JP5107506B2 - 欠陥分析器 - Google Patents
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Description
本発明は、一般的には、微細加工方法に関するが、より詳細には、本発明は欠陥分析システムに関する。
トラブルショットを行い、調整し、微細加工方法を改善するために、技術者は微細加工中の欠陥や他の不良を分析する必要がある。例えば、欠陥分析は設計検証診断や製品診断や微細回路研究開発の他のアスペクトを含む半導体製造の全てのアスペクトにおいて有用である。デバイスジオメトリが引き続き小さくなり新たな材料が導入されるので、今日の半導体の構造上の複雑さは指数関数的に増大する。これらの新規な材料によって創り出された多くの構造は、以前に形成された層を貫通するような凹部を形成する。このように、欠陥とデバイス不良の構造的な原因は、度々、表面の下に隠されている。
従って、必要なのは、改良された欠陥分析方法とそのシステムである。
本発明は、半導体ウェファのようなオブジェクト内の欠陥を分析する方法とデバイスとシステムを提供する。ある実施の形態において、それは半導体製造施設内での製造中に半導体ウェファの欠陥を特性評価(キャラクタライズ)する方法を提供する。その方法は部分的に又は完全に自動化されており、プロセス技術者に早急のフィードバックを提供してトラブルシュートを行わせる又はプロセスを改善するために、ウェファ製造施設内で行うことが可能である。
A概観
本発明は、半導体ウェファ上に製造された集積回路又は他の構造のようなアイテム内の微細な欠陥を部分的に若しくは完全に位置決めして特性評価(キャラクタライゼーション)することを提供する。欠陥の自動的な特性評価(キャラクタライゼーション)は、頂面画像を形成し、一又はそれ以上の断面をミリングし、その一又はそれ以上の断面の画像を形成し、X線分光器分析(例えば、エネルギー分散型分光、以下「EDS」とする)を行って表面上若しくは断面内に存在する材料のタイプを決定し、欠陥の特性評価(キャラクタライゼーション)データを格納する各工程を有する。部分的若しくは完全に自動化されることによって、本発明はプロセスエンジニアに対して迅速なフィードバックを提供することができる。本発明の各実施の形態は、研究機関において行われる労働集約的な時間の掛かる方法からトラブルシューティング又は製造改善のためにプロセスエンジニアに対してタイムリーにフィードバックを提供する製造方法へと欠陥分析方法を変化させる。
図1Aに関連して、一つの実施の形態において、欠陥分析システム105は、ネットワーク100を介して各リモートインタフェースコンピュータ103に接続されたものが図示されている。欠陥分析システム105は、一般に複式ビーム欠陥分析器109とデータベースシステム111に操作可能に接続され(又はそれらと一体になった)欠陥分析器コンピュータ(以下「DAコンピュータ」という)107を有する。DAコンピュータ107と複式ビームシステム109は、欠陥分析と特性評価(キャラクタライゼーション)を実現するためのソフトウェア108を用いる。
図2は欠陥分析アプリケーションの一つの実施の形態を実行するためのスクリーンインタフェースを図示する。この実施の形態において、欠陥分析器アプリケーション113は、ジョブビルダーアプリケーション115とシーケンサーアプリケーション116と欠陥エクスプローラアプリケーション117と共に、FEIカンパニー社製のxP(商標)ベースの複式ビームシステムに組み込まれている。この欠陥分析器アプリケーション113は、そのシステムソフトウェアの一つの機能部分であり、イメージ部分205とサイトステータス部分215とツール部分225とナビゲーション部分235と専用欠陥分析器部分245による複数に分割されたディスプレイを提供する。これらの部分のそれぞれの目的と動作を以下に詳細に説明する。ツール部分225と専用欠陥分析器部分245から、利用者はジョブインタフェース又はシーケンサーインタフェース若しくは欠陥エクスプローラインタフェースを表示することができる。(表示された図においては、ジョブビルダー/レシピビルダー画面が表示されている。)一つの実施の形態においては、特定のジョブタイプのためのシステムを構築するための自動調整セットアップページも利用者に対して利用可能にする。欠陥エクスプローラ又はシーケンサー若しくはジョブビルダー若しくはツールコンポーネントのいずれかを呼び出すために、利用者は欠陥分析器アプリケーション113をオープンして図2に示されたものと同様のスクリーンインタフェースを介して所望のモジュールにアクセスする。これらのモジュール(例えば欠陥エクスプローラ)の全て又は一部が、別途又は個別に、スタンドアローンインタフェース及び/又は異なるコンピュータデバイスにおいてアクセス可能になるようにしてもよい。
ジョブビルダーアプリケーション115は、利用者が欠陥サイトを分析するための「各ジョブ」を構築することを可能にする。このことは又利用者が各ジョブを編集し、(例えば自動調整セットアップアプリケーションが提供されていない場合には)サイトを構築し、そして、サイトにプロセスを割り当てることを可能にする。各ジョブは、特定の欠陥サイトで実行されるべきワークを定義する一又はそれ以上のレシピからなる。3つの基本的なジョブ構造が存在する。すなわち、(1)各サイトにおける同じサイトシーケンスと、(2)異なるサイトにおける異なるサイトシーケンスと、(3)同じプロセスを有する一群のサイトである。このようなワークは、例えば、基点(フィデューシャル)によってそのサイトをマークすること、又は、断面をミリングすること、若しくは、一つの画像又は組み合わせをセーブすることを具備していてもよい。各レシピとツール(予め定義されたシステムレシピ/ツールと利用者が定義したレシピ/ツールを含む)を配列して定義することによって、利用者はジョブを構築する。各ツールはツールコンポーネント118に由来し、シーケンサーアプリケーション116によって初期化されたり及び/又は実行されるソフトウェア命令と関連付け(例えば、対応したり呼び出したり)される。シーケンサーはジョブビルダーによって生成された各ジョブを実行する。このことには、分析情報を書き込むこととデータベースシステム111に記憶され管理された欠陥分析ファイルデータベースに及び/又はそこから記憶された画像を転送することも含まれている。ジョブビルダーは、又、一つの実施の形態においては、各ジョブや各レシピによって使用され、そして、それらのために生成されたデータを管理するためのスタンドアローンのプロダクトマネージャモジュールを具備する。
シーケンサーは、指定されたサイトのジョブで定義された、例えば、指定されたサイト/タスクシーケンスに従って、アクションとツールタスクを実行する。本質的に、それは各サイトとそれらに対して実行しているツールの間の調整と通信を提供する。欠陥分析器内のシーケンサーは、次のような動作の組み合わせをサポートすることができる。すなわち、(1)指定された複数サイトでのジョブを実行することができることと、(2)異なるウェファにおいて同じサイトリストとサイトシーケンスを実行することができることと、(3)たとえ複数のジョブが実行された場合でもデータをウェファと各サイトに対して関連付けを続行することができることと、(4)カセット内で各ウェファに対して異なるジョブを順次実行するができることと、(5)異なるサイトにおいて異なるサイトシーケンスを実行することができることである。加えて、いくつかのシステムに関して、欠陥ファイルは、手動で濾過されることもあり、若しくは、欠陥ファイルによって指定された全てのサイトが加工されることもある。
図5に関連して、欠陥エクスプローラは、記憶された画像を検討することや改定された欠陥ファイルを検討することや処理するために物理的に欠陥サイトに再び訪れるためそして自動欠陥転移検証のためのタグを設定することを含む異なる利用の場合において利用者が各種のタスクを行うことを可能にする。それは又データと欠陥の画像を検討するために、データベースシステム111に対するユーザーインタフェースを提供する。それは、利用者/検査員がデータベースシステムをナビゲートするのに役立ち、それによって使い勝手のよい検討を容易にすると共に関連するサイトのデータのフィルタと、例えば、収量管理システムへのエクスポートも容易にする。加えて、欠陥分析器によって行われたジョブの結果を検討するためのツールとしても役立つ。
いくつかのツールコンポーネントを説明する。ツールコンポーネントは、特定のツールを制御するための適切なユーザーインタフェースを利用者に提供するソフトウェアからなる。それらはツールに割り当てられた機能を実行するために関連するハードウェア(例えば、電子ビーム、イオンビーム、ステージ、ガス噴射プローブ)を制御するためのコードオブジェクトコールを含んでいる。
ある実施の形態において、電子ビームとイオンビームは同じ垂直面内にあるが一方のビームはほぼ直立しているが他方のビームは傾斜しているので、2つのビームが交差する点が存在する。ステージを昇降してこの交差点がウェファ表面にくるようにすることによって、2つのビームは合致することが可能となる。ウェファは大抵歪んでおり厚みもバラバラであるので、ステージがX又はY方向に移動されたときにはウェファの頂面はビームの光学カラムから異なる高さとなり、ビームはもはや合致するものではなくなる。好適な実施の形態において、容量性のセンサのようなセンサがステージからイオン又は電子ビームカラムまでの距離を測り、両ビームが合致するようにステージを昇降して一定の差を維持する。
図8Aはコンピュータ支援調整ツールが選択されたときに現れるスクリーンインタフェースの一例を示し、図8Bはそのコマンドとフィールドの説明の表である。コンピュータ支援調整ツールは、ステージを移動するか又はビームをシフトすることによって、基点がミリングされた後で問題の領域を再調整する。この問題の領域は、大抵、適切な倍率である視野の中心に調整される。校正目的のために、画像の中心と基点の中心の間のずれを測定するために、追加オプションが利用されることもありうる。
図9Aは、断面ツールスクリーンインタフェースを図示しており、図9Bはそのコマンドとフィールドの説明の表である。各グループに対する共通の制御がまず列挙され、次いで、特定のグループに対して固有の制御が列挙される。基点ツールによって設定された視野を使って、金属堆積やバルクミリングや断面クリーニングを含む各種の処理に対して完全な断面を生成するために、断面ツールが複式ビーム装置を制御する。このツ−ルの一つの特徴は、それが関連タスクパラメータに基づいて適切なビームセッティングを自動的に決定することである。堆積及び断面パターンに関する図示の実施の形態においては、X軸寸法とY軸寸法が視野のパーセンテージとして利用者によって指定され、深さがミクロンで指定される。バルクミリングのためには、その幅が視野のパーセンテージとして利用者によって指定され,高さと深さ(Y軸とZ軸)は欠陥分析システムによって計算される。
欠陥が最初に位置決めされた後で、一又はそれ以上の基準マークを提供してその欠陥が以後の処理のために容易に再び見つけることができるようにすると有効である。欠陥マークすなわち基点は好適には欠陥が最初に位置決めされた後にイオンビームを用いてミリングされる。本発明の一つの側面において、欠陥特定情報を含む基点が実現される。例えば、この基点は欠陥のサイズによって変わるサイズで作られる。すなわち、大きな欠陥は大きな基点によってマークされる。加えて、画像認識ソフトウェアによって容易に認識されうる形状で作られると共に、周囲の特徴から目立つように変更することもできる。以後の検査時に基点の向きが決定されるように、基点は、好適には、回転対称ではない。実際には、基点の形状はイオンビームによってミリングされるべきである。より正確な向きで調整が望まれる場合には、複数の基点がミリングされる。
図11Aは、再調整ツールのスクリーンインタフェースの一実施の形態を図示しており、図11Bはそのコマンドとフィールドの説明の表である。再調整ツールは単数又は複数の基点がミリングされた後で、問題の領域の中心を再び位置決めする。このツールはビーム合致を確定し、視野内の欠陥の中心を位置決めするために使用される。利用者はいかなるパターンツールにも先立って再調整ツールを実行することができ、確実に各パターンが基点(単数又は複数)に対して正確に配置されるようにする。アパーチャが変わったとき、又は、基点マークがドリフトされたと信じられるとき、例えば、GISニードルが抜き差しされているときはいつでも、再調整ツールはステージを動かしながら電子ビームを再調整すると共に、ビームシフトしながらイオンビームを再調整することができる場合がある。
EDSツールは利用者に手動(又は自動で)EDSスペクトラムを集めてそのスペクトラムをカレントサイトと関連付けし、それをデータベースに加える方法を提供する。(これは中断ツールの拡張である。)実行モード中、EDSツールダイアログボックスは、自動化された処理を続行する前に、EDSスペクトラムを集めるために利用者に特定の情報を提供する。EDSツールは、大抵材料が知られていない場合の欠陥をキャラクタライズするために使用される。ある実装例においては、デホルトのディレクトリがEDSソフトウェアからの各画面を保存するように構成されている。そして、EDSツールはそのディレクトリからスペクトラム画像を取り込んで、それらをデータベースに入れる。
図13Aは「システム設定始動」(Get System Setting)ツールのスクリーンインタフェースを図示し、図13Bはこのコマンドとフィールドの説明を列挙した表である。このシステム設定始動ツールは利用者にシステム設定の断片(snapshot)を保存させる。設定セット(Set Setting)ツールは、既に定義された設定をリストアさせるために使用される。このツールは、システム設定の断片(snapshot)を定義してリストアするために設定セットツールと共同で使用されることもある。これらのツールは、他のツール若しくは設定の手動による変更のような、システム設定の変更が起こりそうないかなるイベントの前後においても使用されうる。
図13Cは「画像取り込み」(Grab Image)ツールのスクリーンインタフェースの一実施の形態を図示し、図13Dはこのコマンドとフィールドの説明を列挙した表である。画像取り込みツールは画像を集めて保存するために用いられる。このツールは適正なシステム設定をセットし、画像を取り込み、それを保存する。この画像は、標準的な名前を付された従来のファイルネームと共に、予め定義されたホルダ内に保存される。
最短の移動軸を使用してダイ移動ツールはウェファ中心に近接する一つのダイを移動する。このツールは、例えば、システム設定始動ツールや設定セットツールと共同して使用されて、隣接するダイに移動しそのサイトで処理を行って、前の位置に戻る。
図14Aは「パターン化」(Pattern)ツールのスクリーンインタフェースの一実施の形態を図示し、図14Bはパターン化ツールのコマンド/フィールドを説明と共に列挙した表である。パターン化ツールは、断面パターンのような、ツール範囲外のパターンを生成する。それはミリング又は材料堆積若しくはエチングのために使用されうる。
図15Aはセットアップ段階の「停止」(Pause)ツールのスクリーンインタフェースを図示し、図15Bはそのコマンド/フィールドオプションとそれに関連する説明の表である。図15Cは、実行段階の「停止」(Pause)ツールのスクリーンを図示し、図15Dはそのコマンド/フィールドオプションとそれに関連する説明の表である。停止ツールは利用者が手動で欠陥分析器のユーザーインタフェースの範囲外でアクションを指定させる。レシピが自動化されていたとしても、利用者は停止ツールを使用して、オペレータの干渉を可能にすることができる。利用者は停止ツールのメッセージエリアにテキストを加えておき、自動化された処理を続行する前にあるアクションを行うジョブをその利用者が実行するようにすることもできる。利用者は、所望に応じて多くの停止ダイアログボックスを定義することが可能である。ジョブ実行中、ダイアログボックス(図15C)はセットアップ中に利用者(管理者である利用者)によって定義されたメッセージを表示する。停止ツールに対するオペレータである利用者のアクションは制限されて停止を却下してシーケンスを続行するか若しくはそのサイトの試行を停止する。
図16は、設定セット(Set Setting)ツールのスクリーンインタフェースの一実施の形態を図示している。設定セットツールはシステム設定始動ツールによって予め定義されたシステム設定の断片(snapshot)をリストアする。設定セットツールのスクリーンインタフェースは、リストアされるべき一組のシステム設定を示す設定始動識別子(Get Setting Identifier)を有する。
図17Aは「スライスアンドビュー」(Slice and View)ツールのスクリーンインタフェースの一実施の形態を図示し、図17Bはそのコマンド/フィールドオプションを関連する説明と共に列挙した表である。スライスアンドビューツールはミリングアンド撮像ツールの高度のものである。それは小さなボックスパターンをミリングし画像を収集して、選択された領域上でその工程を繰り返して表面構造についての3次元情報を集める。このツールは、断面化及び3次元による特徴構造の位置決め及び再構築化、更に、埋設された特徴構造物の調査のために用いられることもある。
図18Aは「自動スクリプト」(Auto Script)ツールのスクリーンインタフェースの一実施の形態を図示し、図18Bはそのコマンド/フィールドオプションを関連する説明と共に列挙した表である。自動スクリプトツールは、新しく固有のツールの迅速且つ簡単な開発のための一般的なスクリプト/プロトタイプツールを提供する。それは、利用者がスクリプトとログファイルを指定することができるようにすることによって、欠陥分析器システムの多くの機能を自動化するためにも使用されうる。例えば、このツールを使用することによって、利用者がスクリプトを書いてミリングやスキャンニングや画像認識やステージ移動やイオンビーム電流やガス噴入や他の多くの機能を制御することができる。
図19Aは「システム設定」(System Setting)ツールのスクリーンインタフェースの一実施の形態を図示し、図19Bはそのコマンド/フィールドオプションを関連する説明と共に列挙した表である。システム設定ツールは、レシピの特定のポイントで利用者にシステム設定を指定させる。このツールは他のいかなるツールを実行するのにも先だってシステムをセットアップするために使用される。
このツールは「スライスアンドビュー」ツールとEDSツールの組み合わせに類似するものである。それは欠陥の元素成分に関する3次元情報を提供する。3つのビームが合致したサイトにおいて、埋設された特徴構造はイオンビームによって繰り返し断面化され新しい表面を露出する。各断面がカットされた後で、電子ビームが用いられて露出された表面からEDS元素データを収集する。このデータが集められて埋設された特徴構造についての3次元成分情報を提供する。断面サイズとビーム条件とEDS収集パラメータは欠陥のサイズと形状に基づいて自動的に設定される。
図20乃至図23に関連して、特性評価と推奨を装備した自動欠陥再配置(ADR)ツールの一実施の形態が説明される。ADRツールは欠陥ファイルにおいて報告されたその位置に基づいて欠陥を位置決めすると共に点検する。そして、それはシステムパラメータを更新して、他のツールが以後の操作のためにより効率的に且つより正確にその欠陥を位置決めできるようにする。例えば、それは視野(FOV)の設定可能なパーセンテージ内で欠陥の中心を再び合わせることができるが、他の自動化された再配置や処理ジョブを行うことを可能にする。
図20AはADRツールのスクリーンインタフェースの一実施の形態を図示する。簡単には、図示されたADRツールは、(欠陥を有するダイに隣接するダイの)基準となる画像と欠陥の画像とを集め、それらの画像を比較して欠陥を特定(又は分離)し、例えば、終了する前にその画像の限定可能なパーセンテージ内でその検出された欠陥を中心にくるように調節する。
欠陥が位置決めされた後で、それは自動的に特性評価(キャラクタライズ)される。特性評価(キャラクタライゼーション)は、イオンビームを使用することによって欠陥表面の「上から下への(top−down)」画像を形成することも含んでいる。電子ビームは表面画像を形成するためにも使用されることがあるが、しかし、電子ビームは大抵表面に対してある角度で配向しており、画像はソフトウェアで修正されない限り歪んでいる。特性評価(キャラクタライゼーション)は、画像処理してデホルトのアウトラインと中心を決めることも含んでいる。ある実施の形態においては、欠陥を特性評価してその欠陥をどのようにして断面取りするかを決めるときに、欠陥のアウトラインが一工程として特性評価(キャラクタライズ)される。ある種の実施の形態においては、アウトラインは、それを膨らませて以後の計算を過度に複雑にするようなエッジ効果とエッジ形状を取り除くことによって単純化される。それとは別に、欠陥は単純にボックスにより取り囲まれてアウトラインを決めることもある。他の実施の形態においては、実際の欠陥アウトラインが使用されることもある。アウトラインデータは欠陥のサイズや位置や形状や向きやアスペクト比などを含む情報を提供するために用いられる。
標準的なセットの試験構造物がウェファにミリングされて、ADR実装の再配置精度を試験する。ADR構成部分が修正されたときには、このウェファは自動的に戻されて再配置精度の基本的な基準値を提供する。更に、画像ライブラリも構成されることがある。試験のためのリソースを提供するために、利用者は典型的な最悪ケースの画像のライブラリを作ることもできる。
欠陥分析システムに一般的に関連した異なる利用ケースが以下に説明されるが、ここではADR実証利用ケースがADRの一機能として説明される。欠陥エクスプローラの興味のある一使用例は、自動欠陥再配置(ADR)の実証である。(ADRは以下に説明する。)ADR実証は、一般的に、自動欠陥再配置操作を行うことと、欠陥エクスプローラを用いてその結果を検討することと、適切にADR機能を調節することからなる。このことには、引き続いて、欠陥のデータを変更してミリングレシピを割り当てることもできる。
ある実施の形態において、以下の仕様がADRソフトウェア構成部分のために使用された。検出可能な欠陥の最小サイズは、9ピクセル(3×3)である。(30mmの視野において、このことは1乃至10nmの欠陥に相当する。)検出可能な欠陥の最大サイズは、通常視野領域の<35%である。信頼性に関しては、電子ビーム可視欠陥に対して80%を越える成功レートである。アウトライン精度は、欠陥ピクセルの80%以上がアウトライン化され、そして、アウトライン化されたピクセルのたった20%が欠陥ピクセルではないようにすべきである。処理時間は5秒未満とし、システムは特徴構造の存在しない背景に対する欠陥設定を特定することができるべきである。(システムは、ベアーウェファ用にも使用されるし、製造された構造物を有するウェファにも使用される。)更に、ソフトウェアは、複雑な(ベクトル若しくはそれと均等な表現)欠陥アウトラインを返すこともできる。重心や囲繞ボックスや回転配向性を返すオプションも可能である。ソフトウェアは、又、アウトライン化された欠陥の信頼性レベルを報告することもできる。このことは、欠陥ピクセルと基準画像の対応するピクセルの間のコントラストの差異の質的な指標を提供する。例えば、ソフトウェアは全ての位置決めされた欠陥のアウトラインデータ及び信頼性データを少なくとも9ピクセルの大きさで返すことができる。更に、制限されたサーチ領域も定義可能である。例えば、欠陥の画像のエッジの25ピクセルで欠陥のためのサーチしないことは有利である。任意の角度で構造物を回転することもサポートされるべきである。それらの画像にとって、視野はアレイの単位セルの長軸の少なくとも3倍にすることができる。
ある実施の形態において、ADRが実際の欠陥ウェファの欠陥を位置決めするのに使用される前に、新たな製品がシステム内に導入された場合には多くのウェファ固有の校正がトレーニングされることを一般的に必要とする。トレーニングモジュールは、利用者がシステムにどのようにウェファを調整するか、すなわち、どのようにして調整ポイントにドライブして画像を取り出し、パターンの起源を認識発見することを教授することを可能にする。トレーニングモジュールは、又、2つのビームが合致するステージ高さを(容量プローブの電圧出力から)判定すると共に、電圧対高さ曲線を校正して容量センサの電圧出力がワークピースの頂面とイオンビーム又は電子ビームの間の距離の変化に対して適応するために使用されるようにする。
図24は、欠陥分析方法の一実施の形態を図示している。ワークフロー手順は、3つの基本的な層を有する。ジョブセットアップ層2400とサイトセットアップ層2430とサイトプロセス層2450である。ジョブセットアップ層において、利用者は(欠陥ファイルを指定するような)パラメータを定義し、所望のジョブを行うために必要なレシピを作成する。サイトセットアップ層2430においては、ウェファが搭載されて調整され、そして、欠陥が特定されて基点でマークされ、欠陥分析器システムがサイトプロセス層で自動的に欠陥を位置決めしてビームを調整する。サイトプロセス層2450において、システムはジョブ内で各欠陥に向かってドライブし、プロセスレシピを実行する。この層は、ある種の実施の形態において他の層の一部又はその全てと共に、自動化されている。
ここから、システムは工程2442に移行してセットアップレシピが存在しているか否かを判定する。存在するのであれば、工程2444においてセットアップレシピが既に実行されているか否かを判定する。しかし、セットアップレシピが存在しないのであれば、直接にサイトプロセスセクション2450に移行して工程2452においてそのレシピ(プロセス)を実行する。
本発明の欠陥分析システムは前記プロセスの全て又はその一部を組み込んだ様々な方法において使用されうる。このシステムを使用する多くの方法が存在するが3つの利用ケースの例が提示される。(一つの利用ケースは単純に欠陥分析システムのパーツの全て又はそれらの組み合わせが使用される方法である。例えば、上記のADR実証プロセスは利用ケースである。)ここで説明される3つの基本的な利用ケースは、検討と分析と検討/分析である。
欠陥分析器システムの各実施の形態は、欠陥検討機能と3次元分析機能の双方を提供することができる。手動計測のために半自動式で使用されることもある完全に自動化された欠陥分析ツールである。X線分析は欠陥分析ツールの一機能である。それは銅デュアルダマシン(copper dual damascene)や化学機械研磨や高アスペクト比を含む0.13μm以下の処理マーケットのための高品質欠陥分類データを配信する。
Claims (8)
- 半導体製造施設内での製造中に半導体ウェファの欠陥を特性評価する方法であって、
(a)前記半導体ウェファを検査して複数の欠陥の位置を決める工程と、
(b)位置決めされた前記複数の欠陥に対応する各位置を欠陥ファイルに格納する工程と、
(c)複式荷電粒子ビームシステムを、前記欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートする工程と、
(d)前記欠陥を自動的に特定し、その欠陥の荷電粒子ビーム画像を得る工程と、
(e)該荷電粒子ビーム画像を分析して、前記欠陥を特性評価する工程と、
(f)前記欠陥の更なる分析のためのレシピを決定する工程と、
(g)該レシピを自動的に実行して、前記複式荷電粒子ビームシステムを用いて、欠陥部分をカットするが、そのカット部分が前記荷電粒子ビーム画像の分析に基づくものである工程と、
(h)荷電粒子ビームカットによって露呈された面を撮像して前記欠陥についての別の情報を得る工程とからなる方法。 - 更に、自動的にレシピを実行する前記工程(g)の前に前記複式荷電粒子ビームシステムの荷電粒子ビーム画像の分析結果に関連して荷電粒子ビームパラメータを自動的に調節する工程(i)を有することを特徴とする前記請求項1に記載の方法。
- 前記荷電粒子ビーム画像を分析して、その欠陥を特性評価する前記工程(e)が、その欠陥のアウトライン又はその欠陥の中心若しくはその欠陥のアウトラインと中心の双方を自動的に決定することを含んでいることを特徴とする前記請求項1に記載の方法。
- 前記欠陥を自動的に特定し、その欠陥の荷電粒子ビーム画像を得る前記工程(d)が、その欠陥の近傍の前記半導体ウェファ内に基点をカットすることを含んでいることを特徴とする前記請求項1に記載の方法。
- レシピを自動的に実行する前記工程(g)が、前記基点の位置決めをし、電子ビームとイオンビームから成る前記複式荷電粒子ビームシステムの前記基点のイオンビーム画像と電子ビーム画像の重ね合わせによって前記電子ビームと前記イオンビームを調整し、前記基点からの既知の変位によってその欠陥の位置を見つけることを含んでいることを特徴とする前記請求項4に記載の方法。
- 前記半導体ウェファを検査して複数の欠陥の位置を決める前記工程(a)が、複数の半導体ウェファを検査することを含み、
位置決めされた前記複数の欠陥に対応する各位置を欠陥ファイルに格納する前記工程(b)が前記複数の半導体ウェファのそれぞれの複数の欠陥に対応する個々の前記半導体ウェファの各位置を前記欠陥ファイル内に格納することを含み、
前記欠陥を自動的に特定し、その欠陥の荷電粒子ビーム画像を得る前記工程(d)が前記複数の半導体ウェファのそれぞれの複数の欠陥を自動的に特定して前記複式荷電粒子ビームシステムを用いて前記複数の半導体ウェファのそれぞれの複数の欠陥を撮像することを含み、
前記複数の欠陥の更なる分析のためのレシピを決定する前記工程(f)が前記複数の半導体ウェファのそれぞれの複数の欠陥を分析するための複数のレシピを決定することを含み、そして、
レシピを自動的に実行する前記工程(g)が、前記複数の欠陥を前記各半導体ウェファ上で再配置し、前記複数のレシピを前記各半導体ウェファ上で実行することを含んでいることを特徴とする前記請求項1に記載の方法。 - 前記荷電粒子ビームパラメータを自動的に調節する前記工程(i)の前記複式荷電粒子ビームシステムの前記荷電粒子ビーム画像の分析結果が、EDS又は同様の分析技術を用いた最適元素分析で前記欠陥を分析するための前記欠陥のサイズと形状を含んでいることを特徴とする前記請求項2に記載の方法。
- 前記欠陥を自動的に特定し、その欠陥の荷電粒子ビーム画像を得る前記工程(d)が、前記欠陥を含んでいると判断された領域の荷電粒子ビーム画像を得ることと、基準ダイの欠陥を含んでいない対応する領域の荷電粒子ビーム画像を得ることと、それらの画像を比較してその欠陥を特定することを含んでいることを特徴とする前記請求項1に記載の方法。
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