JP6173423B2 - 自動検査半導体デバイスのレシピ生成のための方法、コンピュータシステムおよび装置 - Google Patents

Description

関連出願の相互参照
本特許出願は、参照により本明細書中に組み込まれる、２０１２年３月１９日付で出願された米国特許仮出願第６１／６１２，５０７号の優先権を主張する。

本発明は、半導体デバイスの自動検査用のレシピ作製のための方法に関する。

本発明はまた、検査のためのコンピュータシステムにも関する。

本発明はまた、検査のための装置にも関する。

韓国特許出願第ＫＲ２００１００３７０２６Ａ号は、ウェハ検査プロセスでレシピパラメータを確立するための方法を開示する。この方法を使用して、レシピパラメータを確立するためにかかる時間を短縮し、オペレータの経験によって生じる精度の変動を減少させ、したがって、レシピパラメータが同じプロセスを経験するウェハの検査で使用されるように、検査装置のレシピパラメータをライブラリに保存する。光または電気的レシピパラメータは検査されるウェハの特徴によって変化する。パラメータをライブラリに保存する。検査でウェハの特徴を入力する。検査でウェハの入力された特徴に対応するレシピパラメータがライブラリから読み出され、自動的に確立される。

米国特許第６，９５９，２５１Ｂ２号は、検査を効率的にセットアップするための技術、計量学、および半導体ウェハで機能するためのレビューシステムを記載する。特に、これは各システムが半導体ウェハを正確に検査することを可能にするレシピのセットアップを含む。関連情報をこれらのツールから集め、レシピを完成するために要する時間を減少させるような方法で情報をユーザーに提供する。

国際特許出願公開第２００９／１４８８７６Ａ１号は、検出アルゴリズムのパラメータの値を選択するために使用される情報を生成するための方法およびシステムを記載する。ユーザーが介入しなくても、検査システムを使用してウェハの領域のスキャンを実施する。方法はまた、検出アルゴリズムのパラメータの値を選択するために使用される全欠陥の所定の最大数に基づいてスキャンの結果から欠陥の一部を選択することも含む。方法は、スキャンの後でウェハのさらなるスキャンを実施することなく検査レシピのために使用される検出アルゴリズムのパラメータの値を選択するために使用することができる情報を保存することをさらに含む。

ウェハ試験レシピを確立するための方法およびシステムは米国特許第２００９／２９０７８２Ａ１号で開示されている。カメラは製造されたウェハからの複数のダイの画像を取得する。ソフトウェアは画像の少なくとも一部を使用し、典型的なダイ画像の試験基準として使用される参照画像を構成する。参照画像に基づいて、ダイパターンの単一および／または反復可能な要素は、「関心対象のゾーン」として定義される。検出ポリシーは、関心対象のゾーンのそれぞれについて、または関心対象の類似ゾーンの群について決定され、検出ポリシーのそれぞれによって使用され得るアルゴリズムを決定する。検出ポリシーのアルゴリズムのそれぞれのパラメータが決定される。報告ポリシーは、ウェハの特定のロットの検査中に使用することができる欠陥クラスの特定の名称のセットを規定することによって決定される。「ウェハ試験レシピ」の作成は、典型的なダイ画像の試験基準、関心対象の規定されたゾーン、決定された検出ポリシー、決定された検出ポリシーのアルゴリズムのパラメータ、決定された報告ポリシーおよび決定された検査ポリシーをまとめることによって作成される。

先行技術の方法またはシステムにしたがって、初期レシピを１つのウェハに関して実行する。ユーザーは結果をオフラインで得、個々のダイ画像／結果を再検討することによってレシピの性能を判断する。いくつかの良好なダイが拒絶され（オーバーキル）、またいくつかの不良なダイが許容される（アンダーキル）。チューニングの目的は、オーバーキルおよびアンダーキル両方を最小にすることである。ユーザーは自身の知っている限りで検査レシピの１以上のパラメータを修正し、そしてレシピの新しいバージョンを保存し、全ウェハを再検査する。新たに得られた結果を個別に再度検討し、結果がまた満足できない場合はレシピを再度修正する。オーバーキル／アンダーキル結果が仕様の範囲内になるまでこのシーケンスを複数回繰り返す。

チューニング反復の各々に時間がかかり、ウェハ全部を再検査しなければならず、結果を個々のダイ／欠陥レベルに関して再検討しなければならない点で旧式法は多くの欠点がある。レシピの変更はレシピの別のバージョンに保存されなければならない。ユーザーはこのレシピ管理の責任を負う。

さらに、検査結果に関して良好なフィードバックがない。ユーザーは再検討のために関心対象のダイのトラックを保管しなければならない。なぜなら、レシピ開発は手作業であり、結果の再検討はユーザーによって管理可能であるダイのセットに限定されるからである。利用可能な参照はなく、ユーザーは関心対象のダイについて予想される結果のトラックを保管しなければならない。チューニングは一度に１つのウェハのダイに関してのみ実施することができる。一般的には、複数のウェハ／ロットのダイに関して調整をしたい。１つのウェハについてのレシピの改善は、これが必ずしも他のウェハについてのレシピの改善であることを意味しない。

チューニングされたレシピにするためには、限定されたフィードバックのために多数回の反復が必要であり、レシピ変化の影響を判断することは容易ではない。これによって反復回数が多くなり、良好なレシピにするための時間を増す。

半導体デバイスの自動検査のためのレシピ生成のための方法を提供することが本発明の１つの目的であり、この場合、レシピ生成はあまり時間をかけず、そのレシピで得られる検査結果に関してフィードバックを提供する。

この目的は、半導体デバイスの自動検査のための検査レシピ生成のための方法であって、以下のステップ：
・検査レシピ生成のための参照データセットを使用するステップ；
・この参照データセットのダイの画像に関する初期レシピで自動検査を実施するステップ；
・自動検査から検出された検査結果を分類し、そして分類された検査結果をダイにおける欠陥のエキスパート分類と比較するステップ；
・オーバーキルおよびアンダーキル数を自動的に生成するステップ；ならびに
・検出および／または分類が所定の閾値よりも低い場合は、検査レシピパラメータを修正し、そして自動検査を繰り返すステップ
を含む方法によって達成される。

半導体デバイスの自動検査のためのレシピ生成のためのコンピュータシステムを提供することが本発明のさらなる目的であり、この場合、レシピ生成はあまり時間がかからず、そのレシピで得られる検査結果に関するフィードバックを提供する。

その目的は、半導体デバイスの自動検査のための検査レシピ生成のためのコンピュータシステムによって達成され、この場合、コンピュータシステムは：
・検査レシピ生成のための参照データセットを使用するため、そして参照データセットのダイの画像に関する初期レシピで自動検査を実施するためのコンピュータ；
・少なくとも参照データを示す第１ウィンドウ、少なくとも試験データを示す第２ウィンドウ；チューンマップを示す第３ウィンドウならびにオーバーキルおよびアンダーキル数に関して、分類された検査結果とダイ中の欠陥のエキスパート分類との比較を可能にする分類表を示す第４ウィンドウを有する、ダイアログ；
・オーバーキルおよびアンダーキル数の自動生成および表示；ならびに
・検出および／または分類が所定の閾値よりも低い場合に、検査レシピパラメータの修正ならびに自動検査の反復を含む。

本発明のさらなる目的は、半導体デバイスの自動検査のためのレシピ生成のための装置を提供することであり、この場合、レシピ生成はあまり時間がかからず、そのレシピで得られる検査結果に関するフィードバックを提供し、信頼性があり、かつあまり時間がかからない検査結果を得る。

上記目的は：
・少なくとも入射光照明システム；半導体デバイスの表面から光を受容するように配置されたカメラを有する検査システムであって、光がさらなる分析のために電気画像データに変換される、検査システム；
・検査レシピ生成のために参照データセットを使用し、そして参照データセットのダイの画像に関する初期レシピで自動検査を実施するためのコンピュータ；および
・第１ウィンドウ、第２ウィンドウ、第３ウィンドウおよび第４ウィンドウに細分される少なくとも１つのディスプレイであって、第１ウィンドウが少なくとも参照データを示し、第２ウィンドウが少なくとも試験データを示し；第３ウィンドウがチューンマップを示し、第４ウィンドウが、自動的に生成され、表示されるオーバーキルおよびアンダーキル数に関して、分類された検査結果と画像の欠陥のエキスパート分類との比較を可能にする分類表を示す、ディスプレイ
を含む半導体デバイスの自動検査のための検査レシピ生成のための装置によって達成される。

半導体デバイスの自動検査のための検査レシピ生成のための本発明の方法は、チューンマップの生成のための検査システムを必ずしも必要とするわけではない。ユーザーは、検査レシピ生成のための前もって保存された参照データセットを使用してオフラインで作業することができ、ロードすることができる。参照データはチューンマップまたは参照マップとして設定される。チューンマップまたは参照マップをコンピュータにアップロードする前に、既存の参照マップまたは既存のチューンマップのリファイニング、チューニングおよび修正を実施する。さらに、既存の検査レシピを保存し、コンピュータにアップロードする。既存の検査レシピをコンピュータにアップロードする前に、既存の初期検査レシピのリファイニング、チューニングおよび修正を実施する。方法をメモリに保存された検査レシピに関して実施することができ、検査レシピを調整するために、検査パラメータを試験および／またはチューニングすることができる。

チューンマップは関心対象のダイを含み、ダイ分類はユーザーによって選択可能である。異なる半導体デバイスからのダイをチューンマップに加える。分類表は参照データセット（チューンマップまたは参照マップ）と試験データセットとの間の比較結果を示し、ここで、試験データセットは検査レシピを使用した検査の結果である。

多くの場合、本発明の方法は、コンピュータとダイアログ（ディスプレイ）とを有する検査システムで実施される。ダイアログによって、ユーザーまたはプロセスエンジニアは半導体デバイスの自動検査のための検査レシピの生成に影響を及ぼすことができ、モニターすることができる。この場合、ユーザーはオフラインで作業しない。ユーザーは、メモリ中のレシピセッティングを用いてチャック上で半導体デバイス（ウェハ）を再検査することができる。再検査する場合、結果は消去される。参照ウェハマップをダイアログに表示する。それは典型的には、再検査されるダイを指定するために用いられる事前検査の出力ウェハマップである。

検査レシピ生成のための参照データセット（チューンマップまたは参照マップ）を使用する前に、データセットおよび初期レシピの生成を実施する。チャック上にウェハが無い場合、半導体デバイス（ウェハ）を検査システムにロードし、セットアップおよびチューンアラインメントを実施する。次いで、ロードされた半導体デバイスの自動検査を実施する。結果をダイレベルで再検討する。ダイを分類し、ダイ画像をすべての欠陥情報とともにチューンマップに加える。分類はシステムによって自動的に実施され、必要ならユーザーによって無効にすることができる（＝エキスパート分類）。チューンマップのダイの知識データベースが十分大きくない場合は、新規半導体デバイスを検査システムにロードする。新たにロードされた半導体デバイスの自動検査をそれに応じて実施する。

参照ウェハマップおよび試験ウェハマップは同じダイアログで利用可能である。換言すれば、参照ウェハマップおよび試験ウェハマップはディスプレイ（ユーザーインターフェース）上で並んで示される。参照ウェハマップおよび試験ウェハマップは、ウェハマップのうちの１つでダイまたは分類を選択する場合、他のウェハマップ中の対応するダイも選択されるようにリンクされる。

一般的には、試験ダイアログのユーザーは、全ウェハを再検査したいのではなく、あるダイまたはあるクラスのダイだけを再検査したいと思う。１つの可能性は、単一のダイを再検査することである。ここでは、最新の検査結果を参照ウェハマップとして使用する。ユーザーは参照ウェハマップ中のダイをクリックすることによって簡単に結果を再検討することができ、選択されたダイは、ユーザーが検査プロセスでの実施を開始した後に再検査される。検査されなかったすべてのダイは、試験ウェハマップ中で「検査予定」の状態を取得する。別の可能性は、ダイのクラスを再検査することである。ダイは、ディスプレイ上で示された分類表中で各クラスの名称をクリックすることによって参照ウェハマップ中でハイライトされる。選択は、クラスを再度クリックすることによって取り消すことができる。参照ウェハマップ中でダイが選択されない場合、または参照ウェハマップ中でダイのクラスがハイライトされない場合、通常の再検査が実施される。

本発明の方法は、半導体デバイスの自動検査のための検査レシピのセットアップ、チューニングまたは最適化のために使用することができる。好ましくは、半導体デバイスはパターン化されたウェハ（ＬＥＤまたはＭＥＭＳを含む）である。

本発明の１つの可能な実施形態は、初期検査レシピを作成するために検査システム中に半導体デバイス（ウェハ）がロードされるものである。検査システムを用いて、ウェハアラインメントのチューニング、ダイアラインメントのチューニングおよび参照画像の最適画像セットの作成を実施する。一旦セットアップが終了したら、検査レシピが使用されるウェハの自動検査が開始する。検査中に取得される画像（ビットマップ）を適切なストレージデバイスに保存する。画像はウェハ上のダイを含む。検査プロセスの間に、少なくとも１つダイを画像化し、通常、ウェハの表面上のすべてのダイを画像化する。

検査画像はダイレベルに関して再検討され、ダイは欠陥タイプ（例えば、スクラッチ、粒子、エピ欠陥など）にしたがって専門家により分類される。チューンマップが生成され、この場合、チューンマップは検査画像ダイまたはサンプルとダイごとの正確またはグラウンドトルース（ground truth）欠陥分類とを含む。検査したウェハのすべてのダイをチューンマップに加える必要はない。ユーザーは、代表的なダイのみを加える。チューンマップは、合格（正しいダイ）および関心対象のすべての欠陥クラスの例を含む知識データベースの１種である。チューンマップは複数の欠陥クラスを含み得るか、またはそれぞれが１つの欠陥クラスのみを含む複数のチューンマップを使用することができる。チューンマップまたは参照マップは、検査システムにロードされる参照データセットである。チューンマップ／参照マップの１つまたは複数のダイの検査レシピを使用してオフライン検査を実施する。

オフライン検査は必ずしも検査システムのコンピュータで実施する必要はない。ユーザーまたはプロセスエンジニアは、チューンマップ／参照マップをリモートコンピュータにロードすることができ、検査レシピ生成を実施することができる。

検査結果を分析し、解釈する。オーバーキルおよびアンダーキル数が自動的に生成される。検査結果が「十分良好」であり、かつチューンマップ／知識データベースが十分大きい場合、つまり、すべての合格および欠陥タイプが網羅される場合、検査レシピ生成のためのプロセスは終了する。検査結果が「十分良好」でない場合、検査レシピのパラメータ（例えば、閾値、特徴サイズなど）を修正する。レシピパラメータの修正を自動的に実施することも可能である。

チューンマップ／知識データベースが十分大きくない場合、つまりすべての合格および欠陥タイプが網羅されるわけではない場合、新しいウェハを検査システムにロードする。新しいウェハを用いて、自動検査の全プロセス、検査結果の再検討、チューンマップへのダイの添加、チューンマップのローディング、検査結果の分析／解釈ならびにオーバーキルおよびアンダーキルの自動生成を再度実施する。検査結果が「十分良好」であり、チューンマップ／知識データベースが十分大きい場合、検査レシピ生成のためのプロセスは終了する。

本発明の主な利益は、レシピをオフラインで（＝検査ツールの必要なしに）チューニング（または最適化）できることである。レシピのチューニングは、保存されたレシピおよび保存されたウェハマップに基づく。チューンマップの概念は、アンダーキル／オーバーキルのレシピをチューニングする場合に「完全な参照」としての役割を果たす、「完全に分類されたダイ」のデータベースをセットアップするのに役立つ。いくつかのデータセットを「参照マップ」（保存された画像を含む）としてロードすることができる。複数のウェハからのデータで参照ウェハマップを構築することが可能である。参照ウェハマップの生成のために必要なデータセットを１つまたは複数のチューンマップからロードすることができる。検査結果を生成するために、ウェハまたは半導体デバイスをまず検査する必要がない。別の可能性は、検査システムでの検査またはチューニング環境での検査から結果のウェハマップを使用することである。参照マップを使用しないことも可能であり、その場合、保存された画像を利用しないで検査システムで実際の検査を実施する。取得した画像から、レシピを作成し、チューニングする。

レシピを得るための全チューニングプロセスのためにチューンペインを使用する。検査および分類パラメータはチューンペインで示されるショートカットにより到達することができる。さらに、チューンペインで実施する前にレシピを保存する必要がなく、検査および分類パラメータを編集することができる。

ロードされた参照ウェハマップを再検査することが必要である。検査プロセスは、メモリの検査レシピを実行するだけである。参照ウェハマップは最新の実施から取得される。なぜなら、ユーザーは前に検査されたウェハの画像を再検査することを希望するからである。ユーザーがオフラインで作業する場合、新しい参照ウェハマップをロードする可能性が与えられる。新しい参照ウェハマップのロードが成功した後、参照ウェハマップを再検討することができ、ユーザーは再検査されるダイについて判定することができる。

参照ウェハマップのライブラリを使用することも可能である。参照ウェハマップは典型的にはある検査レシピの各結果を有するマップである。レシピはそれ自体、ダイ画像のセットに基づいて実証される。ユーザーは、検査レシピを実証したいと思うあるダイ画像を選択する。これらの画像は長時間にわたって集められ、単一のウェハからのものである必要はない。ユーザーが検査レシピを認定したいと思う画像の量は数個から数百個まで様々であり得る。長時間に及ぶ可能性があるチューンマップ（知識ベース）が作成される。

本発明は、半導体デバイスの自動検査のための検査レシピ生成のための装置で実施される。装置は、少なくとも入射光照明システムを有する検査システムを有する。必要とされる適用に応じて、少なくとも１つの暗視野照明システムも実装される。カメラは、半導体デバイス（ウェハ）の表面からの光を受容するように配置され、光はさらなる分析のために電気画像データに変換される。検査システムのコンピュータは、検査レシピ生成および自動検査を実施するための参照データセットを使用する。自動検査は、参照データセットのダイの画像に関する初期レシピで実施することができる。マン−マシンインターフェースは、少なくとも１つのディスプレイまたはダイアログで実現される。ディスプレイは、第１ウィンドウ、第２ウィンドウ、第３ウィンドウおよび第４ウィンドウに細分される。第１ウィンドウは、少なくとも参照データ（「参照ウェハマップ」、「参照ウェハマップ−結果画像」、「参照ウェハマップ−ウェハ表面欠陥リスト」および「参照ウェハマップ−ウェハダイリスト」）を示す。第２ウィンドウは、少なくとも試験データ（「試験ウェハマップ」、「試験ウェハマップ−結果画像」、「試験ウェハマップ−ウェハ表面欠陥リスト」および「試験ウェハマップ−ウェハダイリスト」）を示す。第３ウィンドウは、ダイを選択し、配置する可能性を有するチューンマップを示す。第４ウィンドウは、分類された検査結果の画像と欠陥のエキスパート分類の画像との間の比較を可能にする分類表を示す。これは、自動的に生成・表示されるオーバーキルおよびアンダーキル数に関して実施される。入力装置は、検出および／または分類が所定の閾値より低い場合に、検査レシピパラメータの修正および自動検査の反復を可能にする。参照データセットは保存された参照マップまたはチューンマップであり、これはコンピュータにアップロードされる。参照マップまたはチューンマップのリファイニング、チューニングおよび修正は、コンピュータへのアップロードの前に実施される。既存の検査レシピを保存し、コンピュータにアップロードする。既存の初期検査レシピのリファイニング、チューニングおよび修正をコンピュータへのアップロードの前に実施する。

本発明の特性および操作様式を添付の図面とあわせて以下の発明を実施するための形態でさらに十分に記載する。

図１は、半導体デバイス、それぞれウェハまたはディスク状物体の検査のための検査システムの概略図を示す。 図２は、半導体デバイスの表面、それぞれディスク状物体またはウェハの画像を取得するための概略的な光学装置を示す。 図３は、半導体デバイスの自動検査のためのレシピ生成のための方法の流れ図を示す。 図４は、ユーザーインターフェース上でユーザーに提示されるダイアログの概略図を示す。 図５は、チューンペインの参照セクションであるユーザーインターフェースの第１ウィンドウを示す。 図６は、チューンペインの試験セクションであるユーザーインターフェースの第２ウィンドウを示す。 図７は、チューンペインのチューンマップセクションであるユーザーインターフェースの第３ウィンドウを示す。 図８は、チューンペインの分類表であるユーザーインターフェースの第４ウィンドウを示す。

同じ参照番号は、様々な図面全体にわたって同じエレメントを指す。さらに、各図の説明に必要な参照番号のみを図面に示す。図示した実施形態は本発明をどのように実施することができるかの単なる例を表す。これは、本発明を限定するとみなされるべきではない。

図１の概略図は、半導体デバイス１００、それぞれウェハまたはディスク状物体の検査のための検査システム１を示す。この実施形態によると、この実施形態の検査システム１は半導体デバイス１００（ウェハ）の少なくとも１つのカートリッジエレメント３を有する。検査ユニット５で、個々の半導体デバイス１００の画像または画像データがそれぞれ記録される。少なくとも１つの輸送装置９が半導体デバイス１００の少なくとも１つのカートリッジエレメント３と検査ユニット５との間で提供される。システム１はハウジング１１に囲まれている。さらに、コンピュータシステム１５は、検査システム１中に一体化され、測定された個々のウェハからの画像または画像データを受け取り、それらを加工する。さらに、コンピュータシステム１５を使用して、半導体デバイス１００の検査のためのレシピを設計することができる。検査システム１はインターフェース１３（ディスプレイ、ダイアログ）およびキーボード１４を備える。入力装置１４（キーボード、マウスなど）を用いて、ユーザーは、アンダーキルおよび／またはオーバーキルを最小限に抑えるために検査半導体デバイスのために使用される、検査システム１の制御のためのデータ入力またはレシピ作成を改善するためのパラメータの入力を実施することができる。インターフェース１３上で、ユーザーはレシピデザインについての情報およびフィードバックを得ることができる。

図２は、半導体デバイス１００の表面１００Ｓの少なくとも一部の画像を記録するための検査システム１の光学装置２０の概略図を示す。半導体デバイス１００の一部は、個々のダイ２３０であり得る。半導体デバイス１００はウェハであり得る。ウェハをＸ座標方向ＸおよびＹ座標方向Ｙに移動可能なステージ２上に配置する。半導体デバイス１００の表面１００Ｓを照明するために、少なくとも１つの入射光照明システム４が提供される。図２で示される実施形態によると、検査システム１は、少なくとも入射光照明システム４および／または少なくとも１つの暗視野照明システム６を備える。検出器またはカメラ８を用いて、半導体デバイス１００の表面１００Ｓからの光を電気シグナルに変換することができ、さらなる分析のための画像データとして使用することができる。ここで示される実施形態では、入射光照明システム４からの光をビームスプリッター１２によってカメラ８の検出ビーム路程１０中に連結させる。半導体デバイス１００の全表面１００Ｓをいわゆる蛇行スキャン（meander scan）で記録する。その時に、常に半導体デバイス１００の表面１００Ｓの一部のストリップ１６が記録される。ステージ２はさらに、半導体デバイス１００の表面１００Ｓ上の個々のダイ２３０のＸ位置およびＹ位置に移動することが可能である。個々のダイ２３０を記録して後の再検査のために使用することができる。

図３は、スクラッチからの自動検査のためのレシピの生成、そして既存のレシピのリファイニング、チューニング、および修正を可能にする方法の流れ図である。スクラッチからのレシピの生成は、エントリーポイント３００が用いられる場合に行われ、既存のレシピのリファイニング、チューニング、および修正はエントリーポイント３２１が使用される場合に実施される。方法の両バージョンを以下の段落でさらに詳細に概説する。この方法の重要なエレメントは、ダイの検査画像と、エキスパート分類および自動検査の結果を含み得る関連情報とを含むチューンマップ２０６Ｔ（図７を参照のこと）である。チューンマップが利用可能であると、チューンマップの概念により、チューンマップの画像データに関して自動検査をオフラインで実施することが可能になり、このことは、検査システム１を必要とすることがないことを意味する。チューンマップの検査画像を使用する自動検査後、検査結果をエキスパート分類と比較および／またはチューンマップに保存された事前の検査の検査結果と比較することができる。これらの結果の比較を次いで使用して、レシピで達成することができる検査結果を改善（オーバーおよびアンダーキルを最小化）するために、レシピパラメータをチューニングまたは修正することができる。チューンマップが複数のウェハからのデータを含み得るように、検査画像および関連情報をチューンマップに加えることができ、チューンマップから除去することができる。複数のウェハのダイ画像の使用は重要である。なぜなら、ある欠陥タイプはあるウェハ上だけに存在する可能性があり、一方、他の欠陥タイプは他のウェハ上だけに存在する可能性があるからである。さらに、チューンマップは、既存の欠陥タイプの性能が低下しないことを確実にしながら、新しい欠陥タイプを検査レシピに加えることを可能にする。例えば、新しい欠陥タイプＮが、欠陥タイプＫ、Ｌ、Ｍを既に検出できる既存のレシピに加えられる場合、新しい欠陥タイプはさらなる検査方法／アルゴリズムの使用を必要とする可能性がある、および／または既に使用された検査方法のパラメータは、新しい欠陥タイプＮを検出するために変更する必要があり得る。この結果、既存の欠陥タイプＫ、Ｌ、Ｍに関する検査結果が低下する可能性がある。すべての欠陥タイプを含むチューンマップがあれば、既存の欠陥タイプに関するこの検査結果の低下は、直ちに見ることができるので、説明がつき、アンダーキル／オーバーキルを最小限に抑えることができるであろう。

図３の流れ図は、検査システム１を使用する半導体デバイス１００の自動検査のためのレシピ生成のための方法の実施形態を示す。ここで示される実施形態はスクラッチからの検査レシピ生成を説明する。開始時３００に、利用可能なウェハの特定のタイプについて既存の検査レシピおよびチューンマップ（参照データセット）はない。ウェハローディングおよび初期レシピステップ３０２において、ウェハ１００を検査システム１にロードし、照明を選択し、ウェハ特性（例えば、ダイサイズ、ダイピッチなど）を含む初期検査レシピを生成し、そしてウェハアラインメントステップをセットアップし、チューニングする。アラインメントステップの間、ウェハのｘ−ｙ軸が検出され、ウェハを所定の配向に回転させる（通常、チャックを回転させることによる）。したがって、ウェハの少なくとも一部をスキャニング（検査画像を取得）し、システム１にロードされた場合にウェハのｘ−ｙ軸を同じタイプのウェハについて自動的に検出することができるように、検査レシピのアラインメントセクション中に特徴を規定する。アラインメントは、非角切（un-diced）ウェハの場合はウェハ−レベルで実施することができるか、または角切（diced）／切込み（sawn）ウェハの場合はウェハレベルおよびダイレベルで実施することができる。後者の場合、およそのウェハレベルアラインメントの特徴および微細画像データに基づくダイ−レベルアラインメントの特徴が見いだされる。初期レシピの検査パラメータを所定のパラメータセットまたは任意のユーザーが選択した値にセットする。ステップ３０２に続いて初期検査レシピで自動検査３０４を実施する。分類ステップ３０８で、ダイは専門家によって分類される。ダイ画像およびすべての欠陥情報をチューンマップ２０６Ｔ（図７を参照のこと）に加える。チューンマップ２０６Ｔは、合格ダイおよび関心対照の欠陥クラスからのすべてのダイを含む知識データベースである。チューンマップ２０６Ｔはいくつかのウェハ１００からのダイを含み得る。ダイ画像の画像フォーマットは、ｂｍｐ、ｔｉｆｆ、ｇｉｆなどのビットマップであってよく、好ましくはロスレスであり得る。さらなるステップ３１０において、既存のチューンマップ２０６Ｔ（ステップ３０８で生成）を参照ウェハマップ２１０としてロードする。ローディングステップ３１０後、検査レシピを使用することによって、参照マップ２１０のダイの画像に関する自動検査ステップ３１２を実施する。自動検査ステップ３１２は、１つのダイ、すべてのダイ、ダイのクラスなどで実施することができる。分析ステップ３１４を使用して、検査結果を分析し、解釈する。検査結果をダイ中の欠陥のエキスパート分類（参照マップ）と比較する。検査結果は、とりわけオーバーキルおよびアンダーキル情報を含む。この情報に基づいて、ユーザーは、第１判定ステップ３１６において、検出および／または分類結果が十分良好であるかどうかを判定する。判定が「はい」である場合、方法は第２の判定ステップ３１８へ進む。判定が「いいえ」である場合、方法はレシピパラメータの修正ステップ３１７へ進む。修正されたレシピパラメータは自動検査ステップ３１２に影響を及ぼす。第２の判定ステップ３１８において、知識データベースが十分大きいかどうかをチェックする。チェックの結果が「はい」である場合、方法は終了３２０に進む。第２の判定ステップ３１８での判定が「いいえ」である場合、新しいウェハ１００の検査システムへのローディング３１９を実施する。チューンマップ／知識データベースを増大させるためにさらなるダイ画像および欠陥／分類情報を提供するために、新しいウェハの自動検査３０４を実施する。

図３の流れ図はさらに実施形態３２１を示し、ここでは、ユーザーは、ウェハのチューンマップまたは検査結果が利用可能であるならば、半導体デバイスの自動検査のための既存の検査レシピをリファイニング、チューニング、および修正することができる。検査結果がロードされる場合、これはチューンマップにコピー／ロードされる。レシピおよびチューンマップはローディングステップ３２２にロードされ、ローディングステップ３２２に続いてステップ３１０を行い、ここで、ローディングステップ３２２でロードされたチューンマップは、検査レシピ生成のための方法の参照マップとしてロードされる。検査レシピリファイニング、チューニング、修正のための方法は、ロードされた参照マップ２１０のダイの画像についての自動検査ステップ３１２と共にローディングステップ３１０が、ロードされた検査レシピを使用することによって実施された後に開始される。自動検査ステップ３１２は、１つのダイ、全部のダイ、ダイのクラスなどに関して実施することができる。分析ステップ３１４を使用して、検査結果を分析し、解釈する。検査結果をエキスパート分類と比較する。検査結果はオーバーキルおよび／またはアンダーキルに関する情報を含み、これをユーザーは再検討して、検査品質に関して判定する。第１判定ステップ３１６において、検出および／または分類結果が十分良好であるかどうかの判定を下す。３１６での判定が「はい」である場合、方法は第２の判定ステップ３１８に進む。３１６での判定が「いいえ」である場合、方法はレシピパラメータの修正ステップ３１７に進む。修正されたレシピパラメータは自動検査ステップ３１２に影響を及ぼす。第２の判定ステップ３１８では、知識データベースが十分大きいかどうかについて判定を下す。第２判定ステップ３１８での判定が「いいえ」である場合、新しいウェハ１００の検査システムへのローディング３１９を実施する。チューンマップ／知識データベースを増加するためにさらなるダイ画像および欠陥／分類情報を提供するために、新しいウェハの自動検査３０４を実施する。３１８でのチェックの結果が「はい」である場合、方法は終了３２０まで進む。３１８での判定が「はい」である場合、方法はオフラインで動作し、検査システム１を必要としないことに留意する。

図４は、ユーザーインターフェース１３（図１を参照のこと）でユーザーに提示されるダイアログ２００の概略図を示す。ユーザーインターフェースは、例えば検査システム１のユーザーインターフェース１３であるか、またはそれを用いてレシピチューニングがオフラインで実施される従来型ワークステーション（図示せず）のユーザーインターフェース１３であり得る。ユーザーがオフラインで作業する場合、レシピチューニングの関連データをワークステーションにロードする。ダイアログ２００は、第１ウィンドウ２０１で提示されるチューンペイン（ダイアログ２００）の参照セクション２０２を示す。第２ウィンドウ２０３で提示されるチューンペイン（ダイアログ２００）の試験セクション２０４。第３ウィンドウ２０５で提示されるチューンペイン（ダイアログ２００）のチューンマップセクション２０６。第４ウィンドウ２０７で提示されるチューンペイン（ダイアログ２００）の分類表セクション２０８。チューンペイン（ダイアログ２００）を全チューニングプロセスのために使用することができる。

図５は、ユーザーインターフェース１３上に提示される第１ウィンドウ２０１の実施形態を示す。第１ウィンドウ２０１はダイアログ２００（チューンペイン）の参照セクション２０２である。参照セクション２０２は、ウェハ１００の表面のどの部分が参照ウェハマップ２１０で表示されるかの目安をユーザーが得られるように、参照ウェハマップ２１０および全ウェハ１００の小画像２１１を示す。参照ウェハマップ２１０は様々な方法で得ることができる。１つの可能性は、同じウェハタイプまたは異なるウェハタイプの先の参照ウェハマップ２１０が保存されているストレージデバイス（図示せず）から参照ウェハマップ２１０をロードすることである。チューンマップ２６０Ｔをロードすることが可能である。参照ウェハマップ２１０は、検査システム１でウェハ１００を実施することによって生成させることができる。ウェハ１００は、製造プロセスの間に検査する必要がある１つのロットからのウェハであり得る。前述のように、知識データベースのサイズは、検査システム１にロードされるウェハの量を決定する。

第１ウィンドウ２０１はさらに、参照ウェハマップ２１０の少なくとも１つの結果画像２１２を示す。結果画像２１２の小画像２１３は、ユーザーが表示された結果画像２１２内の位置についての情報を受け取れるように、参照ウェハマップ２１０の結果画像２１２中に表示される。

第１ウィンドウ２０１は、結果画像２１２の下に、参照ウェハマップ２１０のウェハ表面欠陥リスト２１４を示す。ウェハ表面欠陥リスト２１４は、参照ウェハマップ２１０で見いだされる欠陥についての情報を提供する。示される情報は、「ダイＩＤ」、「ダイ分類」、ウェハ１００の表面上の欠陥を有するダイの「Ｘ位置」、ウェハ１００の表面上の欠陥を有するダイの「Ｙ位置」、欠陥の「面積」、欠陥の「長さ」、欠陥の「幅」；欠陥の「コントラスト」および欠陥の「伸び」から構成される。ここで提示される欠陥の情報は非公開のリストではないことは当業者に明白である。選択バー２１５によって、ユーザーが、特定の欠陥タイプを選択すること、そして選択された欠陥のタイプにしたがってウェハ表面欠陥リスト２１４を仕分けすることが可能になる。スクロールバー２１６によって、ウェハ表面欠陥リスト２１４内でユーザーのナビゲートが可能になる。

第１ウィンドウ２０１は、ウェハ表面欠陥リスト２１４の下に、参照ウェハマップ２１０のウェハダイリスト２１７を示す。ウェハダイリスト２１７は、参照ウェハマップ２１０で見いだされる欠陥についての情報を提供する。示される情報は、「ダイＩＤ」、「ダイ分類」、ウェハ１００の表面上の欠陥を有するダイの「欠陥サイズ」、「表面欠陥の数」、「表面欠陥分類の数」、欠陥の「幅」および欠陥の「伸び」から構成される。ここで提示される欠陥の情報が非公開のリストでないことは当業者には明白である。選択バー２１８によって、ユーザーが特定のダイを選択すること、そして選択されたダイによってウェハダイリスト２１７を仕分けすることが可能になる。スクロールバー２１９によって、ウェハダイリスト２１７内でのユーバーのナビゲートが可能になる。第１ウィンドウ２０１の下に、ダイアログ２００のショートカットセクション２０９が表示される。ショートカットセクション２０９は：「ダイ画像セット・・・」、「アラインメントパラメータ」、「表面領域」または「分類パラメータ」のようなレシピ編集ペインへの直接アクセスを可能にする。試験実施の前にそれを保存する必要はない。ショートカットセクション２０９はツールバーであり、これはユーザーが設定することができる。ツールバーは複数の様々なボタン２０９_１、２０９_２、・・・、２０９_Ｎを示し、これはショートカットへのリンクを提供する。ショートカットのボタン２０９_１、２０９_２、・・・、２０９_Ｎのうちの１つをクリックすると、関連するパラメータが示される。

図６は、チューンペイン（ダイアログ２００）の試験セクション２０４であるユーザーインターフェース１３の第２ウィンドウ２０３を示す。試験セクション２０４は、ウェハ１００の表面のどの部分が試験ウェハマップ２２０で表示されているかの目安をユーザーが得られるように、試験ウェハマップ２２０および全ウェハ１００の小画像２２１を示す。試験ウェハマップ２２０は、参照ウェハマップ２１０で実施された最新の実施の結果を示す。第２ウィンドウ２０３はさらに、試験ウェハマップ２２０の少なくとも１つの結果画像２２２を示す。結果画像２２２の小画像２２３は、ユーザーが表示された結果画像２２２内の位置についての情報を受け取るように、試験ウェハマップ２２０の結果画像２２２中に表示される。第２ウィンドウ２０３は、試験ウェハマップ２２０の結果画像２２２の下に、試験ウェハマップ２２０のウェハ表面欠陥リスト２２４を示す。ウェハ表面欠陥リスト２２４は、試験ウェハマップ２２０で見いだされる欠陥についての情報を提供する。示される情報は、「ダイＩＤ」、「ダイ分類」、「欠陥分類」、試験ウェハマップ２２０のウェハの表面上の欠陥を有するダイの「Ｘ位置」、試験ウェハマップ２２０のウェハの表面上の欠陥を有するダイの「Ｙ位置」、欠陥の「面積」、欠陥の「長さ」、欠陥の「幅」；欠陥の「コントラスト」および欠陥の「伸び」から構成される。ここで提示される欠陥の情報が非公開のリストでないことは当業者には明白である。選択バー２２５によって、ユーザーが特定の欠陥タイプを選択し、選択された欠陥のタイプにしたがってウェハ表面欠陥リスト２２４を仕分けすることが可能になる。スクロールバー２２６はウェハ表面欠陥リスト２２４内でユーザーのナビゲートを可能にする。第２ウィンドウ２０３は、試験ウェハマップ２２２のウェハ表面欠陥リスト２２４の下に試験ウェハマップ２２０のウェハダイリスト２２７を示す。ウェハダイリスト２２７は、試験ウェハマップ２２０中で見いだされる欠陥についての情報を提供する。示される情報は、「ダイＩＤ」、「ダイ分類」、ウェハ１００の表面上の欠陥を有するダイの「欠陥サイズ」、「表面欠陥の数」、「表面欠陥分類の数」、欠陥の「幅」および欠陥の「伸び」から構成される。ここで提示される欠陥の情報は非公開のリストではないことは当業者には明白である。選択バー２２８により、ユーザーが特定のダイを選択し、選択されたダイにしたがってウェハダイリスト２２７を仕分けすることが可能になる。スクロールバー２２９はウェハダイリスト２２７内でのユーザーのナビゲートを可能にする。

図７は、チューンペイン（ダイアログ２００）のチューンマップセクション２０６Ｔであるユーザーインターフェース１３の第３ウィンドウ２０５を示す。チューンマップ２０６Ｔは関心対象のダイ２３０を含む。複数のウェハ１００からのダイ２３０をユーザーがチューンマップ２０６Ｔに加えることができる。さらに、ダイ分類はユーザーによって選択され得る。様々な分類を様々な濃淡の個々のダイ２３０で示す。ユーザーは、チューンマップ２０６Ｔで示される関心対象のダイ２３０に影響を及ぼすいくつかのボタン２３１を選択することができる。可能な動作はボタン２３１上に書かれている。

図８は、ユーザーインターフェース１３の第４ウィンドウ２０７が、チューンペイン（ダイアログ２００）の分類表２０８であることを示す。分類表２０８は、参照ウェハマップ２１０と試験ウェハマップ２２０との間の比較結果を示す。分類表２０８は選択入力として使用され、ここで、例えばハイライトされたダイを検査する。さらに、分類表２０８は、アンダーキルまたはオーバーキルの容易なトラッキングを可能にし、異なる実施間の差は容易にモニターされる。

本発明を特定の実施形態を参照して記載してきた。しかしながら、以下の特許請求の範囲から逸脱することなく改変および修正をなすことができることは、当業者には明らかである。

１ 検査システム、２ ステージ、３ カートリッジエレメント、４ 入射光照明システム、５ 検査ユニット、６ 暗視野照明システム、８ カメラ、９ 輸送装置、１０ 検出ビーム路程、１１ ハウジング、１２ ビームスプリッター、１３ インターフェース、ダイアログ、チューンペイン、１４ キーボード、１５ コンピュータシステム、１００ 半導体デバイス、ウェハ、１００Ｓ 表面半導体デバイス、２００ ダイアログ／チューンペイン、２０１ 第１ウィンドウ、２０２ 参照セクション、２０３ 第２ウィンドウ、２０４ 試験セクション、２０５ 第３ウィンドウ、２０６ チューンマップセクション、２０６Ｔ チューンマップ、２０７ 分類表セクション、２０８ 第４ウィンドウ、２０９ ショートカットセクション、２０９_１、２０９_２，・・・，２０９_Ｎ 様々なボタン、２１０ 参照ウェハマップ、２１１ 小画像、２１２ 結果画像、２１３ 結果画像の小画像、２１４ ウェハ表面欠陥リスト、２１５ 選択バー、２１６ スクロールバー、２１７ ウェハダイリスト、２１８ 選択バー、２１９ スクロールバー、２２０ 試験ウェハマップ、２２２ 結果画像、２２３ 結果画像の小画像、２２４ ウェハ表面欠陥リスト、２２５ 選択バー、２２６ スクロールバー、２２７ ウェハダイリスト、２２８ 選択バー、２２９ スクロールバー、２３０ 関心対象のダイ、２３１ 複数のボタン、３００ 開始、３０２ ローディングステップ、３０４ 自動検査、３０８ 分類ステップ、３１０ ローディングステップ、３１２ 検査ステップ、３１４ 分析ステップ、３１６ 第１判定ステップ、３１７ 修正ステップ、３１８ 第２判定ステップ、３１９ ローディング、３２０ 終了、３２１ リファイニングおよび／またはチューニングおよび／または修正ステップ、３２２ ローディングステップ、Ｘ Ｘ座標方向、Ｙ Ｙ座標方向、Ｚ Ｚ座標方向。

Claims (26)

1. 半導体デバイスの自動検査のための検査レシピ生成のための方法であって、以下のステップ：
   検査レシピ生成のために参照データセットを使用するステップ；
   参照データセットのダイの画像に関する初期レシピで自動検査を実施するステップ；
   自動検査からの検出された検査結果を分類するステップ；
   前記分類された検査結果をダイにおける欠陥のエキスパート分類と比較するステップ；
   前記分類された検査結果と前記ダイにおける欠陥のエキスパート分類との比較に基づいてオーバーキルおよびアンダーキル数を自動的に生成するステップ；ならびに
   前記分類された検査結果と前記ダイにおける欠陥のエキスパート分類との比較の結果が所定の閾値より低い場合は、検査レシピパラメータを修正し、自動検査を繰り返すステップ
   を含む、方法。
2. 参照データセットが、保存された参照マップまたはコンピュータにアップロードされたチューンマップである、請求項１記載の方法。
3. 既存の参照マップまたは既存のチューンマップのリファイニング、チューニングおよび修正が、コンピュータへのアップロードの前に実施される、請求項２記載の方法。
4. 既存の検査レシピが保存され、コンピュータにアップロードされる、請求項１記載の方法。
5. 既存の初期検査レシピのリファイニング、チューニングおよび修正をコンピュータへのアップロードの前に実施する、請求項４記載の方法。
6. 前記チューンマップが関心対象のダイを含み、ダイ分類がユーザーによって選択可能である、請求項２記載の方法。
7. 異なる半導体デバイス由来のダイをチューンマップに加える、請求項６記載の方法。
8. 分類表が参照データセットと試験データセットとの間の比較結果を示し、前記試験データセットが試験マップである、請求項１記載の方法。
9. 検査レシピ生成のために参照データセットを使用する前に、データセットの生成および初期レシピの生成が次のステップ：
   半導体デバイスを検査システムにロードし、そしてセットアップおよびチューンアラインメントを実施するステップ；
   ロードされた半導体デバイスの自動検査を実施するステップ；
   ダイレベルで結果を再検討するステップ；および
   ダイを分類し、ダイ画像およびすべての欠陥情報をチューンマップに加えるステップ
   を含む、請求項１記載の方法。
10. チューンマップのダイの知識データベースが十分大きくない場合は新しい半導体デバイスを検査システムにロードし、前記新たにロードされた半導体デバイスの自動検査を実施する、請求項９記載の方法。
11. 半導体デバイスの自動検査のための検査レシピ生成のためのコンピュータシステムであって：
    検査レシピ生成のための参照データセットを使用し、そして前記参照データセットのダイの画像に関する初期レシピで自動検査を実施するためのコンピュータ；
    少なくとも前記参照データを示す第１ウィンドウと、少なくとも試験データを示す第２ウィンドウと；チューンマップを示す第３ウィンドウと、オーバーキルおよびアンダーキル数に関して、分類された検査結果とダイにおける欠陥のエキスパート分類との比較を可能にする分類表を示す第４ウィンドウとを有する、ダイアログ；
    オーバーキルおよびアンダーキル数の自動生成および表示；ならびに
    前記分類された検査結果と前記ダイにおける欠陥のエキスパート分類との比較の結果が所定の閾値よりも低い場合は、検査レシピパラメータの修正および自動検査の反復
    を含む、コンピュータシステム。
12. 参照データセットが保存された参照マップまたはコンピュータにアップロードされるチューンマップである、請求項１１記載のコンピュータシステム。
13. 既存の参照マップまたは既存のチューンマップのリファイニング、チューニングおよび修正をコンピュータへのアップロード前に実施する、請求項１２記載のコンピュータシステム。
14. 既存の検査レシピを保存し、コンピュータシステムにアップロードする、請求項１１記載のコンピュータシステム。
15. 既存の初期検査レシピのリファイニング、チューニングおよび修正をコンピュータへのアップロード前に実施する、請求項１２記載のコンピュータシステム。
16. チューンマップが関心対象のダイを含み、ダイ分類がダイアログによりユーザーによって選択可能である、請求項１１記載のコンピュータシステム。
17. 異なる半導体デバイスからのダイがチューンマップに加えられ、そしてダイアログの第３ウィンドウで表示される、請求項１６記載のコンピュータシステム。
18. 第４ウィンドウの分類表が、参照データセットと試験データセットとの比較結果を示し、前記試験データセットが試験マップである、請求項１１記載のコンピュータシステム。
19. 検査システムがコンピュータシステムに接続され、検査システムを使用して、ロードされた半導体デバイスの自動検査を実施する、請求項１１記載のコンピュータシステム。
20. 半導体デバイスの自動検査のための検査レシピ生成のための装置であって：
    少なくとも入射光照明システム；半導体デバイスの表面から光を受容するように配置されたカメラを有する検査システムであって、光がさらなる分析のために電気画像データに変換される、検査システム；
    検査レシピ生成のための参照データセットを使用するため、そして参照データセットのダイの画像に関する初期レシピで自動検査を実施するためのコンピュータ；および
    少なくとも１つのディスプレイであって、第１ウィンドウと第２ウィンドウと第３ウィンドウと第４ウィンドウに細分される、ディスプレイであって；前記第１ウィンドウは少なくとも参照データを示し、前記第２ウィンドウは少なくとも試験データを示し；前記第３ウィンドウはチューンマップを示し、そして前記第４ウィンドウは、自動的に生成・表示されるオーバーキルおよびアンダーキル数に関して、分類された検査結果と欠陥のエキスパート分類の画像との間の比較を可能にする分類表を示す、ディスプレイ
    を含む、装置。
21. 検出および／または分類が所定の閾値より低い場合に、入力装置が検査レシピパラメータの修正および自動検査の反復を可能にする、請求項２０記載の装置。
22. 参照データセットが保存された参照マップまたはチューンマップであり、これをコンピュータにアップロードし；コンピュータへのアップロード前に、参照マップまたはチューンマップのリファイニング、チューニングおよび修正を実施する、請求項２１記載の装置。
23. 既存の検査レシピを保存し、そしてコンピュータにアップロードし、コンピュータへのアップロードの前に既存の初期検査レシピのリファイニング、チューニングおよび修正を実施する、請求項２０記載の装置。
24. 半導体デバイスの自動検査用の検査レシピ生成のための方法であって、以下のステップ：
    半導体デバイスを検査システム中にロードし、セットアップおよびチューンアラインメントを実施するステップ；
    ロードされた半導体デバイスの自動検査を行うステップ；
    結果をダイレベルで再検討するステップ；
    ダイを分類し、ダイ画像およびすべての欠陥情報をチューンマップに加えるステップ；
    チューンマップを参照マップとしてロードするステップ；
    参照マップのダイの画像に関する初期レシピで自動検査を実施するステップ；
    自動検査から検出された検査結果を分類するステップ；
    前記分類された検査結果とダイにおける欠陥のエキスパート分類とを比較するステップ；
    前記分類された検査結果と前記ダイにおける欠陥のエキスパート分類との比較に基づいてオーバーキルおよびアンダーキル数を自動的に生成するステップ；ならびに
    前記分類された検査結果と前記ダイにおける欠陥のエキスパート分類との比較の結果が所定の閾値より低い場合は、検査レシピパラメータを修正し、自動検査を繰り返し、そして修正されたパラメータを用いて自動検査を再度実施するステップ；ならびに
    知識データベースが十分大きくない場合は新規半導体デバイスを検査システムにロードし、知識データベースを増加させるために、新しくロードされた半導体デバイスの自動検査を再度実施するステップ
    を含む、方法。
25. チューンマップが関心対象のダイの画像を含み、ダイ分類がユーザーによって選択可能であり、異なる半導体デバイスからのダイの画像がチューンマップに加えられる、請求項２４記載の方法。
26. 分類表が、参照マップと試験マップとの間の比較結果を示す、請求項２４記載の方法。