TW201351346A - 用於自動化檢查半導體器件之配方產生之方法，電腦系統及裝置 - Google Patents

用於自動化檢查半導體器件之配方產生之方法，電腦系統及裝置 Download PDF

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Abstract

本發明揭示一種用於半導體器件之自動化檢查之檢查配方產生之方法、電腦系統及裝置。為產生該檢查配方，使用一參考資料集。藉助一初始配方對該參考資料集(參考晶圓圖)之晶粒之影像實施自動檢查。將來自該自動檢查之所偵測檢查結果分類且比較該等經分類之檢查結果與晶粒中之缺陷之一專家分類。自動產生誤宰及誤放數目。根據該等誤宰及誤放數目來修改檢查配方參數。若該偵測及/或該分類低於一預定義臨限值，則重複自動檢查。

Description

用於自動化檢查半導體器件之配方產生之方法，電腦系統及裝置 相關申請案之交叉參考
本專利申請案主張2012年3月19日提出申請之第61/612,507號美國臨時專利申請案之優先權，該申請案以引用方式併入本文中。
本發明係關於一種用於半導體器件之自動化檢查之配方產生之方法。
本發明亦係關於用於檢查之電腦系統。
本發明亦係關於一種用於檢查之裝置。
韓國專利申請案KR 20010037026A揭示一種用於在一晶圓檢查程序中確立一配方參數之方法。該方法用於縮短確立一配方參數所花費之時間且減少由一操作員之經驗所導致之精確度變化，因此將一檢查裝置之配方參數儲存於一程式庫中以使得在檢查經歷相同程序之晶圓時使用該配方參數。光學或電配方參數根據待檢查之晶圓之特性而變化。該等參數儲存於一程式庫中。輸入在檢查中之晶圓之特性。自該程式庫讀出且自動確立對應於在檢查中之晶圓之所輸入特性之配方參數。
專利US-6,959,251 B2闡述用於高效地建立用於在半導體晶圓上 操作之檢查、度量及復審系統之技術。具體而言，此涉及建立允許每一系統準確地檢查半導體晶圓之配方。自此等工具收集有關資訊且以減少完成一配方所需之時間之一方式將該資訊呈現給使用者。
國際專利申請案WO 2009/148876 A1闡述用於產生待用於選擇一偵測演算法之參數之值之資訊之一方法及一系統。在不具有使用者幹預之情形下，使用一檢查系統來執行對一晶圓之一區之一掃描。該方法亦包含基於待用於選擇偵測演算法之參數之值的總缺陷之一預定最大數目而自掃描之結果選擇缺陷之一部分。該方法進一步包含儲存資訊，此可用於選擇待用於檢查配方之偵測演算法之參數之值而不在繼掃描之後執行對晶圓之一額外掃描。
在US 2009/290782 A1中揭示用於確立一晶圓測試配方之一方法及一系統。一攝影機獲取來自一所生產晶圓之若干個晶粒之影像。一軟體使用影像之至少部分且構成待用作一典型晶粒影像之測試參考之一參考影像。基於參考影像，將一晶粒圖案之單個及/或可重複元件定義為一「所關注區域」。針對所關注區域中之每一者或類似所關注區域之一群組判定一偵測策略且判定將由偵測策略中之每一者使用之演算法。判定偵測策略之演算法中之每一者之參數。藉由定義可在一批特定晶圓之檢查期間使用的一組特定名稱之缺陷類別而判定報告策略。藉由整合以下各項來形成一「晶圓測試配方」：一典型晶粒影像之測試參考、經定義所關注區域、經判定偵測策略、經判定偵測策略之演算法之參數、經判定報告策略及經判定檢查策略。
根據先前技術(一方法或系統)，對一個晶圓執行初始配方。使用者離線獲得結果且藉由復審個別晶粒影像/結果來判斷配方之效能。某些良好晶粒被拒斥，此係誤宰(overkill)，且某些壞晶粒被接受，此係誤放(underkill)。調整之目的係最小化誤宰及誤放兩者。使用者據其所知修改檢查配方之一或多個參數且保存配方之新版本並重新檢查 整個晶圓。再次逐個復審新產生之結果，且若結果仍不令人滿意則再次修改配方。多次重複此序列直至誤宰/誤放結果在規格內。
舊式方法存在多個缺點，即每一調整反覆花費一長時間，不得不重新檢查完整晶圓，且不得不個別晶粒/缺陷層級復審結果。不得不在另一版本之配方中保存配方改變。使用者負責此配方管理。
另外，不存在對檢查結果之良好回饋。使用者不得不記住用於復審之所關注晶粒，此乃因配方開發係一人工動作且結果復審將限於可由使用者管理之一組晶粒。不存在可用參考且使用者不得不記住所關注晶粒之預期結果。一次可僅在1個晶圓之晶粒上完成調整。通常想要在多個晶圓/晶圓批次之晶粒上調整。針對一個晶圓之配方改良未必意指此亦係針對其他晶圓之一配方改良。
由於有限回饋且不易於判斷配方改變之影響而需要諸多反覆以便達成一經調整配方。此使得反覆之數目頗大，從而增加達成一良好配方之時間。
本發明之一目標係提供一種用於半導體器件之自動化檢查之配方產生之方法，其中配方產生花費較少時間且提供對藉助該配方取得之檢查結果之回饋。
該目標係藉由用於半導體器件之自動化檢查之檢查配方產生之一方法而達成，該方法包括以下步驟：˙使用一參考資料集來進行檢查配方產生；˙藉助一初始配方對該參考資料集之晶粒之影像運行自動檢查；˙將來自該自動檢查之所偵測檢查結果分類且比較該等經分類之檢查結果與晶粒中之缺陷之一專家分類；˙自動產生誤宰及誤放數目；及 ˙若該偵測及/或該分類低於一預定義臨限值，則修改檢查配方參數且重複該自動檢查。
本發明之又一目標係提供一種用於半導體器件之自動化檢查之配方產生之電腦系統，其中配方產生花費較少時間且提供對藉助該配方取得之檢查結果之回饋。
該目標係藉由用於半導體器件之自動化檢查之檢查配方產生之一電腦系統而達成，其中該電腦系統包括：˙一電腦，其用於使用一參考資料集來進行檢查配方產生且藉助一初始配方對該參考資料集之晶粒之影像運行一自動檢查；˙一對話框，其具有：一第一視窗，其展示至少該參考資料；一第二視窗，其展示至少測試資料；一第三視窗，其展示一調整圖；及一第四視窗，其展示一分類表，該分類表關於誤宰及誤放數目達成該等經分類之檢查結果與晶粒中之缺陷之一專家分類之間的一比較；˙誤宰及誤放數目之一自動產生及顯示；及˙若該偵測及/或該分類低於一預定義臨限值，則進行檢查配方參數之一修改及該自動檢查之一重複。
本發明之又一目標係提供一種用於半導體器件之自動化檢查之配方產生之裝置，其中配方產生花費較少時間、提供對藉助該配方取得之該檢查結果之回饋且獲得可靠及耗費較少時間之檢查結果。
以上目標係藉由用於半導體器件之自動化檢查之檢查配方產生之一裝置而達成，該裝置包括：˙一檢查系統，其具有：至少一入射光照明系統；一攝影機，其經配置以接收來自該半導體器件之一表面之光，其中該光轉換成電像資料以供進一步分析；˙一電腦，其用於使用一參考資料集來進行檢查配方產生且 藉助一初始配方對該參考資料集之晶粒之影像運行一自動檢查；及˙至少一個顯示器，其細分成一第一視窗、一第二視窗、一第三視窗及一第四視窗；其中該第一視窗展示至少該參考資料，該第二視窗展示至少測試資料；該第三視窗展示一調整圖且該第四視窗展示一分類表，該分類表關於自動產生及顯示之誤宰及誤放數目達成該等經分類之檢查結果與晶粒中之缺陷之一專家分類之間的一比較。
用於半導體器件之自動化檢查之檢查配方產生之發明性方法未必需要用於一調整圖之產生之一檢查系統。一使用者可離線工作且載入一先前所儲存參考資料集來進行檢查配方產生。該參考資料組態為一調整圖或一參考圖。在將該調整圖或該參考圖上載至該電腦之前，實施現有參考圖或現有調整圖之一改善、調整及修改。另外，將一現有檢查配方儲存且上載至一電腦。在將該現有檢查配方上載至該電腦之前，實施該現有初始檢查配方之一改善、調整及修改。該方法可依據儲存於一記憶體中之檢查配方而運行且可測試及/或調整檢查參數以便修整該檢查配方。
該調整圖含有所關注晶粒，且一晶粒分類係可由使用者選擇。將來自不同半導體器件之晶粒添加至該調整圖。一分類表展示參考資料集(調整圖或參考圖)與一測試資料集之間的比較結果，其中該測試資料集係使用一檢查配方之一檢查之一結果。
在諸多情形中，在具有一電腦及一對話框(顯示器)之一檢查系統上實施發明性方法。使用者或程序工程師可經由該對話框影響並監測用於半導體器件之自動化檢查之檢查配方之產生。在此情形中，使用者不離線工作。使用者可藉助記憶體中之配方設定來重新檢查一卡盤上之半導體器件(晶圓)。當再次重新檢查時清除結果。參考晶圓圖顯示於對話框中。一先前檢查之一輸出晶圓圖通常用於規定待重新檢查之晶粒。
在使用一參考資料集(調整圖或參考圖)來進行檢查配方產生之前，實施資料集及一初始配方之產生。假使卡盤上無晶圓，則將一半導體器件(晶圓)載入至檢查系統中且實施一建立及一調整對準。然後，實施該所載入半導體器件之一自動檢查。在晶粒層級復審結果。將晶粒分類且將晶粒影像連同所有缺陷資訊一起添加至調整圖。分類係藉由系統自動完成且可在需要時由使用者否決(同等於專家分類)。若該調整圖之晶粒之一知識資料庫不足夠大，則將一新半導體器件載入至該檢查系統中。因此，實施新載入之半導體器件之自動檢查。
可於同一對話框中取得參考晶圓圖及測試晶圓圖。換言之，在顯示器(使用者介面)上並排展示參考晶圓圖及測試晶圓圖。該參考晶圓圖及該測試晶圓圖經連結以使得當在該等晶圓圖中之一者中選擇一晶粒或一分類時亦選擇另一晶圓圖中之對應晶粒。
通常，測試對話框之使用者不想重新檢查整個晶圓，而是僅想重新檢查特定晶粒或特定晶粒類別。一種可能性係重新檢查一單個晶粒。此處，最後檢查結果用作參考晶圓圖。使用者可僅僅藉由在參考晶圓圖中之晶粒上點擊而復審結果，且在使用者起始檢查程序之運行之後將重新檢查選定晶粒。已經檢查之所有晶粒在測試晶圓圖中將得到「待檢查」之狀態。又一可能性係重新檢查一晶粒類別。藉由點擊顯示器上所展示之分類表中之各別類別之名稱而在參考晶圓圖中強調提示晶粒。可藉由再次在該類別上點擊而復原選擇。若不在參考晶圓圖中選擇晶粒或不在參考晶圓圖中強調提示晶粒類別，則實施一常規重新檢查。
發明性方法可用於建立、調整或最佳化用於半導體器件之自動化檢查之檢查配方。較佳地，一半導體器件係一經圖案化晶圓(包含LED或MEMS)。
本發明之一項可能實施例係在一檢查系統中載入半導體器件(晶 圓)以便形成一初始檢查配方。藉助該檢查系統實施晶圓對準之一調整、晶粒對準之一調整及一參考影像之一最佳影像集之一形成。一旦建立結束，晶圓之自動檢查即開始，其中使用檢查配方。在一適當儲存器件中保存在檢查期間擷取之影像(位元映像)。該等影像含有晶圓上之晶粒。在檢查程序期間，將至少一個晶粒成像且通常將晶圓之表面上之所有晶粒成像。
在晶粒層級復審檢查影像且由專家根據缺陷類型(例如，刮痕、微粒、磊晶缺陷等...)將晶粒分類。產生一調整圖，其中一調整圖包括檢查影像、晶粒或樣本且校正或落實每晶粒之真實缺陷分類。並非經檢查晶圓之所有晶粒皆需要添加至調整圖。一使用者僅添加具代表性之彼等晶粒。調整圖係具有通過(正確晶粒)及所有所關注缺陷類別之實例之一種知識資料庫。一調整圖可包括多個缺陷類別，或另一選擇係，可使用其中每一者僅包括一個缺陷類別之多個調整圖。該調整圖或該參考圖係載入至檢查系統之一參考資料集。使用調整圖/參考圖之一個或數個晶粒之檢查配方來實施離線檢查。
未必需要在檢查系統之電腦上實施離線檢查。一使用者或程序工程師可將調整圖/參考圖載入至一遠端電腦且實施檢查配方產生。
分析並解釋檢查結果。自動產生誤宰及誤放數目。若檢查結果係「足夠良好」且調整圖/知識資料庫係足夠大(此意指涵蓋所有通過及缺陷類型)，則用於檢查配方產生之程序結束。假使檢查結果不「足夠良好」，則修改檢查配方之參數(例如，臨限值、特徵大小等)。自動完成配方參數之修改亦係可能的。
若調整圖/知識資料庫不足夠大(此意指並非涵蓋所有通過及缺陷類型)，則將一新晶圓載入至檢查系統。在新晶圓之情形下，再次實施以下各項之整個程序：自動檢查、檢查結果之復審、將晶粒添加至調整圖、載入調整圖、分析/解釋檢查結果以及誤宰及誤放之自動產 生。若檢查結果係「足夠良好」且調整圖/知識資料庫係足夠大，則用於檢查配方產生之程序結束。
本發明之主要益處係可離線(OFFLINE)(=在不需要一檢查工具之情況下)調整(或最佳化)配方。配方之調整係基於所儲存配方及所儲存晶圓圖。調整圖(TUNE MAP)之概念在調整用於誤放/誤宰之一配方時幫助建立用作一「完美參考」之「極佳分類之晶粒」之一資料庫。可載入數個資料集作為一「參考圖」(具有經保存影像)。構建具有來自多個晶圓之資料之一參考晶圓圖係可能的。可自一或多個調整圖載入一參考晶圓圖之產生所需要之資料集。不需要首先檢查一晶圓或一半導體器件以便產生檢查結果。另一可能性係使用來自一檢查系統上之一檢查或來自調整環境中之一檢查的一結果晶圓圖。亦可不使用任何參考圖且在彼情形中將在檢查系統上實施一真實檢查而不利用經保存影像。依據所擷取影像形成並調整配方。
使用調整窗格來進行用於獲得一配方之整個調整程序。可經由調整窗格上所展示之快速鍵達到檢查及分類參數。此外，可編輯檢查及分類參數而不需要在於調整窗格中運行之前保存配方。
需要重新檢查一所載入參考晶圓圖。檢查程序將僅執行記憶體中之檢查配方。自最後一次運行得到參考晶圓圖，此乃因使用者想要重新檢查一先前檢查晶圓之影像。假使使用者離線工作，則提供載入一新參考晶圓圖之可能性。在成功載入新參考晶圓圖之後，可復審參考晶圓圖且使用者可決定待重新檢查之晶粒。
亦可使用參考晶圓圖之一程式庫。參考晶圓圖通常係具有一特定檢查配方之各別結果之圖。配方自身在一組晶粒影像上得以驗證。使用者選擇想要在其上驗證檢查配方之特定晶粒影像。此等影像係隨時間而收集且未必來自一個單個晶圓。使用者想要在其上證明檢查配方合格之影像之量可自幾個變化至數百個。形成可隨時間擴展之一調 整圖(知識庫)。
在用於半導體器件之自動化檢查之檢查配方產生之一裝置中實施本發明。該裝置具有帶有至少一入射光照明系統之一檢查系統。取決於所需應用，亦實施至少一個暗場照明系統。一攝影機經配置以接收來自半導體器件(晶圓)之一表面之光且將光轉換成電像資料以供進一步分析。檢查系統之一電腦使用一參考資料集來進行檢查配方產生及運行一自動檢查。可藉助一初始配方對該參考資料集之晶粒之影像運行該自動檢查。藉助至少一個顯示器或對話框實現人機介面。該顯示器細分成一第一視窗、一第二視窗、一第三視窗及一第四視窗。該第一視窗展示至少該參考資料(「參考晶圓圖」、「參考晶圓圖-結果影像」、「參考晶圓圖-晶圓表面缺陷列表」及「參考晶圓圖-晶圓晶粒列表」)。該第二視窗展示至少測試資料(「測試晶圓圖」、「測試晶圓圖-結果影像」、「測試晶圓圖-晶圓表面缺陷列表」及「測試晶圓圖-晶圓晶粒列表」)。該第三視窗展示具有選擇及配置晶粒之一可能性之一調整圖。該第四視窗展示一分類表，該分類表達成該等經分類之檢查結果之影像與缺陷之一專家分類之影像之間的一比較。此比較係關於自動產生及顯示之誤宰及誤放數目而完成。若偵測及/或分類低於一預定義臨限值，則一輸入器件達成檢查配方參數之一修改及重複自動檢查。該參考資料集係上載至該電腦之一所儲存參考圖或一調整圖。在上載至該電腦之前實施該參考圖或該調整圖之一改善、調整及修改。將現有檢查配方儲存且上載至該電腦。在上載至該電腦之前實施該現有初始檢查配方之一改善、調整及修改。
1‧‧‧檢查系統
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Y‧‧‧Y座標方向
Z‧‧‧Z座標方向
現在將在結合隨附繪製圖對本發明進行之以下詳細說明中更充分地闡述本發明之操作之性質及模式，該等圖中圖1展示用於半導體器件(分別為晶圓或圓盤形物件)之檢查之一 檢查系統之一示意性表示；圖2展示用於擷取半導體器件(分別為圓盤形物件或晶圓)之表面之一影像之一示意性光學建立；圖3展示用於半導體器件之自動化檢查之配方產生之方法之一流程圖；圖4展示在一使用者介面上呈現給一使用者之對話框之一示意性表示。圖5展示係調整窗格之參考區塊的使用者介面之一第一視窗；圖6展示係調整窗格之測試區塊的使用者介面之一第二視窗；圖7展示係調整窗格之調整圖區塊的使用者介面之一第三視窗；及圖8展示係調整窗格之分類表的使用者介面之一第四視窗。
貫穿各個圖，相同元件符號指代相同元件。此外，在圖中僅展示對各別圖進行說明所必需之元件符號。所展示實施例僅表示可如何實施本發明之實例。此不應視為限制本發明。
圖1之示意性表示展示用於半導體器件100(分別為晶圓或圓盤形物件)之檢查之一檢查系統1。根據此實施例，此實施例之檢查系統1具有用於半導體器件100(晶圓)之至少一個卡匣元件3。在一檢查單元5中，記錄個別半導體器件100之(分別)影像或影像資料。至少一個輸送器件9提供於用於半導體器件100之至少一個卡匣元件3與檢查單元5之間。系統1由一外殼11封圍。此外，一電腦系統15整合至檢查系統1中，檢查系統1自所量測之個別晶圓接收影像或影像資料且處理該等影像或影像資料。另外，可使用電腦系統15來設計用於半導體器件100之檢查之一配方。檢查系統1具備一介面13(顯示器、對話框)及一鍵盤14。藉助於一輸入器件14(鍵盤、滑鼠或諸如此類)，使用者可執 行用於檢查系統1之控制之資料輸入或用於改良配方形成之參數輸入，此用於檢查半導體器件以便最小化誤放及/或誤宰。在介面13上，使用者可取得關於配方設計之資訊及回饋。
圖2展示用於記錄一半導體器件100之表面100S之至少一部分之一影像的檢查系統1之一光學建立20之一示意性表示。一半導體器件100之一部分可係一個別晶粒230。半導體器件100可係一晶圓。晶圓放置於可沿X座標方向X及Y座標方向Y移動之一載物台2上。為照明半導體器件100之表面100S，提供至少一個入射光照明系統4。根據圖2中所展示之實施例，檢查系統1具備至少一個入射光照明系統4及/或至少一個暗場照明系統6。藉助偵測器或一攝影機8，來自半導體器件100之表面100S之光可轉換成電信號且用作影像資料以供進一步分析。在此處所展示之實施例中，來自入射光照明系統4之光藉由一分束器12耦合至攝影機8之一偵測光束路徑10中。以一所謂的曲折掃描記錄半導體器件100之整個表面100S。其中總是記錄半導體器件100之表面100S之部分之一條帶16。載物台2移動至在半導體器件100之表面100S上之一個別晶粒230之一X位置及一Y位置亦係可能的。個別晶粒230可經記錄且用於稍後重新檢查。
圖3展示允許防止刮痕之自動化檢查之一配方之產生且允許現有配方之改善、調整及修改之一方法之一流程圖。在使用進入點300時完成防止刮痕之一配方之產生且在使用進入點321時完成現有配方之改善、調整及修改。將在下文之段落中更詳細地概述方法之兩種版本。此方法之一關鍵要素係調整圖206T(參見圖7)，調整圖206T包括晶粒之檢查影像及可包含專家分類及自動化檢查結果之相關資訊。一旦一調整圖可用，調整圖之概念即允許對調整圖之影像資料離線運行自動化檢查，此意指不需要一檢查系統1。在使用一調整圖之檢查影像進行一自動化檢查之後，可比較檢查結果與專家分類及/或比較檢 查結果與曾保存至調整圖之一先前檢查之檢查結果。然後，可使用此等結果比較來調整或修改配方參數以便改良可藉助配方達成之檢查結果(最小化誤宰及誤放)。可將檢查影像及相關資訊添加至調整圖及自調整圖將其移除以使得調整圖可包括來自多個晶圓之資料。使用多個晶圓之晶粒影像係重要的，此乃因特定缺陷類型可僅呈現於某些晶圓上而其他缺陷類型可僅呈現於其他晶圓上。此外，調整圖允許將新缺陷類型添加至一檢查配方同時確保現有缺陷類型之效能不劣化。若(舉例而言)一新缺陷類型N添加至可已偵測到缺陷類型K、L、M之一現有配方，則該新缺陷類型可要求額外檢查方法/演算法之使用及/或可能不得不改變已使用之檢查方法之參數以便偵測該新缺陷類型N。此可導致關於已存在之缺陷類型K、L、M之檢查結果之劣化。在包括所有缺陷類型之一調整圖之情況下，關於已存在之缺陷類型之檢查結果之此劣化將係立即可見的，以使得可考量此劣化且最小化誤放/誤宰。
圖3之流程圖展示用於使用一檢查系統1進行半導體器件100之自動化檢查之配方產生之方法之一實施例。此處所展示之實施例闡述防止刮痕之檢查配方產生。在一開始300處，不存在可用於一特定類型之晶圓之現有檢查配方及調整圖(參考資料集)。在一晶圓載入及初始配方步驟302中，將一晶圓100載入至一檢查系統1、選擇一照明、產生一初始檢查配方(包括晶圓性質(例如，晶粒大小、晶粒間距等))且建立並調整晶圓對準步驟。在對準步驟期間，偵測晶圓之x-y軸且使晶圓旋轉(通常藉由使卡盤旋轉)至一預定義定向中。因此，掃描晶圓之至少一部分(獲取檢查影像)且在檢查配方之對準區塊中定義特徵以使得可在載入至系統1時針對相同類型之任何晶圓自動偵測晶圓之x-y軸。可在未經切割晶圓之情形中在晶圓層級或在經切割/經鋸割晶圓之情形中在晶圓層級及晶粒層級完成對準。在後一情形中，發現針對 一粗略晶圓層級對準之特徵及針對基於精細影像資料之晶粒層級對準之特徵。初始配方之檢查參數設定為一組預定義參數或設定為任何使用者選定值。步驟302後續接著藉助初始檢查配方運行自動檢查304。藉助一分類步驟308，由一專家將晶粒分類。將晶粒影像及所有缺陷資訊添加至一調整圖206T(參見圖7)。調整圖206T係含有通過晶粒及來自所關注缺陷類別之所有晶粒之一知識資料庫。調整圖206T可含有來自數個晶圓100之晶粒。晶粒影像之影像格式可係諸如bmp、tiff、gif之位元映像且較佳地不失真。在又一步驟310中，載入現有調整圖206T(在步驟308中所產生)作為參考晶圓圖210。在載入步驟310之後，藉由使用檢查配方來實施對參考圖210之晶粒之影像之一自動檢查步驟312。可對一單個晶粒、所有晶粒、一類別之晶粒等運行自動檢查步驟312。藉助一分析步驟314，分析並解釋檢查結果。比較檢查結果與晶粒中之缺陷之專家分類(參考圖)。檢查結果尤其包括誤宰及誤放資訊。基於此資訊，使用者在一第一決策步驟316中決定偵測及/或分類結果是否足夠良好。若決策係「是」，則方法繼續進行至一第二決策步驟318。若決策係「否」，則方法繼續進行至配方參數之一修改步驟317。經修改配方參數影響自動檢查步驟312。在第二決策步驟318中檢驗知識資料庫是否足夠大。若檢驗之結果係「是」，則方法繼續進行至一結束320。若第二決策步驟318中之決策係「否」，則實施一新晶圓100至檢查系統之載入319。實施新晶圓之自動檢查304以便提供額外晶粒影像及缺陷/分類資訊以便增加調整圖/知識庫。
圖3之流程圖亦展示一實施例321，其中假設一調整圖或一晶圓之一檢查結果係可用的，則使用者可改善、調整並修改用於半導體器件之自動化檢查之一現有檢查配方。假使載入一檢查結果，則此檢查結果將複製/載入至一調整圖。在一載入步驟322中載入配方及調整圖，後續接著步驟310，其中在載入步驟322中載入之調整圖被載入作 為用於檢查配方產生之方法之參考圖。在載入步驟310之後，用於檢查配方改善、調整、修改之方法以藉由使用所載入檢查配方來實施對所載入參考圖210之晶粒之影像之自動檢查步驟312開始。可對一單個晶粒、所有晶粒、一類別之晶粒等運行自動檢查步驟312。藉助一分析步驟314，分析並解釋檢查結果。比較檢查結果與專家分類。檢查結果包括使用者復審以便決定檢查品質之關於誤宰及/或誤放之資訊。在一第一決策步驟316中做出偵測及/或分類結果是否足夠良好之決策。若316中之決策係「是」，則方法繼續進行至一第二決策步驟318。若316中之決策係「否」，則方法繼續進行至配方參數之一修改步驟317。經修改配方參數影響自動檢查步驟312。在第二決策步驟318中做出知識資料庫是否夠足夠大之決策。若第二決策步驟318中之決策係「否」，則實施一新晶圓100至檢查系統之載入319。實施新晶圓之自動檢查304以便提供額外晶粒影像及缺陷/分類資訊以便增加調整圖/知識庫。若318中之檢驗之結果係「是」，則方法繼續進行至一結束320。注意，在其中318中之決策係「是」之情形中，方法離線工作且不需要一檢查系統1。
圖4展示在一使用者介面13(參見圖1)上呈現給一使用者之一對話框200之一示意性表示。使用者介面係(舉例而言)檢查系統1之使用者介面13或其可係藉以離線實施配方調整之習用工作站(未展示)之使用者介面13。假使使用者離線工作，則將用於配方調整之相關資料載入至工作站。對話框200展示：調整窗格(對話框200)之一參考區塊202，其呈現於一第一視窗201中；調整窗格(對話框200)之一測試區塊204，其呈現於一第二視窗203中；調整窗格(對話框200)之一調整圖區塊206，其呈現於一第三視窗205中；調整窗格(對話框200)之一分類表區塊208，其呈現於一第四視窗207中。調整窗格(對話框200)可用於整個調整程序。
圖5展示呈現於使用者介面13上之第一視窗201之一實施例。第一視窗201係對話框200(調整窗格)之參考區塊202。參考區塊202展示一參考晶圓圖210及整個晶圓100之一小影像211，以使得使用者取得藉助參考晶圓圖210顯示晶圓100之表面之哪一部分之一指示。可藉由各種方式獲得參考晶圓圖210。一種可能性係自其中儲存相同晶圓類型或不同晶圓類型之先前參考晶圓圖210之一儲存器件(未展示)載入一參考晶圓圖210。可能載入一調整圖260T。可藉由運行一檢查系統1上之一晶圓100來產生一參考晶圓圖210。晶圓100可係來自需要在生產程序期間檢查之一個批次之一晶圓。如前文所提及，知識庫之大小判定待載入至檢查系統1之晶圓之量。
第一視窗201亦展示參考晶圓圖210之至少一個結果影像212。結果影像212之一小影像213顯示於參考晶圓圖210之結果影像212中，以使得使用者接收關於所顯示結果影像212內之位置之資訊。
第一視窗201在結果影像212下方展示參考晶圓圖210之一晶圓表面缺陷列表214。晶圓表面缺陷列表214提供關於在參考晶圓圖210中發現之缺陷之資訊。所展示之資訊由以下各項組成：「晶粒ID」、「晶粒分類」、在晶圓100之表面上具有缺陷之晶粒之「X位置」、在晶圓100之表面上具有缺陷之晶粒之「Y位置」、缺陷之「面積」、缺陷之「長度」、缺陷之「寬度」、缺陷之「對比度」及缺陷之「伸長度」。熟習此項技術者絕對清楚，此處呈現之缺陷之資訊並非一封閉列表。一選擇列215允許使用者選擇一特定缺陷類型且根據選定缺陷類型排序晶圓表面缺陷列表214。一捲軸216使得使用者能夠在晶圓表面缺陷列表214內瀏覽。
第一視窗201在晶圓表面缺陷列表214下方展示參考晶圓圖210之一晶圓晶粒列表217。晶圓晶粒列表217提供關於在參考晶圓圖210中發現之缺陷之資訊。所展示之資訊由以下各項組成：「晶粒ID」、「晶 粒分類」、在晶圓100之表面上具有缺陷之晶粒之「缺陷大小」、「表面缺陷之數目」、「表面缺陷分類之數目」、缺陷之「寬度」及缺陷之「伸長度」。熟習此項技術者絕對清楚，此處呈現之缺陷之資訊並非一封閉列表。一選擇列218允許使用者選擇特定晶粒且根據選定晶粒排序晶圓晶粒列表217。一捲軸219使得使用者能夠在晶圓晶粒列表217內瀏覽。在第一視窗201下方顯示對話框200之一快速鍵區塊209。快速鍵區塊209允許直接存取至配方編輯窗格，如：「晶粒影像集...」、「對準參數」、「表面區域」或「分類參數」。不需要在一測試運行之前將其保存。快速鍵區塊209係可由使用者組態之一工具列。該工具列展示提供至快速鍵之連結之複數個各種按鈕2091、2092、...、209N。當在快速鍵之按鈕2091、2092、...、209N中之一者上點擊時，將展示相關參數。
圖6展示係調整窗格(對話框200)之測試區塊204的使用者介面13之一第二視窗203。測試區塊204展示一測試晶圓圖220及整個晶圓100之一小影像221，以使得使用者取得藉助測試晶圓圖220顯示晶圓100之表面之哪一部分之一指示。測試晶圓圖220展示藉助參考晶圓圖210實施之最新運行之結果。第二視窗203亦展示測試晶圓圖220之至少一個結果影像222。結果影像222之一小影像223顯示於測試晶圓圖220之結果影像222中以使得使用者接收關於所顯示結果影像222內之位置之資訊。第二視窗203在測試晶圓圖220之結果影像222下方展示測試晶圓圖220之一晶圓表面缺陷列表224。晶圓表面缺陷列表224提供關於在測試晶圓圖220中發現之缺陷之資訊。所展示之資訊由以下各項組成：「晶粒ID」、「晶粒分類」、「缺陷分類」、在測試晶圓圖220之晶圓之表面上具有缺陷之晶粒之「X位置」、在測試晶圓圖220之晶圓之表面上具有缺陷之晶粒之「Y位置」、缺陷之「面積」、缺陷之「長度」、缺陷之「寬度」、缺陷之「對比度」及缺陷之「伸長度」。熟習 此項技術者絕對清楚，此處呈現之缺陷之資訊並非一封閉列表。一選擇列225允許使用者選擇一特定缺陷類型且根據選定缺陷類型排序晶圓表面缺陷列表224。一捲軸226使得使用者能夠在晶圓表面缺陷列表224內瀏覽。第二視窗203在測試晶圓圖222之晶圓表面缺陷列表224下方展示測試晶圓圖220之一晶圓晶粒列表227。晶圓晶粒列表227提供關於在測試晶圓圖220中發現之缺陷之資訊。所展示之資訊由以下各項組成：「晶粒ID」、「晶粒分類」、在晶圓100之表面上具有缺陷之晶粒之「缺陷大小」、「表面缺陷之數目」、「表面缺陷分類之數目」、缺陷之「寬度」及缺陷之「伸長度」。熟習此項技術者絕對清楚，此處呈現之缺陷之資訊並非一封閉列表。一選擇列228允許使用者選擇特定晶粒且根據選定晶粒排序晶圓晶粒列表227。一捲軸229使得使用者能夠在晶圓晶粒列表227內瀏覽。
圖7展示係調整窗格(對話框200)之調整圖區塊206T的使用者介面13之一第三視窗205。調整圖206T含有所關注晶粒230。來自多個晶圓100之晶粒230可由使用者添加至調整圖206T。另外，可由使用者挑選晶粒分類。以個別晶粒230之不同陰影展示不同分類。使用者可選擇藉以影響調整圖206T中所展示之所關注晶粒230之數個按鈕231。在按鈕231上寫入可能動作。
圖8展示係調整窗格(對話框200)之分類表208的使用者介面13之一第四視窗207。分類表208展示參考晶圓圖210與測試晶圓圖220之間的比較結果。分類表208用作一選擇輸入，其中將檢查(舉例而言)強調提示之晶粒。此外，分類表208允許誤放或誤宰之容易跟蹤且容易監測不同運行之間的差異。
已參考特定實施例闡述了本發明。然而，熟習此項技術者顯而易見，可在不背離隨後申請專利範圍之範疇之情況下做出更改及修改。
200‧‧‧對話框/調整窗格
201‧‧‧第一視窗
202‧‧‧參考區塊
203‧‧‧第二視窗
204‧‧‧測試區塊
205‧‧‧第三視窗
206‧‧‧調整圖區塊
207‧‧‧分類表區塊
208‧‧‧第四視窗
209‧‧‧快速鍵區塊

Claims (26)

  1. 一種用於半導體器件之自動化檢查之檢查配方產生之方法，其包括以下步驟：使用一參考資料集來進行檢查配方產生；藉助一初始配方對該參考資料集之晶粒之影像運行自動檢查；將來自該自動檢查之所偵測檢查結果分類且比較該等經分類之檢查結果與晶粒中之缺陷之一專家分類；自動產生誤宰及誤放數目；及若該偵測及/或該分類低於一預定義臨限值，則修改檢查配方參數且重複該自動檢查。
  2. 如請求項1之方法，其中該參考資料集係上載至一電腦之一所儲存參考圖或一調整圖。
  3. 如請求項2之方法，其中在該上載至該電腦之前實施該現有參考圖或該現有調整圖之一改善、調整及修改。
  4. 如請求項1之方法，其中將該現有檢查配方儲存且上載至一電腦。
  5. 如請求項4之方法，其中在該上載至該電腦之前實施該現有初始檢查配方之一改善、調整及修改。
  6. 如請求項1之方法，其中該調整圖含有所關注晶粒，且一晶粒分類係可由使用者選擇。
  7. 如請求項6之方法，其中將來自不同半導體器件之晶粒添加至該調整圖。
  8. 如請求項1之方法，其中一分類表展示該參考資料集與一測試資料集之間的比較結果，其中該測試資料集係一測試圖。
  9. 如請求項1之方法，其中在使用一參考資料集來進行檢查配方產生之前，該資料集及一初始配方之該產生包括以下步驟：將一半導體器件載入至一檢查系統中且實施一建立及一調整對準；運行該所載入半導體器件之自動檢查；在晶粒層級復審結果；及將晶粒分類且將晶粒影像及所有缺陷資訊添加至一調整圖。
  10. 如請求項9之方法，其中若該調整圖之晶粒之一知識資料庫不足夠大，則將一新半導體器件載入至該檢查系統中，且實施該新載入之半導體器件之自動檢查。
  11. 一種用於半導體器件之自動化檢查之檢查配方產生之電腦系統，其包括：一電腦，其用於使用一參考資料集來進行檢查配方產生且藉助一初始配方對該參考資料集之晶粒之影像運行一自動檢查；一對話框，其具有：一第一視窗，其展示至少該參考資料；一第二視窗，其展示至少測試資料；一第三視窗，其展示一調整圖；及一第四視窗，其展示一分類表，該分類表關於誤宰及誤放數目達成該等經分類之檢查結果與晶粒中之缺陷之一專家分類之間的一比較；誤宰及誤放數目之一自動產生及顯示；及若該偵測及/或該分類低於一預定義臨限值，則進行檢查配方參數之一修改及該自動檢查之一重複。
  12. 如請求項11之電腦系統，其中該參考資料集係上載至該電腦之一所儲存參考圖或一調整圖。
  13. 如請求項12之電腦系統，其中在該上載至該電腦之前實施該現有參考圖或該現有調整圖之一改善、調整及修改。
  14. 如請求項11之電腦系統，其中該現有檢查配方經儲存且上載至該電腦系統。
  15. 如請求項15之電腦系統，其中在該上載至該電腦之前實施該現有初始檢查配方之一改善、調整及修改。
  16. 如請求項11之電腦系統，其中調整圖含有所關注晶粒，且一晶粒分類係可由使用者經由該對話框選擇。
  17. 如請求項16之電腦系統，其中將來自不同半導體器件之晶粒添加至該調整圖且顯示於該對話框之該第三視窗中。
  18. 如請求項11之電腦系統，其中排在第四位之一分類表展示該參考資料集與一測試資料集之間的比較結果，其中該測試資料集係該測試圖。
  19. 如請求項11之電腦系統，其中一檢查系統連接至該電腦系統且該檢查系統用於運行一所載入半導體器件之自動檢查。
  20. 一種用於半導體器件之自動化檢查之檢查配方產生之裝置，其包括：一檢查系統，其具有：至少一入射光照明系統；一攝影機，其經配置以接收來自該半導體器件之一表面之光，其中該光轉換成電像資料以供進一步分析；一電腦，其用於使用一參考資料集來進行檢查配方產生且藉助一初始配方對該參考資料集之晶粒之影像運行一自動檢查；及至少一個顯示器，其細分成一第一視窗、一第二視窗、一第三視窗及一第四視窗；其中該第一視窗展示至少該參考資料，該第二視窗展示至少測試資料；該第三視窗展示一調整圖且該第四視窗展示一分類表，該分類表關於自動產生及顯示之誤宰及誤放數目達成該等經分類之檢查結果之影像與缺陷之一專家 分類之影像之間的一比較。
  21. 如請求項20之裝置，其中若該偵測及/或該分類低於一預定義臨限值，則一輸入器件達成該檢查配方參數之一修改及重複該自動檢查。
  22. 如請求項21之裝置，其中該參考資料集係上載至該電腦之一所儲存參考圖或一調整圖；在該上載至該電腦之前實施該參考圖或該調整圖之一改善、調整及修改。
  23. 如請求項20之裝置，其中該現有檢查配方經儲存且上載至該電腦，其中在該上載至該電腦之前實施該現有初始檢查配方之一改善、調整及修改。
  24. 一種用於半導體器件之自動化檢查之檢查配方產生之方法，其包括以下步驟：將一半導體器件載入至一檢查系統中且實施一建立及一調整對準；運行該所載入半導體器件之自動檢查；在晶粒層級復審結果；將晶粒分類且將晶粒影像及所有缺陷資訊添加至一調整圖；載入一調整圖作為一參考圖；藉助一初始配方對該參考圖之晶粒之影像運行自動檢查；將來自該自動檢查之所偵測檢查結果分類且比較該等經分類之檢查結果與晶粒中之缺陷之一專家分類；自動產生誤宰及誤放數目；及若該偵測及/或該分類低於一預定義臨限值，則修改檢查配方參數且重複該自動檢查，且藉助經修改參數再次運行自動檢查；及若該調整圖之晶粒之一知識資料庫不足夠大則將一新半導體 器件載入至該檢查系統中，且再次運行該新載入之半導體器件之自動檢查以便增加該知識資料庫。
  25. 如請求項24之方法，其中該調整圖含有所關注晶粒之影像且一晶粒分類係可由使用者選擇，其中將來自不同半導體器件之晶粒之影像添加至該調整圖。
  26. 如請求項24之方法，其中分類表展示該參考圖與一測試圖之間的比較結果。
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WO (1) WO2013140302A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI725165B (zh) * 2016-04-13 2021-04-21 美商克萊譚克公司 用於基於電設計意圖之缺陷分類之系統及方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10043264B2 (en) 2012-04-19 2018-08-07 Applied Materials Israel Ltd. Integration of automatic and manual defect classification
US9595091B2 (en) 2012-04-19 2017-03-14 Applied Materials Israel, Ltd. Defect classification using topographical attributes
US9858658B2 (en) 2012-04-19 2018-01-02 Applied Materials Israel Ltd Defect classification using CAD-based context attributes
US9715723B2 (en) 2012-04-19 2017-07-25 Applied Materials Israel Ltd Optimization of unknown defect rejection for automatic defect classification
US9607233B2 (en) 2012-04-20 2017-03-28 Applied Materials Israel Ltd. Classifier readiness and maintenance in automatic defect classification
US9714905B1 (en) * 2013-06-23 2017-07-25 Kla-Tencor Corp. Wafer inspection recipe setup
US10114368B2 (en) 2013-07-22 2018-10-30 Applied Materials Israel Ltd. Closed-loop automatic defect inspection and classification
KR102336909B1 (ko) * 2014-12-02 2021-12-08 세메스 주식회사 웨이퍼 검사 방법
US9911634B2 (en) * 2016-06-27 2018-03-06 Globalfoundries Inc. Self-contained metrology wafer carrier systems
US10931143B2 (en) 2016-08-10 2021-02-23 Globalfoundries U.S. Inc. Rechargeable wafer carrier systems
US10496781B2 (en) 2016-12-19 2019-12-03 Kla Tencor Corporation Metrology recipe generation using predicted metrology images
US10565702B2 (en) * 2017-01-30 2020-02-18 Dongfang Jingyuan Electron Limited Dynamic updates for the inspection of integrated circuits
US20220230314A1 (en) * 2021-01-15 2022-07-21 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Intelligent pattern recognition systems for wire bonding and other electronic component packaging equipment, and related methods
CN114399508A (zh) * 2022-03-25 2022-04-26 杭州广立微电子股份有限公司 晶圆数据的处理方法、装置、电子装置和存储介质
US20230314336A1 (en) * 2022-03-31 2023-10-05 Kla Corporation Multi-mode optical inspection
US11922619B2 (en) 2022-03-31 2024-03-05 Kla Corporation Context-based defect inspection
CN116580025B (zh) * 2023-07-12 2024-04-02 宁德时代新能源科技股份有限公司 缺陷过滤方法、装置、计算机设备和存储介质

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100335491B1 (ko) 1999-10-13 2002-05-04 윤종용 공정 파라미터 라이브러리를 내장한 웨이퍼 검사장비 및 웨이퍼 검사시의 공정 파라미터 설정방법
US6959251B2 (en) 2002-08-23 2005-10-25 Kla-Tencor Technologies, Corporation Inspection system setup techniques
JP3944439B2 (ja) 2002-09-26 2007-07-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子線を用いた検査方法および検査装置
JP4564728B2 (ja) * 2003-07-25 2010-10-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ 回路パターンの検査装置
US20050075841A1 (en) 2003-08-05 2005-04-07 Netanel Peles Automated defect classification system and method
US6985220B1 (en) * 2003-08-20 2006-01-10 Kla-Tencor Technologies Corporation Interactive threshold tuning
KR100598096B1 (ko) * 2003-12-01 2006-07-07 삼성전자주식회사 패턴 검사 장치 및 검사 방법
JP4746841B2 (ja) 2004-01-23 2011-08-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
JP4176041B2 (ja) * 2004-04-14 2008-11-05 オリンパス株式会社 分類装置及び分類方法
US7142992B1 (en) * 2004-09-30 2006-11-28 Kla-Tencor Technologies Corp. Flexible hybrid defect classification for semiconductor manufacturing
JP4413767B2 (ja) 2004-12-17 2010-02-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン検査装置
JP4654093B2 (ja) * 2005-08-31 2011-03-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 回路パターン検査方法及びその装置
KR20080065584A (ko) 2005-09-01 2008-07-14 캠텍 리미티드 검사 레시피의 확립을 위한 방법 및 시스템
JP2007071678A (ja) 2005-09-07 2007-03-22 Hitachi High-Technologies Corp 検査システム
JP2007311418A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Toshiba Corp 検査レシピ作成方法および検査レシピ作成装置
US20090088997A1 (en) 2007-09-28 2009-04-02 Hitachi High Technologies Corporation Data processing system
WO2009050821A1 (ja) * 2007-10-19 2009-04-23 Fujitsu Limited 半導体集積回路装置の動作周波数決定装置および決定方法ならびに決定プログラム
JP5159373B2 (ja) 2008-03-06 2013-03-06 オリンパス株式会社 基板検査方法
US8000922B2 (en) 2008-05-29 2011-08-16 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for generating information to be used for selecting values for one or more parameters of a detection algorithm
JP2011017609A (ja) * 2009-07-09 2011-01-27 Panasonic Corp 欠陥検査装置および欠陥検査方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI725165B (zh) * 2016-04-13 2021-04-21 美商克萊譚克公司 用於基於電設計意圖之缺陷分類之系統及方法

Also Published As

Publication number Publication date
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