하는 데 도움이 될 수 있다.

추가의 실시예에서, 검출 파라미터(들)가 적용되는 잠재적인 DOI 위치의 이미지가 잠재적인 DOI 위치를 둘러싸는 보호 영역의 이미지이고, 보호 영역은 POI의 근방에 또는 POI 내에 발생하는 알려진 DOI의 사이즈에 기초하여 결정된다. 예를 들면, 타깃 후보의 대략적인 위치에서 획득되는 이미지의 사이즈는 이미지가 타깃 후보에 대해 실제로 획득된 것임을 확인하도록 비교적 클 수 있다. 그러한 일례에서, 도 3에 도시된 영역(300)이 대략적으로 타깃 후보에서 획득된 이미지의 사이즈일 수 있다. 덧붙여서, 영역(300)은 타깃 후보용으로 생성되는 차이 이미지의 사이즈일 수 있다. 그 이미지 내의 타깃 후보의 위치는 그 후 전술한 바와 같은 상관을 사용하여 결정될 수 있다. 타깃 후보보다 더 큰 것으로 알려진 영역이 그 후 전술한 바와 같이 타깃 후보별 기반으로 임계값을 결정하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 도 3에 도시된 바와 같이, 영역(300) 내의 영역(302)이 타깃 후보에 대한 임계값을 결정하기 위해 사용될 수 있다. 임계값은 그 후 알려진 DOI의 영역보다 약간 더 큰 영역에 적용될 수 있다. 예를 들면, 도 3에 도시된 바와 같이, 영역(302) 내의 영역(304)이 임계값이 적용되는 영역일 수 있고, 영역(304)은 알려진 DOI의 영역보다 약간 더 클 수도 있다. 그러한 일례에서, 임계값을 결정하기 위해 사용된 이미지의 부분은 약 64 픽셀 × 약 64 픽셀일 수 있는 한편, 결정된 임계값이 적용되는 영역은 알려진 DOI의 사이즈에 따라서 약 5 픽셀 × 약 5 픽셀일 수 있다. 임계값이 적용되는 차이 이미지의 사이즈를 감소시키면 이미지 내의 노이즈가 잠재적인 DOI로서 잘못 식별되는 가능성을 감소시킨다. 덧붙여서, 임계값이 적용되는 보호 영역으로서 그러한 실질적으로 작은 영역을 사용하면 거대한 누이상스 결함을 검출함 없이 실질적으로 낮은 임계값의 사용을 가능하게 한다. 이러한 이유로, 이 실시예에서 사용되는 보호 영역이 마이크로 보호 영역 또는 MCA라고 칭해진다. 반대로, 실질적으로 민감한 검사를 위해 비교적 낮은 임계값을 사용하는 다수의 현재 사용되는 검사 방법은 DOI로부터 분리되어야 하는 막대한 양의 누이상스 결함을 검출한다.

일 실시예에서, 방법은 타깃의 하나 이상의 특징을 선택하는 것, 검출 파라미터(들)를 선택하는 것, 및 알려진 DOI와 다른 누이상스 결함이 타깃 후보에서 검출되지 않도록(예를 들면, 알려진 DOI가 발생하기 쉬운 위치만이 검출되도록) 보호 영역의 하나 이상의 파라미터를 결정하는 것을 포함한다. 예를 들면, 보호 영역은 알려진 DOI만을 위한 영역을 포함하도록 그리고 알려진 DOI를 포함하지 않고 누이상스 결함만을 포함하는 영역을 실질적으로 제외하도록 감소될 수 있다. 특히, 보호 영역은 알려진 DOI가 발생할 수 있는 위치 주변에 정의될 수 있다. 따라서, 보호 영역 외부의 노이즈가 완전히 무시될 수 있다. 덧붙여서, 타깃의 이미지 또는 템플릿이 타깃 후보의 실질적으로 정확한 위치를 찾기 위해 사용될 수 있으므로, 보호 영역은 실질적으로 작게 만들어질 수 있다. 본 명세서에 기재된 실시예들에 사용되는 보호 영역은 또한 다른 방법이 타깃 후보를 실질적으로 정확하게 위치시키기 위해 메커니즘을 갖지 않기 때문에 다른 현재 사용되는 보호 영역보다 실질적으로 더 작을 수 있다. 타깃 후보 위치가 더욱 정확하게 결정될 수 있으면, 사용될 수 있는 보호 영역이 더 작을 수 있고, 누이상스 결함이 덜 검출된다. 덧붙여서, 본 명세서에 기재된 실시예들은 설계 데이터로부터 유래하는 보호 영역 위치를 개선함으로써 체계적인 결함을 검출할 수 있다.

실시예들이 타깃 후보 내의 알려진 DOI를 검출하는 것 및 타깃 후보를 검색하는 것에 대해 본 명세서에 기재되어 있지만, 본 명세서에 기재된 실시예들은 하나보다 많은 타입의 타깃 후보를 검색하기 위해 그리고 하나보다 많은 타입의 타깃 후보에서 DOI를 검출하기 위해 사용될 수 있음을 이해할 것이다. 예를 들면, 웨이퍼 상에 다수의 타입의 브릿지 결함이 존재할 수 있거나, 동일한 타입의 브릿지가 상이한 웨이퍼 구조에서 발생할 수 있다. 이들 브릿지는 상이한 타입의 타깃으로서 다루어질 수 있다. 본 명세서에 기재된 실시예들은 타깃 후보의 임의의 다른 경우에 대해 전체 다이를 검색하기 위해 이들 타입의 타깃에 관한 정보를 사용하는 것을 포함할 수 있다. MCA가 이들 타깃 후보 주변에 정의되고 그 위치는 검사하는 동안 개선된다. 결함 검출은 타깃 후보의 각 경우마다 수행될 수 있다. 이 방식으로, 본 명세서에 기재된 실시예들이 전체 웨이퍼에 걸쳐 타깃 후보를 검사하기 위해 사용될 수 있다.

일 실시예에서, 방법의 단계 중 어느 것도 웨이퍼 또는 다른 웨이퍼에 대한 설계 데이터를 사용하여 수행되지 않는다. 바꿔 말하면, 웨이퍼 또는 다른 웨이퍼에 대한 설계 데이터는 방법의 어느 단계에서도 요구되지 않게 된다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예들은 설계 데이터를 필요로 하지 않는다는 점에서 유리하다. 그 대신에, GDS 정보와 다른 검사 이미지가 사용된다. 그와 같이, GDS 사용 가능성은 문제가 되지 않는다. 반대로, 핫 스폿을 사용하는 방법은 수행되기 위해 설계 데이터를 필요로 한다. 그러한 방법은 종종 또한 설계 지식을 갖는 어떤 사람(예를 들면, 고객)으로부터의 지원을 요구한다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시예들은 어떤 설계 데이터를 필요로 하지 않으므로, 임의의 사용자가 검사를 수행할 수 있으며, 이는 설계 데이터가 모든 경우에 사용 가능하지 않을 수 있으므로 특히 중요한 장점이다.

일 실시예에서, 방법의 각 단계는 웨이퍼 또는 다른 웨이퍼에 대한 설계 데이터를 독립적으로 사용할 수 있다. 예를 들면, 본 명세서에 기재된 실시예들은 설계 데이터로부터 제공되는 정보로 작업할 수 있다. 예를 들면, 설계 기술자가 브릿지 결함이 되기 쉬운 웨이퍼 구조를 나타낼 수 있고 위치를 모니터하기를 원할 것이다. 타깃 정보가 생성될 수 있고, 타깃과 동일한 패턴을 갖는 모든 타깃 후보를 찾기 위해 검색이 다이에서 수행될 수 있다. 결함 검출은 이 웨이퍼 또는 다른 웨이퍼 상의 다른 타깃을 찾기 위해 이들 타깃 후보에서 수행될 수 있다. 다른 실시예에서, 설계 기반 패턴 검색이 다이 상의 모든 타깃 후보를 찾기 위해 수행될 수 있다. 본 명세서에 기재된 실시예들은 타깃 정보를 생성하고, 이미지 기반 검색을 스킵하며, 이들 타깃 후보에서 결함 검출을 수행할 수 있다.

본 명세서에 기재된 실시예들은 또한 설계 기반 검사로서 수행될 수 있다. 예를 들면, 모든 타깃 후보 위치가 핫 스폿 위치로서 사용될 수 있다. 설계 기반 검사는 핫 스폿 주변에 비교적 작은 보호 영역을 생성하고 보호 영역 위치를 개선하기 위해 픽셀 대 설계 정렬을 수행한다. 그 후, 결함 검출이 핫 스폿에서 수행된다.

알려진 DOI에 대응하는 타깃 후보의 이미지 내의 신호가 웨이퍼 상의 누이상스 결함에 대응하는 신호보다 약하거나 그 신호와 대략 일치할 수 있다. 예를 들면, 정기적인 검사가 다이의 대부분의 영역을 덮는 검사 보호 영역에서 결함 검출을 수행하는 것을 수반할 수 있다. DOI에 대한 신호가 폴스(false)(누이상스) 결함보다 매우 약한 상황에서, 거대한 폴스 결함이 기존의 접근법에 의해 검출될 수 있다. 예를 들면, 비교적 약한 신호로 결함을 검출하기 위해, 다수의 누이상스 결함을 또한 검출하는 실질적으로 민감한 검사가 수행될 수 있다. 누이상스 카운트는 총 검출된 이벤트의 99%를 초과할 수도 있다. 그러한 대량의 누이상스 결함 중에서 DOI를 찾는 것은 실질적으로 어렵다. 예를 들면, 피처 벡터 및 결함 속성이 이미지로부터의 각 결함마다 산출되고 결함 분류 시에 사용될 수 있다. 그러나, 종종, DOI는 이들 2개의 타입의 이벤트가 피처 벡터 및 속성 스페이스 내의 동일한 영역을 점유할 수 있기 때문에 누이상스 결함으로부터 분리될 수 없다. 따라서, 이 문제를 해결하기 위해 특별한(extra) 정보가 사용되어야 한다. 더욱이, 덜 민감한 검사가 사용되는 경우, 누이상스 레이트가 현저히 감소될 수 있지만 DOI가 또한 손실될 수 있다(즉, 검출되지 않을 수 있다).

반대로, 본 명세서에 기재된 실시예들은 막대한 양의 누이상스 결함을 억제한다. 예를 들면, 본 명세서에 기재된 실시예들은 특정 DOI 상의 타깃이 결함 검출에 매우 적절하다는 정보를 사용한다. 분류 접근법은 누이상스 이벤트가 검출된 후 누이상스 결함을 제거한다. 본 명세서에 기재된 실시예들은 누이상스 이벤트가 검출되는 것을 방지하도록 시도한다. 더욱 구체적으로는, 본 명세서에 기재된 실시예들은 알려진 DOI가 나타나기 쉬운 영역 내의 웨이퍼(즉, 타깃 후보)를 검사함으로써 누이상스 결함 카운트를 제어하면서 높은 감도의 검사가 행해질 수 있게 한다. 바꿔 말하면, 본 명세서에 기재된 바와 같은 실질적으로 정확한 결함 위치 정보를 사용하는 것이 누이상스 억제에 있어서 주요 공헌자이다. 이 방식으로, 본 명세서에 기재된 실시예들은 반복적인 구조에서 비교적 약한 신호로 알려진 DOI에 대한 상당한 누이상스 결함 억제를 달성할 수 있다. 그러므로, 본 명세서에 기재된 실시예들은 DOI를 검출하고 누이상스 결함을 더욱 정확하게 억제할 수 있다.

본 명세서에 기재된 실시예들은 또한 웨이퍼를 검사하기 위해 사용될 수도 있는 임의의 다른 검사에 대한 보완일 수 있다. 예를 들면, 다른 실시예에서, 방법은, 웨이퍼 또는 다른 웨이퍼에 대해 다른 이미지를 획득하는 것 및 웨이퍼 또는 다른 웨이퍼 상의 다른 결함을 검출하기 위해 다른 이미지를 사용하는 것을 포함한다. 그러한 일례에서, 다른 영역(예를 들면, 보호 영역과 다른 영역)에 대해, 정기적인 검사가 설정되어 평상시와 같이 랜덤하게 분포된 결함을 검출하도록 행해질 수 있고, 본 명세서에 기재된 실시예들은 비교적 약한 신호로 체계적인 결함을 검출하도록 행해질 수 있다. 덧붙여서, 본 명세서에 기재된 바와 같이 알려진 DOI를 검출하는 것 및 정기적인 검사가 하나의 테스트에서 수행될 수 있어 상당한 처리량 장점을 제공한다. 예를 들면, 본 명세서에 기재된 실시예들은 비교적 약한 신호로 알려진 DOI를 검출하기 위해 사용될 수 있고, 임의의 일반적인 검사 접근법과 병행하여 행해질 수 있다.

본 명세서에 기재된 실시예들은 또한, 특정 누이상스 결함 제거를 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 본 명세서에 기재된 실시예들은 알려진 DOI에 대해 수행되는 대신에 본 명세서에 기재된 바와 같이 수행될 수 있고, 실시예들은 알려진 체계적인 누이상스 결함에 대해 수행될 수 있다. 알려진 누이상스 결함은 제거 타깃으로서 정의될 수 있다. 무정의 영역(don't care area)이 제거 타깃으로서 정의될 수 있다. 본 명세서에 기재된 실시예들은 다이 상의 제거 타깃 후보를 검색하고, 제거 후보 주변에 무정의 영역을 정의하며, 무정의 영역에서 결함 검출을 수행하지 않을 수 있다. 그러므로, 이 타입의 누이상스 결함이 검출되지 않는다.

전술한 방법의 실시예들의 각각은 본 명세서에 기재된 임의의 다른 방법(들)의 임의의 다른 단계(들)을 포함할 수 있다. 더욱이, 전술한 방법의 실시예들의 각각은 본 명세서에 기재된 시스템들 중 어느 하나에 의해 수행될 수 있다.

본 명세서에 기재된 모든 방법은 비일시적인 컴퓨터로 판독 가능한 저장 매체에 방법 실시예들의 하나 이상의 단계의 결과를 저장하는 것을 포함할 수 있다. 그 결과는 본 명세서에 기재된 결과 중 어느 하나를 포함할 수 있고 당업계에 알려진 임의의 방식으로 저장될 수도 있다. 저장 매체는 본 명세서에 기재된 임의의 저장 매체 또는 당업계에 알려진 임의의 다른 적절한 저장 매체를 포함할 수 있다. 결과가 저장된 후에, 그 결과는 저장 매체 내에서 액세스되고, 본 명세서에 기재된 방법 또는 시스템 실시예들 중 어느 하나에 의해 사용되며, 사용자에게 디스플레이하기 위해 포맷되고, 다른 소프트웨어 모듈, 방법, 또는 시스템 등에 의해 사용될 수 있다. 예를 들면, 방법이 결함을 검출한 후에, 방법은 저장 매체에서 검출된 결함에 관한 정보를 저장하는 것을 포함할 수 있다.

추가의 실시예는 웨이퍼 상의 결함을 검출하기 위한 컴퓨터로 실현되는 방법을 수행하기 위해 컴퓨터 시스템에서 실행 가능한 프로그램 명령어를 저장하는 비일시적인 컴퓨터로 판독 가능한 매체에 관한 것이다. 그러한 일 실시예가 도 6에 도시되어 있다. 특히, 도 6에 도시된 바와 같이, 비일시적인 컴퓨터로 판독 가능한 매체(600)는 컴퓨터 시스템(404)에서 실행 가능한 프로그램 명령어(602)를 포함한다. 컴퓨터로 실현되는 방법은 전술한 방법의 단계들을 포함한다. 프로그램 명령어가 실행 가능한, 컴퓨터로 실현되는 방법은 본 명세서에 기재된 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수도 있다.

본 명세서에 기재된 바와 같은 방법을 실현하는 프로그램 명령어(602)가 컴퓨터로 판독 가능한 매체(600)에 저장될 수 있다. 컴퓨터로 판독 가능한 매체는 자기 또는 광학 디스크, 자기 테이프와 같은 저장 매체, 또는 당업계에 알려진 임의의 다른 적절한 비일시적인 컴퓨터로 판독 가능한 매체일 수 있다.

프로그램 명령어는 그 중에서도 특히 절차 기반 기술(procedure-based technique), 구성요소(component) 기반 기술, 및/또는 객체 지향(object-oriented) 기술을 포함하는 다양한 방법 중 어느 하나로 실현될 수 있다. 예를 들면, 프로그램 명령어는 ActiveX 제어, C++ 오브젝트, JavaBeans, 마이크로소프트 파운데이션 클래스("MFC": Microsoft Foundation Classes) 또는 다른 기술 또는 원하는 경우 방법론(methodologies)을 사용하여 실현될 수 있다. 프로그램 명령어는 CPU, GPU 등과 같은 임의의 프로세서에서 행해질 수 있다.

컴퓨터 시스템은 퍼스널 컴퓨터 시스템, 이미지 컴퓨터, 메인프레임(mainframe) 컴퓨터 시스템, 워크스테이션(workstation), 네트워크 어플라이언스(network appliance), 인터넷 어플라이언스, 또는 다른 디바이스를 포함하는 다양한 형태를 취할 수 있다. 컴퓨터 시스템은 단일 코어 또는 다중 코어를 가질 수 있다. 일반적으로, 용어 "컴퓨터 시스템"은 메모리 매체로부터 명령을 실행하는 하나 이상의 프로세서를 갖는 임의의 디바이스를 포함하도록 광범위하게 정의될 수 있다. 컴퓨터 시스템은 또한 병렬 프로세서와 같은 당업계에 알려진 임의의 적절한 프로세서를 포함할 수 있다. 덧붙여서, 컴퓨터 시스템은 고속 처리를 하는 컴퓨터 플랫폼 및 단독 또는 네트워크로 된 도구로서 소프트웨어를 포함할 수 있다.

다른 실시예는 웨이퍼 상의 결함을 검출하도록 구성되는 시스템에 관한 것이다. 그러한 시스템의 일 실시예가 도 7에 도시되어 있다. 그 시스템은 웨이퍼 상의 타깃에 대한 정보를 획득하도록 구성되는 검사 서브시스템을 포함한다. 검사 서브시스템은 e 빔 검사(EBI) 또는 전자 빔 리뷰(EBR) 서브시스템과 같은 임의의 적절한 검사 서브시스템을 포함할 수 있다. 적절한 EBI 서브시스템의 예들은 미국 캘리포니아 밀피타스 소재의 KLA-Tencor로부터의 eSxxx 도구 및 대만 Hsinchu City 소재의 Hermes Microvision, Inc, 또는 일본 요코하마 소재의 NGR Inc.와 같은 다른 공급업자로부터의 도구와 같은 상업적으로 시판되고 있는 EBI 도구에 포함되는 것을 포함한다. 전자 빔 서브시스템은 다중 모드에서 이미지를 수집할 수 있고, 이미지들은 다이 대 다이 비교, 셀 대 셀 비교, 또는 다이 대 데이터베이스 비교로 사용될 수 있다. 이와 달리, 검사 서브시스템은 본 명세서에 기재된 바와 같은 구성을 가질 수 있는 광학 검사 서브시스템을 포함할 수 있다.

타깃은 웨이퍼 상에 형성되는 POI 및 POI의 근방에 또는 POI 내에 발생하는 알려진 DOI를 포함한다. 타깃은 또한, 본 명세서에 기재된 바와 같이 구성될 수 있다. 정보는, 검색 서브시스템의 제1 채널로 웨이퍼 상에 POI를 촬상함으로써 획득되는 웨이퍼 상의 POI의 제1 이미지 및 검색 서브시스템의 제2 채널로 알려진 DOI를 촬상함으로써 획득되는 웨이퍼 상의 알려진 DOI의 제2 이미지를 포함한다. 타깃의 이미지는 임의의 적절한 데이터, 이미지 데이터, 신호 또는 이미지 신호를 포함할 수 있다. 검사 서브시스템은 임의의 적절한 방식으로 웨이퍼 상에 타깃을 촬상할 수 있다. 타깃에 대한 정보는 본 명세서에 기재된 임의의 다른 타깃 정보를 포함할 수 있다.

검사 서브시스템은 또한 웨이퍼 또는 다른 웨이퍼 상의 타깃 후보를 검색하도록 구성된다. 타깃 후보는 POI를 포함한다. 타깃 후보는 본 명세서에 기재된 바와 같이 구성될 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 검사 서브시스템은 광원(702)을 포함한다. 광원(702)은 레이저와 같은 당업계에서 알려진 임의의 적절한 광원을 포함할 수 있다. 광원(702)은 광원(702)으로부터의 광을 굴절형 광학 요소(706)로 반사시키도록 구성되는 빔 스플리터(704)에 광을 지향시키도록 구성된다. 굴절형 광학 요소(706)는 빔 스플리터(704)로부터 웨이퍼(708)로 광을 포커스하도록 구성된다. 빔 스플리터(704)는 50/50 빔 스플리터와 같은 임의의 적절한 빔 스플리터를 포함할 수 있다. 굴절형 광학 요소(706)는 임의의 적절한 굴절형 광학 요소를 포함할 수 있고, 굴절형 광학 요소(706)가 단일의 굴절형 광학 요소로서 도 7에 도시되어 있지만, 굴절형 광학 요소는 하나 이상의 굴절형 광학 요소 및/또는 하나 이상의 반사형 광학 요소로 치환될 수도 있다.

광원(702), 빔 스플리터(704), 및 굴절형 광학 요소(706)는 따라서, 검사 서브시스템용의 조명 채널(본 명세서에서 "제1 조명 채널"이라고 칭해짐)을 형성한다. 조명 채널은 스펙트럼 필터와 같은 하나 이상의 필터 및 하나 이상의 편광 구성요소와 같은 임의의 다른 적절한 요소(도 7에서는 도시 생략됨)를 포함할 수 있다.

도 7에 도시된 바와 같이, 광원, 빔 스플리터, 및 굴절형 광학 요소는 광이 웨이퍼에 수직으로 또는 실질적으로 수직의 입사 각도로 지향되도록 구성된다. 그러나, 광은 웨이퍼에 임의의 다른 적절한 입사 각도로 지향될 수 있다. 예를 들면, 검사 서브시스템은 광을 웨이퍼에 경사진 입사 각도로 지향시키도록 구성되는 제2 조명 채널을 포함할 수 있다. 도 7에 도시된 실시예에서, 예를 들면, 검사 서브시스템은 또한 광을 생성하도록 구성되는 광원(710)을 포함할 수 있고 임의의 적절한 광원을 포함할 수도 있다. 검사 서브시스템은 또한 광을 광원(710)으로부터 웨이퍼(708)로 경사진 입사 각도로 포커스시키도록 구성되는 굴절형 광학 요소(712)를 포함할 수 있다. 따라서, 광원(710) 및 굴절형 광학 요소(712)는 검사 서브시스템용의 다른 조명 채널을 형성한다. 이 제2 조명 채널은 또한 전술한 것과 같은 임의의 다른 적절한 요소(도 7에서는 도시 생략됨)를 포함할 수 있다.

도 7에 도시된 실시예에서, 따라서, 검사 서브시스템은 2개의 상이한 조명 채널에 포함되는 2개의 상이한 광원을 포함할 수 있다. 2개의 상이한 광원이 동일한 구성 또는 상이한 구성을 가질 수 있다. 예를 들면, 광원은 상이한 구성을 갖는 상이한 레이저일 수 있다. 덧붙여서, 광원은 동일한 특징 또는 하나 이상의 상이한 특징을 갖는 광을 생성할 수 있다. 그러한 일례에서, 상이한 광원에 의해 생성된 광이 상이한 파장 및/또는 상이한 편광을 가질 수 있다. 더욱이, 검사 서브시스템은 도 7에 도시된 2개 대신에 단 하나의 광원을 포함할 수 있고, 광원으로부터의 광은 웨이퍼의 조명을 위해 2개의 상이한 채널에 의해 사용되는 2개의 상이한 빔으로 분리될 수 있다.

검사 서브시스템은 임의의 적절한 방식으로 웨이퍼 위에 광을 주사하도록 구성될 수 있다.

전술한 제1 조명 채널에 의한 조명으로 인해 웨이퍼(708)로부터 반사되는 광이 굴절형 광학 요소(706)에 의해 수집될 수 있고, 빔 스플리터(704) 및 가능하게는 빔 스플리터(714)를 통해 검출기(716)로 지향될 수 있다. 따라서, 굴절형 광학 요소, 빔 스플리터, 및 검출기는 검사 서브시스템의 검출 채널(또한 "제1 검출 채널"이라고 칭해짐)을 형성할 수 있다. 검출기는 전하 결합 소자(CCD: charge coupled device)와 같은 당업계에 알려진 임의의 적절한 촬상 검출기를 포함할 수 있다. 이 검출 채널은 또한 하나 이상의 편광 구성요소, 하나 이상의 공간 필터, 하나 이상의 스펙트럼 필터 등과 같은 하나 이상의 추가의 구성요소(도 7에서는 도시 생략됨)를 포함할 수 있다. 검출기(716)는 검출기에 의해 검출되는 반사 광에 응답하는 이미지를 생성하도록 구성된다.

도 7에 도시된 바와 같이, 제1 조명 채널은 웨이퍼로부터의 광을 수집하기 위해 사용되는 동일한 굴절형 광학 요소를 통해 웨이퍼에 광을 지향시키도록 구성된다. 따라서, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 조명 채널은 "렌즈 통과(through-the-lens)" 조명 채널로서 구성된다. 덧붙여서, 제2 조명 채널은 웨이퍼로부터의 광을 수집하기 위해 사용되는 굴절형 광학 요소를 통해 웨이퍼에 광을 지향시키지 않으므로, 제2 조명 채널은 "렌즈 외부(outside-the-lens)" 조명 채널로서 구성된다. 검사 서브시스템은 임의의 적절한 하나 이상의 "렌즈 통과" 조명 채널 및/또는 하나 이상의 "렌즈 외부" 조명 채널을 포함할 수 있다.

굴절형 광학 요소(706)에 의해 수집되는 전술한 제1 조명 채널에 의한 조명으로 인해 웨이퍼(708)로부터 반사되는 광이 또한 수집된 광의 적어도 일부분을 검출기(718 및 720)에 반사시키는 빔 스플리터(714)로 빔 스플리터(704)를 통해 지향될 수 있다. 따라서, 굴절형 광학 요소, 빔 스플리터, 및 검출기(718)는 검사 서브시스템의 검출 채널(또한 본 명세서에서 "제2 검출 채널"이라고 칭해짐)을 형성할 수 있고, 굴절형 광학 요소, 빔 스플리터, 및 검출기(720)는 검사 서브시스템의 검출 채널(또한 본 명세서에서 "제3 검출 채널"이라고 칭해짐)을 형성할 수 있다. 검출기 및 이들 각각의 검출 채널은 또한 전술한 바와 같이 구성될 수 있다. 일부 예에서는, 검사 서브시스템은 빔 스플리터(714)로부터의 광이 전술한 바와 같이 구성될 수 있는 단 하나의 검출기(도 7에서는 도시 생략됨)로 지향되도록 구성될 수 있다.

전술한 바와 같이, 검사 서브시스템에 포함되는 검출기의 각각은 웨이퍼로부터 반사되는 광을 검출하도록 구성될 수 있다. 따라서, 검사 서브시스템에 포함되는 검출 채널의 각각은 명시야 채널로서 구성될 수 있다. 그러나, 하나 이상의 검출 채널이 하나 이상의 조명 채널에 의한 조명으로 인해 웨이퍼로부터 산란되는 광을 검출하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 도 7에 도시된 실시예에서, 검출기(716)는 제1 조명 채널에 의한 조명으로 인해 웨이퍼로부터 반사되는 광을 검출하기 위해 사용될 수 있고, 검출기(718 및 720)는 제2 조명 채널에 의한 조명으로 인해 웨이퍼로부터 산란되는 광을 검출하기 위해 사용될 수 있다. 다른 예에서, 검출기(716, 718, 720)는 각각 제1 조명 채널에 의한 조명으로 인해 웨이퍼로부터 반사되는 광을 검출하기 위해 사용될 수 있고, 웨이퍼의 조명을 위해 사용되는 조명 채널이 스위칭될 수 있으며, 각각의 검출기는 그 후 제2 채널에 의한 조명으로 인해 웨이퍼로부터 산란되는 광을 검출하기 위해 사용될 수 있다. 웨이퍼의 조명을 위해 사용되는 조명 채널은 임의의 적절한 방식으로(예를 들면, 하나 이상의 조명 채널에 포함될 수 있는 하나 이상의 셔터(도 7에서는 도시 생략됨)의 조작에 의해) 스위칭될 수 있다. 임의의 채널을 통해 획득된 이미지가 POI 검색 또는 결함 검출을 위해 사용될 수 있다.

더욱이, 검사 서브시스템이 도 7에 검사 서브시스템의 모든 검출기(및 그에 따라 모든 채널)에 의해 검출되는 광을 수집하는 하나의 수집 렌즈(즉, 굴절형 광학 요소(706))를 포함하는 것으로서 도시되어 있지만, 검사 서브시스템은 하나보다 많은 수집 렌즈를 포함할 수 있고, 하나 이상의 검출기가 각 수집 렌즈에 의해 수집되는 광을 검출하기 위해 사용될 수 있다. 이 방식으로, 수집 광학기기가 다양한 채널을 위해 분리될 수 있다.

시스템은 또한, 제1 채널에 의해 획득되는 타깃 후보의 이미지에 기초하여 잠재적인 DOI 위치를 식별하고 잠재적인 DOI 위치의 제2 채널에 의해 획득되는 이미지에 하나 이상의 검출 파라미터를 적용함으로써 타깃 후보 내의 알려진 DOI를 검출하도록 구성되는 컴퓨터 시스템(722)을 포함한다. 컴퓨터 시스템은 위치를 식별하고 본 명세서에 더욱 기재되는 바와 같은 하나 이상의 검출 파라미터를 적용할 수 있다. 덧붙여서, 컴퓨터 시스템은 본 명세서에 기재된 임의의 다른 단계(들)를 수행하도록 구성될 수 있다.

검사 서브시스템의 각각의 검출 채널에 포함되는 모든 검출기에 의해 생성되는 이미지가 컴퓨터 시스템(722)에 제공될 수 있다. 예를 들면, 컴퓨터 시스템은, 컴퓨터 시스템이 검출기에 의해 생성되는 이미지를 수신할 수 있도록 (예를 들면, 당업계에 알려진 임의의 적절한 송신 매체를 포함할 수 있는 도 7에서 점선에 의해 도시되는 하나 이상의 송신 매체에 의해) 검출기에 결합될 수 있다. 컴퓨터 시스템은 임의의 적절한 방식으로 검출기에 결합될 수 있다. 컴퓨터 시스템은 또한, 본 명세서에 기재된 바와 같이 구성될 수도 있다. 또, 검사 서브시스템은 본 명세서에 도시된 바와 같이 또한 구성될 수 있다. 더욱이, 시스템은 본 명세서에 기재된 바와 같이 또한 구성될 수도 있다.

앞에서 언급한 바와 같이, 실시예들의 핵심 부분은 상이한 스펙트럼(즉, 파장 대역), 개구, 편광, 촬상 메커니즘 또는 이들의 일부 조합으로 상이한 원근감으로부터 하나보다 많은 채널을 통해 웨이퍼 상의 동일한 위치의 다수의 이미지를 동시에 또는 순차적으로 획득하는 것이다. 일부 이미지는 패턴 해상도에 더 유리하고 한편 일부 이미지는 결함 검출에 더 유리할 수 있다.

다수의 이미지가 KLA-Tencor로부터 상업적으로 시판되고 있는 Puma 9650 같은 암시야 시스템의 2개의 채널(예컨대, 채널 1 및 채널 2)을 사용하여 또는 전술한 것과 동일한 검사 시스템 내의 별개의 다수의 채널을 통해 동시에 수집될 수 있다. 이와 달리, 다수의 이미지는 다중 채널 시스템(예를 들면, 2개의 상이한 편광을 갖는 다중 패스(multi-pass) 시나리오로 수행되는 Puma의 채널 1 및 채널 2) 또는 단채널 시스템(예를 들면, Puma와 같은 다중 채널 시스템 상의 단일 채널 또는 2개의 상이한 개구를 갖는 Vanquish)에서 순차적으로(즉, 다중 패스) 수집될 수 있다. 본 명세서에 기재된 실시예들에서 사용되는 2개 이상의 채널은 또한 (예를 들면, Puma 시스템에서와 같이) 상이한 범위의 개구수(numerical aperture)를 위해 구성된 2개 이상의 수집 채널을 포함할 수 있다. 명백하게는, 구성들의 다수의 조합을 갖는 채널의 다수의 조합이 본 명세서에 기재된 실시예들에서 사용될 수 있다.

KLA-Tencor 및 다른 회사에 의해 공급되는 다양한 검사 아키텍처가 KLA-Tencor의 Puma 상의 라인 조명 아키텍처, 미국 캘리포니아 산타 클라라에 소재한 Applied Materials, Inc로부터 상업적으로 시판되고 있는 UVision 상의 스폿 조명 아키텍처, 및 미국 캘리포니아 플레젠튼에 소재한 Hitachi High Technologies America, Inc. 및 미국 캘리포니아 산타 클라라에 소재한 Negevtech Ltd.로부터의 패터닝된 검사 시스템 상의 플러드 조명(flood-illumination) 아키텍처를 포함하는 본 명세서에 기재된 실시예들에 사용될 수 있다. 이들 시스템 중의 일부 예를 들면, Hitachi 및 Negevtech로부터의 시스템은 원래 단일 채널을 사용하고, 하나의 패스 또는 다중 패스로 다수의 이미지를 수집하게 할 수 있는 하나 이상의 추가의 채널을 추가하도록 적응될 수 있다. 이들 시스템 중의 일부 예를 들면, Applied Materials의 UVision이 이미 다수의 채널 예컨대, BF 및 DF 채널을 가지므로, 그들 시스템은 하나의 패스 또는 다중 패스로 다수의 이미지를 수집할 수 있다. ComPlus, Sting 및 DFinder와 같은 Applied Materials의 DF 시스템은 모두 다수의 채널을 또한 갖는다. KLA-Tencor 및 다른 회사로부터의 이들 웨이퍼 검사 시스템 및 아키텍처의 모두는 본 명세서에 기재된 멀티 이미지 실시예들과 함께 사용될 수 있다.

도 7에 도시된 것과 같은 일부 실시예에서, 시스템은 렌즈 통과 조명을 사용할 수 있고, 그 조명은 단일 스폿, 다중 스폿, 플러드, 또는 라인 조명일 수 있다. 덧붙여서, 그러한 임의의 조명 구성은 별개의 및 동시 BF 및 DF(또는 계조(GF)) 수집과 함께 사용될 수 있다. 예를 들면, 도 7에 대해 전술한 바와 같이, 제1 조명 채널에 의한 조명으로 인해 웨이퍼로부터의 광이 다수의 채널에 의해 수집되어 검출될 수 있고, 다수의 채널 각각은 반사 광(BF 구성에서와 같이) 또는 산란 광(DF 구성에서와 같이)을 검출하도록 구성될 수 있다. 그러한 일부 구성에서, 조명은 렌즈(즉, 굴절형 광학 요소(706))나 수집 광학기기의 일부분만을 통해 지향될 수 있는 한편, 그 렌즈나 수집 광학기기의 다른 부분들은 DF나 BF 검출용으로만 사용될 수도 있다. 바꿔 말하면, 검사 서브시스템은 수집 NA의 제1 부분에서의 광이 검사 서브시스템의 일부 검출기에만 지향되는 한편, 수집 NA의 제2 부분에서의 광이 검사 서브시스템의 일부 다른 검출기에만 지향되도록 구성될 수 있다. 따라서, 수집 NA의 다른 부분들은 검사 서브시스템의 상이한 검출 채널에 의해 수동으로 배타적으로 검출될 수 있다.

도 8에 도시된 그러한 일 실시예에서, 렌즈 통과 조명은 수집 NA(802)의 부분(800)을 통해 광을 지향시킴으로써 수행될 수 있다. 예를 들면, 도 8에 도시된 실시예에서, 도 7에 도시된 빔 스플리터(704)는 수집 NA의 부분(800)만을 통해 광원(702)으로부터의 광을 지향시키도록 구성될 수 있다. 그러한 일 실시예에서, 도 8에 도시된 바와 같이, 수집 NA의 부분(804)에서 웨이퍼로부터의 광이 하나 이상의 BF 채널으로만 지향될 수 있는 한편 수집 NA의 부분(806)에서의 광은 하나 이상의 DF 채널으로만 지향될 수 있다. 예를 들면, 그러한 일 실시예에서, 수집 NA의 부분(804)에서의 실질적으로 모든 광이 하나 이상의 BF 채널(예를 들면, 검출기(716)를 포함하는 검출 채널)로 도 7에 도시된 시스템의 빔 스플리터(704 및 714)를 통과하도록 허용될 수 있는 한편, 도 8에 도시된 부분(806)에서의 실질적으로 모든 광은 하나 이상의 DF 채널(예를 들면, 도 7에 도시된 검출기(718, 720)를 포함하는 하나 이상의 검출 채널)로 빔 스플리터(704)에 의해 투과되고 빔 스플리터(714)에 의해 반사될 수 있다. 그러한 일 실시예에서, 빔 스플리터(714)는 수집 NA의 부분(804)에 대응하는 실질적으로 투과형의 중심 부분 및 수집 NA의 부분(806)에 대응하는 실질적으로 반사형의 외부 환상 부분을 갖도록 구성될 수 있다. 따라서, BF 채널(들)에 의해 검출되는 광은 DF 채널(들)에 의해 검출되는 광과 상호 배타적이며 그 역도 성립한다. (도 8에 도시된 양방향 화살표는 조명과 수집 NA의 경계들이 임의적인 것을 나타낸다.)

도 7에 도시된 것과 같은 일부 실시예들에서, 시스템은 렌즈 외부 조명을 사용할 수 있고, 그 조명은 단일 스폿, 다중 스폿, 플러드, 또는 라인 조명일 수 있다. 덧붙여서, 그러한 어느 하나의 조명 구성은 다수의 DF 수집 채널과 함께 사용될 수 있다. 이 방식으로, 그러한 어느 하나의 조명 구성은 별개의 및 동시의 다수 DF 수집과 함께 사용될 수 있다. 예를 들면, 도 7에 대해 전술한 바와 같이, 제2 조명 채널에 의한 조명으로 인해 웨이퍼로부터의 광이 다중 채널에 의해 수집 및 검출될 수 있고, 그 각각은 (DF 구성에서와 같이) 산란된 광을 검출하도록 구성될 수 있다. 그러한 일부 구성에서, 렌즈(즉, 굴절형 광학 요소(706))의 NA의 다른 부분이 대응하는 다른 DF 검출을 위해서만 사용될 수 있다. 바꿔 말하면, 검사 서브시스템은 수집 NA의 제1 부분에서 산란된 광이 검사 서브시스템의 일부 검출기(들)에만 지향되고, 수집 NA의 제2 부분에서 산란된 광이 검사 서브시스템의 일부 다른 검출기(들)에만 지향되는 등이 되도록 구성될 수 있다. 따라서, 수집 NA의 상이한 부분이 검사 서브시스템의 상이한 DF 검출 채널에 의해 수동으로 배타적으로 검출되어 사용될 수 있다.

도 9에 도시된 그러한 일 실시예에서, 렌즈 외부 조명은 검사 서브시스템의 수집 스페이스(902)의 부분(900)에 대응하는 웨이퍼 상의 영역에 광을 지향시킴으로써 수행될 수 있다. 예를 들면, 도 9에 도시된 실시예에서, 도 7에 도시된 시스템의 굴절형 광학 요소(712)는 수집 스페이스의 부분(900)에 대응하는 웨이퍼(708) 상의 영역에 광원(710)으로부터의 광을 지향시키도록 구성될 수 있다. 그러한 일 실시예에서, 수집 스페이스의 부분(904)에서 웨이퍼로부터의 산란 광이 제1 DF 채널로만 지향될 수 있는 한편 수집 스페이스의 부분(906)에서의 산란 광은 제2 DF 채널로만 지향될 수 있고, 수집 스페이스(902)의 부분(908)에서의 산란 광은 제3 DF 채널로만 지향될 수 있다. 예를 들면, 도 7에 도시된 실시예를 참조하면, 수집 스페이스의 부분(904)에서의 실질적으로 모든 광이 빔 스플리터(714)에 의해 검출기(718)로 반사될 수 있고, 수집 스페이스의 부분(906)에서의 실질적으로 모든 광은 빔 스플리터(714)에 의해 검출기(716)로 투과될 수 있으며, 수집 스페이스의 부분(908)에서의 실질적으로 모든 광은 빔 스플리터(714)에 의해 검출기(720)로 반사될 수 있다. 이 구성에서, 도 7에 도시된 각각의 검출기는 산란된 광 검출용으로 사용될 수 있다. 이 방식으로, 도 7에 도시된 각각의 검출 채널은 DF 채널로서 사용될 수 있다. 그러한 일 실시예에서, 빔 스플리터(714)는 수집 스페이스의 부분(906)에 대응하는 실질적으로 투과형 중심 부분 및 수집 스페이스의 부분들(904 및 908)에 대응하는 실질적으로 반사형 외부 부분을 갖도록 구성될 수 있다. 따라서, 각각의 DF 채널(들)에 의해 검출되는 광은 각각의 다른 DF 채널(들)에 의해 검출되는 광과 상호 배타적이며, 그 역도 성립한다. (도 9에 도시된 양방향 화살표는 조명 및 수집 NA의 경계들이 임의적인 것을 나타낸다.)

도 7은 본 명세서에 기재된 시스템 실시예에 포함될 수 있는 검사 서브시스템의 하나의 구성을 일반적으로 예시하도록 본 명세서에 제공되어 있음을 알아야 한다. 명백하게도, 본 명세서에 기재된 검사 서브시스템 구성은 상업적인 검사 시스템을 설계할 때 정상적으로 수행되는 것과 같은 검사 시스템의 성능을 최적화시키도록 변경될 수 있다. 덧붙여서, 본 명세서에 기재된 시스템들은 KLA-Tencor로부터 시판되고 있는 28XX, 29XX, 및 Puma 9XXX 시리즈의 도구 및 앞에서 언급한 다른 시판되고 있는 도구 중 어느 하나와 같은 기존의 검사 시스템을 사용하여 (예를 들면, 본 명세서에 기재된 기능을 기존의 검사 시스템에 부가함으로써) 실현될 수 있다. 그러한 일부 시스템에 있어서, 본 명세서에 기재된 방법들이 (예를 들면, 시스템의 다른 기능에 덧붙여서) 시스템의 선택적 기능으로서 제공될 수 있다. 이와 달리, 본 명세서에 기재된 시스템은 완전히 새로운 시스템을 제공하도록 "맨 처음부터(from scratch)" 설계될 수도 있다.

본 발명의 여러 가지 양태의 추가의 변형 및 대체 실시예들이 이 기재에 비추어 당업자에게는 명백해질 것이다. 예를 들면, 웨이퍼 상의 결함을 검출하기 위한 방법 및 시스템이 제공된다. 따라서, 이 기재는 예시적인 것으로만 해석되어야 하고 당업자에게 본 발명을 수행하는 일반적인 방식을 교시하기 위한 것이다. 본 명세서에 도시되고 기재된 방법의 형태들은 기존의 바람직한 실시예로서 취해진 것으로 이해되어야 한다. 요소들 및 재료들이 본 명세서에 예시되고 기재된 것으로 치환될 수 있고, 부분 및 프로세스들은 역으로 될 수 있으며, 본 발명의 특정 피처들이 독립적으로 이용될 수 있고, 모두 본 발명의 이 기재의 이익을 얻은 후에 당업자에게 명백해질 것이다. 아래의 청구항들에 기재된 바와 같은 발명의 사상 및 범위를 벗어남 없이 본 명세서에 기재된 요소들에 변경이 가해질 수도 있다.

Claims

웨이퍼 상의 결함을 검출하기 위한 컴퓨터로 실현되는 방법에 있어서,
웨이퍼 상의 타깃에 대한 정보를 획득하는 단계로서, 상기 타깃은 상기 웨이퍼 상에 형성되는 관심 패턴 및 상기 관심 패턴의 근방에 또는 상기 관심 패턴 내에 발생하는 알려진 관심 결함을 포함하고, 상기 정보는, 검사 시스템의 제1 채널로 상기 웨이퍼 상에서 상기 관심 패턴을 촬상함으로써 획득되는 웨이퍼 상의 관심 패턴의 제1 이미지, 상기 검사 시스템의 제2 채널로 상기 알려진 관심 결함을 촬상함으로써 획득되는 웨이퍼 상의 알려진 관심 결함의 제2 이미지, 상기 웨이퍼 상에서의 관심 패턴의 위치, 상기 관심 패턴에 대한 상기 알려진 관심 결함의 위치, 및 상기 관심 패턴과 상기 알려진 관심 결함으로부터 산출되는 하나 이상의 특징을 포함하는 것인, 상기 타깃에 대한 정보를 획득하는 단계;
상기 웨이퍼 상의 또는 다른 웨이퍼 상의 하나의 다이 내에서 타깃 후보를 검색(search)하는 단계로서, 상기 타깃 후보는 상기 관심 패턴을 포함하는 것인, 상기 검색하는 단계; 및
상기 제1 채널에 의해 획득되는 상기 타깃 후보의 이미지에 기초하여 잠재적인 관심 결함 위치를 식별하고, 하나 이상의 검출 파라미터를 상기 제2 채널에 의해 획득되는 상기 잠재적인 관심 결함 위치의 이미지에 적용함으로써, 상기 타깃 후보 내의 상기 알려진 관심 결함을 검출하는 단계
를 포함하며, 상기 검출하는 단계는 컴퓨터 시스템을 사용하여 수행되는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 또는 상기 다른 웨이퍼에 대한 설계 데이터가 상기 방법의 어느 단계에서도 요구되지 않는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 알려진 관심 결함의 위치는 상기 웨이퍼에 대한 설계 데이터에 기초하여 얻어지는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 알려진 관심 결함의 위치는 상기 웨이퍼의 광학 이미지(optical image) 또는 주사 전자 현미경 이미지(scanning electron microscope image)에 기초하여 얻어지는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 알려진 관심 결함의 주사 전자 현미경 이미지를 상기 웨이퍼의 광학 이미지와 상관시킴으로써 상기 웨이퍼의 광학 이미지 내의 상기 알려진 관심 결함의 위치를 결정하는 단계를 더 포함하는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 타깃에 대한 정보를 획득하는 단계는, 상기 검사 시스템의 다수 채널로 상기 웨이퍼 상의 상기 타깃의 이미지를 그래브하는(grabbing) 단계를 포함하고, 상기 다수 채널은 적어도 상기 제1 채널 및 상기 제2 채널을 포함하는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 타깃에 대한 정보를 획득하는 단계는, 상기 검사 시스템의 다수 채널로 상기 관심 패턴의 이미지를 그래브하는 단계, 그래브된 이미지 중 어느 것이 패턴 검색용으로 최상인지를 결정하는 단계, 및 상기 다수 채널 중, 상기 패턴 검색용으로 그래브된 이미지 중 최상의 것이 그래브된 채널을 상기 제1 채널로서 지정하는 단계를 포함하는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 타깃에 대한 정보를 획득하는 단계는, 상기 검사 시스템의 다수 채널로 상기 알려진 관심 결함에서 그리고 상기 알려진 관심 결함의 근방에서 상기 웨이퍼의 추가의 이미지를 생성하는 단계, 상기 추가의 이미지 중 어느 것이 패턴 검색용으로 최상인지를 결정하는 단계, 및 상기 패턴 검색용으로 최상인 것으로 결정되는 추가의 이미지로부터 상기 관심 패턴을 선택하는 단계를 포함하는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 타깃에 대한 정보를 획득하는 단계는, 상기 검사 시스템의 다수 채널로 상기 알려진 관심 결함의 이미지를 그래브하는 단계, 그래브된 이미지 중 어느 것이 검출용으로 최상인지를 결정하는 단계, 및 상기 다수 채널 중, 상기 그래브된 이미지 중 최상의 것이 그래브된 채널을 상기 제2 채널로서 지정하는 단계를 포함하는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 타깃에 대한 정보를 획득하는 단계는, 보호 영역(care area)의 사이즈, 형상 및 위치, 템플릿(template)의 사이즈, 형상 및 위치, 및 하나 이상의 검출 파라미터가 적용되는 이미지 내에서 하나 이상의 특징이 결정되는 영역을 명시하는 단계를 포함하는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 타깃에 대한 정보를 획득하는 단계는, 상기 웨이퍼 또는 상기 다른 웨이퍼 상의 하나의 다이 내의 모든 알려진 관심 결함에 대한 템플릿을 그래브하는 단계를 포함하고, 여기에서 상기 검색은 상기 검사 시스템의 적어도 상기 제1 채널에 의해 수행되는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 타깃에 대한 정보를 획득하는 단계는, 상기 관심 패턴에 대한 템플릿과, 상기 제1 채널로 상기 웨이퍼 상에서 타깃을 촬상함으로써 획득되는 타깃의 이미지와의 유사성(similarity)을 결정하는 단계, 및 상기 관심 패턴에 근접한 다른 패턴에 대한 상기 관심 패턴의 고유성(uniqueness)을 결정하는 단계를 포함하는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 관심 패턴은, 상기 웨이퍼 및 상기 다른 웨이퍼 상에 형성되는 다이 각각의 폭과 높이보다 짧은 폭과 높이를 갖는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 특징은 상기 알려진 관심 결함의 사이즈, 형상, 강도, 콘트라스트(contrast), 또는 극성을 포함하는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 특징은 상기 제2 채널로 획득된 상기 제2 이미지로부터 결정되는 상기 알려진 관심 결함의 하나 이상의 특징을 포함하는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 알려진 관심 결함의 위치는 상기 관심 패턴의 위치에 비해 고유한, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 잠재적인 관심 결함 위치 중 하나 이상을 덮기 위해 마이크로 보호 영역이 생성되는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 획득하는 단계 및 상기 검색하는 단계는, 결함 검출 전의 설정 단계에서 상기 검사 시스템에 의해 수행되는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 획득하는 단계 및 상기 검색하는 단계는, 상기 검사 시스템과 동일한 타입의 상이한 검사 시스템에 의해 수행되는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 획득하는 단계 및 상기 검색하는 단계는, 상기 웨이퍼 또는 상기 다른 웨이퍼 상의 상이한 다이에서 수행되고, 상기 검색하는 단계는, 상기 타깃 후보용의 하나 이상의 템플릿을 사용하여 상기 웨이퍼 또는 상기 다른 웨이퍼 상의 하나의 다이에서 수행되는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 검색의 결과에 기초하여 보호 영역의 하나 이상의 파라미터를 결정하는 단계를 더 포함하는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 관심 패턴에 대한 템플릿 이미지와 상기 제1 채널에 의해 획득되는 상기 타깃 후보에 대한 이미지를 상관시킴으로써 보호 영역 위치를 결정하는 단계, 및 상기 제2 채널에 의해 획득되는 상기 잠재적인 관심 결함 위치의 이미지에 상기 보호 영역 위치를 적용하는 단계를 더 포함하는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 타깃의 하나 이상의 특징을 선택하는 단계, 상기 하나 이상의 검출 파라미터를 선택하는 단계, 및 상기 알려진 관심 결함 이외의 결함이 상기 타깃 후보에서 검출되지 않도록 보호 영역의 하나 이상의 파라미터를 결정하는 단계를 더 포함하는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 관심 패턴에 대한 템플릿을 생성하는 단계 및 상기 템플릿의 사이즈를 변경하거나 상기 템플릿을 플립핑(flipping), 회전, 또는 처리함으로써 상기 템플릿을 수정하는 단계를 더 포함하는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 제1 채널은 적어도 부분적으로, 상기 관심 패턴에 대한 템플릿 또는 상기 제1 이미지에 대한 상기 타깃 후보의 이미지의 이미지 매칭을 위한 최상의 광학 모드를 정의하는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 타깃에 대한 정보에 기초하여 하나 이상의 검출 파라미터를 결정하는 단계를 더 포함하는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 검사 시스템은 상기 제1 및 제2 채널에서 상이한 광학 모드를 사용하고, 상기 상이한 광학 모드는 스펙트럼, 개구(aperture), 편광, 또는 이들의 일부 조합에 의해 정의되는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 채널에 의해 획득되는 이미지들은, 상기 이미지들에 적용되는 이미지 센서 교정(calibration) 및 정렬(alignment) 알고리즘에 의해 서로에 대해 공간적으로 등록되는, 컴퓨터로 실현되는 방법.
웨이퍼 상의 결함을 검출하기 위한 컴퓨터로 실현되는 방법을 수행하기 위해 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어를 저장한 컴퓨터 판독 가능 비일시적 저장 매체에 있어서, 상기 컴퓨터로 실현되는 방법은,
웨이퍼 상의 타깃에 대한 정보를 획득하는 단계로서, 상기 타깃은 상기 웨이퍼 상에 형성되는 관심 패턴 및 상기 관심 패턴의 근방에 또는 상기 관심 패턴 내에 발생하는 알려진 관심 결함을 포함하고, 상기 정보는, 검사 시스템의 제1 채널로 상기 웨이퍼 상에서 상기 관심 패턴을 촬상함으로써 획득되는 웨이퍼 상의 관심 패턴의 제1 이미지, 상기 검사 시스템의 제2 채널로 상기 알려진 관심 결함을 촬상함으로써 획득되는 웨이퍼 상의 알려진 관심 결함의 제2 이미지, 상기 웨이퍼 상에서의 관심 패턴의 위치, 상기 관심 패턴에 대한 상기 알려진 관심 결함의 위치, 및 상기 관심 패턴과 상기 알려진 관심 결함으로부터 산출되는 하나 이상의 특징을 포함하는 것인, 상기 획득하는 단계;
상기 웨이퍼 상의 또는 다른 웨이퍼 상의 하나의 다이 내에서 타깃 후보를 검색하는 단계로서, 상기 타깃 후보는 상기 관심 패턴을 포함하는 것인, 상기 검색하는 단계; 및
상기 제1 채널에 의해 획득되는 상기 타깃 후보의 이미지에 기초하여 잠재적인 관심 결함 위치를 식별하고, 하나 이상의 검출 파라미터를 상기 제2 채널에 의해 획득되는 상기 잠재적인 관심 결함 위치의 이미지에 적용함으로써, 상기 타깃 후보 내의 상기 알려진 관심 결함을 검출하는 단계
를 포함하는, 컴퓨터 판독 가능 비일시적 저장 매체.
웨이퍼 상의 결함을 검출하도록 구성된 시스템에 있어서,
웨이퍼 상의 타깃에 대한 정보를 획득하도록 구성된 검사 서브시스템으로서, 상기 타깃은 상기 웨이퍼 상에 형성되는 관심 패턴 및 상기 관심 패턴의 근방에 또는 상기 관심 패턴 내에 발생하는 알려진 관심 결함을 포함하고, 상기 정보는, 상기 검사 서브시스템의 제1 채널로 상기 웨이퍼 상에서 상기 관심 패턴을 촬상함으로써 획득되는 웨이퍼 상의 관심 패턴의 제1 이미지, 및 상기 검사 서브시스템의 제2 채널로 상기 알려진 관심 결함을 촬상함으로써 획득되는 웨이퍼 상의 알려진 관심 결함의 제2 이미지를 포함하며,
상기 검사 서브시스템은 또한, 상기 웨이퍼 상의 또는 다른 웨이퍼 상의 하나의 다이 내에서 타깃 후보를 검색하도록 구성되고, 상기 타깃 후보는 상기 관심 패턴을 포함하는 것인, 상기 검사 서브시스템; 및
상기 제1 채널에 의해 획득되는 상기 타깃 후보의 이미지에 기초하여 잠재적인 관심 결함 위치를 식별하고, 하나 이상의 검출 파라미터를 상기 제2 채널에 의해 획득되는 상기 잠재적인 관심 결함 위치의 이미지에 적용함으로써, 상기 타깃 후보 내의 상기 알려진 관심 결함을 검출하도록 구성된 컴퓨터 시스템
을 포함하는, 웨이퍼 상의 결함을 검출하도록 구성된 시스템.
제30항에 있어서, 상기 웨이퍼 또는 상기 다른 웨이퍼에 대한 설계 데이터가 상기 검사 서브시스템 또는 상기 컴퓨터 시스템에 의해 수행되는 어느 단계에서도 요구되지 않는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 알려진 관심 결함의 위치는 상기 웨이퍼에 대한 설계 데이터에 기초하여 얻어지는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 알려진 관심 결함의 위치는 상기 웨이퍼의 광학 이미지 또는 주사 전자 현미경 이미지에 기초하여 얻어지는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 컴퓨터 시스템은 또한, 상기 알려진 관심 결함의 주사 전자 현미경 이미지를 상기 웨이퍼의 광학 이미지와 상관시킴으로써 상기 웨이퍼의 광학 이미지 내의 상기 알려진 관심 결함의 위치를 결정하도록 구성되는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한, 상기 검사 서브시스템의 다수 채널로 상기 웨이퍼 상의 상기 타깃의 이미지를 그래브함으로써 상기 타깃에 대한 정보를 획득하도록 구성되고, 상기 다수 채널은 적어도 상기 제1 채널 및 상기 제2 채널을 포함하는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한, 상기 검사 서브시스템의 다수 채널로 상기 관심 패턴의 이미지를 그래브함으로써 상기 타깃에 대한 정보를 획득하도록 구성되고, 상기 컴퓨터 시스템은 또한, 상기 그래브된 이미지 중 어느 것이 패턴 검색용으로 최상인지를 결정하고, 상기 다수 채널 중, 상기 패턴 검색용으로 그래브된 이미지 중 최상의 것이 그래브된 채널을 상기 제1 채널로서 지정하도록 구성되는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한, 상기 검사 서브시스템의 다수 채널로 상기 알려진 관심 결함에서 그리고 상기 알려진 관심 결함의 근방에서 상기 웨이퍼의 추가의 이미지를 생성함으로써 상기 타깃에 대한 정보를 획득하도록 구성되고, 상기 컴퓨터 시스템은 또한, 상기 추가의 이미지 중 어느 것이 패턴 검색용으로 최상인지를 결정하고, 상기 패턴 검색용으로 최상인 것으로 결정되는 추가의 이미지로부터 상기 관심 패턴을 선택하도록 구성되는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한, 상기 검사 서브시스템의 다수 채널로 상기 알려진 관심 결함의 이미지를 그래브함으로써 상기 타깃에 대한 정보를 획득하도록 구성되고, 상기 컴퓨터 시스템은 또한, 상기 그래브된 이미지 중 어느 것이 상기 알려진 관심 결함을 검출하기에 최상인지를 결정하고, 상기 다수 채널 중에서, 상기 그래브된 이미지 중 최상의 것이 그래브된 채널을 상기 제2 채널로서 지정하도록 구성되는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 컴퓨터 시스템은 또한, 보호 영역의 사이즈, 형상 및 위치, 템플릿의 사이즈, 형상 및 위치, 및 하나 이상의 검출 파라미터가 적용되는 이미지 내에서 하나 이상의 특징이 결정되는 영역을 명시함으로써 상기 타깃에 대한 정보를 획득하도록 구성되는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한, 상기 웨이퍼 또는 상기 다른 웨이퍼 상의 하나의 다이 내의 모든 알려진 관심 결함에 대한 템플릿을 그래브함함으로써 상기 타깃에 대한 정보를 획득하도록 구성되고, 여기에서 상기 검사 서브시스템은 상기 검사 서브시스템의 적어도 상기 제1 채널에 의해 상기 타깃 후보를 검색하는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 컴퓨터 시스템은 또한, 상기 관심 패턴에 대한 템플릿과, 상기 제1 채널로 상기 웨이퍼 상에서 타깃을 촬상함으로써 획득되는 타깃의 이미지와의 유사성을 결정하고, 상기 관심 패턴에 근접한 다른 패턴에 대한 상기 관심 패턴의 고유성을 결정함으로써 상기 타깃에 대한 정보를 획득하도록 구성되는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 관심 패턴은, 상기 웨이퍼 및 상기 다른 웨이퍼 상에 형성되는 다이 각각의 폭과 높이보다 짧은 폭과 높이를 갖는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 타깃에 대한 정보는, 상기 관심 패턴 및 상기 알려진 관심 결함으로부터 산출된 하나 이상의 특징을 더 포함하고, 상기 하나 이상의 특징은 상기 알려진 관심 결함의 사이즈, 형상, 강도, 콘트라스트, 또는 극성을 포함하는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 타깃에 대한 정보는, 상기 관심 패턴 및 상기 알려진 관심 결함으로부터 산출된 하나 이상의 특징을 더 포함하고, 상기 하나 이상의 특징은, 상기 제2 채널에 의해 획득된 제2 이미지로부터 결정되는 알려진 관심 결함의 하나 이상의 특징을 포함하는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 알려진 관심 결함의 위치는 상기 관심 패턴의 위치에 비해 고유한, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 잠재적인 관심 결함 위치 중 하나 이상을 덮기 위해 마이크로 보호 영역이 생성되는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한, 결함 검출 전의 설정 단계에서 정보를 획득하고 상기 타깃 후보를 검색하도록 구성되는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한, 상기 웨이퍼 또는 상기 다른 웨이퍼 상의 상이한 다이에서 정보를 획득하고 상기 타깃 후보를 검색하도록 구성되고, 상기 검사 서브시스템은 또한, 상기 타깃 후보용의 하나 이상의 템플릿을 사용하여 상기 웨이퍼 또는 상기 다른 웨이퍼 상의 하나의 다이에서 상기 타깃 후보를 검색하도록 구성되는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 컴퓨터 시스템은 또한, 상기 타깃 후보의 검색 결과에 기초하여 보호 영역의 하나 이상의 파라미터를 결정하도록 구성되는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 컴퓨터 시스템은 또한, 상기 관심 패턴에 대한 템플릿 이미지와 상기 제1 채널에 의해 획득되는 상기 타깃 후보에 대한 이미지를 상관시킴으로써 보호 영역 위치를 결정하고, 상기 제2 채널에 의해 획득되는 상기 잠재적인 관심 결함 위치의 이미지에 상기 보호 영역 위치를 적용하도록 구성되는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 컴퓨터 시스템은 또한, 상기 타깃의 하나 이상의 특징을 선택하고, 상기 하나 이상의 검출 파라미터를 선택하며, 그리고 상기 알려진 관심 결함 이외의 결함이 상기 타깃 후보에서 검출되지 않도록 보호 영역의 하나 이상의 파라미터를 결정하기 위해 구성되는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 컴퓨터 시스템은 또한, 상기 관심 패턴에 대한 템플릿을 생성하고, 그리고 상기 템플릿의 사이즈를 변경하거나 상기 템플릿을 플립핑, 회전, 또는 처리함으로써 상기 템플릿을 수정하도록 구성되는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 제1 채널은 적어도 부분적으로, 상기 관심 패턴에 대한 템플릿 또는 상기 제1 이미지에 대한 상기 타깃 후보의 이미지의 이미지 매칭을 위한 최상의 광학 모드를 정의하는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 컴퓨터 시스템은 또한, 상기 타깃에 대한 정보에 기초하여 하나 이상의 검출 파라미터를 결정하도록 구성되는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 상기 제1 및 제2 채널에서 상이한 광학 모드를 사용하고, 상기 상이한 광학 모드는 스펙트럼, 개구, 편광, 또는 이들의 일부 조합에 의해 정의되는, 시스템.
제30항에 있어서, 상기 제1 및 제2 채널에 의해 획득되는 이미지들은, 상기 이미지들에 적용되는 이미지 센서 교정 및 정렬 알고리즘에 의해 서로에 대해 공간적으로 등록되는, 시스템.
웨이퍼 상의 결함을 검출하도록 구성된 시스템에 있어서,
웨이퍼 상의 타깃에 대한 정보를 획득하도록 구성된 검사 서브시스템으로서, 상기 검사 서브시스템은 적어도 제1 및 제2 채널을 포함하며, 상기 타깃은 상기 웨이퍼 상에 형성되는 관심 패턴 및 상기 관심 패턴의 근방에 또는 상기 관심 패턴 내에 발생하는 알려진 관심 결함을 포함하고, 상기 정보는, 상기 검사 서브시스템의 제1 채널로 상기 웨이퍼 상에서 상기 관심 패턴을 촬상함으로써 획득되는 웨이퍼 상의 관심 패턴의 제1 이미지, 및 상기 검사 서브시스템의 제2 채널로 상기 알려진 관심 결함을 촬상함으로써 획득되는 웨이퍼 상의 알려진 관심 결함의 제2 이미지를 포함하며,
상기 검사 서브시스템은 또한, 상기 웨이퍼 상의 또는 다른 웨이퍼 상의 하나의 다이 내에서 타깃 후보를 검색하도록 구성되고, 상기 타깃 후보는 상기 관심 패턴을 포함하는 것인, 상기 검사 서브시스템; 및
상기 제1 채널에 의해 획득되는 상기 타깃 후보의 이미지에 기초하여 잠재적인 관심 결함 위치를 식별하고, 하나 이상의 검출 파라미터를 상기 제2 채널에 의해 획득되는 상기 잠재적인 관심 결함 위치의 이미지에 적용함으로써, 상기 타깃 후보 내의 상기 알려진 관심 결함을 검출하도록 구성된 컴퓨터 시스템
을 포함하는, 웨이퍼 상의 결함을 검출하도록 구성된 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 상기 웨이퍼에 광을 지향시키도록 구성된 제1 조명 채널을 포함하는, 시스템.
제58항에 있어서, 상기 제1 조명 채널은 하나 이상의 편광 구성요소를 포함하는, 시스템.
제58항에 있어서, 상기 제1 조명 채널은 하나 이상의 스펙트럼 필터를 포함하는, 시스템.
제58항에 있어서, 상기 제1 조명 채널은 또한, 상기 웨이퍼에 수직 입사각으로 광을 지향시키도록 구성되는, 시스템.
제58항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한 상기 웨이퍼에 경사 입사각으로 광을 지향시키도록 구성된 제2 조명 채널을 더 포함하는, 시스템.
제62항에 있어서, 상기 제2 조명 채널은, 광원으로부터의 광을 상기 웨이퍼에 경사 입사각으로 포커스하도록 구성된 굴절형 광학 요소를 포함하는, 시스템.
제62항에 있어서, 상기 제2 조명 채널은 하나 이상의 편광 구성요소를 포함하는, 시스템.
제62항에 있어서, 상기 제2 조명 채널은 하나 이상의 스펙트럼 필터를 포함하는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 2개의 상이한 조명 채널에 포함되는 2개의 상이한 광원을 포함하는, 시스템.
제66항에 있어서, 상기 2개의 상이한 광원은 동일한 구성(configuration)을 갖는, 시스템.
제66항에 있어서, 상기 2개의 상이한 광원은 상이한 구성을 갖는, 시스템.
제66항에 있어서, 상기 2개의 상이한 광원은 상이한 레이저인, 시스템.
제66항에 있어서, 상기 2개의 상이한 광원에 의해 생성된 광은 상이한 파장을 갖는, 시스템.
제66항에 있어서, 상기 2개의 상이한 광원에 의해 생성된 광은 상이한 편광을 갖는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 단일 광원을 포함하고, 상기 단일 광원으로부터의 광은, 상기 웨이퍼의 조명을 위해 2개의 상이한 채널에 의해 사용되는 2개의 상이한 빔으로 분할되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 제1 채널은 촬상 검출기를 포함하는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 제1 채널은 하나 이상의 편광 구성요소를 포함하는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 제1 채널은 하나 이상의 공간 필터를 포함하는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 제1 채널은 하나 이상의 스펙트럼 필터를 포함하는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 상기 웨이퍼로부터 광을 수집하는데 사용되는 굴절형 광학 요소를 통해 상기 웨이퍼에 광을 지향시키도록 구성된 하나 이상의 조명 채널을 포함하는, 시스템.
제77항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 상기 웨이퍼로부터 광을 수집하는데 사용되는 굴절형 광학 요소를 통해 상기 웨이퍼에 광을 지향시키지 않도록 구성된 하나 이상의 다른 조명 채널을 더 포함하는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 상기 웨이퍼로부터 광을 수집하는데 사용되는 굴절형 광학 요소를 통해 상기 웨이퍼에 광을 지향시키키 않도록 구성된 하나 이상의 조명 채널을 포함하는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 적어도 제1 및 제2 채널은 명시야 채널로서 구성되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 2개 이상의 조명 채널을 포함하고, 상기 웨이퍼의 조명에 사용되는 상기 2개 이상의 조명 채널 중 하나는 전환되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 적어도 제1 및 제2 채널은 별개의 수집 광학기기(collection optics)를 포함하는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한, 상기 제1 채널에 의한 촬상이 상기 제2 채널에 의한 촬상과 동시에 수행되도록 구성되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한, 상기 제1 채널에 의한 촬상이 상기 제2 채널에 의한 촬상과 순차적으로 수행되도록 구성되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 제1 및 제2 채널에 의한 촬상은 상이한 원근감(perspectives)으로부터 수행되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 제1 및 제2 채널에 의한 촬상은 상이한 스펙트럼으로 수행되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 제1 및 제2 채널에 의한 촬상은 상이한 개구에 의해 수행되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 제1 및 제2 채널에 의한 촬상은 상이한 편광에 의해 수행되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 제1 및 제2 채널에 의한 촬상은 상이한 촬상 메커니즘으로 수행되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 암시야 검사 서브시스템인, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 제1 및 제2 이미지는 다중 패스(multiple pass)에서 수집되는, 시스템.
제91항에 있어서, 상기 다중 패스는 상이한 편광으로 이루어지는, 시스템.
제91항에 있어서, 상기 제1 및 제2 채널은 2개의 상이한 개구를 갖는 단일 채널을 포함하는, 시스템.
제91항에 있어서, 상기 다중 패스는 상이한 입사각으로 이루어지는, 시스템.
제91항에 있어서, 상기 다중 패스 중 하나는, 산란광의 검출용으로 구성되는 상기 제1 및 제2 채널 중 적어도 하나로 이루어지고, 상기 다중 패스 중 다른 하나는, 반사광의 검출용으로 구성되는 상기 제1 및 제2 채널 중 적어도 하나로 이루어지는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 제1 및 제2 채널은 상이한 범위의 개구수를 위해 구성되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한 상기 웨이퍼의 라인 조명을 위해 구성되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한 상기 웨이퍼의 스폿 조명을 위해 구성되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한 상기 웨이퍼의 플러드 조명(flood-illumination)을 위해 구성되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한 하나의 패스에서 상기 제1 및 제2 이미지를 취득하도록 구성되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한 렌즈 통과(through-the-lens) 조명을 위해 구성되며, 상기 조명은 단일 스폿 조명인, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한 렌즈 통과 조명을 위해 구성되며, 상기 조명은 다중 스폿 조명인, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한 렌즈 통과 조명을 위해 구성되며, 상기 조명은 플러드 조명인, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한 렌즈 통과 조명을 위해 구성되며, 상기 조명은 라인 조명인, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한 별개의 그리고 동시의 명시야 및 암시야 수집을 위해 구성되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 상기 웨이퍼로부터 광을 수집하기 위한 굴절형 광학 요소를 포함하고, 상기 굴절형 광학 요소의 개구수의 상이한 부분은 암시야 또는 명시야 검출에만 사용되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 상기 웨이퍼로부터 광을 수집하기 위한 굴절형 광학 요소를 포함하고, 상기 굴절형 광학 요소의 수집 개구수(collection numerical aperture)의 제1 부분에서의 광은 상기 검사 서브시스템의 일부 검출기에만 지향되는 한편, 상기 굴절형 광학 요소의 수집 개구수의 제2 부분에서의 광은 상기 검사 서브시스템의 다른 일부 검출기에만 지향되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 상기 웨이퍼로부터 광을 수집하기 위한 굴절형 광학 요소를 포함하고, 상기 굴절형 광학 요소의 개구수의 상이한 부분은, 상기 적어도 제1 및 제2 채널 중 상이한 채널에 의해 상호 배타적으로 검출되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 적어도 제1 및 제2 채널은 하나 이상의 암시야 채널 및 하나 이상의 명시야 채널을 포함하고, 상기 검사 서브시스템은 상기 웨이퍼로부터 광을 수집하기 위한 굴절형 광학 요소를 포함하며, 상기 굴절형 광학 요소의 수집 개구수의 일 부분에서의 광은 상기 하나 이상의 명시야 채널에만 지향되는 한편, 상기 굴절형 광학 요소의 수집 개구수의 다른 부분에서의 광은 상기 하나 이상의 암시야 채널에만 지향되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 빔 스플리터를 더 포함하고, 상기 빔 스플리터는, 상기 웨이퍼로부터 광을 수집하도록 구성된 굴절형 광학 요소의 수집 개구수의 일 부분에 대응하는 실질적으로 투과형 중심부와, 상기 수집 개구수의 다른 부분에 대응하는, 실질적으로 반사형 외측부인 환형부를 갖는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한 렌즈 외부(outside-the-lens) 조명을 위해 구성되며, 상기 조명은 단일 스폿 조명인, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한 렌즈 외부 조명을 위해 구성되며, 상기 조명은 다중 스폿 조명인, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한 렌즈 외부 조명을 위해 구성되며, 상기 조명은 플러드 조명인, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한 렌즈 외부 조명을 위해 구성되며, 상기 조명은 라인 조명인, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 적어도 제1 및 제2 채널은 다중 암시야 수집 채널을 포함하는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 적어도 제1 및 제2 채널은 별개의 그리고 동시의 암시야 수집을 위해 구성되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 상기 웨이퍼에 경사 입사각으로 광을 지향시키도록 구성된 조명 채널을 포함하고, 상기 검사 서브시스템은 또한, 상기 조명 채널에 의한 조명으로 인한 상기 웨이퍼로부터의 광이, 산란광을 검출하도록 구성되는 상기 적어도 제1 및 제2 채널에 의해 수집 및 검출되도록 구성되는, 시스템.
제117항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 상기 웨이퍼로부터 광을 수집하기 위한 굴절형 광학 요소를 더 포함하고, 상기 굴절형 광학 요소의 개구수의 상이한 부분은 대응하는 암시야 검출에만 사용되는, 시스템.
제117항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 상기 웨이퍼로부터 광을 수집하기 위한 굴절형 광학 요소를 더 포함하고, 상기 검사 서브시스템은 또한, 상기 굴절형 광학 요소의 수집 개구수의 제1 부분에서의 산란광은 상기 검사 서브시스템의 하나 이상의 검출기에만 지향되고, 상기 굴절형 광학 요소의 수집 개구수의 제2 부분에서의 산란광은 상기 검사 서브시스템의 하나 이상의 다른 검출기에만 지향되도록 구성되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 적어도 제1 및 제2 채널은 상이한 암시야 채널을 포함하고, 상기 검사 서브시스템은 상기 웨이퍼로부터 광을 수집하기 위한 굴절형 광학 요소를 포함하며, 상기 굴절형 광학 요소의 개구수의 상이한 부분은, 상기 상이한 암시야 채널에 의해 상호 배타적으로 검출되어 사용되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 적어도 제1 및 제2 채널 각각은 암시야 채널인, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한, 다중 스폿 조명을 위해 상기 웨이퍼에 경사 입사각으로 광을 지향시키도록 구성되는, 시스템.
제57항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한, 다중 스폿 조명을 위해 상기 웨이퍼에 수직 입사각으로 광을 지향시키도록 구성되는, 시스템.
웨이퍼 상의 결함을 검출하도록 구성된 시스템에 있어서,
웨이퍼 상의 타깃에 대한 정보를 획득하도록 구성된 검사 서브시스템으로서, 상기 검사 서브시스템은 적어도 제1 및 제2 채널을 포함하며, 상기 타깃은 상기 웨이퍼 상에 형성되는 관심 패턴 및 상기 관심 패턴의 근방에 또는 상기 관심 패턴 내에 발생하는 알려진 관심 결함을 포함하고, 상기 정보는, 상기 검사 서브시스템의 제1 채널로 상기 웨이퍼 상에서 상기 관심 패턴을 촬상함으로써 획득되는 웨이퍼 상의 관심 패턴의 제1 이미지, 및 상기 검사 서브시스템의 제2 채널로 상기 알려진 관심 결함을 촬상함으로써 획득되는 웨이퍼 상의 알려진 관심 결함의 제2 이미지를 포함하며,
상기 검사 서브시스템은 또한, 상기 웨이퍼 상의 또는 다른 웨이퍼 상에서 타깃 후보를 검색하도록 구성되고, 상기 타깃 후보는 상기 관심 패턴을 포함하는 것인, 상기 검사 서브시스템; 및
상기 제1 채널에 의해 획득되는 상기 타깃 후보의 이미지에 기초하여 잠재적인 관심 결함 위치를 식별하고, 하나 이상의 검출 파라미터를, 적어도 상기 제2 채널에 의해 획득되는 상기 잠재적인 관심 결함 위치의 하나 이상의 이미지에 적용함으로써, 상기 타깃 후보 내의 상기 알려진 관심 결함을 검출하도록 구성된 컴퓨터 시스템
을 포함하는, 웨이퍼 상의 결함을 검출하도록 구성된 시스템.
제124항에 있어서, 상기 알려진 관심 결함은 상기 웨이퍼 상에서 일정한 패턴으로 반복해서 발생하는 결함인, 시스템.
제124항에 있어서, 상기 알려진 관심 결함은 체계적인 결함(systematic defect)인, 시스템.
제124항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한 전자빔 검사 서브시스템으로서 구성되는, 시스템.
제124항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한 전자빔 검사 서브시스템으로서 구성되고, 상기 전자빔 검사 서브시스템은 다중 모드에서 상기 웨이퍼의 이미지를 수집하는, 시스템.
제124항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한 전자빔 리뷰 서브시스템으로서 구성되는, 시스템.
제124항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한 전자빔 리뷰 서브시스템으로서 구성되고, 상기 전자빔 리뷰 서브시스템은 다중 모드에서 상기 웨이퍼의 이미지를 수집하는, 시스템.
제124항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은, 상기 웨이퍼로부터 반사광을 검출하도록 구성된 촬상 검출기를 포함하며, 상기 촬상 검출기는 상기 촬상 검출기에 의해 검출된 반사광에 응답하는 이미지를 생성하도록 구성되는, 시스템.
제124항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한 명시야 검사 서브시스템으로서 구성되는, 시스템.
제124항에 있어서, 상기 제1 채널에 의해 획득되는 타깃 후보의 이미지는 광학 이미지를 포함하고, 상기 컴퓨터 시스템은 또한, 상기 웨이퍼의 광학 이미지에 알려진 관심 결함의 주사 현미경 이미지를 상관시킴으로써 상기 잠재적인 관심 결함 위치를 식별하도록 구성되는, 시스템.
제124항에 있어서, 상기 웨이퍼 상의 알려진 관심 결함의 위치는 상기 웨이퍼의 광학 이미지에 기초하여 얻어지는, 시스템.
제124항에 있어서, 광학 패치 이미지가 타깃에 대한 템플릿으로서 사용되는, 시스템
제124항에 있어서, 광학 패치 이미지가 타깃 후보를 검색하는데 사용되는, 시스템
제124항에 있어서, 상기 컴퓨터 시스템은 또한, 타깃 후보의 검색 결과에 기초하여 상기 웨이퍼에 대한 보호 영역의 하나 이상의 파라미터를 결정하도록 구성되는, 시스템.
제124항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한, 상기 검사 서브시스템의 명시야 모드를 이용하여 상기 타깃 후보를 검색하도록 구성되는, 시스템.
제124항에 있어서, 상기 컴퓨터 시스템은 또한, 상기 타깃 후보를 검색함으로써 식별된 타깃 후보의 위치에 기초하여 마이크로 보호 영역을 정의하도록 구성되는, 시스템.
제124항에 있어서, 상기 검사 서브시스템은 또한, 별개의 그리고 동시의 명시야 및 암시야 수집을 위해 구성되는, 시스템.